TW387821B - Cleaning process for harmful gas - Google Patents

Cleaning process for harmful gas Download PDF

Info

Publication number
TW387821B
TW387821B TW087106337A TW87106337A TW387821B TW 387821 B TW387821 B TW 387821B TW 087106337 A TW087106337 A TW 087106337A TW 87106337 A TW87106337 A TW 87106337A TW 387821 B TW387821 B TW 387821B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fluoride
gas
cleaning
nitrogen
harmful
Prior art date
Application number
TW087106337A
Other languages
English (en)
Inventor
Youji Nawa
Kenji Otsuka
Original Assignee
Japan Pionics
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Pionics filed Critical Japan Pionics
Application granted granted Critical
Publication of TW387821B publication Critical patent/TW387821B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46Removing components of defined structure
    • B01D53/68Halogens or halogen compounds
    • B01D53/685Halogens or halogen compounds by treating the gases with solids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/86Catalytic processes
    • B01D53/8659Removing halogens or halogen compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/005Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by heat treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2258/00Sources of waste gases
    • B01D2258/02Other waste gases
    • B01D2258/0216Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Description

A7 B7 Ά 曰 經濟部中央標率局只Η消费合作社印製 ^0·— ^ 五、發明説明( t| ) 1 1 例 包 活 — 種 清 潔 劑 t 其中含有氧化鋅作為主要组份 (待 1 1 I 肝5-237324 )及- -種淸潔劑 » 包 含 氫 氣 化 鋸 作 為 主 要 成 份 1 1 (特開平9-9921)可將來 白 半 導 體 製 造 過 程 之 廢 氣 經 由 使 該 請 先 1 1 m 氣 m 欲 被 使 用 作 為 預 處 理 劑 並 經 填 充 入 淸 潔 柱 等 中 之 閲 讀 1 I 清潔酬接觸而予以有效清潔 • 及 其 後 • 在不低於200 t:之 之 1 1 U 度 下 更 進 一 步 使 經 預 處 理 之 體 舆 包 含 氣 化 亞 錫 作 注 % 1 1 為 有 效 組 份 之 清 潔 劑 接 觸 〇 項 再 1 在 另 — 方 而 > 在 使 廢 氣 與 用 於 預 處 理 之 — 種 淸 潔 剤 接 填 寫 本 1 嫌 之 情 況 下 1 舉 例 而 言 f 此 清 潔 劑 包 含 前 述 之 氣 化 鋅 作 1 1 1 為 一 種 主 要 組 份 且 它 能 在 通 常 溫 度 下 » 清 潔 含 有 —L·* 氣 化 1 | m f 氟 等 之 以 氣 為 基 的 氣 體 9 然 後 » 看 情 形 9 在 當 移 除 1 1 以 氣 為 基 之 氣 體 時 > 氣 氣 經 由 清 潔 反 應 而 形 成 〇 當 使 所 1 訂 1 1 産 生 之 氣 與 包 含 氣 化 亞 錫 作 為 一 種 有 效 組 份 之 淸 潔 剤 接 觸 時 » 造 成 如 此 麻 煩 之 事 例 如 • 清 m 能 力 之 退 化 及 副 産 I 1 生 氮 之 氣 化 物 〇 1 | 然 而 参 可 能 經 由 增 加 包 含 氣 化 亞 錫 作 為 有 效 姐 份 之 清 1 r r 潔 劑 中 氟 化 鈣 的 含 量 及 經 由 昇 高 廢 氣 與 清 潔 劑 接 m 時 之 溫 度 而 防 出清潔能力之退化及副邊至氮之氣化物甚至當清 1 1 潔 劑 與 氣 接 觸 時 〇 1 1 I m 於 前 述 • 其 較 佳 者 為 = 設 定 清 潔 中 1 氣 化 亞 錫 : 氣 1 1 化 鈣 的 以 重 量 計 fcb 率 在 1 : 至少0 .05而同時, 設定在廢 1 1 氣與清潔劑接觭時之溫度在至少250t:。 1 1 根 據 本 發 明 之 清 潔 方 法 t 成 為 可 能 的 是 * 在 柑 當 低 溫 1 1 度 下 » 以 高 效 率 移 除 經 包 含 在 氣 體 中 1 氮 之 氟 化 物 例 如 1 I -1 3- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家榡车(CNS ) Α4規格(2丨0Χ297公釐) 經漓部中央標準局員Η消費合作社印家 A7 B7 五、發明説明(,) 發明夕莆蕾 1 .本發明之範園 本發明俗醑於清潔有害氣體之方法。較詳言之,本發 明係關於清潔含有氟化氪,尤其三氟化氮之有害氣體 的方法,此有害氣體僳自半導體製造過程中所排放。 2 .相關技g之敘述 隨著半導體工業之繼鑲發展,近年來,在氣化氮的使 用數量方面有稼定上昇,尤其是三氟化氮,使用它來乾 蝕刻矽,矽化合物,鎢化合物等,亦使用作為用於清潔 CVD設備的室之清潔氣體。 據稱三氩化氮甚難可溶於水,在室溫下相當穩定,幾 乎不與酸或齡起反應但是極具毒性,因此,具有1〇ΡΡΠ的 時間加權平均值(TLV-TWA)之最低限度數值。因此,在 將三氣化氮排放入大氣中之情況下,它對於人體和環境 施加有害的影響。因此之故,在將它排放入大氣中前, 在使用含有三氟化氮之氣體於半導體製造過程中後,立 即必須將三《化氮淸潔。 雖然三氟化氮在通常溫度下偽穩定,但是由於在蝕刻 或淸潔的步驟期間,加熱,放電等,它形成四氣化二氪 ,二氣化二氮,六氟化二氮,氟等。另外,在使三籌化 氮與矽,_,矽化合物,鎢化合物等接梅之條件下進行 蝕刻之情況中,該三氟化氮導致形成四氟化矽和六氟化 鎢。前述之各種氣化氮,氟,四氟化矽和六氣化鎢毎一 者均較三氣化氮更具毒性而固此,必須將它移除如同使 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部中决標芈局負工消费合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明(π ) 實.—例一7_ 在附以攪拌下,將90g水中之25g氣化鉀溶液·(由關連 化畢准限公司所造,KF,試劑,保證级)添加至750g數 最之氣化亞錫和250g之氣化15中(CaF2 ,由Hakutatsu 化犖奮驗室所製造)。將如此獲得之餅狀物使用一擠β 機通過噴絲板中之2.Omm直徑噴喊擠壓及将所擠出之産 物切成具有大約3至5mm長度之壓K。將所産生之鼷Η 經由在氛之大氣中,在1201C下加熱歴大約12小時予以 乾燥而製備成600g之清潔劑。 随後,用於處理含氣體的預處理柱經由填充38.8ral 的包含氣化鋅(86%氧化鋅,5%氧化鉀和97。礬土)作 為有效成份之请潔劑入不銹鋼所造成之淸潔柱(具有15.7mm 内官掙及300bib長度)中直至20〇Bm之填充長度予以構成。 將上文中所製備之清潔劑(包含氣化亞錫作為有效組份) «充入與實例1中者相同之清潔柱中以便在32〇υ下使 用作用後處理柱。 因此,清潔設備經由使用管条連接預處理柱和後處理 柱而構成。然後,使含有lOOOppm三氣化氮,lOOOppm四 氟化矽和lOOOppni氣之氮氣通經經保持在常溫下之預處 理柱及經保持在320C下之後處理柱來進行清潔實驗。 另外,以與實例中之相同方式,在自開始實驗120分鐘 後,進行分析預處理柱的出口之氣體及後處理柱的出口 之氣體。結果示於表7與表8中。後處理柱中,開於三 氣化氛之清潔能力示於表9中。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標丰局员工消费合作社印聚 A7 --〜___iZ__ 五'發明説明(> ) 用Ξ氟化《的情況那樣。 作為用於移除經包含在氣醱中之氟化«的各種方法, 截至目前為止,已建謙有各種方法包括:(1) 一種方法 ,其中,使含有氣化氮之氣體,在不低於ιοου之as度 下與金_矽接觸〔待開昭63 12322/ 1988〕 ;(2>—種方 法,其中使含有氟化氮之氣醱在不低於20〇t:之粗度下 ,與金鵬鈦接觴(待公昭63 48571/1988);及(3)—種 方法,其中在200t:至800t:範圃内之粗度下,使含有縝 化氣之氣體與矽,硼,鎢,箱,釩,硒,礮,緒及其非 氣化物之基化合物接«〔待公昭63 48570/ 1988〕。 亦經建嫌(4) 一種方法,其中使含有《化氰之氣鱧舆 能與三覦化氮進行鹵素交換之金靨鹵化物接觸〔待公昭 63 48569/ 1 988〕 ;(5>—種方法,其中在不低於250*0 之粗度下,使含有氟化氮之氣醱與一種遇渡金鼷,例如 雄,β和姻之氣化物接觸〔待開平3 181316/1991〕; 及(6 )—種方法,其中在3 0 0至6 0 0 t:範圍内之溫度下· 使含有氟化氮之氣體與活性硪接觸〔待閭昭62 23792/ 1987] 〇 而且,業己建議(7)—種方法,其中在不低於200t!之 溫度下,使含有氟化氮之氣體與含有一種通渡金属之催 化劑接觸,此過渡金靨例如錁,雄和鈷或輿含有—種貴 金屬例如鉑,銬和耙之催化劑接觸*将此等金»支載在 包含繆土或矽石作為主要組份之載體上〔特晒昭62 273839/ 1987〕 ; (8)—種方法,其中在 1〇〇 至 8001 範 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(cns ) a4規格(2丨0x297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7
五、發明説明(W 清潔柱以外,重複實例1中之程序而進行清潔賁驗。结 果示於表10中。 表10 奮例 清潔劑之種類 溫度 穿透時間 清潔能力 编號 rc ) (分) (Jl / JI清潔劑) 8 SnO + KF + CaF 2 300 1411 42 9 SnO+KF 300 1198 36 fct_ 教 在附以攪拌下,將65g水中之50g氣化鉀溶液(傜由關 東化學有限公司所造,KF,試劑,保證级)添加至1 000g 數量的氧化錫中(俱由關東化學公司所造, ,保證级)。以與實例1中之相同方式,將所産生之餅 狀物形成為清潔劑。 經漪部中央標準局負工消费合作社印聚 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經由使用此清潔劑,以與實例1中之相同方式,對於 含有三氣化氤有害氣體進行清潔實驗。另外,以與實例 1中之相同方式,在自開始實驗120分鐘後,進行分析 清潔柱的出口,氣體中有害組份之濃度。在實驗階段期 間,可能移除三氣化氮但是副産生大量的氮之氣化物其 磨度超過TLV-TMA,因此,中止清潔實驗。結果示於表11 中。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經漪部中央標準局貝工消費合作社印聚 A7 _______B7 五、發明说明(> ) _内之租度下,使含有《化氮之氣體與雔或以路為基之 合金接《〔特開平6 2 381 28/1994〕:及相似之方法。 然而,上述各種方法遭受各種缺黏或麻煩之事邸:在 前述方法(1), (2)和(3)等中,在清潔期間新形成揮發 性氣化物作為副産品;在方法(4)中形成鹵素氣齷.例 如氱氣作為副産品:而在方法(5 >中,經形成作為副産 品之氣化氮,迫切需要處理其本身,ϋ以不僅使方法複 雜化,而且增加處理成本。 另外,方法(6)涉及該項問題即:在昇高之粗度進行 琪理不僅伴醣激烈反醮而且有燦炸的危險,此外,形 成四氟化硪作為副産品,其相當穩定且雕以移除。 而且,方法(7)涉及該項問題即:雖然處理並未伴隨 副産生有害氣醱,但是為了保證充分淸潔能力之目的, 必須将《理在高溫下進行,舉例而言,為了獲得實用之 淸潔能力,使用嫌作為過渡金颶時需要加熱至400*C或 更高,因為在2 00 TD下,鐡的分解活性並不十分高。該 方法另外涉及下列問題:随著反應的進展所形成之某些 氣化物蓋覆淸潔Μ的表面,藉以粗止反進行至淸潔劑 之内部而導致不能«得有效率之澝潔能力。 另外,方法(8),由於在髙溫下連同氮(通常使用氰作為 三氣化氮之稀惲氣齷)之檄烈放熱反匾而具有造成不可 控制之快速粗度上昇的危險。 如上文中所述,到目前為止•尚未發現出一種令人《 意方法用以移除經包含在本龌中之氣化氛。在此種璨境 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS )八4規格(2丨0 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} *1Τ 經漓部中次榡準局消費合作社印聚 m A7 ^ ^---^五、發明説明(4) 在附以攢拌下,將65g水中之50g氟化鉀(KF)溶液添加 至lOOOg數鼉之二氣化錳中(傜由開連化學有限公司所造 ,Μπ07.,試劑,保證级)。以與實例1中之相同方式, 將所産生之餅狀物形成為淸潔劑。 經由使用此清潔劑,以與實例1中之相同方式,對於 含有三氣化氮之有害氣體進行清潔實驗。另外,以與實 例1中之相同方式,在自開始實驗120分鐘後,進行分 析清潔杵的出口,氣體中有害組份之濃度。在實驗階段 期間,可能移除三氟化氮但是副産生大量的氮之氧化物 其猜度超過TLV-TMA。因此,中止清潔實驗。結果示於 表1 1中。 經由使用壓片模製機器,將氧化銅(CuO,試劑,保證 级,傜由關連化學有限公司所造)模壓成具有5mm直徑和 5mB長度之壓M。將所産生之壓Η造成具有3至5bb的粒 子直徑之經壓碎産物。經由使用此經壓碎之産物作為清 潔劑,以與實例1中之相同方式,對於含有三氟化氮之 有害氣體進行清潔實驗。另外,以與實例1中之相同方 式,在自開始實驗120分鐘後,進行分析清潔柱之出口 ,氣體中有害組伢之濃度。在實驗階段期間,可能移除 三氣化氮但是副産生大量的氮之氧化物其濃度超過TL V -TMA,因此,中止清潔實驗结果示於表11中。 本文中所使用之清潔劑是市場上可供應之Hopkalite -25-
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -I _ 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4g ( 210X297公釐) 經漓部中央標率局員Η消費合作社印絮 A7 B7 五、發明説明(4 ) 中,渴望箱要發展清潔氬化氮之方法,其在低溫下具有 离處理能力不會副産有害氣醴或(具有)擔心琛境污染之 氣髓。 發明槪沭 由於本發明發明人所累積之廣泛研究和發展的結果, 為了解決先前技蘚中所涉及之上述間題,現已發現;經 由使含有氣化氮之氣體與包含氣化亞錫作為有效成份之 清潔W接觴,可將氟化氮在相當低溫度下,以極高效率 而移除;又,該清潔方法不會産生副産品,其在淸潔之 時,對於環境施加不利影罄。本發明經由前述之發現和 資訊予以完成。 換言之,本發明偽關於用以淸潔有害氣體乏方法,此 方法包括至少在2 0 0 t:之溫度下,使含有由各種氰化氪 ,氣化鎢,氟化矽,氟化氩和氟所組成之該群中所遘出 之至少一成員作為有害組份之有害氣體舆包含氣化亞錫 作為有效成份之清潔薄接梅。 尤其,本發明俗鬭於用以清潔有害氣體之方法,此方 法包括至少在200Τ之溫度下,使含有三氟化氮作為有 害組份之有害氣體與包含氣化亞錫作為有效成份之清潔 劑接觸。 而且,本發明另外係蘭於用以清潔有害氣體之方法, 此方法包括在通常溫度下,使含有氟化氮作為有害組份 之有害氣鳢連同由氟化箱,想化矽,氣化氩和氣所組成 之該群中所選出之至少一成員與能在通常溫度下移除以 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁}
A7 B7 387821 五、發明説明(> ) (由日立Girdler催化劑有限公司所造)。其形式為擠出 楫塑之臛片,此壓片具有1.5mn直徑,3至5bb長度而其 化學組成以重量計包含50%二氧化錳(Μη02 ), 22%氧 化鏑((:11〇),:12.5%氣化鎂(《^0),12.5%氧化鋁(六12〇3) 及3%的其他者。經由使用此清潔劑,以與實例1中之 相同方式,對於含有三氟化氮之有害氣體進行清潔實驗。 另外,以與實例1中之相同方式,在自開始實驗120分鐘 後,進行分析清潔柱之出口,氣體中有害組份之濃度。 在實驗階段期間,可能移除三氟化氮但是副産生大量的 氮之氣化物其濃度超過TLV-TMA,因此,中止清潔實驗。 結果示於表11中。 表 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經浠部中决標羋局貝Η消贽合作社印52 编 較例 號 清潔劑之種類 在清潔柱之出口」 的濃度 NO HO a 1 S η 0 2 >200 η . d . 2 ΗηΟ 2 >200 η . d , 3 C u 0 >200 η . d . 4 Μ η 0 2 * C u 0 MgO * A 1 2 〇 a >200 η .d * 26-
NF 本紙張尺度適用中國國家榇羋(CNS ) Α4規格(2丨0X297公釐) A7 B7 五、發明説明(t ) 氯為基之化合物的淸潔劑接觸,其後,在最低200 1C之 粗度下,更進一步使經如此初步處理之有害氣醱舆包含 氣化亞錫作為有效成份之清潔劑接觸。 於佯里艚窨掄例夕紡沭 將根據本發明之清潔方法應用於清潔有害氣體,其中 含有氣化m,氣化錄,氣化矽,氟化氫和氣(尤其三氣 化氮)作為有害組份。亦将上文所述及之方法應用於清 潔自半導體製造裝置所排放之有害氣體,此裝置中使用 三氟化氡或類似者。 有害氣體,(其是根據本發明欲予清潔之目榡)其實例 主要包活氤,氬,氣等每一者中含有三氟化氮(hf3)作 為有害之組份。當在半導體製造過程中使用三氟化氮於 蝕刻或清潔時,由於加熱或放電,nf3形成四籌化二氮 (H2F4),二氟化二氮(H2F2>,六氟化二氮(h2f6) 經濟部中央標皁局月工消費合作社印聚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,«(f2)等,舆矽或一種矽化合物起反應而産生四氟化 矽(SiF4 >且亦與鎢或一種鎢化合物起反應所痛形成六 氟化錫(NFe)。因此,來自半導體製造遇程之廢氣(此 遇程中採用三氟化氮)含有三氣化氮,且在許多情況下 ,含有上文中所述及之各種氟化氮,氣,各種篇化矽, 氣化鎢和氟化氫。根據本發明之方法能清潔前述之各種 氣體以及三氟化氮。 如上文中所述,根據本發明之淸潔方法不僅可應用於 三氟化氮而且可採用於各種《化氮,各種《化矽,各種 氟化鎢,氣化氫,氣及其混合物。 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印掣 A7 B7 五、發明説明(fc ) 當在本發明方法中,使一種《化氟與淸潔W接《時, ,將氣原子固定成為金鼸氟化物而氟原子則成為氮氣被 排放出。當該方法中,使氟化矽和氟化鎢與淸潔劑接觸 時,將氟原子固定成為金颸氟化物,並將矽和鎢每一者 固定成為固體化合物。因此,根據本發明之淸潔方法能 清潔三氣化氮且另外,能清潔來自半導體製造過程之廢 氣(此過程中採用三氟化氮)而不會形成有害之副産品。 使用氣化亞錫(SnO)作為本發明中清潔劑的有效組份 。獮常可使用氣化亞錫(其在市場上,以具有至少98% 純度,呈粉末或類似者形式可供應)作為清潔劑之原料 。模製氧化亞錫,經由模製成颸片或經由模製成不規則 形式,接箸將它壓碎成為適當大小之産物而供使用作為 清潔爾。 作為模製方法,迄至目前為止眾所周知之可供利用者 有溼方法和乾方法,舉例而言包括:經由壓Η模製氣化 亞錫之方法,一種方法其中,將氣化亞錫與水混合而形 成漿醱或塊,將它擠壓成一種壓製件及將此壓製件切成 適當大小之産物,接著乾燥;及一種方法,其中在此方 法中,將漿體或塊成粒並乾燥。 為了加強成型性和模塑強度,在模塑之時,在緊急時 可使用一種模塑肋劑。宜使用金颶氟化物作為模塑助_ ,其經由下列氟化物而例示:氟化鋰,《化押,«化納 ,氣化鎂,氟化鈣,氟化錫,鎘化鉛,氟化鋅和氟化銅 。可單獨使用此等氣化物之任何一者或如上所述,成為 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (讀先閱讀背面之注項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明(?) 合物的一種組份。 化物外之棋塑肋劑的情況下,舉例 氣化物,有時可造成麻煩之事因為 物氣化氮。 添加之模塑肋劑的數量,基於模塑 強度等而變更而不可明確指定。當 不能保證其添加之效果,當其數量 降低清潔能力。因此,基於氣化亞 劑的以重量計,組成比率通常在 宜偽0.005至0.50,更宜傜0.01 經漓部中央標準局貝工消費合作社印繁 至少兩種氣化物之混 於使用除去金臑氟 而言,使用一種金屬 .在清潔期間,副産 於製備清潔薄I時欲 條件,所需要之模塑 其數量太小時,導致 傜不合理的大時,酣 鑤,清潔_中模塑助 0.001至0.6的範圍内 至 0.4 5。 阚於欲被使用作為 潔劑的成型性和模塑 使用氟化鉀造成清潔 氣化亞錫含量之比例 ,因為難以添加其必 在另一方面,當與其 於加強成型性之效果 添加至其中之氟化鈣 錫之清潔能力。 而且,氟化鉀與氟 示:加強成型性和模 低清潔能力β因此,更 為包含氣化亞錫作為 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 模塑肋劑之金鼷氟化物,於加強清 強度方面,氟化鉀傜有效。然而, 能力之退化超過伴随其添加,滅少 。因此之故,氟化鉀造成麻煩之事 須之數量而保證充分之模塑強度。 他氟化物相比較時,雖然氟化0對 較低,但是其待街[為:随箸增加經 的數量,它加強單位重量的氣化亞 化鈣的聯合使用作為模塑助爾可潁 塑強度兩者的優良操作效果而不降 好是採用聯合之氟化押和氟化鈣作 一種有效組份之清潔劑的模塑肋剤。 -9 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格( 210X297公釐) 經浠部中决標碑局K工消费合作社印聚 A7 B7 五、發明説明(I?) 欲予聯合添加作為淸潔薄I之棋塑助劑之氟化鉀和氟化 鈣的基於瓤化亞錫之比率,視棋塑方法,所痛要之模塑 強度等而變更而因此,不能明確指定。闋於清潔劑的組 成比率,氣化亞錫:氟化鉀:氟化鈣的以重量計比率通 常大致是1: (0.001至0.15): (0.01至0.60),大致宜是 1: (0.005 至 0.12) :0.03 至 0.45),大致更宜是 1: (0.01 至0.10): (0.05至0.35)。當氟化鉀的數董小於該範圍 時,刖導致不能自其加成而獲得效果,而當其數量像超 過該範圍時,則導致清潔能力之退化。當氟化鈣的數量 傜小於該範圍時,則導致不能獲得防止經由添加氟化押 予以減低之清潔能力的效果,而當其數量係超過該範圍 時,刖導致清潔能力之退化,伴隨箸氣化亞錫含量之降 低。無論如何,各氟化物的數量超出前述範圍會産生不 利之結果。 在其製備的過程中,進行熱乾燥欲使用於本發明中之 清瘰_的情況下,該項乾燥宜在氮之大氣中實施,因為 氣化亞錫,當在熱乾燥清潔_期間使它與氧氣接觸時被 部份氣化成為氟化錫,而經包含在清潔剤中之所産生的 氣化錫在清潔之時,不利形成一種氧化氮作為副産品。 另外,氟化亞錫在空氣中可被氣化甚至在室溫下,而因 此,宜將它保存在氮之大氣中。 呈模塑形式之清潔繭的形狀並未予以待別限制,但經 由球形,柱形和圓简形而代表。在球形形式的情況下, 其大小是在2至12«·直徑的範圍内而在柱狀形式的情況 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 五、發明説明(9 ) 下.其直徑是在在2至12·β之範園内,其高度大致在2 至12»«之範面内。通常,據説:當填充供使用於清潔柱 中時,清潔剤必須具有小於大約十分之一該柱直徑的粒 子育徑。在所述範圍内之粒子直徑能有效清潔不會造成 溝流等。當將它《充入清潔柱中時,淸潔劑的堆砌密度 通常是在大致0.8至2.5g/Bl的範圍内。 本發明中,可能使用清潔劑在移動床流化床以及固定 床中。通常將清潔劑缜充在清潔柱中,於此情況下,使 含有氟化氪之有害氣體通經其中而使有害氣讎與清潔剤 接觸,因此,移除傺為有害組份之氟化氮而因此,清潔 了有害氣體。 使有害氣體舆清潔劑接觭時之溫度是至少2001C,宜 2 0 0 t至8 0 0 1D ,更宜2 2 0 Τ:至8 0 0 *0。當在接觸時,溫度 低於200t:時,有時導致清潔能力之退化;而當在接觸 時,溫度高於800t:時,則造成麻煩之事即:不可能使 用不銹網在清潔柱中,藉以痛要結携上更酎熱之材料。 因此,最好維持溫度在上文所規定之範圍内。 經漪部中央標準局員-τ消費合作社印製 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然在進行有害氣體淸潔時之®力通常是大氣壓,但 是清潔可在減壓時或在壓力下予以實施。 應用本發明的清潔方法至其上之有害氣髓的流速並未 待別限制,但是其較佳者為:該流速随箸增加經包含在 欲予清潔之氣體中的氟化氡濃度予以降低。 有害氣體與清潔劑間之接觸時間是至少0.5秒,宜至少 2秒,且闢於有害氣體中氟化氮的濃度等予以適當決定。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經漓部中央標率局負工消费合作社印聚 A7 B7 五、發明説明(、° ) 淸潔柱傜根據有害組份之濃度,有害氣醱之流速等予 以設計,其較佳者為:自清潔能力和伴随清潔反應之熱 産生等觀點而設計以便氣體的表面線速度(LV)範圍自0.5 至5〇C*/ sec(就有害紐份的相當低濃度低於0.1%而論) ;範園自0.05至20c«/ sec(就有害組份的濃度傜0.1至 2%而論)。及變成至多10cB/ sec (就有害組份的相當高 濃度高於1%而論)。在具有高濃度的有害組份之有害氣 體的情況下,例如自半導體製造過程所不斷排放之有害 氣體,氣體的表面線速度(LV)的通常準則是至多10 c b / s e c 〇 半導體製造裝置中,使用三氟化氮用於清潔後所形成 之裔氣通常含有氟化鎢例如,六氟化鎢,氟化矽例如,四 氟化矽,氟化氫和氟逋同三氣化氮。如上文中所述及者 ,上述各種有害組份經由根據本發明之淸潔方法可同時 移除。附帶說明,氟化鎢,氟化矽和氟經由使用除去氣 化亞錫以外之清潔莆可能比較容易移除甚至在通常溫度 下。因此,成為可能的是:減輕包含氣化亞錫之清潔劑 的載荷而在同時,經由在通常溫度下,使前述之有害組 份輿除去氣化亞親以外之清潔劑接觸而預先移除此等組 份及其後,在不低於200 T:之溫度下,更進一步使經預 處理之氣體與包含氣化亞錫作為有效組份之清潔劑接觸 而移除唯·一之各種氟化氮(其難以使用除去氣化亞錫以外 之清潔劑來移除)而延長清潔劑的使用期限。 在通常溫度下,能清潔含氣之氣髏的可使用清潔劑實 本紙張尺度通用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T A7 B7 Ά 曰 經濟部中央標率局只Η消费合作社印製 ^0·— ^ 五、發明説明( t| ) 1 1 例 包 活 — 種 清 潔 劑 t 其中含有氧化鋅作為主要组份 (待 1 1 I 肝5-237324 )及- -種淸潔劑 » 包 含 氫 氣 化 鋸 作 為 主 要 成 份 1 1 (特開平9-9921)可將來 白 半 導 體 製 造 過 程 之 廢 氣 經 由 使 該 請 先 1 1 m 氣 m 欲 被 使 用 作 為 預 處 理 劑 並 經 填 充 入 淸 潔 柱 等 中 之 閲 讀 1 I 清潔酬接觸而予以有效清潔 • 及 其 後 • 在不低於200 t:之 之 1 1 U 度 下 更 進 一 步 使 經 預 處 理 之 體 舆 包 含 氣 化 亞 錫 作 注 % 1 1 為 有 效 組 份 之 清 潔 劑 接 觸 〇 項 再 1 在 另 — 方 而 > 在 使 廢 氣 與 用 於 預 處 理 之 — 種 淸 潔 剤 接 填 寫 本 1 嫌 之 情 況 下 1 舉 例 而 言 f 此 清 潔 劑 包 含 前 述 之 氣 化 鋅 作 1 1 1 為 一 種 主 要 組 份 且 它 能 在 通 常 溫 度 下 » 清 潔 含 有 —L·* 氣 化 1 | m f 氟 等 之 以 氣 為 基 的 氣 體 9 然 後 » 看 情 形 9 在 當 移 除 1 1 以 氣 為 基 之 氣 體 時 > 氣 氣 經 由 清 潔 反 應 而 形 成 〇 當 使 所 1 訂 1 1 産 生 之 氣 與 包 含 氣 化 亞 錫 作 為 一 種 有 效 組 份 之 淸 潔 剤 接 觸 時 » 造 成 如 此 麻 煩 之 事 例 如 • 清 m 能 力 之 退 化 及 副 産 I 1 生 氮 之 氣 化 物 〇 1 | 然 而 参 可 能 經 由 增 加 包 含 氣 化 亞 錫 作 為 有 效 姐 份 之 清 1 r r 潔 劑 中 氟 化 鈣 的 含 量 及 經 由 昇 高 廢 氣 與 清 潔 劑 接 m 時 之 溫 度 而 防 出清潔能力之退化及副邊至氮之氣化物甚至當清 1 1 潔 劑 與 氣 接 觸 時 〇 1 1 I m 於 前 述 • 其 較 佳 者 為 = 設 定 清 潔 中 1 氣 化 亞 錫 : 氣 1 1 化 鈣 的 以 重 量 計 fcb 率 在 1 : 至少0 .05而同時, 設定在廢 1 1 氣與清潔劑接觭時之溫度在至少250t:。 1 1 根 據 本 發 明 之 清 潔 方 法 t 成 為 可 能 的 是 * 在 柑 當 低 溫 1 1 度 下 » 以 高 效 率 移 除 經 包 含 在 氣 體 中 1 氮 之 氟 化 物 例 如 1 I -1 3- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家榡车(CNS ) Α4規格(2丨0Χ297公釐) A7 B7 五、發明説明(^ ) ,三氣化氮。而且,成為可能的是,ϋ以移除各種氮氟 化物,各矽之氣化物,氟化氫各種氣化箱等連同 三氣化氮,彼等俱被包含在來自半導體製造過程之廢氣 中,其中使用三截化氮等。 另外,成為可能的是,經由下列方法有效清潔含有以 氣為基之有害組份之廢氣,在此方法中,使廢氣預先與 能在通常溫度下,移除各種氟化鎢,各氟化矽,氟化氳 ,氣等之預處理之清潔劑接鼸,及其後,在200¾或 更高之湄度下,使該經預處理之氣醱更進一步與包含氣 化亞錫作為有效組份之清潔劑接觸而移除三氟化氮,其 不可能在通常溫度下移除β 本發明将參照比較例和實例予以更詳細敘述,然而, 此等實例將不限制本發明為此。 實JI」 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閱.讀背面之注意事項再填寫本頁) 在附以懺拌下,將65克的水添加至數量為1000克之 氣化亞錫中(由和光純蘂公司所造)。將如此獲得之餅狀 物使用一擠壓機,通過噴絲板中之1 . 6 直徑噴嘴擠壓 及將所擠出之産物切成具有大約3至5»m長度之壓Η。 將所産生之壓Η經由在氮之大氣中,在120*0下加熱歴 大約12小時予以乾燥而製備成600g之清潔劑。 随後,将所産生之清潔劑《充入一支不锈鋼造成之清 潔柱中(此柱具有15.7··的内直徑,200nm長度及至多19.4 ml之體積充長度:100··)及使用一只馬弗(nuffle) «,維持在230t:之加熱下,同時将氬氣通經該清潔柱 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4说格(2丨0X29?公釐〉 經满部中央標率局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(•大) 。其後,在大氣K力下,以580.8«丨/1丨1»之流速(5(:11/ sec之表而線速度LV),使含有IOOOppb三氰化氪之氪氣 通經該清潔柱,同時,轅市場上可供應之三氟化氮之檢 潮器(傜由Bionics儀器製造有限公司所造,註册名稱 "TG-4100TA)進行測置在清潔柱之出口的氣體中,三氟 化氮濃度。因此,三氟化氮之穿透時間經由關於當氣體 中三氣化氮的濃度到逹10PP!«作為穿透黏時的時間點予以 潲定。 自上述測量的結果,獲得清潔能力(以每1 Λ之淸潔 劑,以升(义)計,所處理之三氣化氮氣體容稹計)。結 果示於表1中。 另外,_具有導熱率型檢測器(關於氮和氧,檢測下 限為ΙΟρρ*)之氣相色譜法,自開始清潔實驗120分鐘後 ,谁行測量在清潔柱出口之氣體中氮和氧的濃度。同時 ,藉用以分離和測定氮之氣化物的檢測器(傜由Gas Tec 有限公司所造,蘭於H0,檢測下限為Ippb而蘭於N〇2 , 檢潮下限為〇.5ppb),進行測量在清潔柱的出口之氣體 中,一氣化氤(N0)和二氟化氮(H02)之濃度。結果示於 表2中,其中,未檢潮出氣,也未測出氮之氣化物。 在完成清潔實驗後,進行觀察清潔柱中之清潔劑。其 結果是,並未看出經分裂之或粉狀之清潔劑。 實 12_ 在附以樓拌下.將65g水中之50g氟化鉀溶液(偽由關速 化學有限公司所造,KK試劑,保證级)添加至1000g數量 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)
、1T 經漓部中央摞準局負工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(《4 ) 的氣化亞錫中,將如此獲得之餅狀物使用一擠壓機,通 過噴絲板中之1.6··直徑噴嘴擠壓及將所擠出之産物切 成具有大約3至5··長度之壓Η。將所産生之壓Η經由 在饌之大氣中,在120t:下加熱歴大約12小時予以乾燥 而製備成600g之清潔劑。 随後,除去將清潔柱之溫度設定在350t:以外,重複 謇例〗中之程序而進行清潔實驗,即:經由使含有三氣 化氣之有害氣體通經清潔柱。結果示於表1中。 而目,以與實例1中相同方式,在自開始實驗120分 鐘後,進行分析清潔柱的出口之經處理過的氣體。結果 與實例2中者相同。 表 1 實例 清潔劑之 溫度 穿透時間 淸潔能力 编號 種類 (V ) (分) (义/ JI清潔劑) 1 SnO 230 1537 46 2 SnO+KF 350 1935 58 -16- 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Μ漓部中央標隼局負工消費合作社印" A7 B7 五、發明説明(G ) 表 2 所測董之組份的種類 在清潔柱之出口,氣體中組份 的澳度(P P B ) Η 2 550 〇 2 n . d .(未偵測出) NO η * d . NO 2 η · d · 將在下列條件下所産生之廢氣(在此條件中,等離子 體清潔經由使用三氟化氮在(V)裝置中予以進行,其經 由使用矽烷(SiH4 )而形成矽薄膜)使用氮氣稀釋以便經 餵供至CVD裝置中之三氣化氡的濃度相當於IOOOpp·。因 此,藉《化氮之檢測器管(傜由Gas Tec有限公司所造, 檢測F2之下限:2.5ppb,檢拥HF之下限:0.25ppb), 進行測鼉經稀釋之廢氣中,有害组份的濃度。另外,使 用氣相色譜法(檢澜下限:IOppb),進行分析三氟化氮 的濃度。結果示於表3中。 使該經稀釋之廢氣,在與實例1中相同條件下,通經 淸潔柱進行清潔。因此,三氟化氮之穿透時間經由關於 當在清潔柱之出口的氣醱中,三氟化氮的潘度(使用檢 澜器所測得者)逹到ΙΟρρβ,作為穿透點時之該時間點予 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) 格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標率局負工消費合作社印« A7 B7 五、發明説明(4 ) 以測定。又,氟化合物或氟之穿透時間經由鼷於當在淸 潔柱之出口的氣體中«化合物或覦的濃度(使用氣化氫 之檢測管所潮得者)達到2.5ppb作為穿透點時之該時間 黏予以測定。自穿透時間之結果,獲得清潔能力,其以 經餵供至CVD裝置之三氟化氮的體積而概述。結果示於 表4中。 表 3 有害組份 濃度(p p m ) NF a 128 F ? ,HF或 SiF4 >100 [備註〕除去氟化氬和藏以外,氰化氫之檢制管對於四 氟化矽亦具有檢測敏感性。 表 4 實例 清潔劑之 溫度 穿透時間 清潔能力 编號 輔類 CC ) (分) (A / A淸潔阐) 3 SnO 230 1871 56 實』L4. 在附以楫拌下,将75g的水中之25g氟化鉀溶液(由鼷 -18" 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Ti-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *11 經漓部中央標率局負工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(17 ) 連化學有限公司所製造,KF,試劑,保證级。)添加 至數量為855 g氣化亞錫及145 g之氟化鈣中(CaF2,像 由Hakutatsu化學實驗室所選)。将經如此獲得之餅狀物 使用一擠壓機,通過噴絲板2.0m·直徑噴嘴擠壓及將所擠 出之産物切成具有大約3至5bB長度之壓Η。将所産生之 壓Η經由在氮之大氣中,在120C下加熱歷大約12小時 予以乾燥而製備成600g之清潔商I。 隅後,除去將清潔柱之溫度設定在270 υ以外,重複 實例1中之程序而進行清潔實驗即:使含l〇〇〇PPm三氟 化氮之氮氣通經清潔柱。結果示於表5中。 實.._例.五. 除去使用實例4中所製備之清潔劑,設定淸潔柱之溫 度在270t:及使含有IOOOppb三氟化氪和IOOOpp·六氟化 鎢之氮氣通經清潔柱外,重複實例1中之程序而進行淸 潔*驗。結果示於表5中。因為在穿透點前,將三氣化 氮和六氣化鎢兩者均移除,而一分子中,六氟化鎢所包 含之氟原子兩倍一分子的三氟化氮中者,所以清潔能力 經由加倍六氟化鎢的所移除數董,以三氬化氮的所移除 數量計而表示。 實―例』 除去使用如實例4中所製備之清潔劑,将淸潔柱之 溫度設定在320t:及使含有ΙΟΟΟρρη三氟化氮和IOOOppb 氣之餌氣體通經清潔柱外,重複實例1中之程序而進行 清潔實驗。結果示於表5中。另外,以與實例1中之相 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) .i%. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經漓部中央標準局κ Η消費合作社印黧 A7 B7 五、發明説明(d ) 同方式,在自開始實驗120分鐘後,進行分析淸潔柱的 出口之氣艚。 表5 實例 编號 有害組份 溫度 (V) 穿透時間 (分) 清潔能力 (JI/JI清潔劑) 獮類 濃度(ΡΡ·) 4 NF 3 1000 270 1098 33 5 HF a +WF e 1000(毎 1 者) 270 785 71(NF a 23.5 WF 6 23.5) 6 NF 3 +0 2 1000(毎 1 者) 320 1170 35 表 6 所測量之組份的種類 在清潔柱之出口,氣體中組份 之應度(P P B > 〇 2 980 N0 η * d . NO 2 η · d . -20- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 广 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經濟部中决標芈局負工消费合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明(π ) 實.—例一7_ 在附以攪拌下,將90g水中之25g氣化鉀溶液·(由關連 化畢准限公司所造,KF,試劑,保證级)添加至750g數 最之氣化亞錫和250g之氣化15中(CaF2 ,由Hakutatsu 化犖奮驗室所製造)。將如此獲得之餅狀物使用一擠β 機通過噴絲板中之2.Omm直徑噴喊擠壓及将所擠出之産 物切成具有大約3至5mm長度之壓K。將所産生之鼷Η 經由在氛之大氣中,在1201C下加熱歴大約12小時予以 乾燥而製備成600g之清潔劑。 随後,用於處理含氣體的預處理柱經由填充38.8ral 的包含氣化鋅(86%氧化鋅,5%氧化鉀和97。礬土)作 為有效成份之请潔劑入不銹鋼所造成之淸潔柱(具有15.7mm 内官掙及300bib長度)中直至20〇Bm之填充長度予以構成。 將上文中所製備之清潔劑(包含氣化亞錫作為有效組份) «充入與實例1中者相同之清潔柱中以便在32〇υ下使 用作用後處理柱。 因此,清潔設備經由使用管条連接預處理柱和後處理 柱而構成。然後,使含有lOOOppm三氣化氮,lOOOppm四 氟化矽和lOOOppni氣之氮氣通經經保持在常溫下之預處 理柱及經保持在320C下之後處理柱來進行清潔實驗。 另外,以與實例中之相同方式,在自開始實驗120分鐘 後,進行分析預處理柱的出口之氣體及後處理柱的出口 之氣體。結果示於表7與表8中。後處理柱中,開於三 氣化氛之清潔能力示於表9中。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經漓部中央標率局Μ工消费合作社印絮 A7 B7 五、發明説明() 表7 所测鼉之組份的種類 在預處理柱之出口,氣醱中組份 之灌度(P P B ) HF 3 1010 S i F 4 或 F 2 η * d . 0 2 650 NO η . d . HO 2 η . d * 表 8 所測晉之纟B份的種類 在清潔柱之出口,氣體中組份 之濃度(Ρ Ρ π ) HF 3 0 S i F 4 或 F 2 n , d . 〇 2 550 NO η . d . NO 2 η , d . -22- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 I . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A7 B7 五、發明説明(Μ ) 表9 實例 有害組份 溫度 穿透時間 清潔能力 编號 (TC ) (分) (Α/jl清潔剤) 揮類 濃度(ΡΡϋ) 7 NF^ +S1F4 + F 2 1000 (每一種) 320 1472 44 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 除去使用如實例4中所製備之清潔劑,將ti潔柱之溫 度設定在300^0及使含有IOOOppb三氟化氮之氮氣通經淸 潔柱以外,重複實例1中之程序來進行清潔實驗。結果 示於表1 0中。 竄 在附以檐拌下,將70g水中之258氟化鉀溶液添加至 1 0 00R數量的氣化亞錫中。将如此播得之餅狀物使用一 擠壓機,通過噴絲板中之2.〇Β·直徑噴嘴擠®並將所擠 出之産物切成具有大約3至5 ΒΒ長度之壓Η。將所産生 之壓Η經由在氮之大氣中,在120t:下加熱歷大約12小時 予以乾燥而製備成600g之清潔爾。 随後,除去使用上文中所製備之清潔劑,將淸潔柱之 溫度設定在300t:及使含有IOOOppb三氟化氮之氮氣通經 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4現格(210X 297公釐) 訂 經濟部中央標率局員工消費合作社印聚 A7 B7
五、發明説明(W 清潔柱以外,重複實例1中之程序而進行清潔賁驗。结 果示於表10中。 表10 奮例 清潔劑之種類 溫度 穿透時間 清潔能力 编號 rc ) (分) (Jl / JI清潔劑) 8 SnO + KF + CaF 2 300 1411 42 9 SnO+KF 300 1198 36 fct_ 教 在附以攪拌下,將65g水中之50g氣化鉀溶液(傜由關 東化學有限公司所造,KF,試劑,保證级)添加至1 000g 數量的氧化錫中(俱由關東化學公司所造, ,保證级)。以與實例1中之相同方式,將所産生之餅 狀物形成為清潔劑。 經漪部中央標準局負工消费合作社印聚 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經由使用此清潔劑,以與實例1中之相同方式,對於 含有三氣化氤有害氣體進行清潔實驗。另外,以與實例 1中之相同方式,在自開始實驗120分鐘後,進行分析 清潔柱的出口,氣體中有害組份之濃度。在實驗階段期 間,可能移除三氣化氮但是副産生大量的氮之氣化物其 磨度超過TLV-TMA,因此,中止清潔實驗。結果示於表11 中。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經漓部中次榡準局消費合作社印聚 m A7 ^ ^---^五、發明説明(4) 在附以攢拌下,將65g水中之50g氟化鉀(KF)溶液添加 至lOOOg數鼉之二氣化錳中(傜由開連化學有限公司所造 ,Μπ07.,試劑,保證级)。以與實例1中之相同方式, 將所産生之餅狀物形成為淸潔劑。 經由使用此清潔劑,以與實例1中之相同方式,對於 含有三氣化氮之有害氣體進行清潔實驗。另外,以與實 例1中之相同方式,在自開始實驗120分鐘後,進行分 析清潔杵的出口,氣體中有害組份之濃度。在實驗階段 期間,可能移除三氟化氮但是副産生大量的氮之氧化物 其猜度超過TLV-TMA。因此,中止清潔實驗。結果示於 表1 1中。 經由使用壓片模製機器,將氧化銅(CuO,試劑,保證 级,傜由關連化學有限公司所造)模壓成具有5mm直徑和 5mB長度之壓M。將所産生之壓Η造成具有3至5bb的粒 子直徑之經壓碎産物。經由使用此經壓碎之産物作為清 潔劑,以與實例1中之相同方式,對於含有三氟化氮之 有害氣體進行清潔實驗。另外,以與實例1中之相同方 式,在自開始實驗120分鐘後,進行分析清潔柱之出口 ,氣體中有害組伢之濃度。在實驗階段期間,可能移除 三氣化氮但是副産生大量的氮之氧化物其濃度超過TL V -TMA,因此,中止清潔實驗结果示於表11中。 本文中所使用之清潔劑是市場上可供應之Hopkalite -25-
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -I _ 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4g ( 210X297公釐) A7 B7 387821 五、發明説明(> ) (由日立Girdler催化劑有限公司所造)。其形式為擠出 楫塑之臛片,此壓片具有1.5mn直徑,3至5bb長度而其 化學組成以重量計包含50%二氧化錳(Μη02 ), 22%氧 化鏑((:11〇),:12.5%氣化鎂(《^0),12.5%氧化鋁(六12〇3) 及3%的其他者。經由使用此清潔劑,以與實例1中之 相同方式,對於含有三氟化氮之有害氣體進行清潔實驗。 另外,以與實例1中之相同方式,在自開始實驗120分鐘 後,進行分析清潔柱之出口,氣體中有害組份之濃度。 在實驗階段期間,可能移除三氟化氮但是副産生大量的 氮之氣化物其濃度超過TLV-TMA,因此,中止清潔實驗。 結果示於表11中。 表 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經浠部中决標羋局貝Η消贽合作社印52 编 較例 號 清潔劑之種類 在清潔柱之出口」 的濃度 NO HO a 1 S η 0 2 >200 η . d . 2 ΗηΟ 2 >200 η . d , 3 C u 0 >200 η . d . 4 Μ η 0 2 * C u 0 MgO * A 1 2 〇 a >200 η .d * 26-
NF 本紙張尺度適用中國國家榇羋(CNS ) Α4規格(2丨0X297公釐)

Claims (1)

  1. 第87106337號「有害氣雅之淸潔方法」専利案 (88年7月30日修正) A申請専利範圈: 1. —種用於有害氣體之淸潔方法,此方包括至少在200 之溫度下,使含有自氟化氮、氟化鎢、氟化矽,氟 化氫和氟所組成之該群中所·選出之至少一成貝的有害 氣髓與包含氧化-亞錫作爲有效成份之淸潔劑接觸· 2. 如申請専利範園第1項之方法,其中,該有害氣體含 有三黑化氮。 3. 如申請専利範園第1項之方法,此方法另外包括:使 含有三氟化氮作爲有害組份連同自氟化鎢,氟化矽, 氟化氫和氟所組成之該群中所選出之至少一成貝作爵 有害組份的有害氣髖與至少一種選自氧化錚及氫氧化 緦爲主成分之淸潔劑接觸之預處理步骤· 4. 如申請専利範園第1至第3項中任一項之方法,其中該淸 潔劑係經由在氮之大氣中,熱乾燥予以製備* 5. 如申請専利範園第1至第3項中之任一項之方法,其 中在200β至800eC範園內之-溫度下,使有害氣饈與淸 潔劑接觸· 6. 如申請専利範園第1至第3項中之任一項之方法,其 中包含氧化亞錫作爲有效成份之淸潔剤另外包括一種 金屬氟化物作爲棋塑助劑· 7. 如申請專利範圃第6項之方法,其中淸潔劑中,氧化 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (诗先W讀背面之注$項再填寫本頁) 訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    第87106337號「有害氣雅之淸潔方法」専利案 (88年7月30日修正) A申請専利範圈: 1. —種用於有害氣體之淸潔方法,此方包括至少在200 之溫度下,使含有自氟化氮、氟化鎢、氟化矽,氟 化氫和氟所組成之該群中所·選出之至少一成貝的有害 氣髓與包含氧化-亞錫作爲有效成份之淸潔劑接觸· 2. 如申請専利範園第1項之方法,其中,該有害氣體含 有三黑化氮。 3. 如申請専利範園第1項之方法,此方法另外包括:使 含有三氟化氮作爲有害組份連同自氟化鎢,氟化矽, 氟化氫和氟所組成之該群中所選出之至少一成貝作爵 有害組份的有害氣髖與至少一種選自氧化錚及氫氧化 緦爲主成分之淸潔劑接觸之預處理步骤· 4. 如申請専利範園第1至第3項中任一項之方法,其中該淸 潔劑係經由在氮之大氣中,熱乾燥予以製備* 5. 如申請専利範園第1至第3項中之任一項之方法,其 中在200β至800eC範園內之-溫度下,使有害氣饈與淸 潔劑接觸· 6. 如申請専利範園第1至第3項中之任一項之方法,其 中包含氧化亞錫作爲有效成份之淸潔剤另外包括一種 金屬氟化物作爲棋塑助劑· 7. 如申請專利範圃第6項之方法,其中淸潔劑中,氧化 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (诗先W讀背面之注$項再填寫本頁) 訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 亞錫:楔塑助劑的以重董計比率是在1: (0.001至0.6) 之範圍內· 8.如申請専利範園第6項之方法,其中金颺氟化物是氟 化鉀或氟化鉀與氟化鈣的聯合髗· 认如申請專利範園第8項之方_法,其中該金羼氟化物是 氟化鉀和氟化鈣的組合物f且淸潔劑中之氧化亞錫: 氟化鉀:氟化鈣的以重:ft計比率是1: (0.001至0.15) :(0.01至 0.60)。 ία如申請専利範圔第8項之方法,其中淸潔劑中之氧化 亞錫:氟化鈣的以重霹計比率是1 :至少0 · 05,及至少 在2 5 0 eC之溫度下使有害氣體與該淸潔胬接播》 11·如申諝専利範園第1至第3項中之任一項之方法,其 中該有害氣體是來自半導想製造裝置之廢氣* (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) 訂-. 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
TW087106337A 1997-04-25 1998-04-24 Cleaning process for harmful gas TW387821B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12334797 1997-04-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW387821B true TW387821B (en) 2000-04-21

Family

ID=14858326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087106337A TW387821B (en) 1997-04-25 1998-04-24 Cleaning process for harmful gas

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5935540A (zh)
EP (1) EP0873778B1 (zh)
KR (1) KR100513228B1 (zh)
CN (1) CN1103240C (zh)
DE (1) DE69807562T2 (zh)
SG (1) SG73508A1 (zh)
TW (1) TW387821B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010001652A1 (en) * 1997-01-14 2001-05-24 Shuichi Kanno Process for treating flourine compound-containing gas
US8231851B2 (en) 1997-11-14 2012-07-31 Hitachi, Ltd. Method for processing perfluorocarbon, and apparatus therefor
TW550112B (en) * 1997-11-14 2003-09-01 Hitachi Ltd Method for processing perfluorocarbon, and apparatus therefor
US6146606A (en) * 1999-02-09 2000-11-14 Showa Denko Kabushiki Kaisha Reactive agent and process for decomposing nitrogen fluoride
US6352676B1 (en) * 1999-02-16 2002-03-05 Air Products And Chemicals, Inc. Abatement of F2 using small particle fluidized bed
US6468490B1 (en) * 2000-06-29 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Abatement of fluorine gas from effluent
EP1912069A3 (en) 2002-06-05 2008-07-09 Sopherion Therapeutics, Inc. Method to screen ligands using eukaryotic cell display
JP3816841B2 (ja) * 2002-06-25 2006-08-30 日本パイオニクス株式会社 窒素弗化物を含有するガスの浄化剤及び浄化方法
US20050016829A1 (en) * 2003-04-14 2005-01-27 Miller Ralph Newton Distillation process for reducing the concentration of dinitrogen difluoride and dinitrogen tetrafluoride in nitrogen trifluoride
US7736599B2 (en) 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
JP5102217B2 (ja) 2005-10-31 2012-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセス削減反応器
US8308871B2 (en) * 2008-11-26 2012-11-13 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Thermal cleaning gas production and supply system
JP5471313B2 (ja) * 2008-12-11 2014-04-16 セントラル硝子株式会社 三フッ化塩素の除害方法
CN104548927B (zh) * 2015-01-07 2017-01-25 黎明化工研究设计院有限责任公司 一种四氟化碳中微量三氟化氮的去除工艺
WO2016153096A1 (ko) 2015-03-26 2016-09-29 한국에너지기술연구원 난분해성 유해가스 소각처리를 위한 에너지 절약형 연소장치 및 이의 운전방법
CN110327758A (zh) * 2019-07-09 2019-10-15 云南锡业股份有限公司冶炼分公司 一种锡冶炼含氟烟气处理工艺及装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5714897B2 (zh) * 1974-03-06 1982-03-27
DE2835030A1 (de) * 1978-08-10 1980-02-21 Hoelter Heinz Verfahren und vorrichtung zur trockenen chemisorption von vorzugsweise so tief 2 , no tief x , hcl und hf aus rauchgasen hinter energiewandleranlagen mit katalysator
JPH0655259B2 (ja) * 1986-05-21 1994-07-27 関東電化工業株式会社 三フツ化窒素を分解する方法
JPH0771613B2 (ja) * 1986-06-04 1995-08-02 日本パイオニクス株式会社 排ガスの浄化方法
JPS6312322A (ja) * 1986-07-04 1988-01-19 Showa Denko Kk 排ガス処理方法
DE3721317A1 (de) * 1987-06-27 1989-01-05 Hoelter Heinz Verfahren zur herstellung reaktionsfaehiger calciumhydroxide fuer die abgasreinigung
US5176897A (en) * 1989-05-01 1993-01-05 Allied-Signal Inc. Catalytic destruction of organohalogen compounds
US5283041A (en) * 1992-08-13 1994-02-01 Engelhard Corporation Catalytic incineration of organic compounds
US5417948A (en) * 1992-11-09 1995-05-23 Japan Pionics Co., Ltd. Process for cleaning harmful gas
JPH08131764A (ja) * 1994-11-04 1996-05-28 Babcock Hitachi Kk 湿式排ガス処理方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1103240C (zh) 2003-03-19
EP0873778B1 (en) 2002-09-04
KR100513228B1 (ko) 2006-01-12
DE69807562T2 (de) 2003-01-16
KR19980081651A (ko) 1998-11-25
DE69807562D1 (de) 2002-10-10
US5935540A (en) 1999-08-10
EP0873778A3 (en) 1998-12-16
CN1203830A (zh) 1999-01-06
SG73508A1 (en) 2000-06-20
EP0873778A2 (en) 1998-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW387821B (en) Cleaning process for harmful gas
US6649082B2 (en) Harm-removing agent and method for rendering halogen-containing gas harmless and uses thereof
TWI239264B (en) Method and device for treating waste gas containing fluorochemical
EP1732669B1 (en) Method and apparatus for treating gas containing fluorine-containing compounds
KR100318352B1 (ko) 유해가스세정제및세정법
JP2005517623A5 (zh)
JPH0669194A (ja) シリコン製品の熱酸化と半導体装置製造に使用の炉管清浄法
TW542746B (en) Disposition method of waste gas containing fluorine-containing compound
US5183647A (en) Method for purifying nitrogen trifluoride gas
JP3986597B2 (ja) 三フッ化窒素含有ガスの処理方法及びそのための処理剤
EP1351908A2 (en) Process for preparing octafluoropropane
WO2000016881A1 (en) Purifying agent and purification method for halogen-containing exhaust gas
JPH06327932A (ja) 有害ガスの浄化方法
JP2976041B2 (ja) 有機ハロゲン化物の除去方法
TW200927271A (en) Method for treatment of a gas stream containing silicon tetrafluoride and hydrogen chloride
US6060034A (en) Abatement system for ClF3 containing exhaust gases
KR100223964B1 (ko) 반도체 웨이퍼 재생을 위한 식각액 조성물
TW524720B (en) Cleaning agent for hazardous gas
JP5423594B2 (ja) フッ素含有化合物ガスの除去方法
TW583177B (en) Method for purification of tetrafluoromethane and use thereof
KR920007856B1 (ko) 기체상태의 산성 할로겐 화합물의 제거방법
US5468459A (en) Gas stream treatment method for removing per-fluorocarbons
JP2003088574A (ja) 新規な酸性ガス吸収剤
RU2245317C2 (ru) Способ очистки октафторпропана
TWI297328B (en) Method of removing silicon dioxide in the waste liquid and method of processing waste water

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent