TW391075B - Compact excimer laser insulator with integral pre-ionizer - Google Patents

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TW391075B
TW391075B TW087105960A TW87105960A TW391075B TW 391075 B TW391075 B TW 391075B TW 087105960 A TW087105960 A TW 087105960A TW 87105960 A TW87105960 A TW 87105960A TW 391075 B TW391075 B TW 391075B
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William Norman Partlo
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Description

經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 A7 _ B7_ 五、發明説明() 本發明傜概略有鼷於當射裝置,待別是一種用以将一 準分子雷射条统中之氣«預離子化之装置β 雷射裝置己被廣泛地用在各種應用中。例如,雷射裝 置被使用於醫學應用上,例如用來修補受損或破裂之視期 膜或用來除去動脈中之積斑。雷射裝置被使用於半導讎之 製造,以在半導體層之表面上生成霣路案,以及精確地 在半導體中之特定位置纘孔《雷射裝置在逭些竈用上相酋 有利,因為它會産生在一窄幅的波長範園内之高強度閬步 輻射。 笛射条统大致包括一镅次条统,其僳将當射中之氣體 預離子化,以在當射装置中_極輿陰極之間産生放《時有 助於腔室中氣體之離子化及化學反應〇該預離子化器可包 括至少一管體,藉以将霣翬放霣經由該管體導至腔室中之 氣讎。當霣壓腯衡較佳地施加於一在管讎内部之導鼸輿至 少一位在管讎外之導髓之間時會産生霣晕放在管讎接 近嫌部處有襯套以保持管體绝錄》管讎連接有一些元件以 将管臞定位在雷射裝置中之一待殊位置。 現所使用之預離子化器存在有某些特定之缺黏。在許 多条统中,該襯套並非輿管讎成一讎,因此必須先用黏謬 等將其截附於管鱧上β此已限制了該預離子化器之用途, 待別是在使用一段相當長的畤閬後,因為黏膠在霣晕璨塊 下容易變質。而黏醪之變質會污染雷射氣讎,導致孩氣鼸 必須時常更換》當孩管《I用於霣容器之兩電極板之間作為 介霣物質時,此投膠又限制了在霣容器之阐霣極板間可施 -----:--Γ J(^.-------訂------—/,,^1 (请先H讀背面之注^>項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明() 加之® IB的大小β 美团専利第5,337,330號•檫鼉為'*雷射装置之預雄 子化器_,其掲«了一種改良之預離子化管。所掲露之管 體在其一蠼具有襯套,且襯套僳舆管鼸一鱺•此種一驩之 預離子化管免去了黏謬變質之問題。但是,此条统輿前述 条統相同,仍需要一長度相當長的腔室以提供足夠的空藺 容纳管鼸及襯套》此種額外所霈之長度使得整體效率降低 ,因而亦降低了输出功率。 從前逑可知,目前顯然霈要一種延伸之長度不超遇當 射電極组合之改良之預離子化器》 本發明提供一種預離子化条统,其中預離子化器元件 你與陰極绝鐮板一陰極绝鳔板包括一设於前表面之凹 陷Β»除極恰容置於該凹陷B且與绝绨板前表面齊平》由 於陰極僳裝设於凹陷匾,使得绝篛板之寬度可滅少而仍雄 持足夠之霣绝錁以避免與鄰近之地霣位结構産生霣轨跡或 弧光。 绝雄板之背面具有一對槽孔,輿陰檷之長輪平行延伸 »預離子化柱恰容置於逋些槽孔中,逭些槽孔具有足夠的 深度以使該等預離子化柱緊ffi陰極嫌部。藉由使該等預離 子化柱鎩持在地《位,可形成一電容器,其中介於預離子 化柱舆除槿之間之绝錄板材料供作為霣容器之介《材料》 因此,絶纗材料之性質必須足以支持霣容性霣耀放霣^ 在較佳實施例中,預離子化柱供沿著背面接地。逭些 預離子化柱幾乎舆陰極長度相同且延伸長度不超遇绝緣板 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) ----------Γ -- (請先Μ讀背面之注f項再填寫本買) 訂 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明() 。利用此種構形,雷射腔室之長度可資質雄小,故可提离 操作效率及输出功率。 在本發明之另一實施例中,绝纗板之背面僳直接裝置 在腔室殼體上而未使用任何支撐托架。如此使得預離子化 柱可直接舆維持在地霣位之腔室软體接觭,無需額外使用 的霣鎳· 參考本説明害之其它部份及_式將可更酿解本發明之 待色及優點〇 第1·為習知之具有預離子化器之準分子笛射之示意 ; 第2·為自當射腔室分離出之特殊陰極/預離子化器 组合之立體·; 第3·為第2_所示之陰極/預離子化器组合之剖面 示意圏; 第4·為習知之陰極/預離子化器组合之整讎剖視· ψ t 第5·為本發明之一主绝雄板之示意園; 第6_為該绝鎳板之較佳實施例之詳細剖面·; 第7所示為本發明之一特定實施例;及 第8·為第5·所示之绝纗板之立髓画〇 在習知技術中,一雷射装置100位在一腔室102 (第1 麵中以虚線表示)中。此雷射裝置之概略结構可對醮於美 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -----:—.—^;装—-----订------1/ k (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局"C工消费合作杜印簟 A7 B7_ 五、發明説明() 团專利第4,959,840號(槺題為 > 包含有绝錄裝設在當射 裝置之里上之《極之小型準分子當射所掲露者,USP 5,033,055 (標題為•小型準分子當射”,USP 5,377,2 15 (檫題為*準分子笛射及USP 5,377,330 (檫题為 '"用於當射之預離子化器_),其等均讓渡給舆本案相同 之受讓人,且作為本案之參考寅料《 霣射裝置1〇〇包括一 Μ槿104及一陰極106,其皆位在 腔室102中且其在一第一方向上彼此々_β «極可為地電 位。導霣元件108提供從格極至導霣壤110之霣連接《氣體 僳在控室中β在一類条统中,氣釀可為*(Kr)及觎(F*)e 或者,亦可使用其它氣醍。逭些氣鼸在上供以黏狀表示 在腔室102内之112位置β氣釀112可再循琛並於再循琢時 被純化》 當自一霣壓源114施加一霣壓脈衡於陽棰104舆陰植 106之間時(較佳地在陰棰具有离霣壓),會在隈極輿険 棰之間産生放霣。此放霣會令氣艚112離子化而使氣體閬 産生化學反應》例如,1^舆丨2在腔室1Q2中産生化學反應 而生成瓤化氪(KrF)e當此化學反應發生時,以特定波長 之光呈現之能置會在腔室H2中産生》此同步之能董係為 离強度且形成寬度窄之光束•其像經由一苗口(上未示 出)從腔室中導出》 預離子化器Π6可置於腔室102中,藉由導入紫外光而 有肋於氣鳢112之離子化》該紫外光你藉由在施加各霣壓 腯衡於隈極104舆陰極106之間前對氣腰進行霣暈放霣所生 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr
J 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明() 成》由霣翬放霣發射出之鞴射之方向在第1匾中像以波浪 嫌118表示,在波浪»之上蟵有箭頭指出輻射之方向。 預離子化器116可位在竃極104與106之間且可在一與 第一方向為橫向,較佳為垂直之第二方向上彼此分離。預 離子化器116沿瞽一輿第一及第二方向為横向,較佳為垂 直之第三方向延伸至腔室102中中。此第三方向可被認為 像第一_中進入紙平面之方向β 第2·為自當射腔室中分離出之一特定陰離子/預離 子化器组合之立腥鼷》預離子化器Π6像位在陰極106之任 一《且舆陰極106同方向延伸β毎一預離子化器包括一中 空管201,其傈由可提供高介霣常數及离介霣強度之邃當 材料製成》較佳地,該中空管201僳由陶瓷材料如多晶性 半透明氣化鋁製成。 襯套2ϋ3位在中空管201之任一缃。較佳地襯套203之 材料慄舆中空管201相似。更佳地,襯套203之材料舆中空 管201之材料相間·中空管201輿襯赛203可從同一塊材料 製得,而得到同樣髙的介《性質,且在中空管201典襯套 203閬不需要任何黏醪。 在毎一中空管201中有一導«龌205位於其中。較佳地 ,該導霣鱷2Q5供輿保持在地《位之當射装置電供合〇 — 導竃黼207位在中空管201之表面,且大致沿着霣極106之 全長延伸而介於襯套203之閤β導霣黼207可為具有霣性之 揮簧,其以一中等之力量頂住對應之中空管201之表面。 導霣腰207傈保持在陰極1Q6之電位β襯套203可避免從導 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) -------:--一C裝 --------訂-----1-' W1.. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明() 霣臞207至雷射殼醴沿箸中空管2D1放霣或産生弧光。 中空管2Q1你維持在原位且藉著數值定位元件2Q9靠在 導電鎌207上。第3鼷為該陰極/預離子化器在AA位置之 剖示·。定位元件209撐托着中空管201使其靠抵導霣腥207 。定位元件209乃由绝緣材料製成為佳。定位元件209亦可 為一導霣材料,但是此種形態會造成順流弧光。導霣性定 位元件亦可干擾在該元件遇園電晕放霄的形成》 導霣讎205及207構成了一霣容器之第一及第二電極板 。中空管201則作為«容器兩霄極板間之介霣材料。較佳 地,在導霣體2Q7上施加离霣壓,例如陰極霣位,而導霣 «205則接地β中空管201所構成之介《材料具有足以支持 霣容性放霣而不會發生介霣崩潰之性質》 當將來自霣壓源114之《壓脈衡施加於導霣體205舆207 之間,該霣力會迪成中空管201表面産生霣翬放霣(在第 1_中以波浪線U8表示)。逋些《暈放《發射出之輻射 光會照射至氣讎112所在之空閭中。該韉射光會将氣體112 預離子化,使得當跚極1Q4輿陰極106之間産生«壓脈銜時 將促使氣龌離子化。 在第3_所示之陰極组合中,篇極106供裝設在一两 隔轆301上》閭隔隽301僳位在除極10β輿一主绝錁板303之 間0主绝鏟板303較佳地僳由陶瓷製成,如翥化鋁〇間隔 塊301供提供從金羼柱305至陰極106之間之霣建接。主绝 錁板303使陰捶106與較隹保持在地《位之雷射毅讎102之 壁之間霣绝錄〇因此绝錄板303可確保在陰極106輿限極104 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -
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經濟部中央標牟局男工消费合作社印I A7 B7 五、發明説明() 之間産生邃翥之放罨》 當經由連接至金JB柱305之离電S而對篇棰1D6施以离 霣壓時,很可能産生非所要之霣流流遇主绝錄板303之表 面而到殼體102之接地壁。绝錁體303阻播此霣流之程度有 一部份供視該《流須流遇之距離(愈逋愈佳)I及主錁板 之表面舆接定之毅體壁102有多接近(同樣地,愈逋愈佳 )而定。 較隹地,毅鼸102之壁包括一向下延伸之部份使得主 绝鐮板303供逋離或浮凸於殼腰擘。對於某一待定之绝錁 板大小而言,當绝纗板3Q3相對於殼體1D2浮凸程度達到最 大時,隔離寄生電流必須流至保持在地霣位之敕體102。 此外,将主绝錄板303舆接地之腔室102間隔两來會降低寄 生表面霣流與地商之霣容性禺合。在短脈衡雷射裝置中, 僅在相當短的時間内施以激發,表面霣流輿地之間之霣容 性偶合有肋於霣流之流動。藉由将主绝纗板303輿殼鳢102 跚颶,可減少霣容性軀合,因而降低寄生霣流》 第4鼷為習知之整鴒險極/預離子化器组合之剖視· 〇如所示,單一除極1〇6僳輿三组導霣柱305霣俱合,毎组 有5籲導霣柱305。毎一组導霣柱305供藉由單一導電性間 釅隽301而輿陰極}06脣合β雖然上顯示出三瘺主绝雄板 303,但亦可僅使用單一軀較大的绝嫌板β 第5圏所示為依鐮本發明之一主绝鐮板501。如同習 知者,主绝嫌板501較佳地僳由陶瓷如氣化鋁製成。陰捶 106恰容置於主绝鏟板501之一凹陷區中。主绝结板501中 -10 - 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(2丨0Χ297公釐) -------^--„rk--------訂------‘ί-· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局貝工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明() 設有一条列之槽溝503。 第6 傈該绝緣板501之一較佳實施例之詳细剖面匾 。相對於第3·所示之習知技術,其中陰極你藉由導«間 隔塊301而裝設在绝錁板303上方•本發明之陰極幾乎完全 埋设在绝縐板501之凹陷部601中·此種構形有助於將陰棰 霣绝縐,因而使陰極可置於更接近維持在地霣位如雷射腔 室之表面》 槽溝503供用來進一步提离绝錄板501之霣绝鏟能力β 較佳地無需使用槽溝,可使製造時間及成本減至最少》若 有槽溝503,其所需之數目視當射裝置之特定設計而定β 主要因素為陰極至任何薄有電流之元件及/或至任何保持 在地電位之元件之距離,因而彩礬了該雷射条统整齷大小 。此外,施加於陰極之离霄壓之大小亦彩籌了槽溝503之 配置〇 如Κ[述,本發明無需使用一導霣性閬隔塊,如第3 _ 所示之習知間隔塊30U相反地,陰榷106像直接與電柱305 偁合。如前述,霣柱305傈利用绝鐮鼸307令其绝錁。 預離子化霣線603你位在绝结板5Q1背面所形成之榷溝 605中。如同習知技術,霣線603較佳地供維持在地霣位。 第7鼷顥示本發明之另一實施例β在此實施例中,绝纗板 501傜直接連接至腔室«讎701之一段。在檐溝605中具有 預離子化元件703。在此實施例中預離子化元件703僳舆殼 讎701接觴,因此供保持在地霣位^故在此實施例中不需 要霣線來將預離子化柱輿毅tt或其它維持在地霣位之元件 ** 11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -----.—K—J— (請先聞讀背面之注$項再填寫本I) 訂 νΊ.. 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明() 偶合,因而更進一步地编滅雷射条统之大小》 由於預離子化霣線舆绝錄板501之背面成一笛射 裝置之總長度可顯著地缠短〇而由於長度之缩短,使得雷 射裝置操作效率及翰出功率提髙〇如第2·所示,習知之 方式中,中空管201之兩網必須與襯套203套合。霈要襯褰 203以使預離子化霣線205绝鐮,而避免從霣線2Q5至任一 陰極106或導電體2Q7之放電。襯套2Q3之存在使笛射腔室 之長度顦著增加,因而降低笛射装置之效率及輪出功率》 因為在第7圃所示之實施例中,預離子化霣線603或 I 預離子化柱703在陰棰106之長軸方向上不會延伸超過绝》 I 板501,本發明不需要類似於襯套203之元件β逭造成了一 種更缠小,因此更有效率之雷射条统《 除了改善操作效率之優黏外,本發明亦逢成了籣化因 而成本較低之設計。例如,第7·所示之實施例不需要另 外的預離子化管201、襯套203、導電元件207、預離子化 管撐架209、或導霣两隔隽203。再者,由於本發明中皤極 之凹陷設計,绝鐮板501並不像習知绝嫌板那麽寬,因此 使得用來製迪绝錄板所需之ft瓷材料減少。 第8·為绝鑪板501之立讎。在此特殊實施例中, 在绝鐮板501任一孀處切入一小槽道801以確保绝鏢板不會 輿當射光學腔室發生千擬β槽道801僅是一種防備,因為 陰極106之外表面稍比外園绝嫌板為低》再者,由於除棰 106磨蝕使外除極表面變得更加下凹,更可能發生光學夾 持· -12 - I紙張尺度適用中困國家揉率(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) • n -I-. 訂 ,Λ丨. A7 B7 五、發明説明() 熟於此技者将會明白有許多其它不悖離本發明之實質 待徽之方式來實施本發明。因此,本文之掲露内容僅是例 示用,而非作為限制本發明之範園,本發明之範園傜列於 以下之申請専利範園中。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) --I I I 訂----- ·"1· 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4洗格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明() 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印簟 元件编號: 100 雷射裝置 207 導霣臞 102 腔室 209 定位元件 104 陽極 301 藺隔塊 106 陰極 303 主绝鐮板 108 導*元件 305 金屬柱 110 導電塊 501 主绝篇板 112 氣鼸 503 榷溝 114 霣壓源 601 凹陷部 116 預離子化器 603 預離子化霣線 118 輻射之方向 605 榷溝 201 中空管 701 腔室殼醱 203 襯套 703 預離子化元件 205 導霣體 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) aw·· · 、tr
Jki 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 π'申請專利範圍 1·一種用於雷射装置之預離子化器,包含: 一元件,其具有第一表面及第二表面,該元件供由 介《材料之製成,具有可支持《容性放霣而不會發生 介霣崩潰之性質; 一凹陷區域,位在該元件之第一表面; 一第一《極,位在該第一表面之該凹陷Β域中,該 第一霣極構成第一霣容器霣極板; 至少一凹陷Β在該元件之孩第二表面中; 一第二霣«,在該第二表面之該凹陷區中,該第二 霣棰構成一第二霣容器霣極板;及 一電S源,用以将一霣S導至第一霣捶與第二霣棰 之間,以對電容器充霣並自該元件形成電最放霣〇 2. 如申讅專利範鼷第1項之預離子化器,其中該第一霣 棰為用於該當射装置之陰極。 3. 如申鳙専利範園第1項之預離子化器,其中該陰梅具 有一第一表面及一第二表面,該陰極之第一表面輿該 元件接觸,該陰極之第二表面大致平行輿該元件之第 一表面β 4·如申請専利範圔第1項之預離子化器,其中該元件之 第二表面之凹陷Β之畏度大致與該元件之第一表面之 凹陷區之長度相等, 5.如申請專利範匾第1項之預離子化器,其中該第一霣 極之長度大致等於第二霣極之長度。 6·如申請專利範園第1項之預離子化器,其中該元件具 -15 - 本纸》JUt逋用中國國家揉準(CNS ) Λ4洗格(210X297公釐) -----r11-CJI (請先閱讀背面之注$項再填窝本頁) 订 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉率局負工消費合作社印11 有至少一值連續之檜溝在該元件之第一表面上,該槽 溝園绸著該第一表面之凹陷區。 7. 如申請專利範園第1項之預離子化器,其更包含: —I«棰,在該雷射裝置中*其中該第一霣棰爲該雷 射裝置中之除極: 一腔室,該颺棰舆該陰極係位於該腔室中;及 一可產生雷射光之氣釀媒介*位於該腔室中,其中 當該陰棰輿該_極之間發生放《 該霣晕放霣發 射出之鞴射光有助於該氣齷之離子'化^> 8. 如申請專利範園第7項之預離子化器該腔室之 長度大致等於該元件之長度。 少 9. 一種雷射裝置,其包含: 一殼黼; 一絕縴板連接至該殼體之内表面,其中該絕鐮板之 一第一表面舆該殼《之内表面相連接; 一»極*連接至該絕绪元件之第二表面; 一陽極; 一預離子化器,位於一槽孔中《該槽孔係形成於該 絕鐮板之第一表面,其中該預離子化元件構成一霣容 器之第一霣棰板,該絕缘板係由一種介霣材料構成, 其具有可支持霣容性霣晕放《而不會發生介《溃崩之 性質; 一可產生當射光之氣齦媒介,位在該般腰中;及 一霣壓源,用以將¾K導至陰棰與預離子化元件之 16- 本紙張尺度逋用中鬮國家揉準(CNS ) Α4規格(210X79ife釐) (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 趙濟部中央橾率局貞工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 間以将霣容器充霣以形成霄暈放霣,該電暈放霣有助 於該氣醱媒介之離子化。 10.如申讅專利範匾第9項之當射装置,其中該殼鼸傈雄 持在地霣位,且該預離子化元件供與該毅體《接觸β 11·如申請専利範園第9項之雷射裝置,其中該绝纗板之 第二表面供凹格的。 12·如申諝專利範函第9項之當射裝置,其中該绝鋒板形 成有至少一連鑛槽溝,該槽溝圓繞着該陰極《 13. 如φ請専利範園第.9項之當射装置,其中該绝鎳板具 有第一端及第二端,其中在該绝雄板上形成有一第一 槽道及一第二槽道,該第一槽道自該凹陷之第二表面 延伸至該第一端,該第二槽道自該凹陷之第二表面延 伸至該第二嫌,其中該第一槽道及第二槽道可使受該 绝錁板光學夾持減至最小》 14. 一種用於一笛射裝置之預離子化器,包含: 一绝緣板,具有最、寬、第一表面及第二表面,該 绝錄板像由一介霣材料製成,該介《材料具有可支持 霣容性電晕放霣之性質: 一凹陷Β,形成該绝纗板之该第一表面,該凹陷Β 之長度小於該绝縿板之長度,寬度小於该绝续板之宽 度·· 一除桠,恰容置於該凹陷6中,該陰極構成一第一 *容器之一第一霣容器*極板及一第二霣容器之第一 電容器電極板,該陰極之厚度大致等於該凹陷區之深 -17 - __ 本紙張尺度逋用中國國家揉率(CNS > Α4规格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注$項再凑寫本貰) 訂 Τ. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 度; 一第一槽孔,形成於該绝》板之第一表面,該槽孔 之長度大致等於該凹陷B之長度; 一第二槽孔,形成於該绝雄板之第二表面,該第二 榷孔之長度大致等於該凹陷B之長度,其中該第一槽 孔與該第二槽孔供大致平行; 一第一預離子化元件,恰容置於該第一槽孔中,該 第一預離子化元件構成了該第一霣容器之一第二霣容 器霣極板,該第一預離子化元件僳霣連接至地霣位; 一第二預離子化元件,恰容置於該第二槽孔中,該 第二預離子化元件構成該第二m容器之一第二霣容器 霣棰板,該第二預雄子化元件你霣連接至地霣位;及 一霣s源,用以將霣壓導至該陰極與該第一預離子 化元件之間,以及該陰極舆該第二預雄子化元件之間 ,該《壓之導入導致一第一《暈放《與一第二電暈放 霣形成於陰極附近》 鲤濟部中央揉率局Λ工消費合作社印装 (请先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 15. 如申請專利範鼷第14項之預離子化器,更包含至少一 榷溝,形成於該绝绨板第一表面上,孩檐構環繞著該 凹陷區》 16. 如申請專利範園第14項之預離子化器,更包含: 一陽極,在該雷射糸统中; 一腔室,該隰極與該陰極傜位在該腔室中;及 一可産生當射光之氣釀媒介,位在該腔室中,其中 當該陰棰舆該陽棰之間發生放霣時,由該第一及第二 _- 18 - _. 本紙張尺度通用中鬮國家#準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 霣晕放《所發射之轘射有助於該氣鼸之離子化β 17. 如申請専利範圍第14項之預離子化器,其中該绝絲板 具有一第一嫌及一第二纗,其中該绝緣板形成有一第 一榷道及一第二槽道,該第一榷道自該凹陷區延伸至 該第一嫌,該第二榷道自該凹陷S延伸至該第二蟠, 其中孩第一及第二檐道使得受該绝》板之光學夾持滅 至最小β 18. 如申請専利範圍第14項之預離子化器,其中該绝鐮板 傺由氣化鋁所形成。 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央揉率局貞工消费合作社印*. -19 - 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
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