JP3625862B2 - 液晶材料及び液晶表示パネル - Google Patents

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【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、液晶材料及び液晶表示パネルに関し、より詳しくは、末端にフッ素原子が3つ結合された液晶分子を有する液晶材料及びその液晶材料を用いたTN型の液晶表示パネルに関する。
【0002】
【従来の技術】
TN型の液晶表示パネルは、現在、各分野で使用されている。特に、能動素子を有するTN型の液晶表示パネルは、CRT並みの表示特性が得られるために、液晶テレビ、パソコン等への応用が盛んである。能動素子として、例えば画素電位を制御する薄膜トランジスタ(TFT)のようなものがある。
【0003】
また、液晶表示パネルは、低消費電力であるという特徴を生かして、ラップトップ型、ノート型のパソコンなどの携帯用機器に利用されることも多い。その携帯用機器では、電池による使用時間を延ばすために可能な限り液晶表示パネルの消費電力を小さく抑えることが要求され、その1つとしてパネルの駆動電圧を低減するために種々の検討がなされている。
【0004】
液晶表示パネルの駆動電圧を低減する一つの方法として、低電圧で駆動できる液晶材料の開発が盛んに行われている。
低電圧駆動用の液晶材料としては、例えば、末端に極性基としてフッ素(−F)や −OCFを1又は2個含む分子を主成分とした液晶材料が用いられている。しかしながら、それらの液晶材料を用いた液晶表示パネルの駆動には5V程度の書込み電圧が必要であり、その液晶表示パネルを電池で駆動すると電池交換が必要になるまでの時間が短いのが現状である。
【0005】
最近、液晶材料を低電圧化するために、液晶を構成する分子の末端の極性基の数を増して誘電率異方性Δεを増加した液晶分子が実用化されつつある。これは末端のベンゼン環に−Fを3つ結合した分子を含むものであり、次のような一般式で表される。
【0006】
【化2】
Figure 0003625862
【0007】
これらの一般式において、Rは直鎖アルキル基( C2n+1 (n=3,4,5,6又は7))、Aは−CHCH−又は単結合(−)、Bは−CHCH−又は単結合(−)を表す。
そのような分子を含む液晶として例えば表1、表2に示すような液晶材料がある。
【0008】
【表1】
Figure 0003625862
【0009】
【表2】
Figure 0003625862
【0010】
表1で示した液晶は、従来の液晶成分に一般式(1) 〜(3) の分子を混入させたものであり、表1中(7) 〜(10)がそれらの分子に該当する。また、表2で示した液晶は、一般式(1) 〜(3) の分子を主成分としたものである。なお、表1及び2の液晶成分にはさらにカイラル材が添加されるが、それらの表中の重量(wt)%の値はカイラル材を考慮していない数字である。
【0011】
これら表1及び表2の2つの液晶材料によれば、誘電率異方性Δεが7〜9程度まで大きくなり、液晶駆動電圧は約3Vまで低減した。
しかしながら一般式(1) 〜(3) のいずれか1つを含む液晶材料においても2.5V程度での低電圧駆動が可能な液晶材料はいままで実現されていない。例えば表2の液晶材料にあっても誘電率異方性Δεは8.7であり、3V駆動が限界である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、液晶表示パネルの低消費電力化を図るためには液晶駆動電圧が3V程度ではではまだ十分ではなく、それよりも低い電圧、例えば2.5V程度又はそれより低い電圧で駆動できる液晶材料が要求される。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、駆動電圧を更に低減できる液晶材料及び液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、一般式(1)で示される分子の重量が液晶成分の重量比60%以上であり、かつ一般式(1),(2),(3)のいずれかで示される少なくとも3つ以上の分子を含み、これらの分子の総重量が液晶成分の重量比90%以上の割合で含有されていることを特徴とするノーマリーホワイト表示用液晶材料によって解決する。
【0014】
ただし、一般式において、Rは直鎖アルキル基( C2n+1 (n=3,4,5,6又は7))、Aは−CHCH−又は単結合(−)、Bは−CHCH−又は単結合(−)を表している。
【0015】
【化3】
Figure 0003625862
【0016】
更に、前記液晶材料において、前記液晶材料のネマティック−アイソトロピック転移温度は、55〜75℃の範囲内であることを特徴とする。
または、図1に例示するように、上記液晶材料を有することを特徴とする液晶表示パネルによって解決する。
更に、前記液晶表示パネルは、前記液晶材料を挟む2つの層の間での前記液晶材料の液晶ツイスト角は、95〜110度の範囲内とし、前記2つの層の外側に設けた1対の偏光板の透過軸の相互角度を前記ツイスト角とは異なる角度とすることを特徴とする。
【0017】
【作 用】
本発明によれば、一般式(1)で示される分子の重量が液晶成分の重量比60%以上であり、かつ一般式(1),(2),(3)のいずれかで示される少なくとも3つ以上の分子を含み、これらの分子の総重量が液晶成分の重量比90%以上の割合で含有されているノーマリーホワイト表示用液晶材料を使用している。
この液晶材料によれば、液晶表示パネルの駆動電圧が2.5V程度にまで低下した。
【0018】
この液晶材料と、一般式(1) 〜(3) で示される分子の総重量が液晶成分の重量比90%以上の割合で含有され、かつ一般式(1) で示される分子の重量を液晶分子の重量比60%以下で含有する別な液晶材料とを比較すると、誘電率異方性Δεの値は殆ど変わらない。従って、本発明により閾値電圧が低下したのは、誘電率異方性Δεの影響ではなく、液晶材料の弾性率が小さくなったからと考えられる。
【0019】
また、液晶のN−I転移温度は一般に75〜110℃であるが、本発明では55〜75℃とすることにより液晶表示パネルの駆動電圧を更に2.5V以下にまで低下させることができた。
さらに、本発明に使用する液晶材料のツイスト角を、一般に選択されるる90度ではなく、95〜110度まで大きくしたところ、駆動電圧はさらに小さくなることが実験的に確認された。
【0020】
液晶表示パネルの駆動電圧が高くなる1つの原因は、液晶材料を挟む層の表面に最も近い液晶分子が印加電圧に対してなかなか反応しないためである。液晶分子のツイスト面を95〜110度、偏光板を液晶分子のツイスト面とは異なる角度に配置することにより、入射光を液晶分子の配向方向とはずれた方向から入射することになり、応答の遅い液晶分子による影響を低減することができたと思われる。
【0021】
【実施例】
そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
本発明は、一般式(1)で示される分子の重量が液晶成分の重量比60%以上であり、かつ一般式(1),(2),(3)のいずれかで示される少なくとも3つ以上の分子を含み、これらの分子の総重量が液晶成分の重量比90%以上の割合で含有されているノーマリーホワイト表示用液晶材料を使用することを特徴とする。
【0022】
一般式(1) 、(2) 又は(3) は、末端のベンゼン環にFが3つ結合された分子である。
【0023】
【化4】
Figure 0003625862
【0024】
一般式(1) 〜(3) において、Rは直鎖アルキル基( C2n+1 (n=3,4,5,6又は7))を表し、AとBは、それぞれ独立に−CHCH−又は単結合(−)を表している。また、一般式(4) はベンゼン環を示し、一般式(5) はシクロヘキサン(C12 )を示している。
【0025】
【化5】
Figure 0003625862
【0026】
そこで、本発明者等は、より一層の低電圧化を実現するため、一般式(1) 〜(3) を主成分(例えば液晶成分の90wt%以上)とする液晶材料において、特定の液晶成分の割合を変えて実験を行った。そして、一般式(1) の成分を全体の60wt%以上とすることにより、従来にない値まで液晶表示パネルの駆動電圧を低電圧化することができた。
【0027】
低電圧化した理由として、次のことが考えられる。
一般式(1) 〜(3) で表される分子のみから液晶成分を構成するという条件で、一般式(1) の分子の割合が60wt%以下の公知の液晶材料と、一般式(1) の分子の割合が60wt%以上の液晶とを比較する。公知の液晶材料と本発明の液晶材料について、それらの誘電率異方性Δεについて大きな違いはない。したがって、液晶表示パネルの駆動電圧が低下した原因は、液晶成分の弾性率の低下によるものと考えられる。
【0028】
(実施例1)
画素数640×400のTFT駆動液晶表示パネルを作製した。その部分断面は図1のようである。
図1において、第一の透明基板1の上には、TFT2、ドレインバスライン3、透明な画素電極4、ゲートバスライン(不図示)等が形成され、また、少なくとも画素電極4の上には第一の配向膜5が形成されている。TFT2は、例えばスタガー型構造を有し、画素電極4に接続されるソース電極2sと、ドレインバスライン3に接続されるドレイン電極2dと、ソース電極2s及びドレイン電極2dの一部に接続される動作半導体層2aと、動作半導体層2aの上にゲート絶縁層2bを介して形成されたゲート電極2gとを有している。また、第一の透明基板1のTFTを有しない側の面には第一の偏光フィルム6が形成されている。
【0029】
第二の透明基板7の上には、光透過性の対向電極8と第二の配向膜9が順に形成される。第二の透明基板7は、第二の配向膜9が第一の配向膜5と向かい合う状態で第一の透明基板1に対向される。
なお、第一及び第二の透明基板1,7はガラス、石英などから構成される。
第一及び第二の配向膜5,9の間のギャップには、表3に示す成分の液晶材料11を封入した。使用した液晶のN−I転移温度は59℃であった。この場合、複数種の液晶分子を使用しているのは、温度特性を調整するためである。
【0030】
【表3】
Figure 0003625862
【0031】
なお、表3と後述する表4において、一般式(1) で示される液晶分子は▲1▼及び▲2▼で、一般式(2) で示される液晶分子は▲3▼〜▲8▼で、一般式(3) で示される液晶分子は▲9▼である。
また、液晶材料にはカイラル材が混入され、液晶分子が約90μmのピッチで角度が90度程度螺旋状に変化するようにカイラル材の量が調整されている。カイラル材の添加量は、液晶材料の約0.15wt%である。
【0032】
以上のような構成の液晶表示パネルはノーマリーホワイトであり、その書込み電圧に対する輝度を測定し、印加電圧と相対透過率の関係を調べたところ図2に示す特性が得られた。印加電圧は画素電極4と対向電極8の間の電圧であり、また相対透過率は、印加電圧を0Vとした場合を100%とした場合の透過率である。透過率が1%となる電圧を飽和電圧Vsatとすると、本実施例で示した液晶材料を使用した液晶表示パネルの飽和電圧Vsatは、2.46Vとなって2.5Vよりも僅かであるが小さくなった。なお、飽和電圧Vsatは、コントラストが100となる電圧である。
【0033】
【表4】
Figure 0003625862
【0034】
一方、一般式(1) の分子を60wt%以下の量で含む液晶材料を表4に示すように4種類用意した。そして、それらの液晶材料を図1に示す第一及び第二の基板1,7の間に封入して飽和電圧Vsat を測定した。なお、比較例(1) 〜(4) のカイラルピッチは約90μmである。
実験結果によれば、比較例(1) の飽和電圧Vsat は2.73V、比較例(2) の飽和電圧Vsat は2.71V、比較例(3) の飽和電圧Vsat は2.63V、比較例(4) の飽和電圧Vsat は2.61Vとなった。
【0035】
参考に比較例(1) と比較例(4) の液晶分子を使用した場合の印加電圧と相対透過率の関係を示す測定結果を図3、図4に示しておく。
以上の実験結果から分かるように、一般式(1) の分子が60wt%よりも小さい場合には、飽和電圧Vsat が2.6〜2.8Vの範囲内となり、2.5Vまでは小さくならなかった。これに対して、一般式(1) の分子を60wt%以上にすることにより、飽和電圧Vsat が2.5V又はそれより小さくなった。
【0036】
なお、本実施例では、液晶材料のN−I転移温度が59℃となるような表3に示す材料を使用したが、本発明において一般式(1) 〜(3) で示す分子の割合を変えてN−I転移温度が55〜75℃である液晶材料を使用したところ、飽和電圧Vsat が2.5Vよりも大きくなることはなかった。これは、N−I転移温度が下がることにより液晶の弾性率が下がり、これにより飽和電圧が低下したからと考えられる。
(実施例2)
本実施例でも、図1と同じ構成を有するTFT駆動型の液晶表示パネルを作製した。ただし、第一の配向膜5と第二の配向膜9のそれぞれのラビング方向は第1実施例と異ならせ、ツイスト角が100度となるようにラビングした。また、第一及び第二の配向膜5,9の間に封入する液晶材料11も第1実施例の表3と同じ材料を使用した。
【0037】
ただし、ツイスト角を広げると、逆ツイスト領域が発生し易くなるので、逆ツイストを抑制するために、液晶材料に添加するカイラル材の量を調整してカイラルピッチを約60μmとした。
第一及び第二の基板1,7にそれぞれ形成される偏光フィルム6,10の透過軸は、コントラストを確保するために互いに直交する向きに配置される。第一の配向膜5と第二の配向膜9のそれぞれのラビング方向は相対的に100度であるので、偏光フィルムの透過軸は図5に示すように配置される。即ち、第一の基板1における第一の配向膜6のラビング方向と偏光フィルム6の透過軸を相対的に5度ずらした。また、第二の基板7における第二の配向膜9のラビング方向と偏光フィルム10の透過軸を相対的に5度ずらした。
【0038】
そして、印加電圧と相対透過率との関係を調べたところ、図6に示すような特性が得られ、その飽和電圧Vsat は2.25Vとなって、実施例1よりも飽和電圧Vsat がさらに小さくなった。これは次のような原理によると思われる。
液晶表示パネルの駆動電圧が高くなる1つの原因は、液晶材料を挟む第一及び第二の配向膜5の表面に最も近い部分に存在する液晶分子が印加電圧によりその傾斜角をなかなか変えないためである。液晶分子のツイスト角を95〜110度とし、かつ、1対の偏光フィルム6,10の透過軸の相対角を液晶分子のツイスト角とは異なる値に配置する。これにより、液晶表示パネルの入射光を液晶分子の配向方向とはずれた方向から入射することになり、これにより応答の遅い液晶分子による影響を低減することができたと思われる。
【0039】
従って、ツイスト角を95〜110度まで広げることにより、飽和電圧は2.5Vよりも低下して2.5V駆動の電圧マージンが広がる。
【0040】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、上記した一般式(1)で示される分子の重量が液晶成分の重量比60%以上であり、かつ一般式(1),(2),(3)のいずれかで示される少なくとも3つ以上の分子を含み、これらの分子の総重量が液晶成分の重量比90%以上の割合で含有されているノーマリーホワイト表示用液晶材料を使用している。この液晶材料を使用することにより液晶表示パネルの駆動電圧を低減することができた。
【0041】
また、液晶のNI転移温度は、発明に使用する液晶材料によれば55〜75℃となり、液晶表示パネルの駆動電圧を2.5V以下まで低下できた。
さらに、本発明に使用するツイスト角を、一般に使用する90度ではなく、95〜110度まで拡大したところ、駆動電圧はさらに小さくできた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る液晶表示パネルの一部を示す概要構成図である。
【図2】本発明の第1実施例に係る液晶表示パネルの印加電圧と相対透過率の関係を示す特性図である。
【図3】本発明と異なる表4の比較例(1) の液晶材料を使用した液晶表示パネルの印加電圧と相対透過率の関係を示す特性図である。
【図4】本発明と異なる表4の比較例(4) 液晶材料を使用した液晶表示パネルの印加電圧と相対透過率の関係を示す特性図である。
【図5】本発明の第2実施例に係る液晶表示パネルのラビング方向と偏光パネルの光軸の相対的な方向を示す図である。
【図6】本発明の第2実施例に係る液晶表示パネルの印加電圧と相対透過率の関係を示す特性図である。
【符号の説明】
1、7 透明基板
2 TFT
3 ドレインバスライン
4 画素電極
5、9 配向膜
6、10 偏光パネル

Claims (4)

  1. 一般式(1)で示される分子の重量が液晶成分の重量比60%以上であり、かつ一般式(1),(2),(3)のいずれかで示される少なくとも3つ以上の分子を含み、これらの分子の総重量が液晶成分の重量比90%以上の割合で含有されていることを特徴とするノーマリーホワイト表示用液晶材料。
    Figure 0003625862
    (式中、Rは直鎖アルキル基(CnH2n+1(n=3,4,5,6又は7))、Aは−CH2CH2−又は単結合(−)、Bは−CH2CH2−又は単結合(−)を表す。)
  2. ネマティック−アイソトロピック転移温度は、55〜75℃の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の液晶材料。
  3. 請求項1記載の液晶材料を有することを特徴とする液晶表示パネル。
  4. 前記液晶材料を挟む2つの層の間での前記液晶材料の液晶ツイスト角は、95〜110度の範囲内とし、前記2つの層の外側に設けた1対の偏光板の透過軸の相互角度を前記ツイスト角とは異なる角度とすることを特徴とする請求項3記載の液晶表示パネル。
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