TW202405774A - 顯示體及光半導體元件密封用片材 - Google Patents

顯示體及光半導體元件密封用片材 Download PDF

Info

Publication number
TW202405774A
TW202405774A TW112110666A TW112110666A TW202405774A TW 202405774 A TW202405774 A TW 202405774A TW 112110666 A TW112110666 A TW 112110666A TW 112110666 A TW112110666 A TW 112110666A TW 202405774 A TW202405774 A TW 202405774A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical semiconductor
layer
semiconductor element
colored layer
mentioned
Prior art date
Application number
TW112110666A
Other languages
English (en)
Inventor
植野大樹
仲野武史
浅井量子
田中俊平
長束尚輝
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW202405774A publication Critical patent/TW202405774A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/023—Optical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本發明提供一種基板表面之抗反射性優異且亮度較高之顯示體。 本發明之顯示體1具備基板2、配置於基板2上之複數個光半導體元件3a～3c、及將複數個光半導體元件3a～3c密封之密封樹脂層4。密封樹脂層4包含著色層42及非著色層43，將通過光半導體元件3a之重心G A，且相對於基板2之表面之垂線設為垂線P A，將通過光半導體元件3a之重心G A和與光半導體元件3a於同一像素3內相鄰之光半導體元件3b之重心G B之中點C，且相對於基板2之表面之垂線設為垂線P C時，垂線P A上之著色層之總厚度H A、及垂線P C上之著色層之總厚度H C滿足下述式(1)。 H A＜H C(1)

Description

顯示體及光半導體元件密封用片材
本發明係關於一種顯示體及光半導體元件密封用片材。更詳細而言，本發明例如係關於一種將自發光型顯示裝置之光半導體元件密封而形成之顯示體、及適宜用於密封光半導體元件之片材。
近年來，作為下一代型顯示裝置，已發明出以迷你/微型LED顯示裝置(Mini/Micro Light Emitting Diode Display，迷你/微型發光二極顯示裝置)為代表之自發光型顯示裝置。迷你/微型LED顯示裝置之基本構成為：使用高密度排列有大量微小之光半導體元件(LED晶片)之基板作為顯示面板，並以密封材將該光半導體元件密封，且於最表層積層有樹脂膜或玻璃板等罩蓋構件。
具備迷你/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置之顯示體中，於作為顯示面板之基板上配置有金屬及ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)等金屬氧化物之配線(金屬配線)。此種顯示裝置例如存在熄滅時光被上述金屬配線等反射，從而畫面之美觀性差，設計性低劣之問題。因此，對於密封光半導體元件之密封材，採用了使用抗反射層以防金屬配線導致反射之技術。
專利文獻1中揭示有一種黏著片材，其係著色黏著劑層與無色黏著劑層之積層體，以無色黏著劑層與光半導體元件接觸之方式配置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-169262號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，專利文獻1之具備著色黏著劑層之黏著片材儘管將光半導體元件密封後可期待防止金屬配線導致之反射，或抑制亮度不均之效果，但光半導體元件所發出之光之透過性降低，其結果，存在顯示體之正面亮度降低之問題。若正面亮度降低，則為了提高亮度，消耗電力會增加。
本發明係鑒於上述事實而研發者，其目的在於提供一種基板之表面之抗反射性優異且亮度較高之顯示體。又，本發明之另一目的在於提供一種藉由將光半導體元件密封，可製作出基板之表面之抗反射性優異且亮度較高之顯示體之半導體元件密封用片材。 [解決問題之技術手段]
本發明人等為了達成上述目的進行了銳意研究，結果發現，若顯示體具有如下構造，即：於藉由包含著色層及非著色層之密封樹脂層將配置於基板上之複數個光半導體元件密封之狀態下，位於光半導體元件之正面側之著色層之總厚度較最接近之2個光半導體元件之間的著色層之總厚度薄；則基板之表面之抗反射性優異，且亮度較高。本發明即係基於該等見解而完成者。
即，本發明提供一種顯示體，其具備基板、配置於上述基板上之複數個光半導體元件、及將上述複數個光半導體元件密封之密封樹脂層，且 上述密封樹脂層包含著色層及非著色層， 將通過第一光半導體元件之重心，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P A， 將通過上述第一光半導體元件之重心和與上述第一光半導體元件於同一像素內相鄰之第二光半導體元件之重心之中點，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P C時， 上述垂線P A上之上述著色層之總厚度H A、及上述垂線P C上之上述著色層之總厚度H C滿足下述式(1)： H A＜H C(1)。
上述顯示體中，將上述光半導體元件密封之上述密封樹脂層包含上述著色層，藉此能防止設置於基板上之金屬配線等導致之光之反射。而且，若位於光半導體元件之正面側之著色層之總厚度較小，則會透過光半導體元件所發出之正面方向之更多光。另一方面，若位於第一光半導體元件之重心與第二光半導體元件之重心之中點的著色層之總厚度較大，則未設置光半導體元件之基板上之著色層之厚度較厚，從而金屬配線等導致之光之抗反射性優異。因此，本發明之顯示體藉由滿足上述式(1)，基板之表面之抗反射性優異，且亮度較高。
上述基板上之上述光半導體元件之高度較佳為500 μm以下。上述高度為500 μm以下時，密封樹脂層對由光半導體元件及基板之表面形成之凹凸形狀之追隨性更優異。
未點亮時之反射色相較佳為滿足L ＊≦50、-10≦a ＊≦10及-10≦b ＊≦10。藉由具有此種構成，顯示體未點亮時之美觀性佳。
上述著色層較佳為具有黏著性。藉由具有此種構成，上述密封樹脂層能容易地將光半導體元件密封，又，各層間之密接性優異，從而光半導體元件之密封性更優異。
上述顯示體較佳為具備自發光型顯示裝置。
上述顯示體較佳為圖像顯示裝置。
又，本發明提供一種光半導體元件密封用片材，其係用以將配置於基板上之複數個光半導體元件密封之片材，且 上述片材具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層， 藉由上述密封用樹脂層將上述複數個光半導體元件密封而形成密封樹脂層後， 將通過第一光半導體元件之重心，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P A， 將通過上述第一光半導體元件之重心和與上述第一光半導體元件於同一像素內相鄰之第二光半導體元件之重心之中點，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P C時， 上述垂線P A上之上述著色層之總厚度H A、及上述垂線P C上之上述著色層之總厚度H C可滿足下述式(1)： H A＜H C(1)。
上述著色層較佳為具有黏著性。 [發明之效果]
本發明之顯示體中，基板之表面之抗反射性優異，且亮度較高。因此，上述顯示體即便不提高消耗電力，亦明亮且美觀性佳。又，基板上之金屬配線等導致之光之反射得到抑制，光半導體元件未點亮時美觀性佳。又，根據本發明之光半導體元件密封用片材，藉由將光半導體元件密封，可提供一種基板之表面之抗反射性優異且亮度較高之顯示體。
[顯示體] 本發明之顯示體至少具備基板、配置於上述基板上之複數個光半導體元件、及將上述複數個光半導體元件密封之密封樹脂層。上述顯示體係用以藉由光半導體元件所發出之光而顯示資訊之裝置。
作為上述光半導體元件，例如可例舉藍色發光二極體、綠色發光二極體、紅色發光二極體、紫外線發光二極體等發光二極體(LED)。
於上述基板上，上述複數個光半導體元件配置於1個像素(pixel)內，且上述像素配置有複數個。即，上述複數個光半導體元件於包含複數個光半導體元件之每個像素內各配置有複數個。圖1中示出了於基板上，每個像素內均配置有複數個光半導體元件之光學構件之局部俯視圖。圖1所示之光學構件11中，於基板2上，以近接之方式配置有3個光半導體元件3a～3c，由3個光半導體元件3a～3c形成1個像素(像素3)。又，於基板2上，以近接之方式配置有3個光半導體元件3d～3f，由3個光半導體元件3d～3f形成1個像素(像素3')。而且，於基板2上，按照像素3、像素3'等配置有複數個像素。
本發明之顯示體具有凹凸形狀，該凹凸形狀以最接近之2個光半導體元件間之未配置光半導體元件的區域之基板之表面為凹部，以光半導體元件為凸部，由基板及光半導體元件形成。
上述基板上之上述光半導體元件之高度(基板之表面至光半導體元件之正面側之端部之高度)較佳為500 μm以下。上述高度為500 μm以下時，密封樹脂層對上述凹凸形狀之追隨性更優異。
上述密封樹脂層較佳為與複數個光半導體元件接觸而追隨於上述凹凸形狀。又，上述密封樹脂層較佳為將上述複數個光半導體元件一次性密封。再者，於本說明書中，所謂「將光半導體元件密封」，係指將光半導體元件之至少一部分嵌入密封樹脂層內，或藉由上述密封樹脂層進行追隨而將其被覆。
上述密封樹脂層至少包含著色層及非著色層。於上述密封樹脂層中，上述著色層與上述非著色層可直接積層，亦可隔著其他層而積層。上述密封樹脂層能以上述著色層側成為光半導體元件側之方式將光半導體元件密封，亦能以上述非著色層側成為光半導體元件側之方式將光半導體元件密封。
將上述複數個光半導體元件中之任意一個設為第一光半導體元件。將與上述第一光半導體元件於同一像素內相鄰之光半導體元件設為第二光半導體元件。而且，將通過上述第一光半導體元件之重心，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P A。將通過上述第一光半導體元件之重心與上述第二光半導體元件之重心之中點，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P C。此時，上述垂線P A上之上述著色層之總厚度H A、及上述垂線P C上之上述著色層之總厚度H C滿足下述式(1)： H A＜H C(1)。
上述顯示體中，將上述光半導體元件密封之上述密封樹脂層包含上述著色層，藉此能防止設置於基板上之金屬配線等導致之光之反射。而且，若位於光半導體元件之正面側之著色層之總厚度較小，則會透過光半導體元件所發出之正面方向之更多光。另一方面，若位於第一光半導體元件之重心與第二光半導體元件之重心之中點的著色層之總厚度較大，則未設置光半導體元件之基板上之著色層之厚度較厚，從而金屬配線等導致之光之抗反射性優異。因此，本發明之顯示體藉由滿足上述式(1)，基板之表面之抗反射性優異，且亮度較高。
此處，著色層之總厚度H A為位於垂線P A上之所有著色層之厚度之合計。例如，上述密封樹脂層具有複數層著色層之情形時，上述著色層之總厚度H A為位於垂線P A上之上述複數個著色層之所有厚度之合計。又，著色層之總厚度H C為位於垂線P C上之所有著色層之厚度之合計。例如，上述密封樹脂層具有複數層著色層之情形時，上述著色層之總厚度H C為位於垂線P C上之上述複數個著色層之所有厚度之合計。
再者，於本說明書中，所謂「正面」係指視認顯示體之側，例如於下述圖2中為上方向。
(第一實施方式) 關於本發明之顯示體，使用作為其一實施方式之圖2所示之顯示體進行說明。圖2所示之顯示體1具備基板2、配置於基板2上之複數個光半導體元件3a～3c、將該等光半導體元件3a～3c一次性密封之密封樹脂層4、及貼合於密封樹脂層4之與光半導體元件3a～3c側為相反側之表面之基材部5。圖2係通過光半導體元件3a～3c之重心且相對於基板2而垂直之垂直剖面之放大圖。
光半導體元件3a～3c均藉由支持體31而固定於一個基板2上。顯示體1具有凹凸形狀，該凹凸形狀以2個以上之光半導體元件3a～3c間之未配置光半導體元件的區域之基板2之表面為凹部N，以光半導體元件3a～3c為凸部P，由基板2及光半導體元件3a～3c形成。
圖2中之光半導體元件3a～3c係圖1所示之光半導體元件3a～3c，光半導體元件3a～3c位於同一像素3內。例如，光半導體元件3a為第一光半導體元件，光半導體元件3b為與光半導體元件3a相鄰之第二光半導體元件。
如圖2所示，密封樹脂層4與複數個光半導體元件3a～3c接觸而追隨於上述凹凸形狀，將複數個光半導體元件3a～3c一次性密封。
密封樹脂層4係由非著色層41、著色層42及非著色層43依序直接積層而構成，以非著色層41側成為光半導體元件3a～3c側之方式將光半導體元件3a～3c密封。與光半導體元件3a～3c接觸之非著色層41追隨於上述凹凸形狀，從而於顯示體1中，非著色層41亦具有凹凸形狀。另一方面，著色層42之一面追隨於非著色層41之凹凸形狀，從而具有與非著色層41之凹凸形狀相反之凹凸形狀，另一面則為平面(平坦面)。非著色層43之兩面均為平坦面。再者，非著色層41及非著色層43各自獨立地，可為下述擴散功能層，亦可為非擴散功能層。
非著色層41為擴散功能層之情形時，密封樹脂層4自光半導體元件側依序具備擴散功能層、著色層及非著色層(尤其是非擴散功能層)。該情形時，光半導體元件所發出之側面方向等之光會在入射至著色層之前於擴散功能層中擴散，從而正面亮度進一步提高，又，亮度不均進一步得到抑制。
即，密封樹脂層4自光半導體元件側3a～3c依序具備非著色層41、著色層42及非著色層43。又，密封樹脂層4以非著色層41與光半導體元件3a～3c接觸之方式將光半導體元件3a～3c密封。
圖3中示出了圖2所示之顯示體1之光半導體元件3a及3b間附近之局部放大圖。如圖3所示，顯示體1中，分別以G A表示光半導體元件3a之重心，以G B表示光半導體元件3b之重心。將通過光半導體元件3a之重心G A且相對於基板2之表面之垂線設為垂線P A。將光半導體元件3a之重心G A與光半導體元件3b之重心G B之中點設為C。將通過中點C且相對於基板2之表面之垂線設為垂線P C。將垂線P A上之著色層之總厚度設為H A。將垂線P C上之著色層之總厚度設為H C。此時，顯示體1滿足下述式(1)： H A＜H C(1)。
顯示體1中，將光半導體元件3a～3c密封之密封樹脂層4包含著色層42，藉此能防止設置於基板2上之金屬配線等導致之光之反射。而且，若位於光半導體元件3a之正面側之著色層之總厚度H A較小，則會透過光半導體元件3a所發出之正面方向之更多光。另一方面，若位於光半導體元件3a之重心G A與光半導體元件3b之重心G B之中點C的著色層之總厚度H C較大，則未設置光半導體元件3a及3b之基板2上之著色層之厚度較厚，從而金屬配線等導致之光之抗反射性優異。因此，顯示體1藉由滿足上述式(1)，基板2之表面之抗反射性優異，且亮度較高。
再者，於圖3中，對位於像素內之一端之光半導體元件3a滿足上述式(1)之情形進行了說明，但其實亦可為與該情形一併或取代該情形地，將光半導體元件3b等位於像素內部之光半導體元件設為第一光半導體元件，將光半導體元件3a及/或光半導體元件3c等與像素內部之光半導體元件相鄰之光半導體元件設為第二光半導體元件之情形時，滿足上述式(1)，還可為將光半導體元件3c等位於像素內之另一端之光半導體元件設為第一光半導體元件，將光半導體元件3b等與位於像素內之另一端之光半導體元件相鄰之光半導體元件設為第二光半導體元件之情形時，滿足上述式(1)。
又，就位於同一像素內之所有光半導體元件而言，較佳為各自與相鄰之光半導體元件之關係均滿足上述式(1)。該情形時，例如圖2所示之同一像素內之所有光半導體元件3a～3c所發出之光易於向正面方向透過，從而能更進一步提高顯示體1之正面亮度。而且，能於同一像素內之所有光半導體元件3a～3c間，使基板之表面之抗反射性均優異。
具體地說明，如圖4所示，光半導體元件3a～3c所發出之朝向正面之光F A、F B及F C之透過性優異，正面亮度提高。另一方面，於光半導體元件3a及3b間被基板2之表面反射之反射光R AB、以及於光半導體元件3b及3c間被基板2之表面反射之反射光R BC之透過受著色層42阻礙，藉此基板2之表面之抗反射性優異。
另一方面，圖5中示出了先前之顯示體之一實施方式。圖5所示之顯示體中，自光半導體元件側依序具備非著色層41及著色層42，且H A＝H C。該情形時，半導體元件3a～3c所發出之正面方向之F A、F B及F C經由著色層42而透過，又，於光半導體元件3a～3c間被基板2之表面反射之反射光R AB及R BC經由著色層42而透過。於圖5所示之樣態中，若使著色層42之厚度較厚，則反射光R AB及R BC易被著色層42吸收，另一方面，光半導體元件3a～3c所發出之光F A～F C亦會被著色層42吸收，從而正面亮度降低。又，若使著色層42之厚度較薄，則光半導體元件3a～3c所發出之光F A～F C不易被著色層42吸收，從而正面亮度優異，另一方面，反射光R AB及R BC亦易透過著色層42，從而抗反射性差。相對於此，若為本發明之顯示體，則能使正面亮度之提高及抗反射能力兩者均優異。
如此，本發明之顯示體藉由滿足上述式(1)，光半導體元件所發出之光之正面方向之透過性優異，同時基板之表面之反射光之透過性被抑制得較低，從而基板之表面之抗反射性優異，且正面亮度較高。
光半導體元件之重心由光半導體元件之立體形狀決定。光半導體元件之立體形狀並不特別限定，可例舉立方體或長方體等角柱、角錐台、圓柱、圓錐台、使其等之上部為圓頂型而形成之形狀等。光半導體元件之立體形狀為正角柱狀時之重心係光半導體元件之中心。
再者，顯示體1中，亦可不具備基材部5。又，1個像素內之光半導體元件之數量並不特別限定，亦可不為3個。
(第二實施方式) 本發明之顯示體之另一實施方式(第二實施方式)示於圖6及圖7中。圖7係圖6所示之顯示體1之光半導體元件3a及3b間附近之局部放大圖。圖6所示之顯示體1與圖2同樣地，具備基板2、配置於基板2上之複數個光半導體元件3a～3c、將該等光半導體元件3a～3c一次性密封之密封樹脂層4、及貼合於密封樹脂層4之與光半導體元件3a～3c側為相反側之表面之基材部5。
圖6所示之顯示體1中，密封樹脂層4係由著色層42及非著色層43依序積層而構成，以著色層42側成為光半導體元件3a～3c側之方式，又，以著色層42與光半導體元件3a～3c接觸之方式，將光半導體元件3a～3c密封。
與光半導體元件3a～3c接觸之著色層42追隨於上述凹凸形狀，非著色層43之一面追隨於著色層42之凹凸形狀，從而具有與著色層42之凹凸形狀相反之凹凸形狀，另一面則為平面(平坦面)。再者，非著色層43可為下述擴散功能層，亦可為非擴散功能層。如此，本發明之顯示體亦可不於較著色層靠光半導體元件側具備非著色層。
圖6及圖7所示之顯示體1中，通過光半導體元件3a之重心G A且相對於基板2之表面的垂線P A上之著色層42之總厚度H A亦小於通過光半導體元件3a之重心G A與光半導體元件3b之重心G B之中點C且相對於基板2之表面的垂線P C上之著色層42之總厚度H C。其他與圖2所示之顯示體1相同。
(第三實施方式) 本發明之顯示體之另一實施方式(第三實施方式)示於圖8及圖9中。圖9係圖8所示之顯示體1之光半導體元件3a及3b間附近之局部放大圖。圖8所示之顯示體1與圖2同樣地，具備基板2、配置於基板2上之複數個光半導體元件3a～3c、將該等光半導體元件3a～3c一次性密封之密封樹脂層4、及貼合於密封樹脂層4之與光半導體元件3a～3c側為相反側之表面之基材部5。
圖8所示之顯示體1中，作為密封樹脂層4，由著色層42、非著色層43、著色層44及非著色層45自光半導體元件3a～3c側依序積層而構成，以著色層42側成為光半導體元件3a～3c側之方式，又，以著色層42與光半導體元件3a～3c接觸之方式，將光半導體元件3a～3c密封。
與光半導體元件3a～3c接觸之著色層42追隨於凹凸形狀，從而於顯示體1中，著色層42亦具有凹凸形狀。非著色層43之一面追隨於著色層42之凹凸形狀，從而具有與著色層42之凹凸形狀相反之凹凸形狀，另一面則為平面。與非著色層43相接之著色層44、及與著色層44相接之非著色層45之兩面均為平面。其他與圖2所示之顯示體1相同。
如圖9所示，顯示體1中，密封樹脂層4具有2層著色層，因此垂線P A上之著色層之總厚度H A為位於垂線P A上之著色層42之厚度H A1與著色層44之厚度H A2之合計值。又，垂線P C上之著色層之總厚度H C為位於垂線P C上之著色層42之厚度H C1與著色層44之厚度H C2之合計值。而且，圖9所示之顯示體1中，H A亦小於H C。其他與圖2所示之顯示體1相同。
圖2～9所示之顯示體之剖視圖例如可於使顯示體冷卻後之狀態下，通過複數個光半導體元件之重心且相對於基板面而垂直地進行切斷，藉此使剖面露出而獲得。藉由使顯示體冷卻，能抑制切斷時所產生之熱使密封樹脂層發生熔解或變形。切斷可使用雷射束照射、離子束照射等公知乃至慣用之切斷裝置來進行。又，切斷後，亦可研磨露出之剖面，使變形度更低之剖面露出。冷卻時之溫度可於抑制密封樹脂層之變形程度及顯示體之破裂之範圍內適當設定。
本發明之顯示體未熄滅時之反射色相較佳為滿足L ＊≦50、-10≦a ＊≦10及-10≦b ＊≦10。藉由具有此種構成，顯示體未點亮時之美觀性佳。上述L ＊、a ＊及b ＊係相對於基板自密封樹脂層側測定所得之值，可使用公知乃至慣用之分光測色計來測定。
L ＊較佳為50以下，更佳為35以下。上述L ＊為50以下時，未點亮時之抗反射性更優異，顯示體之美觀性更佳。a ＊較佳為滿足-10≦a ＊≦10，更佳為滿足-5≦a ＊≦5。b ＊較佳為滿足-10≦b ＊≦10，更佳為滿足-5≦b ＊≦5。a ＊及b ＊分別處於上述範圍內時，顯示體之色彩佳，美觀性更佳。
＜密封樹脂層＞ 上述密封樹脂層至少具備上述著色層及上述非著色層。構成上述密封樹脂層之各層(上述著色層及上述非著色層)各自於上述密封樹脂層內，可為單層，亦可為具有相同或不同組成之複數層。包含複數層著色層或非著色層之情形時，上述複數層可接觸而積層，亦可隔離而積層(例如2個著色層隔著1個非著色層而積層)。又，構成上述密封樹脂層之層之總數為包含上述著色層及上述非著色層在內之2層以上，亦可為3層以上。上述層之總數自使顯示體之厚度較薄之觀點而言，例如為10層以下，亦可為5層以下或4層以下。
本發明之顯示體中，上述密封樹脂層較佳為自上述光半導體元件側依序具備上述著色層及上述非著色層。藉由具有此種構成，能防止具有凹凸形狀之著色層表面露出於正面側(與光半導體元件側為相反側)之密封樹脂層表面，又，正面側之密封樹脂層表面易於成為平坦面，從而不易發生外界光之漫反射，未點亮時及點亮時兩種情況下顯示體之美觀性均提高。圖2、3、6～9所示之顯示體1中，密封樹脂層4自光半導體元件3a～3c側依序具備著色層42及非著色層43。
上述密封樹脂層較佳為包含擴散功能層。藉由具有此種構成，能使光半導體元件所發出之光於上述擴散功能層中擴散，從而進一步提高正面亮度，又，能進一步抑制亮度不均。上述擴散功能層較佳為相當於本說明書中之非著色層之層。於圖2、3、6～9中，非著色層41、43、45各自獨立地，可為擴散功能層，亦可為非擴散功能層。
上述密封樹脂層具備上述擴散功能層之情形時，上述密封樹脂層較佳為自上述光半導體元件側依序具備上述擴散功能層、上述著色層及上述非著色層。上述非著色層可為擴散功能層及非擴散功能層中之任一者。藉由具有此種構成，能進一步提高正面亮度，進一步抑制亮度不均，且能使未點亮時及點亮時兩種情況下顯示體之美觀性均進一步提高。
本發明之顯示體中，上述著色層較佳為至少一面(尤其是光半導體元件側之面)具有追隨於上述凹凸形狀之凹凸形狀。該情形時，本發明之顯示體易於滿足上述式(1)。又，上述著色層亦可為正面側之面具有追隨於上述凹凸形狀之凹凸形狀。圖6～9所示之顯示體1中，著色層42之正面側及光半導體元件側之兩面均具有凹凸形狀。圖2及圖3所示之顯示體1中，著色層42僅光半導體元件側之面具有凹凸形狀，正面側之面則為平坦面。
本發明之顯示體中，位於較上述著色層靠正面側之上述非著色層較佳為正面側為平面(平坦面)。該情形時，上述密封樹脂層之表面不易發生外界光之漫反射，未點亮時及點亮時兩種情況下顯示體之美觀性均提高。圖2、3、6～9所示之顯示體1中，非著色層43之正面側為平坦面。
本發明之顯示體中，亦可於較上述著色層靠上述光半導體元件側配置上述非著色層。即，上述密封樹脂層亦可自上述光半導體元件側依序具備上述非著色層及上述著色層。又，於較上述著色層靠上述光半導體元件側配置上述非著色層之情形時，上述非著色層較佳為兩面均具有追隨於上述凹凸形狀之凹凸形狀。若具有此種構成，則上述著色層易於具有凹凸形狀。圖2及圖3所示之顯示體1中，密封樹脂層4自光半導體元件3a～3c側依序具備非著色層41及著色層42，且非著色層41之兩面均具有追隨於上述凹凸形狀之凹凸形狀。
構成上述密封樹脂層之各層(上述著色層及上述非著色層)各自獨立地，可具有黏著性，亦可不具有黏著性。其中較佳為具有黏著性。藉由具有此種構成，上述密封樹脂層能容易地密封光半導體元件，又，各層間之密接性優異，光半導體元件之密封性更優異。尤其，至少與光半導體元件接觸之層具有黏著性為佳。藉由具有此種構成，密封樹脂層之光半導體元件之追隨性及嵌入性優異。其結果，即便光半導體元件造成之階差較高，設計性亦優異。再者，與光半導體元件接觸之層以外之層可不具有黏著性。該情形時，拼貼狀態下鄰接之密封樹脂層彼此之密接性較低，將鄰接之小尺寸之積層體(密封樹脂層將配置於基板上之光半導體元件密封而形成之積層體)彼此拉離時，不易引起密封樹脂層之缺損及鄰接之密封樹脂層之附著。
(著色層) 本發明之顯示體中之著色層係以在顯示體中防止設置於基板上之金屬配線等導致之光之反射為目的之層。上述著色層至少包含著色劑。上述著色層較佳為由樹脂構成之樹脂層。上述著色劑只要能溶解或分散於上述著色層即可，可為染料，亦可為顏料。自少量添加亦可達成低霧度，且如顏料般無沈降性而易於均勻地分佈之觀點而言，較佳為染料。又，自少量添加亦可實現較高之顏色表現性之觀點而言，較佳為顏料。使用顏料作為著色劑之情形時，較佳為導電性低或無導電性者。上述著色劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述著色劑，較佳為黑色系著色劑。作為上述黑色系著色劑，可使用公知乃至慣用之用以呈現黑色之著色劑(顏料、染料等)，例如可例舉碳黑(爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑、燈黑、松煙等)、石墨、氧化銅、二氧化錳、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、蒽醌系著色劑、氮化鋯等。又，亦可使用將呈現黑色以外之顏色之著色劑組合並加以調配，使其作為黑色系著色劑發揮功能之著色劑。
上述著色層中之著色劑之含有比率自對顯示體賦予合適之抗反射能力之觀點而言，相對於著色層之總量100質量%，較佳為0.2質量%以上，更佳為0.4質量%以上。又，上述著色劑之含有比率例如為10質量%以下，較佳為5質量%以下，更佳為3質量%以下。上述含有比率可根據著色劑之種類、顯示體之色調及光透過率等而適當設定。著色劑亦可作為溶解或分散於合適之溶媒而形成之溶液或分散液，添加至組成物。
上述著色層之霧度值(初始霧度值)並不特別限定，自確保正面亮度及顯示體之視認性之觀點而言，較佳為50%以下，更佳為40%以下，進而更佳為30%以下，特佳為20%以下。又，上述著色層之霧度值自高效地降低顯示體之亮度不均之觀點而言，較佳為1%以上，更佳為3%以上，進而更佳為5%以上，特佳為8%以上，亦可為10%以上。上述霧度值係上述顯示體中上述著色層最厚之部分之值。
上述著色層之全光線透過率並不特別限定，自進一步提高顯示體之防止金屬配線等引發之反射之功能、及對比度之觀點而言，較佳為40%以下，更佳為30%以下，進而更佳為25%以下，特佳為20%以下。又，上述著色層之全光線透過率自確保顯示體之亮度之觀點而言，較佳為0.5%以上，更佳為1%以上，進而更佳為1.5%以上，特佳為2%以上，亦可為2.5%以上或3%以上。上述全光線透過率係上述顯示體中上述著色層最厚之部分之值。
上述著色層之霧度值及全光線透過率均為單層之值，可採用由JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法來測定，且可根據種類、厚度、著色劑之種類及調配量等來控制。
(非著色層) 上述非著色層係與上述著色層不同之層，係不以在顯示體中防止設置於基板上之金屬配線等導致之光之反射為目的之層。上述非著色層可為無色層，亦可略微著色。又，上述非著色層例如可為以發揮使光擴散之功能為目的之擴散功能層，亦可為不以發揮使光擴散之功能為目的之非擴散功能層。上述非著色層可透明，亦可不透明。上述非著色層較佳為由樹脂構成之樹脂層。
上述非著色層中之著色劑之含有比率係相對於非著色層之總量100質量%，較佳為未達0.2質量%，更佳為未達0.1質量%，進而更佳為未達0.05質量%，亦可為未達0.01質量%或未達0.005質量%。
上述非著色層之全光線透過率並不特別限定，自確保顯示體之亮度之觀點而言，較佳為40%以上，更佳為60%以上，進而更佳為70%以上，特佳為80%以上。又，上述非著色層之全光線透過率之上限值並不特別限定，可為未達100%，亦可為99.9%以下或99%以下。上述全光線透過率係上述顯示體中上述非著色層最厚之部分之值。
上述非著色層之全光線透過率為單層之值，可採用由JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法來測定，且可根據非著色層之種類及厚度等來控制。
上述擴散功能層係以使光擴散為目的之層。若上述密封樹脂層具有上述擴散功能層，則自光半導體元件發出之光於擴散功能層中擴散，例如自光半導體元件之側面發出之光向顯示體之正面方向釋放，從而顯示體之正面亮度提高，又，亮度不均進一步得到抑制。上述擴散功能層較佳為由樹脂構成之樹脂層。上述擴散功能層較佳為包含光擴散性微粒子，但並不限定。即，上述擴散功能層較佳為包含分散於樹脂層中之光擴散性微粒子。上述光擴散性微粒子可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述光擴散性微粒子係相對於構成擴散功能層之樹脂具有合適之折射率差，會對擴散功能層賦予擴散性能者。作為光擴散性微粒子，可例舉無機微粒子、高分子微粒子等。作為無機微粒子之材質，例如可例舉氧化矽、碳酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、黏土、滑石、金屬氧化物等。作為高分子微粒子之材質，例如可例舉矽酮樹脂、丙烯酸系樹脂(例如，包括聚甲基丙烯酸甲酯等聚甲基丙烯酸酯樹脂)、聚苯乙烯樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚乙烯樹脂、環氧樹脂等。
作為上述高分子微粒子，較佳為由矽酮樹脂構成之微粒子。又，作為上述無機微粒子，較佳為由金屬氧化物構成之微粒子。作為上述金屬氧化物，較佳為氧化鈦、鈦酸鋇，更佳為氧化鈦。藉由具有此種構成，上述擴散功能層之光擴散性更優異，亮度不均進一步得到抑制。
上述光擴散性微粒子之形狀並不特別限定，例如可為正球狀、扁平狀、不定形狀。
上述光擴散性微粒子之平均粒徑自賦予合適之光擴散性能之觀點而言，較佳為0.1 μm以上，更佳為0.15 μm以上，進而更佳為0.2 μm以上，特佳為0.25 μm以上。又，上述光擴散性微粒子之平均粒徑自防止霧度值過高，以顯示高精細之圖像之觀點而言，較佳為12 μm以下，更佳為10 μm以下，進而更佳為8 μm以下。平均粒徑例如可使用庫爾特(Coulter)計數器來測定。
上述光擴散性微粒子之折射率較佳為1.2～5，更佳為1.25～4.5，進而更佳為1.3～4，特佳為1.35～3。
上述光擴散性微粒子與構成擴散功能層之樹脂(擴散功能層中除了光擴散性微粒子以外之樹脂層)之折射率差之絕對值自更高效地降低顯示體之亮度不均之觀點而言，較佳為0.001以上，更佳為0.01以上，進而更佳為0.02以上，特佳為0.03以上，亦可為0.04以上或0.05以上。又，光擴散性微粒子與樹脂之折射率差之絕對值自防止霧度值過高，以顯示高精細之圖像之觀點而言，較佳為5以下，更佳為4以下，進而更佳為3以下。
上述擴散功能層中之上述光擴散性微粒子之含量自對密封樹脂層賦予合適之光擴散性能之觀點而言，相對於構成擴散功能層之樹脂100質量份，較佳為0.01質量份以上，更佳為0.05質量份以上，進而更佳為0.1質量份以上，特佳為0.15質量份以上。又，光擴散性微粒子之含量自防止霧度值過高，以顯示高精細之圖像之觀點而言，相對於構成擴散功能層之樹脂100質量份，較佳為80質量份以下，更佳為70質量份以下。
上述擴散功能層之霧度值(初始霧度值)並不特別限定，自高效地降低亮度不均之觀點而言，較佳為30%以上，更佳為40%以上，進而更佳為50%以上，特佳為60%以上，亦可為70%以上、80%以上、90%以上、95%以上、97%以上，進而，其為99.9%左右時，亮度不均改善效果更優異，故以為佳。再者，上述擴散功能層之霧度值之上限並不特別限定，即亦可為100%。上述霧度值係上述顯示體中上述擴散功能層最厚之部分之值。
上述擴散功能層之全光線透過率並不特別限定，自確保亮度之觀點而言，較佳為40%以上，更佳為60%以上，進而更佳為70%以上，特佳為80%以上。又，上述擴散功能層之全光線透過率之上限值並不特別限定，可為未達100%，亦可為99.9%以下或99%以下。上述全光線透過率係上述顯示體中上述擴散功能層最厚之部分之值。
上述擴散功能層之霧度值及全光線透過率均為單層之值，可採用由JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法來測定，且可根據擴散功能層之種類及厚度、光擴散性微粒子之種類及調配量等來控制。
上述非擴散功能層之霧度值(初始霧度值)並不特別限定，自使顯示體之亮度優異之觀點而言，較佳為未達30%，更佳為10%以下，進而更佳為5%以下，特佳為1%以下，亦可為0.5%以下。再者，上述非擴散功能層之霧度值之下限並不特別限定。上述霧度值係上述顯示體中上述非擴散功能層最厚之部分之值。
上述非擴散功能層之全光線透過率並不特別限定，自確保顯示體之亮度之觀點而言，較佳為60%以上，更佳為70%以上，進而更佳為80%以上，特佳為90%以上。又，上述非擴散功能層之全光線透過率之上限值並不特別限定，可為未達100%，亦可為99.9%以下或99%以下。上述全光線透過率係上述顯示體中上述非擴散功能層最厚之部分之值。
上述非擴散功能層之霧度值及全光線透過率均為單層之值，可採用由JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法來測定，且可根據非擴散功能層之種類及厚度等來控制。
上述非擴散功能層中之著色劑及/或光擴散性微粒子之含量自使顯示體之亮度優異之觀點而言，相對於構成非擴散功能層之樹脂100質量份，較佳為未達0.01質量份，更佳為未達0.005質量份。
(樹脂層) 上述著色層及上述非著色層為上述樹脂層之情形時，作為構成上述樹脂層之樹脂，可例舉公知乃至慣用之樹脂，例如可例舉丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、環氧系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、矽酮樹脂、矽酮丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚系樹脂(聚乙烯醚等)、聚醯胺系樹脂、氟系樹脂、乙酸乙烯酯/氯化乙烯酯共聚物、改性聚烯烴等。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。構成上述密封樹脂層之各層之樹脂可彼此相同，亦可互不相同。
上述樹脂層為具有黏著性之層(黏著層)之情形時，作為上述樹脂，可使用公知乃至慣用之感壓型黏著劑。作為上述黏著劑，例如可例舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑(天然橡膠系、合成橡膠系、其等之混合系等)、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚醚系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、氟系黏著劑等。上述黏著劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述樹脂層之上述各層中，亦可於無損本發明之效果之範圍內，包含上述各成分以外之其他成分。作為上述其他成分，可例舉硬化劑、交聯促進劑、黏著賦予樹脂(松脂衍生物、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性酚等)、低聚物、抗老化劑、填充劑(金屬粉、有機填充劑、無機填充劑等)、抗氧化劑、可塑劑、軟化劑、界面活性劑、防靜電劑、表面潤滑劑、調平劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、阻聚劑、粒狀物、箔狀物等。上述其他成分均既可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述密封樹脂層之積層構造，可例舉[著色層/擴散功能層]、[著色層/非擴散功能層]、[著色層/擴散功能層/非擴散功能層]、[非擴散功能層/著色層]、[擴散功能層/著色層]、[擴散功能層/著色層/非擴散功能層]、[非擴散功能層/著色層/擴散功能層]、[擴散功能層/著色層/擴散功能層]、[非擴散功能層/著色層/非擴散功能層]、[非擴散功能層/擴散功能層/著色層]、[擴散功能層/非擴散功能層/著色層]、[擴散功能層/擴散功能層/著色層]、[擴散功能層/著色層/著色層]、[著色層/擴散功能層/著色層/非擴散功能層](以上皆為自光半導體元件側依序積層)等。
＜基材部＞ 本發明之顯示體可具備基材部，亦可不具備基材部。上述基材部若在上述顯示體中配置於密封樹脂層之正面側，則能使密封樹脂層表面成為平坦面，從而不易發生光之漫反射，未點亮時及點亮時兩種情況下顯示體之美觀性均提高。又，藉由於上述基材部形成下述防眩層或抗反射層，能對顯示體賦予防眩性或抗反射性。又，其於下述光半導體元件密封用片材中會成為密封用樹脂層之支持體，因此藉由具備上述基材部，光半導體元件密封用片材之處理性優異。
上述基材部可為單層，亦可為相同之複數層、或組成、厚度等不同之複數層。上述基材部為複數層之情形時，各層亦可藉由黏著劑層等其他層而貼合。再者，基材部中使用之基材層係與密封樹脂層一併貼附於具備光半導體元件之基板之部分，於光半導體元件密封用片材之使用時(貼附時)會被剝離之剝離襯墊、只是保護基材部表面之表面保護膜並不包含於「基材部」。
作為構成上述基材部之基材層，例如可例舉玻璃、塑料基材(尤其是塑料膜)等。作為構成上述塑料基材之樹脂，例如可例舉低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯共聚物、環狀烯烴系聚合物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚氨酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺系樹脂；聚醚酮；聚醚醯亞胺；芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；三乙醯纖維素(TAC)等纖維素樹脂；矽酮樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系樹脂；聚碸；聚芳酯；聚乙酸乙烯酯等。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。上述基材層亦可為抗反射(AR)膜、偏光板、相位差板等各種光學膜。
上述塑料膜之厚度較佳為20～300 μm，更佳為40～250 μm。上述厚度為20 μm以上時，光半導體元件密封用片材之支持性及處理性進一步提高。上述厚度為250 μm以下時，能使顯示體更薄。
上述基材部之具備上述密封樹脂層之側之表面為了提高與密封樹脂層之密接性、保持性等，亦可施以例如電暈放電處理、電漿處理、磨砂加工處理、臭氧暴露處理、火炎暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理等物理處理；鉻酸處理等化學處理；藉由塗佈劑(底塗劑)而實現之易接著處理等表面處理。用以提高密接性之表面處理較佳為對基材部之密封樹脂層側之整個表面實施。
上述基材部之厚度自作為支持體之功能及表面之耐擦傷性優異之觀點而言，較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上。上述基材部之厚度自透明性更優異之觀點而言，較佳為300 μm以下，更佳為250 μm以下。
＜顯示體＞ 上述顯示體亦可包含具有防眩性及/或抗反射性之層。藉由具有此種構成，能抑制上述顯示體之光澤及光之反射，使美觀性更佳。作為具有上述防眩性之層，可例舉防眩處理層。作為具有上述抗反射性之層，可例舉抗反射處理層。防眩處理及抗反射處理均可採用公知乃至慣用之方法來實施。具有上述防眩性之層與具有上述抗反射性之層可為同一層，亦可互為不同之層。具有上述防眩性及/或抗反射性之層可僅包含一層，亦可包含兩層以上。
上述密封樹脂層、或以上述密封樹脂層及上述基材部為兩端面之積層體之霧度值(初始霧度值)並不特別限定，自亮度不均之抑制效果及設計性更優異之觀點而言，較佳為80%以上，更佳為85%以上，進而更佳為90%以上，特佳為95%以上。再者，上述霧度值之上限並不特別限定。
上述密封樹脂層、或以上述密封樹脂層及上述基材部為兩端面之積層體之全光線透過率並不特別限定，自進一步提高防止金屬配線等引發之反射之功能、及對比度之觀點而言，較佳為40%以下，更佳為30%以下，進而更佳為20%以下。又，上述全光線透過率自確保亮度之觀點而言，較佳為0.5%以上。
上述霧度值及全光線透過率均可採用由JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法來測定，且可根據構成上述密封樹脂層及上述基材部之各層之積層順序、種類、厚度等來控制。
上述密封樹脂層、或以上述密封樹脂層及上述基材部為兩端面之積層體之厚度自提高防止金屬配線等引發之反射之功能、及對比度，且更高效地降低色移之觀點而言，較佳為10～600 μm，更佳為20～550 μm，進而更佳為30～500 μm，再進而更佳為40～450 μm，特佳為50～400 μm。再者，剝離襯墊不包含於上述厚度。
又，本發明之顯示體較佳為具備自發光型顯示裝置。又，藉由將上述自發光型顯示裝置視需要地與顯示面板組合，能形成作為圖像顯示裝置之顯示體。此時，光半導體元件為LED元件。作為上述自發光型顯示裝置，可例舉LED顯示器、背光器或有機電致發光(有機EL)顯示裝置等。上述背光器尤以整面直下式背光器為佳。上述背光器例如包含具備上述基板、及配置於該基板上之複數個光半導體元件之積層體作為構成構件之至少一部分。例如，上述自發光型顯示裝置中，於上述基板上積層有用以向各LED元件傳送發光控制信號之金屬配線層。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)各色之光之各LED元件隔著金屬配線層交替地排列於基板上。金屬配線層由銅等金屬形成，調整各LED元件之發光程度而使各色顯示。
本發明之顯示體亦可為彎曲而使用之顯示體，例如可彎曲之圖像顯示裝置(撓性顯示器)(尤其是可摺疊之圖像顯示裝置(可摺疊顯示器))。具體可例舉具備可摺疊之背光器之顯示體、具備可摺疊之自發光型顯示裝置之顯示體等。
本發明之顯示體中，上述密封樹脂層之光半導體元件之追隨性及嵌入性優異，因此上述光半導體元件亦可為迷你LED元件或微型LED元件。
根據本發明之顯示體，基板之表面之抗反射性優異，且亮度較高。因此，上述顯示體即便不提高消耗電力，亦明亮且美觀性佳。又，基板上之金屬配線等導致之光之反射得到抑制，光半導體元件未點亮時美觀性佳。
[顯示體之製造方法] 本發明之顯示體可藉由如下操作而製造，即：使具備密封用樹脂層之光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板，藉由密封用樹脂層將光半導體元件密封。
(光半導體元件密封用片材) 上述光半導體元件密封用片材係用以將配置於基板上之複數個光半導體元件密封之片材。上述光半導體元件密封用片材至少具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層。上述光半導體元件密封用片材係於藉由上述密封用樹脂層將上述複數個光半導體元件密封而形成密封樹脂層後，可滿足上述式(1)之片材。根據本發明之光半導體元件密封用片材，藉由將光半導體元件密封，可提供一種基板之表面之抗反射性優異且亮度較高之顯示體。
上述光半導體元件密封用片材至少具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層。上述密封用樹脂層係可形成本發明之顯示體中之上述密封樹脂層之層。具體而言，上述密封用樹脂層中之上述著色層係可形成本發明之顯示體中之上述著色層之層，上述密封用樹脂層中之上述非著色層係可形成本發明之顯示體中之上述非著色層之層。具體而言，上述密封用樹脂層中之上述著色層可為組成(構成成分及其等之調配比率)、物性(霧度、全光線透過率等)與本發明之顯示體中之上述著色層相同之層，亦可為會藉由硬化而成為本發明之顯示體中之上述著色層之層。又，上述密封用樹脂層中之上述非著色層可為組成(構成成分及其等之調配比率)、物性(霧度、全光線透過率等)與本發明之顯示體中之上述非著色層相同之層，亦可為會藉由硬化而成為本發明之顯示體中之上述非著色層之層。
上述密封用樹脂層可根據本發明之顯示體中之密封樹脂層之構造而適當設計。例如，本發明之顯示體包含上述擴散功能層之情形時，上述光半導體元件密封用片材中之上述密封用樹脂層包含擴散功能層。上述密封用樹脂層中之上述擴散功能層可為組成(構成成分及其等之調配比率)、物性(霧度、全光線透過率等)與本發明之顯示體中之上述擴散功能層相同之層，亦可為會藉由硬化而成為本發明之顯示體中之上述擴散功能層之層。又，上述密封用樹脂層較佳為依序具備上述擴散功能層、上述著色層及上述非著色層。再者，擴散功能層係相當於上述著色層及上述非著色層中之一者之層。
構成上述密封用樹脂層之各層(上述著色層及上述非著色層)各自獨立地，可具有黏著性及/或接著性，亦可不具有黏著性及/或接著性。其中較佳為具有黏著性及/或接著性。藉由具有此種構成，上述密封用樹脂層能容易地貼合於基板及光半導體元件，又，各層間之密接性優異，光半導體元件之密封性更優異。尤其，至少與光半導體元件接觸之層具有黏著性及/或接著性為佳。藉由具有此種構成，密封用樹脂層之光半導體元件之追隨性及嵌入性優異。其結果，即便光半導體元件造成之階差較高，設計性亦優異。
構成上述密封用樹脂層之各層(上述著色層及上述非著色層)各自獨立地，可為具有藉由放射線照射而硬化之性質之樹脂層(放射線硬化性樹脂層)，亦可為不具有藉由放射線照射而硬化之性質之樹脂層(放射線非硬化性樹脂層)。作為上述放射線，例如可例舉電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線或X射線等。上述著色層為放射線硬化性樹脂層之情形時，上述著色層中所能包含之上述著色劑較佳為吸收可見光，且具有可使上述放射線硬化性樹脂層硬化之波長之光之透過性者。
上述光半導體元件密封用片材亦可具備上述基材部。具備上述基材部之情形時，上述密封用樹脂層可配置於基材部之至少一面。上述密封用樹脂層之與上述基材部接觸之面係和上述密封用樹脂層與光半導體元件相接之側為相反側之面。上述光半導體元件密封用片材具備上述基材部之情形時，上述光半導體元件密封用片材會與上述基材部一併貼合於光半導體元件及基板，從而上述光半導體元件密封用片材中之基材部成為本發明之顯示體中之基材部。
又，上述密封用樹脂層亦可形成於剝離襯墊上之剝離處理面。上述光半導體元件密封用片材形成於上述剝離襯墊之情形時，上述剝離襯墊中，上述密封用樹脂層之與光半導體元件相接之側成為與剝離襯墊接觸之側。不具有上述基材部之情形時，上述密封用樹脂層之兩面可均為與剝離襯墊接觸之側。剝離襯墊可用作上述光半導體元件密封用片材之保護材，將光半導體元件密封時會被剝離。再者，基材部及剝離襯墊亦可不必設置。
上述剝離襯墊係用於將上述光半導體元件密封用片材表面被覆而加以保護之要素，使光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板時會被自該片材剝離。
作為上述剝離襯墊，例如可例舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、藉由氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑加以表面塗佈後之塑料膜、紙類等。
上述剝離襯墊之厚度例如為10～200 μm，較佳為15～150 μm，更佳為20～100 μm。上述厚度為10 μm以上時，剝離襯墊加工時不易因切入而破斷。上述厚度為200 μm以下時，使用時更易自上述光半導體元件密封用片材將剝離襯墊剝離。
使用圖10，對上述光半導體元件密封用片材之一實施方式進行說明。圖10係可形成圖2所示之顯示體之上述光半導體元件密封用片材之剖視圖。如圖10所示，光半導體元件密封用片材10可用以將配置於基板上之1個以上之光半導體元件密封，具備基材部5及形成於基材部5上之密封用樹脂層7。密封用樹脂層7由非著色層71、著色層72、及非著色層73之積層體形成。非著色層71、著色層72及非著色層73均具有黏著性，彼此直接積層。於密封用樹脂層7之非著色層71之表面貼附有剝離襯墊6，於非著色層73之表面貼附有基材部5。
(密封步驟) 使用上述光半導體元件密封用片材製造本發明之顯示體之方法中包含密封步驟，該密封步驟係使上述光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板，藉由密封用樹脂層將光半導體元件密封。於上述密封步驟中，具體而言，首先，自上述光半導體元件密封用片材將剝離襯墊剝離，使密封用樹脂層露出。然後，使上述光半導體元件密封用片材之露出面即密封用樹脂層面貼合於具備基板、及配置於上述基板上之光半導體元件(較佳為複數個光半導體元件)之積層體(光學構件等)之配置有光半導體元件之基板面，上述積層體具備複數個光半導體元件之情形時，進而以上述密封用樹脂層填充複數個光半導體元件間之間隙之方式進行配置，將複數個光半導體元件一次性密封。具體而言，如圖11所示，將剝離襯墊6已被剝離之光半導體元件密封用片材10之非著色層71以與基板2之配置有光半導體元件3a～3c之面對向之方式配置，使光半導體元件密封用片材10貼合於基板2之配置有光半導體元件3a～3c之面，將光半導體元件3a～3c嵌入密封用樹脂層7中。
上述貼合時之溫度例如處於室溫至110℃之範圍內。又，上述貼合時，亦可減壓或加壓。藉由減壓或加壓能抑制密封用樹脂層與基板或光半導體元件之間形成空隙。又，上述密封步驟中，較佳為先於減壓下使光半導體元件密封用片材貼合，其後再加壓。減壓時之壓力例如為1～100 Pa，減壓時間例如為5～600秒。又，加壓時之壓力例如為0.05～0.5M Pa，加壓時間例如為5～600秒。
藉由適當設定上述密封用樹脂層中之著色層之厚度、貼合時之溫度及壓力等，能調整所得之顯示體中之著色層對光半導體元件之追隨性、及上述凹凸形狀中之凹部及凸部之各區域之著色層之厚度。藉此，能成為所得之顯示體滿足上述式(1)之形態。
(放射線照射步驟) 上述密封用樹脂層具備放射線硬化性樹脂層之情形時，上述製造方法亦可進而包含放射線照射步驟，該放射線照射步驟係對具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及將上述光半導體元件密封之上述光半導體元件密封用片材之積層體照射放射線，使上述放射線硬化性樹脂層硬化，而形成硬化物層。作為上述放射線，如上所述，可例舉電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、X射線等。其中較佳為紫外線。放射線照射時之溫度例如處於室溫至100℃之範圍內，照射時間例如為1分鐘～1小時。
(切割步驟) 上述製造方法亦可進而包含切割步驟，該切割步驟係切割具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及將上述光半導體元件密封之上述光半導體元件密封用片材之積層體。關於上述積層體，亦可對已經歷過上述放射線照射步驟之積層體施行上述切割步驟。上述積層體具備藉由上述放射線照射使放射線硬化性樹脂層硬化所得之硬化物層之情形時，於上述切割步驟中，會切割光半導體元件密封用片材之硬化物層及基板之側端部而將其等去除。藉此，能使充分硬化，黏著性降低得較低之硬化物層之面露出於側面。上述切割可採用公知乃至慣用之方法來進行，例如可藉由使用切割刀之方法、或雷射照射來進行。
(拼貼步驟) 上述製造方法亦可進而包含拼貼步驟，該拼貼步驟係將上述切割步驟中所得之複數個顯示體沿著平面方向以接觸之方式排列。於上述拼貼步驟中，將上述切割步驟中所得之複數個積層體沿著平面方向以接觸之方式排列而進行拼貼。如此，能製造出1個較大之顯示體。
如上所述地操作，能製造出本發明之顯示體。光半導體元件密封用片材10中，密封用樹脂層7不具有放射線硬化性樹脂層之情形時，密封用樹脂層7會成為顯示體1中之密封樹脂層4。另一方面，光半導體元件密封用片材10中，密封用樹脂層7具有放射線硬化性樹脂層之情形時，例如非著色層73為放射線硬化性樹脂層之情形時，藉由使非著色層73硬化，會形成非著色層43，從而其成為密封樹脂層4。
1:顯示體 2:基板 3,3':像素 3a～3f:光半導體元件 4:密封樹脂層 5:基材部 6:剝離襯墊 7:密封用樹脂層 10:光半導體元件密封用片材 11:光學構件 31:支持體 41:非著色層 42:著色層 43:非著色層 44:著色層 45:非著色層 71:非著色層 72:著色層 73:非著色層 C:中點 F A,F B,F C:光 G A,G B:重心 H A,H C:總厚度 H A1,H A2,H C1,H C2:厚度 N:凹部 P:凸部 P A,P C:垂線 R AB,R BC:反射光
圖1係於基板上以像素為單位配置有複數個光半導體元件之光學構件之局部俯視圖。 圖2係表示本發明之顯示體之一實施方式之局部剖視圖。 圖3係圖2所示之顯示體之局部放大圖。 圖4係表示圖2所示之顯示體之光半導體元件發光的情況之局部剖視圖。 圖5係表示先前之顯示體之光半導體元件發光的情況之局部剖視圖。 圖6係表示本發明之顯示體之另一實施方式之局部剖視圖。 圖7係圖6所示之顯示體之局部放大圖。 圖8係表示本發明之顯示體之進而另一實施方式之局部剖視圖。 圖9係圖8所示之顯示體之局部放大圖。 圖10係表示本發明之光半導體元件密封用片材之一實施方式之剖視圖。 圖11係表示使用圖10所示之光半導體元件密封用片材將光半導體元件密封之步驟之局部剖視圖。
1:顯示體
2:基板
3a,3b,3c:光半導體元件
4:密封樹脂層
5:基材部
31:支持體
41:非著色層
42:著色層
43:非著色層
N:凹部
P:凸部

Claims (8)

  1. 一種顯示體，其具備基板、配置於上述基板上之複數個光半導體元件、及將上述複數個光半導體元件密封之密封樹脂層，且 上述密封樹脂層包含著色層及非著色層， 將通過第一光半導體元件之重心，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P A， 將通過上述第一光半導體元件之重心和與上述第一光半導體元件於同一像素內相鄰之第二光半導體元件之重心之中點，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P C時， 上述垂線P A上之上述著色層之總厚度H A、及上述垂線P C上之上述著色層之總厚度H C滿足下述式(1)： H A＜H C(1)。
  2. 如請求項1之顯示體，其中上述基板上之上述光半導體元件之高度為500 μm以下。
  3. 如請求項1之顯示體，其中未點亮時之反射色相滿足L ＊≦50、-10≦a ＊≦10及-10≦b ＊≦10。
  4. 如請求項1之顯示體，其中上述著色層具有黏著性。
  5. 如請求項1至4中任一項之顯示體，其具備自發光型顯示裝置。
  6. 如請求項1至4中任一項之顯示體，其為圖像顯示裝置。
  7. 一種光半導體元件密封用片材，其係用以將配置於基板上之複數個光半導體元件密封之片材，且 上述片材具備包含著色層及非著色層之密封用樹脂層， 藉由上述密封用樹脂層將上述複數個光半導體元件密封而形成密封樹脂層後， 將通過第一光半導體元件之重心，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P A， 將通過上述第一光半導體元件之重心和與上述第一光半導體元件於同一像素內相鄰之第二光半導體元件之重心之中點，且相對於上述基板表面之垂線設為垂線P C時， 上述垂線P A上之上述著色層之總厚度H A、及上述垂線P C上之上述著色層之總厚度H C可滿足下述式(1)： H A＜H C(1)。
  8. 如請求項7之光半導體元件密封用片材，其中上述著色層具有黏著性。
TW112110666A 2022-03-25 2023-03-22 顯示體及光半導體元件密封用片材 TW202405774A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-049422 2022-03-25
JP2022049422A JP2023142482A (ja) 2022-03-25 2022-03-25 表示体および光半導体素子封止用シート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202405774A true TW202405774A (zh) 2024-02-01

Family

ID=88078937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112110666A TW202405774A (zh) 2022-03-25 2023-03-22 顯示體及光半導體元件密封用片材

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023142482A (zh)
KR (1) KR20230140507A (zh)
CN (1) CN116805641A (zh)
TW (1) TW202405774A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6906560B2 (ja) 2019-04-03 2021-07-21 リンテック株式会社 粘着シートおよび表示体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023142482A (ja) 2023-10-05
KR20230140507A (ko) 2023-10-06
CN116805641A (zh) 2023-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201606336A (zh) 波長轉換片用保護膜、波長轉換片及背光單元
JP2012525685A (ja) 充填された間隙を有するタイル状エレクトロルミネッセンスデバイス
CN104459845A (zh) 一种量子点光扩散膜
WO2016159366A1 (ja) 量子ドット保護フィルム並びにこれを用いて得られる波長変換シート及びバックライトユニット
US20170184950A1 (en) Projection system and screen thereof
JP6862814B2 (ja) 量子ドットシートを有するバックライト、及び該バックライトを備えた液晶表示装置
KR101087026B1 (ko) 광학용 복합 필름
TW202405774A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
TW202347756A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
TW202404131A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
TW202345420A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
TW202347831A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
TW202407400A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
TW202345382A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
KR20230140503A (ko) 표시체 및 광반도체 소자 밀봉용 시트
TW202410496A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
TW202410494A (zh) 顯示體及光半導體元件密封用片材
KR20230140502A (ko) 표시체 및 광반도체 소자 밀봉용 시트
TWI676302B (zh) 發光二極體面光源結構
JP2016201323A (ja) 発光装置および表示装置
JP2023022676A (ja) 光学積層体
TW202347832A (zh) 光半導體元件密封用片材及顯示體