TW205541B - - Google Patents

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Claims (1)

1. 205541 公告本 修正補充. 第77105482號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國82年3月修正 1. 一種含有玻璃料之艇態瓷磚釉，其比重在17〜2〇範 lk内而黏度在25°c時，在5〜lOOep範圍内； 其中所述玻璃料傷由下列成份所組成： 55〜65重置％ 10〜18重量％ 10 18〜25重量％ 0.5〜4重量％ 0〜10重量％ 〇〜2重量％ 一'或多種 MgO，BaO，SrO 和 ΖηΟ 15 附件：LCA): S i 〇2 A 1 2〇3 CaO 碱金屬氧化物 Zr〇2 B2O3 總共。〜10重量％。 2. 如申請專利範圍第1項之瓷磚釉，其中所述玻璃料含 有60〜64重量％Si〇2,12〜16重量％Al2〇3, 19〜23重量％ CaO,以及1〜3重量％喊金藤氣化物。 3. 如申請專利範圍第1項之瓷磚釉，拜中所述玻璃料含 有0.5〜1.5重量 4.如申請專利範圍第1項之瓷磚釉，其中所述玻璃料含 有2重量％或更少之B2〇3, 5重量％或更少之Mg〇, 5重量 5¾或更少之ZnO, 5重量％或更少之SrO，以及〇·5重量％或 更少之BaO。 T4 (210X297公芨〉 205541 ι 5.—種瓷磚釉 ,其含有1〇〇重童份數之下列軸成份⑻ 至（i)以及〇〜1 5重量份數之顔料： (a)下列組成之玻璃料： 50〜重量份數 5 Si〇2 55〜65重量％ AI2O3 10〜18重量％ CaO 18〜25重量％ 撼金屬氧化物 0.5〜4重量％ ΖΓ〇2 0〜10重量％ B2O3 0~ 2W.M96 —*或多種MgO, BaO, S「0和ZnO 總共0〜10重量％ ,(b：)長石： 10〜25重量份數 (C)黏土： 0.5〜10重量份數 (d)結石： 0〜20重量份數 (e)石英： 0〜10重量份數 CD氯化飽： 。〜5重量份數 (g)氧化欽： 0〜10重量份數 CK)碳酸銷： 0〜10重量份數 ⑴氣化金辛： 0〜5重量份數。 6.如申請專利範圍第5項之瓷碼釉，其含有15〜21重量 份數之Cb)長石， 2〜4重量份數之(〇黏土，以及10〜15重量 份數之(d)錯石。 7 .如申請專利範圍第1項之瓷磚釉，其黏度於25°C時在 〇 (210X297公装） 205541 1 10〜40cp範圍内〇 8. 瓷磚生还之上釉方法，其包括以數量為〇.002〜0·015 g /cm2之水，在2〜6kg/cm2之壓力下噴濯瓷磚之經乾燥生 还的一側，其中所述噴灑係使水滴直徑為1〇娜或更小，且 5 瓷磚生还在噴水時偽維持在50°C或以下之溫度；隨後，再 使它們經梯流上軸（cascade glazing)。 9. 如T申請專利範圍第8項之瓷聘生述之上釉方法，其中 在進行梯流上釉時，至少一部份之噴灑水偽保留在瓷碑生 1()述之表面上。 . 10. 製造内壁瓷磚之方法，其包括下列步驟：形成和乾燥 瓷磚生述，以0.002〜0.015g/cm2之水，在2〜6 kg/cm2 之壓力下噴灑生还之一側，其中所述噴灑偽使水滴直徑為 1〇娜或更小，且瓷磚生还在噴水時係維持在50°C或以下之 溫度；其後，再以比重為1.7〜2.0而黏度在25C時為5〜 15 IOOcp之適量瓷磚用袖锻悌流上釉，乾燥上釉之生还，‘培 燒乾燥過之上釉生还使其成為具有内壁瓷磚之適當強度的 燒結體里釉料焰解而均勻地覆於燒結體之表面上，最後再 冷卻燒結體。 11. 如申請專利範圍第10項之製造内壁瓷確之方法，其中 2〇 所述培燒偽籍經由滚筒式爐床蓄（roller hearth kiln)輸 送生还而完成。 Τ4 (210Χ297ίΝ«) 3-