TW402847B - Dynamic picture decoding and decoding device - Google Patents

Description

A7 B7 40284? 五、發明说明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明，係有關將預測編碼資料加以解碼較佳之動態 圖樣解碼方法及動態園樣解碼裝置。 【先行技術】 近年，MP E G 2等之動圖樣編碼方式爲逐漸被使用 於數位播送或封裝媒體等。有關MP E G 2等之動態圖樣 編碼方式及解碼方式，係詳述於單行本「最新MP E G 2 教科書」（ASKEE出版局 於MP E G 2規格，由直交變換處理，量子化處理及 可變長編碼處理來壓縮圖樣資料。直交變換係將所输入之 標本値變換爲空間頻率成分等之直交成分，而以mx η像 素之區塊單位進ijDCT (離散餘弦（descrete cosine transformation )處理等。藉此就可削減空間上之相關成分 。被直交變換之成分係藉量子化，來削減區塊之訊號冗餘 度。 經满部中央標準局負工消費合作社印製 並且，對於量子化輸出施加哈符曼（Huffman )編碼之 可變長編碼，就可將資料置更加削減》哈符曼編碼，係依 據從量子化輸出之統計上符號量所算出之結果進行編碼者 ，對於出現機率高之資料就分配短位元，而藉對於出現機 率低之資料就分配長位元之可變長編碼來削減整體之資料 量。 並且，將於MPEG2，圖幅（frame )之圖樣進行 D C T處理之圖幅內壓縮之外，而也採用利用圖幅間之相 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )A4规格（210X297公釐） 4'Ϊ 經满部中央標準局員工消费合作社印製 Α7 Β7___ 五、發明説明（2 ) 關來削減時間軸方向之冗餘度之圖幅壓縮。圖幅間壓縮， 係利用一般之動態圖樣在前後之圖幅相似之性質求取前後 圖幅之差値而藉將差値（預測誤差）編碼來更加減低位元 傅输速率（bit rate )。尤其，預測動態圖樣之動態藉求取 圖幅間差來減低預測誤差之動態補償圖幅間預測編碼爲有 效。按，使用於動態補償預測之動態向量之資料，係加以 可變長編碼來進行多重輸出》 像這樣地，在MP E G 2，係將規定圖幅之圖樣資料 直接進行D C T處理加以編碼之圖幅內編碼之外，也採用 與只將規定圖幅之圖樣資料與此圖幅前後之圖幅之參照圖 樣資料之差値資料進行D C T處理加以編碼之預測編碼。 作爲預測編碼方法係具有；時間上將前方向之參照圖樣資 料進行動態補償來求取預測誤差之前方預測編碼，與時間 上將後方向之參照圖樣資料進行動態補償來求取預測誤差 之後方預測編碼，與考慮編碼效率使用前方或後方之任一 方或兩方向之平均兩方向預測編碼》 按，於MP E G解碼器所處理之亮度訊號與色差訊號 係其取樣時鐘爲不同。例如，色差訊號之取樣時鐘若爲亮 度訊號之取樣時鐘之1 /4之頻率時，亮度區塊與色差區 塊之大小之比將變成1 : 4。此時，係由亮度4區塊與色 差各1區塊之6 D C T區塊構成巨塊籴作爲編碼之單位。 動態向量之檢測也以巨塊單位進行。若D C T區塊爲8 X 8像素大小時，因亮度訊號與色訊號爲個別地進行處理， 所以，1巨塊之大小將變成1 6x 1 6。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（2丨0 X 29*7公釐） (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁)

-5- 經滴部中央標準局貝工消费合作社印聚 Α7 _Β7___ 五、發明説明（3 ) 動態向量之檢測，係欲將現有圖幅進行編碼對於注目 區塊（巨塊）設定相對性位置爲同一之參照圖幅之區塊作 爲中心之規定探索範圍。並且，由匹配計算，將現有圖幅 之注目區塊之圖樣最爲類似之圖樣之區塊在探索範圍內探 索。也就是說，在探索範圍內邊將區塊以0·5像素單元 移動依序加以設定，而進行將於設定於注目區塊與探索範 圔之區塊間所對應之各像素互相之差分之絕對値累稹之匹 配計算，將累稹値最小之區塊作爲參照圖樣區塊。將表示 參照圖樣區塊與注目區塊之相關位置之向量作爲動態向量 來加以求取· 第1 6圖係表示對應於這種MP E G 2規格之先行技 術之動態圖樣解磾裝置之方塊圖。 經由輸入端子1所輸入之編碼資料將供給於可變長解 碼電路（以下，稱爲VLD)2。所輸入之編碼資料，係 將圖樣資料或預測誤差加以D C Τ處理而量子化之後，加 以可變長編碼者。VLD2係將所輸入之編碼資料加以可_ 變長解碼，而復原爲編碼側之可變長編碼處理前之資料》 包含於V L D 2輸出之動態向量將供給於動態補償電路（ 以下，稱爲MC) 8，而量子化輸出將供給於逆童子化電 路（以下，稱爲1Q) 3。 1 Q 3係將V L D 2之輸出加以逆量子化向振幅方向 伸長之後，輸出於逆DCT電路（以下，稱爲I DC Τ) 4。 IDCT4係將逆量子化输出進行逆DCT處理復原 爲編碼側之D C T處理前之資料· I D C T4之输出係經 ----------- ^------1T------^ f t (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公t ) -6- 402847 A7 B7 經滴部中央標丰局負工消费合作社印製 五、發明説明（4 ) 由加法器5傳輸於圖樣記憶體7。 現在，將視爲圖幅內被編碼之編碼資料解碼。這種狀 況時IDCT4之输出，係圖幅之復原圖樣，IDCT4 之輸出係經由加法器5直接供給於圖樣記憶體7。 I D C T 4之輸出，係區塊單元之像素資料，圖樣記憶體 7將1圖幅分之像素資料以線單位記億。 圖樣記億體7之書寫係受到寫入位址生成電路1 1之 控制。寫入位址生成電路1 1，係將產生表示相應於被解 碼巨塊之畫面上位置之圖樣記憶體7上之位置之寫入位址 。寫入位址將供給記憶控制電路6，而由記億控制電路6 進行對於圖樣記憶體7之寫入。 另一方面，圖樣記億體7之讀出係由讀出位址生成電 路9所控制。讀出位址生成電路9，係將參照圖樣之讀出 位址依據MC 8之輸出生成。MC 8係依據從VLD 2之 動態向量資料而算出解碼之區塊所參照之參照圖樣區塊之 畫面上之位置（以下，稱爲畫面位址）。讀出位址生成電 路9，係將畫面位址變換爲參照囫樣區塊之圖樣記憶體7 上之位置（以下，稱爲記憶體位址），而對於記憶控制電 路6作爲讀出位址加以供給。 在此，係解碼被圖幅間編碼之編碼資料。此時， I SCT4之輸出係預測誤差》另一方面，MC8係爲了 獲得此預測誤差將所參照之參照圖樣區塊之畫面位址依據 動態向量算出。此畫面位址係給與讀出位址生成電路9， 而生成圖樣記憶體7之讀出位址》 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 i 訂 線 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 402847 A7 B7 五、發明说明（5 ) (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 記憶控制電路6係依據讀出位址從圖樣記憶體7進行 讀出像這樣，從圖樣記憶體7係讀出被動態補償之參照 圖樣區塊而供給於MC 8。MC 8係將被動態補償之參照 巨塊給與加法器5，而藉加算從MC 8之參照資料與預測 誤差，復原爲原本之圖樣•復原圖樣係依據來自寫入位址 生成電路1 1之寫入位址儲存於圖樣記憶體7 · 以後，同樣地進行解碼。若變成顯示時間時，顯示位 址生成電路1 0，係將顯示位址給與記憶控制電路6。藉 此，從圖樣記憶體7讀出復原圖樣資料而供給於顯示緩衝 器1 2。儲存於顯示緩衝器1 2之復原圖樣資料，係依據 顯示順序被讀出，而從輸出端子1 3输出。由於將來自輸 出端子1 3之復原圖樣資料給與沒有圖示之顯示裝置，就 可顯示復原圖樣。 然而，作爲圖樣記憶體7，係可考慮使用以高速而可 由低價格之購買到之商品DRAM ( Dynamic Random Acccess Memory )。有關DRAM之基本機能係詳述於「 電晶體技術」（March 1990 p411~p426 )。 經濟部中央標隼局貝工消费合作社印架 D R AM係由行位址R與列位址C可存取於任意之位 址。爲了使DRAM之記億體位址與畫面位址之對應變成 容易，在圖樣記憶體7係進行畫面圖樣所對應之書寫*第 1 7園爲了說明這種對於DRA Μ之ffl樣資料之儲存方法 所用之說明圖。 D R AM係各行係具有由複數之列位址所構成之頁構 造。現在，將NT S C爲例，思考到儲存水平方向有效像 本紙張尺度適用中國國家標牟（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐} -8- 40284Ί A7 B7 ____ 五、發明説明（6 ) 素數爲7 2 0像素，垂直方向有效線數爲4 8 0線之像素 分量之像素資料。1領域之有效線爲240線。又’認爲 DRAM係可在1位址儲存1像素分量之資料，1頁（1 行分）係具有可儲存1 〇 2 4 ( = 2之1 0次方）像素分 量資料之容量。 此時係如第7圖所示，在DRAM1行（1頁分）存 儲1線之7 2 0像素分量之圖樣資料，而切換每線所記憶 之行》藉此，畫面上之位置與記億體上之位置相對應，由 畫面上之水平及垂直位置因指定行位址R及列位址C，就 可從圖樣記億體7讀出。 按，由於行位址與列位址係經由同一匯流排傳輸，所 以，爲了區別這些位址，由於控制線傳輸R A S ( Row 'Adress Strobe ) ，C A S ( Column Adress Strobe )，於行 位址傳输時將RAS，而傳輸列位址時將使CAS變成活 化（active ) β 經漪部中央橾隼局負工消費合作社印製 (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) 於DRAM，係採用頁模態之高速存取模態。在頁模 態若欲將同一頁內之位址連續存取時，將RA S活化後， 連同列位址供給C A S。藉此，將同一頁之資料可隨機地 高速存取。

第18圖（a)係表示於DRAM之存取。於 DRAM，係成爲以每各規定期間進行預充電，通常預充 電係每當切換寫入及讀出之頁時進行。在DRAM之存取 ，係首先進行預充電。預充電所需之時間t R P後由 RAS進行行位址周期。行位址周期所需之時間t RCD 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公嫠） -9- A7 _T.___ 五、發明说明（7 ) 之後進行列位址周期。 像這樣地，在DRAM，若欲進行屬於頁切換之行位 址之變更時，需要對於1個RA S之存取結束後，到下一 RAS供給之規定時間tRAS。並且，也需要输入 RA S到受理資料爲止之時間t R C D及存取所需之事前 準備之預充電時間t PR等。也就是說，除了實際地進行 資料之寫入及讀出所需之時鐘周期之外，需要與實際之資 料存取無關之屬於時鐘周期之常務（overhead )。藉此常 務就會發生無用於資料間之間隔（interval )，而妨礙高速 之存取。 經漪部中央榡準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於是，近年，已使用像這種可減輕無用間隔之 S D RAM ( Synchoronous (同步型）D RAM) » 第 1 8圖（b)係表示對於SDRAM之存取。於 S D RAM，係記憶領域爲分割成複數記憶庫。各記憶庫 係具有與第1 7圖同樣之頁構造。各記憶庫係被獨自管理 ，而如第1 8圖（b)之t RAS期間所示，例如，在存 取記憶庫0中可準備對於其他記憶庫1之存取。藉此，如 第1 8圖（b )之間隔所示，在SDRAM係藉利用記憶 庫切換，就可縮短資料間之無用間隔》 又，SDRAM係具有脈衝串傳輸（buest trasmission )機能（參照第18圖（b))。於DRAM，即使欲存 取連續之列位址時*必須依各列位址供給C A S。與此相 對，於S D RAM，係藉只供給所連續之列位址之最初列 位址，具有將以後之規定數目之位址同步於時鐘連續性地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4规格（2丨0 X 297公釐） -10- A7 B7 40284? 五、發明说明（8 ) 存取脈衝串傳輸機能（參照第1 8圖（b ))。像這樣地 ，在SDRAM係可做到同步於時鐘之髙速存取。 按，於第18圖，P re係表示開始預充電之訊號。於 實際之DRAM係不具供給P re訊號之針腳，而雖然由 RAS，CAS之組合表示，但是在第1 8圖爲了助益了 解加以表示· B s係表示切換記憶庫之訊號。又，實際上在 讀出周期與寫入周期其規定値爲稍異，到RA S供給後資 料之受理係具有時間差。 第19圖係爲了說明將像這種SDRAM作爲圖樣記 憶體7使用時對於S DRAM之圖樣資料之存儲方法之說 明圖。 現在，視爲SDRAM具有記憶庫0及記憶庫1之2 個記憶庫。在第1 9圖係將這些2個記億庫中之記億庫0 作爲保持奇數線之圖樣資料使用，而將記億庫1作爲保持 偶數線之圖樣資料使用。並且，畫面水平方向之位址X係 對應於列位址C，畫面垂直方向之位址Y係對應於行位址 R · 第2 0圖係表示畫面位址與記億位址之對應。第2 0 圖（a)係表示畫面位址，第20圖（b)係表示記憶位 址。 如第 20 圖（a)所示，在 MSB ( Most Significant Bit )側排列領域號碼F及垂直位址Y，在L S B ( Least Significant Bit )側排列水平位址X來構成畫面位址•又， 如第2 0圖（b )所示，記憶體位址係在MS B側排列對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 請 先 Η 讀 背 面 之 注 2 訂 經濟部中央橾车局貝工消費合作社印製 -11 . 402847 A7 B7 五、發明説明（9 ) 應於垂直位址Y之行位址R及記憶庫切換位址BS，在 L S B側排列對應於水平位址X之列位址C。 於此，於第1 9圖以粗框所圍之領域爲參照巨塊，而 以圖之箭頭所示存取順序來讀出參照圖樣資料。在此時， 首先，指定記憶庫0而讀出參照巨塊內之先頭線之圖樣資 料。於讀出此線途中·進行存儲下一線圖樣資料之記億庫 1之存取準備，從先頭線之圖樣資料之讀出結束之後在較 短期間讀出下一線之圖樣資料。以後，同樣地，切換存取 於每線之記億庫而進行讀出。 像這樣地，於第1 9圖之存儲方法，即使每各線發生 頁切換時，在此切換時會引起記億庫切換，所以，較使用 DRAM時可減輕資料間之無用間隔，而可進行高速存取 。尤其，以m像素X η線單位進行之動態補償時之參照圖 樣之讀出處理及解碼圖樣之寫入時進行跨越線之存取時爲 有效。 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本I) 然而，由於在頁切換時會引起記憶庫切換，雖然可縮 短間隔，但是，在第1 9圖之記憶方法，係於參照圖樣之 讀出及解碼圖樣之寫入由於會分別發生η次之記憶.庫切換 ，所以間隔之合計時間爲長，結果而言，具有妨礙解碼處 理之高速化之問題。 又，由於對於這種圖樣記憶體7之寫入及讀出，圖樣 記億體7之記憶匯流排佔有率爲極高•因此，爲了減低電 路所需之記憶容量，將圖樣記億體7使用於其他機能，例 如，欲利用爲0 S D ( On Screen Display )等所使用之記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（2丨0X297公嫠> -12- 402841 A7 B7 五、發明説明（10) {請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 憶體，由於匯流排佔有率爲高所以具有不能兼用之問題。 【發明所欲解決之問題】 像這樣地，於上述之先行技術之動態圖樣解碼處理， 對於圖樣記億之存取時之常務不僅解碼處理需要長時間， 同時，匯流排佔有率爲極高，具有不能將圖樣記億兼用爲 其他機能用之困難問題。 本發明係鑑於這種問題所發明者，不僅可將解碼處理 高速化，同時*藉減低圖樣記億之匯流排佔有率，可將圖 樣記憶兼用做其他機能，而提供一種可減低電路規模之動 態圖樣解碼方法及動態圖樣解碼裝置爲其目的。 【解決問題之手段】 經滴部中央標準局負工消费合作社印聚 有關本發明之申請專利範圍第1項之動態圖樣解碼方 法，係將編碼資料解碼以獲得復原圖樣資料之解碼步驟， 與以畫面分割成由N個（N係自然數）之像素所構成之領 域，作爲鄰接於水平及垂直方向之至少一方之上述領域之 上述復原圖樣資料之存取對方具有指定記億手段相異之記 憶庫之指定步驟。 有關本發明之申請專利範圍第6項之動態圖樣解碼裝 置，係具備有；藉使用現有圖樣與參照圖樣之預測誤差之 動態補償預測編碼以規定之區塊單元輸入被編碼之編碼資 料，解碼上述編碼資料以獲得復原圖樣資料之解碼手段， 與將上述復原圖樣資料作爲上述參照圖樣之圖樣資料所記 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐） • 13 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印聚 40284? at _-_B7 五、發明説明（n) 億之記憶手段，與上述規定之區塊單位之1個以上之綜合 之領域而將在畫面上鄰接於水平及垂直方向之至少一方領 域之上述復原圖樣資料存儲於上述記憶手段相異之記憶庫 之寫入控制手段，與將記憶於上述記憶手段之復原圖樣資 料以依據圖樣之動態之區塊化位置加以區塊化讀出之上述 解碼手段作爲參照圖樣之圖樣資料所給與之讀出控制手段 〇 於本發明之申請專利範圍第1項，由解碼化步驟而編 碼資料就被解碼而獲得復原圖樣資料。爲了對於復原圖樣 資料之記憶手段之寫入或從記憶手段之讀出等欲存取於記 億手段時，依照指定步驟，指定記億手段之位址。指定步 驟，係作爲鄰接於水平及垂直方向之至少一方之領域之上 述復原圖樣資料之存取對方依各領域指定記億手段相異之 記憶庫。藉此，對於上述記憶手段之存取時不僅記憶庫切 換次數變少，同時，與讀出複數領域之復原圖樣資料時所 發生之頁變換之同時可發生記憶庫切換，而存取就變成高 速。 於本發明之申請專利範圍第6項，由解碼手段而編碼 資料就受到解碼而獲得復原圖樣資料。此復原圖樣資料， 係藉寫入控制手段，記憶於記憶手段。寫入控制手段，係 在奎面上鄰接於水平及垂直方向之至少一方各領域之上述 復原圖樣資料存儲於上述記憶手段相異之記憶庫。讀出控 制手段，係將於記憶記憶手段之復原圖樣資料依據圖樣動 態之區塊化位置，加以區塊化而讀出。關於復原圖樣資料 ί---------Q------訂------埃1 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） -14 - 402841 五、發明説明（12) 所鄰接之領域因係寫入於相異之記憶庫，所以，讀出參照 圖樣時，即使讀出複數領域之復原圖樣資料時，因也會發 生領域切換引起之頁切換時會發生記憶庫切換，所以參照 圖樣之讀出將變成高速。 【發明之實施形態】 茲參照圖面就本發明之實施形之詳細說明如下。第1 圖係表示有關本發明之動態圖樣解碼裝置之一實施形態之 方塊圖。於第1圖對於與第16圖之同一構成元件標示了 同一符號。 於本實施形態，具有作爲圖樣記憶之複數記憶庫，對 於這些複數各記憶庫之存取爲由共通之列位址及行位址進 行，各記億庫之切換藉指定記憶庫切換位址所進行之圖樣 記億體，例如，使用同步型DRAM。本實施形態，係不 僅對於各記憶庫存儲巨塊之圖樣資料，同時，存取圖樣記 憶體時，若發生頁切換時由於一定可做到切換記億庫引起 之存取，減低對於圚樣記憶體存取時之常務而可做到高速 存取。本實施形態係就使用具有2個記憶庫之圖樣記億體 之爲例說明如下。 於第1圖對於輸入端子1輸入編碼資料。此編碼資料 係，例如，由D C T處理，量子化處理‘及可變長編碼處理 所製作者，不僅只是圖幅內編碼處理，也進行使用前方或 後方圖幅之參照圖樣之單向預測編碼處理及使用兩向圖幅 之參照圖樣化之兩向預測編碼處理。又，對於編碼資料係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公漦） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁

.1T 岐 經滴部中央標準局貝工消費合作社印袈 -15- 402847 經滴部中央榇準局負工消費合作社印製 A7 B7_____五、發明説明（13) 使用於預測編碼時之動態向量之資訊爲被可變長編碼而成 爲多重。 經由输入端子1所輸入之編碼資料將供給於v L D 2 。VLD 2係將所輸入之編碼資料加以可變長解碼，而返 回到編碼側之可變長編碼處理前之資料。藉此，從 VLD2可獲得量子化输出及動態向量之資料。VLD2 係將量子化輸出供給於I Q 3，而將動態向量供給於 M C 8。 I Q 3係將V L D 2之輸出加以逆量子化而向振幅方 向伸長之後，输出於IDCT4» IDCT4係將逆量子 化輸出加以逆D C Τ處理復原爲編碼側之D C Τ處理前之 資料。IDCT4之輸出將給與加法器5。按，VLD2 ，IQ3及IDCΤ4之處理係以巨塊單位進行， I DCT4之輸出係以巨塊單單位給與加法器5。 加法器5，係若IDCT 4之輸出爲依據圖幅內編碼 資料時就將I D C Τ 4之輸出直接输出於圖樣記憶體2 0 。IDCT4之輸出若爲依據圓幅間編碼資料之預測誤差 時，加法器5係對於所输入之預測誤差加算後述之MC 8 而輸出於圖樣記憶體2 0。 圖樣記憶體2 0係例如爲SDRAM，從加法器5給 與復原圖樣資料，而可將此復原圖樣資料作爲參照圖樣資 料加以記憶。圖樣記憶體2 0 |係由記億體控制電路1 9 控制寫入及讀出。對於記億髖控制電路1 9係從讀出讀出 位址生成電路2 1供給圖樣記憶體2 0之讀出位址，從寫 (请先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

• L 訂 -線 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐） -16- 經滴部中决標準局員工消费合作社印笨 40284¾ at 一 B7五、發明説明（14) 入位址生成電路2 3供給圖樣記憶體2 0之寫入位址，從 顯示位址生成電路2 2供給圖樣記憶體2 0之顯示位址。 MC 8係從VLD 2給與動態向量資訊，依據動態向 量之資訊算出所解碼之巨塊所參照之參照巨塊之畫面上之 位置· MC 8係讀出所求取之晝面位址而輸出於讀出讀出 位址生成電路2 1。 讀出讀出位址生成電路2 1，係將來自MC 8之畫面 位址變換爲記憶體位址而供給於記憶體控制電路1 9。又 ，寫入位址生成電路2 3係依據I D C T 4之输出發生圖 樣記億體2 0之寫入位址而輸出於記憶體控制電路1 9。 顯示位址生成電路2 2係生成顯示位址而輸出於記億體控 制電路1 9 » 從圖樣記憶體2 0所讀出之參照圖樣資料，係供給於 MC 8或顯示緩衝器1 2。顯示緩衝器1 2係從圖樣記億 體2 0讀出而將復原圖樣資料保持到顯示時間而依顯示順 序經由輸出端子13輸出》 第2圖及第3圖係用來說明由讀出謓出位址生成電路 21 ，寫入位址生成電路23及顯示位址生成電路22之 圖樣記億體20之位址指定之說明圖。第2圔（a)，（ b)係表示畫面位址，第2圖（c)， （d)係表示記憶 體位址。又，第3圖係用來說明第2圖之指定位址之說明 圖。第3圖係由虛線表示畫面上之巨塊· 寫入位址生成電路2 3將產生對於圖樣記憶體2 0之 各記憶庫寫入圖樣資料所需之寫入位址。現在，例如，將 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本页) 本紙張尺度適用中國國家標牵（CNS ) A4规格（210X297公釐） -17- 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（15) 第3圖所示以粗框所表示巨塊之黑圈所示像素視爲存取之 對象像素。此巨塊，係如第3圖所示，在水平方向係在第 DH，在垂直方向係第DV之巨塊。又，此巨塊內之存取 對象像素，係從此巨塊之左上端像素向水平方向在第Η， 向垂直方向爲第V之像素。 MC 8係作爲表示第3圓之存取對象像素之畫面像素 位址，由分別表示畫面上之存取對象像素之垂直方向位置 與水平方向位置之垂直位址Υ與水平位址X加以指定。在 此時，如第2圖（a )所示，MC 8係在畫面位址之 MSB側排列領域號碼（或圖幅號碼）F及垂直位址Y， 在L S B側排列水平位址X » 第2圖（a )之畫面上位址，雖然具有依據畫面之垂 直及水平像素之位元數之垂直位址Y及水平位址X，但是 ，其MS B側之規定位元係對應於畫面上巨塊之垂直及水 平位置（DV，DH) ，LSB側係對應於巨塊內之垂直 及水平位置（V，Η )。 例如，視巨塊係幅1 6像素X 1 6像素所構成時，各 巨塊內之像素位置，係對於垂直及水平方向之任一都可由 1 6進位之0〜F加以表示。因此，在水平方向，畫面左 端巨塊內之像素係由0 0〜0 F所表示，水平方向第2個 巨塊內之像素，係由1 0〜1 F所表示•也就是說，表示 像素位置之上位位元係表示巨塊之晝面內之位置，下位位 元係表示巨塊內之位置。按，表示像素位置之位址之位元 數，將變成相應於巨塊數及巨塊內之像素數》 402847 {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Α4规格（210X297公釐） -18 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印策 402847___五、發明説明（16) 像這樣地，垂直位址Y，係由巨塊（以下，也稱爲 MB )之垂直位置DV與MB內之垂直位置V所表示，水 平位址X，係由MB之水平位置DH與MB內之水平位置 Η所表示（第2圖（b))。 於本實施形態，寫入位址生成電路2 3，係如第2圖 (b) ，（c)所示，由於將畫面位址之ΜB內垂直位置 V與MB水平位®D Η之排列變成相反來生成記億體位址 。作爲列位址C係在上位位元側排列Μ Β內垂直位置V， 在下位側排列Μ Β內水平位置。又，作爲行位址R，係在 上位側排列Μ Β垂直位置D V，在下位側排列Μ Β水平位 置D Η。亦即，從M S Β側排列Μ Β垂直位置D V，Μ Β 水平位匱DH，MB內垂直位置V及MB內水平位置Η。 並且，將MB水平位置DH之最下位位元（DH 1 ) 分配於記憶庫切換位址B S，由MB水平位置DH之最下 位位元以外之位元D Η 2與Μ B垂直位置D V來指定行位 址R。MB水平位置DH之最下位位元DH 1，係依據巨 塊爲究竟靥於水平方向之第奇數個或第偶數個而變成'^1 〃或之數値。因此，將BS作爲記憶庫切換位址， 所存取之圖樣記憶體2 0之記憶庫，係在水平方向依各巨 塊切換。所以，水平方向所鄰接之巨塊互相將被記億於不 同之記憶庫》 按，藉將領域號碼或圖幅號碼F分配於行位址R之最 上位位元，而可依具有領域或圖幅構造之各區塊切換記憶 庫。 (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐} -19- Α7402847 Β7 經濟部中央樣隼局貝工消費合作社印装 五、發明説明（17) 又，讀出位址生成電路2 1及顯示位址生成電路2 2 之位址指定也與寫入位址生成電路2 3相同。 兹就構成爲如此之實施形態之動作參照第4圖之說明 圖說明如下。第4圖係表示畫面上之位置與圖樣記憶體 2 0上之記憶位置之對應。第4圖之各框，係表示畫面上 之巨塊及圖樣記憶體2 0上之記憶庫，粗框係表示頁邊界 。又，第4圖之無底色框係表示記憶庫0，斜線框係表示 記憶庫1。 本實施形態，係對於圖樣記億體2 0之存取方法爲與 先行技術例不同》於第1圖在輸入端子1輸入編碼資料。 此編碼資料，係由D C T處理，也進行量子化處理及可變 長編碼處理所製作者，不僅是圖幅內編碼處理，使用前方 或後方圖幅之參照圖樣之單向預測編碼處理及也使用兩向 圖幅之參照圖樣之兩向預測編碼處理。又，在編碼資料係 於預測編碼時所使用之動態向量之資訊爲被可變長編碼而 成爲多重。 經由輸入端子1所輸入之編碼資料將供給於V L D 2 。V L D 2係將所輸入之編碼資料變成可變長解碼，而回 復到編碼側之可變長編碼處理前之資料。藉此，從 V L D 2係可獲得量子化輸出及動態向量之資料。 V L D 2係將置子化輸出供給於I Q 3，而將動態向量供 給於M C 8。 I Q 3係將V L D 2之輸出加以逆量子化而向振幅方 向伸長之後，輸出於IDCT4。IDCT4係將逆量子 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） -20- 經滴部中央標準局貝工消費合作社印製 40284^_^_ 五、發明説明（18) 化輸出進行逆D C T處理而回復到編碼側之D C T處理前 之資料。 對於圖幅內編碼資料之IDCT4之输出係復原圓樣 資料，在此時，IDCT4之输出係經由加法器5直接供 給圖樣記憶體2 0。 圖樣記億體2 0，係從加法器5給與復原圖樣資料， 而可將此復原圖樣資料作爲參照圖樣資料加以記憶。對於 圖樣記億體2 0之寫入係由寫入位址生成電路2 3加以控 制。 首先，就有關此寫入方法說明如下。 寫入位址生成電路2 3，係進行第2圖所示之位址變 換，將第2圖（2 )所示記憶體位址作爲寫入位址輸出於 記億體控制電路1 9，依據寫入位址將從加法器5之復原 圖樣資料寫入於圖樣記憶體2 0。 寫入位址係如第2圖（d )所示，行位址R係由MB 垂直位置DV及MB水平位置DH所生成，又，因行位址 R之最下位位元爲記憶庫切換位址B S，所以，如第4圖 所示，水平方向之第奇數及第偶數之2個巨塊之圖樣資料 係在同一頁（行）*寫入於不同記憶庫1*0。又，列位 址C係由MB內垂直位置V及MB內水平位置Η所生成， 所以，各巨塊內之圖樣資料，將被寫入於記憶’庫內對應於 像素位置之位址》 由寫入位址生成電路2 3，1巨塊之圖樣資料將存儲 於圖樣記憶體2 0之同一頁之1記憶庫。因此，對於圖樣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----------LV------IT—,------線，、 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁.) -21 - 經滴部中央橾準局貝工消費合作社印製 40284? at ____B7____ 五、發明説明（19) 記憶體2 0寫入時，包含存取開始時之頁指定（記億庫指 定）每1巨塊之頁切換係與記億庫切換同時只進行一次。 也就是說，當對於圖樣記億體2 0之1巨塊寫入時， 因抑制爲一次之記憶庫切換*來減低常務。 茲就讀出方法說明如下。 讀出位址生成電路2 1，係由第2圖之位址變換，將 圖樣位址變換爲記億體位址，而將此作爲讀出位址輸出於 記憶體控制電路1 9。記憶體控制電路1 9係依據讀出位 址從圖樣記億體20讀出參照圖樣資料。 當讀出參照圖樣時，常務變成最大者，係如第4圖之 參照巨塊2 5，2 6所示參照區塊爲被指定於包含4個巨 塊領域（以下，稱爲跨越巨塊）位置之情形。也就是說， 記憶體控制電路Γ9係最大爲必須存取於4個頁之4個記 憶庫。 此時，將參照巨塊之讀出，如參照巨塊2 5，2 6內 之箭頭分別所示，向畫面垂直方向或畫面水平方向進行。 若參照巨塊2 5爲具有原本之巨塊之右下，左下，右上及 右下之4個領域所對應之領域25a，2 5b，25c， 2 5 d時，表示參照巨塊2 5內以箭頭所示存取，係首先 ，讀出領域2 5 a之參照圖樣資料，接著，依序讀出領域 25b，領域25c，領域25d之參照圖樣資料。又， 參照巨塊2 6爲具有原本之4個巨塊之右下，左下，右上 及右下之4個領域所對應之領域26a，26b，26c ，2 6 d時，表示參照巨塊2 6內以箭頭所示存取，係首 ---------/V------’T--------線.； (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（2丨0X297公釐） -22- A7 ___B7 五、發明説明（20) 先，讀出領域2 6 a之參照圖樣資料，接著，依序讀出領 域2 6 b，領域2 6 c ’領域2 6 d之參照圖樣資料。 若進行參照巨塊2 5之箭頭所示畫面垂直方向之讀出 時，當存取圖樣記憶體2 0時，例如從領域2 5 a如切換 爲領域2 5 c時會發生不引起記憶庫切換之頁切換。從此 理由’於本實施形態，記憶體控制電路1 9將進行畫面水 平方向之讀出。 例如’關於第4豳之參照巨塊2 6，記憶體控制電路 1 9係在開始存取時之頁指定之後，讀出記憶於記憶庫〇 之領域2 6 a之圖樣資料，接著，將記憶庫切換爲記憶庫 1之後，讀出與領域2 6 a同一頁內之領域2 6 b之圖樣 資料。接著，記億體控制電路1 9，係進行頁切換及記億 庫切換，而讀出記憶於領域2 6 c之圖樣資料，而在最後 進行記憶庫切換進行記憶於領域2 6 d之圖樣讀出。 經濟部中央標率局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即，當從圖樣記億體2 0讀出1參照巨塊時，藉抑 制爲4次之記憶庫切換，來減低常務。又，若發生頁切換 時，也一定會發生記憶庫切換，所以，可減低隨著切換頁 所引起之無用間隔。 從圖樣記憶體2 0被讀出之參照巨塊，係經由MC 8 供給於MC8。加法器5係從IDCT4之預測誤差加算 從M C 8所受到動態補償之參照巨塊而復原爲原來之圖樣 資料。來自加法器5之復原像素資料將供給，記憶於圖樣 記憶體2 0。 顯示位址生成電路2 2也與讀出讀出位址生成電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -23- 40284? A7 B7_ 五、發明説明（21) 2 1同樣，由於第2圖之位址變換，將畫面資料變換爲記 億體位址，而將此作爲顯示位址输出於記億體控制電路 1 9。記憶體控制電路1 9係依據顯示位址從圖樣記億體 2 0讀出參照圖樣資料。 此時，由於以巨塊單位存儲之結果，若以線單位讀出 時*於先行技術，因在1記億庫寫入有1線，所以，只要 以一次之記憶庫切換就可以。但是，於本實施形態，由於 在1記憶庫寫入1巨塊，所以，只有位於畫面水平方向之 巨塊之數目，發生記億庫切換。 例如，以NT S C爲例時，由於水平方向像素數爲 720，所以，45個之16像素X16線之巨塊爲位於 畫面水平方向。所以，欲讀出1線時需要4 5次之記億庫 切換。 但是，現在來思考將此4 5個巨塊之解碼。 於先行技術例，每1巨塊，讀出參照圖樣需要1 6次 ，讀出解碼圖樣需要1 6次之記憶庫切換，所以，解碼 4 5個之巨塊，而加以顯示所需之記憶庫切換數B j將變 成如下，Bj = (16 + 16) x45 + lxl6 = 1 4 5 6 次。 於本實施形態，每1巨塊，讀出入照圖樣需要4次· 讀出解碼圖樣爲需要1次記憶庫切換，所以，解碼4 5個 巨塊，到顯示所需之記憶庫切換數B h將變成如下，B h =(1 + 4) x45 + 45xl6 = 945 次。 亦即，整個解碼處理之記億庫切換次數之合計，係低 本紙張尺度適用中圃國家橾準（CNS ) Α4规格（2丨0X297公着） ---------C------?τ—.------, (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 經满部中央標準局貝工消费合作社印聚 -24 - 經漪部中央標準局貝工消費合作社印製 40284? A7 _B7_ 五、發明説明（22) 於先行技術例，曉得可將解碼處理高速化。 又，上述記憶庫切換之比較計算，顯示緩衝器1 2， 係只能保持1線分時之例子，因具有2線分以上，可更加 擴大與先行技術例之差矩。 例如，可保持16線分時，變成Bj = (16 + 16 )X4 5 + 1X16 = 1456次仍然不變，但是，本實 施形態，係以記憶庫單位一起讀出，所以，每當讀出1巨 塊分=1 6像素X 1 6線分時切換記億庫就可以，結果只 有4 5次之記憶庫切換就可讀出1 6線分之資料。所以， 變成 Bh= (1 + 4) x45 + 45 = 270 次，只要先 行技術例之約5分之1次數就可以。 像這樣地，於本實施形態，由於寫入位址生成電路 2 3及讀出讀出位址生成電路2 1之位址變換，將水平方 向鄰接之2個巨塊之圖樣資料存儲於同一頁之不同記憶庫 ，同時，設定有當讀出參照巨塊時，在切換頁時隨著記憶 庫切換所引起之存取順序，所以，不僅可縮短對於圖樣記 憶體存取時之頁切換所引起之無用間隔，同時，減少記億 庫切換數，而可減低常務。藉此，不僅可將解碼處理高速 化，又，也可減低圖樣記億體之匯流排佔有率。所以，可 將圖樣記憶體作爲其他功能用加以兼用，而也可減低電路 規模。 第5圖係用來說明有關本發明之其他實施形態之動態 圖樣解碼方法所用之說明圖。第5圖（a )至（d)係分 別對應於第2圖（a)至（d)。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4规格（210X297公嫠） (请先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

A -25- 402847 A7 B7 經满部中央標率局貝工消费合作社印装 五 、發明说明 ( 23) 1 1 本 實施 形 態 係 對 於 圖 樣 記 億體之位址 指 定 之方法爲 與 1 1 第 1 圖 之實 施 形 態 之 動 態 圖 樣 解碼方法不 同 而 已》所以 » 1 I 本 實 施形態 係 於 第 1 圖 之 裝 置 ，位址指定 方 法 爲採用對 應 靖 1 1 1 於 第 5 圖之 寫 入 位 址 生 成 電 路 2 3，讀出 讀 出 位址生成 電 先 閲 讀 I 1 路 2 1 及顯示位址生成‘ 電路 2 2就可實現 背 面 之 1 1 本 實施形 態 » 係 適 用 於 圖 樣記憶體在 同 一 記億庫之 同 注 意 事 1 1 — 頁 可 存儲 複數 個 之 巨 塊 圖 樣 資料之情形 者 〇 即使於本 實 再 1 t 施形 態 ，寫 入 位 址 生 成 電 路 謓出位址生 成 電 路及顯不 位 填 寫 本 *· ς I 址生成 電路 贅· 係 藉 變 更 排 列 於 M S Β側之 垂 直位址Υ及 排 Η 1 1 I 列 於 L SB 側 之 水 平 位 址 X 所 構成之畫面 位 址 (第5圔 ( 1 1 a ) ) 之排列來生成行位址】 R及列位址C。 亦即，從 1 1 Μ S B 側向 L S Β 側依序所排列之MB垂直位置DV， 訂 1 Μ B 內 垂直 位 置 V Μ Β 水 平 位置D Η及 Μ Β 內水平位 置 1 I Η 中 將 MB 內 垂 直 位 置 V 與 Μ Β水平位置 D Η 之排列變 成 1 I 相 反 〇 1 1 並 且， 於 本 實 施 形 態 9 如 第5圖（c ) 贅 (d )所 示 蚨 1 將排列於 Μ Β 垂 直 位 置 D V 之後所排列 之 Μ B水平位 置 1 | D Η 之 L S Β 側 之 規 定 位 元 D Η 1變成列 位 址 之上位側 位 1 I 元 C 2 ，同 時 將 規 定 位 元 D Η 1之1位 元 上 位側之位 元 1 1 1 D Η 2 變成 記 憶 庫 切 換 位 址 Β S。按，將 除 了 位元D Η 1 1 1 > D Η 2之 Μ Β 水 平位 置 D Η 之位元D Η 3 把 排列於下 位 1 1 側 之 Μ B垂 直 位 置 D V 排列 於 上位側來獲得行 位址R。 又 1 I » 將 Μ B內 垂 直 位 置 V 及 Μ Β 內水平位置 Η 作 爲列位址 之 1 1 I 下 位 側 位元 C 1 將 位 元 D Η 1作爲上位 側 位 元C 2以 獲 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X297公藶） •26- 經漪部中央榡率局貝工消费合作社印$ 402847 A7 _B7_ 五、發明説明（24) 得位址C。 列位址之上位側位元C 2，係表示可存儲於同一記憶 庫之同一頁之巨塊之個數一1，而將其値設定爲可表現之 位元數。例如，在同一記憶庫之同一頁只能可存儲1巨塊 時，就不需要位元C2，因存儲4巨塊分時，4_1 = 3 爲可用2位元表現，所以，上位側位元C 2將需要2位元 〇 茲就構成爲如此之實施形態之作用參照第6圖說明如 下。第6圖係對應於第4圖。即使於第6圖，各框係表示 畫面上之巨塊，粗框係表示頁邊界。又，第6圖之無底色 框係表示記億庫0，斜線框係表示記億il。也就是說， 第6圖係表示對於1記億庫可存儲2巨塊之圖樣資料之例 〇 於本實施形態只有對於圖樣記憶體之位址指定與第1 圖之實施形態之作用不同。對於圖樣記憶體之存取時，係 由寫入位址生成電路2 3，讀出位址生成電路2 1及顯示 位址生成電路2 2，第5圖（a )所示之畫面位址將變換 爲第5圖（d)所示記憶體位址。 若視爲可在同一記憶庫之同一頁可存儲2巨塊之圖樣 資料時，作爲第5圖之列位址上位側位元C 2係需要1位 元。行位址R，係較第2圖之情況雖然少1位元’但是’ 由於在1頁可存儲4巨塊之圖樣資料，所以，由第5圖（ d)之行位址R可指定各頁之位址。 列位址上位側位元C 2係MB水平位置DH之最下位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐） --------C------1T—.--：--- {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 402847 五、發明説明（25) 位元而可由位元C 2將同一記億庫之同一頁向水平方向可 分爲2個領域加以指定β 1巨塊之圖樣資料’係存儲於依 據位元C 2之一方領域。又，由位元DH 1上之上位側之 位元DH 2，如第6圖之無底色框及斜線所示，可指定記 億庫0與記憶庫1。 像這樣，寫入位址生成電路，係藉發生如第5圖（d )所示之寫入位址，如第6®所示，在一頁向水平方向存 儲連續之4巨塊之圖樣資料，在同一頁之不同記憶庫0， 1存儲分別向水平方向連續之各2巨塊之圖樣資料》 即使於本實施形態，與第1圖之實施形態同樣，當寫 入巨塊時，記憶庫切換最初之頁指定時只發生一次而已。 另一方面*於讀出時，讀出位址生成電路，係與第1 圖之實施形態同樣，將參照巨塊所跨越之領域如向畫面水 平方向切換讀出而產生讀出位址。例如，讀出由第6圚之 四角所圍繞之參照巨塊3 1。此時，巨塊3 1所跨越之領 域3 2至3 5，係全部變成同一記億庫，切換頁時雖然不 會隨著發生記億庫切換，但是，即使於本實施形態，可將 記億庫切換次數比第1 9圖之先行技術例充分減低，可較 先行技術例減低常務而可將處理高速化。 第7圖係表示本發明之其他實施形態之說明圖•第7 圖（a)至（d)，係分別對應於第5圖之（a)至（d )° 於第5圖之實施形態，由於會發生不引起記億庫切換 之頁切換，所以，與第1實施形態之相較會增加無謂之間 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公藶） Ί — {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 •28- 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印« 402847 5 五、發明说明（26) 隔。本實施形態係對於同一記億庫之同一頁欲存儲複數個 之巨塊圖樣資料時，防止增加無謂之間隔。 本實施形態係只有圖樣記憶體之位址指定方法與第5 圔之實施形態不同而已。即使於本實施形態，於第1圖之 裝置，由於位址指定方法爲採用對應於第7圖之寫入位址 生成電路2 3，讀出位址生成電路2 1及顯示位址生成電 路2 2就可實現。 即使於本實施形態，寫入位址生成電路，讀出位址生 成電路及顯示位址生成電路，係藉變更排列於M S B側之 垂直位址Υ及排列於L S Β側之水平位址X所構成之畫面 位址（第7圖（a ))之排列來生成行位址R及列位址C 。亦即，從M S B側向L S B側依序所排列之Μ B垂直位 置DV，MB內垂直位置V，MB水平位置DH及MB內 水平位置Η之中將Μ B內垂直位置V及Μ B水平位置D Η 之排列變成相反。 並且，於本實施形態，如第7圖（c) ，（d)所示 ，將排列於MB垂直位置DV後之MB水平位置DH之 L SB側之規定位元DH1視爲列位址之上位側位元C 2 ’將規定位元DH1之1位元上位側之位元DH 2以位元 DV之下位側之1位元DV1施加反相控制之位元成爲記 億庫切換位址B S。 將位元DH 3排列於下位側，將MB垂直位置DV排 列於上位側獲得行位址R。按，將MB內垂直位置V及 MB內水平位置Η成爲列位址之下位側位元C 1，將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

A -29· 働 847 a7 ___B7 五、發明説明（27) DB 1作爲上位側位元C 2以獲得列位址C係與第5圖之 實施形態相同。亦即，行位址R及列位址C係與第5圖之 實施形態同樣地指定。 DH 1係與第5圖之實施形態同樣，表示可存儲於同 一記憶庫之同一頁之巨塊個數-1，將其値設定爲可表現 之位元數。 於本實施形態，由反相控制位元DV 1將使用於記憶 庫切換位址B S之D Η 2加以反相控制。亦即，反相控制 位元DV 1爲^0〃時，對於記憶庫切換位址B S直接使 用DH2，而反相控制位元DV1爲時，對於記憶 庫切換位址B S將DH2反相使用。 按，反相控制位元DV 1爲時，對於記億庫切 換位址BS直接使用DH2，反相控制位元DV1爲·〇 '時，對於記憶庫切換位址B S反相DH2使用》 經滴部中央標率局貝工消费合作社印製 (讀先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 茲將構成爲如此之實施形態之作用參照第8圖說明如 下。第8圖係對應於第6圖。即使於第8圖，各框係表示 畫面上之巨塊，粗框係表示頁邊界。又，第8圖之無底色 框係表示記憶庫2 0，斜線框係表示記億庫1，第8圖係 表示在1記憶庫可存儲2巨塊之圖樣資料之例。 即使於本實施形態，與第5圖之實施形態同樣，第7 圖（a )所示畫面位址係變換爲第7圖_( d )所示之記憶 體位址。行位址R及列位址C之指定也與第5圖相同。 於本實施形態，係控制將DV 1作爲反相控制位元使 用於記億庫切換位址之DH2。位元DV 1爲時記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -30 - 402847 五、發明説明（28) 億庫切換位址直接使用DB2，若位元DV1爲、1〃時 對於記憶庫切換位址B S將DH 2反相使用。位元DV 1 因係MB垂直位置DV之最下位位元，所以，如第8圖所 示*存儲於記憶庫1與記億庫0之巨塊之畫面水平方向之 配置依第奇數個之巨塊線與第偶數個之巨塊線而會變相反 *亦即，垂直方向所鄰接之巨塊互相將被記億於不同頁之 不同之記億庫。按，所謂巨塊線，係指水平方向相連之巨 塊之帶。 於本實施形態，也與第5圖之實施形態同樣，當巨塊 之寫入時，記億庫切換係只在最初之頁指定時發生1次。 另一方面，於讀出時則第5圖之實施形態同樣，將跨 越參照巨塊之領域如向畫面水平方向切換似地發生讀出位 址。例如，讀出第8圖以四角所圍之參照巨塊36。此時 ，例如，第8圖之箭頭所示，依領域37 * 38，40， 39之順序發生讀出位址》 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時，對於領域3 7開始存取時發生頁切換（記憶庫 切換），從領域3 8切換領域4 0時，會發生隨著記憶庫 切換之頁切換。按，從領域37向領域38，從領域40 向領域3 9係分別爲了同一之頁且記億庫內之存取，所以 ，不引起常務（overhead )。 像這樣，於本實施形態，與第1實施形態同樣，在切 換頁時必定發生記憶庫切換，因可將讀出時之記億庫切換 減低到4次，所以，可達成高速化。 第9圖係表示本發明之其他實施形態之說明圖。第9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） • 31 · «0^84? A7 B7 經漪部中央標率局員工消费合作社印製 五 、發明説明（ 29) 1 1 圖 ( a ) 至（ d )係分別對應於第’ 7 圖（a ) 至 ：d ) 〇 1 I 第7 圖之 實 施形態 係將向水平 方 向連 續 之 巨 塊存 儲 於 1 I 同 一 記憶 庫之 例 ，但是 ，本實施形 態 ，係 將 向 垂 直方 向 連 婧 1 1 續 之 巨塊存儲於 同一記憶庫之例。 先 Μ 讀 1 1 本實 施形 態 ，係只 有對於圖樣 記 億體 之 位 址 指令 方 法 背 面 之 1 1 爲 與 第7 圖之 實 施形態 不同而已。 因 此， 於本 實 施形 態 9 注 意 拿 1 | 也 如 第1 圖之 裝 置將其 位址指定方 法 爲採 用 對應 於第 9 圖 甲 項 再 1 Λ 之 寫 入位 址生 成 電路2 3，讀出位 址 生成 電 路 2 1， 顯 示 寫 本 ί I 位址生成 電路 2 2就可‘ 資現。 頁 1 1 於本 實施 形 態，也 變更寫入位 址 生成 電 路 讀出 位 址 1 1 生 成 電路 ，顯 示 位址生 成電路，排 列 於Μ S Β 側 之垂 直 位 1 1 址 Υ 及排 列於 L S Β側 之水平位址 X 所構 成 之 畫 面位 址 ( 訂 I 第 9 圖（ a ) ) 之排列 順序。並且 於本 實 施形 態， 係將 丨 I Μ Β 垂直 位置 D V之下 位側之規定 位 元S V 1 作 爲列位址 1 之 上 位側 位元 C 2，將] MB水平位置D Η之最下位位元 1 1 D Β 1以 位元 D V 1之 1位元上位 側 之位 元 D V 2所加 以 埤 判 斷控制者作爲記憶庫切換位址B S 1 I 除了 位元 D Β 1之 Μ Β水平位 置 D Η 之 位 元 D Η 2 排 1 1 列於 下位 側， 將 除了位 元 S V 1， D V 2 之 Μ Β 垂直 位 置 1 1 D V 之位 元D V 3與位 元D V 2排列於上 位側 以 獲得 行 位 1 1 址 R 。又 ，將 Μ Β內垂 直位置V及 Μ Β內 水 平 位 置Η 作 爲 1 I 列 η 位 址之 下位 側 位元C 1，而連同 上 位側 C 2 獲得列 位址 1 1 1 I 列位 址之 上 位側位 元C 2，係 表 示可 存儲 於 同一 記 憶 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準< CNS ) A4規格（2】〇X297公釐} -32 - 402847 經漪部中央標準局貝工消费合作社印繁 A7 _B7_五、發明説明（30) 庫之同一頁之巨塊個數-1，將其値設定爲可表現之位元 數。 於本實施形態，由反相控制位元DV 2將使用於記憶 庫切換位址B S之D Η 1加以反相控制。亦即，若反相控 制位元DV2爲'0'時直接將DH1使用於記憶庫切換 位址BS，若反相控制位元DV2爲"1"時將DH1反 相使用於記憶庫切換位址B S。 若反相控制位元DV2爲>1"時直接將DH1使用 於記憶庫切換位址BS，若反相控制位元DV2爲 時將DH1反相使用於記億庫切換位址B S » 茲就構成爲如此之實施形態之作用參照第10圖說明 如下。第1 0圖係對應於第8圖。即使於第1 0圔，各框 係表示畫面上之巨塊，粗框係表示頁邊界。又，第1 0圖 之無底色框係表示記憶庫0·斜線框係表示記憶庫1，第 10圖係表示在1記憶庫可存儲2巨塊之圖樣資料之例。 於本實施形態，在1頁也記憶有4巨塊之圖樣資料。 MB垂直位置DV之最下位位元DV1爲作爲列位址之最 上位位元C 2使用。位元DV 1係表示第奇數個與第偶數 個之各個巨塊線，由列位址C 2將同一記憶庫之同一頁向 垂直方向分爲2個領域加以指定β1巨塊之圖樣資料係被 存儲於依據位元C 2之一方領域β又，由排列於位元C 2 之上位側之位元DH2，如第1 0圖之無底色框及斜線框 所示，可指定記億庫0與記憶庫1。 從MB垂直位置DV之下位側之第2位元之位元 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 M. 本紙》尺度通用中國國家標準（CNS > A4規格（2丨0X297公漦） -33- 402847 A7 £7__ 五、發明説明（31) DV2，係每各2巨塊線成反相。所以，藉此位元DV2 反相使用於記億庫切換位址BS之DH1，如第10圖所 示，在存儲於記憶庫1與記億庫0之巨塊畫面上之配置， 係於第奇數個巨塊線與第偶數個巨塊線成爲相反。亦即， 鄰接於水平方向之巨塊將記憶於不同記憶庫。像這樣，進 行第1 0圖所示之寫入。 於本實施形態，也與第7圖之實施形態同樣，當寫入 巨塊時，記億庫切換係只發生指定最初頁時之一次而已。 另一方面，於讀出時，與第7圖之實施形態同樣，將 跨越參照巨塊之領域如向畫面水平方向切換似地發生讀出 位址》例如，讀出在第1 0圖之四角所圍住之參照巨塊 41。此時，例如，如第10圖之箭頭所示，依領域42 ，43，45，44之順序產生讀出位址。 此時，對於領域4 2之開始存取時發生頁切換（記億 庫切換），從領域42切換爲領域43時發生記憶庫切換· ，從領域4 3切換爲領域4 5時發生隨著記億庫切換之頁 切換，從領域4 5切換爲領域4 4時發生記憶庫切換。 像這樣，於本實施形態，也在頁切換時必定發生記憶 庫切換，又，與第1圖之實施形態同樣，因可將讀出時之 記憶庫切換減低爲4次，所以，可達成高速化。 第11圖，係表示本發明之其他實施形態之說明圖。 第11圖（a)至（d)係分別對應於第7圖（a) (d) ο 於上述各實施形態，係就包含複數之巨塊，畫面上之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經漭部中央標準局負工消费合作社印装 -34 - 經濟部中央標隼局負工消f合作社印裝 40284? at B7 _ 五、發明说明（32) 形狀爲變成長方形或正方形之各領域將圖樣資料存儲於1 頁之例做了說明，存儲於同一頁之巨塊，不必存在於在畫 面上變成四角形之領域。本實施形態係表示此情形之例。 對於圖樣記憶體之位址指定之方法與第7圖之實施形 態不同而已。因此，於本實施形態，於第1圖之裝置，位 址指定方法爲採用對應於第11圖之寫入位址生成電路 2 3，讀出位址生成電路2 1及顯示位址生成電路2 2也 可加以實現。 本實施形態係表示在同一記憶庫之同一頁可存儲2巨 塊之圖樣資料之例。於本實施形態，將從M S B側向 L S Β側依序所排列之MB垂直位置DV，MB內垂直位 置V，MB水平位置DH及MB內水平位置Η中MB垂直 位置與MB水平位置DH之排列成爲相反。又，如第1 1 圖（c) ，（d)所示，將在MB垂直位置DV之後所排 列之MB水平位置DH之L S B側之規定位元DH1作爲 列位址之上位側位元C 2，而將位元DH 1將上位側之規 定位元作爲位元DH2。又，將MB垂直位置DV之最下 位位元DV 1作爲進行使用於記憶庫切換位址B S之 DH1之反相控制所用之反相控制位元。 在DH2將加算DV1之位元作爲DH3，將此把排 列於下位側之Μ B垂直位置D V排列於上位側以獲得行位 址R ·按，MB內垂直位置V及MB內水平位置Η作爲列 位址之下位側位元C 1，將DH 1作爲上位側位元C 2而 獲得列位址C。 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS > A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 级 -35- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 402847 A7 _B7 五、發明説明（33) 又，DH1係與第5圖之實施形態同樣，表$可存儲 於同一記憶庫之同一頁之巨塊個數-1，將其値設定爲可 表現之位元數。 所以，於本實施形態，DH 1之位元數將變成1。 茲構成爲如此之實施形態之作用參照第12圖說明如 下。第1 2圖係對應於第8圖。即使於第1 2圖，各框係 表示畫面上之巨塊，粗框係表示頁邊界。又，第1 2圖之 無底色框係表示記憶庫0，斜線框係表示記億庫1，第 1 2圖係表示在1記憶庫可存儲2巨塊之圖樣資料之例。 藉此，鄰接於水平方向之2組之巨塊加以成組，可將 鄰接於畫面上之左斜下之巨塊寫入於同一頁，可將鄰接於 水平方向之各組巨塊寫入於同一頁之不同記億庫。也就是 說，即使於本實施形態，可將鄰接於水平及垂直方向之巨 塊互相記憶於不同之記憶庫。 又，與第5圖之實施形態同樣，在巨塊之寫入時，記 億庫切換係在最初之頁指定時只會發生一次•又在讀出時 ，在頁切換時也必定會發生記憶庫切換*與第7圖之實施 形態同樣*最大以4次之記億庫切換就可讀出1參照巨塊 。 像這樣，於本實施形態也可獲得與第7圖之實施形態 同樣之效果。 第1 3圖係用來說明本發明之其他實施形態之說明圖 。第13圖係對應於第12圖。 本實施形態係表示在同一記憶庫之同一頁可存儲4巨 塊之圖樣資料時之例。其他構成係與第1 1圖之實施形態 本紙張尺度適用中國國家標準《CNS ) A4规格（210X297公嫠） --------C------T.—----C (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -36 - 經满部中央標隼局貝工消费合作社印製 402847 A7 __ B7 五、發明说明（34) 同樣。 構成爲如此之實施形態，係如第1 3圖所示，可將鄰 接於水平方向之2組巨塊加以成組，可將鄰接於畫面上之 右斜下之2組巨塊寫入於同一頁，可將鄰接於水平方向之 各組之巨塊寫入於同一頁之不同記憶庫。藉此，將鄰接於 巨塊之資料以連續寫入或讀出圖樣記憶體時，若發生頁切 換時必定會引起記憶庫切換，而可獲得與第1 1圖實施形 態同樣之效果。 按，於各實施形態*曾就對於圖樣資料之1個位址， 只能可存儲1像素分量之情形做了說明，但是本發明並非 限定於此。 例如，於第2圖，來思考就圖樣記憶體之1位址，像 素爲可存儲2之N次方之情形•如第16圖忽視MB內水 平位置Η之下位側位元Η 1 (位元數爲N)，由於將Η之 上位側位元作爲列位址C之下位側位元，就可將畫面垂直 方向所連續之2之Ν次方個之像素寫入於同位址》 又，第1 7圖忽視MB內垂直位置V之下位側V 1 ( 位元數爲N)，藉將V之上位側位元V2作爲列位元C之 上位側位元，就可將畫面垂直方向所連續之2之N次方個 之像素寫入於同位址。 亦即，就圖樣記憶體之1位址，可適應於可存儲2像 素以上之情形爲極爲淸楚，本發明係包含此項。 又，本發明係並非限定於此》對於圖樣記憶體之位址 指定方法，係依據在同一記憶庫之同一頁可存儲幾個巨塊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公漦） (讀先《讀背面之注f項再填寫本頁} *?τ "- •37- A7 402847 __B7__ 五、發明説明（35) 之圖樣資料具有種種方法，將每1參照巨塊之記憶庫切換 數在讀出時最大爲4次，寫入時最大以1次之位址指定爲 具有好幾種· 【發明效果】 如以上所說明，若依據本發明，不僅可將解碼處理高 速化，同時，藉減低圖樣記憶體之匯流排佔有率，可將圖 樣記憶體作爲其他機能用途加以兼用，而具有可減低電路 規模之效果。 圖式之簡單說明 第1圖係表示有關本發明之動態圖樣解碼裝置之一實 施形態之方塊圖》 第2圖係用來說明於第1圖實施形態之指定位址之說 明圖。 第3圖係用來說明於第1圖實施形態之指定位址之說 明圖》 經濟部中央標率局貝工消费合作社印聚 {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖係用來說明於第1圖實施形態之動作之說明圖 〇 第5圖係表示有關本發明之其他實施形態之動態圖樣 解碼方法之說明圖。 第6圖係用來說明第5圖之實施形態之作用之說明圖 0 第7圖係表示有關本發明之其他實施形態之動態圖樣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4说格（210X297公釐） -38- 402847 A7 B7__ 五、發明説明（36) 解碼方法之說明圖。 第8圖係用來說明第7圖之實施形態之作用之說明圖 (讀先Μ讀背面之注意事項再填将本頁) 〇 第9圖係表示有關本發明之其他實施形態之動態圖樣 解碼方法之說明圖。 第1 0圖係用來說明第9圖之實施形態之作用之說明 圖。 第1 1圖係表示有關本發明之其他實施形態之動態圖 樣解碼方法之說明圖。 第1 2圓係用來說明第1 1圖之實施形態之作用之說 明圖。 第1 3圖係表示有關本發明之其他實施形態之動態圖 樣解碼方法之說明圖。 第1 4圖係用來說明實施形態之說明圖。 第15圖係用來說明實施形態之說明圖。 第1 6圖係表示先行技術之動態圖樣解碼裝置之方塊 圖》 經漪部中决標準局貝工消费合作社印裝 第1 7圖係用來說明於先行技術例之記億體之存儲方 法之說明圖。 第1 8圖係表示DRAM及SDRAM之存取之時間 圖表。 第1 9圖係用來說明將SDRAM用做先行技術例之 圖樣記憶體時之圖樣資料之存儲方法之說明圖。 第2 0圖係表示於先行技術例之畫面上位址與記憶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -39 - 402847 A7 ΒΊ__ 五、發明説明（37) 位址之對應之說明圖。 【符號之說明】 5 加法器，8 MC，19 記億體控制電路， 20 圖樣記億體，21 讀出位址生成電路， 22 顯示位址生成電路，23 寫入位址生成電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經满部中央樣隼局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40-

Claims (1)

1. 40284? λ, Β8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 1 . 一種動態圖樣解碼方法，其特徴爲具備： 將編碼資料解碼而獲得復原圖樣資料之解碼步驟，與 將畫面分割爲N個（N係自然數）之像素所形成之領 域’作爲鄰接於水平及垂直方向之至少一方之上述領域之 上述復原圖樣資料之存取對方指定記憶手段不同之記憶庫 之指定步驟· 2 .如申請專利範圍第1項之動態圖樣解碼方法，其 中上述領域，係上述編碼資料之編碼單位之1個以上之綜 合β 3 ·如申請專利範圍第1項之動態圖樣解碼方法，其 中上述指定步驟，係將所有上述編碼單位之上述復原圖樣 資料進行指定寫入於上述記億手段之同一記億庫之同一頁 〇 4 .如申請專利範圍第1項之動態圖樣解碼方法，其 中上述指定步驟，係從上述記億手段讀出時，若發生頁切 換時，係與此頁切換之同時，成可發生記憶庫切換來控制 其順序。 經濟部中*標隼局負工消费合作社印装 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 .如申請專利範圍第1項之動態圖樣解碼方法，其 中上述指定步驟，係具備；將由上述畫面之垂直方向位址 及水平方向位址之排列所構成之畫面位址’藉變更上述垂 直方向位址之下位側位元與上述水平方向位址之上位側位 元之排列來指定上述記憶手段之記憶體位址之步驟’與 藉上述水平方向位址之上位側位元中之規定下位側位 元來指定上述記億手段之記億庫切換之步驟。 本紙張尺度速用t國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）~-41 - 40284Ϊ Bg D8 六、申請專利範圍 6 . —種動態圖樣解碼裝置，其特徵爲具備； 由使用現有圖樣與參照圖樣之預測誤差之動態補償預 測編碼以規定之區塊單位輸入被編碼之編碼資料，解碼上 述編碼資料以獲得復原圖樣資料之解碼手段，與 將上述復原圖樣資料作爲上述參照圖樣之圖樣資料加 以記憶之記憶手段，與 將饜於上述規定之區塊單位之1個以上之綜合之領域 而在畫面上將鄰接於水平及垂直方向之至少一方之領域之 上述復原圖樣資料存儲於上述記憶手段不同之記憶庫之控 制手段，與 將記憶於上述記憶手段之復原圖樣資料於依據圖樣之 動態之區塊化位置加以區塊化對於讀出上述解碼手段給與 作爲參照圖樣之圖樣資料之讀出控制手段。 7 .如申請專利範圍第6項之動態圖樣解碼裝置，其 中上述寫入控制手段，係將所有上述領域之上述復原圖樣 資料寫入於上述記憶手段之同一記憶庫之同一頁。 8 .如申請專利範圍第6項之動態圖樣解碼裝置，其 中上述控制手段，係以上述記憶手段之記億庫單位進行讀 出。 9.如申請專利範圍第6項之動態圖樣解碼裝置，其 中上述控制手段，係當從上述記憶手段之讀出時’若發生 切換頁時，控制成與此頁切換之同時發生記憶庫切換之讀 出順序· 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐）·42 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 .裝· 訂 經濟部中央揉率局負工消費合作社印製