TW313720B - - Google Patents

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經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 313720 a? _B7_ 五、發明説明（1 ) 链明赀畺 本發明係W於應用於寬廣範圍之输入和输出且驅劻大負 載之埋算放大器。 對於傳铳之應用於寬廣範圔之輸入和輪出，且驅勖大負 載之蓮算放大器，一直在求改善。尤其是，需求發展出 能顯出高效能之改良蓮算放大器。另外，需求發展出具 有寬廣範圍輸人及輪出之改良蓮算放大器•更甚者•霜求 發展出一種改良運算放大器，其中暗電流（idling current)對電晶體絕對之臨界值（threshold value)之 變動毫無任何影響。另外，需求發展出一種改良之運算 放大器，其能抑制饗應在蓮算放大器之放電運作時流通 之放電電流之任何沖穿電滾。 發明槪诚 因此，本發明之目的係提供一種能顧示高效能之新穎 之蓮算放大器。 本發明之另外目的係提供一種具有寬廣之輸入和輸 出範圍之新_之運算放大器。 本發明之另外目的係提供一種能快速昇降输出端子之 電位之新穎之運算放大器。 本發明之再一目的係提供一種新穎之運算放大器•其 内暗電流對電晶體之絕對臨界值之變動奄無任何影響。 本發明之另外目的係提供一種新穎之運算放大器，其 能抑制響懕在運算放大器之放電運作時流通之放電電流 之任何沖穿電流。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0><297公釐）

In n n J I I !- .訂 (請先閲後背面之注意事項再填寫本頁) 313720 at _____B7__ 五、發明説明（2 ) 本發明之上述及其它目的，特戡及優酤將由下面之敛 述而清楚。 本發明係在運算放大器内提供壤接输入级和输出级間 之中間電路。 該輪入级和輪出级係餳壓在高壓線和飫壓線間。該中 閬電路亦偏壓在該高屋線和低壓線間。該中間電路含有 下述元件。至少設置第1對之第1電晶體及第1定常電 流源，此兩者係串接於該高壓線與低壓線間。第1對之 第1電晶體係設在輸出鈒附近。在第1電晶體和第1定 常電流源間之第1中間點係接至輪出级。至少設置第2 對之第2電晶體和第2定常電流源，此兩者也串接在該 高壓線和該低壓線間。第2對之第2電晶體可與第1對 之第1電晶體並聪，且接近输入级。在第2電晶暖和第 2定常電流源間之第2中間點可接至輪出级附近之第1 電晶骽之控制電極。第2電晶體之控制電極可接至输入 ---------r -I------IT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 输放大 1 。 和設接 一 算放第間體少串 ，蓮 一和之晶至也 级該有體線電3.者 入。含晶壓 1 出兩 输路少電低第輪 ， 1 電至 1 與該至源 有間级第線在接淀 含中入之壓。可電 其之輸對高近點常 ，間 。1 該附間定 器级間第於之中 2 大出線少接级 1 第 放輸壓至串出第及 算及低有係輸之» 蓮鈒和含者於間晶 種入線路兩設源霣 一 輪壓電 可滾 2 供該高間，體電第 提在在中源晶常之 明接壓。流電定對 發及锔路電對 12 。 本级器霣常 1 第第 級出大器定第該置 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS > A4*t格（2丨Ο X 297公釐） 五、發明説明（ 3 A7 B7 聯晶近於 並電附接 可_ 2扱可 趙第出閘 晶。鑰制 電级於控 CM 入接之 第输可體 之於點晶 辑近間電 2 接中 2 第可 2 第 該且第。 。 ，之極 間體間電 之晶源制 線罨流控 電之 低第常體 和之定晶 線對 2 電.。诚 壓 1 第 1 鈒筋 高第和第入式 於於體之輪騮 電 之 器 大 放 ο 算 下運 如良 述改， 詳之 圖例 附實 照1 參第 將之 例明 好本 良出 之示 明.圈 發 1 。 本第圖 路 電 之 器 大 放 算 運 良 改 之 例 實 2 第 之 明 發 本 出 示 睡 2 ο 第圖 路 電 之 器 大 放 算 邁 良 改 之 例 實 3 .第 之 明 發 本 出 示 圖 3 ο 第圖 路 電 之 器 大 放 算 遵 良 改 之 例 實 4 第 之 明 發 本 出 示 圖 4 0 第圖 路 電 之 器 大 放 算 遵 良 改 之 例 實 5 第 之 明 發 本 出 示 圖 5 ο 第圖 路 ---------i i 裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 E 之 器 大 放 算 遵 良 改 之 例 實 6 第 之 明 發 本 出 示 圖 6 0 第圖 路 之 器 大 放 算 連 良 改 之 例 實 7 第 之 明 發 本 出 示 匾 7 ο 第圖 路 第圖第 路 電 之 器 大 放 算 蓮 良 改 之 例 實 8 第 之 明 發 本 出 示 圖 8 i 之 器 大 放 算 運 良 改 之 例 實 9 第 之 明 發 本 出 示 Η Θ 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4現格（210X297公釐） 313720 A7 B7五、發明説明（4 ) 電 電電電 之 之之之 器 器器器 大 大大大 放 放放放 算 算 算 算 ffc it 良 良良良 改 改 改 改 之 之之之 例 例例例 HT 實實實 0 12 3 1 1 1 1 第 第第第 之 之 之 之 S S S S 發 發發發 本 本本本 出 出 出 出 示 示 示 示 圖圖1 圓圖 0 12 3 010101010 圖第圈第圖第圖第圖 路 路 路 路 '路 電 之 器 大 放 算 遇 良 改 之 例 實 4 1 第 之 明 發 本 出 示 圖 4 1 0 第圖 路 1 之 器 大 故 算 遵 良 改 之 例 實 5 Ί* 第 之 明 發 本 出 示 圖 5 1 0 第圖 路 gal 之 器 大 放 算 遵 良 改 之 例 實 6 1 第 之 明 發 本 出 示 圖 6 1 0 第圖 路 i t^ltr 之 器 大 放 算 遵 良 改 之 例 實 7 1 第 之 明 發 本 出 示 圖 7 1 0 第圖 路 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -e 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 SB 之 器 大 放 算 tMi 埵 良 改 之 例 實 8 1 第 之 明 發 本 出 示 圓 8 1 0 第圍 路 電 之 器 大 放 算 遵 良 改 之 例 實 9 11 第 之 明 發 本 出 示 圖 9 1 0 第圖 路 20詳 第聃 53 發 本 電 之 之 間 器 级 大 出 放 输 算 和 運 级 良 入 改 輸 之 之 例 器 實 大 20放 第 算 之 運 明 於 發 接 本 埋 出 供 示 提 圖d s 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4«t格（2丨0><297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（5 ) 中間電路。該输入级及輪出级係僱壓在高壓線和低壓線 間。該中間電路亦偏壓於該高壓線和低壓線。中間電路 含有下述元件。至少設置第1對之第1電晶«及第1定 常電流源，兩者係串接於高K線和低壓媒之間。在第1 電晶趙和第1定常電流源間之第1中間點係接至輪出级 。至少設置第2對之第2電晶體及第2定常電流源，兩 者亦串接於高壓線和低懕線之間。該第2對之第2電晶 體係並瞄於該第1對之第1電晶體，且係接近於輪X级 。在第2電晶趙和第2定常電流源間之第2中間點係接 至輸出级側之第1電晶體之控制霄極。第2電晶®之控 制閘係接至输入级。 輸出级最好包括具有一只P-通道MOS電晶體及一只n-通道MOS電晶體之互補MOS電路，此兩MOS電晶體串接 於高壓線和低壓線之間，P-通道MOS電晶體接至高壓線 ，而η-通道MOS電晶體則接至低歷線，及输人级最好至少 含有一差動放大器電路。 於上述之情形，第1電晶體可包括一只η-通道MOS電 晶體，其具.有接至低懕線之源極，接至第1定常電流源 及輪入级側之Ρ-通道MOS電晶體之閘極之洩極。第1定 常電流源可接至高壓線。第2電晶體可包括一只η-通道 MOS鼋晶體，其具有接至低壓線之源極，及接至第2定 常電滾源和如第1電晶體那樣接至η-通道MOS轚晶體之 閘搔之洩極及接至輪入鈒和輸出级側之η-通道MOS電晶 體之閘極之閘極。第2定常電流源可接至高壓線。 -7- 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） I 11 1.' I I n 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（6 ) 1 1 於 上 述 之 情 形 9 输 入 级 可 包 括 接 收 第 1 輸 入 信 號 用· 之 1 1 第 1 輸 入 端 子 * 接 牧 第 2 輸 入 信 號 用 之 第 2 輪 入 端 子 9 1 I 及 連 接 於 第 1 输 入 端 子 和 第 2 輸 入 端 子 間 之 第 1 差 動 放 請 1 1 1 大 器 電 路 〇 第 1 差動放大器電 路 係 館 πηΐ 壓 於 高 壓 線 和 低 壓 先 閲 1 讀 1 I 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 背 面 1 之 1 2 電 晶 體 之 閘 極 及 輸 出 级 之 η - 通道M0S 電 晶 體 〇 輸 入 级 注 意 1 I 外 可 包 括 接 至 第 1 輸 入 端 子 及 第 2 輸 入 端 子 之 第 2 差 事 項 1 I 再 1 | 動 放 大 器 電 路 〇 此 第 2 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 填 1 A 寫 本 和 低 壓 線 間 〇 第 2 差 動 放 大 器 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 頁 1 I 2 電 晶 體 之 鬧 極 及 輸 出 级 之 η - 通道M0S 電 晶 體 〇 1 1 或 者 9 第 1 電 晶 體 可 包 括 下 述 設 置 一 只 η - 通道M0S 電 1 I 晶 體 f 其 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 及 接 至 第 1 定 常 電 流 1 1 訂 1 源 及 輸 出 级 之 P- 通道M0S 電晶體之閘之洩極 〇 第 1 定 常 電 流 源 可 接 至 低 壓 線 〇 第 2 電 晶 體 可 包 括 一 只 η- 通道M0S 1 I 電 晶 體 9 其 具 有 接 至 低 壓 線 之 洩 極 * 及 接 至 第 2 定 常 電 1 1 流 源 和 如 第 1 電 晶 體 那 樣 接 至 Ρ- 通道M0S 電 晶 體 之 閘 棰 1 1 之 洩 極 1 及 接 至 輸 入 级 和 輸 出 级 之 η- 通道M0S 電 晶 體 之 I 閘 極 之 閛 m 0 第 2 定 常 電 流 源 可 接 到 高 壓 線 〇 1 1 於 上 述 之 情 形 $ 輪 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輸 入 UU m 1 1 子 俾 接 收 第 1 輸 入 信 號 及 第 2 輪 入 端 子 俾 接 收 第 2 輸 入 1 I 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 該 第 1 輸 入 端 子 及 該 1 1 第 2 輸 入 端 子 〇 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 1 1 和 低 壓 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 俗 接 至 中 間 電 I 路 之 第 2 電 晶 體 之 閘 棰 及 輸 -8 出 级 之 η - 通 道 〇 第 2 差 動 放 1 1 i 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐> --V Λ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印¾ 五、· 發明説明（ 7) 1 1 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輪 入 端 子 及 第 2 輪 入 端 子 〇 第 2 差 1 1 動 放 大 器 可 偏 壓 在 高 m 線 和 低 壓 線 間 9 第 2 差 劻 放 大 器 1 I 電 路 之 输 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 之 閘 極 及 輸 出 诗 1 ! 级 之 η - 通道M0S 電 晶 體 〇 先 閲 I 讀 1 I 或 者 « 第 1 電 晶 體 可 包 括 一 只 P- 通道M0S 電 晶 體 9 其 背 I 之 1 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 及 接 至 第 1 定 常 電 流 源 和 輸 出 注 意 1 级 之 Ρ- 通道M0S 電 晶 體 之 閘 極 〇 第 1 定 常 電 流 源 可 接 至 事 項 1 再 1 I 低 壓 線 〇 第 2 電 晶 體 可 包 括 一 只 ρ- 通道M0S 電 晶 體 其 導 1 寫 本 袭 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 定 常 電 流 源 和 Ρ- 通 道 頁 1 H0S 電 晶 體 之 閘 之 洩 極 9 及 接 至 輸 入 级 和 輸 出 级 之 Ρ- 通 1 1 道M0S 電 晶 體 之 閘 之 閘 極 〇 第 2 定 常 電 流 源 可 接 至 低 壓 1 1 線 〇 1 1 於 上 述 情 形 9 輸 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輸 入 端 子 1Τ 1 以 接 收 第 1 輸 入 信 號 〇 設 置 第 2 輸入端子以接收第2 輸 1 I 入 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輸 入 端 子 及 第 1 1 2 輸 入 端 子 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 低 1 壓 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 之 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 A | 電 晶 體 之 閘 和 输 出 级 之 η - 通道M0S 電 晶 體 〇 第 2 差 動 放 1 1 大 器 電 路 可 接 至 第 1 输 入 端 子 及 第 2 輸 入 端 子 〇 第 2 差 1 | 動 放 大 器 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 低 壓 線 間 〇 第 2 差 動 放 大 器 1 1 之 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 之 閘 和 輪 出 级 之 η - 1 通 道 M0S 電 晶 體 〇 1 1 或 者 9 第 1 電 晶 體 可 包 括 一 只 η - 通道M0S 電 晶 體 9 其 1 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 t 及 -9 接 至 第 1 定 常 電 流 源 和 輸 出 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 £7__ 五、發明説明（8 ) 级之η-通道MOS電晶體之閛極之洩極。第1定常電流源 可接於高懕線。第2電晶®可包括一只Ρ-通道MOS電晶 睡，其具有接至高壓線之源極，接至第2定常電流源和 如第1電晶體那樣接至η-通道MOS電晶體之闸極之洩極 ，及接至輸入级和输出鈒之Ρ-通道MOS電晶體之閛極之 閛極。第2定常電流源可接至低壓線。 於上述情形，輪入级可包括下述。設置第1輪入端子 俾接收第1輸入信Κ。設置第2輸入端子俾接收第2输 入信號。第1差動放大器電路可接至第1輸入端子和第 2檢入端子。第1差動放大器電路可锚壓在高懕線和低 壓線間。第1差動放大器電路之輸出可接至中間電路之 第2電晶體之閘極和輸出级之η-通道MOS電晶艟。第2 差動放大器電路可接至第1輸入端子和第2输入端子。 第2差動放大器電路可偏壓在高懕線和低壓線間。第2 差動放大器電路之輸出可接至中間電路之第2電晶體之 閛極和輪出级之η-通道MOS鼋晶體。 或者，輪出级可包括一只Ρ-通道MOS電晶體及一只η-ρ-η雙極性電晶體，此兩者係串接於高壓線和低壓線之 間。Ρ-通道MOS電晶體可接至高壓線，而η-ρ-η雙極性 電晶體可接至低壓線。 於上述情形，第‘ 1電晶體可包括一只η-通道MOS電晶 體，其具有接至低壓線之源極，接至第1定常電流源和 _出级之Ρ-通道MOS電晶《之閘極。第1定常電流源可 接至高壓線。第2電晶《可包括一只η-ρ-η雙極性電晶 太紙ife尺唐进用中圃國家揉牵（CNS > A4規格（210X297公釐） ί ί .1 ί m· ^^^1 mf--SJnn n^i ^^^1 nn (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 體，其具有接至低E線之射極，接至第2定常電流源和 如第1電晶體那樣接至η-通道HOS電晶體之闸極之集極 ,及接至输入级和在输出级之η-ρ-η雙極性電晶體之基 極之基極。第2定常電流源可接至高壓媒。 於上述情形，輪入级可包括下述。設置第1输入端子 俾輪入第1輪入信號。_置第2输入端子俾輸入第2输 入信號。第1差動放大器電路可接至第1輪入端子和第 2輪入端子。第1差動放大器電路可僱壓在高S線和低 壓線間。第1差動放大器之輸出可接至中間電路之 第2電晶體之基極和输出级之η-Ρ-Ρ雙極性電晶體。第2 差動放大器電路可接於第1輸入蟠子和第2輸入端子。 第2差動放大器電路可鴒壓在高壓線和低壓線間。第2 差動放大器電路之輸出可接至中間電路之第2電晶體之 基槿和輸出级之η-ρ-η雙極性電晶體。 或者，第1電晶體可包括一只Ρ-通道MOS電晶體，其 具有接至高壓線之源極及接至第1定常電潦源和輪出级 之Ρ-通道MOS電晶體之閘極之洩極。第1定常電流源可 接至低壓線，第2電晶體可包括一只η-ρ-η雙檯性電晶 體，其具有接至低壓線之射極，接至第2定常電流源和 如第1電晶體那樣接至Ρ-通道MOS電晶體之閘極之集極 ，及接至输入级和輪出级之η-ρ-η雙極性電晶體之基極 之基極。第2定常電流源可接至高壓線。 於上述情形，输入鈒可包括下述。設置第1输入端子 俾输入第1輸入信號。設置第2輸入端子俾输入第2 _ -11- 本紙依足度遢用中國Η家標準（CNS ) A4*t格（2丨0Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝· A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明（10 ) 1 1 入 信 號 0 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輸 入 端 子 和 第 1 1 2 输 入 端 子 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 鴒 壓 在 高 壓 線 和 低 1 1 懕 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 之 输 出 可 接 至 中 間 電 路 之 ^-X 請 1 先 1 第 2 電 晶 趙 之 基 極 和 翰 出 鈒 之 η - Ρ - η雙極性電晶趙 ，第2 閲 讀 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 於 第 1 輸 入 端 子 和 第 2 输 入 端 子 〇 背 面 1 之 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 可 镉 壓 在 高 壓 線 和 低 壓 線 間 〇 第 2 意 1 I 差 動 放 大 器 電 路 之 輪 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 之 事 項 再 1 1 基 極 和 輸 出 级 之 η - Ρ " η雙極性電晶體 > 填 寫 本 1 或 者 9 輪 出 级 可 包 括 只 η - 通 道 H0S 電 晶 體 及 —«. 只 Ρ - 頁 '—， 1 I η Ρ雙極性電晶體， 此兩者係串接於高壓線和低壓線之 1 1 間 〇 η - 通 道 H0S 電 晶 體 可 接 至 高 壓 線 9 而 Ρ - η ~ Ρ雙極性 1 1 電 晶 體 可 接 至 高 壓 線 〇 1 訂 於 上 述 情 形 9 第 1 電 晶 體 可 包 括 —* 只 ρ - 通 道 M0S 電 晶 1 體 f 其 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 » 及 接 至 第 1 定 常 電 流 源 1 I 和 輪 出 级 之 η - 通 道 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 〇 第 1 定 常 1 | 電 流 源 可 接 至 低 壓 線 〇 第 2 電 晶 ’體 可 包 括 一 只 Ρ " η Ρ雙 1 I 極 性 電 晶 體 > 其 具 有 接 至 高 壓 線 之 射 掻 • 接 至 第 2 定 常 义 1 電 流 源 和 如 第 1 電 晶 體 那 樣 接 至 Ρ - 通 道 H0S 電 晶 髖 之 閜 1 | 極 之 集 極 » 及 接 至 輪 入 级 和 在 輸 出 级 之 Ρ " η - 0雙檯性電 1 1 晶 體 之 基 極 之 基 極 〇 第 2 定 常 電 流 源 可 接 至 低 壓 烺 〇 1 I 於 上 述 倩 形 9 输 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 输 入 端 子 1 1 俾 輸 入 第 1 输 入 信 號 〇 設 置 第 2 输 入 端 子 俾 输 入 第 2 輸 1 入 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輸 入 端 子 和 第 I 2 输 入 端 子 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 傾 壓 在 高 m 線 和 低 1 I -12- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐} 313720 A7 £7__ 五、發明説明（11) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 壓線間。第1差動放大器電路之輪出可接至中間電路之 第2電晶體之基極和输出级之P-η-p雙棰性電晶體。第2 差動放大器電路可接於第1輪入端子和第2輪入端子。 第2差動放大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間。第2 差動放大器電路之輪出可接至中間電路之第2電晶體之 基極和輸出级之Ρ-η-ρ雙棰性電晶體。 或者，第1電晶體可包括一只η-通道M0S電晶體，其 具有接至低壓線之源棰，接至第1定常電流源和輪出级 之η-通道M0S電晶體之閘極。第1定常電流源可接至高 Ε線。第2電晶體可包括一只p-n-p雙極性電晶體，其 具有接至高壓線之射極，接至第2定常電流源和如第1 電晶體那樣接至η-通道M0S電晶體之閘極之集極，及接 至輸入级和在輸出级之Ρ-η-ρ雙極性電晶體之基極之基 極。第2定常電流源可接至低壓線》 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 於上述情形，輸入级可包括下述。設置第1輪入端子 俥输入第1輪入信號。設置第2輸入端子俥輸入第2輪 入信號。第1差動放大器電路可接至第1輸入端子和第 2输入端子。第1差動放大器電路可偏壓在高壓線和低 壓線間。第1差動放大器之輸出可接至中間電路之第2 電晶體之基極和輸出级之Ρ-η-ρ雙極性電晶體。第2差 動放大器電路可接於第1輸入端子和第2輸入端子。第 2差動放大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間。第2差 動放大器之輸出可接至中間電路之第2電晶體之基掻和 輸出级之Ρ-η-ρ雙極性電晶體。 -13- 本纸張尺度適用中《國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） B7_ 五、發明説明（12 ) 或者，输出级可包括一只互補MOS電路，其具有一只 P-通道MOS電晶S8及一只η-通道MOS踅晶髖，兩者係串 接於高壓線和低壓線間。Ρ-通道MOS霄晶體可接至高壓 線，而η-通道MOS電晶85可接至低鱷線，输人级可至少 包括一差動放大器電路。第1電晶體可包括一只η-通道 MOS電晶體，其具有接至低屋線之源極，接至第1定常 電流源和输出级側之Ρ-通道MOS電晶體之閘搔之洩極。 第1定常電流源可接至高壓線。第2電晶體可包括一只 η-通道HOS電晶體，其具有接至低壓線之源極，接至第 2定常電流源和如第1電晶體那樣接至η-通道MOS電晶 體之閛極之洩極及接至輸入级和在輸出级側之η-通道MOS 電晶體之閘極之閘極。第2定常電流源可接至高壓線。 中間電路另包括一只附加之η-通道MOS電晶趙，其具有 如第2電晶體那樣接至η-通道MOS電晶體之源極之源棰 ，如第2電晶體那樣接至η-通道MOS電晶體之洩極之洩 搔，及如第1電晶體那樣接至η-通道MOS電晶髓之闸棰 和如第2電晶體那樣接至η-通道MOS電晶體之洩極之閘 搔° 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上述倩形，輸入鈒可包括下述。設置第1输入端子 俾輪入第1輸入信號。設置第2輪入端子俾输入第2輸 入信號。第1差動放大器電路可接至第1輸入端子和第 2輸入端子。第1差動放大器電路可偏壓在高壓線和低 颸線間。第1差動放大器之輪出可接至中間電路之 第2電晶體之閘極和輸出级之η-通道MOS電晶體。第2 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（15 ) 差動放大器電路可接於第1输入端子和第2输入端子。 第2差動放大器電路可偏壓在高懕線和低壓線間。第2 差»放大器之输出可接至中間電路之第2«晶植之 閛極和輪出级之η-通道MOS電晶超。 可另外設置第1附加Ρ-通道MOS電晶體，其具有接至 第1定常電流源之源極，如第1電晶體那樣接至η-通道 MOS電晶體之洩極之洩極，及接至输出供之Ρ-通道MOS 電晶體之閘搔之閘掻。 可另外設置第2附加η-通道MOS電晶埋，其具有接至 η-通道MOS電晶體之源極之源極，如第1電晶體那樣接 至η-通道MOS電晶體之洩極之洩極，及如第1電晶體那 樣接至η-通道MOS電晶體之洩極之閘極。 或者，輸出鈒可包括一只互補MOS電路，其具有一只 Ρ-通道MOS、電晶體及一只η-通道MOS電晶體，兩者係串 接於高壓S和低壓媒間。Ρ-通道HOS電晶體可接至高壓 線，而η-通道MOS電晶體可接至低壓線，輸入扱可至少 包括一差動放大器電路。第1電晶體可包括一只Ρ-通道 MOS電晶體，其具有接至高壓線之源極，接至第1定常 電流源和輸出级側之Ρ-通道MOS電晶體之閘極之洩極。 第1定常電流源可接至低壓線。第2電晶ffi可包括一只 η-通道MOS電晶體，其具有接至低壓線之源極，接至第 2定常電流源和如第1電晶體那樣接至ρ-通道MOS電晶 體之閘極之洩極及接至输入级和在輸出级側之η-通道MOS 電晶體之閘極之閘極。第2定常電流源可接至高壓線。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ---------ί 1裝------訂 (請先閲讀背面之注^一^項再填寫本頁) 013720 A7 經濟部中央標準局 負工消費合作社印装 B7五、發明説明（U ) 中間電路另包括一只附加之P-通道MOS電晶體，其具有 如第1電晶體那樣接至P-通道MOS電晶體之源極之源極 ，如第1電晶體那樣接至P-通道MOS電晶體之洩極之洩 極，及輸出级倒接至P-通道MOS電晶體之閛極_如第1 電晶體那樣接至P-通道MOS電晶體之洩極之閘極。 於上述情形，輸入级可包括下述。設置第1輪入端子 俾輸人第1輸入信號。設置第2输入端子俾輸入第2輪 入信號。第1差動放大器電路可接至第1输入端子和第 2輪入端子。第1差動放大器電路可镉壓在高壓線和低 壓線間。第1差勖放大器電路之輸出可接至中間電路之 第2電晶體之閘極和輸出级之η-通道MOS電晶體。第2 差動放大器電路可接於第1输入端子和第2輸入端子。 第2差動放大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間。第2 差動放大器之输出可接至中間電路之第2電晶體之 閘極和輸出级之η-通道MOS電晶體。 本發明提供一種運算放大器，其含有一 _入鈒，一輸 出级及接在該輸入级及輸出鈒間之中間電路。該運算放 大器偏壓在高壓線和低壓線間。輸入级至少含有一放大 器電路。中間電路含有至少第1對之第1電晶體和第1 定常電流源，兩者係串接於該高壓線與低壓線之間。第 1對電晶體可設於輸出鈒之附近。在該第1電晶體和該 第1定常電流源間之第1中間點可接至輸出级。至少設 置第2對之第2電晶體及第2定常電流源，兩者也串接 於高壓線和低壓線之間。該第2對之第2電晶匾可並聯 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4说格（2丨0><297公釐} A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ 15') 1 1 於 第 1 對 之 第 1 電 晶 體 9 且 可 接 近 於 输 入 级 〇 第 2 電 晶 1 1 暖 和 第 2 定 常 電 流 源 間 之 第 2 中 間 點 可 接 於 输 出 级 附 近 1 1 之 第 1 電 晶 體 之 控 制 電 極 Ο 第 2 電 晶 體 之 控 制 閜 可 接 於 y—s 請 ! 先 1 输 入 级 Ο - 閲 讀 1 輪 入 鈒 側 之 放 大 器 電 路 可 包 括 一 差 動 放 大 器 電 路 〇 背 1 I 之 1 輪 出 趿 可 包 括 一 只 互補MOS 電 路 • 其 具 有 一 只 p - 通 道 注 意 1 事 1 HOS 電 晶 體 及 — 只 η - 通道MOS 電 晶 體 • 此 兩 電 晶 體 係 串 項 再 § 禽 本 A 接 在 高 懕 線 和 低 壓 線 之 間 〇 Ρ' 通道MOS W. 晶 暖 可 接 至 高 裝 壓 線 9 而 η - 通道MOS 電 晶 體 可 接 至 低 壓 線 〇 输 入 趿 至 少 頁 1 I 含 有 一 差 動 放 大 器 電 路 Ο 1 1 於 上 述 情 形 9 第 1 電 晶 體 可 包 括 一 只 η - 通道H0S 電 晶 1 1 體 • 其 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 t 接 至 第 1 定 常 電 流 源 和 1 訂 输 出 级 之 Ρ 一 通道MOS 電 晶 體 之 閘 極 〇 第 1 定 常 電 流 源 可 1 接 至 髙 壓 線 〇 第 2 電 晶 體 可 包 括 一 只 η - 通道HOS 電 晶 體 1 1 » 其 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 接 至 第 2 定 常 電 流 源 和 如 1 I 第 1 電 晶 體 那 樣 接 至 η - 通道MOS 電 晶 體 之 洩 極 » 及 接 至 1 4 输 入 级 和 在 輸 出 级 之 η 一 通道MOS 電 晶 體 之 m 極 之 閘 極 〇 Γ 第 2 定 常 電 流 源 可 接 至 高 壓 線 Ο 1 1 於 上 述 情 形 輪 入 級 可 包 括 下 〇 設 置 第 1 輪 入 端 子 1 1 俾 輪 入 第 1 輸 入 信 號 〇 設 置 第 2 輸 入 端 子 俾 輸 入 第 2 输 1 | 入 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輪 入 端 子 和 第 Ί 1 2 輪 入 端 子 〇 第 1 差 動 放 大 器 電路可偏懕在高壓線和低 1 1 壓 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 嫌 出 可 接 至 中 間 電 路 之 I 第 2 電 晶 體 之 閘 極 和 輸 出 级 之 η " 通道HOS 霄 晶 體 〇 第 2 1 I -17- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4规洛（2丨0X297公釐） 47 經濟部中央採準局.貝.工消‘费合作社 _B7_五，發明説明（16) 差動放大器電路可接於第1輪入端子和第2输入端子。 第2差動放大器電路可饍壓在高壓媒和低壓線間。第2 差動放大器之输出可接至中間電路之第2電晶膻之 閘極和输出级之η-通道HOS電晶B。 第1差動放大器電路可包括下述。經各自之源極相互 連接之第1及第2 η-通道MOS電晶81之第1差動電晶體 對，前述源極可经一定常電流源而接至低壓線。第1差 動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之閘極可接至第1 輸入端子。第1電晶體對之第2 η-通道MOS電晶體之閘 極可接至第2輸入端子。第1電流鏡對電路可包括一對 第1及第2 ρ-通道MOS電晶體。第1 Ρ-通道MOS電晶體 具有接至高壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之洩極之洩極.及接至第1差動電晶 體對之第1 η-通道MOS電晶體之洩極之閘極。第2 ρ-通 道MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差動放 大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對之第1 η-通道 MOS電晶體之閛®之閘極。第2電淀鏡對電路可包括第 3及第4 ρ-通道MOS電晶體對。第3 ρ-通道MOS電晶體 可具有接至高壓線.之源極，接至第1差動電晶體對之第 2 η-通道MOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差勖電 晶超對之第2 η-通道MOS電晶腰之洩極之閛極，而第4 Ρ-通道MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差 劻放大器電路和如中間電路之第2電晶艏那樣接至η -通 道MOS電晶體之閘極之洩極，及接至第1差動電晶體對 -18- (靖先閲讀背面：之注項再填寫本I-’) ---- 訂. · n m ·11 參紙乐尺展埠巧中珲國家揉卒（PN? > Μ規格（210Χ297公孽） A7 B7 313720 五、發明説明（17 ) 之第2 η-通道M0S電晶趙之閘極之閛極。第2差動放大 器電路包括烴各自之源極連接之第1及第2 Ρ-通道之第2差 動電晶體對，前述源極經一定常電淀源接至高壓線。第 2差動電晶體對之第1 Ρ-通道M0S電晶體之閘極可接至 第2輸人端子。第2差動電晶體對之第2 ρ-通道M0S電 晶體之閛極可接至第1输入端子。第3電流鏡對電路包 括第1及第2 η-通道M0S電晶體對。第1 η-通道M0S電 晶體具有接至低壓線之源槿，接至第2差動電晶髖對之 第1 Ρ-通埴M0S電晶體之洩棰之洩極，接至第2差劻電 晶體對之第1 Ρ-通道M0S電晶體之洩極之閛極。第2 η-通道M0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至第2差劻 電晶體對之第2 ρ-通道M0S電晶體之洩極和如中間電路 之第2電晶體那樣接至η -通道M0S電晶體之閘極之洩極 ，及接至第2差動電晶體對之第1 ρ-通道M0S電晶體之 閘極之閘極。 第1差動放大器電格可包括下述。經各自之射搔相互 連接之第1及第2 η-ρ-η雙極性電晶體之第1差動電晶 顦對，前述射極可經一定常電流源而接至低壓線。第1 差動電晶體對之第1 n-p-ri雙極性電晶體之基極可接至 第1输人端子。第1電晶體對之第2 η-ρ-η雙極性電晶 暖之基極可接至第2輸入端子。第1霣流鏡對電路可包 括一對第1及第2 ρ-·通道M0S電晶體。第1 ρ-通道M0S 電晶賭具有接至高壓線之源極，接至第1差動電晶體對 之第1 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之洩極，及第1差動 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I. I I I J I I (請先閲讀背面之注意事項再^?本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（18 ) 電晶體對之第1 n-p-n雙極性電晶體之集極之閘極。第2 P-通道MOS電晶體具有’接至高壓線之源極，接至第2差 動放大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對之第1 n-P-η雙極性電晶體之集棰之閘極。第2電流鏡對電路可 包括第3及第4 ρ -通道Μ 0 S電晶體對β第3 ρ -通道Μ 0 S 電晶體可具有接至高擊線之源極，接至第1差動電晶體 對之第2 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之源極，及接至第\ 差動電晶體對之第2 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之閘極， 而第4 Ρ-通道MOS電晶體具有接至_壓線之源極，接至 第2差動放大器電路對和如中間電路之第2電晶體那樣接 至η-通道MOS電晶體之閘掻之洩極，及接至第1差動電晶 體對之第2 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之閘極。第2差 動放大器電路包括經各自之射棰連接之第1及第2 ρ-η-ρ 雙極性電晶體之第2差動電晶體對，前述射極經一定常電 流源接至高壓線。第2差動電晶體對之第1 ρ-η-ρ雙極 性電晶體之基極可接至第2輸入端子。第2\差動電晶體 對之第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之基極可接至第1輸入端 子。第3電流鏡對電路包括第1及第2 η-通道MOS電晶 體對《第1 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線之源極， 接至第2差動電晶體對之第1 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集 極之洩極，接至第2差動電晶體對之第1 ρ-η-ρ雙極性 電晶體之集極之閘棰《第2 η -通道Μ 0 S電晶體具有接至 低壓線之源極，接至第2差動電晶體對之第2 ρ-η-ρ雙 極性電晶體之集極和如中間電路之第2電晶體那樣接至 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I I n n n ~~ 訂"~ I I I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、 發明説明 〔19 ) 1 1 η - 通 道 MOS 電 晶 體 之 閛 極 之 洩 掻 9 及 接 至 第 2 差 動 電- 晶 1 1 體 對 之 第 1 Ρ- η - Ρ雙極性電晶體之集極之閘極。 1 I 或 者 9 第 1 電 晶 體 可 包 括 一 只 Ρ- 通 道 HOS 電 晶 醴 9 其 /·—V 請 1 1 1 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 % 接 至 第 1 定 常 電 流 源 和 輸 出 级 先 閲 1 讀 1 I 之 ρ- 通 道 MOS 電 晶 m 之 閘 棰 〇 第 1 定 常 電 流 源 可 接 至 高 背 面 I 之 1 壓 線 〇 第 2 電 晶 體 可 包 括 —- 只 η - 通 道 HQ S 電 晶 體 > 其 具 注 意 1 I 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 定 常 電 流 源 和 如 第 1 電 事 項 1 再 1 I 晶 體 那 樣 接 至 Ρ- 通 道 NOS 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 » 及 接 至 填 寫 本 1 裝 輸 入 级 和 在 輸 出 级 之 η- 通 道 MOS 電 晶 體 之 閘 極 〇 第 2 定 頁 '—-- 1 I 常 電 流 源 可 接 至 高 壓 線 〇 1 1 於 上 述 情 形 9 輸 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輸 入 端 子 1 I 俥 輸 入 第 1 輸 入 信 號 〇 設 置 第 2 輸 入 ill! 晒 子 俾 輸 入 第 2 輸 1 1 訂 1 入 信 號 Ο 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輸 入 端 子 和 第 2 輸 入 端 子 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 低 1 I 壓 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 之 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 1 1 I 電 晶 體 之 閘 極 和 輪 出 级 之 η - 通 道 HOS 電 晶 體 〇 第 2 差 動 1 放 大 器 電 路 可 接 於 第 1 輪 入 端 子 和 第 2 輪 入 端 子 〇 第 2 線 I 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 低 壓 線 間 〇 第 2 差 動 1 1 放 大 器 之 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 之 閘 極 和 輸 1 1 出 级 之 η - 通 道 Η0 S 電 晶 體 〇 1 I 於 上 述 情 形 9 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 包 括 下 述 〇 經 各 1 1 白 之 源 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 η - 通 道 M0 S 電 晶 體 之 第 1 1 1 差 動 電 晶 體 對 9 ·» · 刖 述 源 極 可 經 一 定 常 電 流 .源 而 接 至 低 I 壓 線 〇 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 η - 通 道 H0 S 電 晶 體 之 閛 1 I -2 1 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

01S72Q A7 B7 五、發明説明（20 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 極可接至第1输入端子。第1電晶醱對之第2 η-通道M0S 電晶體之閛搔可接至第2输入端子。第1電流鏡對電路 可包括一對第1及第2 Ρ-通道M0S電晶體。第1 ρ-通道 M0S電晶體具有接至高壓線之源捶，接至第1差動電晶 體對之第1 η-通道M0S電晶體之洩極之洩棰，及第1差 動電晶體對之第1 η -通道M0S電晶體之洩極之閘極。第 2 ρ-通道M0S電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2 差動放大器電路之洩棰，接至第1差動電晶體對之第1 η-通道M0S電晶體之閘極之閘搔。第2電流鏡對電路可 包括第3及第4 Ρ -通道M0S電晶體對。第3 ρ -通道M0S 電晶體可具有接至高壓線之源極，接至第1差動電晶體 對之第2 η-通道M0S電晶體之洩極，及接至第1差動電 晶體對之第2 η-通道M0S電晶體之洩極之閘掻，而第4 Ρ-通道K0S電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差 動放大器電路和如中間電路之第2電晶體那樣接至η-通道M0S電晶體之閘掻之洩極，及接至第1差動電晶 體對之第2 η-通道M0S電晶體之閘極之閘掻。第2差 動放大器電路包括經各自之源極連接之第1及第2 Ρ-通 道M0S電晶體之第2差動電晶體對，前述源極經一定常 電流源接至高壓線。第2差動電晶體對第1 ρ -通道M0S 電晶體之閘極可接至第2輸入端子。第2差動電晶體 之第2 ρ -通道M0S電晶體之閘極可接至第1輪入端子。 第3電流鏡對電路包括第1及第2 η -通道M0S電晶體對 。第1 n-通道M0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央標率局貝工^合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 第2差動霄晶體對之第1 P-通道HOS電晶«之洩極之拽 極，接至第2差動電晶體對之第1 P-通道MOS電晶體之 洩極之閘極。第2 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線之 源極，接至第2差動電晶體對之第2 Ρ-通道MOS電晶粗 之洩極和如中間電路之第2電晶®那樣接至η-通埴MOS 電晶體之閘極之洩極，及接至第2差動電晶趙對之第1 Ρ-通道MOS電晶體之閘極之閘極。 或者，第1差動放大器電路可包括下述。經各自之射 極相互連接之第1及第2 n-p-ti雙極性電晶體之第1差 動電晶體對，前述射極可經一定常電流源而接至低壓線 。第1差動電晶體封之第1 n-p-n雙極性電晶體之基極 可接至第1输入端子。第1電晶體對之第2 n-p-ri雙極 性電晶體之基極可接至第2輪入端子。第1電流鏡對電 路可包括一對第1及第2 P-通道MOS電晶體。第1 ρ-通 道MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第1差動電 晶體對之第1 n-p-n雙極性電晶體之集極之洩極，及第1 差動電晶體對之第1 n-p-n雙極性電晶趙之集極之閘極。 第2 ρ-通道MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第 2差動放大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對之第 1 n-p-n雙楹性電晶體之集極之閘極。第2電流鏡對電 路可包括第3及第4 Ρ-3Ϊ道MOS電晶賭對。第3 ρ-通道 MOS電晶體可具有接至高壓線之源極，接至第1差動電 晶體對之第2 n-p-n雙極性電晶體之集槿之洩極，及接 至第1差動電晶體對之第2 n-p-n雙極性電晶體之集極 -23- 本紙張尺度適用中困國家楗牟（CMS > A4規格（210X297公釐） n^— — n n I I I I ^^ 1> —1 —ml n T (請先H讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣率局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（22 ) « 之閑搔，而第4 p-通道MOS電晶體具有接至高壓線之源 極，接至第2差劻放大器電路和如中間電路之第2電晶 體那樣接至η-通道MOS電晶體之閛極之洩極，及接至第 1差動電晶體對之第2 n-p-n雙極性電晶體之集極之閘 極。第2差動放大器電路包括經各自之射極連接之第1 及第2 p-n-p雙極性電晶體之第2差動電晶體對，前述 射極經一定常電流源接至高壓線。第2差動電晶體對之 第1 p-n-p雙極性電晶體之基極可接至第2輸入端子。第 2差動電晶體之第2 p-n-p雙極性電晶體之基極可接至 第1輸入端子。第3電流鏡對電路包括第1及第2 η-通 道MOS電晶體對。第1 η -通道MOS電晶體具有接至低壓 線之源極，接至第2差、電晶體對之第1 p-n-p雙極性 電晶體之集掻之洩極，接至第2差動電晶體對之第1 p-n-p雙搔性電晶體之集極之閘極。第2 η-通道MOS電晶 體具有接至低壓線之源極，接至第2差動電晶體對之第 2 P-n-p雙極性電晶體之集極和如中間電路之第2電晶 體那樣接至η -通道MOS電晶體之閘極之洩極，及接至第 2差動電晶體對之第1 p-n-p雙極性電晶體之集極之閘 極。 或者，第1電晶體可包括一只P -通道MOS電晶體，其 具有接至高壓線之源棰，接至第1定常電流源和輸出级 之P -通道MOS電晶體之閘棰。第1定常電流源可接至低 壓線。第2電晶體可包括一只P-通道MOS電晶體，其具 有接至高壓線之源捶，接至第2定常電流源和如第1電 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） — .1 I I I I I I 1TI 务 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 :23) 1 1 晶 體 那 樣 接 至 Ρ- 通 道 N0S 電 晶 醸 之 閛 極 之 洩 搔 > 及 接- 至 1 1 输 入 级 和 在 輪 出 级 之 Ρ- 通 道 H0S 電 晶 體 之 閘 掻 〇 第 2 定 1 I 常 電 流 源 可 接 至 低 壓 線 〇 '—Ν 請 1 1 於 上 述 情 形 9 输 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輪 入 端 子 先 閲 I I 讀 1 I 俥 輸 入 第 1 輸 入 信 號 〇 設 置 第 2 输 入 端 子 俥 输 入 第 2 輸 背 I 之 1 入 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輸 入 端 子 和 第 注 意 1 1 2 輸 入 端 子 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 低 事 項 1 再 1 壓 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 之 輪 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 填 寫 本 1 電 晶 體 之 閘 極 和 輪 出 级 之 η - 通 道 H0S 電 晶 體 〇 第 2 差 動 頁 1 1 放 大 器 電 路 可 接 於 第 1 输 入 端 子 和 第 2 輪 入 端 子 〇 第 2 1 1 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 低 壓 線 間 0 第 2 差 動 1 I 放 大 器 之 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 之 蘭 極 和 輸 1 1 訂 1 出 级 之 η - 通 道 H0S 電 晶 體 〇 於 上 述 情 形 9 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 包 括 下 逑 〇 經 各 1 I 白 之 源 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 Ρ- 通 道 M0S 電 晶 體 之 第 1 1 1 差 動 電 晶 體 對 9 前 述 源 極 可 經 一 定 常 電 '流 源 而 接 至 高 1 壓 線 0 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 ρ- 通 道 M0S 電 晶 體 之 閘 線 I 極 可 接 至 第 1 输 入 端 子 〇 第 1 電 晶 體 對 之 第 2 ρ- 通 道 1 1 M0S 電 晶 體 之 蘭 極 可 接 至 第 2 輸 入 端 子 〇 第 1 電 流 鏡 1 1 對 電 路 可 包 括 一 對 第 1 及 第 2 η - 通 道 M0S 電 晶 體 〇 第 1 1 I η - 通 道 Η0 S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 捶 * 接 至 第 1 差 1 1 動 電 晶 體 對 之 第 1 Ρ- 通 道 Η0 S 電 晶 體 之 洩 棰 之 洩 極 » 及 1 1 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 Ρ- 通 道 M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 1 I 極 〇 第 2 η - 通 道 M0S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 9 接 1 -25- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國家標率（CNS ) A4規格（2丨OX 29*7公釐） A7 B7 五、發明説明（24 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 至第2差動放大器電路之洩極，接至第1霣淀縝對電路 之第1 η-通道MOS電晶體之閘極之閘極。第2電流鏡對 電路可包括第3及第4 η-通道MOS電晶體對。第3‘η-通 道MOS電晶體可具有接至低壓線之源極，接至第1差動 電晶體對之第2 Ρ-通道MOS電晶體之洩極之洩極，及接 至第1差動電晶體對之第2 ρ-通道MOS電晶體之洩極之 閘極，而第4 η-通道MOS電晶趙具有接至低壓線之源極 ,接至第2差動放大器電路和如中間電路之第2電晶體那 樣接至Ρ-通道MOS電晶體之閜極之洩極，及接至第2電 流鏡對電路之第2 η-通道MOS電晶體之閘極。第2差動 放大器電路包括經各自之源極連接之第1及第2 η-通道 之第2差動電晶體對，前述源極經一定常電流源接至低 壓線。第2差動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之閛 極可接至第2輸入端子。第2差動電晶體之第2 η-通道 MOS電晶體之閘極可接至第1輸入端子。第3電流鏡對 電路包括第1及第2 Ρ-通道MOS電晶體對。第1 ρ-通道 MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差動電晶 體對之第1 η-通道MOS電晶體之洩極之洩極，接至第2 差動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之閛極之閘極。 第2 ρ-通道HOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第 2差動電晶體對之第2 n -通道MOS電晶體之洩極之洩極 ，和如中間電路之第2電晶體那樣接至ρ-通道MOS電晶 體之閘極，接至第2差動電晶體對之第1 η-通道MOS電 晶®之閘極之閘掻。 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） fltj iS?20 A7 B7 五、發明説明（25 ) ^1. ----- II - - - - II— ί I —I— n .......I ....... .: -- I -— 丁 US. 、vs (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上述情形，第1差動放大器電路可包括下述。經各 自之射極相互速接之第1及第2 p-n-p雙極性電晶饉之 第1差動電晶體對，前述射極可烴一定常電流源而接至 高壓線。第1差動電晶體對之第1 Ρ-η-P雙捶性電晶® 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 之基極可接至第1输入端子。第1電晶體對之第2 ρ-η-Ρ-雙極性電晶體之基極可接至第2輸人端子。第1電流 鏡對電路可包括一對第1及第2 η-通道MOS電晶體。第 1 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至第1 差動電晶體對之第1 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之洩極 ，及第1差動電晶體對之第1 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集 極之閘極。第2 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線之源 極，接至第2差動放大器電路之洩極，接至第1電流鏡 對電路之第1 η-通道MOS電晶體之閛極之閘極。第2電 流鏡對電路可包括第3及第4 η-通道MOS電晶體對。第 3 η-通道MOS電晶體可具有接至低S線之源極，接至第 1差動電晶體對之第2 Ρ-η-ρ雙極性轚晶體之集極之洩 S,及接至第1差動電晶體對之第2 Ρ-η-ρ雙極性電晶 體之集極之閘極，而第4 η-通道MOS電晶體具有接至低 壓線之源極，接至第2差動放大器電路和如中間電路之 第2電晶體那樣接至Ρ-通道MOS電晶體之閘極之洩極， 及接至第2電流鏡對電路之第1 η-通道MOS電晶體之閘 極。第2差動放大器電路包括经各自之射極連接之第1 及第2 η-ρ-η雙極性電晶賭之第2差動電晶趙對，前述 射極經一定常電流源接至低壓線。第2差動電晶®對之 -27- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS > 格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印«. 五、發明説明（ 26 ) 1 1 第 1 η Ρ η雙槿性電晶體之基極可接至第2 输λ端子< 1 1 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 η - Ρ ~ η雙極性電晶體之基極可 1 1 接 至 第 1 輸 入 端 子 〇 第 3 電 淀 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 Ν 請 1 先 1 P " 通 道 H0S 電 晶 體 對 〇 第 1 ρ - 通 道 H0S 電 晶 體 具 有 接 至 閲 ft 1 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 η Ρ· η雙 背 面 1 之 1 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 .之 第 1 I 1 η Ρ η雙極性電晶體之集極之閘搔 )第2 Ρ -通道M0S 事 項 1 \ • 再 I 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 • 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 寫 本 1 之 第 2 η - Ρ - η雙極性電晶體之集極和如中間電路之第2 頁 1 I 電 晶 體 那 樣 接 至 Ρ — 通 道 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 9 及 接 1 1 至 第 3 電 流 鏡 對 電 路 之 第 1 Ρ - 通 道 H0S 電 晶 體 之 閘 極 之 1 | 閘 極 〇 第 1 電 晶 體 可 包 括 一 只 η - 通 道 M0S 電 晶 體 f 其 具 1 訂 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 1 定 常 電 流 源 和 輸 出 级 之 1 η 通 道 H0S 電 晶 體 之 閘 極 0 第 1 定 常 電 流 源 可 接 至 高 壓 1 | 線 〇 第 2 電 晶 體 可 包 括 一 只 Ρ 一 .通 道 M0S 電 晶 體 • 其 具 有 1 I 接 至 高 壓 線 之 源 極 接 至 第 2 定 常 電 流 源 和 如 第 1 電 晶 1 -鼠、 體 那 樣 接 至 η - 通道 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 ， 及 接 至 輸 I 入 级 和 在 輸 出 级 之 ρ - 通 道 H0S 電 晶 體 之 閘 極 〇 第 2 定 常 1 1 I 電 流 源 可 接 至 低 壓 線 〇 1 於 上 述 情 形 9 輸 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輸 入 端 子 1 I 俾 輸 入 第 1 輸 人 信 號 〇 設 置 第 2 輸 入 端 子 俾 輸 入 第 2 輸 1 入 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 输 入 端 子 和 第 1 1 2 輸 入 端 子 〇 第 1 m 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 低 I 壓 m 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 之 输 出 可 接 至 中 間 電 路 之 1 - 2 8 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） B7 五、發明説明（27 ) 第2電晶體之MS和输出级之η-通道MOS電晶體。第2 差動放大器電路可接於第1輸入端子和第2输入端子。 第2差動放大器電路可镉壓在髙壓線和低壓線間。第2 差動放大器之輪出可接至中間電路之第2電晶體之 閘極和輪出级之η-通道MOS電晶體。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1差動放大器電路可包括下述。經各自之源極相互 連接之第1及第2 ρ-通道MOS電晶體之第1差動電晶體 對，前述源極可經一定常電流源而接至高壓線。第1差 動電晶體對之第1 Ρ-通道MOS電晶體之閘極可接至第1 輸入端子。第1電晶體對之第2 ρ-通道MOS電晶體之W 極可接至第2輸人端子。第1電流鏡對電路可包括一對 第1及第2 η-通道MOS電晶體。第1 η-通道MOS電晶體 具有接至低壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1 Ρ-通道MOS電晶體之洩極之洩極，及第1差動電晶體對 之第1 Ρ-通道MOS電晶體之洩極之閘極。第2 η-通道MOS 電晶體具有接至低懕烺之源極，接至第2差動放大器電 路之洩極，接至第1差動電晶體對之第1 Ρ-通道MOS電 晶體之閘極的閘極。第2電流鋳對電路可包括第3及第 4 ρ-通道MOS電晶體對。第3 η-通道MOS電晶體可具有 接至低壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第2 ρ-通 道MOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體對 之第2 ρ-通道MOS電晶體之洩極之閘極，而第4 η-通道 MOS電晶體具有接至低壓線之源掻，接至第2差動放大 器電路和中間電路之第2電晶®那樣接至ρ-通道MOS電 -29- 本紙張尺度適用中國國家梂準（〇阳）六4说格（2丨0<297公着） A7 B7 五、發明説明（28 ) 晶體之閘極之洩極，及接至第1差動電晶體對之第2 ·ρ-*道MOS電晶體之閘掻。第2差動放大器電路包括烴各 自之源極連接之第1及第2 η-通道之第2差動電晶體對 ，前述源極經一定常電淀源接至低屋線。第2差動電晶 體對之第1 η-通道MOS電晶體之閘極可接至第2輸人端 子。第2差動電晶體對之第2 η-通道MOS電晶體之閘極 可接至第1輸入端子。第3電流鏡對電路包括第1及第 2 Ρ-通道MOS電晶體對。第1 Ρ-通道MOS電晶體具有接 至高壓線之源極，接至第2差動電晶體對之第1 η-通道 MOS電晶體之洩極之洩搔，接至第2差動電晶體對之第 1 η-通道MOS電晶體之洩極之閛極。第2 Ρ-通道MOS電 晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差動電晶體對之 第2 η-通道MOS電晶體之洩極和如中間電路之第2電晶 體那樣接至Ρ-通道MOS電晶體之閘極之洩極，及接至第 2差動電晶體對之第1 η-通道HOS電晶體之閘極之閛極。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上述情形，第1差動放大器電路可包括下述。烴各 自之射極相互連接之第1及第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之 第1差動電晶體對，前述射極可經一定常電流源而接至 高壓線。第1差動電晶體對之第1 Ρ-η-ρ雙極性電晶體 之基槿可接至第1输入端子。第1電晶體對之第2 ρ-η -Ρ雙槿性電晶體之基極可接至第2输入端子。第1電流 鏡對電路可包括一對第1及第2 η-通道MOS電晶體。第 1 η -通道MOS電晶體具有接至低壓線之源棰，接至第 1差動電晶體對之第1 Ρ-η-P雙極性電晶體之集極之洩 -30- 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） Α7 Β7 313720 五、發明説明（29 ) (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 極，及第1差動電晶體對之第1 p_n_p雙極性®晶趙之 集極之閛極。第2 η-通道MOS電晶暖具有接至低β線之 源極，接至第2差動放大器電路之洩極·接至第1電流 鏡鲟電路之第1 η -通道MOS電晶體之阐極之IW極。第2 電流鏡對電路可包括第3及第4 η_通道電晶體爵。 第3 η-通道MOS電晶體可具有接至低壓線之源極，接至 第1差動竃晶體對之第2 Ρ-η-Ρ雙極性電晶體之集極之 洩極，及接至第1差動電晶暖對之第2 Ρ-η-Ρ雙極性電 晶賭之集極之閘極，而第4 η-通道MOS電晶體具有接至 低壓線之源極，接至第2差動放大器電路和如中間電路 之第2甯晶體那樣接至Ρ-通道M0S電晶體之閘極之洩極 ，及接至第2電流鏡對電路之第1 η-通道MOS電晶體之 閘極之閛極。第2差動放大器電路包括經各自之射極連接 之第1及第2 η-ρ-η雙極性電晶賭之第2差動電晶«對 ，前述射極經一定常電流源接至低壓線。第2差動電晶 體對之第1 η-ρ-η雙極性電晶趙之基槿可接至第2输入 端子。第2差動電晶《對之第2 η-ρ-η雙極性電晶體之 基極可接至第1输入端子。第3 ®淀鏡對電路包括第1 及第2 Ρ-通道MOS霣晶體對。第1 Ρ-通道MOS電晶體具 有接至高壓線之源極，接至第2差動電晶體對之第1 η-ρ-η雙極性電晶體之集掻之洩極，接至第2差動電晶體 對之第1 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之閛極。第2 ρ-通 道HOS電晶體具有接至高壓線之源搔·接至第2差動電 晶體對之第2 η-Ρ-η雙棰性電晶艚之集極和如中間笛路 -31- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X：297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（50 ) 之第2電晶體那樣接至P-通道M0S電晶睡之閛極之洩極 ，及接至第3電流鏑對電路之第1 P-通道M0S電晶體之 閘楗之閘極。 或者，输出级可包括一只P-通道M0S電晶體及一只η-P1雙極性電晶體，此兩者係串接於髙壓線和低壓線之 間。P-通道M0S電晶體可接至高壓線，而η-ρ-ri雙極性 電晶體可接至低壓線。第1電晶體可包括一只η-通道M0S 電晶體，其具有接至低壓線之源極，接至第1定常電流 源和输出级之Ρ-通道M0S電晶體之閘極。第1定常電流 源可接至高壓線。第2電晶體可包括一只η-ρ-η雙極性 電晶體，其具有接至低壓線之射極，接至第2定常電流 源和η-通道M0S電晶體之閘極之集極，及接至输入级和 在輪出级之η-ρ-η雙極性電晶體之基極之基極。第2定 常電滾源可接至高壓線。 於上述情形.，輸入级可包括下述。設置第1輸入端子 俾輸入第1輸入信號。設置第2輸入端子俾輸入第2输 入信號。第1差動放大器電路可接至第1輸入端子和第 2輸入端子。第1差動放大器電路可偏壓在高壓線和低 壓線間。第1差動大器之 輸出可接至中間電路之 第2電晶體之基極和輸出级之η-ρ-η雙極性電晶體。第 2差動放大器電路可接於第1輸入端子和第2輸入端子 。第2差動放大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間。第 2差動放大器電路之输出可接至中間電路之第2電晶體 之基掻和輸出级之η-ρ-η雙極性電晶®。 —f-llnnllll^i— I— I— I— n n n τ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙依尺度遢Λ中國國家橾率（CNS > ( 2丨0><297公釐） 313720 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、‘ 發明説明（31 ) 1 1 於 上 述 情 形 » 第 1 差 劻 放 大 器 電 路 可 包 活 下 逑 〇 經各 1 1 白 之 源 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 η · ft 道 M0S 電 晶 體 之 第 1 I 1 差 動 電 晶 體 對 * 前 述 葱 極 可 經 一 定 常 電 流 源 而 接 至 低 請 1 1 I 壓 線 P 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 η _ 通道M0S 電 晶 體 之 閘 先 閲 1 I 讀 1 I 棰 可 接 至 第 1 输 入 端 子 〇 第 1 電 晶 匾 對 之 第 2 η - 通 道 背 面 I 之 1 M0S 電 晶 體 之 閘 掻 可 接 至 第 2 輸 入 端 子 第 1 電 流 鏡 注 意 1 對 電 路 可 包 括 一 對 第 1 及 第 2 ρ- 通道M0S 電 晶 體 〇 第 1 事 項 1 \ 1 再 P- 通道M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 1 差 填 1 寫 本 A 動 電 晶 體 對 之 第 1 η - 通道M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 9 及 頁 1 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 η - 通道M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 1 1 極 〇 第 2 Ρ- 通道M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 « 接 1 I 至 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 洩 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 1 η - 通道M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閛 極 〇 第 2 電 流 鏡 對 it 1 電 路 可 包 括 第 3 及 第 4 Ρ- 通道M0S 電 晶 體 對 ρ 第 3 ρ- 通 1 I 道M0S 電 晶 體 可 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 ,接至第1 差動電 1 1 晶 體 對 之 第 2 η - 通道M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 9 及 接 至 1 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 η 通道K0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 線 I 極 9 而 第 4 Ρ- 通道M0S 電晶體具有接至高壓線之源極 1 9 1 1 接 至 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 如 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 那 1 1 樣 接 至 η - Ρ- η雙極性電晶體之基極之洩極， 及接至第1 1 | 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 η - 通 道 M0S 電 晶 體 之 閘 搐 〇 第 2 差 1 動 放 大 器 電 路 包 括 經 各 白 之 源 極 連 接 之 第 1 及 第 2 ρ- 通 1 I 道 之 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 前 述 源 極 经 一 定 常 電 流 | 源 接 至 高 壓 線 〇 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 P- 通 道 M0S 1 -33- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 A7 B7 五、發明説明（52 ) 電晶81之閘極可接至第2输入端子。第2差動電晶賭之第 2 P-通道MOS電晶體之閘極可接至第1輸入端子。第3 電流鏡對電路包括第1及第2 η-通道MOS電晶體對。第 1 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至第2 差動電晶體對之第1 Ρ-通道MOS電晶體之洩極之洩極， 接至第2差動電晶體對之第1 Ρ-通道MOS電晶體之洩極 之閛極。第2 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線之源極 ,接至第2差動電晶體對之第2 ρ-通道MOS電晶體之洩 極和η-P-η雙極性電晶體之基極之洩掻，及接至第2差 動電晶體對之第1 Ρ-通道HOS電晶體之閘極之閘極。 第1差動放大器電路可包括下述。經各自之射極相互 連接之第1及第2 π-p-η雙極性電晶體之第1差動電晶 體對，前述射極可經一定常電流源而接至低壓線。第1 差動電晶體對之第1 η-ρ-η雙極性電晶體之基極可接至 第1輸入端子。第1電晶體對之第2 η-ρ-η孽極性電晶 體之基極可接至第2輸入端子。第1電流鏡對電路可包 括一對第1及第2 ρ-通道MOS電晶體。第1 ρ-通道MOS 電晶體具有接至高壓線之源棰，接至第1差動電晶體對 之第1 η-P-η雙極性電晶體之集極之洩極，及第1差動 電晶體對之第1 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之閘極。第

2 ρ-通道MOS電晶®具有接至高壓線之源極，接至第2 差動放大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對之第1 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之閛極。第2電流鏡對電路 可包括第3及第4 ρ-通道MOS電晶體對。第3 ρ·通道HOS -34- 本紙張尺度適用中國國家螵率（CNS > A4現格（210X297公釐）

Hi 11 n n I A 1— I In I 111 I --- n u (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（55 ) 電晶賭可具有接至高壓線之源極，接至第1差動電晶埴 對之第2 n-p-D雙極性電晶體之集極之洩極，及接至第1 差動電晶體對之第2 η-p-n雙極性電晶體之集搔之閛極， 而第4 P-通道MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至 第2差動放大器電路和如中間電路之第2電晶體那樣接 至η-ρ-η雙極性電晶體之基極之洩極，及接至第1差劻 電晶體對之第2 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之閛極。第 2差動放大器電路包括經各自之射極連接之第1及第2 P-η-ρ雙極性電晶體之第2差動電晶體鲟，前述射極經 一定常電流源接至高壓線。第2差動電晶體對之第1 ρ-η-ρ雙極性電晶體之基槿可接至第2輸入端子。第2差 動電晶體之第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極可接至第 1輸入端子。第3電流鏡釾電路包括第1及第2 η-通道 MOS電晶體對。第1 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線 之源掻，接至第2差動電晶體對之第1 Ρ-η-Ρ雙極性電 晶體之集極之洩極，接至第2差動電晶體對之第1 ρ-η -Ρ雙極性電晶體之集極之閛極。第2 η-通道MOS電晶體 具有接至低壓線之源極，接至第2差動電晶體對之第2 Ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極和如中間電路之電晶體那樣 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 動電晶體對之第1 Ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之閜極。 第1電晶體可包括一只P-通道MOS電晶體，其具有接 至高壓線之源極，接至第1定常電流源和輸出鈒之P-通 道MOS電晶體之閛極。第1定常電流源可接至低壓線。 一 3 5 _ 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4現格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（54 ) 第2電晶體可包括一只n-p-n雙極性電晶S ,其具有接 至低壓線之射極，接至第2定常電流源和如第1電晶體 那樣接至P-通道MOS電晶體之閛極之集極，及接至输入 级和在&出级之η-ρ-η雙極性電晶體之基搔之基極。第2 定常電流源可接至高壓線。 输入级可包括下述。設置第1輪入端子俾輸入第1输 入信號。設置第2輸入端子俾輸入第2輪入信號。第1 差動放大器電路可接至第1輪入端子和第2輸入端子。 第1差動放大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間。第1 差動放大器之輸出可接至中間電路之第2電晶體之 基極和輪出级之η-ρ-η雙極性電晶體。第2差動放大器 電路可接於第1輸人端子和第2輸入端子。第2差動放 大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間。第2差動放大器 電路之輸出可接至中間電路之第2電晶體之基極和輸出 级之m-n雙極性電晶體。 第1差劻放大器電路可包括下述。經各自之源極相互 連接之第1及第2 η-通道MOS電晶體之第1差動電晶體 對，前述源極可經一定常電滾源而接至低壓線。第1差 動電晶體’對之第1 η-通道MOS電晶體之閘極可接至第1 輸入端子。第1電晶體對之第2 η-通道MOS電晶體之閘 極可接至第2 _入端子。第1電流鋳對電路可包括一對 第1及第2 Ρ-通道MOS電晶體。第1 Ρ-通道MOS電晶體 具有接至高歷線之源極，接至第1差動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之洩掻之洩極，及第1差動電晶體對 -36- 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS > A4«t格（210Χ297公釐） --------：__r It------1Τ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 13720 A7 B7 五、發明説明（55 ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製

之第1 η-通道MOS電晶體之洩極之閘極。第2 p-通道MOS 電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差勖放大器電 路之洩極，接至第1差動電晶體對之第1 η-通道MOS電 晶體之閘極之閘極。第2電淀鏡對電路可包括第3及第 • 4 Ρ-通道MOS電晶體對。第3 Ρ-通道MOS電晶體可具有 接至高壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第2 η-通 道MOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體對 之第2 η-通道MOS電晶體之洩極之閘極，而第4 ρ-通道 MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差動放大 器電路和η-ρ-η雙極性電晶體之基極之洩極，及接至第1 差動電晶體對之第2 η-通道MOS電晶體之閘極之閛極。第2差 動放大器電路包括經各自之源極連接之第1及第2 ρ-通 道之第2差動電晶體對，前述源極經一定常電流源接至 高壓線。第2差動電晶體對之第1 ρ-通道MOS電晶體之 閘擇可接至第2輸入端子。第2差動電晶體之第2 Ρ-通道MOS電晶體之閘極可接至第1输入端子。第3鼋滾 鏡對電路包括第1及第2 η-通道MOS電晶體對。第1 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至第2差動 電晶體對第1 P-通道M0S電晶體之洩極之洩極，接至第 2差動電晶體對之第1 ρ-通道M0S電晶體之洩極之閘極 。第2 η-通道M0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動電晶超對之第2 ρ-通道M0S電晶體之洩極和如 中間電路之第2電晶體那樣接至η-ρ-η雙極性霣晶體之 基極之洩極.及接至第2差動電晶體對之第1 Ρ-通道H0S -37-本紙張尺度適用中國國家標牟（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐_) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（56 ) 電晶體之閘極之閘極。 第1差動放大器電路可包括下述。經各自之射極相互 連接之第1及第2 n-p-n雙極性電晶體之第1差動電晶 體對，前述射極可經一定常電流源而接至低壓線。第1 差動電晶趙對之第1 n-p-n雙極性電晶體之基極可接至 第1輸入端子。第1電晶體對之第2 η-ρ-η雙極性電晶 體之基極可接至第2輸入端子。第1電流鏡封電路可包 括一對第1及第2 P-通道MOS電晶體。第1 P-通道HOS 電晶體厚有接至高壓線之源極，接至第1差動電晶體對 之第1 n-p-n雙極性電晶體之集極之洩極，及第1差動 電晶體對之第1 η-P-η雙極性電晶體之集極之閘棰。第 2 Ρ-通道MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2 差動放大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對之第1 η-ρ-η雙搔性電晶體之集極之閘極。第2電流鏡對電路 可包括第3及第4 Ρ-通道MOS電晶體對。第3 ρ-通道 MOS電晶體可具有接至高壓線之源極，接至第1差動電 晶體對之第2 η-ρ-η雙極性電晶體之集極之洩極，及接 至第1差動電晶體對之第2 η-ρ-η雙極性電晶體之集極 之閘極，而第4 Ρ-通道MOS電晶體具有接至高壓線之源 極，接至第2差動放大器電路和如中間電路之第2電晶 體那樣接至n-p-ti雙極性電晶體之基極之洩極，及接至 第1差動電晶體對之第2 η-ρ-η雙極性電晶體之集掻之 閘極。第2差動放大器電路包括經各自之射極連接之第 1及第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之第2差動電晶體對，前 -38" 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（2丨Οχ 297公釐） , 1裝 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消资合作社印氧 A7 B7 五、發明説明（57 ) 述射極垤一定常電流源接至高壓線。第2差動罨晶體對 之第1 ρ-η-ρ雙極性電晶發之基極可接至第2输入嬙子 。第2差劻電晶體對之第2 p-n-p雙極性電晶體之基極 可接至第1輸入端子。第3電流鏡對電路包括第1及第 2 η-通道MOS電晶體對。第1 η-通道MOS電晶體具有接 至低壓線之源極·，接至第2差動電晶體對之第1 ρ-η-ρ 雙極性電晶體之集極之洩極，接至第2差動電晶體對之 第1 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之W極。第2 η-通道MOS 電晶體具有接至低壓線之源極，接至第2差動電晶體對 之第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極和如中間電路之第2 電晶體那漾接至η-Ρ-η雙極性電晶體之基極之洩極，及 接至第2差動電晶體對之第1 Ρ-η-Ρ雙極性電晶體之集 極之閘掻。 或者，輪出级可包括一只η-通道MOS電晶體及一只ρ-η-ρ雙極性電晶體，此兩者係串接於高壓線和低壓媒之 間。η-通道MOS電晶體可接至低Κ線，而Ρ-η-ρ雙極性 電晶體可接至高壓線。 於上述情形，第1電晶艏可包括一只Ρ-通道MOS電晶 體，其具有接至高壓線之源極.接至第1定常電滾源和 輸出级之η-通道MOS電晶體之閘極。第1定常電流源可 接至低壓線。第2電晶體可包括一只Ρ-η-ρ雙極性電晶 體，其具有接至高壓線之射極，接至第2定常電淀源和 如第1電晶體那樣接至Ρ -通道MOS電晶體之閘極之洩極 ,及接至输入鈒和在輸出鈒之Ρ-η-ρ雙極性電晶體之基 本紙張尺度適用中园國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ---------—裝------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、 發明説明（38) 1 1 極 之 基 掻 〇 第 2 定 常 電 流 源 可 接 至 低 壓 線 〇 1 1 於 上 述 情 形 » 输 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輪 入 端 子 1 I 侔 輸 入 第 1 輪 入 信 號 〇 設 置 第 2 輪 入 端 子 俥 輸 入 第 2 輸 -Ν 請 1 1 入 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輸 入 端 子 和 第 先 閲 I 讀 1 2 输 入 端 子 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 低 背 1 I 之 1 壓 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 之 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 注 意 1 第 2 電 晶 體 之 基 極 和 輸 出 级 之 ρ- η - Ρ雙棰性電晶體。 第 事 項 -S 填 1 '.1 2 差 動 放 大 器 電 路 可 接 於 第 1 輸 入 端 子 和 第 2 輸 入 端 子 1 裝 寫 本 〇 第 2 差動放大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間 〇 第 頁 1 2 差 動 放 大 器 之 輪 出 可 接 至 中 間 電路之第2 電 晶 體 之 基 1 1 極 和 輸 出 级 之 Ρ- η - Ρ雙極性電晶體。 1 I 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 包 括 下 述 〇 經 各 白 之 源 極 相 互 1 1 訂 1 連 接 之 第 1 及 第 2 ρ- 通道M0S 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 刖 述 源 掻 可 經 一 定 常 電 流 源 而 接 至 高 壓 線 第 1 差 1 1 動 電 晶 體 對 之 第 1 ρ- 通道M0S 電 晶 體 之 閘 極 可 接 至 第 1 1 1 輪 入 端 子 〇 第 1 電 晶 體 對 之 第 2 Ρ- 通道M0S 電 晶 體 之 閘 1 1 極 可 接 至 第 2 輸 入 端 子 〇 第 1 電流鏡對電路可包括 一 對 麻 I 第 1 及 第 2 η- 通道M0S 電 晶 體 〇 第 1 η - 通道M0S 電 晶 體 1 1 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 1 I p- 通道M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 掻 » 及 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 | 之 第 1 P- 通道M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 搔 〇 第 2 η - 通道M0S 1 1 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 棰 9 接 至 第 2 差 動 放 大 器 電 1 | 路 之 洩 棰 • 接 至 第 1電流鏡對電路對之第1 η -通道M0S電 | 晶 體 之 閘 m 之 閘 棰 〇 第 2 電 流 鏡 對 電 路 可 包 括 第 3 及 第 1 1 -4 0- 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4M ( 2丨0X297公釐） 313720 A7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、· 發明説明（39 ) 1 1 4 η - 通道M0S 電 晶 體 對 〇 第 3 η- 通道M0S 電晶體可具有 1 1 接 至 低 壓 線 之 源 極 $ 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 Ρ- 通 1 | 道M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 9 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 請 1 1 之 第 2 P- 通 道 MO S 電 晶 體 之 洩 棰 之 閘 極 9 而 第 4 η- 通 道 閲 I 讀 1 I M0S 電 晶體具有接至低壓線之源極 9 接 至 第 2 差 動 放 大 背 1 1 之 1 器 電 路 和 如 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 那 樣 接 至 Ρ- η - Ρ雙極 注 意 1 I 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 f 及接至第2電流鏡對電路之第 事 項 1 再 2 η 通道M0S 電 晶 體 之 閛 掻 之 閛 極 〇 第 2 差 動 放 大 器 電 填 裝 寫 本 路 包 括 經 各 白 之 源 極 連 接 之 第 1 及 第 2 η - 通 道 之 第 2 差 動 頁 1 I 電 晶 體 對 9 前 述 源 極 經 一 定 常 電 流 源 接 至 低 壓 線 〇 第 2 差 1 1 動 電 晶 體 對 之 第 1 η - 通道M0S 電 晶 體 之 閘 極 可 接 至 第 2 輸 1 1 入 端 子 〇 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 η 通道M0S 電 晶 體 之 1 1 訂 1 閘 掻 可 接 至 第 1 輸 入 端 子 〇 第 3 電 流 鏡 對 回 路 包 括 第 1 及 第 2 P" 通道M0S 電 晶 體 對 〇 第 1 Ρ- 通道M0S 電 晶 體 具 I 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 f 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 η - 1 1 通道M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 • 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 之 第 1 η - 通道M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 掻 〇 第 2 Ρ- 通道Μ 0 S Λ I 電 晶 m 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 2 η - 通 道M0S 電 晶 體 之 洩 極 和 如 中 間 電 路 之 第 2 電 1 | 晶 體 那 樣 接 至 Ρ- η - Ρ雙極性電晶體之基極之洩極， 及接 1 | 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 η - 通道M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 1 閘 極 〇 1 | 或 者 ♦ 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 包 括 下 述 〇 經 各 白 之 射 1 » I 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 ρ- η - Ρ雙極性電晶體之第1 差 1 1 -4 1 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨OX297公釐） 313720 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（40 ) 動電晶體對，前述射極可經一定常電流源而接至高壓線 。第1差勖電晶體對之第1 p-n-p雙極性電晶體之基極 可接至第1輸入端子。第1電晶體對之第2 p-η-p雙極 性電晶體之基極可接至第2輸入端子。第1電流鏡對電 路可包括一對第1及第2 η-通道M0S電晶體。第1 η-通 道H0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至第1差動電 晶體對之第1 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之洩極，及第1 差動電晶體對之第1 Ρ-Π-Ρ雙極性電晶體之集極之閘極 。第2 η-通道M0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動放大器電路之洩極，接至第1電流鏡對電路之 第1 η-通道M0S電晶體之閘極之閘極。第2電流鏡對電 路可包括第3和第4 η-通道M0S電晶體對。第3 η-通道 M0S電晶體可具有接至低壓線之源極，接至第1差動電 晶體對之第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之洩極，及接 至第1差動電晶體對之第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極 之閘極，而第4 η-通道M0S電晶體具有接至低壓線之源 極，接至第2差動放大器電路和如中間電路之第2電晶 體那樣接至Ρ-η-ρ雙極性電晶體之基極之洩極，及接至 第2電流鏡對電路之第1 n通道M0S電晶體之閘極。第2 差動放大器電路包括經各自之射極連接之1及第2 n-p -η雙極性電晶體之第2差動電晶體對，前述射極經一定 常電流源接至低壓線。第2差動電晶體對之第1 η-ρ -η 雙極性電晶體之基極可接至第2輸入端子。第2差動電 晶體對之第2 η-pi雙極性電晶體之基極可接至第1輸 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐_) --------< 1裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（41 ) 入端子。第3電流鏡對電路包括第1及第2 P-通道MOS 電晶體對。第1 P-通道MOS電晶體具有接至高壓線之源 極，接至第2差動電晶體對之第1 η-P-η雙極性電晶體 之集極之洩極，接至第2差動電晶體對之第1 η-Ρ-η雙 極性電晶體之集極之閘極。第2 Ρ-通道MOS電晶體具有 接至高壓線之源極，接至第2差動電晶體對之第2 η-P-η雙搔性電晶體之集極和Ρ-Π-Ρ雙極性電晶體之基極之洩 極，及接至第3電流鏡對電路之第1 Ρ-通道M0S電晶體 之閘極之閘極。第1電晶體可包括一只η-通道M0S電晶 體，其具有接至低壓線之源極，接至第1定常電流源和 輸出级之Ρ-通道M0S電晶體之閘極。第1定常電流源可 接至高壓線。第2電晶體可包括一只ρ-η-Ρ雙極性電晶 體，其具有接至高壓線之射極，接至第2定常電流源和 如第1電晶趙那漾接至η-通道M0S電晶體之閘極之集極 ,®至輸入级和在输出级之Ρ-Π-Ρ雙極性電晶體之基極 之基極。第2定常電流源可接至低壓線。 於上述情形，輸人级可包括下述。設置第1輸入端子 俾輸入第1輸入信號。設置第2輸入端子俾輸入第2输 入信號。第1差動放大器電路可接至第1輸入端子和第 2输入端子。第1差動放大器電路可鍚壓在高壓線和低 壓線間。第1差動放大器之輸出可接至中間電路之 第2電晶體之基極和輸出鈒之ρ-η-ρ雙極性電晶體。第 2差動放大器電路可接於第1輸入端子和第2輸入端子 。第2差劻放大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間。第 -43- 本紙張尺欢遏用中困國家標牟（CNS ) Α4規格（210X297公釐 I I裝 . 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 313720 A7 B7 五、發明説明（42 ) 2差動放大器之輸出可接至中間電路之第2電晶醱之基 極和输出级之P-n-p雙棰性電晶體β 第1差動放大器電路可包括下述。經各自之源掻相互 連接之第1及第2 ρ-通道MOS電晶體之第1差動電晶體 對，前述源極可經一定常電流源而接至高壓線。第1差 動電晶體對之第1 Ρ-通道MOS電晶體之閘極可接至第1 輪入端子。第1電晶體對之第2 Ρ-通道MOS電晶體之閘 極可接至第2輪入端子。第1電流鏡對電路可包括一對. 第1及第2 η-通道MOS電晶體。第1 η-通道MOS電晶體 具有接至低壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1 Ρ -通道MOS電晶體之洩極之洩極，及第1差動電晶體對 之第1 Ρ -通道MOS電晶體之洩極之閘極《第2 η -通道MOS 電晶體具有接至低壓線之源極，接至第2差動放大器電 路之洩極，接至第1差動電晶體對電路之第1 η-通道MOS 電晶體之閘極之閘極。第2電流鏡對電路可包括第3及第 4 η-通道MOS電晶體對。第3 η-通道MOS電晶體可具有 接至低壓線之源棰，接至第1差動電晶體對之第2 ρ-通 道MOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體對 之第2 ρ -通道MOS電晶體之洩極之閘極，而第4 η -通道 MOS電晶體具有接至低壓線之源搔，接至第2差動放大 器電路和如中間電路之第2電晶體那樣接至ρ-η-ρ雙極 性電晶體之基極之洩極，及接至第2電流鏡對電路之第2 η-通道MOS電晶體之閘搔之閘掻。第2差動放大器電路包 括經各自之源極連接之第1及第2 η -通道之第2差動電晶 -44- 本紙張尺度適用中國國家螵率（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _-H I . 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局身工消費合作社印裝 B7 五、發明説明（45 ) 體對，前述源極經一定常電流源接至低壓線。第2差動 電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之間極可接至第2輪 入端子。第2差動電晶體之第2 η-通道MOS電晶體之 閘極可接至第1输入端子。第3電滾鏡對電路包括第1 及第2 ρ-通道MOS電晶體對。第1 Ρ-通道MOS電晶體具 有接至高壓線之源極，接至第2差動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之洩極之洩極，接至第2差動電晶體對 之第1 η-通道MOS電晶體之洩極之閘極。第2 ρ-通道MOS 電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差動電晶體對 之第2 η-通道MOS電晶體之洩極和如中間電路之第2電 晶體那樣接至Ρ-Π-Ρ雙極性電晶體之基極之洩極，及接 至第2差動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之閘極之 閘極。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印笨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1差動放大器電路可包括下述。經各自之射極相互 連接之第1及第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之第1差動電晶 體對，前述射極可經一定常電流源而接至低壓媒。第1 差動電晶體對之第1 ρ-η-ρ雙極性電晶體之基極可接至 第1輸入端子。第1電晶體對之第2 ρ-η-ρ雙極性電晶 體之基極可接至第2輸入端子。第1電流鏡對電路可包 括一對第1及第2 η-通道MOS電晶體。第1 η-通埴MOS 電晶體具有接至低壓線之源極，接至第1差動電晶體對 之第1 Ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之洩極，及第1差動 電晶體對之第1 Ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之閘極。第2 η-通道MOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至第2差 -*45- 本紙張Λ度適用中國·家楳率（CNS > Α4洗格（210X297公釐） 經濟部中央標準f工消费合作社印11 A7 B7 五、發明説明(44 ) 動放大器電路之洩極，接至第1電流鏡對電路之第1 n-通道MO S電晶體之閛極之閘極。第2電流鏡對電路可包 括第3和第4 η-通道M0S電晶體對。第3 η-通道M0S電 晶體可具有接至低壓線之源極，接至第1差動電晶體對 之第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之洩極，及接至第1 差動電晶體對之第2 ρ-η-ρ雙極性電晶體之集極之閘極, 而第4 η-通道M0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動故大器電路和如中間電路之第2電晶體那樣接 至Ρ-η-ρ雙極性電晶體之基極之洩極，及接至第2電流 鏡對電路之第1η·通道M0S電晶體之閘極。第2差動放大 器電路包括經各自之射極連接之第1及第2η-Ρ-η雙極性 電晶體之第2差動電晶體對，前述射極經一定常電流源 接至低壓線。第2差動電晶體對之第1 n-p-ri雙極性電 晶體之基極可接至第2輸入端子。第2差動電晶體之 第2 n-p-ri雙極性電晶體之基極可接至第1输人端子。 第3電流鏡對電路包括第1及第2 P-通道M0S電晶體對 。第1 P-通道M0S電晶體具有接至高壓線之源極，接至 第2差動電晶體對之第1 η-P-η雙極性電晶體之集極之 洩掻，接至第2差動電晶體對之第1 η-P-η雙極性電晶 體之集極之閘極。第2 Ρ-通道M0S電晶體具有接至高壓 線之源極，接至第2差動電晶體對之第2 η-p-η雙極性 電晶體之洩極和如中間電路之第2電晶體那樣接至ρ -η -Ρ雙極性電晶體之基極之洩極，及接至第3電流鏡對電 路之第1 Ρ-通道M0S電晶體之閘極之閘極。 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I. I I I - I I 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 313720 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（45 ) 1 1 於 上 述 情 形 9 输 出 级 可 包 括 一 只互補M0S 電 路 • 其· 具 1 1 有 —** 只 Ρ· 通道M0S 電 晶 體 及 一 只 η - 通 道 M0S 電 晶 匾 兩 1 I 者 傜 串 接 於 高 壓 線 和 低 壓 線 間 〇 Ρ' 通道M0S 電 晶 體 可 接 請 1 1 I 至 高 壓 線 9 而 η - 通 道 電 晶 體 可 接 至 低 壓 線 9 输 入 级 可 閲 I 讀 1 1 至 少 包 括 一 差 動 放 大 器 電 路 〇 第 1 電 晶 體 可 包 括 一 只 背 1 之 1 η 通道M0S 電 晶 體 9 其 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 注 意 1 1 定 常 電 流 源 和 輸 出 级 m 之 Ρ- 通道M0S 電 晶 鱧 之 閘 極 〇 事 項 1 I 再 1 1 第 1 定 常 電 流 源 可 接 至 高 壓 線 〇 第 2 電 晶 體 可 包 括 一 只 填 1 裝 至 低 線 之 棰 寫 η - 通道M0S 電 晶 體 9 其 具 有 接 壓 源 9 接 至 第 頁 1 2 定 常 電 流 源 和 η - 通道M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 及 接 至 1 1 m 入 级 和 在 輸 出 级 倒 之 η - 通 道 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閛 極 1 I ο 第 2 定 常 電 流 源 可 接 至 高 壓 線 〇 中 間 電 路 另 包 括 一 只 1 1 訂 1 附加之 η - 通道M0S 電 晶 體 9 其 具 有 接 至 η- 通 道 M0S 電 晶 體 之 源 極 之 源 極 » 如 第 2 電 晶 體 那 樣 接 至 η - 通道M0S 電 1 I 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 9 及 如 第 1 電 晶 體 那 樣 接 至 η - 通道M0S 1 1 電 晶 體 之 閘 極 和 如 第 2 電 晶 體 那 樣 接 至 η - 通道M0S 電 晶 1 1 體 之 洩 掻 之 閘 掻 〇 線 I 於 上 述 情 形 » 輸 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輸 入 端 子 1 1 俥 輪 入 第 1 輸 入 信 號 〇 設 置 第 2 輸 入 端 子 俾 輸 入 第 2 輸 1 1 入 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輸 入 端 子 和 第 1 I 2 輪 入 端 子 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 傾 ΡΠΠ 壓 在 高 壓 線 和 低 1 1 壓 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 之 輸 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 1 | 2 電 晶 體 之 基 極 和 輸 出 级 之 η - 通 道 M0S 電 晶 體 〇 第 2 1 | 差 動 放 大 器 電 路 可 接 於 第 1 輸 入 端 子 和 第 2 輸 入 端 子 〇 1 -47- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > A4洗格（210X297公釐） 經濟部t央標準局員工消費合作社印製 ^13720 Α7 Β7 五、發明説明（46 ) 第2差動放大器電路可偏壓在高壓線和低壓線間。第2 差動放大器之輪出可接至中間電路之第2電晶體之基極 和輸出级之η-通道MOS電晶體。 蓮算放大器可另外設置第1附加Ρ-通道MOS電晶體， 其具有接至第1定常電流源之源極，接至η -通道MOS電 晶體之洩極之洩極，及接至輸出侧之Ρ -通道MOS電晶體 之閘極之閘搔。 蓮算放大器可另外設置第2附加η-通道MOS電晶體， 其具有如第1電晶體那樣接至η-通道MOS電晶體之源極 之源極，如第1電晶體那樣接至η-通道MOS電晶體之洩 極之洩極，及如第1電晶體那樣接至η -通道MOS電晶體 之洩極之閘搔。

第1差動放大器電路可包括下述。經各自之源極相互 連接之第1及第2 η -通道MOS電晶體之第1差動電晶體 對，前述源極可經一定常電流源而接至低壓線。第1差 動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體之閘極可接至第1 輸入端子。第1電晶體對之第2 η -通道MOS電晶體之閛 極可接至第2輸入端子。第1電流鏡對電路可包括一對 第1及第2 ρ-通道MOS電晶體。第1 Ρ-通道MOS電晶體 具有接至高壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1 η -通道MOS電晶體之洩極之洩極，及第1差動電晶體對 之第1 η-通道MOS電晶體之洩極之閘掻。第2 Ρ-通道MOS _ 4 8 _ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4*i格（210Χ297公釐） 裝 I ~"1τI I I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（47 ) 電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2差動放大器回 路之洩極，接至第1差動堪晶體對之第1 η-通道MOS電 晶體之閘極之閘極。第2電流鏡對電路可包括第3及第 4 Ρ-通道MOS電晶體對。第3 ρ-通道MOS電晶體可具有 接至高壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第2 η-通 道MOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體對 之第2 η-通道MOS電晶體之洩極之閘極，而第4 ρ-通道 MOS電晶體具有接至髙壓線之源極，接至第2差動放大 器電路和如中間電路之第2電晶體那樣接至η-通道MOS 電晶體之閘極之洩極，及接至第1差動電晶體對之第2 η-通道MOS電晶體之閘極。第2差動放大器電路包括垤 各自之源極連接之第1及第2 ρ -通道之第2差動電晶體 對，前述源極經一定常電流源接至高壓線。第2差動電 晶體對之第1 Ρ-通道MOS電晶體之閘極可接至第2输入 端子。第2差動電晶體對之第2 ρ-通道MOS電晶體之閛 極可接至第1輸入端子。第3電流鏡對電路包括第1及 第2 η-通道MOS電晶體對。第1 η-通道MOS電晶體具有 接至低壓線之源極，接至第2差動電晶體對之第1 ρ-通 道MOS電晶體之洩掻之洩極，接至第2差動電晶體對之 第1 Ρ-通道MOS電晶體之洩極之閘掻。第2 η-通道MOS 電晶體具有接至低壓線之源極.接至第2差動電晶體對 之第2 ρ-通道MOS電晶®之洩極和如中間電路之第2電 晶體那漾接至η-通道MOS電晶體之閘極之洩搔，及接至 第2差動電晶體對之第1 ρ-通道MOS電晶體之閘極之閛 -49- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（2丨0><297公釐） II ———————— I J 1 I n n 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（48 ) 1 1 棰 Ο 1 1 於 上 述 情 形 9 輪 出 级 可 包 括 一 互補M0S 電 路 » 其 具 有 1 I 一 只 P- 通道MOS 電 晶 體 及 一 只 η - 通 道 MO S 電 晶 體 9 此 兩 請 1 1 者 係 串 接 於 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 〇 ρ- 通道M0S 電 晶 體 可 先 閲 1 讀 1 I 接 至 高 壓 線 9 而 η- 通道MOS 電 晶 體 可 接 至 低 壓 線 〇 重 要 背 A 1 之 1 的 是 輪 入 级 至 少 含 有 —‘ 差 動 放 大 器 電 路 〇 注 意 1 第 1 電 晶 體 可 句 括 一 只 Ρ- 通 道 M0S 電 晶 體 f 其 具 有 接 事 項 1 I 再 1 | 至 高 壓 線 之 源 極 接 至 第 1 定 常 電 流 源 和 輸 出 级 之 ρ- 通 導 1 寫 本 裝 道MOS 電 晶 體 之 閘 極 0 第 1 定 常 電 流 源 可 接 至 低 壓 線 〇 頁 1 第 2 電 晶 體 可 包 括 一 只 η - 通道MO'S 電 晶 體 9 其 具 有 接 至 1 1 低 壓 線 之 源 極 接 至 第 2 定 常 電 流 源 和 如 第 1 電 晶 體 那 1 I 樣 接 至 p- 通道MOS 電 晶 體 之 閘 掻 之 洩 極 9 及 接 至 输 入 级 I 1 和 在 輪 出 级 之 η - 通道MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 〇 第 2 定 1Τ 1 常 電 流 源 可 接 至 高 壓 線 0 第 2 中 間 電 路 可 另 外 包 括 一 只 1 I 附 加 之 P" 通道MOS 電 晶 體 * 其 具 有 如 第 1 電 晶 體 那 樣 接 1 1 至 p- 通道MOS 電 晶 體 之 源 極 之 源 極 9 如 第 1 電 晶 體 那 樣 1 I 接 至 P- 通道MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 棰 S 接 至 輪 出 级 倒 之 線 I p- 通 道 MOS 電 晶 體 之 閘 極 和 如 第 1 電 晶 體 那 樣 接 至 P- 通 1 1 道MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 〇 1 I 於 上 述 情 形 9 輸 入 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輸 入 端 子 1 1 俾 輸 入 第 1 輸 入 信 號 〇 設 置 第 2 輸 入 端 子 俾 輪 入 第 2 輸 1 1 入 信 號 〇 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 接 至 第 1 輪 入 端 子 和 第 1 | 2 輸 入 端 子 Ο 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 偏 壓 在 高 壓 線 和 1 I 低 壓 線 間 〇 第 1 差 動 放 大 器 之 輪 出 可 接 至 中 間 電 路 之 1 1 -5 0 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4坑格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 五、發明説明（49 ) 1 1 第 2 電 晶 體 之 基 掻 和 输 出 级 之 η - 通道HOS 電 晶 體 〇 第- 2 差 動 放 大 器 電 路 可 接 於 第 1 输 入 端 子 和 第 2 輪 入 端 子 Ο 1 I 第 2 差 動 放 大 器 電 路 可 镉 壓 在 高 壓 線 和 低 壓 線 間 〇 第 2 /«~Ν 請 1 1 I 差 動 放 大 器 之 輪 出 可 接 至 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 之 基 極 閱 I 讀 1 1 和 輸 出 级 之 η - 通道MOS 電 晶 體 〇 背 1 之 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 可 包 括 下 述 〇 經 各 白 之 源 棰 相 互 注 意 1 1 連 接 之 第 1 及 第 2 η - 通道MOS 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 事 項 η 填 1 、' | 對 ·» >-刖 述 源 極 可 經 - 定 常 電 流 源 而 接 至 低 壓 線 〇 第 1 差 裝 之 閛 寫 本 動 電 晶 體 對 之 第 1 n- 通道MOS 電 晶 體 可 接 至 第 1 頁 1 1 輸 入 端 子 〇 第 1 電 晶 體 對 之 第 2 η - 通道MOS 電 晶 體 之 閘 1 1 掻 可 接 至 第 2 輸 入 端 子 〇 第 1 電 流 鏡 對 電 路 可 包 括 一 對 1 I 第 1 及 第 2 Ρ 一 通道MOS 電 晶 體 〇 第 1 ρ- 通 道 MOS 電 晶 體 1 1 訂 1 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 1 . 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 η - 通道MOS 電 晶 體 之 洩 搔 之 洩 極 1 及 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 I 之 第 1 η - 通道MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 〇 第 2 Ρ- 通道HOS 1 1 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 差 動 放 大 器 回 1 1 路 之 洩 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 醴 對 之 第 1 η - 通道MOS 電 /線 I 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 〇 第 2 電 流 鏡 對 電 路 可 包 括 第 3 及 第 1 i 4 ρ- 通道MOS 電 晶 體 對 〇 第 3 ρ- 通道MOS 電 晶 體 可 具 有 1 1 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 η - 通 1 | 道MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 掻 9 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 2 η - 通 道 MOS 電 晶 體 之 洩 m 之 閘 極 9 而 第 4 Ρ- 通 道 1 | HOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 « 接 至 第 2 差 動 放 大 I | 器 電 路 和 如 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 那 樣 接 至 η- 通 道 MOS 1 1 -5 1 1 1 1 1 本纸張尺度適用中固國家搮準（CNS ) A4規格（210X297公着> 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（50 ) 電晶趙之閘極之洩極，及接至第1差動罨晶體對之第2 η-通道M0S電晶體之閘搔。 第2差動放大器電路包括經各自之源極連接之第1及 第2 Ρ-通道之第2差動電晶體對，前述源極經一定常電 流源接至高壓線。第2差動電晶體對之第1 Ρ-通道M0S 電晶體之閘極可接至第2輸入端子。第2差動電晶暖 之第2 ρ-通道M0S電晶體之閘極可接至第1输入端子。 第3電流鏡對電路包括第1及第2 η-通道M0S電晶體對 。第1 η-通道M0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動電晶體對之第1 ρ-通道M0S電晶體之洩極之洩 極，接至第2差動電晶體對之第1 ρ-通道H0S電晶體之 洩極之閛極。第2 η-通道M0S電晶體具有接至低壓線之 源極，接至第2差動電晶體對之第2 ρ-通道M0S電晶體 之洩極和如中間電路之第2電晶體那樣接至η-通道M0S 電晶體之閘極之洩極，及接至第2差動電晶體對之第1 Ρ-通道M0S電晶體之閘極之閛極。 良好啻俐 第1實例 下面將參照附圖詳述本發明之第1實例。 第1圖示出本發明之第1實例之改良運算放大器之電 路圄。 本發明提供一種運算故大器，其含有一翰入级，一輸 出级及接在該输入级及輪出级間之中間電路。該運算放 大器偏S在高壓線5和低壓線4間。输入级至少含有一 -5 2 _ 本紙依尺度適用t國B家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） — .— —II —4,— I I I I 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 313720 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（51 ) 1 1 放 大 器 電 路 〇 中 間 電 路 含 有 至 少 第 1 對 之 第 1 電 晶 髓 M12 1 1 » 和 第 1 定 常 電 流 源 14 9 兩 者 係 串 接 於 該 壓 線 5 與 低 1 1 壓 線 4 之 間 〇 第 1 對 電 晶 體 可 設 於 出 级 之 附 近 0 在 該 y—\ 請 1 先 1 第 1 電 晶 體 Μ12 和 該 第 1 定 常 電 流 源 14間 之 第 1 中 間 點 閲 讀 1 可 接 至 輪 出 级 〇 至 少 設 置 第 2 對 之 第 2 電 晶 體 Mil 及 第 背 面 1 之 1 2 定 常 電 流 源 13 9 兩 者 也 串 接 於 高 壓 線 5 和 低 壓 線 4 之 注 意 1 I 間 〇 該 第 2 對 之 第 2 電 晶 體 可 並 瞄 於 第 1 對 之 第 1 電 晶 事 項 I 1 再 體 • 且 可 接 近 於 輸 入 级 〇 第 2 電 晶 體 Mil 和 第 2 定 常 電 填 寫 本 1 裝 淀 源 13間 之 第 2 中 間 點 可 接 於 輪 出 级 附 近 之 第 1 電 晶 體 頁 I 1 H12 之 控 制 電 極 〇 第 2 電 晶 體 Ml 1 之 控 制 閘 可 接 於 输 入 1 1 级 〇 1 I 輸 出 级 可 包 括 互 補 M0S 電 路 • 其 具 有 一 只 P 一 通 道MOS 1 訂 電 晶 體 Μ13 及 —* 只 η — 通 道 M0S 電 晶 體 » 此 兩 者 係 串 接 於 1 髙 壓 線 5 和 低 壓 線 4 之 間 0 P 通 道 H0S 電 晶 體 M13 可 接 1 | 至 高 壓 線 9 而 η · 通 道 M0S 電 晶 體 可 接 至 低 壓 線 4 〇 I I 第 1 電 晶 體 Η12 可 包 括 一 只 η - 通 道 H0S 電 晶 體 $ 其 具 1 有 接 至 低 壓 線 4 之 源 極 參 接 至 第 1 定 常 電 流 源 14和 輸 出 .Λ | 级 之 Ρ - 通 道 H0S 電 晶 體 Ml 3 之 閘 極 〇 第 1 定 常 電 流 源 14 1 1 可 接 至 高 壓 線 〇 第 2 電 晶 體 可 包 括 一 只 η - 通 道 M0S 電 晶 1 體 ， 其 具 有 接 至 低 壓 線 之 閘 極 » 接 至 第 2 定 常 電 流 源 13 1 I 和 η — 通 道 H0S 電 晶 體 之 閘 極 » 及 接 至 嫌 入 级 和 在 输 出 级 1 I 之 η - 通 道 H0S 電 晶 體 之 閘 極 〇 第 2 定 常 電 流 源 可 接 至 高 1 1 壓 線 15 〇 1 1 输 人 级 可 包 括 下 述 〇 設 置 第 1 輪 入 端 子 1 俾 輪 入 第 1 1 -53- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4坑格（210X297公釐> 經濟部中央標準局員工消費合作社印«. A7 B7 五、發明説明（52 ) 輸入信號。設置第2輸入端子2俥輪入第2輸入信號。 第1差動放大器電路可接至第1输入端子1和第2輸入 端子2 β第1差動放大器電路可偏壓在高壓線5和低壓 線4間。第1差動放大器之输出可接至中間電路之第2 電晶體Mil之閘搔和輸出级之η-通道MOS電晶體Μ14。第 2差動放大器電路可接於第1輸入端子1和第2輸入端 子2 ^第2差動放大器電路可镉壓在高壓線5和低壓線、 4間。第2差動放大器之輸出可接至中間電路之第2電 晶體Mil之閘極和輪出级之η-通道MOS電晶體M14 ^

第1差動放大器電路可包括下述。經各自之源極相互 連接之第1及第2 η -通道MOS電晶體Ml及M2之第1差動 電晶體對，前述源極可經一定常電流源II而接至低壓線 。第1差動電晶體對之第1 η-通道MOS電晶體K1之閘極 可接至第1輪入端子1 。第1電晶體對之第2 η-通道MOS 電晶體M2之閘棰可接至第2輸入端子2 。第1電流鏡對 電路苟包括一對第1及第2 ρ-通道MOS電晶體M3及Ml 第1 P -通道MOS電晶體M3具有接至高壓線5之源極，接 至第1差動電晶體對之第1 η-通道M0S電晶體Ml之洩極 之洩極，及第1差動電晶韹對之第1 η -通道M0S電晶體 Ml之洩極之閘極。第2 Ρ -通道M0S電晶體Μ9具有接至高 壓線5之源極，接至第2差動放大器電路之洩掻，接至 第1差動電晶體對之第1 η-通道M0S電晶體Ml之閘極之 閘搔。第2電流鏡對電路可包括第3及第4 p -通道M0S -5 4 - 本紙依尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -----------1^.------，玎------0 (請先閲讀背面之注意事項-S填寫本頁) A7

經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 五、發明説明（53) 電晶體對H4及M10。第3 P -通道MOS電晶髏M4可具有'接 至高E線5之源極，接至第1差動電晶體對之第2 通 道MOS電晶體H2之洩棰之洩極，及接至第1差動電晶體 對之第2 η-通道MOS罨晶體M4之拽極之間極，而第4 P-通道MOS電晶體具有接至高整線5之源極’接至第 2差動放大器電路和η*通道M0S電晶體M11之間極之拽 極，及接至第1差動電晶釀斜之第2 n_通道M〇S電晶體i Η 2之閘極。第2差動放大器電路包括經各自之源棰連接 之第1及第2 Ρ-通道Μ6及Μ5之第2差動電晶體對，前述 源極經一定常電流源接至高暖線5。第2差動電晶體對 之第1 Ρ -通道MOS電晶體Μ6之間極可接至第2輪人端子 2 ^第2差動電晶體對之第2 Ρ-通道M0S電晶體Μδ之間 •極可接至第1输入端子1 。第3電流鏡對電路包括第1 及第2 η-通道MOS電晶體對Μ7及Μ8β第1 η-通道KOS電 晶體Κ7具有接至低壓線4之源極，接至第2差動電晶體 對之第1 Ρ-通道MOS電晶體Μ6之洩極之洩棰，接至第2 差動電晶體對之第2 Ρ-通道MOS電晶暖Μ6之洩極之閛棰 β第2 η-通道MOS電晶體Μ8具有接至低壓線4之源極， 接至第2差動電晶體對之第2 Ρ-通道KOS電晶體Μ5之洩 極和如中間電路之第2電晶體Mil那樣接至η -通道M0SI6 晶體之閛捶之洩搔，及接至第2差動電晶體對之第1 Ρ-通道MOS電晶體Μ6之閘極之閘掻》 第3電流鏡對電路係作為主動負載（active load)e 第1及第2差動放大器電路接成並聯以獲得寬廣之輪入/ -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（54 ) 输出範圍。 依如於第1及第2输入端子之第1及第2信號之電壓 位準之比例，加於輪出鈒側之P-通道MOS電晶體Ml 4之 閛極之閛掻電壓會變動。通過P-通道MOS電晶體Mil及 M12會改變加於η-通道MOS電晶SIM13之Μ極之閘極電 壓。依Ρ-通道MOS電晶體Μ14及η-通道MOS電晶體Μ13 之各個閘極電位之位準之變動，輸出端子3之電位會急 速上昇及下降。 加於第1輪人端子1之電壓若高於加於第2輪入端子 2之電壓時加於ρ-通道MOS電晶體Mil及Μ14則變低。 因tt,自輸出端子3經ρ-通道MOS電晶體14流到低壓線 4之電流變成非常小。同時，ρ-通道MOS電晶體M12之 閘極電壓則上昇。结果，η-通道MOS電晶體M13之閘極 電壓則下降。這種情形，大電流即自高壓線5經η-通道 MOS電晶體Μ13流至輸出端子3 ,這期間ρ-通道MOS電 晶體上無電流淀通，因tt輸出端子3之電位則快速上昇 相反地，加於第1輸入端子1之輪入信號電壓若低於 加於第2输入端子2之輸入信號電壓時ρ-通道MOS電晶 體Mil及M14之閛極電壓則上昇。因此，大電流則自輸 出端子3經ρ-通道MOS電晶體M14流至低壓線4 。同時 ,P-通道MOS電晶體M12之閘極電壓變小。结果η-通道 MOS電晶體M13之閘極電壓上昇。這期間沒有電流自高 壓線5烴η-通道HOS電晶體M13流至輸出端子3 。结果 ，大電流從輸出端子3烴ρ-通道HOS電晶《 Μ14流至低 -56- 本紙張尺度適用中國國家鏢串 ( CNS )八4说格（210X297公釐） 11 I m J 1 I I i I 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 H3720 五、發明説明（55 藉此，輸出端子3之電位則急速下降。 子3之電位可在低於高S線5 - η-通道MOS電 源-洩極霣壓之電位至高於低壓镍4 - Ρ-通道 體14之源-洩極電壓之電位之範圍内變動。此 得寬廣之輸入/輪出範圍。 狀態下流烴η-通道MOS電晶體Μ13及Ρ-通道 體Μ14之暗電流係由Ρ-通道MOS電晶體Mil和 常電流源13所限定，因這理由不會因臨界電壓 影響到暗電流。 蓮算放大器具有寬廣之輸入和輪出範圍及顯示 子電位之快速上昇及下降。另外，暗電流不受 絕對臨界值之變動之任何影響。再者，其能抑 運算放大器進行放電蓮轉期間流通之放電電流 穿電流。 參照附圖詳述本發明之第2實例。 示出本發明之第2實例之改良運算放大器之電 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 壓線4 , 檢出端 晶SS 1 3之 MOS電晶 意謂可獲 在平衡 MOS電晶 M12及定 之變動而 上逑之 出輸出端 電晶體之 制響應在 之任何沖 第2實例 下面將 第2圖 路圄。 本實例 有如下之 通道MOS 流源14和 上述運 出輪出端 ---------T -裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 提供之運算放大器在電路構成上與第1實例者 不同。中間電路上之第1電晶體M12含有一 p-電晶體，另第1電晶體H12係設在第1定常電 高壓線5之間。 算放大器具有寬廣之輸入/輪出範圍·及顯示 子3之電位之快速上昇及下降。另外，暗電流 -57- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4说格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（56 ) · 不受電晶體之絕對臨界值之變動之任何影堪。再者，其 能抑制響應在埋算放大器進行放電蓮轉期間流通之放電 電流之沖穿電流。 第3實例 下面將參照附圖詳述本發明之第3實例。 第3國示出本發明之第3實例之改良蓮算放大器之電 路圃。 本實例提供之蓮算放大器在電路構成上與第1實例者 有如下不同。MOS電晶體Ml, M2, M7, M8, Mil, M12, M14含有p-通道MOS電晶體。MOS電晶體M3 , M4 , M5 , M6, M9, M10, M13含有η-通道M0S電晶體。定電流源 II, 12,13, 14具有與第1實例者栢反之極性。第1及 第2 ρ-通道M0S電晶體Ml 2及Mil設在高壓線5和第1 及第2定常電流源14, 13之間。定電流源II及II,接 至高壓線5及低壓線4 。電路之極性係與第1實例者相 反0 上述埋算放大器具有寬廣之輸入/輸出範圍*另示出 输出端子3之電位之快速上昇及下降。再者，暗電淀不 受電晶體之絕對臨界值變動之任何影響。另外，其能抑 制響應在運算放大器之放電運轉期間流通之放電電流之 沖穿電流。 第4實例 下面將參照附圖詳述本發明之第4實例。 第4圖示出本發明之第4實例之改良運算放大器之電 _ 5 8 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（€阳>人4«1格（2丨0父297公釐） I I I I I I I、I 裝— I I I I I 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 313720 A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（ 57 ) 路 圖 〇 - 本 實 例 提 供 之 運 算 放 大 器 在 電 路 構 成 上與 第 2 實 例者 有 如 下 不 同 〇 H0S 電 晶 fi§ Ml • H2 H7 » H8 . Mil. H14. 含 有 P - 通 道 M0S 轚 晶 體 〇 M0S 霣 晶 驩 M3 ,M4 9 H5 9 M6 , H9 参 H10 . H12 Μ13含有η -通道M0S 電晶埋 〇 定 電流 源 11 > 12 • 13 14具 有 與 第 2 實 例 者 相 反之 極 性 〇 上 述 運 算 放 大 器 具 有 寬 廣 之 輪 入 及 _ 出範 圃 參 另 示出 輸 出 端 子 3 之 電 位 之 快 速 上 昇 及 下 降 〇 另外 • 暗 電 滾不 受 電 晶 體 之 m 對 臨 界 值 之 變 動 之 任 何 影 響 〇 再 者 » 其能 抑 制 響 應 在 理 算 放 大 器 進 行 放 電 運 轉 期 間滾 通 之 放 鼋電 淀 之 沖 穿 電 流 〇 第 5 實 例 下 面 將 參 照 附 圃 詳 述 本 發 明 之 第 5 實 例。 第 5 圖 示 出 本 發 明 之 第 5 實 例 之 改 良 運算 放 大 器 之電 路 圈 〇 本 實 例 提 供 之 蓮 算 放 大 器 在 電 路 構 成 上與 第 1 實 例者 有 如 下 不 同 〇 以 η - Ρ " η雙極性電晶體Q1及Q2替代M0S 電 晶 體 Ml及 M2 〇 Μ ρ - η - ρ雙捶性電晶體Q5及Q6替代M0S 電· 晶 體 M5及 M6 0 中 間 電 路 上 之 第 1 電 晶 體 H12 含 有 ρ - 通道 H0S 電 晶 體 • 此 第 1 電 晶 體 M12 設 在 第 1定 電 流 源14 及 高 壓 線 5 之 間 〇 上 述 蓮 算 放 大 器 具 有 寛 廣 之 輸 入 及 输 出範 圍 • 另 示出 输 出 端 子 3 之 電 位 之 快 速 上 昇 及 下 降 〇 另外 9 暗 電 流不 受 電 晶 體 之 m 對 臨 界 值 之 變 動 之 任 何 影 響〇 再 者 1 其能 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（5S ) 抑制響應在運算放大器進行放電理轉期間流通之放電電 淀之沖穿電淀。 使用MOS電晶fit及雙極性電晶體之蓮算放大器之功能 係實質相同，但雙極性電晶體之傳専值係比MOS電晶體 者大，因此理由，使用雙極性電晶體之運算放大器具有 較大之增益及高精確度。 第6實例 下面將參照附画詳述本發明之第6實例。 第6圖示出本發明之第6實例之改良運算放大器之電 路圖。 本實例提供之蓮算放大器在電路構成上與第2實例者 有如下不同。Μ n-p-n雙極·性電晶體Q1及Q2替代MOS電 晶體Ml及M2。W P-n-p雙棰性電晶體Q5及Q6替代HOS電 晶體M5及M6。中間電路上之第1電晶體M12 fT有P-通道 MOS電晶體，此第1電晶體M12設在第 1定電流源14 及高壓線5之間。 上述運算放大器具有寬廣之輪入及輸出範圍，另示出 輸出端子3之電位之快速上昇及下降。另外，暗電淀不 受電晶體之絕對臨界值之變動之任何影堪。再者，其能 抑制響應在蓮算放大器進行放電運轉期間流通之放電電 流之沖穿電流。 使用KOS電晶體及雙極性電晶體之蓮算放大器之功能 係實質相同，但雙極性電晶體之傳導值係比MOS電晶體 者大，因此理由，使用雙極性電晶®之運算放大器具有 -60- 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS ) A4规格（210X297公着） ί I裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 313720 at B7 五、發明説明（59 ) 較大之增益及高精確度。 第7實例 下面將參照附圖詳述本發明之第7實例。 第7圖示出本發明之第7實例之改良運算放大器之電 * 路圖。 本實例提供之運算放大器與第5實例不同之處在於電 路構成上之每傾構件之極性相反。運算放大器之功能及 效應則與第5實例者相同。 上述運算放大器具有寬廣之輪入及_出範圍，另示出 輸出端子3之電位之快速上昇及下降。另外，暗電流不 受電晶體之絕對臨界值之變動k任何影響。再者，.其能 抑制響應在運算放大器進行放電運轉期間流通之放電電 流之沖穿電流。 使用M0S電晶體及雙極性電晶體之蓮算放大器之功能 係實質相同，但雙極性電晶體之傳導值係比M0S電晶體 者大，因此理由，使用雙極性電晶體之運算放大器具有 較大之增益及高精確度。 第8實例 下面將參照附圖詳述本發明之第8實例。 第8圖示出本發明之第8實例之改良運算放大器之電 路圖。 本實例提供之運算放大器與第6實例不同之處在於電 路構成上之每傾構件之極性相反。蓮算放大器之功能及 效應則與第5實例者相同。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ί n H ~ A /. ^ I 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（60 ) 上述運算放大器具有寬廣之輸入及输出範圍·另示也 输出端子3之電位之快速上昇及下降。另外，暗電流不 受電晶體之絕對臨界值之變動之任何影轚。再者，其能 抑制響應在運算放大器進行放電運轉期間流通之放電電 淀之沖穿電流。 使用M0S電晶體及雙極性電晶體之蓮算放大器之功能 係實質相同，但雙搔性電晶體之傳導值係比M0S電晶體 者大，因此理由，使用雙極性電晶體之運算放大器具有 較大之增益及高精確度。 第9實例 下面將參照附圖詳述本發明之第9實例。 第9圖示出本發明之第9實例之改良蓮算放大器之電 路圖。 本實例提供之蓮算放大器在電路構成上與第1實例者 有如下不同。Μ n-p-n雙極性電晶體QU及Q14替代M0S 電晶體Μ11及Μ1 4 。 上述蓮算放大器具有寬廣之輸入及输出範圍·另示出 輸出端子3之電位之快速上昇及下降。另外，暗電流不 受電晶體之絕對臨界值之變動之任何影響。再者，其能 抑制響應在蓮算放大器進行放電蓮轉期間流通之放電電 流之沖穿電流。 使用M0S電晶體及雙極性電晶體之運算放大器之功能 係實質相同，但雙極性電晶體之傳専值係比M0S電晶體 者大，因此理由，使用雙極性電晶體之運算放大器具有 -6 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4*L格（210X297公釐） — — — — — — —< 1 ^ n I ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（61 ) 較小之上昇時間。 第10實例 下面將參照附圈詳述本發明之第10實例。 第10圃示出本發明之第10實例之改良運算放大器之電 路圈。 本實例提供之蓮算放大器在電路構成上與第2實例者 有如下不同。n-p-n雙極性電晶體Q11及Q14替代M0S 電晶體Μ11及Μ1 4 。 上述蓮算放大器具有寬廣之輸入及輸出範圍·另示出 輪出端子3之電位之快逑上昇及下降。另外，暗電流不 受電晶體之絕對臨界值之變動之任何影響。再者，其能 抑制響應在蓮算放大器進行放電埋轉期間流通之放電電 流之沖穿電流。 使用M0S電晶體及雙極性電晶體之運算放大器之功能 係實質相同，但雙極性電晶體之傳導值係比M0S電晶體 者大，因此理由，使用雙極性電晶體之運算放大器具有 較小之上昇時間。 第11實例 下面將參照附圖詳述本發明之第11實例。 第11圖示出本發明之第11實例之改良運算放大器之電 路圖。 本實例提供之運算放大器與第9實例不同之處在於電 路構成上之每俚構件之極性相反。運算放大器之功能及 效應則與第5實例者相同。雙極性電晶SSQ11及Q14係 -63- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐） ----------裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（62 ) 為p-n-p雙極性電晶體。第1及第2 MOS電晶fig M2及Ml 含有P-通道MOS電晶髖。 上述運算放大器具有寬廣之输入及輪出範圍，另示出 输出端子3之電位之快速上昇及下降。另外，暗電流不 受電晶體之絕對臨界值之變動之任何影響。再者，其能 抑制堪應在蓮算放大器進行放電運轉期間流通之放電電 流之沖穿電流。 使用MOS電晶體及雙極性電晶體之運算放大器之功能 係實質相同，但雙極性電晶體之傳専值係比MOS電晶體 者大，因此理由，使用雙極性電晶體之運算放大器具有 較小之上昇時間。 第12實例 下面將參照附圖詳述本發明之第12實例。 第12圄示出本發明之第12實例之改良運算放大器之電 路圖。 本實例提供之運算放大器與第9實例不同之處在於電 路構成上之每個構件之極性相反。運算放大器之功能及 效底則與第5實例者栢同。雙極性電晶SIQ11及Q14係 為p-n-p雙極性電晶體。第1及第2 MOS電晶g 含有P -通道MOS電晶體。MOS電晶體M5及M6含有η -通道 M0S電晶體。定電流源II, 12, 13· 14之極性係與第 9實例者相反。 上述蓮算放大器具有寬廣之输入及输出範圍，另示出 輸出端子3之電位之快速上昇及下降。另外，暗電淀不 一 6 4 一 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（2丨0><297公釐） — .1— II ^ 1 裝— II 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 313720 A7 B7 經濟部中央樣率局貝工消费合作社印製 五、發明説明（65 ) 1 I 受 電 晶 體 之 絕 對 臨 界 值 之 變 動 之 任 何 影 響 〇 再 者 » 其 能 1 1 抑 制 響 m 在 運 算 放 大 器 進 行 放 電 運 轉 期 間 流 通 之 放 電 電 1 1 流 之 沖 穿 電 流 〇 /--Ν 請 1 先 1 使 用 M0S 電 晶 fit 及 雙 極 性 電 晶 體 之 蓮 算 放 大 器 之 功 能 閲 讀 1 係 實 質 相 同 9 但 雙 極 性 電 晶 體 之 傳 導 值 係 比 M0S 電 晶 體 背 1 1 之 I 者 大 • 因 此 理 由 » 使 用 雙 極 性 電 晶 體 之 運 算 放 大 器 具 有 注 意 1 I 較 小 之 上 昇 時 間 〇 事 項 1 I 再 第 13實 例 ' 填 寫 本 1 下 面 將 參 照 附 圖 詳 逑 本 發 明 之 第 13實 例 0 頁 '--- 1 I 第 13圖 示 出 本 發 明 之 第 13 實 例 之 改 良 運 算 放 大 器 之 電 1 1 路 圖 〇 1 1 本 實 例 提 供 之 運 算 放 大 器 在 電 路 構 成 上 與 第 5 實 例 者 1 訂 有 如 下 不 同 〇 K η - Ρ 一 η雙極性電晶體Q 1 1 及 Q14替代H0S 1 電 晶 體 Mil 及 H14 〇 1 I 上 述 蓮 算 放 大 器 具 有 寬 廣 之 輸 入 及 輪 出 範 圍 另 示 出 1 1 输 出 端 子 3 之 電 位 之 快 速 上 昇 及 下 降 〇 另 外 * 暗 電 流 不 1 1 受 電 晶 體 之 絕 對 臨 界 值 之 整 動 之 任 何 影 響 〇 再 者 > 其 能 t | 抑 制 響 懕 在 運 算 放 大 器 進 行 放 電 運 轉 期 間 流 通 之 放 電 電 1 | 流 之 沖 穿 電 流 〇 1 1 使 用 M0S 電 晶 體 及 雙 極 性 電 晶 體 之 運 算 放 大 器 之 功 能 1 I 係 實 質 相 同 但 雙 極 性 電 晶 體 之 傳 導 值 係 比 H0S 電 晶 體 1 1 者 大 9 因 此 理 由 » 使 用 雙 極 性 電 晶 體 之 運 算 放 大 器 具 有 1 1 較 小 之 上 昇 時 間 〇 1 I 第 14 實 例 1 -6 5 ~ 1 1 1 1 本紙張尺度蠘用中B困家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 五、發明説明（H ) 1 1 下 面 將 參 照 附 围 詳 述 本 發 明 之 第 14實 例 〇 - 1 1 第 14圖 示 出 本 發 明 之 第 14實 例 之 改 良 運 算 放 大 器 之 電 1 1 路 圖 〇 請 1 I 先 1 本 實 例 提 供 之 蓮 算 放 大 器 在 電 路 構 成 上 與 第 6 實 例 者 閲 讀 1 有 如 下 不 同 Ο 以 η - P 一 η雙極性電晶體Q11及 Q 1 4替代Μ 0 S 背 1 | 之 1 電 晶 體 H1 1 及 H14 〇 注 意 1 1 上 述 蓮 算 放 大 器 具 有 寬 廣 之 輸 入 及 输 出 範 圍 另 示 出 事 項 1 再 輸 出 端 子 3 之 電 位 之 快 速 上 昇 及 下 降 Ο 另 外 t 暗 電 流 不 填 寫 本 1 A 受 電 晶 體 之 絕 對 臨 界 值 之 變 動 之 任 何 影 m 〇 再 者 $ 其 能 頁 1 I 抑 制 響 應 在 蓮 算 放 大 器 進 行 放 電 埋 轉 期 間 流 通 之 放 電 電 1 1 流 之 沖 穿 電 流 Ο 1 | 使 用 HOS 電 晶 體 及 雙 極 性 電 晶 體 之 運 算 放 大 器 之 功 能 1 訂 係 實 質 相 同 9 但 雙 極 性 電 晶 體 之 傳 導 值 係 比 MOS 電 晶 體 1 者 大 9 因 此 理 由 $ 使 用 雙 極 性 電 晶 體 之 m 算 放 大 器 具 有 1 | 較 小 之 上 昇 時 間 〇 1 I 第 15實 例 1 1 下 面 將 參 照 附 圖 詳 述 本 發 明 之 第 15 實 例 〇 1 I 第 15圖 示 出 本 發 明 之 第 15 實 例 之 改 良 運 算 放 大 器 之 電 1 1 | 路 圖 〇 1 ：1 本 實 例 提 供 之 蓮 算 放 大 器 與 第 1 實 例 不 同 之 處 在 於 電 1 I 路 構 成 上 之 每 個 構 件 之 極 性 相 反 〇 蓮 算 放 大 器 之 功 能 及 1 效 m 則 與 第 5 實 例 者 相 同 Ο 1 1 上 述 運 算 放 大 器 具 有 寬 廣 之 輸 入 及 輪 出 範 圍 另 示 出 1 I 出 端 子 3 之 電 位 之 快 速 上 昇 及 下 降 〇 另 外 9 暗 電 流 不 1 1 -66- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標牟（CNS > A4規格（210X297公嫠） A7 B7 經濟部中央標準局員工消免合作社印製 五、發明説明（ 65 ) 1 1 受 霄 晶 體 之 絕 對 臨 界 值 之 變 動 之 任 何 影 W 〇 再 者 « 其 能 1 1 抑 制 m 應 在 蓮 算 放 大 器 進 行 放 電 m 轉 期 間 流 通 之 放 電 電 1 1 流 之 沖 穿 電 流 〇 />-N 請 1 先 1 使 用 H0S 電 晶 體 及 雙 極 性 電 晶 體 之 運 算 放 大 器 之 功 能 閲 讀 1 實 質 相 同 » 但 雙 極 性 電 晶 體 之 傳 導 值 係 比 H0S 電 晶 SS 背 面 1 | 之 1 者 大 * 因 此 理 由 • 使 用 雙 極 性 電 晶 體 之 運 算 放 大 器 具 有 注 意 1 I 較 大 之 增 益 及 高 精 確 度 〇 事 項 1 ! 再 第 16 實 例 填 寫 本 k 下 面 將 參 照 附 .圖 詳 述 本 發 明 之 第 16 實 例 〇 頁 1 1 第 16圖 示 出 本 發 明 之 第 16 實 例 之 改 良 蓮 算 放 大 器 之 電 1 1 路 圖 〇 1 1 本 實 例 提 供 之 蓮 算 放 大 器 與 第 14實 例 不 同 之 處 在 於 電 1 訂 路 構 成. 上 之 每 届 構 件 之 極 性 相 反 0 蓮 算 放 大 器 之 功 能 及 1 效 應 則 與 第 5 實 例 者 相 同 0 1 | 上 述 運 算 放 大 器 具 有 寬 廣 之 輸 入 及 輸 出 範 圍 另 示 出 1 | 輸 出 端 子 3 之 電 位 之 快 速 上 昇 及 下 降 〇 另 外 t 暗 電 流 不 1 1 受 電 晶 體 之 絕 對 臨 界 值 之 變 動 之 任 何 影 響 〇 再 者 t 其 能 1 抑 制 響 應 在 運 算 放 大 器 進 行 放 電 蓮 轉 期 間 流 通 之 放 電 電 1 1 流 之 沖 穿 電 流 〇 1 使 用 M0S 電 晶 SS 及 雙 極 性 電 晶 體 之 運 算 放 大 器 之 功 能 1 I 係 實 質 相 同 • 但 雙 極 性 電 晶 體 之 傳 導 值 係 比 H0S 電 晶 體 1 1 者 大 t 因 此 理 由 » 使 用 雙 極 性 電 晶 體 之 運 算 放 大 器 具 有 1 1 較 大 之 增 益 及 高 精 確 度 〇 1 I 第 17實 例 1 1 -67- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家螵窣（CNS > A4说格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明（66 ) 1 1 下 面 將 參 照 附 圖 詳 述本 發 明 之 第 17實 例 Ο * 1 1 1 第 17 圖 示 出 本 發 明 之第 17 實 例 之 改 良 運 算 放 大 器 之 電 1 1 路 圄 Ο 請 1 先 1 本 實 例 提 供 之 運 算 故大 器 在 電 路 構 成 上 與 第 1 實 .例 者 閲 讀 1 I 有 如 下 不 同 〇 另 外 設 置1 只 η - 通 道 HOS 電 晶 體 Η15 • 其 背 1 I 之 1 具 有 接 至 第 2 電 晶 體 Mil 之 源 極 之 源 極 1 接 至 第 2 電 晶 注 意 1 事 1 體 Ml 1 之 洩 極 之 洩 棰 .及 接 至 第 1 電 晶 體 Μ12 之 閘 極 之 項 再 閘 極 〇 η ~ 通 道 MOS 電 晶體 H15 降 低 η - 通 道 MOS 電 晶 體 12 填 寫 本 裝 I 之閘極之阻抗俾改善高頻之性能 > 頁 1 I 上 述 蓮 算 放 大 器 具 有寬 廣 之 輪 入 及 輸 出 範圍 另 示 出 1 1 I 輸 出 端 子 3 之 電 位 之 快速 上 昇 及 下 降 Ο 另 外 ， 暗 電 流 不 1 1 受 電 晶 體 之 絕 對 臨 界 值之 變 動 之 任 何 影 響 〇 再 者 t 其 能 1 訂 抑 制 響 應 在 運 算 放 大 器進 行 放 電 捶 轉 期 間 流 通 之 放 電 電 1 流 之 冲 穿 電 流 〇 1 1 第 18實 例 1 I 下 面 將 參 照 附 圖 詳 述本 發 明 之 第 18實 例 〇 1 1 1 第 18 圖 示 出 本 發 明 之第 18 實 例 之 改 良 運 算 放 大 器 之 電 路 圖 〇 1 I 本 實 例 提 供 之 運 算 放大 器 在 電 路 構 成 上 與 第 2 實 例 者 I 1 有 如 下 不 同 Ο 另 外 設 置1 只 η - 通 道 HOS 電 晶 體 Ml 5 » 其 1 | 具 有 接 至 第 2 電 晶 體 Mil 之 源 極 之 源 極 9 接 至 第 2 電 晶. 1 I 體 Ml 1 之 洩 極 之 洩 極 .及 接 至 ρ - 通 道 MOS 電 晶 體 H1 3 之 1 1 閘 極 之 閘 掻 Ο η 一 通 道 MOS 電 晶 體 Η15 降 低 Ρ - 通 道 MOS 電 1 I 晶 體 Ml 3 之 閘 極 之 阻 抗俾 改 菩 髙 頻 之 性 能 〇 1 I -68- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐} A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（67 ) 1 1 上 述 蓮 算 放 大 器 具 有 寬 廣 之 輸 入 及 輸 出 範 圍 另 示 出 1 1 I 输 出 端 子 3 之 電 位 之 快 速 上 昇 及 下 降 〇 另 外 » 暗 電 流 不 1 1 受 電 晶 體 之 絕 對 臨 界 值 之 變 動 之 任 何 影 響 〇 再 者 9 其 能 請 先 1 I 抑 制 響 應 在 運 算 放 大 器 進 行 放 電 運 轉 期 間- 流 通 之 故 電 電 閲 讀 1 背 1 流 之 沖 穿 電 流 〇 之 第 19實 例 注 意 1 事 1 下 面 將 參 照 附 圖 詳 述 本 發 明 之 第 19實 例 〇 項 再 1 第 19圖 示 出 本 發 明 之 第 19 實 例 之 改 良 運 算 放 大 器 之 電 填 寫 本 裝 路 圖 〇 頁 Ν__ 1 I 本 實 例 提 供 之 運 算 放 大 器 在 電 路 構 成 上 與 第 2 實 例 者 1 I 有 如 下 不 同 〇 除 了 η - 通 道 M0S 電 晶 體 Ml 5 外 9 增 設 1 只 1 1 η - 通 道 M0S 電 晶 體 Μ16 » 其 具 有 接 至 第 1 定 常 電 流 源 14 1 訂 1 I 之 源 極 9 接 至 第 1 電 晶 體 Μ12 之 洩 極 之 洩 極 9 接 至 p - 通 道 H0S 電 晶 體 Η13 之 閘 極 之 閘 極 〇 η - 通 道 H0S 電 晶 體 MI5 1 1 及 η - 通 道 M0S 電 晶 體 Η16 降 低 Ρ " 通 道 H0S 電 晶 體 H1 3 之 1 I .閘 極 之 阻 抗 俾 改 菩 高 頻 之 性 能 〇 1 上 述 運 算 放 大 器 具 有 寬 廣 之 輸 入 及 輸 出 範 圍 另 示 出 1 輸 出 端 子 3 之 電 位 之 快 速 上 昇 及 下 降 〇 另 外 f 暗 電 流 不 1 I 受 電 晶 體 之 絕 對 臨 界 值 之 變 動 之 任 何 影 響 〇 再 者 • 其 能 1 1 抑 制 應 在 運 算 放 大 器 進 行 放 電 運 轉 期 間 流 通 之 放 電 電 1 1 流 之 沖 穿 電 流 〇 1 I 第 20實 例 1 1 下 面 將 參 照 附 圖 詳 述 本 發 明 之 第 20 實 例 〇 1 1 第 20圖 示 出 本 發 明 之 第 20 實 例 之 改 良 運 算 放 大 器 之 電 1 I -69- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4«t格（2丨OX297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（68 ) 路圖。 本實例提供之運算放大器在電路構成上與第17實例者 有如下不同。除了 η-通道MOS電晶體M15外.增設1只 η-通道MOS電晶體Ml?,其具有接至第1電晶體Η12之 源極之源極，接至第1電晶體M12之洩棰之洩極，及接 至第1電晶體M12之源極之閘極。η-通道MOS電晶體M15 及η-通道MOS電晶體Μ17降低Ρ-通道MOS電晶體Μ13之 閘極之阻抗俾改菩高頻之性能。 上述蓮算放大器具有寬廣之輸入及輸出範圍，另示出 輪出端子3之電位之快速上昇及下降。另外，暗電流不 受電晶體之絕對臨界值之變動之任何影W。再者，其能 抑制饗應在運算放大器進行放電蓮轉期間流通之放電電 流之沖穿電流。 熟悉此項技術者當清楚本發明相藺之變更，務請明白 者藉上述附圖所敘述之實例絕非限定之意。因此，屬於 本發明之精神及範圍之任何變更係涵蓋於申請專利範圔. 内〇

Hal· ϋ^— m·· tnn 1· 111 ^^^^1 mt mf Anal 1 , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -70- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X2S»7公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 第 85111932號 厂 適 用 於 寬 廣 範 圍 之 輸 入 和 輸 出 » 供 驅 動 1 I 大 負 載 之 運 算 放 大 器 J 專 利 案 1 (86年5月 30日 修 正 ) ' 1 六、申 請 專 利 範 圍 * 1 I 1 一 種中間電路 9 其 偽 接 於 運 算 放 大 器 之 輸 入 级 和 輪 出 1 I 级 間 » 該 輸 入 级 和 該 输 出 级 像 偏 壓 於 高 壓 線 和 低 壓 線 請 先 聞 1 .5 間 » 該 中 間 電 路 亦 偏 壓 於 該 高 壓 線 和 低 壓 線 間 » 該 中 B 1 間 電 路 包 括 背 面 1 I 至 少 第 1 對 之 第 1 電 晶 體 及 第 1 定 常 電 流 源 9 兩 者 之 注 1 1 係 串 接 於 該 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 對 電 晶 體 係 意 事 項 1 1 設 於 該 m 出 级 側 t 在 該 第 1 電 晶 體 和 該 第 1 定 常 電 流 再 1 源 間 之 第 1 中 間 點 係 接 至 該 輸 出 级 以 及 寫 本 頁 裝 1 至 少 第 2 對 之 第 2 電 晶 體 及 第 2 定 常 電 流 源 兩 者 1 I 係 串 接 於 該 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 » 該 第 2 對 之 第 2 電 1 1 晶 體 係 並 聯 於 該 第 1 對 之 第 1 電 晶 體 9 且 設 於 該 輸 入 1 I 级 側 t 在 該 第 2 電 晶 體 和 該 第 2 定 常 電 流 源 間 之 第 2 訂 | 中 間 接 點 係 接 至 該 輪 出 级 側 之 該 第 1 電 晶 體 之 控 制 電 1 1 極 t 而 該 第 2 電 晶 體 之 控 制 閛 係 接 至 該 輸 入 级 〇 1 I 2 . 如 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 中 間 電 路 » 其 中 1 該 输 出 级 包 括 一 互補MOS 電 路 1 其 具 有 第 1 等 電 型 線 HOS 電 晶 體 及 第 2 専電型HOS 電 晶 體 兩 者 串 接 於 該 1 I 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 • 該 第 1 導電型MOS 電 晶 體 接 至 1 1 1 該 高 壓 線 9 而 該 第 2 導電型MOS 電 晶 體 則 接 至 該 低 壓 1 i 線 * 以 及 1 I 該 輸 入 级 至 少 含 有 一 差 動 放 大 器 電 路 〇 1 1 3 . 如 申 請專利範圍第2 項 之 中 間 電 路 9 其 中 1 1 該 第 1 電 晶 體 包 括 — 只 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 9 其 1 | 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 • 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 ! 1 - 1- 1 1 1 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該_出级側之該第1導電型MOS電晶體之閘極之洩極； 該第1定常電流源係接至該高壓線；以及 該第2電晶體包括一只第2導轚型MOS電晶18 ,其 具有接至該低壓線之源極，接至該第2定常電流源 如該第1電晶髖般接至該第2専電型MOS電晶體之閘 極之洩極，及接至該輸入级和在該輸出级側之該第2 導電型MOS電晶體之閛掻之閘極； 該第2定常電滾源係接至該高壓線。 4. 如申請專利範圍第3項之中間電路，其中該輸入级包 括： 用於輸人第1輪入信號之第1输人端子； 用於輸入第2輸入信號之第2輸入端子； 第1差動放大器電路係接至該第1輸入端子及該第 2輸入端子，該第1差動放大器電路係鴒壓於高壓線 和低懕線之間，該第1差動放大器電路之輸出係接至 該中間電路之該第2電晶體之該閘極和該輸出级側之 該第2導電型MOS電晶體；以及 第2差動放大器電路係接至該第1輸入端子及該第 2輪入端子…該第2差動放大器電路毒_偏壓於該高壓 線和低壓線之間，.該第2差動放大器電路之輸出係接 至該中間電路之該第2電晶體之該閘極和該输出级側 之該第2導電型MOS電晶體。 5. 如申請專利範圍第2項之中間電路，其中 該第1電晶體包括一只第1導電型MOS電晶g,其 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — nil In!. ~裝 I —"訂胃 旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^13720 A8 B8 C8 D8 經濟部中夫標準局貝工消費合作社印装 六、申請專利範圍 1 1 具有接至該高麈線之源極 » 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 1 該 輸 出 级 側 之 該 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 1 I 該 第 1 定常電流源係接至該低壓線 • 以 及 S 請 1 I 該 第 2 電 晶 體 包 括 —. 只 第 2 専電型HOS 電 晶 體 * 其 先 閲 1 I 讀 1 I 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 » 接 至 該 第 2 定 常 電 淀 源 和 背 1 I 之 1 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 専電型MOS 電 晶 體 之 閘 注 意 1 I 極 之 洩 極 • 及 接 至 該 輪 入 级 和 在 該 輸 出 級 m 之 該 第 2 事 項 1 再 1 専電型MOS 電晶體之閘極之閘極 ♦ 参 填 1 舄 本 該 第 2 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 〇 頁 1 1 6 .如 申 請 專 利 範 圍 第 5 項 之 中 間 電 路 » 其 中 該 輸 入 鈒 包 1 1 括 • 4 1 I 用 於 輪 入 第 1 輸 入 信 號 之 第 1 输 入 端 子 1 訂 1 用 於 輸 入 第 2 輪 入 信 號 之 第 2 輸 入 端 子 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輸 入 端 子 及 該 第 I 2 輸 入 端 子 t 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 高 壓 線 1 1 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 输 出 係 接 至 1 1 該中間電路之該第2 電 晶 體 之 該 閘 極 和 該 输 出 级 «9 之 旅 I 該 第 2 導電型MOS 電 晶 體 以 及 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 输 入 端 子 及 該 第 1 1 2 输 入 端 子 • 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 該 高 壓 1 I 線 和 低 壓 線 之 間 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接 1 1 至 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閘 極 和 該 输 出 级 側 1 I 之 該 第 2 導電型HOS 電 晶 體 〇 1 1 7 .如 申 請 Μ 利 範 圍 第 2 項 之 中 i- 間 電 路 » 其 中 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS )八4規格（210X297公釐） 313720 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 該第1電晶體包括一只第1導電型MOS電晶體，其 具有接至該高壓線之源極，接至該第1定常電流源和 該輪出级供之該第1導電型MOS電晶賭之閛極之洩極； 該第1定常電流源係接至該低壓線；以及 該第2電晶體包括一只第1導電型MOS電晶體，其 具有接至該高壓埭之源極，接至該第2定常電流源和 該第1導電型MOS電晶體之間極之洩棰，及接至該輪 入鈒和在該输出级側之該第1専電型MOS電晶體之閘 極之閘極； 該第2定常電流源係接至該低壓線。 8.如申請專利範圍第7項之中間電路，其中該輸入级包 括： 用於輸入第1输入信號之第1輸入端子； 用於輸入第2輪人信號之第2輸入端子； 第1差動放大器電路係接至該第1輸入端子及該第 2輸入端子，該第1差動放大器電路係鴒壓於高壓線 和低壓線之間，該第1差動放大器電路之输出係接至 該中間電路之該第2電晶體之該閛極和該輸出级側之 該第2導電型MOS電晶體；以及 第2差動放大器電路係接至該第1輪入端子及該第 2輪入端子，該第2差動取大器電路係锔壓於該高壓 線和低歷線之間.該第2差動放大器電路之輸出係接 至該中間電路之該第2電晶體之該閘極和該輸出级側 之該第2導電型MOS電晶體。 -4- -------- I裝------訂------Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） ^S72〇 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 9 .如 申 請 專 利 範 圃 第 2 項 之 中 間 電 路 9 其 中 -. 1 1 該 第 1 電 晶 體 包 括 一 只 第 2 導電型H0S 電 晶 體 1 其 1 I 具 有 接 至 該 低 m 線 之 源 極 • 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 請 1 | 該 输 出 级 側 之 該 第 2 導電型H0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 先 閲 1 1 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 ;以及 背 面 1 1 之 1 該 第 2 電 晶 體 包 括 —. 只 第 1 専電型M0S 電 晶 體 9 其 注 意 1 I 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 源 極 • 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 和 事 項 1 A ' 再 如 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 導電型H0S 電 晶 體 之 閘 極 填 寫 本 I 裝 之 洩 極 f 及 接 至 該 输 入 趿 和 在 該 輸 出 级 側 之 該 第 1 導 頁 1 I 電型M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 « 1 1 該 第 2 定 常 電 流 源 係 接 至 該 低 壓 線 〇 1 1 10 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 9 項 之 中 間 電 路 » 其 中 該 輪 入 级 1 訂 包 括 • • 1 用 於 输 人 第 1 输 入 信 號 之 第 1 輸 入 端 子 • 1 I 攀 用 於 输 入 第 2 输 入 信 號 之 第 2 輪 入 端 子 1 I 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輸 入 端 子 及 該 第 1 \ 2 输 入 端 子 t 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 高 壓 線 I 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接 至 1 I 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閘 極 和 該 輸 出 级 側 之 1 1 該 第 2 導電型M0S 電 晶 體 • 以 及 1 I 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 m 入 端 子 及 該 第 1 1 2 输 入 端 子 » 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 該 高 壓 1 1 線 和 低 壓 線 之 間 » 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 输 出 係 接 1 | 至 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 一 晶 >~ 超 之 該 闸 極 和 該 输 出 级 側 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 申請專利範圍 之該第2 11 .如申讅 含第1導 ,兩者係 型HOS電 電晶體則 12.如申請 該第1 具有接至 該_出级 該第1 該第2 具有接至 如第1電 之洩極， 電型雙極 該第2 13 .如申請 包括： 用於輸 用於輸 第1差 2輪人端 和低壓線 導電型HOS 專利範画第 霣型MOS電 串接於該高 晶體接至該 接至該低壓 專利範圍第 電晶髖包括 該低壓線之 傅之該第1 定常電流源 電晶體包括 該低壓線之 晶體般接至 及接至該輸 性電晶體之 定常電流源 專利範圍第 A8 B8 C8 D8 電晶匾 1項之 晶體及 壓線和 高壓線 線0 11項之 一只第 源極， 導電型 係接至 一只第 源極， 該第2 入鈒和 基極之 係接至 12項之 中間電路，其中 第2導電型雙極 低壓線之間，該 ,而該第2導電 該输出级 性電晶體 第1導電 型雙極性 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 中間電 2導電 接至該 MOS電 該高壓 2導電 接至該 導電型 在該輸 閛齒； 該高壓 中間電 路，其中 型MOS電 第1定常 晶體之閘 線；以及 型M_OS電 第2定常 MOS電晶 出级側之 晶體，其 電流源和 極之洩極 晶體，其 電流源和 體之閘'極 該第2導 線0 路，其中該輪入级 入第1輸入信號之第1輸入端子； 人第2输入信號之第2輸人端子； 動放大器電路係接至該第1輪入端子及該第 子，該第1差動放大器電路係僱壓於高壓線 之間，該第1差動放大器電路之输出係接至 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4说格（210 X 297公釐） A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 該中間電路之該第2電晶1K之該基槿和該输出级倒之 該第2導電型雙極性霄晶體；以及 第2差動放大器電路係接至該第1输入端子及該第 2輸入端子，該第2差動放大器電路係偏壓於該高壓 線和低壓線之間，該第2差動放大器電路之输出係接 至該中間電路£該第2電晶暖之該基極和該输出级側 之該第2導電型雙掻性電晶體。 1 4 .如申請專利範圍第11項之中間電路，其中 該第1電晶體包括一只第1導電型HOS電晶體，其 具有接至該高壓線之源極，接至該第1定常電流源和 該输出级側之該第1専電型HOS電晶體之閘極之洩極； 該第1定常電流源係接至該低壓線：以及 該第2電晶體包括一只第2導電型廣極性電晶體， 其具有接至該低壓線之射掻，接至該第2定常電滾源 和該第1導電型MOS電晶體之閘極之集極，及接至該 输入级和在該輸出级側之該第2導電型雙極性電晶體 之基極之基極； 該第2定常電流源係接至該高壓線。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 15.如申請專利範圍第14項之中間電路，其中該输入级 包括： 用於输、人第1输入信號之第1输入端子： 用於輪入第2輪入信號之第2输入端子； 第1差動放大器電路係接至該第1輪入端子及該第 2输入端子，該第1差動放大器電路係偏壓於高壓線 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 和 低 m 線 之 間 * 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 输 出 係 接 至 1 1 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 趙 之 該 基 捶 和 該 翰 出 级 側 之 1 | 該 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 以 及 y—S. 請 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輸 入 端 子 及 該 第 先 閲 1 1 2 輸 入 端 子 9 該 第 2 差 動 放 大 器 回 路 係 鴒 壓 於 該 高 壓 背 面 1 I 之 線 和 低 m 線 之 間 • 該 第 2 差 動 放 大 器 回 路 之 輸 出 係 接 注 意 1 I 至 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 基 極 和 該 輪 出 级 側 事 項 1 -, 再 I 之 該 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 〇 4 寫 1 16 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 中 間 電 路 9 其 中 該 输 出 级 頁 1 1 含第2導電型MOS 電 晶 體 及 第 1 専 電 型 雙 極 性 電 晶 體 » 1 1 兩 者 係 串 接 於 該 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 f 該 第 2 導 電 型 1 I HOS 電 晶 體 接 至 該 低 壓 線 • 而 該 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 1 訂 晶 體 則 接 至 該 高 壓 線 〇 1 17 . 如 申 請專利範圍第16項之 中 間 電 路 9 其 中 1 I 該 第 1 電 晶 體 包 括 一 只 第 1 導電型MOS 電 晶 體 9 其 1 1 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 源 極 t 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 該 输 出 级 側 之 該 第 2 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極： 線 I 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 低 壓 線 t 以 及 1 1 該 第 2 電 晶 體 包 括 一 只 第 1 導電型雙極性電晶體 » 1 1 其 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 射 極 / » 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 1 I 和 如 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 1 1 極 之 集 極 » 及 接 至 該 輸 入 鈒 和 在 該 输 出 级 側 之 該 第 1 [ 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 基 極 * 及 1 1 該 第 2 定 常 電 流 源 係 接 至 該 低 懕 媒 0 1 1 8- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 3 Λ Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 六、申請專利範圍 1 18. 如 串 請 專 利 範 圍 第 17項 之 中 間 電 路 9 其 中 該 输 入 鈒 1 1 包 括 • ♦ 1 1 用 於 输 入 第 1 输 入 信 號 之 第 1 入 端 子 1 S 請 1 | 用 於 输 入 第 2 输 入 信 號 之 第 2 輸 入 端子 • 先 閲 讀 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 输 入 端 子 及 該 第 背 1 I 之 1 2 輪 入 端 子 • 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 僱 壓 於 高 壓 線 注 意 1 和 低 壓 線 之 間 » 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接 至 事 項 1 氣 再 1 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 艟 之 該 基 極 和 該 输 出 级倒 之 填 寫 本 I 該 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 > 以 及 頁 1 | 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 输 入 端 子 及 該 第 1 1 2 輸 入 端 子 • 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 餳 壓 於 該 高 壓 1 | 線 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 輪 出 係 接 1 訂 至 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 基 極 和 該 出 级 側 1 之 該 第 1 m 電 型 雙極 性 電 晶 體 Ο 1 I 19 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 16項 之 中 間 電 路 » 其 中 1 I 該 第 1 電 晶 體 包 括 — 只 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 9 其 1 ! 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 » 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 I 該 輸 出 级 側 之 該 第 2 専 電 型 HOS 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 1 1 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 m m f 以 及 1 1 該 第 2 電 晶 體 包 括 一 只 第 1 専 電 型 雙 m 性 電 晶 fit t 1 I 其 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 射 極 9 接 至 該 第 2 定 常 霉 流 源 1 1 和 該 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 之 閘 極 之 集 極 t 及 接 至 該 1 1 輸 入 鈒 和 在 該 檢 出鈒 側 之 該 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 1 I 之 基 極 之 基 極 • 1 9 1 1 9- 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家梯準（€阳）八4说格（210\297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 該 第 2 定 常 電 流 源 係 接 至 該 低 壓 線 0 - 1 1 20 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 19項 之 中 間 電 路 » 其 中 該 输 人 级 1 | 包 括 ： 請 1 I 用 於 输 入 第 1 输 入 信 號 之 第 1 輪 入 端 子 1 无 閲 1 1 用 於 輪 入 第 2 輪 入 信 號 之 第 2 输 入 端 子 t 背 1 | 之 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 输 入 端 子 及 該 第 注 意 1 2 输 入 端 子 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 高 壓 線 事 項 1 再 | 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 差 劻 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接 至 填 寫 1 裝 1 | 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 基 極 和 該 輸 出 级 側 之 本 頁 該 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 以 及 I 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輪 入 端 子 及 該 第 1 | 2 輸 人 端 子 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 該 高 壓 1 訂 線 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接. 1 至 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 基 極 和 該 输 出 级 側 1 I 之 該 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 0 1 1 1 21 . 如 申 請 專 利 範 画 第 1 項 之 中 間 電 路 » 其 中 1 \ 該 输 出 级 包 括 一 互 補 H0S 電 路 • 其 具 有 第 1 導 電 型 線 I H0S 電 晶 體 及 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 兩 者 係 串 接 於 1 1 該 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 f 該 第 1 導 電 型 M0S 電 晶 體 接 1 1 至 該 高 懕 線 9 而 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 m 接 至 該 低 1 壓 線 9 1 1 該 输 入 鈒 至 少 含 有 一 差 動 放 大 器 電 路 9 1 1 該 第 1 電 晶 體 包 括 一 只 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 9 其 1 I 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 • 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 1 -10* 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） fl 8 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 該 輸 出 级 側 之 該 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 趙 之 閘 極 之 洩 極； 1 1 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 • • 1 | 該 第 2 電 晶 趙 包 括 一 只 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 t 請 At 1 I 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 » 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 和 无 閲 讀 1 1 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 暖 之 閘 極 之 洩 極 9 及 接 至 該 输 背 面 1 | 之 1 入 级 和 在 該 輪 出 级 側 之 該 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 之 閛 注 意 1 極 之 閘 極 ； 以 及 事 項 1 再 I - 該 第 2 定 常 電 淀 源 係 接 至 該 高 m 媒 9 及 寫 本 1 A 該 中 間 電 路 另 外 包 括 1 只 第 1 附 加 之 第 2 導 電 型 H0S 頁 S_ 1 I 電 晶 體 f 其 有 如 第 2 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 導 電 型 H0S 1 1 電 晶 體 之 該 源 極 之 源 極 I 如 第 2 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 1 I 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 洩 極 之 洩 極 9 及 如 第 1 電 晶 體 1 訂 般 接 至 該 第 2 専 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 閛 掻 和 如 第 2 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 洩 極 之 閛 極。 1 I 22 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 21項 之 中 間 電 路 9 其 中 該 輸 入 级 瞧 1 包 括 • [ 用 於 输 人 第 1 輪 入 信 號 之 % 1 输 入 端 子 • • 線 I 用 於 输 人 第 2 輪 入 信 號 之 第 2 輪 人 端 子 • 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輸 入 端 子 及 該 第 1 1 2 輸 入 端 子 » 該 第 1 差 動 放 大 器電 路 係 僑 壓 於 高 壓 線 1 | 和 低 壓 線 之 間 » 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 输 出 係 接 至 1 1 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 .該 閘 極 和 該 輪 出 级 側 之 1 | 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 以 及 1 I 第 2 差 劻 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 输 入 端 子 及 該 第 1 1 -11- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4«l格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2輸入端子，該第2差動放大器電路係偏壓於該高壓 線和低壓線之間，該第2差動放大器電路之输出係接 至該中間電路之該第2電晶體之該閛極和該输出级側 之該第2導電型HOS電晶體。 2 3.如申請專利範圍第21項之中間電跨，另外包括1 只第1附加之第1専電型MOS電晶體，其具有接至該 第1定常電流源之源極，接至該第2専電型MOS電晶 體之該洩極之洩極，及接至該輸出鈒側之該第1導電 型MOS電晶體之該閛極之閛極。 24. 如申請專利範圍第21項之中間電路，另外包括1 只第2附加之第2導電型MOS電晶體，其具有如第2 電晶體般接至該第2専電型MOS電晶體之該源極之源 極，如第1電晶體般接至該第2導電型MOS電晶體之 該洩極之洩極，及如該第1電晶體般接至該第2導電型 MOS電晶體之該洩極之閘極。 25. 如申請專利範圍第1項之中間電路，其中 該輪出级包括一互補MOS電路，其具有第1導電型 MOS電晶體及第2導電型MOS電晶體，兩者係串接於 該高壓線和低壓線之間，該第1専電型MOS電晶體接 至該高壓線，而該第2導電型MOS電晶體則接至該低 壓線， 該輪入级至少包括一差動放大器電路， 該第1電晶體包括一只第1導電型Μ 0 S電晶體，其 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -------J—裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範 ‘圍 1 1 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 涯 極 t 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 1 該 輸 出 级 側 之 該 第 1 専 電 型 H0S 電 晶 體 之 閛 極 之 洩 極； 1 1 該 第 1 定 常 電 滾 源 係 接 至 該 低 m 線 * » X—V 請 1 先 1 該 第 2 鬣 晶 體 包 括 只 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 » 其 閲 1 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 » 接 至 該 第 2 定 常 電 滾 源 和 背 1 | 之 1 如 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 専 電 型 H0S 電 晶 體 之 閘 極 注 意 1 之 洩 極 t 及 接 至 該 輸 入 级 和 在 該 输 出 级 m 之 該 第 2 導 事 項 1 再 1 電 型 H0S 電 晶 趙 之 閘 極 之 閛 m • 以 及 填 寫 本 1 裝 該 第 2 定 常 電 淀 源 係 接 至 該 高 壓 線 » 及 頁 1 I 該 中 間 電 路 另 外 包 括 1 只 第 1 附 加 之 第 1 導 電 型 H0S 1 1 電 晶 體 » 其 有如潋 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 導 電 型 M0S 1 | 電 晶 體 之 該 源 極 之 源 極 • 如 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 訂 専 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 洩 極 之 洩 極 • 及 接 至 該 输 出 级 1 該 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 閘 極 和 如 第 1 電 晶 體 I I 般 接 至 該 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 洩 檯 之 閛 極 〇 1 I 26 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 25項 之 中 間 電 路 > 其 中 該 輸 人 级 1 包 括 ·· 線 I 用 於 輪 入 第 1 輪 入 信 號 之 第 1 输 人 端 子 « 1 1 用 於 輸 入 第 2 输 入 信 號 之 第 2 輸 入 端 子 • 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輸 入 端 子 及 該 第 1 I 2 輸 人 端 子 费 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 高 壓 線 1 1 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 輪 出 係 接 至 1 1 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閘 極 和 該 輸 出 级 側 之 1 I 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 IS 以 及 1 1 -13- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貞工消费合作社印«. 六、申請專利範圍 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輸 入 端 子 及 該 第 1 1 2 输 入 端 子 » 該 第 2 差動放大器電路係餳壓於該高壓 1 | 線 和 低 壓 線 之 間 > 該 第 2 差動放大器電 路 之 輪 出 係 接 X—S. 請 1 I 至 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閛 極 和 該 輸 出 级 側 克 閲 1 1 之 該 第 2 導電型MOS 電 晶 體 〇 背 面 1 1 之 1 27 . 種 運 算 放 大 器 > 其 含 有 —* 輸 入 级 f —* 輪 出 级 » 及 注 意 1 接 於 該 輸 入 级 和 該 輸 出 级 間 之 中間電路 f 該 運 算 放 大 事 項 1 再 I 器 係 偏 壓 於 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 1 該輪入级至少含有 1 写 本 —* 放 大 器 電 路 » 其 中 該 中 間 電 路 包 括 • « 頁 1 1 至 少 第 1 對 之 第 1 電 晶 體 及 第 1 定 常 電 滾 源 * 兩 者 1 1 係串接於該高壓線和低壓線之間 9 該 第 1 對 電 晶 體 係 1 I 設 於 該 輸 出 级 側 • 在 該 第 1 電 晶 體 和 該 第 1 定 常 電 流 1 訂 1 源 間 之 第 1 中 間 點 係 接 至 該 输 出 趿 以 及 至 少 第 2 對 之 第 2 電 晶 體 及 第 2 定 常 電 流 源 » 兩 者 I 係 串 接 於 該 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 » 該 第 2 對 之 第 2 電 1 1 晶 體 係 並 聯 於 該 第 1 對 之 第 1 電 晶 體 » 且 設 於 該 输 入 1 级 側 » 在 該 第 2 電 晶 體 和 該 第 2 定 常 電 流 源 間 之 第 2 線 I 中 間 接 點 係 接 至 該 输 出 级 側 之 該 第 1 電 晶 體 之 控 制 電 1 1 極 • 而 該 第 2 電 晶 體 之 控 制 閘 係 接 至 該 輸 入 m 〇 1 1 28 . 如 申 請專利範圍第27項之運算放大器 9 其 中 該 输 出 1 I • 级 側 之 該 放 大 器 電 路 含 有 一 差 動 放 大 器 電 路 0 1 1 29 . 如 申 請 專 利 範 圍第27項之運算放大 器 9 其 中 1 I 該 輸 出 扱 包 括 . 互 補MOS 電 路 * 其 具 有 第 1 導 電 型 1 | HOS 電 晶 體 及 第 2 導電型MOS 電 晶 體 » 兩 者 係 串 接 於 1 1 -14- 1 1 1 1 本紙張尺度逍用中國國家樣隼（CNS > A4«L格（2!0><297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 六、申請專利範圍 1 1 該 高 壓 線 和 低 壓 線 間 ,該 第 1導電型M0S 電 晶 傾 接 1 1 至 該 高 朧 媒 » 而 該 第 2 専電型M0S電 晶 fig 則 接 至 該 低 1 I 壓 線 • 以 及 請 1 該 輸 入 级 至 少 包 括 一 差動 放 大器電 路 〇 先 閲 讀 1 1 30 . 如 申 請專利範圃第29項之運算放大器 * 其 中 背 1 1 之 該 第 1 電 晶 體 包 括 —- 只第 2 導電型M0S 電 晶 體 t 其 注 意 1 具有接至該低壓線之源極， ，接 至該第 1 定 常 電 流 源 和 事 項 1 再 I 該 輸 出 级 側 之 該 第 1 導電型M0S電晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 1 裝 本 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接至 該 高歷線 以 及 頁 N_^ 1 I 該 第 2 電 晶 體 包 括 一 只第 2 導電型M0S 電 晶 體 » 其 1 1 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極， 接 至該第 2 定 常 電 流 源 和 1 I 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 閘 1 訂 1 極 之 洩 極 > 及 接 至 該 輸 入级 和 在該輸 出 级 側 之 該 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 閛 極之 閘 極；及 1 I 該 第 2 定常電流源係接至該高壓線 〇 1 31 . 如 申 請專利範圍第30項之運算放大器 9 其 中 該 输 入 级 ί 包 括 ： 银 I 用 於 輸 入 第 1 輸 入 信 號之 第 1輸入 端 子 1 1 用 於 输 人 第 2 输 入 信 號之 第 2輸入 端 子 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係接 至 該第1 輸 入 端 子 及 該 第 1 | 2 輸 入 端 子 • 該 第 1 差 動放 大 器電路 係 偏 壓 於 高 壓 媒 1 1 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 差動 放 大器電 路 之 输 出 係 接 至 1 | 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶體 之 該閘極 和 該 輪 出 级 惻 之 1 I 該 第 2 専電型M0S 電 晶 體； 以 及 1 1 Ί5- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 〇1^72q H C8 D8 六、申請專利範園 第2差動放大器電路係接至該第1輸入皤子及該第 2輪入端子，該第2差動放大器電路係傾壓於該高壓 線和低壓線之間，該第2差動放大器電路之输出係接 至該中間電路之該第2電晶體之該閘極和該輪出级供 之該第2導電型MOS電晶體。 这2.如申請專利範圍第31項之蓮算放大器，其中 第1差動放大器電路可包括下述：經各自之源極相 互連接之第1及第2第2専電型MOS電晶體之第1差 動電晶體對，前述源掻可經一定常電流源而接至低壓 線，第1差動電晶體對之第1第2専電型MOS霉晶體 之閘極可接至第1輸入端子，第1電晶體對之第2第 2導電型MOS電晶體之閘極可接至第2輪入端子； 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1電流鏡對電路可包括一對第1及第2第1導電 型MOS電晶體，第1第1導電型MOS電晶體具有接至 高壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1第2導 電型HOS電晶體之洩極之洩極，及第1差動電晶體對 之第1第2導電型MOS電晶體之洩極之閛搔，第2第 1導電型MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第 2差動放大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對之 第1第2導電型MOS電晶體之閘極之閘極； 第2電流鏡妈電路可包括第3及第4第1導電型MOS 電晶體對，第3第1導電型MOS電晶體可具有接至高 壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第2第2導電 型HOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體 -16- 本紙張Λ度適用中國國家揉準（CNS ) Α4*ΙΜ«· ( 210X 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範園 對之第2第2導電型HOS電晶體之洩極之闸極，而第 4第1導電型M0S電晶趙具有接至高壓線之源極，接 至第2差動放大器電路和如該中間電路之該第2電晶 體般接至第2導電型M0S電晶體之閛極之洩極 > 及接 至第1差動電晶體對之第2第2導電型M0S電晶體之 閛搔之閘極；以及 第2差劻放大器電路包括： 經各自之源極連接之第1及第2第1専電型之第2 差動電晶體對，前述源極經一定常電流源接至高磨線 ，第2差動電晶體對之第1第1専電型M0S電晶體之 閘極接至第2輸入端子，第2差動電晶體之第2第 1等電型M0S電晶體之閘極接至第1輸入端子； 第3電流鏡對電路包括第1及第2第2導電型M0S 電晶體對，第1第2導電型M0S電晶體具有接至低壓 線之源極，接至第2差動電晶體對之第1第1導電型 M0S電晶體之拽極之洩極，接至第2差動電晶體對之 第1第1専電型M0S電晶體之洩極之閛極，第2第2 等電型M0S電晶體具有接至低壓線之源掻，接至第2 差動電晶體對之第2第1導電型M0S電晶體之洩極和 如該中間電路之該第2電晶趙般接至第2導電型M0S 電晶體之閘搔之洩揮，及接至第2差動電晶體對之第 1第1導電型M0S電晶體之閘極之閘極。 33.如申請專利範圍第31項之蓮算放大器，其中 第1差動放大謹電路包括： -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -------1 1^------,ΤΓ------VI (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 經各自之射極相互連接之第1及第2第2専電型雙 極性電晶體之第1差動電晶暖對，前述射極可經一定 常電流源而接至低壓線，第1差動電晶體對之第1第 2専電型雙極性電晶體之基極接至第1输入端子，第 1電晶體對之第2第2導電型雙極性電晶體之基極接 至第2輸入端子； 第1電淀鏡對電路包括一對第1及第2第1導電型 MOS 電晶體，第1第1等電型MOS電晶體具有接至 高壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1第2専 電型雙極性電晶體之集極之洩極，及第1差動電晶膻 對之第1第2導電型雙極性電晶體之集極之閘極，第 2第1導電型MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接 至第2差動放大器電路之洩極，接至第1差動電晶體 對之第1第2導電型雙極性電晶體之集槿之閛極； 第2電流鏡對電路包括第3及第4第1導電型MOS 電晶體對，第3第1導電型MOS電晶體具有接至高S 線之源極，接至第1差動電晶體對之第2第2導電型 雙極性電晶體之集極之洩極，及接至第1差動電晶體 對之第2第2導電型雙極性電晶體之集極之閛極，而 第4第1導電型MOS電晶體具有接至高壓線之源極， 接至第2差動放大莽電路和如該中間電路之該第2電 晶體般接至第2導電型MOS電晶體之閘掻之洩極，及 接至第1差動電晶體對之第2第2導電型雙搔性電晶 體之閛極之集極；以及 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4Λ格（210X297公釐） --------f 1 裝------訂------T 乂 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) ul^?2〇 il C8 D8 六、申請專利範圍 第2差動放大器電路包括： 烴各自之射極連接之第1及第2第1導電型雙極性 電晶體之第2差動電晶艏對•前述射極烴一定常電滾 源接至高壓線，第2差動電晶體g之第1第1専電型 雙極性電晶體之基極接至第2輸入端子，第2差動電 晶體之第2第1導電型雙極性電晶體之基極接至第 1輸入端子； 第3電流鏡對電路包括第1及第2第2導電型MOS 電晶體對，第1第2専電型MOS電晶體具有接至低壓 線之源極，接至第2差動電晶體對之第1第1導-電型 雙極ΐί電晶體之集極之洩掻，接至第2差動電晶體對 之第1第1専電型雙極性電晶體之集極之閛極，第2 第2導電型HOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動電晶體對之第2第_1導電型雙極性電晶雔之 集極之洩極和如該中間電路之第2電晶體般接至第2 導電型MOS電晶體之閛極之洩極，及接、至第2差動電 晶體對之第1第1導電型雙極性電晶體之集極之閛極。 «4.如申請專利範圍第29項之理算放大器，其中 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該第1電晶體包括一只第1導電型MOS電晶體，其 具有接至該高壓線之源極，接至該第1定常電流源和 該输出级側之該第1導電型MOS電晶體之閘極之洩極； 該第1定常電流源係接至該低壓線；以及 該第2電晶體包括一只第2導電型MOS電晶體，其 具有接至該低壓線之源極，接至該第2定常電流源和 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公嫠） A8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 該 第 1 専 電 型 MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 9 及 接 m 該 输 1 I I 入 鈒 和 在 該 输 出 级 側 之 該 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 之 閛 1 1 極 之 閘 極 t 請 1 先 1 該 第 2 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 〇 閲 1 35 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 34項 之 運 算 放 大 器 » 其 中 該 输 入 背 ώ I 之 1 级 包 括 • • 注 意 1 1 事 1 用 於 输 入 第 1 輪 入 信 號 之 第 1 輸 入 端 子 ； 項 再 一、1 用 於 输 入 第 2 輸 入 信 號 之 第 2 輪 入 端 子 § % 本 i 裝 I 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輪 入 端 子 及 該 第 頁 ___^ 1 I 2 輪 入 端 子 » 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 餳 壓 於 高 壓 線 1 1 和 低 壓 線 之 間 t 該 第 1 差 動 放 大 器電 路 之 输 出 係 接 至 1 1 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閘 極 和 該 輪 出 鈒 側 之 1 訂 該 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 * 以 及 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輪 入 端 子 及 該 第 1 1 2 輸 入 端 子 P 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 該 高 壓 1 I m 和 低 壓 線 之 間 » 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 输 出 係 接 1 X 1 至 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閘 極 和 該 输 出 级 側 之 該 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 Ο 1 36 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 35項 之 運 算 放 大 器 9 其 中 1 .第 1 差 動 放 大 器 電 路 包 括 1 I 經 各 白 之 源 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 MOS 1 1 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 9 前 述 源 極 經 一 定 常 電 流 1 1 源 而 接 至 低 壓 線 ， 第1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 1 I 型 HOS 電 晶 賭 之 閛 極 接 至 第 1 输 入 端 子 9 第 1 電 晶 體 1 1 I -20- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） Λ8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 對之第2第2導電型MOS電晶體之閘槿接至第2輸入 端芋； 第1電滾鏡對電路包括一對第1及第2第1導電 型MOS電晶體，第1第1導電型MOS電晶體具有接至 高壓線之源掻，接至第1差動電晶體對之第1第2導 電型MOS電晶體之洩極之洩極，及第1差動電晶體對 之第1第2導電型MOS電晶體之洩極之閛極，第2第 1導電型MOS電晶體具有接至高壓線之源搔，接至第 2差動放大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對之 第1第2専電型MOS電晶體之閛極之閘極； 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2電流鏡對電路可包括第3及第4第1導電型MOS -電晶體對，第3第1導電型MOS電晶體可具有接至高 壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第2第2導電 型MOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體 對之第2第2専電型MOS電晶體之洩搔之閛極，而第 4第1専電型MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接 至第2差動放大器電路和如該中間電路之該第2電晶 體般接至第2導電型MOS電晶體之閘極之洩極，及接 至第1差動電晶體對之第2第2導電型HOS電晶體之 閛極之閛極；以及 第2差動放大器電路包括： 烴各自之源極連接之第1及第2第1導電型MOS電 晶體之第2差動電晶體對，前述源極經一定常電流源 接至高壓線，第2差動電晶體對之第1第1導電型MOS -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 六、申請專利範圍 1 1 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 t 第 2 差 動 電 晶 暖 對 1 1 之 第 2 第 1 導電型M0S 電 晶 體 之 閛 極 接 至 第 1 輪 入 皤 1 1 子 « • 請 先 1 1 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 2 導電型M0S 閲 1 電 晶 體 對 » 第 1 第 2 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 背 之 1 1 線 之 源 極 * 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 型 注 意 1 H0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 事 項 再 1 第 1 第 1 導電型H0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閛 極 9 第 2 第 2 填 寫 本 1 裝 導電型H0S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 f 接 至 第 2 頁 __* 1 I 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導電型M0S 電 晶 體 之 洩 極 和 1 1 如 該 中 間 電 路 之 第 2 電 晶 體 般 接 至 第 2 導電型M0S 1 1 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 f 及 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 訂 1 第 1 導電型M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 〇 1 37 . 如 申 請專利範圍第35項之蓮算放大器 9 其 中 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 包 括 : I 烴 各 白 之 射 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 雙 1 1 極 性 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 前 述 射 極 可 烴 一 定 :咏 1 常 電 流 源 而 接 至 低 壓 線 9 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 - 1 I 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 槿 接 至 第 1 輪 入 端 子 t 第 1 1 1 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 1 | 至 第 2 输 入 端 子 » 1 第 1 電 流 鏡 對 電 路 包 括 一 對 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 1 1 H0S 電 晶 體 » 第 1 第 1 導電型M0S 電 晶 暖 具 有 接 至 高 1 I 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 1 1 -22- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4*t格（210X20公釐） A8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 f 及 第 1 差動電晶體對 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 極 9 第 2 1 I 第 1 導電型H0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 m 9 接 至 請 I 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 洩 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 先 閲 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閛 極 9 背 面 I 之 1 第 2 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 3 及 第 4 第 1 導電型M0S 注 意 1 電 晶 體 對 9 第 3 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至' 高 壓 事 項 再 線 之 源 極 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導電型 f 1 - 寫 本 雙掻性電晶體之集極之洩極 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 頁 1 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶體之‘集掻之閘極 » 而. 1 1 第 4 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 > 1 I 接 至 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 如 中間電路之第 2 電 晶 體 1 1 訂 1 般 接 至 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 9 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 1 1 集 極 之 閘 極 ； 以 及 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 ： 1 \ 經 各 自 之 射 極 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 雙 極 性 線 I 電 晶 體 之 第 2 差 動 電 晶 體 對 $ > Λ. 刖 述 射 極 經 一 定 常 電 流 1 1 源 接 至 高 壓 線 9 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 型 1 | 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 2 输 入 端 子 » 第 2 差 動 電 1 I 晶 體 對 之 第 2 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 1 1 1 輸 入 端 子 9 1 I 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 2 導電型M0S 1 1 電 晶 體 對 9 第 1 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 1 1 -23- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 〇1^72〇 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 線之源極 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 體對 之 第 1 第 1 導 電‘ 型 1 1 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 掻 9 接至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 I 之 第 1 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體之 集 極 之 閘 極 » 第 2 請 1 1 1 第 2 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至低 壓 線 之 源 m 9 接 至 先 閲 1 1 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 *Ά 背 面 1 1 之 1 集 極 和 如 該 中 間 電 路 之 第 2 電 晶體 般 接 至 第 2 導 電 型 注 意 1 HOS 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 9 及 接至 第 2 差 動 電 晶 體 對 事 項 1 再 1 之 第 1 第 1 導 電 型 雙 棰 性 電 晶 體之 集 極 之 閘 極 填 1 裝 寫 38 . 如 串 請 專 利 範 圍 第 29項之蓮算放大器 9 其 中 頁 1 該 第 1 電 晶 體 包 括 一 只 第 1 導電型MOS 電 晶 體 • 其 1 1 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 源 極 9 接 至該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 I 該 輸 出 级 .側 之 該 第 1 導 電 型 MO S電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 1 1 訂 1 該 第 1 定 常 電 流 源 偽 接 至 該 低壓 線 ; 以 及 該 第 2 電 晶 體 包 括 一 只 第 1 導電型MOS 電 晶 體 t 其 1 I 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 源 極 9 接 至該 第 2 定 常 電 流 源 和 1 1 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 1 極 之 洩 極 9 及 接 至 該 輪 入 级 和 在該 输 出 级 m 之 該 第 1 線 I 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 棰； 1 1 該 第 2 定 常 電 流 源 傷 接 至 該 低壓 線 〇 1 I 3 9 . 如 串 請專利範圍第38項之蓮算放大器 « 其 中 該 輸 入 1 1 级 包 括 ： I 1 用 於 輸 入 第 1 輸入，信號之第 1輸 入 端 子 » 1 I 用 於 輸 入 第 2 輪 入 信 號 之 第 2輪 入 端 子 9 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 傜 接 至 該第 1 輪 入 端 子 及 該 第 1 1 -24- , 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消费合作社印*. 六、申請專利範圍 1 1 2 輸 入 端 子 9 該 第 1 差動放大器電路係傾壓於高壓線 和 低 壓 線 之 間 % 該 第 1 差 動 放 大器電 路 之 輪 出 係 接 至 1 1 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該閘極 和 該 输 出 级 側 之 請 1 先 1 該 第 2 導電型M0S 電 晶 體 以 及 閲 讀 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該第1 輸 入 端 子 及 該 第 背 1 I 之 1 2 檢 入 端 子 9 該 第 2 差 動 放 大 器電路 係 偏 壓 於 該 高 壓 注 意 1 I 線 和 低 壓 線 之 間 • 該 第 2 差動放大器電路之輪出係接 事 項 1 '人' 再 1 至 該 中 間電路之該第2 電 晶 體 之該閘 極 和 該 檢 出 级 側 填 寫 本 1 之 該 第 2 専電型M0S 電 晶 體 〇 頁 1 I 40 . 如 申 請專利範圍第39項之蓮算放大器 * 其 中 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 包 括 ·· 1 1 各 白 之 源 極 相 互 連 接 之 第 1及第 2 第 2 専電型MOS 1 訂 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 » 前述源 極 經 — 定 常 電 流 1 源 而 接 至 高 壓 線 1 第 1 差 動 電 晶體對 之 第 1 第 1 導 電 | 型MOS 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 1 輸入端 子 f 第 1 電 晶 體 I 對 之 第 2 第 1 導電型M0S 電 晶 體之閛 極 接 至 第 2 输 入 1 端 子 * « '银 I 第 1 電流鏡對電路可包括 一 對第1 及 第 2 第 2 導 電 1 I 型MOS 電 晶 體, » 第 1 第 2 専電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 1 1 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 1 差 動 電晶體 對 之 第 1 第 1 導 1 I 電型M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 ，及第.1 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 1 第 1 導電型M0S 電 晶 體 之洩極之閘極 9 第 2 第 1 1 2 専電型M0S 電 晶體具有接至低壓線之源極 f 接 至 第 1 I 2 差 動 放 大 器 電 路 之 洩 極 t 接 至第1 電 流 鏡 對 電 路 之 1 1 -25- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） r 〇1372〇 έ? C8 D8 々、申請專利範圍 第1第2導電型MOS電晶體之閘極之閘極； 第2電流鏡對電路可包括第3及第4第1導電型MOS 電晶體對，第3第1導電型MOS電.晶體可具有接至低 壓線之源極，接至第1差動電晶髏對之第2第1導電 型MOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體 對之第2第1導電型MOS電晶體之洩掻之閘極，而第 4第2導電型MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接 至第2差動放大器電路和如該中間電路之第2電晶 體般接至第1専電型MOS電晶體之間極之洩極，琴接 至第2電拜鏡對電路之第2第2導電型MOS電晶體之 閘極之閘極； 第2差動放大器電路包括： 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經各自之源極連接之第1及第2第2導電型之第2 差動電晶體對，前述源極經一定常電流源接至低壓線 ，第2差動電晶體對之第1第2導電型MOS電晶體之 閛極接至第2輪入端子，第2差動電晶體對之第2第 2導電型MOS電晶體之閛極接至第1輸入端子；以及 第3電流鏡對電路包括第1及第2第1導電型HOS 電晶體對，第1第1導電型MOS電晶體具有接至、高壓 線之源極，接至第2差動電晶體對之第1第2,導電型 MOS電晶體之洩掻之洩極，接至第2差動電晶體對之 第1第2導電型MOS電晶體之洩極之閘極，第2第1 \ .. 専電型HOS電晶超具有接至高_線之源極，接至第2 差動電晶體對之第2第2導電型MOS電晶體之洩極和 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局βζ工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範園 第1導電型MOS電晶體之閛極之洩極，及接至第2差 動窜晶暖對之第1第2導電型H0S電晶體之閘極之閛 極。 41.如申請專利範圍第39項之運算放大器，其中 第1差動放大器電路包括： 經各自之射極相互連接之第1及第2第1導電型M0S 電晶體之第1差動電晶體對，前述射極可經一定常電 流源而接至高懕線，第1差動電晶體對之第1第1導 電型雙極性電晶體之基極接至第1輪入端子，第1電 晶體對之第2第1導電型雙極性電晶體之基極接至第. 2輸入端子； 第1電流鏡對電路包括一對第1及第2第2導電型 M0S電晶體，第1第2導電型M0S電晶體具有接至低 壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1第2導電 型雙極性電晶體之集極之洩極，及第1_差動電晶體對 之第1第2導電型雙極性電晶體之集極之閘極，第2 第2導電型M0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動放大器電路之洩極，接至第1電流鏡對電路 之第1第2導電型M0S電晶體之閘極之閘極； 第2電流鏡對電路包括第3及第4第2導電型H0S 電晶體對，第3第2導電型H0S電晶體具有接至低壓 線之源極，接至第1差動電晶體對之第2第1専電型 雙極性電晶體之集極之洩極，及接至第1差動電晶體 對之第2第1導電型雙極性電晶體之集極之閘極，而 -27- 本纸張尺度埴用中國國家標準（.CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） --------^ —裝-------訂--^-----. ¥ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印«. 六、申請專利範 圍 * 1 1 第 4 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 1 1 接 Μ 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 第 1 専 電 型 H0S 電 晶 體 之 1 1 閛 極 之 洩 極 * 及 接 至 第 2 電 流 鏡 對 電 路 之 第 1 第 2 専 請 1 先 1 電 型 M0S 電 晶 體 之 閛 極 ί J 以及 閲 讀 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 : 眚 面 1 之 1 經 各 白 之 射 極 埋 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 注 意 1 I 電 晶 體 之 第 2 差 動 電 晶 體 對 » 前 述 射 極 烴 定 常 電 流 事 項 I 、 再 I 源 接 至 低 壓 線 • 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 型 寫 本 1 裝 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 9 第 2 差 動 電 頁 1 I 晶 體 對 之 第 2 第 2 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 1 1 1 輸 入 端 子 1 I 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 M0S 1 訂 電 晶 體 對 » 第 1 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 1 線 之 源 搔 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 型 1 I 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 極 9 第 2 1 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 » 接 至 線 I 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 1 1 集 極 和 如 第 1 導 電 型 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 • 及 接 1 1 至 第 3 電 流 鏡 對 電 路 之 第 1 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 1 I 閘 極 之 閛 極 〇 1 1 42 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 29項 之 埋 算 放 大 器 9 其 中 1 1 該 第 1 電 晶 體 包 括 一 只 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 9 其 1 I 具 有 接 至 該 低 壓 之 源 極 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 I 1 -28- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標牟局員工消費合作社印東 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該输出级側之該第2導電型MOS電晶體之阐極之洩掻： 該第1定常鬈流源係接至該高壓線：以及 該第2轚晶體包括一只第1導電型HOS電晶艚，其 具有接至該高懕線之海極，接至該第2定常轚流源和 如該第1電晶體般接至該第2専霄型MOS電晶體之閛 極之洩極，及接至該輪入级和在該輪出级側之該第1 導電型MOS霄晶體之阐掻之閛極； 該第2定常電流源係接至該低壓線。 43. 如申請専利範圍第42項之蓮算放大器·其中該輪入级 包括： 用於输入第1输入信號之第1輪入端子； 用於输入第2輸入信號之第2输入端子； 第1差動放大琴電路係接至該第V输入端子及該第 2輪入端子，該第1差動放大器電路係鴒壓於高壓線 和低壓線之間•該第1差動放大器電路之輸出係接至 該中間電路之該第2電晶體之該閛極和該输出级側之 該第2導電型MOS轚晶體：以及 .第2差動放大器電路係接至該第1输入镅子及該第 2輸入端子，該第2差動放大器電路係餳壓於該高壓 線和低壓線之間，該第2差劻放大器電路之输出係接 至該中間電路之該第2電晶體之該閛極和該輪出扱側 之該第2導電型HOS電晶體。 44. 如申誧專利範圃第43項之埋算放大器，其中 第1差劻放大器電路包括： -29- 本紙張尺度適用t國困家揉準（CNS ) A4此格（2丨0X297公釐） ------— J t裝------訂-----' 綵 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) Sl3^2〇 Λ8 Β8 C8 D8 經濟部中央標率局負工消費合作社印装 六、申請專利範圍 1 1 經 各 白 之 源 棰 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 導電型· Μ 0 S 1 1 電晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 3 Α Λ. 刖 述 源 極 經 一 定 常 電 流 1 | 源而 接 至 低 壓 線 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 請 1 1 型KOS 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 1 輸 入 端 子 9 第 1 電 晶 體 先 閲 1 I 1 I 對之 第 2 第 1 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 2 輸 入 背 1 1 之 1 端子 注 | 意 I 第 1 電 流 鏡 對 電 路 包 括 一 對 第 1 及 第 2 第 2 導 電 事 項 1 再 型MOS 電 晶 體 9 第 1 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 具 有 接 至 f 1 寫 低壓線之源極 * 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 頁 1 I 電型MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 9 及 第 1 差__動電晶.體對 1 1 之第 1 第 1 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 9 第 2 第 1 I 2導 電 型 MOS 電晶體具有接至低壓線之源極 9 接 至 第 1 1 2差 動 放 大 器 電. 路 之 洩 極 9 接至第i 差 動 電 晶 體 對 之 IT 1 第1 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 掻 9 1 I 第 2 電 流 鏡 對 電 路 可 包 括 第 3 及 第 4 第 2 導電型MOS 1 1 電晶 體 對 » 第 3 第 2 導電型Μ 0 S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 ! 線之 源 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導 電 型 、银 | MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 9 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 1 之第 2 第 1 導 電 型 H0 S 電 晶 體 之 洩 極 之 閛 極 9 而 第 4 1 | 第2 導 電 型 MOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 » 接 至 1 I 第2 差 動 放 大 器 電 路 和 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 1 1 般接至第 1 導 電 型 M0 S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 搔 9 及 接 至 1 I 第1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 閘 1 極； 1 1 30- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐）

   B8 C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 • « - 1 1 烴 各 白 之 源 極 速 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 之 第 2 1 | 差 動 電 晶 體 對 9 前 述 源 極 & —. 定 常 電 流 源 接 至 低 壓 線 請 1 I 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導電型M0S 電 晶 9S 之 先 閲 1 I 1 1 閘 極 接 至 第 2 輸 入 截 子 9 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 背 1 I -- 之 1 .2 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 1 輸 入 端 子 5 注 意 1 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 1 導電型M0S 事 項 1 再 電 晶 體 對 • 第 1 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 4 本 裝 線 之 源 極 t 接 至 第 2 差動電晶體對之第1 第 2 導 電 型 頁 ·—· 1 1 HOS 電 晶 S3 之 洩 極 之 洩 極 參 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 1 1 第 1 第 2 導電型HOS 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 棰 » 第 2 第 1 I 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 1 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 洩 極 和 訂 1 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 等電型M0S 1 I 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極 * 及 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 1 1 第 2 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 閛 極 〇 1 • 45 . 如 Φ 請專利範圍第43項之運算放大器 » 其 中 球 I 第 1 差 動 放 大 器 電 路 包 括 • • 1 1 經 各 白 之 射 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導電型雙 1 1 搔 性 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 前 述 射 極 經 —— 定 常 1 I 電 流 源 而 接 至 高 壓 線 9 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 1 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 1 輸 入 端 子 • 第 1 1 | 電 晶 賭 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 1 1 第 2 輪 入 端 子 1 1 31- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第1電流鏡對電路包括一對第1及第2第2導電型 MOS電晶體，第1第2導電型MOS電晶體具有接至低 壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1第1専電 型雙極性電晶體之集極之洩極，及第1差動電晶體對 之第1第1導電型雙極性電晶體之集極之閘極，第2 第2導電型MOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動放大器電路之洩極，接至第1電流鏡對電路 之第1第2導電型MOS電晶體之閘極之閘極； 第2電淀鏡對電路包括第3及第4第2導電型HOS 電晶體對，第3第2導電型MOS電晶體具有接至低壓 線之源極，接至第1差動電晶體對之第2第1導電型 雙極性電晶體之集極之洩極，及接至第1差動電晶體 對之第2第1導電型雙極性電晶體之集極之閘極，而 第4第2導電型MOS電晶體具有接至低壓線之源極， 接至第2差動放大器電路和該第1導電型MOS電晶體 之閘極之洩S,及接至第2電流鏡對電路之第1第2 導電型MOS電晶體之閘極；以及 第2差動放大器電路包括： 經各自之射極連接之第1及第2第2専電型雙極性 電晶體之第2差動電晶體對，俞述射®經一定常電流 源接至高壓線，第2差動電晶體對之第1第2導電型 雙極性電晶體之基極接至第2輸入端子，第2差動電 晶體對之第2第2導電型雙極性電晶fig之基極接至第 1輪入端子； -32- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） I— I —裝 訂 r 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 气、申請專利範圍 1 1 第 3電 流 縝 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 1 導電型MOS 1 1 電 晶 體對 » 第 1 第 1 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 1 線 之 源極 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 η 對 之 第 1 第 2 導 電 型 請 1 I 雙 極 性電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 t 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 先 閲 讀 1 1 之 第 1第 2 専 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 掻 f 第 2 背 1 I 之 1 第 1 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 接 至 注 1 意 事 項 1 第 2 差動 電 晶 fig 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 再 1 集 極 和如 該 中 間 電 路 之 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 導 填 1 裝 舄 本 電型MOS 電 晶 體 之 閛 極 之 洩 極 9 及 接 至 第 3 電 流 鏡 對 頁 1 I 電路之第 1 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 〇 1 1 46 . 如 申請專利範圍第27項之運算放大器 9 其 中 該 輪 出 1 I 级含有第1 導電型MOS 電 晶 體 及 第 2 専 電 型 雙 極 性 電 晶 1 訂 體 $ 兩者 係 串 接 於 該 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 » 該 第 1 専 1 電型MOS 電 晶 體 接 至 該 高 m 線 • 而 該 第 2 導 電 型 雙 極 1 I 性 電 晶體 則 接 至 該 低 壓 線 〇 1 1 I 47 . 如 申請專利範圍第46項之運算放大器 t 其 中 該 第1 電 晶 體 包 括 一 只 第 2 導電型MOS 電 晶 體 9 其 線 I 具 有 接至 該 低 壓 線 之 源 棰 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 1 該 輸 出级 側 之 該 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 1 1 該 第1 定 常 電 流 源 係 接 至 薛 高 壓 線 • 以 及 1 I 該 第2 電 晶 體 包 括 一 只 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 昂 體 » 1 1 其 具 有接 至 該 低 壓 線 之 射 極 t 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 1 I 和 該 第2 専 電型MOS 電 晶 體 之 閘 掻 之 集 極 9 及 接 至 該 1 I 输 入 级和 在 該 输 出 级 側 之 該 第 2 専 電 型 雙 極 性 電 晶 體 1 ί -33- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 之基極之基掻： 該第2定常電流源係接至該高壓線。 48. 如申請專利範圍第47項之蓮算放大器，其中該輪入 级包括： 用於輪入第1输入信號之第1输入端子； 用於輸入第2輪入信號之第2輪入端子： 第1差動放大器電路係接至該第1输人端子及該第 2輸人端子，該第1差動放大器電路係镉壓於高壓線 和低壓線之間，該第1差動放大器電路之輸出係接至 該中間電路之該第2電晶體之該基極和該輸出级側之 該第2等電型雙極性電晶體：以及 第2差動放大器電路係接至該第1輸入端子及該第 2输入端子，該第2差動放大器電路係偏壓於該高壓 線和低壓線之間，該第2差動放大器電路之輸出係接 至該中間電路之該第2電晶體之該基掻和該输出级側 之該第2導電型雙極性電晶體。 49. 如申請專利範圍第48項之蓮算放大器，其中 第1差動放大器電路包括： 經各自之源極相互連接之第1及第2第2導電型HOS 電晶體之第1差動電晶體對，前述源極經一定常電流 源而接至低壓線，第1差動電晶體對之第1第2導電 型MOS電晶體之閘極接至第1輸入端子，第1電晶體 對之第2第2専電型MOS電晶體之閘極接至第2输入 端子； -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4ϋ格（210X297公釐） 一 裝 訂 ' 务 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 六、申請專利範園 1 1 第 1 電 流 鏡 對 電 路 可 包 括 一 對 第 1 及 第 2 第 1 導電 1 1 型MOS 電 晶 體 » 第 1 第 1 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 1 I 高壓線之源掻 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 請 1 1 I 電型MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 9 及 第 1 差 動 電 晶 體 對 先 閲 I I η 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 洩 棰 之 閘 極 9 第 2 第 背 1 之 1 1 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 t 接 至 第 注 意 I 2 差 動 放 大 器 電 路 之 洩 極 % 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 事 項 X 再 I 第 1 第 2 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 填 1 寫 第 2 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 3 及 第 4 第 1 導電型MOS 頁 1 電 晶 體 對 9 第 3 第 1 導 電 型 HOS 電晶體.具有接至高壓 1 1 線 之 源 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 1 I MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 9 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 1 訂 之 第 2 m 2 導電型MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 間 極 S 而 第 4 1 第 1 導 電 型 HOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 1 I 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 1 1 般 接 至 該 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 * 及 1 \ 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 線 I 之 閘 極 之 閘 掻 以 及 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 ： 1 | 經 各 白 之 源 極 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 之 第 2 1 1 差 動 電 晶 體 對 9 前 述 源 極 經 一 定 常 電 流 源 接 至 高 壓 線 1 I 1 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導電型Μ 0 S 電 晶 體 之 1 I 閘 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 9 第 2 差 動 電 晶 體 之 第 2 第 I 1 1 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 1 輸 入 端 子 » 1 1 35- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標牟（CNS ) A4規格（210X297公釐> ^720 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 六、申請專利範圍 1 1 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 2 導電型M0S 1 1 電 晶 體 對 » 第 1 第 2 専電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 1 1 線 之 源 極 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 型 請 1 先 1 HOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 閲 1 第 1 第 1 専電型H0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 9 第 2 第 2 背 面 1 I . 之 1 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 » 接 至 第 2 注 意 1 事 J 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 洩 極 和 項 再 如 該 中 間電路之該第2 電 晶 體 般 接 至第 2 専 電 型 雙 填 寫 本 1 裝 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 9 及 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 頁 1 I 之 第 1 第 1 導電型H0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 〇 1 1 50 . 如 串 請專利範圍第48項之運算放大器 * 其 中 1 1 第 1 差動放大器電路包括 • 訂 經 各 白 之 射 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 雙 1 極 性 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 f 前 述 射 極 經 一 定 常 1 1 電 流 源 而 接 至 低 壓 線 9 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 1 I 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 1 輸 入 端 子 $ 第 1 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 雩 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 線 第 2 輸 入 端 子 t - 1 1 第 1 電 流 鏡 對 電 路 包 括 一 對 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 1 1 HOS 電 晶 體 第 1 第 1 専電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 1 | 壓 線 之 源 極 » 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 1 1 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 掻 之 洩 極 t 及 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 極 9 第 2 1 I 第 1 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 « 接 至 1 1 1 36- 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 31372〇 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標率局貝工消費合作社印氧 六、申請專利範圍 1 1 第 2 差 劻 放 大 器 電 路 之 洩 極 9 接 至 第 1 差動電晶體對 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 掻 之 閘 極 9 1 I 第 2 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 3 及 第 4 第 1 導電型MOS 請 1 I 電 晶 體 對 9 第 3 第 1 導 電 型 MOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 先 閲 1 I 讀 1 1 線 之 源 極 1 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第2 導 電 型 背 & 1 I 之 1 雙極性電晶體之集極之洩極 9 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 注 意 1 1 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 集 極 之 閘 極 1 而 事 項 」 再 I 第 4 第 1 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 填 寫 1 裝 1 | 接 至 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 第 2 導 電 型 雙 極 電 晶 體 本 頁 之 基 極 之 洩 極 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 1 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 極 ;及 1 I 第 2 差動放大器電路 包 括 ； 1 1 經 各 白 之 射 極 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 雙 極 性 訂 1 電 晶 體 之 第 2 差 動 電 晶 體 對 9 前 述 射 極 經 一 定 常 電 流 1 I 源 接 至 高 壓 線 i 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 型 1 1 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 9 第 2 差 動 電 1 晶 體 之 第 2 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 線 | 1 輸 入 端 子 9 1 1 • 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 2 導電型HOS 1 I 電 晶 體 對 3 第 1 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 1 1 線 之 源 極 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導電型 1 1 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 棰 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 I 之 第 1 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 槿 9 第-2 1 1 第 2 導 電 型 MQS電晶體具有接至低壓線之源掻 » 接 至 1 1 37- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 六、中請專利範園 1 1 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導電型雙極性、電晶體：t 1 1 I 集 m 和 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電晶體.般接至該第 2 導 1 1 電 型 雙 極 性 電 晶 fit 之 基 極 之 洩 極 » 及 接 至 第 Z 差 動 電 請 1 先 1 晶 體 對 之 第,1 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 埋 之 集 極 之 閘 極。 閲 讀 1 I 51 . 如 甲 請専利範圍第46項之運箅放大器 其 中 背 面 1 I 之 1 該 第 1 電 晶 體 包 括 一 只 第 1 導電型M0S 電 晶 體 » 其 注 意 1 事 1 具 有 接 至 該 壓 線 之 源 極 • 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 項 再 該 輸 出 级 側 之 該 第 1 導電型M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 寫 本 1 裝 I 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 • 以 及 頁 1 I 該 第 2 電 晶 體 包 括 一 只 第 2 導 電 型 雙 極 性 電· 晶 體 1 I 其 具 有 接 至 該 低 壓 皞 之 射 極 » 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 1 1 和 該 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 集 極 9 及 接 至 該 1 訂 輸 入 级 在 該 輸 出 级 側 之 該 第 2 m 電 型 雙 極. 性 電 晶 體 I 1 之 基 極 之 基 搔 • » 1 1 該 第 2 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 〇 1 I 52 . 如 申 請專利範圍第51項之運算放大器 * 其 中 該 輪 入 级 1 包 括 ； 、银 1 用 於 輪 入 第 1 輸 入 信 之 第 1 輪 入 端 子 • « 1 1 用 於 輸 入 第 2 輪 入 信 號 之 第 2 输 入 端 子 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 輸 人 端 子 及 該 第 1 1 2 輪 入 端 • 該 第 1 差 劻 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 高 壓 線 1 和 低 壓 線 之 間 t 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 輪 出 係 接 至 1 1 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 基 極 和 該 输 出 级 側 之 1 | 該 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 5 以 及 1 I 38- 1 1 1 1 本紙張尺度遙用中因國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） s 7 20 A8 Βδ C8 D8 申請專利範圍 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 第2 2输入 線和低 至該中 之該第 53 .如申 第 經各 電晶體 源而接 型MOS 對之第 端子； 第1 HOS電 壓線之 型MOS 第1第 導電型 差動放 1第2 第2 電晶體 線之源 差動放大 端子，該 壓線之間 間電路之 2導電型 請專利範 1差動放 自之源極 之第1差 至低壓線 電晶體之 2第2導 器電路係 第2差動 ，該第2 該第2電 雙極性電 圍第52項 大器電路 相互連接 動電晶體 ，第1差 閛極接至 電型MOS 接至該 放大器 差動放 晶體之 晶體。 之運算 包括： 之第1 對，前 動電晶 第1輸 電晶體 第1輸入端子及該第 電路係餳壓於該高壓 大器電路之輪出係接 該基極和該输出级側 放大器，其中 及第2第2導電型MOS 述源極經一定常電流 體對之第1第2導電 入端子，氧1電晶體 之閘極接至第2输入 電流鏡對電路包括一對第1及第2第1導電型 晶體，第1第1導電型MOS電晶體具有接至高 源槿，接至第1差動電晶體對之第1第2導電 電晶體之洩極之洩極，及第1差動電晶體對之 2導電型MOS電晶體之洩極之W極，第2第1 MOS電晶體具有接至高壓線之源極，接至第2 大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對之第 専電型MOS電晶體之閘極之閘極； 電流鏡對電路包括第3及第4第1専電型MOS 對，第3第1導電型MOS電晶體具有接至高壓 極，接至第1差動電晶®對之第2第2導電型 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — — — — 裝 訂 - 線 C請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 • 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 2 第 2 導電型MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 閛 極 $ 而 第 4 1 1 第 1 専電型MOS 電 晶 體 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 • 接 至 · ✓-s. 請 1 先 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 如 該 中間電路之該第2 電 晶 SS 閲 讀 1 般 接 至 該 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 t 及 背 1 | 之 1 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導電型MOS 電 晶 體 注 意 1 I 之 閘 搔 之 閘 極 ；J 汉及 事 項 再 I 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 填 寫 本 1 裝 經 各 白 之 源 掻 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 電 晶 體 頁 '—^ 1 I 之 第 2 差 動 電 晶 體 對 9 前 述 源 掻 經 一 定瀹電流源接至 1 1 高 壓 線 • 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導電型MOS 電 1 1 晶 體 之 閛 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 * 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 1 訂 第 2 第 1 導電型HOS 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 1 輪 入 端 子； 1 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 2 導電型MOS 1 | 電 晶 ϋ 對 » 第 1 第 2 専電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 1 I 線 之 源 極 t 接 至 第 2 差 動 電 晶 fig 對 之 第 1 第 1 等 電 型 1 HOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 参 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 線 | 第 1 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 » 第 2 第 2 - 1 I 導 電 型 HOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 1 1 差 劻 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 洩 極 和 1 I 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 導 電 型 雙 1 1 極 性 電 晶 饈 之 基 極 之 洩 極 9 及 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 1 第 1 導電型MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 〇 1 I 54 . 如 申 請專利範圍第52項之運算放大器 其 中 1 1 I 40- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（〇阳>六4«1格（210><297公釐） 匕扣0 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貞工消费合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 包 括 • * 1 1 烴 各 白 之 射 極 相 .互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 雙 1 極 性 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 f 前 述 射 極 烴 定 常 /«—S 請 1 先 1 .電 流 源 而 接 至 低 壓 線 t 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 閲 1 背 1 専 電 型 雙 搔 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 1 输 入 端 子 » 第 1 面 之 1 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 m 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 注 意 1 事 1 第 2 輸 入 端 子 • 項 再 第 1 電 流 鏡 對 電 路 包 括 一 對 第 1 及 第 2 第 1 専 電 型 填 寫 本 1 裝 1 H0S 電 晶 體 • 第 1 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 頁 1 I 懕 線 之 源 極 * 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 1 1 1 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 » 及 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 極 $ 第 2 1 訂 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 » 接 至 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 洩 極 » 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 極 » 1 I 第 2 電流鏡對電路可包括第3 及 第 4 第 1 導電型H0S 1 V 線 1 電 晶 體 對 » 第 3 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 負 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 1 I 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 t 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 I 1 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 掻 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 極 f 而 1 I 第 4 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 > 1 | 接 至 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 1 1 晶 體 般 接 至 該 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 1 | * 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 1 — 41- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 電 晶 體 之 集 極 之 閛 極 ; 以 及 - 1 1 第 2 差動放大器電 路 包 括 ： 1 I 經 各 白 之 射 m 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 雙 極 性 請 1 1 電 晶 體 之 第 2 差 動 電 晶 體 對 t 前 述 射 掻 經 - 定 常 電 流 先 閲 1 I 讀 1 I 源 接 至 高 壓 線 9 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 型 背 1 1 之 1 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 * 第 2 差 動 電 注 意 1 晶 體 之 第 2 第 1 導 電 型 雙 棰 性 電 晶 韹 之 基 掻 接 至 第 事 項 1 再 1 輸 入 端 子 等 1 對 包 括 第 % 本 裝 第 3 電 流 鏡 電 路 1 及 第 2 第 2 導電型Μ 0 S 頁 1 電 晶 體 對 9 第 1 第 2 導電型Μ 0 S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 1 1 線 之 源 極 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 型 I I 雙極性電晶it之集極之洩極 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 1 訂 1 之 第 1 第 1 導電型雙極性電晶體之集極之 閘 極 $ 第 2 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 1 | 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導 電 型 雙 搔 性 電 晶 體 之 1 1 集 極 和 第 2 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 $ 1 f 及 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 線 I 晶 體 之 集 極 之 閛 極 〇 1 1 5 5. 如 φ 請 專 利 範 圍 第 27項之蓮算放大器 9 其 中 該 輸 出 1 I 级 含 第 2 導電 型 MOS 電 晶 鱧 及 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 I 體 * 兩 者 係 串 接 於 該 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 1 該 第 2 導 1 1 電 型 HOS 電晶體接至畝低壓線 t 而 該 第 1 導 電 型 雙 極 1 I 性 電 晶 體 則 接 至 該 高 壓 線 〇 1 5 6 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 55項之運算放大器 9 其 中 1 1 42- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格< 210X297公釐） 2^372〇 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 該 第 1 電 晶 植 包 括 一 只 第 1 導 電 型 Η 05 電 晶 體 * 其 1 1 1 具 有 接 至 該 高 壓 m 之 源 極 • 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 1 該 輸 出 级 m 之 該 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 之 閛 極 之 洩 極； N 請 1 先 1 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 低 壓 線 ; 以 及 閲 讀 1 1 該 第 2 電 晶 體 包 括 只 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 > 背 面 1 I 之 1 其 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 射 極 » 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 注 意 1 I 和 如該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 専 電 型 M0S 電 晶 體 事 項 -fi- 1 之 閘 極 之 集 極 » 及 接 至 該 输 入 级 和 在 該 输 出 级 側 之 該 填 寫 本 1 裝 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 基 極 頁 '—^ 1 I 該 第 2 定 常 電 淀 源 係 接 至 該 低 壓 線 〇 1 1 57 . 如 甲 請 專 利 範 圍 第 56項 之 運 算 放 大 器 9 其 中 該 輸 入 1 1 级 包 括 ； 訂 用 於 輪 入 第 1 输 入 信 號 之 第 1 輪 入 端 子 • 1 用 於 輸 入 第 2 输 入 信 號 之 第 2 鍮 入 端 子 • 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 输 入 端 子 及 該 第 1 | 2 輸 入 端 子 窜 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 高 壓 線 1 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接 至 I 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 基 極 和 該 輪 出 级 側 之 1 | 該 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 以 及 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 输 入 端 子 及 該 第 | 2 輸 入 端 子 9 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 偽 m 壓 於 該 高 壓 1 1 線 和 低 壓 線 之 間 t 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接 1 1 至 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 基 極 和 該 输 出 级 側 1 I 之 該 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 〇 1 1 I 一 43- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍 58.如申請專利範圍第57項之蓮算放大器，其中 第1差動放大器電路包括： 烴各自之源極相互連接之第1及第2第1導電型MOS 電晶體之第1差勖霄晶體對，前述源極烴一定常電流 源而接至高S線，第1差動電晶®對之第1第1専電 型HOS電晶體之閘極接至第1輸入端子，第1電晶體 對之第2第1専電型MOS電晶體之閘極接至第2輪入 端子； 第1電流鏡對電路包括一對第1及第2第2導電型 MOS電晶體，第1第2導電型MOS電晶體具有接至低 壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1第1専電 型MOS電晶體之洩極之洩極，及第1差動電晶體對之 第1第1導電型MOS電晶體之洩極之閘極，第2第2 専電型MOS電晶體具有接至低歷線之源極，接至第2 差動放大器電路之洩極，接至第1電滾鏡對電路之第 1第2専電型MOS電晶體之閘極之閘極； 第2電流鏡對電路包括第3及第4第1専電型MOS 電晶體對，第3第1導電型MOS電晶體具有接至低壓 媒之源極，接至第1差動電晶體對之第2第1導電型 MOS電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體對 之第2第1導電型MOS電晶體之洩極之閘S,而第4 第2導電型MOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動放大器電路和如該中間電路之該第2電晶體 般接至該第1導電型雙極性電晶體之基掻之洩極，及 ~44_ 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線· A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 六、申請專利範園 1 1 接 至 第 2 電 流 鏡 對 電 路 之 第 2 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 1 1 之 閛 極 • 以 及 1 I 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 ： 請 1 | 經 各 白 之 源 極 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 MOS 電 先 閲 讀 1 1 晶 暖 之 第 2 差 動 電 晶 賭 m 9 前 述 源 極 經 一 定 常 電 流 源 背 面 1 | 之 1 接 至 低 壓 線 9 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 型 HOS 注 意 1 I 電 晶 體 之 閛 極 接 至 第 2 输 入 端 子 t 第 2 差 動 電 晶 體 事 項 1 再 | 之 第 2 第 2 m 電 型 NOS 電 晶 體 之 閘 搔 接 至 第 1 輸 入 端 % % 本 I 裝 子 » 頁 1 1 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 1 m 電 型 MOS 1 1 電 晶 體 對 • 第 1 第 1 導 電 型 HOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 1 | 線 之 源 極 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 専 電 型 1 訂 HOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 搔 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 専 電 型 MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 » 第 2 第 1 1 I 導 電 型 HOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 1 1 I 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 之 洩 極 和 - 如 該 中 m 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 般 接 至第 1 導 電 型 雙 線 I 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 • 及 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 1 之 第 1 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 閛 極 之 閘 極 〇 1 1 59 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 57項 之 運 算 放 大 器 • 其 中 1 I 第 1 差 動 放 大 器 電 路 包 括 ： • 1 1 經 各 白 之 射 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 専 電 型 雙 1 1 極 性 電 晶 fit 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 9 前 述 射 極 經 一 定 常 1 1 電 流 源 而 接 至 高 壓 線 t 第 1 差 動 電 晶 髖 對 之 第 1 第 1 1 1 一 45- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貞工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 導電型雙極性電晶體之基極接至第1輪入端子，第1 電晶體對之第2第1導電型雙極性電晶體之基極接至 第2输入端子； 第1電流鏡對電路包括一對第1及第2第2専電型 MOS電晶體，第1第2専電型MOS電晶體具有接至低 壓線之源極，接至第1差動電晶體對之第1第1導電 型雙極性電晶體之集極之洩極，及第1差動電晶體對 之第1第1導電型雙極性電晶體之集極之閘極，第2 第2導電型MOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差動放大器電路之洩極，接至第1差動電晶體對 之第1第2導電型MOS電晶體之閘極之閘極； 第2電流鏡备電路包括第3及第4第2導電型MOS 電晶體對，第3第2導電型MOS電晶體具有接至低壓 線之源極，接至第1差動電晶體對之第2第1導電型 雙極性電晶體之集極之洩極，及接至第1差動電晶體 對之第2第1導電型雙極性電晶薛之集極之閛極，而 第4第2導電型MOS電晶體具有接至低壓線之源極， 接至第2差動放大器電路和該第1導電型雙極性電晶 體之基極之洩極，及接至第2電流鏡對電路之第1第2 導電型MOS電晶體之閘極；以及 第2差動放大器電路包括： 經各自之射極連接之第1及第2第2専電型雙極性 電晶體之第2差動電晶體對，前述射極經一定常電流 源接至低壓線，第2差動電晶體對之第1第2導電型 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4*t格（210X297公釐） -I I I - I —J , - I I I I I 訂——I I —^ .線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印«. 六、申請專利範圍 1 1 雙 極 性 轚 晶 體 之 基 槿 接 至 第 2 输 入 端 子 9 第 2 差 動 電 1 1 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 1 | 1 输 入 端 子 • 請 1 I 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 1 導電型M0S 先 閲 1 I 1 I 電 晶 體 對 » 第 1 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 背 1 I 之 1 線 之 源 掻 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 型 注 意 1 1 雙 極 性 電 晶 體 之 集 掻 之 洩 m 9 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 事 項 丄 再 I 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 掻 之 閘 極 t 第 2 寫 本 1 第 1 専電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 懕 線 之 源 極 f 接 至 頁 N_^ 1 I 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導電型雙極性電晶體之 1 1 集 極 和 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 • 及 接 1 I 至 第 3 電 流 鏡 對 電 路 之 第 1 第 1 導電型M0S 電 晶 體 之 1 訂 閘 極 之 閘 極 〇 1 60 . 如 申 請專利範圍第55項之運算放大器 t 其 中 1 I 該 第 1 電 晶 體 包 括 一 只 第 2 導電型M0S 電 晶 體 9 其 1 1 1 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 掻 » 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 該 输 出 级 側 之 該 第 2 導電型H0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 線 I 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 * 以 及 1 1 該 第 2 電 晶 體 包 括 一 只 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 t 1 1 其 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 射 極 f 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 1 I 和 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 1 1 闸 極 之 集 極 » 及 接 至 該 输 入 级 和 在 該 輪 出 级 側 之 該 第 1 1 専 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 基 極 1 1 該 第 2 定 常 電 流 源 係 接 至 該 低 懕 線 〇 1 1 -47- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公嫠） 六、申請專利範圍 61. 如申請專利範圍第60項之蓮算放大器，其中該輪入 级包括： 用於輪入第1輸入信號之第1輪入端子； 用於输入第2輸入信號之第2輸入端子； 第1差動放大器電路係接至該第1输入端子及該第 2輪入端子，該第1差動放大器電路係偏壓於高壓線 和低壓線之間，該第1差動放大器電路之輸出係接至 該中間電路之該第2電晶體之該基極和該輸出级側之 該第1導電型雙搔性電晶體；以及 第2差動故大器電路係接至該第1輪入端子及該第 2輸入端子，該第2差動放大器電路係偏壓於該高壓 線和低壓線之間，該第2差動放大器電路之输出係接 至該中間電路之該第2電晶體之該基極和該输出级側 之該第1導電型雙極性電晶體。 62. 如申請專利範圍第61項之運算放大器，其中 第1差動放大器電路包括： 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經各自之源極相互連接之第1及第2第1導電型M0S 電晶體之第1差動電晶體對，前述源極經一定常電流 源而接至高壓線，第1差動電晶體對之第1第1専電 型M0S電晶體之閘極接至第1輸入端子，第1電晶體 對之第2第1導電型M0S電晶體之閛極-接至第2輪入 端子； 第1電流鏡對電路包括一對第1及第2第2導電型 M0S電晶體，第1第2導電型M0S電晶體具有接至低 -48- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4说格（210X297公釐）

   經濟部中央標準局員工消費合作社印装 B8 CS D8 六、申請專利範圍 壓線之源搔，接至第1差動電晶體對之第1第1導翟 型rtos電晶體之洩極之洩極，及第1差動電晶體對之 第1第1専電型M0S電晶體之洩極之閛極，第2第2 専電型M0S電晶超具有接至低壓镍之源極，接至第2 差動放大器電路之洩極，接至第1電流鏡對電路之第 1第2導電型M0S電晶體之閘極之閛極； 第2電流鏡對電路可包括第3及第4第1等電型M0S 電晶體對，第3第1導電型M0S電晶體具有接至低壓 線之源極，接至第1差動電晶體對之第2第1導電型 M0S電晶體之洩極之洩極，及接至第1差動電晶體對 之第2第1導電型M0S電晶體之洩極之間極，而第4 第1専電型M0S電晶體具有接至低壓線之源極，接至 第2差軌放大器電路和如該中間電路之該第2電晶體 般接至該第1導電型雙極性電晶體之基極之洩極，及 接至第2電流鏡對電路之第2第2専電型M0S電晶體 之閘極；以及 第2差動放大器電路包括： 經各自之源極連接之第1及第2第2導電型M0S電 晶體之第2差動電晶體對，前述涯極烴一定常電滾源 接至低壓線，第2差動電晶體對之第1第2導電型M0S 電晶體之閘極接至第2輸入端子，第2差動電晶體 之第2第2導電型M0S電晶體之閘極接至第1输入端 子； 第3電流鏡對電路包括第1及第2第1導電型M0S -49- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -------ί I裝------訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 六、申請專利範 圍 1 1 電 晶 體 對 第 1 第 i 導 電 型 HOS 電 晶 體 具 有 接 至 高重 1 1 線 之 源 極 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 型 1 1 HOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 請 1 先 1 第 1 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 9 第 2 第 1 閱 讀 1 I 導 電 型 HOS 電 晶 體 具 有 接 至 髙 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 2 背 1 I 之 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 之 洩 極 和 注 意 1 事 1 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 専 電 型 雙 項 再 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 • 及 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 填 寫 本 1 裝 1 之 第 1 第 2 専 電 型 MOS 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 0 頁 V_^ 1 I 63 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 61項 之 運 算 放 大 器 • 其 中 1 1 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 包 括 • 1 經 各 白 之 射 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 雙 訂 1 極 性 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 » 刖 述 射 極 經 一 定 常 電 流 源 而 接 至 高 壓 線 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 1 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 1 输 入 端 子 9 第 1 1 I 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 1 第 2 輪 入 端 子 、银 1 第 1 電 流 鏡 對 電 路 包 括 一 對 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 1 I MOS 電 晶 體 费 第 1 第 2 導 電 型 MOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 1 1 壓 線 之 源 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 1 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 » 及 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 | 之 第 1 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 fig 之 集 極 之 閛 極 9 第 2 1 1 第 2 導 電 型 HOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 t 接 至 1 I 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 洩 極 • 接 至 第 1 電 流 鏡 對 電 路 1 I 50- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><29*7公釐） 3l372〇 as ν B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 穴、申請專利範圍 1 1 之 第 1 第 2 導電型HOS 電 晶 fit 之 閘 極 之 閛 極 • 1 1 第 2 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 3 及 第 4 第 2 導電型MOS 1 1 電 晶 體 對 I 第 3 第 2 専電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 低 屋 請 1 先 1 線 之 源 極 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 導 電 型 閲 讀 1 I 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 9 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 背 面 1 I 之 1 對 之 第 2 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 fig 之 集 極 之 閘 極 t 而 注 意 1 事 1 第 4 第 2 導電型MOS 電 晶體具有接至低壓線、之源極 » 項 再 m 至 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 第 1 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 填 寫 本 1 裝 I 之 基 極 之 洩 極 * 及 接 至 第 2 電 流 鏡 對 電 路 之 第 1 第 2 頁 1 I 導電型MOS 電 晶 體 之 閛 極 之 閛 極 5 以 及 1 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 ： 1 1 經 各 白 之 射 極 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 等 電 型 雙 極 性 1 訂 電 晶 體 之 第 2 差 動 電 晶 體 m » 前 述 射 極 經 一 定 常 電 淀 1 源 接 至 低 壓 線 » 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 型 1 1 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 9 第 2 差 動 電 1 I 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 接 至 第 1 1 輸 入 端 子 银 1 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 1 導電型MOS - 1 I 電 晶 體 對 t 第 1 第 1 導電型MOS 電 晶 IS 具 有 接 至 高 壓 1 1 線 之 源 極 $ 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 型 1 I 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 洩 極 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 1 I 之 第 1 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 集 極 之 閘 極 9 第 2 1 1 第 1 導電型MOS 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 t 接 至 1 | 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 1 I _ 51- 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4*L格（21〇><297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 集 極 和 如 該 中 間 電 % 之 該 第 2 電 晶 體 般 接 至第 1 導 1 1 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 基 極 之 洩 極 » 及 接 至 第 3 電 流 摸 1 1 對 電 路 之 第 1 第 1 専 電 型 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 〇 X—V 請 1 先 1 64 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 27項 之 蓮 算 放 大 器 » 其 中 閲 1 該 輸 出 级 包 括 —· 互 補 H0S 電 路 » 其 具 有 第 1 導 電 型 背 I | - 之 1 H0S 電 晶 體 及 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 t 兩 者 係 串 接 於 注 意 1 事 1 該 高 壓 線 和 低 壓 線 之 間 » 該 第 1 導 電 型 M0S 電 晶 體 接 項 再 至 該 高 壓 線 » 而 該 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 則 接 至 該 低 填 寫 本 1 裝 壓 線 t 頁 1 1 該 轉 入 级 至 少 含 有 一 差 動 放 大 器 電 路 9 1 1 該 第 1 電 晶 暖 包 括 一 只 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 > 其 1 1 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 1 ' 訂 該 輸 出 级 側 之 該 第 1 導 電 型 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 洩 極； 1 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 » 1 該 第 2 電 晶 體 包 括 一 只 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 9 其 1 I 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 9 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 和 I 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 之 閘 線 1 掻 之 洩 m 9 及 接 至 該 輸 入 鈒 和 在 驗 出 鈒 傅 之 該 第 2 導 1 | 電 型 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 極 以 及 1 1 該 第 2 定 常 電 流 源 係 接 至 該 高 壓 線 9 1 I 該 中 間 電 路 另 外 包 括 1 只 第 1 附 加 之 第 2 導 電 型 H0S 1 1 電 晶 體 » 其 有 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 専 電 型 H0S 1 1 電 晶 體 之 該 源 極 之 源 極 • 如 該 第 2 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 | 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 之 該 洩 極 之 洩 極 參 及 如 該 第 1 電 1 I -52- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )人4说格（21 OX297公釐） 〇13?2〇 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 六、申請專利範 .園 * 1 1 晶 體 般 接 至 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 閛 極 和 如該 1 1 I 第 2 電 晶 匾 般 接 至 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 洩 極 1 之 閘 極 〇 請 1 1 先 1 65 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 64項 之 蓮 算 放 大 器 t 其 中 該 輪 入 閲 讀 1 I 级 包 括 * 背 面 1 I 之 1 用 於 輪 入 第 1 输 入 信 號 之 第 1 輸 入 端 子 ; 注 意 1 事 _1 用 於 輸 入 第 2 輸 入 信 號 之 第 2 输 入 端 子 項 再 2 第 輸 1 入 差 端 動 子 放 9 大 該 器 第 電 1 路 差 係 動 接 放 至 大 該 器 第 電 1 路 輸 係 人 偏 端 壓 子 於 及 高 該 壓 第 線 填 寫 1 裝 1 I 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接 至 1 1 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閛 極 和 該 輪 出 级 側 之 1 1 該 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 • 以 及 1 訂 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該第 1 輸 人 端 子 及 該 第 1 2 輸 入 端 子 • 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 偏 壓 於 該 髙 壓 1 1 線 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出 係 接 1 I 至 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閘 極 和 該 輸 出 级 倒 1 線 1 之 該 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 〇 66 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 64項 之 運 算 放 大 器 9 另 夕 、包 括 1 I 1 只 第 1 附 加 之 第 1 専 電 型 M0S 電 晶 體 t 其 具 有 接 至 1 1 該 第 1 定 常 電 流 源 之 源 極 t 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 1 1 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 .洩 極 之 洩 極 f 及 接 至 該 輸 1 I 出 级 側 之 該 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 閘 極 之 閘 極 〇 1 i 67 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 64項 之 運 算 放 大 器 » 另 夕 卜包 括 1 | 1 只 第 2 附 加 之 第 2 専 電 型 H0S 電 晶 體 » 其 具 有 如 該 1 I -53· 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 源 極 1 1 I 之 m 極 » 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 2 専 電 型 H0S 電 1 1 晶 趙 之 該 洩 m 之 洩 極 及 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 請 1 先 1 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 之 該 洩 極 之 閘 極 〇 閲 讀 1 I 68 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 65項 之 運 算 放 大 器 * 其 中 背 面 1 I 之 1 第 1 差 動 放 大 器 電 路 包 括 • 注 意 重 1 | 經 各 白 之 源 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 導 電 型 H0S Ψ 項 再 I 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 9 Jk^U 刖 述 源 極 經 一 定 常 電 流 填 寫 本 1 裝 I 源 而 接 至 低 & 線 • 第 1 差 動 電 晶. 體 對 之 第 1 第 • 2 専 電 頁 ----- 1 I 型 H0S 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 1 輸 入 端 子 9 第 1 差 動 電 1 1 I 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 2 1 1 輸 入 端 子 * 1 訂 第 1 電 流 鏡 對 電 路 包 括 一 對 第 1 及 第2 第 1 導 電 型 1 M0S 電 晶 體 » 第 1 第 1 導 電 型 M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 1 1 壓 線 之 源 極 » 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 1 I 型 H0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 » 及 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 1 第 1 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 * 第 2 第 1 線 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 媒 之 源 極 9 接 至 第 2 1 I 差 動 放 大 器 電 路 之 洩 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 1 1 第 2 等 電 型 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閛 極 • 1 1 第 2 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 3 及 第 4 第 1 導 電 型 H0S 1 | 電 晶 體 對 9 第 3 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 1 1 線 之 源 極 » 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導 電 型 1 | M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 槿 9 及 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 1 I 5 4 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） °^S72〇 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 之 第 2 第 2 導電型H0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 9 而 第 4 1 1 I 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接.至 1 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 和 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 N. 請 1 先 1 般 接 至 該 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 閜 極 之 洩 極 » 及 閲 讀 1 I 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 専電型M0S 電 晶 體 背 ft 1 I 之 1 之 閘 極 ； 以 及 注 意 1 事 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 項 再 經 各 白 之 源 極 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 導電型H0S 電 填 寫 本 1 裝 1 晶 體 之 第 2 差 動 電 晶 體 對 • 前 述 源 掻 经 —- 定常電流源 頁 1 I 接 至 高 壓 線 9 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 専電型H0S 1 1 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 第 2 差動電晶體對 1 1 之 第 2 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 閛 極 接 至 第 1 輸 入 端 1 訂 子 1 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 2 導電型M0S 1 1 電 晶 體 對 » 第 1 第 2 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 1 I 線 之 源 極 t 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導 電 型 1 M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 « 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 線 I 第 1 第 1 導電型K〇s 電 晶 體 之 洩 極 之 m 極 9 第 2 第 2 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 低 壓 線 之 源 極 t 接 至 第 2 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 1 専電型M0S 電 晶 體 之 洩 極 和 1 | 第 2 導電型M0S 之 閘 掻 之 洩 極 t 及 接 至 第 2 差 動 電 晶 1 I 體 對 之 第 1 第 1 導電型M0S 電 晶 體 之 間 極 之 閘 極 〇 1 1 69 . 如 請 專 利 範 圍 第27項之運算放大器 » 其 中 1 I 該 輸 出 级 包 括 —. 互 補M0S 電 路 其 具 有 第 1 導 電 型 1 I -55- 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^720 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局wc工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 HOS 電 晶 體 及 第 2 導 電 型 M0S 電 晶 體 9 兩 者 係 串 接 於 1 1 該 高 壓 線 和 該 低 壓 線 之 間 9 該 第 1 導 電 型 HOS 電 晶 體 1 1 接 至 該 高 壓 線 費 而 該 第 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 則 接 至 該 請 1 先 1 低 壓 線 » 閲 1 1 該 輸 入 级 至 少 包 括 一 差 動 放 大 器 電 路 9 背 1 I 之 1 該 第 1 電 晶 體 包 括 只 第 1 m 電 型 H0S 電 晶 體 * 注 意 1 I 具 有 接 至 該 高 壓 線 之 源 極 * 接 至 該 第 1 定 常 電 流 源 和 事 項 -S- ( 該 輸 出 级 側 之 該 第 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 閘 掻 之 洩 ，極； % 本 1 裝 該 第 1 定 常 電 流 源 係 接 至 該 低 壓 線 9 頁 ^ 1 I 該 第 2 電 晶 體 包 括 一 只 .第 2 専 電 型 H0S 電 晶 體 t 其 1 1 具 有 接 至 該 低 壓 線 之 源 極 t 接 至 該 第 2 定 常 電 流 源 和 1 1 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 •第 2 等 電 型 M0S 電 晶 體 之 閛 1 訂 極 之 洩 極 $ 及 接 至 該 輸 入 级 和 在 輸 出 级 側 之 該 第 2 導 ! 電 型 M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閘 掻 • » 以 及 1 1 該 第 2 定 常 電 流 源係 接 至 該 高 壓 線 » 1 I 該 中 間 電 路 另 外 包 括 1 只 第 1 附 加 之 第 1 導 電 型 M0S 1 « 電 晶 體 9 其 有 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 導 電 型 HOS 線 1 電 晶 體 之 該 源 極 之 源 極 * 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 該 第 1 | 2 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 洩 極 之 洩 極 » 及 接 至 該 第 1 1 1 導 電 型 H0S 電 晶 體 之 該 閘 極 和 如 該 第 1 電 晶 體 般 接 至 1 I 該 第 1 専 電 型 M0S 電 晶 體 之 該 洩 極 之 閘 極 〇 1 | 7 0·. 如 申 請 專 利 範 圍 第 69項 之 運 算 放 大 器 9 其 中 該 輸 入 1 1 级 包 括 ： 1 I 用 於 輪 入 第 1 輸 入 信 號 之 第 1 輸 入 端 子 » 1 1 _ 56 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS) A4说格（210X297公釐） A8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 用 於 輪 入 第 2 輪 入 信 號 之 第 2 輸 人 端 子 ; * 1 1 I 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 输 入 端 子 及 該 第 1 2 輸 入 端 子 該 第 1 差 動 放 大 器 電 路 係 餵 壓 於 高 壓 線 Ν 請 1 先 1 和 低 壓 線 之 間 9 該 第 r 差 動 放 大 器 電 路 之 输 出 係 接 至 閲 讀 1 I 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閛 極 和 該 输 出 级 側 之 背 Λ 1 I 之 1 該 第 2 導電型MOS 電 晶 體 ； 以 及 注 意 1 事 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 接 至 該 第 1 _ 入 端 子 及 該 第 項 再 2 輪 入 端 子 » 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 係 鴒 壓 於 該 高 壓 填 寫 本 1 裝 線 和 低 壓 線 之 間 該 第 2 差 動 放 大 器 電 路 之 輸 出係接 頁 1 I 至該 中 間 電 路 之 該 第 2 電 晶 體 之 該 閛 ύ 和 該 輸 出 级 側〃 1 1 之 該 第 2 導電型MOS 電 晶 體 〇 1 1 71 . 如 申 請 專利範圍第70項之運算放大器 > 其 中 1 訂 第 1 差 動 故 大 器 電 路 包 括 ♦ 1 經 各 白 之 源 極 相 互 連 接 之 第 1 及 第 2 第 2 専電型M0S 1 1 電 晶 體 之 第 1 差 動 電 晶 體 對 • 刖 述 源 極 經 一 定 常 電 流 1 I 源而接至低壓線 $ 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 導 電 1 型MOS 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 1 輸 入 端 子 » 第 1 差 動 電 線 1 晶 體 對 之 第 2 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 閛 搔 接 至 第 2 1 I 輪 入 端 子 1 1 第 1 電 流 鏡 對 電 路 包 括 一 對 第 1 及 第 2 第 1 導 電 型 1 I MOS 電 晶 體 第 1 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 1 1 壓 線 之 源 極 » 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 2 等 電 1 1 型MOS 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 » 及 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 1 I 第 1 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 掻 • 第 2 第 1 1 | - 57 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α<ΛΙ格（210X297公釐） U372〇 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範園 1 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 9 接 至箏 2 1 1 I 差斷放大器電路之洩極 » 接 至 第 1 差 動 電 晶 髖 對之 第 1 1 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 閘 極 之 閛 極 請 1 先 1 第 2 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 3 及 第 4 第 1 導電型M0S 閲 讀 1 I 電 晶 體 對 » 第 3 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至高 壓 背 1 I 之 1 線 之 源 極 9 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導電 型 注 意 1 事 1 H0S 電 晶 體 之 洩 極 之 洩 極 • 及 接 至 第 1 差 動 電 晶體 對 項 再 1 之 第 2 第 2 導電型M0S 電 晶 體 之 洩 極 之 閘 極 » 而第 4 填 寫 本 裝 第 1 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至 高 壓 線 之 源 極 .接 至 頁 1 I 第 2 差 動 放' 大 器 電 路 和 如 該 中 間 電 路 之 該 第 2 電晶 體 1 1 般 接 至 該 第 2 導 電 型 雙 極 性 電 晶 體 之 閛 極 之 洩 極. 1 1 接 至 第 1 差 動 電 晶 體 對 之 第 2 第 2 導電型M0S 電晶 體 1 訂 之 閘 極 » 以 及 1 第 2 差 動 放 大 器 電 路 包 括 1 1 經 各 白 之 源 極 連 接 之 第 1 及 第 2 第 1 専電型H0S 電 1 I 晶 體 之 第 2 差 動 電 晶 體 對 f 前 述 源 極 經 一 定 常 電淀 源 1 接 至 高 壓 線 9 第 2 差動電晶體對之第1 第 1 導電型M0S Γ 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 2 輸 入 端 子 9 第 2 差 劻 電 晶體 1 I 之 第2 第 1 導電型M0S 電 晶 體 之 閘 極 接 至 第 1 輸人 端 1 1 子 » 1 I 第 3 電 流 鏡 對 電 路 包 括 第 1 及 第 2 第 2 導電型M0S 1 I 電 晶 體 對 * 第 1 第 2 導電型M0S 電 晶 體 具 有 接 至低 壓 1 1 線 之 源 極 » 接 至 第 2 差 動 電 晶 體 對 之 第 1 第 1 導電 型 1 I M0S 電 晶 體 之 洩 掻 之 洩 極 * 接 至 第 2 差 動 電 晶 體對 之 1 1 1 _ 5 8. 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 第1第1導電型MOS電晶體之洩棰之閛極，第2第-2 導電型MOS電晶體具有接至低壓線之源極，接至第2 差動電晶體對之第2第1導電型MOS電晶體之洩棰和 如該中間電路之該第2電晶體般接至該第2導電型MOS 電晶體之閘棰之洩極，及接至第2差動電晶體對之第1 第1導電型MOS電晶體之閘極之閘極。 ------；--------,1T------i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -59- 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A«t格（2】〇Χ297公釐）