TW202410496A - 顯示體及光半導體元件密封用片材 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種不易發生亮度不均且亮度較高之顯示體。
本發明之顯示體1具備基板2、配置於基板2上之複數個光半導體元件3a~3c、及將複數個光半導體元件3a~3c密封之密封樹脂層4。密封樹脂層4包含擴散功能層41及非擴散功能層42。將自基板2表面至光半導體元件3a之重心G
A之正面側之端部T
A之距離設為L
A,將自基板2表面、至通過光半導體元件3a之重心G
A與於同一像素3內與光半導體元件3a相鄰之光半導體元件3b之重心G
B之中點C的相對於基板2表面之垂線P
C上的擴散功能層41之正面側之端部T
C的距離設為L
C,將自通過端部T
A之相對於基板2表面之垂線P
A至通過端部T
C之相對於基板2表面之垂線P
C之距離設為L
A-C,將自端部T
A至垂線P
C之仰角之角度設為θ°,此時,L
A、L
C、L
A-C及θ滿足下述式(1)。
L
C≦L
A+L
A-Ctanθ (1)
Description
本發明係關於一種顯示體及光半導體元件密封用片材。更詳細而言,本發明係關於一種將例如自發光型顯示裝置之光半導體元件密封而成之顯示體、及適合用於密封光半導體元件之片材。
近年來,設計出以次毫米/微型LED顯示裝置(Mini/Micro Light Emitting Diode Display)為代表之自發光型顯示裝置,作為下一代顯示裝置。次毫米/微型LED顯示裝置之基本構成如下:高密度地排列有大量微小之光半導體元件(LED晶片)之基板用作顯示面板,該光半導體元件藉由密封材料密封,最表層積層有樹脂膜或玻璃板等覆蓋構件。
於具備次毫米/微型LED顯示裝置等自發光型顯示裝置之顯示體中,顯示面板之基板上配置有金屬或ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)等金屬氧化物之配線(金屬配線)。此種顯示裝置存在以下問題,例如熄滅時因上述金屬配線等光發生反射,屏幕之外觀不佳,設計性較差。由此,採用使用用於防止由金屬配線所引起之反射之防反射層作為密封光半導體元件之密封材料的技術。
又,於使用自發光型顯示裝置之顯示器中,存在由於光半導體元件之光源而產生明度不均(亮度不均)之問題。若產生亮度不均,則會產生稱為「色移」之現象,即於自顯示器之正面觀看之情形時與自傾斜視野觀看之情形時,色調發生變化。
專利文獻1中,揭示一種可抑制亮度不均之黏著片材,該黏著片材係著色黏著劑層與無色黏著劑層之積層體,以無色黏著劑層與光半導體元件接觸之方式配置。據記載,根據上述黏著片材,於與由基板及設置於該基板之光半導體元件所形成之凹凸形狀接觸吻合之情形時,無色黏著劑層與凹凸接觸,藉由無色黏著劑層,凹凸被一定程度地吸收,由此著色黏著劑層之壓縮或變形受到抑制,藉此可抑制黏著劑層中之透過率之不均,抑制亮度不均。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-169262號公報
[發明所欲解決之問題]
然而,具備著色黏著劑層之黏著片材雖可期待於密封光半導體元件時防止由金屬配線所引起之反射、抑制亮度不均之效果,但會阻礙光半導體元件發出之光向正面傾斜方向之透過,結果,存在顯示體之正面亮度降低之問題。若正面亮度降低,則為了提高亮度,消耗電力增加。由此,要求一種不易發生亮度不均且亮度較高之顯示體。
本發明係基於此種狀況而想出,其目的在於提供一種不易發生亮度不均且亮度較高之顯示體。又,本發明之另一目的在於提供一種半導體元件密封用片材,該半導體元件密封用片材藉由將光半導體元件密封,可製作不易發生亮度不均且亮度較高之顯示體。
[解決問題之技術手段]
本發明人等為了達到上述目的而進行銳意研究,結果,發現具有以下構造之顯示體不易發生亮度不均且亮度較高,該構造係於藉由包含擴散功能層及非擴散功能層之密封樹脂層將配置於基板上之複數個光半導體元件密封之狀態下,最接近之2個光半導體元件間之中央部的擴散功能層之正面側之端部之高度相對於光半導體元件之正面側之端部之高度為一定高度以下。本發明係基於該等見解而完成。
即,本發明提供一種顯示體,其具備基板、配置於上述基板上之複數個光半導體元件、及將上述複數個光半導體元件密封之密封樹脂層,
上述密封樹脂層包含擴散功能層及非擴散功能層,
將自上述基板表面至第一光半導體元件之重心之正面側之端部T
A之距離設為L
A,
將自上述基板表面、至通過上述第一光半導體元件之重心與於同一像素內與上述第一光半導體元件相鄰之第二光半導體元件之重心之中點的相對於上述基板表面之垂線上的上述擴散功能層之正面側之端部T
C的距離設為L
C,
將自通過上述端部T
A之相對於上述基板之垂線至通過上述端部T
C之相對於上述基板之垂線之距離設為L
A-C,
將自上述端部T
A至通過上述端部T
C之相對於上述基板之垂線的仰角之角度設為θ°,此時,L
A、L
C、L
A-C及θ滿足下述式(1)。
L
C≦L
A+L
A-Ctanθ (1)
於上述顯示體中,藉由使密封上述光半導體元件之上述密封樹脂層包含上述擴散功能層,可使光半導體元件發出之光於上述擴散功能層中擴散,進一步提高正面亮度,且可進一步抑制亮度不均。繼而,最接近之光半導體元件間之中央部的擴散功能層之正面側之端部之高度即距離L
C由於為較光半導體元件之重心之正面側之端部之高度即距離L
A高L
A-Ctanθ之位置以下,故根據光半導體元件間之距離而非常低,上述擴散功能層可使光半導體元件發出之光充分擴散,例如不僅可使自正面發出之光充分擴散,亦可使自側面發出之光充分擴散,可於非常寬之視野內透過光,可抑制亮度不均,且可提高顯示體之正面亮度。
上述基板上之上述光半導體元件之高度較佳為500 μm以下。若上述高度為500 μm以下,則密封樹脂層與由光半導體元件及基板表面所形成之凹凸形狀之吻合性更優異。
上述擴散功能層較佳為具有黏著性。藉由具有此種構成,上述密封樹脂層可容易地將光半導體元件密封,又,各層間之密接性優異,光半導體元件之密封性更優異。
上述顯示體較佳為具備自發光型顯示裝置。
上述顯示體較佳為圖像顯示裝置。
又,本發明提供一種光半導體元件密封用片材,其係用於將配置於基板上之複數個光半導體元件密封之片材,
上述片材具備包含擴散功能層及非擴散功能層之密封用樹脂層,
於藉由上述密封用樹脂層將上述複數個光半導體元件密封而形成密封樹脂層時,
將自上述基板表面至第一光半導體元件之重心之正面側之端部T
A之距離設為L
A,
將自上述基板表面、至通過上述第一光半導體元件之重心與於同一像素內與上述第一光半導體元件相鄰之第二光半導體元件之重心之中點的相對於上述基板表面之垂線上的上述擴散功能層之正面側之端部T
C的距離設為L
C,
將自通過上述端部T
A之相對於上述基板之垂線至通過上述端部T
C之相對於上述基板之垂線之距離設為L
A-C,
將自上述端部T
A至通過上述端部T
C之相對於上述基板之垂線的仰角之角度設為θ°,此時,L
A、L
C、L
A-C及θ可滿足下述式(1)。
L
C≦L
A+L
A-Ctanθ (1)
上述擴散功能層較佳為具有黏著性。
[發明之效果]
根據本發明之顯示體,不易發生由光半導體元件發出之光所引起之亮度不均,且亮度較高。由此,上述顯示體不易發生色移,可自較寬之視野以相同色調視認出顯示體。又,即便不提高消耗電力,上述顯示體亦較亮,外觀較佳。又,根據本發明之光半導體元件密封用片材,藉由將光半導體元件密封,可提供一種不易發生亮度不均且亮度較高之顯示體。
[顯示體]
本發明之顯示體至少具備基板、配置於上述基板上之複數個光半導體元件、及將上述複數個光半導體元件密封之密封樹脂層。上述顯示體係用於藉由光半導體元件發出之光來顯示資訊之裝置。
作為上述光半導體元件,例如可例舉藍色發光二極體、綠色發光二極體、紅色發光二極體、紫外線發光二極體等發光二極體(LED)。
於上述基板上,上述複數個光半導體元件配置於1個像素(畫素)內,上述像素配置有複數個。即,上述複數個光半導體元件在複數個包含光半導體元件之像素中分別配置有複數個。圖1中示出針對每個像素於基板上配置複數個光半導體元件之光學構件之局部俯視圖。於圖1所示之光學構件11中,於基板2上,3個光半導體元件3a~3c以接近之方式進行配置,3個光半導體元件3a~3c形成1個像素(像素3)。又,於基板2上,3個光半導體元件3d~3f以接近之方式進行配置,3個光半導體元件3d~3f形成1個像素(像素3')。並且,於基板2上,配置有像素3、像素3'等複數個像素。
本發明之顯示體具有由基板及光半導體元件所形成之凹凸形狀,該凹凸形狀係以最接近之2個光半導體元件間未配置光半導體元件之區域之基板表面作為凹部,以光半導體元件作為凸部。
上述基板上之上述光半導體元件之高度(自基板表面至光半導體元件正面側之端部之高度,相當於後述之L
A)較佳為500 μm以下。若上述高度為500 μm以下,密封樹脂層對上述凹凸形狀之吻合性更優異。
上述密封樹脂層較佳為與複數個光半導體元件接觸,並與上述凹凸形狀吻合。又,上述密封樹脂層較佳為將上述複數個光半導體元件一起密封。再者,於本說明書中,「將光半導體元件密封」係指將光半導體元件之至少一部分嵌入密封樹脂層內,或藉由上述密封樹脂層吻合覆蓋。
上述密封樹脂層至少包含擴散功能層及非擴散功能層。於上述密封樹脂層中,上述擴散功能層及上述非擴散功能層可直接積層,亦可經由其他層而積層。上述密封樹脂層可以上述擴散功能層側為光半導體元件側之方式將光半導體元件密封,亦可以上述非擴散功能層側為光半導體元件側之方式將光半導體元件密封。
將上述複數個光半導體元件中之任意一個作為第一光半導體元件。將與上述第一光半導體元件於同一像素內相鄰之光半導體元件作為第二光半導體元件。將自上述基板表面至上述第一光半導體元件之重心之正面側之端部T
A之距離設為L
A。將自上述基板表面、至通過上述第一光半導體元件之重心與上述第二光半導體元件之重心之中點的相對於上述基板表面之垂線上的上述擴散功能層之正面側之端部T
C的距離設為L
C。將自通過上述端部T
A之相對於上述基板表面之垂線至通過上述端部T
C之相對於上述基板表面之垂線之距離設為L
A-C。繼而,將自上述端部T
A至通過上述端部T
C之相對於上述基板表面之垂線的仰角之角度設為θ°。此時,本發明之顯示體滿足下述式(1)。
L
C≦L
A+L
A-Ctanθ (1)
於上述顯示體中,藉由使密封上述光半導體元件之上述密封樹脂層包含上述擴散功能層,可使光半導體元件發出之光於上述擴散功能層中擴散,進一步提高正面亮度,且可進一步抑制亮度不均。繼而,最接近之光半導體元件間之中央部的擴散功能層之正面側之端部之高度即距離L
C由於為較光半導體元件之重心之正面側之端部之高度即距離L
A高L
A-Ctanθ之位置以下,故根據光半導體元件間之距離而非常低,上述擴散功能層可使光半導體元件發出之光充分擴散,例如不僅可使自正面發出之光充分擴散,亦可使自側面發出之光充分擴散,可於非常寬之視野內透過光,可抑制亮度不均,且可提高顯示體之正面亮度。
再者,於本說明書中,「正面」係指視認出顯示體之側,例如於後述之圖2中為上方向。
(第一實施方式)
關於本發明之顯示體,使用作為其一個實施方式之圖2所示之顯示體進行說明。圖2所示之顯示體1具備基板2、配置於基板2上之複數個光半導體元件3a~3c、將該等光半導體元件3a~3c一起密封之密封樹脂層4、及貼合於密封樹脂層4之與光半導體元件3a~3c側相反之側之表面的基材部5。圖2係通過光半導體元件3a~3c之重心之相對於基板2之垂直面剖面之放大圖。
光半導體元件3a~3c分別藉由支持體31固定於一個基板2上。顯示體1具有由基板2及光半導體元件3a~3c所形成之凹凸形狀,該凹凸形狀係以光半導體元件3a~3c間未配置光半導體元件之區域之基板2表面作為凹部N,以光半導體元件3a~3c作為凸部P。
圖2中之光半導體元件3a~3c係圖1所示之光半導體元件3a~3c,光半導體元件3a~3c位於同一像素3內。例如光半導體元件3a為第一光半導體元件,光半導體元件3b為與光半導體元件3a相鄰之第二光半導體元件。
如圖2所示,密封樹脂層4與複數個光半導體元件3a~3c接觸,並與上述凹凸形狀吻合,將複數個光半導體元件3a~3c一起密封。
密封樹脂層4係擴散功能層41及非擴散功能層42直接積層而構成,以擴散功能層41側為光半導體元件3a~3c側之方式將光半導體元件3a~3c密封。與光半導體元件3a~3c接觸之擴散功能層41與上述凹凸形狀吻合,於顯示體1中擴散功能層41亦具有凹凸形狀。另一方面,非擴散功能層42之一面藉由與擴散功能層41之凹凸形狀吻合,具有與擴散功能層41之凹凸形狀相反之凹凸形狀,另一面為平面(平坦)。
即,密封樹脂層4自光半導體元件側3a~3c依序具備擴散功能層41及非擴散功能層42。又,密封樹脂層4以擴散功能層41與光半導體元件3a~3c接觸之方式,將光半導體元件3a~3c密封。
圖3中示出圖2所示之顯示體1之光半導體元件3a及3b間附近之局部放大圖。如圖3所示,於顯示體1中,將自基板2表面至光半導體元件3a之重心G
A之正面側之端部T
A之距離設為L
A。L
A相當於光半導體元件3a之高度。將通過光半導體元件3a之重心G
A之相對於基板2表面之垂線設為垂線P
A。端部T
A係通過重心G
A之相對於基板2表面之垂線P
A與光半導體元件3a之正面側表面之交點。將光半導體元件3a之重心G
A與光半導體元件3b之重心G
B之中點設為C。將通過中點C之相對於基板2表面之垂線設為垂線P
C。將至垂線P
C上之擴散功能層41之正面側之端部T
C之距離設為L
C。端部T
C係垂線P
C與擴散功能層21之正面側界面之交點,相當於自中點C之基板2表面至擴散功能層21正面側界面之高度。端部T
C可位於較中點C更靠基板2側(附圖下側),亦可位於正面側(附圖上側)。將自垂線P
A至垂線P
C之距離設為L
A-C。垂線P
A及垂線P
C平行。繼而,將自端部T
A至垂線P
C之仰角之角度設為θ°,此時,顯示體1滿足上述式(1)。於圖3中,藉由T表示垂線P
C上距基板2表面之高度位於L
A+L
A-Ctanθ之位置之點。
於顯示體1中,藉由使密封光半導體元件3a~3c之密封樹脂層4包含擴散功能層41,可使光半導體元件3a~3c發出之光於擴散功能層41中擴散,進一步提高正面亮度,且可進一步抑制亮度不均。繼而,最接近之光半導體元件3a及3b間之中央部的擴散功能層41之正面側之端部T
C之高度即距離L
C由於為較光半導體元件3a之重心G
A之正面側之端部T
A之高度即距離L
A高L
A-Ctanθ之位置以下,故根據光半導體元件3a及3b間之距離而非常低,擴散功能層41可使光半導體元件3a發出之光充分擴散,例如不僅可使自正面發出之光充分擴散,亦可使自側面發出之光充分擴散,可於非常寬之視野內透過光,可抑制亮度不均,且可提高顯示體1之正面亮度。
再者,於圖3中,對位於像素內之一端之光半導體元件3a滿足上述式(1)之情形進行了說明,但除該情形以外或代替該情形,於將光半導體元件3b等位於像素內部之光半導體元件作為第一光半導體元件,將光半導體元件3a及/或光半導體元件3c等與像素內部之光半導體元件相鄰之光半導體元件作為第二光半導體元件之情形時,可滿足上述式(1),於將光半導體元件3c等位於像素內之另一端之光半導體元件作為第一光半導體元件,將光半導體元件3b等與位於像素內之另一端之光半導體元件相鄰之光半導體元件作為第二光半導體元件之情形時,可滿足上述式(1)。
又,關於位於同一像素內之所有光半導體元件之每一個,較佳為於與所有相鄰之光半導體元件之關係中滿足上述式(1)。於該情形時,例如擴散功能層41可使圖2所示之同一像素內之所有光半導體元件3a~3c發出之光充分擴散,例如不僅可使自正面發出之光充分擴散,亦可使自側面發出之光充分擴散,可於非常寬之視野內透過光,可抑制亮度不均,且可更進一步提高顯示體1之正面亮度。
具體而言,如圖4所示,除了光半導體元件3a~3c發出之朝向正面之光F
A、F
B、及F
C以外,光半導體元件3a~3c發出之朝向側面之光L
A、R
A、L
B、R
B、L
C、及R
C於擴散功能層41內擴散,朝向正面方向及正面傾斜方向之光變多,均勻且高效地向正面側發光。藉此,可於非常寬之視野內透過光,可抑制亮度不均,且可提高顯示體之正面亮度。
另一方面,圖5中示出先前之顯示體之一實施方式。於圖5所示之顯示體中,自光半導體元件側依序具備非擴散功能層42及擴散功能層41,光半導體元件3a及3b間之擴散功能層41正面側界面較光半導體元件3a~3c之正面側之端部遠靠正面側,不滿足上述式(1)。於圖5所示之顯示體中,由於光半導體元件3a~3c發出之朝向側面之光L
A、R
A、L
B、R
B、L
C、及R
C向非擴散功能層42內發射,故而不擴散,朝向正面方向及正面傾斜方向之光較少。由此,顯示體正面之亮度較低,且光半導體元件發出之光無法於朝向顯示體正面之較寬之視野內充分透過,有產生亮度不均之虞。與此相對,滿足上述式(1)之本發明之顯示體之情形時,可使正面亮度之高度及亮度不均之抑制性均優異。
如此,藉由使本發明之顯示體滿足上述式(1),光半導體元件間之擴散功能層之高度根據光半導體元件間之距離而非常低,光半導體元件於側面方向發出之光易於向正面方向及正面傾斜方向擴散,可於非常寬之視野內透過光,可抑制亮度不均,且可提高顯示體之正面亮度。
θ之值並無特別限定,可根據顯示體之亮度不均應受到抑制之視野而適當設定。θ例如為0°以上且未達90°,較佳為45°以下,更佳為30°以下,亦可為25°以下或20°以下,尤佳為15°以下。若θ為上述範圍內,則於較寬之視野內亮度不均受到抑制。由此,於上述式(1)中,θ較佳為45°、30°、25°、20°、或15°,亦可為0°(於該情形時,L
C≦L
A)。
光半導體元件之重心(圖3之光半導體元件3a之重心G
A、光半導體元件3b之重心G
B等)由光半導體元件之立體形狀決定。光半導體元件之立體形狀並無特別限定,可例舉立方體或長方體等角柱、角錐台、圓柱、圓錐台、使其等之上部為圓頂狀之形狀等。光半導體元件之立體形狀為正角柱狀之情形時之重心為光半導體元件之中心。
再者,於顯示體1中,可不具備基材部5。又,1個像素內之光半導體元件數可不為3個,並無特別限定。
(第二實施方式)
圖6中示出本發明之顯示體之另一實施方式(第二實施方式)。圖6所示之顯示體1與圖2同樣地,具備基板2、配置於基板2上之複數個光半導體元件3a~3c、將該等光半導體元件3a~3c一起密封之密封樹脂層4、及貼合於密封樹脂層4之與光半導體元件3a~3c側相反之側之表面的基材部5。
於圖6所示之顯示體1中,密封樹脂層4係非擴散功能層43、擴散功能層41、及非擴散功能層42自光半導體元件3a~3c側依序積層而構成,以非擴散功能層43側為光半導體元件3a~3c側之方式,且以非擴散功能層43與光半導體元件3a~3c接觸之方式,將光半導體元件3a~3c密封。
與光半導體元件3a~3c接觸之非擴散功能層43與上述凹凸形狀吻合,擴散功能層41之一面藉由與非擴散功能層43之凹凸形狀吻合,具有與非擴散功能層43之凹凸形狀相反之凹凸形狀,另一面為平面(平坦)。與擴散功能層41相接之非擴散功能層42之兩個面為平面。圖6所示之顯示體1亦滿足上述式(1)。其他與圖2所示之顯示體1相同。
(第三實施方式)
圖7中示出本發明之顯示體之又一實施方式(第三實施方式)。圖7所示之顯示體1與圖2同樣地,具備基板2、配置於基板2上之複數個光半導體元件3a~3c、將該等光半導體元件3a~3c一起密封之密封樹脂層4、及貼合於密封樹脂層4之與光半導體元件3a~3c側相反之側之表面的基材部5。
於圖7所示之顯示體1中,密封樹脂層4係擴散功能層41、著色層44、及非擴散功能層42自光半導體元件3a~3c側依序積層而構成,以擴散功能層41側為光半導體元件3a~3c側之方式,且以擴散功能層41與光半導體元件3a~3c接觸之方式,將光半導體元件3a~3c密封。
與光半導體元件3a~3c接觸之擴散功能層41與凹凸形狀吻合,於顯示體1中擴散功能層41亦具有凹凸形狀。著色層44之一面藉由與擴散功能層41之凹凸形狀吻合,具有與擴散功能層41之凹凸形狀相反之凹凸形狀,另一面為平面。與著色層44相接之擴散功能層42之兩個面為平面。圖7所示之顯示體1亦滿足上述式(1)。其他與圖2所示之顯示體1相同。
圖2~圖7所示之顯示體之剖視圖例如可藉由於使顯示體冷卻之狀態下以通過複數個光半導體元件之重心之方式相對於基板面垂直切斷,而露出剖面,從而獲得。藉由使顯示體冷卻,可抑制因切斷時產生之熱而密封樹脂層發生熔解或變形。切斷可使用雷射光束照射或離子束照射等公知或慣用之切斷裝置進行。又,切斷後,可對露出之剖面進行磨削,而露出變形度更低之剖面。冷卻時之溫度可於抑制密封樹脂層之變形程度或顯示體之破裂之範圍內適當設定。
<密封樹脂層>
上述密封樹脂層至少具備上述擴散功能層及上述非擴散功能層。構成上述密封樹脂層之各層(上述擴散功能層、上述非擴散功能層等)分別於上述密封樹脂層內可為單層,亦可為具有相同或不同之組成之多層。於包含多層擴散功能層或非擴散功能層之情形時,上述多層可接觸地積層,亦可隔離地積層。又,構成上述密封樹脂層之層之總數為包含上述擴散功能層及上述非擴散功能層之2層以上,亦可為3層以上。上述層之總數基於減小顯示體之厚度之觀點而言,例如為10層以下,亦可為5層以下或4層以下。
於本發明之顯示體中,上述密封樹脂層較佳為自上述光半導體元件側依序具備上述擴散功能層及上述非擴散功能層。藉由具有此種構成,可防止具有凹凸形狀之擴散功能層表面露出於正面側(光半導體元件側之相反側)之密封樹脂層表面,且正面側之密封樹脂層表面易於變得平坦,不易發生外界光之漫反射,不點亮時及點亮時顯示體之外觀均提高。於圖2、圖6、圖7所示之顯示體1中,密封樹脂層4自光半導體元件3a~3c側依序具備擴散功能層41及非擴散功能層42。
上述密封樹脂層可包含著色層。於包含著色層之情形時,可防止由設置於基板上之金屬配線等所引起之光之反射。於圖7所示之顯示體1中,密封樹脂層4包含著色層44。
於上述密封樹脂層具備上述著色層之情形時,上述密封樹脂層較佳為自上述光半導體元件側依序具備上述擴散功能層、上述著色層、及上述非擴散功能層。藉由具有此種構成,可進一步提高正面亮度,進一步抑制亮度不均,同時於不點亮時及點亮時均可進一步提高顯示體之外觀。
於本發明之顯示體中,上述擴散功能層較佳為至少一個面(尤其是光半導體元件側之面)具有與上述凹凸形狀吻合之凹凸形狀。於該情形時,本發明之顯示體易於滿足上述式(1)。又,上述擴散功能層之正面側之面可具有與上述凹凸形狀吻合之凹凸形狀。於圖2及圖7所示之顯示體1中,擴散功能層41之正面側及光半導體元件側之兩個面具有凹凸形狀。於圖6所示之顯示體1中,擴散功能層41僅光半導體元件側之面具有凹凸形狀,正面側之面平坦。
於本發明之顯示體中,較上述擴散功能層更靠正面側處之上述非擴散功能層較佳為正面側為平面(平坦)。於該情形時,於上述密封樹脂層表面不易發生外界光之漫反射,不點亮時及點亮時顯示體之外觀均提高。於圖2、圖6、圖7所示之顯示體1中,非擴散功能層42之正面側平坦。
於本發明之顯示體中,於具有上述著色層之情形時,上述著色層較佳為至少一個面(尤其是光半導體元件側之面)具有與上述凹凸形狀吻合之凹凸形狀。於該情形時,正面亮度變得更高。於圖7所示之顯示體1中,著色層44僅光半導體元件側之面具有凹凸形狀,正面側之面平坦。
於本發明之顯示體中,可於較上述擴散功能層更靠上述光半導體元件側處具備上述非擴散功能層。即,上述密封樹脂層可自上述光半導體元件側依序具備上述非擴散功能層及上述擴散功能層。又,於較上述擴散功能層更靠上述光半導體元件側處具備上述非擴散功能層之情形時,上述非擴散功能層較佳為兩個面具有與上述凹凸形狀吻合之凹凸形狀。若具有此種構成,則上述擴散功能層易於具有凹凸形狀。於圖6所示之顯示體1中,密封樹脂層4自光半導體元件3a~3c側依序具備非擴散功能層43及擴散功能層41,非擴散功能層43之兩個面具有與上述凹凸形狀吻合之凹凸形狀。
構成上述密封樹脂層之各層分別獨立,可具有黏著性,亦可不具有黏著性。其中,較佳為具有黏著性。藉由具有此種構成,上述密封樹脂層可容易地將光半導體元件密封,又,各層間之密接性優異,光半導體元件之密封性更優異。尤佳為至少與光半導體元件接觸之層具有黏著性。藉由具有此種構成,光半導體元件對密封樹脂層之吻合性及嵌入性優異。結果,即便於由光半導體元件所引起之階差較高之情形時,設計性亦優異。再者,除與光半導體元件接觸之層以外之層可不具有黏著性。於該情形時,於拼貼狀態下相鄰之密封樹脂層彼此之密接性較低,於將相鄰之小尺寸之積層體(密封樹脂層將配置於基板上之光半導體元件密封而成之積層體)彼此拉開分離時,不易發生密封樹脂層之破損或相鄰之密封樹脂層之附著。
(擴散功能層)
上述擴散功能層係以使光擴散作為目的之層。上述擴散功能層較佳為包含樹脂之樹脂層。
上述擴散功能層較佳為與上述著色層不同之非著色層。上述非著色層係不以防止由顯示體中設置於基板上之金屬配線等所引起之光之反射作為目的之層。上述非著色層可為無色層,亦可輕微著色。
上述擴散功能層中之著色劑之含有比率相對於擴散功能層之總量100質量%,較佳為未達0.2質量%,更佳為未達0.1質量%,進而較佳為未達0.05質量%,亦可為未達0.01質量%或未達0.005質量%。
上述擴散功能層並無限定,較佳為包含光擴散性微粒子。即,上述擴散功能層較佳為包含分散於樹脂層中之光擴散性微粒子。上述光擴散性微粒子可僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述光擴散性微粒子係與構成擴散功能層之樹脂具有適當之折射率差,並對擴散功能層賦予擴散性能者。作為光擴散性微粒子,可例舉無機微粒子、高分子微粒子等。作為無機微粒子之材質,例如可例舉二氧化矽、碳酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、黏土、滑石、金屬氧化物等。作為高分子微粒子之材質,例如可例舉聚矽氧樹脂、丙烯酸系樹脂(包括例如聚甲基丙烯酸甲酯等聚甲基丙烯酸酯樹脂)、聚苯乙烯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚乙烯樹脂、環氧樹脂等。
作為上述高分子微粒子,較佳為包含聚矽氧樹脂之微粒子。又,作為上述無機微粒子,較佳為包含金屬氧化物之微粒子。作為上述金屬氧化物,較佳為氧化鈦、鈦酸鋇,更佳為氧化鈦。藉由具有此種構成,上述擴散功能層之光擴散性更優異,亮度不均進一步受到抑制。
上述光擴散性微粒子之形狀並無特別限定,例如可為真球狀、扁平狀、不規則形狀。
上述光擴散性微粒子之平均粒徑基於賦予適當之光擴散性能之觀點而言,較佳為0.1 μm以上,更佳為0.15 μm以上,進而較佳為0.2 μm以上,尤佳為0.25 μm以上。又,上述光擴散性微粒子之平均粒徑基於防止霧度值變得過高,顯示高清之圖像之觀點而言,較佳為12 μm以下,更佳為10 μm以下,進而較佳為8 μm以下。平均粒徑例如可使用庫爾特計數器進行測定。
上述光擴散性微粒子之折射率較佳為1.2~5,更佳為1.25~4.5,進而較佳為1.3~4,尤佳為1.35~3。
上述光擴散性微粒子與構成擴散功能層之樹脂(擴散功能層中除光擴散性微粒子以外之樹脂層)之折射率差之絕對值基於更高效地降低顯示體之亮度不均之觀點而言,較佳為0.001以上,更佳為0.01以上,進而較佳為0.02以上,尤佳為0.03以上,亦可為0.04以上、或0.05以上。又,光擴散性微粒子與樹脂之折射率差之絕對值基於防止霧度值變得過高,顯示高清之圖像之觀點而言,較佳為5以下,更佳為4以下,進而較佳為3以下。
上述擴散功能層中之上述光擴散性微粒子之含量基於對密封樹脂層賦予適當之光擴散性能之觀點而言,相對於構成擴散功能層之樹脂100質量份,較佳為0.01質量份以上,更佳為0.05質量份以上,進而較佳為0.1質量份以上,尤佳為0.15質量份以上。又,光擴散性微粒子之含量基於防止霧度值變得過高,顯示高清之圖像之觀點而言,相對於構成擴散功能層之樹脂100質量份,較佳為80質量份以下,更佳為70質量份以下。
上述擴散功能層之霧度值(初始霧度值)並無特別限定,基於高效地降低亮度不均之觀點而言,較佳為30%以上,更佳為40%以上,進而較佳為50%以上,尤佳為60%以上,亦可為70%以上、80%以上、90%以上、95%以上、97%以上,基於亮度不均改善效果更優異之觀點而言,進而較佳為99.9%左右。再者,上述擴散功能層之霧度值之上限並無特別限定,即可為100%。上述霧度值係於上述顯示體中上述擴散功能層最厚之部分之值。
上述擴散功能層之全光線透過率並無特別限定,基於確保亮度之觀點而言,較佳為40%以上,更佳為60%以上,進而較佳為70%以上,尤佳為80%以上。又,上述擴散功能層之全光線透過率之上限值並無特別限定,可未達100%,亦可為99.9%以下、或99%以下。上述全光線透過率係於上述顯示體中上述擴散功能層最厚之部分之值。
上述擴散功能層之霧度值及全光線透過率分別為單層之值,可使用JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法進行測定,可藉由擴散功能層之種類或厚度、光擴散性微粒子之種類或調配量等進行控制。
(非擴散功能層)
上述非擴散功能層係不以使光擴散作為目的之層。上述非擴散功能層較佳為包含樹脂之樹脂層。上述非擴散功能層較佳為上述非著色層。
上述非擴散功能層中之著色劑之含有比率相對於非擴散功能層之總量100質量%,較佳為未達0.2質量%,更佳為未達0.1質量%,進而較佳為未達0.05質量%,亦可為未達0.01質量%或未達0.005質量%。
上述非擴散功能層之霧度值(初始霧度值)並無特別限定,基於使顯示體之亮度優異之觀點而言,較佳為未達30%,更佳為10%以下,進而較佳為5%以下,尤佳為1%以下,亦可為0.5%以下。再者,上述非擴散功能層之霧度值之下限並無特別限定。上述霧度值係於上述顯示體中上述非擴散功能層最厚之部分之值。
上述非擴散功能層之全光線透過率並無特別限定,基於確保顯示體之亮度之觀點而言,較佳為60%以上,更佳為70%以上,進而較佳為80%以上,尤佳為90%以上。又,上述非擴散功能層之全光線透過率之上限值並無特別限定,可未達100%,亦可為99.9%以下、或99%以下。上述全光線透過率係於上述顯示體中上述非擴散功能層最厚之部分之值。
上述非擴散功能層之霧度值及全光線透過率分別為單層之值,可使用JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法進行測定,可藉由非擴散功能層之種類或厚度等進行控制。
上述非擴散功能層中之著色劑及/或光擴散性微粒子之含量基於使顯示體之亮度優異之觀點而言,相對於構成非擴散功能層之樹脂100質量份,較佳為未達0.01質量份,更佳為未達0.005質量份。
(著色層)
上述著色層係以防止由顯示體中設置於基板上之金屬配線等所引起之光之反射作為目的之層。上述著色層至少包含著色劑。上述著色層較佳為包含樹脂之樹脂層。上述著色劑可為染料,亦可為顏料,只要可溶解或分散於上述著色層即可。基於即便添加少量亦可達到較低之霧度,且如顏料般無沈降性而易於均勻地分佈之觀點而言,染料較佳。又,基於即便添加少量顯色性亦較高之觀點而言,顏料亦較佳。於使用顏料作為著色劑之情形時,較佳為導電性較低或無導電性者。上述著色劑可僅使用一種,亦可使用二種以上。
作為上述著色劑,較佳為黑色系著色劑。作為上述黑色系著色劑,可使用公知或慣用之用於呈現黑色之著色劑(顏料、染料等),例如可例舉碳黑(爐黑、槽法碳煙、乙炔黑、熱碳黑、燈黑、松煙等)、石墨、氧化銅、二氧化錳、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、蒽醌系著色劑、氮化鋯等。又,亦可使用組合調配呈現除黑色以外之顏色之著色劑而作為黑色系著色劑發揮功能之著色劑。
上述著色層中之著色劑之含有比率基於對顯示體賦予適當之防反射能力之觀點而言,相對於著色層之總量100質量%,較佳為0.2質量%以上,更佳為0.4質量%以上。又,上述著色劑之含有比率例如為10質量%以下,較佳為5質量%以下,更佳為3質量%以下。上述含有比率可根據著色劑之種類、或顯示體之色調及透光率等而適當設定。著色劑可以溶解或分散於適當之溶劑中之溶液或分散液之形態添加於組合物中。
上述著色層之霧度值(初始霧度值)並無特別限定,基於確保正面亮度及顯示體之視認性之觀點而言,較佳為50%以下,更佳為40%以下,進而較佳為30%以下,尤佳為20%以下。又,上述著色層之霧度值基於高效地降低顯示體之亮度不均之觀點而言,較佳為1%以上,更佳為3%以上,進而較佳為5%以上,尤佳為8%以上,亦可為10%以上。上述霧度值係於上述顯示體中上述著色層最厚之部分之值。
上述著色層之全光線透過率並無特別限定,基於進一步提高顯示體中之金屬配線等之防反射功能、對比度之觀點而言,較佳為40%以下,更佳為30%以下,進而較佳為25%以下,尤佳為20%以下。又,上述著色層之全光線透過率基於確保顯示體之亮度之觀點而言,較佳為0.5%以上,更佳為1%以上,進而較佳為1.5%以上,尤佳為2%以上,亦可為2.5%以上、或3%以上。上述全光線透過率係於上述顯示體中上述著色層最厚之部分之值。
上述著色層之霧度值及全光線透過率分別為單層之值,可使用JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法進行測定,可藉由種類或厚度、著色劑之種類或調配量等進行控制。
(樹脂層)
於上述各層為上述樹脂層之情形時,作為構成上述樹脂層之樹脂,可例舉公知或慣用之樹脂,例如可例舉丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、環氧系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、聚矽氧樹脂、聚矽氧丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚系樹脂(聚乙烯醚等)、聚醯胺系樹脂、氟系樹脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴等。上述樹脂可僅使用一種,亦可使用二種以上。構成上述密封樹脂層之各層之樹脂相互可相同,亦可不同。
於上述樹脂層為具有黏著性之層(黏著層)之情形時,可使用公知或慣用之感壓型黏著劑作為上述樹脂。作為上述黏著劑,例如可例舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑(天然橡膠系、合成橡膠系、該等之混合系等)、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚醚系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、氟系黏著劑等。上述黏著劑可僅使用一種,亦可使用二種以上。
於不損害本發明之效果之範圍內,上述樹脂層於上述各層中亦可包含除上述各成分以外之其他成分。作為上述其他成分,可例舉硬化劑、交聯促進劑、黏著賦予樹脂(松香衍生物、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性酚等)、低聚物、防老化劑、填充劑(金屬粉、有機填充劑、無機填充劑等)、抗氧化劑、塑化劑、軟化劑、界面活性劑、防靜電劑、表面潤滑劑、調平劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、粒狀物、箔狀物等。上述各其他成分可僅使用一種,亦可使用二種以上。
作為上述密封樹脂層之積層構造,可例舉[擴散功能層/非擴散功能層]、[非擴散功能層/擴散功能層]、[非擴散功能層/擴散功能層/非擴散功能層](以上為自光半導體元件側依序)等。於上述密封樹脂層包含上述著色層之情形時,可於上述積層構造之任意部位積層上述著色層。作為上述密封樹脂層包含上述著色層之情形時之積層構造,可例舉[著色層/擴散功能層/非擴散功能層]、[擴散功能層/著色層/非擴散功能層]、[非擴散功能層/著色層/擴散功能層]、[非擴散功能層/擴散功能層/著色層]、[擴散功能層/非擴散功能層/著色層]、[著色層/擴散功能層/著色層/非擴散功能層](以上為自光半導體元件側依序)等。
<基材部>
本發明之顯示體可具備基材部,亦可不具備基材部。若於上述顯示體中於密封樹脂層之正面側具備上述基材部,則可使密封樹脂層表面平坦,由此不易發生光之漫反射,不點亮時及點亮時顯示體之外觀均提高。又,藉由於上述基材部形成後述之防眩層或防反射層,可對顯示體賦予防眩性或防反射性。又,藉由於後述之光半導體元件密封用片材中具備上述基材部作為密封用樹脂層之支持體,光半導體元件密封用片材之操作性優異。
上述基材部可為單層,亦可為相同或者組成或厚度等不同之多層。於上述基材部為多層之情形時,各層可藉由黏著劑層等其他層而貼合。再者,用於基材部之基材層係與密封樹脂層一起貼附於具備光半導體元件之基板之部分,僅保護於光半導體元件密封用片材之使用時(貼附時)剝離之剝離襯墊、或基材部表面之表面保護膜不包括在「基材部」中。
作為構成上述基材部之基材層,例如可例舉玻璃或塑膠基材(尤其是塑膠膜)等。作為構成上述塑膠基材之樹脂,例如可例舉:低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯共聚物、環烯系聚合物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂;聚胺基甲酸酯;聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯;聚碳酸酯;聚醯亞胺系樹脂;聚醚醚酮;聚醚醯亞胺;芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺;聚苯硫醚;氟樹脂;聚氯乙烯;聚偏二氯乙烯;三乙醯纖維素(TAC)等纖維素樹脂;聚矽氧樹脂;聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系樹脂;聚碸;聚芳酯;聚乙酸乙烯酯等。上述樹脂可僅使用一種,亦可使用二種以上。上述基材層亦可為防反射(AR)膜、偏光板、相位差板等各種光學膜。
上述塑膠膜之厚度較佳為20~300 μm,更佳為40~250 μm。若上述厚度為20 μm以上,則光半導體元件密封用片材之支持性及操作性進一步提高。若上述厚度為250 μm以下,則可使顯示體更薄。
為了提高與密封樹脂層之密接性、保持性等,上述基材部之具備上述密封樹脂層之側之表面可實施例如:電暈放電處理、電漿處理、磨砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、游離輻射處理等物理處理;鉻酸處理等化學處理;利用塗佈劑(底塗劑)進行之易接著處理等表面處理。用於提高密接性之表面處理較佳為對基材部之密封樹脂層側之整個表面實施。
上述基材部之厚度基於作為支持體之功能及表面之耐擦傷性優異之觀點而言,較佳為5 μm以上,更佳為10 μm以上。上述基材部之厚度基於透明性更優異之觀點而言,較佳為300 μm以下,更佳為250 μm以下。
<顯示體>
上述顯示體可具備具有防眩性及/或防反射性之層。藉由具有此種構成,可抑制上述顯示體之光澤或光之反射,使外觀更佳。作為上述具有防眩性之層,可例舉防眩處理層。作為上述具有防反射性之層,可例舉防反射處理層。防眩處理及防反射處理分別可使用公知或慣用之方法實施。上述具有防眩性之層及上述具有防反射性之層可為相同層,亦可為相互不同之層。上述具有防眩性及/或防反射性之層可僅具有一層,亦可具有二層以上。
上述密封樹脂層、或以上述密封樹脂層及上述基材部作為兩個端面之積層體之霧度值(初始霧度值)並無特別限定,基於使亮度不均之抑制效果及設計性更優異之觀點而言,較佳為80%以上,更佳為85%以上,進而較佳為90%以上,尤佳為95%以上。再者,上述霧度值之上限並無特別限定。
上述密封樹脂層、或以上述密封樹脂層及上述基材部作為兩個端面之積層體之全光線透過率並無特別限定,基於進一步提高金屬配線等之防反射功能、對比度之觀點而言,較佳為40%以下,更佳為30%以下,進而較佳為20%以下。又,上述全光線透過率基於確保亮度之觀點而言,較佳為0.5%以上。
上述霧度值及全光線透過率分別可使用JIS K7136、JIS K7361-1所規定之方法進行測定,可藉由構成上述密封樹脂層及上述基材部之各層之積層順序或種類、厚度等進行控制。
上述密封樹脂層、或以上述密封樹脂層及上述基材部作為兩個端面之積層體之厚度基於提高金屬配線等之防反射功能、對比度之同時,更高效地降低色移之觀點而言,較佳為10~600 μm,更佳為20~550 μm,進而較佳為30~500 μm,進而較佳為40~450 μm,尤佳為50~400 μm。再者,剝離襯墊不包括在上述厚度中。
又,本發明之顯示體較佳為具備自發光型顯示裝置。又,藉由將上述自發光型顯示裝置與視需要使用之顯示面板加以組合,可製成作為圖像顯示裝置之顯示體。該情形時之光半導體元件為LED元件。作為上述自發光型顯示裝置,可例舉LED顯示器或背光、或者有機電致發光(有機EL)顯示裝置等。上述背光尤佳為全面直下型背光。上述背光例如包含具備上述基板及配置於該基板上之複數個光半導體元件之積層體作為構成構件之至少一部分。例如於上述自發光型顯示裝置中,上述基板上積層有用於向各LED元件發送發光控制信號之金屬配線層。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)各種顏色之光之各LED元件經由金屬配線層交替地排列於基板上。金屬配線層係由銅等金屬所形成,調整各LED元件之發光程度,顯示各種顏色。
本發明之顯示體可為彎折使用之顯示體,例如可彎折之圖像顯示裝置(軟性顯示器)(尤其是可摺疊之圖像顯示裝置(可摺疊顯示器))。具體而言,可例舉具備可摺疊之背光之顯示體、具備可摺疊之自發光型顯示裝置之顯示體等。
於本發明之顯示體中,由於上述密封樹脂層之光半導體元件之吻合性及嵌入性優異,故而上述光半導體元件可為次毫米LED元件或微型LED元件。
根據本發明之顯示體,不易發生由光半導體元件發出之光所引起之亮度不均,且亮度較高。由此,上述顯示體不易發生色移,且可自較寬之視野以相同色調視認出顯示體。又,即便不提高消耗電力,上述顯示體亦較亮,外觀較佳。
[顯示體之製造方法]
本發明之顯示體可藉由將具備密封用樹脂層之光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板,並藉由密封用樹脂層將光半導體元件密封,而製造。
(光半導體元件密封用片材)
上述光半導體元件密封用片材係用於將配置於基板上之複數個光半導體元件密封之片材。上述光半導體元件密封用片材至少具備包含擴散功能層及非擴散功能層之密封用樹脂層。上述光半導體元件密封用片材係於藉由上述密封用樹脂層將上述複數個光半導體元件密封而形成密封樹脂層時,可滿足上述式(1)之片材。根據本發明之光半導體元件密封用片材,藉由將光半導體元件密封,可提供一種不易發生亮度不均且亮度較高之顯示體。
上述光半導體元件密封用片材至少具備包含擴散功能層及非擴散功能層之密封用樹脂層。上述密封用樹脂層係可形成本發明之顯示體中之上述密封樹脂層之層。具體而言,上述密封用樹脂層中之上述擴散功能層係可形成本發明之顯示體中之上述擴散功能層之層,上述密封用樹脂層中之上述非擴散功能層係可形成本發明之顯示體中之上述非擴散功能層之層。具體而言,上述密封用樹脂層中之上述擴散功能層可為組成(構成成分及其等之調配比率)或物性(霧度、全光線透過率等)與本發明之顯示體中之上述擴散功能層相同之層,亦可為藉由硬化成為本發明之顯示體中之上述擴散功能層之層。又,上述密封用樹脂層中之上述非擴散功能層可為組成(構成成分及其等之調配比率)或物性(霧度、全光線透過率等)與本發明之顯示體中之上述非擴散功能層相同之層,亦可為藉由硬化成為本發明之顯示體中之上述非擴散功能層之層。
上述密封用樹脂層係根據本發明之顯示體中之密封樹脂層之構造而適當設計。例如於本發明之顯示體包含上述著色層之情形時,上述光半導體元件密封用片材中之上述密封用樹脂層包含著色層。上述密封用樹脂層中之上述著色層可為組成(構成成分及其等之調配比率)或物性(霧度、全光線透過率等)與本發明之顯示體中之上述著色層相同之層,亦可為藉由硬化成為本發明之顯示體中之上述著色層之層。又,上述密封用樹脂層較佳為依序具備上述擴散功能層、上述著色層、及上述非擴散功能層。
構成上述密封用樹脂層之各層分別獨立,可具有黏著性及/或接著性,亦可不具有黏著性及/或接著性。其中,較佳為具有黏著性及/或接著性。藉由具有此種構成,上述密封用樹脂層可易於貼合於基板及光半導體元件,又,各層間之密接性優異,光半導體元件之密封性更優異。尤佳為至少與光半導體元件接觸之層具有黏著性及/或接著性。藉由具有此種構成,光半導體元件對密封用樹脂層之吻合性及嵌入性優異。結果,即便於由光半導體元件所引起之階差較高之情形時,設計性亦優異。
構成上述密封用樹脂層之各層分別獨立,可為具有藉由放射線照射而硬化之性質之樹脂層(放射線硬化性樹脂層),亦可為不具有藉由放射線照射而硬化之性質之樹脂層(放射線非硬化性樹脂層)。作為上述放射線,例如可例舉電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線等。於上述著色層為放射線硬化性樹脂層之情形時,上述著色層中可包含之上述著色劑較佳為吸收可見光,且具有上述放射線硬化性樹脂層可硬化之波長之光之透過性。
上述光半導體元件密封用片材可具備上述基材部。於具備上述基材部之情形時,可於基材部之至少一個面具備上述密封用樹脂層。上述密封用樹脂層之與上述基材部接觸之面係上述密封用樹脂層與光半導體元件相接之側之相反側之面。於上述光半導體元件密封用片材具備上述基材部之情形時,上述光半導體元件密封用片材與上述基材部一起貼合於光半導體元件及基板,上述光半導體元件密封用片材中之基材部成為本發明之顯示體中之基材部。
又,上述密封用樹脂層可形成於剝離襯墊上之剝離處理面。於上述光半導體元件密封用片材形成於上述剝離襯墊之情形時,關於上述剝離襯墊,上述密封用樹脂層與光半導體元件相接之側為與剝離襯墊接觸之側。於不具有上述基材部之情形時,上述密封用樹脂層之兩個面可為與剝離襯墊接觸之側。剝離襯墊係用作上述光半導體元件密封用片材之保護材料,於將光半導體元件密封時剝離。再者,基材部及剝離襯墊可以不是必須設置的。
上述剝離襯墊係用於覆蓋保護上述光半導體元件密封用片材表面之要素,於將光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板時,自該片材剝離。
作為上述剝離襯墊,例如可例舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、表面塗佈有氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑之塑膠膜或紙類等。
上述剝離襯墊之厚度例如為10~200 μm,較佳為15~150 μm,更佳為20~100 μm。若上述厚度為10 μm以上,則剝離襯墊加工時不易因切口而斷裂。若上述厚度為200 μm以下,則於使用時更易於自上述光半導體元件密封用片材剝離剝離襯墊。
使用圖8對上述光半導體元件密封用片材之一實施方式進行說明。圖8係可形成圖2所示之顯示體之上述光半導體元件密封用片材之剖視圖。如圖8所示,光半導體元件密封用片材10可用於將配置於基板上之1個以上之光半導體元件密封,具備基材部5、及形成於基材部5上之密封用樹脂層7。密封用樹脂層7由擴散功能層71及非擴散功能72之積層體而形成。擴散功能層71及非擴散功能層72具有黏著性,相互直接積層。密封用樹脂層7之擴散功能層71表面貼附有剝離襯墊6,非擴散功能層72表面貼附有基材部5。
(密封步驟)
於使用上述光半導體元件密封用片材製造本發明之顯示體之方法中,具有密封步驟,該密封步驟係將上述光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板,並藉由密封用樹脂層將光半導體元件密封。於上述密封步驟中,具體而言,首先將剝離襯墊自上述光半導體元件密封用片材剝離,露出密封用樹脂層。繼而,將作為上述光半導體元件密封用片材之露出面之密封用樹脂層面,貼合於具備基板及配置於上述基板上之光半導體元件(較佳為複數個光半導體元件)之積層體(光學構件等)的配置有光半導體元件之基板面,於上述積層體具備複數個光半導體元件之情形時,進而以上述密封用樹脂層填充複數個光半導體元件間之間隙之方式配置複數個光半導體元件,將複數個光半導體元件一起密封。具體而言,如圖9所示,將剝離襯墊6剝離後之光半導體元件密封用片材10之擴散功能層71,以與基板2之配置有光半導體元件3a~3c之面對向之方式配置,將光半導體元件密封用片材10貼合於基板2之配置有光半導體元件3a~3c之面,將光半導體元件3a~3c嵌入密封用樹脂層7。
上述貼合時之溫度例如為室溫~110℃之範圍內。又,上述貼合時,可減壓或加壓。藉由減壓或加壓,可抑制空隙形成於密封用樹脂層與基板或光半導體元件之間。又,於上述密封步驟中,較佳為於減壓下將光半導體元件密封用片材貼合,其後加壓。減壓之情形時之壓力例如為1~100 Pa,減壓時間例如為5~600秒。又,加壓之情形時之壓力例如為0.05~0.5 MPa,加壓時間例如為5~600秒。
藉由適當設定上述密封用樹脂層中之擴散功能層之厚度、或貼合時之溫度或壓力等,可對所得之顯示體中之擴散功能層與光半導體元件之吻合性或上述凹凸形狀中之凹部及凸部之各區域之擴散功能層厚度進行調整。藉此,可使所得之顯示體成為滿足上述式(1)之形態。
(放射線照射步驟)
於上述密封用樹脂層具備放射線硬化性樹脂層之情形時,上述製造方法可進而具備放射線照射步驟,該放射線照射步驟係對具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及將上述光半導體元件密封之上述光半導體元件密封用片材之積層體照射放射線,使上述放射線硬化性樹脂層硬化而形成硬化物層。作為上述放射線,如上所述,可例舉電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、X射線等。其中,較佳為紫外線。照射放射線時之溫度例如為室溫~100℃之範圍內,照射時間例如為1分鐘~1小時。
(切割步驟)
上述製造方法可進而具備切割步驟,該切割步驟係對具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及將上述光半導體元件密封之上述光半導體元件密封用片材之積層體進行切割。上述積層體可對進行上述放射線照射步驟後之積層體進行。於上述積層體具備放射線硬化性樹脂層藉由上述放射線照射發生硬化而成之硬化物層之情形時,於上述切割步驟中,切割去除光半導體元件密封用片材之硬化物層及基板之側端部。藉此,可於側面露出充分硬化且黏著性顯著降低之硬化物層之面。上述切割可使用公知或慣用之方法進行,例如可藉由使用切割刀之方法、或雷射照射進行。
(拼貼步驟)
上述製造方法可進而具備拼貼步驟,該拼貼步驟係將上述切割步驟中所得之複數個顯示體以於平面方向上接觸之方式排列。於上述拼貼步驟中,將上述切割步驟中所得之複數個積層體以於平面方向上接觸之方式排列拼貼。如此,可製造1個較大之顯示體。
如上所述,可製造本發明之顯示體。於光半導體元件密封用片材10中密封用樹脂層7不具有放射線硬化性樹脂層之情形時,密封用樹脂層7成為顯示體1中之密封樹脂層4。另一方面,於光半導體元件密封用片材10中密封用樹脂層7具有放射線硬化性樹脂層之情形時,例如於非擴散功能層72為放射線硬化性樹脂層之情形時,藉由使非擴散功能層72硬化,而形成非擴散功能層42,從而成為密封樹脂層4。
1:顯示體
2:基板
3a~3f:光半導體元件
3,3':像素
4:密封樹脂層
5:基材部
6:剝離襯墊
7:密封用樹脂層
10:光半導體元件密封用片材
11:光學構件
31:支持體
41:擴散功能層
42:非擴散功能層
43:非擴散功能層
44:著色層
71:擴散功能層
72:非擴散功能層
C:中點
F
A:光
F
B:光
F
C:光
G
A:重心
G
B:重心
L
A:光
L
B:光
L
C:光
L
A-C:距離
N:凹部
P:凸部
P
A:垂線
P
C:垂線
R
A:光
R
B:光
R
C:光
T
A:端部
T
C:端部
T:點
θ:角度
圖1係複數個光半導體元件以像素為單位配置於基板上之光學構件之局部俯視圖。
圖2係表示本發明之顯示體之一實施方式之局部剖視圖。
圖3係圖2所示之顯示體之局部放大圖。
圖4係表示圖2所示之顯示體之光半導體元件發光之情況的局部剖視圖。
圖5係表示先前之顯示體之光半導體元件發光之情況的局部剖視圖。
圖6係表示本發明之顯示體之另一實施方式之局部剖視圖。
圖7係表示本發明之顯示體之又一實施方式之局部剖視圖。
圖8係表示本發明之光半導體元件密封用片材之一實施方式之剖視圖。
圖9係表示使用圖8所示之光半導體元件密封用片材將光半導體元件密封之步驟之局部剖視圖。
1:顯示體
2:基板
3a~3c:光半導體元件
4:密封樹脂層
5:基材部
31:支持體
41:擴散功能層
42:非擴散功能層
N:凹部
P:凸部
Claims (7)
- 一種顯示體,其具備基板、配置於上述基板上之複數個光半導體元件、及將上述複數個光半導體元件密封之密封樹脂層, 上述密封樹脂層包含擴散功能層及非擴散功能層, 將自上述基板表面至第一光半導體元件之重心之正面側之端部T A之距離設為L A, 將自上述基板表面、至通過上述第一光半導體元件之重心與於同一像素內與上述第一光半導體元件相鄰之第二光半導體元件之重心之中點的相對於上述基板表面之垂線上的上述擴散功能層之正面側之端部T C的距離設為L C, 將自通過上述端部T A之相對於上述基板表面之垂線至通過上述端部T C之相對於上述基板表面之垂線之距離設為L A-C, 將自上述端部T A至通過上述端部T C之相對於上述基板表面之垂線的仰角之角度設為θ°,此時,L A、L C、L A-C及θ滿足下述式(1), L C≦L A+L A-Ctanθ (1)。
- 如請求項1之顯示體,其中上述基板上之上述光半導體元件之高度為500 μm以下。
- 如請求項1之顯示體,其中上述擴散功能層具有黏著性。
- 如請求項1至3中任一項之顯示體,其具備自發光型顯示裝置。
- 如請求項1至3中任一項之顯示體,其係圖像顯示裝置。
- 一種光半導體元件密封用片材,其係用於將配置於基板上之複數個光半導體元件密封之片材, 上述片材具備包含擴散功能層及非擴散功能層之密封用樹脂層, 於藉由上述密封用樹脂層將上述複數個光半導體元件密封而形成密封樹脂層時, 將自上述基板表面至第一光半導體元件之重心之正面側之端部T A之距離設為L A, 將自上述基板表面、至通過上述第一光半導體元件之重心與於同一像素內與上述第一光半導體元件相鄰之第二光半導體元件之重心之中點的相對於上述基板表面之垂線上的上述擴散功能層之正面側之端部T C的距離設為L C, 將自通過上述端部T A之相對於上述基板表面之垂線至通過上述端部T C之相對於上述基板表面之垂線之距離設為L A-C, 將自上述端部T A至通過上述端部T C之相對於上述基板表面之垂線的仰角之角度設為θ°,此時,L A、L C、L A-C及θ可滿足下述式(1), L C≦L A+L A-Ctanθ (1)。
- 如請求項6之光半導體元件密封用片材,其中上述擴散功能層具有黏著性。
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JP2022-049425 | 2022-03-25 |
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