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A7 ______ B7_ 五、發明説明（1 ) 發-明之背長 〔發明之領域〕 本發明係有關一種磁控管電漿處理系統，具體而言， 尤指一種具備形成有旋轉磁場之多數個電漿處理室的系統 〇 〔相關技藝之說明〕 按，作爲對於半導體晶片或L C D基板實施蝕刻或膜 形成處理之系統，已有一種由多數個處理室接續於共通之 搬送室所成的所謂之設備聚集型系統，業已爲人所知。例 如，利用磁控管放電產生高密度之電漿，而進行R I E ( 反應性離子蝕刻）之設備聚集型系統中，多數個真空處理 室，係接續於可設定成減壓氛圍之共通的搬送室。各處理 室內配設有一對之對向電極，在其間形成有高頻電場。又 ，各處理室之上部或周圍配設有磁鐵機構，形成與上述電 場交叉之1 00〜1 20高斯（G)程度的磁場》各磁場 係作旋轉，以提高對於被處理基板之處理的面內均勻性。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 然而，於上述R I E系統中，因存在於各處理室周邊 之磁場的影響，各處理室內之磁場會紛亂，是以，生成之 電漿的密度也會變動，或是會產生密度不均勻之現象，是 爲其問題。又，系統附近配置之各種電子機器，特別是具 有磁場之機器，還會發生電子顯微鏡之圖像等紛亂等導因 於出自系統之洩漏磁場的影響之干擾產生的問題。此等問 題不只是R I E系統，利用磁控管放電之具有多數個處理 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210X297公釐) -4 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7 _ 五、發明説明（2 ) 室之CVD系統，噴濺系統等進行其他處理之系統中也有 〔發明之概要〕 '是以，本發明之首一目的，係在具有多數個處理室之 磁控管電漿處理系統中，防止導因於各處理室內之磁場的 紛亂之電漿密度的變動，或是密度不均勻之情事。 本發明之其他目的，係在具有多數個處理室之磁控管 電漿處理系統中，抑制因出自系統之洩漏磁場所造成之附 近的各種電子機器產生干擾之現象。 發明人等，就此種類型之系統中各處理室內之磁場的 紛亂，進行研究，結果發現，導因於處理室間之磁場的洩 漏成份之不規則性干擾，係其最大之原因。又，就出自此 種類型之系統的洩漏磁場調查的結果發現，上述磁場之紛 亂會因各處理室之磁場的洩漏成份之合成而放大或進行不 規則之動作，而對周邊之電子機器帶來不良的影響。 有關此數點，以軟鐵等之磁場屏蔽材將各處理室或系 統整體遮蔽，由系統製造成本而言，並不爲人所期望。又 ，若使處理室相互間之距離增大，雖可使導因於其他處理 室之磁場的洩漏成份之影響減小，但在考慮系統之總尺寸 的狀況下，其亦不爲人所期望。 根據本發明，提供一種利用電漿將基板之被處理面處 理之系統，此系統具備： 一容器，用以收納上述基板及界定處理用之真空處理 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -5 - 294881 at __ B7 經濟部中央梂準扃貝工消費合作社印裝 五、發明説明（3 ) 空間； 一供給系統，用以將電漿化氣體導入上述容器內； 一排氣系統，用以將上述容器內排氣； 〜對對向電極，配設於上述容器內，彼此對向； ~支持部件，配設於上述容器內，以使上述被處理面 露出於上述處理空間內之方式將上述基板支持； 一電源，用以在上述對向電極間賦與電壓，而產生電 場； ~第一磁鐵機構，用以在上述對向電極間形成第一磁 場’該第一磁場具有與上述電場交叉且旋轉之N - S軸向 » —第二磁鐵機構，用以形成具有旋轉之N - S軸向之 第二磁場，上述第一及第二磁場之旋轉面係平行；以及 一控制機構，就上述第一及第二磁場之旋轉，控制上 述第一及第二磁鐵機構，而在上述第一及第二磁場中之任 一者經旋轉時，使另一者以等速旋轉。 典型上，上述第二磁場也是在其他之界定真空處理空 間的容器內，形成與電場交叉之狀態。上述第一及第二磁 場，可以使此等N - S軸向平行且相同朝向或相反朝向之 方式’經等速旋轉。最好是上述第一及第二磁堪之上述旋 轉面，配置於同一平面內。 〔較佳實施例之細節說明〕 圖1所示之本發明第一實施例磁控管R I E系統中， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -装. 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X29·?公釐〉 -6 - _ _B7 五、發明説明（4 ) 可設定於減壓氛圍之共通的搬送室1 2上，接續有用以實 施蝕刻之三個真空處理室1 4 a〜1 4 c。該搬送室1 2 上又接續有用以將晶片以匣單元予以收納之兩個匣室 16a ，16b。搬送室12與各處理室14a〜14c 與各匣室16a ，16b之關係的概略，係如圖2所示。 搬送室1 2與各處理室1 4 a〜1 4 c之間的接續通路， 係由閘閥1 8所開閉。搬送室1 2與各匣室1 6 a ， 1 6 b間之接續通路，係由閘閥2 2所開閉。 藉著將閘閥18，22關閉，可將搬送室12，各處 理室14a〜14c及各匣室16a ，16b ，分別形成 爲獨立之氣密空間。搬送室12，各處理室14a〜 14c及各匣室16a，16b，係可藉共通之排氣裝置 2 4，例如藉增壓分子幫浦，乾式幫浦等，分別獨立地被 排氣，且可設定於減壓氛圍，例如設定於1 Ο-5Τ 〇 r r 〜1 0 -1 T 0 r r 。搬送室1 2之排氣管線2 6係由閘 28所開閉。各處理室14 a〜14c之排氣管線32 ， 係由閥3 4所開閉。各匣室1 6 a ，1 6 b之排氣管線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印焚 (請先閱讀背面之泣意事項存填寫本頁) 3 6 ’係由閘3 8所開閉。 搬送室1 2內，配設有用以搬送晶片之搬送裝置4 2 。於本實施例中，搬送裝置4 2，係由具有：一昇降及旋 轉自如之基台4 4，及一安裝於該基台4 4上之伸縮動自 如之搬送臂4 6的多關節臂型裝置所構成。搬送臂4 6之 表面’被覆有導電性鐵氟龍等，作爲靜電之防止手段。搬 送室1 2內，進而配設有一用以將導入各處理室內1 4 a 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標华局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（5 ) 〜1 4 c前之晶片定位之校正台4 8 ，以及一用以使晶片 待機之.緩衝台5 2 (請參見圖4) » 匣室16a ’ 16b ，實質上具有相同之構成，例如 可將一者作爲搬入用’而將另一者作爲搬出用使用，或是 ，可將各者作爲搬出入兩用。各匣室16a ，16b ，上 部具有用以使晶片匣C出入之開口部，該開口部係藉由可 將其氣密地封閉之旋轉型蓋5 4開閉。各匣C內，收納有 一定片數，例如2 5片之作爲被處理基板之晶片W，以上 下方向具有間隔之方式收納。來自各匣C之晶片W的取出 及對於各匣C之晶片W的插入，係藉搬送室1 2內之搬送 裝置4 2，一片一片地實施。 於本蝕刻系統中，爲了對複數晶片W並行實施同一處 理，處理室1 4 a〜1 4 c實質上具有相同之構成。 如圖3所示，各處理室14 a〜14c ，係由收納晶 片W及界定處理用處理空間之導電性氣密容器6 2所構成 。容器6 2之側壁及底壁，係由導電性材料’例如由表面 經防蝕鋁處理之鋁等所形成。容器6 2之頂壁，係由以導 電性材料，例如以非晶性碳，S i C，表面經防蝕鋁處理 之鋁等所形成的氣體供給頭6 4所構成。該頭6 4具有可 將蝕刻氣體等之處理氣體暫時貯存之空部位6 6 ’其係介 以導入管6 8接續於氣體源（多數個）。頭6 4之下部’ 係以具有多數個擴散孔7 4的擴散板7 2之形態形成，經 由擴散孔7 4 ，空部位6 6內之處理氣體係朝晶片W均等 地供給》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 -8 " 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __ B7 五、發明説明（6 ) 容器6 2內中央，爲了對向於頭6 4之擴散板7 2配 置晶片W，配設有由導電性材料，例如由表面經防蝕鋁處 理之鋁等所形成的感受器7 6。頭6 4之擴散板7 2與感 受器7 6係作爲平行平板型之上下部電極發揮機能。於本 實施例中，下部電極之感受器7 6上，介以電容器8 2， 匹配電路8 4接續有高頻電源7 8，上部電極之擴散板 72係經接地。藉由電源78，上下部電極72，76間 ，施加有例如13. 5 6MHz頻率之高頻電壓，藉此， 上下部電極7 2，7 6間，形成有由大致垂直之電力線所 構成之電場。 感受器7 6，係介以由陶瓷等絕緣材料所構成之板 8 6及由高熱傳導性材料所構成之支持台8 8，以電絕緣 之狀態載置於容器6 2之底壁上。支持台8 8內，形成有 空部位9 2，該空部位9 2上接續有以氣密狀態貫通容器 6 2底壁之導入管9 4及排出管9 6。導入管9 4及排出 管9 6 ，係接續於供給液態氮等之冷媒的裝置（圖未示） ，經由此等管9 4，9 6及空部位9 2內，用以冷卻感受 器7 6及晶片W之冷媒乃經循環。 感受器7 6之上面，配設有用以將晶片W以庫侖力吸 引保持之靜電吸盤9 8。靜電吸盤9 8，例如可爲將電解 銅箔製之導電層1 〇 2由上下兩側以聚亞胺膜等之絕緣層 予以夾持之構造》導電層1 0 2係接續於容器6 2外配設 之直流電源1 0 4，例如2 . 0 k V之直流電壓係施加於 導電層1 0 2上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A«4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j 裝 線 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (7 ) 1 容 器 6 2 之 上 部 y 配 設 有 磁 場 形 成 單 元 1 1 0 〇 單 元 1 I 1 1 0 具 有 — 主 磁 鐵 1 1 2 > 該 主 磁 鐵 1 1 2 係 用 以 在 容 1 1 器 6 2 內 形 成 在 上 下 部 電 極 7 2 > 7 6 間 與 電 場 交 叉 9 理 1 \ 請 1 I 想 是 直 交 之 1 0 1 0 0 0 高 斯 的 磁 場 〇 主 磁 鐵 1 1 2 上 先 閱 1 1 > 配 設 有 定 向 成 極 性 與 其 相 反 之 磁 場 洩 漏 防 止 用 之 輔 助 磁 背 1¾ 1 I 之 1 鐵 1 1 4 0 於 本 實 施 例 中 > 磁 ΛΛφ. 鐵 1 1 2 J 1 1 4 係 由 具 有 ’意 1 事 1 相 同 磁 力 強 度 之 一 般 性 永 久 棒 形 磁 鐵 所 構 成 上 下 水 平 重 項 再 1 填 —S 疊 固 定 〇 磁 鐵 1 1 2 1 1 4 係 藉 由 馬 達 1 1 6 在 垂 Μ 本 装 頁 1 直 軸 之 周 圍 '— 體 經 旋 轉 〇 馬 達 1 1 6 係 固 定 於 收 納 磁 鐵 Sw-^ 1 1 1 2 1 1 4 之 盒 1 1 8 的 頂 板 〇 1 1 於 圖 4 中 主 磁 鐵 1 1 2 及 馬 達 1 1 6 對 應 於 各 處 1 1 理 室 1 4 a 1 4 C 分 別 係 以 符 號 1 1 2 a 1 1 2 C 訂 I 及 符 號 1 1 6 a 1 1 6 C 表 示 〇 各 馬 達 1 1 6 a 1 I 1 1 6 C 上 接 續 有 驅 動 電 路 1 2 2 a 1 2 2 C 此 等 1 1 I 電 路 係 接 續 於 控 制 器 1 2 4 〇 由 控 制 器 1 2 4 對 於 驅 動 1 1 電 路 1 2 2 a 1 2 2 C 輸 出 同 步 信 據 此 驅 動 電 路 A 練 1 1 2 2 a 1 2 2 C 乃 將 馬 達 1 1 6 a 1 1 6 C 以 同 速 1 1 度 例 如 以 2 0 0 r P m 強 制 同 步 旋 轉 0 1 | 主 磁 鐵 1 1 2 a 1 1 2 C » 如 圓 圖 4 及 圖 5 所 示 最 1 初 係 設 定 成 使 磁 場 之 N — S 軸 向 在 同 — 平 面 內 平 行 0 又 ， 1 I 由 於 主 磁 鐵 1 1 2 a 1 1 2 C 係 在 同 — 平 面 內 且 以 等 速 1 I 同 步 旋 轉 > 因 此 » 此 等 磁 場 之 Ν — S 軸 向 也 是 經 常 在 同 —. * .1 平 面 內 平 行 且 具 有 相 同 之 朝 向 〇 ..| 1 其 次 9 茲 就 利 用 本 實 施 例 系 統 t 實 施 晶 片 W 之 蝕 刻 的 1 尺 紙 N c 準 標 家 國 國 中 用 通

格 規 4 A X ο 公 ο -I* 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7_ 五、發明説明（8 ) 程序進行說明》 首先，收納2 5片晶片w之匣C，係導入匣室1 6 a 內，其蓋5 4也經封閉。其次，匣室1 6 a之排氣閥3 8 開放，藉由排氣裝置2 4，匣室1 6內係被減壓至例如 1 0-1To r r 。匣室1 6 a ，1 6 b之一者作爲搬入用 ，而另一者作爲搬出用使用時，另一者之匣室1 6 b'內， 係導入空的匣C。匣室16a ，16b之各者，均用作爲 搬出入兩用時，另一者匣室1 6 b內也導入收納2 5片晶 片W之匣C。 其次，對於匣室1 6 a之閘閥2 2開放，藉由搬送裝 置4 2，由匣C，一定片數之晶片W—片一片地被取出， 並被搬送至搬送室1 2內。其次，閘閥2 2關閉，搬寧室 1 2之排氣閥2 8開放，藉由排氣裝置2 4，搬送室1 2 內係被減壓至例如1 0 —3 T 〇 r r » 其後，與處理室1 4 a〜1 4 c中之一個或多個對應 .之閘閥1 8開放，一片之晶片W，係藉搬送裝置4 2導入 經選擇之處理室1 4 a〜1 4 c的各容器6 2內。晶片W (單獨）被載置於靜電吸盤9 8上，而搬送裝置4 2退避 至搬送室1 2內之後，閘閥1 8係經關閉。而後，來自電 源1 0 4之直流電壓乃經施加，使得晶片W被吸附保持於 靜電吸盤9 8上。 繼之，對應於經選擇之處理室1 4 a〜1 4 c的排氣 閥34開放，對由排氣裝置24，容器62內經減壓。又 ，與此同時，處理氣體，例如作爲蝕刻氣體之C F4氣體 本紙張尺度適用中國國家橾準·（ CNS〉Λ4規格（21〇X297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·,裝·

、tT 線 -II- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) ’係由導入管6 8由頭之空部位6 6 ，擴散孔7 4，供給 於合器6 2內。藉此’容器6 2內’係被設定及維持於例 如1 〇-5To r r之壓力。 而後，磁鐵1 1 2係經旋轉驅動，在晶片W中心部附 近，形成例如具有1 〇 〇高斯強度之旋轉磁場。又，與此 之同時，由電源7 8 ，1 3 _ 5 6MH Z之高頻電力係施 加於上下部電極72，76間。藉此，上下部電極76 ， 7 6間，處理氣體係經電漿化，電漿內之反應性離子，係 以加速之狀態衝撞於晶片W，進行異向性蝕刻。 在進行一定時間之蝕刻處理後，電漿之生成停止，而 容器6 2內，係由惰性氣體所取代。而後，以與上述相反 之手續，藉由搬送裝置4 2，處理後之晶片W係由容器 62取出，並被搬入匣室16a ，16b內之原匣C或空 的匣C內。 處理室14a〜14c之磁鐵112a〜112c ， 當一個經旋轉時，其他的兩個也必定是經強制同步旋轉》 亦即，磁鐵1 1 2 a〜1 1 2 c ，不只是在所有之處理室 1 4 a〜1 4 c內實施蝕刻時，即使是處理室1 4 a〜 1 4 c之單單一者使用時，也是藉由控制器5 2之信號強 制一起同步旋轉》於此一同步旋轉中，磁鐵1 1 2 a〜 1 1 2 c之朝向，係如圖5 a中ΘΑ ’ 0B所示，經常保 持相同，亦即，此等磁場之N — S軸向，經常在同一平面 內平行且具有相同之朝向。 依此一方式，當各磁鐵1 1 2 a〜1 1 2 c同步旋轉 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（2i〇X297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 線 -12 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 _B7__ 五、發明説明（10 ) 時，處理室1 4 a〜1 4 c之磁場相互間的影響可安定化 ，使得各處理室1 4 a〜1 4 c之容器6 2內所形成的磁 場之紛亂，獲得抑制。具體言之，形成於容器6 2內之磁 場，雖係由只由磁鐵1 1 2及與其相伴之輔助磁鐵1 1 4 所形成之磁場偏移，但其絕對值小且安定，即使變動，也 是非常地規則。又，若有必要，也可預先考慮偏移量再設 計系統。是以，形成於容器6 2內之磁場安定，可防止晶 片W上方所生成之電漿的密度變動或不均勻之情事。又， 從系統朝外部之洩漏磁場的不規則動作也會消弭於無形， 對於周邊之電子機器的不良影響也可減小。 就使用磁鐵之中心間距離約爲1 1 0 cm之兩個處理 室，將兩個磁鐵使其N - S軸向向一致進行同步旋轉，以 及只使用一個磁鐵旋轉之狀況進行實驗。結果發現，以同 步旋轉之場合，由系統朝外部之洩漏磁場的不規則動作較 小，對於周邊電子機器之不良影響亦小。 圖6〜圖8 ，係本發明第二實施例磁控管R I E系統 之圖。於此等圖中，與圖1〜圖5所示之第一實施例對應 的部份，係標示以相同之符號，只就必要之部份說明。 本實施例之搬送室1 2上，接續有兩個真空處理室 14a ，14b及兩個匣室16a ，16b。 如圖6及圖7所示，各匣室16a ，16b ，不真備 如第一實施例般之上部開口及將其關閉之旋轉蓋5 4 ，代 替的是，具備在與搬送室1 2側之接續通路對向的側壁上 所形成之供晶片匣C出入的開口，以及將該開口氣密性封 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 、-° 線 -13 - A7 B7 294881 五、發明説明（η ) 閉之閘閥56°又’各厘室16a ’16b內’又配設有 供載置匣C之旋轉台5 8 °此一構成’適於將匣C以搬送 機器人（圖未示）搬入至各厘室1 6 a ’ 1 6 bR ° 如圖7及圖8所示，各處理室14a ，14b之真空 容器6 2內，供導入處理氣體之導入管6 8 ’係接續於氣 體供給頭64之中心。用以在上下部電極72 ’ 7 6間形 成例如1 0〜1 〇 〇 〇高斯之磁場的永久棒形磁鐵1 1 2 ，係配設成以其轉軸與導入管6 8之中心一致。如第一實 施例般之磁場洩漏防止用輔助磁鐵1 1 4，則並未設置。 於圖6中，主磁鐵112及馬達116，對應各處理 室14a ，14b，分別以符號112a ，112b及符 號 116a ，116b 表示》各馬達 116a ，116b 上，接續有驅動電路122a ，122b，此等驅動電路 係接續於控制器1 2 4。由控制器1 2 4，同步信號係輸 出至驅動電路122a ，122b ，據此，驅動電路 122a ， 122b乃將馬達116a ，116b以同速 度，例如以20rpm強制同步旋轉。磁鐵112a ， 1 1 2 b，如圖6所示，最初係設定成使磁場之N — S軸 向在同一平面內平行且相反朝向。由於主磁鐵1 1 2 a ， 1 1 2 b係在同一平面內且以等速同步旋轉，因此，此等 磁場之N - S軸向也經常在同一平面內平行且採相反朝向 〇 處理室14a ，14b之磁鐵112a ，112b ， 當其一者被旋轉時，另一者必定也會強制被旋轉。亦即， 本紙張尺度適用中國國家標芈（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' -14 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝·

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____B7 ___ 五、發明説明（12 ) 磁鐵112a ，112b，不只是在兩處理室14a ， 14 b.內實施蝕刻時，即使是只有處理室14a ，14b 之一者使用時，也會基於來自控制器5 2之信號強制一起 同步旋轉。於此一同步旋轉中，磁鐵1 1 2 a ，1 1 2b 之朝向經常係相反，亦即，此等磁場之N — S軸向，經常 在同一平面內平行且朝向相反。 依此一方式，當各磁鐵112a，112b同步被旋 轉時，如上所述，處理室14a ，14b之磁場相互間的 影響安定，且各處理室14a ，14b之容器62內所形 成之磁場的紛亂，可獲得抑制。又，由磁鐵112a ’ 1 1 2 b所造成之磁場，經常彼此反向抵銷，因此由系統 朝外部之洩漏磁場，不僅可使不規則動作消弭於無形，同 時，其強度之絕對值也變得更小。是以，根據第二實施例 ，對於周邊之電子機器的不良影響減小。 針對使用磁鐵之中心間距離約爲1 1 0 cm之兩個處 理室，將兩個磁鐵之N - S軸向一致之方式同步旋轉的場 合C 1 ，以及將N - S軸方向形成反向予以同步旋轉的場 合C2 ，進行實驗》如圖9之實驗結果所示，圖中，橫軸 係朝通過以磁鐵1 1 2 a之中心爲基準點的磁鐵1 1 2 b 之中心的方向之距離，縱軸係磁場強度（高斯）。由同圖 可確認，本實施例場合C 1之洩漏磁場的強度較小。 又，於第二實施例系統中，處理室14a ， 14b外 ，特別是電子機器之存在側，可設置磁場感測器以及電磁 鐵或旋轉永久磁鐵等之磁場產生部件。如此，根據磁場感 ^紙張尺度適用中國β標^ ( CNsTa4A1格（210X 297公釐) " -15 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-

、tT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（13 ) 測器之檢測信號，驅動磁場產生部件的話，可使由系統朝 外部之洩漏磁場的強度，進一步減小。又，即使有某些不 可測之事態導致洩漏磁場之強度增大，也可自動地予以補 償。 又，第一及第二實施例中，作爲在上下部電極7 2 ， 7 6間形成旋轉磁場之部件，係使用永久磁鐵1 1 2及將 其旋轉之馬達1 1 6 »代替此一構造，可在容器6 2之周 圍設置多數個電磁鐵，藉著對其施加示多相之交流電壓， 而在上下部電極72 ，76間形成旋轉磁場。此一構造也 可如第一實施例般之將多數個處理室之磁場，以N - S軸 向一致之方式同步旋轉，又，也可如第二實施例般之將兩 個處理室之磁場以N-S軸朝向相反之方式同步旋轉。

又，第一及第二實施例中，係將多數個磁場，以其N

- S軸方向相同或相反朝向之狀態，在同一平面內等速旋 轉。然而，根據本發明，只要將多數個磁場在至少以其N - S軸向平行之平面內等速旋轉的話，可獲得某種程度之 效果。 又，作爲本發明系統之被處理體，除了半導體晶片以 外，典型上之可舉其他實例爲L C D基板。又，本發明不 僅可適用於蝕刻系統，同時還可適用於利用磁控管放電之 CVD系統，噴濺系統等，或是進行其他處理之系統，或 是可複合進行此等多數種處理之系統。 〔圖面之簡單說明〕 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ現格（210X 297公釐） " ~ -16 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 A7 _________B7_ 五、發明説明（l4 ) 圖1係本發明第一實施例系統的概要之透視圖》 圖2係圖1所示之系統的搬送室，一個處理室及一個 ®室的關係之斷面圖。 圖3係圖1所示系統的處理室之斷面圖。 圖4係圖1所示系統的概要之平面圖。 圖5係圖1所示系統的磁場之同步旋轉的狀況之說明 圖。 圖6係本發明第二實施例系統的概要之平面圖。 圖7係圖6所示之系統的搬送室，一個處理室及一個 匣室的關係之斷面圖。 圖8係圖6所示系統的處理室之斷面圖。 圖9係圖6所示系統的洩漏磁場之曲線圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -17 -

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ8 B8 C8 D8 七、申請專利範圍 1 . 一種磁控管電漿處理系統，係利用電漿將基板之 被處理面處理之系統，具備： 一容器，用以收納上述基板及界定處理用之真空處理 空間； 一供給系統，用以將電漿化氣體導入上述容器內； 一排氣系統，用以將上述容器內排氣； 一對對向電極，配設於上述容器內，彼此對向； 一支持部件，配設於上述容器內，以使上述被處理面 露出於上述處理空間內之方式將上述基板支持； 一電源，用以在上述對向電極間賦與電壓，而產生電 場； 一第一磁鐵機構，用以在上述對向電極間形成第一磁 場，該第一磁場具有與上述電場交叉且旋轉之N - S軸向 * 一第二磁鐵機構，用以形成具有旋轉之N - S軸向之 第二磁場，上述第一及第二磁場之旋轉面係平行；以及 一控制機構，就上述第一及第二磁場之旋轉’控制上 述第一及第二磁鐵機構，而在上述第一及第二磁場中之任 一者經旋轉時，使另一者以等速旋轉° 2. 如申請專利範圍第1項所述之磁控管電漿處理系 統，其中該第一及第二磁場，係以其N - S軸向平行且相 同朝向之方式經等速旋轉者。 3. 如申請專利範圍第2項所述之磁控管電漿處理系 統，其進而具備用以形成具有旋轉之N_ s軸向的第三磁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) V装· --5 18 - A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 場之第三磁鐵機構；上述第一，第二及第三磁場之旋轉面 係平行；上述控制器，就上述第三磁場之旋轉，控制上述 第三磁鐵機構；當上述第一，第二及第v三磁場中之任—者 經旋轉時，係令其他二者等速旋轉者。 4. 如申請專利範圍第2項所述之磁控管電漿處理系 統’其中該第一及第二磁場之上述旋轉面，係配置於同一 面者。 5. 如申請專利範圍第1項所述之磁控管電漿處理系 統，其中該第一及第二磁場，係以N_ S軸向平行且朝向 相反之方式經等速旋轉者。 6. 如申請專利範圍第5項所述之磁控管電漿處理系 統，其中該第一及第二磁場之上述旋轉面，係配置於同一 平面內者。 7. —種磁控管電漿處理系統，係利用電漿將第一及 第二基板之被處理面處理之系統，具備： 一第一容器，用以收納上述第一基板及界定處理用之 真空處理空間； 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —供給系統，用以將電漿化氣體導入上述第一容器內 > 一排氣系統，用以將上述第一容器內排氣； —對第一對向電極，配設於上述第一容器內，彼此對 向； 一支持部件，配設於上述第一容器內，以使上述被處 理面露出於上述處理空間內之方式將上述第一基板支持； 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 排氣； 容器內，彼此對 ，以使上述被處 第二基板支持； 賦與電壓，而產 向電極間形成與 向之第二磁場， 及 之旋轉，控制上 第二磁場中之任 294881 ii D8 _ 「、申請專利範圍 一電源，用以在上述第一對向電極間賦與電壓，而產 生第一電場； 一第一磁鐵機構，用以在上述第一對向電極間形成第 —磁場，該第一磁場具有與上述電場交叉且旋轉之N — S 軸向； 一第二容器，用以收納上述第二基板及界定處理用之 真空處理空間； 一供給系統，用以將電漿化氣體導入上述第二容器內 排氣系統，用以將上述第二容器內 對第二對向電極，配設於上述第二 向 一支持部件，配設於上述第二容器內 理面露出於上述處理空間內之方式將上述 一電源，用以在上述第二對向電極間 生第二電場； 一第二磁鐵機構，用以在上述第二對 上述第二電場交叉且具有旋轉之N- S軸 上述第一及第二磁場之旋轉面係平行；以 一控制機構，就上述第一及第二磁場 述第一及第二磁鐵機構，而在上述第一及 一者經旋轉時，使另一者以等速旋轉❶ 8.如申請專利範圍第7項所述之磁控管電漿處理系 統，其中該第一及第二磁場，係以其N — S軸向平行且相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -装 、1T -9Π _ 20 ABCD 六、申請專利範圍 同朝向之方式經等速旋轉者》 9. 如申請專利範圍第8項所述之磁控管電漿處理系 統，其進而具備用以形成具有旋轉之N _ S軸向的第三磁 場之第三磁鐵機構；上述第一，第二及第三磁場之旋轉面 係平行；上述控制器，就上述第三磁場之旋轉，控制上述 第三磁鐵機構；當上述第一，第二及第三磁場中之任一者 經旋轉時，係令其他二者等速旋轉者。 10. 如申請專利範圍第8項所述之磁控管電漿處理 系統，其中該第一及第二磁場之上述旋轉面，係配置於同 一面者。 1 1 ·如申請專利範圍第7項所述之磁控管電漿處理 系統，其中該第一及第二磁場，係以N — S軸向平行且朝 向相反之方式經等速旋轉者。 12. 如申請專利範圍第11項所述之磁控管電漿處 理系統，其中該第一及第二磁'場之上述旋轉面，係配置於 同一平面內者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13. 如申請專利範圍第7項所述之磁控管電漿處理 系統，其中該各第一磁鐵及第二磁鐵機構，具有彼此固定 且一體經旋轉之主磁鐵及輔助磁鐵，上述主磁鐵及輔助磁 鐵係以N — S軸向彼此朝向相反之方式配置，上述主磁鐵 ，係配置於接近對應之處理空間側者。 1 4 .—種磁控管電漿處理系統，係利用電漿將第一 及第二基板之被處理面處理之系統，具備： 一搬送室，可設定於減壓氛圍； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） -21 - 六、申請專利範圍 —搬送裝置，配設於上述搬送室內’用以搬送上述第 一及第二基板； 一第一容器，用以收納上述第一基板及界定處理用之 真空處理空間，該第一容器係介以閘接續於上述搬送室； 一供給系統，用以將電漿化氣體導入上述第一容器內 1 一排氣系統，用以將上述第一容器內排氣； 一對第一對向電極，配設於上述第一容器內，彼此對 向； 一支持部件，配設於上述第一容器內，以使上述被處 理面露出於上述處理空間內之方式將上述第~基板支持； 一電源，用以在上述第一對向電極間賦與電壓，而產 生第一電場； 一第一磁鐵機構’用以在上述第一對向電極間形成第 一磁場，該第一磁場具有與上述電場交叉且旋轉之N - S 軸向； 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 二第二容器，用以收納上述第二基板及界定處理用之 真空處理空間，該第二容器係介以閘接續於上述搬送室； 一供給系統’用以將電紫化氣體導入上述第二容器內 t —排氣系統，用以將上述第二容器內排氣； 一對第二對向電極，配設於上述第二容器內，彼此對 向： 一支持部件’配設於上述第二容器內，以使上述被處 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -22 - 294881 A8 B8 C8 D8 '、申請專利範圍 理面露出於上述處理空間內之方式將上述第二基板支持； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一電源，用以在上述第二對向電極間賦與電壓，而產 生f二電場； 一第二磁鐵機構’用以在上述第二對向電極間形成與 上述第二電場交叉且具有旋轉之N_S軸向之第二磁場， 上述第一及第二磁場之旋轉面係平行；以及 一控制機構，就上述第一及第二磁場之旋轉，控制上 述第一及第二磁鐵機構，而在上述第一及第二磁場中之任 —者旋轉時，使另一者以等速旋轉。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之磁控管電漿處 理系統，其中該第一及第二磁場，係以其N — S軸向平行 且相同朝向之方式經等速旋轉者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之磁控管電漿處 理系統，其進而具備用以形成具有旋轉之N_ S軸向的第 三磁場之第三磁鐵機構；上述第一，第二及第三磁場之旋 轉面係平行；上述控制器，就上述第三磁場之旋轉，控制 上述第三磁鐵機構；當上述第一，第二及第三磁場中之任 一者經旋轉時，係令其他二者等速旋轉者。 1 7.如申請專利範圍第1 5項所述之磁控管電漿處 理系統，其中該第一及第二磁場之上述旋轉面，係配置於 同一面者。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項所述之磁控管電漿處 理系統，其中該第一及第二磁場，係以N— S軸向平行且 朝向相反之方式經等速旋轉者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -23 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 9 .如申請專利範圍第1 8項所述之磁控管電漿處 理系統，其中該第一及第二磁場之上述旋轉面，係配置於 同一平面內者。 2>0 .如申請專利範圍第1 4項所述之磁控管電漿處 理系統，其中該各第一磁鐵及第二磁鐵機構，具有彼此固 定且一體經旋轉之主磁鐵及輔助磁鐵，上述主磁鐵及輔助 磁鐵係以N— S軸向朝向相反之方式配置，上述主磁鐵， 係配置於接近對應之處理空間側者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 文. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 -