TW398069B - Reference circuit and method - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消资合作社印掣 A7 B7 五、發明説明（1 ) 先前技藝之參考 本應用例已列於1997年8月15美國專利申請案號08/911239 號。 發明之領域 本發明一般關於電子電路，及特指非溫度相關參考電壓 之電路。 發明之背景 在電子技藝使用參考電壓與複雜電路和系統是相當普遍 的。不同產生參考電壓的電路是已爲大家所習知，包括該 等使用溫度補償者以使得參考電壓在一特定範園實質與溫 度無關。 頻學差異電路已爲大家所熟知，如： (1) Horowitz，P和Hill，W :劍橋大學期刊，電子的藝術， 第二輯，第6.15章，帶差異（VBE)參考，335-341頁。 (2) A：huja，B等：美國電機電子工程師學會固態電路雜誌 ，1984年12月，第SC-19册，第6本，一通訊應用可程式化 金屬氧化半導體雙通道界面處理器。 (3) Song，B.S.，Gray，P.R.:美國電機電子工程師學會固態 電路雜誌，1983年12月，第SC-1 8册，第6本，一簡要曲率 補償金屬氧化半導體帶差異參考034_634 貝。 (4) Ulmer等的美國專利案號4,375,595 ;及. (5) Ruszynak，A :美國伊利諾州蕭伯格的摩托.羅拉公司 1997年3月印行的摩托羅拉技術發展第30册，金屬氧化半導 體帶差異電路，101-103頁。 -4- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） . r —- — 訂 (請先閱讀背面4/注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（2 (1)和（2)所述的電路原 .' 纷席理，如并多其他相似電路，則是基 於增加兩個電壓而其溫户 一 又係數具有相對記號。一電壓則由 —流經一二極體或雙載子咖3 又戟于甩日0體的既足量電流所產生，導 致—負溫度係數，及立柚泰阿Ηι)丄 ”他％壓則由杈跨一電阻所獲得及具 有一正溫度係數。

圖1是習知技藝參者雷g^1nnAA 亏呢路100的一間化電路圖。電路1〇〇接 收一供給電壓於線1〇1和1〇 兩 π 间 电路100包含電阻Ra&Rb， 操作放大器OA，雙載子雷θιΗΑηΑΑ 3 戰卞％日曰驵1和Q2，及電流源I# 12， 轉合，例如，如圖1所示。-不同版本，如⑴，⑺或⑷， 沉明電路1〇0如何提供實質溫度獨立電壓L於線U0。指向 電阻R>Rb的箭頭1G5則表示尖波或其他嗓音經由—石夕基片 穿透電如斜尖波特別發生在具有類比埠的積體電路（如 %路100)於數位埠的附近。接收尖波的靈敏度則隨著電阻

Ra和、的尺寸增加。而JL，尖波可經由電晶體义和义或經 由其他整流，包括具pn界面的寄生的組件。 該等尖波不是难-問題。現代積體電路的趨勢則是朝向 小供給電壓，如0.8-0.9伏特或梗小。輸出電壓，如U至12 伏特，則由交換電容器所產生，其是對尖波非常靈敏的。 在先前技藝電路，如在電路100,電流、，L，流經電晶 體（^和A及經由電阻\和Rb，因此給予電晶體1和％負載 。電阻\和Rb應具有大電阻値（如百萬歐姆）以提供必要電 壓降。而且，其應具有足夠晶片區域以載動電流^和、。無 論如何，晶片區域是昂貴及導致寄生電容造成電路對上述 尖波靈敏。 .5- 本纸張尺度適用中國國家樣隼（CMS ) A4規格（210X297公釐） (請先閔讀背面-之注意Ϋ.項再填寫本頁) 、-0 Φ 經濟部中央標準局負工消资合作社印製 -------- A7 B7 經濟部中央標準局tsc工消费合作社印製 五、發明説明（3 ) ~---- 因此’有-需求係使得參考電路克服習知技藝的該 其他缺失。 附圖之簡單説明 圖1是習知技藝一參考電路的一簡化電路圖； 圖2是根據本發明一參考電路的—簡化方塊圖； 圖3是圖2的參考電路的—簡化電路圖在本發明的一較佳 具體例； 圖4是一輸入步階的一簡化電路圖使用在圖3的參考電路 :及 圖5是使用在圖3參考電路的一電壓源的一簡化電路圖。 較佳具體例之詳細説明 圖2是根據本發明參考電路2〇〇的一簡化方塊圖。參考電 路200包含電流源215及225各別產生電流^和、，雙載子電 晶體216和226,電壓轉換單元260和27〇，具値&的電阻21〇 ’具値&的電阻220，及節點205。圖2和其他圖的箭頭，表 示黾壓或電流。該等箭頭的方向是僅爲説明方便而選擇。 習知本技藝者則可界定不同的電流和電壓。爲具有下列可 應用在不同型式半導體設備的説明（如二極體，pnp_，npn_ 電晶體）’橫跨一個或多個pn_界面的電壓（如則被給予 丨丨表示絕對値。 電流^和〗2各別流經雙載子電晶體216和226。假設不同電 流指走^於電晶體216和了2於電晶體226 ’基射電壓丨VBE t | 和丨vbe 2 I則不同及提供一電壓差異： Δ V=

V

BE

I V BE 2 ⑴ 請 -4 讀 背 ί 寫 本 頁 訂 -6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) ~ - △ V則經由電壓轉換單元260和270施於電阻21 〇各別在電阻 210的兩個场子。現在，具有施於電阻21〇的△ v，一電流 Iri被產生· = A V/Ri (2) 具有斜線以爲除法。hi則不明顯與1!和12界面。因此，雙載 子電晶體216和226則不载有電阻210的負載電流Iri。 假設，爲簡化橫跨傳送單元26〇的一零電壓降，雙載子電 晶體216的VBEI則施於電阻22〇。相似地，一電流μ被產生

Ir2=丨 Vbe ι 丨./R2 (3) 工及2疋不疋特別源於^或I〆電流1们和IR2則加總在節點2〇5 爲參考電流IM("輸出電流Im"):

Im = Iri+Ir2 (4) ΙΜ =Δ V/RJ+ I VBE 1 I /r2 (5) IM =k*T/e〇：i：Ri*ln(J1/J2)+ | γΒΕ i | /r2 ⑹ 具有]^=1.38*10'23焦耳/凱文，％=16〇*1〇-19哥儉布，及>11是電 路200在飢文實質操作溫度。"k*T/ %"則是溫度電壓％。 在室溫（T=3〇OK)，是ντ是約爲26mV(毫伏）。 等式（4)至（6)的第一和第二項各別具有溫度系數丁^和Tc ，其關係約是 I TCX I «- I TC2 I (7) 具有TC^dTI^dT及TC2=dTIR2/dT是溫度T的偏分。—結果 溫度係數I !^的TCtQtal可被忽略及、可使用爲參考。 本發明的一較佳具體例將以圖3-5予以説明。具體例的操 -7- ^^尺度適$中國國家標準（0阳）/\4規格（210>< 297公垃) ---- (請先^讀背面；之注意事項再填寫本頁)

經滴部中央標準局黃工消费合作社印5i A7 B7 五、發明説明（5 ) 作將在圖説後予以説明。 圖3是圖2的參考電路的一簡化電路圖在本發明的一較佳 具體例。參考電路200'(此後簡稱電路2001)具有供給線201和 202用以接收一供給電壓VSupply。電路200'較佳提供一參考 電壓VBe(nB G"用於”帶差異"）在輸出線203。電路200'包含電 流源215，225及235，雙載子電晶體216及226，電壓轉換單 元260和270("傳送單元"或"操作放大器"），電阻210，220， 及23 0各別具有値，112及尺3，電晶體217，227及237(如，" 場效電晶體π )，比較器280，節點205，及電壓源290。元件 205，210，215，220，225，216，226，260及 270以貝丨J 已與 圖2相連説明。元件，如電晶體237，電流源235，電壓源 290，及比較器280形成控制單元（以虚線框揭露）。控制單 元241提供△ V的一共同模式漂移對策。電晶體217和227具 有一電流鏡240的功能（由虛線所揭露）。傳送單元260和270 的方便執行則參考圖4予以説明；及電壓源290則如圖5所 示。 在説明電路200'的元件如何耦合，元件215，216，217， 225，226，227，237，260，270及 280被介紹。電流源 215及 225可以許多方法執行，例如，由電阻或電晶體。雙載子電 晶體216和226則較佳是ρηρ-電晶體具有射極電極（"射極"或 "Ε")，集極電極（"集極"或"C")及基極（π基極"或"Β'’）。無論如 何，習知本技藝者可以基於此之説明使用其他组件，如ηρη 電晶體或具有ρη界面的二極體。在此使用之"雙載子電晶體 "則試圖包括其他提供與溫度無關之電壓的設備。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ：„ 衣---- - ' --(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 Θ 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 A 7 B/五、發明説明（6 ) 傳送單元260及270是，較佳地，操作放大器組構如電壓 追隨器。但此非基本。"傳送單元”則用以包括在一第一節 點測量一第一電壓及提供一第二電壓至一第二節點的所有 設備，其中第二設備是第一電壓乘一增益係數。爲簡化説 明，假設增益係數是等於1，但其他値也可被使用。傳送單 元的第二節點則不從第一節點消耗電源。一傳送單元260， 輸入2 61則較佳一反向輸入（11 -11)及輸入2 6 2是，較佳，一非 反向輸入（"+ ")。在傳送單元270，輸入271是，較佳，一反 向輸入Γ + ")及輸入272是，較佳，一反向輸入（"-")。比較器 280是，較佳執行如操作放大器具有非反向輸入281(” + ")及 反向輸入282(π-〃）。 電晶體217和227是，較佳，ρ通道型式（p-FET)場效電晶 體（FET)。電晶體237是，較佳，一 η通道型式場效電晶體（η-FET)。爲使用ρ通道型式場效電晶體和η通道型式場效電晶 體是爲方便，但非必須。場效電晶體具有閘極電極（"閘極" 或"G")，及汲極和源極電極（"D"和"S")。何電極是汲極D和 何是源極S，係依所施電壓而定，所以D和S在此區分係僅 爲説明方便而區分。如其稍後將連結圖3予以説明，相同型 式（η或ρ)電晶體237是較佳，如場效電晶體在輸入261，262 ，271 ，及傳送單元260彳ρ 270的272 ° 電流源21 5和225則耦合在供給線201和雙載子電晶體216 和226的射極Ε之間。雙載子電晶體216和226的集極C則耦 合以供給線202。電晶體216和226的基極則耦合在一起。傳 送單元260的輸入261則耦合至雙載子電晶體216的Ε ;及傳送 (請先閱讀背面；之注意事項再填寫本頁) ·«裝. 、1Τ .讀 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规枋（210X 297公垃） A7 B / 五、發明説明（7 ) 請 先 聞^ 讀 背 ΐδ 之 注 意 事 項 真 填 寫 本 頁 單元270的輸入271則耦合至雙載子電晶體226的E。傳送單 元260的輸入262則耦合至節點205。傳送閘極260的輸出263 則耦合至場效電晶體217和227的閘極G。傳送閘極270的輸 入272則耦合至與電阻210耦合之傳送閘極270的輸出273。 電阻210則經由節點205另耦合至電阻220。電阻220則另耦 合至雙載子電晶體216和226的基極。場效電晶體217的源汲 通道（S - D )則耦合在供給線201和節點205間。場效電晶體 227之S則耦合至供給線201及其D耦合至輸出線203。輸出線 203則經由電阻203耦合至供給線202。場效電晶體237則其D 耦合至供給線201及其S耦合至與供給線202耦合的電流源 235。場效電晶體237的閘極則耦合至傳送單元270的輸入 271。比較器280的輸入282則耦合至場效電晶體237的S。比 較器280的輸入281耦合至電壓源290的輸出291。比較器 280的輸入283則耦合至雙載子電晶體216和226的基極B。 經濟部中央標準局貝工消f合作社印製 在此介紹電壓和電流是很方便的。電壓差△V是雙載子電 晶體216和226的Es之間，即是傳送單元260的輸入261和傳送 單元270的輸入271之間。由電流源215和225產生的電流^和 12則各別界定於電晶體216和226的Es。p通道場效電晶體217 的電流IM及是在節點205分流爲IR1流經電阻210及IR2流經2 2 0 。節點205和輸入262間一電流可忽略。由流經電晶體227和 電阻23 0的電流鏡240内鏡IM所源之鏡電流IQUT。輸出電壓（或 參考電壓）VBe則由輸出線203和供給線202間的電阻230所界 定。電壓V3則是η型場效電晶體237的源極相對於線202的電 壓及也施於比較器280的輸入282。VDS REF則由電壓源290提 供在其輸出291及在比較器280的輸入281處。Vb("B"是"基 -10- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4说掊（2丨OX297公犮） A7 ------ B7 五、發明説明（8 ) ' 極）則是雙載子電晶體216和226相對於線202的基極電壓。 雙載子電晶體216和226的射極E相對於供給線202的電壓（在 此，耦合至集極c)則是丨Veci丨和丨Vec2I或，一般是 lvEC I ° i vEC! I和I vEC 2 |則也各別呈現在輸入261和 271° 圖4是使用在圖3的電路200’的傳送單元26〇和27〇的輸入步 階250的簡化電路圖。輸入步階25〇包含11通道場效電晶體 251，252和253。而且線2〇11和2〇2，與質數參考數所述，輸入 步階250則較佳耦合至圖3的供給線201和202。其並非必須 ，但習知本技藝者明瞭，其它组件可最後耦合在線2017201 和2027202之間。如也由箭頭指向線2〇1，所述，n通道場效電 晶體251和252的汲極D提供電流至傳送單元260和270的後續 步階。孩等源極S耦合在一起至n通道場效電晶體253的汲極 D。η通道場效電晶體253的源極S則搞合至線202'。η通道場 效電晶體251的閘極G則是輸入261或輸入271 ;及η通道場效 電晶體252的G則是輸入262或輸入272。η通道場效電晶體 253的G則接收一偏壓電壓，在此描述並非基本但僅爲簡單 化。 較佳地’ η通道％效電晶體251，252和253應操作在飽和 區域（"操作區域"）。因此，η通道場效電晶體251的閘源極電 壓VGS 1和η通道場效電晶體252的應大於或實質等於閥 限電壓Vth和n通道場效電晶體的汲源飽和電壓vds sat之和：

VgS 1 2 Vth + VDS SAT 及 （8)

VgS 2 含 Vth + V〇S SAT (9) -11- 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 麪滴部中央#準局吳工消费合作社印？水 A7 B7 五、發明説明（9 ) 經由偏壓η通道場效電晶體253，其汲源極電壓\^s3是大於 或實質等於汲源極飽和電壓 VDS 3 ^ VDS SAT (10) 傳送單元260和270在其輸入261，262，271和272的輸入電 壓是橫跨雙載子電晶體216和226的射集極電壓| VEC i |和 I VEC 2 | ： I VEC I ^2*VDSSAT+Vth (11) (兩倍飽和電壓和閥限電展）。飽和電壓vdsSAT是依溫度=而 定。因此，當溫度改變，其必須被調整。此是在圖5的電路 完成。 圖5是圖3的參考電路200’使用的電壓源290的簡化電路圖 。電壓源290提供一電壓VDS REF在輸出291。VDS REF(圖5)及 VDS 參閲圖4)則依溫度T及製造程序而定。較佳地，電 壓源290包含電流源296及η通道場效電晶體293和295串聯耦 合在線201'和202'(參閲圖4)。更詳細地，電流源則耦合至線 20Γ及至η通道場效電晶體293的汲極D ; η通道場效電晶體 293的緣極S則耦合至η通道場效電晶體295的汲極D在輸出 291 ;及η通道場效電晶體295的源極S則耦合至線202'。η通 道場效電晶體293和295的閘極G則耦合至η通道場效電晶體 293的汲極D。習知本技藝者可經由其他組件提供一相似電 壓源及，基於在此描述，使用電路200内机似或相同功能的 電壓源。 如其將於稍後敘述，VDS REF則使用以控制雙載子電晶體 216和226的共同基極電壓j VB丨（參閲圖3)。此電壓丨( -12- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) • I: 裝— I 丁 _ 、\=口 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 ΑΊ Β7 五、發明説明（10) 影響輸入步階260和270的η通道場效電晶體251和252之 丨VEC |。本發明的具體例之一重要特徵，即是VDS REF是源 自η通道場效電晶體的參數及非源自雙載子電晶體。 電路200(圖2)及電路200’提供參考電壓ΙΜ，其是實質與溫度 改變無關。電流源215和225，雙載子電晶體216和226，傳 送單元260和270，電阻210和220操作在如圖2所述。 電流鏡240傳送參考電流ΙΜ經由電阻230至IQUT。橫跨電阻 230在輸出線203的輸出電壓VBe=IQUT*R3則不特別影響參考 電流IM。 電壓差異△ V及I vBE丨則是相關於溫度變化。而且，在 傳送單元260和270的輸入電壓VEC i和VEC 2則應依電晶體237 和傳送單元260和270内電晶體的閥限電壓Vth而定（如電晶 體251和252)。因此，△ V的共同模式偏移也操作在傳送單 元260和270的一輸入步階250，其需要特定輸入電壓（如 |VEC丨含2*VDSSAT+Vth)。電壓偏移是經由|VBE1 |和丨VBE2 | 的一同步增加或減少所描述。控制單元241(電晶體237，電 流源235，電壓源290及比較器280)根據本發明的一方法及 下列步驟補償共同模偏移： 測量一第一電壓（| VEC i丨和丨VEC 2 | )雙載子電晶體216 或226的在一電極（如226的E); 線性轉換（如經由電流源235和η通道場效電晶體237)第一電 壓（丨vEC t丨和丨VEC 2丨）至一第二電壓V3，其是不特別影 響第一電壓（| VEC , |和| VEC 2丨）； 提供一參考電壓（如，VDS REF經由電壓源290)其是關於需 -13- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4规掊（210X297公；) (請先Μ'讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 五、發明説明（u) ~一~- 要的輸入電壓（如mDssAT+Vth);及 比較第二電壓（如v3)至參考電壓（如I·)及改變控制雙載 子電晶體216和226的共同電壓（如（| & | )。 換5 t，控制單疋241偏移基射電壓丨丨丨和| 'Η 2丨 而無需改變其値以使得在電壓轉換單元26〇和27〇處輪入電 壓\是實値大於-飽和電壓Vdssat和n通道場效電晶體的: 閥限電壓以使得場效電晶體操作在一飽和區域。 本發明的-優點是在提供參考電壓的步驟中，參考電壓 係源自場效電晶體（例如電壓源2 9〇的n_FET s 2 Μ $ 的臨限電壓V 。 th 、本發明的另—優點是供給電壓、啊可在低點如。7至。8 ::。尖波，例如，共同模式訊號經由雙载子電晶體(或其 )耦合不特別影響該參考電壓V 。 —

B G 當比較本發明至先前技藝解答的—參考電路，本發 下列優點更爲明顯： 、 經濟部中央標準局男工消f合作衽印 ⑷電阻(如電阻r，R2)是位於操作放大器的輸出。雙載子 電晶體則從電阻脱離及攜帶較低電流負载。⑻雙载子兩曰 體可以較小尺寸執行，因此節省晶片空間及，由於較= 谷，實質防止穿透之尖波，供給電壓可減少至如〇7: 伏特。⑷參考電路可使用在低電壓應用（如_s電路）。. 僅本發明的-特別實施例已詳細描述，不同的 改良可以經由習知本技蓺者所達 例和 不背離本發明的範園。因此，其是要包括該等改良而= 發生在習知本技藝者於下列中請專利範園内。 ’、 ___ -14- 本紙張尺^

Claims (1)

1. 經濟部中央榇準局員工消費合作社印製 _ 一..-一..-j__六、申請專利範圍 1. 一種參考電路，包含： 一第一電晶體，具有一第一電流L及一第一電流密度 L，提供一第一基射電壓丨VBE i I ; -一第二電晶體’具有·一第二電流12及·一弟二電流J2 ’ 提供一第二基射電壓|VBE2丨； 一第一電壓轉換單元，耦合至該第一電晶體； 一第二電壓轉換單元，耦合至該第二電晶體； 一具有値\的第一電阻，經由第一電壓轉換單元耦 合至第一電晶體並由第二電壓轉換單元耦合至第二電 晶體，使得一第三電流iR1=(丨vBE i | -丨v BE 2丨）/\流 .經第一電阻而無需實質源自第一電流L或第二電流12 ; 及 一具有値112的第一電阻，經由第一電壓轉換單元耦 合至第一電晶體，使得一第四電流IR2流經第二電阻而 無需實質源自第一電流I,， 在該參考電路中，第三電流IR1和第四電流IR2被相加 及提供作爲參考電流IM。 2. 一種參考電路，包含提供基射電壓| VBE j的一電壓差 △V之第一雙載子電晶體和第二雙載子電晶體；一第一 電阻及一第二電阻，用以增加來自電壓差AV的一第一 電流IR1及來自第一或第二雙載子電晶體之一的基射電 壓丨v BE丨的一第二電流IR2，使得第一和第二電流IR， IR2的一結果溫度系數被補償；以及電壓轉換單元，用 以傳送該電壓△V至第一和第二電阻，使得該等電阻不 -15- (請先鬩讀背面之注意Ϋ-項再填寫本頁) .裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ABCD 398069 六、申請專利範圍 實質負載第一和第二電晶體。 3. 一種參考電路，具有雙載子電晶體用以提供具補償的 相對溫度係數之電壓，其特徵在於該參考電路另包含 場效電晶體,（FETs)，使得一供給至該等雙載子電晶體的 基極電極的一偏壓電壓VBIAS是源自該等場效電晶體的 臨限電壓。 4 . 一參考電路，具有一第一供給線及一第二供给線及提 供實質不隨溫度變化的參考， 該參考電路包含： 一第一電流源及一第二電流源，每個耦合至第一梃 給線； 一第一雙載子電晶體及一第二雙載子電晶體，每一 具有一射極電極和一集極電極耦合在第一供給線和第’ 二供給線間，該第一雙載子電晶體及第二雙載子電晶.: 體具有基極電極核合在一起； . 一第一操作放大器（op amp)及一第二操作放大器（op. amp)，該第一操作放大器具有一第一輸入搞合至第一 電晶體的射極電極，該第二操作放大器具有一第一輸+ 入耦合至第二電晶體的射極電極，‘該第二操作放大·器 被組態成一具有一輸出耦合至第二操作放大器的一.第 一輸入的隨搞益； 一第一電阻，轉合在第一操作放大器的一第二輸入. 形成一第一節點及該第二操作放大器的一輸出，該第： 一電阻由是具有一第一電壓差在該第一雙載子電晶體 -16- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) .-^5裝------訂 .0^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 5398069 β8 D8六、申請專利範圍 和該第二雙載子電晶體的基射電壓間；及._ 一第二電阻，耦合在第一操作放大器的第二輸入及 第一電晶體和第二電晶體的基極電極，第二電阻由是 具有一第二零壓差，其是第一雙載子電晶體的一基射 電壓， 其中第一電壓差及第二電壓..提供電流經由具有不 同溫度係數的弟二電阻’使得該結果電流是實質不隨 溫度變化的參考。 5. —種補償方法使用於一參考電路中，其中由一共同電 壓所控制的雙載子電晶體，提供一電壓差△V，其中該 等雙載子電晶體是耦合至具有需要特定輸入電壓的輸 入級之電壓轉換單元，該方法用以補償由於溫度改變 的△V之共模偏移，該方法包含下列步驟： 測量該等雙載子電晶體之一的一電極處之一第一電 壓； 線性轉換該第一電壓爲一不明顯影響第一電壓的第 二電壓； 由一電壓源提供一參考電壓，該電壓源與該需要的_ 輸入電壓有關；及 將第二電壓與該參考電壓比較並改變該控制雙載子. 電晶體的共同電壓。 (請先閱讀背fi,之注意事項再填寫本頁) — 參I--- 、1Τ Φ -17- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）