TW396106B - Biaxially oriented film of polyethylene -2, 6-Naphthalenedicarboxylate - Google Patents

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經濟部中央播準局員工消費合作社印製 A7 _B7_____ 五、發明説明（，） 本發明傺有商於聚-2,6-策二甲酸乙二酯之雙軸取向 薄膜。更特定而言，其你有開於在縱向具有高強度，且 具有優良平滑度，可作為如錄影帶、錄音帶和胃# 盒式磁帶機之磁性記錄介質之基膜的聚-2,6-策二甲酸 乙二酯之雙軸取向薄膜，其能高密度地長時間記錄。 最近幾年，如錄影帶、錄音帶和電腦資料盒式@帶機 的磁帶，急需要能夠小型化之高密度記錄，又具有高品 質放映影像，還進一步需要能夠減低磁帶厚度又能增長 磁帶記錄時間。為能配合磁帶記錄時間延長的需要•必 須減少基膜的厚度。該厚度的減少有時會引起磁帶刚度 的減弱，所以當磁帶負荷或未負荷時，磁帶很容易受到 傷害，或當磁帶遭遇瞬間高張力時，磁帶會變形且記錄 資料容易受到損害。為此等理由，有長期記錄時數之磁 帶基膜須具有高揚格模數。 進一步地來說，最近備有攝影機之錄放影機（VTR)廣泛 地被使用，且此等機器常用於戶外或汽車内。結果，磁 帶常暴露於比以前更巌酷的溫度狀況，因而須加高溫 時之尺寸安定性，故基膜之高溫尺寸安定性的需求更為 殷切。 傳統之聚對苯二甲酸乙二酯的雙軸取向薄膜偽用於上 述磁性記錄帶之基膜，特別是所謂縱向楊格模數之超張-力薄膜，增加了記錄時間。然而，該薄膜之縱向楊格模 數最大值至多為850公斤/毫米2,且横向楊格模數最 大值至多為450公斤/毫米2。進一步地來説，企圖增 本紙張尺度適用申W袁瘭举—(yϋ規格( 210Χ 297公釐·) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _；_B7_ 五、發明説明（* ) 加縱向揚格模數，不可避免地會減少横询揚格模數•且 當磁帶運轉時，易使磁帶的遴綠部分受損。另一方面， 欲增加寬方向之揚格模數（亦即，下文亦稱為"横向"）， 不可避免地將得到縱向楊格模數不足的結果•且磁帶和 磁頭觸摸（接觸）不良，故在输出時會造成波動。進一步 地來說，若藉由高拉伸比例之拉伸，使基暌具有高楊格 模數，那豳在模製時，會有變形的缺點，造成不良的尺 寸安定性。高拉伸比例之拉伸具有産率降低之S 一 ％題。 同時已有各種不同之磁帶的建議被提出，如將聚-2*6 -#二甲酸乙二酯之薄膜（下文有時將之稱為” PEN”）作為 基膜，其傺為較聚對苯二甲酸乙二酯（下文有時將之稱 為” PET")具有更優良抗熱之尺寸安定性的聚酯。 日本專利公開公報60731 / 1 988掲示一種製造在縱向 有高楊格模數之PEN薄膜的方法。然而，由該$法Μ胃 備之PEN薄膜，在模製時有殘餘應變，另外還有當磁帶 曝露於嚴酷溫度狀況時，如戶外使用，薄膜在縱向有收 縮的問題。 日本專利公開公報198328/1992掲示一種聚-2,6_蔡 二甲酸乙二酷薄膜，其包括（i)〇.02至1.0重量％之至少 選擇自氣化矽和氣化鋁之一的頼粒，其傺為平 徑為0.005至0.08榭米之單粒（初生粒子）的集合體· ¥ 均顆粒直徑為0.03至0.2撤米，和（ii)〇.〇〇5至0.3重量％ 之至少選自交聯聚合物和磺酸鈣之一的頼粒，其平均顆 粒直徑為0.2至0.8微米，平面取向角為〇·255至0.280。 -4 - 本紙張尺度適用中_國家標隼（CNS )格（210Χ297公釐） (請先閱讀背扃之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 A7 _—_B7_ 五、發明説明〇 ) 該薄膜的目的在於改善切分性質。然而，薄膜之主要取 向並不特定，且並無任何蘭於磁帶接觸磁頭的改進，亦 無避免磁帶因縱向楊格模數之增加而對磁帶邊緣有傷害 的改進。進一步來説，上述之日本專利公開公報，當在 磁帶同時滿足上述平面取向角，且平均折射偽數在1.666 至1.676範圍内，較佳為1.668至1.676範圍内時，有優 良的結果，當平均折射偽數小於上述下限時，薄膜之熱 收縮百分比増加。因而容易推知，當上述日本専利公開 公報之發明的平均折射傺數小於1.666時，基膜在联酷 溫度條件下，有不良之尺寸安定性。 進一步來説，上述日本專利公開公報之發明尋求改善 薄膜之抗磨性和潤滑性，其偽允許PEH薄膜包括特定比 例之特定平均顆粒直徑之顆粒集合體（顆,粒選自氣化矽 和氣化鋁）和選自交聯聚合物和碌酸0之顆粒。然而只 藉由上述顆粒之合併，卻難以得到高-密度記錄之具有 高度優良表面性質的磁帶。例如，由於包含氣化矽或氣 化鋁之顆粒集合體，因此認定薄膜上存在有空隙，此等 顆粒亦被認定在薄膜表面會引起粗糙之突出部分或薄膜 在抗磨損性能上之變質。上述日本專利公開公報並不描 述任何包含於薄膜之顆粒的顆粒尺寸分布。然而，甚至 當平均顆粒直徑相同時，若顆粒尺寸分布1並不夠單一， 形成於薄膜表面之突出部分分布亦不會均勻，無均匀之 表面突出部分刖無法得到均勻的高度。結果潤滑性惡化。 進一步來説，日本專利公開公報117421/ 1993掲示一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 _ B7 五、發明説明（4·) 種技術，其僳豳於將PEN薄膜之表面粗糙度。然而該技術 在將磁層塗覆及乾燥以生産磁帶的過程中，基膜在高溫 狀況下須遭遇高張力之負荷。此例之基膜將被拉長産生 波動，所以外加磁層可能變得不均勻。 美國專利第4,804,736號掲示一種用於高密度記錄磁 帶之載體的聚合物薄膜，其具有優良抗熱性，機械方向 之楊格模數不超過800公斤/毫米2,且横向楊格模數 不超過600公斤/毫米2,該薄膜由聚-2,6-萘二甲酸乙 二酯所構成。然而，上述美國專利並未掲示鹿於聚合物 薄膜在高負荷及相當高溫度下之縱向拉長，以及聚合物 薄膜在無負荷及相當低溫度下之收縮百分比。因此美國 專利第4,804,736號並未掲示任何磁性記錄介質之基膜， 能夠在縱向幾乎無尺寸變化，且有高強度及優良平滑度。 同樣在審理中之美國專利申請第08/ 181377號掲示雙 軸取向、單方向伸長之聚-2,6 -萘二甲酸乙二酯薄膜， (A) 其包括 (a) 0.05至0.4重量％之第一惰桂固體頼粒，其具有 0.05至0.3微米之平均顆巧直徑 (b) 0.005至0.05重量％之第二惰性固體顆粒，其具有 0.3至1.0撤米之平均顆粒直徑，第二惰性固體頼粒之平 均顆粒直徑大於第一惰性固體顆粒之平均頼粒直徑至少 0.2微米， 其中： (B) 長度方向之揚格模數至少為650公斤/毫米2，寬 不1Γ張尺皮適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21攸29?公嫠） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . . 一 ------：---------------ir—.--- 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（r ) 方向之楊格模數至少為600公斤/毫米2,長度方向之 楊格模數大於寬方向之楊格棋數， (C) 在無負荷之70t!下熱處理後，長度方向之熱收縮 因子不超過0.08% ,和 (D) 表面粗糙度Ra為3至10奈米。 然而，上述申請案並未掲示關於在高負荷狀況下之極 高溫度下之縱方向的薄膜拉長。 進一步來說，同樣在審理中之美國專利申鯖第08/ 016259號掲示雙軸取向、單方向伸長之聚-2, β-策二甲 酸乙二酯薄膜，具有下列特徽性質·· (Α)縱向揚格模數和横向揚格模數兩者均至少公 /毫米2 ,且縱向楊格模數大於横向擤格模數， <B>當薄膜在無負荷之10 5*0下熱處理30分鐘後，横@ 熱收縮因子至少為1%,和 (C)薄膜之其中一傾表面之表面粗糙度Ra至多高至5奈 米。 然而，上述申請案所掲示的並無鼸於在高負掎狀 之極高溫度下之縱方向的薄膜拉長。 > 1 基IT上述，並未掲示一種聚酯薄膜，在縱向上幾乎沒 有尺寸變化，並具有高強度及優良平滑度，充份棒足作 為磁性記錄介質之可長時間及高密度記錄之基膜的 槪件。 因此本發明之目的在於提供一種聚-2,6-萦二甲酸乙 二酯之雙軸取向薄膜，其在縱向幾乎沒有尺寸變化•月· 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)

S (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、va 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五'發明説明（k ) 在縱向具#高強度，並且具有優良平滑度，且可作為能 夠高密度《{長時間記錄之磁性記錄介質的基膜。 本發明之S-*目的在於提供一種作為磁性記錄介質之 基膜的雙軸取向PEH薄膜，克服了上述瑕疵，當作成高_ 密度磁性記錄帶時，具有高強度、優良耐久性，且對熱 有優良尺寸安定性，以及具有優良平滑性。 本發明β其他目的及優點，由下列敘述可明白顯示出 來。 根據本發明，上述本發明之目的及優點，可由一種聚 -2,6-赛二甲酸乙二酯之雙軸取向薄膜來達成，其中 (Α)縱向至少具有800公斤/毫米2之揚格模數，横向 至少具有500公斤/毫米2之楊格模數，縱向楊格模數 大於横向揚格模數， (Β)12〇1〇下，每1公斤/毫米2負荷下之縱向伸長率 SM<% )和縱向楊格模數γΜ(公斤/毫米2 > ,祺足下列鼸 像式 當Υ Μ為1 , 200公斤/毫米2或更少.時 -〇.〇01YM +0.89<Sh< -Ο.ΟΟΙΥμ +1.57 和 當ΥΜ大於1,200公斤/毫米2時 -0.31 <Sm<0.37 和 (C)當雙軸取向薄膜在無負荷之7〇1〇下熱-處理1小 時後，縱向熱收縮百分比為0.1%或更少。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i0X297公釐） ---.-------^------# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對形成本發明之薄膜的聚-2,6-萘二甲酸乙二酯來說， 2,6-#二甲酸為主要酸成分，不過同時可使用少量之其 他二羧酸作為共單體。此外，乙二醇為主要之二醇成分 ，同時也可使用少量之其他二醇成分作為共單體。除2, 6-黎二甲酸外之二羧酸成分包括芳族二羧酸，如對苯二 甲酸、間苯二甲酸、二苯基硪二羧酸、二苯基酮二羧酸 和2,6-黎二甲酸之異構物，如2,7-萘二甲酸：脂肪族二 羧酸，如丁二酸、己二酸、癸二酸和十四碩二酸；和脂 環族二羧酸，如六氫對苯二甲酸和1,3-金刚烷二羧酸。 除乙二醇外之二醇成分包括有1·3-丙二醇、1,4-丁二醇 、1,6-己二醇、新戊二醇、1,4-環己烷二甲醇、對-苯 二甲醇和二乙二醇。進一步來說，聚合物（聚-2,6-萘二 甲酸乙二酯）可包含如安定劑和箸色劑之添加商I。 通常上述ΡΕΗ聚合物可根據熔融聚合之已知方法來製 備。此時，如催化剤之添加劑可梘需要而選用。PEN之 固有黏度較佳範圍在〇· 45至0.90之間。 經濟部中央標準局員工消費合作社印31 本發明之雙軸取向薄膜，在縱向之楊格模數至少為 800公斤/毫米2。當雙軸取向薄膜之縱向楊格模數小 於800公斤/毫米2時，磁帶之厚度為I6檝米或更少， 且薄膜厚度為12微米或更少•作為具有長時間記錄和拷. 貝容量的帶子時，楊格模數不足。當允許磁糟重覆蓮轉 時，帶子的邊緣可能彎曲或可能拉長•所以不足將帶子 壓至磁頭，而使電磁轉換特徽不良。因此，得到不被希 望、非高-密度、高-靈敏度之磁性記錄7。 —一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（210X297公釐）' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（《） 縱向揚格模數較佳至少為900公斤/毫米2,更佳至 少為1,000公斤/毫米2。 進一步來説，本發明之雙軸取向薄膜，在横向之榻格 模數至少為500公斤/毫米2 ,其傜為避免帶子蓮轉時 邊綠受到傷害的原因。亦即，當横向楊格模數小於500 公斤/毫米2,甚至當使用具有高強度之磁性黏合劑， 帶子邊緣可能因蓮轉而變形或起皴，且帶子邊緣受到傷 害可能難以避免。 横向揚格模數較佳至少為550公斤/毫米2 ,更佳至 少為600公斤/毫米2。 本發明之雙軸取向薄膜，縱向楊格模數必須大於横向 揚格模數。較佳之縱向楊格模數大於横向楊格模數至少 250公斤/毫米2。 賦予本發明雙軸取向薄膜之上述楊格模數的方法，可 以輾壓機或拉幅機在非拉伸薄膜之横向和縱向，同時拉 伸或連镰拉伸來達成。進一步來説*未拉伸薄膜可在縱 向和横向每個方向拉伸一次，或至少在横向和/或縱向 拉伸兩次，雖然在每値方向之拉伸次數並不待別被限制。 例如當拉伸係以兩-步驟拉伸方法執行時，PEN在Tn和 (Tb+ 70¾ )溫度間進行熔融擠壓（其中Tm為PEN的熔點）， 以製備具有固有黏度為0.45至0.9分升/克（dl/g)之未 拉伸薄膜，接著未拉伸薄膜在（Tg-10)和（1^ + 70)¾溫度 間（其中Tg為PEN之玻璃轉移溫度）、拉伸l：b例為2.5至7.0 的狀況下，進行單軸拉伸（亦卽，在橫向或縱向方向）， -10-

—本紙^««帽國家標準（ CNS > A4%#· ( 210X297公釐T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 然後單軸拉伸薄膜在Tg(O)和（Tg + 70)t：溫度間、拉伸 比例為2.5至7.0時，以上述拉伸方向之直角方向再拉伸 (亦即，當第一步驟為縱向時，第二方向則為横向）。此 例中，拉伸比例之面積較佳為15至35,更佳為20至35。 當拉伸以至少三-步驟拉伸方法執行時，較佳之上述 雙軸取向薄膜-固化溫度（Tg + 2〇)和（Tg+7〇) υ間，熱-固 化處理，然後薄膜在縱向或镄向、溫度高於熱-固化溫 度10至40*0拉伸之，再於高於上述拉伸溫度20至50t!之 溫度，進行横向或縱向的拉伸，所以縱向之總拉伸比例 為5.0至10.0,而横向之總拉伸比例為4.0至8.0。比例 中，拉伸比例之面積較佳為20至50,更佳為25至45。 本發明之雙軸取向薄膜的特徽性能，在於該雙軸取向 薄膜瞞足（A)和（B)之下列闋僳式，其偽有騮於在120 下，每1公斤/毫米2負荷下縱向伸長率5!^(%)及縱向 楊格模數YM(公斤/毫米2)的關傺式， 當Ym為1,200公斤/ €米2或更少時 -0.001Y μ+〇·89< Sm < -O.OOIYm +1.57 (A) 和 當Y M大於1,200公斤/毫米2時 （B) -0.31 < S μ < 〇 · 37 當定義如上之關係式（Α),當ΥΜ在800至1,200公斤/ 毫米2之範圍内，縱向之伸長率Sm(% )隨縱向楊格模數 Y Μ(公斤/毫米2 )之増加而減少。當YM超過1,200公斤 /毫米2時，SM為與YM無鼸之常數。SM(% )之負值表示 -11- ......本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格2Γ0Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

I 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ,.- A7 _B7_ 五、發明説明（） 有收縮百分比（％ )。 若雙軸取向薄膜不能滿足上述（A)和（B)之鼦僳式•在 生産磁帶之施予磁性塗覆组成物及乾燥步驟中，使基膜 伸長造成波動，且磁層亦不均句。 當YM為1,200公斤/毫米2或更少時，較佳之SMfn.Y 滿足下列關换式（A>-1， -0.001Ym+1.05< Sm< -O.OOIYm +1.48 (A) -1 和 當Y M大於1,200公斤/毫米2時•則Μ湛足下列鼷偽 式（B ) - 1 · -0.15 <Sm< 0.28 (B ) -1 進一步來說，當YM為ι·20〇公斤/毫米2或更少時， 較佳之SM和ΥΜ瞞足下列開傣式（Α)-2· -0.001ΥΜ +1.14<Sm <-0.001Ym+1.40 (A) -2 和 fYM大於1,200公斤/毫米2時，則Ym滿足下列關偽 式（B)-2 , -0.06 < S M < 0.20 (B)-2 為生産本發明滿足上述S Μ和Y Μ開傜之雙軸取向薄膜， 當上述楊格模數加，SM降低之意義必須列入考慮。 為此，例如較隹須使縱向之拉伸比例大於横向之拉伸比 例，選擇適當保持伸長率在低水準之熱-固化條件，且 視需要諝節熱-緩解條件，以降低熱收缩百分比。亦即 ,S t澳拉伸比例及熱-固化溫度之不同而大有不同，且 因此為選擇執行下列步驟之優點。薄膜在適奮條件範圍 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210 X 297公釐）~ ~~~"""".... ........... —I|丨11%---------^----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 . B7 五、發明説明（"） 之不同拉伸比例、不同熱-固化溫度預製備，以便得到 本發明在縱向和横向所要求楊格模數之雙軸取向薄膜， 且同時測量薄膜之縱向伸長率及縱向和横向之楊格模數 。比較測量值，以選取最佳之拉伸比例和最佳熱-固化 溫度《進一步來説，收縮百分比藉由熱缓解而得較佳範 圍，且選擇熱緩解的條件，使得随熱鍰解而降低之縱向 楊格模數仍在範圍内，特別是在本發明之範圍内，則可 得到本發明之雙軸取向薄膜。 進一步來說，本發明之雙軸取向薄膜在無負荷之7〇υ 下熱-處理1小時後，所得之縱向熱收縮百分比為0.1% 或更少。當熱收縮百分比大於0.1%,甚至在薄膜形成 磁帶後，薄膜將有不希望發生之熱不可逆的改變，當VTR 以不同溫度進行記錄和拷貝時，帶子在螢幕上有時會引 起歪斜蜜面。進一步來說，當熱收縮百分比大時，基膜 可被印在磁帶上，磁帶表面之粗糙度容易增加。熱收縮 百分比較佳為0.08%或更少，更佳為0.05%或更少。 為降低熱收縮百分比，通常增加拉伸薄膜熱-處理的 溫度。然而，熱處理溫度超過太多，薄膜之機械性質自 然惡化，當薄膜加工成磁帶時常發生刮痕。且刮痕塵垢 黏附在磁帶之磁性表面上會引起脱音。因此，熱收縮百 分比藉由在低張力情況下熱-處理薄膜且在縱向上緩解 薄膜而降低。根據空氣-漂浮處理方法，緩解薄膜之縱 向，其中當在低張力下加熱時，薄膜僳在非-接觸之狀 態下鍰解，薄膜缓解的方法為令薄膜經過不同速率之熱 :13- 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS j_A4規格·( 210又Z97公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明説明（（> ) A7 B7 棍和冷棍的軋點而緵解•或連鑛減弱拉布機上夾住薄膜 之夾Η的加工速度而缓解。任何一種可用於鍰解縱向薄 膜的方法均可使用。 上述方法之任何一種，雙軸取向薄膜可在（Tg + 70)<G 和Tm(t!)溫度間進行熱-固化。例如熱-固化較佳在190 和240X3溫度間進行1至60秒。進一步來說•當執行熱 鑀解後•即可得到具有所希望之熱收縮百分比之本發明 薄膜〇 本發明之雙軸取向薄膜的平面取向偽數HS和平均折射 傜數nA，較佳具有表現如（C)和（D)之下列豳偽式， NS爸 1.607 nA-2.434 1.658爸 nA忘 1.665 式中η A取決於下列方程式， (C) (D) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) k/.

、tT

[y + η z ηΑ 3 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 式中ηχ為雙軸取向薄膜之機械方向的折射偽數，ny為垂 直於機械方向之折射傜數，nz為薄膜厚度方向之折射傜 數。 更佳之雙軸取向薄膜的平面取向傜數HS至少為0.281, 且平均折射僳數ηΑ滿足上述關傜式（D)。平面取向傑數 NS取決於下列方程式，

NS 14- 本;紙張尺度適用中國獨家標準（XNS__)_-A4M^T210又297公釐） A7 _B7 五、發明説明（《〇 式中ηχ為雙軸取向薄膜之機械方向的折射偽數· W為垂 直於機械方向之折射你數，nz為薄膜厚度方向之折射傜 數。 具有上述平面取向傺數之基膜有足夠的抗變形性（後 原性），厚度有優良的均勻性，於生産磁帶時，可供作 高-密度記錄之磁層。因此，所得到的磁層對磁頭之追 縱接觸性能十分優良，使磁性記錄介質的輸出十分穩定。 上述（C)較佳由下列關偽式（C)-l所表示， HS言 1.607 nA -2.434， 更佳由下列豳偽式（C)-2所表示， HS ^ 1.607 nA -2.427 滿足上述（C)和（D)所表示之關傜式的基膜，具有足夠 的抗變形性，横向比縱向有更高的取向度，厚度有優良 的均勻性，於生産磁帶時可供作高-密度記錄之均勻磁 層。因此，所形成的磁層對磁頭之追蹤接觸性能十分優 良，使磁性記錄介質的輸出十分穩定。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當不能滿足上述式（C)時，縱向和横向兩者之楊格模 數均低，當磁帶蓮轉時，很容易伸長和對其邊綠造成傷 害，且在預定條件下難以保持對磁頭的接觸，因此容易 在記錄和拷貝時發生錯誤。進一步來説，平滑度不良， 或厚度均勻度不夠，帶子容畧放鬆，所以容易發生磁層 不均勻和磁性的遣漏，且於拷貝時输出容易發生波動。 進一步來說，磁帶抗熱和抗變質性不良。 當平均折射俗數nA> 1.665,不能滿足上述式（D)時， _ 1 5 - 本紙張尺夏通用〒！]"®家標準（CNS ) A4規格（210ΧΓ297公釐) A7 B7 五、發明説明（α ) 及楊格模數不足到某個程度，則磁帶接觸磁 在某些例子裡會引起記錄和拷貝上的錯誤。 傜數nA〈 1.658,不能滿足上述式（D)時， 之一個或兩個方向之機械性質，如強度及楊 足到某値程度，則磁帶很容易伸長和對其邊 ,所以容易在記錄和拷貝時發生錯誤。特定 苯二甲酸乙二酯薄膜在上述範圍内，在縱向 械性質會顯示不良的平衡，在抗熱上也有不 定性。 究發現，本發明之雙軸取向薄膜在作為基膜 縮緊性質，且當在薄膜表面所形成之突出部 出部分數目在特定範圍内，則在作為磁帶上 動和電磁轉換性質。本發明之雙軸取向薄膜 面所形成突出部分之高度〔h(單位：奈米）〕 之數目較佳為下列範圍， h <50 1，000-10,000個 / 毫米 2 h < 100 10-200 値 / 毫米 2 h <150 10 - 100 個 / 毫米 2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 且縱向強度 頭性不良， 當平均折射 縱向和横向 格模數，不 緣造成傷害 而言，聚對 和横向之機 良的尺寸安 本發明研 時有優良的 分高度和突 有優良的蓮 ，在薄膜表 和突出部分 1 ^ 50芸 100各 150各 更佳為下列 1 ^ 50客 100各 150运 h 0锢/毫米2 範圍， h <50 h <100 h <150 h (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 , 500 - 8,000値 / 毫米 2 10-100個/毫米2 10 - 70値/毫米2 0個/毫米2 16-本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八顿洛（210X297—公釐） A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明（ xX ) 特 佳 為 下列 範 圍， 1运 h <50 2,000- 5,000傾 / 毫米 2 50 g h <100 10 — 80個/毫米2 100^ h <150 10 - 50掴/毫米2 150忘 h 0個/毫米2 滿 足 上述 範 圍之 基膜，有優良的操縱性，在作為磁帶 時 有 優 良的 蓮 轉性 質和電磁轉換性質。當薄膜之突出部 分 數 百 超過 10 ,0 00個/毫米2而有高度h(單位 :奈米）為 Ιέ h<50範圍内時， 若以輥壓機作砑光-處理，易使薄膜 磨 損 0 當薄 膜 突出 部分數目超過200値/毫米2 而 有高度 為 50 h<100時•若作為磁帶時，易使電磁轉換 性 質降低 0 當 薄 膜突 出 部分 數目超過100値/毫米2而有 高 度h 為 100 客 h <150 時， 若作為磁帶時，有優良的運 轉 性賨 » 但 其 易使 電 磁轉 換性質降低並引起磁帶脱音。 進 一. 步 來説 9 當薄 膜突出部分高度為150运h時 9 易使 電 磁 轉 換性 質 降低 並常引起脱音，因為租糙顆粒頻繁出 現 〇 進 一步 來 説· 當薄膜突出部分高度為150客 h 時， 當 磁 帶 蓮轉 時 易有 磨損，自然地造成脱音。當薄膜突出 數 百 低 於1, 000個/毫米2而有高度為1盔h <50 t 低於 10個 / 毫米 2 而有 高度為50爸h <100、低於10個/毫米2 而 有 高 度為 100 含 h 〈150時，磨損傺數增加，且 難 以操 縱 薄 膜 ,也 難 將其 製成捲狀物。進一步來說，其當作為 磁 帶 時 ，蓮 轉 性質 很差。高度為h <1之突出部 分 數目 並 不 被 特別 限 制。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格-(-2^X297公资)........... A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（☆) 具有上述表面性質之薄膜，例如可藉由併入擁有不同 顆粒尺寸分布之數種PEN僚性固塍精細顆粒而得到。惰 性固體精細顆粒的例子較佳包括有（1)二氣化砂（包括水 合物、矽藻土、矽質砂和石英）；（2)氣化鋁；<3)包括 至少30重置2成分之矽酸鹽（亦即,非晶霣或晶質 黏土確物和矽酸鹽（包括煆燒物質和水合物 >、織蛇紋石 、錐石和飛灰）；（4)镁、鋅、鉻和鈦的氣化物；（5)鈣 和鋇的硫化物：（6)鋰、鈉和鈣的璘酸鹽（包括單水合物 和雙水合物（7)鋰、鈉和鉀的苯甲酸鹽（8)0、鋇、 鋅和錳的對苯二甲酸酯；（9)鎂、鈣、鋇、鋅、讀、鉛、 %、猛、鐵、鈷和錬的鈦酸鹽；（1 0 )鋇和鉛的鉻酸發； (11)硪（亦卽，碩黑和石墨）；（12)玻璃（亦即，玻璃粉 末和玻璃珠）；（13)鈣和鋇的硪酸鹽；（14)氟石；（15) 硫化鋅（ZnS)和（16)具有抗熱性之聚合物的精細顆粒， 如矽酮樹脂和交聯聚苯乙烯。更好的精細顆粒為下列之 任何一種：二氧化矽、矽酸脱水物、水合矽酸、氣化鋁 、矽酸鋁（包括煆燒物質和水合物）、磷酸單鋰、磷酸三 鋰、磷酸鈉、磷酸鈣、硫酸鋇、氣化鈦、苯甲酸鋰、此 等化合物之複鹽（包括水合物）、玻璃粉末、黏土（包括 高嶺土、膨土和瓷土）、滑石、矽藻土、磺酸鈣、矽酮 樹脂和交聯聚苯乙烯。特佳的為二氣化矽、氣化鈦、碩 酸鈣、矽酮樹脂的精細顆粒和交聯聚苯乙烯的精細顆粒 。允許薄膜包含至少一種上述惰性固體精細顆粒。 上述惰性固體精細顆粒，可在PEN聚合前或聚合期間， -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS-)-A4规格十297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

、tT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _______87 _ 五、發明説明（7 ) 加到PEH中。進一步來説，可在聚合PEH成粒時，將惰性 固體精細顆粒與PEH在擠壓機中混合，也可在PEH擠壓成 Η狀前，將之分散於擠壓機的PEN中。鑑於可分散性， 較佳是在聚合前加入。然而，得到本發明表面性質之雙 軸取向薄膜，並不受限於加入惰性固體精細顆粒於PEN 的方法。較佳使用的方法，像在聚合期間，加入磷成分 或其他必要之添加劑，以生成顆粒源，該顆粒源形成之 顆粒將包含於薄膜中，或另外的方法，僳摻合在磷成分 存在下使PEN聚合所得之聚合物和在惰性固體精細顆粒 存在下使PEH聚合所得之聚合物。 根據本發明之薄膜表面性質，可經由其他表面處理的 影響進而調整之，例如塗覆處理，該處理可在不包含惰 性固體精細顆粒之薄膜表面上或在包含惰性固體精細顆 粒之薄膜表面上進行。 並不特別限制本發明之PEH雙軸取向薄膜^厚度，當 用於錄影帶之雙軸取向薄膜，以便長-時數如180分鐘或 更長時間的記錄和拷貝，或用於DCC帶之雙軸取向薄膜 ,較佳為12微米或更少，特佳為6橄米或更少。鑑於薄 膜剛度，薄膜厚度的下限較佳為3徹米。 本發明將進一步地由下列實施例説明之。本發明之不 同物理值和特徴測量及定義如下。 (1)表面突出部分數 由WYK0所提供之非-接觸、三維粗糙度測試儀（Τ0Ρ0 -3D)測量之，測量區域2 42撤米X 239撤米（0.058毫米2) -19- 本紙張尺度適用中國國家標2^tCNSi-A4規格(-2WX 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A-7 __B7_ 五、發明説明（) ,測置放大率為40倍。可得到表面突出部分高度的矩形 圖，以及基於薄膜表面平均粗糙度之突出部分分析得到 突出部分數，並且基於該矩形圖決定特定區域之突出部 分數。在同一薄膜的5値地方作測量，且將其突出數相 加，並將之轉換成每單位面積（1毫米2)之突出部分數。 (2) 楊格模數 薄膜切成寬10毫米、長150毫米的樣品，將樣品以 Instron型態之萬能張力測試機在夾盤間距離為100毫米、 張力速率為10毫米/分鐘以及製圖速率為500毫米/分 鐘拉伸之。基於所形成之負荷-伸長圖之上升部分的正 切值計算揚格模數。 (3) 折射傺數 以阿貝折射計（Abbe refractometer>，_M利用鈉D 射線（589奈米）作為光源，測量薄膜方折射傜數。同時 ，由Kanzaki Paper製造有限公司所提供之分子聚向儀 (M0A-2001 A)測量薄膜的取向度。若折射傺數值太大， 無法以阿貝折射計測量時·須基於取向度和折射僳數之 相關圖作決定。 (4) 薄膜伸長率 將寬5毫米、.長15毫米的薄膜樣品放入Shinkuriko K.K.所提供之TMA(TM-3000L,熱機械分析）中，溫度自 201上升至150*0、上升速率為5t：/分鐘，其負荷條件 為：0克（無負荷）、25克、50克、75克和100克。在120*0 下決定每個薄膜樣品的伸長百_分比，並繪出伸長百分比 -2 0 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210 x 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明说明（β) 和薄膜毎横截面積之負荷（公斤/毫米2 )的相雜圖。基 於該相鼷圖來決定毎1公斤/毫米2負荷的伸長率（％)。 (5) 電磁轉換性質 利用Shibasoku有限公司所提供之噪音計來決定VTR 之磁帶的S/Nfcb (訊號/雜訊tb)。進一步看出•表1中 所列之本發明之s〆N比和比較賁施例3之s / N比並不相 同。所使用之有限公司所提供•型號為”-S700 〇 (6) 磁帶之耐久性 將磁帶放人由Sony有限公司所提供，型號為EV-S700 之VTR中，使之重覆蓮轉及停止小時，然後檢査帶子 的蓮轉狀況並測量其輸出。磁帶之蓮轉耐久性由下列決 定之。 <3等级的評估> Ο :磁帶邊緣不伸長也不引起任何皴摺。輸出不波動。 △:磁帶遴綠伸長且有相當程度的皺摺。输出有相當 程度的波動。 X :磁帶遴線伸長許多且有極度皺摺。磁帶不穩定的 蓮轉，且輸出有很大的波動。 (7) 熱收縮百分比 將事先經準確測量長度之長3 0公分、寬1公分的薄 膜，在無負荷下，放置在7〇t：之爐上，熱-處理1小時。 然後，將薄膜移離爐，靜置使之恢復為室溫。然後，測 量薄膜長度，以決定其長度變化。由下列方程式決定熱 -21- 本紙張尺度適·用'中國阍家標準（.CNS1'A4规格(-21Ό+Χ 297·公瘦）· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) • r! 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（μ ) 收縮百分比，

△ L 熱收縮百分比（％ ) = - X 1〇〇 L 〇 式中L〇為未經熱處理之長度，且AL為經熱之尺寸變 化。 (8) 歪斜 將用於常溫（20 t：)及常規濕度下之記錄用的錄影帶 ,放置在70¾下，熱-處理1小時，然後該磁帶在常溫 及常規濕度下播放。測量VTR頭之歪斜偏差的調整點。 (9) 惰性精細顆粒的平均顆粒直徑 以型號CP-50之離心粒徑分析儀測量之，該分析儀 僳由Shi madzu公司所提供。基於所得到之離心沈積曲線 ，準備具有預定尺寸之顆粒累積圖，及由此所形成的量 ，並且也決定關於50質量百分比之顆粒直徑。該值被稱 為上述所謂的平均顆粒直徑。 實施例1 一種PEH粒狀物，其包括有0.25重量％、平均顆粒直 徑為0.02徹米的球形矽石顆粒，以及包括有0.03重量％ 、平均顆粒直徑為0.5徹f之磺酸鈣，該粒狀物之固有 黏度為0.62分升/克（dl/g)(25C、在鄰-氣基酚下測量） ，於170t!下將其乾燥，且於300¾下熔融-擠壓，該壓 製物在保持60¾之壓鏵棍下快速冷卻，得到未拉伸薄膜 之厚度約為170撤米。 -22- 本紙張國赞索標準（.—CNS .) ( 210.X.297公愛）. -------------— "—'- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

I 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ,,- _B7 __ 五、發明説明（w ) 接箸將上述未拉伸薄膜膜雙軸拉伸，於130t：下先自 縱向拉伸5.6倍，繼之於135<0將横向拉伸3.8倍，進一 步於215¾下熱-固化。此熱-固化薄膜傜以熱锟加熱至 1 ίου ,然後以冷棍調整薄膜的張力，進行緩解-處理· 所以薄膜之縱向熱收縮百分比為0.05¾。所得到的雙軸 取向PEN薄膜之厚度為8撤米。 分開地將下列成分之組成物放置於球磨機中，将5重 量份之異《酸酯化合物（由拜耳公司（Bayer AG)提供之 Desmodur L)放入搓揉並分散16小時。高速剪力-分散上 述混合物1小時，以得到磁性塗覆組成物。 磁性塗覆組成物之成分 重i份 針 狀 鐵 頼 粒 100 氣 乙 烯 -醋酸乙烯酷共聚物 (由 S e k i s u i 15 化 學 有 限 公司提供之S-LEC 7A) 熱 塑 性 聚 胺基甲酸酯樹脂 5 氧 化 鉻 5 硪 黑 5 卵 脂 2 脂 肪 酸 酯 1 甲 苯 50 甲 基 乙 基 酮 50 環 己 酮 50 上述製備之磁性塗覆組成物，披施用於上述雙軸取向 PEH薄膜的一傾表面上，以便形成具有厚度為3微米之 -23- ... - - , ------- . · . 本紙張尺度適用中Ϊ1國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明説明（>>) 塗覆，且將該塗覆在直流磁場為2,500高斯時施予取向 處理，在100Ϊ：下乾燥，並以超壓砑光機（線形壓力為200 公斤/公分、溫度80t!)處理之。然後取出薄膜。所得 之薄膜捲製物靜置於55t：之爐中3天。 進一步來説，施用下列成分之底塗組成物，以形成具 有1微米厚之底塗並將之乾燥，再將底塗薄膜切成寛8 毫米，以作成磁帶。 底塗組成物 重量份- 碩黑 1〇〇 熱塑性聚胺基甲酸酯樹脂 60 異氰酸酯化合物（由Nippon聚胺基甲酸 18 酯工業有限公司所提供之Cor on ate L) 矽酮油 0.5 甲基乙基酮 250 甲苯 50 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表1列出上述所得之禪膜和磁帶的物理性質。很清楚 地由表1看出，本發明之薄膜免除任何加工上的問題， 且抗熱的尺寸安定性優良。所得的薄膜，有高縱向楊格 模數、由此所製得之磁帶的電磁轉換性質優良、且具蓮 轉耐久性，並無不佳之歪斜情況，在高溫下使用亦有優 良性質。 實施例2 如實施例1之相同方法，得到未拉伸薄膜。未拉伸薄 膜於WC先自縱向拉伸2.3倍，再於1301D將横向拉伸 / ' -24- ---本:紙張尺度適舟水國國家標準（CNS )-A4規格-( *21〇 Χ-29Τ公缝) A7 B7 五、發明説明（㈠） 3·9倍，且於1601C下施予中熱處理。進一步將雙軸取向 薄暌於170¾下先自縱向拉伸2.6倍。再於熱-固化215¾ 溫度下，横向拉伸1.3倍。然後，所得之薄膜以如實施 之相同方法處理之，以得到具有縱向熱收缩百分比 為0.0 4%之薄膜。結果，所得到雙軸取向薄膜的厚度為 8撤米。接著如實施例1之相同方法處理得到磁帶。表 1列出其結果。所得薄膜和磁帶具有如實施例1般優良 的性質。 實施例3 如實施例1之相同方法，得到未拉伸薄膜。未拉伸薄 膜於130t!下先自縱向拉伸2.5倍，再於130t3將横向拉 伸3.9倍，於160 t：下施予中熱處理。進一步將雙軸取向 薄膜於170 t：下先自縱向拉伸2 . 8倍，再於熱-固化215 t： 溫度下，横向拉伸1.2倍。然後，所得之薄膜以如實施 例1之相同方法處理之，以得到具有縱向熱收縮百分fcfc 為0.05%之薄膜。結果，所得到雙軸取向薄膜的厚度為 8徹米。接箸如實施例1之相同方法處理得到磁帶。表 1列出其結果。所得薄膜和磁帶具有如實施例1般優良 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 例 。4 施 質h例實13 性施如於 的實 膜 法 方 同 相 之

伸 拉 向 縱 自 先 下 V 先 16下 於 V ο , 7 倍1 8 於 3.膜 伸薄

中 予 施 下 V 膜 薄13 伸於 拉再 未， 到倍 得.4 伸 拉 向 縱 自 薄 伸 拉 未

拉 向 横 將 V 向 P 取15 軸 雙 將 步熱 1 於 進再 0 » 理倍 處8· 熱 化 固 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

—本紙張尺度適舟中國-國家標準i CNS t A4規格（210X297公釐) A7 ___ B7___ 五、發明説明（>4 ) 溫度下，横向拉伸1.2倍。然後，熱固化薄膜以熱棍加 熱至110Ό,然後以冷棍諝整薄膜的張力，進行鍰解-處 理，所以薄膜之縱向熱收縮百分比為0.05%。所得到的 雙軸取向PEN薄膜之厚度為8撤米。接著如實施例1之 相同方法處理得到磁帶。表1列出其結果。很清楚地由 表1看出，本發明之薄膜免除任何加工上的間題，且由 此所製得之磁帶，有優良之蓮轉耐久性，及優良之罨磁 轉換性質優良，並無不佳之歪斜情況，在高溫下使用亦 具有優良性質。 實施例5 如實施例1之相同方法，得到未拉伸薄膜。未拉伸薄 膜於120¾下先自縱向拉伸2.5倍，再於13〇<〇將横向拉伸 3.8倍，於160t：下施予中熱處理。進一步將雙軸取.向薄 膜170*0下先自縱向拉伸3.〇倍，再於熱-固化215t!溫度 下，横向拉伸1.2倍。然後，所得之薄膜以如實施例1 之相同方法處理之，以得到具有縱向熱收縮百分比為 0.05%之薄膜。結果，所得到雙軸取向pen薄膜的厚度 為8撤米。接著如實施例1之相同方法處理得到磁帶。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表1列出其結果。所得薄膜和磁帶具有如實施例1般優 良的性質。 比較實施例1 如實施例1之相同方法，得到未拉ίϊ薄膜 膜於13〇υ下先自縱向拉伸3.5倍，再於13510將横向拉 伸3 .匕倍，，於215¾下熱-固化。然後，所得之薄膜以如 -26- e 本紙張尺度適用中國員家標準-fCNS) A4規格-(..2t〇x297公釐） A7 '_B7 __ 五、發明説明（π) 實施例1之相同方法處理之•以得到具有縱向熱收縮百 分比為0.05%之薄膜。結果，所得到雙軸取向薄膜的厚 度為8檝米。接著如實施例1之相同方法處理得到磁帶 。表1列出其結果。薄膜於120t!下之每1公斤/毫米2 負荷之伸長率很大，所以基膜在形成帶子的步親時即已 伸長，且造成波動•並使得磁層不均勻。進一步來説， 薄膜具有高平均折射傺數，且在横向楊格模數較低。結 果，磁帶與磁頭的接觸不完全，磁帶在電磁轉換性質不 良，於記錄及拷貝時易生錯誤。 比較實施例2 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 包括如實施例1所述之相同兩種顆粒之PET粒狀物， 其具有固有黏度為0.65分升/克（dl/g)(25t：、在鄰-氣 基齡下測量），於1 6 0 t：下乾燥之，且於2 8 0 t：下熔融-擠 壓，該壓製物在保持4〇υ之壓鑲棍下快速冷卻，得到未 拉伸薄膜之厚度約為110微米。所得到的未拉伸薄膜， 經兩値不同旋轉速率之壓送棍之縱向拉伸1.8倍，再以拉 幅機横向拉伸3.1倍，進一步於150¾下施予中熱處理。 進一步將該薄膜於1 5 5 υ下縱向拉伸3.6倍，然後於2 3 0 Ό 熱-固化。此熱-固化雙軸取向PEN薄膜以熱棍以9010加 熱之，然後以冷锟調整薄膜的張力，進行降低縱向熱收 縮百分比之處理，所得到的雙軸取向PEN薄膜之厚度為8 撤米。接箸如實施例1之相同方法處理得到磁帶。表1 列出其結果。雖然熱收縮百分比，因熱處理的闋傜而有 降低，但薄膜因為使用PET原始材料，仍具高熱收縮百 -27- 本紙張適用中國國家標準（CNS ) 210><2.97.公资·)..................................... 經濟部中央標準局員工消費合作社邙製 A 7 _B7 _ 五、發明説明（a ) 分比，且歪斜狀況很差。進一步來說，薄膜具有根據本 發明之藉由增加縱向拉伸比例所得之較高楊格模數，且 横向楊格模數仍相當低，因為很難增加横向之拉伸比例 。結果，當磁帶蓮轉時，磁帶易有邊緣傷害，且顯示不 良之蓮轉耐久性。進一步來説，因為於120 °C下之每1公 斤/毫米2負荷之縱向伸長率很大。所以薄膜在形成磁 帶的步驟時之伸長將引起磁帶之波動，並使磁層不均勻。 結果，磁帶在電磁轉換性質不良。數據顯示，考慮總的 的平衡性質P E T材料不及P E N材料優良。 比較實施例3 如實施例1之相同方法，得到未拉伸薄膜。未拉伸薄 膜於130°0下先自縱向拉伸2.2倍，再於130°0將横向拉 伸3.9倍，於160°C下施予中熱處理。進一步將雙軸取向薄 膜於1 7 0 °C下先將縱向拉伸2 . 2倍，再於熱-固化2 1 5 °C溫度 下横向拉伸1.8倍。如實施例1之降低熱收縮百分比之熱 緩解處理並未施行。結果，所得到的雙軸取向薄膜之厚 度為7微米，接箸如實施例1之相同方法處理得到磁帶 。表1列出其結果。特別因為高熱收縮百分比，磁帶之 歪斜狀況很差。進一步來説，因為1公斤/毫米2負荷 之縱向伸長率大到相當程度，故作為塗覆之磁層不甚均 勻，且因此磁帶在電磁轉換性質不良。進一步來説，縱 向楊格模數低，磁帶與磁頭的接觸不良，在記錄及拷貝 特別時易引起錯誤。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 舞裝· A7 B7 五、發明説明（>7 ) 表1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 單位 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 基膜的性質表面 突出部分數目 l^h <50 50客h <100 100客h <150 150 芸 h 値/毫米2 Ν If η 5,050 53 24 0 4,850 58 18 0 4,800 47 20 0 4,800 40 15 0 折射傺數： nx ny nz 平均折射係數·· nA 平均取向傜數： HS 1.607nA-2.434 - 1.768 1.731 1.482 1.660 0.268 0.234 1.777 1.732 1.482 1.664 0.272 0.240 1.789 1.719 1.480 1.663 0.273 0.238 1.813 1.710 1.476 0.286 楊格模數： Yem 丫 Έτ 公斤/毫米j 1,020 530 970 650 > 1,200 550 1,250 550 於120t：下之每1 公斤/毫米2負 荷之_伸®] % 0.30 '.八 ίΐ ”“乂， 0.35 SK 0.08 η, 0.06 熱收縮百分比 (縱向） 7〇υχι小時 % 0.05 0.04 0.05 0.05 磁帶的性質電磁 轉換性質Y-S/N dB -1.5 -1.5 -2.5 -2.5 蓮轉耐久性 - 優 優 優 優 歪斜 微米 4 3 3 3 -29- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

摊張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A-4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（>2 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表1(繼缠) 單位 比較 比較 比較 實施例5 實施例1 實施例2 實施例3 基膜的性質表面 突出部分數目 1运h <50 値/毫米2 4,600 5,650 3,950 5,000 50运h <100 tt 38 65 154 54 100迄h <150 ft 15 30 12 14 150 tt 0 0 0 0 折射係數： nx - 1.820 1.752 1.641 1.750 ny - 1.695 1.756 1.678 1.778 nz - 1.473 1.502 1.487 1.482 平均折射偽數： nA - - 1.670 1.602 1.670 平均取向傺數： NS - 0.285 0.252 0.173 0.282 1.607nA-2.434 - - 0.250 0.140 0.250 楊格模數： EM 公斤/毫米 1,350 610 930 620 ET 520 630 440 950 於1201：下之毎1 公斤/毫米2負 荷之縱向伸長率 % 0.04 0.85 K 1.90 0.72 熱收縮百分比 (縱向） 701CX1小時 % 0.05 0.05 0.17 1 0.15 磁帶的性質電磁 轉換性質Y-S/N diB -2.5 +2.0 +2.0 0 蓮轉耐久性 - 優 差 差 差 歪斜 微米 3 6 10 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用冲國國家標準（CNS ) A4規格（公釐） 396106 A7 B7 五、發明説明（) 由本發明之聚-2 , 6-萘二甲酸乙二酯之雙軸取向薄膜 所産生之磁帶，免除磁帶伸長的困擾，並在磁帶運轉期 間無彎曲發生。因此，磁帶與磁頭之緊密性（與磁頭接 觸）優良，顯現能高-密度磁性記錄之必須的電磁轉換性 質之性能，且進一步還具有優良抗熱之尺寸安定性。因 而，磁帶幾乎沒有歪斜損害。特別是聚-2 ,6-萘二甲酸 乙二酯之雙軸取向薄膜可作為高-密度磁性記錄帶之基 膜，可記錄相當長的時間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -'β 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用肀國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

1. (89年4月1日修正） (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍： 1. 一種聚_2,6-萘二甲酸乙二酯之雙軸取向薄膜，其中 (A) 縱向至少具有800公斤/毫米2之楊格模數，橫向 至少具有500公斤/毫米2之楊格模數，縱向楊格模 數大於橫向楊格模數， (B) l2〇°C下，每1公斤/毫米2負荷下縱向伸長率SM(%) . 和縱向楊格模數YM(公斤/毫米2)，滿足下列關係式 當YM爲1，2 00公斤/毫米2或更少時， -0.001 YM + 0.89< SM< -0.001 YM + 1.57 和 . 當爲大於1,2 00公斤/毫米2時， -0.31< SM < -0.37 和 (C) 當雙軸取向薄膜在無負荷之70 °C下熱-處理1小時 後，縱向..熱收縮百分比爲〇 · 1 %或更少，且 經濟.部智慧財產局員工消費合作社印製 該雙軸取向薄膜係藉由下述程序A或程序B所製得者， 其中該程序A係包含： ⑴使聚-2,6-萘二甲酸乙二酯（以下稱爲PEN)於Tm至 (Tm + 7〇)°C (其中Tm爲PEN之熔點）之溫度下經熔融擠 壓，以製備未拉伸薄膜； ⑵將未拉伸薄膜於（Tg-ΙΟ)至（Tg + 70)°C (其中Tg爲PEN 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

   (89年4月1日修正） (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍： 1. 一種聚_2,6-萘二甲酸乙二酯之雙軸取向薄膜，其中 (A) 縱向至少具有800公斤/毫米2之楊格模數，橫向 至少具有500公斤/毫米2之楊格模數，縱向楊格模 數大於橫向楊格模數， (B) l2〇°C下，每1公斤/毫米2負荷下縱向伸長率SM(%) . 和縱向楊格模數YM(公斤/毫米2)，滿足下列關係式 當YM爲1，2 00公斤/毫米2或更少時， -0.001 YM + 0.89< SM< -0.001 YM + 1.57 和 . 當爲大於1,2 00公斤/毫米2時， -0.31< SM < -0.37 和 (C) 當雙軸取向薄膜在無負荷之70 °C下熱-處理1小時 後，縱向..熱收縮百分比爲〇 · 1 %或更少，且 經濟.部智慧財產局員工消費合作社印製 該雙軸取向薄膜係藉由下述程序A或程序B所製得者， 其中該程序A係包含： ⑴使聚-2,6-萘二甲酸乙二酯（以下稱爲PEN)於Tm至 (Tm + 7〇)°C (其中Tm爲PEN之熔點）之溫度下經熔融擠 壓，以製備未拉伸薄膜； ⑵將未拉伸薄膜於（Tg-ΙΟ)至（Tg + 70)°C (其中Tg爲PEN 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 396106 | 六、申請專利範圍 之玻璃轉移溫度）之溫度下’在橫向或縱向方面上進 行單軸拉伸，其拉伸比例爲2.5至7.0，而後將單軸拉 伸薄膜於Tg至（Tg + 70)°C之溫度下’在與上述拉伸方 向成直角之方向上再行拉伸’其拉伸比例爲2.5至 7.0，以製備雙軸取向薄膜’其中於縱向方向之拉伸 比例係大於在橫向方向拉伸比例；及 ⑶將該雙軸取向薄膜於（Tg + 70)°C至Tm(°C)之溫度下進 行熱固化， 而其中該程序B係包含： ⑴使PEN於Tm至（Tm + 70)°C (其中Tm爲PEN之熔點）之溫 度下經熔融擠壓，以製備未拉伸薄膜； ⑵將未拉伸薄膜於（Tg-ΐο)至（Tg + 70)°C (其中Tg爲PEN 之玻璃轉移溫度）之溫度下，在橫向或縱向方面上進 行單軸拉伸，其拉伸比例爲2.5至7.0，而後將單軸拉 伸薄膜於Tg(°C)至（Tg + 70)°C之溫度下’在與上述拉 伸方向成直角之方向上再行拉伸，其拉伸比例爲2.5 至7. 〇，以製備雙軸取向薄膜； ⑶將該雙軸取向薄膜於（Tg + 2 0)°C至（Tg + 7 0)°C之熱固化 溫度下進行熱固化： ⑷之後，該薄膜係於較上述熱固化溫度高1 〇至4 〇°C之 溫度下，在縱向或橫向方向上進行拉伸，而後再於 較上述拉伸溫度高20至50 °C之溫度下，在_徵啤或縱向 方向上進行拉伸，以使於縱向方向之總拉伸比例爲5.0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----Λ---------------訂---I-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 398106 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 至10.0，且在橫向方向之總拉伸比例爲4.0至8.0，而 面積拉伸比例爲20至5〇，且於縱向方向之拉伸比例係 大於在橫向方向拉伸比例；及 ⑸將該雙軸取向薄膜於（Tg + 70)°C至Tm(°C)之溫度下進 行熱固化。 2. 如申請專利範圍第1項之雙軸取向薄膜，其中縱向楊格 模數至少爲900公斤/毫米2。 3. 如申請專利範圍第1項之雙軸取向薄膜，其中縱向楊格 模數至少爲1，〇〇〇公斤/毫米2。 4. 如申請專利範圍第1項之雙軸取向薄膜，其中雙軸取向 薄膜之平面取向係數NS和平均折射係數nA滿足下列關 係式， NS δ 1 . 607 ηA-2.434 (C) 1.658 έ nA运 1 . 665 (D) 0 5. 如申請專利範圍第4項之雙軸取向薄膜，其中雙軸取 向薄膜之平面取向係數至少為0.281,且平均折射偽 數nA滿足上述關傜式（D}。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6. 如申請專利範圍第i項之雙軸取向薄膜，其中横向楊 格模數大於550公斤/毫米2。 7. 如申請專利範圍第i項之雙軸取向薄膜，其中横向楊 格模數大於600公斤/毫米2。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3961G6 S D8 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第1項之雙軸取向薄膜，其中縱向楊 格模數大於横向楊格模數至少250公斤/毫米2。 9. 如申請專利範圍第1項之雙軸取向薄膜，其中gYM 為1,200公斤/毫米2或更少時，Sm和鉍之間滿足下 列關傜式， -0.001Υ μ +1 . 〇5< SM < -0.001Υ Μ +1.48 和 當ΥΜ大於1,200公斤/毫米2時，滿足下列關偽式， -0.15 <Sj^i< 0 . 2 8 〇 10. 如申請專利範圍第1項之雙軸取向薄膜，其中gYM 為1,200公斤/毫米2或更少時，Sm和YM之間瞞足下 列關傺式， -O.OOIYm +1.14< Sm < -〇.〇〇1ΥΜ +1.40 和- 當Y 大於1,200公斤/毫米2時，滿足下列關係式， -0.06 <SM< 0 . 20 〇 11. 如申請專利範圍第1項之雙軸取向薄膜，其中雙軸 取向薄膜於其表面具有突出部分，且該突出部分你由 具有下列數量之高度（奈米）的突出部分所構成· lg h <50 1,000 - 10,000艏 / 毫米 2 50 各 h <100 10- 200 個 / 毫米 2 100^ h < 1 50 1 0 - 100 龆 / 毫米 2 150客h 0個/毫米2。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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