TW317571B - - Google Patents

Description

A7 317571 _B7_ 五、發明説明（/ ) 赶明背# 1. 發明領域 、 本發明係關於液晶材料及液晶顯示面板，特別，本發 明係關於包括含有三儸氰原子鍵結至其終端的液晶分子之 液晶材料，及使用該液晶材料的TN型液晶顯示面板。 2. 先前技術之說明 TN (扭向列性）型液晶顯示面板今日用於廣泛多種領 域。特別，所諝活性基鳢型液晶顯示面板，其中由TN型液 晶製造圖元直接藉活性元件例如薄膜電晶《 (TFT)操作者 ,具有與CRT可相媲美的顯示特性。因此廣泛用於液晶霣 視，値人電腦等。 又液晶顯示面板的待徽為功率消耗低，因此經常用於 攮帶型装置，如膝上型或筆記型餹人電腦，用於此種攜帶 型装置，需要儘置使液晶顯示面板的功率消耗低，以便延 長電池的作業時間。欲降低操作顳示面板所需電壓，來谋 足前述需求的一種手段，曾經多方面研究意臞達成此種目 的。 今曰已開發可使用低電壓操作的液晶材料；此種材料 為降低液晶顯示面板操作電壓的解決之道之一。 包括含有一或兩個氟原子（-F)或-OCF3基於其末端作 為極性基的分子作為主要成分之液晶材料，曾經用作低電 壓操作液晶材料。但使用此種液晶材料獲得的液晶顯示面 板需要約5V驅動電壓，當此種液晶顯示面板以電池操作時 ，短時間邸霈更換霄池。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} ---------水-- m- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -飞. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (1)

(3) /F F R —〈H〉— A ~(〇 >~F 317571 A7 B7 五、發明説明（l) 近來，欲獲得可使用低霣壓操作的液晶材料，_經將 組成液晶的分子末端極性基數目增加，獲得具有較高介霣 常數各向異性Δε之液晶分子付諸實用。此種液晶分子包 含有三値《原子鍵結至末端苯環的該等分子。可以如下結 檐式（1) , (2)及（3)表示：

(2) /F

R —〈 Η〉- A B —〈。S—F 其中R表示直鏈烷基，其中n為3, 4，5, 6或7, A 表示-CHaCH»-或未含-CHaCHa-之直接鍵（-),及B表示 -(：11*(：111«-或未含-(：1^(：11*-之直接鍵（-)。 例如，已知第1及2圖所示液晶材料I及I含有前述 分子。 第1圖所示液晶材料I為經由摻混結構式（1), (2)及 (3)表示之分子入習知液晶成分所得。第1圖所示成分（7) 至（10)相當於式（1), (2)及（3)分子。第2國所示液晶材 料I為含有結構式（1), (2)及（3)表示之分子作為主要成 分者。當液晶材料I或I實際用作液晶顯示面板材料時， 光學活性材料添加至第1或2圓所示液晶成分。但第1及 2圖所示wU值表示未含光學活性材料之液晶材料中之液 晶成分比例。 本紙張尺度逍用中國S家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） γ 裟------訂-------% (請先閲讀背面之注意ί項再填寫本I) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 經濟部中央橾準局員工消费合作杜印製 317571 A7 _B7___ 五、發明説明（j) 第1及2画所示兩種液晶材料具有介電常數各向異性 △ ε离，約為7至9,且可使用約3V之低電壓操作。 然而，迄今為止即使使用結構式（1), (2)及（3)表示 之任一種分子，也無法獲得可使用約2.5V之低轚壓操作的 液晶材料。例如，即使第2圖所示液晶材料具有介轚常數 各向異性Ae為8.7,也需要至少3V的操作電壓。 欲降低液晶顯示面板的功率消耗，約3V之電壓作為操 作液晶材料電壓不夠低，可使用低於3V電壓，例如約2.5V 或以下電睡操作的液晶材料乃今日所需。 · 其次，參照第11 (a)及11(b)圖説明於習知活性元件型 液晶顯示面板之圖元，及顯示面板之周邊構造。第11U) 画為顯示液晶面板圚元及匯流排線設置之平面圜，而第 11(b)圖為槪略沿第11 (a)圖之線I-Ι所取的播剖面圈。 如第11(a)及11(b)圖所示，由金羼如Cr生成的多根掃 描匯流排線14彼此以預定間隔分離設置於第一透明基板11 的第一平面上，而多根資料匯流排線19以預定間隔彼此遠 離，設置於掃描_流排線14上.經由绝緣薄膜（未顯示出） 而與線14交叉。資料匯流排線19像於掃描匯流排線14延伸 的另一方向垂直的方向延伸。 圖元霣極13設置於部分第一透明基板11上，而由各痼 掃描匯流排線14及各個資料匯流排線19園纗。各個圖元電 極13經由活性元件20接到資料匯流棑線19之一，而各艏活 性元件20僳由掃描匯流排線14之一施加的電壓引動。使用 薄膜霄晶體（TFT)或金靨-絶緣體-金羼（MIM)二極體作為活 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ.4.. 訂 -7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 性元件20。 播描匯流排線14,賫料匯流排線19,活性元件20及圜 元霄極13由第一排齊薄膜15A覆蓋。又於第二透明基板12 之第一平面上，透明電棰16及第二排齊薄膜15B以該種順 序排列。第一透明基板11及第二透明基板12係以第一排齊 薄膜15A面對第二排齊薄膜15B之條件設置，而液晶17«充 於第一排齊薄膜15A與二排齊薄膜15B間之區域。此外，極 化板18A設置於第一透明基板11的第二面上，及棰化板18B 設置於第二透明基板12的第二面上。 欲藉施加低電壓至顯示面板操作活性元件型液晶顯示 面板，曾經稹棰研究改良顯示面板。例如，顯示面板之研 究主要為改良液晶材料或延長液晶分子的光學活性節距。 然而，霖要另一型技術改良以及前述顯示面板之改良 ,侔便經由施加遠更低的電壓給顯示面板而操作顯示面板 發明槪沭 欲求解決前述習知液晶材料的問題而完成本發明。 因此，本發明之目的係提供一種可使用較低電壓操作 的液晶材料，及使用此種材料之液晶顯示面板。 本發明提供一種液晶材料，其包括結構式（1)表示之 化合物，結構式（1)和（2)表示之化合物，結構式（1)和（3) 表示之化合物，或結構式（1)，（2)和（3)表示之化合物， 其數量佔其中所含液晶成分總重之90X重量比或以上，但 结構式（1)表示之化合物重量傜占液晶成分缌重之60Χ或以 上： 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----------------.訂------1 0 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 317571 五、發明説明（ A7 B7 (1)

yF

、F (3)

,F

、F 其中R表示直鐽烷基，CnHanu其中n為3, 4, 5, 6或7,及 A和B表示-CHaCHa-或未含-CHaCH*-之直接鍵（_)。此外， 下示結構式（4)表示苯環及結構式（5)表示環己烷（C6Hs)。 (4) (5) <£>(Η)

In _11 ·Ιϋ nn 1^. —I n —^1· I m·— 錢- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 經由使用此種液晶材料，可獲得可以約2.5V之低電壓 操作的液晶顯示面板。 此種液晶材料與下列液晶材料比較··其中結構式（1) ,(2)及（3)表示之分子總重係占其中所含液晶成分總重之 90«重量比或以上，及其中結構式（1)表示之分子重量低於 液晶成分结重之60：C重量比。結果，發現介霣常數之各向 異性Δε幾乎相等。因此，考慮為何使用本發明降低霄壓 低限值並非來自於介電常數各向異性效果，反而來自於液 晶材料具有較低彈性模量。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局負工消费合作杜印製 A7 _B7_ 五、發明説明（） 又，雖然液晶之N-I (向列性-各向同性）轉變溫度通 常僳於75至ΙΙΟΌ之範圍，但前述本發明材料你於55至75 t之範圍。因此，考慮此種事實乃經由使用本發明材料裂 備的液晶顯示面板可使用2.5V或以下之較低電壓操作的原 因。 此外，實驗證實當前述本發明液晶材料之扭角由90° 增高時，操作電壓可進一步降低，於顯示面板通常為95至 110°的選定角度。 操作液晶顯示面板為何需要高電壓的另一個原因為： 最靠近液晶材料夾層表面的液晶分子無法立刻反應施加電 歷。經由將液晶分子扭角諝整至95至110度，可使極化器 的極化角與液晶分子的扭角不同，入射光將由液晶分子排 齊方向位移的方向進入。因此考盧利用前述手段可減少液 晶分子反應缓慢的影響。 本發明之其它目的經由考盧習知液晶裝置之缺黏，提 供操作罨壓可進一步降低之液晶顯示装置，及該裝置之製 法。 經由提供下述液晶顯示装置可達成其它目的，該種液 晶顯示装置包括：一種第一基板；一塊第二基板，第二基 板之第一表面面對第一基板之第一表面；一根掃描繞線介 於彼此面對面的第一基板與第二基板間，朝向掃描方向延 伸；一根資料繞線介於第一基板與第二基板間，朝向資料 方向延伸，但規定資料繞線於绝緣條件下與掃描繞線交叉 ;第一排齊薄膜設置於第一基板之第一表面上，第一排齊 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ----------γ装------訂------飞 'I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 317571 五、發明説明（） 薄膜之圖元區置於第一排齊薄膜的交叉部分，其中掃描繞 線交叉資料繞線，或位在第一排齊薄膜由掃描繞線及資料 繞線環繞部分内；第二排齊薄膜設置於第二基板的第一表 面上，第二排齊薄膜之圖元匾位在播描繞線交叉資料繞線 的第二排齊薄膜交叉部分，或位在第二捵齊薄膜由掃描繞 線和資料繞線琢繞的環繞匾内：及一塊液晶填充於第一排 齊薄膜與第二捵齊薄膜間，液晶之液晶分子設置於第一排 齊薄膜之第一表面上，或第二排齊薄膜之第一表面上，其 中置於第一排齊薄膜之圈元區，或置於第二排齊薄膜之圈 元區的液晶分子之定錨能低於置於第一或第二排齊薄膜的 圖元區以外其餘部分上之液晶分子之定錨能。 前述構造中，置於第一或第二排齊薄膜匾元區之液晶 分子之定錨能降低，而置於第一或第二排齊薄膜琛繞圖元 匾之其餘部分上的液晶分子之定錨能增高。因此，可容易 改變置於第一或第二排齊薄膜圖元區上的液晶分子狀態。 換言之，即使低霣壓施於掃描繞線，但置於第一或第二排 齊薄膜圖元區之液晶分子仍可快速升高，而可操作液晶顯 示裝置。 又，因置於第一或第二排齊薄膜的園繞圖元區之其餘 部分上的液晶分子狀態難以改變，即使於圖元區周圍産生 霄場，電場對於置於第一及第二排齊薄膜其餘部分的液晶 分子也無法産生不良影響，因此，置於第一或第二排齊薄 膜其它部分之液晶部分狀態不受電場的影響。因此，可防 止電場介於圖元區與掃描繞線間，或圖元區與資料嬈線間 本紙張尺度適用中國國家搮準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---------Y装------訂-------1 r - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 11 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明説明（） 産生的横組件引起産生缺陷圖元。 本發明目的也可經由下述液晶顯示裝置達成，該液晶 顯示裝置包括：一片第一基板；多根掃描鐃線設置於第一 基板的第一表面上，且彼此以預定間隔隔開；多根資料繞 線設置於第一基板的第一表面上，且彼此以預定間隔隔開 ，但規定資料繞線像於絶绨條件下以掃描繞線交叉；多個 圖元電極個別設置於第一基板之由掃描繞線之一和資料繞 線之一圍繞的部分上：多艏活性元件設置於第一基板的第 一表面上，於電壓信號施加於掃描線之例中，以一對一之 對應方式電聯接圖元電棰至資料繞線；第一排齊薄膜設置 於第一基板的第一表面上，圖元霣棰，掃描辅線和資料繞 線，第一排齊薄膜的多値圖元區位置恰在圖元電_上方， 第一排齊薄膜的多個非圖元區位在圖元霄極外侧，而圍繞 圖元霣極，置於第一排齊薄膜圖元區之液晶分子定錨能低 於位在第一排齊薄膜之非圖元區的液晶分子定錨能；第二 基板，其第一表面面對第一基板的第一表面；相反電極設 置於第二基板的第一表面上；第二排齊薄膜設置於相反電 極上；及液晶設置於第一排齊薄膜與第二排齊薄膜間，液 晶俗由多個液晶分子組成。 前述構造中，置於第一排齊薄禊之圔元區（設置於第 一基板之設置掃描繞線和資料搏線匾域）之液晶分子之定 錨能低於設置於第一排齊薄膜之非圖元區之液晶分子之定 錨能。因此，即使低電壓施加於掃錨繞線，液晶分子也加 速升高，而可操作液晶顯示装置。又，即使於第一排齊薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. -S* 12 經濟部中央棣準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（） 膜之非圖元區，由各繞線與各圖元踅極間之電位差引起的 電場強度強烈，對液晶分子也不會産生任何電場不良影鬱 。因此，可避免由於電場的横組件造成産生缺陷圖元。 又，較佳第一排齊薄膜之各個圖元區偽由一個中心區 和一傾環繞中心匾的周圔區組成，至於第一排齊薄膜周团 區上的液晶分子之定錨能高於置於第一排齊薄膜中心區上 的液晶分子定錨能。 雖然第一排齊薄膜之周圍區恰置於画元電極上，但有 某種情況，置於周圔區的液晶分子會受電場影鬱。此種情 況，置於周圍區的液晶分子定錨能升高。因此，可靠地防 止産生缺陷圖元。 本發明目的也可藉下述液晶裝置之製法提供，該種液 晶裝置之製造方法包括下列各步骤：於第一基板上形成第 一排齊薄膜；於第二基板之第一表面上形成第二排齊薄膜 ;界定第一排齊薄膜的圖元區；界定第二排齊薄膜的圖元 區；界定第一排齊薄膜圍繞第一排齊圖元區的非圖元區； 界定第二排齊薄膜臞繞第二排齊圖元匾的非圖元區；使用 摩擦布遵照反向摩擦摩擦第一或第二排齊薄膜的圖元匾， 其中摩擦布於第一或第二排齊薄膜的圖元匾之摩擦方向包 含一個方向組件傷與第一或第二排齊薄蹼相對於摩擦布移 動方向之方向相反；使用摩擦布遵照同向摩擦摩擦第一或 第二排齊薄膜的非匯元區，其中摩擦布於第一或第二排齊 薄膜之非圖元區摩擦方向包含與第一或第二排齊薄膜相對 於摩擦布移動方向之方向相同的方向組件；及填充液晶介 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 317571 at B7 五、發明説明（） 於第一與第二排齊薄膜間，但規定第一基板的第一表面面 對第二基板的第一表面及第二排齊薄膜的圈元區恰位在第 一排齊薄膜的圃元匾上方。 以下將説明抹齊薄膜之生成方法，該種排齊薄膜具有 液晶分子定錨能較低之一區，及液晶分子定錨能較离之另 —*區。 實驗上眾所周知，液晶之飽和能可經由改變排齊薄膜 材料或摩擦條件而改變。排齊薄膜材料無法任意選擇，其 原因為材料的選擇受到其待微與施加於顯示面板的操作霄 壓無朗之條件所限，如排齊薄膜的電壓保留性。因此，本 發明之發明人發現飽和電壓可藉著改變摩擦方向而改變， 故詳細檢測摩擦方向與飽和電壓改變間之閡僳。 經由檢澍結果，發明人發現液晶顯示面板透光率與操 作電壓間之蘭像随著排齊薄膜相掰於摩擦布之移動方向改 變，以及習知眾所周知的摩擦條件而改變，例如摩擦滾軸 與搛齊薄膜的推動程度，重複摩擦次數，基板移動速度及 摩擦滾軸搭接的摩擦滾軸轉速。亦邸，實驗確定排齊薄膜 遵照反向摩擦的定錨能增高，而排齊薄膜遵照同向摩擦的 定錨能降低。此《，反向摩擦定義為摩擦布於排齊薄膜上 摩擦方向包含與排齊薄膜相對於摩擦布移動方向之方向相 反的方向組件。同向摩擦定義為摩擦布於排齊薄膜上之摩 擦方向包含與排齊薄膜相對於摩擦布移動方向之方向相同 的方向組件。例如排齊薄膜經由移動已生成排齊薄膜的基 板而移動。 本紙张尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（21〇><297公釐） I---------- 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -14 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 當部分排齊薄膜遵照反向摩擦摩擦時，置於排齊薄膜 該部分上的液晶分子定錨能降低，及液晶分子之上升角變 化相對於施加霣壓之比增大。因此，液晶顯示面板可經由 比較習知顯示面板施加較低霣壓而操作。 然而，當揉齊薄膜的全部表面皆遵照反向摩擦摩擦時 ,置於排齊薄膜之非圖元區的液晶分子容易受掃描或資料 繞線之電位影蜜。因此，於排齊薄膜異常區的液晶分子升 高方向與位在排齊薄膜正常區之液晶分子升高方向不同。 前述製法中，第一或第二排齊之圖元匾俱遵照反向摩 擦而摩擦，第一或第二排齊之非圖元區偽遵照同向摩擦而 摩擦。因此，位在第一或第二排齊之非圖元區的液晶分子 定錨能增高，而可防止出現異常區。 較佳，圖元匾摩擦步琢包含將第一及第二排齊薄膜的 各圖元區分配成中心區和中心區周園的周邊匾，及遵照同 向摩擦摩擦第一或第二排齊薄膜的周圍區。又較佳，摩擦 圖元區之步驟包含將第一及第二排齊薄膜之各園元匾分配 成中心區及掃描繞線附近的周罌區，及遵照同向摩擦摩擦 第一或第二排齊薄膜之周圃區。 活性元件型液晶顯示装置中，圖元電極設置於第一或 第二基板上，而使國元電極恰位在第一或第二排齊薄膜的 圖元區下方，圖元電極與掃描或資料繞線間距，例如縮短 至10« m或以下，俥放大顯示面板的開放比。此種情況下 ,電場對位在第一或第二排齊薄膜圖元區上的液晶分子影 響增高，而位在中心區周圔的圖元匾或接近掃描繞線的液 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4规格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "装.

、1T 15 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 317571 A7 __B7_ 五、發明説明（） 晶分子朝向各個方向異常升髙。欲防止液晶分子的異常升 高，第一或第二排齊薄膜之周圍匾偽遵照同向摩擦摩擦， 液晶分子之定錨能增高。 又，本發明目的可藉下述製法達成，該種製造液晶顯 示裝置之方法包括下列步驟：於第一基板的第一表面上形 成掃描繞線或資料繞線，而使掃描繞線與資料徺線以绝緣 方式彼此交叉；於第一基板上形成第一排齊薄膜，而覆蓋 播描繞線及資料繞線；於第二基板之第一表面上形成第二 排齊薄膜；於第一基板之交叉區界定一值圔元電極，其中 掃描徺線交叉橫跨資料繞線，或位在第一基板之由掃描繞 線和資料繞線圍嬈的園繞區上；界定第一排齊薄膜國元區 恰位在圖元電極區上方，和第二排齊薄膜的圖元區恰位在 黼元電極區上方；摩擦蘭繞第一或第二排齊薄膜之圖元匾 的第一或第二排齊薄膜之非圖元匾；及將液晶«充於第一 及第二排齊薄膜間，但規定第一基板之第一表面面對第一 基板之第一表面，及第二排齊薄膜之圖元區恰位在圖元電 極區上方。 前述製法中，無需摩檫第一或第二排齊薄膜之圖元區 ，俥降低位在圖元區之液晶分子定錨能。第一或第二排齊 薄膜之非圖元區係遵照正常摩擦方向摩擦。 例如，較佳界定圖元區之步费[包含鞴射電磁波至第一 或第二排齊薄膜之圃元區，俥使位在圖元區上的液晶分子 朝向軸向取向。位在被輻射照射的圖元區上的液晶分子定 錨能降低。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---------H装-- r - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -16 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ____B7__ 五、發明説明（） 又，較佳形成第一排齊薄膜之步斑或形成第二排齊薄 膜之步琢包含形成南努爾-布拉葛（1^^^丨1-81〇<^61^)薄 膜作為第一或第二排齊薄膜。位在南努爾-布拉葛薄膜製 成的圖元區上的液晶分子定錨能降低。 又，較佳界定圖元區之步驟包含於第一或第二排齊薄 膜之圖元區上成形多道溝槽，俥使位在圃元匾的多値液晶 分子無霈摩擦邸可沿溝槽延伸方向取向。位在溝槽延伸方 向之匾元匿上的液晶分子定錨能降低。 又，較佳生成第二搛齊薄膜之步驟包含摩擦第二排齊 薄膜之整個表面。於活性元件型液晶顯示裝置中，圖元霣 極排列於位在第一基板上的圖元電極區。因為第二排齊薄 膜偽生成於未設置任何圖元電極的第二基板上，故任何電 場對位在第二排齊薄膜上的液晶分子皆不會産生強力影響 。因此邸使摩擦第二排齊薄膜的整個表面，例如遵照反向 摩擦也可避免産生缺陷圖元。 匾示之簡翬說明 第1圖為表，顯示習知液晶材料之組成； 第2匾為表，顯示另一種習知液晶材料之组成； 第3圃為樓剖面圖，顯示實例1所得之本發明第一具 醱例之液晶顯示面板之部件； 第4國為表，顯示實例1製備之本發明第一具體例之 液晶材料之組成； 第5_為圖表，顯示實例1所得本發明第一具臞例之 液晶顯示面板中施加電壓與相對透射率間之關傈； 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 17 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 第6圃為表，顥示用來與本發明之第一具匾例之液晶 材料比較的第一、第二、第三及第四習知液晶材料组成； 第7國為圚表，顯示經由使用第6圏所示之第一液晶 材料製造的液晶顯示面板之施加霄壓舆相對透射率間之蘭 僳； 第8圖為圖表，顯示經由使用第6園所示之第四液晶 材料製造的液晶顯示面板之施加霣壓與相對透射率間之两 傜； 第9圖為說明圖，顯示於實例2所得本發明之第一具 腰例之液晶顯示面板中，摩擦方向與棰化器光軸方向間之 相對阑傺； 第10圖為鼴表，顯示實例2所得本發明之第一具體例 之液晶顯示面板之施加霣壓與相對透射率間之鬭僳； 第11 (a)圖為平面圖；顯示液晶面板之圖元及匯流排 線之設置； 第11(b)圖為概略沿第11(a)圖之線I - I所取的横剖 面圖； 第12(a)及12(c)圖分別為說明圖，潁示於第二至第四 具腥例實施的同向摩擦； 第12(b)及12(d)圖分別為說明圃，顯示於第二具體例 實施的反向摩擦； 第13(a)圖為說明圖，顯示另一種同向摩擦，其中摩 擦滾軸係與透明基板移動方向傾斜配置； 第13(b)画為說明圖，顯示另一種反向摩擦，其中摩 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -----^-----叫装-- I·* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -18 - 317571 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（） 擦滾軸像與透明基板移動方向傾斜配置； 第14画顯示根據本發明之第二具醱例，遵照同向摩擦 或反向摩擦實施摩擦次數與飽和霣壓Vsat間之两僳； 第15匾顯示根據本發明之第二具體例，鉋和電饜Vsat 與交替實施同向摩擦及反向摩擦之摩擦次數間之蘭偽； 第16圖為液晶面板之平面圃，其中顯示根據第二具醱 例之第一實例，遵照同向摩擦之區域及遵照反向摩擦之其 它區域； 第17(a)及17(b)圖為横剖面臞，顯示摩擦方法，其中 部分排齊薄膜偽遵照反向摩擦，而其它排齊薄膜部分僳遵 照同向摩擦； 第18 (a)圖為液晶面板之平面圖，其中顯示根據第二 具體例之第二實例，遵照同向摩擦之區域及遵照反向摩擦 之其它區域； 第18(b)圖為液晶面板之平面匾，其中顯示根據第二 具體例之第五實例，遵照同向摩擦之區域及遵照反向摩擦 之其它區域； 第19圖為液晶面板之平面圖，其中顯示根據第三具體 例之遵照同向摩擦區，及藉電磁波輻射的其它區； 第20(a)匾為播剖面圖，顯示對第19圖所示液晶面板 實施的摩擦遇程； 第20(b)圖為横剖面圖，顯示對第19團所示液晶面板 輻射電磁波； 第21圈顥示根據第三具體例之圖元缺陷比R與前傾角 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衮- -* -19 - 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 0間之期係； 第22 (a)圔為液晶顯示面板之橫剖面圓，其中根據第 三具體例於第一排齊薄膜之画元匾生成多值溝槽； 第22(b)圖為液晶顯示面板之横剖面匾，其中根據第 三具臞例，使用LB薄膜作為第一排齊薄膜； 第23 (a*)圖為根據本發明之第四具匾例之簡單基體型 TH液晶顯示面板之平面圈；及 第23(b)圖為第23 (a)圔所示簡單基鼷型TN液晶顯示面 板之横剖面圖。 县餺例：>註細說明 現在參照附圖説明本發明之具匾例。 本發明之第一具《例之待撖為使用一種液晶材料，其 包括結構式（1)表示之化合物，結構式（1)和（2)表示之化 合物，結構式（1)和（3)表示之化合物，或結構式（1), (2) 和（3)表示之化合物，其數置傷占其中所含液晶成分缌重 的98¾重量比或以上，但結構式（1)表示之化合物重量傜占 液晶成分總重之60«或以上。 如前文定義，結構式（1), (2)及（3)表示之各値分子 含有3個氬原子鍵結在末绱的苯環。 欲進一步降低操作電壓，發明人進行實驗，將包括結 構式（1), (2)及（3)化合物作為主要成分（例如占其中所 含液晶成分之90¾重量比或以上）之待定液晶材料中所含 預定液晶成分材料比例改變。經由將結構式（1)成分比例 諝整至占各成分總重之60S：重量比或以上，操作液晶顯示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） ---------γ装------訂------飞 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 20 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五'發明説明（） 面板所需霣壓降至先前未營達到的低值。 以下考廉為操作電壓降低的原因： 若僅使用結構式（1), (2)及（3)分子作為液晶成分， 比較習知液晶材料其中結構式（1)分子比例低於60J；重置比 ，及本發明之液晶材料其中結構式（1)分子比例為60X重纛 比或以上。結果習知液晶材料和本發明液晶材料的介電常 數各向異性Δε幾乎相等。因此考嫌由於液晶成分之彈性 模量降低故，操作液晶成分所需霄壓降低。 〔實例1〕 製備含640X 400圖元之TFT驅動液晶顯示面板。此面 板之部分横剖面圖示於第3圖。 如第3圖所示，TFT 2,排流匯流排線3,透明圜元 電極4,及閘匯流排線（未顯示出）設於第1透明基板1 上。第一排齊薄膜5至少於透明圔元電極4上方生成。 TFT 2例如具有交錯型結構；具有來源霣棰2S接到画元霣 棰4,排流電極2d接到排流匯流排線3,操作半導匾層2a 接到部分來源®極2s和接到部分排流電極2d,及設於閘絶 線層2b上的閘電掻2s,生成於活性半導體靥2a上。又第一 極化器6設於第一透明基板上之9一面上。第二透明基板 7上以下述順序設有透明共通霣極8和第二排齊薄膜9。 第二透明基板7面對第一透明基板1而第一排齊薄瞑5與 第二排齊薄膜9面面相對。 第一和第二透明基板1， 7為玻璃，石英等製。 介於第一和第二排齊薄膜5， 9間之間隙饋入具有第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .表. 訂 經濟部中央橾準局身工消費合作社印装 A7 _ B7 _ 五、發明説明（） 4圈所示組成的液晶材料11。所用液晶材料之H-I轉變溫 度為5910。本例中，使用多型液晶分子俾控制溫度待定。 第4圖和第6圖（容後詳述）中，液晶分子①和②》 應於結構式（1)表示之分子，液晶分子③至®對應於結構 式（2)表示之分子，及液晶分子⑨對騾於結構式（3)表示之 分子。 光學活性材料又摻混於液晶材料。光學活性材料諝整 至液晶分子角度以約90°角改變為螺形，而節距約90撤米 。添加的光學活性材料置約占液晶材料之0.15J{重量比。 具有前述结構之液晶顯示面板通常為白型。檢視此種 顥示面板之施加電壓舆相對透射率間之两偽。結果獲得第 5圖所示待激曲線。施加電壓表示麵元電棰4與共通電極 8間之霣饜，相對透射率定義為當施加霣壓為0V,透射光 數量設定為100«之條件下所取的透射率。當相對透射率為 U時的電壓稱為飽和電壓Vsat,使用本例液晶材料製造的 液晶顯示面板之飽和電壓VSi^為2.46V,低於2.5V,但降 低程度小，發現飽和電壓Vsat定義為可達到200對比度之 電壓。 它方面如第6圖所示製備第6圍所示製備4類液晶材 料各含少於60S；重量比結構式（1)分子。各種材料饋至第3 匯所示之第一舆第二基板1 , 7間，並測量飽和電壓Vsat 。發現第6圖所示材料（1)至（4)各別的光學活性節距約為 90徹米。 實驗结果如下：材料（1)之飽和霣壓Vsatg2.73V,材 本纸張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ---------γ装------訂------1 (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 22 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A 7 __B7 ___ 五、發明説明（） 料（2)為2.71V,材料（3)為2.63V,及材料（4)為2.61V。 供參考用，使用液晶材料（1)所得施加電壓與相對透 射率間之關像，及使用液晶材料（4)所得閘偽示於第7及 8圖。 由前述實驗結果顯然易知，當结構式（1)分子比例低 於60«重量比時，飽和電壓Vsat落至2.6至2.8V之範圔而無 法逹成所需2.5V低電壓。相反地當結構式（1)分子比例為 60X重量比或以上時，可成功地達到2.5V或以下的V*at。 本實例使用具有N-I轉變溫度為591：之第4圖所示液 晶材料。供參考用，經由改變結構式（1), (2)及（3)分子 比例製備的具有N-I轉受溫度55至57C之液晶材料也進行 飽和電壓測定。結果發現任一種材料的飽和電壓皆未 超過2.5V。此種事實的原因為隨著N-I轉變溫度的降低， 液晶材料具有降低彈性模量，結果達成降低飽和電壓。 〔實例2〕 本例也製備如第3圈所示相同結構的TFT-操作型液晶 顯示面板，但摩擦第一排齊薄膜5之方向及第二排齊薄膜 9之方向與實例1不同；排齊薄膜之摩擦方向為扭角1〇〇° 。饋至第一及第二排齊薄膜5, 9間之液晶材料11也與實 例1所用相同，示於第4圖。 當扭角更寬時，容易生成負向扭曲。欲防止負向扭曲 ,經由控制添加至液晶材料的光學活性材料數量而將光學 節距調整至約60微米。 欲確保充分對比度，分別設在第一及第二基板1, 7 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ------------ 一装—— '* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,?τ .飞 23 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 上的極化器6, 10排列成極化方向彼此成直角。摩擦第一 排齊薄膜5及摩擦第二排齊薄膜9之方向夾角100° ,因 此各極化器之極化方向固定，如第9圖所示。換言之，摩 擦設在第一排齊薄膜5之方向由極化器6之方向相對位移 5° :摩擦設於第二基板7上的第二排齊薄膜9之方向由 極化器10之棰化方向相對位移5β。随後檢視施加電壓與 相對透射率間之關像。 結果獲得第10圖所示待擻曲線，發現飽和霣隳 2.25V,低於實例1飽和電壓Vsat。考廉此種結果的主要 原理為： 為何操作液晶顯示面板痛要高電壓的原因之一為位在 最靠近液晶材料之夾層的第一及第二排齊薄膜5, 9之液 晶分子，即使當施加電壓時其傾角也無法立刻改變。液晶 分子的扭角調整至95至110° ,同時成對極化器6, 10之 極化軸相對角度固定成與液晶分子扭角不同值。藉此方式 入射光由液晶分子排齊方向位移的方向進入液晶顯示面板 。結果可滅少液晶分子反應延羥的彩韉。 經由使扭角寬到95至110°,飽和電壓變成低於2.5V, 使用2.5V操作的電壓邊際變更寬。 其次說明根據本發明之第二具體例之液晶顯示面板。 由於介於習知活性元件型液晶顯示面板與根據第二具匾例 之液晶顯示面體之面板間並無任何構造差異，僅有對齊薄 膜差界，故主要説明根據第二具體例之對齊薄膜及對對齊 薄膜的對齊處理。 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 24 經濟部中央揉準局員工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（） 如第11(a)及11(b)圖所示，於根據第二具體例之液晶 顯示面板中，由金厪如Cr生成的多健播描匯流排線（或掃 描線）14以第一規則間隔於第一透明基板11之第一平面上 隔開，而多根資料匯流排線（或資料繞線）19以第二規則 間隔於掃描匯流排線14上互相隔開通過绝緣膜（未顯示出 )而與線14交叉。資料匯流排線19之延伸方向與掃描匯流 排線14之另一延伸方向垂直。 各個圖元電極13排列於部分第一透明基板11上，由掃 描匯流排線14之一及資料匯流排線19之一圍徺。因此圖元 電極13以矩陣形排列。各値圖元電極13經由活性元件20接 到資料匯流排線19之一，而各儸活性元件20傜藉掃描匯流 排線14之一施加的電壓操作。薄膜電晶黼（TFT)或金靥-绝 緣層-金屬（MIM)二極體用作活性元件20。以使用TFT為例 ，掃描匯流排線14偶而稱為閘匯流排線，資料匯流排線19 偁而稱為排流匯流排線。 播描匯流排線14,資料匯流排線19,活性元件20和匯 元電極13由第一排齊薄腠25A覆蓋。如第12(a)至第12(d) 圖所示，第一排齊薄膜25A表面使用摩擦棍21摩擦，故對 第一排齊薄膜25A進行排齊處理。詳言之，第一排齊薄膜 25A表面使用絲或嫘縈製摩擦布21a接在摩擦棍21表面摩擦 。第一排齊薄膜25A經摩擦而使位在薄膜25A上的多數液晶 分子主軸朝向相同軸向定量。 又於第二透明基板12之第一平面上相反電檯（或透明 電極）16和第二排齊薄膜25B依次排列。此種例中，適合 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） _^ϋ- m· ei i t^n n In ml nn —a^i n^i i -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 25 317571 經濟部中央標準局貝工消費合作社印褽 A 7 B7 五、發明説明（） 濾色鏡額外設置於第二25B排齊薄膜和第二透明基板12間 。第二排齊薄膜25B表面以摩擦棍21之摩擦布21a摩擦，故 對第二排齊薄膜25B進行另一次排齊處理。 第一透明基板11和第二透明基板12之設置條件為第一 排齊薄膜25A之摩擦面面對第二排齊薄膜25B之摩擦面，及 液晶17缜充於第一排齊薄膜25A與第二排齊薄膜25B間之區 域。因此，液晶17接觸第一和第二排齊薄膜25A和25B之摩 擦面。此外，極化板18A設置於第一透明基板11之第二面 上，及極化板18設置於第二透明基板12之第二面上。 根據第二具體例之液晶顯示面板製法簡單說明如下。 未經摩擦的第一排齊薄膜25A生成於第一透明基板11 上，及未經摩擦的第二排齊薄膜25B生成於第二透明基板 11上。隨後，第一和第二排齊薄膜25A和25B之表面經摩擦 ,第一和第二排齊薄膜25A和25B之設置條件為薄膜25A及 25B之摩擦面彼此面面相對，及液晶17谓充於第一及第二 排齊薄膜25A及25B間之區域。 其次，參照第12(a)至12(d)圃之説明對第一排齊薄膜 25A進行排齊處理及對第二排齊薄膜25B進行的排齊處理。 因為薄膜25A及25B傷根據與習知摩擦方法不同的方法摩擦 ，故發明人確定根據第二具體例之液晶頚示面板可藉施加 比顯示面板更低的電壓而操作。 第12 (a)及12(b)圖顯示根據本發明之第二具醱例之第 —摩擦方法及第12 (a)及12(b)圖額示根據本發明之第二具 體例之第二摩擦方法。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） ---------γ装------訂------飞 .·* (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 26 A7 B7 五、發明説明（） 如第12(a)至12(d)画所示，以摩擦第一排齊薄膜25A 為例，於第一透明基板（或玻璃基板）11上方生成的第一 排齊基板25A置於臺22上，且接上附有嫘縈製摩擦布21a的 摩擦棍21。成形為筒形的摩擦幄21具有接近15 cm直徑， 蠆22移動速度等於第一透明基板11之移動速度約為11 bb/ sec。又於摩擦棍21移動而非臺22移動之例中，摩擦锟21 之移動速率約為數十BB/sec。 當第一或第二排齊薄膜25A或25B摩擦時，摩擦锟21利 用驅動機（未顯示出）以每分鐘數百轉的高速旋轉，而第 —或第二排齊薄膜25A或25B表面使用摩檫布21a摩擦。此 種情況下有兩型摩擦方法。 第一型摩擦方法如第12(a)及12(b)圖所示，摩擦钃21 位於臺22上移動反而位在摩擦绲21下方的蠆22移動而摩擦 第一或第二排齊薄膜25A或25B表面。第一摩擦方法中，透 明基板11或12及排齊薄膜25A或25B之移動方向與蠆22相同 Ο 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ----------^ ^-- - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、tT 第12(a)圖所示摩擦輥21之旋轉方向RD設定為排齊薄 膜25A及25B表面摩擦锟21a之摩擦方向SR吻合透明基板11 或12之移動方向DD。由摩擦棍21之旋轉方向RD於排齊薄膜 25A或25B上固定的摩擦锟21之摩擦方向SR吻合臺22之移動 方向DD (或透明基板11或12之移動方向DD)之摩擦條件（ 或方法）於本說明書稱為同向摩擦。 相反地，第12(b)圖所示摩擦棍21a之摩擦方向RD設定 為摩擦棍21a於排齊薄膜25A或25B上之摩擦方向與透明基 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 27 - 27 317571 A7 _B7_ 五、發明説明（） 板11或12之移動方向DD反向。由摩擦锟21之旋轉方向RD於 排齊薄膜25A或25B表面設定的摩擦棍21的摩檫方向SR傜舆 臺22之移動方向DD (或透明基板11或12之移動方向DD)反 向的摩擦條件（或方法）於本說明書稱為反向摩擦。 第二摩擦方法如第12(c)及12(d)所示，蠆22未移動反 而摩擦棍21於臺22上以移動方向HD移動，同時旋轉於排齊 薄膜25A或25B表面上的摩擦錕21。 第12(c)圖所示摩擦辊21之旋轉方向RD設定為，使排 齊薄膜25A或25B表面上的摩擦棍21a之摩擦方向SR與摩擦 鐳21之移動方向HD反向。第12(c)圖所示摩擦條件為同向 摩擦，因為摩擦钃21與塞22之相對摩檫關係僳與第12(a) 圖所示相同。 相反地，第12(d)圖所示摩擦棍21之旋轉方向RD設定 為，使摩擦绲21a於排齊薄膜25A與25B上之表面摩擦方向 SR吻合摩擦棍21之移動方向HD。第12(d)圖示摩擦條件為 反向摩擦，其原因為摩擦棍21與平臺22間之相對移動關傺 與第12(b)圖所示相同。 第12(a)至12(d)圖中，摩擦棍21與臺22間之相對移動 方向係垂直摩擦輥21之轉軸。然而，第二具醴例非僅限於 第12(a)至12(d)圖所示摩擦方法。換言之如第13(d)及13(b) 圖所示，即使摩擦棍21與平臺22間之相對移動方向非垂直 摩擦锟21的轉軸，也判定摩擦條件為同向摩擦或反向摩擦 0 詳言之，如第13(a)圖所示，於摩擦棍21旋轉設定摩 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^ -- •· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印裝 28 A7 B7 五、發明説明（） 擦輥21a於排齊薄膜25A或25B表面上之摩擦方向SR包含與 平驀22移動方向相同方向成分之例中，摩擦條件判定為同 向摩擦。又如第13(b)圖所示於由摩擦輥21旋轉設定的摩 擦棍21a於排齊薄膜25A或25B之表面上之摩擦方向SR包含 與臺22移動方向反向的方向成分之例中，摩擦條件判定為 反向摩擦。 本發明之發明人檢視相反霣極16與圚元電極13之電位 差，與具有第一排齊薄膜25A根據同向摩擦而摩擦的第一 篏晶面板及具有第一排齊薄膜25A根據反向摩擦而摩擦的 第二液晶面板之透光率間之關僳。結果發明人發現施加於 掃描匯流排線14之電壓飽和值（後文稱為飽和電壓）表示 透光率飽和之電壓值，其中排齊薄膜根據同向摩擦之第一 液晶面板與排齊薄膜根據反向摩擦而摩檫的第二液晶面板 不同。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實驗結果指示根據同向摩擦之第一液晶面板與根據反 向摩擦之第二液晶面板間之飽和霣壓差。飽和霣壓Vsat定 義為透光率為1¾之電壓值，當任何霣壓皆未施加於液晶面 板（正常白顯示器）之掃描匯流排線14時透光率設定為 100»。第14圖顯示經由檢視摩擦操作次數與第一和第二液 晶顯示面板之飽和電壓Vs 間之鼸係所得寶驗結果。此例 中，商品定名為“AL1054” （日本合成橡膠公司製造）之 聚醯亞胺用作第一和第二排齊薄膜25A和25B材料。又第一 和第二液晶顯示面板之構造與第11圖所示根據第二具體例 之液晶潁示面板相同。又液晶17包含氣（F)作為極性基， 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 29 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 液晶於主軸方向之介電常數£*為12.5,液晶於次要軸方 向之介電常數ε »為3.8。 如第14圈所示，具有第一排齊薄膜25Α根據同向摩擦 而摩擦的第一液晶顯示面板中飽和霣壓平均約3.IV。相反 地具有第一排齊薄膜25Α根據反向摩擦而摩擦的第二液晶 顯示面板中飽和電壓Vsat平均約2.7V,且比第一液晶顯示 面板低約0.4V。因此確定根據反向摩擦之顯示面板之飽和 霣壓Vsat,比根據同向摩瘵之顯示面板更低。 欲了解飽和電壓之Vs at之差異原因，測定單位施加任 何電壓時恰位在排齊薄膜25 A或25B摩擦面上的液晶分子傾 斜角差異，換言之，所諝的前傾角差異。然而，根據反向 摩擦之第二顯示面板中，液晶分子前傾角幾乎等於根據同 向摩擦之第一顯示面板。 因此檢視介於位在根據同向摩擦之第一顙示面板上之 液晶分子定錨能與位在根據反向摩擦之第二顯示面板上之 液晶分子定錨能間之差。第二液晶顯示面板（反向摩擦） 之定錨能約為10 —4 J/ma,第一液晶顔示面板（同向摩擦 )之定錨能約為10—3 J/na。因此確定介於第二液晶顯示 面板（反向摩擦）與第一液晶顯示面板（同向摩擦）間之 定錨能有一個指數差異。此種情況下，定錨能之测量僳利 用 WH. Yokoyama et al., J. AppI. Phys. 61(9), 1 May 1937, pp.45(H-4518” .掲示之方法測置。 因此，於排齊薄膜25A或25B根據同向摩擦之例中，位 在排齊薄膜25A或25B上之液晶分子定錨能變高，而當電壓 本紙張尺度適用中國國家橾牟（CNS ) A4規格（210X297公嫠） ---------f袁------訂------飞 I- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 30 經濟部中央橾準局負工消費合作杜印«. A7 _B7_ 五、發明説明（） 施於排齊薄膜25A或25B時，位在排齊薄膜25A或25B摩擦面 附近的液晶分子缓慢升高。結果於根據同向摩擦之第一顯 示面板上的飽和能變高。 又，對排齊薄膜25A或25B交替實施同向摩擦或反向摩 擦，俥重複摩擦排齊薄膜25A或25B,檢視何種摩擦條件會 影響排齊薄膜25A或25B。檢視結果獲得摩擦次數舆飽和電 壓Vsat間之鼷係示於第15圖。 如第15圖所示，首先施行反向摩擦，並依次施行同向 摩擦，反向摩擦，同向摩擦及反向摩擦。換言之，以奇數 次施行的摩擦條件為反向摩擦，而以偶數次施行的摩擦條 件為同向摩擦。每次摩擦條件改變時飽和霣壓卩***改變。 經由比較笫14及15圖，奇數次重複摩擦之鉋和電壓Vsat 幾乎等於第14圖所示之反向摩擦，而偶數次重後摩擦之飽 和電壓Vsat幾乎等於第14圖所示之同向摩擦。因此，確定 顯示面板之飽和電壓Vsat傷由最後對排齊薄膜25A或25B所 施的摩擦條件決定。因此僅考盧最終實施的摩擦作業卽可 判定對排齊薄膜25A或25B施行的同向摩擦或反向摩擦。 如前述，欲經由對顯示面板施加低電壓而操作液晶顯 示面板，經由最終施行反向摩擦可有效使排齊薄膜25A或 25B之定錨能變小並改良液晶材料。 然而，以對排齊薄膜整個表面實施反向摩擦為例，有 一種情況為位在液晶顯示面板圖元電極13周園部分附近的 液晶分子排列不整齊。例如以活性裝置型液晶顯示面板為 例，由於高的負電壓分別施加於設置於成對画元電極13間 本紙法尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4C格（210X297公釐） ---------γ装------訂------1 ~- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 31 317571 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（） 的掃描匯流排線13,故各根掃描匯排線舆各但圈元電棰13 間出現電位差，及對各根掃描匯流排線13産生電場E。霣 場E具有與搛齊薄膜25A平行的成分（參見第11(b)圖）。 因此，第一排齊薄膜25A上各値液晶分子的前傾角變過大 或過小的待定區域由於産生電場E故，恰在各根掃描匯流 排線14周綠部分上方局部産生。由於各俚特定區之飽和霣 壓Vsat與其它區域之飽和電壓不同，故影像顯示於受干援 條件的活性液晶型顯示面板上，活性装置型液晶顯示面板 無法藉施加低電壓操作。 欲解決前述問題，如第16圖所示，第一抹齊薄膜25A 設置於圖元區13A之部分根據反向摩擦而摩擦，第一排齊 薄膜25A之位在圔元區13A之外側的其它部分根據同向摩擦 而摩擦。各個圖元匾13A定義為恰位在圖元電極13之一上 方的_域。第16圖中有點虛線圍繞的各個陰影區表示圖元 區13A之一。 因此，恰位在圈元13上方之第一排齊薄膜25A部分之 定錨能變小，非位在圈元電極13而位在匯流排線U及19附 近的第一排齊薄膜25A其它部分之定錨能變大，因此可避 免産生待異區。以相同方式，恰位在圖元電極上方的第二 排齊薄膜25B部分根據反向摩擦而摩擦，非位在圖元電棰 上方的第二排齊薄膜25B的其它部分根據同向摩檫而摩擦 〇 . 如此，由於位在匯流排線14及19附近而非位在任何圖 元區13A之排齊薄膜25A及25B部分之定錨能變大，故位在 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） 經濟部中央搮準局貝工消費合作社印製 S17571_^_ 五、發明説明（） 匯流排線14及15附近的液晶分子不受霣場£影響，而液晶 分子可靠地朝向同向取向且可靠地具有相同前傾角。 本具體例中，第二排齊薄膜25B以第一排齊薄膜25A之 相同方式，根據反向摩擦及同向摩擦而摩擦。然而，因為 電場E對第二排齊薄膜25B之影響小，故第二排齊薄膜之全 體表面適合根據反向摩擦而摩擦。 部分搛齊薄膜25A及25B根據反向摩擦而其餘部分根據 崗向摩檫之摩擦方法將參照第17(a)及17(b)圖說明如下。 如第17(a)圖所示，恰位在圖元霄棰13上方的第一排 齊薄膜25A之部分覆蓋多値光阻軍23,第一排齊薄膜25A 之其它部分未覆蓋第一光阻軍23根據同向摩擦而摩擦，移 開第一光阻軍23。隨後如第17(a)圖所示，第一排齊薄膜 25A之其它部分以第二光阻罩24覆蓋，各光阻罩具有多傾 恰位在圖元電棰13上方的多値窗24A,第一排齊薄膜25A之 其它部分通過窗24A根據反向摩擦而摩擦，移開第二光阻 罩24。因此，於第一搛齊薄膜25A表面上生成與反向摩擦 相關的多値第一摩擦匾及與同向摩擦相蘭的多傭第二摩擦 區。 其次詳細説明根據前述技術纗造的多値液晶顯示面板 實例。 〔第一實例〕 如第11(a)及16疆所示，使用第一透明基板11,基板 上多値圔元電極13以正向及反向排列而生成多値600 X 400 圖元，及製造正常白色模式液晶顯示面板，其樓剖面構造 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -* -33 - 經濟部中央標準局貞工消費合作社印装 317571 A7 __________B7_ 五、發明説明（） 示於第11(b)圃。此例中，TFT用作各個活性元件20。 各個圖元電極13之大小約15〇xi5〇wma,及·元電極 13與掃描匯流排線14 (或資料匯流排線19)間之間距約10 «ιη。至於液晶17材料使用端部含氟（F)之液晶。聚酵亞胺 (商品名WAL1054”，日本合成橡膳公司製造）用作第一 及第二排齊薄膜25A及25B。第一及第二排齊薄膜25A及25B 像經由將聚醯亞胺僳經由將聚酵亞胺熔纺於第一及第二透 明基板11及12上生産。 對位在含TFT 20之第一透明基板11上的第一排齊薄膜 25A之摩擦作業實施如下。 摩擦作業係根據第12(a)及12(b)圏所示方法實施，使 用表面上覆蓋有嫘縈布21a之摩擦棍21。至於摩擦作業條 件，嫘縈布21a與第一排齊薄膜25A之推送度設定為0.3nn ，重複摩擦作業次數設定為5,第一透明基板11之移動速 度設定為350 mm/sec,及摩擦锟21之轉速設定為300 rpn 。因此，第一排齊薄膜25A之圖元區13A之部分根據第12(b) 圖所示反向摩擦重複摩擦5次，及第一排齊薄膜25A之非 位在圓元區13A之其它部分根據第12(a)圖所示同向摩擦重 複摩擦5次。 又對位在未設置TFT之第二透明基板12上的第二排齊 薄膜25B以相同條件實施摩擦作業。恰位在圖元霄極13上 方的第二排齊薄膜25B部分遘照第12(b)圖所示反向摩擦反 覆摩擦5次，非位在圖元霣極13上方之第二排齊薄膜25B 其它部分根據第12(b)圔所示同向摩檫反覆摩擦5次。 本紙張尺度適用中國國家揉隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -β -34 - 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 317571 at B7 五、發明説明（） 随後，檢査如第一例製造之液晶顯示面板之飽和電壓 Vsat。又檢査顙示面板之画元缺陷比R。^恰位在鼸元（ 或圏元電極13)上方或位在圏元附近的一或多値液晶分子 於排齊薄膜25A或25B異常升高爲例，判定圖元為缺陷。第 一實例之檢査結果示於表1。 表1中，於液晶顯示面板正常白色棋式之飽和電壓Vsat 定義為透光率為U之電壓，規定當圖元霄極13與相對霣極 16間之«位差為0時，透光率設定爲100¾。又缺陷比R係以 500圖元中判定爲缺陷的圖元數目表示。 又具有第一排齊薄膜25A之全部表面根據同向摩擦而 摩擦的第一液晶顯示面板（未顯示出）製造作爲第一比較 樣品，而具有第一排齊薄膜25A之全部表面係根據反向摩 擦而摩擦的第二液晶顯示面板（未顯示出）製造作為第二 比較樣品。随後對第一和第二液晶顯示面板檢査飽和霣壓 Vsat和圓元缺陷比R。對第一和第二比較樣品檢査结果也 示於表1。第一和第二液晶顯示面板之構造係與第一實例 之液晶顯示面板相同，但第一排齊薄膜25A之摩擦方向除 外。 表 1 第一實例 第一比較樣品 第二比較樣品 V s a t 2.75V 3. 16V 2.72V R 0 0 120 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X 297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裟· 訂 35 317571 A7 B7_____ 五、發明説明（） 如表1顯然易知於第一液晶顯示面板（第一比較樣品 )之例中，雖然圍元缺陷比R為0,但飽和霉壓Vsat未降低 。又於第二液晶顳示面板（第二比較樣品）之例中，雖然 飽和電歷Vsat降低，但疆元缺陷比R高。相反地，以製造 作為第一實例之液晶顯示面板為例，圖元缺陷比R為0,而 飽和電壓Vsat降低。因此，於根據第二具腰例的液晶顯示 面板可獲得飽和電壓Vsat藉反向摩檫降低之優黏及液晶分 子取向藉同向摩擦安定化之另一優黏。 〔第二實例〕 製造作為第一實例之液晶顯示面板中各傾团元霣極13 (或圜元）與各條匯流排線14及19間於第二實例缩短為 5« π。此種情況下，圖元缺陷比非期望地升高至約250。 因此如第18 (a)圖所示，位在由圖元區13A邊線至距離 圖元區13A之邊線向内10/i b的内侧線之範圍的各個黼元區 13A之周圍部分定義為第一排齊薄膜25A之框形區13B，位 在框形區13B内倒的各値圖元區13A中心部分定義為苐一排 齊薄膜25A之内侧匾13C。第一排齊薄膜25A之内個[區13C以 第18(a)圖所示陰影部分。第一拌齊薄膜25A之框形區13B 根據同向摩擦；而第一排齊薄膜25A之非位在圃元霣棰13 上方之其餘部分及第一排齊薄膜25A之内側匾13C根據反向 摩擦選擇性摩擦。以相同方式，界定第二排齊薄膜之内側 區，此内側區比較恰位在圖元電極13上方之第二排齊薄膜 25B更窄，界定圍繞第二排齊薄膜25B内側之第二排齊薄膜 25B之框形區，第二排齊薄膜25B之框形匾與第二拂齊薄膜 本紙張尺度適用争國國家標準（匚奶）入4規格（210、乂297公釐） H' nn ^^^1 II —1 ^^ι_· In 1 tn In、一sh -^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 36 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製 317571 A7 ___B7_ 五、發明説明（） 25B之非位在圖元霣極13上方之其餘部分根據同向摩擦而 摩擦，而第二排齊薄膜25B之内侧區根據反向摩擦而選擇 性摩擦。結果製造液晶顯示面板作為第二實例。 第二例之圔元缺陷比1?降至0。此例中飽和電壓為 2.8V。缺陷比R降低理由如下。 當位在匯流排線14及19附近的第一排齊薄膜25A框形 區之定錨能大時，變成難以改變位在第一排齊薄膜25A框 形區13B之液晶分子的前傾角，但由匯流排線14和19引起 的電場E會影響液晶分子。因此，液晶分子主軸取向不受 電場E干擾。 〔第三實例〕 製造作為第一實例之液晶顯示面板中各艟圖元電極13 (或層元）與各條匯流排線14及19間之間距於第三實例缩 短為8wm。此例中，圖元缺陷比R增至約60。 因此，位在設置有TFT 20的第一透明基板11上的第一 排齊薄膜25A偽以第二實例之相同方式根據同相摩擦和反 向摩擦而摩擦。相反地，位在未設置任何TFT之第二透明 基板12上方的第二排齊薄膜25B之全部表面根據反向摩擦 而摩擦。結果作為液晶顯示面板作為第三實例。 第三實例之圏元缺陷比R降至0。此例中飽和電歷Vsat 為2.8V。缺陷比R降低之理由由臑元電極13與匯流排線14 及19之電位差引起的霣場E強度於第二排齊薄膜25B表面降 低之故。 〔第四實例] 本紙張尺度逋用中國國家搮準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 37 317571 A7 B7 五、發明説明（） 製迪作為第一實例之液晶顯示面板與製造作為第四實 例之液晶顯示面板間之差異為第四例之摩擦次數改變。 換言之，將第一和第二排齊薄膜25A和25B之反向摩擦 部分重複摩擦兩次，而對第一和第二排齊薄膜25A及25B之 其它部份根據同向摩擦重後摩擦5次。此種情況下，其它 摩擦條件如嫘縈布21a與排齊薄膜25A與25B之推送程度， 透明基板11及12之移動速度及摩擦棍21之轉速傈與第一實 例相同。結果製造液晶顯示面板作為第四實例。 第三例之圖元缺陷比R降至0。此例中飽和電壓Vsat降 至2.71V,其比第一例更低。 經由改變嫘縈布21a於排齊薄膜25A及25B之推送程度 ，透明基板11及12之移動速度或摩檫棍21之轉速可獲得相 同效果。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，可選用下列條件來降低定錨能俥降低飽和能以及 選擇同向摩擦及反向摩擦。換言之，當採用至少一種選擇 條件，例如嫘縈布21a之推送程度減低，透明基板11及12 之移動速度減低及摩擦棍21之轉速減低時，顯示面板可藉 施加低電壓而操作。又，以當排齊薄膜25A或25B根據反向 摩擦而摩擦時額外採用至少一種選擇條件為例，排齊薄膜 25A或25B之定錨能可進一步降低，經由對顯示面板施加更 低電壓邸可操作顯示面板。 〔第五實例] 如第18 (a)圖所示，於第二及第三例中，由於第一排 齊薄膜25A之框形區偽根據同向摩擦産生電場E,可防止液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 38 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 317571 A7 _._B7_ 五、發明説明（） 晶分子由第一排齊薄膜25A異常升高。此種情況下，電場 影響位在第一排齊薄膜25A框形區13B的液晶分子並非由資 料匯流排線19與圔元電極13間之電位差産生，反而主要由 掃描（或閛）匯流排線與圖元電極13間之電位差産生。 因此，如第18(b)圔所示，位在閘匯流排線14附近的 各値圖元霄極13A之兩値周圍部分定義為閛倒區13D,而第 —排齊薄禊25A之閘俩區13D根據同向摩檫。又，第一排齊 薄膜25A位在兩値匣侧區13D間之多値中心區13E根據反向 摩擦。結果製造一種液晶顯示面板作為第五實例。 此例中，缺陷比R和飽和電壓Vsat傺舆第二和第三例 相同而可獲得相同效果。 第二具體例中，使用活性元件型杻向列性（TN)液晶顯 示面板作為液晶顯示面板。但即使使用S—型TN液晶顯示 面板也可獲得相同效果。 其次，說明第三具體例。 前述本發明之第三具醴例中，排齊薄膜25A及25B之表 面摩擦方向傺與排齊薄膜25A或25B之移動方向相同或相反 ，根據第二具醱例之顯示面板飽和霣歷Vsat比習知顯示面 板降低。 飽和霣壓卩〃*降低的原因為排齊薄R25A或25B之能量 降低。因此發明人嘗試藉著改變摩擦條件以外的定向方法 來改變排齊薄膜25A或25B之定錨能。至於取向方法，已知 三種取向方法。 首先，經由於排齊薄膜上生成多道溝槽而使液晶分子 本紙張尺度逋用中國國家樣準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） ---------γ装------訂------3 • * , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 39 317571 Λ7 B7 五、發明説明（） 於排齊薄膜上朝向同向取向之取向方法，掲示於參考文獻 "SID DIGEST 93 DIGEST, 1993, pp.957-960% 其次，藉著對排齊薄膜照射電磁波而使液晶分子於排 齊薄膜上朝向同向取向之取向方法，掲示於參考文獻 "Martin SCHADT et al., Japan, J. Apply. Phys. vol. 31, 1992, pp.2155-2164”。 第三，經由使用Langnuir-Blodgett(LB)薄膜作為排 齊薄膜而使液晶分子於排齊薄膜上朝向同向取向之取向方 法，掲示於參考文獻”Makoto MURATA et al,，Japan，J· Apply. Phys. vol.31，1992，pp. L189-192.”。取向方 向設定為LB薄膜之延伸方向。 訂 發明人檢査根據各種取向方法於排齊薄膜減低定錨能 的情形。換言之如參考文獻所述觀察到約1〇〃至1〇〃 J/m2 之定錨能。因此顯然易知根據各種取向方法，排齊薄膜之 定錨能比較改變摩擦條件降低一或多値指數。此種慵況下 定錨能之潮量方法與第二具鼸例採用之方法相同。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 ,I n 以第11 (a)及11 (b)圖所示活性元件型液晶顯示面板之 排齊薄膜25A及25B根據三種取向方法處理為例，於排齊薄 膜25A及25B上産生取向缺陷區。産生取向缺陷區之原因如 下。以排齊薄膜25A或25B位在掃描匯流排線14或資料匯流 排線19附近部分之定錨能降低為例，位在排齊薄膜25A或 25B該部分上之多個液晶分子於各値方向雜亂升高，其原 因為由匯流排線14或19延伸的電場E之一種成分為樓向， 及於排齊薄膜25A或25B之位在匯流排線14或19附近部分産 40 本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準扃貞工消费合作社印装 A7 B7_ 五、發明説明（) 生等於取向缺陷區之所諝的反向傾斜區。如第二具艚例所 述，電場E傺由匯流排線14或19與各値圖元電極13間之電 位差産生。 為防止産生反向傾斜區，可有效降低排齊薄膜25A及 25B恰位在疆元電極13上方上向部分之定錨能及有效升高 排齊薄膜25A及25B恰位在匯流排線14及19上方或位在匯流 排線14及19附近之其餘部分之定錨能。 因此，第11(a)和11(b)圖所示液晶顯示面板之排齊薄 膜25A和25B根據三種取向方法之一處理時，恰位在圖元霣 極13上方的排齊薄膜25A和25B部分被光阻軍覆蓋，而排齊 薄膜25A及25B之非由光阻罩覆蓋之其它部分經摩擦，例如 根據第二具體例所述之同向摩擦而摩檫。因此排齊薄膜25A 及25B之其餘部分之定錨能增高。 第三具體例中，抹齊薄膜25A及25B皆根據三種取向方 法之一處理。然而，因為位在未設置活性元件之第二透明 基板12上的第二排齊薄膜25B産生的電場E不夠大，反而主 要於位在設置活性元件之第一透明基板11上的第一排齊薄 膜25A上産生，故引起反向前傾區，因此唯有第二揉齊薄 膜25B可根據三種取向方法之一處理。此種倩況下，雖然 施加於液晶面板之掃描匯流排線14供操作顯示面板之電壓 略為增高，但不足以防止産生反向傾斜區。 又，較佳位在排齊薄膜25A或25B非設於匯元電極13部 分上的液晶分子前傾角增大。第一種原因為位在排齊薄膜 25A及25B遵照三種取向方法之一處理之部分上的液晶分子 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈· 訂 41 A7 B7 五、發明説明（） 角傾角幾乎為0,且前傾角小，此時位在搛齊薄膜25A及25B 之非設置圖元電棰13之其它部分上的液晶分子前傾角變大 ，故位在排齊薄膜25A或25B全部表面上的液晶分子之前傾 角可增至大於〇之值。至於第二理由，搛齊薄腠25A上液晶 分子之前傾角愈大，則愈能有效防止産生反向傾斜。 因此，需要經由選择摩擦條件設定位在排齊薄膜25A 或25B之非設置任何團元電棰13部分上的液晶分子前傾角 為5度或以上，或更佳10度或以上。槪略而言，液晶分子 之前傾角傜於2至3度之範圍。 其次，更具匾説明定錨能的諝整。 〔第一實例〕 本第一實例中使用正常白色模式型液晶顯示面板。顯 示面板構造傺與根據第二具邇例之第一例製造且相同，但 排齊薄膜25A及25B除外。端部含氟（F)之液晶用作液晶17。 因此顯示面板之基板構造與第11 (a)及11(b)圖所示者相同 0 至於排齊薄膜25A及25B組成的材料，日産化學公司製 造的商品名RN 1046榭脂用於笫一例。樹脂經紡塗，加熱 經濟部中央搮準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 並成型為薄膜型。 位在設置活性元件20之第一透明基板11上之第一排齊 薄膜25A之平面圖示於第19圖。 如第20(a)圖所示，於第一透明基板11上生成第一排 齊薄膜25A之恰位在圖元電極13上方之圖元區13A以第一光 阻膜26覆蓋。隨後，第一排齊薄膜25A之未以第一光阻罩26 本紙張尺度遙用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐） 42 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（） 覆蓋的其餘表面以特殊摩擦方向摩擦並移開第一光阻罩26 。因此，位在接受摩擦的第一排齊薄膜25A其餘表面上的 液晶分子前傾角設定為約6度。 隨後，如第20(b)圖所示，製備設置於極化板28上的 光罩27。光罩27有多個窗27A恰位在第一搛齊薄膜25A之画 元區13A上方。隨後，第一排齊薄膜25A之圓元區13A藉代 表電磁波的紫外光通過極化板28及光罩27之窗27A照射。 此種情況下，通過極化板28的紫外光於垂直待殊摩檫方向 之棰化方向線性極化。又紫外光強度設定為約15 J/c«a。 因此由於極化方向線性極化的紫外光所照射的位於第一排 齊薄腠25A之圖元區13A的液晶分子主軸僳於相同極化方向 取向。 前述摩擦處理及紫外光照射也以相同方式對設置於未 含任何活性元件之第二基板11上之第二排齊薄膜25B施行 。換言之，第二排齊薄膜25B恰位在鼸元電極13上方部分 藉紫外光照射，該紫外光於極化方向被線性棰化而使位在 第二排齊薄膜25B該部分上之液晶分子主軸於同向取向， 及第二排齊薄膜25B其餘部分像根據正常摩擦方式於垂直 搔化方向之摩擦方向摩擦。 随後，液晶17琪充於第一與第二排齊薄膜25A及25B, 獲得製造作為第三具體例之第一例的液晶顯示面板。 檢視液晶顯示面板之飽和電壓Vsat和圈元缺陷比R並 列舉於表2作為第一例。比例中，飽和電壓Vsat定義為透 光率為U之電壓值，但規定當未施加霉壓至正常白色棋式 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衮· 訂 -43 - 經濟部中央搮準局貞工消費合作社印裝 31757! A7 B7 五、發明説明（） 型液晶面板之掃描匯流排線14時透光率設定為1002。又缺 陷比RM 500圖元中判定爲缺陷的函元數目表示。 又，準備第一液晶顯示面板（未顯示出），其中第一 和第二抹齊薄膜25A及25B之全部表面係根據同向摩擦而摩 擦，第一液晶顯示面板之飽和轚壓Vsat及鼸元缺陷比R列 舉於表2作為第一比較樣品。又，準備第二液晶顯示面板 (未顯示出），其中笫一和第二排齊薄膜25A及25B之全部 表面皆以線性棰化的紫外光照射，第二液晶顯示面板之飽 和電壓Vsat及圖元缺陷比R列舉於表2作為第二比較樣品 。第一和第二液晶顯示面板之構造和製造條件係與第三具 體例之第一例之液晶顧示面板相同。 表 2 第一實例 第一比較樣品 第二比較樣品 V s a t 2.71V 3. 16V 2.7 V R 0 0 180 於表2顙然易知於第一液晶顯示面板（第一比較樣品 )之例中，雖然圖元缺陷比R為0,但飽和電壓Vs at未降低 。又於第二液晶顯示面板（第二比較樣品）之例中，雖然 飽和電壓Vsat降低，但園元缺陷比II增高。相反地，於製 造作爲第三具體例之第一例之液晶顯示面板之例中，圖元 缺陷比R為0,而飽和霣壓卩》^降低。因此，於根據第三具 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS〉A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .笨· -44 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 體例之液晶顯示面板可獲得經由照射紫外光引起定錨能降 低而降低飽和電SVsat之優點，及藉摩擦處理使液晶分子 朝向相同方向取向穩定化的另一優點。 又，第一和第二排齊薄膜25A和25B之全部表面皆根據 同向摩檫方向摩擦後，第一排齊薄膜25A之圖元區13A及第 二排齊薄膜25B之恰位在圖元電極13上方部分藉著紫外光 (於垂直摩擦方向之極化方向線性極化）通過光罩27之窗 27A照射。此種情況下，飽和電壓Vsat為2.75V,其夠低， 而圖元缺陷比R為0。因此，由於無霈生成光阻罩26,故可 根據第三具鱧例之顯示面板製法，且可改善顯示面板之通 過料量。 〔第二實例〕 製造作為第一實例之液晶顯示面板中介於各値圖元電 極13 (或元）與各條匯流排線14及19間之間距於第二實 例縮短為n。此例中圖元缺陷比1?非期望地增至約280。 因此，於設置活性元件20之第一透明基板11上的第一 排齊薄膜25A未以紫外光照射，反而第一排齊薄膜25A之金 部表面根據同向摩擦而摩擦。又，如同對未設置活性元件 的第二透明基板12上的第二排齊薄膜25B,恰位在圖元電 極13上方的第二排齊薄膜25B部分藉線性極化紫外光以第 —例之相同方式照射，而第二排齊薄膜25B之其餘部分根 據正常摩擦而摩擦。 此種情況下，液晶顯不面板之飽和電壓Vsat 2.85及 圓元缺陷比R為0。因此，顯示面板可比較習知顯示面板施 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----------f '衣-- ' 聲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 45 3l7〇7l Α7 3l7〇7l Α7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 '------；-Β?—- 五、發明説明（） 加更低霣壓而操作。 〔第三實例〕 製造作為第一實例之液晶顯示面板中介於各値圖元電 極13 (或圖元）或各條匯流排線14及19間之間距於第三實 例也缩短為5wn。此例中，画元缺陷比R非期望地增至約 280〇 因此，經由改變設置於第一或第二排齊薄膜25A或25B 之非位在圖元電極13上方的其它部分之液晶分子前傾角而 降低圖元缺陷比R。 詳言之，至於第一及第二排齊薄膜25A及25B材料，使 用日本合成橡膠公司製迪之JALS-214(商品名使用該材 料可輕易諝整前傾角。前傾角之調整像藉改變摩擦條件之 一施行。例如前傾角随摩擦重複次數增多而降低，前傾角 隨排齊薄膜25A或25B之摩擦布21a推送程度之增高而降低 Ο 當排齊薄膜25A或25B上液晶分子前傾角β經由改變摩 擦次數而改變時，圈元缺陷比R舆前傾角0間之鼦像示於 第21圖。數字表示重複摩擦次數。 如第21圓表示當前傾角0設定為10度或以上時，缺陷 比R降至0。此種情況下液晶顯示面板之飽和電壓Vsat降至 2.70至2.75V之範圍而與前傾β之變化無鼷。 〔第四實例〕 前述第一及第三例中電磁波如紫外光照射至第一或第 二排齊薄膜25Α或25Β之恰位在圈元電極13Α上方部分，而 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） I-------γ 袁------訂-------1 I* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 經濟部中央揉隼局貝工消费合作社印装 317571 五、發明説明（） 第一或第二排齊薄膜25A或25B之該部分及定錨能降低。郤 根據其它方法降低第一或第二排齊薄膜25A或25B之該部分 之定錨能，如第22(a)醒所示，可應用於第一或第二排齊 薄膜25A或25B之恰位在画元霣棰13上方之上表面生成多道 溝槽25C方向之方法。此方法中，位在第一或第二排齊薄 膜25A或25B上表面之液晶分子主軸像朝向溝槽25C延伸之 方向取向。 又，如第22(b)画所示可應用使用LB薄膜作為第一或 第二排齊薄膜25A或25B材料之另一種方法。此法中位在第 一或第二排齊薄膜25A或25B之液晶分子主轅偽朝向LB薄膜 拉動方向取向。 前述方法中，第一和第二排齊薄膜25A或25B之非設置 於圖元電棰13上方之其它部分傺根據正常摩擦而摩擦。 〔第五實例〕 第四實例中，第一或第二排齊薄膜25A或25B之恰位在 圖元電極13上方部分之定錨能降低。然而，於由介於匯流 排線14或19舆圖元電極13間之電位差引起的電場E大大地 影韉位在第一或第二排齊薄膜25A或25B上的液晶分子之例 中，較佳第一排齊薄膜25A之框形區舆第二排齊薄膜25B之 框形區（定義於第二具《例之第二例，參照第18(a)圖） 偽根據同向摩擦而排齊薄膜25A及25B之其它部分亦如此。 又，於因介於掃描匯流排線14與圔元電極13間之霣位 差引起的電場E大為影酱位在第一排齊薄膜25A上之液晶分 子之例中，較佳第一排齊薄膜25A之閘側匾13D (定義於第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂 -47 - 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印裝 317571 五、發明説明（） 二具醱例之第五例，參考第18(b)團）係根據同向摩擦而 摩擦。 第三具體例中，使用活性元件型扭向列性（TN)液晶顯 示面板。然而邸使使用另一型液晶顯示面板簡單基體型TN 液晶顯示面板也可獲得相同效果。 其次，説明第三具匾例。 第23 (a)圖為根據本發明之第三具體例之簡單基板型TN 液晶顯示面板之平面圖。第23(b)圖為第23(a)圖所示簡單 基體型TN液晶顯示面板之横剖面圖。 如第23(a)及23(b)圃所示，以固定間隔隔開的多値掃 描繞線34平行設置於第一透明基板31之第一表面上，第一 透明基板31之第一表面和多道掃描繞線14以第一排齊薄膜 35A覆蓋。又，多根以固定間隔隔開的資料携線37平行設 置於第二透明基板32之面對第一透明基板31之第一表面之 第一面表面上。第二透明基板32之第一表面及資料繞線39 以第二排齊薄膜35B覆蓋。第一和第二排齊薄膜35A及35B 之第一表面經由填充的液晶37彼此面面相對，掃描繞線34 之延伸方向垂直資料繞線39之延伸方向。此外，極化板38A 設置於第一透明基板31之第二表面上及極化板38B設置於 第二透明基板32之第二表面上。 前述簡單基«型TH液晶顯示面板構造中，各圜元區13A 位在第一排齊薄膜35A之一條掃描繞線34舆一條資料繞線39 彼此交叉區。又各圖元區位在第二排齊薄膜35B之其中一 條掃描繞線34與一條資料境線39彼此交叉。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再壤寫本頁) 装. 訂 48 A7 _B7_ 五、發明説明（） 位在第一排齊薄膜35A之圔元匾13上的液晶分子定錨 能可籍下列方式降低：經由根據反向摩擦而摩擦圖元匾13A ,經由照射線性極化紫外光至圖元匾13A,經由於第一排 齊薄膜35A之第一表面上設置多道溝槽，或經由使用LB薄 膜作為第一排齊薄膜35A之第一表面。又位在第一排齊薄 膜其它部分上的液晶分子定錨能可藉根據同向摩擦第一排 齊薄膜35A之其它部分而增高。 因此，位在圖元區13A之液晶分子於施加電壓給掃描 蹺線34時容易升高，故可降低操作根據第四具蜃例之簡單 基體型TN液晶顯示面板所需操作霣壓。又，因位在第一排 齊薄膜35A之其它部分的液晶分子的升高動作缓慢，故可 防止産生缺陷疆元。 第二排齊薄膜35B之定錨能分佈可以第一排齊薄膜35A 之相同方式生成。此種情況下，位在第二排齊薄膜35B之 液晶分子僳以位在第一排齊薄膜35A之相同方式升高。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 49 A7 B7 五、發明説明（） 元件標»對照 經濟部中央搮準局貝工消费合作社印製 1,11,31 ....第一透明基板 16 .. 相反電棰，透明電極 2 ____ TFT,薄膜霣晶臛 17,37 * * * ·液晶 2 β · · · · 操作半導體層 18A,18B,38A,38B ..消化板 2b ♦ ·. * 阑絶綠層 19,39 ....資料匯流排線， 2d * . . 排流電極 資料繞線 2g ·... 閘電極 20 ... .活性元件 2 s · * ·. 來源電極 21… .摩擦棍 3,19 .. ..排流匯流排線 21a .. ..摩擦布 4,13 .. ..透明圖元電極 22… .臺 5,25A,35A....第一排齊薄膜 23… .第一光阻軍 6 .... 第一極化器 24… .第二光阻罩 7,12 ·. ..第二透明基板 24A.27A ____ 窗 8 · · ·. 透明共用電棰 25C .. ..溝槽 9,25B,35B ..第二排齊薄膜 26… .第一光阻薄膜 10 ____ 第二極化器 27… .光罩 13A… .臞元區 28.38B ——極化板 13B… .框形區 ①-⑨ ....液晶分子 13C ... .内侧區 E .... 電場 13D… .閘側區 R ____ 缺陷比 14,34 . ...掃描匯流排線， TN ... .扭向列性 掃描繞線 V s a t . ...飽和電壓 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) )A4規格（210X297公釐） -50 -

Claims (1)

1. 317571 告

   年月 ，修正 獍充I 六、申請專利範圍 第34108910號專利申請案 申請專利範圍修正本 修正日期：86年5月 1. 一種液晶材料，其包括：如下結構式（1)表示之化合 物、結構式（1)和（2)表示之化合物、結構式（1>和（3) 表示之化合物、或數量佔其中所含液晶成分總重90% 重量比或以上之結構式（1)，（2)及（3)表示之化合物 ，且其中結構式（1)表示之化合物重量偽佔液晶成份 總重之60%或以上： (1) R A—

   6或7 及B 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印製 / 其中R表不直鍵院基CnH2n+l，其中n為3、4、5 ’ Α表不- CHaCHs -或未含-CH2CH2 -之直接鍵（-) 表示-CH2CH2-或未含-CH2CH2·之直接鍵。 •如申請專利範圍第1項之液晶材料，其中結構式（i) ’（2)和（3>表示之化合物經慘混，而液晶材料之向列 性-各向同性轉變溫度將落入55至75。〇。 丨·如申請專利範圍第i項之液晶材料，其中該結搆式（1 表示之化合物為 或

   CNS ) ( 210X297公釐） 317571 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4.如申請專利範圍第1項之液晶材料，其中該結構式（2) 表示之化合物為

   5 .如申請專利範圍第1項之液晶材料，其中該結構式（3) 表示之化合物為 (請先閱讀背面之注意事务為填寫本頁) .裝· 訂 線

   經濟部中央標準局員工消費合作社印製 6 .如申請專利範圍第1項之液晶材料^其中该結構式（1) 表示之化合物為下式表示之化合物：

   本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2〖0X297公釐 ABCD 六、申請專利範圍 與下式表示之化合物之混合物：

   其中兩種化合物之摻混重量比為1 : 1。 7.—種液晶材料，包括各35¾重量比，34¾重量比/15¾ 重量比，8%重量比及8¾重量比之下列化合物（a)至（e). 請 先 閲 之 注

   裝 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 8 .—種液晶顯示面板，包括如申請專利範圍第1項之液 晶材料。 9.如申請專利範圍第8項之液晶顯示面板，其中該液晶 材料偽夾層於兩層透明層間，及一種極化器分別設於 透明層上，且彼此幾乎成直角，液晶分子之扭角傺於 95至110 3之範圍，及一對極化器之極化方向夾角與 杻角不同： 度適用中國囷家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）