JPS6025309A - 超高周波信号発生回路 - Google Patents
超高周波信号発生回路Info
- Publication number
- JPS6025309A JPS6025309A JP13372083A JP13372083A JPS6025309A JP S6025309 A JPS6025309 A JP S6025309A JP 13372083 A JP13372083 A JP 13372083A JP 13372083 A JP13372083 A JP 13372083A JP S6025309 A JPS6025309 A JP S6025309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- line
- ultra
- frequency signal
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/16—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes
- H03B19/18—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes and elements comprising distributed inductance and capacitance
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- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は高速パルスの発生に優れノこ特性を存するステ
ップリカバリダイオードを用いノこ超高周波信号発生回
路に係り、特に小形で低輻射Ｊｉなど（Ｕれた特性を持
つ超高周波ス１．Ｊノド線路により（ｈ成された回路に
関するものである。
ップリカバリダイオードを用いノこ超高周波信号発生回
路に係り、特に小形で低輻射Ｊｉなど（Ｕれた特性を持
つ超高周波ス１．Ｊノド線路により（ｈ成された回路に
関するものである。
（ｂ）従来技術と問題点
ステンブリ力ハリダイオ−１による高速ノくルスの発生
とぞの１１°１１次高調波の取り出し回路は従来第１図
ｆ１．ｌに示ずごとくトシンスポーマＴ１コンデンザＣ
１、抵抗１’２１、Ｒ２の集中定数素子により構成され
ているので入力のＵ ＩＩ Ｆ信号（約５０Ｍｌ１ｚ〜
４００ Ｍｌｌｚ）の周波数をあまり上げられず、高次
高調波出力の超高周波信号（約１０ＧＩＩｚ〜４゜Ｇ
ｌｌｚ ）から見ノこインピーダンスは如何になってい
るか：１１１らない状態である。また、この高速パルス
による超高周波信号発生回路の一つの応用回路である超
高周波−リンプリング検波器を同図（２）に示すが、こ
の′す°ンゾリング険波器も上記に加えて１ンデンサＣ
２、Ｃ３、Ｃ４チヨークコイルＬ１、Ｒ２、Ｒ３に集中
定数素子を使用している。そのため、す゛ノブリング信
号としてのＵ ＨＦ入力周波数Ｐ１をあまり」二げられ
す、被サンプル入力信号Ｐ２の周波数が約１００ＩＩＺ
を越えた超高周波においては、集中定数素子Ｒ，Ｃ，Ｌ
が抵抗、コンデンサ、コイルとし“ζ動作しなくなりサ
ンプリング検ＬＪＪＬ器として動作しなくなるという欠
点があった。
とぞの１１°１１次高調波の取り出し回路は従来第１図
ｆ１．ｌに示ずごとくトシンスポーマＴ１コンデンザＣ
１、抵抗１’２１、Ｒ２の集中定数素子により構成され
ているので入力のＵ ＩＩ Ｆ信号（約５０Ｍｌ１ｚ〜
４００ Ｍｌｌｚ）の周波数をあまり上げられず、高次
高調波出力の超高周波信号（約１０ＧＩＩｚ〜４゜Ｇ
ｌｌｚ ）から見ノこインピーダンスは如何になってい
るか：１１１らない状態である。また、この高速パルス
による超高周波信号発生回路の一つの応用回路である超
高周波−リンプリング検波器を同図（２）に示すが、こ
の′す°ンゾリング険波器も上記に加えて１ンデンサＣ
２、Ｃ３、Ｃ４チヨークコイルＬ１、Ｒ２、Ｒ３に集中
定数素子を使用している。そのため、す゛ノブリング信
号としてのＵ ＨＦ入力周波数Ｐ１をあまり」二げられ
す、被サンプル入力信号Ｐ２の周波数が約１００ＩＩＺ
を越えた超高周波においては、集中定数素子Ｒ，Ｃ，Ｌ
が抵抗、コンデンサ、コイルとし“ζ動作しなくなりサ
ンプリング検ＬＪＪＬ器として動作しなくなるという欠
点があった。
（ｃ）発明の目的
本発明の目的はステップリカバリダイオードによる高速
パルス発生と其の高次高調波の超高周波出力回路の回路
素子数を減らし、回路損失を減少し、効率の良い超高周
波信号発生回路を提供するにある。
パルス発生と其の高次高調波の超高周波出力回路の回路
素子数を減らし、回路損失を減少し、効率の良い超高周
波信号発生回路を提供するにある。
（ｄ）発明の構成
本発明は、スロット線路の超高周波電界がスロット部分
に集中しスロット縁の両端に電圧差が生ずるので、スロ
ソ１−゛線路は小形ダイオ−１”の橋絡接続に構造的に
適していること、高い周波数の電磁波はど伝播しやすい
高域通過フィルタの特性をもつこと、従ってステップリ
カハリダイオードで発生した鋭いパルスの高次分がスロ
ット線路を伝播しやすいことに着目して回路が構成され
る。
に集中しスロット縁の両端に電圧差が生ずるので、スロ
ソ１−゛線路は小形ダイオ−１”の橋絡接続に構造的に
適していること、高い周波数の電磁波はど伝播しやすい
高域通過フィルタの特性をもつこと、従ってステップリ
カハリダイオードで発生した鋭いパルスの高次分がスロ
ット線路を伝播しやすいことに着目して回路が構成され
る。
ステップリカハリダイオード１（ＩｌｉＩをスロット線
路の一個所に橋絡接続し、これに入力のＵ １１ Ｆ帯
高周波信号を加えて鋭いパルスを発生させ、ステ・ノブ
リカベリ、ダイオード接続点より見てスロノ１−線路の
一方の片側を開放または、４分の１波長で短絡終端する
ことにより線路の他方の片側よりｉ０＋次高調波を出力
するよ・）に回路が構成される。
路の一個所に橋絡接続し、これに入力のＵ １１ Ｆ帯
高周波信号を加えて鋭いパルスを発生させ、ステ・ノブ
リカベリ、ダイオード接続点より見てスロノ１−線路の
一方の片側を開放または、４分の１波長で短絡終端する
ことにより線路の他方の片側よりｉ０＋次高調波を出力
するよ・）に回路が構成される。
またステンブリカハリダ・イオー１−を２個用いる回路
として、スＩ：１ノド線路の片θ１１１に２分の１波長
の環状スロット線路・分設り該環状スロット線路の各ア
ームの根元にステップリカハリダイオード１個−ｊ ツ
ヲーＩｓ性を違えて橋１’：Ｆ ’Ｉ妾続するごとによ
りスロノ１−線路の他Ｖ：：ｆ Ｊ、り高次高調）皮を
出力するよう回路が構成さ４Ｌる。
として、スＩ：１ノド線路の片θ１１１に２分の１波長
の環状スロット線路・分設り該環状スロット線路の各ア
ームの根元にステップリカハリダイオード１個−ｊ ツ
ヲーＩｓ性を違えて橋１’：Ｆ ’Ｉ妾続するごとによ
りスロノ１−線路の他Ｖ：：ｆ Ｊ、り高次高調）皮を
出力するよう回路が構成さ４Ｌる。
（ｅ）発明の実施例
本発明の実施例・企図・夕月いて説明する。第２図乃至
第４図は本発明の実施例を示しており、図において、１
は誘電体基板、２は導体薄膜、３はスｌコ・７１−線路
、１１はステップリカハリダイオード、５はＵ ＩＩ
Ｆ ｉＱ号大入力６は超高周波信号出力である。誘電体
基板ｌはｐラミックＡ ＩＬｏ、の厚さ約０゜３８１Ｉ
ＮのｉＶ板でその片面に導体薄膜２が蒸着され、スロッ
ト線路３の基板となる。メロン１〜線路３は導体薄膜２
の導体の一部が８Ｉｌい線状に切除された超高周波伝送
回路で例えば２０ Ｇ１１ｚの回路の場合、約０，３龍
に選ばれる。ステップリカハリダイオード４はこのスロ
ット線路の両側の導体に橋渡し接続され、Ｕ ＨＦ信号
人力５が低域通過フィルタＬＰＦＩ （集中定数インダ
クタンスＬとキャパシタンスＣから成る）を経てステッ
プリカバリダイオード４に加えられ、高調波が能率よく
発生される。第２図では、ステップリカハリダイオード
４の接続点の片側のスロット線路は、導体薄膜２が大き
く円状に切除され（■で示す部分）、目的の高次高調波
の超高゛周波出力信号に対して実効的に開放端としての
回路動作をする。従ってスロット線路の他端から超高周
波信号出力６として出力される。
第４図は本発明の実施例を示しており、図において、１
は誘電体基板、２は導体薄膜、３はスｌコ・７１−線路
、１１はステップリカハリダイオード、５はＵ ＩＩ
Ｆ ｉＱ号大入力６は超高周波信号出力である。誘電体
基板ｌはｐラミックＡ ＩＬｏ、の厚さ約０゜３８１Ｉ
ＮのｉＶ板でその片面に導体薄膜２が蒸着され、スロッ
ト線路３の基板となる。メロン１〜線路３は導体薄膜２
の導体の一部が８Ｉｌい線状に切除された超高周波伝送
回路で例えば２０ Ｇ１１ｚの回路の場合、約０，３龍
に選ばれる。ステップリカハリダイオード４はこのスロ
ット線路の両側の導体に橋渡し接続され、Ｕ ＨＦ信号
人力５が低域通過フィルタＬＰＦＩ （集中定数インダ
クタンスＬとキャパシタンスＣから成る）を経てステッ
プリカバリダイオード４に加えられ、高調波が能率よく
発生される。第２図では、ステップリカハリダイオード
４の接続点の片側のスロット線路は、導体薄膜２が大き
く円状に切除され（■で示す部分）、目的の高次高調波
の超高゛周波出力信号に対して実効的に開放端としての
回路動作をする。従ってスロット線路の他端から超高周
波信号出力６として出力される。
第３図では、ステップリカハリダイオ−１−４の片側の
スロット線路は、目的の高次分の超高周波信号の線路白
波長久、の４分の１の長さの点で短絡終端されている。
スロット線路は、目的の高次分の超高周波信号の線路白
波長久、の４分の１の長さの点で短絡終端されている。
従って目的の超高周波信号はすべて他端の方向に伝送さ
れ出力６としてスロット線路３から、出力される。第４
図ではステップリカハリダイオード４１．４２の２ （
ｆｌｉｔが左側の環状スロット線路３の根元に接続され
る。環状スロノ１−線路３の回路長は線路内波Ｉシ５の
２分の１の長さに選ばれているので、各アーム３１．３
２は４分の１波長になる。また、ステップリカバリダイ
オート４１．４２は逆極性に接続されるので４１と４２
で発生しノこ所望の高調波信号は環状スロット線路３を
一巡したのら出Ｌ１のスロット線路３３には同相で合成
され出力される。この出力６が図の右半分の超高周波サ
ンプリング検波器のサンプリング信号となる。図の右側
の環状スロソ（・線路３′は平衡型ミクサ回路で回路長
は線路３と同じく目的の超高周波借りの波長への２分の
１である。５１．５２はミクリ゛ダイオードで超高周波
で検波ｆｊＬ率のよいシシノトキイハリャダイオードが
選ばれ、環状スロット線路３゛の根元に逆極性で橋絡接
続される。被ザンプリング超高周波信号人力Ｐｉｎは誘
電体基板１を扶んでスロン］・線路３と反対側の表面に
゛つくられたストリップ線路７から入力される。この超
高周波信号人力Ｐｉｎばストリップ線１ｉ！８７に設＆
Ｊられた貫通孔りを通ずる導線を通って環状スＵソ］・
線路３′の内側導体薄膜２２に導かれミクザダイオート
′５１．５２に加えられる。
れ出力６としてスロット線路３から、出力される。第４
図ではステップリカハリダイオード４１．４２の２ （
ｆｌｉｔが左側の環状スロット線路３の根元に接続され
る。環状スロノ１−線路３の回路長は線路内波Ｉシ５の
２分の１の長さに選ばれているので、各アーム３１．３
２は４分の１波長になる。また、ステップリカバリダイ
オート４１．４２は逆極性に接続されるので４１と４２
で発生しノこ所望の高調波信号は環状スロット線路３を
一巡したのら出Ｌ１のスロット線路３３には同相で合成
され出力される。この出力６が図の右半分の超高周波サ
ンプリング検波器のサンプリング信号となる。図の右側
の環状スロソ（・線路３′は平衡型ミクサ回路で回路長
は線路３と同じく目的の超高周波借りの波長への２分の
１である。５１．５２はミクリ゛ダイオードで超高周波
で検波ｆｊＬ率のよいシシノトキイハリャダイオードが
選ばれ、環状スロット線路３゛の根元に逆極性で橋絡接
続される。被ザンプリング超高周波信号人力Ｐｉｎは誘
電体基板１を扶んでスロン］・線路３と反対側の表面に
゛つくられたストリップ線路７から入力される。この超
高周波信号人力Ｐｉｎばストリップ線１ｉ！８７に設＆
Ｊられた貫通孔りを通ずる導線を通って環状スＵソ］・
線路３′の内側導体薄膜２２に導かれミクザダイオート
′５１．５２に加えられる。
ここで左側の環状スロソＩ・線路３からのサンプリング
信号６と混合されサンプル検波される。この検波出力は
直流または中間周波数の信号として内側導体薄膜２２と
低域通過フィルタＬ Ｐ Ｆ２を通って出力端子８より
出力される。以上が本発明の超高周波信号発生回路の実
施例とその応用回路の超高周波４Ｊンプリング検波器の
構成と動作の説明である。
信号６と混合されサンプル検波される。この検波出力は
直流または中間周波数の信号として内側導体薄膜２２と
低域通過フィルタＬ Ｐ Ｆ２を通って出力端子８より
出力される。以上が本発明の超高周波信号発生回路の実
施例とその応用回路の超高周波４Ｊンプリング検波器の
構成と動作の説明である。
＜ｒ＞発明の効果
実施例で詳述したごとく、本発明によれば小型で効率の
良い超高周波信号発生回路を構成Ｃきるので超高周波サ
ンプリング検波器なとへの応用にその効果は大きい。
良い超高周波信号発生回路を構成Ｃきるので超高周波サ
ンプリング検波器なとへの応用にその効果は大きい。
超高周波信号発生回路の回路図、第４図は超高周波サン
プリング検波器の回路図である。
プリング検波器の回路図である。
図において、■は誘電体基板、２は導体薄膜、３はスロ
ット線路、４はステンプリカバリダ・イオーｌ−”、５
はＵ ＨＦ信号入力、６は超高周波信号出力である。
ット線路、４はステンプリカバリダ・イオーｌ−”、５
はＵ ＨＦ信号入力、６は超高周波信号出力である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ステップリカバリダイオードに高周波正弦信号を加
えて鋭い高周波パルスを発生させ該パルスの高次高調波
の超高周波成分を取り出す超高周波信号発生回１／名に
」３い”ζ、ステップリカバリダイオードを超高周波ス
Ｌ’ｌ ７． ’ ｌ・線（２品の一個所に橋絡接続し
、スデソブリカハリダ・イオー）接続点より見てスロノ
１線路の・方の片側を開放することにより他方゛のＪ１
側より高次ｉＴｂ調波を出力する超高周波信号発生回路
。 ２ ステップリカバリダイオードに高周波正弦借りを加
えζ鋭い高周波パルスを発生さゼ該パルスの高次高調波
の超高周波成分を取り出す超高周波侶号発生回１１′古
に１３いて、ステンブリ力ハリダーＣオー１′をｆｉＬ
ＩｎＪ周波ス１」ノド線路の一個所に橋絡接続し、ステ
ップリカハリダイオ−１−接続点より見゛Ｃスロノ１線
ｉ／３の・力の片側を４分の１＃長で短絡終端すること
により他方の片側より高次高調波を出力する超高周波信
号発生回路。 ３ ステソプリカノ＼リダ・イオードに高周波正弦信号
を加えて鋭い高周波パルスを発生さ−Ｕ該ノ々ルスの高
次高調波の超高周波成分を取り出す超高周波信号発生回
路において、１つのスロノｌ−線ＰＲの片端に２分の１
波長の環状スロノ１線路を設り該環状スロット線路の各
アームの根元にステップリカバリダイオード１個づつを
極性を違え−こ橋絡接続することにより他方の片端より
高次高８ＩＩＪ波を出力Ｊ−る超高周波信号発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13372083A JPS6025309A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 超高周波信号発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13372083A JPS6025309A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 超高周波信号発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025309A true JPS6025309A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=15111325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13372083A Pending JPS6025309A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 超高周波信号発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304859A (en) * | 1990-04-06 | 1994-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate voltage generator and method therefor in a semiconductor device having internal stepped-down power supply voltage |
| US5801590A (en) * | 1995-07-31 | 1998-09-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator oscillator and down converter using the same |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP13372083A patent/JPS6025309A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304859A (en) * | 1990-04-06 | 1994-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate voltage generator and method therefor in a semiconductor device having internal stepped-down power supply voltage |
| US5315166A (en) * | 1990-04-06 | 1994-05-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate voltage generator and method therefor in a semiconductor device having selectively activated internal stepped-down power supply voltages |
| US5801590A (en) * | 1995-07-31 | 1998-09-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator oscillator and down converter using the same |
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