TW295625B - - Google Patents

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205625 五、發明説明（1 ) 共同申請案之參考文獻： 本發明係關於同時提出申請之美國專利第08/193,599號，其 標題是利用感光異構物的多層彎腳測量法，同時將讓與相 同的受讓人。^ 發明範圍： 本發明係i於螢光化合物的分光鏡測量法，更特定言之 ，本發明利用一種螢光化合物的特性，就是可以從螢光化< 合物放射光譜的一次導函數分析中確認出螢光化合物。 發明背景： · 、 在下面的討論中，“螢光”一辭通常視為發光的意思， 且包含了螢光和磷光。螢光分光光度測定法是指用來測量 螢光化合物放射出螢光的強度或波長光譜的裝置或方法。·· 麥萊克（Melancon )提出之美國專利4,922,133號中揭示一種代 表性的方法，其中在功能組合物或者塗膜中加入螢光探針 ，且螢光的JUTA功能gu?的重量或f度有相互關係。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 螢光分光光度計一般包含有一個光源，其具恰可激發螢 光化合物的放射波長。從光源放射.出的光線會集中在材質 上，提升材質内螢光化合物的電子組態。當轉移的電子回 至其原先的組態時，會發射出輻射能的光子，而產生螢光 。收集由螢光化合物所發出的光，且集中在分光計或者單 色光鏡上，將所放射出來的螢光分散成單色光波長。單色 光再集中在光偵測器上，同時可以檢驗並測量光的強度和 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公嫠） 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明説明（2 ) 波長。螢光分光法為此技藝中所熟知，且在歐尼修 (Ohni shi )發表之美國專利3,832,555中也有提到。丹萊克等 人（Dandliker et. al.)在美國專利4,877,965中提到一種時間 一 阻隔的方法（time gated method )可以收集螢光，該方法可以 從不必要的背景干擾中區分螢光。 種里里直1_上玉_..姻似重叠放射光 如果需要測量一種以上化合物Lif_ '目前 的做法1採用不相同的螢光化合物〇這就必須利用多個f 源、單色光鏡、{^測器和關連的光學器械。 ψ- ~ ~ —_____ ____________ ~ — ------*--— 發明概述 " 、 本發明包含測量基底功能塗膜的螢光放射值之方法。本 方法包括之步驟為：提供含有足夠量螢光劑的功能塗膜， 能夠在波長範圍A內吸收輻射能，並在放射波長範圍B內放i 射出輻射能，而在放射波長範圍B内包含有一較窄之波長 範圍C，其中剛好在低於範圍C之範圍B部分的放射量與在 範圍C内的放射量，輻射能的放射量會突然地改變。波長 範圍A的輻射能激發功能塗膜，而且可以偵測到功能塗膜 所放射出來包括有波長範圍C之波長範圍B內的輻射能放射 量。完成所偵測得到.波長範圍C的導函數計算，就可以獲 得功能塗膜輻射能放射量的微分變化。 本發明也包含一種可以偵測功能組合物螢光放射量的裝 置，該功能組合物可以用於全部或部分的基底，而該基底 具有已知吸收波長範圍和放射波長範圍。本糸統包含的螢 - 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貞工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 光裝置，有一個涵蓋且較窄之螢光放射波長範圍的放射波 長範圍，在其中放射強度會突然地改變。這個較窄的範圍 適用在測量含有螢光劑之功能塗膜的螢光放射強度。將偵 測裝置調至螢^劑較窄且被涵蓋的螢光波長範圍內，當在 螢光劑吸¥波長範圍內的的輻射能激發螢光劑時，就能偵 測到這較窄且被涵蓋波長範圍內的螢光放射程度。一個分 析器分析較秦且被涵蓋螢光波長範圍內之犖光放射量的變 化，而得取一個數值，聯結器將分柝螢光放射強度所得的·~ 數值和功能塗膜的物理特徵聯接在一起。

附圖摘述： # V 圖la是9-ICF的放射波長光譜圖。 圖lb是圖la曲線的一次導函數圖形。 圖2是幾種熱熔黏著劑的放射波長光譜圖。 圖3a是相同幾種熱熔黏著劑加入螢光劑9-1CF作為螢光 探針後之放射波長光譜。 圖3b是圖β a每一條曲線的一次導函數圖形。 圖4 a是圖螢光劑α-ΝΡΟ的放射波長光譜圖。 圖4b是圖4a的導函數圖形》 圖4c是螢光劑UvitexOB的放射波長光譜圖。 圖4d是圖4c的一次導函數曲線圖。 圖4 e是克同（Kraton )黏著劑的放射波長光譜圖，該黏著 劑由二層組成，一層含有螢光劑α-ΝΡΟ，第二層則有螢光 劑Uv it ex 0Β作為螢光探針。 '-6 -. ( CNS ) ( 210X297^ ) — — --------^ 求------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 295625 A7 B7 五、發明説明（4 ) 圖4f是圖4e曲線的一次導函數圖形。 圖5是本發明具體寅施例的圖形。 圖6是單色光鏡出口光柵的側視圖。 圖7是本發#所使用的窄進出遮斷器之示意圖。 圖8 a是螢光物已知之放射波長光譜圖。 圖8 b是經過窄進出遮.斷器後之放射波長光譜圖。 圖8c是圖ib曲線的一次導函數圖形。. 圖9a是本發明所使用之寬進出遮斷器之示意圖。 — 圖9b為類似圖9a的概略圖，説明寬進出遮斷器的用途 〇 圖10a是一種已知之#營光劑的<放射波長光譜圖。 圖10b是經過寬進出遮斷器出來之放射波長光譜圖。 圖10c是圖10b曲線的一次導函數圖形。 圖10d是圖10c曲線的二次導函數圖形。 圖11是一種已知之螢光劑的放射波長光譜圖。 圖12是本發明糸統具體實施例的示意圖。 圖1 3是本發明具具體實施例的側視圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 m· n^— K t^i^— Λ I 一^-i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之詳細描述 圖la的圖形是波長.範圍從280毫微米至330毫微米之9-異氰酸基第（9-ICF)放射光譜之螢光強度曲線。若9-1 C P是在波長範圍内唯一可被偵測到的螢光化合物，以目 前的方法和糸統，只要在放射波長範圍內的任一點，簡單 地測量放射強度.，就可以表示功能組合物內9 -丨c F的量， -7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 例如在薄膜中的量。然而，本發明是以不同的裝置和方法 來估算螢光劑的放射量，特別是在相同或類似重叠放射波 長範圍内有一種以上之螢光化合物放射的情形下，本發明 相當有用。… 在圖la中，區域20是從302毫微米至309毫微米，將近 7個毫微米的光譜範圍。在區域20內，9 -ICF的放射強度 有突然地變f匕。圖lb是圖la中曲線的一次導函數或者微 分，有一個引人注目的波峰2 2，其中心點大約是點2 4的~ 波斜率，約在305毫微米波長的位置。緊接在波峰22兩旁 的曲線，且在區域20內的曲線，則是表示圖la在區域20 内放射曲線斜率的變化'在圖1 J)的曲線是表示9-ICF的放 射量。因為是9 -丨C F引起區域2 0內放射量的改變，所以只 要將在圖1 b曲線中所得到之波斜率值和各種已知濃度的 9 - I C F標準比較，就可以知道偵測到的9 - 1 C F絕對量了。 如果9 - I C F在功能組合物中作為螢光探針，那麼就可以從 作為基底後之功能組合物中之9 - I C F濃度來決定功能組合 物的厚度或者重量。 某些情況下會有一個以上的螢光化合物存在。如果螢光 化合物的放射光譜重疊，那麼每一個螢光化合物都會與其 他的螢光化合物競爭或者干擾。目前的技藝利用簡單而單 一的測量法來測量重叠放射波長範圍內任一波長的放射量 ，將無法區別出每一個競爭的化合物各別之貢獻。 圖2將説明由競爭或干擾的螢光化合物所造成實際上的限 制。曲線3 0、4.0和5 0是三種不同熱熔接著劑的放射曲線 - 〆 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） m —in —^n i^n ^^^1 ^^^1 βΛ nn I nn tm ^ J- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 。這些熱熔劑是作為基底的黏著裡襯，此基底本身可作為 一薄膜或者作為其種用途薄膜的基底。從圖2的螢光放射 曲線中知，從28.5毫微米至330毫微米的範圍内，熱熔物 會強烈地發出螢光來。如9 -丨C F類的螢光探針與功能組合 物混合，與曲線3 0 ' 4 0和5 0所表示之強放射的熱熔接著 劑相比較，該螢光探針是一種弱的螢光放射物。 圖3a表示^佈有每一種熱熔接著劑的薄膜中添加9-ICF 螢光探針，個別的放射強度曲線3 2，4 2和5 2。即使在車Γ 窄波長範圍區域20內，也無法從競爭的茼景放射量內，偵 測到添加9 -丨C F螢光探針的效果。因此螢光探針和產品的 任何其他成分會在相同> 寬度的姣長帶內放射，在整個寬濶 的波長帶內都會互相競爭，而以目前的裝置可能無法偵測 到螢光探針。 圖3b説明雖然有熱熔接著劑的競爭放射量，而本發明仍！ 然能夠偵測出螢光探針9-ICF所造成螢光放射量的突然變 化。圖3B中曲線34，44和54是圖3a放射曲線32，42和 52各別的一次導函數曲線或者微分曲線。每一個熱熔物加 上螢光探針而在點22之305毫微米處的波峰和圖lb中Ο-ΐ C F 所產 生的波 峰相當 。在圖 3 b 的曲線 3 4 ， 4 4 和 5 4 中點 2 2表示圖3 a的放.射曲線3 2，4 2和5 2中點2 4的波峰斜率 。而9 - I C F探針的螢光強度和波峰斜率減去平均側面斜率 後的值成正比。因此波峰斜率也直接和存於功能塗膜内9-ICP的量成正比。因為可以知道在功能塗膜內螢光探針θ-ΐΰ F 的濃度 ，所以 9-1CF 的強 度和作 為薄膜基底之功能塗 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 - 、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（7 ) 膜總量成正比。 同時也知道在本發明中，功能塗膜或者化合物可選為/ 選自各種用途。一些用途包括保護塗層 '膠黏側邊塗膜、 輻感顯像塗膜，可脫離塗膜，和阻隔塗膜。較佳的塗膜可 以使塗膜中所用的螢光探針化學性地結合在塗膜上，溶解 在塗膜中，或者分散在塗膜組合物中。根據本發明的教示 ，選擇適當ώ塗膜和探針將使放射量的導函數與塗膜的某 些特徵有相互關係。這些特徵包括如厚度、重量、均勻度~ 、缺陷和標記。 在許多製造方法中，可在不同的功能組合物中採用多種 螢光探針來幫助測量每*^ 一個功態組合物的重量或厚度。在 這種情況下，當產品加入每一個功能組合物時，可以管制 生產和評估品質。能夠偵測得到作為探針之相似競爭的螢 光劑，那麼就能夠便利地在相同波長區域内作業，例如每i —種螢光劑9 -丨CF、α-ΝΡΟ和Uvitex OB都在3 2 5毫微米處激 發。因此，只要需要一個能激發探針的光源，而且也只需 要一個單色光鏡和偵測器。 如果無法利用相似旦競爭的螢光劑，則螢光探針需在不 同的波長範.圍内作用，而激發時每一個都需要有自己的裝 置，並在不同的波長光譜區段內偵測放射量。採用不同的 探針時，通常一個探針的吸光及放射都在紫外光區，而第 二個探針的吸光和放射在第一個探針吸光及放射之下。如 此是為了避免第二個探針不適當地被激發，並避免第一個 探針不當地中止.反應，而造成第二個探針吸收第一個探針 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） —^i- m· ·ϋι υ - n^i ί ί m· ^^^1—.1 < J^ 、'§ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（8 ) 的放射量。第二個探針通常從吸光和放射都在可見光譜區 的集團中選出。不幸地，利用在可見光譜中放射的螢光探 針，將會影響最後產品的顏色純度和透明度，這是不樂意 見到的。製程k常需要一種以上的功能組合物，而目前的 方法無法或者預先同時測量二種有重疊放射光譜的螢光探 針。 本發明另i個具體實施例可以同時區別及測量多個螢光 探針。圖4 a的放射曲線6 0是螢光劑oc - N P 0的放射光譜。~ 曲線60中的區域62是曲線60的較窄波長範圍，其中α-ΜΡ0的螢光放射會有突然之改變。圖41)中曲線64為圖4a 曲線60的一次導函數i形。曲錄64中的波峰66表示放射 量突然地改變，而波峰66即代表oc-ΝΡΟ» 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖4 c為放射曲線7 0，是螢光劑Uvi tex 0B的放射光譜。曲 線70中的區域72是曲線70中較窄波長的區域，在其中1 Uv ί t ex 0B的螢光放射量會突然地改變。曲線7 0中的區域7 2 涵蓋了幾乎是395至405毫微米的波長帶。從圖4a中的曲 線60知，點.68表示（Χ-ΝΡ0之波峰放射波長，且其亦在圖 4c的曲線70中區域72的波長範圍內。而目前的方法在有 螢光劑a - N P 0存在的時候，是測不出螢光劑Uvi tex OB的存 在。因為這兩種螢光探針有這種競爭性，所以目前的方法 都避免同時使用這兩種螢光劑。 圖46是螢光〇6-^0和1^丨〖6)(08的放射曲線80，來自克 雷頓接著劑中不同功能塗膜層的螢光探針，此接著劑是做 為聚丙烯薄膜的基底。ex-ΝΡ0的濃度為固體之〇.1吻，而 • 一· -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） «05625 A7 B7 五、發明説明（9 )

Uvitex 0B的濃度是固體之0.3O/O。在這兩種螢光探針的測量 波長内，克雷頓接著劑和聚丙烯都不會吸收或者發出螢光< 。在圖4e中，區域62代表α-ΝΡΟ的螢光放射量有突然之 一·· 變化，雖很明顯但是卻沒有用處。區域7 2相對於Uvi tex 0B 的螢光波長放射量有突然之變化，但是無法和α-ΝΡΟ在 相同波長範圍内所產生的波峰放射量分別。 圖4f之曲k 82是圖4e曲線80的一次導函數圖形。在圖 4f中，很明顯地知道波峰66和76分別代表oc-ΝΡΟ和'_ Uvi tex 0B，而且是很容易測得的。因為每一個波峰和它所 代表之各別螢光物的量成正比，因此每一個波峰和克雷頓 接著劑的重量或者厚度成正比Λ由添加在聚丙烯基底中各 別的螢光探針表示。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 從數據中可以知道本發明相當靈敏的，對9-ICF、（X-ΝΡ0和Uvi tex 0Β而言，在整個較窄及涵蓋的波長範圍内，1 總放射量即使只有1 〇/〇的變化，都可以測得到螢光劑。整 個較窄波長範圍内螢光放射的突然變化愈陡峭或者愈顯注 時，偵測就會愈靈敏·。一個螢光劑的突然變化超過約窄的 1 5毫微米波長範圍，那麼在功能組合物中螢光的量或濃度 足夠使得總放射強度有5 %的變化。如果有更突然的變化 ，在約3毫微米較笮的波長範圍内，整個放射強度只要有1 〇/〇的變化就可以偵測到了。也期望能夠採用其他螢光劑， 或者可以開發來利用本發明，其係在本發明範圍內，並且 能增進靈敏度。 圖5是本發明的具體實施例，糸統100包含有單色光鏡102 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 、遮斷器 104、光放大管（photoiiHiltiplier tube; PMT ) 106、光 源108、濾光器（Gptical filter) 110、投影透鏡丨丨2、對物透 鏡114、電腦副糸統（computer subsystem ) 116和訊號處理器 一·、 (signal processor ) 118 。 光源在一個恰可激發功能塗膜和功能組合物中螢光探針 的波長帶發射，而功能組合物是如光黏膠塗膜（light adhesion coatfng )122、裡襯基丨20和接著劑〖24。一層或者 以上的120、122和124層亦可能會包含有在相同波長帶 內會發出螢光的化合物，因此會和添加在另一層中作為測 量探針的螢光物互相競爭。 光濾器110會將光源\ 08發射出來之激發光中不要的頻 率濾掉。投影透鏡112會將激發光在欲測量之材質上面集 中成一點。對物透鏡114會將材質放射出來之螢光集中在 單色光鏡1 0 2上。 利用繞射格子和稜鏡，單色光鏡1 0 2可以將欲測量材質 所發出的螢光變成不連續的波長，然後離開單色光鏡102 ，經過一個出口細縫進入遮斷器104。本糸統100中的遮 斷器104是一個旋轉的輪子，有排成一直線的入口，掃描 經過單色光鏡102的出口細縫。當遮斷器1〇4轉動的時候 ，入口經過單色光鏡的出口，允許想要之波長進人PMT 106 。PMT 106測量每一個波長光的強度，且訊號直接到訊號處 理器118，訊號處理器是直接與電腦副系統116相連接。電 腦副系統1 1 6可以進行所有的計算及提供分析所需的數據 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X2.97公釐） ^^^1 m^l m· In i mmj HI —J -1^Ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（n ) 圖6是單色光鏡102，是從有出口細縫103遮斷器106的 方向透視的。糸統100中，一個有用的出口細縫130的解 析度是細縫寬度每毫米有8毫微米。如果採用之出口細縫 一.·》 13 0寬度是4毫米，那麼在出口細縫130可以分散32毫微 米的波長寬度。130是在單足光鏡102的代表性之中心波 長λ。的地方。代表邊界的波長為λ 1和λ 2，分別在λ 以上 和以下1 6毫k米。 . 本發明有數個適用於區別一個或者幾個螢光探針的具體^ 實施例。各具體實施例都可以從干擾背景中區分出螢光探 針。 參考圖7，本發明的*"一個具鳄實施例利用遮斷器1 0 4中 的入口 140經過單色光鏡102的出口細縫130。出口細縫 1 3 0的代表性波長λ e選自測量之螢光探針突然變化區域的 中間波長。依此方式，螢光探針之快速轉變的光譜區就成1 為樣品。例如以9 -丨C F放射波長範圍為例，單色光鏡1 0 2 的代表性波長λ。應該為305毫微米，並且向代表性波長λ。 之上及下掃描16毫微米。如圖7所顯示的，當窄入口 140 掃過出口細縫1 3 0時，ΡΜΤ 106就可以測到每一個波長之光 強度，如圖8 a和8 b所表示。圖8 a是一種假性螢光物 (hypothetical fluorescer)的放射光譜。圖8b是旋轉中的窄進 出遮斷器140所產生之放射圖。在圖8b中，λ,Κλζ分別 代表所選上面和下面的波長，如此在λ !反λ 2界線內會包 含突然地波長改變的窄區域.在螢光劑9-1CF的情況中，在 出入口選用32毫微米的帶寬時，1，是289毫微米，而λ2是 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） , 裝 訂 f·'^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7__ 五、發明説明（12 ) 32 1毫微米。圖8c是圖8b中數值的一次導函數或微分圖形 。波峰斜率與功能組合物中螢光劑的量成正比。 圖9 a是表示另一種技術，其利用一個寬的人口 1 5 0，比 一，， 單色光鏡120的出口細縫130稍寬。在這種型式中，光強 度的輸出量和在出口細縫130光譜輸出的全部螢光強度值 成比例。如圖9 a所示，當寬入口 1 5 0約等於整個出口細縫 1 3 0時，ΡμΓι〇6所測量到的光強度與從代表性邊界波長λ i 至在寬入口 1 5 0旋轉前緣的代表性波長λ sl所測量到之螢光 強度積分值成比例。如圖9 b所示，當寬入口 1 5 0逐漸減少 出口細縫的暴露時，PMT 106所測量到的光強度與從寬入口 1 5 0的尾緣化表性波長1^ λ s2至代，表性邊界波長λ2所測量到 之螢光強度積分值成比例。 圖10a是一種假性螢光劑的螢光光譜放射強度。然而， 圖1 〇 b是寬入口丨5 0得到代表性的掃描圖形。在圖丨0 b微 分得到的訊號回復成原始訊號，再取該訊號的餘角而得到 圖1 0 c。比較圖1 0 c和圖8 b。再微分訊號就可以得到圖 l〇d。圖10d中波峰的斜率與在功能組合物中螢光劑的濃 度成比例。比較圖1 0 d和圖8 c。 寬進出遮斷器的技術較窄進出遮斷器為佳，因為PMT 106 可以接受到較強之光強度。此可以改良訊號對雜訊的比例 。因為對於產品中所有的成分所產生的放射量而言，螢光 探針所引起的改變大約只有1 〇/〇而已，因此寬進出遮斷器 的改良訊號對雜訊的特性會改善糸統的能力，更能確寅地 偵測出只有螢光探針放射量所引起的變化。寬進出遮斷器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） m nn ^^^^1 n^v nn nn nn i nnv I 、 d^" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 五、發明説明（13 ) 需要額外的微分步驟，因此需要增加電腦的處理量。 另一個所採用的技術是兩點線性進似值。圖1 1是一個放 射強度曲線。取出曲線上兩點1 6 0和1 6 2，如此兩點間直 線的斜率幾乎等於是波峰斜率值。在圖11中，選定放射強 度點1 6 0和1 6 2，然後可用此關係式計算強度： 強度=斜率之（在點1 6 2的丨值一點1 6 0的丨值）/ (點1 6 2 6波長一點1 6 0的波長） . 如圖12所示，將此技術倂入裝置200中，包括有適當滤+ 器204和透鏡206的光源202 (照射至螢光產物208)、 兩個單色光鏡210和212 (分別調至所選定的波長160和 1 6 2 )、測量強度之光> 放大管2J 4和2 1 6以及一個在旋轉 的多角形的反射鏡218 (具有適當的透鏡220，可以將產 物208表面相同點的光映象至每一個單色光鏡210和212 )。光放大管2 1 4和2 1 6的輸出值接到電腦（未顯示）以 計算斜率。對於兩點直線近似值，窄和寬進出遮斷器共同 分配一個優點，就是不需第二個單色光鏡，旋轉的反射鏡 以及將兩個單色光鏡集焦在同一點上的透鏡/ 第四個利用的技術是光感線性陣列（optically sensitive linear array ) 230，如同圖1 3所示，可以取代遮斷器的轉輪 和光放大管。當自單色光鏡234之出口細縫232出來散射 的光2 3 1直接散落到線性陣列2 3 0上時，該糸統仍可運轉 。陣列中不連續元件的輸出值進入電腦副糸統2 3 6中，產 生類似窄進出遮斷器技術的輸出值，如同圖8 a，8 b和8 c 所示。線性陣列.技術只需要一次的微分計算步驟，因此可 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-° Γ _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（l4 ) 減少大部分的光學機械。同時此是較簡單的機械。就整體 而言，每一個陣列元件和陣列穩定度都有不同的缺點。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 2956^5 A8 B8 C8 D8 _ 々、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種測量基底功能塗膜螢光放射值之方法，其包括以下 步驟： 提供一種含有足夠量螢光劑之功能塗膜，可以在波長 一·, 範圍A中吸收輻射能，而在放射波長範圍B內放射出輻 射能，且在放射波長範圍B內包含有一較窄的波長範圍 C ;恰在範圍C下之範圍B部分內的放射量與範圍C內的 放射量間：輻射能之放射量有突然之變化； 以範圍A波長的輻射能激發該螢光劑； ^ 測量功能塗膜所放射之包括波長範圍C之波長範圍B 的輻射能放射量：以及 進行所偵測到之波#長範圍ς的導函數計算，以獲得功 能塗膜輻射能放射量之微分變化。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該基底會在幾乎 與範圍Β放射波長相同的波長範圍內發出螢光。 3. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中波長範圍C少於 約1 5毫微米。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中波長範圍C較約6 毫微米為小，而且在波長範圍C之輻射能放射的改變量 約僅佔緊接在波長範圍C之後波長範圍Β總放射量的2 〇/〇 〇 5. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中波長範圍C少於 約3毫微米，而且在波長範圍C之輻射能放射的改變量 約僅佔緊接在波長範圍C之後波長範圍Β總放射量的1 〇/〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 力、申請專利範圍 6. 根據申請專利範圍第丨項之方法，其中波長範圍C少於 約15毫微米，而旦在波長範圍C之輻射能放射的改變量 約僅佔緊接在波長範圍C之後波長範圍B總放射量的5 〇/〇 一··· 〇 7. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中螢光劑是一種芳 香族化合物。 8. 根據申請i利範圍第7項之方法，其中芳香族化合物是 —種荞化合物。 ^ 9. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該進行計算之歩 驟包括進行波長範圍C的輻射能放射強度之一次導函數 計算。 ^ 、 10. 根據申請專利範圍第9項之方法，其中該進行計算之步 驟更進一步地包含進行波長範圍C的輻射能放射強度之 二次導函數計算。 11. 根據申請專利範圍第1項之方法，包括在較窄波長範圍 C內選取兩個不連續波長的步驟，分別為波長範圍C内 放射強度之最小及最大量，產生兩點間直線的近似值。 12. 根據申請專利範圍第1項之方法，進一步包含掃描波長 • 範圍C光譜之步驟。 13. 根據申請專利範圍第1 2項之方法，其中該掃描波長範 圍C光譜之步驟包含利用一個窄進出遮斷器。 H.根據申請專利範圍第1 2項之方法*其中該掃描波長範 圍C光譜之步驟包括利用一個寬進出遮斷器。 15.根據申請專利範圍第12項之方法，其中該掃描波長範 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -----I - ^1 ^ - I---訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λδ Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 圍c光譜之步驟包括利用一個光感線性陣列。’ 16. 根據申請專利範圍第1項之方法，進一步地包括自保護 塗膜、膠黏塗膜、底漆塗膜 '低膠黏側邊塗膜、輻感顯 像塗膜、可脫離塗膜以反阻隔塗膜中選出功能塗膜之步 驟。 17. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該螢光劑是化學 性地與該^能塗膜組合物結合。 . 18. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該螢光劑係溶在~ 功能塗膜組合物中。 19. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該螢光劑係分散 在功能塗膜組合物中。 - 20. 根據申請專利範圍第1項之方法，更進一步包括令導函 數計算和至少一個功能塗膜的特徵相互關連的步驟。 21. 根據申請專利範圍第20項之方法，更進一步包括自包 含厚度、重量、均勻度、缺陷和標記的特徵中選出功能 塗膜特徵的步驟。 22. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中範圍A之平均波 長低於範圍B之平均波長。 23. —種偵測功能組合物螢光放射量的分光光度測定裝置， 該功能組合物係施用於全部或者部分具有已知吸收波長 範圍和放射波長範圍的基底上；該裝置包括： 測量含螢光劑之功能塗膜螢光放射強度的螢光裝置， 該螢光劑有一涵蓋較窄之螢光放射範圍的放射波長範圍 ，在其中螢光放射強度會突然地改變； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------j装------：訂丨，----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 夂、申請專利範圍 可調整之偵測裝置，調到螢光劑的較窄且為其涵蓋的 螢光波長範圍內，當在螢光劑吸收波長範圍内的輻射能 激發螢光劑時，就能偵測到在較窄且為其涵蓋波長範圍 一 内的螢光放射程度： 分析装置，用以分析較窄且被涵蓋螢光波長範圍內之 螢光放射的改變量以取得數值，該分析裝置包括獲取較 窄且被涵ί的波長範圍之螢光放射量一次導函數計算的 裝置；以及 胃 關連裝置，其令螢光放射強度之分析數值和功能塗膜 的物理特徵有相互關連。 24. 根據申請專利範圍^ 2 3項之/裝置，其中該較窄且被涵 蓋之波長範圍少於約15毫微米。 25. 根據申請專利範圍第23項之裝置，其中該較窄且被涵 蓋之波長範圍少於約6毫微米，放射總量之變化量僅佔 緊鄰在較窄且被涵蓋之波長範圍下面的波長所測得的總 螢光放射量之約2 %。 26. 根據申請專利範圍第2 3項之裝置，其中該較窄且被涵 蓋之波長範圍少於約3毫微米，總放射量的改變量僅佔 緊鄰在較窄且被涵蓋之波長範圍下的波長所測得之總光 放射量的約1 〇/〇。 27. 根據申請專利範圍第23項之裝置，其中該較窄且被涵 蓋之波長範圍少於約1 5毫微米，總放射量的變化量僅 佔在緊郯較窄且被涵蓋之波長範圍下的波長所測得之總 螢光放射量的·約5 〇/〇。 - 21 ~ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 28. 根據申請專利範圍第23項之裝置，其中該分析裝置包 括取得較窄且被涵蓋之螢光放射範圍內螢光放射之二次 導函數的裝置。 一 29. 根據申請專利範圍第23項之裝置，更進一步包括在較 窄且被涵蓋之波長範圍內選取兩個不連續波長的裝置， 分別為最小及最大放射量，產生兩點間直線的近似值。 30. 根據申請~專利範圍窠2 3項之裝置，其中.該可調整之偵 測裝置包含一個窄進出遮斷器。 — 31. 根據申請專利範圍第23項之裝置，其中該可調整之偵 測裝置包含一個寬進出遮斷器。 32. 根據申請專利範圍^23項之，裝置，其中該可調整之偵 測裝置包含一個光感線性陣列。 33. 根據申請專利範圍第23項之裝置，其中該功能塗膜之 物理特徵係由包括厚度、重量、均勻度、缺陷和標記之1 特徵中選出。 ^ 裝 H ^ | ?·'^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -22 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）