JP2003029605A - 光記録媒体および光記録装置 - Google Patents

光記録媒体および光記録装置

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明子 平尾
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一紀 松本
Hideyuki Nishizawa
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ホログラムとして情報が記録される光記録媒
体であって、実用的な記録寿命を保ちつつ、記録に要す
る時間が短い光記録媒体を提供する。 【解決手段】 光の照射により極性の異なる第１および
第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記第
１の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第２の電
荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持する
トラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１の電荷
および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて前記記
録層の光学特性が変化して前記記録層に情報が記録され
る光記録媒体である。前記記録層は、前記第１の電荷を
保持するトラップ剤を含有する。前記トラップ剤は、共
役系と少なくとも１つの含窒素複素環基とを有し、前記
複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合さ
れることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に係
り、特に、光照射により内部電場が形成される記録層を
有する光記録媒体、およびこうした光記録媒体に情報を
記録する光記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度画像など容量の大きなデータを記
録可能な媒体として、光記録媒体が知られている。従
来、光記録媒体としては、光磁気記録媒体や光相変化型
媒体などが開発されているが、光記録媒体に記録可能な
情報量の高密度化に対する要求は高まる一方である。
【０００３】このような光記録媒体に記録する情報量の
高密度化を実現するための記録媒体として、ホログラフ
ィックメモリが知られている。これは、光強度やその位
相が二次元的に分布しているページデータと参照光とを
干渉させ、記録層中にホログラムの形として情報を記録
するものである。ホログラフィックメモリでは、記録層
を厚くし、参照光の入射角や記録する位置をわずかに変
化させて重なった領域に多数のホログラムを記録する。
【０００４】このようなホログラフィックメモリの記録
媒体としては、これまでは、無機物が検討されてきた。
近年、結晶材料の作製や、特性制御の困難性を回避でき
ることなどの理由から、有機高分子化合物を用いたフォ
トリフラクティブ媒体の開発が盛んになりつつある（例
えば、米国特許第５，０６４，２６４号）。
【０００５】このフォトリフラクティブ媒体は、電荷発
生剤、電荷輸送剤、トラップ剤および非線形光学材料と
を含有する記録層を有し、この記録媒体に互いに干渉し
あう信号光と参照光とを照射して、両光の干渉縞の形で
記録層に情報が記録される。記録に用いた参照光を記録
層に照射することによって、信号光と同じ空間的特長を
もつ再生光が再生される。
【０００６】具体的には、記録層の光が照射された部分
では、電荷発生剤から電荷が発生し、この電荷は電荷輸
送剤によって分離される。分離した電荷をトラップ剤で
保持することによって、記録層内に内部電場を形成す
る。この内部電場によって非線形光学材料の屈折率が変
化する結果、互いに干渉し得る光を照射すると、照射さ
れた光の強度パターンが前記記録層中に屈折率の変化と
なって記録される。
【０００７】しかしながら、熱エネルギーによる消去が
生じないようにトラップ剤と電荷輸送剤との電子軌道の
エネルギー差を大きくすると、電荷輸送剤からトラップ
剤に電荷がホッピングしにくくなる。これは、電子軌道
の運動量が電荷輸送剤とトラップ剤との間で大きく異な
るためである。したがって、電荷をトラップ剤に捕獲さ
せるために時間がかかり、記録に長い時間を費やすこと
になる。逆に、電荷輸送剤からトラップ剤に容易にホッ
ピングさせようとすると、両者のエネルギー差が小さく
なるので、熱エネルギーにより消去が起きやすくなって
しまう。つまり、記録の寿命が短くなってしまう。
【０００８】一方、光記録媒体に記録する情報量の高密
度化を実現するための別の記録媒体として、多層型光記
録媒体が知られている（Ｄ．Ａ．Ｐａｒｔｈｎｏｐｕｌ
ｏｕｓ ａｎｄ Ｐ．Ｍ．Ｒｅｎｔｚｅｐｉｓ，Ｓｃｉ
ｅｎｃｅ ｖｏｌ．２４５，ｐｐ．８４３〜８４４（１
９８９））。これは、文献に開示されているように、一
様な光記録媒体内の任意の位置に記録光を集光し、その
焦点付近のみに光学特性の変化を起こして記録する方法
であり、記録層と非記録層とが交互に積層されたものと
は異なる。
【０００９】このような多層型光記録媒体としても、無
機物が検討されてきた（Ｙ．Ｋａｗａｔａ，Ｈ．Ｉｓｈ
ｉｂａｓｈｉ，ａｎｄ Ｓ．Ｋａｗａｔａ，Ｏｐｔ．Ｌ
ｅｔｔ．Ｖｏｌ．１６，ｐｐ．７５６〜７５８（１９９
８））。しかしながら、結晶材料の作製や特性制御の困
難性を回避できることなどの理由から、近年、有機高分
子化合物を用いたフォトリフラクティブ媒体の開発が盛
んになってきている。フォトリフラクティブ媒体では、
光学特性の変化は光強度に比例して変化するが、光強度
に比例して変化するような記録媒体では、情報記録領域
が深さ方向に広がって記録されてしまう。このため、隣
り合う記録領域を十分に離す必要があり、高密度化の障
害になっていた。深さ方向の間隔を狭める方法として、
２光子吸収により電荷を生成する方法が検討されている
（Ｄ．Ｄａｙ，Ｍ．Ｇｕ，ａｎｄＡ．Ｓｍａｌｌｒｉｄ
ｇｅ，Ｏｐｔ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．２４，ｐｐ．２８８
〜２９０（１９９９）。しかしながら、この方法では、
２光子吸収により電荷を発生させるために非常に強い光
源を必要とするため、一般の半導体レーザーでは記録で
きない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、ホロ
グラムとして情報が記録される光記録媒体であって、実
用的な記録寿命を保ちつつ、記録に要する時間が短い光
記録媒体を提供することを目的とする。
【００１１】また本発明は、こうした光記録媒体に情報
を記録する光記録装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、光の照射により電子および正孔を発生す
る電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電
子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を
保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電
子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層
の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記トラッ
プ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であるこ
とを特徴とする光記録媒体を提供する。
【００１３】
【化２１】
【００１４】（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系で
ある。ＲaおよびＲbは同一でも異なっていてもよく、電
子供与性を有する基であり、少なくとも一方は、含窒素
複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介し
て前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水
素原子は、任意の基で置換されてもよい。） また本発明は、光の照射により極性の異なる第１および
第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記第
１の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第２の電
荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持する
トラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１の電荷
および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて前記記
録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記ト
ラップ剤は、下記一般式（Ｂ）で表わされる化合物であ
ることを特徴とする光記録媒体を提供する。
【００１５】
【化２２】
【００１６】（前記一般式（Ｂ）中、ＣＢ１は共役系で
ある。Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の不
飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記含
窒素複素環に結合した水素原子は、任意の基で置換され
てもよい。） さらに本発明は、光の照射により極性の異なる第１およ
び第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記
第１の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第２の
電荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持す
るトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１の電
荷および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて前記
記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記
トラップ剤は、下記一般式（Ｃ）で表わされる化合物で
あることを特徴とする光記録媒体を提供する。
【００１７】
【化２３】
【００１８】（前記一般式（Ｃ）中、ＣＢ２は以下に示
す群から選択される共役系である。）
【化２４】
【００１９】（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子また
は硫黄原子である。） Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭
素原子を介して前記共役系に結合される。Ｒdは、不飽
和炭素原子を介して前記共役系に結合される含窒素複素
環基、または以下に示す群から選択される基である。
【００２０】
【化２５】
【００２１】（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル
基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベン
ゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル
基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイ
ミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およ
びＲ2の少なくとも一方は水素原子、酸素原子または飽
和炭素原子を介して窒素原子に結合される基である。
【００２２】ＲcおよびＲdに含有される含窒素複素環に
結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。） また本発明は、光の照射により電子および正孔を発生す
る電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電
子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を
保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電
子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層
の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記トラッ
プ剤は、下記一般式（Ａ’）で表わされる基を側鎖に有
するポリマーであることを特徴とする光記録媒体を提供
する。
【００２３】
【化２６】
【００２４】（前記一般式（Ａ’）中、ＣＢ１は共役系
である。ＲaおよびＲbは同一でも異なっていてもよく、
電子供与性を有する基であり、少なくとも一方は、含窒
素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介
して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した
水素原子は、任意の基で置換されてもよい。） さらに本発明は、光の照射により極性の異なる第１およ
び第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記
第１の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第２の
電荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持す
るトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１の電
荷および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて前記
記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記
トラップ剤は、下記一般式（Ｂ’）で表わされる基を側
鎖に有するポリマーであることを特徴とする光記録媒体
を提供する。
【００２５】
【化２７】
【００２６】（前記一般式（Ｂ’）中、ＣＢ１は共役系
である。Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の
不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記
含窒素複素環に結合した水素原子は、任意の基で置換さ
れてもよい。） またさらに本発明は、光源、前記光源から照射される光
を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録
情報を付加する装置、光の照射により電子および正孔を
発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して
前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記
正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、
前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記
記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記録媒
体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込むため
に、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的装
置、および前記干渉縞として記録された情報を再生する
ための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体に
おける前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下記
一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とす
る光記録装置を提供する。
【００２７】
【化２８】
【００２８】（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系で
ある。ＲaおよびＲbは同一でも異なっていてもよく、電
子供与性を有する基であり、少なくとも一方は、含窒素
複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介し
て前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水
素原子は、任意の基で置換されてもよい。） またさらに本発明は、光源、前記光源から照射される光
を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録
情報を付加する装置、光の照射により極性の異なる第１
および第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも
前記第１の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第
２の電荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保
持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１
の電荷および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて
前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記
録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込む
ために、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的
装置、および前記干渉縞として記録された情報を再生す
るための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体
における前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下
記一般式（Ｂ）で表わされる化合物であることを特徴と
する光記録装置を提供する。
【００２９】
【化２９】
【００３０】（前記一般式（Ｂ）中、ＣＢ１は共役系で
ある。Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の不
飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記含
窒素複素環に結合した水素原子は、任意の基で置換され
てもよい。） またさらに本発明は、光源、前記光源から照射される光
を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録
情報を付加する装置、光の照射により極性の異なる第１
および第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも
前記第１の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第
２の電荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保
持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１
の電荷および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて
前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記
録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込む
ために、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的
装置、および前記干渉縞として記録された情報を再生す
るための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体
における前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下
記一般式（Ｃ）で表わされる化合物であることを特徴と
する光記録装置を提供する。
【００３１】
【化３０】
【００３２】（前記一般式（Ｃ）中、ＣＢ２は以下に示
す群から選択される共役系である。
【００３３】
【化３１】
【００３４】（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子また
は硫黄原子である。） Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭
素原子を介して前記共役系に結合される。Ｒdは、不飽
和炭素原子を介して前記共役系に結合される含窒素複素
環基、または以下に示す群から選択される基である。
【００３５】
【化３２】
【００３６】（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル
基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベン
ゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル
基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイ
ミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およ
びＲ2の少なくとも一方は水素原子、酸素原子または飽
和炭素原子を介して窒素原子に結合される基である。
【００３７】ＲcおよびＲdに含有される含窒素複素環に
結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。）
【００３８】
【発明の実施の形態】本発明者らは、ホログラム記録媒
体の記録層について検討を重ねた結果、輸送された電荷
を捕獲する基を有する分子の構造が、電荷輸送の速度に
大きく影響することを見出した。
【００３９】本発明の一実施形態にかかる光記録媒体を
図１に示し、図１を用いて情報の記録・再生を説明す
る。まず、記録層２を有する光記録媒体に、レーザー光
を照射して情報を記録する。このとき、記録層２の対向
する２つの面に透明電極１および３を設けて、電極間に
電圧を印加しながら記録してもよい。レーザー光は、情
報をその空間的な強度分布や位相分布の形で含む信号光
４と参照光５とに分けられ、２つの光は記録層中で干渉
し合う。こうして、干渉縞の形で記録層２に情報が記録
される。２つの光を遮断した後、記録したときと同一の
条件で参照光５を記録層２に照射することによって、信
号光と同じ空間的特徴をもつ再生光６が再生される。再
生光６の強度分布や位相分布を検出することにより、情
報を再生することができる。記録時に光記録媒体に電圧
を印加した場合においても、再生時には必ずしも電圧を
印加する必要はない。
【００４０】フォトリフラクティブ材料とは、光の照射
により電荷を発生させて、これを空間的に分離せしめ、
それにより生じる電荷分布によって決定される内部電場
によって屈折率が変化する材料である。図２を参照し
て、ホログラムの記録原理を説明する。図２（ａ）に示
すような強度分布を有する光を媒体に照射すると、記録
層中には、図２（ｂ）に示すような電荷分布が生じる。
このうち、ホールのみが輸送され、次の条件を満たす場
合には、図２（ｂ）中に点線で示されるように、ホール
の分布は空間的に一様になる。具体的には、その干渉縞
の波数ベクトル方向への平均自由行程が図２（ａ）に示
すΛと半分程度かそれ以上の場合である。その結果、全
電荷分布は図２（ｃ）で表される状態となる。一般に、
フォトリフラクティブ媒体では外部電場が印加されてい
るので、電場分布は図２（ｄ）に示すようになる。さら
に、非線形光学材料が配合されている場合には、図２
（ｄ）の電場強度に応じた屈折率変化が生じるため、結
果として照射した光強度分布に応じた屈折率変化が生じ
る。こうして、記録層２に信号光４の強度分布あるいは
位相分布あるいはその両方がホログラムの形で記録され
る。あるいは、非線形光学材料が配向している場合に
も、図２（ｄ）に示した電場強度に比例した屈折率変化
が生じる。
【００４１】光照射により生成された電荷を再分布させ
る原理は、電荷の輸送と電荷の保持との２つからなる。
電荷輸送剤は、光生成された電荷を外部電場によるドリ
フトと拡散とによるホッピング伝導により輸送する。ま
た、トラップ剤は、電荷輸送剤により輸送されてきた電
荷を捕獲する。このとき、トラップ剤から電荷輸送剤へ
電荷がホッピングする確率は、電荷輸送剤からトラップ
剤へホッピングする確率よりも小さい必要がある。これ
を実現するために、一般には、電荷輸送剤とトラップ剤
との電子軌道のエネルギー差が利用されてきた。ここで
比較すべき電子軌道は、ホッピングにより輸送される電
荷に応じて異なる。すなわち、電子が輸送される場合に
は、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｌｉｅｄ
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）であり、ホール
が輸送される場合には、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏ
ｃｃｕｌｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａ
ｌ）である。すなわち、電子が輸送される場合には、電
荷輸送剤のＬＵＭＯはトラップ剤のＬＵＭＯより大きな
エネルギーを有する必要があり、ホールが輸送される場
合には、電荷輸送剤のＨＯＭＯはトラップ剤のＨＯＭＯ
よりも小さなエネルギーを有する必要がある。
【００４２】ある電荷輸送剤から異なる電荷輸送剤に電
荷が一回ホッピングする確率は、分子間の電子雲の重な
り具合、ならびにポーラロン形成に要するエネルギーに
より大きく左右される。この重なり積分は、同一の構造
をもつ電荷供受性を有する基の間では大きいが、エネル
ギーや構造が大きく異なる電荷供受性を有する基の間で
は小さい。したがって、電荷輸送剤からトラップ剤に速
やかに電荷を輸送するためには、電荷輸送剤とトラップ
剤とが同一の電荷供受性を有する基をもつことが好まし
い。
【００４３】トラップ剤としては、少なくとも１つの含
窒素複素環基が共役系に結合した化合物が挙げられる。
この場合、含窒素複素環基は、その複素環の不飽和炭素
原子を介して共役系に結合していなければならない。こ
うした条件を満たした化合物の一例を下記一般式(４)に
示す。
【００４４】
【化３３】
【００４５】（上記化学式中、Ｒ1およびＲ2は、同一で
も異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル
基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベン
ゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル
基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイ
ミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およ
びＲ2の少なくとも一方は水素原子、水酸基または脂肪
族基である。なお、本明細書において水素原子は重水素
を含む。） 前記一般式（４）で表わされる化合物の分子構造を、中
性状態およびイオン化状態について計算し、各結合長を
比較した。その結果、一般式（４）で表わされる化合物
は、イオン化状態では下記一般式（４ａ）で示される状
態に近くなることがわかった。
【００４６】
【化３４】
【００４７】（上記化学式中、Ｒ1およびＲ2は、上記一
般式（４）中と同一である。） 一般に、結合長や結合角などの変数を横軸にとり、電荷
のエネルギーを縦軸にとると、図３のグラフのように表
わされる。図３中、曲線ａは中性状態のエネルギーを示
し、曲線ｂはイオン化状態のエネルギーを示す。分子が
イオン化した際に構造が大きく変わると、構造変化に際
し格子振動などのかたちでエネルギーを失う。また、中
性状態とイオン化状態で分子構造が大きく変化し、分子
全体にわたる共役状態が強くなる場合には、図３に示す
ように、イオン化状態において中性状態よりも電荷エネ
ルギーが分子構造に大きく依存する。つまり、イオン化
状態にあるトラップ剤は、電荷を放出して中性状態に戻
るために、より多くのエネルギーを要する。これらの理
由のため、イオン化した際に分子構造が変化し、分子全
体にわたる共役が強くなるトラップ剤を用いると、電荷
を安定に保持することが可能となる。すなわち、こうし
たトラップ剤は、長い電荷保持寿命を有する。このよう
な構造変化を起こすために、本発明の一実施形態におけ
るトラップ剤は、共役系を有することが必要とされる。
ここで、共役系とは、非共役結合によって寸断されるこ
となく、連続した一連の共役結合をさす。さらに、構造
変化の生じやすさのため、本発明の一実施形態にかかる
トラップ剤は、含窒素複素環基を有し、この複素環構造
内の不飽和炭素原子を介して共役系に結合されることが
必要である。
【００４８】共役系とは、−Ｃ＝Ｃ−、Ｃ原子の３重結
合、パラ結合のベンゼン環、−Ｃ＝Ｎ−、ピロール、オ
キサゾール、チアゾール、イミダゾール、１，３，４オ
キサジアゾール、１，３，４チアジアゾール、１Ｈ−
１，２，４トリアゾール、あるいはこれらを数種結合し
たものなど、２つ以上の多重結合を有する骨格（原子
団）をさす。具体的には、下記化学式に示すような結合
が挙げられる。
【００４９】
【化３５】
【００５０】（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子また
は硫黄原子である。） 特に、不対電子をもち電気的に活性な窒素原子が、共役
系に含まれることが好ましい。あるいは、パラ接続のフ
ェニル基も、中性状態とイオン化状態とで、両端の基の
相対角を変化させることにより、分子構造を大きく変化
させ得るので好ましい。
【００５１】なお、共役系における任意の水素原子は、
アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、ナフチル
基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチアゾリル基、ベン
ゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベンゾイミダゾリ
ル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキサゾリル基、ナ
フトピロル基、ナフトイミダゾリル基、ハロゲン原子、
または水酸基などの任意の基で置換可能である。しかし
ながら、分子全体に構造変化が生じるのを妨げないため
には、導入される置換基は小さいものであることが望ま
れる。例えば、メチル基、エチル基などの炭素数２以下
のアルキル基、水酸基などが挙げられる。
【００５２】上述したような共役系のなかで、環状基を
含むものについては、少なくとも１つの含窒素複素環基
を含む末端基が結合する位置が限られる。具体的には、
環状基を含む共役系に末端基が結合される位置は、すで
に説明したような一般式（４）および一般式（４ａ）に
示した構造変化が可能な位置でなければならない。
【００５３】これについて、下記一般式（６ａ）、（６
ｂ）、（６ｃ）および（６ｄ）を参照して詳細に説明す
る。
【００５４】
【化３６】
【００５５】前記一般式（６ａ）で表わされる化合物
は、２つの含窒素複素環基が共役結合で結合された分子
であるので、イオン化した際には、前記一般式（６ｂ）
で表わされる構造に近づき、分子全体にわたる構造変化
が可能である。前記一般式（６ｃ）および（６ｄ）に
は、含窒素複素環基が結合する位置を変化させた構造を
示した。このような一般式（６ｃ）または一般式（６
ｄ）で表わされる分子では、含窒素複素環基が共役系で
結合されていないので、分子全体にわたる構造変化は起
こらない。
【００５６】こうした理由から、本発明の一実施形態に
かかるトラップ剤は、共役系を有していなければならな
い。
【００５７】また、含窒素複素環基としては、以下に示
す基が挙げられる。
【００５８】
【化３７】
【００５９】前記一般式で表わされる含窒素複素環基
は、一般に電子供与性を有している。こうした含窒素複
素環基のなかでも、一般式（１ｃ）で表わされる基が特
に好ましい。一般式（１ｃ）においては、電子供与性を
有する窒素原子が、フェニル基の不飽和炭素原子を介し
て共役系にパラ位に結合する。したがって、共役系と相
互作用しやすい。さらに、複素環構造内に飽和結合の炭
素原子を有しているので、自由体積が大きくなり、構造
変化を起こしやすい。すなわち、前記一般式（１ｃ）で
表わされる基においては、一重結合の閉環構造をなす炭
素原子が、フェニル基が存在する平面から離れて存在す
るため、十分な自由体積を有する。したがって、こうし
た基がホールを保持した場合、共役系を介した分子構造
の変化が容易に生じる。
【００６０】本発明の一実施形態にかかるトラップ剤
は、下記一般式（Ａ）、（Ｂ）または（Ｃ）のいずれか
で表わすことができる。
【００６１】
【化３８】
【００６２】（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系で
ある。ＲaおよびＲbは同一でも異なっていてもよく、電
子供与性を有する基であり、少なくとも一方は、含窒素
複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介し
て前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水
素原子は、任意の基で置換されてもよい。）
【化３９】
【００６３】（前記一般式（Ｂ）中、ＣＢ１は共役系で
ある。Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環の不飽
和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記含窒
素複素環に結合した水素原子は、任意の基で置換されて
もよい。）
【化４０】
【００６４】（前記一般式（Ｃ）中、ＣＢ２は以下に示
す群から選択される共役系である。）
【化４１】
【００６５】（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子また
は硫黄原子である。） Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭
素原子を介して前記共役系に結合される。Ｒdは、不飽
和炭素原子を介して前記共役系に結合される含窒素複素
環基、または以下に示す群から選択される基である。
【００６６】
【化４２】
【００６７】（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル
基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベン
ゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル
基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイ
ミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およ
びＲ2の少なくとも一方は水素原子、酸素原子または飽
和炭素原子を介して窒素原子に結合される基である。
【００６８】ＲcおよびＲdに含有される含窒素複素環に
結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。） 以下に、前記一般式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）で表わされ
るそれぞれの化合物について説明する。
【００６９】前記一般式（Ａ）で表わされる化合物にお
いては、２つの電子供与性基が共役系によって結合され
ている。ただし、少なくとも一方の電子供与性基は、上
述したような含窒素複素環基でなければならない。
【００７０】前記一般式（Ａ）においてＣＢ１で表わさ
れる共役系は、特に限定されないが、電子供与性を有す
ることが好ましく、具体的には、以下に示すものがＣＢ
１として好ましく用いられる。
【００７１】
【化４３】
【００７２】一方、前記一般式（Ａ）においてＲaおよ
びＲbとして導入される電子供与性を有する基の他方と
しては、アリルアルカン類；含窒素環式化合物；含酸素
化合物；含硫黄誘導体、および以下に示す基からなる群
から選択される少なくとも１種の基が挙げられる。
【００７３】
【化４４】
【００７４】（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル
基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベン
ゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル
基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイ
ミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およ
びＲ2の少なくとも一方は水素原子、水酸基または飽和
炭素原子を介して窒素原子に結合される基である。） 具体的には、含窒素環式化合物としては、例えば、以下
に示す基、インドール、カルバゾール、オキサゾール、
イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾ
ール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾール
およびトリアゾールなどが挙げられる。また、含酸素化
合物としては、例えば、オキサゾールおよびその誘導
体、オキサジアゾールおよびその誘導体などが挙げられ
る。また、含硫黄化合物としては、チアゾールおよびそ
の誘導体、チアチアゾールおよびその誘導体などが挙げ
られる。
【００７５】
【化４５】
【００７６】こうした基のなかで、電荷輸送に与える影
響が小さい部位に結合している水素原子は、アルキル
基、アルコキシル基、フェニル基、ナフチル基、トリル
基、ベンジル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾ
リル基、ベンゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフ
トチアゾリル基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル
基、ナフトイミダゾリル基、ハロゲン原子、または水酸
基などの任意の基で置換可能である。しかしながら、分
子全体に構造変化が生じるのを妨げないためには、導入
される置換基は小さいものであることが望まれる。例え
ば、メチル基、エチル基などの炭素数２以下のアルキル
基、水酸基などが挙げられる。こうした置換基が複数導
入される場合、それは同一である必要はない。
【００７７】共役系ＣＢ１で結合された２つの電子供与
性基が同一の場合には、前記一般式（Ａ）で表わされる
化合物は、分子全体として対称性を有することになる。
こうした化合物は線対称な構造であってもよい。具体的
には、例えば下記化学式で表わされる化合物である。
【００７８】
【化４６】
【００７９】なお、電子供与性基に代えて、２つの電子
受容性基を共役系で結合した場合にも、トラップ剤とし
ての作用を付与することができる。この場合には、共役
系は電子受容性を有することが好ましい。
【００８０】前記一般式（Ｂ）で表わされる化合物にお
いては、上述したような含窒素複素環基が２つ、共役系
によって結合されている。
【００８１】前記一般式（Ｂ）においてＣＢ１として導
入される共役系は、特に限定されないが、すでに一般式
（Ａ）に関して説明したようなものが好ましく用いられ
る。一方、前記一般式（Ｂ）にＲcとして導入される含
窒素複素環基としては、以下に示すものが挙げられる。
【００８２】
【化４７】
【００８３】特に、構造変化を起こしやすい点から、前
記一般式（１ｃ）で表わされるものが好ましい。
【００８４】共役系ＣＢ１で結合された２つの含窒素複
素環基が同一の場合には、前記一般式（Ｂ）で表わされ
る化合物は、分子全体として対称性を有することにな
る。こうした化合物は線対称な構造であってもよい。
【００８５】前記一般式（Ｃ）で表わされる化合物にお
いては、含窒素複素環基Ｒcと特定の基Ｒdとが共役系に
よって結合されている。ただし、一般式（Ｃ）にＣＢ２
として導入される共役系は、以下に示す群から選択され
なければならない。
【００８６】
【化４８】
【００８７】（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子また
は硫黄原子である。） 一方、Ｒdとして前記一般式（Ｃ）に導入されるのは、
含窒素複素環基、または以下に示す一般式（１ａ）、
（１ｂ）で表わされる基である。
【００８８】
【化４９】
【００８９】（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル
基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベン
ゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル
基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイ
ミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およ
びＲ2の少なくとも一方は水素原子、酸素原子または飽
和炭素原子を介して窒素原子に結合される基である。）
上述した一般式（Ａ）〜（Ｃ）で表わされる化合物に加
えて、２つ以上の電子供与性を有する基が空間的に重な
り合った構造を有する分子からなる化合物を、トラップ
剤として用いることもできる。
【００９０】空間的に重なり合った構造とは、２つの電
子供与性を有する基が例えば平面的な構造を持ち、一方
の電子供与性を有する基の平面に対して垂直方向からト
ラップ剤を投影した時に、２つの電子供与性を有する基
が重なって観察される状態であり、２つの電子供与性を
有する基が直接交差した構造ではない。
【００９１】電子供与性を有する基が平面構造を示す場
合に、２つの電子供与性を有する基が共役系を介して結
合されていないときにも、構造変化により電荷の保持能
が向上しうる。これは、以下のように説明される。中性
状態では、電子供与性を有する基の対称軸がわずかにず
れているとする。この分子では、２つの基の一方に電荷
が注入された場合、中性状態での安定性が崩れるため
に、２つの基の対称軸が一致するような構造変化が起こ
りうる。２つの基の対称軸が一致すると、２つの基の間
での相互作用が急増するために、２つの基が独立に存在
しているときに比べて、そのエネルギーが大きく変化す
る。このために、このような構造では、電荷の保持能が
向上する。
【００９２】これについて、下記化学式（４１）および
（４２）で表わされる化合物を例に挙げて説明する。
【００９３】
【化５０】
【００９４】上記化学式（４１）、（４２）で表わされ
る化合物は、平面構造を有する電子供与性基としてカル
バゾリル基を有している。こうしたカルバゾリル基が空
間的に重なり合っているか否かは、例えば、蛍光スペク
トルから判別することができる。
【００９５】これらの化合物の蛍光スペクトルを、図４
（ａ）および（ｂ）に示す。図４（ｃ）には、Ｎ−エチ
ルカルバゾールの蛍光スペクトルを示す。なお、蛍光ス
ペクトルの測定は、３１０ｎｍの励起光源を用い、室温
においてシクロヘキサン溶液中で行なった。
【００９６】前記化学式（４１）および（４２）は、分
子式は同じである。しかしながら、化学式（４１）で表
わされる化合物においては、カルバゾリル基が空間的に
重なり合っている。この構造の違いのために、これら２
つの化合物は、図４（ａ）および（ｂ）に示されるよう
に、明らかに異なる蛍光スペクトルを示す。
【００９７】具体的には、化学式（４２）で表わされる
化合物の場合（図４（ｂ））には、スペクトル幅が少し
広がり、波長がわずかに長波長側にシフトしていること
を除けば、Ｎ−エチルカルバゾール（図４（ｃ））の場
合と同じ蛍光スペクトルを示す。したがって、化学式
（４２）で示される分子では、２つのカルバゾリル基
が、空間的に重なりをもたず、独立に機能していると考
えられる。一方、化学式（４１）で示される分子の場合
（図４（ａ））には、中心が（図４（ｃ））の場合より
も大きく長波長側にシフトし、その幅が大きく広がった
スペクトルが観測される。これは、２つのカルバゾリル
基が空間的に重なり合って存在しているために、それら
の間で相互作用が生じたことを示している。
【００９８】このように、該分子の蛍光スペクトルを観
測したときに、注目している基単独の場合と、構造の異
なるスペクトルが観測されたとき、該分子では、注目し
ている基の間に相互作用があるといえる。
【００９９】平面的な構造をもち、電子供与性を有する
基としては、インドール、カルバゾール、オキサゾー
ル、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピ
ラゾール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾ
ール、トリアゾール、プリン、アクリジン、ピリジン、
キノリンなどの含窒素環式化合物；オキサゾールおよび
その誘導体、オキサジアゾールおよびその誘導体などの
含酸素化合物；および、チアゾールおよびその誘導体、
チアチアゾールおよびその誘導体などの含硫黄誘導体な
どが挙げられる。
【０１００】上述したようなトラップ剤は、電荷を保持
することによって分子構造が変化し、これに伴なって光
学特性（屈折率、吸光度などの光学定数によって表わさ
れる性質）が変化する。２つの電子供与性基または２つ
の含窒素複素環基が共役系で結合されたトラップ剤の場
合には、この光学特性の変化を光記録に直接利用するこ
ともできる。この場合、光照射によって電荷発生剤が電
荷を発生すると、この電荷は輸送された後、トラップ剤
に保持される。トラップ剤は電荷を保持すると分子構造
および光学特性が変化するので、電荷を保持したトラッ
プ剤の分布として、記録層に情報が記録される。このた
め、こうした光記録媒体では、電場によって光学特性が
変化する従来の非線形光学材料は必要とされない。
【０１０１】このようにトラップ剤の光学特性の変化に
よって情報が記録される光記録媒体にも、従来と同様の
手法により情報を記録・再生することができる。図２を
参照して、照射した光強度の分布に応じて光記録媒体に
光学特性の変化が生じる原理を説明する。
【０１０２】従来のフォトリフラクティブ媒体と異な
り、輸送されるホールの平均自由行程がΛに対して十分
に小さい場合には、ホールの分布は殆ど変わらない。こ
のため、図２（ｃ）に示したような電荷分布は生じな
い。したがって、外部電場の有無にかかわらず図２
（ｄ）に示したような電場分布も生じないので、非線形
光学材料を含有する媒体としても、光強度の分布に応じ
た光学特性の変化は生じない。トラップ剤の光学特性の
変化によって情報が記録される光記録媒体では、例えば
前記一般式（４）で表わされるトラップ剤が分散してい
ると、光強度が強く電荷が多く生じた領域では、電荷を
保持したトラップ剤が多く存在することになる。したが
って、光強度が強い領域においてのみ、トラップ剤が電
荷を保持し、その光学特性を変化させる。つまり、光強
度の分布に応じた光学特性の変化が生じる。このとき、
電荷の干渉縞の波数ベクトル方向への平均自由行程がΛ
と同程度になると、電荷を保持したトラップ剤の分布が
図２（ｃ）と同様に一様になるので、光学特性の局所的
な変化は生じない。
【０１０３】光生成された電荷の平均自由行程の点で、
上述したような光記録媒体は、非線形光学材料を含有す
るものとは異なる。
【０１０４】こうした光記録媒体においても、すでに説
明したような化合物をトラップ剤として用いることがで
きる。前述のように、一般式（４）で表わされる化合物
は、電荷を保持した際に分子構造が変化するため、電荷
を安定に捕獲することができる。電子供与性基または含
窒素複素環基を分子中に２つ以上含むトラップ剤は、電
荷を２つ保持することも可能である。このような場合に
は、電荷を１つ保持した場合よりも大きな構造変化を示
す。具体的には、一般式（４ａ）で表わされる状態によ
り近づき、分子全体にわたる共役系もより強くなる。こ
のため、電荷が２つ保持された状態では、保持された電
荷の寿命がさらに長く、しかも光学特性の変化も大きい
という、理想的な状況が実現される。
【０１０５】下記化学式（１６）で表わされる中性状態
と、電荷を２つ保持した状態での吸収のピーク波長を調
べたところ、次のような結果が得られた。中性状態で
は、２９０ｎｍ付近に吸収ピークが存在したのに対し、
電荷を２つ保持した状態では、７１３ｎｍ付近に吸収ピ
ークが存在した。このような吸収の変化は、Ｋｒａｍｅ
ｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関系により、屈折率の変化をとも
なう。このため、トラップ剤が電荷を保持して構造が変
化することにより、吸収係数および屈折率といった光学
特性が変化することがわかる。
【０１０６】
【化５１】
【０１０７】ただし、こうした光記録媒体において、ト
ラップ剤をマトリックスポリマー中に分散した場合に
は、トラップ剤が電荷を受け取るごとに常に構造変化が
生じるわけではない。一般的には、構造変化が起きた場
合には、エネルギーを失って電荷がトラップ剤に安定に
保持される。場合によっては、構造変化が生じるより早
く、別の電子供与性を有する基に電荷が輸送されること
もある。あるいは、複数のトラップ剤上を輸送されるこ
ともある。したがって、電荷発生剤が発生する電荷の分
離がトラップ剤のみでも生じ得る。もちろん、電荷の分
離をより効率よく生じさせるためには、トラップ剤とは
別に電荷輸送剤を配合することが好ましい。
【０１０８】このようなトラップ剤を含有する記録層
に、可干渉な２つの光を照射すると、電荷の干渉縞の波
数ベクトル方向への平均自由行程がΛよりも十分に小さ
い場合には、干渉縞と同じ周期をもつ光学定数の変化が
生じる。したがって、干渉縞を形成した光の一方を遮断
すると、回折光が観測される。
【０１０９】また、こうした記録層に記録光を集光する
と、焦点付近で電荷が多く発生するので、電荷の平均自
由行程が最小ビーム径と同程度以下の場合には、焦点付
近でより多くのトラップ剤が電荷を保持する。このた
め、焦点付近で光学特性が大きく変化することになる。
特に、このような記録方法の場合には、焦点付近の非常
に狭い領域に電荷を一斉に発生させるので、１つのトラ
ップ剤に２つの電荷が保持される確率が高くなる。１つ
のトラップ剤に２つの電荷が保持される確率は、最も単
純には電荷密度の二乗に比例する。一方、光照射によっ
て生成される電荷数は光強度に比例するので、トラップ
剤に２つの電荷が保持される確率は光強度の二乗に比例
することになる。これによって、より狭い領域にのみ光
学定数の変化を起こすことができる。
【０１１０】光記録媒体中におけるトラップ剤の配合量
は、トラップ機能を有するユニット間の平均ユニット間
距離が所望の範囲内となるように決定することができ
る。光記録媒体の密度は、媒体の重量および体積から求
められ、媒体中におけるトラップ剤のモル数は、トラッ
プ剤の分子量および混合比から求めることができる。こ
れらに基づいて、トラップ機能を有するユニット間の平
均ユニット間距離が得られる。
【０１１１】記録層が非線形光学材料を含有する場合に
は、電荷の平均輸送行程がΛ／２程度以上であることが
要求される。このため、トラップ機能を有するユニット
の平均ユニット間距離は１．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下
であることが望ましい。トラップ剤の種類にもよるが、
例えば、平均ユニット間距離が１．０ｎｍの場合には、
含有量は記録層全体に対して４０重量％程度であり、
４．０ｎｍの場合には１重量％程度である。トラップ剤
の含有量が少なすぎる場合には、光生成された電荷がト
ラップ剤に捕獲されるまでに時間がかかり、記録に長時
間を要してしまう。一方、トラップ剤が多すぎる場合に
は、生成された電荷が十分に分離する前にトラップされ
てしまうので、十分な内部電場を形成することが困難と
なる。
【０１１２】一方、電荷の平均輸送行程がΛより十分小
さい光記録媒体として用いる場合には、トラップ機能を
有するユニットの平均ユニット間距離は、０．９ｎｍ以
上１．３ｎｍ以下であることが望ましい。トラップ剤の
種類にもよるが、例えば、平均ユニット間距離が０．９
５ｎｍの場合には、含有量は記録層全体に対して６０重
量％程度であり、１．３ｎｍの場合には２０重量％程度
である。トラップ剤の含有量が少なすぎる場合には、電
荷の平均自由行程が大きくなるので、光の強度分布に応
じた光学特性の変化が十分に生じない。一方、トラップ
剤が多すぎる場合には、トラップ剤同士が凝集・結晶化
し、分子が均一に分散した記録層を形成できないおそれ
がある。光生成された電荷は、電荷発生剤から電荷輸送
剤にホッピングし、さらに電荷輸送剤間をホッピングし
て、最終的にトラップ剤に捕獲される。電荷輸送剤の含
有量が多すぎる場合には、電荷の平均自由行程が大きく
なるため、光の強度分布に応じた光学特性の変化を起こ
すことが困難となる。
【０１１３】なお、トラップ機能を有するユニットの平
均ユニット間距離が１．０ｎｍ以上１．３ｎｍ以下とな
るようにトラップ剤が配合される場合には、電荷輸送剤
との混合比を調整することによって、電荷の平均輸送行
程を調整することが可能である。
【０１１４】以下、使用される他の材料について詳細に
説明する。
【０１１５】電荷発生剤は、光照射した際にキャリアを
発生するものである。例えば、セレンおよびセレン合
金、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｓＳＳｅ、ＡｓＳｅ、Ｚｎ
Ｏ、ＺｎＳ、およびアモルファスシリコンなどの無機光
導電体；チタニルフタロシアニン、バナジルフタロシア
ニンなどの各種結晶型（α、β、γ、δ、ε、ζ、η、
θ、ι、κ、λ、μ、ν、ξ、ο、π、ρ、σ、τ、
υ、φ、χ、ψ、ω、Ａ、Ｂ、Ｃ、ＸおよびＹ型など）
の金属フタロシアニン顔料および各種液晶型の無金属フ
タロシアニン顔料；モノアゾ色素、ビスアゾ色素、トリ
スアゾ色素、およびテトラキスアゾ色素等のアゾ系色素
および顔料；ペリレン酸無水物およびペリレン酸イミド
などのペリレン系染料および顔料；ペリノン顔料；イン
ジゴ系染料および顔料；キナクリドン系顔料；アントラ
キノン、アントアントロンおよびジブロモアントロンな
どの多環キノン系顔料；シアニン色素；ＴＴＦ−ＴＣＮ
Ｑなどの電子受容性物質と電子供与性物質とからなる電
荷移動錯体；ピリリウム染料またはチアピリリウム染料
とポリカーボネート樹脂とからなる共晶錯体；アズレニ
ウム塩；Ｃ60、Ｃ70等のフラーレンおよびその誘導体；
テレフタル酸ジメチル、テレフタル酸ジエチルなどのカ
ルボニル基を有するテレフタル酸誘導体、キサンテン系
染料および顔料、アズレニウム色素、およびスクアリリ
ウム色素などが挙げられる。
【０１１６】これらの電荷発生剤は、単独で使用して
も、２種以上の化合物を使用してもよい。上述したよう
に、発生する電荷の極性が異なり、励起される光の波長
が異なる２種類の電荷発生剤を分散することもできる。
このとき、一方の電荷発生剤は消去用として用いること
ができる。
【０１１７】電荷発生剤は、記録層全体に対して０．０
０１〜４０重量％程度の割合で用いられることが好まし
い。０．００１重量％未満の場合には、光照射により発
生する単位体積当りの電荷が少なく、十分な内部電場の
発生が困難となる。一方、４０重量％を越えると、電荷
発生剤による光の吸収が大きくなり、記録層を光が透過
できなくなるため、膜厚の大きな光記録媒体を作製する
のが困難になる。
【０１１８】電荷輸送剤としては、例えば、ホッピング
伝導により電荷を輸送する機能を有する任意の材料を使
用することができる。例えば、ポリアセチレン、ポリピ
ロール、ポリチオフェン、およびポリアニリンなどのπ
共役系高分子やオリゴマー；ポリシラン、およびポリゲ
ルマンなどのσ共役系高分子やオリゴマー；アントラセ
ン、ピレン、フェナントレン、およびコロネンなどの多
環芳香族化合物；インドール、カルバゾール、オキサゾ
ール、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、
ピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチア
ゾール、およびトリアゾールなどの含窒素環式化合物を
有する化合物、またはこれらを主鎖または側鎖に有する
化合物、ヒドラゾン化合物、アニリンおよびその誘導
体、トリフェニルアミン類、トリフェニルメタン類、ブ
タジエン類、スチルベン類、ＴＣＮＱ、アントラキノ
ン、ジフェノキノン等の誘導体などが挙げられる。
【０１１９】より具体的には、例えば下記化学式（５
ａ）〜（５ｃ）で表わされる化合物、トリフェニルアミ
ン、クロロアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニト
ロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ
−９−テトラフルオレノン、２，４，７−トリニトロ−
９−ジシアノメチレンフルオレノン、２，４，５，７−
テトラニトロ−キサントン、２，４，９−トリニトロチ
オキサントン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，５−ジメチルフェニ
ル）−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシイ
ミド、ジフェノン、スチルベンゾキノンなどの低分子化
合物、およびこれらの化合物を高分子化合物の主鎖また
は側鎖に導入した高分子化合物が挙げられる。
【０１２０】
【化５２】
【０１２１】特に、ホールを輸送する電荷輸送剤として
は、前記化学式（５ａ）〜（５ｃ）で表される化合物、
あるいはポリマーに溶解しやすくするために置換基をわ
ずかに変えた化合物が、電荷輸送特性に優れるために好
ましい。また、これらの化合物は、電荷発生剤としてＣ
70を用いたときに、特に電荷発生効率が高いので好まし
い。
【０１２２】あるいは、下記一般式（８）で表わされる
ポリマーを電荷輸送剤として用いることもできる。
【０１２３】
【化５３】
【０１２４】前記化学式（８）で表わされるポリマー
は、電荷輸送能を有する基を主鎖に含んでいるため、高
い電荷輸送特性を有する。このため、本発明の一実施形
態にかかるトラップ剤と組み合わせて用いることによっ
て、記録時間を短縮することができる。
【０１２５】電荷輸送剤は、記録層全体に対して０．０
１重量％〜７０重量％程度の割合で用いることが好まし
い。光生成された電荷は、電荷発生剤から電荷輸送剤に
ホッピングし、さらに電荷輸送剤間をホッピングして、
最終的にトラップ剤に捕獲され、内部電場を形成するこ
とが望まれる。電荷輸送剤の含有量が０．０１重量％未
満の場合には、電荷が電荷輸送剤に注入されることな
く、電荷発生剤内で失活して、内部電場を生成すること
が困難となる。一方、電荷輸送剤の含有量が７０重量％
を越えると、電荷輸送剤同士が凝集、結晶化して、異な
る分子が分散した素子を形成できなくなるおそれがあ
る。
【０１２６】また、照射光の波長に吸収特性を有する電
荷輸送剤を使用すれば、照射光によって電荷が発生する
ため、この場合、電荷輸送剤を電荷発生剤として兼用す
ることもできる。
【０１２７】なお、極性が異なる２種類の電荷を光記録
媒体内に発生させる場合には、異なる極性の２種類の電
荷を輸送するための電荷輸送剤を用いることができる。
このとき、一方の電荷輸送剤は、消去用電荷輸送剤とし
て機能する。
【０１２８】非線形光学材料としては、例えば、１）Ｆ
ｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果により吸収係数や反射率
が変化する物質、２）励起子効果により吸収係数、屈折
率、または発光効率が変化する物質、３）ポッケルス効
果により屈折率が変化する物質、４）励起状態の光学特
性が変化し、かつ電場により励起状態の寿命が延びる物
質などが挙げられる。
【０１２９】具体的には、以下に示す化合物を使用する
ことができる。例えば、スピロベンゾフラン系分子、フ
ルギド分子、シクロフェン分子、ジアリールエテン系分
子、アゾベンゼン系分子、高分子液晶にフォトクロミッ
ク分子を含有させたシアノビフェニル基を有するポリア
クリレートまたはポリシロキサン、スピロベンゾフラン
基を含むポリシロキサン等のフォトクロミズムを示す分
子；およびｐ−アゾキシ安息香酸エチル、オレイン酸ア
ンモニウム、およびｐ−アゾキシアニールなどの液晶を
示す材料である。
【０１３０】さらに、ウレアおよびその誘導体；チオウ
レアおよびその誘導体；ニトロベンゼン類；カルボニル
ベンゼン類；ベンゼンサルフォネート類などのπ共役系
ベンゼン誘導体；ピリジンＮオキシド類；ニトロピリジ
ン類などのピリジン誘導体；ポリアセチレン、ポリピロ
ール、ポリチオフェン、およびポリアニリンなどのπ共
役系高分子やオリゴマー；ポリシラン、およびポリゲル
マンなどのσ共役系高分子やオリゴマー；アントラセ
ン、ピレン、フェナントレン、およびコロネンなどの多
環芳香族化合物；インドール、カルバゾール、オキサゾ
ール、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、
ピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチア
ゾール、およびトリアゾールなどの含窒素環式化合物を
有する化合物、またはこれらを主鎖または側鎖に有する
化合物；ヒドラゾン化合物、トリフェニルアミン類、ト
リフェニルメタン類、ベンゼンアミン類、ブタジエン
類、スチルベン類、オルフェン類、イミン類、ピペロナ
ール、ＴＣＮＱ、アントラキノン、ジフェノキノン等の
誘導体；Ｃ60、Ｃ70等のフラーレンならびにその誘導体
などが挙げられる。
【０１３１】またさらに、セレンおよびセレン合金、Ｃ
ｄＳ、ＣｄＳｅ、ＡｓＳｅ、ＺｎＯおよびアモルファス
シリコンなどの無機光導電体、金属フタロシアニンおよ
び無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン色素およ
び顔料、モノアゾ色素、シスアゾ色素、トリスアゾ色素
およびテトラキスアゾ色素等のアゾ色素、ペリレン系染
料および顔料、インジコ系染料および顔料、キナクリド
ン系染料および顔料、アントラキノン、アントアントロ
ンなどの多環キノン系顔料、シアニン系顔料、例えばＴ
ＴＦ−ＴＣＮＱで知られるような電子捕獲性物質と電子
供与性物質とからなる電荷移動錯体、ピリリウム染料と
ポリカーボネート樹脂とからなる共晶錯体、アズレニウ
ム塩などが挙げられる。
【０１３２】これらの材料は、単独でまたは２種以上を
組み合わせて使用することができる。また、その配合量
は、記録層全体に対して０．０１重量％〜８０重量％程
度であることが望ましい。非線形光学材料の含有量が
０．０１重量％未満の場合には、光学特性の十分な変化
を得ることが困難となる。一方、８０重量％を越えて多
量に含有されると、非線形光学材料が凝集、結晶化し
て、異なる分子が分散した素子を形成できなくなるおそ
れがある。
【０１３３】上述したような電荷発生剤、電荷輸送剤、
トラップ剤、および必要に応じて配合される非線形光学
材料は、所望の平均自由行程が得られるように適宜組み
合わせて使用することができる。また、１分子で２つ以
上の機能を有する化合物を用いてもよい。その場合に
は、前述の重量％に限定されることなく配合することが
できる。こうした化合物としては、例えば、下記化学式
（Ｐ１）で表わされるポリマーが挙げられる。
【０１３４】
【化５４】
【０１３５】前記化学式（Ｐ１）で表わされるポリマー
は、２種類の単位により主鎖が構成されている。第１の
単位は、電荷輸送性の大きなカルバゾール基を側鎖に有
し、第２の単位は、電荷保持性の高いカルバゾール基が
２つ、共役系で結合された基を側鎖に有する。すなわ
ち、化学式（Ｐ１）で表わされるポリマーは、前記一般
式（Ｂ’）で表わされる基（トラップ剤）が側鎖に導入
されている。第１の単位と第２の単位との比（ｙ／ｘ）
は、所望される平均自由行程が得られるように調整する
ことが望まれる。例えば、（ｙ／ｘ）は、０．００１以
上０．５以下の範囲内とすることができる。（ｙ／ｘ）
を０．１以上５以下とした場合には、平均自由行程をよ
り小さくすることができる。このため、非線形光学材料
を配合せずに、光記録媒体を作製することが可能であ
る。
【０１３６】前記一般式（Ａ’）で表わされる基が側鎖
として、ポリマー主鎖に導入されていてもよい。さら
に、前記一般式（Ｃ）で表わされる化合物が、Ｒcまた
はＲdを介してポリマー主鎖に導入されていてもよい。
【０１３７】このように、トラップ剤をポリマーの側鎖
として導入することによって、トラップ剤の析出を防ぐ
ことができる。したがって、より高濃度でトラップ剤を
添加することが可能となる。また、ポリマーの側鎖とし
て導入することにより、大きな自由体積が得られるた
め、電荷を保持した際の構造の変化が生じやすいという
長所もある。
【０１３８】なお、電荷輸送剤などの成分がポリマーで
ない場合には、前述の成分にポリマーを混合することも
できる。使用され得るポリマーとしては、光学的に不活
性であり、分子量のばらつきが小さいものが好ましい
が、特に限定されない。例えば、ポリエチレン樹脂、ナ
イロン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、ポリビニ
ルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコー
ン樹脂、ポリスルホン樹脂、アクリル樹脂、酢酸ビニ
ル、ポリオレフィンオキシド樹脂、アルキド樹脂、スチ
レン−無水マレイン酸共重合体樹脂、フェノール樹脂、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステルカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリ
アリレート、およびパラフィンワックスなどが挙げられ
る。これらは、単独でまたは２種以上を組み合わせて用
いることができる。
【０１３９】また、記録層のガラス転移点を低下させる
ために、可塑剤と呼ばれる分子量の小さな分子を分散さ
せてもよい。ガラス転移点を低下させることによって、
トラップ剤の構造をより容易に変化させることができ
る。
【０１４０】さらに、高分子酸化防止剤、紫外線吸収剤
として一般的に知られる化合物を、上述した成分に加え
て使用することもできる。こうした化合物としては、例
えば、ヒンダート・フェノール類、芳香族アミン類、有
機硫黄化合物、亜リン酸エステル、キレート化剤、ベン
ゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、およびニッケル
錯体などが挙げられる。これらの成分の配合量は、例え
ば、記録層全体に対して０．０００１〜５重量％とする
ことが好ましい。
【０１４１】本発明の一実施形態にかかる光記録媒体に
おける記録層は、上述した成分を含有する組成物を溶剤
に溶解し、成膜することにより形成することができる。
溶剤としては、種々の有機溶剤を使用することができ、
例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキ
シド類、エーテル類、エステル類、芳香族ハロゲン化炭
化水素類、および芳香族炭化水素などが挙げられる。
【０１４２】記録層は、例えば、スピンコーティング
法、浸漬塗布法、ローラ塗布法、スプレー塗布法、ワイ
ヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、ロ
ーラコーティング法等の各種の塗布法、キャスト法、真
空蒸着法、スパッタリング法などにより形成することが
できる。さらには、グロー放電を利用した、例えばプラ
ズマＣＶＤ法により形成してもよい。キャスト法を採用
する場合は、溶液をキャストするのみならず、溶液から
溶媒を気化させた後に、粉末状の混合材料を加熱溶融し
て記録層を形成することもできる。
【０１４３】こうして形成される記録層の膜厚は、通常
０．０５〜１０ｍｍ程度であり、０．５〜１ｍｍである
ことが好ましい。なお、記録層の膜厚は、記録容量や光
透過性などの光記録媒体に要求される特性や組成に応じ
て、適宜選択することができる。
【０１４４】前述の成分を含有する組成物を含む溶液
を、適切な支持体の上に塗布することにより、記録層が
成膜される。支持体としては、適切な厚さ、および硬さ
を備え、取り扱いのために充分な強度を有している任意
の材料を使用することができる。
【０１４５】この支持体は、成膜用としてのみならず、
光記録媒体の基板として使用することもできる。すなわ
ち、本発明の一実施形態にかかる光記録媒体は、基板
と、この基板上に形成された記録層とを有する構成とし
てもよい。この場合の基板は、使用される光の波長域
で、ある程度透明であることが望まれる。なお、光の波
長は、半導体レーザーの場合には、例えば７８０ｎｍ、
６５０ｎｍ、４０５ｎｍである。通常の樹脂は、可視域
である４００〜６００ｎｍの範囲内の波長の光に対して
透明であり、長波長域である８００ｎｍ付近まで透明性
を維持しているものも多い。したがって、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリアミド、アクリル樹脂、およ
びポリイミド等が好ましい。
【０１４６】これらの基板材料は、平板状として、ある
いは必要に応じて円筒状シートとして使用することがで
きる。なお、円筒状シートとして用いる場合には、基板
は適切な屈曲性を有していることが要求される。
【０１４７】前述の基板の記録層側には、必要に応じて
電極となる層を形成してもよい。電極層を形成する材質
は、基板と同様に、使用される光の波長域においてある
程度透明であることが望まれる。このため、酸化スズイ
ンジウムやアルミニウムなどが好ましく使用される。ま
た、電極のシート抵抗は、５０Ωｃｍ-2以下であること
が望まれる。
【０１４８】必要に応じて、記録層の上に保護層を形成
することもできる。保護層を形成するための材料として
は、任意のものを用いることができる。例えば、アクリ
ル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂な
どの熱硬化性樹脂、光硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、Ｘ線硬
化樹脂、およびＵＶ硬化樹脂などが挙げられる。
【０１４９】このような保護層中には、酸化防止剤、紫
外線吸収剤、老化防止剤などの添加剤を少量添加しても
よい。使用し得る添加剤としては、例えば、ヒンダード
・フェノール類、芳香族アミン類、有機硫黄化合物、亜
リン酸エステル、キレート化剤、ベンゾフェノン系、ベ
ンゾトリアゾール系、およびニッケル錯体などが挙げら
れる。
【０１５０】また、非線形光学材料が含有される記録層
には、予めポーリング処理を施してもよい。この場合に
は、記録層を、そのガラス転移点程度の温度に加熱し、
さらに外部電場を加える。これによって、永久双極子モ
ーメントの大きな分子、特に非線形光学材料を外部電場
の方向に配向させて、光に対する非線形性を増大させる
ことができる。
【０１５１】次に、上述したような光記録媒体をホログ
ラムメモリとして用いる場合、すなわち、媒体に情報を
記録し、記録した情報を再生する方法について説明す
る。
【０１５２】本発明の一実施形態にかかる光記録媒体に
情報を記録する記録装置の一例を、図５に示す。
【０１５３】図５に示されるように、直方体状の光記録
媒体７を作製しておく。この光記録媒体７の一方の側
に、画像表示素子１５を配置し、光記録媒体７をはさん
で反対側には、読み取り装置１９を設置する。読み取り
装置１９は、画像表示素子１５から光記録媒体７に照射
される光の光軸に垂直になるよう配置することが好まし
い。画像表示素子１５としては、例えば、液晶素子、デ
ィジタルミラーアレイ、Ｐｏｃｋｅｌｓ Ｒｅａｄｏｕ
ｔ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ、Ｍｕｌｔｉ
−ｃｈａｎｎｎｅｌ Ｓｐａｔｉａｌ Ｍｏｄｕｌａｔ
ｏｒ、Ｓｉ−ＰＬＺＴ素子、変形表面型素子、ＡＯまた
はＥＯ変調素子、および磁気光学効果素子などを用いる
ことがきる。また、読み取り装置１９としては、任意の
光電変換素子を使用することができる。例えば、ＣＣ
Ｄ、ＣＭＯＳセンサー、フォトダイオード、Ｐｈｏｔｏ
ｒｅｃｅｐｔｏｒ、およびフォトマルチプライヤーチュ
ーブなどが挙げられる。
【０１５４】図５においては、光が画像表示素子１５を
透過することを仮定しているが、画像表示素子１５は光
を反射させるタイプでもよい。
【０１５５】光記録媒体への情報の記録は、例えば、以
下の手順で行なうことができる。記録に用いる光源は、
レーザーに代表される可干渉な光であることが必要とさ
れる。ここでは、レーザーを用いた場合について説明す
る。レーザーの波長は、用いる光記録媒体の成分に応じ
て選択することができ、具体的には、電荷発生剤に応じ
て選択される。トラップ剤が電荷を保持したときに、光
学特性が変化する現象を応用した光記録媒体の場合に
は、トラップ剤に応じて波長が選択される。レーザー１
０としては、既存の気体レーザー、液体レーザー、固体
レーザー、または半導体レーザーの任意のものを用いる
ことができる。レーザー１０からの出力を、例えばビー
ムスプリッター１２を用いて２つに分割する。一方を参
照光５とし、他方は画像表示素子１５を透過させ信号光
４として用いる。
【０１５６】このような構成で情報を記録するに当たっ
ては、信号光４と参照光５とが記録層内で交わるよう
に、光記録媒体７に入射する。これは、具体的には、以
下のような手法により行なわれる。レーザー１０からの
光を、例えばビームエキスパンダー１１で平行光に広げ
た後、例えばビームスプリッター１２により２つに分割
する。記録したい情報は予めデジタル化し、それに応じ
た画像パターンを画像表示素子１５に入力しておく。ビ
ームスプリッター１２で二つに分割した光の一方を、ミ
ラー１３を介して画像表示素子１５に照射し、例えば光
の強度分布を記録するデータに応じて空間的に変調して
信号光４とする。さらに、信号光４をレンズ１６で集光
して、光記録媒体７に照射する。レンズ１６の焦点距離
をｆ１としたとき、画像表示素子１５とレンズ１６との
距離はｆ１に等しいことが好ましく、光記録媒体７とレ
ンズ１６との距離はｆ１にほぼ等しいことが好ましい。
そのとき、同時に参照光５が記録層内で交わるように、
参照光５を光記録媒体７に照射する。参照光５は、ミラ
ー１４で反射させた後、レンズ１７で集光して照射す
る。
【０１５７】信号光４と参照光５との重ね合わせで生じ
た干渉縞により内部電場が発生し、光学特性の変調が起
こって、回折格子が形成される。このとき、参照光の入
射角度、信号光の入射角度、あるいはその両方を変化さ
せることによって、重なり合う領域に複数の干渉縞を形
成することが可能である。あるいは、入射される光の方
向に対して光記録媒体７を回転させることによって、参
照光および信号光の入射角度を変化させることができ
る。またさらに、信号光と参照光との重なり合う領域に
対して１／２〜１／１０００程度、レーザー光の照射さ
れる位置をずらすことによって、２つの光の重なり合う
領域に同様に複数の干渉縞を記録することができる。
【０１５８】記録された情報の読み取りに当たっては、
まず、信号光４を遮断し、参照光５のみを光記録媒体７
に照射する。すなわち、参照光５は読み出し光として用
いることもできる。このとき、記録された干渉縞により
信号光４と同じ空間的強度分布をもった再生光が再生さ
れるので、レンズ１８を透過させた後、読み取り装置１
９で読み取ることができる。読み取った光の強度分布に
より、記録された情報の再生が可能となる。レンズ１８
の焦点距離をｆ２としたとき、レンズ１６からレンズ１
８までの距離はｆ１＋ｆ２に等しいことが好ましく、レ
ンズ１８から読み取り装置１９までの距離は、ｆ２に等
しいことが好ましい。
【０１５９】ここでは、記録時と読み取り時に同じ波長
の光源を用いているが、これに限定されるものではな
い。記録層の膜厚が０．５ｍｍ程度以下の場合には、記
録時とわずかに異なる波長を有する光源を用いても、記
録された情報の読み取りは可能である。このような場
合、回折光強度が大きくなるように、記録時とはわずか
に異なる角度で読み出し光を入射させてもよい。このと
きも、読み取り装置１９は、読み取りに用いる光の光軸
に垂直に配置することが望ましい。
【０１６０】またここでは、参照光５もレンズ１７を用
いて集光しているが、参照光は必ずしも集光する必要は
ない。ビームエキスパンダー１１を、レーザー１０から
画像表示素子１５の間のいずれかの位置に配置すること
によって、レンズ１７を省略することができる。
【０１６１】記録した情報の読み取りに当たっては、位
相共役再生も可能である。これに関して、図６を参照し
て説明する。図６においては、記録に用いたときと同一
の波長の可干渉な光が、記録時とは逆向きに照射され
る。
【０１６２】すなわち、記録に用いた光と同一の波長の
光を発振するレーザー２０からの光を、例えばビームエ
キスパンダー２１で光径を広げた後、レンズ２２を用い
て、参照光を照射したときとは全くの逆向きに光記録媒
体７に照射する。光記録媒体７に記録された回折格子に
より、信号光４が進んだのとは全く逆向きに虚像が再生
される。虚像がレンズ１６を透過した後、例えば、ビー
ムスプリッター２３で反射させ、読み取り装置１９で読
み取る。記録時と同様にこの場合も、レンズ１６から読
み取り装置１９までの距離は、レンズ１６の焦点距離に
等しくすることが好ましい。位相共役再生においても、
記録時とはわずかに異なる波長をもつ、可干渉な光を読
み出し光として用いることができる。このときは、虚像
の光軸が信号光４の光軸と完全に一致するように、読み
出し光の入射角をわずかに調整することが好ましい。
【０１６３】記録時に参照光５を集光していない場合に
は、位相共役再生時においても、ビームスプリッター２
１およびレンズ２２を省略することができる。
【０１６４】光記録媒体に記録された情報は、場合によ
っては消去することができる。例えば、記録領域よりも
広い領域にわたって一様な強度分布を有する光を照射す
ることによって、あるいは光記録媒体をガラス転移点よ
り低い温度まで加熱することによって、記録は消去され
る。あるいは、中性状態のトラップ剤は吸収しないが、
イオン化状態のトラップ剤が吸収する波長の光を一様に
照射することによっても、記録の消去が可能である。
【０１６５】本発明の一実施形態にかかる光記録媒体へ
の情報の記録方法および再生方法は、上述した例に限定
されるものではなく、種々の変更が可能である。例え
ば、信号光４と参照光５とは、光記録媒体７に対して異
なる面から入射してもよい。
【０１６６】情報がデジタルデータとして記録される場
合、画像表示素子１５の複数の画素でひとつのデータを
表わしても構わない。
【０１６７】また、情報を信号光の強度分布で与える場
合には、明部と暗部との光強度は、ビーム径全般にわた
って一様でなくともよい。すなわち、画像表示素子にお
ける光の透過率を、中央部分で低くし、中央から離れた
部分では高くしておくことも可能である。これによっ
て、再生信号の中央部よりも中央から離れた部分で再生
光が弱められることを、予め補正することができる。あ
るいは、中央付近で吸収係数が大きく、中央から離れる
と吸収係数の小さいような光強度変調素子を、読み取り
装置１９の前に配置しても同様である。
【０１６８】次に、本発明の一実施形態にかかる光記録
媒体を多層型光記録媒体として用いる場合、すなわち、
媒体中の複数の層に情報を記録し、記録した情報を再生
する方法について図７を用いて説明する。
【０１６９】半導体レーザー３１からの光を、コリメー
トレンズ３２で平行光にした後、対物レンズ３３を用い
て記録層内に集光する。半導体レーザー３１への注入電
流を適当な時間大きくすることにより、適当な時間レー
ザー光を照射して、焦点付近のみに光学定数の変化とし
て情報を記録する。焦点位置を媒体内の任意の位置に配
することにより、光学定数の変化がある領域３４とない
領域という形で情報を記録することができる。
【０１７０】記録した情報は、例えば、光軸上にアイリ
ス３５を配置し、光検出器３５を用いてアイリスを通過
した光強度を測定すると再生することができる。つま
り、読み出し光の光軸が光学定数の変化した領域を通過
するようにして照射し、焦点位置を記録層の深さ方向に
走査すると、観測される透過光強度Ｉは深さ方向の位置
Ｚ（ここでは、光学特性の変化した領域の中心をＺ＝０
とする）の関数として図８のようになる。これは、記録
光の焦点近傍で媒体の屈折率が変化し、レンズ効果が生
じたためである。光学定数の変化のない領域を走査した
場合には、透過光強度の変化はないので、透過光強度の
変化の有無により、光学定数が変化した領域かそうでな
いかがわかる。あらかじめ記録する領域を決めておけ
ば、該領域近傍における透過光強度の変動の有無によ
り、情報を再生することができる。
【０１７１】ただし、情報の再生の際に新たに光学特性
の変化が生じないように、読み出し光の光強度が記録光
の１／２から１／１００程度となるように注入電流を調
整するのが望ましい。
【０１７２】あるいは、より簡単な再生方法として、記
録位置近傍の透過光強度の検出によって記録位置の記録
情報を再生することも可能である。つまり、情報を記録
した位置に対し、深さ方向に図８中に示すＺ0だけ離れ
た位置の透過光強度を検出することによって、情報を再
生することができる。情報を記録していない領域から深
さ方向にＺ0だけずれた位置に読み出し光の焦点がある
ときには、透過光強度はＩ0の値を示すが、情報を記録
した領域から深さ方向にＺ0だけずれた位置に焦点があ
るときには、透過光強度はＩ0＋ΔＩとなるので、この
透過光強度の検出によって読み出し光の焦点からＺ0だ
けずれた位置の記録情報が再生される。信号を再生した
い領域から光軸方向にＺ0だけずれた位置における透過
光強度によって、情報を再生することができる。
【０１７３】膜厚が十分大きい場合や、記録層の対物レ
ンズ側にガラス基板が設けられている場合には、対物レ
ンズとしてはＮＩＫＯＮ社製のＣＦ ＩＣ ＬＣＤ Ｐ
ｌａｎ ＣＲ １００倍などのように動作距離が長いも
のを用いるのが好ましい。また、記録層の上下に基板を
設ける場合には、対物レンズ側の基板は０．５ｍｍ以下
であることが好ましい。あるいは、記録層の対物レンズ
側には基板を設けなくてもよい。この場合には、記録層
に傷が付くことを防ぐために、記録層をディスケット内
に収めてもよい。
【０１７４】本発明の一実施形態にかかる光記録媒体へ
の情報の記録方法および再生方法は、上述した例に限定
されるものではなく、種々の変更が可能である。例え
ば、情報の再生は、共焦点顕微鏡と同様に行なうことも
できる。あるいは、光記録媒体の対物レンズとは反対の
側に反射面を配置し、反射光を用いて情報を再生しても
よい。
【０１７５】本発明における光記録媒体は、上述に限定
されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲におい
て種々変形して用いることができる。例えば、光記録媒
体の記録層が十分な強度を有する場合には、支持基盤を
設けずに単独で用いることもできる。
【０１７６】本発明の一実施形態にかかる光記録媒体
は、共役系と少なくとも１つの含窒素複素環化合物とを
記録層中に含有し、この複素環化合物は、不飽和炭素原
子を介して共役系に結合される。したがって、従来の光
記録媒体よりも応答速度が速く、記録寿命が短い光記録
媒体が得られた。
【０１７７】
【実施例】まず、本発明の一実施形態にかかるトラップ
剤と、従来のトラップ剤とを比較して説明する。
【０１７８】下記化学式（１６）で表わされる化合物
と、下記化学式（５１）で表わされる化合物との吸収ス
ペクトルを図９に示す。図９中、曲線ｃは化学式（１
６）で表わされる化合物の吸収スペクトルを表わし、曲
線ｄは、化学式（５１）で表わされる化合物の吸収スペ
クトルを表わす。
【０１７９】
【化５５】
【０１８０】前記化学式（１６）で表わされる化合物
は、本発明の一実施形態にかかるトラップ剤であり、前
記化学式（５１）で表わされる化合物は、文献“Ｐｈｏ
ｔｏｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｗｉｔ
ｈ ｌｏｗ ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｔｒａｐ ｄｅｎｓ
ｉｔｙ”， Ｈ． Ｊ． Ｂｏｌｉｎｋ， Ｖ． Ｖ．
Ｋｒａｓｎｉｋｏｖ， ａｎｄ Ｇ． Ｈａｄｚｉｉｏ
ａｎｎｏｕ， Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， ｖｏｌ． ３
１４４ Ｐ．Ｐ． １２４−１３３ （１９９７）で用
いられているトラップ剤である。
【０１８１】図９から明らかなように、化学式（５１）
で示される化合物（曲線ｄ）は、化学式（１６）で示さ
れる化合物（曲線ｃ）よりも長波長側に広がった吸収を
示す。このため、記録光として、６３３ｎｍや５３２ｎ
ｍの光源を用いようとした場合、光記録媒体の記録層の
膜厚が大きくなると、トラップ剤の吸収により回折光強
度が減少するという欠点を有する。複素環構造を有する
電子供与性基と、電子受容性を有する基とを共役系によ
り結合した化合物も、可視域に強い吸収を持つ場合が多
い（例えば、文献“ Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｔｈｅ ｃ
ｈｒｏｍｏｐｈｏｒｅ ｄｏｎｏｒ ｇｒｏｕｐ ａｎ
ｄ ｆｅｒｒｏｃｅｎｅ ｄｏｐｉｎｇｏｎ ｔｈｅ
ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｇｅ， ｇａｉｎ， ａｎｄ
ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ ｉｎ ｐｈｏｔｏｒｅｆｒａ
ｃｔｉｖｅ ｐｏｌｙｍｅｒｓ”，Ｅ．Ｈｅｎｄｒｉｃ
ｋｘ，Ｄ．Ｖ．Ｓｔｅｅｎｗｉｎｃｋｅｌ，Ａ．Ｐｅｒ
ｓｏｏｎｓ，Ｃ．Ｓａｍｙｎ，Ｄ．Ｂｅｌｊｏｎｎｅ，
ａｎｄ Ｊ−Ｌ．Ｂｒｅｄａｓ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙ
ｓ．ｖｏｌ．１１３，ｐ．ｐ．５４３９−５４４７（２
０００））。
【０１８２】次に、前記化学式（１６）で示される化合
物と、下記化学式（５２）で示される化合物の電荷保持
能を帯電光減衰法で測定した。
【０１８３】
【化５６】
【０１８４】前記化学式（５２）で表わされる化合物
は、含窒素複素環基が共役系に結合していない以外は、
前述の化学式（１６）で表わされる化合物と同様の構造
である。
【０１８５】電荷保持能の測定方法を図１０を参照して
説明する。まず、適当な混合比で試料を調製しておく。
一方、ＩＴＯ膜１１２およびＡｌ膜１１３をガラス基板
１１１上に順次蒸着し、その上に試料をスピナー製膜し
て測定膜１１４を作製する。次に、測定膜１１４表面を
プラスにコロナ帯電させた後、測定膜１１４表面側から
光を照射する。光照射により生成した電荷は、接地され
た対向電極側に輸送される。電荷が測定膜１１４表面付
近で生成して、電子が電荷発生サイトから輸送されなけ
れば、試料表面の電位は、輸送されたホールの数に比例
して減衰する。具体的には、図１１中の曲線ｅで表わさ
れるように、電位は減衰する。一方、ホールを保持する
トラップ剤が試料内に分散されている場合には、トラッ
プ剤にホールが保持されると、輸送される距離が短くな
る。このため、表面電位は０まで減衰せずに、図１１中
の曲線ｆで表わされるように一定の値に漸近する。した
がって、漸近した表面電位の値は、トラップされたホー
ル数の目安になる。このとき、光照射終了後の表面電位
の暗減衰は、トラップされたホールが脱トラップされた
ことによると考えられる。
【０１８６】ＴＰＤ２５重量％、ＰＳ６９．５重量％、
Ｃ70 ０．５重量％、およびトラップ剤５重量％を含む
トルエン溶液を作製した。トラップ剤としては、前記化
学式（１６）、（５２）、および下記化学式（５３）で
表わされる化合物をそれぞれ用いた。
【０１８７】
【化５７】
【０１８８】得られたトルエン溶液を用いて、スピナー
製膜によりほぼ５ｎｍの膜厚を有する試料を作製した。
試料を＋２００Ｖ程度に帯電させた後、波長５００ｎｍ
の光を６０秒照射し、その際の表面電位の暗減衰を図１
２に示す。
【０１８９】図１２中、プロットｇ，ｈ，ｉは、それぞ
れ前記化学式（１６）、（５２）、および（５３）で表
わされる化合物をトラップ剤として含有する試料につい
ての結果である。
【０１９０】図１２に示されるように、化学式（１６）
で表わされる化合物を分散した試料（プロットｇ）は、
化学式（５２）で表わされる化合物を分散した試料（プ
ロットｈ）よりも表面電位の減衰が小さい。化学式（１
６）で表わされる化合物は化学式（５２）で表わされる
化合物に比べて、複素環構造部（ジュロリジン基）が強
いドナー性を有する。このために、高い電荷保持能を示
したと理解できる。
【０１９１】同様に、化学式（１６）で表わされる化合
物と化学式（５３）で表わされる化合物の電荷保持能を
比較した。化学式（５３）で表わされる化合物は、ドナ
ー性の高い複素環構造を有する基と輸送性の高いトリフ
ェニルアミンとを非共役結合を介して結合している。
【０１９２】図１２より明らかに、化学式（１６）で表
わされる化合物を分散した試料（プロットｇ）は、化学
式（５３）で表わされる化合物を分散した試料（プロッ
トｉ）よりも表面電位の暗減衰が小さいことがわかる。
【０１９３】化学式（５３）で表わされる化合物では、
電子供与性を有する２つの基が共役系で結合されていな
い。したがって、このような化合物は正孔を保持して
も、分子全体にわたる共役状態の変化、あるいは構造の
変化を生じることがない。このため、化学式（５３）で
表わされる化合物は、化学式（１６）で表わされる化合
物よりも電荷保持能が低い。
【０１９４】なお、共役系が長くなりすぎると、電荷を
保持しても分子全体に共役状態が広がりにくくなる。こ
の場合には、高い電荷保持能を実現することが困難にな
るので、共役系は短いほうが好ましい。
【０１９５】以下、実施例および比較例を示して本発明
をさらに詳細に説明する。
【０１９６】（実施例１）まず、以下のようにして光記
録媒体を作製した。
【０１９７】フラーレン（Ｃ70）：０．５重量％、輸送
剤としてのポリＮビニルカルバゾール（ＰＶＫ）：４
４．５重量％、可塑剤としてのＮ−エチルカルバゾール
（ＥｔＣｚ）：７．５重量％、Ｂｉｓ−カルバゾリルプ
ロパン（ＢｉｓＣｚＰｒｏ）：７．５重量％、非線形光
学材料としてのＮ−［［４−（ジメチルアミノ）フェニ
ル］−メチレン］−２−メチル−４−ニトロベンゼンア
ミン（ＤＢＭＮＡ）：３５重量％、および下記化学式
（１１）で表わされる化合物５重量％をテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）とトルエンに溶解して共溶媒溶液を調製
した。化学式（１１）で表わされる化合物は、トラップ
剤として作用する。化学式に示されるように、この化合
物は電子供与性を有する基であるカルバゾール基を２つ
有し、これらの間は共役系で結合されている。
【０１９８】
【化５８】
【０１９９】ガラス基板の表面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜を形成して、基板を準備し
た。この基板上に前述の共溶媒溶液をキャスト法により
塗布することにより記録層を形成した。記録層の膜厚
は、テフロン（登録商標）製のスペーサーを用いて５０
μｍに調整した。さらに、８０℃において両電極を３ｋ
Ｖの電源に接続してポーリング処理を施すことにより、
光記録媒体を作製した。
【０２００】図１３に示す構成の記録装置を用いて、こ
の光記録媒体にホログラムを記録再生した。図示する装
置においては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（出力３０ｍＷ）１
０から出射された光は、まず、ビームスプリッター１２
で二つに分割される。ビームスプリッター１２で反射さ
れた光は、ビームエキスパンダー１１を用いて光径を広
げた後、画像表示素子としての液晶フィルター１５を透
過する。液晶フィルター１５は、予め記録したい情報に
応じてその透過率を変調しておき、透過光を信号光４と
する。信号光４を、レンズ１６（焦点距離１５０ｍｍ）
を用いて集光する。レンズ１６と光記録媒体７との距離
は、１３５ｍｍとした。
【０２０１】一方、ビームスプリッター１２を透過した
光は、そのまま参照光５として光記録媒体７に照射し
た。このとき、光記録媒体上で信号光４が集光された領
域を参照光が覆うように、参照光５の光路を調整する。
信号光４と参照光５とが光記録媒体７に入射される角度
を光記録媒体７の外で測定したところ、光記録媒体の法
線方向に対し、それぞれ４０°および５０°であった。
【０２０２】光記録媒体７の基板は、３ｋＶの外部電源
（図示せず）に接続されているので、６０Ｖ／μｍの外
部電場が加えられている。このようにして１０秒光を照
射することにより、光記録媒体７にホログラムを記録す
ることができた。
【０２０３】続いて、記録された情報を再生した。再生
に当たっては、信号光４の光路をシャッターで遮断し、
ビームスプリッター１２を透過した光を読み出し光とし
て光記録媒体７に照射したところ、回折光が観測され
た。レンズ１６と同様のレンズ１８（焦点距離１５０ｍ
ｍ）を透過させた後、回折光を読み取り装置としてのＣ
ＣＤ１９に入射することによって、信号光４の強度分布
と同様の強度分布を有する再生光が検出された。レンズ
１８は、レンズ１６から３００ｎｍの位置に、光軸がレ
ンズ１８の中央部を通るよう、光軸に垂直に配置した。
ＣＣＤ１９もまた、光軸に垂直に配置した。レンズ１８
からＣＣＤ１９までの距離は、レンズ１８の焦点距離に
等しくした。
【０２０４】記録された情報は、１ヶ月経過しても再生
することが可能であった。
【０２０５】（実施例２）トラップ剤を下記化学式（１
２）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例１と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２０６】
【化５９】
【０２０７】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を１ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２０８】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１０秒で十分に記録を行なうことができた。記録され
た情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２０９】（実施例３）トラップ剤を下記化学式（１
３）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例１と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２１０】
【化６０】
【０２１１】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２１２】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間５秒で十分に記録を行なうことができた。記録された
情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２１３】（実施例４）非線形光学材料を下記化学式
（１４）で表わされる化合物（７−ＤＣＳＴ）に変更
し、トラップ剤を下記化学式（１５）で表わされる化合
物に変更した以外は、前述の実施例１と同様の処方によ
り共溶媒溶液を調製した。
【０２１４】
【化６１】
【０２１５】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２１６】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された
情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２１７】（実施例５）トラップ剤を前記化学式（１
６）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例４と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２１８】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、１００℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続
してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作
製した。
【０２１９】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１０秒で十分に記録を行なうことができた。記録され
た情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２２０】（実施例６）Ｃ70：０．５重量％、ポリス
チレン（ＰＳ）：３４．５重量％、電荷輸送剤としての
前記化学式（５ｂ）で表わされる化合物：３０重量％、
７−ＤＣＳＴ：３０重量％、およびトラップ剤としての
前記化学式（１６）で表わされる化合物５重量％をＴＨ
Ｆとトルエンに溶解して共溶媒溶液を調製した。
【０２２１】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２２２】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された
情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２２３】（実施例７）トラップ剤を下記化学式（１
７）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２２４】
【化６２】
【０２２５】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２２６】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された
情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２２７】（実施例８）電荷輸送剤の含有量を２５重
量％に変更し、可塑剤としてのトリフェニルアミン５重
量％を加え、トラップ剤を下記化学式（１８）で表わさ
れる化合物に変更した以外は、前述の実施例６と同様の
処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２２８】
【化６３】
【０２２９】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２３０】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された
情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２３１】（実施例９）トラップ剤を下記化学式（１
９）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２３２】
【化６４】
【０２３３】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２３４】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された
情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２３５】（実施例１０）Ｃ70：０．５重量％、前記
一般式（Ｐ１）で表わされるコポリマー（ｙ／ｘ＝０．
０５）：４９．５重量％、ＥｔＣｚ：７．５重量％、Ｂ
ｉｓＣｚＰｒｏ：７．５重量％、７−ＤＣＳＴ：３５重
量％を、ＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を得
た。一般式（Ｐ１）で表わされるコポリマーは、電荷輸
送剤およびトラップ剤の両方の作用を有する。トラップ
剤としての含有量は、５重量％程度である。
【０２３６】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２３７】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１０秒で十分に記録を行なうことができた。記録され
た情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２３８】（実施例１１）Ｃ70：０．５重量％、下記
一般式（Ｐ２）で表わされるコポリマー（ｙ／ｘ＝０．
０５）：６４．５重量％、およびＤＢＭＮＡ：３５重量
％を、ＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を得た。
一般式（Ｐ２）で表わされるコポリマーは、電荷輸送
剤、トラップ剤および非線形光学材料の作用を有する。
トラップ剤としての含有量は４重量％程度である。
【０２３９】
【化６５】
【０２４０】化学式（Ｐ２）で表わされるポリマーは、
前記一般式（Ａ’）で表わされる基（トラップ剤）が側
鎖に導入されている。具体的には、Ｒbとして含窒素複
素環基を含む。
【０２４１】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成し、光記
録媒体を作製した。
【０２４２】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時
間１０秒で十分に記録を行なうことができた。記録され
た情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができ
た。
【０２４３】（実施例１２）トラップ剤を下記化学式
（２０）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の
実施例１と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２４４】
【化６６】
【０２４５】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２４６】ここでトラップ剤として用いた化学式（２
０）で表わされる化合物は、電子供与性を有する基とし
てのカルバゾール基を１分子中に２つ含むが、それらの
間は共役系で結ばれていない。しかしながら、化学式
（２０）で表わされる物質の吸収スペクトルから、この
分子における２つのカルバゾール基は、空間的に重なり
合って存在していることが確認されている。すなわち、
一方のカルバゾール基にホールが注入された場合には、
空間的に重なり合って存在する他方のカルバゾール基と
の電子雲の重なりが大きくなる。
【０２４７】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録に
は１０秒を要したが、記録された情報は、１ヶ月を経過
した後にも再生することができた。
【０２４８】（比較例１）トラップ剤を４−（ジメチル
アミノ）ベンズアルデヒド−ジフェニルヒドラゾン（Ｄ
ＥＨ）に変更した以外は、前述の実施例４と同様の処方
により共溶媒溶液溶液を調製した。
【０２４９】得られた共溶媒溶液溶液を用いて、実施例
１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成し
た。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に
接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体
を作製した。
【０２５０】実施例１と同様の条件で記録を行なったと
ころ、記録には３０秒を要した。これは、ＰＶＫの電荷
受容性を有する基とＤＥＨの電子供与性を有する基と
は、イオン化ポテンシャルが大きく異なることに起因し
て、ＰＶＫからＤＥＨへの電荷の移動が起こりにくかっ
たためと考えられる。にもかかわらず、記録された情報
は３０分で再生できなくなった。ＤＥＨでは、電子供与
性を有するアミノ基にフェニル基が直接２個結合してい
るため、ポリマー内で十分な分子構造の変化を起こすこ
とができず、電荷の保持寿命が長くないためである。
【０２５１】（比較例２）トラップ剤を下記化学式（２
１）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例４と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２５２】
【化６７】
【０２５３】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２５４】この光記録媒体に実施例１と同様の条件で
記録を試みた。
【０２５５】その結果、記録光の照射を停止して数秒
で、再生光は観測されなくなった。ここでトラップ剤と
して用いた化学式（２１）で表わされる化合物において
は、カルバゾール基間が共役系で結合されていないため
である。ＰＶＫから化学式（２１）で表わされる物質へ
の電荷の移動は起こりやすいものの、化学式（２１）で
表わされる物質上で電荷が安定に存在することができな
いために、こうした現象が生じたものと考えられる。
【０２５６】（比較例３）トラップ剤を下記化学式（２
２）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例４と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。本比較
例においては、化学式（２２）で表わされる化合物がト
ラップ剤として作用する。
【０２５７】
【化６８】
【０２５８】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さ
らに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続し
てポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製
した。
【０２５９】この光記録媒体に実施例１と同様の条件で
記録を試みた。
【０２６０】ここでトラップ剤として用いた化学式（２
２）で表わされる化合物は、前述の化学式（２０）で表
わされる化合物と構造が類似している。しかしながら、
その吸収スペクトルから、カルバゾール基同士が空間的
に重なり合わずに存在していることが確認されている。
つまり、一方のカルバゾール基にホールが注入されて
も、電子雲の重なりは生じない。
【０２６１】この光記録媒体に実施例１と同様の条件で
情報の記録を行なったところ、記録光を遮断すると数秒
で、再生光は観測されなくなった。
【０２６２】（実施例１３）Ｃ70：０．４重量％、ＰＶ
Ｋ：３９．６重量％、ＥｔＣｚ：１５重量％、ＢｉｓＣ
ｚＰｒｏ：１５重量％、および前記化学式（１１）で表
わされる化合物：３０重量％をＴＨＦとトルエンに溶解
して共溶媒溶液を調製した。化学式（１１）で表わされ
る化合物はトラップ剤として機能する。この化合物が３
０重量％配合されているので、光の照射によりトラップ
剤の光学特性が変化し、情報を記録することができる。
【０２６３】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２６４】図５に示す構成の記録装置を用いて、この
光記録媒体にホログラムを記録再生した。図示する装置
においては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（出力３０ｍＷ）１０
から出射された光は、まず、ビームスプリッター１２で
二つに分割される。ビームスプリッター１２で反射され
た光は、ビームエキスパンダー１１を用いて光径を広げ
た後、画像表示素子としての液晶フィルター１５を透過
する。液晶フィルター１５は、予め記録したい情報に応
じてその透過率を変調しておき、透過光を信号光４とす
る。その透過光を、レンズ１６（焦点距離１５０ｍｍ）
を用いて集光する。レンズ１６と光記録媒体７との距離
は、１３５ｍｍとした。
【０２６５】一方、ビームスプリッター１２を透過した
光は、レンズ１７（焦点距離１５０ｍｍ）で集光して参
照光５とした。レンズ１７と光記録媒体との距離は７０
ｍｍとし、光記録媒体上で信号光４が集光された領域を
参照光が覆うように、参照光５の光路を調整する。信号
光４と参照光５とが光記録媒体７に入射される角度を光
記録媒体７の外で測定したところ、光記録媒体７の法線
方向に対し、それぞれ３０°および６０°であった。
【０２６６】光記録媒体７の基板は、３ｋＶの外部電源
（図示せず）に接続されているので、６０Ｖ／μｍの外
部電場が加えられている。このようにして１秒光を照射
することにより、光記録媒体７にホログラムを記録する
ことができた。
【０２６７】続いて、記録された情報を再生した。再生
に当たっては、信号光４の光路をシャッターで遮断し、
ビームスプリッター１２を透過した光を読み出し光とし
て光記録媒体７に照射したところ、回折光が観測され
た。レンズ１６と同様のレンズ１８（焦点距離１５０ｍ
ｍ）を透過させた後、回折光を読み取り装置としてのＣ
ＣＤ１９に入射することによって、信号光４の強度分布
と同様の強度分布を有する再生光が検出された。レンズ
１８は、レンズ１６から３００ｎｍの位置に、光軸がレ
ンズ１８の中央部を通るよう、光軸に垂直に配置した。
ＣＣＤ１９もまた、光軸に垂直に配置した。また、レン
ズ１８からＣＣＤ１９までの距離は、レンズ１８の焦点
距離に等しくした。
【０２６８】記録された情報は、１ヶ月経過しても再生
することができた。
【０２６９】（実施例１４）Ｃ70：０．３重量％、Ｐ
Ｓ：４４．７重量％、前記化学式（５ａ）で表わされる
化合物：１５重量％、トリフェニルアミン：５重量％、
および前記化学式（１５）で表わされる化合物：３５重
量％をＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を調製し
た。化学式（１５）で表わされる化合物はトラップ剤と
して機能する。この化合物が３０重量％配合されている
ので、光の照射によりトラップ剤の光学特性が変化し、
情報を記録することができる。
【０２７０】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２７１】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間５
秒で十分に記録することができた。記録された情報は、
１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２７２】（実施例１５）前述の実施例１４で作製し
た共溶媒溶液を、ＩＴＯ膜を形成していないガラス基板
上にキャスト法により塗布し、実施例１と同様の手法に
より膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製
した。
【０２７３】得られた光記録媒体に対し、外部電場を印
加しないことを除いて前述の実施例１３と同様の条件で
情報を記録したところ、記録時間６０秒を要したが記録
することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過し
た後にも再生することが可能であった。
【０２７４】（実施例１６）Ｃ70：０．３重量％、Ｐ
Ｓ：４９．７重量％、前記化学式（５ａ）で表わされる
化合物：１５重量％、および前記化学式（１６）で表わ
される化合物：３５重量％をＴＨＦとトルエンに溶解し
て共溶媒溶液を調製した。化学式（１６）で表わされる
化合物はトラップ剤として機能する。この化合物が３０
重量％配合されているので、光の照射によりトラップ剤
の光学特性が変化し、情報を記録することができる。
【０２７５】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２７６】この光記録媒体に対し、前述の実施例１３
と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１秒で
十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ
月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２７７】（実施例１７）トラップ剤を前記化学式
（１７）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の
実施例１４と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２７８】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２７９】この光記録媒体に対し、前述の実施例１３
と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間５秒で
十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ
月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２８０】（実施例１８）トラップ剤を前記化学式
（１８）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の
実施例１６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２８１】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２８２】この光記録媒体に対し、前述の実施例１３
と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１秒で
十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ
月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２８３】（実施例１９）トラップ剤を前記化学式
（１９）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の
実施例１６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２８４】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２８５】この光記録媒体に対し、前述の実施例１３
と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１秒で
十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ
月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２８６】（実施例２０）トラップ剤を前記化学式
（２０）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の
実施例１３と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２８７】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２８８】この光記録媒体に対し、前述の実施例１３
と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１０秒
で十分に記録することができた。記録された情報は、１
ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２８９】これは、実施例１２で述べたように、化学
式（２０）で表わされる化合物がトラップ剤として機能
するためである。
【０２９０】（実施例２１）実施例５で作製した光記録
媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記
録したところ、記録時間１０秒で十分に記録することが
できた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再
生することが可能であった。
【０２９１】（実施例２２）実施例１１で作製した光記
録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を
記録したところ、記録時間１０秒で十分に記録すること
ができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも
再生することが可能であった。
【０２９２】（比較例４）トラップ剤をＤＥＨに変更し
た以外は、前述の実施例１３と同様の処方により共溶媒
溶液を調製した。
【０２９３】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２９４】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１３と同様の条件で情報の記録を試みたが、記録を行な
うことができなかった。ＤＥＨでは、電子供与性を有す
るアミノ基に、構造が大きなフェニル基が２個直接結合
している。このため、ポリマー内で十分な構造変化を起
こすことができない。したがって、電荷を保持した際の
構造変化が小さく、光学特性の十分な変化を生じさせる
ことができなかったためである。
【０２９５】（比較例５）トラップ剤を前記化学式（２
１）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例１３と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２９６】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０２９７】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１３と同様の条件で情報の記録を試みたが、記録を行な
うことができなかった。化学式（２１）で表わされる化
合物は、電子供与性を有する２つのカルバゾールは共役
系で結合されていない。このため、電荷を保持した際に
光学特性の十分な変化を生じさせることができなかった
ためである。
【０２９８】（比較例６）トラップ剤を前記化学式（２
２）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施
例１３と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２９９】得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と
同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記
録媒体を作製した。
【０３００】得られた光記録媒体に対し、前述の実施例
１３と同様の条件で情報の記録を試みたが、記録を行な
うことができなかった。化学式（２２）で表わされる化
合物では、電子供与性を有する２個のカルバゾールが相
互作用しないためである。
【０３０１】本発明の一実施例にかかる光記録媒体は、
多層にわたって情報を記録・再生することができる。こ
れに関する実施例を以下に示す。
【０３０２】（実施例２３）多層型光記録用の光記録媒
体を作製するために、ガラス基板の表面にＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｕｉｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜を形成して基板を準
備した。この基板上に、前述の実施例１で調製した共溶
媒溶液を滴下し、キャスト法により塗布することにより
記録層を形成して光記録媒体を得た。記録層の膜厚は、
テフロン（登録商標）製のスペーサーを用いて２５０μ
ｍに調整した。対物レンズ側のガラス基板を急冷して取
り除き、光記録媒体とした。
【０３０３】図７に示す構成の記録装置を用いて、情報
の記録・再生を行なった。半導体レーザーからの出力光
をコリメータレンズを用いて平行光とした後、対物レン
ズで光記録媒体内に集光する。ここでは深さ方向の任意
の位置に集光できるように、動作距離が長く且つＮＡ
（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）が大きい対
物レンズとして、ＮＩＫＯＮ社製レンズ（商品名：ＣＦ
ＩＣ ＬＣＤ Ｐｌａｎ ＣＲ、１００倍）を用い
た。
【０３０４】まず、半導体レーザーへの注入電流を小さ
くして照射光強度を十分に下げた状態で、半導体レーザ
ーが集光される位置を記録層の表面に合わせた。続い
て、光を照射しない状態でステージを移動させ、記録層
表面から１０μｍの位置に焦点を配置した。
【０３０５】この後、所定の時間注入電流を大きくして
記録光を照射した。さらに、深さ方向の異なる位置に情
報を記録するために、光を照射しない状態で、ステージ
を用いて３０μｍ深い位置に焦点位置を移動させた。こ
の位置に情報を記録するために、やはり流入電流を変調
して記録光を照射した。これを繰り返して、記録層内の
異なる深さに４つのデータを記録した。このようにし
て、光を照射しない状態でステージを用いて焦点位置を
所望の位置に移動した後に記録光を所定の時間照射する
ことにより、記録層内の任意の位置に情報を記録するこ
とができる。
【０３０６】続いて、光を照射しない状態で、光軸が記
録領域中心をとおり、記録領域から５μｍ深い領域に焦
点位置が配置されるようにステージを用いて光記録媒体
を移動させる。記録光よりも１／１００程度小さい光量
になるように注入電流を変調し、この位置で光軸上にお
ける透過光強度Ｉｓを測定した。この光強度Ｉｓと、あ
らかじめ記録層に同じ光量で測定した透過光強度Ｉｒと
の比、Ｉｓ／Ｉｒを求めると１．２であった。一方、焦
点位置を記録領域から十分離した場合には、Ｉｓ／Ｉｒ
は１．０であった。
【０３０７】（実施例２４）Ｃ70：０．５重量％、Ｐ
Ｓ：３４．５重量％、前記化学式（５ｂ）で表わされる
電荷輸送剤：３０重量％、ＤＢＭＮＡ：３０重量％、お
よびトラップ剤としての前記化学式（１６）で表わされ
る化合物：５重量％をＴＨＦとトルエンに溶解して共溶
媒溶液を得た。
【０３０８】得られた共溶媒溶液を用いて、前述の実施
例２３と同様の方法により膜厚２５０μｍの記録層を形
成して光記録媒体を作製した。この光記録媒体に、実施
例２３と同様に１秒間の光照射を繰り返して、連続して
４つのデータを記録した。
【０３０９】続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉ
ｓ／Ｉｒの値は１．３であった。
【０３１０】（実施例２５）前述の実施例５で調製した
共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜
厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製し
た。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光
照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１１】続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉ
ｓ／Ｉｒの値は１．４であった。
【０３１２】（実施例２６）前述の実施例１１で調製し
た共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により
膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製し
た。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光
照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１３】続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉ
ｓ／Ｉｒの値は１．２であった。
【０３１４】（実施例２７）前述の実施例１６で調製し
た共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により
膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製し
た。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光
照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１５】続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉ
ｓ／Ｉｒの値は１．３であった。
【０３１６】（比較例７）前述の比較例４で調製した共
溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚
２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射
を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１７】続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉ
ｓ／Ｉｒの値はほぼ１であった。
【０３１８】（比較例８）前述の比較例５で調製した共
溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚
２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射
を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１９】続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉ
ｓ／Ｉｒの値はほぼ１であった。
【０３２０】（比較例９）前述の比較例６で調製した共
溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚
２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射
を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３２１】続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉ
ｓ／Ｉｒの値はほぼ１であった。
【０３２２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ホ
ログラムとして情報が記録される光記録媒体であって、
実用的な記録寿命を保ちつつ、記録に要する時間が短い
光記録媒体が提供される。また本発明によれば、こうし
た光記録媒体に情報を記録する光記録装置が提供され
る。
【０３２３】本発明の光記録媒体は、高密度記録を実現
するために有効であり、その工業的価値は絶大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】光記録媒体を説明する概略図。
【図２】ホログラムの記録原理を説明する図。
【図３】トラップ剤の構造によるエネルギー変化を説明
する図。
【図４】カルバゾリル基を有する化合物の蛍光スペクト
ル。
【図５】本発明の一実施例に係る光記録媒体にホログラ
ムを記録する装置の一例の構成を表わす概略図。
【図６】本発明の一実施例に係る光記録媒体に記録され
たホログラムを再生する装置の一例の構成を表わす概略
図。
【図７】本発明の一実施例に係る光記録媒体に情報を多
層記録する装置の構成の一例を表わす概略図。
【図８】本発明の一実施例に係る光記録媒体に情報を多
層記録した場合のデータの再生を説明する図。
【図９】トラップ剤の吸収スペクトル図。
【図１０】電荷保持能の測定方法を説明する図。
【図１１】試料表面の電位の変化を示すグラフ図。
【図１２】試料表面の電位の変化を示すグラフ図。
【図１３】本発明の一実施例にかかる光記録媒体にホロ
グラムを記録する装置の他の例の構成を表わす概略図。
【符号の説明】
１…電極 ２…記録層 ３…電極 ４…信号光 ５…参照光 ６…再生光 ７…光記録媒体 １０…レーザー １１…ビームエキスパンダー １２…ビームスプリッター １３，１４…ミラー １５…画像表示素子 １６，１７，１８…レンズ １９…読み取り装置 ２０…レーザー ２１…ビームエキスパンダー ２２…レンズ ２３…ビームスプリッター ３１…半導体レーザー ３２…コリメートレンズ ３３…対物レンズ ３４…光学定数が変化した領域 ３５…アイリス ３６…検出器 １１１…ガラス基板 １１２…ＩＴＯ膜 １１３…Ａｌ膜 １１４…測定膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ ５２２ ５２２Ａ (72)発明者 松本 一紀 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 西沢 秀之 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 2K008 AA04 BB05 DD12 EE01 HH13 HH18 HH28 5D029 JA04 JC01 5D090 AA07 BB03 BB12 BB16 CC01 CC04 CC14 DD01 FF11 KK09 KK12 KK15 5D119 AA21 BA05 BB02 BB10 DA01 DA05 EB12 EC26 EC43

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光の照射により電子および正孔を発生す
    る電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電
    子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を
    保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電
    子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層
    の光学特性が変化する光記録媒体であって、 前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合
    物であることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 （前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。Ｒaお
    よびＲbは同一でも異なっていてもよく、電子供与性を
    有する基であり、少なくとも一方は、含窒素複素環基で
    あり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役
    系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、
    任意の基で置換されてもよい。）
  2. 【請求項２】 前記一般式（Ａ）における共役系ＣＢ１
    は、以下に示す群から選択されることを特徴とする請求
    項１に記載の光記録媒体。 【化２】 （上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子で
    ある。）
  3. 【請求項３】 前記電子供与性を有する基の他方は、ア
    リルアルカン類；含窒素環式化合物；含酸素化合物；含
    硫黄誘導体、および以下に示す基からなる群から選択さ
    れる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１ま
    たは２に記載の光記録媒体。 【化３】 （上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていて
    もよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニ
    ル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチア
    ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベ
    ンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキ
    サゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、
    または水酸基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくと
    も一方は水素原子、酸素原子または飽和炭素原子を介し
    て窒素原子に結合される基である。）
  4. 【請求項４】 前記含窒素環式化合物は、以下に示す群
    から選択されることを特徴とする請求項３に記載の光記
    録媒体。 【化４】
  5. 【請求項５】 前記一般式（Ａ）における共役系ＣＢ１
    は、以下に示す群から選択されることを特徴とする請求
    項３または４に記載の光記録媒体。 【化５】 （上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子で
    ある。）
  6. 【請求項６】 前記一般式（Ａ）における共役系ＣＢ１
    は、以下に示す群から選択されることを特徴とする請求
    項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録媒体。 【化６】
  7. 【請求項７】 前記電子および前記正孔の空間分布の変
    化に応じて光学特性が変化する非線形光学材料をさらに
    含有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか
    １項に記載の光記録媒体。
  8. 【請求項８】 光の照射により極性の異なる第１および
    第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記第
    １の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第２の電
    荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持する
    トラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１の電荷
    および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて前記記
    録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、 前記トラップ剤は、下記一般式（Ｂ）で表わされる化合
    物であることを特徴とする光記録媒体。 【化７】 （前記一般式（Ｂ）中、ＣＢ１は共役系である。Ｒcは
    含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子
    を介して前記共役系に結合される。前記含窒素複素環に
    結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。）
  9. 【請求項９】 前記一般式（Ｂ）における共役系ＣＢ１
    は、以下に示す群から選択されることを特徴とする請求
    項８に記載の光記録媒体。 【化８】 （上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子で
    ある。）
  10. 【請求項１０】 前記一般式（Ｂ）におけるＲcは、以
    下に示す群から選択されることを特徴とする請求項８ま
    たは９に記載の光記録媒体。 【化９】
  11. 【請求項１１】 前記第１の電荷および前記第２の電荷
    の空間分布の変化に応じて光学特性が変化する非線形光
    学材料をさらに含有することを特徴とする請求項８ない
    し１０のいずれか１項に記載の光記録媒体。
  12. 【請求項１２】 光の照射により極性の異なる第１およ
    び第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記
    第１の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第２の
    電荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持す
    るトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１の電
    荷および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて前記
    記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、 前記トラップ剤は、下記一般式（Ｃ）で表わされる化合
    物であることを特徴とする光記録媒体。 【化１０】 （前記一般式（Ｃ）中、ＣＢ２は以下に示す群から選択
    される共役系である。） 【化１１】 （上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子で
    ある。） Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭
    素原子を介して前記共役系に結合される。Ｒdは、不飽
    和炭素原子を介して前記共役系に結合される含窒素複素
    環基、または以下に示す群から選択される基である。 【化１２】 （上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていて
    もよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニ
    ル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチア
    ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベ
    ンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキ
    サゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、
    または水酸基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくと
    も一方は水素原子、酸素原子または飽和炭素原子を介し
    て窒素原子に結合される基である。ＲcおよびＲdに含有
    される含窒素複素環に結合した水素原子は、任意の基で
    置換されてもよい。）
  13. 【請求項１３】 前記一般式（Ｃ）におけるＲcは、以
    下に示す群から選択されることを特徴とする請求項１２
    に記載の光記録媒体。 【化１３】
  14. 【請求項１４】 前記一般式（Ｃ）におけるＲdは、前
    記一般式（１ａ）または（１ｂ）で表わされる化合物で
    あり、前記第１の電荷および前記第２の電荷の空間分布
    の変化により光学特性が変化する非線形光学材料をさら
    に含有することを特徴とする請求項１２または１３に記
    載の光記録媒体。
  15. 【請求項１５】 光の照射により電子および正孔を発生
    する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記
    電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔
    を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記
    電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録
    層の光学特性が変化する光記録媒体であって、 前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ’）で表わされる基
    を側鎖に有するポリマーであることを特徴とする光記録
    媒体。 【化１４】 （前記一般式（Ａ’）中、ＣＢ１は共役系である。Ｒa
    およびＲbは同一でも異なっていてもよく、電子供与性
    を有する基であり、少なくとも一方は、含窒素複素環基
    であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共
    役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子
    は、任意の基で置換されてもよい。）
  16. 【請求項１６】 光の照射により極性の異なる第１およ
    び第２の電荷を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記
    第１の電荷を輸送して前記第１の電荷および前記第２の
    電荷を分離する電荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持す
    るトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記第１の電
    荷および前記第２の電荷の空間分布の変化に応じて前記
    記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、 前記トラップ剤は、下記一般式（Ｂ’）で表わされる基
    を側鎖に有するポリマーであることを特徴とする光記録
    媒体。 【化１５】 （前記一般式（Ｂ’）中、ＣＢ１は共役系である。Ｒc
    は含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原
    子を介して前記共役系に結合される。前記含窒素複素環
    に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよ
    い。）
  17. 【請求項１７】 光源、 前記光源から照射される光を２つに分割する手段、 前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、 光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤
    と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記
    正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラ
    ップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記
    正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が
    変化する光記録媒体、 前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を
    書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させ
    る光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報
    を再生するための光を検出する検出器を具備し、 前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記ト
    ラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であ
    ることを特徴とする光記録装置。 【化１６】 （前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。Ｒaお
    よびＲbは同一でも異なっていてもよく、電子供与性を
    有する基であり、少なくとも一方は、含窒素複素環基で
    あり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役
    系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、
    任意の基で置換されてもよい。）
  18. 【請求項１８】 光源、 前記光源から照射される光を２つに分割する手段、 前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、 光の照射により極性の異なる第１および第２の電荷を発
    生する電荷発生剤と、少なくとも前記第１の電荷を輸送
    して前記第１の電荷および前記第２の電荷を分離する電
    荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持するトラップ剤とを
    含有する記録層を有し、前記第１の電荷および前記第２
    の電荷の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性
    が変化する光記録媒体、 前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を
    書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させ
    る光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報
    を再生するための光を検出する検出器を具備し、 前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記ト
    ラップ剤は、下記一般式（Ｂ）で表わされる化合物であ
    ることを特徴とする光記録装置。 【化１７】 （前記一般式（Ｂ）中、ＣＢ１は共役系である。Ｒcは
    含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子
    を介して前記共役系に結合される。前記含窒素複素環に
    結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。）
  19. 【請求項１９】 光源、 前記光源から照射される光を２つに分割する手段、 前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、 光の照射により極性の異なる第１および第２の電荷を発
    生する電荷発生剤と、少なくとも前記第１の電荷を輸送
    して前記第１の電荷および前記第２の電荷を分離する電
    荷輸送剤と、前記第１の電荷を保持するトラップ剤とを
    含有する記録層を有し、前記第１の電荷および前記第２
    の電荷の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性
    が変化する光記録媒体、 前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を
    書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させ
    る光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報
    を再生するための光を検出する検出器を具備し、 前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記ト
    ラップ剤は、下記一般式（Ｃ）で表わされる化合物であ
    ることを特徴とする光記録装置。 【化１８】 （前記一般式（Ｃ）中、ＣＢ２は以下に示す群から選択
    される共役系である。 【化１９】 （上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子で
    ある。） Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭
    素原子を介して前記共役系に結合される。Ｒdは、不飽
    和炭素原子を介して前記共役系に結合される含窒素複素
    環基、または以下に示す群から選択される基である。 【化２０】 （上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていて
    もよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニ
    ル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチア
    ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベ
    ンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキ
    サゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、
    または水酸基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくと
    も一方は水素原子、酸素原子または飽和炭素原子を介し
    て窒素原子に結合される基である。ＲcおよびＲdに含有
    される含窒素複素環に結合した水素原子は、任意の基で
    置換されてもよい。）
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