TW202407910A - 電子封裝及其製造方法 - Google Patents

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李喜秀
朴睿進
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Abstract

一種電子封裝，所述電子封裝包括：基底，所述基底包括第一區域和第二區域，所述第二區域在所述基底的長度方向上與所述第一區域相鄰；第一電子元件，所述第一電子元件安裝在所述基底的所述第一區域中；第二電子元件，所述第二電子元件安裝在所述基底的所述第二區域中，其中所述第二電子元件在所述基底的寬度方向上不佔據整個基底；密封層，所述密封層形成在所述基底上，其中至少所述第二元件從所述密封層暴露，並且其中所述密封層從所述第一區域延伸至所述第二區域以在所述第一區域和所述第二區域加強所述基底。

Description

電子封裝及其製造方法
本申請總體上涉及半導體封裝技術，更具體地，涉及一種電子封裝及其製造方法。
具有集成到一個封裝中的系統和天線的5G封裝天線（AiP）已被用於移動手持設備和其他可攜式多媒體設備。然而，緊湊的5G AiP需要在基於系統的封裝內減少介面間接、增加介面引腳數、減少的厚度和更高水準的集成。
部分遮罩技術已被用於實現傳統的5G AiP。特別地，用於半導體晶片的AiP基底的區域被密封和遮罩，以及用於板對板（B2B）連接器的AiP基底的其他區域沒有被密封以使B2B連接器可以連接到外部設備。因此，傳統的AiP在結構上是不對稱的，導致其翹曲且低可靠性。特別地，用於B2B連接器的非封裝區域容易被翹曲，導致不被期望的B2B連接器從AiP基底分離。
因此，需要提供一種具有改進佈局設計和可靠性的電子封裝。
本申請的一個目的是提供一種具有改進佈局設計和可靠性的電子封裝。
根據本申請的一個方面，提供了一種電子封裝。所述電子封裝包括基底，所述基底包括第一區域和第二區域，所述第二區域在所述基底的長度方向上與所述第一區域相鄰；第一電子元件，所述第一電子元件安裝在所述基底的所述第一區域中；第二電子元件，所述第二電子元件安裝在所述基底的所述第二區域中，其中所述第二電子元件在所述基底的寬度方向上不佔據整個基底；密封層，所述密封層形成在所述基底上，其中至少所述第二元件從所述密封層暴露，並且其中所述密封層從所述第一區域延伸至所述第二區域以在所述第一區域和所述第二區域加強所述基底。
根據本申請的另一個方面，提供了一種用於製造電子封裝的方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括第一區域和第二區域，所述第二區域在所述基底的長度方向上與所述第一區域相鄰；將所述第一電子元件安裝在所述基底的所述第一區域中；將所述第二電子元件安裝在所述基底的所述第二區域中，其中所述第二電子元件在所述基底的寬度方向上不佔據整個基底；在所述基底上形成密封層，所述密封層從所述第一區域延伸至所述第二區域以在所述第一區域和所述第二區域加強所述基底，其中至少所述第二電子元件從所述密封層暴露。
應當理解，前面的一般描述和下面的詳細描述都只是示例性和說明性的，而不是對本發明的限制。此外，併入並構成本說明書一部分的圖式說明瞭本發明的實施例並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。
本申請示例性實施例的以下詳細描述參考了形成描述的一部分的圖式。圖式示出了其中可以實踐本申請的具體示例性實施例。包括圖式在內的詳細描述足夠詳細地描述了這些實施例，以使本領域技術人員能夠實踐本申請。本領域技術人員可以進一步利用本申請的其他實施例，並在不脫離本申請的精神或範圍的情況下進行邏輯、機械等變化。因此，以下詳細描述的讀者不應以限制性的方式解釋該描述，並且僅以所附請求項限定本申請的實施例的範圍。
在本申請中，除非另有明確說明，否則使用單數包括了複數。在本申請中，除非另有說明，否則使用「或」是指「和/或」。此外，使用術語「包括」以及諸如「包含」和「含有」的其他形式的不是限制性的。此外，除非另有明確說明，諸如「元件」或「元件」之類的術語覆蓋了包括一個單元的元件和元件，以及包括多於一個子單元的元件和元件。此外，本文使用的章節標題僅用於組織目的，不應解釋為限制所描述的主題。
如本文所用，空間上相對的術語，例如「下方」、「下面」、「上方」、「上面」、「上」、「上側」、「下側」、 「左側」、「 右側」、「 水準」、「豎直」等等，可以在本文中使用，以便於描述如圖式中所示的一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了圖中描繪的方向之外，空間相對術語旨在涵蓋設備在使用或操作中的不同方向。該元件可以以其他方式定向（旋轉90度或在其他方向），並且本文使用的空間相關描述符同樣可以相應地解釋。應該理解，當一個元件被稱為「連接到」或「耦接到」另一個元件時，它可以直接連接到或耦接到另一個元件，或者可以存在中間元件。
圖1A至1C示出了傳統電子封裝100的示意圖。圖1A是傳統電子封裝100的透視圖，圖1B是沿圖1A中的剖面線A-A的剖面圖，以及圖1C是傳統電子封裝100翹曲時的剖面圖。
如圖1A至1C所示，電子封裝100的基底101被選擇性地密封。特別地，安裝有兩個半導體元件102（例如，半導體封裝或半導體裸晶）和分立元件103（例如，無源元件，如電容器或電阻器）的基底101的第一區域105被密封層107密封。此外，安裝有連接器元件104的基底101的第二區域106沒有被密封層107密封，以使連接器元件104可以被暴露以與外部設備（例如印刷電路板或其他電子設備）連接。可見，電子封裝100在結構上是不對稱的，應力可能集中在被密封的第一區域105和未被密封的第二區域106之間的邊界處。因此，基底101的第二區域106容易在第一區域105處翹曲，如圖1C所示。
圖2A至2C示出了根據本申請的一實施例的電子封裝200的示意圖。圖2A是電子封裝200的透視圖，圖2B是圖2A中的電子封裝200的俯視圖，以及圖2C是沿圖2B中的剖面線A-A的剖面圖。
如圖2A至2C所示，電子封裝200包括基底201，基底201嵌有一個或多個基底導電圖案。基底201可以是層疊仲介層（interposer）、PCB、晶片形式、條狀仲介層、引線框、或其他合適基底。基底201可包括一個或多個絕緣層或鈍化層、穿過絕緣層形成的一個或多個導電通路、以及在絕緣層之上或之間的一個或多個導電層。基底201可以包括預浸漬聚四氟乙烯、FR-4、FR-1、CEM-1或CEM-3的一個或多個層壓層，以及酚醛棉紙、環氧樹脂、樹脂、玻璃織物、磨砂玻璃、聚酯或其他增強纖維或織物的組合物。絕緣層可以包含一層或多層的二氧化矽（SiO2）、氮化矽（Si3N4）、氮氧化矽（SiON）、五氧化二鉭（Ta2O5）、氧化鋁（Al2O3）或具有類似絕緣和結構特性的其他材料。基底201也可以是多層柔性層壓板、陶瓷、覆銅層壓板、玻璃或半導體晶片，半導體晶片包括含有一個或多個電晶體、二極體和其他電路元件的有源表面以實現類比電路或數位電路。基底201可以包括使用濺射、電鍍、化學鍍或其他合適的沉積工藝形成的一個或多個導電層或再分佈層（RDL）。基底導電圖案可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、鈦（Ti）、鎢（W）、或其他合適的導電材料。
多個電子元件，例如一個或多個半導體元件202（例如半導體裸晶或半導體封裝），一個或多個分立元件203和連接器元件204，被安裝在基底201的頂面。一個或多個天線模組208安裝在基底201的底面。連接器元件204用於將安裝在基底201上的電子元件與外部設備耦接。儘管為了示出的目的，圖2A至2C示出了電子封裝200，但是本領域技術人員可以理解電子封裝可以包括多個半導體元件和/或分立元件和/或天線模組，或可以不包括一個或多個半導體元件、分立元件或天線模組。例如，半導體元件202可以包括資料信號處理器（DSP）、微控制器、微處理器、網路處理器、電源管理處理器、音訊處理器、視頻資料期、RF電路、無線基帶片上系統（SoC）處理器、感測器、存儲控制器、存放裝置、專用積體電路等。分立元件203可以包括一個或多個無源電子元件，例如電阻器、電容器、電感器等。連接器元件204可以包括一個或多個連接器，連接器單獨地或作為整體結構安裝在基底201上。連接器元件204具有一個或多個暴露端子（未示出）。
特別地，基底201可以有第一區域205和第二區域206，第二區域206在基底201的長度方向X上與第一區域205相鄰。半導體元件202和分立元件203安裝在第一區域205中，連接器元件204安裝在第二區域206中。在基底201的元件和基底201的頂面周邊之間可以具有一些空間，使得半導體元件202、分立元件203和連接器元件204在基底201的寬度方向Y上不佔據整個基底201。例如，如圖2B所示，在基底201的元件和基底201的頂面周邊之間具有一些空間211a和211b。未被佔據的空間可以阻止連接器元件204延伸超過基底201的頂面周邊，並且因此減少連接器元件204由於震動而不被期望地從基底201脫離。在實踐中，半導體元件202、分立元件203和連接器元件204可以使用任何合適的表面安裝技術，例如表面安裝，安裝到基底201上。
在圖2A至2C示出的實施例中，基底201的第一區域205可以被密封層207密封。密封層207覆蓋半導體元件202和分立元件203，以及第一區域205中未被半導體元件202和分立元件203覆蓋的剩餘頂面。此外，安裝有連接器元件204的基底201的第二區域206也部分地被密封層207密封。特別地，除了連接器元件204從密封層207中暴露之外，第二區域206的剩餘頂面，包括除了連接器元件204之外的兩個空間211a和211b，也被密封層207密封。也就是說，密封層207從第一區域205延伸至第二區域206以在第一區域205和第二區域206加強基底201。在一些實施例中，密封層207可進一步延伸超出連接器元件204以使連接器元件204被密封層207包圍。密封層207的密封材料可以由聚合物複合材料（例如帶有填料的環氧樹脂、帶有填料的環氧丙烯酸酯、或具有適當填料的聚合物）製成。
在一些實施例中，在第一區域205和第二區域206中的密封層207可以同時形成，例如使用注模工藝。相應地，在基底201的頂面上的密封層207可以具有相同的厚度，至少足以覆蓋第一區域205中的元件。在一些實施例中，連接器元件204的高度可以比密封層207的厚度大、或比密封層207的厚度小、或與密封層207的厚度相同。在圖2A至2C中示出的實施例中，連接器元件204的高度比密封層207的厚度大，以保證連接器元件204能夠從密封層207中暴露。
如圖2A和2B所示，密封層207包括在第一區域205的主體207a和在第二區域206的兩個加強壁207b，並且加強壁207b與主體207a一體成型。主體207a可圍繞半導體元件202和分立元件203，而兩個加強壁207b分別設置在連接器元件204的兩側，即在除了連接器元件204之外的兩個空間211a和211b中。與連接器元件204平行的加強壁207b可以加強基底201，並且因此阻止應力在第一區域205和第二區域206之間的邊界處累積。這樣，基底201在邊界處翹曲的風險可以被顯著減小。如前所述，兩個加強壁207b可以在第二區域206的長度方向X上的整個長度上延伸，如圖2B和2C所示。在另一實施例中，兩個加強壁207b可以在第二區域206的長度方向X上的一部分長度上，例如在第二區域206的長度的一半，延伸。在一些實施例中，兩個加強壁207b的厚度可以等於、或大於、或小於主體207a的厚度。
繼續參考圖2A至2C，密封層207還可以包括形成在第二區域206中的連接壁207c，連接壁207c橫跨連接器元件204並在第二區域206的一端連接兩個加強壁207b。連接壁207c可以加固在基底201的頂面上的加強壁207b的連接。相似地，連接壁207c可以與主體207a和加強壁207b一體成型。在一些其他的實施例中，連接壁207c也可以位於連接器元件204靠近第一區域205的一側，其類似地橫跨連接器元件204並連接兩個加強壁207b；或者也可以同時有一個或更多個連接壁同時設置於連接器元件204的週邊。
在一些實施例中，遮罩層（未示出）可以形成在密封層207上以遮罩電磁干擾，而在第一區域205的元件可以被密封層207覆蓋。遮罩層207可以由導電材料，例如Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag等，形成。例如，可以使用濺射工藝或其他類似的化學或物理氣相沉積工藝來形成遮罩層。在一些實施例中，在第一區域205中的元件可以從密封層207中暴露，並且用於散熱的蓋體可以被附接在第一區域205的暴露的元件和密封層上。
圖3A至3C示出了根據本申請的另一實施例的電子封裝300的示意圖。圖3A是電子封裝300的透視圖，圖3B是移除了蓋體310和遮罩層309的電子封裝300的俯視圖，以及圖3C是電子封裝300的剖面圖。
如圖3A至3C所示，電子封裝300包括安裝在第一區域305的電子元件302和303和安裝在基底301的第二區域306的連接器元件304。電子元件302和303的一部分，例如可以是半導體元件302，從密封層307中暴露，並且可選地從遮罩層309中暴露。蓋體310設置在密封層307上用於散熱。在本實施例中，通過諸如熱介面材料（TIM）之類的黏合材料將蓋體310黏附到密封層307上。TIM層可以被設置在蓋體310和密封層307之間以加強半導體元件302和蓋體310之間的熱傳遞。儘管密封層307覆蓋除了連接器元件304的第一區域305和第二區域306，但是蓋體310主要覆蓋第一區域305中的密封層307，而不延伸至第二區域306，因為熱量通常由電子元件302產生。
圖4A至4G示出了根據本申請的一實施例的用於製造電子封裝400的方法的各個步驟的剖面圖。
參考圖4A，提供基底401。基底401可以包括頂面401a和底面401b。一個或多個天線模組408可以提前被安裝在底面401b上。頂面401a可以包括第一區域405和第二區域406，第一區域405和第二區域406可以根據稍後要安裝的電子元件預先確定。在圖4A中，基底401被放置在載體上或其類似物上，並且頂面401a朝上以用於隨後的元件安裝。
焊膏（未示出）可以例如通過印刷來形成，具體在基底401上預先形成導電圖案的位置處。這樣，電子元件可以被表面安裝在頂面401a上。在一些實施例中，焊膏可以通過噴射印刷、雷射印刷、氣動地、通過針轉移、使用光阻劑掩模，通過範本印刷，或通過其他合適的工藝來分配。
接著參考圖4B，包括各種半導體元件402和分立元件403的電子元件通過例如預分配焊膏被安裝在第一區域405的頂面401a上，並且連接器元件404也通過焊膏安裝在第一區域405的頂面401a上。
接著參考圖4C，膠帶411被設置在連接器元件404的頂面，作為掩模用於後續處理。膠帶411可以具有與連接器404的頂面的形狀和尺寸大體相同的形狀和尺寸。這樣，可以避免過量的密封材料覆蓋在連接器元件404的頂面，並且在密封層407中形成空隙，特別是在圍繞連接器元件404處的密封層407。在一實施例中，膠帶411可以包括黏合層和非黏合層，以及膠帶411通過黏合層被黏合在連接器元件404上。例如，膠帶411可以包括UV膠帶、導熱膠帶、多層膠帶（帶有黏合劑的聚醯亞胺膠帶）等。
之後，如圖4D所示，模具412被設置在基底401的頂面401a上，並且隨後在圖4E中，密封材料被注入模具中以在基底401的第一區域405和第二區域406中形成密封層407。密封層407可以覆蓋整個頂面401a，除了被膠帶411覆蓋的連接器元件404。在密封層407例如通過固化工藝被固化後，模具可以從基底401上移除。
隨後，參考圖4F，遮罩層409形成在密封層407上。遮罩層409可以通過噴塗、電鍍、濺射、或任何其他合適的金屬沉積工藝形成。在一些實施例中，遮罩層409可以由銅、鋁、鐵或其他合適的材料形成用以EMI遮罩。膠帶411可以在遮罩層沉積過程中被維持在連接器元件404上以避免在連接器元件404的頂面上形成遮罩層。
接著，參考圖4G，膠帶411可以從基底401上移除使得沉積在膠帶411上的密封層和遮罩層可以與膠帶411一同移除，並且之後連接器元件404從基底401的其他區域中的密封層407和遮罩層409中暴露。在一些實施例中，被膠帶411覆蓋的連接器元件404的頂部區域可以通過薄膜輔助成型打開。在本實施例中，連接器元件404的高度比密封層407的厚度小，並且因此可以在連接器元件404上方的密封層形成空腔。
圖5A至5E示出了用於製造根據本申請的另一實施例的電子封裝500的方法的各個步驟的剖面圖。
如圖5A所示，提供具有天線模組508的基底501，天線模組508安裝在底面501b上。各種半導體元件502和分立元件503被安裝在基底501的頂面501a的第一區域505中，以及連接器元件504也被安裝在頂面501a的第二區域506上。半導體元件502和分立元件503以及連接器元件504可以有不同的高度，或特別地，連接器元件504可以略高於半導體元件502和分立元件503。
接下來是圖5B，膠帶511可以被附接在基底501以覆蓋半導體元件502和分立元件503以及連接器元件504的相應頂面上。膠帶511可以是柔性材料以使覆蓋在連接器元件504的那部分膠帶可以變形以形成大致平坦的頂面，即最高的連接器元件504可以被嵌入膠帶511中。在替代的實施例中，各種膠帶分段可以被附接至半導體元件502和分立元件503以及連接器元件504的各自的頂面上。每個膠帶分段可以具有和被該膠帶分段覆蓋的元件的尺寸和形狀大體相同的尺寸和形狀。
之後，如圖5C所示，模具可以被設置在基底501的頂面501a上，以及密封材料被注入模具中以在基底501的頂面501a上的第一區域505和第二區域506中形成密封層507。密封層507可以擴散到半導體元件502和分立元件503以及連接器元件504之間的縫隙中並圍繞它們。膠帶511隨後可以被移除，如圖5D所示。接著，在圖5E中，蓋體510可以被附接到半導體元件502的頂面和密封層507上。在一些實施例中，遮罩層509和/或熱介面材料層可以在第一區域505的密封層507和蓋體510之間形成。可以理解的是，當各個膠帶分段被應用在前述過程中時，覆蓋連接器元件504的膠帶分段可以在附接蓋體之後被移除。這樣，基底501可以被基底501的密封層507很好地保護和加強，而不影響連接器元件504。
本文的討論包括許多說明性圖式，這些說明性圖式顯示了電子封裝元件的各個部分及其製造方法。為了說明清楚起見，這些圖並未顯示每個示例元件的所有方面。本文提供的任何示例元件和/或方法可以與本文提供的任何或所有其他元件和/或方法共用任何或所有特徵。
本文已經參照圖式描述了各種實施例。然而，顯然可以對其進行各種修改和改變，並且可以實施另外的實施例，而不背離如所附請求項中闡述的本發明的更廣泛範圍。此外，通過考慮說明書和本文公開的本發明的一個或多個實施例的實踐，其他實施例對於本領域技術人員將是明顯的。因此，本申請和本文中的實施例旨在僅被認為是示例性的，本發明的真實範圍和精神由所附示例性請求項的列表指示。
100:電子封裝 101:基底 102:半導體元件 103:分立元件 104:連接器元件 105:第一區域 106:第二區域 107:密封層 200:電子封裝 201:基底 202:半導體元件 203:分立元件 204:連接器元件 205:第一區域 206:第二區域 207:密封層 207a:主體 207b:加強壁 207c:連接壁 208:天線模組 211a、211b:空間 300:電子封裝 301:基底 302、303:電子元件 304:連接器元件 305:第一區域 306:第二區域 307:密封層 309:遮罩層 310:蓋體 400:電子封裝 401:基底 401a:頂面 401b:底面 402:半導體元件 403:分立元件 404:連接器元件 405:第一區域 406:第二區域 407:密封層 408:天線模組 409:遮罩層 411:膠帶 412:模具 500:電子封裝 501:基底 501a:頂面 501b:底面 502:半導體元件 503:分立元件 504:連接器元件 505:第一區域 506:第二區域 507:密封層 508:天線模組 509:遮罩層 510:蓋體 511:膠帶 X:長度方向 Y:寬度方向
本文引用的圖式構成說明書的一部分。圖式中所示的特徵僅圖示了本申請的一些實施例，而不是本申請的所有實施例，除非詳細描述另有明確說明，並且說明書的讀者不應做出相反的暗示。
圖1A至1C示出了傳統電子封裝的示意圖。
圖2A至2C示出了根據本申請的一實施例的電子封裝的示意圖。
圖3A至3C示出了根據本申請的另一實施例的電子封裝的示意圖。
圖4A至4G示出了用於製造根據本申請的一實施例的電子封裝的方法的各個步驟的剖面圖。
圖5A至5E示出了用於製造根據本申請的另一實施例的電子封裝的方法的各個步驟的剖面圖。
在整個圖式中將使用相同的圖式標記來表示相同或相似的部分。
200:電子封裝
201:基底
202:半導體元件
203:分立元件
204:連接器元件
205:第一區域
206:第二區域
207:密封層
208:天線模組

Claims (18)

  1. 一種電子封裝，所述電子封裝包括： 一基底，所述基底包括一第一區域和一第二區域，所述第二區域在所述基底的長度方向上與所述第一區域相鄰； 一第一電子元件，所述第一電子元件安裝在所述基底的所述第一區域中； 一第二電子元件，所述第二電子元件安裝在所述基底的所述第二區域中，其中所述第二電子元件在所述基底的寬度方向上不佔據整個基底； 一密封層，所述密封層形成在所述基底上，其中至少所述第二元件從所述密封層暴露，並且其中所述密封層從所述第一區域延伸至所述第二區域以在所述第一區域和所述第二區域加強所述基底。
  2. 根據請求項1所述的電子封裝，其中，所述密封層包括： 一主體，所述主體在所述第一區域且至少圍繞所述第一電子元件，以及 兩個加強壁，所述兩個加強壁在所述第二區域，其中所述兩個加強壁與所述主體一體成型。
  3. 根據請求項2所述的電子封裝，其中，所述兩個加強壁的厚度與所述主體的厚度相等。
  4. 根據請求項2所述的電子封裝，其中，所述兩個加強壁分別設置在所述第二電子元件的兩側。
  5. 根據請求項2所述的電子封裝，其中，所述兩個加強壁在所述第二區域的整個長度上延伸。
  6. 根據請求項2所述的電子封裝，其中，所述密封層還包括： 一個或多個連接壁，所述一個或多個連接壁形成在所述第二區域中，其中所述一個或多個連接壁橫跨所述第二電子元件並連接所述兩個加強壁。
  7. 根據請求項1所述的電子封裝，其中，所述第一電子元件被所述密封層覆蓋。
  8. 根據請求項1所述的電子封裝，其中，所述第一電子元件從所述密封層暴露。
  9. 根據請求項8所述的電子封裝，其中，所述電子封裝還包括： 蓋體，所述蓋體設置在所述第一電子元件上以用於散熱。
  10. 根據請求項9所述的電子封裝，其中，所述電子封裝還包括： 一遮罩層，所述遮罩層設置在所述第一電子元件和所述蓋體之間。
  11. 根據請求項10所述的電子封裝，其中，所述第二電子元件包括一連接器元件。
  12. 一種用於製造電子封裝的方法，所述方法包括： 提供一基底，所述基底包括一第一區域和一第二區域，所述第二區域在所述基底的長度方向上與所述第一區域相鄰； 將所述第一電子元件安裝在所述基底的所述第一區域中； 將所述第二電子元件安裝在所述基底的所述第二區域中，其中所述第二電子元件在所述基底的寬度方向上不佔據整個基底；以及 在所述基底上形成一密封層，所述密封層從所述第一區域延伸至所述第二區域以在所述第一區域和所述第二區域加強所述基底，其中至少所述第二電子元件從所述密封層暴露。
  13. 根據請求項12所述的方法，其中，在所述基底上形成密封層包括： 在所述第二電子元件的上表面附接一膠帶； 在所述基底上附接一模具； 將密封材料注入所述模具中；以及 從所述第二電子元件的頂面上分離所述膠帶。
  14. 根據請求項13所述的方法，其中，在所述第二電子元件的上表面附接膠帶進一步包括： 在所述第一電子元件的上表面附接一第一膠帶； 在所述第二電子元件的上表面附接一第二膠帶。
  15. 根據請求項13所述的方法，其中，在所述第二電子元件的上表面附接膠帶進一步包括： 將膠帶從所述第一電子元件的上表面附接到所述第二電子元件的上表面。
  16. 根據請求項13或14所述的方法，其中，所述第一電子元件從所述密封層暴露。
  17. 根據請求項16所述的方法，其中，還包括在所述第一電子元件上安裝一蓋體以用於散熱。
  18. 根據請求項16所述的方法，其中，在所述第一電子元件上安裝一蓋體前，在所述第一電子元件上形成一遮罩層以遮罩干擾。
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