TW301809B - - Google Patents

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TW301809B TW085106804A TW85106804A TW301809B TW 301809 B TW301809 B TW 301809B TW 085106804 A TW085106804 A TW 085106804A TW 85106804 A TW85106804 A TW 85106804A TW 301809 B TW301809 B TW 301809B
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經濟部中央橾华局Μ工消f合作社印裝 A7 B7 i、發明説明(1 ) 本發明係有藺於使用於衛星廣播及衛星通信用的降頻 器等之微波振盪電路及使用該電路之降頻器。 這幾年*衛星廣播已進入普及期,且利用通信衛星之 CS廣播也開始服務,在一般家庭直接接收複數個衛星的機 會增加。因此組裝有降頻器之接收用天線的小型化《低成 本化亦開始要求。 以下利用圖面說明關於用於衛星廣播及衛星通信用的 降頻器之習知微波振盪電路。 第1 A圖所示為習知的微波振盪電路的構造之分解側視 圖;第1B圖為其A-B斷面圖。在第ΙΑ,1B圖中,在金鼷板 8之上,密著配置例如聚氟化乙烯等的氟化樹脂製的電介 質基板2的内面。而且,在電介質基板2的表面,裝有 m e t a 1 s e m i c ο n d u c t 〇 r f i e 1 d e f f e c t t r a n s i s t 〇 r ( Μ 下 稱 MESFET),或 high electron mobility transistor ( M下稱HEMT)等的微波振盪用Field Effect Transistor (以下稱FET) 3。在電介質基板2的表面,形成開路短 截線(open stub)4,微波傳輸線(Micro Strip Line)5 FET3的閘掻端子3g ·汲極端子3d·源極端子12-。 開路短截線4連接於FET3的汲掻端子3d。微波傳輸線 5的一端連接於FET3的閘極端子3g .微波傅輸線5的另一 端經由终端電阻6,利用貫通孔7接地至金《板8。從源 極端子12取出FET3的搌鹽輸出。 在電介質基板2的表面,遛開微波傳輸線5隔著由陶 瓷等的絕线物所形成之襯墊10,利用接著劑固定具有帶域 本紙伕尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本f ) 裝. 3〇1δ〇9 經濟部中央標準局只工消费合作社印製 Α7 Β7五、發明説明(2 ) P且止特性之電介質諧振器11。 電介質基板2的表面上方,利用由鋁模鑲造等的金屬 所形成之屏蔽盒1覆蓋。屏蔽盒1接地於金鼷板8。利用 該屏蔽盒1和金屬板8,上述的電路部份由外部靜電遮蔽 。在屏蔽盒1設有螺母*將設於屏蔽盒1之振盪頻率微調 整用的螺絲9螺入,該螺絲9的前端與電介質諧振器11相 接近對向。 關於如上述所構成之微波振盪電路的動作 > 參照第1 圖說明。 装於電介質基板2上之微波振盪用FET3,利用開路短 截線4將汲極端子3d做高頻性質的接地,利用一端接於閘 掻端子3g·另一端经由终端電阻6利用貫通孔7而接地至 金饜板8之微波傳輸線5與具有帶狀阻止特性之電介質諧 振器11的结合,從微波振盪用FET3的源極端子12可以得到 FET 3所振盪、安定之振盪頻率輸出。另外,使設於屏蔽盒 1之螺絲9回轉,藉此,改變與電介質諧振器11的距離能 微調振盪頻率。 但在上述習知例的構造,使用於微波帶,特別是1 〇 GHz帶之振盪電路的電介質基板2的材枓,廣泛的使用高 頻損失較少之聚氟化乙烯等之氣化樹脂,為了在該電介質 基板2上接著陶瓷的襯墊1 〇,必須在聚M ib乙烯等的氟化 樹脂的接著面使用金鼷納等之销品做特殊之前處理•因利 甩一般的接著劑很難得到足夠之接著強度•因此•在生產 效率及成本面上•係不利。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2丨0X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· -s 經濟部中央標準局Μ工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3 ) 另外•微波傳輸線5和襯墊1 〇的物理尺寸上的限制· 亦即’將襯墊1Q接著於電介質基板2上時,因必須遛開微 波傳輸線,電介質諧振曼11的..中心 * ,二襯墊1◦的半徑長度。 因此*很難自由設定決定振盪的安定性及振盪輸出的 重要因素*即由微波傳輸線5和電介質諧振器11的距離所 決定之结合度。 本發明的第1目的,係不需要將支持電介質諧振器之 襯墊接著於電介質基板時之特殊前處理,可提高生產效率 *及降低成本。 第2目的,係可自由設定由微波傳_線和電介質諧振 器的距離所決定之結合度。 而且,提供低價格、高信賴性之微波振盪電路及具有 該徹波振盪電路之降頻器。 本發明的徹波振盪電路為達成上述目的,包含:金屬 板;内面與該金屬板密接之電介質基板;安装於該電介質 基板表面上,且其汲極端子利用開路短戲線做高頻性質接 地之微波振盪用FET ;安装於該電介質基板表面上,一端 連接於該微波振盪用FET的閘極端子,另一端經由终端槠 電阻利用貫通孔接地於該金屬板之微波傳輸線;用以遮蔽 該電介質基板上的笛路之遮蔽盘;及•利用接著劑固定於 該遮蔽盒內壁内,具有帶域阻止特性之笛介質諧振器.结 合前述電介質基板上的微波傳輸線和前述電介質諧振器. 另外摞合於金屬板的螺孔,且貫通電介筲基板的螺绦,可 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨Ο X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ,-¾ 經濟部中央標準局Μ工消费合作社印製 A7 〜_ _BV_ 五、發明説明(4 ) 改變與電介霣諧振器的距離,藉此微調振盪頻率,且從該 微波振盪用FET的源極端,可得到振盪頻率輸出之構造。 另外,本發明的降頻器,係使用如上述構造之微波振 盪電路,該微波振盪電路之微波振盪用FET的源極端子的 振盪頻率輸出經由帶通瀘波器,當作局部振盪頻率輸出, 在變頻用二極體與輸入信號混合,將輸入信號變換為中頻 之構造。 本發明利用上述構造,因將與微波傳_線结合之電介 質諧振器隔著襯墊固定於遮蔽盒,故將襯墊接著於聚四氟 乙烯等的電介質基板,即不需如目前方法的特殊前處理, 可使用一般的接著劑(例如:環氧系接著劑)來固定,故 可完成高生產性,廉價且高信賴性的微波振盪電路及衛星 電波接受用降頻器。 另外,因可將電介質諧振器配置於微波傳輸線上部的 任意位置*故可得到所期望的结合度。 圖式之簡單說明 第1 A圖所示為習知微波振盪電路之構造的分解側視圖; 第1B圖為第1A圖之A-B斷面圖; 第2A圖所示為本發明的一賁施例之微波振盪電路梆造 之平面圖; 第2B圖為第2A圖之A-B斷面_ ; 第3圖為使用本發明的微波振盪窀路之降頻器的方塊 圖。 第2A圖所示為本發明的一裒腌例之徹波振盪電路構造 本纸張尺度適用中囡國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 A7 —____^^ 五、發明説明(5 ) 之平面圃,第2B圖為其A-B斷面圖。在第2圖中,與習知 例之第1 _所示各零件相同者,付與相同符號。 在第2A· 2 B圖中,將聚氣化乙烯等的氟化樹脂製的電 介質基板2的内面密著配置於金屬板8之上。而且,在電 介質基板2的表面,安装MESFET或HEMT等的微波振盪用 FET3。另外,在電介質基板2的表面形成:開路短截線4 :微波傳輸線5 ; FET3的閘極端子3g,汲極端子3d,源極 端子12。 開路短截線4連接於FET3的汲極端子3d。微波傳_線 5的一端連接於FET3的閘極端子3g,微波傳_線5的另一 端經由终端電阻6,利用貫通孔7接地於金覇板8。從源 極端子12可取出FET3的振盪輸出。 電介質基板2的表面上方•利用由鋁模鑲件等金屬所 形成的遮蔽盒1覆蓋,遮蔽盒1接地於金屬板8。利用該 遮蔽盒1和金鼷板8使上述電路部份從外部被靜電遮蔽。 經濟部中央標準局於工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此與前述習知例的第1圖不同之處為·^有帶域姐 止特性之電介質諧振器11·隔著襯墊10,對位於電介質基 板2的對面之遮蔽盒1的内壁,不需做特殊之處理,可使 用一般的接著劑(例如:環氣系樹脂材)固定。 而且,用來微調振盪頻率的摞絲9被配置於金屬板8 ,且與設於金屬板8之揉孔螺合,ΙΪ通锘介筲铥板j,與 電介質諧振器11相對向,可改變該距雔之構造。 參照第2圖說明•如上構造之微波振盪電路的動作: 结合電介質諧振器11和微波傳輸線5,轉動摞絲9,改變 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央榡準局K工消费合作社印装 3〇1δ〇9 Α7 ________Β7_ 五、發明説明(6 ) 螺絲9和電介質諧振器11的距雔,以微波振盪頻率,可從 微波振盪用FET 3的源極端子12得到安定之振盪頻率_出。 如此依據本實施例,與習知例不同,因將與設於電介 質基板上之微波傳輸線结合的電介質諧振器設於遮蔽盒側 ,隔著襯墊固定時,因聚氟化乙烯等的氟化樹脂製的電介 質基板和襯墊並不接著,因此不需要如習知的特殊前處理 ,故可實現生產性高,低價格,高信賴性的微波振盪電路 。另外,因將電介質諧振器固定於遮蔽盒,因此不需如習 知要避開電介質基板上的微波傳輸線,不受襯墊尺寸之限 制•因可將電介質諧振器配置於微波溥_線上部的任意位 置,故可得到所期望的结合度。 另外,在本賁施例中,雖說明襯墊10和電介質諧振器 11配置於電介質基板2的相對面之遮蔽盒1的内壁面,。但 設於遮蔽盒1的側壁面也能得到相同的效果。 第3圖所示為本發明的一實施例之降頻器的電路構造 ,圖中虛線(a)所圍之前述微波振盪電路的各符號與前述 第2圖對應。在此,圖中虛線(Μ所圍降頻器*係例如衛 星電波接受用降頻器,圖中,1 3為微波信號輸入部;1 4, 15為低雜音放大器;16為帶通洚波器;17為變頻用二極體 ;1 8為低通逋波器;1 9,2 0為中頻放大器;2 1為中頻信號 輸出部。 參照第3 _說明*如上構造之本發明的衛星電波接受 用降頻器的動作。微波振盪霜路(a)的動作如在第2圖所 說明,從微波振盪用FET3的源極端子1 2 ·可得到安定的局 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4現格(210Χ 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填巧本頁) 裝· Α7 Β7 經濟部中央標準局Μ工消资合作社印製 五、發明説明(7 ) 部振盪頻率輪出(例如:11.2 GHz)。該局部振盪頻率_ 出經由帶通漶波器16而被加於變頻用二掻體17。另外,镝 入至微波信號輸入部13之12 GHz帶的信號(例如:11.75 GHz〜12.75 GHz),利用低雜音放大器14及15放大,在變 頻用二極體17,與局部振盪頻率輸出混合,變換成1 GHz 帶的中頻。被變換成1 GHz帶的中頻之信號,通過低通滹 波器18,利用中頻放大器19及2 (3放大至所期望的程度,從 中頻信號_出部2 1取出。 在Μ上的各實拖例所用數值為一例,並不限定為該值 〇 如以上的說明,依據本發明,與連接於構成在電介質 基板上之微波振盪用F ΕΤ的閘極端子之微波傳輸線结合的 電介質諧振器,隔著襯墊接著安装於電介質基板的相對面 的遮蔽盒,因此,不需要如傳統,為了將電介質諧振器隔 著襯墊接著於電介質基板之特殊前處理,只要一般的接著 劑即可解決生產效率及成本面的問題點,而且可自由的設 定由微波傳镝線和電介質諧振器的距離所決定之结合度, 而能實現低價格、高信賴性之微波振盪電路;及,具備該 徹波振盪電路之降頻器。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、-° 10

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局Μ工消资合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 ☆、申請專利範圍 1.一種微波振盪電路,包含: 金屬板; 電介質基板*其内面與該金屬板密接; 微波振盪用FET,安裝於該電介質基板表面上, 其汲極端子利用開路短截線,做高頻性質的接地; 微波傳輸線,安装,於該電介質基板表面上,一端 連接於該微波振盪用FET之閘極端子,他端經由终端 電阻|利用貫通孔接地於該金羼板; 遮蔽盒,用Μ遮蔽該電介質基板上之電路;及| 電介質諧振器,利用接著劑固定於該遮蔽盒之内 壁内,具有帶域阻止特性· 结合該電介質基板上之徹波傳_線與該電介質諧 振器,由該微波振盪用FET之源極端子,可得到振盪 頻率輸出。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之微波振盪電路;其中 ,該電介質諧振器隔著襯墊•利用接著劑固定於位在 該電介質基板對相面之遮蔽盒之内壁面。 3.如申請專利範圍第1項所記載之微波振盪電路;其中 •螺合於金屬板之螺孔且貫通電介質基板之摞绦,可 改變與電介質諧振器之距離,可微調振盪頻率。 4 .—種降頻器,以申請輿利範圃第1項所紀败之微波振 盪電路中之微波振盪用FET之源極端子的振®頻率钠 出做為局部振通頻率輸出,經由帶通逋波器,在雯頻 用二極體與輸入信號混合,將輸入信號變換成中頻。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -11- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 、ίτ
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