TW381123B - A process for surface-treating a sputtering target - Google Patents

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Α7 Β7 五、發明說明（1 ) 發明背景 發明範圍 本發明與一種濺鍍靶的製程有關，利用濺鍍法該濺鍍 靶可用來形成薄膜。更明確而言，本發明有關於將處理濺 鍍靶被濺鍍表面的方法。 相關技術說明

以濺鍍法形成薄膜的特色爲薄膜的附著力強；薄膜的 厚度容易控制；當薄膜由合金形成時，合金成分的再現性 極佳；薄膜可從具高熔點溫度的材料產生。因此，以濺鍍 形成的薄膜可廣泛的應用於不同的用處，如，用於液晶顯 示器的透明導電薄膜，硬碟的記錄層，及半導體記憶體的 導線金屬。 Z 濺鍍靶的組成視其特別的使用而定。如，濺鍍靶由鉻 、鉬、碳、鋁、ITO (氧化銦一氧化錫）、ZA ◦(氧 化鋅—氧化銘）、及S T 0 (駄酸錦）。通常，濺鑛祀以 不同的方法製成，其.中，灘鍍祀的形成柯料被成型1加以. 锻燒，其包括，如，熱均壓成型（Η I P )、無壓燒結法 、或真空感應融化法、再加以機械加工爲所需的尺寸（這 些成型及燒結方法被通稱爲成型燒結.法）。 .- 進行機械加工用來得到高度準確度的所需尺寸的濺鍍 靶，以及用來移除被雜質污染的表面層。機械加工的進行 通常是利用多工序自動數控機床、表面切削機、及硏磨機 。實際上，機械加工需要長時間工時。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線^" t - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- A7 ___B7__, 五、發明說明（2 ) 以濺鍍法形成薄膜的方法中，磁控管濺鍍已經逐漸的 被廣爲使用，其特色爲，以電磁石或永久磁鐡（附著於濺 鍍靶的後側），於濺鍍靶上形成封閉的磁場，利用電場與 磁場間的交互作用形成具有高離子性電流密度的電漿。磁 控管濺鍍法中，於相當低的的氣體壓力下，可以高速影響 薄膜的形成，但濺鍍靶表面的離子性電流密度不容易均勻 ，所以濺鍍時濺鍍靶被不均勻的腐蝕。| 爲解決磁控管濺鍍的問題，本發明者已經提出一種高 效率的的濺鍍靶，（日本公開專利申請第1 一 2 9 0 7 6 4 號），其特色爲，具有加強的使用性，因爲腐蝕區中的濺 鍍靶是厚的，其中，離子性電流密度爲高，且濺鍍以密集 產生，非腐蝕區中的濺鍍靶是薄的，其中，濺鍍以最少程 度產生。 高效率濺鍍靶的靶表面爲非平面，但其上方有高起的 部分。因此，將靶燒結後，很難進行表面機械加工，所以 ，很難或根本不可能從靶表面移除雜質，更無法拋光靶表 面得到平滑表面。 發明槪要 根據前述，本發明的目的在提出一種方法，以高效率 的方便方法從靶面移除雜質。以本發明方法，可以進行雜 質的移除，即使當已成型及燒結後的濺鍍靶的表面爲非平 面，且可以得到等向性及減低表面粗糙鍍的平滑表面。 現今已被發現的是，當細微分散粉末的噴拋材料以高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 7^1 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衮

---1--訂-----------線 V 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 速撞擊'靶表面時，靶表面的雜質可以高效率的方便方法被 移除，其結果爲，產生等向性及降低表面粗糙度的表面。 特別是，當噴拋材料的粒子直徑在一特定範圍內時，靶表 面的粗糙度可被減小，而維持高效率的雜質移除。 I TO濺鍍靶中，濺鍍靶成型體表面層的氧化錫含量 因燒結被降低，其導致濺鍍性能的劣化。現今已被發現的·: 是，當燒結後的成型體以本發明的步驟噴拋處理時，表面 層被更新，且氧化錫的含量被恢復到噴拋處理前的水準。 本發明的一個觀點，提出一個步驟，用來備製濺鍍靶 ，其包含，將濺鍍靶被濺鍍的表面噴拋，其噴拋材料爲細 微分散粉末，其粒子直徑屬於1 〇微米至5 0 0微米的範 圍內，以移除污染被濺鍍表面的雜質。使用的噴拋材料較 好爲由球狀細微分散粒子組成的氧化锆粉末。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的另一觀點，提出一種備製濺鍍靶的過程，其 包含的步驟爲：（1 )以墳拋材料噴拋濺鍍靶被濺鍍的表 面，該噴拋材料爲粒子直徑爲·5 0至5 0 0微米範圍內的 細微分散粉末；而後（2 )再以噴拋材料噴拋以此被噴拋 的表面，噴拋材料爲粒子直徑屬於1〇至11〇微米的範 圍內的細微粉末，以移除污染被濺鍍表面的雜質；其中， 使用於步驟（1 )中的噴拋材料的組成與使用於步驟（2 )的噴拋材料的組成不同，或是，使用於步驟（1 )中的 噴拋材料的粒子直徑的中心値較使用於步驟（2 )的噴拋 材料的粒子直徑的中心値爲大。較好是，使用於步驟（1 )中的噴拋材料從包含細微分散氧化鋁粉末及細微分散的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼） A7 B7____ , 五、發明說明（4 ) 矽化礙粉末的組合中選出，而使用於步驟（2 )中的噴拋 材料爲由球狀細微分散粒子組成的氧化锆。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的步驟特別適合用來從表面移除如鋁的雜質， 該表面爲被濺鍍靶濺鍍的凸表面。 圖示簡要說明 圖1爲燒結步驟的圖表表示，該燒結步驟用來備製使 用於本發明之工件樣本的I T 0成型體； 圖2爲燒結步驟的圖表表示，該燒結步驟用來備製另 —使用於本發明之工件樣本中的I T 0成型體； 圖3 a爲高效率濺鍍靶的一案例之透視表示； 圖3 b爲從圖3 a之A — A線所取之截面圖；且 圖3 c、3 d、3 e爲描述高效率濺鍍耙的另一案例 的截面圖。 主要元件對照表 1 濺鍍靶 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 高起部分 3 氧化鋁粉末 4 鋁板 5 靶 較佳實施例說明 本發明中用來備製濺鍍靶的製程的特徵爲：包含一種 本紙張尺度適用t國國家標準（cns)a4^各(21ϋx 297 ——- Λ7 B7 五、發明說明（5 ) 噴拋濺鍍靶濺鍍表面的噴拋步驟。 本發明的製程中並不被特別限制被噴拋處理的濺鍍靶 ，且可以使用任一種習用的濺鍍靶。通常，濺鍍靶的備製 如下。一種原料粉末，其可由單一成份或兩種或更多種成 分組成，混合如結合劑及分散劑的添加物，且該混合物被 鑄造爲（例如，以鑄造法、射出成型法或壓鑄法）所需形 狀的鑄體。.若有需要，該鑄體可加以壓縮（如以冷！壓壓 製），且結合劑或其他的有機物質可以從該鑄體中移除。 將該鑄體燒結（例如，以無壓力燒結法，或熱均壓燒結法 (Η I P ))，若有需要，將其加以機械加工，使濺鍍靶 具預設的形狀。當備製金屬製的濺鍍靶時，金屬材料可加 以機械加工，使濺鍍靶具預設的形狀。 本發明的製程中，至少濺鍍靶被濺鍍的表面被加以噴 拋。此處的噴拋一辭意指使噴拋材料的細微分散粉末撞擊 濺鍍表面，以移除濺鍍靶被濺鍍的表面雜質、沈積或突出 部分。以例如，含有噴拋材料的氣體（如空氣），或含噴 拋材料的液體（如水）噴射於靶表面進行噴拋，以此方法 使噴拋材料闻速撞擊鍍帛Ε表面。 至於噴拋的裝置，可使用商業上所用的噴拋裝置，其 包含，如，一種噴拋裝置，其中，含有噴拋材料的壓縮空 氣被噴射（由日本富士製造公司供應的 Pneuma-Blaster SGF -5-B)。 就噴拋材料的例子而言，有氧化鋁、玻璃、氧化锆、 矽化碳的細微分散粉末。特別是球狀粒子組成的細微分散 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·！---；--訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 的氧化鉻粉末爲較佳，因爲噴拋後的靶表面並不馬上被雜 質污染，可以降低表面的粗糙度。 不特別限制噴拋材料的粒子形狀，其形狀通常爲球狀 、針狀、或顆粒狀。通常，當使用如針狀粒子的不規則形 狀的粒子時，雜質可以更容易的從表面移除，且當使用球 狀粒子時，可將表面的粗糙度降低到較佳的程度。噴拋材’ 料的粒子大小爲直徑屬於1 0至5 0 0微米的範圍內，最 好爲1 0至2 0 0微米。若粒子的尺寸太大，噴拋後的靶 表面的表面粗糙度沒有降低到一個理想的程度，且團塊通 常於濺鍍時發生。相反的，若粒子的尺寸太小，不容易從 靶表面移除雜質。 使用的噴拋材料通常以分級法（如用篩網）備製。噴 拋材料的粒子直徑由網的大小決定，即篩網的細線或細網 間的各開口。所以使用兩種篩網，其網的大小屬於1 〇至 5 ◦ 0微米的範圍內，可以分級法得到直徑爲1 0至 5 0 0微米的粒子；例如，其中之—的網大小爲1 2 5微 米，另一個網的大小爲1 4 9微米，或其中之一的網大小 爲177微米，另一個網的大小爲2 10微米。 噴拋的過程中，流體介質（如含有噴拋材料細微分散 粉末的空氣），被吹向靶表面，以此方法使細微分散的粉 末撞擊靶表面。含細微分散粉末的流體介質被吹向靶表面 的噴拋壓力通常爲1至1 0 k g / c m 2的範圍內，$交好爲 2至7 k g / c m 2，更好爲3至5 k g / c m 2。當噴拋 壓力太低時，從肥表面移除雜質變得困難。相又的，當噴 (請先閱讀背面之注.音心事項再填寫本頁) 裝------ 訂---- 線· ^張尺度適用中國國家標準（CNS)A‘l規格（210 X 297公1 ) . g . A7 137 五、發明說明c ) 拋壓力太高時，噴拋材料密集撞擊靶表面，通常引起裂縫 ，而且，需要大容量的壓縮機，使噴拋變得昂貴。 噴拋噴嘴與靶表面間的距離的範圍較好爲約5 0至 3 0 0毫米。若距離太小，在靶表面引起整個廣泛區域的 噴拋變得困難。相反的，若該距離太長，完成噴拋需要非 常長的時間。 ' 噴拋時間的改變視特別的噴拋壓力及噴拋材料的種類 而定，但其較好於0_05至1.0秒/公分2的範圍內。當噴拋時 間太短時，很難將雜質從靶表面移除至理想的程度。當噴 拋時間太長時，噴拋的效率低，且發生靶表面污染噴拋材 料的問題。因此，當噴拋進行一段長時間時，與濺鍍靶相 同的材料較好被用做噴拋材料。 噴拋材料適合的粒子大小較好選擇直徑爲1 0至 5 0 0微米的範圍內。若雜質微弱的附著於靶表面，較好 使用粒子直徑爲1 0至5 0 0微米的噴拋材料。使用這種 粒子直徑的噴拋材料，可以將雜質有效的從靶表面移除， 且靶表面的粗糙度（R a )可被降低至0.5至4微米。特別 當具有該範圍的粒子直徑的噴拋材料爲球狀的氧化銷粒子 時，表面粗糙度（R a )可被降低至最小値。 相反的，若雜質牢固的附著於靶表面，較好應於至少 兩階段（使用不同的條件）進行噴拋，如，利用不同物質 、粒子形狀、及/或粒子大小的噴拋材料。更明確的是， 噴拋處理過程包含的步驟爲（1 )以噴拋材料噴拋濺鍍靶 被濺鍍的表面，該噴拋材料爲粒子直徑爲5 0至5 0 0微 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A<1規格（210 x 297公釐） _ -in . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ϋ n I n n n n口、I ϋ n n 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ , 五、發明說明（8 ) .米範圖內的細微分散粉末，以移除牢固附著的雜質；而後 (2 )再以噴拋材料噴拋已經噴拋的表面，噴拋材料爲粒 子直徑屬於10至110微米的範圍內的細微分散粉末， 以降低濺鍍表面的表面粗糙度（R a );其中，使用於步 驟（1 )中的噴拋材料的組成物質與使用於步驟（2 )的 噴拋材料組成不同，或是，使用於步驟（1 )中的噴拋材 料的粒子直徑的中心値較使用於步驟（2 )的噴拋材料的 粒子直徑的中心値@。此處用的粒子直徑的中心値一辭 ，指的是粒子直徑所屬範圍的中心値。例如，屬於5 0至 1. 5 0微米範圍內的粒子直徑的中心値爲1 0 0微米。 較好是，使用於步驟（1 )中的噴拋材料從細微分散 的氧化鋁粉末及細微分散的矽化碳粉末中選出，而使用於 步驟（2 )中的噴拋材料爲球狀細微分散粒子組成的氧化 銷粉末。 .. 若有需要，可於多過兩個步驟中進行噴拋處理，其使 用的噴拋材料具有不同的粒子尺寸，其以步驟順序而言變 得越來越小。噴拋的重複次數通常多達三次或四次。若噴 拋在不同的條件下重複太多次，會降低工作力及工作效率 〇 當重複兩次或更多次噴拋時，使用於第一個步驟.的噴 拋材料較好從較便宜的材料選出，如氧化鋁或矽化碳，因 爲噴拋材料馬上被濺鍍靶的雜質污染。在後面的步驟中， 噴拋材料沒有馬上被雜質污染，且可被重複使用，所以， 昂貴的高性能噴拋材料，如球狀氧化锆粒子可被有助益的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚)~y\~. II---„-------—裝------訂---------線— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__；_ 五、發明說明（9 ) 使用。’ 本發明過程中，並不特別限制被噴拋的濺鍍靶的材料 。濺鍍靶材料可爲鉻、鉻-鉬、鉻-釩、鉻一鎢、鎳-鉻 一矽、鎳—鉻—矽—鋁、鈷鉻一钽、鋁、鈦、鋁、矽、矽 化鉬、碳、ITO、ZAo、STo、BSTo、氧化鎂 、二氧化砂、较、及氮化砂。 當被噴拋的濺鍍靶的組成爲氧化物或氮化物時，燒結 時氧化鋁粉3被撒在靶5下的鋁板4 (如圖1所示），或 ，燒結後的靶5在燒結時以氧化鋁粉3覆蓋（如圖2所示 ),(若所需的氧化鋁粉3撒於靶5下的鋁板4 )，用來 避免裂縫形成或彎曲，所以，燒結後的靶在其表面上有鋁 雜質的突出部分。本發明的噴拋過程具優勢的使用該燒結 的氧化物或氮化物靶。通常作爲雜質的鋁的實際可被接受 的量不大於3 0 p p m。以本發明的製程，燒結體被濺鍍 處的表面層中的鋁雜質含量可以被降低爲不大於3 0 p p m，即使是燒結體將被濺鍍的表面非爲平面，而是具 有高起的部分。利用本發明的製程，燒結體另一表面的雜 質也可被降低至理想的水平。 因此，本發明的製程不只用來處理平面濺鍍表面的濺 鍍靶，也可用來處理具有複雜表面形狀的濺鍍靶，如，濺 鍍表面上具高起部分。具有高起部分的濺鍍靶之例示於圖 3 a及3 b中的高效率濺鍍靶。圖3 a爲高效能濺鍍靶的 透視圖，且圖3 b爲取圖3 a之A - A線的截面圖。該高 效能濺鍍靶1的濺鍍表面具有高起的部分2。具有高起部 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -12- ------------------；—訂--------· 、V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明說明（10 ) 分的職'鍍靶的另一例示於圖3 c、3 d、3 e中的截面圖 。示於這些圖中的濺鍍靶1在其各上表面具有不同形狀的 高起部分2。圖3b、3c、3d及3e中顯示的靶的靶 表面的邊緣部分的角較好使其變圓（沒有顯示在這些圖形 中）。 濺鍍靶的表面粗糙度（R a )較好不大於4微米，以 減小濺鍍時團塊的發生。以本發明的製程，可以得到表面 粗糙度爲0.5至4微米的靶表面。 靶表面的噴拋處理不昂貴，且可以高速移除靶表面上 的雜質。被處理過的靶表面具有等向性及降低的表面粗糙 度（R a )。此與表面切割機處理過的靶表面不同，其有 非等向性的切割記號。 噴拋處理過的濺鍍靶以普通的過程最後被製成最終濺 鍍靶，例如，利用銦焊劑將噴拋處理過的靶連接於銅支持 板上。 將以以下特定的案例爲本發明做說明，這些案例不會 限制本發明的範圍。 案例中，如鋁、矽、氧化锆的雜質含量，及被I T〇 濺鍍靶濺鍍處的表面層中的氧化錫含量以如下的方法決定 。被濺鍍的表面利用X光螢光分光計（由Rlgaku Denki Kuogyou公司供應的Rigaku 3080-E3 )以X光螢光方法分 析，其中，鍺製的X光管的電壓爲5 0 K V , X光管的電 流爲5 0 m A，且放射面積爲直徑爲2 0 m m的圓形。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 襄·--------訂·------ .線、 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11 ) 案例Γ 在1 〇公升的尼龍罐內放置樹脂球（該樹脂球有鐵心 ，球的直徑爲1 5mm) 、4 5 0 0克氧化銦粉末、 5 0 0克氧化錫粉末、12 5克多元碳酸酯的分散劑（固 體的重量百分比含量爲40%) 、100克壓克力樹脂乳 化結合劑（固體的重量百分比含量爲5 〇 % )、及 1 1 4 0克純水，以轉動的球磨方式混合1 6小時。將因 此得到的漿料完全除去氣泡且鑄造於模型中，得到圖3 a 及3 b所示之晷有高效能形狀的I τ 〇鑄體。將I τ 0鑄 體於3 t on/cm2的壓力下加以冷均壓壓製，然後，從 ------ 中移除結合劑。 將鋁板塗布5 m m的厚度的氧化鋁粉，且將I T〇鑄 體放置於已塗開的纟良髮上，如圖1所示。將I Τ Ο成型體 以無壓力的燒結法於1 5 5 0 t燒結5小時，使燒結體的 密度爲99.5%，及尺寸爲13〇1!1111：^ 4 0 5111111；^ 1 0 . 5 m m (厚度）。被擺鑛的燒結體表面的表面粗縫 度（R a )爲2.1微米，且其表面層中的雜質及氧化錫含量 如下： 矽：2 0 p p m，鋁：7 6 0 ρ p m ,锆：小於 3 0 ppm。 氧化錫7 . 8 w t % 被濺鍍的表面以4 k g / c m 2的噴拋壓力被噴拋處理 ，噴拋時間爲8 0秒，.利用球形氧化銷珠組成的噴拋材料 ，氧化銷珠的粒子直徑屬於2 5至1 0 6微米的範圍內（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 襄------- -对------ 綿 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- A7 B7___, 五、發明說明（12 ) 由Tosoh公司供應的Y T Z 5 3 W )。噴拋噴嘴與被濺鍍表 面間的距離爲1 5 〇 m m。噴拋處理的表面有1.6微米的表 面粗糙度（R a )，且其表面層中的雜質及氧化錫含量如 下： . 矽：2 0 ρ P m，鋁：小於3 0 P P m，及錆：小於 3 ◦ p p m。 氧化錫1 0.1 w t % 噴拋處理後的燒結體可製造濺鍍靶，例如，利用銦焊 劑將其連接於銅支持板。 案例2 將鋁板塗布5mm的厚度的氧化鋁粉，示於圖3 a及 3b中高效能形狀的I TO成型體（與案例1中使用的相 同）放置於已塗開的氧化鋁粉上，且I T ◦成型體被氧化 鋁粉所覆蓋，如圖2所示。將I T 0成型體以無壓力的燒 結法於1 5 5 0 °C燒結5小時，使燒結體的密度爲99.8% , 且尺寸爲 1 3 0mmx40 5mmx 1 0 . 5mm (厚度 )。被濺鍍的燒結體表面的表面厚度（R a)爲4.1微米， 且其表面層中的雜質及氧化錫含量如下： 石夕：2 0 p p m，銘：2 5 0 0 p p m，锆：小於 3 0 ρ p m。 氧化錫8。1 w t % 被濺鍍的表面以4 k g / c m 2的噴拋壓力被噴拋處理 ，噴拋時間爲2 4 0秒，利用矽化碳粉末組成的噴拋材料 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------}訂？ -----線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格αίο X 297公f ) -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（13 ) ，其粒子直徑屬於1 2 5至1 4 9微米的範圍內（由Fuji公 司供應的Fuji-alundum C-100)。噴拋噴嘴與被濺鍍表面間 的距離爲1 5 0 m m。經噴拋處理的表面有3.8微米的表面 粗糙度（Ra)，且其表面層中的雜質及氧化錫含量如下 矽：6〇p p m ,鋁：小於3〇P P m，及锆：小於_ 3 0 p p m。 氧化錫10.2 w t % 案例3 案例2中被噴拋處理的濺鍍靶再度被噴拋處理。亦即 ，被濺鍍的噴拋處理後的表面再以4 k g / c m 2的噴拋壓 力被噴拋處理，噴拋時間爲8 0秒，利用球形的氧化锆珠 組成的噴拋材料，氧化锆珠子的粒子直徑屬於2 5至 1 0 6微米的範圍內（由Tosoh公司供應的YTZ 5 3W) 。噴拋噴嘴與被濺鍍表面間的距離爲1 5 0 m m。噴拋處 理後的表面有2.2微米的表面粗糙度（R a )，且其表面層 中的雜質及氧化錫含量如下： 矽：2 0 P P m ,鋁：小於3〇p p m，及锆：小於 3 0 P P m ° 氧化錫1 〇. 1 w t % 案例4 案例2中被噴拋處理的濺鍍靶再度被噴拋處理。亦即 本纸張尺度適用令國國家標準（CNS)A'l規格（210x297公釐） .-(g . --I---------:-装------Ί -tr--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（14 ) ，被濺鍍的噴拋處理後的表面再以4 k g / c m 2的噴拋壓 力被噴拋處理，噴拋時間爲2 4 0秒，利用氧化鋁粉末組 成的噴拋材料，其粒子直徑屬於1 7 7至2 1 0微米的範 圍內（由Fuji&3.供應的Fuji-alundum WA-80 )。噴拋噴嘴 與被濺鍍表面間的距離爲1 5 0 m m。經噴拋處理的表面 有3.9微米的表面粗糙度（Ra),且其表面層中的雜質及 氧化錫含量如下： 砂：2 Ο ρ p m，鋁：小於1 2〇ρ p m，及銷：小 於 3 Ο ρ p m。 氧化錫1 0.0 w t % 案例5 案例4中被噴拋處理的濺鍍靶再度被噴拋處理。亦即 ，被濺鍍的經噴拋處理的表面再以4 k g/cm2的噴拋壓 力被噴拋處理，噴拋時間爲8 0秒，利用球形的氧化鉻珠 組成的噴拋材料，氧化锆珠的粒子直徑屬於2 5至1 〇 6 微米的範圍內（由Tosoh公司供應的Y T Z 5 3 W )。噴拋 噴嘴與被濺鍍表面間的距離爲1 5 〇 m m。噴拋處理的表 面有2.4微米的表面粗糙度（Ra)，且其表面層中的雜質 及氧化錫含量如下： 石夕：2 0 ρ p m，銘：小於3 0 P P m ,及銷：小於 3 0 P p m。 氧化錫1 0.1 w t % 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- II---,-------------}訂---------線' (請先閱讀.t面之注咅？事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明說明（15 ) 案例6 將氧化鋁粉以5 m m的厚度塗布於鋁板，平面狀的 I T 〇成型體（與例1中所使用的相同）放置於已塗開的 鋁粉上，如圖1所示。將I T 0成型體以無壓力的燒結法 於1 5 5 0 °C燒結5小時，使燒結體的密度爲99.5%，且尺 寸爲 13〇mmx405mmxl〇 . 5mm (厚度）。 被濺鍍的燒結體表面的表面粗糙度（R a )爲2.3微米，且 其表面層中的雜質及氧化錫含量如下： ΐ夕：2〇ppm，錦：760ppm,錯：小於30 ppm。 氧化錫7 . 5 w t % 被濺鍍的表面於4 k g/ c m2的噴拋壓力被噴拋處理 ，噴拋時間爲8 0秒，利用球形的氧化锆珠組成的噴拋材 料，氧化锆珠的粒子直徑屬於2 5至1 0 6微米的範圍內 (由Tosoh公司供應的Y T Z 5. 3 W )。噴拋噴嘴與被濺鍍 表面間的距離爲1 5 〇mm。噴拋處理的表面有1.8微米的 表面粗糙度（Ra)，且其表面層中的雜質及氧化錫含量 如下：. 石夕：2 0 ρ P m，銘：小於3 0 P P m，及結：小於 3 0 P P m ° 氧化錫：10.4w t % 案例7 與案例6相同方法燒結的I T 0燒結體，以# 4 〇 〇 I紙張尺度朋中關家標準(CNS)A4規格（210 X 297公楚）.18- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-111訂---------錄K 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16 ) 硏磨石以表面硏磨機處理，使燒結體的尺寸爲1 2 7 . ◦ m m X 4 0 0 .0 m m X 6 · 3 5 m m (厚度）。被濺鍍的燒 結體的表面粗糙度（R a )爲1.3微米（與硏磨方向平行的 方向測量），與1.7微米（與硏磨方向垂直的方向測量）， 且其表面層中的雜質及氧化錫含量如下： 石夕：2〇p p m ,.錦：小於3 0 p p m ,及銷：小於 3 0 p p m ° 氧化錫：1 0.2 w t _ % 被濺鏟的表面於4 k g/cm2的噴拋壓力被噴拋處理 ，噴拋時間爲8 0秒，利用球形的氧化锆珠組成的噴拋材 料，氧化锆珠的粒子直徑屬於2 5至1 0 6微米的範圍內 (由Tosoh公司供應的YTZ 5 3W)。噴拋噴嘴與被濺 鍍表面間的距離爲15Omm。噴拋處理的表面有1.6 微米的表面粗糙度（R a )(與硏磨方向平行及垂直的兩 個方向），且其表面層中的雜質及氧化錫含量如下： 5夕.：2 0 p p m ,銘.：小於3 ◦ P P m，及锆：小於 3 0 ρ p m。 .氧化錫10 · 4wt% 比較案例1 與案例2中相同方法燒結的I T 0燒結體被噴拋處理 。亦即，I T ◦燒結體的表面以4 k g / c m 2的噴拋壓力 被噴拋處理，噴拋時間爲8 0秒，利用氧化銘粉末組成的 噴拋材料，其粒子直徑屬於5 9 5至7 0 7微米的範圍內 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19 - ------I-----^------'丨訂---------線！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _B7_, 五、發明說明纟7 ) (由F u j i公司供應的F u j i - a 1 u n d u m W A - 3 0 )。噴拋噴嘴與被 _— - 濺鍍表面間的距離爲1 5 0 m m。經噴拋處理的表面有5.6 a R /IV 度 糙 粗 面 表 的 米 微 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '衣----------訂：---------線-3· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格αίο X 297公t ) -20-

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 料噴拋濺鍍 化鋁及矽化 1 0 至 5 0 噴拋壓力， 之範圍，以 2 .如 其中，該噴 3 .-面上有高出 面，該噴拋 散粉末，該 ，以1至1 表面之距離 鍍表面的雜 4 ·如 其中，該噴 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 材料爲由氧 徑屬於5 0 (2 ) 料爲球狀細 1 0 至 1 1 種濺鍍靶表面處理製程，該製程包含以噴拋材 靶被濺鍍表面，該噴拋材料爲選自氧化鉻、氧 碳之細微分散粉末，該粉末的粒子直徑屬於 0微米範圍內，以1至1〇公斤每平方公分之 噴嘴及被濺鍍表面之距離於5 0至3 0 〇 m m 除去污染被濺鍍表面的雜質。 申請專利範圍第1項的濺鍍靶表面處理製程， 拋材料爲球狀細微分散的氧化鉻粒子。 種濺鍍靶表面處理製程，該濺鍍靶被濺鍍的表 的部分，該製程包含以噴拋材料噴拋被濺鍍表 材料爲選自氧化锆、氧化鋁及矽化碳之細微分 粉末的粒子直徑屬於.1 0至5 0 0微米範圍內 0公斤每平方公分之噴拋壓f，噴嘴及被濺鍍 於5 0至3 0 0 m m之範圍，以徐去污染被濺 質。 申請專利範圍第3 ·項的濺鍍靶表面處理製程， 拋材料爲球狀細微分散的氧化锆粒子。 種濺鍍靶表面處理製程，其包含的步驟爲： 以噴拋材料噴拋濺鍍靶被濺鍍的表面，該噴拋 化鋁或矽化碳構成之細微分散粉末\其粒子直 至5 0 0微米範圍內；而後 再以噴拋材料噴拋已被噴拋的表面，該噴拋材 微分散之氧化鉻粒子，該粉末的粒子直徑屬於 0微米範圍內，以除去污染被濺鍍表面的雜質 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 我.11| 丨 — 1— 訂! I I 線』 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> -21 -

   六、申請專利範圍 料噴拋濺鍍 化鋁及矽化 1 0 至 5 0 噴拋壓力， 之範圍，以 2 .如 其中，該噴 3 .-面上有高出 面，該噴拋 散粉末，該 ，以1至1 表面之距離 鍍表面的雜 4 ·如 其中，該噴 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 材料爲由氧 徑屬於5 0 (2 ) 料爲球狀細 1 0 至 1 1 種濺鍍靶表面處理製程，該製程包含以噴拋材 靶被濺鍍表面，該噴拋材料爲選自氧化鉻、氧 碳之細微分散粉末，該粉末的粒子直徑屬於 0微米範圍內，以1至1〇公斤每平方公分之 噴嘴及被濺鍍表面之距離於5 0至3 0 〇 m m 除去污染被濺鍍表面的雜質。 申請專利範圍第1項的濺鍍靶表面處理製程， 拋材料爲球狀細微分散的氧化鉻粒子。 種濺鍍靶表面處理製程，該濺鍍靶被濺鍍的表 的部分，該製程包含以噴拋材料噴拋被濺鍍表 材料爲選自氧化锆、氧化鋁及矽化碳之細微分 粉末的粒子直徑屬於.1 0至5 0 0微米範圍內 0公斤每平方公分之噴拋壓f，噴嘴及被濺鍍 於5 0至3 0 0 m m之範圍，以徐去污染被濺 質。 申請專利範圍第3 ·項的濺鍍靶表面處理製程， 拋材料爲球狀細微分散的氧化锆粒子。 種濺鍍靶表面處理製程，其包含的步驟爲： 以噴拋材料噴拋濺鍍靶被濺鍍的表面，該噴拋 化鋁或矽化碳構成之細微分散粉末\其粒子直 至5 0 0微米範圍內；而後 再以噴拋材料噴拋已被噴拋的表面，該噴拋材 微分散之氧化鉻粒子，該粉末的粒子直徑屬於 0微米範圍內，以除去污染被濺鍍表面的雜質 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 我.11| 丨 — 1— 訂! I I 線』 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> -21 - ^81123 § . D8 ___ r、申請專利範圍 ， 其中，該噴拋係被執行於1至1〇公斤每平方公分之 噴拋壓力中，噴嘴與靶表面間之距離爲50至300mm 之範圍中。 6 ’·如申請專利範圍第5項的濺鍍靶表面處理製程， 其中，該濺鍍靶被濺鍍的表面上有高出的部分。 7 .如申請專利範圍第5項的濺鍍靶表面處理製程， 其中，使用於步驟（1 )中的該噴拋材料之粒子直徑的中 ··-.. ... 心値係大於使用於步驟（2 )中之噴拋材料的粒子直徑中 心値.。 . I I III — — — — — — — ^ - I I I I I i I-*-r«,J-_ — — — — — — 'ί'ΗίιΪΙ»-(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22 -