KR20220089792A - 점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220089792A
KR20220089792A KR1020200179895A KR20200179895A KR20220089792A KR 20220089792 A KR20220089792 A KR 20220089792A KR 1020200179895 A KR1020200179895 A KR 1020200179895A KR 20200179895 A KR20200179895 A KR 20200179895A KR 20220089792 A KR20220089792 A KR 20220089792A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
shell structure
display device
led light
Prior art date
Application number
KR1020200179895A
Other languages
English (en)
Inventor
김병후
이대흥
김주혁
신영섭
손아람
김성진
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200179895A priority Critical patent/KR20220089792A/ko
Priority to CN202111175686.4A priority patent/CN114647150A/zh
Priority to US17/550,641 priority patent/US20220199941A1/en
Publication of KR20220089792A publication Critical patent/KR20220089792A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/102—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C08K3/045—Fullerenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/13—Phenols; Phenolates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/13—Phenols; Phenolates
    • C08K5/132—Phenols containing keto groups, e.g. benzophenones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L93/00—Compositions of natural resins; Compositions of derivatives thereof
    • C08L93/04—Rosin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08—Macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J135/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical, and containing at least another carboxyl radical in the molecule, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J135/02—Homopolymers or copolymers of esters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 표시 장치 및 점착제 조성물에 관한 발명으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면 감광제, 바인더 및 멀티쉘 구조물을 포함하고, 멀티쉘 구조물은 점착 부여제(tackifier material)로 이루어진 중심부, 중심부를 둘러싼 분자체(molecular sieve)를 포함하는 제1 외곽부 및 제1 외곽부를 둘러싼 플러렌(fullerene)을 포함하는 제2 외곽부로 이루어진 점착제를 제공하고, 점착제를 이용하여 형성된 접착층, 평탄화층 및 투명 보호층을 갖는 표시 장치는 전사율, 제품 수율 및 휘도가 향상될 수 있다.

Description

점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치{AHHESIVE COMPOSITION AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로서, 수율 및 광추출 효율이 향상된 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저전력화 등의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시 장치(Display Device)가 개발되고 있다. 이러한 표시 장치의 구체적인 예로 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device; LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED) 등을 들 수 있다.
대표적인 표시 장치로서 액정 표시 장치는 자체 발광 방식이 아니기 때문에 액정 표시 장치의 하부에 배치된 백라이트 유닛(Backlight unit)을 가지므로 표시 장치의 두께가 증가하고 다양한 형태의 디자인으로 표시 장치를 구현하는데 제한이 있으며, 휘도 및 응답 속도가 저하될 수 있다.
한편, 자체 발광 소자가 있는 표시 장치는 광원을 내장하는 표시 장치보다 얇게 구현될 수 있고, 플렉서블하고 접을 수 있는 표시 장치를 구현할 수 있는 장점이 있다.
자체 발광 소자가 있는 표시 장치 중에서 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 화소로 사용한 표시 장치로서, 별도의 광원이 필요하지 않는 반면에 수분과 산소에 의해 암점 불량이 발생되기 쉬우므로 산소와 수분의 침투를 저지하기 위한 다양한 기술적 구성이 추가적으로 요구된다.
최근에는, 미세한 크기의 마이크로 LED(Light emitting diode)를 발광 소자로 사용하는 LED 발광 표시 장치에 대한 연구 및 개발이 진행되고 있으며, 이러한 LED 발광 표시 장치는 고화질과 고신뢰성을 갖기 때문에 차세대 표시 장치로서 각광받고 있다.
그러나, 현재 기술로는 초소형의 마이크로 LED를 대면적의 기판에 고정시키는 것이 어렵고 시간이 오래 걸리기 때문에 대화면 표시 장치에 적용하는 데 적합하지 않다. 구체적으로, 기존 평탄막 또는 절연막에 마이크로 LED를 전사할 경우 평탄막의 잔류 용매에 의해 점착력이 발현되나 경화시 잔류 용매 함량이 감소하면서 표면 점착력 상실로 막 뜯김이 발생하고 점착 유지 시간이 짧아 제품 수율이 떨어지는 문제가 있다.
따라서, 마이크로 LED를 발광 소자로 하는 표시 장치의 구현을 위해서는 마이크로 LED를 구동 패널로 이동시키는 전사 기술의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 점착 유지 특성 및 광 추출 특성이 향상된 점착제 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 LED 발광 소자의 전사율을 높이기 위해 점착력이 우수한 전사형 평탄막 재료가 포함된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 표시 장치를 구성하는 각 층을 하나의 전사 공정으로 제조할 수 있도록 제조 공정을 간소화하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 화소를 포함하는 기판, 기판 상에 배치된 접착층, 접착층 상에 배치된 LED 발광 소자, LED 발광 소자를 둘러싸도록 배치된 평탄화층, 평탄화층 상에 배치된 연결 전극 및 연결 전극 상에 배치된 투명 보호층을 포함하고, 접착층, 평탄화층 및 투명 보호층으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나는 멀티쉘 구조물을 포함한다. 표시 장치에 멀티쉘 구조물을 포함시킴으로써 발광 소자와 구동 패널 사이의 점착성 및 점착 유지력을 향상시켜 제품 수율이 증대될 뿐만 아니라, 발광 소자의 휘도를 상승시켜 저소비 전력의 표시 장치 제공을 가능하게 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 점착 부여제(tackifier material)를 포함하는 중심부, 중심부를 둘러싼 분자체(molecular sieve)를 포함하는 제1 외곽부 및 제1 외곽부를 둘러싼 플러렌(fullerene)을 포함하는 제2 외곽부로 이루어진 멀티쉘 구조물과 감광제 및 바인더를 포함하는 점착제 조성물을 제공한다. 점착제 조성물은 우수한 점착성 및 점착 유지 특성뿐만 아니라 메조포러스 분자체를 포함하여 광추출 특성도 나타낼 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 점착 부여제, 분자체 및 플러렌으로 이루어진 멀티쉘 구조물로 점착 유지력 및 광 추출 효율이 향상된 점착제 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명은 접착층, 평탄호층 및 투명 보호층 중 적어도 하나의 층에 멀티쉘 구조물을 포함하여 LED 발광 소자의 전사율 및 제품 수율이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 멀티쉘 구조물에 의해 LED 발광 소자로부터 발생한 빛의 직진성 및 산란성이 강화되어 소비전력이 낮으면서도 고휘도의 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 감광제 및 바인더를 포함함으로써, 하나의 전사 공정으로 접착층, 평탄호층 및 투명 보호층을 제조할 수 있어 간소화된 제조 공정으로 제조된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 멀티쉘 구조물의 일 예시를 나타낸 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 멀티쉘 구조물의 제1 외곽부 및 제2 외곽부를 확대한 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)를 설명하기 위한 도면들이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에는 영상이 표시되는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 발광 소자(예: LED 발광 소자) 및 발광 소자를 구동하기 위한 구동소자(예: 박막 트랜지스터) 등이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(DA)에 배치되는 소자들과 연결된 다양한 배선과 제어 회로 등이 배치될 수 있다.
도 1에는 표시 장치(100)가 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)으로 정의되는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않고, 표시 장치(100)는 비표시 영역(NDA)이 없는 것으로 정의될 수도 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 단위 화소(UP)가 구비된다. 복수의 단위 화소(UP)는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각에는 구동 소자 및 발광 소자로서 박막 트랜지스터 및 LED 발광 소자가 구비될 수 있다. LED 발광 소자 및 박막 트랜지스터는 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL) 등과 같은 배선을 통해 게이트 제어 회로, 데이터 제어 회로 등과 같은 구동부와 연결될 수 있다. LED 발광 소자의 크기가 100 마이크로미터(μm) 이하이면 마이크로 엘이디(micro LED) 표시 장치라고 호칭되기도 한다. 한편, LED 발광 소자의 크기가 수 백 마이크로미터 정도이면 미니 엘이디(mini LED) 표시 장치라고 호칭되기도 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 접착층(114), 반사층(143), 박막 트랜지스터(120), LED 발광 소자(130), 제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116), 제1 연결 전극(141), 제2 연결 전극(142) 및 공통 배선(CL)을 포함한다.
기판(110)은 표시 장치의 다양한 엘리먼트들을 지지하기 위한 기재로, 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예를 들면, 플라스틱 기판은 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 및 폴리카보네이트(polycarbonate) 중 선택될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 플렉서블, 나아가 폴더블 특성을 구현하기 위해 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 기판을 사용하는 경우, 기판(110)의 하부에 백 플레이트(back plate)와 같은 지지 부재가 배치될 수 있다. 플렉서빌리티를 갖는 플라스틱 기판은 유리 기판 대비 상대적으로 얇고 강성이 약하여 다양한 엘리먼트들이 배치되면 쳐짐이 발생할 수 있다. 백 플레이트는 플라스틱 재질의 기판(110)이 쳐지지 않도록 지지하고, 습기, 열, 충격 등으로부터 표시 패널을 보호한다. 예를 들어, 백 플레이트는 스테인레스 스틸(SUS)과 같은 금속 재질이거나, 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리비닐 알코올(polyvinyl alcohol), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌(acrylonitryl-butadiene-styrene), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)와 같은 플라스틱 재질일 수 있다.
도 2에서는 기판(110)의 두께를 상대적으로 얇게 도시하였지만, 실질적으로 기판(110)의 두께는 기판(110) 상에 마련된 층 구조의 전체 두께보다 상대적으로 매우 두꺼운 두께를 갖을 수 있으며, 복수의 층으로 구성되거나 복수의 기판이 합착된 기판일 수 있다.
기판(110) 상에는 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 박막 트랜지스터(120)는 게이트 전극(121), 반도체층(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함한다.
게이트 전극(121)은 기판(110) 상에 게이트 배선(GL)과 함께 배치된다. 이러한 게이트 전극(121)은 게이트 절연층(112)에 의해 덮인다. 게이트 절연층(112)은 무기 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(121)과 동일 층 상에 게이트 배선(GL)이 형성될 수 있다. 게이트 배선(GL)은 게이트 전극(121)과 동일 물질로 이루어질 수 있다. 데이터 배선(DL) 또한 게이트 배선(GL)과 동일한 취지로 형성될 수 있다.
반도체층(122)은 게이트 전극(121)과 중첩(overlap)되도록 게이트 절연층(112) 상에 미리 설정된 패턴(또는 섬) 형태로 마련된다. 반도체층(122)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 산화물(oxide) 및 유기물(organic material) 중 어느 하나로 이루어진 반도체 물질로 구성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
소스 전극(123)은 반도체층(122)의 일측과 중첩되도록 배치된다. 소스 전극(123)은 데이터 배선(DL) 및 구동 전원 배선과 함께 배치된다.
드레인 전극(124)은 반도체층(122)의 타측과 중첩되면서 소스 전극(123)과 이격되도록 배치된다. 드레인 전극(124)은 소스 전극(123)과 함께 배치되는 것으로, 인접한 구동 전원 배선으로부터 분기되거나 돌출된다.
소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 상에는 박막 트랜지스터(120)를 보호하기 위한 층간 절연층(113)이 배치된다. 층간 절연층(113)에는 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)의 일부를 노출시키는 홀이 형성될 수 있다. 다만, 층간 절연층(113)은 실시예에 따라 생략될 수도 있다.
게이트 절연층(112) 상에 공통 배선(CL)이 배치된다. 공통 배선(CL)은 LED 발광 소자(130)에 공통 전압을 인가하기 위한 배선으로, 게이트 배선(GL) 또는 데이터 배선(DL)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 공통 배선(CL)은 게이트 배선(GL) 또는 데이터 배선(DL)과 동일한 방향으로 연장될 수 있다. 공통 배선(CL)은 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 게이트 전극(121)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다. 공통 배선(CL) 상에는 층간 절연층(113)이 형성되나, 층간 절연층(113)에는 공통 배선(CL)의 일부를 노출시키는 홀이 형성될 수 있다.
반사층(143)이 층간 절연층(113) 상에 배치된다. 반사층(143)은 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각의 발광 영역에 대응하도록 배치될 수 있다. 반사층(143)은 LED 발광 소자(130)에서 발광된 광 중 기판(110) 측을 향해 발광된 광을 표시 장치(100) 상부로 반사시켜 표시 장치(100) 외부로 출광시키기 위한 층이다. 반사층(143)은 높은 반사율을 갖는 금속 물질로 이루어질 수 있다.
접착층(114)이 반사층(143) 상에 배치된다. 접착층(114)은 반사층(143) 상에 LED 발광 소자(130)를 접착시키기 위한 접착층(114)으로, 금속 물질로 이루어지는 반사층(143)과 LED 발광 소자(130)를 절연시킬 수도 있다. 접착층(114)은 열 경화 물질 또는 광 경화 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 접착층(114)은 서브 화소 각각에 배치되는 반사층(143)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 도 2를 참조하면, 접착층(114)은 반사층(143)과 중첩되도록 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각에 분리될 수 있으나, 층간 절연층(113) 전체에 배치될 수도 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 접착층(114)은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티쉘 구조물(190)을 포함하는 점착제 조성물로부터 형성될 수도 있다. 즉, 접착층(114)은 멀티쉘 구조물(190)을 포함하고, 감광제 및 바인더를 추가로 포함할 수 있다. 멀티쉘 구조물(190), 감광제 및 바인더에 대한 구체적인 설명은 후술한다.
LED 발광 소자(130)가 접착층(114) 상에 반사층(143)과 중첩하도록 배치된다. LED 발광 소자(130)는 n형층(131), 활성층(132), p형층(133), n 전극(135) 및 p 전극(134)을 포함한다. 이하에서는, LED 발광 소자(130)로 레터럴(lateral) 구조의 LED 발광 소자(130)가 사용되는 것으로 설명하나, LED 발광 소자(130)의 구조가 이에 제한되는 것은 아니고 버티컬(vertical) 또는 플립(flip) 형태도 가능하다. LED 발광 소자(130)는 마이크로 사이즈(칩 크기가 100 μm 이하) 혹은 미니 사이즈(칩 크기가 수백 μm)일 수 있다.
LED 발광 소자(130)가 접착층(114) 상에 반사층(143)과 중첩하도록 배치된다. LED 발광 소자(130)는 n형층(131), 활성층(132), p형층(133), n 전극(135) 및 p 전극(134)을 포함한다. 이하에서는, LED 발광 소자(130)로 레터럴(lateral) 구조의 LED 발광 소자(130)가 사용되는 것으로 설명하나, LED 발광 소자(130)의 구조가 이에 제한되는 것은 아니고 버티컬(vertical) 또는 플립(flip) 형태도 가능하다. LED 발광 소자(130)는 마이크로 사이즈(칩 크기가 100 μm 이하) 혹은 미니 사이즈(칩 크기가 수백 μm)일 수 있다.
LED 발광 소자(130)의 예시적 적층 구조는 다음과 같다. n형층(131)은 질화갈륨(GaN)에 n형 불순물을 주입하여 형성될 수 있다. n형층(131) 상에는 활성층(132)이 배치된다. 활성층(132)은 LED 발광 소자(130)에서 빛을 발하는 발광층으로, 질화물 반도체, 예를 들어, 인듐질화갈륨(InGaN)으로 이루어질 수 있다. 활성층(132) 상에는 p형층(133)이 배치된다. p형층(133)은 질화갈륨에 p형 불순물을 주입하여 형성될 수 있다. 다만, n형층(131), 활성층(132) 및 p형층(133)의 구성 물질은 이에 제한되는 것은 아니다.
LED 발광 소자(130)는, 이상에서 설명한 바와 같이 n형층(131), 활성층(132) 및 p형층(133)을 차례대로 적층한 후, 소정 부분을 식각하여 n 전극(135)과 p 전극(134)을 형성하는 방식으로 제조될 수 있다. 이때, 소정 부분은 n 전극(135)과 p 전극(134)을 이격시키기 위한 공간으로, n형층(131)의 일부가 노출되도록 소정 부분이 식각될 수 있다. 다시 말해, n 전극(135)과 p 전극(134)이 배치될 LED 발광 소자(130)의 면은 평탄화된 면이 아닌 서로 다른 높이 레벨을 가질 수 있다.
이와 같이, 노출된 n형층(131) 상에는 n 전극(135)이 배치될 수 있다. n 전극(135)은 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 한편, 식각되지 않은 영역, 다시 말해, p형층(133) 상에는 p 전극(134)이 배치될 수 있다. p 전극(134)도 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, p 전극(134)은 n 전극(135)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같이, n형층(131), 활성층(132), p형층(133), n 전극(135) 및 p 전극(134)이 형성된 상태에서, n형층(131)이 n 전극(135) 및 p 전극(134)보다 반사층(143)에 인접하도록 LED 발광 소자(130)가 배치될 수 있다.
제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116)은 LED 발광 소자(130)를 덮도록 층간 절연층(113) 상에 형성된다. 제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116)은 층간 절연층(113)의 전면, LED 발광 소자(130)가 배치된 곳과 나머지 전면을 모두 덮을 수 있을 정도의 두께를 가지고 층간 절연층(113) 상에 형성된다. 도 2에서는 표시 장치(100) 제조시 2개의 평탄화층(115, 116)이 사용되는 것으로 도시하였으나, 평탄화층(115, 116)은 반드시 복수로 이루어져야 하는 것은 아니고, 단일의 평탄화층으로 이루어질 수 있다. 또한, 평탄화층은 3개 이상의 층으로 구성될 수도 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 제1 평탄화층(115)은 박막 트랜지스터(120) 상을 평탄화한다. 제1 평탄화층(115)은 LED 발광 소자(130)가 배치된 영역 및 컨택홀을 제외한 영역에서 박막 트랜지스터(120) 상부를 평탄화할 수 있다. 제1 평탄화층(115) 상에는 제2 평탄화층(116)이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층(116)은 컨택홀을 제외한 영역에서 박막 트랜지스터(120) 및 LED 발광 소자(130) 상부에 배치될 수 있다. 이때, 제2 평탄화층(116)은 LED 발광 소자(130)의 p 전극(134) 및 n 전극(135)의 일부 영역이 오픈되도록 형성될 수 있다.
제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116)은 유기 절연 물질로 이루어지며, LED 발광 소자(130)의 위치를 고정하는 역할을 할 수 있다. 즉, 제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116)은 LED 발광 소자(130)를 배치시킨 다음에 배치하는 것으로, LED 발광 소자(130)와 완전히 밀착할 수 있다. 평탄화층에 컵(cup) 또는 홀(hole)과 같은 수용 공간을 마련한 후에 그 곳에 LED 발광 소자를 전사하던 일반적인 방식과 달리, LED 발광 소자(130)가 놓인 후에 평탄화층을 적층하는 것으로 제작된 구조는 더 안정적으로 LED 발광 소자(130)가 제자리에 고정된다.
제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116)은, 한 번에 또는 두 번에 나누어 형성될 수 있다. 두 번에 나누어 형성되는 것은 단일의 평탄화층으로 형성하는 경우 공정 시간 등이 지나치게 증가될 수 있기 때문이다. 제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116)은, 두 번에 나누어 형성된다면, 각 층에 배치된 컨택홀도 서로 다른 시점에 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116) 중 적어도 하나의 층은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티쉘 구조물(190)을 포함하는 점착제 조성물로부터 형성될 수도 있다. 즉, 제1 평탄화층(115) 및/또는 제2 평탄화층(116)은 멀티쉘 구조물(190)을 포함하고, 감광제 및 바인더를 추가로 포함할 수 있다. 멀티쉘 구조물(190), 감광제 및 바인더에 대한 구체적인 설명은 후술한다.
연결 전극들(141, 142)은 공통적으로 LED 발광 소자(130)의 p 전극(135) 또는 n 전극(134)과 접하는 것으로, 제1 연결 전극(141) 및 제2 연결 전극(142)로 구분된다.
제1 연결 전극(141)은 박막 트랜지스터(120)와 LED 발광 소자(130)의 p 전극(134)을 연결한다. 제1 연결 전극(141)은 제1 평탄화층(115), 제2 평탄화층(116) 및 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 접하고, 제2 평탄화층(116)에 형성된 컨택홀을 통해 LED 발광 소자(130)의 p 전극(134)과 접할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 박막 트랜지스터(120)의 타입에 따라 제1 연결 전극(141)은 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(124)과 접하는 것으로 정의될 수도 있다. 제1 연결 전극(141)은 애노드(anode) 전극으로 정의될 수 있다.
제2 연결 전극(142)은 공통 배선(CL)과 LED 발광 소자(130)의 n 전극(135)을 연결한다. 제2 연결 전극(142)은 제1 평탄화층(115), 제2 평탄화층(116), 층간 절연층(113) 및 접착층(114)에 형성된 컨택홀을 통해 공통 배선(CL)과 접하고, 제2 평탄화층(116)에 형성된 컨택홀을 통해 LED 발광 소자(130)의 n 전극(135)과 접한다. 제2 연결 전극(142)은 캐소드(cathode) 전극으로 정의될 수 있다.
이에 따라, 표시 장치(100)가 턴-온되면 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123) 및 공통 배선(CL) 각각에 인가되는 서로 상이한 전압 레벨이 제1 전극(141) 및 제2 연결 전극(142)을 통해 p 전극(135)과 n 전극(134)으로 전달되어 LED 발광 소자(130)가 발광할 수 있다. 도 2에서는 박막 트랜지스터(120)가 p 전극(134)과 전기적으로 연결되고 공통 배선(CL)이 n 전극(135)과 전기적으로 연결되는 것으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않고, 박막 트랜지스터(120)가 n 전극(135)과 전기적으로 연결되고 공통 배선(CL)이 p 전극(134)과 전기적으로 연결될 수도 있다.
뱅크(118)는 발광 영역을 정의하는 절연층으로 제2 평탄화층(116) 상에 형성된다. 뱅크(118)는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 제1 평탄화층(115) 및/또는 제2 평탄화층(116)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 다르게는, 뱅크(118)는 LED 발광 소자(130)에서 발광된 광이 인접 서브 화소(SP1, SP2, SP3)로 전달되어 혼색 현상이 발생하는 것을 방지하기 위해, 흑색 물질을 포함하여 광을 흡수하도록 구성될 수도 있다. 여기서 뱅크(118)는 필요에 따라 선택적으로 배치할 수 있으며, 이를 제외하는 것도 가능하다.
투명 보호층(119)은 LED 발광 소자(130) 및 평탄화층(115, 116)을 덮어 LED 발광 소자(130)를 보호한다. 도 2를 참조하면, 투명 보호층(119)은 제2 평탄화층(116) 상부에 배치된 뱅크(118)에 의해 정의되는 개구 영역 및 뱅크(118)와 중첩되는 영역에 배치될 수도 있다. 투명 보호층(119)은 OCA(optical clear adhesive) 또는 OCR(optical clear resin)이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 투명 보호층(119)은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 멀티쉘 구조물(190)을 포함하는 점착제 조성물로부터 형성될 수도 있다. 즉, 투명 보호층(119)은 멀티쉘 구조물(190)을 포함하고, 감광제 및 바인더를 추가로 포함할 수 있다. 멀티쉘 구조물(190), 감광제 및 바인더에 대한 구체적인 설명은 이하에서 자세히 설명한다.
도 3a는 본 발명의 멀티쉘 구조물의 일 예시를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 상술한 접착층(114), 제1 평탄화층(115), 제2 평탄화층(116) 및 투명 보호층(119) 중 적어도 하나의 층은 멀티쉘 구조물(190)을 포함하고, 이에 감광제 및 바인더를 더 포함할 수 있다. 도 3a에서는 멀티쉘 구조물(190)이 접착층(114), 제1 평탄화층(115), 제2 평탄화층(116) 및 투명 보호층(119) 모두에 포함된 것으로 도시하였으나, 일 예시일 뿐 필요에 따라 선택적으로 배치할 수 있다. 예를 들어, 멀티쉘 구조물(190)은 접착층(114)에만 포함될 수도 있고, 접착층(114), 제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116)에 포함될 수도 있다. 멀티쉘 구조물(190)은 표지 장치(100)를 구성하는 접착층(114), 제1 평탄화층(115), 제2 평탄화층(116) 또는 투명 보호층(119) 각 층의 점착 성능, 광 추출 성능, 포토 성능, 막 경도를 보완할 수 있다.
도 3a를 참조하면, 멀티쉘 구조물(190)은 중심부(M1), 중심부(M1)를 둘러싼 제1 외곽부(M2) 및 제1 외곽부(M2)를 둘러싼 제2 외곽부(M3)로 이루어진다.
멀티쉘 구조물(190)의 중심부(M1)는 점착 성능을 갖도록 하는 층으로, 점착 부여제(tackifier material)로 이루어진다. 구체적으로 점착 부여제는 로진계 수지 또는 테르펜계 수지를 포함할 수 있다. 또한, 점착 부여제는 페놀, 인 및 에테르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 유도체 화합물을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 중심부(M1)는 로진(rosin) 및 부틸하이드록시아니솔(Butylated Hydroxy Anisole, BHA)를 포함할 수 있다.
제1 외곽부(M2)는 경도 및 광 추출 성능에 관여하는 층으로, 분자체(molecular sieve)로 이루어진다. 분자체는 기공의 직경이 약 1.5 nm 내지 50 nm 인 다공성 분자체일 수 있고, 구체적으로 SBA-1, SBA-3, SBA-6, SBA-15, MCM-41 및 MCM-48로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 외곽부(M2)는 SBA-15를 포함할 수 있다.
제2 외곽부(M3)는 제1 외곽부(M2)와 함께 경도 및 광 추출 특성을 향상시키는 역할을 하는 층으로, 플러렌을 포함할 수 있다. 플러렌의 직경은 0.5 nm 내지 1 nm 인 것일 수 있다. 이러한 범위를 만족할 경우, 멀티쉘 구조물(190)을 구성하는 중심부(M1) 및 제1 외곽부(M2)의 점착 성능 및 광 추출 성능을 저감시키지 않으면서 멀티쉘 구조물(190)의 적정한 크기를 유지할 수 있다. 플러렌은 C60, C70, C72, C76, C78, C82, C84, C90, C94 및 C96으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
멀티쉘 구조물(190)은 직경이 0.2 μm 내지 1.8 μm, 구체적으로 0.3 μm 내지 1.5 μm 인 것일 수 있다. 멀티쉘 구조물(190)의 직경은 플러렌의 직경에 의해 결정될 수 있다. 이는 제1 외곽부(M2) 외벽에 구형으로 존재하는 제2 외곽부(M2)를 구성하는 플러렌을 통해서 멀티쉘 구조물(190)의 접착성 및 포토 특성을 부여하기 때문에 상술한 범위의 크기를 갖는 것이 제1 외곽부(M2)의 경도 및 광추출 효과를 감소시키지 않는 범위 내에서 및 제2 외곽부(M3)의 효과를 최대로 발휘하게 할 수 있다.
멀티쉘 구조물(190)을 포함하는 층은 멀티쉘 구조물(190)의 구성 중 중심부(M1)가 점착 부여제로 이루어짐으로써 멀티쉘 구조물(190)이 포함된 층의 점착력 및 점착 유지력이 향상될 수 있다. 멀티쉘 구조물(190)이 접착층 뿐만 아니라, 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119) 모두에 포함될 경우, LED 발광 소자(130)가 접착층(114) 상에 전사된 후 평탄화층(115, 116)이 적층되면 평탄화층(115, 116)이 추가적으로 LED 발광 소자(130)가 안정적으로 배치되도록 고정시킬 수 있어 표시 장치(100) 제품 수율이 향상될 수 있다. 또한, 제1 외곽부(M2) 및 제2 외곽부(M3)에 의해서 멀티쉘 구조물(190)이 포함된 층의 광 추출 효율이 향상될 수 있으나, 이에 대해서는 도 3b를 참조하여 자세히 설명한다.
도 3b는 본 발명의 멀티쉘 구조물의 제1 외곽부 및 제2 외곽부를 확대한 사시도이다.
예를 들어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 멀티쉘 구조물(190)의 제1 외곽부(M2)는 SBA-15를 포함하고, SBA-15는 3차원적으로 연결된 입방 구조를 가져 3차원 기공들이 육방 배열을 이룬다. SBA-15의 다공성 구조로 인해 LED 발광 소자(130)로부터 방출되는 빛의 직진성이 강화될 수 있다. 빛의 직진성 강화로 인해 광 추출 효율이 높은 표시 장치의 제작이 가능하며 LED 발광 소자(130)의 휘도가 향상되어 표시 장치의 소비전력을 감소시킬 수 있다.
따라서 광추출 효율 증가 및 소비전력을 감소시키는 효과를 갖는 제1 외곽부(M2)는 최대의 효과를 발휘하도록 멀티쉘 구조물(190) 전체 체적 대비 50% 내지 90%, 구체적으로 60% 내지 80%일 수 있다.
멀티쉘 구조물(190)의 제2 외곽부(M3)는 플러렌을 포함한다. 플러렌은 제1 외곽부(M2)와 함께 광 추출 효율을 높일 수 있다. 제1 외곽부(M2)가 빛의 직진성을 강화시키는 것과 비교해 제2 외곽부(M3)는 빛의 산란성을 강화시킬 수 있다. 제1 외곽부(M2)와 마찬가지로 표시 장치의 광추출 효율 증가 및 소비전력 감소 효과를 발휘할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 멀티쉘 구조물(190)뿐만 아니라 감광제 및 바인더를 접착층(114), 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119)으로 이루어진 군에서 적어도 하나의 층에 추가로 포함할 수 있다.
본 발명은 접착층(114), 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119)으로 이루어진 군에서 적어도 하나의 층에 감광제 및 바인더를 포함할 수 있다.
감광제는 접착층(114), 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119)으로 이루어진 군에서 적어도 하나의 층에 포토 특성을 부여하여, 포토리소그래피를 통한 층 성형을 가능하게 한다. 감광제는 옥심(Oxime)계 화합물 또는 벤조페논계 화합물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논이 가능하나, 이에 제한되지 않는다.
바인더는 점착성을 향상시킬 수 있다. 바인더는 알칼리 현상성 바인더 및 실리콘계 바인더 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜　디메타크릴레이트 및 실록산 계열의 바인더 등이 있으나, 이에 제한되지 않는다.
이에 따라, 감광제 및 바인더가 포함된 표시 장치(100)는 점착력 및 광 투과성이 더욱 향상되고, 표시 장치(100) 제작시 접착층(114), 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119)으로 이루어진 군에서 적어도 하나의 층을 포토리소그래피를 통해 형성할 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 멀티쉘 구조물(190) 및 바인더에 의해 접착층(114), 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119)의 접착 성능을 향상시켜 LED 발광 소자(130)의 전사율을 높일 수 있고, 이로 인해 제조 비용 절감이 가능하다. 또한, 멀티쉘 구조물(190)에 의해 포함된 각 층의 경도를 향상시키고, 멀티쉘 구조물(190)을 이루는 제1 외곽부(M2) 및 제2 외곽부(M3)에 의해 LED 발광 소자(130)의 광 추출 효율이 증대되어 저전력에서도 높은 휘도를 나타내는 표시 장치(100)를 제공할 수 있다. 뿐만 아니라, 감광제를 접착층(114), 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119) 모두에 포함시킬 경우, 포토 성능이 향상되어 하나의 전사 공정에서 포토리소그래피를 통해 전체 층을 순차적으로 제조가 가능하게 된다. 이 경우, 표시 장치의 제조 공정이 간소화될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점착제 조성물은 감광제, 바인더 및 멀티쉘 구조물(190)을 포함하고, 멀티쉘 구조물(190)은 점착 부여제로 이루어진 중심부(M1), 중심부(M1)를 둘러싼 분자체(molecular sieve)를 포함하는 제1 외곽부(M2) 및 제1 외곽부를 둘러싼 플러렌(fullerene)을 포함하는 제2 외곽부(M3)로 이루어진다. 감광제, 바인더 및 멀티쉘 구조물(190)에 관한 구성은 도 1 내지 도 3b에서 전술한 구성과 실질적으로 동일하여 중복 설명은 생략한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점착제 조성물은 접착력이 우수하면서도 멀티쉘 구조물의 제1 외곽부(M2) 및 제2 외곽부(M3)에 의해 광투과성이 우수하다. 뿐만 아니라, 본 발명의 일 실시예에 따른 점착제 조성물은 감광성을 지니고 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 점착제 조성물을 사용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 접착층(114), 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 점착제 조성물은 우수한 접착력을 가지고 있어 접착층(114)을 구성할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 점착제 조성물은 광 추출 효율이 높으므로, 이를 이용하여, 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119)을 형성하는 경우, 저전력에서도 높은 휘도를 나타내는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 상술한 특성을 모두 만족하므로, 포토리소그래피를 통해 접착층(114), 평탄화층(115, 116) 및 투명 보호층(119)을 모두 형성할 수 있으므로, 표시 장치의 제조 공정이 간소화될 수 있다.
이하에서는 실시예 및 비교예를 통하여 상술한 본 발명의 효과를 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 발명의 예시를 위한 것이며, 하기 실시예에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
본 발명의 일 실시예에 따른, 멀티쉘 구조물과 바인더, 감광제 및 용매를 포함하는 점착제 조성물을 제조하였다. 멀티쉘 구조물의 중심부는 로진(rosin) 및 산화방지제인 부틸하이드록시아니솔(BHA)로, 제1 외곽부는 SBA-15로, 제2 외곽부는 직경 약 0.9 nm의 C60 플러렌으로 형성하였다. 이러한 멀티쉘 구조물 5 중량부에 바인더로 1,4-부탄디올디아크릴레이트 20 중량부, 감광제로 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논 1 중량부, 및 용매로 PGMEA (Propylene glycol monomethyl ether acetate) 64 중량부를 약 24시간 혼합하여 액상 점착제를 제조하였다.
[비교예 1]
일반적으로 표시 장치의 접착층에 쓰이는 조성물을 제조하였다. 아크릴계 공중합 수지로 폴리스티렌 환산 중량평균분자량(Mw)이 50,000인 우레탄 아크릴레이트 80 중량부, 아크릴 단량체로 이소보닐아크릴레이트 18 중량부, 가교성 모노머로 디펜타에리트리톨트리아크릴레이트 0.5 중량부, 광개시제로 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논을 1 중량부, 첨가제로 3-글리시독시프로필트리에톡시실란을 0.5 중량부를 상온에서 24시간 이상 균일하게 혼합하여 조성물을 제조하였다.
[비교예 2]
일반적으로 표시 장치의 평탄화막에 쓰이는 조성물을 제조하였다. 실록산 계열의 바인더 20 중량부, 가교성 단량체로 1,4-부탄디올디아크릴레이트 10 중량부, 점착 부여제인 2,4,5-트리하이드록시부티로페논 5중량부, 용매로 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 64 중량부, 광개시제로 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논 1 중량부를 상온에서 24시간 이상 균일하게 혼합하여 조성물을 제조하였다.
[비교예 3]
점착 부여제와 바인더, 감광제, 용매를 포함하는 조성물을 제조하였다. 실록산 계열의 바인더 20 중량부, 가교성 단량체로 1,4-부탄디올디아크릴레이트 10 중량부, 점착 부여제인 2,4,5-트리하이드록시부티로페논 5 중량부, 용매로 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 64 중량부, 광개시제로 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논을 1 중량부를 상온에서 24시간 이상 균일하게 혼합하여 조성물을 제조하였다.
[비교예 4]
분자체와 바인더, 감광제, 용매를 포함하는 조성물을 제조하였다. 실록산 계열의 바인더 20 중량부, 가교성 단량체로 1,4-부탄디올디아크릴레이트 10 중량부, 분자체인 MCM-41을 5중량부, 용매로 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 64 중량부, 광개시제로 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논 1 중량부를 상온에서 24시간 이상 균일하게 혼합하여 조성물을 제조하였다.
[비교예 5]
플러렌과 바인더, 감광제, 솔벤트를 포함하는 조성물을 제조하였다. 실록산 계열의 바인더 20 중량부, 가교성 단량체로 1,4-부탄디올디아크릴레이트 10 중량부, 플러렌 물질 3중량부, 용매로 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 66 중량부, 광개시제로 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논 1 중량부를 상온에서 24시간 이상 균일하게 혼합하여 조성물을 제조하였다.
[비교예 6]
점착 부여제, 분자체, 플러렌, 바인더, 감광제, 솔벤트를 포함하는 조성물을 제조하였다. 실록산 계열의 바인더 20 중량부, 가교성 단량체로 1,4-부탄디올디아크릴레이트 10 중량부, 점착 부여제인 2,4,5-트리하이드록시부티로페논 5 중량부, 분자체인 MCM-41을 5 중량부, 플러렌 물질 3 중량부, 용매로 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 56 중량부, 광개시제로 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논 1 중량부를 상온에서 24시간 이상 균일하게 혼합하여 조성물을 제조하였다.
[실험예]
성능 비교 평가
실시예 및 비교예 1 내지 비교예 6에서 제조된 조성물을 이용하여 형성된 보호막의 점착력, 경도 및 포토 성능을 비교한 결과를 아래의 [표 1]에 요약하였다.
실시예 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5 비교예 6
점착력 (%) 100 100 5 70 5 40 50
점착
유지력 (%)		 100 100 3 100 3 10 70
보호막
경도		 3H 3B 3H H 3H 3H 3H
부착력 3 - 3 3 3 3 -
감도 (mJ/cm2) 100 - 100 100 100 100 100
해상도 (μm) 10 - 10 10 10 10 -
투과도 (%) 95 85 90 95 95 95 90
[표 1]의 "-"는 측정 가능한 수치 미만의 값을 나타낸다.
[표 1]을 참조하면, 비교예 1은 기존의 접착층에 쓰이는 아크릴계 수지 조성물로서, 이를 이용하여 제작된 보호막 경도는 실시예보다 낮음을 확인하였다. 또한, 비교예 1은 기존의 접착층에 사용되는 물질이 포토 성능과 관련된 감도, 해상도 및 투과도 측면에서 모두 실시예에 비해 낮은 바, 이는 멀티쉘 구조물과 감광제 포함 유무가 포토 성능에 영향을 주는 것임을 알 수 있다.
비교예 2의 기존의 평탄화층 물질은 포토 성능을 갖는다는 점을 고려하면, 실시예와 비교하여 포토 성능 대부분이 유사한 수준을 나타내는 것을 이해할 수 있다. 한편, 투과도는 비교예 2에 비해 실시예가 약 5% 더 높은 값을 나타냈다. 이는 멀티쉘 구조물 내의 다공성 분자체 및 플러렌에 의한 빛 직진성 및 빛 산란성 증가로 투과도 역시 향상되는 효과가 유발된 것으로 이해할 수 있다.
또한, 비교예 2의 기존의 평탄화층은 점착력 및 점착 유지력이 매우 낮은 반면, 실시예는 점착력 및 점착 유지력이 매우 높은 수준으로 나타났다. 이를 통해, 멀티쉘 구조물 및 바인더를 포함한 액상 재료가 점착력 및 점착 유지력이 우수함을 알 수 있다.
평탄화층은 일반적으로 박막 트랜지스터 상부를 평탄화하는 것뿐만 아니라, LED 발광 소자의 위치를 고정시켜야 하는 것임을 고려할 때, 평탄화층이 우수한 점착력 및 점착 유지력을 갖는 경우 LED 발광 소자의 전사율이 향상될 수 있어, 비교예 2와 같은 기존의 평탄화층 물질 대신 실시예의 액상 재료를 평탄화층에 포함할 경우 LED 발광 소자를 포함하는 표시 장치의 전사율 및 제품 수율이 향상될 수 있음을 유추할 수 있다.
비교예 3 내지 비교예 6은 실시예의 멀티쉘 구조물 대신 멀티쉘 구조물을 구성하는 각 층의 물질 중 어느 하나만을 포함하는 조성물 또는 전부를 단순 혼합한 조성물인 것으로, 실시예에서 제조된 액상 재료를 이용하여 형성된 보호막의 점착력, 점착 유지력 및 경도를 비교예 3 내지 비교예 6의 조성물을 이용하여 제조된 보호막 성능과 비교하면, 각 층의 물질만 포함한 조성물이거나, 각 층의 물질을 단순히 혼합한 조성물과 대조하여 멀티쉘 구조물의 효과를 확인할 수 있다.
비교예 3은 실시예에서 멀티쉘 구조물을 점착 부여제로 대체한 것으로, 실시예에 비해 점착력 및 보호막 강도가 떨어짐을 나타냈다. 이를 통해, 멀티쉘 구조물 중 다공성 분자체인 SBA-15 및 플러렌이 점착력 및 막 경도 향상에 관여함을 알 수 있다.
비교예 4는 실시예에서 멀티쉘 구조물을 분자체로 대체한 것으로, 실시예에 비해 점착력 및 점착 유지력이 크게 떨어지는 것으로 나타났으며, 이는 점착 부여제 부재에 기인한 것으로 볼 수 있다. 다만 경도는 실시예와 동등한 수준인 것으로 볼 때, 다공성 분자체가 막 경도 향상에 직접적으로 관여하는 것을 알 수 있다.
한편, 비교예 5은 실시예에서 멀티쉘 구조물을 플러렌으로 대체한 것으로, 비교예 2와 비교하여 점착력 및 점착 유지력이 큰 값을 나타낸 바 플러렌은 다공성 분자체보다 향상된 점착 성능을 가짐을 유추할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 실시예와 비교시 점착력 및 점착 유지력이 크게 떨어지는 것으로 나타났다. 이는, 플러렌 단독으로 사용되는 경우보다 멀티쉘 구조물을 이용하여 표시 장치 제작시 보호막의 점착 성능이 월등히 우수해짐을 알 수 있었다.
비교예 6은 실시예와 비교하여, 멀티쉘 구조를 형성하지 않고 단순히 점착 부여제, 분자체, 플러렌, 바인더 및 감광제를 용매에 혼합한 조성물로서, 실시예에 비해 점착력 및 부착력이 낮고, 해상도 및 투과도도 감소된 것을 알 수 있다. 따라서, 비교예 6을 통해 실시예의 멀티쉘 구조물은 멀티쉘 형태에 의해 점착력 및 포토 특성이 월등히 향상된 것임을 확인할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따른 표시 장치 및 점착제 조성물은 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 기판, 기판 상에 배치된 접착층, 접착층 상에 배치된 LED 발광 소자, LED 발광 소자를 둘러싸도록 배치된 평탄화층, 평탄화층 상에 배치된 연결 전극, 및 연결 전극 상에 배치된 투명 보호층을 포함하고, 접착층, 평탄화층 및 투명 보호층으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나는 멀티쉘 구조물을 포함하고, 멀티쉘 구조물은 점착 부여제(tackifier material)를 포함하는 중심부, 중심부를 둘러싼 분자체(molecular sieve)를 포함하는 제1 외곽부 및 제1 외곽부를 둘러싼 플러렌(fullerene)을 포함하는 제2 외곽부로 이루어진다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 접착층, 평탄화층 및 투명 보호층으로 이루어진 군에서 적어도 하나는 바인더 및 감광제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화층은 LED 발광 소자의 적어도 일부를 커버할 수 있는 단일층이거나, 기판 상을 평탄화하고 LED 발광 소자를 둘러싸는 제1 평탄화층 및 제1 평탄화층 상에 배치되고 LED 발광 소자의 적어도 일부를 커버하는 제2 평탄화층을 포함하는 복수층으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, LED 발광 소자의 지름은 100 μm 이하일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 점착 부여제는 로진계 수지 또는 테르펜계 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 분자체는 기공을 가지고, 기공의 직경이 1.5 nm 내지 50 nm인 다공성 분자체일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 분자체는 SBA-1, SBA-3, SBA-6, SBA-15, MCM-41 및 MCM-48로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 외곽부는 멀티쉘 구조물 전체 체적 대비 50% 내지 90%일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플러렌의 직경이 0.5 nm 내지 1 nm일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 멀티쉘 구조물의 직경이 0.2 μm 내지 1.8 μm인 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 바인더는 알칼리 현상성 바인더 또는 실리콘계 바인더이고, 감광제는 옥심(oxime)계 화합물 또는 벤조페논계 화합물일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점착제 조성물은 감광제, 바인더 및 멀티쉘 구조물을 포함하고, 멀티쉘 구조물은 점착 부여제(tackifier material)로 이루어진 중심부, 중심부를 둘러싼 분자체(molecular sieve)를 포함하는 제1 외곽부, 및 제1 외곽부를 둘러싼 플러렌(fullerene)을 포함하는 제2 외곽부로 이루어진다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 점착 부여제는 로진계 수지 또는 테르펜계 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 분자체는 복수의 기공을 가지고, 기공의 직경이 1.5 nm 내지 50 nm일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플러렌의 직경이 0.5 nm 내지 1 nm일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 표시 장치
110: 기판
DA : 표시 영역
NDA : 비표시 영역
UP : 단위 화소
SP1, SP2, SP3 : 서브 화소
114 : 접착층
115 : 제1 평탄화층
116 : 제2 평탄화층
118 : 뱅크층
119 : 투명 보호층
141 : 제1 연결 전극
142 : 제2 연결 전극
143 : 반사층
190 : 멀티쉘 구조물
CL : 공통 배선

Claims (15)

  1. 복수의 화소를 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치된 접착층;
    상기 접착층 상에 배치된 LED 발광 소자;
    상기 LED 발광 소자를 둘러싸도록 배치된 평탄화층;
    상기 평탄화층 상에 배치된 연결 전극; 및
    상기 연결 전극 상에 배치된 투명 보호층을 포함하고,
    상기 접착층, 상기 평탄화층 및 상기 투명 보호층으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나는 멀티쉘 구조물을 포함하고,
    상기 멀티쉘 구조물은 점착 부여제(tackifier material)를 포함하는 중심부;
    상기 중심부를 둘러싼 분자체(molecular sieve)를 포함하는 제1 외곽부; 및
    상기 제1 외곽부를 둘러싼 플러렌(fullerene)을 포함하는 제2 외곽부로 이루어진 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착층, 상기 평탄화층 및 상기 투명 보호층으로 이루어진 군에서 적어도 하나는 바인더 및 감광제를 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 평탄화층은 상기 LED 발광 소자의 적어도 일부를 커버할 수 있는 단일층이거나,
    상기 기판 상을 평탄화하고 상기 LED 발광 소자를 둘러싸는 제1 평탄화층 및 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고 상기 LED 발광 소자의 적어도 일부를 커버하는 제2 평탄화층을 포함하는 복수층으로 이루어진 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 LED 발광 소자의 지름은 100 μm 이하인 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 점착 부여제는 로진계 수지 또는 테르펜계 수지를 포함하는 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 분자체는 복수의 기공을 가지고,
    상기 기공의 직경이 1.5 nm 내지 50 nm 인 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 분자체는 SBA-1, SBA-3, SBA-6, SBA-15, MCM-41 및 MCM-48로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 외곽부는 상기 멀티쉘 구조물 전체 체적 대비 50% 내지 90%인 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 플러렌의 직경이 0.5 nm 내지 1 nm인 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 멀티쉘 구조물의 직경이 0.2 μm 내지 1.8 μm인 표시 장치.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 바인더는 알칼리 현상성 바인더 또는 실리콘계 바인더이고,
    상기 감광제는 옥심(oxime)계 화합물 또는 벤조페논계 화합물인 표시 장치.
  12. 감광제, 바인더 및 멀티쉘 구조물을 포함하고,
    상기 멀티쉘 구조물은
    점착 부여제(tackifier material)로 이루어진 중심부;
    상기 중심부를 둘러싼 분자체(molecular sieve)를 포함하는 제1 외곽부; 및
    상기 제1 외곽부를 둘러싼 플러렌(fullerene)을 포함하는 제2 외곽부로 이루어진 점착제 조성물.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 점착 부여제는 로진계 수지 또는 테르펜계 수지를 포함하는 점착제 조성물.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 분자체는 복수의 기공을 가지고,
    상기 기공의 직경이 1.5 nm 내지 50 nm인 점착제 조성물.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 플러렌의 직경이 0.5 nm 내지 1 nm인 점착제 조성물.
KR1020200179895A 2020-12-21 2020-12-21 점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 KR20220089792A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200179895A KR20220089792A (ko) 2020-12-21 2020-12-21 점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
CN202111175686.4A CN114647150A (zh) 2020-12-21 2021-10-09 粘合剂组合物和包括该粘合剂组合物的显示装置
US17/550,641 US20220199941A1 (en) 2020-12-21 2021-12-14 Adhesive composition and display device comprising the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200179895A KR20220089792A (ko) 2020-12-21 2020-12-21 점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220089792A true KR20220089792A (ko) 2022-06-29

Family

ID=81991896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200179895A KR20220089792A (ko) 2020-12-21 2020-12-21 점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220199941A1 (ko)
KR (1) KR20220089792A (ko)
CN (1) CN114647150A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4394869A1 (en) * 2022-12-30 2024-07-03 LG Display Co., Ltd. Display device and tiling display device including the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126996A (ko) * 2014-02-25 2016-11-02 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 입상 접착제
KR20200049394A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조 방법
KR20210145896A (ko) * 2020-05-25 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 디스플레이 장치, 롤러블 디스플레이 장치, 및 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN114647150A (zh) 2022-06-21
US20220199941A1 (en) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6837510B2 (ja) 電子機器
US11424227B2 (en) Display panel, display module, and display device
JP6525420B2 (ja) 発光装置
KR102664207B1 (ko) 스트레쳐블 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2019139232A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP7032073B2 (ja) 表示装置及び半導体装置
JP5381447B2 (ja) 電気光学装置
CN111564481B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
KR20160016267A (ko) 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법
CN108258014A (zh) 有机发光显示装置以及形成发光显示装置的方法
KR20190092331A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
JP2011090925A (ja) 電気光学装置の製造方法
KR102542429B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20220089792A (ko) 점착제 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102029072B1 (ko) 플렉시블 표시장치 및 그 제조방법
JP7133612B2 (ja) 表示装置
KR102203766B1 (ko) 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법
CN111029385A (zh) Oled显示面板及显示装置
US20220199727A1 (en) Electroluminescence display device
US20230215905A1 (en) Display device
US20220209205A1 (en) Electroluminescence display
EP4336575A1 (en) Light-emitting element and display device including the same
US20240224740A1 (en) Flexible display device
US20220208850A1 (en) Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same
KR20240079696A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination