TW298685B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW298685B
TW298685B TW084110136A TW84110136A TW298685B TW 298685 B TW298685 B TW 298685B TW 084110136 A TW084110136 A TW 084110136A TW 84110136 A TW84110136 A TW 84110136A TW 298685 B TW298685 B TW 298685B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transistor
coupled
current
transistors
electrode
Prior art date
Application number
TW084110136A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics Nv filed Critical Philips Electronics Nv
Application granted granted Critical
Publication of TW298685B publication Critical patent/TW298685B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3217Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in single ended push-pull amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 A7 _____B7 五、發明説明(1 ) 海 · 本發明乃關於一放大器配置,包括: -一輸入終端,一輸出終端,第一及第二供應终端以接收 一供應電屢·, -一第一傳導式之第一電晶體及第二導式之第二電晶體, 每一電晶體有一控制極及第一,第二主電極, -一驅動器級含有一輸入耦合至輸入終端,及具有第一及 第二輸出耦合至第一及第二電晶體之控制電極, -該等第一及第二電晶禮之第二主電極辑合至第一及第二 供應終端,第一及第二電晶體之第一主電極耦合至輸出終 端。 此一放大器配置曾揭示於美國專利4,570,128之圖1中。此 在揭示之放大器配置中之驅動器級包含第三及第四電晶體 及平行耦合至驅動器級之第一及第二輸出之間。第三及第 四電晶體之控制極耦合至各別偏壓裝置。驅動器級之輸入 耦合至驅動器級之第二輸出,俾加在輸入之信號電流可直 接加在第二電晶體之控制極。加在輸入终端之信號電流可 造成在第一及第二輸出電晶體之控制極上之電壓同時增加 或降低。由於此電位之同時變化,可能軀使第一及第二電 晶體中之一個控制極上電位與供應終端電蜃接近,因而有 效地在一大信號電流加在輸入終端上時,使電晶體不導電 °其缺點是在信號電流再降低時有限時間即可將電晶體導 電。此開啓爲導電時間可造成失眞,特別是在第一電晶體 自第二電晶體接收時之交叉期間尤甚。 本發明之一目的在提供一具有減少失眞之放大器配置。 -4 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉Α4規格(210X297公釐) {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝_ 訂 線 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ______B7_____ 五、發明説明(2 ) 本發明之一放大器配置之特徵爲該驅動器級包含: -第二傳導式之第三及第六電晶體之第一傳導式之第四及 第五電晶體,每一電晶體具有控制極,第一及第二主電極 , •一供應第一電流之第一電流源,耦合至驅動器級之第一 供應終端及第一輸出之間, 供應一第二電流之第二電流源,耦合至驅動器鈒之第 二輸出及第二供應终端, -偏壓裝置,以供應各別偏壓至第三,第四,第五及第六 電晶體之控制極, -該等第三及第四電晶體之第二主電極耦合至驅動器級之 輸入, -該等第三電晶體之第一主電極及第五電晶體之第二主電 極耦合至驅動器級之第一輸出, -該等第四電晶體之第一主電極及第六電晶體之第二主電 極耦合至驅動器級之第二輸出。 本發明乃根據一項認知,即以防止由於大輸入信號之故而 使輸出電晶體被停止導電而使失眞降低。由第一電流源加 上之第一電流將被平均分配由第三及第四電晶體組成之電 晶嫌組中,正如由第二電流源供應之第二電流將被平均分 配在由第四及第六電晶體形成之電晶體組上一樣。加至驅 動器級之輸入級之信號將導至電晶體組每一電晶體上不同 電流之分配。在一極端狀況中,電晶嫌中之一可變成無電 流。如果第三或第四電晶體變成無電流,第五或第六電晶 -5- 氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210κ 29*7公资)一 ' -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝 .1Τ 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明(3 ) , » 體之存在將保證第一或第二電晶體保持被偏譽,因此永遠 以最小電流導電。根據本發明之方法,輸出電晶體無法成 爲非導電,結果,失眞已降低。 本發明之放大配置之具體實例之特徵爲第五及第六電晶 體之第一主電極搞合至堪動器級之輸入。 將第五及第六電晶髏之第一主電極連接至輸入,在驅動器 級之輸入將有一高阻抗,因而導致放大器配置之高增益。 本發明之放大器配置之一具體實例包含一米勒補償,其 特徵爲放大器配置包括一電容核合至堪動器級之輪出终端 及輸入之間。 放大器配置之對稱結構可使一有單一電容之回輸自輸出終 端至驅動器級之輸入以提供一米勒補償。 其他優異之具體實例在其餘專利申請中敘述。 本發明之上述目的及特性將由以下之較佳具雅實例之説 明及參考圖説而更爲明確。 圈1爲利用MOS電晶體之已知放大器配置之電路圖, 圖2爲利用MOS電晶體之本發明之放大器配置之第—具 體實例之電路圈, 圏3爲本發明利用MOS電晶體之放大器配置之第二個具 體實例之電路圖, 圈4爲本發明之放大器配置之與所示之具體實例共用之 偏壓裝置之電路圖, 圈5爲本發明之放大器配置之具體實例共用之偏壓裝置 之部份15另一舉例之電路圖。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) " ~ ' (請先閱讀背面之注意事項再填容本頁) -裝.
、1T 線 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(4 ) 在各圖中’相同另件採相同之參考號碼。本發明利用 電晶體予以説明,其中之控制電椏爲閘,第一主電接圈漏 極,第二電極爲源。亦可能使用雙極電晶體,其中控制極 爲基極,第一主電極爲集極,第一主電極爲射極。第一傳 導率電晶體爲P-頻道MOS電晶體,第一傳導率電晶嫌爲化 頻道MOS電晶髏,反之亦然。 圖1爲利用MOS電晶雄之已知放大器配置之電路圈。該 已知放大器配置含: -一輸入终端1,一輸出终端2,一第一及一第二供應終端3 、4,以接收供應電壓, -一第一 ρ-頻道電晶謹及一第二η-頻道電晶禮τ 1,T2 , -一驅動器級100,具有耦合至輸入終端1之一輸入5,及有 分別耦合至第一及第二電晶禮Τ1及Τ2之閘之第一及第二輸 出 6,7, 第一及第二電晶體Τ1及Τ2之源耦合至第一及第二供應终端 3,4,第一及第二電晶體ΤΙ,Τ2之漏極耦合至輸出终端2 。驅動器級100包括第三η-頻道電晶體Τ3及第四ρ-頻道電 晶體Τ4。第三及第四電晶體Τ3,Τ4及平行耦合至第一及 第二輸出6及7之間。閘則以各別偏壓加上偏壓。供應第一 電流之第一電流源10耦合至第一供應終端3及第一輸出6之 間,供應第二電流之第二電流源12耦合至第二輸出7及第 二供應終端4之間。驅動器級100之輸入5耦合至第二輸出7 ,第二輸出7則耦合至第三電晶體Τ3之源。一信號電流加 至驅動器級100之輸入5。當信號電流增加時,電晶體Τ2之 表紙張尺度適Ώ中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 :線 S98685 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ______B7_五、發明説明(5 ) 嫌 ·. 閘電餍將升高,而流經電晶體T3之電流將降低,因爲由第 二電源源12供應之第二電流爲常數。此將升高電晶體τι之 閘電壓,因而降低流經電晶體T1之電流,故輸出终端2將 爲下汽電流。由於電晶髏T3之漏極依賴電晶體T4之源,電 晶體T3及T4之接地閘構型將自電晶體ή之閘至T2之閘產 生平均增益。反之,當信號電流降低,通過電晶體T3之電 流將增加。此將使電晶體T2之電壓降低,因而增加流經電 晶體T1之電流,俾輸出終端2將爲源電流β加至輸入5之信 號電流將造成第一及第二電晶體Τ1及Τ2之閘電壓同時増或 減少。在極大信號電流之下,此可能使第一及第二電晶體 之閘一源電壓變爲接近〇,因而使電晶體不導電。由於内 部寄生電容,在被關閉之後,只要少時間即可使電晶體再 度導電。此一延遲會造成失眞,特別是在電晶體T1自丁2接 收期間之交叉時尤甚。 圖2爲利用MOS電晶體之本發明之放大器配置第—個具 體實例之電路圖。圈2中之驅動器級1〇〇與囷1中之堪動器 級100有以下之不同: -該驅動器級100尚包括第五p_頻道電晶體丁5及一第六…頻 道電晶體T6,及偏廛裝置14以供應分別偏壓至電晶體T3, T4,T5,T6之閘, -該等第四,第五電晶體T3,T4之源耦合至驅動器級100之 輸入5’第三電晶體丁3之漏極及第五電晶體Τ5之源極乃耦 合至驅動器級1〇〇之第一輸出6,第四電晶體Τ4之漏極及第 六電晶體Τ6之源極則耦合至驅動器級1〇〇之第二輸出6。 -8- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297^,4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 :旅 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(6 ) 第五及第六電晶體T5及T6作爲一源跟随器方式工作。第三 及第五電晶體T3及T5構成一對,流經電晶體之電流和與由 第一電流源12供應之第二電流相等。當無信號電流供應主 輸入5時,第三,四,五及六電晶體之靜態電流,選成爲 第一電流之半,此時第一電流等於第二電流。當一信號電 流加至輸入5,而有一負値時,因而自輸入5有下沉電流, 此额外電流將由電晶體T3所供應,該電晶體將傳導更多電 流。當流經電晶體T3及T5之電流和爲常數時,電晶謹丁5 將傳導少量電流。因此電晶體T5之源電壓將下降,因而電 晶體T1以較多電流導電。當電晶體T3以更多電流導電時, 其源電流則下降,造成流經電晶體T4之電流降低。此舉造 成流經電晶體T6電流增加,而電晶體T6之源電譽則下降。 經電晶體T3之電流增加不會引起流經電晶體T4之電流之下 降相等,此由於在輸入5之電流下沉之故。因此在第二對 電晶體T4及T6中之電流分配較第一對電晶體T3及T5中之 電流分配之變化爲少。此乃表示電晶體T5之源電蜃之變化 較電晶體T6之源電蜃變化爲大。在電流分配情況甚爲極端 情沉下,在一對電晶體中之一個,例如T4在極大負信號電 流加至輸入5時即變爲不導電,電晶體T6則以第二電流源 12之下沉電流而導電。當第二電流有一固定値,電晶體T6 之源電餍固定,因此,T2之閘電壓亦爲固定》將電晶體T6 之閘偏廛電蜃予以遑當選擇,及第二電流之値亦予選擇, 流經電晶體T2之第二電流値可設定爲最小値,因此,可防 止電晶雜T2變爲不導電。一正信號電流加在輸入5上之相 -9 - 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS )八4規格(2丨0X297公聲) I--------^~裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、!! 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明説明(7 ) 似討論亦可採行。防止電晶體T1及T2變爲不導電之另一優 點爲輸入5可用在供應電壓之間的偏壓加上偏壓。此在已 知放大器配置中不可行’其輸入5係以接近供應終端之値 予以偏壓。另一優點設計在放大器配置前之各級之設計更 有自由。 圏2中,電晶體T5及T6之漏極耦合至第二及第一供應端 點4及3 »流經電晶體T3中之信號電流將在第一電晶體η之 閘極遇到低阻抗,該低阻抗爲第五電晶體Τ5之源上之阻抗 。此舉引起放大器配置之低放大因數,因爲信號電流僅在 此低阻抗上形成低而小的信號電蜃。圖3爲本發明利用 MOS電晶體之放大器配置第二個具體實例之電路圖^在圖 3中,電晶體Τ5及Τ6之漏極均耦合至驅動器級1〇〇之輸入5 上,經由此一回輸,在輸入5上出現一個相當高之阻抗。 一個小電流變化將造成在第一或第二電晶體Tl,Τ2之閘極 大的電壓變化,因爲此閘之阻抗係由第二電流源1〇,12之 有限輸出阻抗來決定’該輸出阻抗通常極高。因此,放大 器配置之增益乃得以大幅改進。 在圖3中一電容21铁合在輸出終端2及輸入5之間。此電 容可提供米勒補償,該項補償在此技藝人士均所熟知。自 固態電路雜誌1朽4年1月份,Vol. 29, No. 1,64頁中得知 ’米勒補償係利用二個電容自漏極耦合至第一及第二電晶 體Tl’ T2之閘極。此舉有一主要缺點,即在電晶體τι或 T2中之一個閘級電壓突然改變會有一效應在另一電晶體閘 上’此乃由於電容耦合之原故。此一故應在電晶體以最小 -10- 本紙張尺度ii用中國“(CNS) A4%格(210><297公€-- (請先閱讀背面之注意事項t填寫本頁) •裝·
*1T :線 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(8 ) 電流導電而不負載任何信號電流時亦會發生。利用一單一 回輸電容自輸出終端2至輸入5即可避免。現在已無電容性 耦合於第一及第二電晶體各閘之間。 圈4爲與本發明放大器配置之具體實例共用之偏壓裝置 之電路圖。此偏壓装置14包括: -一第七p-頻道,一第八η-頻道及一第九p-頻道電晶體T7, Τ8,T9, •一第三電流源22供應第三電流,耦合至第一供應终端3及 第七電晶體Τ7之源間, -一第四電流源24供應第四電流,耦合至第九電晶鳢T9之 漏極及第二供應終端4之間。 第八電晶體Τ8之閘及漏極耦合至第七電晶體Τ7之源,第八 及第九電晶體Τ8,T9之源爲内聯。第九電晶嫌T9之漏極 耦合至該電晶體T9之閘。第七電晶體Τ*7之閘耦合至一參考 電壓Vref,第八及第九電晶體Τ8,T9之閘極耦合至第三及 第四電晶體T3及T4之閘。 耦合至電晶髏T7之閘的參考電壓Vref之値最好選擇爲供應 電壓之半》電晶體T8及T9利用二極體並經由電流源24予以 偏壓。電晶髏丁8及T9可看出爲電晶體T3及T4之翻板。爲 了適當匹配,流經電晶雅内之電流強度應該相等,即丁3及 T8與T4及T9所流之電流相等。如此等電晶體之表面面積 相等,則由電流源24所供應之電流應爲電流源12(或1 〇)所 供應之電流之半,因爲電晶體T3及T4僅載負電流源10或12 供應之電流之半。 -11 - 本紙m种ϋϋΙ:標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(9 ) 偏蜃裝置14尚包括: -一第五電流源26供應第五電流,及—第十及一第十一 p-頻 道電晶體T10,T11, -該第五電流源26耦合至第二供應終端4及第Η--電晶體 Τ11之漏極之間,第十一電晶體τΐΐ之閘及漏均内聯,第十 一電晶體Τ11之源則耦合至第十電晶體τΐο之閘及漏極,第 十電晶體Τ10之源耦合至第一供應終端3。 -一第六電流源28供應第六電流,及第十二及第十三η-頻道 電晶體Τ12,Τ13,第六電流源28耦合至第一供應終端3及 第十二電晶體Τ12之漏極,第十二電晶體Τ12之閘及漏極則 相互内聯,電晶體Τ12之源則耦合至第十三電晶體Τ13之閘 及漏極’第十三電晶體Τ13之源耦合至第二供應終端4。 電晶體Τ10,Til,Τ12,Τ13連接成二極體並由電流源26 將電晶體Τ10及Τ11予以偏廛,並由電流源28所供應之電流 將電晶體Τ12及Τ13予以偏壓。電晶體Τ11及Τ12乃電晶體 Τ5及Τ6之翻板,電晶體Τ10及Τ13可認爲是電晶體Τ1及Τ2 之翻板,有關電晶體(Τ11及Τ5,或Τ10及Τ1)之電流強度應 該相等以達良好匹配。如相關電晶體之表面面積相等,電 流源26及28之電流應爲電流源10及12電流之半。 圈5爲與本發明放大器配置之具體實例共用之偏塵裝置 之部份15之電路圖。部份15加偏壓於電晶體Τ5及Τ6之閘極 。自圖4電晶體Τ10,Til,Τ12及Τ13及電流源26及28由以 下所代替: -電晶體Τ14,Τ15, Τ16, Τ17,Τ18, Τ19,電晶體Τ14, -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 旅 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裳 298685 A7 ___B7 五、發明説明(10 ) ,+ T18,T19爲p-頻道電晶體,電晶體T15,T16,T17爲n-頻 道電晶體, •一電流源30供應第五電流,核合至第一供應终端3及電晶 體Τ14之源間, -一電流源32供應一第六電流,耦合至電晶體15之源及第 二供應終端4之間, -一電流源34供應一第七電流,耦合至第二供應终端3及電 晶體Τ18之源之間, •一電流源36供應一第八電流,Μ合至第二供應终端4及電 晶體Τ17源之間, 電晶體Τ14之閘耦合至第四電晶體Τ4之閘,及電晶體Τ14 之漏極耦合至Τ15之閘及漏極及第六電晶髏丁6之閘。電晶 SIT16之漏極耦合至Τ14之源》電晶體Τ16之源耦合至第二 終端4。電晶體Τ16之閘耦合至電晶體Τ15之源。電晶碰 Τ17之閘耦合至第三電晶體Τ3之閘,電晶體Τ17之漏極耦 合至Τ18之閘及漏極及第五電晶體Τ5之閘。電晶體Τ19之 漏極耦合至Τ17之源。電晶體19之源耦合至第一供應終端3 及電晶體Τ19之閘耦合至電晶體Τ18之源。電晶體Τ16及 Τ19爲電晶體Τ2及Τ1之比例翻板》電晶體Τ15及Τ18爲電晶 體Τ6及Τ5之翻板》電晶體Τ14及Τ17用來作爲位準移位器 ,分別限定電晶體Τ16及Τ19之漏極電蜃,以及間接限定電 晶體Τ1及Τ2之漏極電壓》爲了良好匹配,有關電晶體之電 流強度應相等。經由適當地選擇電流源30所供應之電流及 由電流源32所供應之電流及適當地將電晶體Τ16及Τ1 5與電 -13- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、π :線 本紙張尺度適用中國国家褚準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) A7 B7 五、發明説明() 晶體T2及T6之因數比例,流經電晶體T16之電流強度可能 流經電晶體T2。 本發明並不限於利用MOS電晶體之具體實例。亦可能利 用雙極電晶體,則閘,漏及源極應由基極,集極及射極所 代換。第一傳導率之電晶體將爲一 PNP電晶體,而第二傳 導式電晶體將爲NPN電晶體。源跟随器T5及T6應更名爲射 極跟隨器。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝.
、ST 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第84110136號專#請案- A8 中文中請專利範B8 _, “ 〆 ' ^ 08 _ 六、申請專利範圍 1. 一種放大器配置,包括: -一輸入終端(1),一輸出終端(2),供接收一供應電壓之 一第一供應終端(3)及第二供應終端(4), -一個第一傳導率式之第一電晶體(T1)及一個第二傳導 率式之第二電晶體(T2),每一均有一控制極及第一及第 二主電極, -一驅動器級(100),具有一輸入(5)耦合至輸入終端(1) ,及具有第一輸出(6)及第二輸出(7)分別耦合至第一電晶 體(T1)及第二電晶體(T2)之控制極, -該等第一及第二電晶體(ΤΙ,T2)之第二主電極分別耦 合至第一及第二供應於終端(3, 4),第一及第二電晶體 (ΤΙ,T2)之第一主電極耦合至輸出終端(2), 其特徵爲該驅動器級(100)包括: -第二傳導率式之第三及第六電晶體(T3,T6),及第一 傳導式之第四及第五電晶體(T4,T5),每一電晶體具有 一控制極,第一及第二主電極, -一第一電流源(10)用以供應第一電流,其耦合至第一 供應終端(1)及驅動器級(100)之第一輸出(6)之間, -一第二電流源(12)用以供應第二電流,其耦合至驅動 器級(100)之第二輸出(7)及第二供應終端(4)之間, -該等偏壓裝置(14)用以分別供應一偏壓電壓至第三, 第四,第五及第六電晶體(T3,T4,T5,T6)之控制極, -該等第三及第四電晶體(T3,T4)之第二主電極被耦合 至驅動器級(100)之輸入(5), 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 -該等第三電晶體(T3)之第—主電極及第五電晶體(T5) 之第一主電極被耗合至堪動器級(1〇〇)之第一輸出(6), -該等第四電晶體(Τ4)之第一主電極及第六電晶體(Τ6) I第二主電極被耦合至驅動器級(1〇〇)之第二輸出(7)。 2. 如申請專利範圍第丨項之放大器配置,其中第五,第六電 ηθ體(Τ5,Τ6)之第一主電極被搞合至驅動器級(丨〇〇)之輸 入(5)。 3. 如申請專利範園第2項之放大器配置,其中該放大器裝置 包括一電容(21)耦合至輸出終端(2)及驅動器級(1〇〇)之輸 入(5)之間。 4. 如申請專利範圍第丨,2或3項之放大配置,其中該偏壓 置包含: •第七,第八及第九電晶體(Τ7, Τ8, T9),每一均有一 控制極及第一,第二主電極,第八電晶體(Τ8)爲第二傳 導率式,第七及第九電晶體則爲第一傳導率式, -一第三電流源(22)用以供應第三電流,其耦合至第一 供應終端(3)及第七電晶體(Τ7)之第二主電極間, _一第四電流源(24)以供應第四電流,其耦合至第九電 晶體(T9)之第一主電極與第二供應終端(4)之間, 疋 -第八電晶體(Τ8)之控制極及第一主電極被耗合至第七 電晶體(Τ7)之第二主電極, -該等第八及第九電晶體(Τ8, Τ9)之第二主電極互相内 聯, -該第九電晶體(T9)之第一主電極被耦合至該電 之控制電極, ; 2- 良紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部中央榇準局貝工消費合作社印策 A8 Βδ C8 -----—.__DT_ 六、申請專利範圍 -該第七電晶體(T7)之控制電桎被耦合至一參考電壓, -該等第八,第九電晶體(T8,T9)之控制電極被分別耦 合至第三及第四電晶體(Τ3,Τ4)之控制電極。 5. 如申請專利範圍第4項之放大器配置,其中第四電流之値 實質上爲第一電流値之半,而第一電流値實質上等於第 二電流値》 6. 如申請專利範固第4項之放大器配置,其中偏壓裝置 尚包含: -一第五電流源(26)以供應第五電流,及第十及第十— 電晶體(Τ10, Τ11),每一電晶體均爲第一傳導率式,每 個均有一控制電極及第一,第二主電極, •一第五電流源(26)被耦合至第二供應终端(4)及第十一 電晶趙(Τ11)之第一主電極之間,第十一電晶趙(ΤΗ)之控 制極及第一主電極爲互相内聯,第--電晶趙(T11)之第 二主電極被耦合至第十電晶體(T10)之控制極及第一主電 極’第十電晶禮(T10)之第二主電極被搞合至第一供應終 端(3), 第六電流源(28)供應第六電流,及第十二及第十三 電晶體(T12,T13),每一電晶體均爲第二傳導式並且各 有一控制極及第一,第二主電極,第六電流源(28)被耦合 至第一供應終端(3)及第十二電晶體(τ 12)之第一主電極, 第十二電晶趙(T12)之控制極及第一主電極互相内連,電 bIi禮(T12)之第二主電極被搞合至第十三電晶趙(丁13)之控 制極及第一主電極,第十三電晶體(T13)之第二主電極被 耦合至第二供應終端(4) » -3- 本以張尺度逋用中國國家標準(CNS )八4见格(210X297公着) 一--— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -.*1 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 如申請專利範固第6項之放大器配置,其中第五及第六電 流之値每個均等於第一電流之半。 如申請專利範固第4項之放大器配置,其中偏壓裝置(14) 尚包含: -第十’第十_,第十二,第十三,第十四及第十五電 晶趙(T14, T15’ T16,T17’ T18,T19),每一均有一控 制極,第一及第二主電極,第十,第十四及第十五電晶 體(T14, T18, T19)爲第一傳導式,而第十一,第十二及 第十三電晶體(T15,T16, T17)則爲第二傳導式電晶體, 第五電流源(3〇)用以供應第五電流,其耦合至第一 供應終端(3)及第十電晶體(T14)之第二主電極之間, _該第十電晶體(Τ14)之控制極被耦合至第四電晶體(Τ4) 之控制極,第十電晶體(Τ14)之第一主電極被耦合至第十 一電晶體(Τ15)之控制極及第一主電極,及第六電晶體(Τ6) 之控制極, -一第穴電流源(32)用以供應一第六電流,其核合至第 十一電晶體(Τ15)之第二主電極及第二供應終端(4)之間, -該第十二電晶體(Τ16)之第一主電極被耦合至第十電晶 體(Τ14)之第二主電極, 該第十二電晶體(Τ16)之第二主電極被耦合至第二供應 終端(4), ' -該第十二電晶禮(Τ16)之控制極被糕合至第十一電晶體 (Τ15)之第二主電極, 第七電流源(34)用以供應第七電流,其糕合至第一 供應終端(3)及第十四電晶體(Τ18)之第二主電源, -4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210x297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 1Τ· 專- A8 B8 C8 D8 七、申請專利範圍 -一第八電流源(36)用以供應第八電流,其耦合至第二 供應終端(4)及第十三電晶體(T17)之第二主電極, -該第十三電晶體(T17)之控制極被耦合至第三電晶體 (T3)之控制極,第十三電晶體(T17)之第一主電極被耦合 至第十四電晶體(T18)之控制極及第一主電極及第五電晶 體(T5)之控制極, •該第十五電晶體(T19)之第一主電極被耦合至第十三電 晶體(T17)之第二主電極, -該第十五電晶體(T19)之第二主電極被耦合至第一供應 終端(3), -該第十五電晶體(T19)之控制極被耦合至第十四電晶體 (T18)之第二主電極。 9.如申請專利範圍第8項之放大器配置,其中第六及第八電 流之値各實質上爲第一電流値之半。 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐〉
TW084110136A 1994-10-10 1995-09-27 TW298685B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP94202924 1994-10-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW298685B true TW298685B (zh) 1997-02-21

Family

ID=8217266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW084110136A TW298685B (zh) 1994-10-10 1995-09-27

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5955923A (zh)
EP (1) EP0733281B1 (zh)
KR (1) KR960706713A (zh)
TW (1) TW298685B (zh)
WO (1) WO1996011528A2 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1310042B1 (en) 2000-08-07 2007-11-21 Nxp B.V. Noise and input impedance matched amplifier
US6765438B1 (en) 2001-11-01 2004-07-20 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. Transconductance power amplifier
US8648579B2 (en) * 2006-03-17 2014-02-11 St-Ericsson Sa Supply circuit with ripple compensation

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4570128A (en) * 1984-07-05 1986-02-11 National Semiconductor Corporation Class AB output circuit with large swing
US4857863A (en) * 1988-08-25 1989-08-15 Motorola, Inc. Low power output driver circuit with slew rate limiting
US5039953A (en) * 1990-05-18 1991-08-13 Hewlett-Packard Company Class AB CMOS output amplifier
US5057790A (en) * 1990-07-16 1991-10-15 Landi Ernest D High efficiency class A amplifier
US5218321A (en) * 1991-06-18 1993-06-08 Harris Corporation Low offset unity gain buffer amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
WO1996011528A3 (en) 1996-07-25
EP0733281B1 (en) 2001-06-13
WO1996011528A2 (en) 1996-04-18
US5955923A (en) 1999-09-21
EP0733281A1 (en) 1996-09-25
KR960706713A (ko) 1996-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW413974B (en) Circuit and method for regulating a voltage
TW295745B (zh)
TW200830076A (en) Voltage reference circuit and method therefor
TW463466B (en) Current A/D converter and the unit cell thereof
JPS62120121A (ja) Cmos出力ドライブ回路
TW201135397A (en) Voltage and current generator with an approximately zero temperature coefficient
TWI251733B (en) Reference voltage circuit and electronic device
TW298685B (zh)
TW314627B (zh)
TWI235294B (en) Reference voltage generating circuit and internal voltage generating circuit for controlling internal voltage level
TW567585B (en) Integrated circuit
TW449961B (en) Active operation-point adjustment for a power amplifier
TW495656B (en) Semiconductor device
TW200836485A (en) Level shifter
JPS6190509A (ja) トランジスタ又はダイオードの模擬回路
CN108347243A (zh) 电平转换器
TW200413879A (en) Regulator and related control method for preventing exceeding initial current by compensation current of additional current mirror
TW305956B (zh)
TW417355B (en) Switch circuit
JPS60500785A (ja) 電圧基準回路
TW498608B (en) Receiver with switched current feedback for controlled hysteresis
TW310499B (zh)
JPH1127065A (ja) 半導体集積回路
TW546894B (en) Power supply for individually controlling discharge current and absorbing current as output current supplied to load
CN111813172A (zh) 一种应用于数模转换器的线性稳压器