TW298670B

TW298670B -

Info

Publication number: TW298670B
Application number: TW084104766A
Authority: TW
Original assignee: Texas Instruments Inc; Tri Chemical Lab Inc
Priority date: 1994-03-14
Filing date: 1995-05-15
Publication date: 1997-02-21
Also published as: EP0674019A1; DE69509959T2; DE69509959D1; JPH07252664A; EP0674019B1; KR950032706A

Description

298670 — _ 五、發明説明（本發明係關於藉溶膠法以形成酸錄⑽）_)之方法，製造電容器2 =是锆_ 源溶液。⑻以法，麟W狀方法，及截 —種經結構化而已連續地薄膜，係作爲絕緣薄膜(介：2用：及31。2之0N( 讀中構成供存儲元相之電容4器)。使用，其係在例如動態但是，ΟΝΟ薄膜之有效介電常數很小容器介電薄膜之凰洚大d爲5，所以電複雜性之=Γί，必須在顧慮到面積之大小與形狀之

Mb之大^▲下製㈣薄，而此等顧慮係在使用低於256 程序中^、儲器時，爲擴大其面積所需要的，因此在此程序中引進極多困難。與此相反’具有相對較大介電常數從數⑽至數娜之 f結晶結構型鐵電材科，已被認爲是在動態讀中供電容器用之未來的絕緣材料。經濟部中央標準局員工消費合作社印製對於形成PZT薄膜而言，於鐵電材料中特別是指Pb阶，

Tl)〇3，可使用例如溶膠方法、CVD(化學氣相成長）方法及濺射万法’作爲用以形成薄膜之方法。藉溶膠法形成是特別優先使㈣。在藉轉_成薄膜時，所製備之源溶液 (;谷膠;答液）之品質，會決定最後所獲得薄膜之電特性。在藉由溶膠法形成Pb(Zr，Ti)〇3薄膜中所使用之源溶液（洛膠落液），其製備方法將參照圖18進行解釋。 -3 - 本紙張认it财®m$im (CNS) A4^ 五、發明説明（2 ) A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製首先’在程序1巾’將作爲原料之水合三乙酸祕(邮 _)2.3¥，使用聞（例如，在許多情況中經常使用甲氧基乙醇）稀釋。該水合三乙_之結晶水’係於程序2中經過i2〇i6(rc 煮沸，而連續被脱除。其次，於程序3中，係將異丙氧基鈇川陶2_4與正-丁氧基級⑽3(cH2)2GH2G}_人該⑽雜液中。可同時添加二乙醇胺，作爲安定劑。各前述成份之齡濃度，彳杨示_18巾。作爲溶劑使用义甲乳基乙其量係於雜液之製備階財經過調整，故未指示。其次，敛-錯與锆-错之雙境氧化物，係於程序4中，經由120—16G°C下之蒸糾形成。假設此魏氧化物係根據下文所示之反應式而形成。 Pb(CH3C00)2 + Ti[(CH3)2cH〇]4 —_2_(CH5)2]P 2陶眞0CH3 Pb(CH3C00)2 + Zr[CH3(CH2)2cH2〇]4 —浙™ 2肌）叫]2+2eH3((：H2)孤㈣Η: 其濃度係於程序5中，經由姑古法3由λ 而連續地調整。由補充程序4中所蒸發之溶劑短經由在程序6中添加水及在程序7中攬拌，而使程序4中_成之雙燒氧化#行水_収縮合反應， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝_ 訂 '京· -Jn» IH. A7 B7 298670 五、發明説明（3 ) 然後，促進前述金屬氧化物之聚合反應，以製備溶膠溶液。假設此程序係根據下丈所示之反應式進展。水解作用（假定爲部分水解作用）：

PbTi02[0CH(CH3)2]2 + H2〇 -PbTi02[0C(CH3)2]0H + (CH2)2CH0H PbZr02[0CH2(0CH2)2CH]2 + H20

-PbZr02t〇CH2(CH2)2CH3]〇H + CH3(CH2)2CH2〇H 縮合反應（但是，M絲* Ti或Zi*，及R係爲训CH3)2 或-CH2(CH2)2CH3):

PbM02(0R)0H : PbM02-0-M02Pb + H2〇 -CH(CH3)2^-CH2(CH2)2CH3) 〇 ' (請先閲讀背面之注意事項#-填寫本頁) 裝訂經濟部中央揉準局員工消費合作社印製

PbM02-〇-M02Pb + H20 OR OR 於此情況中，眞實的聚合反應係經過以下述方式重複進展之雙垸氧化物之水解作用與縮合作用（但是，R係表示 Pb - | 0 1 Pb • | -0 | 〇一 Μ - t 1 OR+H2 0 〇 -1 1 -M - (水解作用） Pb -1 〇 1 0 - Pb Pb 1 1 I -ov 1 0 - 1 1 1 1 Μ-0Η+Η0+Η0- M - 〇 1 1 1 ^ 0 .· 1 OR I OR 1 OR OH + 〇H 〇 - Pb (縮合作用）各紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐)— A7五、經濟部中央標準局員工消費合作社印製發明説明（4) 依此方式所獲得PZT溶膠溶物係於程序6與程序7中，經過=徵’在於該金屬氧化合。 &解作用與縮合作用進行聚漬塗覆方法塗佈於基材之頂部，於3。。。。: = 經塗覆之溶膠薄膜係改變成乾凝膠狀態：體古該乾凝膠經過氧化燒結程序’在高於議。(：之 =二，形成具有_礦結晶結構之經燒結薄膜 Pb(Zr，Ti)〇3，意即ρζτ薄膜。作=已確認的是，當將此PZT薄膜在例如存儲元件中作爲電4中之介電薄膜使科，薄卿成係爲不均勾的，且其電阻很小。經過費心診察，根據本發明之目的，已經發現，於前述程序3中將異丙氧魏與正—丁氧基锆加人乙酸錯溶液中 (例如，甲氧基乙醇作麟劑），且㈣述爲形成雙燒氧化、程序4中進行此等物質之區段蒸飽，會擴大對於隨後在程序6與7巾缝化物之聚合反應上之不利影襟。更明確言之，於程序4中所形成之各雙烷氧化物： PbTl〇2{〇CH(CH3)2}2#PbZr02{〇CH2(CH2)2CH3}2 , 不同崞殘基（OR)，因此在程序6與程序7中之水解作用與縮合作用’不會均勾地進展，且不同類型之醇殘基（〇R)係經混合’並存在於各個此等反應階段中所形成之分子中。此種不同醇殘基，意即異斤^基與正-丁氧基，於水解本紙诋國家樣準（CNS ) A4規格（21GX297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社即製五、發明説明（5 ) 期間具有不同反應速度，且在某些情況下，可與其他副產物反應。因此，高度可能發生的情況是，各種類型之分予結構將被混合並存在於所形成之縮合產物中，將造成結構分離，或將形成各種類型之副產物。再者，作爲溶劑使用之甲氧基乙醇，亦會以下述方式參與反應，故此溶劑在程序4期間，會與程序3之烷氧化物反應’並與雙燒戰化物混合，進一步使得此反應不均勻。這是不能避免的，甚至當前述醇殘基（〇R)在兩種雙燒氧化物中均相同時亦然。

Ti[(CH2)2CH0]4 + 4CH3〇C2H4〇H

- Ti(0C2H40CH3)4 + 4(CH3)2CH0H Zr[CH3(CH2)2CH2〇]4 + 4CH30C2H40H - Zr(0C2H40CH3)4 + 4CH3(CH2)2CH20H Pb(CH3C00)2 + Ti(0C2H40CH3)4 -PbTi02(OC2H4〇CH3)2 + 2CH3OC2H4OCOCH3 Pb(CH300)2 + Zr(0C2H40CH3)4 - PbZr(0C2H40CH3)2 + 2CH30C2H40C0CH3 如前述，關於現有之溶膠溶液，雙烷氧化物於製造過程期間之反應，及隨後經過水解與縮合作用之聚合反應，均以不均勻方式發生。因此，所形成之PZT薄膜之膜質性與電特性，例如殘留磁性，均易於不充分，且未能滿足所要求之性能。本發明之一項目的，係爲提供一種形成鐵電薄膜之方法，該薄膜具有優越膜質性與電特性，此係由於在溶膠溶液 .....-..................裝................訂................線 (請先閲讀背面之注意事！塡寫本頁)

五、發明説明（6 ) 之預備程序_之均勾反應結果所致，且讀金屬氧化物之聚合反應上舰著令人滿意之加速作用。本發明亦係關於-種使㈣薄膜製造電絲之方法，及_種製備其源溶液（溶膠溶液）之方法，以及源溶液本身。根據本發明，讀述__溶液之預触序期間所發生之複雜反應已經被確認，且已明瞭，該金屬氧化物（雙烷氧化物〉先質之聚合程序，已經由審視其預備程序之處理條件而明瞭，且已建立新穎預備程序。發明摘述更明確ΈΓ之，在藉溶膠法形成由錯酸鈦酸錯所組成之鐵電薄膜上，根據本發明係提供一種方法，其包括：程序（a)係爲獲得脂肪酸鉛，程序（b)係爲獲得鈦烷氧化物，程序（0係爲獲得锆烷氧化物，其具有與該鈦垸氧化物相同之醇殘基，經濟部中央標準局員工消費合作社印製及程序（d)係爲形成錯鈥雙烷氧化物及錯锆雙燒氧化物，其方式是將前述脂肪酸鉛、前述鈦烷氧化物及前述锆燒氧化物混合在一起。根據本發明，該形成鐵電薄膜之方法，較佳係包括：一個用以形成脂肪酸鉛（例如，乙酸鉛Pb(CH3C00)2) 之程序（a)，其中係首先將一種水合脂肪酸鉛（例如水合乙酸鉛Pb(CH3C00)2*3H20)藉一種醇溶劑（例如，甲氧基乙醇CH3〇C2H4OH)稀釋，然後例如在120-180°C下煮沸30 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社邱製五、發明説明（7) 分鐘至2小時，以脱除結晶水。一個經由醇交換以形成鈦垸氧化物（例如，甲氧基乙氧基欽Ti(GC2H4GGH3)4)之程序⑻，其中係首先將作爲原料之鈦烷氧化物（例如，異丙氧基鈥Ti{(CH3)2CH〇h)藉前迷醇溶劑稀釋，然後在高於醇（例如，異丙醇（CH3)2CH〇沸點之溫度下煮沸，此醇係爲鈦烷氧化物之成份（例如 70-190°C)，進行例如3〇分鐘至2小時。一個經由醇交換以形成锆烷氧化物（例如，甲氧基乙氧基锆Zr(OC2H4〇CH3)4)之程序（c)，其中係首先將作爲原料之锆烷氧化物（例如，正-丁氧基^Zr{CH3(CH2)2CH2〇}4 )藉前述醇溶劑稀釋，然後在高於醇（例如，正_ 丁醇 CHdCHahCI^OH)之沸點之溫度下煮沸，此醇係爲锆燒氧化物之成份（例如70-19(TC)，進行例如3〇分鐘至2小時。及一個用以形成鈦鉛雙垸氧化物（例如，二甲氧基乙氧基鈇錯PbTi〇2(OC2H4〇CH3)2)與鲒势雙燒氧化物（例如，一甲乳基乙戰基錯錯PbZr02 (0C2H40CH3) 2)之程序（d)，其中係將前述脂肪酸鉛、經由前述醇交換所形成之前述鈦燒氧化物及前述锆垸氧化物，於溫度（例如12〇 _ 20〇。〇)高於該醇沸點下煮沸，在前述醇溶劑中及在作爲前述脂肪酸錯之成份之脂肪酸酯（例如，乙酸甲氧基乙酿）中，進行例如3-10小時。於形成鈦鉛雙烷氧化物與锆鉛雙烷氧化物之後，理想上係將此等反應產物冷卻至室溫，其濃度係藉由添加前述醇進行調整，並經由添加水及攪拌（例如在高於水之沸點下本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公赞) -----·...................裝................訂..............線 (請先閲讀背面之注意事^名塡寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) — —- ，榷拌12-36小時），以對前述反應產物進一步提供水解作用與縮合反應，以聚合該前述反應產物。產物之沉澱及副產物之形成，可在反應產物之聚合反應後，將反應溶液於溫度高於100X：下煮沸而防止。 ^ 可添加一種安定劑，例如垸醇胺（例如，二乙醇胺）及/ 或乃-二酮（例如，乙醯丙酮），以防止產物之沉澱，至少是在從各前述程序以形成鈦鉛雙垸氧化物與锆鉛雙垸氧化物之程序期間。所添加之量，較佳係低於鐵電薄膜構成金屬全部莫耳數之1.0倍。四級金屬元素，例如鋼、鈮及鐵，可在例如前述程序中，雙烷氧化物之形成程序期間添加，以防止當使用所形成之PZT薄膜時之疲勞（降低殘留磁性値）及電流經過外加電壓之逆轉而滲漏。於使用根據本發明之方法，經過前述反應產物之聚合反應，以製備源溶液（溶膠溶液）之後，可形成—種鐵電薄膜 ’其方式是塗覆該源溶液，經由乾燥該經塗覆之源溶液而形成乾燥薄膜，及燒結該乾燥薄膜。根據本發明，亦提供一種製造電容器（例如，在半導體存儲裝置中之電容器）之方法，其中係以下述方式形成鐵電薄膜，將前述所製成之源溶液塗覆於上方電極之頂部上 ’使其乾m輯獲得之乾燥雜，並將此薄膜之不必要部份消除，且鐵電薄麟以特殊圖案留讀述上方電極之頂部，及在該鐵電薄膜之頂部上，進—步形成—個上方電極。本紙張尺度適用t ® ®家標準(CNS)A4^⑽X297公楚y" ——·...................裝-...............訂................線 i 5 (請先閲讀背面之注意事思爿塡寫本頁) A7 B7 五、發明説明（9 ) 根據本發明，亦提供一種經由各前迷程序製備供膜用之源¥液之方法，及本發明亦提供該經製備之原/、' 本身。 Λ、合液附圈簡述圖1係爲根據本發明之來源溶液預備程序之流程圖。圖2係爲根據本發明藉溶膠法形成ΡΖΤ薄膜程序之流程圖0 圖3係爲電容相對於外加電壓之圖表，其顯示使用以本發明爲基礎之源溶液，藉溶膠法所形成之ΡΖΤ薄膜之C-V 特性。圖4係爲殘留磁性値相對於外加電壓之圖表，其顯示相同ΡΖΤ薄膜由於殘留磁性之磁滞曲線。圖5係爲電流送、度相對於外加電壓之圖表，其顯示相同 ΡΖΤ薄膜之I-V特性。圖6(A)係爲橫截面示意圖，其中ΡΖΤ薄膜係於基材頂部形成。圖6(B)係爲與圖6(A)中所示之相同結構，當沿著圖6(A) 中之線Α-Α破裂時之斜紋示意圖。圖7(A)與7(B)係爲SEM照片，顯示根據本發明之ρζτ薄膜於圖6(B)中所示之條件下之平坦表面。圖8係爲一種並非以本發明爲基礎之ρζτ薄膜之SEM照片 ’與圖7(A)及7(B)作對照。圖9係爲一種在動態RAM中之存儲元件，於其製造方法 -11 - (請先閲讀背面之注意事^爿塡寫本頁) 裝· 線經濟部中央標準局員工消費合作社印製

A7 B7 298670 五、發明説明（10) 义一個加工處理階段上之放大橫截面圖。圖1〇係爲該存儲元件於其製造方法巾齡κ9中所示之加工處理隨後之個加王處贿段之放大橫截面圖。圖11係爲該存儲元件於其製造方法中接在圜10中所示之加工處理階段後之另—個加工處理階段之放大橫截面圖。圖12係爲該存儲元件於其製造方法中接在圖11中所示之加工處理階段後之另_個加工處理階段之放大橫截面圖。圖13係爲該存儲元件於其製造方法中接在圖丨2中所示之加工處理陽段後之另一個加工處理階段之放大橫截面圖。圖14係爲該存儲元件於其製造方法中接在圖13中所示之加工處理階段後之另—個加工處理階段之放大橫截面圖0 圖15係爲該存儲元件於其製造方法中接在圖14中所示之加工處理階段後之另—個加工處理階段之放大橫截面圖。圖16係爲相同存儲元件呈其完整形式，沿著圖17中之線 xvi-xvi所取得之放大橫截面圖。圖Η係顯示鄰近圖9-16中所示類型之存儲元件之—部份動態RAM之頂部平面圖。圖18係爲一種並非以本發明爲基礎之源溶液預備程序之流程圖。於附圖中所採用之參考數字與符號爲： 1...矽基材，3._4+-型源區域，4...1^-型棑乾區域， 6.-.下方電極，7...鐵電薄膜021'薄膜），8...上方電極， CAP···電容器，TR...轉移閘極，及M-CEL.·.存儲元件。 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(21〇X297公釐) ----·...............裝................訂................線 (請先閲讀背面之注意事^名塡寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五發明説明（11) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製首先，根據本發明，製備源溶液（溶膠溶液），以作成如特殊實例中所示之ρζτ薄膜之方法，係根據圖丨加以解釋。於源落液之預備方法中之主要程序，係包括：程序j，其中在水合三乙酸鉛Pb(CH3COO)2.3H2〇中之結晶水，係被脱除；程序II與III，其中係在使用—種溶劑（曱氧基乙醇 CH3〇C2H4〇H)稀釋後，對異丙氧基鈦Ti{(CH3)2CH〇}4與正_ 丁氧基锆Zr{CH3(CH2)2CH2〇}4個別地進行醇交換；程序IV ，其中係形成雙烷氧化物，且同時排除副產物；及程序VII 與VIII ’其中經過水解作用與縮合反應之聚合作用係被加速。各程序將連續地於下文解釋。程序_ί (結晶水之脱.除）爲了簡化化學式，故使用縮窝[CHgCO-] = Ac (乙醯基）及[CH3〇C2H4·] = Rm (甲氧基乙基）〇於水合三乙酸錯 Pb(CH3COO)2_3H2〇中之結晶水，係於此方法中經過高於水沸點之加熱，特別是在12〇-180。(〕（例如160°C)下，進行30 分鐘至2小時（例如1小時）而被脱除。Pb(0AC)2.3H20 - Pb(0Ac)2 + 3H20 丨...（1) 除了結晶水之脱除外，下述酯化作用係發生於紅基團與 Rm基團之間，並形成Pb(0Rm)2(甲氧基乙氧基鉛）與Rm〇Ac( 乙酸甲氧基乙酯）。Pb(0AC)2 + 4RmOH - Pb(0Rffl)2 + 2RmOAc + 2Η20ΐ...(2) 於此情況中，所形成之RmOAc之量，係爲全部Ac莫耳數之約6%，此表示Pb(0AC)2與Pb(〇Rm)2有效共存於程序I之 -13 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 一請先閲讀背面之注意事^ΐ塡寫本頁) 裝- 、?τ 線· 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 —_Έ.--- 五、發明説明（12) ί谷液中。 muTi溶液之製備）於此處使用縮窝[(CH3)2CH_] = Rp (異丙基）。溶劑 CH3〇C2H4OH具有一個[-0H](羥基），成於Ti(〇Rp)4之間經過高於異丙醇Rp〇H之沸點（82.5。〇煮沸而進行醇交換，特別是在7〇-190。(:（例如160。(:）下進行3〇分鐘至2小時（例如1 小時）。

Ti(〇Rp)4 + xRmOH — Ti(0Rm)x + xRp〇H ί···(3) 此方程式（3)係爲一種平衡反應。因此，x之値係根據各起始濃度而不同，且當χ=4時，可獲得Ti(〇Rm)4。 I^UUZr溶该之劁備）此處使用縮寫[CH3(CH2)2CH2-] =Rb (正-丁基）。此溶液CH3〇C2H4OH具有[-0H](羥基），並於Zr(0Rb)4t間經過高於正-丁醇Rb〇H沸點（117.4°C)之煮沸而進行醇交換，特別是在70-190T：(例如160。〇下進行30分鐘至2小時（例如1 小時）〇

Zr(0Rb)4 + xRinOH — Zr(ORb)4-x(〇Rm)x + xRb0Hi...(4) 此方程式（4)係爲一種平衡反應。因此，x之値係根據各起始濃度而不同，且當x=4時，可獲得Zr(〇Rm)4。筵座丄1_(_諸溶液之混合，I烷氣化物之劁槠及副產物夕排 fkl 將程序I、II及III中所製成之溶液混合，並經過高於甲氧基乙基RmOAc之沸點（143°c)，特別是在120-200X：(例如 180°C)下進行加熱與攪拌（蒸餾）3-10小時（例如6小時）， -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇χ297>5ί_瘦) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、π JIH JI. A7

經濟部中央標準局員工消費合作社印製而排除溶劑RpOH、Rb〇H及RmOAc。關於各溶液之基本反廣式，係重排如下：程序 I : Pb(0Ac)2+4Rm0H - Pb(0Rm)2+2Rm0Ac+2H20i...(2) 程序II : Ti(0Rp)4 + 4RmOH - Ti(0Rm)4 + 4Rp〇Hf. · .(3) 程序III : Zr(0Rb)4 + 4RmOH - Zr(0Rm)4 + 4Rb〇ui...(4) 於各程序中溶液之濃度（以甲氧基乙醇Rm〇H作爲溶齊j : 亦點124°C)，係如下文所列示。以Pb(0Ac)2 : Pb(0Ac)2.3H20表示時爲〇.〇1-2.〇莫耳/ 升，例如0.275莫耳/升（Pb濃度係爲過量）川01^)4:0.〇5-1.0莫耳/升，例如〇.125莫耳/升 ^(01^)4:0.〇5-1.0莫耳/升，例如〇.125莫耳/升此處副產物之沸點係如下文所列示。 RP〇H(異丙醇）：沸點二82.5T：

Rb〇H(正-丁醇）：沸點=117.4°C RmOAc(乙酸曱氧基乙酯）：沸點=i43.(TC 如上述，前述之基本反應（2)至（4)係朝向右邊進展，例如於18(TC下經過蒸餾而棑除rp〇h、Rb〇H及Rm〇Ac。但是，如前述’ RmOAc於蒸餾期間，係於全部紅莫耳數之6%下被安定化。因此，大部份Pb，於程序I期間係爲Pb(〇Ac)2，並與少量Pb(ORm)2共存。此等反應係於程序丨丨與丨丨丨期間，持續地朝向右邊進展，並主要地形成Ti(0Rm)jZr(0Rm)4 Ο 前述反應產物於程序IV中，係以下述方式進行反應，並形成雙烷氧化物？1)1^02(〇1^)2與？1)&〇2(〇1^)2。 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21όχ297公羞） '「^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 發明説明（14)

Pb(0Ac)2 + Ti(0Rm)4 _ PbTi02(0Rm)2 + 2RmOAct···(5) Pb(0Ac)2 + Zr(0Rm)4 _ PbZr02(〇Rffl)2 + 2RmOAci···(6) 依此方式所獲得之雙燒氧化物，具有下列結構式。

Pb-0

I I 0 ·个-ORm ORm Μ表示Ti或Zr 於此反應期間所留下之物質，例‘於18〇。匸下蒸餾後，主要係包括雙燒氧化物PbM〇2(ORm)2;少量Pb(〇Rm)2與 RmOH亦存在。程序V(洽卻）首先將程序IV中所獲得之高溫雙垸氧化物溶液，冷卻至室溫，並移轉至隨後之程序VI。程序VI(濃麿之詷罄）雙燒氧化物之濃度，係由於前述程序期間，之消耗或蒸飽而增加，因此添加溶劑以將其稀釋至所期望之濃度。程序VII (水之恭加=水解作用）經濟部中央標準局員工消費合作社印製將與溶液中之金屬總莫耳數相同量之水，加入已經調整濃度之雙垸氧化物溶液中，以進行水解作用（但可進—步添加RmOH}。更明確T之，前述有機金屬化合物（雙垸氧化物），於程序丨V期間，經過蒸餾所獲得之溶液中，係以中間產物形成，且存在於此種物質中之-ORm基團，當遭遇1{2〇時，會進行水解作用，如下文所示，並改變成[-0H]基團。 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ规格（2丨0X297公釐）

Pb-0

Pb-( A7 ---_B7 ____ 五、發明説明（---

-ORm + h2〇 ^ -oh + Rm〇H 再者’ -〇H會與其他_〇H縮合，且此處所形成之一次有助於轉作用。 2 ’再 '°H + OH- ^ -〇 h20 物之檯拌奧聚合作甩_1 [IRm]係於前逑反應中轉變成[_〇H]，且聚合作用係進一步經過縮合作用而進展。此可經過攬拌而達成，特別是在高於水之沸點下（例如120。〇，歷經12-36小時（例如24 小時），根據下文所指之反應進行（M表示Ti或Zr)。

Pb-〇〇Rm + H20 - 〇 . M -〇H + RmOH -.(7) I 丨 0—Pb 〇 · M -OH + HO-M · 0

Pb-0 0—Pb

一 1 I I I 0·Μ-〇-Μ·0 + Η2〇···(8) ORm ORra (縮合作用）當此等反應（7)與（8)連續進展時，該雙燒氧化物係被聚合。依此方式，可以獲得一種所要之雙烷氧化物（金屬氧化物）之經聚合溶液，其係爲用以形成PZT薄膜之溶膠溶液0 其次，將考慮以中間產物形成之前述Pb(〇Rm)2(甲氧基乙氧基鉛）之聚合作用。首先，將[-〇Rm]轉變成[_0H]，如於下文方程式中，經過連續發生前述水解作用、[_〇H]之 -17 - 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I — f請先閲讀背面之注意事^再填寫本頁)

-S 經濟部中央標準局員工消費合作社印製經濟部中央標準局員工消費合作社印製〇 A7 ----------- B7 五、發明説日K 16) ' — 縮合作用，及經過重複此等反應而使卜Pb_〇_]聚合。

RiO-Pb-〇H + H〇-Pb-〇Rm -> Rm〇-Pb-〇-Pb-〇Rm + Η2〇.·.(ΐ〇) 正如可從上述解釋而顯然發現者，基於本發明之溶膠溶液之預備方法，其特徵在於，對各反應產物，鈥垸氧化物 Tl(〇Rm)4與锆烷氧化物Zr(⑽m)4，均具有醇殘基（〇Rm)，特別是在雙烷氧化物形成程序（程序IV)期間，已經配合程序II與III。該特徵允許卓越之交互作用，這是現有方法中所不能預期的。更明確百之，水解作用與縮合作用在程序7丨丨與乂丨丨丨中係均勻地進展（於各雙烷氧化物中無實質上差異），因爲對於每一種於程序IV中所形成之前述雙烷氧化物而言，其醇殘基（ORm)均相同。因此，在所獲得之金屬氧化物之高分子量化合物中之醇殘基，變得均勾，其分子結構變得疋（《結構性分離），且副產物（Rm〇Ac)之種類減少而易於排除。再者，於所有前述程序I、丨丨及丨丨丨中，均使用相同甲氣基乙醇（RmOH)作爲溶劑，因此前述金屬垸氧化物與雙燒氧化物I形成反應與聚合反應，均經過此溶劑於反應中之參與，而均勾地進展，且副產物（例如Rm〇Ac)之種類減少而易於排除。關於副產物，於程序^、⑴及IV中之處理溫度，係建旦在高於欲被棑除之副產物dO、Rm〇Ac、Rp〇H&Rb〇H)之濟點下’因此不期望之副產物均可充分地被排除，且隨後之金屬氧化物之聚合反應，可更均勻地達成 _ 18 - 本紙張尺度適财SS緖？M c^TX4胁（2丨Qx2^^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裳_ 訂 • HI n J— · 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（17) 用==_勻形成反應，及随後經過水解作 =而獲付基於本發明所製成之溶膠溶液。因此，因有 ==分離與分解所造成之分予間應力，可以減成之m 《缺陷，例如細孔，可以降低，而且所形 4膜具有足夠之電特性，例如顯示平滑表面、大關留磁性、則爾流料，因而滿足料性能之要求自該溶液之⑽作用，可錄止，其方程序仙後，將該溶液於溫度高於刚。c下棄济在^成队四級金屬元素，例域、鈮及鐵，可_雙燒氧化物之形成程序期間添加，例如在前述程序之間，以防止當使用此pzt薄膜時之疲勞現象（於殘留磁性値上之降低），及電流經過外加電壓之逆轉而滲漏。反應產物於雜中之赌作用，可經轉加—種燒醇胺 (例如，二乙醇胺）及/或广二酮（例如，乙酿基丙嗣）作爲安定劑而加以防止。於前述程序π、程序1π、程序ιν 及程序νιπ中，可至少在程序1v中添加適當量之此種安定劑，以進展反應（但是，若狀況許可，仍不建與111中進行此種添加作業）。當意圖改良ΡΠ薄膜之性能 (例如，改良殘留磁性密度）時，建議之添加量係低於鐵電薄膜構成成份之金屬全部莫耳數之1.0倍。例如，以安定劑混合之二乙醇胺NH(C2H40H)2，係經過鍵結及{NH(C2H4〇-)2}nM之亨感·，而具有防止M(〇H)n沉殿 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐了------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

、1T i— I τ- A7 五、發明説明（l8) 之功能，且觸(C2h4〇h)2結合之金屬原子之聚未進一步進展。 J⑴ 更明確言之，_合作霞，觀較純化物聚 Pb，與留在溶液中之Μ，其化學平衡係顯示式（11)之反應式中〇Ρ_)2係經過此反應而万程方程式(12)中所示之反應中，則進-步形成ΝΗ ’且[-Pb-0-k縮合翻則停止。此反應產物，係於& 薄膜形成期間，經賴難較而自⑽⑽輝出於稍後描述，因此發生。-項類似反4不僅發= 於Pb，而且亦可考慮對以與&發生；一般認爲戽有弱鍵結 iPb反應，會優先進展。因此，ΝΗ((：2Η4〇Η)2戽有藉由才二制水解作用而防止沉澱作用之功能，龙具有控制[ 聚合作用之功能〇 -M-O-Pb-O-M-O- + 2H, 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝. -、1T. 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 -M-OH + HO-Pb-OH + HO-M- (11) OH-Pb-OH + NH(C2H4OH)2 - NH(C2H40-}2Pb + 2Ηϊ〇 ··, (12} 可添加一種安定劑，例如二合醇胺，而達例知0.25莫耳 * ^1— In 4— · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央標準局員工消費合作社印製 2^8670 at 五説明ΓΤ^ϊ一" ' /升之濃度，但當前述反應理想地進展時，及在沉澱作用不會發生（不會形成M(0H)n)之情況中時，此種添加並不需要。但是，可在前述程序VIII中攢拌後，添加金屬全部莫耳數t約10%之二乙醇胺，以在—段時間後，預期會因空氣中之水份而形成時，防止沉澱作用。當在前述程序VIII中之攪拌，係在高於水之沸點下進行時，例如在約120°C下，則ΙΟ係被脱除且前述反應（1丨）之發展係被防止，其會阻止M(0H)n形成。其次，使用前述程序所製成之PZT溶膠溶液，以形成ΡΖΤ 薄膜之方法，將描述於圖2中。首先’將前述預備程序（圖1 )中所獲得之溶膠溶液，於程序IX中，藉旋轉塗覆方法（或浸潰塗覆方法），塗覆在Si 基材上。將作爲下方電極之一個Pt薄膜（厚度2000 A)及一個Ti薄膜（厚度500 A)，依照從頂部算起之此種順序，藉濺射方法或CVD方法，於覆蓋在Si基材上之Si02薄膜（厚度 1000 A)之頂部形成，其中前述溶膠溶液係被塗覆在最上方之Pt薄膜上。當乾燥時，塗層厚度可爲2〇〇〇 A。於其上經塗覆溶液之基材，係於程序X中，在經溫熱至 100_300°C(例如，170°C)之加熱區段上，連續乾燥例如3 分鐘，及在程序XI中，係在高於6〇(TC(例如，650。〇下，提供試驗性燒結，歷經例如10分鐘。於重複進行程序IX至程序XI，歷經意欲之次數後，於程序XII中，在高於6〇〇。〇 (例如，650。〇下，提供永久性燒結，歷經例如1小時。經過前述程序，獲得具有厚度爲2000 A之PZT薄膜。藉 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -訂 JI. A7 B7 五、發明説明（20) 濺射方法，於所獲得之pzt薄膜之表面上，形成一個腩上方電極。所度量之電特性，係顯示於圖3-5中。圖3顯示C-V曲線，其係藉準靜態方法度量（準靜態c_v 度量方法：dV/dt=0.2 V/秒）。度量電壓係建立在土 ι,65ν 與土 4.0V。藉基於本發明之溶液所形成之ρζτ薄膜之電容，係與度量電壓一起增加，如以實線所示者，表現出此鐵電薄膜獨特之特性。與此相反，使用一種已知之現有溶液（參考圖18)所形成之ΡΖΤ薄膜之電容，如虛線所示是很小的，即使當度量電壓爲± 4.0V時亦然。圖4顯示磁滯曲線，其係藉圖3中之c-V曲線測定。以本發明爲基礎之ΡΖΤ薄膜之殘留磁性値Pr，係與度量電壓上之增加，成比例地増加，如以實線所示者，並於± 4V下之度量期間獲得19.0-20.0 /iC/cm2之數値。當在不變性存儲器（其將於梢後描述）中之電容器，係使用此PZT薄膜製成時，此殘留磁性密度係處於允許儲存大量電荷380-400 fc/z/in2之程度下。此程度遠超過所需要之10〇 fc/)Um2。抵抗性電場Ec很小，且轉換容易。與此相反，使用已知之現有PZT薄膜，獲得殘留磁性密度大約僅10 # C/cm2，如由虛線所示者，即使當度量電壓爲± 4.0V時亦然，且抵抗性電場亦會增加。圖5顯示PZT薄膜之I-V曲線。當對上方Au電極施加正偏壓時，獲得低於1〇-8 A/cm2之相對較小値。這表示基於本發明所製成之溶液，所形成冬證亭之電流滲漏實質上很小 ^^^適用中國國家標準（〔阳）八4规格（210\297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝- -訂· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（21) A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製，然而一般報告之數値係大到/ cffi2。正如概要地於圖6(A)中所顯示者，係產生—個破碎截面 :如圖6⑻中所示，其方式是切基材1之頂部，形成前 =万電極Pt(Tl 6，於其頂部形成ρζτ薄膜？，並於圖 )中藉Α-Α線所示之位置處斷裂。圖7(A)與7⑻似糾本發明之ρζτ軸，於斷裂位置、表面之SEM (掃描式電予顯微鏡）觀察照片。可發現係形成—個平滑表面，其中微細粒子係㈣齡於其上。咸過其會產生前述優越特性。上與此相反，於-種已知之現有ρζτ薄膜之表面上，ρζτ顆粒《生長，係相對較大，且表面平滑性係爲缺乏的，因此變成前述特性上退化之原因。其次，將說明—項實例，其中ΡΖΤ薄膜，係使用基於本發月《各膠,谷液所形成，將該薄膜使用於—種動態腫 —件（例如’種不變性存儲型）中之電容器（例如，積型）中。首先’將-種動態RAM存儲元件之實例，示还 17中。個被場氧化物薄膜2所分隔之元件區域，係在例如卜 _基材1之-個主要表面上形成，並於此區域上形成— 個轉移閘極TR，其包括—個跳晶體管，及—個存儲元件 M_CEL，其包括—個電容器CAP。將例如個N+型來源區域3與—個N+型消耗區域4，個别地經過雜質擴散而形成於該轉移閘極tr上。—個字元存堆圖 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 、1Τ 本紙張从適财關 23 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 — ——— - __B7 五、發明説明" -- 線WL，係經過此等區域間之閘極氧化物薄膜5形成，且一個數元線BL，係經過絕緣層9與1〇(例如Si〇2)中之接觸孔 11，連接至該消耗區域4。電容器CAP係稱爲堆積型。—個下方電極6係經過絕緣層10中足接觸孔12 ,連接至來源區域3 ; ρζτ鐵電薄膜7與一個上方電極8係連續層合在該下方電極6之頂部。鐵電薄膜7，係含有電容器CAp,及包括ρπ,其係爲使用基於本發明之前述源溶液，藉溶膠法所形成之pb(Zr,Ti )〇3薄膜。下方電極6可爲例如鎢層或鈦層，且例如以係沉積於其頂部（但是，例如Pt之指示，係於圖中消除）。與鐵電薄膜接觸之上方電極8可爲例如Pt、Au或鋁。其次，關於存儲元件M-CEL之製造方法，將參照圖9_16 加以解釋。首先，如圖9中所示，場氧化物薄膜2係於p_型矽基材 (晶片）1之頂部上，藉選擇性氧化程序形成。閘極氧化物薄膜5與聚矽字元線虬，係個別地藉熱氧化方法及化學氣相生長方法形成。再者，N+—型來源區域3與消耗區域4 ，係個別地經過N-型雜質（例如As)之熱擴散而形成。接觸孔12，係藉光石印術於si〇2絕緣層1〇上形成，後者係於來源區域3上，藉化學氣相生長方法，沈積於其整個表面上。如圖10中所示，具有pt層於鎢或鈦層頂部上之下方電極 6 ，係以下述方式連續形成，以致使其係在接觸孔以處，與來源區域3形成連接點声先石印術，對鎢或欽層本紙張適用中國ΐ豕榡準（CNS ) ( 21GX 297公i ) _ *— -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 n 1— In J— 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（23) 或經塗覆於整個表面上之!^表面層提供某些圖樣而形成。其次，如圖11中所示，溶膠源溶液17係藉旋轉塗覆方法或浸漬塗覆方法，塗覆於包括下方電極6之整個表面上。此源溶液17具有與上述溶液（參考圖1)相同組成。其次，將已塗有源溶液17之晶片，加熱至特定溫度（1〇〇_ 300 C，例如17〇。〇)，歷經例如3分鐘，並將已塗覆之溶液乾燥，而形成乾凝膠薄膜27，如圖12中所示。其、人，於乾燥元成後，將晶片試驗性地於會形成約欽療結晶之溫度（高於6〇〇。(：，例如65(rc)T，燒結1〇分鐘。然後，在重複前述乾燥後，在高於60(rc(例如65〇〇c)下永久性地燒結（氧化燒結）例如60分鐘，則一個鐵電薄膜7係於其整個表面上形成，如圖13中所示。爲形成特定厚度（例如，2〇〇〇 A)下之鐵電薄膜7 ,可經由重複圖11中之塗覆程序，圖12中之乾燥程序，及按需要而定，行前述之試驗性燒結程序，以層合數個乾薄膜層，及獲侍最後薄膜厚度，而無需一次立即達成所意欲之厚度其次，如圖14中所示，於整個表面上所形成之鐵電薄膜 7之没有必要部份，係藉例如乾蝕刻方法去除，且ρζτ 電薄膜7係以特定圖案，於下方電極6之頂部上形成。 f次，如圖15中所示，—個上方電極8，其可爲例如始 :係以特㈣案，在錢電薄膜7接合處，藉光石印術形再者，夹層絕緣薄膜10與9、25择觸孔以數元線BL，係本紙張纽適用中>爾(2»^^ (請先閱讀背面之注^Φ項再填、寫本耳j

298670 A7 B7 五、發明説明（24) 個別地藉-般已知之方法形成，並製備—個如圖之存儲元件。斤不於此存儲元件中之電容脱卩之鐵電_7，係使於本發明之源溶液形成。因此，如前述，其薄膜表平坦的，且可獲得大的殘留磁性値及小的電料漏== 性。兒本發明之—項具體實施例已於上文解釋，但前述具體實施例，可以本發明之技術概念爲基礎，進—步修正例如，替代乙酸鉛，可使用脂肪酸鉛化合物7例如2_乙基己酸雜環⑽甲酸鉛作聽料份，Μ備前述溶^ 源溶液。替代異丙氧基鈥，可使用鈥烷氧化物，例，口四乙氧基鈥、四-正-丁氧基鈥、正-丁氧基鈇及四_正_戊氧基妖。替代正-丁氧基錯，可使用锆烷氧化物，例如異丙氧基錯、四乙氧基錯、四-正-丁氧基锆及四-正-戊氧化基參。每一種此等起始成份，可以一種型式使用，或可爲數種型式之組合。經濟部中央標準局員工消費合作社印製於前述程序II與III中之每一種稀的烷氧化物溶液，其煮沸溫度可按下文所示而建立，因異丙酵之殊點係爲82.5 。(：，正•丁醇之料係爲98-lGG°C，及乙#祕係爲78八〇

°C 異-丙氧基-Ti : 80-190°C 正-丁氧基-Ti ·· 90_190°C 四乙氧基-τί: 7〇-ΐ9〇°ς 26 _ 私紙張尺度逋用中國國家榡準（CNS ) Α4规格（21〇Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（2δ)

異-丙氧基-Zr : 80-190°C 正-丁氧基-Zr : 90-19(TC 四乙氧基-Zr : 70-19(TC 因此，於前述程序II至III、前述程序I、及前述程序IV 中之熱裂法之溫度，可個別地建立在70-190T：、120-180 °(：及120-200°(：下。替代甲氧基乙醇，可使用例如正-丙醇、異丙醇或正-丁醇，作爲溶劑。替代二乙醇胺，可使用烷醇胺類，例如二丙醇胺與三乙醇胺，或乃-二酮類，例如乙醯基丙酮，共同地使用，作爲安定劑。可在本發明中獲得之鐵電物質，其組成可以改變。而且 ’其應用並非僅限制於堆積型電容器。可使用一種結構，其中前述堆積型電容器係於3丨〇2薄膜之頂部形成，且電容器之下方電極係被延長並連接至轉移閘極之來源區域。亦可將其應用在並非堆積型之電容器中，但具有一種結構，其中電容器係整體位於所謂壕溝（溝槽）内。如前述，根據本發明，爲使用溶膠法形成由锆酸鈦酸鉛所組成之鐵電薄膜，故個別地進行程序（a)，以獲得脂肪酸鉛，程序（b)，以獲得鈦烷氧化物，程序（c)，以獲得锆垸氧化物，其具有與該鈦燒氧化物相同之醇殘基，及程序（d)以形成鉛鈥雙碜2等少物及鉛錐雙烷氧化物， &紙張尺度適用中國國家) A4^ (训幻97公董）------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· ,11 A7 __________B7 五、發明説明（26) 其方式是將前述脂肪酸鉛、前述鈦烷氧化物及前述鲒燒氧化物混合在一起，以致使随後之水解作用與縮合作用將會均勻地進展（於各雙燒氧化物中無實質上差異），因爲對於在程序（d)中所形成之每一種前述雙垸氧化物而言，其醇殘基均相同。因此，在所獲得之金屬氧化物之高分予量化合物中之醇殘基，會變成恒定（無結構性分離），且副產物之種類會減少而易於排除。結果，因所獲得之高聚合體化合物中之有機基團之結構性分離與分解所造成之分子間應力，可以減輕，且密度缺陷，例如細孔，可以降低。因此，由根據本發明之此種凝膠溶液所形成之PZT薄膜，具有足夠之電特性，例如顯示平滑表面、大的殘留磁性、及小的電流滲漏，以及滿足所要求之性能。 I 「裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -28 - 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims

Η 2^·· Μ 利申請案第8WJ4766

(Submitted on March y〇7l996] 經濟部中央標準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐）補充 «' .^. —1 - 、申凊專利範園 1. 種使用落膠法以形成由锆酸鈦酸鉛所組成之鐵電薄膜 (万法，此方法係包括：程序（a)以獲得脂肪酸鉛[化合物]，程序（b)以獲得鈦烷氧化物， ' 程序（c)以獲得锆烷氧化物，其具有與該鈦烷氧化物相同之醇殘基，、 ·- 及租序（d)以形成鉛鈦雙烷氧化物及鉛銼雙烷氧化物，其方式是混合前述脂肪酸鉛、前述鈦烷氧化物及前迷锆烷氧化物。 . 2. 根據申請專利範圍第l·項之方法，其包括：程序（a)以形成脂肪酸错[化合物]，其中係將—種水合脂肪酸鉛[化合物]，使用一種醇溶劑稀釋，，然後將其者济，而使結晶水脱除；程序（b)經由醇交換以形成鈦烷氧化物，其方式是將作爲原料使用之鈇烷氧化物，使用前述醇溶劑稀釋，然後在溫度高於作爲該鈦烷氧化物之成份之醇之沸點下，將其煮沸，程序（0經由醇交換以形成錘烷氧化物，其方式是將作爲原料之錘烷氧化物，使用前述醇溶劑稀釋，然後在溫度高於作爲該锆烷氧化物之成份之醇之沸點下，將其煮沸，及程序（d)用以形成錯鈥雙炫氧化物與錄錯雙炫氧化物，其方式是將前述脂肪酸鉛、經由前述醇交換所形成之前述鈦烷务化物、及前述锆烷氧化物，在溫度高於作一 —2 9 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕

經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 A8 S ---------------D8 六'申請專利範圍爲則述醇士劑之醇及8,」述脂肪酸错之成彳分之脂肪酸與醋之沸點下煮沸。 3.根據申請專利範圍第2項之方法，其中係在形成該鉛鈦雙烷氧化物與鉛鲒雙烷氧化物後，將此種反應產物冷卻至室概，其濃度係經由添加_種醇溶劑而加以調整，經由添加水及攪拌’而對前述反應產物進一步提供水解作用，卫前述反應產物亦經由縮合反應而進行聚合。 4_根據申請專利範圍第卜3項中任—項之方法，其中係添加-種由料驗/或^ H域之安定劑，該添加之量係㈣供錢電薄膜構成金屬用之金屬總莫耳數 =0倍’此項作業係至少於雜雙垸氧化物與错錯雙烷氧化物之形成程序中形成。又 5. 根據中請專圍第3.項之方法，其中該反應產物經由攪拌足聚合作用，係在高於其沸點下進行。 6. 根據中請專利第3.項之方法，其中係於反應產物 I衆合作用後，將反應溶液於溫度高於10(TC下煮沸。 7·根據中請專利範圍第1項之方法，其中係添加四級金屬元素，例如鑭、鈮及鐵。 8 .根據申清專利範圍第3.項之方法，其中係首先經由反應產物之策合作用，以製備源溶液，塗覆該源溶液’ 藉由乾燥該經塗覆之源溶液，而形成乾薄膜，及燒結該乾薄膜，以形成鐵電薄膜。 9.一種製造電容器之方法，其係經由塗覆與乾燥該源溶液 — — -30 - ___________ 本紙eNS> A4“_ 丨 21Qx297公I ) ' — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '今訂 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍，及燒結所獲得之乾薄膜，並以申請專利範圍第8項中所述進行，以在下方電極之頂部上形成鐵電薄膜，去除該薄膜之没有必要部份，並於前述下方電極之頂部上留下呈特定圖案之鐵電薄膜，及進一步於該鐵電薄膜之頂部上形成一個上方電極。 10. 根據申請專利範圍，第9項之方法，其係用以製造一種半導體存儲裝置中之電容器。 11. 一種製備源溶液之方法，其中供鐵電薄膜用之源溶液，係根據申請專利範圍第1項之方法獲得者。 · 12. —種源溶液，其係根據申請專利範圍第1項之方法製成者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）