TW202428160A - 顯示裝置及包含其的拼接顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

揭露一種顯示裝置，包含：基板，包含前板區、後板區及設置於前板區與後板區之間的彎曲區；顯示區，位於前板區中，多個發光元件設置於顯示區上；積體電路晶片，設置於後板區上；以及連接線路，經由彎曲區從前板區延伸至基板的後板區，且基板的後板區可固定於對應於前板區的基板的下部部分。

Description

顯示裝置及包含其的拼接顯示裝置
本發明涉及顯示裝置，特別係顯示裝置及包含其的拼接設備。
顯示裝置被應用於例如電視、行動電話、膝上型電腦及平板電腦等各種電子裝置。為此，正在繼續開發薄型、重量輕及低功耗的顯示裝置。
在顯示裝置中，發光顯示裝置具有嵌入其中的光源或發光元件並經由從嵌入的發光元件或光源所產生的光顯示資訊。包含自發光(亦即發光的)元件的顯示裝置可具有實現較具有嵌入的光源的顯示裝置還薄的顯示裝置的優點，且具有實現能夠被摺疊、彎曲或捲繞的可撓的顯示裝置的另一優點。
具有嵌入的發光元件的顯示裝置可包含具有被設置為發光層的有機材料的有機發光顯示器(Organic Light Emitting Display，OLED)或具有被設置為發光層的無機材料的微型發光二極體(Micro Light Emitting Diode)。於此，有機發光顯示器需要獨立光源，但具有由於有機材料易受到濕氣與氧氣影響的外部環境而容易出現缺陷的像素的缺點。由於微型發光二極體顯示裝置將耐濕氣及氧氣的無機材料作為發光層使用，因此相較於有機發光顯示裝置，微型發光二極體顯示裝置不受外部環境的影響，並且具有高可靠性及長壽命。
微型發光二極體顯示裝置耐外部環境，可需要較少或不需要例如密封材料的保護結構，且使用各種材料作為基板材料，藉此實現甚至具有較有機發光顯示裝置更薄的結構的可撓的顯示裝置。因此，根據本發明的微型發光二極體顯示裝置可以藉由沿水平及垂直方向排列多個微型發光二極體顯示裝置而容易實現拼接顯示裝置。
當藉由沿水平及垂直方向排列多個微型發光二極體顯示裝置來實現拼接顯示裝置時，被設置有發光元件的上部基板及被設置有薄膜覆晶的下部基板將接合在一起，且藉由獨立的製程形成用以將上部基板及下基板彼此電性連接的側線路。
然而，如果彼此接合的上部基板及下基板被彎曲，則側線路可能會斷開，這可能導致產品缺陷，且即便在經由獨立製程形成側線路的製程中也可能會出現缺陷。
因此，本發明的一個目的是為了解決現有技術的上述缺點，且提供一種微型發光二極體顯示裝置，所述微型發光二極體顯示裝置可藉由使用一個基板而不是使用獨立的上部基板及下部基板，來實現顯示影像的顯示區及將訊號傳輸至顯示區的周圍區。
本發明另一目的為提供一種顯示裝置，所述顯示裝置可藉由將輕重量的材料引入基板來實現輕重量的產品。
本發明又一目的為提供一種顯示裝置，所述顯示裝置可藉由省略單獨製造下部基板的製程使製程最佳化。
本發明的目的不以上述目的為限，且本發明的其他目的及優點可藉由以下描述而理解，且可藉由本發明的多個實施例而更加清楚地理解。將亦容易理解可使用申請專利範圍中所描述的手段或其組合來實現發明的目的及優點。
根據本發明一實施例的顯示裝置可包含：基板，包含前板區、後板區及設置於前板區與後板區之間的彎曲區；顯示區，位於前板區中，多個發光元件設置於顯示區上；積體電路晶片，設置於後板區上；以及連接線路，從前板區經由彎曲區延伸至基板的後板區。基板的後板區可固定於對應於前板區的基板的下部部分。
根據本發明一實施例的拼接顯示裝置可包含：多個顯示裝置。這些顯示裝置可被設置為將多個基板的彎曲區設定為彼此相鄰。
在一實施例中，顯示裝置包含：包含前板區、後板區及位於前板區與後板區之間的彎曲區的基板，基板具有第一表面及第二表面，且其中基板彎曲而使後板區的第二表面面對基板的前板區的第二表面。顯示裝置更包含設置於基板的前板區的顯示區上的一組發光元件，其中所述一組發光元件包含微型發光二極體。顯示裝置更包含位於基板的前板區上的第一連接線路，第一連接線路電性連接於所述一組發光元件。顯示裝置更包含在基板的彎曲區上從第一連接線路延伸的側線路，其中側線路的寬度大於第一連接線路的寬度或第二連接線路的寬度。顯示裝置更包含在基板的後板區上從側線路延伸的第二連接線路，第二連接線路電性連接於積體電路晶片。
在一實施例中，顯示裝置包含：包含前板區、後板區及位於前板區與後板區之間的彎曲區的基板。顯示裝置包含位於基板上的薄膜電晶體，薄膜電晶體包含主動層、閘極絕緣層、閘極電極、源極電極及汲極電極。顯示裝置更包含位於薄膜電晶體的閘極電極上的層間絕緣膜。顯示裝置更包含位於層間絕緣膜上的連接電極，連接電極電性連接於薄膜電晶體。黏著層可位於連接電極上，黏著層包含黏著材料。顯示裝置更包含位於黏著層上的平坦化層，其中黏著層及平坦化層被形成有暴露連接電極的至少一部分的接觸孔。顯示裝置更包含設置於黏著層的至少一部分上的至少一微型發光二極體，微型發光二極體包含半導體層及另一半導體層。顯示裝置更包含經由接觸孔電性連接微型發光二極體的半導體層及連接電極的線路電極。
在一實施例中，顯示裝置包含：包含前板區、後板區及位於前板區與後板區之間的彎曲區的基板。顯示裝置更包含一個或多個薄膜電晶體；黏著層，位於所述一個或多個薄膜電晶體之上；以及第一絕緣層，位於黏著層上。顯示裝置更包含位於第一絕緣層上的連接電極，連接電極電性連接於所述一個或多個薄膜電晶體。顯示裝置更包含設置於黏著層的至少一部分上的至少一微型發光二極體，微型發光二極體包含半導體層及另一半導體層。顯示裝置更包含位於第一絕緣層上的第二絕緣層，其中第二絕緣層被形成有暴露連接電極的至少一部分的接觸孔。顯示裝置更包含線路電極，經由接觸孔電性連接微型發光二極體的半導體層及連接電極；以及堤部，位於第二絕緣層上，其中堤部填充接觸孔的至少一部分，其中堤部包含黑色材料。
根據本發明一實施例的顯示裝置可藉由省略單獨製造下部基板的製程而具有使整體製程最佳化的有利功效。
此外，顯示裝置可形成在顯示區上用以將訊號供應至發光元件的線路及從前板區至後板區的側線路，而不被切斷。因此，可防止側線路在彎曲製程期間斷開，藉此改善產品的可靠性。
此外，顯示裝置可防止側線路斷開，藉此實現具有各種外形的顯示裝置(例如彎曲的顯示裝置)。
此外，顯示裝置可在一個基板上形成發光元件、薄膜電晶體及包含被嵌有積體電路晶片的電路膜的薄膜覆晶，藉此省略多個製程，從而使製程最佳化及成本降低。
此外，顯示裝置可藉由引入輕重量的材料而使用一個基板，藉此實現輕重量的產品。
除了上述功效之外，本發明的具體功效將與以下用以實施本發明的詳細描述一起描述。
本發明的優點及特徵以及實現所述優點及特徵的方法將一起參考後續詳細描述的多個實施例及所附圖式而變得顯而易見。然而，本發明不以下方揭露的多個實施例為限，而可以各種不同的形式實施。因此，僅闡述這些實施例以使本發明完整，且以將本發明的範圍完整地告知本發明所屬技術領域具有通常知識者。
為了簡單並清楚解釋，圖式中的元件不一定按照比例繪示。不同圖式中的相同符號表示相同或相似的元件，且表現相似的功能。再者，為了簡單描述而省略已知步驟及元件的描述及細節。再者，在以下本發明的詳細描述中，闡述許多具體細節以提供對本發明的徹底理解。然而，應理解可在沒有這些具體細節的情況下實踐本發明。在其他情況下，不詳細描述已知的方法、步驟、元件及電路以免不必要地模糊本發明的態樣。以下進一步說明及描述各種實施例的示例。應理解本文中的描述不旨在將申請專利範圍限制於所描述的具體實施例。相反地，旨在涵蓋可包含於由申請專利範圍界定的本發明的精神及範圍中的替代方案、修改及均等物。
用以說明本發明的多個實施例的圖式中所揭露的形狀、尺寸、比例、角度及數量等為說明性的，且本發明並不以此為限。本文中相同的符號表示相同的元件。再者，為了簡單描述而省略已知步驟及元件的描述及細節。再者，在以下本發明的詳細描述中，闡述許多具體細節以提供對本發明的徹底理解。然而，應理解可在沒有這些具體細節的情況下實踐本發明。在其他情況下，不詳細描述已知的方法、步驟、元件及電路以免不必要地模糊本發明的態樣。
本文中使用的用語僅旨在描述特定實施例的目的且不旨在限制本發明。如本文中所使用，除非上下文另有清楚表示，否則單數構成「一」亦旨在包含複數構成。更應理解當本說明書中使用「包括」、「包含」、「包含有」及「含有」時，指定所陳述的特徵、整數、運作、元素及/或構件的存在，但不排除一個或多個其他特徵、整數、運作、元素、構件及/或其部分的存在或添加。如本文中所使用，用語「及/或」包含一個或多個相關列出的項目的任何或所有組合。當例如「至少一」的表述位於元件的列表之前時，可以修改整個元件的列表且可不修改所述列表的各個元件。在數值的解釋中，即便沒有明確的描述，所述數值仍可出現誤差或公差。
此外，亦應理解當第一元件或層體被稱為存在於第二元件或層體「上」時，所述第一元件可直接設置於第二元件上，或者可藉由設置於第一及第二元件或層體之間的第三元件或層體間接設置於第二元件上。應理解，當元件或層體被稱為「耦接於」或「連接於」另一元件或層體時，其可直接位於另一元件或層體上、耦接於或連接於另一元件或層體，或者可存在一個或多個中間元件或層體。此外，亦應理解當元件或層體被稱為位於兩個元件或層體「之間」時，可僅有所述元件或層體位於所述兩個元件或層體之間，或者亦可存在一個或多個中間元件或層體。
再者，如本文中所使用，當一層體、膜、區域、板等設置於另一層體、膜、區域、板等「上」或「頂部上」時，前者可直接接觸後者，或者又另一層體、膜、區域、板等可設置於前者與後者之間。如本文中所使用，當一層體、膜、區域、板等直接設置於另一層體、膜、區域、板等「上」或「頂部上」時，前者直接接觸後者且前者與後者之間不設置又另一層體，膜、區域、板等。再者，如本文中所使用，當一層體、膜、區域、板等設置於另一層體、膜、區域、板等「之下」或「下」時，前者可直接接觸後者，或者又另一層體，膜、區域、板等可設置於前者與後者之間。如本文中所使用，當一層體、膜、區域、板等直接設置於另一層體、膜、區域、板等「之下」或「下」時，前者直接接觸後者且前者與後者之間不設置又另一層體、膜、區域、板等。
在時間關係的描述中，舉例來說，兩個事件之間的時間先後關係為例如「之後」、「接著」、「之前」等，除非被指出「緊接…之後」、「直接接著」或「緊接…之前」，否則其之間可能發生另一事件。
當可不同地實施某個實施例時，特定方塊中指定的功能或運作可以與流程圖中所指定的順序不同的順序發生。舉例來說，連續的兩個方塊實際上可實質上同時執行，或者兩個方塊可根據所涉及的功能或運作以相反的順序執行。
應理解，儘管本文可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來描述各種元件、構件、區域、層體及/或部分，但這些元件、構件、區域、層體及/或部分不應受限於這些用語。這些用語用以將一個元件、構件、區域、層體或部分與另一元件、構件、區域、層體或部分區分開。因此，在不脫離本發明的精神及範圍的情況下，下面描述的第一元件、構件、區域、層體或部分可被稱為第二元件、構件、區域、層體或部分。
本發明的各種實施例的特徵可部分地或完全地彼此組合，且可在技術上彼此關聯或彼此運作。這些實施例可彼此獨立實施，且可以關聯關係一起實施。
在解釋數值時，除非有對其單獨的明確描述，否則所述數值被解釋為包含誤差範圍。
除非另有定義，否則本文中所使用的包含技術及科學用語的所有用語皆具有與本發明概念所屬技術領域具有通常知識者通常理解的相同含義。更應理解，除非本文中明確如此定義，否則例如在常用字典中定義的用語，應被解釋為具有與其在相關領域的上下文中的含義一致的含義，且不以理想化或過於正式的含義來解釋。
如本文中所使用，「實施例」、「示例」、「態樣」等不應被解釋為所描述的任何態樣或設計勝過或優於其他態樣或設計。
再者，用語「或」表示「包含或」而不是「排除或」。亦即，除非另有說明或從上下文中清楚地看出，否則表述「x使用a或b」表示自然包含排列中的任何一種。
下面的描述中所使用的用語，因為其為相關技術領域中通用的及普遍的用語而被選擇。然而，根據技術的發展及/或變化、慣例、技術員的偏好等，可能存在除了這些用語以外的其他用語。因此，下面的描述中所使用的用語不應被理解為限制技術思想，而應被理解為用以說明多個實施例的用語的示例。
再者，在特定情況下，申請人可任意選擇用語，且在這種情況下，其詳細含義將在對應的描述部分中被描述。因此，在下面的描述中所使用的用語不僅應基於用語的名稱來理解，亦應基於用語的含義及整個實施方式的內容來理解。
以下將參考所附圖式描述根據本發明各實施例的顯示裝置。
圖1為根據本發明一實施例的拼接顯示裝置的平面示意圖。圖2為沿根據本發明一實施例的圖1中的線2-2截取的立體示意圖。圖3為繪示根據本發明一實施例的圖2中的展開的顯示裝置的平面圖。於此，為了方便描述，圖2僅繪示側線路(SE)。
請參考圖1至圖3，根據本發明一實施例的拼接顯示裝置(亦即TD)可包含多個顯示裝置100-1、100-2、…、100-M、100-N。在這種情況下，M及N可為自然數。顯示裝置100-1、100-2、…、100-M、100-N之各者與相鄰的一者連接，以沿第一方向X及交叉第一方向X的第二方向Y接觸。此時，第一方向X可為水平方向且第二方向Y可為垂直方向。
可在這些顯示裝置100-1、100-2、…、100-M、100-N中提供多個像素PX。這些像素可包含多個子像素SP1、SP2、SP3。這些子像素SP1、SP2、SP3可包含分別發出紅色光、綠色光及藍色光的第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件。然而，實施例並不以此為限，且發光元件可更包含白色發光元件。根據本發明實施例的發光元件可為微型發光二極體。微型發光二極體可為由無機材料製成的發光二極體，所述由無機材料製成的發光二極體被理解為具有100微米(μm)或更小的厚度的發光元件，或者從其移除用以生長發光二極體的生長基板的發光元件。
同時，當藉由連接這些顯示裝置100-1、100-2、…、100-M、100-N來實現拼接顯示裝置TD時，設置於顯示裝置的最外側的位置的一個像素PX與設置於相鄰的顯示裝置的最外側的位置的一個像素PX之間的距離可等於設置於各顯示裝置中的多個像素PX之間的距離。因此，可實現最小邊框區或實質上不具有邊框區的零邊框區。如果被邊框佔據的空間被最小化，則可增加顯示區且使用者能夠辨認出影像不間斷地連續出現，從而增加使用者的螢幕沉浸感。
在這種情況下，可藉由實現用以隱藏接縫區S的顯示裝置的側結構來改善所顯示的影像的品質，所述接縫區S為不會被使用者辨認的兩個相鄰的顯示裝置之間的邊界區。舉例來說，請參考圖2及圖3，顯示裝置100-1、100-2、…、100-M、100-N之各者可具有被提供為一個薄片的一個基板FSUB。
基板FSUB可包含顯示區AA及環繞顯示區AA的非顯示區NAA。基板FSUB可包含前板區FPN、彎曲區BDA及後板區BPN，且基板FSUB可為一個薄片基板。彎曲區BDA為可彎曲的部分，使得後板區BPN可面對前板區FPN。可在前板區FPN與後板區BPN之間設置至少一彎曲區BDA。
前板區FPN中可設置包含多個子像素SP1、SP2、SP3的多個像素PX及用以將訊號傳輸至像素PX的多個連接線路，所述子像素SP1、SP2、SP3設置有發光至顯示區的發光元件。後板區BPN中可設置包含電路膜FM的薄膜覆晶COF，所述電路膜FM設置有用以將驅動訊號傳輸至子像素SP1、SP2、SP3的積體電路晶片及連接線路LE。從連接線路LE延伸的側線路SE可設置於彎曲區BDA上，所述彎曲區BDA從前板區FPN連接至後板區BPN。相鄰的側線路SE可以預設距離d彼此分離。
設置於彎曲區BDA上的側線路SE的寬度可較設置於前板區FPN及後板區BPN上的連接線路LE的寬度大。因此，可防止側線路SE在例如斷開(disconnection)的彎曲製程中毀損，後面將再次描述所述彎曲製程。
圖4為沿根據本發明一實施例的圖2的線4-4截取的剖面圖。圖5為根據本發明一實施例的圖4中的區域5的放大圖。此時，為了方便描述，圖式繪示設置於顯示裝置的最外側的位置的發光元件ED。
請參考圖4及圖5，根據本發明一實施例的顯示裝置200可由單一基板FSUB配置而成。基板FSUB可包含前板區FPN、後板區BPN及設置於前板區FPN與後板區BPN之間的彎曲區BDA。基板FSUB可具有彎曲的彎曲區BDA，使得後板區BPN及前板區FPN面對彼此並接觸。因此基板FSUB可被彎曲，使得後板區BPN的第二表面Fb面對基板FSUB的前板區FPN的第二表面Fb。
基板FSUB可由具有可撓性的透明絕緣材料製成。舉例來說，基板FSUB可包含聚醯亞胺(PI)，且可在各種示例中於透明且具有可撓性的性質內修改基板的材料。
可在基板FSUB的前板區FPN中設置用以發光至顯示區AA的發光元件ED及用以驅動發光元件ED的薄膜電晶體TFT。可在後板區BPN中設置包含安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶COF及用以將驅動訊號傳輸至發光元件ED及薄膜電晶體TFT的連接線路LE。可在彎曲區BDA中設置側線路SE。在一實施例中，至少一薄膜覆晶COF設置於基板FSUB的後板區BPN的至少一部分上。
作為一示例，發光元件ED可設置於前板區FPN上。作為另一示例，發光元件ED可從前板區FPN延伸地設置至位於前板區FPN與後板區BPN之間的彎曲區BDA的部分區域。在這種情況下，由於發光元件ED甚至延伸設置於彎曲區BDA的部分區域中，因此可增加顯示裝置被顯示區AA佔據的整體面積。
可透過耦接件ADL在基板FSUB的後表面上設置支撐件BSU。支撐件BSU可包含設置於對應於前板區FPN的位置的第一支撐單元BSU-1及設置於對應於後板區BPN的位置的第二支撐單元BSU-2。支撐件BSU可由相較於基板FSUB具有預設剛性的材料製成，且支撐件BSU可包含例如玻璃或塑膠。第一支撐單元BSU-1可耦接於基板FSUB的前板區FPN的第二表面Fb(例如透過耦接件ADL)，且第二支撐單元BSU-2可耦接於基板FSUB的後板區BPN的第二表面Fb(例如透過耦接件ADL)。
第二支撐單元BSU-2可藉由使用黏著件ADU附接於第一支撐單元BSU-1，以固定於前板區FPN的下部部分。
基板FSUB的後板區BPN可為對應於前板區FPN的基板FSUB的下部部分。第一支撐單元BSU-1的一側面及第二支撐單元BSU-2的一側面可藉由基板FSUB對應於彎曲區BDA的一部分被摺疊的配置而與基板FSUB被暴露的後表面接觸。
連接線路LE可用以將驅動訊號傳輸至發光元件ED及薄膜電晶體TFT。連接線路LE可從前板區FPN延伸至後板區BPN而不被切斷。連接線路LE可從基板的前板區FPN延伸穿過彎曲區BDA至後板區BPN。位於彎曲區BDA上的連接線路LE的一部分可被稱為側線路SE。在一實施例中，第一連接線路LE可設置於基板FSUB的前板區FPN上，第一連接線路LE在前板區FPN中電性連接於一組發光元件ED。從第一連接線路LE延伸的側線路SE可設置於基板FSUB的彎曲區BDA上。從側線路SE延伸的第二連接線路LE可設置於基板FSUB的後板區BPN上，第二連接線路LE在後板區BPN中電性連接於積體電路晶片。
可在基板FSUB上設置發光元件ED、用以驅動發光元件ED的薄膜電晶體TFT及各種線路。以下，將參考作為設置有圖4的發光元件ED的區域的放大圖的圖5來描述本發明。請參考圖5，用以驅動發光元件ED的薄膜電晶體TFT可設置於基板FSUB的第一表面Fa上。第二表面Fb為基板FSUB的第一表面Fa的後表面。支撐件BSU可設置於第二表面Fb的下部部分。第一表面Fa可被稱為前表面，且第二表面Fb可被稱為後表面。
支撐件BSU可沿基板FSUB的第二表面Fb的方向設置並用以支撐基板FSUB。支撐件BSU可透過耦接件ADL設置於基板FSUB的第二表面Fb的下部部分上。舉例來說，耦接件ADL可包含黏著劑或雙面膠帶。
薄膜電晶體TFT可包含形成於基板FSUB的第一表面Fa上的半導體層ACT、設置於半導體層ACT上的閘極電極GE及設置於半導體層ACT與閘極電極GE之間的閘極絕緣層GI。
半導體層ACT可包含主動區、源極區及汲極區，所述主動區重疊於閘極電極GE以形成通道，所述源極區及汲極區設置於對應於插設於其之間的主動區的兩側上。層間絕緣膜ILD可設置於閘極電極GE上。層間絕緣膜ILD可包含經由閘極絕緣層GI而與半導體層ACT的源極/汲極區電性連接的源極/汲極電極。在一實施例中，層間絕緣膜ILD可包含有機材料。
連接電極BE、連接線路LE及反射層RF可設置於層間絕緣膜ILD上。連接電極BE、連接線路LE及反射層RF可設置於相同平面上。作為一示例，連接線路LE可包含共用電壓線路。用以覆蓋連接電極BE、連接線路LE及反射層RF的黏著層AD可設置於層間絕緣膜ILD上。黏著層AD可選擇性地暴露連接電極BE及連接線路LE的上部表面。
發光元件ED可設置於對應於反射層RF的位置的黏著層AD的位置上。水平微型發光二極體已被描述為根據本發明一實施例的發光元件的一示例，但本發明並不以此為限。舉例來說，垂直微型發光二極體或或覆晶(flip-chip)型微型發光二極體可被應用為發光元件。
發光元件ED可包含氮化物半導體結構NSS、鈍化層PS、第一電極E1及第二電極E2。氮化物半導體結構NSS可包含第一半導體層NS1、設置於第一半導體層NS1的預設區域上的主動層EL，及第二半導體層NS2。鈍化層PS可設置於氮化物半導體結構NSS外側。第一電極E1可連接地設置於第一半導體層NS1上，且第二電極可連接地設置於第二半導體層NS2上。在一實施例中，鈍化層PS可覆蓋第二半導體層NS2及/或第一半導體層NS1的側面。
第一半導體層NS1可為用以將電子供應至主動層EL的層體，且第一半導體層NS1可包含：包含第一導電型雜質的氮化物半導體。舉例來說，第一導電型雜質可包含N型雜質。設置於第一半導體層NS1的預設部分上的主動層EL可具有多重量子井(Multi Quantum Well，MQW)結構。第二半導體層NS2可為將電洞注入至主動層EL中的層體。第二半導體層NS2可包含：包含第二導電型雜質的氮化物半導體。舉例來說，第二導電型雜質可包含P型雜質。
從發光元件ED發出的光中，反射層RF可用以將作為基板FSUB的後表面的第二表面Fb發出的光反射至作為前表面的第一表面Fa的發光區。在一實施例中，反射層RF可設置於例如微型發光二極體的發光元件ED之下，且在又一實施例中，反射層RF可設置於黏著層之下。
發光元件ED可被覆蓋有平坦化層P。平坦化層P可具有足以使上部表面平坦化的預設厚度，所述上部表面因為電路元件而具有階梯結構。平坦化層P可包含堆疊有第一平坦化層P1及第二平坦化層P2的結構。平坦化層P可包含負型光活性化合物。
平坦化層P可具有穿過第一平坦化層P1及第二平坦化層P2的第一接觸孔CEH1及第二接觸孔CEH2，以部分地暴露發光元件ED的第一電極E1及第二電極E2的表面。在一實施例中，形成於平坦化層P中的第二接觸孔CEH2暴露連接電極BE的至少一部分，及/或平坦化層P中的第一接觸孔CEH1暴露連接線路LE的至少一部分。在一實施例中，平坦化層P可覆蓋鈍化層PS的側面。
第一線路電極CE1及第二線路電極CE2可分別設置於第一接觸孔CEH1及第二接觸孔CEH2被暴露的表面上，以分別電性連接於連接線路LE或薄膜電晶體TFT的半導體層ACT的汲極電極。第一線路電極CE1可與第一電極E1電性連接。第二線路電極CE2可與第二電極E2電性連接。第一線路電極CE1及第二線路電極CE2可由相同材料製成。在一實施例中，第一線路電極CE1或第二線路電極CE2可包含例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明金屬氧化物。
具有堤部孔BKH的堤部BNK可設置於平坦化層P上。堤部BNK可為界定發光區的邊界區，且用以將分別設置有發光元件ED的多個子像素彼此劃分。在一實施例中，構成堤部BNK的材料可填充於分別形成有第一線路電極CE1及第二線路電極CE2的第一接觸孔CEH1及第二接觸孔CEH2中。堤部BNK可由黑色矩陣配置而成。包含堤部BNK的密封絕緣層PTL可設置於基板FSUB上。在一實施例中，堤部BNK可包含例如碳黑或黑色顏料的黑色材料。在一實施例中，密封絕緣層PTL可覆蓋堤部BNK、平坦化層P及線路電極CE1或線路電極CE2。在一種情況下，平坦化層P為絕緣層。
請再次參考圖4，堤部BNK可從前板區FPN的最外側的部分延伸至後板區BPN。於此，從前板區FPN的最外側的點延伸至後板區BPN的區域可被稱為側線路保護層SDP。側線路保護層SDP可被形成為覆蓋設置於彎曲區BDA上的側線路SE被暴露的表面。在一種情況下，堤部BNK可延伸以覆蓋彎曲區BDA、後板區BPN及前板區FPN的至少一部分。
可藉由從前板區FPN的最外側的點延伸至後板區BPN的預設區域來形成密封絕緣層PTL。密封絕緣層PTL可用以覆蓋設置於彎曲區BDA上的側線路保護層SDP的所有被暴露的表面。因此，可由側線路保護層SDP及密封絕緣層PTL保護側線路SE不受外部震波影響。
覆蓋件CU可設置於密封絕緣層PTL上。覆蓋件CU可在前板區上至少設置於密封絕緣層PTL上。覆蓋件CU可包含例如防碎膜(anti-shattering film)的功能性光學膜。
側密封件SL可設置於基板FSUB的至少一側面上。側密封件SL可用以保護顯示裝置的側線路SE並防止濕氣等從側面滲透。側密封件SL的外表面可與覆蓋件CU的最外側的表面設置於相同平面上以形成對齊。
由於連接線路LE及側線路SE從前板區FPN延伸至後板區BPN而沒有被切斷，因此根據本發明一實施例的顯示裝置可防止彎曲區BDA中的側線路SE斷開並改善產品可靠性。
顯示裝置可將撓性且輕的材料(例如聚醯亞胺)引進作為單一基板的基板中，以實現輕重量的產品，以代替將由例如玻璃的相對硬的材料製成的上部基板及下部基板接合。
圖6為根據本發明另一實施例的顯示裝置的剖面圖。
請參考圖6，除了藉由移除支撐件BSU而被暴露於第二表面Fb的基板FSUB的區域以外，根據本發明另一實施例的顯示裝置300與根據圖4的實施例的顯示裝置200相同，且以下省略此實施例重複的描述。
請參考圖6，根據此實施例的顯示裝置300可具有設置於基板FSUB被暴露於第二表面Fb的區域上的黏著件ADU。基板FSUB的彎曲區BDA及後板區BPN可經由黏著件ADU固定於前板區FPN的下部部分。在一實施例中，單一支撐件BSU可耦接於基板FSUB的後板區BPN及前板區FPN的第二表面Fb(例如透過耦接件ADL或黏著件ADU)。
因此，可減少基板FSUB的前板區FPN與後板區BPN之間的距離，從而可實現較薄的顯示裝置300。
同時，可藉由改變支撐件BSU的材料來進一步確保基板FSUB的剛性且可更容易釋放從顯示裝置產生的熱。
圖7為根據本發明另一實施例的顯示裝置的剖面圖。
請參考圖7，根據本發明又一實施例的顯示裝置400可針對支撐件BSU使用不同材料並更包含加強件SU，此與根據圖6的實施例的顯示裝置300不同。
根據本發明一實施例的顯示裝置400的特徵在於在基板FSUB上覆蓋發光元件ED的平坦化層P甚至延伸至後板區BPN，此與根據圖6的實施例的顯示裝置300不同。具體來說，第一平坦化層P1及第二平坦化層P2的多層體結構可在覆蓋彎曲區BDA的同時延伸至後板區BPN的一些區域。
因此，將省略根據實施例的顯示裝置200及顯示裝置300之間的比較的重複描述。
如圖7中所繪示，設置於根據一實施例的顯示裝置400的基板FSUB的第二表面Fb下的支撐件BSU可包含金屬材料。在一實施例中，支撐件可由容易耗散熱的材料(例如鋁(Al))製成。因此，顯示裝置中所產生的熱可經由支撐件BSU容易被耗散至外部。
加強件SU可設置於支撐件BSU的下部表面及側面上，所述支撐件BSU設置於對應於前板區FPN的位置。加強件SU可由較基板FSUB的材料相對硬的材料製成。在一實施例中，加強件SU可包含心軸(mandrel)。加強件SU可藉由使用黏著劑來固定於支撐件BSU。因此，可改善基板FSUB的剛性。
因為設置有側線路SE的彎曲區BDA被覆蓋有平坦化層P、側線路保護層SDP及密封絕緣層PTL，所以可防止設置於顯示裝置400的側面上的側線路SE被外部震波毀損。
以下將參考所附圖式描述根據本發明多個實施例的製造方法。
圖8至圖11為繪示製造根據本發明一實施例的顯示裝置的方法的圖。於此，圖8為沿圖3中所繪示的線8-8截取的的剖面圖。
請參考圖8，製備基板FSUB。基板FSUB可由具有可撓性的透明絕緣材料製成，以容易彎曲基板FSUB。基板FSUB可包含聚醯亞胺(PI)，且本發明不以此為限。舉例來說，可應用任何透明材料而不受限制。基板FSUB可包含第一表面Fa及第二表面Fb，所述第二表面Fb為第一表面Fa為後表面。
在基板FSUB上可設置用以驅動發光元件ED的薄膜電晶體TFT及用以增強基板FSUB的剛性以形成各種線路的支撐件BSU。
支撐件BSU可設置於第二表面Fb上，所述第二表面Fb為基板FSUB的第一表面Fa的後表面。支撐件BSU可由較基板FSUB的材料相對硬的材料(例如玻璃或塑膠)製成。
耦接件ADL可設置於基板FSUB與支撐件BSU之間，以將支撐件BSU固定於基板FSUB。耦接件ADL可包含黏著劑或雙面膠帶。
請參考圖9，發光元件ED、用以驅動發光元件ED的薄膜電晶體TFT及各種線路可設置於具有平坦展開外形的基板FSUB上。
本發明的多個實施例可提出橫向型(lateral-type)微型發光二極體作為形成於基板FSUB上的發光元件ED，但不以此為限。舉例來說，發光元件ED可被配置為垂直型微型發光二極體。
當發光元件ED為垂直型微型發光二極體時，薄膜電晶體TFT及發光元件ED與圖7中所描述的微型發光二極體及薄膜電晶體TFT會具有相同配置。因此，將省略對其詳細的描述。
基板FSUB可包含顯示區AA及非顯示區NAA。應理解顯示區AA可為顯示影像的區域且非顯示區NAA為不顯示影像的區域。可在非顯示區NAA中設置用以將訊號傳輸至發光元件ED及薄膜電晶體TFT的線路以及包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶COF。
基板FSUB可包含前板區FPN、彎曲區BDA及後板區BPN。用以發光至顯示區的發光元件ED及用以驅動發光元件ED的薄膜電晶體TFT可設置於前板區FPN上。包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶COF以及用以將驅動訊號傳輸至發光元件ED及薄膜電晶體TFT的多個線路可設置於後板區BPN上。
包含積體電路晶片IC的薄膜覆晶COF可與被提供有控制單元的印刷電路板連接，所述控制單元包含用以供應掃描訊號的閘極驅動單元、用以供應資料訊號的資料驅動單元或用以供應時序控制訊號的時控制單元。
彎曲區BDA可被提供於前板區FPN與後板區BPN之間。彎曲區BDA可為可彎曲的區域，以使後板區BPN及前板區FPN面對彼此並接觸。
同時，在基板FSUB的狀態下，可形成發光元件ED、用以驅動發光元件ED的薄膜電晶體TFT及各種線路。因此，用以將驅動訊號傳輸至發光元件ED及薄膜電晶體TFT的連接線路LE亦可從前板區FPN延伸至後板區BPN而不被切斷。
在這種情況下，由於彎曲區BDA經由彎曲製程被形成為可彎曲的，因此設置於彎曲區BDA上的一些連接線路LE可能會在彎曲製程的期間毀損。
因此，請參考在本發明一實施例中設置於彎曲區BDA上的連接線路LE的平面放大圖，設置於彎曲區BDA上的連接線路LE的寬度W2可相對大於設置於前板區FPN及後板區BPN上的連接線路LE的寬度W1。於此，設置於彎曲區BDA上的連接線路可被稱為側線路SE。
可藉由從前板區FPN的最外側的區域延伸至後板區BPN的預設區域來形成設置於平坦化層P上的堤部BNK，所述平坦化層P覆蓋形成於基板FSUB上的發光元件ED。除了設置於前板區FPN上的堤部BNK以外，從前板區FPN的最外側的區域延伸至後板區BPN的預設區域的區域可被稱為側線路保護層SDP。側線路保護層SDP可被形成為覆蓋設置於彎曲區BDA上的側線路SE被暴露的表面。
設置於堤部BNK上的密封絕緣層PTL可從前板區FPN的最外側的區域延伸至後板區BPN的預設區域。密封絕緣層PTL可覆蓋設置於彎曲區BDA及後板區BPN上的側線路保護層SDP所有被暴露的表面。
在本發明一實施例中，可在基板FSUB被平坦地摺疊的狀態下形成用以將驅動訊號傳輸至發光元件ED及薄膜電晶體TFT的線路、平坦化層P以及密封絕緣層PTL。
請參考圖10，可移除沿基板FSUB的第二表面Fb的方向設置的支撐件BSU的一些區域。可藉由使用雷射(例如雷射剝離(Laser Lift Off，LLO))來移除支撐件BSU。在遮罩覆蓋後板區BPN及前板區FPN中的支撐件BSU的後表面的同時，雷射L可僅照射對應於彎曲區BDA的部分CW1，所述後表面為除了對應於彎曲區BDA的部分CW1以外的其他部分。在這種情況下，雷射L可照射至對應於彎曲區BDA的部分CW1，以選擇性地僅移除在所述部分上的支撐件BSU。因此，支撐件BSU可包含設置於對應於前板區FPN的位置的第一支撐單元BSU-1及設置於對應於後板區BPN的位置的第二支撐單元BSU-2。
基板FSUB的第二表面Fb的表面可在對應於彎曲區BDA的部分上被暴露。第一支撐單元BSU-1的一側面S1及第二支撐單元BSU-2的一側面S2可被暴露，所述側面S2面對第一支撐單元BSU-1的側面S1。
請參考圖11，平坦地展開的基板FSUB的彎曲區BDA可被彎曲以被摺疊。然後，基板FSUB可被摺疊，使得後板區BPN及前板區FPN可面對彼此。
在對應於彎曲區BDA的基板FSUB的部分被摺疊的同時，第一支撐單元BSU-1的一側面S1及第二支撐單元BSU-2的一側面S2可接觸基板FSUB被暴露的第二表面Fb。
支撐件BSU可包含在前板區FPN上沿基板FSUB的第二表面Fb的方向設置的第一支撐單元BSU-1及在後板區BPN上沿基板的第二表面Fb的方向設置的第二支撐單元BSU-2。
第二支撐單元BSU-2可經由黏著件ADU固定於第一支撐單元BSU-1，以固定於前板區FPN的後表面。舉例來說，黏著件ADU可包含壓敏黏著劑(PSA)、光學膠(optical clear adhesive，OCA)或透明的光學透明樹脂(optical clear resin，OCR)。
側線路SE可與彎曲區BDA一起彎曲。黏著件ADU可包含壓敏黏著劑(PSA)、光學膠(OCA)或透明的光學透明樹脂(OCR)。
在本發明一實施例中，可省略用以形成側線路SE、側線路保護層SDP及密封絕緣層PTL的多個製程，以僅實現製程最佳化。
舉例來說，藉由結合多個下部基板及多個上部基板並將這些顯示模組沿水平及垂直方向對齊所形成的包含多個顯示模組的顯示裝置可能會需要用以將這些下部基板及上部基板彼此電性連接的側線路。為了形成側線路，需提供藉由使用砂輪(grind wheel)來處理上部基板的邊緣區的邊緣處理(edge treating)製程、藉由朝下部基板的邊緣區延伸上部基板的邊緣區來形成側線路的製程、形成用以覆蓋側線路以保護側線路的側保護層的製程，以及形成設置於側保護層上的密封絕緣層的製程。
在本發明一實施例中，從基板FSUB的前板區FPN延伸至後板區BPN的連接線路LE可被形成為跨過彎曲區BDA。於此，設置於彎曲區BDA上的連接線路LE的部分可被配置為側線路SE。因此，可省略形成側線路SE的獨立製程。此外，堤部BNK可從前板區FPN的最外側的點延伸至後板區BPN，以被形成為側線路保護層SDP。在一實施例中，側線路保護層SDP可在彎曲區BDA中至少覆蓋側線路SE，且側線路保護層SDP可被設置為從基板FSUB的前板區FPN延伸至後板區BPN。因此，可省略形成側線路保護層SDP的另一獨立製程。此外，可藉由將密封絕緣層PTL從前板區FPN的最外側的點延伸至後板區BPN的預設區域來省略在彎曲區BDA上形成密封絕緣層PTL的獨立製程。
接著，覆蓋件CU可設置於密封絕緣層PTL上。覆蓋件CU可保護發光元件ED不受外部震波影響。覆蓋件CU可由玻璃或塑膠製成，但實施例並不以此為限。舉例來說，覆蓋件CU可更包含功能性光學膜。覆蓋件CU可透過光學透明黏著劑黏著至密封絕緣層PTL，但實施例並不以此為限。
繼續地，側密封件SL可形成於基板FSUB的側面上，以形成顯示裝置200。側密封件SL可保護顯示裝置及側線路SE，且亦防止濕氣從側面滲透。側密封件SL的外表面與覆蓋件CU的最外側的表面可設置於相同平面上以形成對齊。在一實施例中，側密封件SL的側面與覆蓋件CU的側面齊平。
若在將設置有發光元件的上部基板及設置有薄膜覆晶的下部基板彼此結合之後執行形成用以將上部基板及下部基板彼此電性連接的側線路的獨立製程，則可能會增加製程缺陷率。
若在分別在獨立製程中形成設置有發光元件的上部基板及形成設置有薄膜覆晶的下部基板之後將上部基板及下部基板彼此牢固地結合，則在實現彎曲的顯示裝置的製程期間可能會出現缺陷，所述彎曲的顯示裝置在兩側最外側的部分可彎曲。在一實施例中，當被結合的上部基板及下部基板的最外側的部分被彎曲時，電性連接上部基板及下部基板的側線路可能會在被彎曲的過程中斷開，而這可能會導致缺陷。
相反地，根據本發明一實施例，在一個基板FSUB上形成發光元件ED、薄膜電晶體TFT及被安裝有積體電路晶片IC的薄膜覆晶COF等，可省略多個製程，藉此使製程最佳化並減少成本。
此外，根據本發明一實施例，連接線路LE及側線路SE可從前板區FPN延伸至後板區BPN而不斷開，藉此防止側線路SE斷開並改善產品可靠性。
本發明一實施例可增加移除了支撐件的區域，藉此實現較薄的顯示裝置。
以下將參考所附圖式描述本發明另一實施例。
圖12至圖14為繪示製造根據本發明另一實施例的顯示裝置的方法的圖。
請參考圖12，可移除沿基板FSUB的第二表面Fb的方向設置的支撐件BSU的預設部分，所述基板FSUB上被形成有發光元件ED、薄膜電晶體TFT及包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶。可藉由使用雷射L(例如雷射剝離(LLO))來移除支撐件BSU。
於此，雷射L可照射至對應於彎曲區BDA及後板區BPN的部分CW2，以選擇性地移除對應部分的支撐件BSU。
因此，支撐件BSU可僅保留對應於前板區FPN的部分。
對應於彎曲區BDA及後板區BPN的部分可與耦接件ADL一起被移除，以暴露基板FSUB的第二表面Fb的表面。或者，支撐件BSU及耦接件ADL的一個側面可於前板區FPN與彎曲區BDA之間的表面被暴露。
請參考圖13，黏著件ADU可設置於被暴露於彎曲區BDA及後板區BPN的基板FSUB的第二表面Fb上。因此，平坦地展開的基板FSUB的彎曲區BDA可彎曲以被摺疊。若如此，則基板FSUB可為摺疊狀態，所述摺疊狀態中後板區BPN及前板區FPN面對彼此。舉例來說，黏著件ADU可包含壓敏黏著劑(PSA)、光學膠(OCA)或光學透明樹脂(OCR)。
在基板FSUB對應於彎曲區BDA的部分彎曲的同時，支撐件BSU的一個表面可變成與黏著件ADU接觸。基板FSUB的後板區BPN可經由黏著件ADU固定於支撐件BSU的後表面。由於僅基板FSUB與插設於其之間的支撐件BSU黏著，所以顯示裝置可具有相對薄的厚度。
側線路SE可隨著彎曲區BDA彎曲而與彎曲區一起彎曲。於此，側線路SE的寬度可被形成為相對大於設置於前板區FPN及後板區BPN上的連接線路LE的寬度，從而可防止因沿彎曲區BDA使側線路彎曲的操作而導致的毀損。
請參考圖14，覆蓋件CU可設置於密封絕緣層PTL上。覆蓋件CU可保護發光元件ED不受外部震波影響。覆蓋件CU可包含玻璃或塑膠，但實施例並不以此為限。舉例來說，覆蓋件CU可更包含例如防散射膜(anti-scattering film)的功能性光學膜。覆蓋件CU可透過光學透明黏著劑黏著於密封絕緣層PTL，但實施例並不以此為限。
因此，可藉由形成側密封件SL來形成顯示裝置300。側密封件SL可保護顯示裝置的側線路SE並防止濕氣從側面滲透。側密封件SL的外表面可與覆蓋件CU的最外側的表面設置於相同平面上以形成對齊。
根據本發明一實施例，單一結構的基板FSUB可與插設於其之間的支撐件BSU附接，使得顯示裝置的整體厚度可變得更薄。
此外，由於包含例如聚醯亞胺的輕重量的材料的基板FSUB被應用於顯示裝置，本發明一實施例可具有實現輕重量的產品的優點。
根據本發明一實施例，可引進用以將熱從顯示裝置耗散至外部的結構，將參考所附圖式描述所述結構。
圖15至圖18為繪示製造根據本發明另一實施例的顯示裝置400的方法的圖。於此，圖8及9中所繪示的在基板FSUB上形成發光元件ED、薄膜電晶體TFT及包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶COF的步驟可與此實施例中所示的製程相同。因此，將省略重複的描述並將描述不同的特徵。
此外，此實施例的發光元件ED及薄膜電晶體TFT與圖5中所繪示的實施例的發光元件ED及薄膜電晶體TFT相同，因此將省略對其的詳細描述。在一實施例中，發光元件ED可為垂直型微型發光二極體。
請參考圖15，可製備被形成有發光元件ED、薄膜電晶體TFT及具有被安裝有積體電路晶片IC的電路膜的薄膜覆晶的基板FSUB。
根據本發明此實施例的顯示裝置400的不同的特徵在於，發光元件ED形成於基板FSUB上且平坦化層P延伸至後板區BPN。具體來說，由第一平坦化層P1及第二平坦化層P2配置而成的結構可從前板區FPN覆蓋彎曲區BDA並延伸至後板區BPN的預設區域。
接著，設置於平坦化層P上的側線路保護層SDP亦可從前板區FPN的最外側的部分延伸至後板區BPN的預設區域。因此，側線路保護層SDP可設置於延伸至後板區BPN的預設區域的平坦化層P上。
因此，設置於形成於前板區FPN上的堤部BNK上的密封絕緣層PTL可從前板區FPN的最外側的部分延伸至後板區BPN的一些區域。密封絕緣層PTL可覆蓋設置於彎曲區BDA及後板區BPN上的側線路保護層SDP所有被暴露的表面。密封絕緣層PTL可被設置為從基板FSUB的前板區FPN延伸至基板FSUB的後板區BPN，並覆蓋側線路SE及側線路保護層SDP。
同時，設置於基板FSUB的第二表面Fb上的支撐件BSU可包含金屬材料，以將從顯示裝置內部產生的熱耗散至外部。在一實施例中，支撐件BSU可由能夠容易耗散熱的材料(例如鋁(Al))製成。
請參考圖16，可移除沿基板FSUB的第二表面Fb的方向設置的支撐件BSU的預設區域。可藉由使用雷射L(例如雷射剝離(LLO))來移除支撐件BSU。
於此，雷射L可照射至對應於彎曲區BDA的部分CW3，以選擇性地僅移除位於所述部分上的支撐件BSU。
因此，支撐件BSU可保留在對應於前板區FPN的部分上。
可從對應於彎曲區BDA及後板區BPN的部分移除耦接件ADL與支撐件，以暴露基板FSUB的第二表面Fb的表面。支撐件BSU的一個表面及耦接件ADL的一個表面可被暴露於前板區FPN與彎曲區BDA之間的邊界表面。
請參考圖17，加強件SU可設置於對應於前板區FPN的部分上的支撐件BSU上。加強件SU可包含心軸。加強件SU可固定地附接於對應於支撐件BSU的後表面及一個側面的位置。
在一實施例中，黏著件可設置於被暴露於彎曲區BDA及後板區BPN的基板FSUB的第二表面Fb上。舉例來說，黏著材料可為壓敏黏著劑(PSA)、光學膠(OCA)或透明的光學透明樹脂(OCR)。
請參考圖18，基板的彎曲區BDA為平坦地展開的狀態。然後，基板FSUB可被摺疊，使得後板區BPN及前板區FPN可面對彼此。
於此，當基板FSUB被摺疊時，對應於彎曲區BDA的基板FSUB的部分可變成牢固地與加強件SU的一個側面接觸。因此，基板FSUB的後板區BPN可固定於支撐件BSU的後表面。因為加強件SU被設置為對應於彎曲區BDA，所以可改善基板FSUB的剛性。
多個側線路SE可沿彎曲區BDA一起被彎曲。側線路SE的寬度可被形成為相對大於設置於前板區FPN及後板區BPN上的連接線路LE的寬度，從而可防止由沿彎曲區BDA使側線路彎曲的操作而導致的毀損。
接著，覆蓋件CU可設置於密封絕緣層PTL上。覆蓋件CU可保護發光元件ED不受外部震波影響。覆蓋件CU可由玻璃或塑膠製成，但實施例並不以此為限。舉例來說，覆蓋件CU可更包含功能性光學膜。覆蓋件CU可透過光學透明黏著劑黏著於密封絕緣層PTL，但實施例並不以此為限。
繼續地，側密封件SL可形成於基板FSUB的側面上以形成顯示裝置400。側密封件SL可保護顯示裝置及側線路SE且亦防止濕氣從側面滲透。側密封件SL的外表面與覆蓋件CU的最外側的表面可設置於相同平面上以形成對齊。舉例來說，側密封件SL可包含樹脂。
根據本發明一實施例的顯示裝置400可包含由金屬材料製成的支撐件，藉此容易將從顯示裝置的內部產生的熱耗散至外部。
設置於發光元件、側線路保護層及密封絕緣層上的平坦化層可從前板區的最外側的部分延伸至預設區域，藉此防止設置於顯示裝置的側面上的側線路的毀損。
此外，加強件可設置於基板的後表面上，藉此改善基板的剛性。
根據本發明其他實施例的這些顯示裝置100-1、100-2、…、100-M、100-N之各者可包含多個彎曲區。可藉由選擇用於雷射剝離製程的區域及執行雷射剝離製程來實現這些彎曲區，這將參考圖式描述於後。
圖19為繪示根據本發明又另一實施例的展開的顯示裝置的平面圖。圖20至圖24為用以描述根據本發明又另一實施例的顯示裝置的製造方法的圖。於此，圖20至圖23為沿圖19的線20-20截取的剖面圖。圖24為沿根據本發明一實施例的圖19的線24-24截取的剖面圖。
形成發光元件ED、薄膜電晶體TFT及包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜的薄膜覆晶的步驟與圖5、圖8及圖9中所繪示的步驟相同，藉此省略重複的描述。以下將描述不同的技術特徵。
請參考圖19及圖20，根據此實施例的顯示裝置500可包含被設置有多個像素的顯示區AA及環繞顯示區AA的非顯示區NAA。這些像素PX之各者可包含多個子像素。這些子像素可包含分別用以發出紅色光、綠色光及藍色光的多個發光元件。然而，實施例並不以此為限，且發光元件可更包含發出白色光的白色發光元件。
基板FSUB可包含前板區FPN、彎曲區BDA及後板區BPN。基板FSUB可被配置為一個薄片基板。前板區FPN可包含顯示區AA。彎曲區BDA可為可彎曲的，使得後板區BPN及前板區FPN可面對彼此。
根據此實施例的顯示裝置500可具有設置於顯示區AA的四個側面上的彎曲線BL，以指明前板區FPN與彎曲區BDA之間的邊界。舉例來說，彎曲線BL可設置於顯示區AA的上部表面、下部表面、左表面及右表面上。當顯示裝置500沿彎曲線BL彎曲時，可確定彎曲區BDA。換句話說，彎曲區BDA可設置於顯示區AA的上部表面、下部表面、左表面及右表面上。顯示裝置500可在基板FSUB的後板區BPN的部分上包含兩個或更多個薄膜覆晶COF。基板FSUB可包含多個彎曲區BDA及多個後板區BPN，其中各彎曲區BDA設置於基板FSUB的個別的後板區BPN與前板區FPN之間。基板FSUB彎曲而使各後板區BPN的第二表面Fb面對基板FSUB的前板區FPN的第二表面Fb。
包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM及印刷電路板PCB的薄膜覆晶COF可設置於顯示裝置的至少一區域中。
請再次參考圖20，支撐件BSU可耦接於基板FSUB的第二表面Fb，發光元件ED、薄膜電晶體TFT及薄膜覆晶COF在所述基板FSUB上形成於耦接件ADL上。作為一示例，發光元件ED可設置於前板區FPN上。
作為另一示例，發光元件ED可延伸至設置於前板區FPN與後板區BPN之間的彎曲區BDA的一區域。當藉由延伸至彎曲區BDA的一區域來設置發光元件ED時，顯示裝置中被顯示區AA佔據的面積與延伸至彎曲區BDA的一區域的面積ΔA(請看圖19)可增加一樣多。延伸至被設置有發光元件ED的彎曲區BDA的一個區域的區域可為顯示區AA的上部表面、下部表面、左表面及右表面之至少一者。
根據此實施例的顯示裝置的特徵在於耦接件ADL為包含犧牲層SCL及保護層PL的多層體結構，這與其他實施例不同。
犧牲層SCL可包含前板區FPN、彎曲區BDA及後板區BPN，且犧牲層SCL可設置於支撐件BSU的整個表面上。作為一示例，犧牲層SCL可包含非晶矽層。
保護層PL可設置於犧牲層SCL上，且從前板區FPN延伸至彎曲區BDA的邊界表面。保護層PL可設置於與被設置有薄膜電晶體TFT的區域對應的區域中。保護層PL可防止薄膜電晶體TFT在後續的雷射剝離製程(LLO)期間被雷射毀損。為此，保護層PL可包含能夠與犧牲層SCL的材料形成強的耦合能的材料。舉例來說，保護層可包含氧化矽(SiO 2)。
舉例來說，設置於基板FSUB的第二表面Fb上的支撐件BSU可包含玻璃或塑膠。
請參考圖21，可部分地移除支撐件BSU。可藉由使用雷射的雷射剝離製程(LLO)移除支撐件BSU。包含犧牲層SCL及保護層PL的多層體結構可設置於被設置有薄膜電晶體TFT的前板區FPN的區域中。包含犧牲層SCL的單層體結構可設置於對應於彎曲區BDA及後板區BPN的支撐件BSU的區域中。
可在基板FSUB的整個表面上執行雷射剝離製程(LLO)。雷射剝離製程(LLO)可將雷射從支撐件BSU的後表面傳遞至犧牲層SCL。於此，被設置有包含犧牲層SCL及保護層PL的多層體結構的區域可在保護層PL與犧牲層SCL之間具有強的耦合能。因此，可防止薄膜電晶體TFT被穿透被設置有薄膜電晶體TFT的區域的雷射L毀損。此外，因為保護層PL與犧牲層SCL之間形成強的耦合能，所以可保留犧牲層SCL而不被移除。
單層體結構的犧牲層SCL可設置於對應於彎曲區BDA及後板區BPN的部分CW4中。因此，犧牲層SCL的分子間結合力可在對應於彎曲區BDA及後板區BPN的部分CW4處被釋放，然後可從基板FSUB移除犧牲層SCL。在移除犧牲層SCL的同時，亦可移除在對應於犧牲層SCL的區域中的支撐件BSU。在此之後，支撐件BSU可僅保留在對應於前板區FPN的區域中。
亦可從對應於彎曲區BDA及後板區BPN的區域移除耦接件ADL，以暴露基板FSUB的第二表面Fb。並且，支撐件BSU及犧牲層SCL的側面可在前板區FPN與彎曲區BDA之間的邊界表面被暴露。
請參考圖22，密封材料SG可設置於支撐件BSU及犧牲層SCL被暴露的側面上。密封材料SG可作為緩衝件，所述緩衝件用以在彎曲並摺疊平坦地展開的基板FSUB的彎曲區BDA的製程中對基板FSUB的毀損進行緩衝。從圖19的平面圖來看，密封材料SG可被設置為環繞顯示區AA的四個側面。
請參考圖23，平坦地展開的基板FSUB的彎曲區BDA可被彎曲以被摺疊。然後，基板FSUB可被摺疊，使得後板區BPN及前板區FPN可面對彼此。包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶COF可設置於後板區BPN上。
請參考圖24，沒有設置薄膜覆晶COF的顯示裝置500的區域可被摺疊，使得基板FSUB的後板區BPN可面對前板區FPN的後表面。
同時，可藉由選擇性地執行雷射剝離製程，來僅選擇性地移除所期望被消除的區域的支撐件，將參考所附圖式描述此製程。
圖25至圖28為用以描述根據本發明又另一實施例的顯示裝置的製造方法的圖。於此，圖5、圖8及圖9中所繪示的在基板FSUB上形成發光元件ED、薄膜電晶體TFT及包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶COF的步驟與此實施例中所示的步驟相同。因此，將省略重複的描述且將描述不同的特徵。
請參考圖25，支撐件BSU可透過耦接件ADL耦接於基板FSUB的第二表面Fb，所述基板FSUB上被形成有發光元件ED、薄膜電晶體TFT及包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶COF。根據此實施例的顯示裝置的特徵在於犧牲層SCL僅設置於有執行雷射剝離製程的區域，這與其他實施例不同。
作為一示例，發光元件ED可設置於前板區FPN上。作為另一示例，發光元件ED可甚至設置於延伸至前板區FPN與後板區BPN之間的彎曲區BDA的一個區域的區域中。在這種情況下，發光元件ED可甚至設置於延伸至彎曲區BDA的一些區域的區域中，藉此增加顯示裝置中被顯示區AA佔據的整體面積。
除了前板區FPN以外，犧牲層SCL可設置於彎曲區BDA及後板區BPN上。作為一示例，犧牲層SCL可包含非晶矽層。
耦接件ADL可從前板區FPN延伸至彎曲區BDA的邊界表面。舉例來說，耦接件ADL可為黏著劑或雙面膠帶，但實施例並不以此為限。
舉例來說，設置於基板FSUB的第二表面Fb上的支撐件BSU可包含玻璃或塑膠。
請參考圖26，可部分地移除支撐件BSU。可藉由執行使用雷射的雷射剝離製程(LLO)移除支撐件BSU的區域。雷射可從支撐件BSU的後表面傳遞至犧牲層SCL(請看圖25)。然後，可釋放犧牲層SCL(請看圖25)的分子結合能，且可從基板FSUB移除犧牲層。此時，亦可一起移除支撐件BSU。
由於犧牲層SCL設置於對應於彎曲區BDA及後板區BPN的部分CW5中，所以可指定將執行雷射剝離製程(LLO)的區域。
支撐件BSU可僅保留在對應於前板區FPN的區域中。可藉由移除耦接件ADL與支撐件，來將基板FSUB的第二表面Fb暴露於對應於彎曲區BDA及後板區BPN的區域中。此外，耦接件ADL及支撐件BSU的側面可被暴露於彎曲區BDA及前板區FPN的邊界表面上。
請參考圖27，密封材料SG可設置於耦接件ADL及支撐件BSU被暴露的側面上。從圖19的平面圖來看，密封材料SG可被設置為環繞顯示區AA的四個側面。
請參考圖28，基板FSUB的被平鋪的彎曲區BDA可被彎曲並摺疊。然後，基板FSUB可被摺疊，使得後板區BPN可面對前板區FPN的後表面。包含被安裝有積體電路晶片IC的電路膜FM的薄膜覆晶COF可設置於後板區BPN上。沒有設置薄膜覆晶COF的顯示裝置600的其他區域可被摺疊，使得基板FSUB的後板區BPN可面對前板區FPN的後表面。
根據此實施例的包含這些彎曲區的顯示裝置500、600可作為獨立的顯示裝置運作，將參考所附圖式描述所述顯示裝置。
圖29為繪示包含根據本發明又另一實施例顯示裝置的穿戴式裝置的圖。
請參考圖29，穿戴式裝置700可包含顯示單元DU、邊框FR及帶(strap)單元STU。作為一示例，穿戴式裝置700可包含智慧型手錶。邊框FR可為被組裝以界定穿戴式裝置700的外觀設計的結構。顯示單元DU可設置於由邊框FR界定的空間中。顯示單元DU可包含顯示區AA及多個子顯示區AA-a、AA-b。顯示區AA可在穿戴式裝置700的前表面上被看見。這些子顯示區AA-a、AA-b可在穿戴式裝置700的前表面或側面上被看見。帶單元STU可促進穿戴式裝置700的穿戴及固定。帶單元STU可耦接於或物理連接顯示單元。
顯示單元DU可包含：包含圖19中所繪示的這些彎曲區的顯示裝置500、600的顯示區AA。在這種情況下，發光元件ED可在前板區FPN與後板區BPN之間甚至延伸地設置於彎曲區BDA的一個區域中。當發光元件ED甚至延伸地設置於彎曲區BDA的一個區域中時，顯示裝置中被顯示區AA佔據的面積與延伸至彎曲區BDA的一區域的面積ΔA(請看圖19)可增加一樣多。延伸至彎曲區BDA的一個區域的區域可為這些子顯示區AA-a、AA-b。
穿戴式裝置700的顯示單元DU的這些子顯示區AA-a、AA-b及顯示區AA可將不同影像傳輸至外部。此外，這些子顯示區AA-a、AA-b可將不同影像傳輸至外部。
根據本發明的實施例顯示裝置將被描述如下。
根據本發明一實施例的顯示裝置可包含：基板，包含前板區、後板區及設置於前板區與後板區之間的彎曲區；顯示區，位於前板區中，多個發光元件設置於顯示區上；積體電路晶片，設置於後板區上；以及連接線路，從前板區經由彎曲區延伸至基板的後板區。基板的後板區可固定於對應於前板區的基板的下部部分。
根據本發明一實施例的拼接顯示裝置可包含：多個顯示裝置。這些顯示裝置可被設置為將多個基板的彎曲區設定為彼此相鄰。
基板可包含具有可撓性的透明絕緣材料。
連接線路可包含設置於基板的彎曲區上的側線路，且側線路的寬度可大於設置於前板區及後板區上的連接線路的寬度。
基板可包含第一表面及第二表面，所述第二表面為第一表面的後表面，且基板可更包含在基板的第二表面的方向上支撐基板的支撐件。
支撐件可包含：第一支撐單元，沿基板的第二表面的方向設置於前板區上；以及第二支撐單元，沿基板的第二表面的方向設置於後板區上，與第一支撐單元分離。
顯示裝置可更包含固定第一支撐單元及第二支撐單元的黏著件。黏著件可包含透明光學黏著劑或透明光學樹脂。
對應於彎曲區的基板的第二表面可被暴露，且第一支撐單元的側面及第二支撐單元的側面可變成與被暴露的基板的第二表面接觸。
支撐件可沿基板的第二表面的方向設置於前板區上，且對應於彎曲區及後板區的基板的第二表面可對應於支撐件的側面及後表面而被固定。
顯示裝置可更包含附接於對應於支撐件的側面及後表面的位置的加強件。加強件可變成與對應於彎曲區及後板區的基板的第二表面接觸。
支撐件可包含：包含鋁(Al)的金屬材料，且加強件可包含較基板硬的材料。
基板可包含：平坦化層，覆蓋發光元件；側線路保護層，設置於平坦化層上，且藉由從前板區的最外側的部分延伸至後板區來覆蓋側線路；密封絕緣層，設置於側線路保護層上，且藉由從前板區延伸至後板區來覆蓋側線路保護層；覆蓋件，在至少一前板區上設置於密封絕緣層上；以及側密封件，覆蓋基板的側面。
側密封件的一端與覆蓋件的最外側的側面可設置於相同平面上以形成對齊。
側密封件可包含樹脂。
基板包含前板區、後板區及設置於前板區與後板區之間的彎曲區，且提供於多個顯示裝置中的單獨一者中的基板可為一個基板。
發光元件可包含：氮化物半導體結構，其包含第一半導體層、設置於第一半導體層上的主動層及第二半導體層；鈍化圖案，設置於氮化物半導體結構外；第一電極，連結於第一半導體層；以及微型發光二極體，包含連結於第二半導體層的第二電極。
儘管已參考所附圖式更詳細說明本發明多個實施例，但本發明不需受限於這些實施例，且在本發明的技術精神的範圍中可以許多不同形式實施。因此，本發明中所揭露的實施例旨在描述而不是限制本發明的技術思想，且本發明的技術思想的範圍不受限於這些實施例。因此，應理解上述實施例在所有態樣中接不是限制性的而是說明性的。
2-2,4-4,8-8,20-20,24-24:線 5:區域 100-1,100-2,100-M,100-N:顯示裝置 200,300,400,500,600:顯示裝置 700:穿戴式裝置 AA:顯示區 AA-a,AA-b:子顯示區 ACT:半導體層 AD:黏著層 ADL:耦接件 ADU:黏著件 BDA:彎曲區 BE:連接電極 BL:彎曲線 BKH:堤部孔 BNK:堤部 BPN:後板區 BSU:支撐件 BSU-1:第一支撐單元 BSU-2:第二支撐單元 CE1:第一線路電極 CE2:第二線路電極 CEH1:第一接觸孔 CEH2:第二接觸孔 COF:薄膜覆晶 CU:覆蓋件 CW1,CW2,CW3,CW4,CW5:部分 d:距離 DU:顯示單元 E1:第一電極 E2:第二電極 ED:發光元件 EL:主動層 Fa:第一表面 Fb:第二表面 FM:電路膜 FPN:前板區 FR:邊框 FSUB:基板 GI:閘極絕緣層 GE:閘極電極 IC:積體電路晶片 L:雷射 LE:連接線路 ILD:層間絕緣膜 NAA:非顯示區 NS1:第一半導體層 NS2:第二半導體層 NSS:氮化物半導體結構 P:平坦化層 P1:第一平坦化層 P2:第二平坦化層 PCB:印刷電路板 PL:保護層 PS:鈍化層 PTL:密封絕緣層 PX:像素 RF:反射層 S1,S2:側面 SCL:犧牲層 SDP:側線路保護層 SE:側線路 SG:密封材料 SL:側密封件 SP1,SP2,SP3:子像素 STU:帶單元 SU:加強件 TD:拼接顯示裝置 TFT:薄膜電晶體 W1,W2:寬度 X:第一方向 Y:第二方向 ΔA:面積
圖1為根據本發明一實施例的拼接顯示裝置的平面示意圖。
圖2為沿根據本發明一實施例的圖1中的線2-2截取的立體示意圖。
圖3為繪示根據本發明一實施例的圖2中的展開的顯示裝置的平面圖。
圖4為沿根據本發明一實施例的圖2的線4-4截取的剖面圖。
圖5為根據本發明一實施例的圖4中的區域5的放大圖。
圖6為根據本發明另一實施例的顯示裝置的剖面圖。
圖7為根據本發明另一實施例的顯示裝置的剖面圖。
圖8至圖11為繪示製造根據本發明一實施例的顯示裝置的方法的圖。
圖12至圖14為繪示製造根據本發明另一實施例的顯示裝置的方法的圖。
圖15至圖18為繪示製造根據本發明另一實施例的顯示裝置的方法的圖。
圖19為繪示根據本發明又一實施例的展開的顯示裝置的平面圖。
圖20至圖24為用以描述製造根據本發明又一實施例的顯示裝置的方法的圖。
圖25至圖28為用以描述製造根據本發明又一實施例的顯示裝置的方法的圖。
圖29為繪示包含根據本發明又一實施例的顯示裝置的穿戴式裝置的圖。
2-2:線
100-1,100-2,100-M,100-N:顯示裝置
PX:像素
SP1,SP2,SP3:子像素
TD:拼接顯示裝置

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板，包含一前板區、一後板區及位於該前板區與該後板區之間的一彎曲區；一薄膜電晶體，位於該基板上，該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極絕緣層、一閘極電極、一源極電極及一汲極電極；一層間絕緣膜，位於該薄膜電晶體的該閘極電極上；一連接電極，位於該層間絕緣膜上，該連接電極電性連接於該薄膜電晶體；一黏著層，位於該連接電極上，該黏著層包含一黏著材料；一平坦化層，位於該黏著層上，其中該黏著層及該平坦化層被形成有暴露該連接電極的至少一部分的一接觸孔；至少一微型發光二極體(micro light emitting diode，micro LED)，設置於該黏著層的至少一部分上，該至少一微型發光二極體包含一半導體層及另一半導體層；一線路電極，經由該接觸孔電性連接該至少一微型發光二極體的該半導體層及該連接電極。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含覆蓋該半導體層的一側面或該另一半導體層的一側面的一鈍化層。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該平坦化層覆蓋該鈍化層的一側面。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該平坦化層包含一第一平坦化層及位於該第一平坦化層上的一第二平坦化層。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該第二平坦化層被形成有暴露該半導體層上的一電極的至少一部分的一第二接觸孔，且其中該線路電極經由該接觸孔電性連接於該電極並將該電極電性連接至該連接電極。
  6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該第二平坦化層覆蓋該線路電極的一側面及該電極的一側面。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含位於該平坦化層上的一堤部，其中該堤部填充該接觸孔的至少一部分。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該堤部包含一黑色材料。
  9. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該堤部延伸以覆蓋該彎曲區、該後板區及該前板區的至少一部分。
  10. 如請求項7所述之顯示裝置，更包含覆蓋該堤部、該平坦化層及該線路電極的一密封絕緣層。
  11. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含設置於該至少一微型發光二極體之下的一反射層，該反射層包含用以反射從該至少一微型發光二極體發出的光的一材料。
  12. 如請求項11所述之顯示裝置，其中該反射層設置於該黏著層之下。
  13. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該層間絕緣膜包含一有機材料。
  14. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該基板為可撓的基板。
  15. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一第一連接線路，位於該基板的該前板區上，該第一連接線路電性連接於該至少一微型發光二極體；一側線路，在該基板的該彎曲區上從該第一連接線路延伸，其中該側線路的寬度大於該第一連接線路的寬度或一第二連接線路的寬度；以及該第二連接線路，在該基板的該後板區上從該側線路延伸，該第二連接線路電性連接於一積體電路晶片。
  16. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該基板為由一透明絕緣材料形成的單一基板。
  17. 一種拼接顯示裝置，包含：一組顯示裝置，該組顯示裝置包含如請求項1所述之顯示裝置，其中該組顯示裝置之各者電性連接於相鄰的一顯示裝置，其中如請求項1所述之顯示裝置的該彎曲區相鄰於另一顯示裝置的一基板的另一彎曲區。
  18. 一種顯示裝置，包含：一基板，包含一前板區、一後板區及位於該前板區與該後板區之間的一彎曲區；一個或多個薄膜電晶體；一黏著層，位於該或該些薄膜電晶體之上；一第一絕緣層，位於該黏著層上；一連接電極，位於該第一絕緣層上，該連接電極電性連接於該或該些薄膜電晶體；至少一微型發光二極體，設置於該黏著層的至少一部分上，該至少一微型發光二極體包含一半導體層及另一半導體層；一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上，其中該第二絕緣層被形成有暴露該連接電極的至少一部分的一接觸孔；一線路電極，經由該接觸孔電性連接該至少一微型發光二極體的該半導體層及該連接電極；以及一堤部，位於該第二絕緣層上，其中該堤部填充該接觸孔的至少一部分，其中該堤部包含一黑色材料。
  19. 如請求項18所述之顯示裝置，其中該基板包含用以發光的一顯示區，其中該顯示區的外形為圓形。
  20. 如請求項19所述之顯示裝置，其中該基板更包含一個或多個子顯示區。
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