i、發明説明（/ ) <發明領域> 本發明係關於一種用於製造一個半導體元件方法（特 別是諸如包含堆叠細胞電容器的動態RAM元件）· <發明背景> 以一個COB (細胞在位元線上）結構來製造用於堆 叠動態RAM的記憶體細胞是需要大量的流程·通常敘述 在下文中的二個主要的方法被使用在一個於字線（此後 稱爲WL)與位元線（此後稱爲BL)之間的交互層絕緣 薄膜的形成之後· 第一個主要的方法包括諸如在下面1'9的步驟· 1 · 一個影印石版術步驟用於形成使用於連接BL到 基片的位元線接觸（此後稱爲BLCT); 2 . —個BLCT蝕刻步驟； 3 · —個BL材料的沉澱步騄； 4 · 一個BL影印石版術步驟； 5 · —個BL蝕刻步驟； 6 · —個交互層絕緣薄膜的形成以從儲藏節點（此 後稱爲SN )分開BL ; 7 · —個影印石版術步驟用於形成使用於連接SN到 基片的儲藏節點接觸（此後稱爲SNCT); 8 . —個SNCT蝕刻步驟； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（21〇Χ297公釐） -----------I — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2) 9 · 一個SN材料的沉澱步驟. 第二個主要的方法是一個方法用於形成'個中介的 傳導性層於BL和基片之間，於SN與基片之間，或於二 個之間BL和SN之間.使用以下的程序1 ·15 (於呈現在 下面的例子，BLPAD和SNPAD兩者被使用）· 1 ·—個影印石版術步驟用於形成一個位元線接觸 1 (此後稱爲BLCT1 )用於連接BLPAD到基片與一個儀 藏節點接觭1 (此後稱爲SNCT1 )用於連接SNPAD到基 片； 2 ·—個步驟用於蝕刻BLCT1和SNCT1 ; 3 · —個步驟用於置放BLPAD和SNPAD材料； 4 · 一個影印石版術步驟用於BLPAD和SNPAD ; 5 · —個步驟用於蝕刻BLPAD和SNPAD ; 6 · —個交互層絕緣薄膜的形成以從BL分開 BLPAD ； 7·—個影印石版術步驟用於形成一個位元線接觸 2 (此後稱爲BLCT2 )用於連接BLPAD到BL ; 8 . —個步驟用於蝕刻BLCT2 ; 9 · 一個步驟用於置放BL材料； 10 ♦—個影印石版術步驟用於BL; 11 . 一個步驟用於蝕刻BL ; 12 ♦—個交互層絕緣薄膜的形成以從SN分開BL ; 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） —1------^1裝------訂------Λ, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 13 · —個影印石版術步驟用於形成一個儲藏節點接 觸2 (此後稱爲SNCT2 )用於連接SNPAD到SN ; 14 . 一個步驟用於蝕刻SNCT2 ; 4 15 * —個步驟用於置放SN材料· 上述之第一個主要的方法將被參考圖6Γ69說明· 如顯示於圖62，一個閘氧化物薄膜5被以熱量氧化 所形成，其是在一個選擇性的場二氧化矽薄膜2的形成 之後，其使用一般知道的LOCOS方法在一個基於一個一 般知道流程的P·類型矽基片1的主要邊•此經由影印石版 術被型式以形成字線WL·接著此字線WL被使用當作一 個罩幕以經由離子注入來注射一個η類型摻雜劑（例如， 砷或磷）進入矽基片1· n+類型半導體地區（排極與源 極）使用一個自我對齊技術來形成·於此方法，可獲得 —個轉移閘TR . 此外，一個二氧化矽邊牆（未顯示）被形成在字線WL 的側邊，其使用一個一般知道的邊牆技術其經由蝕刻一 個經由CVD置放在整個表面的絕緣層（諸如一個二氧化 矽層）·接著字線WL與邊牆被使用爲罩幕以經由離子注 入注射一個η類型摻雜劑到一個先前形成的相對厚深度 的一個η類型半導體地區以便有一個低的濃度· η+類型 排地區3與n+類型來源地區4 (儲存節點）被使用一個 自我對齊技術來形成·這是轉移閘TR能被形成的另外的 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------裝------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（产） 方法· 接著一個交互層絕緣薄膜7(於圖中以單一層7來簡 化解釋）經由製成薄版被形成於矽基片1，一個二氧化 4 矽鈍化層，一個四氮化三矽層的表面用於保護在下列的 層等等· 接著一個包括一個光阻或多元矽的罩幕8被形成在 前述的交互層絕緣薄膜7的頂端，然後選擇性暴露並開 發以形成一個非罩幕《域（開口）8a用於位元線接觸 BLCT · 接著，如顯示於圖63，罩幕8將會被使用於蝕刻交 互層絕緣薄膜7直到矽基片1以形成位元線接觸洞 BLCT · 接著，如顯示於圖64，在其一個罩幕9以一個需要 的型式被使用於實行飩刻如顯示於圖65來形成諸如那些 顯示於圖66的位元線BL後，位元線材料BI/經由噴射等 等被拊著· 接著，如顯示於圖67，在其一個罩幕11被形成如顯 示於圖68並被選擇性暴餚與開發以形成一個非罩幕區域 11a用於儲藏節點接觸後，一個交互層絕緣薄膜10被形 成以從SN分開BL . 接著，如顯示於圖69，罩幕11被選擇性使用於蝕刻 交互層絕緣薄膜1❶與7直到矽基片1，藉以形成一個儲 藏節點接觸洞SNCT . 接著，如顯示於圖70，功能如儲藏節點材料的多元 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 I-----------I------II-------A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5) 砂12被附著.接著，實行下列步驟：多元矽層型式，表 面氧化’氮化，沉澱，等等，以形成一個誘電性的薄膜 100與較高的電極1〇1 .於此方法，已有了堆疊電容器. 4 圖71-79舉例說明第一個主要方法的另外例子. 於此例子，SNCT是自我對齊於BL .如此，如果那 裡有一個氧化物薄膜被使用爲交互層絕緣薄膜7，BL 的外圍被一個氮化物薄膜20所遮蓋，其後交互層絕緣薄 膜7與一個包含一個開口 18a的罩幕18在那上面被形成 如圖71 . 接著，如顯示於圖72，位元線接觸洞BLCT被形成 在交互層絕緣薄膜7上. 接著，如顯示於圖73，位元線材料BL·與一個氮化 物薄膜13被製成薄版以形成一個罩幕19如顯示於圖 74,其被使用於蝕刻和形成位元線BL於需要的型式如顯 示於圖75 . 接著，如顯示於圖76，一個包括氮化物薄膜的邊牆 (14)被形成在位元線BL的側邊，其後一個罩幕21經 過一個影印石版術流程被形成如顯示於圖77 · 接著，如顯示於圖78，交互層絕緣薄膜7被蝕刻以 形成一個延伸到矽基片1的儲藏節點接觸洞SNCT · 接著，如顯示於圖79，一個功能如一個儲藏節點材 料的多元矽層（22)被附著· 然而，舉例說明圖62-7〇與71-79的第一個方法從以 下観點是有問題的· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------------------A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^95709 A7 B7_ 五、發明説明（6 ) (1 ) 有大量的步驟，因爲有二個接觸洞形成處理 (用於 BLCT 和 SNCT ) · (2 )如果SNCT未自我對齊於BL (圖$2-70 )，需 要空間以對齊SNCT到BL ·此使得它難以減少細胞的大 小尺寸· (3 )如果SNCT是自我對齊於BL (圓71-79 )，則 於洞形成流程期間必需實行高選擇性的蝕刻法在氧化物 薄膜與氮化物薄膜•如此程序需要特別的裝備·此外， 一個有高誘電性的常數在包圍BL的氧化物薄膜的氮化 物薄膜的使用增加了 BL的寄生電容·此減少電路的操作 速度並容易造成較大的電力消耗· 上述之第二個主要的方法現在將參考圖80_94被敘 述. 如顯示於圖80，擴散地區，字線WL，二氧化矽層 3Γ，與邊牆30被以上述相同方法形成在矽基片1上·一 個罩幕38被形成以產生於個別字線WL之間的洞· 接著，如顯示於圖81，位元線接餚洞BLCT1與SNCT 接觸洞SNCT1被以蝕刻法來形成· 接著，如顯示於圖82，附著中介的傳導性層材料 BLPAD’和SNPAD’用於位元線BL與儲藏節點SN · 接著，如顯示於圖83，一個罩幕30被形成和使用來 選擇性蝕刻PAD材料以形成中介的傳導性層BLPAD和 SNPAD如顯示於圖84 · 接著，如顯示於圖85，一個交互層絕緣薄膜Μ被形 -8 - 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0Χ297公釐） ---------i------IT------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7) 成和使用顯示於圖86的罩幕32被選擇性蝕刻直到中介的 導體BLPAD .於此方法，一個位元線接觸經過洞BLCT2 被形如顯示於圖87 . 接著，如顯示於圖88，位元線材料BL，經由噴射等 等被附著·然後使用一個罩幕（39)以需要的型式如顯 示於圖89來蝕刻.於此方法，位元線bl被形成如顯示 於圖90 · 接著，如顯示於圖91，一個交互層絕緣薄膜40被形 成以從SN分開BL，其後一個罩幕41被形成如顯示於圖 92 ·此是選擇性被暴露與開發以形成一個非罩幕區域 (4U )用於接觸儲藏節點· 接著，如顯示於圖93，罩幕41被選擇性使用於蝕刻 交互層絕緣薄膜40與31以形成一個儲藏節點接觸經過洞 SNCT2 · 接著，如顯示於圖94，附著一個功能如一個儲藏節 點材料的多元矽層42 ·接著多元矽層被型式，而表面氧 化等等被實作以形成一個誘電性材料與形成一個較高的 電極·於此方法，已有了一個堆叠電容器· 如此，舉例說明於圖80-94的第二個方法，其大量的 步驟是最顯著的問題· 如上述，到此爲止的方法已是現成可用來解決一或 二個以下的問題：步驟數目的增加，減少細胞大小尺寸 的困難，特性惡化·然而，並沒有方法是現成可用來解 決所有這些問題·本發明的目的是提供一種方法可同時 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2 10X297公釐） ^n' n i —^n ^——11 nn· 1— Ih ^^^^1 a^n— >11^1 1^/ In、一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A/ B7 五、發明説明（g) 來解決所有前述的問題· <發明槪要> 4 較特別地，本發明是關於一種半導體元件與它的製 造方法，其中於製造一個包含記憶體細胞的半導體元件 期間，於其中在一個有字線的電晶體的一個擴散地區被 連接到位元線，而其它擴散地區被連接到一個電容器， 包含下列的事物：一個形成一個用於連接到前述的位元 線的接觸洞與一個用於連接到前述電容器的接觸洞的步 驟；與一個步驟，其當位元線形成材料被型式以形成位 元線時，用於連接到接觸洞的前述的接觸洞被充滿一個 傳導性的材料· 以本發明的半導體元件製造方法，它是可能來蝕刻 一個絕緣薄膜，遮蔽一個包含位元線的表面，因此它依 然是一個邊牆在前述的位元線的側邊，而同時除去位於 接觸洞最高處用於連接到電容器的前述絕緣薄膜·此 外，它是可能來附著一個儲藏節點材料在前述的絕緣薄 膜被除去後· 此外，在前述的接觸洞形成之後，當型式位元線形 成材料以形成位元線時，用於連接到位元線的接觸洞與 用於連接到電容器的接觸洞能被充滿一個傳導性的材 料，其後前述的位元線形成材料能被附著•然後它是可 能來型式前述的位元線形成材料以形成位元線. -10- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貫) 、-'° 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（f) 於此狀況下，在位元線的形成之後，前述的位元線 的旁邊與在接觸洞之內用於連接到電容器的傳導性的材 料的頂端能被氧化，其後一個形成在整個表面上的絕緣 薄膜能被蝕刻以形成在前述位元線側邊的一個較厚邊 牆. 此外，在前述的接觸洞的形成之後，當型式位元線 形成材料以形成位元線時，用於連接到位元線的接餳洞 與用於連接到電容器的接觸洞能被充滿一個傳導性的材 料，其後前述的位元線形成材料能被附著·然後它是可 能來型式前述的位元線形成材料以形成位元線·接著， 一個形成在整個表面上的絕緣薄膜能被蝕刻回去以形成 前述的位元線側邊的一個厚邊牆· 於此狀況下，在邊牆的形成之後能附著一個儲藏節 點材料· <圖示簡述> 圖1是一個本發明的運用例子的動態RAM記憶體細 胞製造方法的一個步驟的擴大剖面（沿著圖17線X-X的 剖面；以下枏同）· 圖2是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圓3是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） ----------Ί------II------求 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（/G ) 圖4是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面. 圖S是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖6是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖7是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖8仍是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另 外步驟的擴大剖面· 圖9是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的一個 步驟的擴大剖面（沿著圖17線Y-Y的剖面；以下相同）· 圖1〇是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖11是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖12是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖13是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驂的擴大剖面* 圖14是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步騍的擴大剖面· 圖15是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 12- 本紙張尺度適用中瑀國家標準( CNS ) A4規格（210X297公瘦^ ------------装------.W------.-^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（//) 圖16仍是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另 外步驟的擴大剖面· 圖17是前述的記憶體細胞的平面圖· f 圖18是一個本發明的另外運用例子的動態RAM記憶 體細胞製造方法的一個步驟的擴大剖面· 圖19是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖20是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖21是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖22是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖23是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖24是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖25是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖26是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖27是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖28是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 -13- 本紙張國國家橾準(CNS ) A4規格（210X297公釐） --------------1T------Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（/2 ) 步驟的擴大剖面· 圖29是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖30是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖31是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖32是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖33是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖34是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖35是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖36是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖37是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖38是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖39是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面* 圖40是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 -14- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --------1^.------1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（/3) 步驟的擴大剖面· 圖41仍是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另 外步驟的擴大剖面· 圖42是一個本發明的另外運用例子的動態RAM記憶 體細胞製造方法的一個步驟的擴大剖面· 圖43是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖44是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖45是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖46是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖4<7是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖48是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖49是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖50是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖51是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖S2是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------,玎------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（/么） 步驟的擴大剖面· 圓53是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· < 圖54是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖SS是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖56是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖57是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖S8是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖59仍是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另 外步驟的擴大剖面· 圖6〇是一個本發明的另外運用例子的動態RAM中的 主要的零組件的擴大剖面· 圖61仍是一個本發明的另外運用例子的動態RAM中 的主要的零組件的擴大剖面· 圖62是一個傳統比較例子的動態RAM記憶體細胞製 造方法的一個步驟的擴大剖面· 圖63是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖64是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 • 16· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ----------批衣------、玎------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（/丨） 步驟的擴大剖面· 圖65是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖66是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖67是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖68是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驊的擴大剖面· 圖69是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖70仍是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另 外步驟的擴大剖面· 圖71是另一個傳統比較例子的動態RAM記憶體細胞 製造方法的一個步驟的擴大剖面· 圖72是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖73是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖74是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖7S是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖76是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 -17- 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公嫠） I 裝 訂 康 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 295709 ____B7 __ 五、發明説明（/6) 步驟的擴大剖面. 圖是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面. 圖78是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖79是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步糠的擴大剖面· 圖80是另一個傳統比較例子的動態RAM記憶體細胞 製造方法的一個步驟的擴大剖面· 圖81是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖82是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖83是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖84是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖85是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步騄的擴大剖面· 圖86是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖87是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖88是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 -18· 本紙張尺度適用中國國家揉準^CNS > A4規格（21〇Χ297公^ ---------•裝------訂------点 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（/γ) 步驟的擴大剖面· 圖89是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步騄的擴大剖面· 圖90是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖91是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖92是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖93是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另外 步驟的擴大剖面· 圖94仍是一個用於前述記憶體細胞的製造方法的另 外步騄的擴大剖面· <實施例敘述> 本發明的實施例將被敘述在下面· 圖1-17舉例說明本發明被應用到一個COB類型的動 態RAM的第一個運用例子·圖1-8是沿著圖17線X-X的 剖面.圖9-16是沿著圖17線Y-Y的剖面. 目前運用例子用於製造動態RAM記憶體細胞的流程 現在將被說明♦首先，如顯示在圖1與9，擴散地區與 字線WL被以上述相同的方法形成在矽基片1上· 接著，在一個包括二氧化矽的交互層絕緣薄膜51被 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（/穸） 形成在字線的頂端WL後，一個包括多元矽的罩幕58被 附著·非罩幕區域（開口）S8A和58B然後被形成在上 面以便同時型式一個位元線接觸洞BLCT與一個儲藏節 點接觸洞SNCT · 接著，如顯示在圖2與10，罩幕58被分享用於蝕刻 交互層絕緣薄膜51以便形成位元線接觸洞BLCT與儲藏 節點接觸洞SNCT ·前述的接觸洞可同時或分開地被蝕 刻. 接著，如顯示在圖3與11，位元線材料BL’經由噴 射等等被附著，且一個二氧化矽絕緣層60被形成在那上 面. 接著，如顯示在圖4與12，包括多元矽的罩幕59被 以需要的型式形成並使用於蝕刻以形成位元線·如此， 包含二氧化矽層60的位元線BL被形成在頂端，而位元 線材料BLf被允許留在接觸洞SNCT當作一個SNCT插接 點如顯示在圖5與13 · 接著，如顯示在圖6與14，交互層絕緣薄膜40被形 成以從SN分開BL，其後被實作蝕刻回去以便這些位元 線BL的邊被一個邊牆54所遮蓋如顯示於圖7與15 ·此 外，SNCT插接點被暴露· 接著，如顯示在圖8與16，功能如儲藏節點材料的 多元矽22被附著·接著，經由型式前述的多元矽層彼此 毗連的儲藏節點被分開·此外，表面氧化等等被實作以 形成誘電性的薄膜舆較高的電極101 *於此方法，已 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------装------1T------.^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（/f) 有了堆叠電容器·圖17舉例說明一個相對應於圖8與16 (位元線BL是波形狀）的佈面· 如此，目前運用例子的方法主要特徵是飞列四點· 1 · BLCT和SNCT是同時被型式（圖1與9)並使 用一個分享罩幕蝕刻（圖2)的事實· 2 ·當BL蝕刻被實行時，在SN和在SNCT之內的基 片之間的連接導體（SNCT PLUG )是使用形成BL (圖 5與13 )的部份林料來形成的事實· 3·當邊牆蝕刻法被實行以使BL和SN彼此絕緣時， 於SN和SNCT PLUG之間的絕緣薄膜同時被移去的事 實. 4 ·功能如SN的材料此後馬上被置放的事實· 如此，它可來解決上述第一個方法和第二個方法的 多樣問題* (關於第一個方法的問題） (1)只需要一個洞形成流程，因爲BLCT和SNCT 是同時被形成•如此，9個步驟被減少到8個步驟· (2 )甚至如果SNCT不是自我對齊BL，因爲在BL 形成前SNCT已完全地被形成，不需要提供一個空間來防 止SNCT和BL彼此接觸.如此，它是可能來減少細胞的 大小尺寸· (3 )如果SNCT被造成自我對齊BL，因爲在BL形 成前SNCT已完全地被形成，不需要SNCT和BL彼此自 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---------------1T------.4. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（/P ) 我對齊·如此，不需要以一個氮化物薄膜涵蓋BL的外圍 或於洞蝕流程期間對於氧化物薄膜與氮化物薄膜實行高 選擇性蝕刻·此外，不需要特別的裝備用於這些步驟· 此外，因爲不需要使用一個有一個高誘電性常數在BL的 外圍的氧化物薄膜的氮化物薄膜，BL的寄生電容不被 增加·此外，電路操作的速度不會減少且電力消耗不會 增加· (關於第一個方法的問題） 製造步驟的數目，這是最顯著的問題，被從十五個 步驟減少到八個步驟· 另外的效果1 : 如果有一個電容呈現越過鄰接的BLs*除非使用一個 諸如BL扭合的技術，於BLs之間的內線雜訊將引起儲藏 節點的電容的一個有效的減少·然而，如顯示於圖16， 以目前運用例子的細胞，它是可能來減少於鄰接BLs之 間的絕緣層的數量，因爲在BL底部的高度位置P1配合 (或高於）在SN底部或在SN頂部（與圖7〇比較）的細 胞板底部的高度位置P2 ·如此，於鄰接BLs之間是沒有 電容的· 另外的效果2 : 於BL，SN，或細胞板之間的電容，其包含BL電容 的一個顯著部份，能經由增加在BL頂端的這些氧化物薄 膜（60 )與BL (圖Ιό區域B )側邊的邊牆氧化物薄膜 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------1裝------訂------京 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（>/) (S4 )的厚度而被減少· 另外的效果3 = 通常它是需要來設計佈面以便於BL蝕刻流程期間， 4 BLCT和BL將有一個合適的重叠數量以避免BLCT與BL 與隨後的基片蝕刻的位置失誤·於目前運用例子，當同 時蝕刻BLCT和SNCT時，SNCT插接點被允許留下.如 此，基片將不被蝕刻縱使BLCT和BL是位置失誤·爲此 緣故，所以不需要設計佈面有很大程度的BLCT和BL的 重曼，因此，細胞大小尺寸能被減少♦ 圖18-41舉例說明第二個運用例子，於其中本發明被 應用到一個COB類型的動態RAM ·圖18-29是沿著圖17 線X-X的剖面而圖30-41是沿著圖17線Y-Y的剖面. 用於目前運用例子的動態RAM的製造記憶體細胞的 流程現在將被說明·首先，如顯示在圖18與30，擴散地 區與字線WL被以上述相同的方法形成在矽基片1上· 接著，在一個包括二氧化矽的交互層絕緣薄膜51被 形成在字線WL的頂端後，一個包括多元矽的罩幕58被 附著.非罩幕區域（開口）58A和58B然後形成在那上 面以便同時型式一個位元線接觸洞BLCT與一個儲藏節 點接觸洞SNCT · 接著，如顯示在圖19與31，罩幕58被分享用於蝕刻 交互層絕緣薄膜51以便形成位元線接觸洞BLCT與儲藏 節點接觸洞SNCT ·前述的接觸洞能同時被蝕刻或分開地 被蝕刻· -23- 本紙張A度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------t衣------1T------i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 A7 B7 五、發明説明（?<>) 接著，如顯示在圖2〇與32，位元線材料BL，經由噴 射等等被附著·
接著，如顯示在圖21和33，蝕刻法被實行以蝕刻BL 4 材料.它被允許選擇性留下在BLCT之內當作一個BLCT 插接點與在SNCT之內當作一個SNCT插接點. 接著，如顯示在圖22與34,在絕緣薄膜51稍被蝕刻 之後，二氧化矽絕緣薄膜6Ό被形成如顯示在圖23與35 . 應注意於此例子，SNCT插接點與BLCT插接點被允許突 出超出交互層絕緣薄膜如在圖22與34所顯示.然而，不 是絕對需要使用此結構♦ 接著，如顯示在圖24與36,罩幕59被以需要的型式 形成且被使用於蝕刻以形成位元線·如此，包含二氧化 矽層60的位元線BL被形成如顯示在圖25與37.在此時 SNCT插接點的頂端稍突出· 接著，如顯示在圖26與38，表面氧化置放被實行以 —個邊牆54涵蓋這些位元線BL的側邊.接著，如顯示 在圖27舆39，與圖28與40，一個絕緣薄膜64被附著到 整個表面並蝕刻回來以獲得一個邊牆·應注意經過熱量 氧化獲得的氧化物薄膜54被形成以除去黏著於不需要區 域的多元矽，且以便附著在一個相對高壓經過熱量氧化 獲得的一個氧化物薄膜到這些位元線BL的側邊· 接著，如顯示在圖29與41，功能如一個儲藏節點材 料多元矽22被附著·接著，實行下列步驟：多元矽層型 式，表面氧化等等以形成一個誘電性的薄膜與形成一個 -24- 本紙張Λ度適用中國國家標準（CNS )八4^格（210><297公釐） ----------^裝------訂------康 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 ____B7_ 五、發明説明（0) 較高的電極.於此方法，已有了堆叠電容器. 在目前運用例子，一個分享罩幕被以如先前第一個 運用例子的相同方法來使用以形成BLCT和SNCT ·如 4 此，操作上的效果是如同於先前的情況·此外，因爲於 顯示於圖22與25的步驟期間，SNCT插接點被允許稍突 出用於SN材料的黏附力，它是可能來防止甚至於顯示於 圖26的氧化步驟期間的過度的氧化·此外，位元線有一 個充分的絕緣包覆因爲邊牆被加進於顯示在圖26-28的 步驟· 圖42-59舉例說明本發明被應用到一個COB類型的 動態RAM的一個第三個運用例子·圖42-50是沿著圖17 線X-X的剖面而圖51-59是沿著圖17線Y-Y的剖面·在 目前例子的儲藏節點的最後結構是不同於那些顯示在圖 8與17者，此對於工業界人士應是明顯的· 用於目前運用例子的動態RAM的製造記憶體細胞的 流程現在將被說明·首先，如顯示在圖42與S1，擴散地 區與字線WL被以上述相同方法形成在矽基片1上·此 外，一個氮化物薄膜30’被形成在字線WL的頂端· 接著，在一個包括二氧化矽的交互層絕緣薄膜51被 形成在由氮化物薄膜覆蓋的字線WL的頂端後，一個包括 多元矽的罩幕58被附著·接著，非罩幕區域S8A與S8B 被形成在那上面以同時地型式一個位元線接觸洞BLCT 與一個儲藏節點接觸洞SNCT · 接著，如顯示在圖43與52,罩幕58被分享以用於蝕 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 ：----------d------訂------泉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2〆） 刻交互層絕緣薄膜51以便形成位元線接觸洞BLCT與儲 藏節點接觸洞SNCT ·前述的接觸洞可同時被蝕刻或分開 地被蝕刻· 接著，如顯示在圖44與53，位元線材料BL·經由噴 射等等被附著，而一個二氧化矽絕緣層被形成在那上 面· 接著，如顯示在圖45與54,罩幕59被以需要的型式 形成且被使用於蝕刻以形成位元線·如此，包含二氧化 矽層60的位元線BL被形成如顯示在圖46與S5·在此時， SNCT插接點傳導性材料被蝕刻· 接著，如顯示在圖47與56, 一锢絕緣薄膜64被附著 在整個表面並蝕刻回去以便它留下成爲一個位元線BL 側邊的邊牆，如顯示於圖48與S7 ·於此流程期間，傳導 性的材料被暴餺環繞位元線BL而氮化物薄膜被暴露環 繞字線WL . 接著，如顯示在圖49與58，包括多元矽等等與功能 如儲藏節點材料的傳導性材料70是薄薄地成長在整個表 面·接著，如顯示在圖50與S9，包括多元矽等等的傳導 性材料被CMP (化學機構磨光）從位元線BL的頂端所 ’移去， 接著實行下列步驟：多元矽層70的型式，表面氧化 等等以形成誘電性的薄膜100與較高的電極101.於此方 法，已有一個堆疊電容器. 在目前運用例子，BLCT和SNCT被以如先前第一個 -26· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐) ---------<------β------i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 295709 at ____B7 _ 五、發明説明（7：Γ) 運用例子的相同方法來使用一個分享罩幕來形成·如 此，操作上的效果是相同的.此外，因爲儲藏節點（儲 藏電極）被形成在低的位置，在記憶體細胞單位和周邊 電路（例如一個感應放大器）之間的等級較不險峻·此 外，形成在基片的接觸深度被減少了，使得它較易於形 成線路與接餚洞·此外，因爲SNCT插接點被形成突出如 於顯示於圖48的步驟，儲藏節點的面積被增加了，如此 增加了電容器的靜電電容· 圖60舉例說明一個本發明被應用到一個壕溝類型動 態RAM的第四個運用例子· 在目前例子，一個場板83，誘電性薄膜84，與儲藏 節點86被依照順序附上在一個形成在一個p類型矽基片 1裡面的溝80之內，而有一個絕緣薄膜85位彼此之間· 儲藏節點86經過一個多元矽傳導性層102被連接到n+類 型來源地區3.應注意31’，71，72和73表示絕緣薄膜· 傳導性薄膜102與位元線BL能使用一個相同於那些 說明於圖1-16關於先前的第一個運用例子的流程來形 成. 較特別地，接觸洞BLCT和SNCT使用一個分享罩幕 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 被形成在絕緣層Ή·在位元線材料被附著在整個表面之 後，位元線型式被實行·此外，位元線材料被允許留下 在SNCT內當作一個傳導性層（1〇2)來使用- 如此，它是可能來減少步驟數目並使用一個不涉及 一個自我對齊系統的流程來形成BL與傳導性層102 · -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（¥) 本發明的實施例被呈現在上面♦基於本發明的技術 槪念，它是可能來對於前面的應用例子提出較進一步的 修正· 譬如，它是可能來造成多樣的變化到呈現在上面的 步驟的順序與組合·此外，它是可能來改變這些被使用 的型式，材料等等· 如顯示於圖61，它是可能以一個不同於位元線材料 的插接點材料PLUG來充滿這些位元線BL的底部·此 外，它是可能以分開的步驟（於圓8，插接點與BL使用 相同材料形成在相同步驟）來形成插接點與BL · 於顯示於圖3的步驟，它同時也可能首先以一個不同 於位元線材料的傳導性材料來充滿SNCT，然後附著位元 線材料和型式位元線·只要一個分享罩幕被使用於形成 用於位元線接觸洞與儲藏節點，在洞的配置，記憶體細 胞的佈面等等對於前面的例子是沒有限制的· 此外，這些使用於字線，位元線，絕緣薄膜，誘電 性薄膜等等的材料不被限制爲上面所述·譬如，它是可 使用適當地從多元矽，W-Si，W，A1，Ti，二氧化矽， 四氮化三矽和其它一般知道材料其中選擇的導體或電介 質對於工業人士應是淸楚的·此外，前述的導體和絕緣 體可以包括一個製成薄版的一些層♦對於形成方法，包 含熱量氧化，氮化，矽化，與沉澱等，它同時也是可能 有各種的選擇對於工業人士應是淸楚的·此外，這些罩 幕58和59可由一個光阻，氮化物薄膜等等，除了上述多 •28· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） I裝 — I I I I I 訂 i I I 泉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（^) 元矽，來構成. 除了前述有堆疊細胞電容器的動態RAM，本發明能 以一個其中前述堆叠細胞電容器是位在一個二氧化矽薄 膜的結構來利用，譬如，以前述電容器的延伸並使用當 作用於周邊電路組件的線路的較低電極·此外，它是可 能改變前述的半導體地區的傳導性類型·此外，本發明 能被應用到其它元件與其它半導體記憶體的地方· 如敘述在上面，以本發明，一個用於連接到前述位 元線的接觸洞與一個用於連接到前述電容器的接觸洞被 形成·接著於位元線形成處理期間，到電容器的接觸洞 被充滿位元線形成材料等等·如此，不需要接觸洞自我 對齊·此外，不需要於洞之間提供一個過量的空間·此 外，縱使形成於位元線型式期間的開口位置失誤，因爲 接觭洞在電容器側邊被充滿基片，故將不被蝕刻·如此， 型式不需要設計來防止這個•此外，它是可能來減少尺 寸·此外，假如儲藏節點導體緊接著被形成在邊牆被形 成在位元線牆的步騄之後，它是可能顯著地減少記憶體 細胞形成步驟的數目· 此外，在設計位元線外圍的薄膜結構時，不需要考 慮飩刻的等級·這是有利於操作速度與位元線的寄生電 容·此外，它是可能設定位元線與儲藏節點到相同的高 度·如此，於鄰接位元線之間的寄生電容被減少了 . 參考數字與符號如在顯示在圖示 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4^格（210X297公釐） I I I n I ^^ n n 訂 nA (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（7$) 1 ·矽基片 3 . 1« +類型排地區 4 · n+類型來源地區 22 ·多元矽層（較低電極） 40，60 .絕緣薄膜 51 ·交互層絕緣薄膜 54，64 .邊牆 58，59 .罩幕 58A，58B .開口 WL .字線 BL .位元線 BL’ ·位元線材料 TR ·移轉閘 SN ·儲藏節點 BLCT ·位元線接觸（洞） SNCT ·儲藏節點接觸（洞） SNCT PLUG .儲藏節點接觸插接點 I I n In nn m， ml m nn n^i ml 1 J. 、 穿 τβ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）