TW213506B - - Google Patents

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TW213506B TW081106598A TW81106598A TW213506B TW 213506 B TW213506 B TW 213506B TW 081106598 A TW081106598 A TW 081106598A TW 81106598 A TW81106598 A TW 81106598A TW 213506 B TW213506 B TW 213506B
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Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 2i3 瓜 Λ6 _Β6_ 五、發明説明（/ ) 本發明僳關於一種己塗覆材料，此材料包括一底材， 該底材之至少一面塗被有吡咯並吡咯，此毗咯並吡咯被 酸蒸氣轉化成酸之對應鹽。本發明關於一種利用雷射光 照射上述底材上之吡咯並毗咯層來儲存及閲讀資料的方 法，及關於該己塗覆材料，和關於使了應用在塗被用所 塗覆的傳導底材當作光烕受器以製造太陽能電池及烕應 器，與關於使用所塗被的介電底材當作抗靜電處理。 利用光學記錄材料及媒介物來儲存資訊早己是眾所周 知的（如：G. Kanpf 等人，1986 年在 Kunst-stoffc 中， 1077-1081頁所發表的"Farbrnittel/Polymer-Systeaie als Datenspeicher”；或 M.C. Gupta等人，1986年在 J. Appl. Phys.期刊，60卷，8期，2932-2937頁所發表的 "Erasable laser recording in an organic dye-binder optical disk mediunT' e 在這些發表的文章中 ，資訊是利用經待殊波長及強度或其它適當的能量夠強 的輻射（如：雷射）的處理而加以記錄下來。輻射的吸 收會引起輻射區域之局部溫度上升，因此受蒸發、軟化 或熔化作用而在記錄物及/或媒介物表面産生凹痕或區 域相的位移，且導致折射率、吸收度反射度之改變。 利用雷射的方法，可能會産生1到數平方徹米大小的孔 、氣泡或凹痕，或導致相位移。利用這些孔/氣泡/凹 痕或相遷移的改變的反射或光散射行為，以強度較低的 雷射依序讀取資訊。適當的記錄材料有：金屬、合成樹 ----------^-------I ------裝------# (-屯閱-货而之注念？^再塥寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家作準（CNS)甲1 i見格（210 X 297公坌） 213502 五、發明説明（么） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 溶變，， 層向紫生層單酸 蒸及便感 括 I 機改面理 薄之向再威簡此 酸}方光 包式 有的表處 咯值或及敏常。 用性最造 料或 用性的以。吡大種存光非來 ，導ί 製 材咯 。在導層加面並最這儲作以回 c比暗素做 此吡 丨物傳錄劑表咯收。以層可復料對的鹵用 ，並 料合光記溶其吡吸變料薄地回材質良上可 料咯 染化或機機噴的著改材之訝以電材改佈也 材吡 ••機 \ 有有嘴上顯色嫌過驚加介的{塗質 覆I 如有及的的噴材起顔記理人而之過阻再材 塗式 {定變目態的底引的學處令} 理理電因種 己有 質待改此氣上在會著光酸，洗處處的可這。種覆為 物了的達或機，，顯為以象水電未低質，器一塗 I 的示譜為態表現後生做此現或靜和較性此應供面式 性掲光。液印發之産來而的用抗，有些如感提一 ， 收中收料以墨近理並用1)移作有現擁這 e及為少物 吸1 吸資，噴最處，合 W 位的具發層而強池的之合 光179的存訊在是氣移適 t 紫熱用地質，加電目材混 有01成儲資用的蒸位分 ί 向：供訝材性更能一底之 具-4而來的用訝的逆十 U 或如可驚之導而陽之該咯 它-Α之用入使驚酸可質€紅{亦人過光}太明，毗 Ρ^又 其 Ε 理以输：人強及物丨向理層令理的溴、發材並 或在處可照如令以或射訊此處理更處良是器本底咯 脂劑後依例 ，紅雷資，的處 氣優的受 一吡 f 请;1間-.'.'''!背面之;1*?'^«!再塡寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家作準（CNS)甲.卜現格（21() X 2971公坌） 2l3bCc Λ 6 B6 五、發明説明（3 4 l·vVXi R2 (i) 其中Ri偽苯基或如下式吡啶基 r5
r6 ' Rs-fir i— %，r5·
N r6 (淆先閲.背而之注*?項再塡寫本頁) 該基被三级胺基取代，或傷下式苯基
Re R^, Λ 或
R7 Λ
經濟部中央標準局員工消费合作社印製 基 R1院 和環 或之
基 烷 18 苯 的 代 取 未 代 取 衣纸張尺度適用中國國家榨準（CNS)甲4規格（210 X 297公坌） A 6 B6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（孳） 基、苄基或苯乙基，或苯基、苄基或苯乙基被鹵素、 C i - C 12烷基、c i - C 12烷氣基、気基或硝基取代或和環 上的氤原子一起形成如5 -或6 -環的雜環自由基選自：吡 咯啶基、六氫吡啶基、吡咯基、眯唑基、吡唑基、三唑 基、六氩吡阱、嗎啉基、及硫嗎啉基，1?5到1^8各為氫 、齒素、Ci-Cu烷基、Ci-Cu烷氣基、Ci-Cu烷氫 硫基或糲基，且^和12各為〇或S,式I化合物至少 有部分被轉化成強酸的鹽類。視設計目用途上的霈要， 適用於底材的材質有很多，包括：紙、玻璃、陶瓷、塑 膠、層板、金屬、合金及金屬氣化物。視實用需要，底 材可以是不透明的或透明的。 式I化合物層的厚度在5G0到5000 A之間，較佳在以 在5 0 0到4 0 0 0 A ,更佳在5 0 0到3 0 0 0 A ,最佳在5 0 0到 2 0 0 0 A 〇 視式I化合物層以強酸處理的時間長短而定，式I化 合物層可以部分或完全被轉化為強酸的鹽類。用來處理 的酸可以是水溶液狀或是酸蒸氣，其中又以酸蒸氣較佳 。為了達到本發明的目的，短暫的處理時間（幾秒鐘） 通常是足夠的，而在此情況下，只有式I化合物層的表 面會被轉化成鹽類。 較佳係將式I化合物層完全以強酸蒸氣處理，如此會 在吸收最大值處産生向红或向淺位移。基本上可在室溫 産生足夠高的蒸氣壓的任何強酸均適合用來做酸處理。 (請毛間''-,!背而之：;i'sp,fi再塡寫本頁) 本紙張又度適用中ISH家t?準（C,\'S)甲·1規_格（210 X 297公铨） 213^0^- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 6 B6_ 五、發明説明（f ) 此強酸的例子有：硝酸、鹽酸、氫溴酸、三氛醋酸、及 三氟醋酸β在本發明的實施上，硝酸是最好的。一般來 説，在以酸處理短暫時間後，即會發生顔色的改變，典 型地暴露在硝酸蒸氣下只須5秒鐘即會有顔色改變。 本發明更進一步的目的為提供一 製造這新穎材料的 方法，其包括將至少一面塗佈式I之Pth咯並吡咯化合物 的底材和強酸接觸，且至少將部分之式I化合物轉換成 酸的鹽》 式I化合物為眾所周知且可以已知的方法來加以製備 。式1化合物（其中义1及义2均為氣原子）及其製備掲 示於 US 4579184 及 EP-A 353184。而 Xi 或/ 和 X2 為硫 原子的式I化合物掲示於US 4632893,且可以其中描述 的方法或將對應的二_ m咯並吡咯化合物（即X i和X 2 為氧的化合物）經硫化反應而加以製備。 如果式I化合物之取代基取代基Rs到R8中有一為鹵 素或R3*R4被鹵素取代，則此鹵素可以了解地是碘、 氟、溴或氣，其中以溴或氛較佳。 (：1到（：18烷基之代表例有：甲基、乙基、正丙基、異 丙基、正丁基、第二丁基、特丁基、正戊基、特戊基、 正己基、1, 1, 3, 3-四甲基丁基、正庚基、正辛基、 壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十七烷 基及十八烷基。 C 1到C 12烷氧基之代表例有··甲氣基、乙氣基、丙氣 (-也閲"背而之注-?項再堝寫本頁) 本紙張又度適用中MS家t?準（CWS)甲.1現烙（LUO X 297公货） C0 ο ά 3 1 2 五 基 正 ' 基 氣 丁 特 ' 基 氣 丁 二 第 ' 基 氣 丁 正) 、 έ 基 ί氣 明污 説丙 明異 發、 基 氣 辛 正 、 基 氣 0 正、 基 氣 己 正 0 、基 基氣 氣烷 戊二 待十 '及 基基 氣氣 戊癸 基 6 硫 C 氫到 烷 5 S5C C 的 -型 C1典 述 上 於 應 對 有 基 烷 琛 基基 氣己 烷環 12及 C - 基 1戊 :琛 以 中 其 佳 較 基 己 環 和 含 包 佳 較 時 基 乙 苯 或 基 苄 ' 基 苯 之 代 取 為 2 X 和 的XI 佳 、 待 2 Μ 0 基 1 由 R 自基 的中 代其 取為 未物 〇 合 基化 代 I 取式 述的 上佳 個較 和 (請先閲.;·,.·#而之;±w?茛項再塡寫本頁) 和 物 合 化 的 同 相基 為式 各下 8 或 i. 基 啶 7 Rptfc 及為 6 1 R R 和有 S 邇 R的 、佳 R4較 和 R4 〆 N cf R5 6— R6 基 傺 2 R 且 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
中 其 義 定 之 1 R 具 或 為 均 同 相 基 乙 羥 基 乙 硫 氫 基 苄、 基 己 環 基和 烷或 12基 -C乙 1苯 :或 本紙張尺度適用中國國家桴準（CNS)甲1規格（21» X 297公坌） 2i3L〇^> A(i B6 五、發明説明（々） 氮原子連接形成吡咯啶基、六氫枇啶基、嗎啉基或硫嗎 啉基，而且Rs到ϋ8各為氫原子、氣、溴、Ci-C4烷 基、Cl -C4院氣基或Cl -C4院氫硫基）β 待佳的化合物為其中R3和R4相同，均為Ci -c4烷 基、2 -羥乙基或2 -氫硫乙基，或和氮原子連接形成吡咯 啶基、六氫吡啶基、嗎啉基或硫瞟啉基，且R5到R8S 為氫、氛或溴。 最佳的式I化合物為其中R2和R2為2-、3 -或4 -批啶 基（其中4-Btfe啶基較佳），且Xi和X2為氣或其中Ri 和ϋ 2為基
(請"閲"背而之注'sp,f,:再項寫本页) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (其中R3和R4均為甲基或是和氮連接形成吡咯啶基、 六氫毗啶基、或嗎啉基）且Χι和X2相同，均為氣或硫 (其中以硫更佳）。 最最適合的式I化合物為1, 4 -二酮基-3，6 -雙（ 4 ’ -吡啶基）吡咯並〔3 , 4 - C〕吡咯，1 , 4 -二酮基-3， 6 -雙（3 '-吡啶基）吡咯並〔3 , 4 - C〕吡咯及1 , 4 -二硫 酮基-3, 6 -雙（4’-二甲基胺苯）吡咯並〔3, 4-C〕吡咯 也可使用上逑結構的吡咯並吡咯化合物的混合物β 本紙張尺度適用中SK家桴準（CNS)甲.！峴格（210 X 29?公坌） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 2：135Gc Λ 6 _B6_ 五、發明説明（7 ) 本發明尚一目的為提供一餹在此新穎己塗覆材料中儲 存資料的方法，其中，塗佈有式I化合物的強酸鹽的一 層充當記錄層，視放入資訊的不同，利用雷射光照射記 錄層並改變記錄層的吸收光譜，使得資料寫入並儲存在 此照射區域。 本發明的方法乃是基於下面令人驚訝的事資：固態或 塗佈在底材上形成一薄層的式I化合物，當暴露在酸蒸 氣中，會産生吸收最大值的向紫或向紅位移。R1*R2 為吡啶基的式I化合物質子化後會産生向紅位移的效果 ，而Ri和1^2為三级胺基取代基的化合物行質子化後， 會産生向紫位移的效果。如此導致的不同顔色形式，有 很優良的光安定性，但是卻能很方便地利用加熱（典型 地約151TC),選擇性地在加熱區域産生顔色的向紅或 向紫改變，而回到设有強酸鹽的原好形式。上述方法為 可逆的，可重覆無限多次。這値方法可以利用Ri和R2 為4 -BH;啶基且Xi和X2為氣的式I化合物當做例子，説 明如下： H+ 紅色< 紫色(Δ: c:\Wc) Λ 1 ^max = 540 nm max = 580 nm 利用雷射光，資料可以以紫色形式寫下。吸收的光能轉 -1 0 - ----------------W-------裝------訂------^ (-"聞-‘背而之注念一^項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家桴準（CIVS)甲，4現格·（2丨0 X 297公蛩） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 213^0- λ6 Β6 五、發明説明（?） 變為熱能，而導致去質子反應，並引起照射區域的顔色 改變。如此寫下及儲存的資料，可以用光學方式讀取無 限多次，或者，如果希望，可以利用無選擇性地對全部 區域坷熱而加以去除。 以此方法可以達到高儲存密度》因此有可能會産生小 於# nf的點大小（”像元"U 用在記錄過程的本發明記錄材質的層結構，可以依条 統功能（透射或反射）的不同而不同。如果記錄糸統乃 是根據光透射性的改變而作用的話，則層結構必須包含 :透光塗被物/記錄層/(適當的話）透明保護層。用來 寫入或讀取資料的照射可以從糸統塗被物那面或記錄層 或保護層那面進行，而光偵測通常在相鄰的那一面進行。 如果記錄過程是根據反射性改變而作用的話，則層結 構可能是：透明的塗被物/記錄層/反射層/ (適當的 話）保護層（不需要是透明的）或是底材（不需透明的 )/反射層/記錄層/ (適合的話）透明保護層。在前者 情形下，照射需從糸統的塗覆物那面照，而在後者情形 下，照射需從記錄或者如果存在保護層從保護層那面進 行。而兩種情形，光的偵測都在光源同一面進行。這二 種層結構以前者的層結構較佳。 本發明的吡咯並吡咯層可以非常方便地以在高真空下 的蒸氣沉積或噴鍍而加以製備。這痼方法包括在高真空 下對底材蒸氣沅積或噴鑛毗咯並吡咯或吡咯並吡咯混合 --------------l· ------^------、玎------{ (-"閲"背而之注4菸項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲Ο見恪（210 X 297父货） 213503 Λ 6 Β6 經濟部中央標準局員工消費合作社印髮 五、發明説明（) 物，然後以酸蒸氣進行質子化作用。二種或更多不同的 吡咯並吡咯化合物，可以同時或逐次地使用二種或多種 蒸氣源一層一層地（即多層懕）蒸氣化後上到底材上β 在蒸氣沉積之後，利用將此層經強酸蒸氣處理後，可以 非常方便地製備強酸的鹽類。記錄層的厚度可以在非常 大的範圍中改變。此層最好有200到3000 Α的厚度，其 中又以500到1200 A為較佳，而最佳的層厚度為700到 1000 A〇 用來作為資料記錄材質中的底材，較適合的有：玻瑰 、聚碩酸酯、聚異丁烯酸甲酯、聚烯類或環氣樹脂β任 何金颺（如：鋁）的金屬片、薄膜或薄片及覆蓋了金屬 的塑膠片及薄膜也可以使用。 光反射層必須是十分穩定的，以致它僂可能地定量反 射用來掃描以讀取資料的光，。適當的光反射材質包括 :鋁、金、铂、錁、銀、鉬、錫、鉛、秘及銅。其中又 以鋁及金為較佳的選擇。這些物質可以利用高真空蒸氣 沉積或噴鍍的方法覆蓋在記錄底材之上。此光反射層的 厚度應可使掃描的光之反射越完全越好。如此，這層的 厚度應該在1000到3500 Α之間，其中較佳的選擇為約 2000 Αβ為了達到此目的，在適用的波長有高反射性的 反射物是較佳的〇此光反射層最好有光學上來說十分平 滑的表面，且此表面必須要使得記錄層可以完全地附著 上它。 -1 2 _ (請先閲"详而之注5?-,/!再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國Κ家抒準（CNS)甲.1規格（21« X 297公贷） 2i3ltS〇 Ο Α6 Β6 經濟部中央標準局員工消t合作社印製 五、發明説明（IJ ) 如上所述，記錄層及金屬反射1可以利用真空蒸氣沉 積法塗覆。首先將要塗佈的金屬放入裝備有電阻加熱器 的容器中，再放入真空室中。要沉積此金屬的底材須夾 在裝有要蒸氣化的金屬的容器之上。夾底材的夾具須能 使底材被轉動（如：50 rpm)及加熱。將真空室抽真空 到約 1 . 3 X 1 0 - 5 到 1 · 3 X 1 0 - 6 毫巴（10- s 到 1 〇 - 6 torr),並且加熱到能使要沉積的物質蒸發的溫度。繼 鑛沉積工作，直到層上有所欲的厚度。依照条統需要， 先作記錄材質再作反射層或步驟相反均可。在有些情況 中是不需要作上反射層。 因為可以和底材形成很好的鍵結，所以利用噴鍍技術 塗覆金屬反射層是較佳的選擇。要被塗覆的物質（如： 鋁）一般是片狀的，用做為”目檫"電極，但是底材像置 在相對電極（counter-electrode)上。首先將真空室抽真 空，抽到約10 — 6 torr,然後導入鈍氣（如：氬氣）直 到壓力到逹約1 0〜3 t 〇 r I·。在目標電極和相對電極之間， 施以數仟伏特的高直流電或交流電（有時使用永久磁鐵 (磁電管噴鍍））以致産生Ar+游離氣。由目標電極的 Ar+離子噴鍍的金屬顆粒是十分均一的，並且會完全牢 固地沉積在底材上。視目標材質、噴鍍技術及噴鍍條件 而定，塗覆會在很短時間到幾分鐘之内達成。噴鍍技術 在一些機械的文獻（如：W. Kern和L. Vossen,所著 "Film Processes"—書 Academic Press, 1 9 7 8 )中有詳 -1 3 _ ' --------------^-----j------裝------訂 (-t^'-i背而之;tA务項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國01家標準（CN\S)甲._1规格（2L〇 X 297公译） 〇 Λ 6 Β6 經濟部中央標準局8工消費合作社印- 五、發明説明（》2·) 細的描述。 以蒸氣沉積法形成的層厚度，可以利用光學条統（此 条統可以度董塗佈吸收物質的反射表面的反射性）的輔 肋而加以檢視。其中以用石英共振器來檢視層厚度的成 長較佳。 此記錄条統亦可含著色劑（如：無機的或有機的顔料） ，或在某些情況下，含不會和本發明所用的酸蒸氣反醮 的有機或無機絶熱層》 如上所述，如果有利的話，可以在記錄靥或光反射層 上塗佈不會傷害資料記錄及讀取的保護層。這個敘述對 本發明是很適當的。較適合的保護層有：主體為聚丙烯 酸醋的紫外光可交聯聚合物，如：Morton International-Dr. Renger公司 所售之 RENGOLUX® RZ 3200/00 3及 3203/ 001或DIC公司所售之SD-17®。這個保護塗佈是利用旋 轉塗佈機塗佈，再以紫外光照射形交聯反應《此層厚度 最好在5-20AIB,其中又以8-10/zb為較佳。 就像己經提到過的，雷射十分適合用來寫資料到記錄 層上，這種雷射包括：氮-氖雷射（633nn〇、氬雷射（514 n b )或主鼸為 G a A s A 1 ( 7 8 0 n a )、G a A s ( 8 3 0 n m )及 I n G a A 1 P (650nni)的碘雷射。資料可以利用光調整器一點一點或 一行行地寫入。 本發明的方法使得書寫/儲存資料變為可能，並且有 :清楚的邊界、高度地倍賴度及低訊雜比的特點。 -1 4 - (-"閲"背而之注'6?項再塡寫本页) 衣紙張瓦度適用中國®家抒準（CNS)甲'i吼格（210 X 297公贷） 五、發明説明（丨3 ) Λ6 B6 經濟部中央標準局員工消费合作杜印焚 耐 域 \ 加透 3 化53吡ηιη記 已的錄 是和 以 、 區及}射 C 變約}40學 的鹽記 也層 ， 定 射移射用 並 色到基^7光 料酸比 能物 用 穩 照位雷利 咯 顔變苯 U 為 資強會 利合 使 寸 致的能是 吡 之改基 做 入成收 的化 式 尺 導譜低它 } 見^氨^材 寫變吸 步 1C形 是。會光用， 基 可50基 Η 底 面份其 一式強鹽 統線法收使管。啶 U 覺 π 甲on穎 上部， 進的增酸 条射方吸{極變吡 視 W 二63新 在少質 使鹽更強 錄UV的。器二改'H 的'約的 可至材 ，酸而以 記及明移测：^的(4^}罾(4從述 個含該 性強應被 且化發位偵PI譜nnl 會上 一包的 導含反能 ，變本的子有光-彳40^- 譜用 供層料。光包}也 取度，譜光器量e^wfee光使 提錄資低及由佳物 讀溫的光用测測3,1|^;^3’的為 ..記有略性藉較合 被耐過收利偵來||後^0關咯的 為的含或導可碘化 易也提吸以光射TtHHM吡目 的料包高電性和咯 容，經域可的反 -%a j 一 目材而略的導溴吡 很化已區料當是4011&--0另 一該，的料電以並 料變面質資適其l,thllg58T44的 尚，物來材此中咯 資候上材的。尤在卩約31,3’明。明料合圍該。其吡 的氣像錄存取收此C1從之且 C 發質發材化周為的{I 存及就記儲謓吸如4-吸應，並本物本覆 I 的因能素式 儲光 或或以或 ，丨對^咯 錄 塗式層 可鹵 -----------^ ------裝------.玎------^ (請毛閱-?Τ背面之注t麥項再場寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家懔毕（CNS)甲4吡格（2W X 297 ) Λ6 B6 五、發明説明（丨4 ) 供作具抗靜電處理的介電存材。造種使用構成本發明的 另一個目的。於此方面，強酸鹽形式的吡咯並吡咯層的 厚度較佳在5 0 0到5000 A之間，更佳在800到4 0 0 0 A之間， „最佳在1 0 0 0到3 0 0 0 A之間。 因為其具有光導性，所以本發明的新穎己塗覆材料也 很適合用來製造光感受器《於此方面，底材係電導性材 質（典型地如金羼鋁）所構成，並且在以強酸鹽形式存 在的吡咯並吡咯層上會有電荷轉移層出現。這種光烕受 器及帶電子層物質的利用及製備方式是眾所周知的，並 且在US-A-4 632 893中有掲示。此光威受器構成本發明 的另一目的。於此方面，以強酸鹽形成式存在的吡咯並 吡咯層的厚度較佳在500到4000 A之間，更佳在800到 3 0 0 0 A之間，最佳在1 0 0 0到2 5 0 0 A之間。這種光感受器 可使用在靜電印刷術上。 (凊先閲^背而之注念菸項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 與電化的 ί ~ 開目ΰ 锻上 0 池導氣了 uiJ*l50 電的 / 覆 一 Η 荷s在 能明絪塗ftii電的佳 陽透S此Μιίϋ明較 太由電，所發度 造須導}體^將本厚 製材極層導 W 來成層 於底子屬電 Μ 用構咯 用，電金由Fr入池吡 適的 了的極 Μ 放電並 也目佈薄電 Η 間能咯 料此塗薄一ar之陽吡 材到上了另 f 極太的 覆達璃佈且 W 電種在 塗 了玻塗 ，U 餾這存 已為，上極Μ 一 。式 顆。上璃電lr中池形 新組利玻明Is其電鹽 的池便或透^1與ky酸 發能構 T 做金導 h 以 本陽質(I璃或光sc。 太物錫玻銅在的的 本紙張尺度適用中a國家序準（CNS)甲'1現格（2丨(）X 297公铨） 213^0
Λ 6 BG 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 到3 Ο Ο Ο Α之間，其中更佳在5 0 0到2 Ο Ο Ο Α之間，最佳在 5 0 0到1 5 0 fl A之間。 塗佈了式I的吡咯並吡咯化合物的底材也適合用於製 造威應器。為達此目的，底材較佳是以電極（最好是分 開的電極對）形式存在》而在式I的吡咯並吡咯層表面 上施以兩個互相鎖定m狀的陰極和陽極是十分有益的。 由於鹽類的形成，導致和酸接觸前和後導電性的改變， 可以利用測量酸處理前後的電阻值而加以判定。式I的 吡咯並毗咯層是反應層。利用此底材做成戚應器也是本 發明的另一目的。以強酸鹽形式存在的吡咯並吡咯層厚 度較佳在5 0 0到300Q A之間，最佳在500到2000 A之間， 最佳在5 0 0到1 5 0 0 A之間。 本發明由下面實例説明。 M. 1 1—.將鋁在高真空下進行蒸氣沉積到玻璃底材上，形 成厚度約2500 A的金屬層。然後，在相同條件下將1, 4 -二_-3，6 -雙（4' -吡啶基）吡咯並〔3, 4-C]吡咯氣 化，在鋁層上形成約1QQQ A的一層。如此得到的記錄片 在硝酸蒸氣中暴露約5秒鐘，於是産生向紅位移（吸收 最大值：5 4 0到5 8 0 n in )。電子資訊用波長5 1 4 n m的A r + 雷射逐點寫入，並且用顯撤分光光度計（Carl Zeiss: UMSP 80)測量在600 nra的反射率的改變。在寫之前反射 率約為5X,寫之後約為53% ^ 重覆例1的實驗，但是以1，4-二_-3, 6 -雙（ -1 7 - --------i!^.!——】------裝------訂------J (请先閲.背而之;'t.t^項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中a國家桴準（CNS)甲4現格（2Ui X 297公贷） 213503 A 6 B6 經濟部中央標準局員工消費合作社印κ 五'發明説明（4) 3 ^吡啶基）吡咯並〔3 , 4 - C ]吡咯代替1 , 4 -二酮-3， 6-雙（4’-吡啶基）吡咯並〔3, 4-C〕吡咯，且沉積層 厚度為7 Q G A。測置在5 8 G η 1的反射率，寫之前為約2 5 % ，寫之後約6 1 %。 la„ :重覆例1的實驗，但是以1，4 -二硫酾-3, 6 -雙（ 4'-二甲基胺苯基）吡咯並〔3, 4-C]吡咯代替1, 4 -二 酮-3，6 -雙（4 ’ - Bft啶基）吡咯並〔3 , 4 - C〕吡咯，且 沉積層厚度為900 A。資料是利用78Qn «波長的雷射光寫 入，並且用PIN diode度量在780ηπι的反射率。寫之前的 反射率約6 %，寫之後的反射率約52%« 例.4 :光感受器的製備 在高真空下將做為電荷産生材質的1, 4 -二酮-3，6 -雙 (4 ’ - 啶基）吡咯並〔3 , 4 - C〕吡咯氣化後，沉積到 鋁底材上形成厚度約1500 A的一層，然後將此層暴露在 濃硝酸蒸氣中約5秒鐘。然後從聚磺酸酯和4 -二乙胺苯 甲醛-1， 1 -二苯腺（重量比1 ·· 1 )的氣仿溶液製備電荷 轉移層，而得到層厚度20>ub的聚磺酸酯及4-二乙胺苯 甲醛-1, 1-二苯腙層。此光慼受器的帶電、去電性質是 利用Kawaguchi Denki公司所提供的紙分析儀（paper analyzer，型號為SP-428)來測量。電荷接受度為-1200 伏特，且在可見光區的E 光烕度為3 Lux-sec (E 指 的是將表面電壓降到起始值一半所須的能董倒數）。 M_5」感應器的製備 ~ I 8 ~ ---------I — — ί----1 ------裝------.玎 本紙張尺度適用中國S家丨？準（CN\S)甲4规格（2丨〇 X 297公贷） 2l3iiG〇 經濟部中夹標準局員工消費合作社印焚 五、發明説明（丨1) 表面上裝有互相鎖定戴狀的金做的電極對的玻璃底材， 在高真空下塗佈一層厚度約800 A的1, 4 -二酮-3,6- 雙（4 '-吡啶基）吡咯並〔3 , 4 - C〕毗咯β在烕應器上 將一値6V的電池及一痼100ΚΩ的電阻串聯至威應器。將 此感應器以濃硝酸處理後的所減少電阻，利用测量電阻 左右的電位差來決定。電位的改變為從6>uV(未處理）到 6 0 0 mVo 16—.: Μ靜電效果的測定 在高真空下，將1, 4 -二酮-3, 6 -雙（4' -吡啶基）毗格 並〔3 , 4 - C〕吡咯氣化，並沉積到鋁底材上，形成厚度 2000 Α的一層，然後利用例4的紙分析儀測量以硝酸蒸 氣處理前後的正負電荷。澜得1000 V和5 V的負電壓和 8 0 0 V及8 V的正電壓。 --------------^ ------*-------裝------# (靖先閱4背而之注δρ項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CWS)甲1吡格（2111 X 297公货）

Claims (1)

  1. 2 .»- —«·-** A7t
    六、申請專利範圍 第81106598號「毗咯並毗咯塗覆物質及其用途」專利案 (82年5月修正） 1.—種式（I)吡略並毗咯 塗覆物質， V： 4 IsvV X1 R2 (I), 其中Ri及1^2代表下式苯基：R3>N/R4 R3.n^R4
    此基僳被三级胺基取代，或1?1及{12代表下式吡啶基 ------Γ -----------------裝------，玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製
    N
    各wCi-C4院基，而Xl及叉4各0或S' , 式（I)化合物至少部分被轉化成強酸之鹽。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐） A7 汾咖 Γ7 _D7_ 六、申請專利範圍 2. 如申請専利範園第1項之（I)毗咯並毗咯 塗覆物質， 其中R:和1?2及/1和）（*各為相同的。 3. 如申請専利範園第1項之（I)毗咯並毗咯 塗覆物質， 其中R 3和R <係相同。 4. 如申諳専利範圃第1項之（I)毗咯並毗咯 塗覆物質， 其中％及|{2係4-毗啶基，且X1&X2像0或其中I及 R ί傜基： 其中1?3及！^各俱甲基，乂1與父2相同而供0或S(較 佳）。'5.如申誚專利範函第1項之（I)毗咯並毗咯 塗覆物霣， 其係用於塗覆於一種由紙、玻璃、陶瓷、塑朦、薄層、 ----------------一--------裝------訂---」-線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央摞準局貝工消費合作社印製 上 面 - 少 至 之 材 底 的 成 構 所 物 化 氣 屬 金 或 C 金層 合薄 、作 屬當 金以 霣酸 物溴 覆氫 塗 、 酸 咯鹽 毗 、 並酸 咯硝 毗和 。 丨分類 (I部a 之有成 項少形 5 至酸 第層醋 画咯氰 範毗三 利並或 專咯酸 誚毗醏 申中氰 如其三 6
    本纸張尺度適用中®國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） A7 B7 C7 D7 «濟部中央標毕局工消費合作杜印货 六、申請專利範圍 7. 如申謫專利範圔第5項之（I)毗咯並毗咯 塗覆物質. 其中毗咯並毗咯的厚度為500- 5000 I 8. 如申請專利範圍第1項之（I)毗咯並毗咯 塗覆物質， 其中的式（I)化合物偽擇自1, 4-二酮-3, 6-雙（4’-毗 啶基）毗咯並〔3, 4-C〕毗咯，1, 4-二酮-3, 6-雙（ 3’-吡啶基）吡咯並〔3, 4-C〕毗咯及1, 4-二硫酮-3, 6-雙（4’-二甲胺苯基）毗咯並〔3, 4-C〕毗咯所组成 之群《者。 9. —種將如申請專利範園第1項之（I)毗咯並毗咯 塗覆 物質塗於底材上的方法，其包括將塗覆有式（I)毗咯並 毗咯（於真空下藉由蒸氣沈稹或噴鍍）的底材與於水溶液 或蒸氣相之強酸接«，並將該式（I)毗咯並吡咯至少部 分轉化成該酸的鹽類。 10. 如申請專利範圔第9項之方法，其中塗覆有毗咯並毗 咯的底材係與硝酸蒸氣接觸。 11. 如申請專利範圃第5項之（I)吡咯並毗咯 塗覆物質 ，其寫有資訊，其+記錄層偽由至少有部份變成強酸鹽 的式（I )化合物所構成，此記錄層含有位元形式的資訊 ，其吸收度會較記錄層的周園琛境來的較高或較低。 -------------一--------裝------訂----^ 線· (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺Λ適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公背）
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