TW202406736A

TW202406736A - 複合薄膜

Info

Publication number: TW202406736A
Application number: TW112114297A
Authority: TW
Inventors: 篠崎淳; 佐野惇郎; 中津川達也; 片平周介
Original assignee: 日商古河電氣工業股份有限公司
Priority date: 2022-04-20
Filing date: 2023-04-18
Publication date: 2024-02-16
Also published as: WO2023204144A1; JP2023159661A

Abstract

提供一種連接電阻低的複合薄膜。複合薄膜(1)具有銅箔(10)及導電層(20)，該導電層(20)是由含有導電性填料的導電性黏著劑或含有導電性填料的導電性接著劑所構成且積層於銅箔(10)具有的2個表面的至少其中一表面。並且，導電性填料的數目平均粒徑為0.12 μm以上且7 μm以下。銅箔(10)具有的2個表面之中的積層有導電層(20)的表面(10a)的展開面積比Sdr為0.01％以上且40％以下，偏度Ssk為－1.0以上且1.0以下，接觸電阻為2 mΩ以上且30 mΩ以下。

Description

複合薄膜

本發明是有關一種複合薄膜。

近年來，對於智慧型手機、醫療機器、汽車等電子機器，高積體化、高性能化正在進展，而抑制電子機器的電磁干擾(EMI：Electromagnetic Interference)的EMI對策的重要性正與該進展一起增加。因此，為了防止由來自電子機器的框體內外的電磁波所造成的該電子機器的故障、通訊資料品質的劣化等不良情形，而電子機器中已使用雜訊濾波器、電磁波吸收薄片等構件。在這樣的構件中，許多電子機器中已使用稱為EMI對策薄膜的複合薄膜。EMI對策薄膜為一種複合薄膜，其具有特定結構，該特定結構積層有由金屬等所構成的電磁波遮蔽層及由導電性黏著劑或導電性接著劑所構成的導電層。從高導電率、屏蔽性、工業生產性的觀點來看，電磁波遮蔽層有時使用銅箔。

而且，EMI對策薄膜已非常大量使用來作為可撓性基板(FPC：Flexible printed circuits)和覆晶薄膜技術(COF：Chip on Film)中的屏蔽薄膜、或者是作為在電子機器的框體內的接地強化用的導電帶。將EMI對策薄膜安裝在電子機器時，通常電磁波遮蔽層經由導電層來黏貼在電子機器內的金屬部分。而且，EMI對策薄膜的電磁波遮蔽層黏貼在電子機器內的金屬部分時，從電磁波遮蔽層直到電子機器內的金屬部分為止的連接電阻越低，則抑制電磁干擾的性能越優異(以下亦有時將EMI對策薄膜具有的抑制電磁干擾的性能記載為「EMI耐性」)。此EMI耐性能夠以上述連接電阻來進行評估，但亦有時藉由線路電阻來模擬地進行評估。 [先前技術文獻] (專利文獻)

專利文獻1：日本國專利公報第6872449號

[發明所欲解決的問題] 如前所述，近年來由於EMI對策的重要性正在增加，故正在尋求一種複合薄膜，其連接電阻更低。本發明所欲解決的問題在於提供一種複合薄膜，其連接電阻低。 [解決問題的技術手段]

為了解決上述所欲解決的問題，而本發明人等認為：為了降低複合薄膜的連接電阻(線路電阻)，而較有效是使用接觸電阻低的銅箔來作為電磁波遮蔽層的銅箔，而著眼於銅箔的表面形狀。然而得知：即使使用原理上接觸電阻會最降低的表面乾淨且平滑的(表面粗糙度小)的銅箔來製作EMI對策薄膜，EMI對策薄膜的線路電阻亦不會降低先前一直所預測的程度。另一方面，相較於平滑且表面粗糙度小的銅箔，使用表面粗糙度相對較大的銅箔較能夠獲得一種實驗結果，其有時EMI對策薄膜的線路電阻較低，而本發明人等著眼於此。

「日本伸銅協會技術標準JCBA T323：2011的表面接觸電阻的測定方法」中規定：測定待測定物與金(Au)探針之間的接觸電阻。當測定銅箔的接觸電阻時，由於會成為金屬剛體彼此之間的接觸電阻，故會在接觸界面自行產生對應於相互的表面形狀的空隙，因此微觀上的真實接觸面積會與其相應地變小。因此，被理解為有下述傾向：若銅箔的表面粗糙度大且與Au探針之間的真實接觸面積小，則接觸電阻的測定值會變大，若銅箔的表面粗糙度小且與Au探針之間的真實接觸面積大，則接觸電阻的測定值低。

另一方面，當為EMI對策薄膜的用途中所使用的複合薄膜時，與銅箔接觸的是導電性黏著劑或導電性接著劑，在與銅箔貼合時，由於導電性黏著劑或導電性接著劑會追隨銅箔的表面形狀，故銅箔與導電性黏著劑或導電性接著劑之間的接觸界面基本上不容易產生空隙。

因此我們認為：當使用複合薄膜來作為EMI對策薄膜時，相較於表面粗糙度最小的銅箔，亦即相較於具有完全平滑的表面的銅箔，使用表面粗糙度相對較大的銅箔的銅箔的接觸電阻會更加變小。換言之我們認為：即使銅箔的表面的表面粗糙度變大，導電層仍會追隨其形狀，故在銅箔與導電層之間的接觸界面不容易產生空隙，而真實接觸面積會與銅箔的表面的表面粗糙度大相應地變大，故銅箔的接觸電阻會變小。

本發明人等對上述思考方式進行驗證後，結果明確得知：相較於使用具有完全平滑的表面的銅箔的EMI對策薄膜，使用表面粗糙度相對較大的銅箔的銅箔的EMI對策薄膜的線路電阻更低。此外，本發明人等以此等技術思想作為基礎來致力進行研究後，結果明確得知：為了獲得線路電阻更低的EMI對策薄膜，而重點在於導電層中所含的導電性填料的數目平均粒徑與銅箔的表面粗糙度之間的關係性。換言之，本發明人等發現下述事實：不僅導電層會因應銅箔的表面形狀來追隨，並且導電性填料的分布亦會追隨銅箔的表面形狀，而需要增加導電性填料與銅箔的表面之間的接觸點；因此，重點在於導電性填料的數目平均粒徑與銅箔的表面粗糙度之間的關係。

具體而言，只要將導電性填料的數目平均粒徑、銅箔的表面的展開面積比Sdr、銅箔的表面的偏度(skewness)Ssk、及銅箔的表面的接觸電阻控制在既定範圍內，則相較於僅僅是使用平滑且接觸電阻低的銅箔，能夠更加大幅降低EMI對策薄膜的線路電阻。

換言之，本發明的一態樣的複合薄膜為一種複合薄膜，其具有銅箔及導電層，該導電層是由含有導電性填料的導電性黏著劑或含有導電性填料的導電性接著劑所構成且積層於銅箔具有的2個表面的至少其中一表面。並且，本發明的一態樣的複合薄膜的要旨在於：導電性填料的數目平均粒徑為0.12 μm以上且7 μm以下，銅箔具有的2個表面之中的積層有導電層的表面的展開面積比Sdr為0.01％以上且40％以下，偏度Ssk為－1.0以上且1.0以下，接觸電阻為2 mΩ以上且30 mΩ以下。 [功效]

本發明的複合薄膜的連接電阻低。

說明本發明的一實施形態。再者，以下說明的實施形態只是顯示本發明的一例。此外，本實施形態能夠施加各種變更或改良，且施加這樣的變更或改良而成的形態亦能夠包含在本發明中。

像第1圖顯示的這樣，本實施形態的複合薄膜1具有銅箔10及導電層20，該銅箔10形成電磁波遮蔽層，該導電層20是由含有導電性填料的導電性黏著劑或含有導電性填料的導電性接著劑所構成且積層於銅箔10具有的2個表面的至少其中一表面10a。第1圖的複合薄膜1為導電層20僅積層於銅箔10具有的2個表面的至少其中一表面10a的例子。

導電層20中所含的導電性填料的數目平均粒徑為0.12 μm以上且7 μm以下。此外，銅箔10具有的2個表面之中的積層有導電層20的表面10a的展開面積比Sdr為0.01％以上且40％以下，同樣地表面10a的偏度Ssk為－1.0以上且1.0以下。並且，銅箔10具有的2個表面之中的積層有導電層20的表面10a的接觸電阻為2 mΩ以上且30 mΩ以下。

因為這樣的構成，因此本實施形態的複合薄膜1的連接電阻(線路電阻)低。本實施形態的複合薄膜1由於屏蔽性高而抑制電磁干涉的性能(EMI耐性)優異，故能夠合適地使用來作為EMI對策薄膜。

因此，本實施形態的複合薄膜1能夠對於各種電子機器使用來作為EMI對策薄膜，並顯示優異的EMI耐性。本實施形態的複合薄膜1能夠對於智慧型手機、醫療機器、汽車等電子機器合適地使用，特別是能夠對於智慧型手機等可攜型電子機器合適地使用。

再者，本實施形態的複合薄膜1可進一步具備：脫模薄膜30、絕緣層40及載體薄膜50之中的至少1種。換言之，像第2圖顯示的這樣，本實施形態的複合薄膜1的變形例可具有一結構，其於導電層20上進一步積層有脫模薄膜30。此外，像第2圖顯示的這樣，本實施形態的複合薄膜1的變形例可具有一結構，其於銅箔10具有的2個表面之中的與積層有導電層20的表面10a相反側的表面10b進一步積層有用以電性地保護銅箔10的絕緣層40。並且，像第2圖顯示的這樣，本實施形態的複合薄膜1的變形例可具有一結構，其於絕緣層40上進一步積層有支撐體亦即載體薄膜50。

第2圖中雖顯示具備脫模薄膜30、絕緣層40、載體薄膜50全部的複合薄膜1的例子，但本實施形態的複合薄膜1的變形例並不限定於此。惟，當於銅箔10具有的2個表面10a,10b雙方積層有導電層20時，複合薄膜1不會具備絕緣層40及載體薄膜50。

以下進一步詳細說明本實施形態的複合薄膜1。 (1)關於銅箔本實施形態的複合薄膜1的銅箔10能夠使用電解銅箔、壓延銅箔之中的任一種，且亦能夠使用以蒸鍍、濺鍍等已知方法來形成的銅箔。此外，本實施形態的複合薄膜1的銅箔10亦可使用：經以蝕刻、電解研磨等已知方法來調整表面形狀及厚度的銅箔。

蝕刻時所使用的蝕刻液的一例可舉例如：MEC股份有限公司製的CZ-8100、CB-5602AY。蝕刻液的溫度、蝕刻時間、蝕刻液的攪拌條件等蝕刻的條件能夠適當調整。雖亦能夠使用經實施粗糙化鍍覆的銅箔，但表面的展開面積比Sdr容易過剩地變大，故較佳是進行減少粗糙化鍍覆時的電流密度和電解時間等對應。當使用鍍覆法時，從導電率和接觸電阻的觀點來看，以藉由銅(Cu)來進行的鍍覆為佳。

本實施形態的複合薄膜1的銅箔10的厚度以2 μm以上且40 μm以下為佳。此外，本實施形態的複合薄膜1的銅箔10亦可使用：為了防止保管時的變色的目的、和因複合薄膜的製造時及使用時的熱履歷而變色的目的而在調整表面形狀及厚度後實施防鏽處理的銅箔。防鏽處理的例子可舉例如：含有鎳(Ni)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈷(Co)、矽(Si)及鎢(W)之中的至少1種金屬的鍍覆處理；和使用苯并三唑等有機化合物的有機處理。

本實施形態的複合薄膜1的銅箔10具有的2個表面10a,10b之中的積層有導電層20的表面10a的展開面積比Sdr必須為0.01％以上且40％以下，為了更加降低複合薄膜1的連接電阻，而以0.01％以上且10％以下為佳，以0.05％以上且10％以下較佳。

此外，銅箔10具有的2個表面10a,10b之中的積層有導電層20的表面10a的的偏度Ssk必須為－1.0以上且1.0以下，為了更加降低複合薄膜1的連接電阻，而以－0.7以上且1.0以下為佳，以－0.5以上且0.8以下較佳。

並且，銅箔10具有的2個表面10a,10b之中的積層有導電層20的表面10a的接觸電阻必須為2 mΩ以上且30 mΩ以下，為了更加降低複合薄膜1的連接電阻，而以2 mΩ以上且25 mΩ以下為佳，以2 mΩ以上且20 mΩ以下較佳。並且，為了更加降低複合薄膜1的連接電阻，而銅箔10具有的2個表面10a,10b之中的積層有導電層20的表面10a的峰度(kurtosis)Sku以3.0以上且3.6以下為佳。

(2)關於導電層本實施形態的複合薄膜1的導電層20是由含有導電性填料的導電性黏著劑或含有導電性填料的導電性接著劑所構成。導電性黏著劑及導電性接著劑含有：用以對導電層20賦予導電性的導電性填料、及樹脂。

導電性黏著劑可具有常溫時的黏著性。導電性接著劑中所含的樹脂可為熱硬化性樹脂，且亦可為熱塑性樹脂。含有熱硬化性樹脂的導電性接著劑在複合薄膜1中可為未硬化、B階段、經硬化之中的任一種狀態。

導電性黏著劑、導電性接著劑中所含的樹脂的例子可舉例如：環氧系、酚系、胺基系、醇酸系、胺酯(urethane)系、合成橡膠系、丙烯酸酯系、丙烯酸系、矽氧系、醯亞胺系、異氰酸酯系、氯乙烯系、乙酸乙烯酯系、苯乙烯系、烴系的樹脂及黏著劑。從耐熱性優異的觀點來看，此等樹脂中，以環氧樹脂為佳。

導電性填料的例子可舉例如：金屬的粒子、和碳的粒子。金屬的種類可舉例如：銀(Ag)、鉑(Pt)、金、銅、鎳、鈀(Pd)、鋁(Al)、焊料、或此等的合金。碳的粒子的例子可舉例如：石墨粒子、煅燒碳粒子、經鍍覆的煅燒碳粒子。從製作導電層20時的成形性、工業生產性的觀點來看，此等粒子中，以銅粒子、石墨粒子為佳。

導電性填料的數目平均粒徑必須為0.12 μm以上且7 μm以下。若導電性填料的數目平均粒徑為0.12 μm以上，則能夠增加導電性填料與銅箔10之間的接觸點數及導電性填料的表面積，故導電層20的導電性優異。另一方面，若導電性填料的數目平均粒徑為7 μm以下，則對於印刷線路板和金屬框體的接地(GND)開口部的形狀和高低差，導電性黏著劑、導電性接著劑會流動而導電層20容易追隨，故能夠以導電層20來將目標位置充分填充。

並且，在當在與銅箔10的表面直交的平面上將導電層20切割時顯現的導電層20的剖面，導電性填料的剖面的面積相對於導電層20的剖面的面積的比例(以下亦有時記載為「導電性填料的剖面面積率」)以30％以上且85％以下為佳，以45％以上且80％以下較佳。

若導電性填料的剖面面積率為30％以上，則能夠增加導電性填料與銅箔10之間的接觸點數及導電性填料的表面積，故導電層20的導電性優異。另一方面，若導電性填料的的剖面面積率為85％以下，則複合薄膜1的可撓性優異。

導電層20的厚度以5 μm以上且50 μm以下為佳。若導電層20的厚度為5 μm以上，則對於印刷線路板和電子機器的金屬框體的接地(GND)開口部的形狀和高低差，導電層20容易追隨，故能夠以導電層20來將目標位置充分填充。另一方面，若導電層20的厚度為50 μm以下，則複合薄膜1的可撓性優異，故能夠將複合薄膜1安裝在更薄的基底。

再者，導電層20可具有等向導電性，且亦可具有異向導電性。此外，導電性填料可為粒子狀，亦可為針狀、纖維狀。當導電性填料為針狀或纖維狀時，導電性填料的數目平均粒徑為依照針狀或纖維狀的導電性填料的直徑來算出的數目平均直徑。

並且，為了對導電層20賦予可撓性，而亦可在導電性黏著劑、導電性接著劑中添加橡膠成分(羧基改質腈橡膠、丙烯酸系橡膠等)、增黏劑、硬化劑(異氰酸酯化合物等)等添加劑。此外，為了提高導電層20的阻燃性、成形性、機械特性，而亦可在導電性黏著劑、導電性接著劑中添加會提高此等性能的添加劑。

(3)關於脫模薄膜脫模薄膜30是以脫模劑來對基材的表面進行處理而成，且是用以保護導電層20。換言之，藉由以脫模薄膜30來將導電層20具有的2個表面之中的與和銅箔10相對向的表面相反側的表面包覆，而已防止導電層20具有的黏著性、接著性降低。再者，脫模薄膜30是以使脫模薄膜30的經以脫模劑來進行處理的表面與導電層20相對向的方式積層於導電層20上。

脫模薄膜30的基材的材質可舉例如：樹脂、紙。樹脂的種類可舉例如：聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚乙酸酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醯胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚偏二氯乙烯、合成橡膠、液晶聚合物等。此外，使用紙來作為基材而成的脫模薄膜30的例子可舉例如：脫模紙。

(4)關於絕緣層絕緣層40是用以在將複合薄膜1安裝在電子機器等時保護銅箔10。換言之，藉由以絕緣層40來將銅箔10包覆，而已防止對銅箔10電接觸。

絕緣層40能夠藉由例如下述方式來形成：將含有熱硬化性樹脂及硬化劑的塗料塗佈於銅箔10具有的2個表面之中的與積層有導電層20的表面10a相反側的表面10b並使其半硬化或硬化。此外，絕緣層40亦能夠藉由例如下述方式來形成：將含有熱塑性樹脂的塗料塗佈於銅箔10具有的2個表面之中的與積層有導電層20的表面10a相反側的表面10b。並且，絕緣層40亦能夠藉由例如下述方式來形成：於銅箔10具有的2個表面之中的與積層有導電層20的表面10a相反側的表面10b上將含有熱塑性樹脂的樹脂組成物熔融成形為薄膜狀。由於有時會藉由焊接等來將複合薄膜1安裝在電子機器等，故絕緣層40較佳是具有耐熱性，從此觀點來看，絕緣層40較佳是：使用含有熱硬化性樹脂及硬化劑的塗料來形成。

形成絕緣層40時所使用的熱硬化性樹脂的例子可舉例如：醯胺樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、縮醛樹脂、胺酯樹脂、合成橡膠、紫外線硬化丙烯酸酯樹脂等。從耐熱性優異的觀點來看，此等熱硬化性樹脂中，以醯胺樹脂、環氧樹脂為佳。

形成絕緣層40時所使用的熱塑性樹脂的例子可舉例如：芳香族聚醚酮、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、聚苯碸、聚苯硫醚、聚苯硫醚碸、聚苯硫醚酮等。絕緣層40可為了賦予耐候性、隱蔽性、阻燃性、設計性等和著色的目的而調配習知填料。

(5)關於載體薄膜載體薄膜50為用以強化來保護複合薄膜1的支撐體。此外，載體薄膜50是積層於絕緣層40具有的2個表面之中的與和銅箔10相對向的表面相反側的表面上。載體薄膜50的結構的例子可舉例如：基材與接著層的積層結構。載體薄膜50的基材能夠使用：與脫模薄膜30的基材中所例示的基材相同的基材。形成接著層的材料可舉例如：丙烯酸系黏著劑、胺酯系黏著劑、橡膠系黏著劑等。

[實施例] 以下列舉實施例及比較例來更具體說明本發明。 (A)銅箔準備具有表1表示的表面粗糙度(表面的展開面積比Sdr、偏度Ssk、峰度Sku)的厚度6 μm的銅箔，來作為用以製造實施例1～16及比較例1～5的複合薄膜的原料亦即銅箔。此等銅箔為市售電解銅箔、或經對該市售電解銅箔進行蝕刻處理來調整表面粗糙度的銅箔。蝕刻處理的蝕刻液是使用MEC股份有限公司製的CB-5601AY，且經藉由調整蝕刻液的溫度、蝕刻時間、蝕刻液的攪拌條件等來調整表面粗糙度。

銅箔的表面粗糙度是使用KEYENCE股份有限公司製的共焦點雷射顯微鏡VK-X1050及VK-X1000來進行測定。表1表示的數值為對於表面的展開面積比Sdr、偏度Ssk、峰度Sku之中的任一種皆為任意3點測定值的平均值。再者，共焦點雷射顯微鏡的物鏡倍率為100倍，掃描模式為雷射共焦點，測定大小為2048×1536，測定品質為高精度，間距為0.08 μm。

此外，表面的展開面積比Sdr、偏度Ssk、峰度Sku是藉由下述方式來算出：使用所附的解析軟體，對測定資料進行以下表示的基準面校正、平滑化影像處理、及濾光片處理後，在100 μm×100 μm的任意視野內進行演算。基準面校正：整面平滑化：3×3、高斯(Gaussian) 過濾器處理：L濾光片0.025 mm

並且，對於此等銅箔具有的2個表面之中的要積層導電層的表面，在積層導電層前藉由「日本伸銅協會技術標準JCBA T323：2011的表面接觸電阻的測定方法」中所規定的方法來測定接觸電阻。接觸電阻的測定是使用山崎精機研究所股份有限公司製的電接點模擬器CRS-113-AU，探針是使用直徑1 mm的Au探針。測定條件為接觸載重0.1 N、交流頻率287 Hz、測定電流1 mA。結果是如表1所示。再者，表1表示的數值為任意10點測定值的平均值。

[表1]

(B)導電層將導電層積層於銅箔具有的2個表面的其中一表面，而製作實施例1～16及比較例1～5的複合薄膜。此導電層是藉由下述方式來形成：在將含有丙烯酸系樹脂及導電性填料的導電性黏著劑於銅箔上塗佈成膜狀後，在80℃加熱3分鐘而使溶劑揮發。

丙烯酸系樹脂為DIC股份有限公司製的丙烯酸系黏著劑(finetech CT-5030)，導電性填料為銅粉。銅粉的數目平均粒徑是如同表1所示。以使導電層中的導電性填料的剖面面積率成為表1中所記載的數值的方式，調整導電性黏著劑中的導電性填料的含量。此外。以使複合薄膜的導電層的厚度成為30 μm的方式，調整塗佈於銅箔上的膜狀的導電性黏著劑的厚度。

(C)複合薄膜對於所製得的實施例1～16及比較例1～5的複合薄膜，算出導電性填料的數目平均粒徑及剖面面積率。結果是如表1所示。以下說明導電性填料的剖面面積率的算出方法。首先，使用掃描電子顯微鏡來觀察導電層的剖面之中的任意正方形狀的區域，而獲得上述正方形狀的區域的影像資料。導電層的剖面為當在與銅箔的表面直交的平面(亦即相對於導電層的厚度方向為平行的平面)上將導電層切割時顯現的導電層的剖面。此外，要觀察的正方形狀的區域的一邊是設為25 μm。

然後，藉由影像編輯軟體來對該影像資料進行處理，而製作區分為導電性填料的粒子的部分與除此之外的部分的二元影像。然後，從所得的二元影像，求出導電層的剖面的面積(亦即上述正方形狀的區域的面積)及導電性填料的剖面的面積後，藉由將導電性填料的剖面的面積除以上述正方形狀的區域的面積，來算出導電性填料的剖面面積率。對任意3處進行上述手續，並算出該等的剖面面積率的平均值。結果是如表1所示。

以下說明導電性填料的數目平均粒徑的算出方法。對於存在於上述正方形狀的區域內的導電性填料的粒子，測定其最小直徑及最大直徑，並將最小直徑與最大直徑的平均值設為該粒子的粒徑。然後，對於存在於上述正方形狀的區域內的全部導電性填料的粒子，測定粒徑，並將其算術平均值設為導電性填料的數目平均粒徑。結果是如表1所示。

對於實施例1～16及比較例1～5的複合薄膜，進行線路電阻的測定。以下說明線路電阻的測定方法。準備印刷線路板，該印刷線路板的2個由銅所構成的樣品黏貼用電極已並排露出。此等樣品黏貼用電極為一邊4 mm的正方形狀，2個樣品黏貼用電極的中心間距離是設為12 mm。

使電阻測定用電極在2個樣品黏貼用電極的各個電極附近露出。詳細而言，於樣品黏貼用電極的附近部分之中的與鄰接的樣品黏貼用電極具有的一側不同的一側形成電阻測定用電極。樣品黏貼用電極與形成於其附近的電阻測定用電極經透過印刷線路板的內層電路來電性連接而形成為一對，但2個樣品黏貼用電極未電性連接。再者，對於2個樣品黏貼用電極及2個電阻測定用電極，皆經實施在印刷線路板用途中為一般的無電解鍍鎳及鍍金，而經使電極表面的氧化等影響最小化。

首先，對於兩對樣品黏貼用電極與電阻測定用電極，在未將複合薄膜黏貼在樣品黏貼用電極的狀態下，藉由四端點法來分別測定樣品黏貼用電極與電阻測定用電極之間的電阻。然後，將所得的2個電阻的和記錄為測定基板電阻。

然後，以橫跨2個樣品黏貼用電極的方式將實施例或比較例的複合薄膜黏貼，並使用IMIDA股份有限公司製的剝離試驗用壓合滾筒APR-97來使其壓合後，靜置30分鐘。然後，藉由四端點法來測定2個電阻測定用電極之間的電阻，並將從此測定值減去測定基板電阻而得的值設為該複合薄膜的線路電阻。線路電阻的測定是進行5次，並將其平均值設為實施例1～16及比較例1～5的複合薄膜各自的線路電阻。上述電阻的測定皆在溫度25℃、濕度40～50％RH的環境中進行。

線路電阻的測定結果是如表1所示。再者，表1表示的線路電阻的測定結果是顯示依照下述評估基準來進行評估後的結果。 AA(合格)：線路電阻為未達10 mΩ A(合格)：線路電阻為10 mΩ以上且未達30 mΩ B(合格)：線路電阻為30 mΩ以上且未達100 mΩ C(不合格)：線路電阻為100 mΩ以上且未達500 mΩ D(不合格)：線路電阻為500 mΩ以上

由表1可知，相較於比較例1～5的複合薄膜，實施例1～16的複合薄膜的線路電阻低。因此，相較於比較例1～5的複合薄膜，實施例1～16的複合薄膜可謂抑制電磁干涉的性能(EMI耐性)更優異。因此，實施例1～16的複合薄膜能夠合適地使用來作為EMI對策薄膜。

1:複合薄膜 10:銅箔 10a:積層有導電層的表面 10b:與積層有導電層的表面相反側的表面 20:導電層 30:脫模薄膜 40:絕緣層 50:載體薄膜

第1圖為用以說明本發明的一實施形態的複合薄膜的剖面圖。第2圖為用以說明第1圖的複合薄膜的變形例的剖面圖。

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1:複合薄膜

10:銅箔

10a:積層有導電層的表面

20:導電層

Claims

一種複合薄膜，其具有銅箔及導電層，該導電層是由含有導電性填料的導電性黏著劑或含有導電性填料的導電性接著劑所構成且積層於前述銅箔具有的2個表面的至少其中一表面，並且，前述導電性填料的數目平均粒徑為0.12 μm以上且7 μm以下，前述銅箔具有的2個表面之中的積層有前述導電層的表面的展開面積比Sdr為0.01％以上且40％以下，偏度Ssk為－1.0以上且1.0以下，接觸電阻為2 mΩ以上且30 mΩ以下。
如請求項1所述的複合薄膜，其中，在當在與前述銅箔的表面直交的平面上將前述導電層切割時顯現的前述導電層的剖面，前述導電性填料的剖面的面積相對於前述導電層的剖面的面積的比例為30％以上且85％以下。
如請求項1或2所述的複合薄膜，其中，前述銅箔具有的2個表面之中的積層有前述導電層的表面的峰度Sku為3.0以上且3.6以下。
如請求項1或2所述的複合薄膜，其於前述導電層上進一步積層有脫模薄膜。
如請求項3所述的複合薄膜，其於前述導電層上進一步積層有脫模薄膜。
如請求項1或2所述的複合薄膜，其於前述銅箔具有的2個表面之中的與積層有前述導電層的表面相反側的表面進一步積層有用以電性地保護前述銅箔的絕緣層。
如請求項3所述的複合薄膜，其於前述銅箔具有的2個表面之中的與積層有前述導電層的表面相反側的表面進一步積層有用以電性地保護前述銅箔的絕緣層。
如請求項6所述的複合薄膜，其於前述絕緣層上進一步積層有支撐體亦即載體薄膜。
如請求項7所述的複合薄膜，其於前述絕緣層上進一步積層有支撐體亦即載體薄膜。
如請求項1或2所述的複合薄膜，其使用來作為EMI對策薄膜。
如請求項3所述的複合薄膜，其使用來作為EMI對策薄膜。