TW202404989A - 光學薄膜、著色層形成用組成物、二吡咯亞甲基鈷錯合物及顯示裝置 - Google Patents

光學薄膜、著色層形成用組成物、二吡咯亞甲基鈷錯合物及顯示裝置 Download PDF

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Abstract

本發明之光學薄膜係具備透明基材、積層於透明基材之至少一面側的著色層，著色層係最大吸收波長在480～500nm之範圍內，著色層含有色素(A)，且前述色素(A)含有色材，其中該色材包含具有特定結構的二吡咯亞甲基鈷錯合物，前述二吡咯亞甲基鈷錯合物在濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液中的最大吸收波長的實測值，與使用量子化學計算程式Gaussian16而計算出之計算值會滿足特定關係。

Description

光學薄膜、著色層形成用組成物、二吡咯亞甲基鈷錯合物及顯示裝置
本發明係關於一種光學薄膜、著色層形成用組成物、二吡咯亞甲基鈷錯合物及顯示裝置。 本申請案基於2022年5月30日於日本所提申之日本特願2022-087770號主張優先權，並將其內容引用於此。
不論室內外，顯示裝置多在外部光入射的環境下使用。入射至顯示裝置的外部光在顯示裝置表面被反射，引起視覺辨認性的降低等顯示品質的降低。其中，有機發光顯示裝置等的自發光顯示裝置係電極及其它許多金屬配線強烈反射外部光，容易發生顯示品質的降低。 為了使顯示裝置低反射率化，抑制外部光反射，有時會於顯示裝置的顯示面側配置圓偏光板。
另一方面，在顯示裝置來說，一般會要求高的色純度。所謂色純度係表示顯示裝置可顯示之色彩的廣度，亦稱為色彩再現範圍。因此，高色純度係意指色彩再現範圍寬廣且色彩再現性良好。就色彩再現性的提升手段而言，已知例如：對顯示裝置的白色光源使用彩色濾光片而進行色彩分離的手法，以及將單色光源以彩色濾光片來校正而使半高寬窄化的手法。
就彩色濾光片而言，例如提案有以下的彩色濾光片。 ・一種補色濾片，包含具有特定結構的第1色材、與於420～480nm的波長區域具有最大吸收的第2色材(專利文獻1)。 ・一種顯示用過濾器，其具有含有二吡咯亞甲基系色素的樹脂層，且該樹脂係具有特定玻璃轉移溫度的聚酯樹脂(專利文獻2)。 專利文獻1是藉由組合特定的色材而謀求白色光源的色純度之提升。專利文獻2則是將色素的最大吸收波長因應光源的種類而設定在恰當的值，藉由選擇性地吸收來自光源的副發光，而謀求色純度的提升。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第6142398號公報 專利文獻2：日本特開2006-251076號公報
[發明欲解決之課題]
然而，在使用圓偏光板的情況來說，從顯示裝置出射之光也被圓偏光板吸收，亮度會大幅減少。若為了彌補亮度減少而提高發光強度，則會引起發光元件的壽命減少。再者，有因圓偏光板本身的厚度而顯示裝置的薄型化變困難的情況。 在使用迄今之彩色濾光片而提升顯示裝置之色彩再現性的情況下，變得需要彩色濾光片的厚膜化、色材的高濃度化，有像素形狀、視角特性的惡化等使顯示品質降低的情況。再者，因應彩色濾光片的種類，對色材要求以數nm為單位的波長控制，以及高可靠性。
於是，本發明目的在於提供一種對於顯示裝置的低反射率化、高亮度化、薄膜化及色彩再現性之提升係有效的，且可進行波長控制並且可靠性優良之光學薄膜、著色層形成用組成物、二吡咯亞甲基鈷錯合物及顯示裝置。 [用以解決課題之手段]
本發明具有以下的態樣。
[1]一種光學薄膜，其係具備透明基材、與積層於前述透明基材之至少一面側的著色層， 前述著色層係最大吸收波長在480～500nm之範圍內， 前述著色層含有色素(A)， 前述色素(A)含有色材，其中該色材包含具有下述式(I)所示之結構的二吡咯亞甲基鈷錯合物， 將前述二吡咯亞甲基鈷錯合物在濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液中的最大吸收波長的實測值設為y， 將前述二吡咯亞甲基鈷錯合物之使用量子化學計算程式Gaussian16而計算出之在丙酮溶液中的最大吸收波長的計算值設為x，並把在丙酮溶液中的最大吸收波長之校正值設為(a×x+b)時， 前述x及前述y滿足下述式(i)。 (y-1)≦(a×x+b)≦(y+1) ・・・(i) 不過，式(i)中，a及b為常數，當式(I)中之R 5為氫原子時，a=0.6201、b=232.61，當式(I)中之R 5為氫原子以外時，a=0.2632、b=380.71。
於此處，前述式(I)中的R 1～R 7各自獨立表示選自於由氫原子、鹵素原子、脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、羥基、巰基、硝基、經取代的胺基、未經取代的胺基、氰基、磺基、酯基、及醯基構成之群組中的一價基。 [2]如[1]記載之光學薄膜，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物係在具有下述式(II)所示之結構的硼二吡咯亞甲基與單線態氧反應的下述反應式(III)中， 使用量子化學計算程式Gaussian16，利用計算手法B3LYP、基函數6-31G(d,p)(不過對於周期表中原子序大於Kr之元素係搭配基函數LanL2DZ)而計算出之反應前後之自由能變化ΔG係-1.0kcal/mol以上。
於此處，式(II)及式(III)中的R 1～R 7係各自表示與式(I)中之R 1～R 7相同的一價基。 [3]如[1]或[2]記載之光學薄膜，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 5為氫原子。 [4]如[1]～[3]中任一項記載之光學薄膜，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 1～R 4為烷基，R 1與R 2之碳數的和為3以上且R 3與R 4之碳數的和為3以上。 [5]如[1]～[4]中任一項記載之光學薄膜，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物具有下述式(I-1)所示之結構，且濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液的莫耳消光係數為170000L/(mol・cm)以上。
於此處，式(I-1)中之R 1～R 5各自表示與前述式(I)中之R 1～R 5相同的一價基，R 8及R 9係各自獨立表示碳數1～6的烷基。 [6]如[5]記載之光學薄膜，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 8及R 9各自獨立為甲基或乙基。
[7]一種著色層形成用組成物，其係含有：色素(A)、光聚合性化合物(B)與光聚合起始劑(C)， 前述色素(A)含有色材，其中該色材包含具有下述式(I)所示之結構的二吡咯亞甲基鈷錯合物， 將前述二吡咯亞甲基鈷錯合物在濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液中的最大吸收波長的實測值設為y， 將前述二吡咯亞甲基鈷錯合物之使用量子化學計算程式Gaussian16而計算出之在丙酮溶液中的最大吸收波長的計算值設為x，並把在丙酮溶液中的最大吸收波長之校正值設為(a×x+b)時， 前述x及前述y滿足下述式(i)及下述式(ii)。 (y-1)≦(a×x+b)≦(y+1) ・・・(i) 480nm≦y≦500nm ・・・(ii) 不過，式(i)中，a及b為常數，當式(I)中之R 5為氫原子時，a=0.6201、b=232.61，當式(I)中之R 5為氫原子以外時，a=0.2632、b=380.71。
於此處，式(I)中之R 1～R 7各自獨立表示選自於由氫原子、鹵素原子、脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、羥基、巰基、硝基、經取代的胺基、未經取代的胺基、氰基、磺基、酯基、及醯基構成之群組中的一價基。 [8]如[7]記載之著色層形成用組成物，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物係在具有下述式(II)所示之結構的硼二吡咯亞甲基與單線態氧反應的下述反應式(III)中， 使用量子化學計算程式Gaussian16，利用計算手法B3LYP、基函數6-31G(d,p)(不過對於周期表中原子序大於Kr之元素係搭配基函數LanL2DZ)而計算出之反應前後之自由能變化ΔG係-1.0kcal/mol以上。
於此處，式(II)及式(III)中的R 1～R 7各自表示與式(I)中之R 1～R 7相同的一價基。 [9]如[7]或[8]記載之著色層形成用組成物，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 5為氫原子。 [10]如[7]～[9]中任一項記載之著色層形成用組成物，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 1～R 4為烷基，R 1與R 2之碳數的和為3以上且R 3與R 4之碳數的和為3以上。 [11]如[7]～[10]中任一項記載之著色層形成用組成物，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物具有下述式(I-1)所示之結構，且濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液的莫耳消光係數為170000L/(mol・cm)以上。
於此處，式(I-1)中之R 1～R 5各自表示與前述式(I)中之R 1～R 5相同的一價基，R 8及R 9係各自獨立表示碳數1～6的烷基。 [12]如[11]記載之著色層形成用組成物，其中前述二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 8及R 9各自獨立為甲基或乙基。 [13]如[7]～[12]中任一項記載之著色層形成用組成物，其進一步含有非聚合性添加劑(D)。
[14]一種光學薄膜，其具備：透明基材、與積層於前述透明基材之至少一面側之著色層， 前述著色層係如[7]～[13]中任一項記載之著色層形成用組成物的硬化物。
[15]一種二吡咯亞甲基鈷錯合物，其具有下述式(I-1)所示之結構，且濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液的莫耳消光係數為170000L/(mol・cm)以上。
於此處，式(I-1)中之R 1～R 5各自獨立表示選自於由氫原子、鹵素原子、脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、羥基、巰基、硝基、經取代的胺基、未經取代的胺基、氰基、磺基、酯基、及醯基構成之群組中的一價基，R 8及R 9係各自獨立表示碳數1～6的烷基。 [16]如[15]記載之二吡咯亞甲基鈷錯合物，其中R 8及R 9係各自獨立為甲基或乙基。 [17]如[15]或[16]記載之二吡咯亞甲基鈷錯合物，其中R 5係氫原子。 [18]如[15]～[17]中任一項記載之二吡咯亞甲基鈷錯合物，其中R 1～R 4係烷基，R 1與R 2之碳數的和為3以上且R 3與R 4之碳數的和為3以上。
[19]一種顯示裝置，其具備如[1]～[6]及[14]中任一項記載之光學薄膜。 [發明之效果]
依據本發明，可提供一種對於顯示裝置的低反射率化、高亮度化、薄膜化及色彩再現性之提升係有效的，且可進行波長控制並且可靠性優良之光學薄膜、著色層形成用組成物、二吡咯亞甲基鈷錯合物及顯示裝置。
[用以實施發明的形態]
[光學薄膜] 以下，針對本發明之一實施形態涉及的光學薄膜，基於圖1詳細地說明。
如圖1所示，光學薄膜1係具有著色層10、透明基材20與機能層30。機能層30係具有低折射率層31、與硬塗層32。即，光學薄膜1為具有位於著色層10之一面的透明基材20，且依著色層10、透明基材20、硬塗層32、及低折射率層31之順序積層而成的積層體。
光學薄膜1的厚度例如較佳為10～140μm，更佳為15～120μm，進一步較佳為20～100μm。光學薄膜1的厚度若為上述下限值以上，則可更提高光學薄膜1的強度。光學薄膜1的厚度若為上述上限值以下，則能夠使光學薄膜1更輕量，有利於顯示裝置的薄型化。
光學薄膜1之最大吸收的半高寬較佳為30nm以下，更佳為28nm以下，進一步較佳為25nm以下。光學薄膜1之最大吸收的半高寬若為上述上限值以下，則可更提高亮度效率。光學薄膜1之最大吸收的半高寬的下限值，不被特別限定，但可設為例如：10nm。 光學薄膜1之最大吸收的半高寬可透過測定光學薄膜1的吸收光譜而求得。 以下針對構成光學薄膜1之各層進行說明。
＜＜著色層＞＞ 著色層10含有色素(A)。 於較佳的一態樣中，著色層10係本實施形態之著色層形成用組成物的硬化物。本實施形態之著色層形成用組成物含有色素(A)、光聚合性化合物(B)與光聚合起始劑(C)。當著色層10係本實施形態之著色層形成用組成物的硬化物之情況，著色層10含有色素(A)、與光聚合性化合物(B)的聚合物。 著色層10及本實施形態之著色層形成用組成物亦可進一步含有非聚合性添加劑(D)。本實施形態之著色層形成用組成物亦可進一步含有溶劑(E)。
著色層10係最大吸收波長在480～500nm的範圍內，較佳係在485～500nm的範圍內，更佳係在490～500nm的範圍內。最大吸收波長若為上述下限值以上，則不易降低藍色發光的亮度。最大吸收波長若為上述上限值以下，則不易降低綠色發光的亮度。因此，藉由吸收波長與吸收強度的控制，而容易兼顧色純度與亮度效率。 再者，在光學薄膜1中，光學薄膜1的最大吸收波長係等同於著色層10的最大吸收波長。即，著色層10的最大吸收波長可透過測定光學薄膜1的吸收光譜而求得。
著色層10的厚度，例如較佳為0.5～10μm。著色層10的厚度若為上述下限值以上，則能提升色純度，並能夠兼顧色純度與亮度效率。著色層10的厚度若為上述上限值以下，則有利於顯示裝置的薄型化。 著色層10的厚度係藉由利用顯微鏡等觀察光學薄膜1之厚度方向的截面(從與厚度方向交叉之方向所見的截面)而求出。
＜色素(A)＞ 色素(A)係含有色材(以下亦記作「第一色材」)，該色材包含特定二吡咯亞甲基鈷錯合物(以下亦記作「錯合物(I)」)。 錯合物(I)具有下述式(I)所示之結構。
於此處，R 1～R 7各自獨立表示選自於由氫原子、鹵素原子、脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、羥基、巰基、硝基、經取代的胺基、未經取代的胺基、氰基、磺基、酯基、及醯基構成之群組中的一價基。 一價基具有碳原子時(即係為脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、經取代的胺基、酯基、及醯基等時)，該一價基亦可具有取代基。
式(I)中，作為R 1～R 7中的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子等。 作為R 1～R 7中的脂肪族烴基，可舉出烷基、及烯基等。
作為烷基，可舉出例如：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、2-甲基丁基、1-甲基丁基、新戊基、1,2-二甲基丙基、1,1-二甲基丙基、環戊基、正己基、4-甲基戊基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、1-甲基戊基、3,3-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、1,3-二甲基丁基、2,2-二甲基丁基、1,2-二甲基丁基、1,1-二甲基丁基、3-乙基丁基、2-乙基丁基、1-乙基丁基、1,2,2-三甲基丁基、1,1,2-三甲基丁基、1-乙基-2-甲基丙基、環己基、正庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、4-甲基己基、5-甲基己基、2,4-二甲基戊基、正辛基、2-乙基己基、2,5-二甲基己基、2,5,5-三甲基戊基、2,4-二甲基己基、2,2,4-三甲基戊基、3,5,5-三甲基己基、正壬基、正癸基、4-乙基辛基、4-乙基-4,5-甲基己基、正十一基、正十二基、1,3,5,7-四乙基辛基、4-丁基辛基、6,6-二乙基辛基、正十三基、6-甲基-4-丁基辛基、正十四基、正十五基、3,5-二甲基庚基、2,6-二甲基庚基、2,4-二甲基庚基、2,2,5,5-四甲基己基、1-環戊基-2,2-二甲基丙基、及1-環己基-2,2-二甲基丙基等。 該等烷基之1個以上的氫原子係可被鹵素原子、及烷氧基等之取代基所取代。 烷基可為直鏈狀，可為分支鏈狀，亦可為環狀。烷基的碳數係例如為1～20。
作為烯基，可舉出例如：乙烯基、丙烯基、1-丁烯基、異丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、2-甲基-1-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2,2-二氰基乙烯基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯基、及2-氰基-2-甲基碸乙烯基等。 烯基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。烯基的碳數係例如為2～20。
作為R 1～R 7中的烷氧基，可舉出例如：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、異戊氧基、新戊氧基、正己氧基、及正十二烷氧基等。 烷氧基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。烷氧基的碳數係例如為1～20。
作為R 1～R 7中的烷硫基，可舉出例如：甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、異戊硫基、2-甲基丁硫基、1-甲基丁硫基、新戊硫基、1,2-二甲基丙硫基、及1,1-二甲基丙硫基等。 烷硫基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。烷硫基的碳數係例如為1～20。
作為R 1～R 7中的芳香族烴基，可舉出例如：芳烷基、及芳基等。芳香族烴基之1個以上的氫原子亦可被鹵素原子、脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、羥基、巰基、硝基、經取代的胺基、未經取代的胺基、氰基、磺基、酯基、及醯基等之取代基所取代。
作為芳烷基，可舉出例如：苄基、硝基苄基、氰基苄基、羥基苄基、甲基苄基、二甲基苄基、三甲基苄基、二氯苄基、甲氧基苄基、乙氧基苄基、三氟甲基苄基、萘甲基、硝基萘甲基、氰基萘甲基、羥基萘甲基、甲基萘甲基、及三氟甲基萘甲基等。 芳烷基的碳數係例如為7～20。
作為芳基，可舉出例如：苯基、硝基苯基、氰基苯基、羥基苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、二氯苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、三氟甲基苯基、N,N-二甲基胺基苯基、萘基、硝基萘基、氰基萘基、羥基萘基、甲基萘基、及三氟甲基萘基等。 芳基的碳數係例如為6～20。
作為R 1～R 7中的雜環基，可舉出雜芳基等。 作為雜芳基可舉出例如：吡咯基、噻吩基、呋喃基、唑基(oxazolyl)、異唑基、二唑基(oxadiazoyl)、咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、及吲哚基等。 雜芳基的碳數係例如為4～20。
作為R 1～R 7中之經取代的胺基，可舉出例如：烷基羰基胺基、及芳基羰基胺基等。 作為烷基羰基胺基，可舉出例如：乙醯基胺基、乙基羰基胺基、及丁基羰基胺基等。 烷基羰基胺基的碳數係例如為2～20。 作為芳基羰基胺基，可舉出例如：苯基胺基羰基、4-甲基苯基胺基羰基、2-甲氧基苯基胺基羰基、及4-正丙基苯基胺基羰基等。 芳基羰基胺基的碳數，係例如為7～20。
作為R 1～R 7中的酯基，可舉出例如：烷氧羰基、烯氧羰基、及芳烷氧羰基等。
作為烷氧羰基，可舉出例如：甲氧羰基、乙氧羰基、異丙氧羰基、正丁氧羰基、三級丁氧羰基、2,2-二甲基丙氧羰基、及2,4-二甲基丁氧羰基。 烷氧羰基的碳數係例如為2～20。
作為烯氧羰基，可舉出例如：烯丙氧羰基、及2-丁烯氧羰基等。 烯氧羰基的碳數係例如為3～20。
作為R 1～R 7中的醯基，可舉出例如：甲醯基、乙醯基、乙基羰基、正丙基羰基、異丙基羰基、正丁基羰基、異丁基羰基、二級丁基羰基、三級丁基羰基、正戊基羰基、異戊基羰基、新戊基羰基、2-甲基丁基羰基、及硝基苄基羰基等。 醯基的碳數係例如為1～20。
當一價基具有碳原子時，該一價基的碳數較佳為10以下，更佳為6以下，進一步較佳為4以下。碳數若為上述上限值以下，則錯合物(I)的分子量變得相對地低。因此，即便色素(A)的濃度低，也可充分地吸收波長490～500nm的光，可更提高耐光性。 一價基具有碳原子時之碳數的下限係與在前述之各一價基的說明中所示之碳數的範圍之下限相同。
在式(I)中，較佳係R 1～R 4為烷基，R 1與R 2之碳數的和為3以上且R 3與R 4之碳數的和為3以上。此情況時，後述的自由能變化ΔG變大且耐光性有提升的傾向。作為此理由，認為：因為R 1或R 2所致之立體阻礙與R 3或R 4所致之立體阻礙而抑制由單線態氧對二吡咯亞甲基結構之中位(meso position)的攻擊。再者，與構成塗膜之樹脂的相溶性提升，變得可在塗膜中穩定地存在，且耐光性提升。 R 1與R 2之碳數的和、R 3與R 4之碳數的和各自更佳為4以上。R 1與R 2之碳數的和、R 3與R 4之碳數的和各自的上限係例如為12，進一步為8。
於此處，ΔG係表示在具有下述式(II)所示之結構的硼二吡咯亞甲基與單線態氧反應的下述反應式(III)中之反應前後的自由能變化。 ΔG係使用量子化學計算程式Gaussian16，利用計算手法B3LYP、基函數6-31G(d,p)(不過對於周期表中原子序大於Kr之元素係搭配基函數LanL2DZ)而計算出之值。更詳細而言，係使用量子化學計算程式Gaussian16，利用計算手法B3LYP、基函數6-31G(d,p)(不過對於周期表中原子序大於Kr之元素係搭配基函數LanL2DZ)，從進行反應式(III)之右邊的結構最佳化計算及振動計算之結果所獲得的自由能之值，減去進行式(II)所示之硼二吡咯亞甲基的結構最佳化計算及振動計算之結果所獲得的自由能之值、與進行單線態氧的結構最佳化計算及振動計算之結果所獲得的自由能之值的和而算出。
於此處，式(II)及式(III)中的R 1～R 7係各自表示與式(I)中之R 1～R 7相同的一價基。
ΔG意指在具有以錯合物(I)之R 1～R 7所示之一價基的硼二吡咯亞甲基與單線態氧反應的反應式(III)中之反應前後的自由能變化。 ΔG較佳為-1.0kcal/mol以上，更佳為0.0kcal/mol以上，進一步較佳為1.0kcal/mol以上。ΔG若為上述下限值以上，則二吡咯亞甲基鈷錯合物係耐光性優異，且包含其之著色層、光學薄膜亦耐光性優異。 ΔG越大越佳，上限不被特別限定。 ΔG係依式(I)中之R 1～R 7為哪種基團或原子而不同。因此，式(I)中的R 1～R 7較佳係以使ΔG成為-1.0kcal/mol以上的方式選擇。
在式(I)中，R 1～R 4中的至少1個係氫原子或鹵素原子亦為較佳。此情況時，ΔG變大，且耐光性有提升的傾向。此情況時，更佳為R 1及R 3各自獨立為氫原子或鹵素原子、R 2及R 4各自獨立為碳數1～4的烷基，或是R 1及R 3各自獨立為碳數1～4的烷基、R 2及R 4各自獨立為鹵素原子。
在式(I)中，R 5較佳為氫原子。此情況時，ΔG變大，且耐光性有提升的傾向。
在式(I)中，R 6及R 7較佳係各自獨立為酯基。此情況時，ΔG變大，且耐光性有提升的傾向。就其理由而言，認為：由於R 6及R 7係體積大的結構，因而抑制由單線態氧對二吡咯亞甲基結構之中位的攻擊。 酯基之中，又以碳數2～7的烷氧羰基為較佳，以碳數2～3的烷氧羰基為更佳。此情況時，錯合物(I)的分子量變得相對地低，能夠降低色素(A)的濃度。
作為錯合物(I)之較佳的一例，可舉出：具有下述式(I-1)所示之結構，並且濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液(將錯合物(I)溶解於丙酮的溶解液)的莫耳消光係數為170000L/(mol・cm)以上的二吡咯亞甲基鈷錯合物。這樣的二吡咯亞甲基鈷錯合物係耐光性優異。再者，分子量相對地低，能夠降低色素(A)的濃度。
於此處，R 1～R 5係如前所述，R 8及R 9各自獨立表示碳數1～6的烷基。R 8及R 9較佳係各自獨立為甲基或乙基。
上述莫耳消光係數若為170000L/(mol・cm)以上，則耐光性有更優異的傾向。 上述莫耳消光係數較佳為180000L/(mol・cm)以上，更佳為190000L/(mol・cm)以上。上述莫耳消光係數的上限不被特別限定，但係例如為300000L/(mol・cm)。 上述莫耳消光係數係藉由後述之實施例記載的方法所測定。 上述莫耳消光係數會因式(I-1)中之R 1～R 5、R 8及R 9為哪種基團或原子而不同。因此，式(I-1)中之R 1～R 5、R 8及R 9較佳係以使上述莫耳消光係數成為170000L/(mol・cm)以上的方式選擇。
將錯合物(I)在濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液中的最大吸收波長的實測值設為y(nm)，將錯合物(I)之使用量子化學計算程式Gaussian16而計算出之在丙酮溶液中的最大吸收波長的計算值設為x(nm)，並將在丙酮溶液中的最大吸收波長的校正值設為(a×x+b)(nm)時，x及y滿足下述式(i)。 (y-1)≦(a×x+b)≦(y+1) ・・・(i)
不過，式(i)中，a及b為常數，當式(I)中之R 5為氫原子時，a=0.6201、b=232.61，而當式(I)中之R 5為氫原子以外時，a=0.2632、b=380.71。
式(i)係表示用以進行波長控制的指標，在式(i)中的校正值越接近最大吸收波長的實測值y，意指越可精準地控制錯合物(I)的最大吸收波長。即，滿足式(i)的錯合物(I)係意指校正值與實測值吻合性良好地一致，可進行波長控制。 藉由控制錯合物(I)的最大吸收波長，可更提高光學薄膜1的可靠性。 式(i)中的x可透過式(I)中之R 1～R 7的種類、及該等的組合而調整。
在丙酮溶液中的最大吸收波長的計算值x(nm)可利用下述的程序來計算。 將自文獻「Symmetry-Breaking Charge Transfer of Visible Light Absorbing Systems：Zinc Dipyrrins、J.Phys.Chem.C 2014, 118, 21834-21845」記載之化合物zDIP3之X射線結晶結構分析資料所獲得之化學結構設為基本骨架，將中心金屬自鋅變更為鈷，並將二吡咯亞甲基的取代基變更為式(I)中之R 1～R 7的結構設定為初期結構。將此初期結構設為輸入結構，使用Gaussian16，利用計算手法B3LYP(非限制法)、基函數6-31G(d)(不過Co及I係搭配基函數LanL2DZ)，實施結構最佳化計算並獲得最佳化結構。針對所獲得之最佳化結構，利用計算手法CAM-B3LYP(非限制法)、基函數6-31G(d)(不過Co及I係搭配基函數LanL2DZ)、溶媒效應計算方法SMD(Solvation Model based on Density)，實施基於時密度泛函理論(Time dependent density functional theory)的激發態計算，將振動子強度最大的激發態及第2大的激發態之吸收波長的平均值設為最大吸收波長的計算值x(nm)。
錯合物(I)之製造方法未被特別限定，例如能夠按照日本特開2002-212456號公報記載之方法製造。 藉由適宜選擇式(I)中之R 1～R 7，而能夠控制錯合物(I)的最大吸收波長。
相對於色素(A)的總質量，色素(A)中之第一色材的含量例如較佳為10～100質量%。色素(A)中之第一色材的含量若為上述數值範圍內，則可更提高光學薄膜1的可靠性。
色素(A)亦可進一步含有在濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液中的最大吸收波長係560～620nm的範圍內的第二色材。色素(A)藉由含有第二色材，可更提高色純度。 第二色材在濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液中之最大吸收的半高寬較佳為15～55nm。
作為第二色材，可舉出例如：酞青(phthalocyanine)色素、及卟啉(porphyrin)色素等。 當色素(A)含有第二色材的情況，相對於色素(A)的總質量，色素(A)中之第二色材的含量，例如較佳為10～60質量%。色素(A)中之第二色材的含量若為上述數值範圍內，則可更提高色純度。
色素(A)亦可進一步含有第一色材及第二色材以外之其它的色材。 作為其它的色材，可舉出在380～780nm之波長範圍中透射率最低之波長在650～780nm之範圍內的第三色材。色素(A)藉由進一步含有第三色材，能夠使亮度效率的降低最小限度化，並進一步提升色純度。
作為第三色材，可舉出例如：方酸菁(squarylium)色素、及酞青色素等。 當色素(A)含有第三色材之情況，相對於色素(A)的總質量，色素(A)中之第三色材的含量例如較佳為10～60質量%。色素(A)中之第三色材的含量若為上述數值範圍內，則可進一步提高色純度。
色素(A)較佳係含有具有卟啉結構、部花青素(merocyanine)結構、酞青結構、偶氮結構、靛青(cyanine)結構、方酸菁結構、香豆素結構、多烯結構、醌結構、四-二卟啉結構、吡咯亞甲基(pyrromethene)結構、靛藍(indigo)結構中之任一者的化合物、或其金屬錯合物。若色素(A)含有該等化合物或其金屬錯合物，則可兼顧色純度與亮度效率，並可更提升顯示品質。 色素(A)可單獨含有1種該等化合物或其金屬錯合物，亦可含有2種以上。該等化合物或其金屬錯合物可含於第一色材，可含於第二色材，可含於第三色材，亦可含於該等色材中的2種以上。
相對於著色層形成用組成物之固體成分的總質量，色素(A)的含量較佳為0.01～5.0質量%，更佳為0.01～2.0質量%。色素(A)的含量若為上述下限值以上，則能夠有效地吸收外部光、來自顯示裝置之光源的副發光，可減低反射率。色素(A)的含量若為上述上限值以下，則能夠抑制色素的凝聚、集結，可更提高色彩再現性。 著色層形成用組成物之固體成分係溶劑(E)以外之全部成分的合計。相對於著色層形成用組成物固體成分之色素(A)的含量，係可視為相對於著色層總質量之色素(A)的含量。
＜光聚合性化合物(B)＞ 光聚合性化合物(B)係若照射紫外線等之活性能量線則會聚合並硬化的化合物。 作為光聚合性化合物(B)，可舉出例如單官能之(甲基)丙烯酸酯、2官能之(甲基)丙烯酸酯、及3官能以上之(甲基)丙烯酸酯。光聚合性化合物(B)較佳係包含2官能以上之(甲基)丙烯酸酯。 再者，在本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」係丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯之兩者的總稱，「(甲基)丙烯醯基」係丙烯醯基與甲基丙烯醯之兩者的總稱。
單官能之(甲基)丙烯酸酯係具有1個(甲基)丙烯醯基的化合物。 作為單官能之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如：(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、丙烯醯基啉、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、磷酸(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性磷酸(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、環氧乙烷改性(甲基)丙烯酸苯氧酯、環氧丙烷改性(甲基)丙烯酸苯氧酯、壬基酚(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性壬基酚(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改性壬基酚(甲基)丙烯酸酯、甲氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基丙二醇(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-2-羥丙基鄰苯二甲酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸氫酯、2-(甲基)丙烯醯氧基丙基鄰苯二甲酸氫酯、2-(甲基)丙烯醯氧基丙基六氫鄰苯二甲酸氫酯、2-(甲基)丙烯醯氧基丙基四氫鄰苯二甲酸氫酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸四氟丙酯、(甲基)丙烯酸六氟丙酯、(甲基)丙烯酸八氟丙酯、具有衍生自2-金剛烷、及金剛烷二醇之1價的單(甲基)丙烯酸酯的丙烯酸金剛烷酯等之金剛烷衍生物單(甲基)丙烯酸酯等。
2官能之(甲基)丙烯酸酯係具有2個(甲基)丙烯醯基之化合物。作為2官能之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化己二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、及羥基三甲基乙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等之二(甲基)丙烯酸酯。
3官能以上之(甲基)丙烯酸酯係具有3個以上(甲基)丙烯醯基的化合物。 作為3官能以上之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三2-羥基乙基三聚異氰酸酯三(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯等之三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等之3官能的(甲基)丙烯酸酯化合物、或者新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及二-三羥甲基丙烷六(甲基)丙烯酸酯等之3官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，或者將該等(甲基)丙烯酸酯之一部分以烷基、ε-己內酯取代而成的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物等。
作為光聚合性化合物(B)，亦可使用胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。作為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如：藉由使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯單體，對異氰酸酯單體或預聚物與聚酯多元醇反應所獲得之產物進行反應而獲得者。 作為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之例子，可舉出：新戊四醇三丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物、二新戊四醇五丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物、新戊四醇三丙烯酸酯甲苯二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物、二新戊四醇五丙烯酸酯甲苯二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物、新戊四醇三丙烯酸酯異佛酮二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物、及二新戊四醇五丙烯酸酯異佛酮二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。
上述之(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。再者，上述之(甲基)丙烯酸酯化合物在著色層形成用組成物中可為單體，亦可為一部分經聚合的寡聚物。
相對於著色層形成用組成物之總質量，光聚合性化合物(B)的含量較佳為50～99質量%，更佳為70～99質量%。光聚合性化合物(B)的含量若為上述下限值以上，則可更提高褪色抑制效果。光聚合性化合物(B)的含量若為上述上限值以下，則可更提高著色層形成用組成物的操作性。
＜光聚合起始劑(C)＞ 作為光聚合起始劑(C)，可舉出例如受紫外線等之活性能量線照射時會產生自由基者。 作為光聚合起始劑(C)，可舉出例如：苯偶姻類(苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚等之苯偶姻烷基醚類等)、苯基酮類[例如：苯乙酮類(例如：苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮等)、2-羥基-2-甲基苯丙酮等的烷基苯基酮類；1-羥基環己基苯基酮等之環烷基苯基酮類等]、胺基苯乙酮類{2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基胺基丙酮-1、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-丁酮-1等}、蒽醌類(蒽醌、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-三級丁基蒽醌、1-氯蒽醌等)、9-氧硫 (thioxanthone)類(2,4-二甲基-9-氧硫 、2,4-二乙基-9-氧硫 、2-氯-9-氧硫 、2,4-二異丙基-9-氧硫 等)、縮酮類(苯乙酮二甲基縮酮、苄基二甲基縮酮等)、二苯甲酮類(二苯甲酮等)、酮(xanthone)類、及膦氧化物類(例如：2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物等)等。該等光聚合起始劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
相對於著色層形成用組成物之總質量，光聚合起始劑(C)的含量較佳為0.01～20質量%，更佳為0.1～10質量%。光聚合起始劑(C)的含量若為上述下限值以上，則能夠充分地硬化著色層形成用組成物。光聚合起始劑(C)的含量若為上述上限值以下，則不易殘留未反應之光聚合起始劑(C)，可抑制可靠性的降低。
＜非聚合性添加劑(D)＞ 著色層形成用組成物藉由含有非聚合性添加劑(D)，而可對著色層10賦予各種機能。 作為非聚合性添加劑(D)，可舉出例如：自由基捕獲劑(radical scavenger)、過氧化物分解劑、單線態氧淬滅劑(singlet oxygen quencher)、流平劑、消泡劑、抗氧化劑、光敏劑、防污劑、及導電材料等。非聚合性添加劑(D)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 就非聚合性添加劑(D)而言，因為具有防止因光線、熱等所導致之色素(A)之劣化的機能，而較佳係從自由基捕獲劑、過氧化物分解劑及單線態氧淬滅劑中選出的1種。
自由基捕獲劑係捕捉色素(A)氧化劣化時的自由基，帶有抑制自然氧化之作用，並抑制色素劣化(褪色)。作為自由基捕獲劑，可舉出受阻胺系光穩定劑、芳香族胺系抗氧化劑、酚系抗氧化劑等，特別係可合適使用分子量為2000以上的受阻胺系光穩定劑。若受阻胺系光穩定劑的分子量為2000以上，則可獲得高的褪色抑制效果。這被認為是因為受阻胺系光穩定劑不易揮發，留在著色層10內的分子多，可獲得充分的褪色抑制效果。 作為分子量為2000以上之受阻胺系光穩定劑，可舉出例如：BASF公司製之Chimassorb2020FDL、Chimassorb944FDL、Tinuvin622及ADEKA股份有限公司製之ADK STAB LA-63P等。
過氧化物分解劑係離子性地分解氫過氧化物(ROOH。R表示烷基、O表示氧原子、H表示氫原子)，使其成為惰性的化合物，係帶有抑制自由基生成的機能之抗氧化劑的一種。非聚合性添加劑(D)藉由含有過氧化物分解劑，而可抑制色素(A)的氧化劣化，並謀求具有著色層10之發光元件的長壽化。再者，當過氧化物分解劑係符合後述之單線態氧淬滅劑時，在本說明書中，單線態氧淬滅劑係定為排除在過氧化物分解劑外者。 作為過氧化物分解劑，可舉出例如：硫系抗氧化劑、及磷系抗氧化劑等。作為硫系抗氧化劑，可舉出例如：3,3’-硫代二丙酸雙十二基酯、及2-巰基苯并咪唑等。作為磷系抗氧化劑，可舉出例如：亞磷酸三己酯、亞磷酸三油酯、亞磷酸三辛酯、亞磷酸三(2-乙基己基)酯、亞磷酸三(2,4-二-三級丁基苯基)酯、亞磷酸三(1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙基)酯、亞磷酸三苯酯、亞磷酸三(2-甲基苯基)酯、亞磷酸三(4-甲基苯基)酯、及3,9-雙(2,4-二-三級丁基苯氧基)-2,4,8,10-四氧雜-3,9-二磷雜螺[5,5]十一烷等。
單線態氧淬滅劑係抑制因單線態氧所致之色素(A)之氧化劣化的化合物。非聚合性添加劑(D)藉由含有單線態氧淬滅劑，而可抑制色素(A)的氧化劣化，並謀求具有著色層10之發光元件的長壽化。 作為單線態氧淬滅劑，可舉出過渡金屬錯合物、色素類(不過色素(A)除外)、胺類、酚類、及硫化物類等。作為單線態氧淬滅劑，就可特別合適使用的材料而言，可合適地使用磷酸二烷基酯、二烷基二硫代胺甲酸酯、苯二硫醇(benzenedithiol)或者類似於其之二硫醇的過渡金屬錯合物且作為中心金屬係鎳、銅或鈷。作為單線態氧淬滅劑，可舉出例如：林原(股)製之NKX1199(雙[2’-氯-3-甲氧基-4-(2-甲氧基乙氧基)二硫代苄基]鎳)、NKX113(雙(二硫代苄基)鎳)、NKX114(雙[4-(二甲基胺基)二硫代苄基]鎳)、東京化成工業(股)製之D1781(二丁基二硫代胺甲酸鎳(II))、B1350(雙(二硫代苄基)鎳(II))、B4360(雙[4,4’-二甲氧基(二硫代苄基)]鎳(II))、及T3204(四丁基銨雙(3,6-二氯-1,2-苯二硫醇基)鎳酸鹽)等。
相對於著色層形成用組成物之固體成分的總質量，非聚合性添加劑(D)的含量較佳為0.1～50質量%，更佳為5～30質量%。非聚合性添加劑(D)的含量若為上述下限值以上，則可對著色層10賦予各種機能。非聚合性添加劑(D)的含量若為上述上限值以下，則容易保持硬化性。
＜溶劑(E)＞ 作為溶劑(E)，可舉出醚類、酮類、酯類、及賽珞蘇類等。作為醚類，可舉出例如：二丁基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、二乙氧基乙烷、環氧丙烷、1,4-二 烷、1,3-二氧雜環戊烷(1,3-dioxolane)、1,3,5-三 烷、四氫呋喃、苯甲醚或苯乙醚等。作為酮類，可舉出例如：丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、二丙基酮、二異丁基酮、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮或乙基環己酮等。作為酯類，可舉出例如：甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸正戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、乙酸正戊酯或γ-丁內酯等。作為賽珞蘇類，可舉出例如：甲基賽珞蘇、賽珞蘇(乙基賽珞蘇)、及丁基賽珞蘇或賽珞蘇乙酸酯等。溶劑(E)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
相對於著色層形成用組成物之總質量，溶劑(E)的含量較佳為40～70質量%，更佳為40～60質量%。若溶劑(E)的含量係上述數值範圍內，則色素(A)、非聚合性添加劑(D)之溶解性變良好，維持了塗液穩定性(液體穩定性)，可獲得良好的塗敷性。
著色層10係藉由使用本實施形態之著色層形成用組成物，而提升色純度及亮度效率，可兼顧色純度與亮度效率，且可提升顯示品質。因此，對於顯示裝置的低反射率化、高亮度化、薄膜化及色彩再現性的提升係有效的，可控制波長，並且可靠性優良。
＜＜透明基材＞＞ 透明基材20係位於著色層10之一面，為形成光學薄膜1的片狀構件。 作為透明基材20之形成材料，可採用具有透光性的樹脂薄膜。可利用例如：聚烯烴、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚芳酯、聚碳酸酯、三乙醯基纖維素、聚乙烯醇、聚氯乙烯、環烯烴共聚物、含降莰烯(norbornene)的樹脂、聚醚碸、及聚碸等之透明樹脂、無機玻璃。作為聚烯烴，可舉出例如：聚乙烯、及聚丙烯等。作為聚酯，可舉出例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯等。作為聚丙烯酸酯，可舉出例如：聚甲基丙烯酸甲酯等。作為聚醯胺，可舉出例如：耐綸6、及耐綸66等。其中，又可合適地利用由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)構成之薄膜、由三乙醯基纖維素(TAC)構成之薄膜、由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)構成之薄膜、或由除PET以外之聚酯構成之薄膜。 作為透明基材20之透射率，例如較佳係90%以上。透明基材20的透射率可使用分光光度計(日立製作所(股)製，U-4100)而測定。
對於透明基材20，亦可賦予紫外線吸收能力。藉由對成為透明基材20之原料的樹脂添加紫外線吸收劑，可對透明基材20賦予紫外線吸收能力。
作為紫外線吸收劑，可舉出例如：水楊酸酯系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、及氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑等。 該等紫外線吸收劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
對透明基材20賦予紫外線吸收能力時，紫外線遮蔽率較佳為85%以上。於此處，紫外線遮蔽率係依據JIS L1925所測定之值，藉由下述式(1)而算出。 紫外線遮蔽率(%)=100-(波長290～400nm之紫外線的平均透射率(%)) ・・・(1) 當紫外線遮蔽率低於85%時，色素(A)在耐光性的褪色抑制效果變低。
透明基材20的厚度較佳係例如為10～100μm。透明基材20的厚度若為上述下限值以上，則可更提高光學薄膜1的強度。透明基材20的厚度若為上述上限值以下，則可將光學薄膜1作成更薄膜。 透明基材20的厚度係藉由使用數位顯示卡尺(Digital venire calipers)等進行測定而求得。
＜＜機能層＞＞ 機能層30係位於著色層10的一面或另一面。光學薄膜1藉由具有機能層30而能夠發揮各種機能。 作為機能層30之機能，可舉出抗反射機能、防眩機能、氧阻隔機能、抗靜電機能、防污機能、強化機能、及紫外線吸收機能(紫外線吸收能力)等。 機能層30可為單層亦可為多個層。機能層30可具有1種之機能，亦可具有2種以上之機能。
當光學薄膜1具有抗反射機能時，機能層30係作為抗反射層而發揮機能。就抗反射層而言，可舉出較後述的硬塗層32、防眩層34、透明基材20呈現更低折射率的低折射率層31。低折射率層31可藉由在機能層採用折射率比硬塗層32、防眩層34、透明基材20之材質還低的材質而形成。 為了調整低折射率層31的折射率，可摻合氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF 2)、六氟鋁酸鈉(冰晶石，cryolite，3NaF・AlF 3、Na 3AlF 6)、或氟化鋁(AlF 3)等之微粒子、氧化矽微粒子等。作為氧化矽微粒子，使用多孔質氧化矽微粒子、中空氧化矽微粒子等之於粒子內部具有空隙者，對於低折射率層31之低折射率化係有效的。此外，對於形成低折射率層31之組成物(低折射率層形成用組成物)，可適宜摻合在著色層10中已說明之光聚合起始劑(C)、非聚合性添加劑(D)、溶劑(E)。 低折射率層31的折射率較佳係設為1.20～1.55。 低折射率層31的厚度不被特別限定，但較佳係例如為40nm～1μm。
當光學薄膜1具有防眩機能時，機能層30係作為防眩層34而發揮機能。防眩層34係於表面具有微細的凹凸，利用此凹凸使外部光散射，抑制映入而提升顯示品質的層。當與低折射率層31組合時，係以低折射率層31與防眩層34來構成抗反射層。 在防眩層34中，因應需求可含有從有機微粒子及無機微粒子中選出的1種以上。 有機微粒子係在表面形成微細的凹凸，並賦予散射外部光之機能的材料。作為有機微粒子，可舉出例如：由丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂、苯乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚乙烯樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、聚偏二氟乙烯、及聚氟乙烯系樹脂等之透光性樹脂材料構成的樹脂粒子。為了調整折射率、樹脂粒子之分散性，亦可混合材質(折射率)不同之2種以上的樹脂粒子而使用。
無機微粒子係調整有機微粒子之沉降、凝聚的材料。作為無機微粒子，可使用例如：氧化矽微粒子、金屬氧化物微粒子、或各種的礦物微粒子等。 作為氧化矽微粒子，可使用例如：膠體氧化矽、以(甲基)丙烯醯基等之反應性官能基進行過表面修飾的氧化矽微粒子等。 作為金屬氧化物微粒子，可使用例如：氧化鋁(alumina，aluminium oxide)、氧化鋅、氧化錫、氧化銻、氧化銦、氧化鈦(二氧化鈦)、或氧化鋯(二氧化鋯)等。 作為礦物微粒子，可使用例如：雲母、合成雲母、蛭石、蒙脫石(montmorillonite)、鐵蒙脫石、膨潤土(bentonite)、鋁膨潤石(beidellite)、鎂膨潤石(saponite)、鋰膨潤石(hectorite)、矽鎂石(stevensite)、鐵膨潤石(nontronite)、天然矽酸鈉(magadiite)、伊利石(ilerite)、水矽鈉石(kanemite)、層狀鈦酸、膨潤石群(smectite)、或合成膨潤石群等。礦物微粒子可為天然物及合成物(包含取代物、衍生物)之任一者，亦可使用兩者的混合物。礦物微粒子之中，又以層狀有機黏土為更佳。
所謂層狀有機黏土係指在膨潤性黏土之層間導入有有機鎓離子者。有機鎓離子係能夠利用膨潤性黏土的陽離子交換性而有機化者即可，沒有限制。使用層狀有機黏土礦物來作為礦物微粒子時，可合適地使用上述的合成膨潤石群。合成膨潤石群係增加防眩層形成用之塗敷液的黏性，抑制樹脂粒子及無機微粒子之沉降而具有調整防眩層34(機能層30)之表面之凹凸形狀的機能。
當光學薄膜1具有氧阻隔機能時，機能層30係作為氧阻隔層33而發揮機能。氧阻隔層33的氧穿透度係10cm 3/(m 2・day・atm)以下，較佳為5cm 3/(m 2・day・atm)以下，更佳為1cm 3/(m 2・day・atm)以下。氧阻隔層33的氧穿透度若為上述上限值以下，則可對機能層30賦予充分的氧阻隔機能。氧阻隔層33之氧穿透度的下限值未被特別限定，可為0cm 3/(m 2・day・atm)。 氧阻隔層33之氧穿透度係使用氧穿透度測定裝置，於30℃、相對濕度60%之條件下所測定的值。
當光學薄膜1具有抗靜電機能時，機能層30係作為抗靜電層發揮機能。作為抗靜電層，可舉出例如：含有摻雜有銻的氧化錫(ATO)、及摻雜有錫的氧化銦(ITO)等之金屬氧化物微粒子、高分子型導電性組成物、及4級銨鹽等之抗靜電劑的層。 抗靜電層可設置於機能層30之最表面，亦可設置於機能層30與透明基材20之間。或者亦可藉由將抗靜電劑摻合至構成上述機能層30的任一層而形成抗靜電層。當設置抗靜電層時，光學薄膜的表面電阻值較佳為1.0×10 6～1.0×10 12(Ω/cm)。
當光學薄膜1具有防污機能時，機能層30係作為防污層而發揮機能。防污層係藉由賦予撥水性及撥油性之雙方或任一方而提高防污性者。作為防污層，可舉出：含有矽氧化物、含氟的矽烷化合物、氟烷基矽氮烷、氟烷基矽烷、含氟的矽系化合物、及含全氟聚醚基的矽烷偶合劑等之防污劑的層。 防污層可設置於機能層30之最表面，亦可藉由將防污劑摻合至上述機能層30之中成為最表面的層而形成防污層。
當光學薄膜1具有強化機能時，機能層30係作為強化層發揮機能。強化層係提高光學薄膜之強度的層。作為強化層，可舉出例如硬塗層32。作為硬塗層32，可舉出例如：以包含單官能、2官能或3官能以上之(甲基)丙烯酸酯、及胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的硬塗劑所形成的層。
當光學薄膜1具有紫外線吸收能力時，機能層30係作為紫外線吸收層而發揮機能。作為紫外線吸收層，可舉出例如：含有2-(4,6-二苯基-1,3,5-三 -2-基)-5-己氧基酚等之三 系、或2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基酚等之苯并三唑系等的紫外線吸收劑之層。 相對於形成紫外線吸收層之材料的總質量，紫外線吸收劑的含量較佳為0.1～5質量%。紫外線吸收劑的含量若為上述下限值以上，則可對機能層30賦予充分的紫外線吸收能力。紫外線吸收劑的含量若為上述上限值以下，則可避免伴隨硬化成分之減少的硬度不足。
在光學薄膜1中，透明基材20及機能層30之一方或雙方的紫外線遮蔽率較佳為85%以上，更佳為90%以上，進一步較佳為95%以上，亦可為100%。紫外線遮蔽率若為上述下限值以上，則可提升耐光性。 紫外線遮蔽率可按照JIS L1925記載之方法來測定。 紫外線遮蔽率可藉由對透明基材20及機能層30之一方或雙方賦予紫外線吸收能力而調節。
機能層30的厚度係例如較佳為0.04～25μm，更佳為0.1～20μm，進一步較佳為0.2～15μm。若機能層30的厚度為上述下限值以上，則容易對光學薄膜1賦予各種機能。機能層30的厚度若為上述上限值以下，則有利於顯示裝置的薄型化。 機能層30的厚度係藉由利用顯微鏡等來觀察光學薄膜1的厚度方向之截面而求出。
[光學薄膜的製造方法] 本實施形態之光學薄膜1可藉由迄今已知之方法而製造。 例如：於透明基材20之一面塗布著色層形成用組成物，因應需求進行乾燥(去除溶劑(E))，照射活性能量線而硬化著色層形成用組成物，藉此獲得著色層10。 用以照射活性能量線而使著色層形成用組成物硬化並形成著色層10的光源，係只要為會產生活性能量線之光源，則可無限制地使用。就活性能量線而言，可使用放射線(伽碼射線、X射線等)、紫外線、可見光線、或電子束(EB)等之光能射線，通常係紫外線或電子束之情況為多。例如：作為放射紫外線的燈，可使用低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、碳弧燈、金屬鹵化物燈、氙燈、或無電極放電管等。作為照射條件，紫外線照射量通常係100～1000mJ/cm 2。
其次，於透明基材20的另一面塗布硬塗劑，與著色層10同樣地照射活性能量線而硬化硬塗劑，藉此獲得硬塗層32。 於所獲得之硬塗層32上形成低折射率層31，藉此可獲得機能層30位於透明基材20之另一面的光學薄膜1。 對於低折射率層31之形成方法並無限制，可使用：將低折射率層形成用組成物塗布於硬塗層32並照射活性能量線而使其硬化的方法、真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍(ion plating)法、離子束法、或電漿氣相沉積法(plasma vapor deposition)法等。
[其它之實施形態] 如圖2所示，光學薄膜亦可為具有位於著色層10之一面的透明基材20，且依著色層10、透明基材20、氧阻隔層33、硬塗層32、及低折射率層31之順序積層而成的光學薄膜2。在光學薄膜2中，氧阻隔層33、硬塗層32、及低折射率層31構成機能層30。作為氧阻隔層33，可舉出與上述之氧阻隔層同樣的層。此情況時，較佳係在機能層30、及透明基材20具有紫外線遮蔽率85%以上的紫外線遮蔽性。 本實施形態之光學薄膜2由於具有氧阻隔層33，因此氧阻隔性優於光學薄膜1。
如圖3所示，光學薄膜亦可為具有位於著色層10之一面的透明基材20，且依著色層10、透明基材20、及防眩層34之順序積層而成的光學薄膜3。在光學薄膜3中，防眩層34構成機能層30。作為防眩層34，可舉出與上述之防眩層同樣的層。此情況時，較佳係在機能層30、及透明基材20具有紫外線遮蔽率85%以上的紫外線遮蔽性。 本實施形態之光學薄膜3由於具有防眩層34，因此顯示品質更優異。
如圖4所示，光學薄膜亦可為具有位於著色層10之一面的透明基材20，且依著色層10、透明基材20、防眩層34、及低折射率層31之順序積層而成的光學薄膜4。在光學薄膜4中，防眩層34、低折射率層31構成機能層30。此情況時，較佳係在機能層30、及透明基材20具有紫外線遮蔽率85%以上的紫外線遮蔽性。 本實施形態之光學薄膜4由於具有低折射率層31與防眩層34，因此顯示品質更優異。
如圖5所示，光學薄膜亦可為具有位於著色層10之一面的透明基材20、與位於著色層10之另一面的機能層30，且依透明基材20、著色層10、硬塗層32、及低折射率層31之順序積層而成的光學薄膜5。在光學薄膜5中，硬塗層32、及低折射率層31構成機能層30。此情況時，機能層30較佳係具有紫外線遮蔽率85%以上的紫外線遮蔽性。 本實施形態之光學薄膜5由於在透明基材20之一面具有著色層10與機能層30，因此顯示品質更優異。
如圖6所示，光學薄膜亦可為具有位於著色層10之一面的透明基材20、與位於著色層10之另一面的機能層30，且依透明基材20、著色層10、氧阻隔層33、硬塗層32、及低折射率層31之順序積層而成的光學薄膜6。在光學薄膜6中，氧阻隔層33、硬塗層32、及低折射率層31構成機能層30。此情況時，機能層30較佳係具有紫外線遮蔽率85%以上的紫外線遮蔽性。 本實施形態之光學薄膜6由於具有氧阻隔層33，因此氧阻隔性較光學薄膜5更優異。
如圖7所示，光學薄膜亦可為具有位於著色層10之一面的透明基材20、與位於著色層10之另一面的機能層30，且依透明基材20、著色層10、及防眩層34之順序積層而成的光學薄膜7。在光學薄膜7中，防眩層34構成機能層30。此情況時，機能層30較佳係具有紫外線遮蔽率85%以上的紫外線遮蔽性。 本實施形態之光學薄膜7由於具有防眩層34，因此顯示品質更優異。
如圖8所示，光學薄膜亦可為具有位於著色層10之一面的透明基材20、與位於著色層10之另一面的機能層30，且依透明基材20、著色層10、防眩層34、及低折射率層31之順序積層而成的光學薄膜8。在光學薄膜8中，防眩層34、及低折射率層31構成機能層30。此情況時，機能層30較佳係具有紫外線遮蔽率85%以上的紫外線遮蔽性。 本實施形態之光學薄膜8由於具有低折射率層31與防眩層34，因此顯示品質更優異。
以上，參照圖式針對本發明之光學薄膜之實施形態進行了詳述，但具體的構成並非受限於該等實施形態，亦包含不脫離本發明要旨之範圍的構成的變更、組合等。 例如：上述實施形態之光學薄膜係著色層10的數量為1個，但著色層的數量亦可為2個以上。 在上述實施形態之光學薄膜中，紫外線吸收能力可賦予至透明基材20，亦可賦予至硬塗層32等的機能層30。
本實施形態之光學薄膜係具備最大吸收波長在480～500nm之範圍內的著色層。因此，可選擇性且有效率地吸收波長500nm附近之光。其結果係即便在光學薄膜的厚度薄之情況、色材濃度低之情況下，亦可充分地吸收波長500nm附近的光。 此外，本實施形態之光學薄膜，係著色層所含之色材在丙酮溶液中的最大吸收波長的實測值與計算值準確度佳地一致。因此，可設計能夠進行波長控制的色材之結構，可更提高光學薄膜的可靠性。 因此，若依據本發明之光學薄膜，能夠謀求顯示裝置的低反射率化、高亮度化、薄膜化、及色彩再現性之提升。
[顯示裝置] 本發明之顯示裝置係具備上述之實施形態的光學薄膜。 作為顯示裝置之具體例，可舉出例如：電視、監視器、行動電話、攜帶型遊戲機器、個人數位助理(personal digital assistant)、個人電腦、電子書、攝影機、數位靜態相機(digital still camera)、頭戴式顯示器、導航系統、音響播放裝置(汽車音響、數位聲訊播放機等)、複印機、傳真機、印表機、印表機複合機、自動販賣機、自動櫃員機(ATM)、個人識別機器、光通訊機器、及IC卡等。 其中，當因金屬製之電極、配線而容易受到外部光反射之影響的情況，本發明之有用性高。因此，具備上述之實施形態的光學薄膜之顯示裝置，可合適地使用來作為具備LED、有機EL、無機螢光體、及量子點等之自發光元件的顯示裝置。 [實施例]
於以下，使用實施例而進一步詳細地說明本發明，但本發明並非被該等實施例所限定。
[使用材料] ＜光聚合性化合物(B)＞ UA-306H：新戊四醇三丙烯酸酯 六亞甲基二異氰酸酯 胺基甲酸酯預聚物(共榮社化學(股)製，UA-306H)。 DPHA：二新戊四醇六丙烯酸酯。 PETA：新戊四醇三丙烯酸酯。
＜光聚合起始劑(C)＞ Omnirad TPO：醯基膦氧化物系光聚合起始劑(IGM Resins B.V.公司製)。
＜非聚合性添加劑(D)＞ Tinuvin249：自由基捕獲劑，受阻胺系光穩定劑(HALS)(BASF Japan公司製，分子量482)。 D1781：單線態氧淬滅劑，雙(二丁基二硫代胺甲酸)鎳(II)，製品編號D1781(東京化成工業(股)製)。
＜溶劑(E)＞ MEK：甲基乙基酮。 乙酸甲酯：乙酸甲酯。
[實施例1～14、比較例1～5] (二吡咯亞甲基鈷錯合物之合成) 依以下的程序，合成了表1所示之二吡咯亞甲基鈷錯合物(化合物1～14、1’~5’)。 表1中，Me表示甲基，Et表示乙基，Pr表示丙基(正丙基)， nBu表示正丁基，Ph表示苯基。
＜化合物1之合成＞ [3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯(2.5g)封入於反應容器，使其溶解於甲醇(50mL)後，添加47%氫溴酸(45g)，進行1小時回流。藉由過濾分離已析出的固體，而獲得了3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽(2.6g)。
[化合物1之合成] 將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽(0.6g)封入反應容器，添加甲醇(5mL)、三乙胺(0.17g)、乙酸鈷(II)四水合物(0.18g)，進行2小時回流。藉由過濾分離已析出的固體，而獲得了化合物1(0.42g)。
＜化合物2之合成＞ [3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-雙(2,2-二甲基丙氧羰基)-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸2,2-二甲基丙酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物2之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-雙(2,2-二甲基丙氧羰基)-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物3之合成＞ [3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-甲氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸甲酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物3之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-甲氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物4之合成＞ [4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為5-甲醯基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物4之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物5之合成＞ [3,3’-二-丁基-5,5’-二-乙基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為4-丁基-2-乙基-5-甲醯基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物5之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為3,3’-二-丁基-5,5’-二-乙基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物6之合成＞ [3,3’-二-丁基-5,5’-二-乙基-4,4’-二-甲氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為4-丁基-2-乙基-5-甲醯基-1H-吡咯-3-羧酸甲酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物6之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為3,3’-二-丁基-5,5’-二-乙基-4,4’-二-甲氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物7之合成＞ [4,4’-二-乙氧羰基-3,3’-二-甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為5-甲醯基-4-甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物7之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為4,4’-二-乙氧羰基-3,3’-二-甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物8之合成＞ [3,3’-二-乙基-4,4’-二-乙氧羰基-5,5’-二-甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為4-乙基-5-甲醯基-2-甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物8之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為3,3’-二-乙基-4,4’-二-乙氧羰基-5,5’-二-甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物9之合成＞ [4,4’-二-乙氧羰基-5,5’-二-甲基-3,3’-二-丙基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為5-甲醯基-2-甲基-4-丙基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物9之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為4,4’-二-乙氧羰基-5,5’-二-甲基-3,3’-二-丙基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物10之合成＞ [3,3’-二-丁基-4,4’-二-乙氧羰基-5,5’-二-甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為4-丁基-5-甲醯基-2-甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物10之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為3,3’-二-丁基-4,4’-二-乙氧羰基-5,5’-二-甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物11之合成＞ [5,5’-二-乙基-4,4’-二-甲氧羰基-3,3’-二-甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為2-乙基-5-甲醯基-4-甲基-1H-吡咯-3-羧酸甲酯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物11之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為5,5’-二-乙基-4,4’-二-甲氧羰基-3,3’-二-甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物12之合成＞ 於反應容器添加對溴苯甲醛(0.27g)、2,4-二甲基吡咯-3-羧酸乙酯(0.50g)、二氯甲烷(93mL)、三氟乙酸(0.1mL)，進行了3小時回流。於該溶液中添加2,3-二氯-5,6-二氰基-對苯醌(0.33g)，於室溫下攪拌了2小時。其後，添加三乙胺(3.0mL)、乙酸鈷(II)四水合物(0.18g)，進行2小時回流。以二氯甲烷稀釋之後，以純水洗淨，利用無水硫酸鎂來乾燥剩餘的有機層。進行了過濾、濃縮之後，把藉由注入甲醇而析出的粉末透過抽吸過濾而回收，藉此獲得了化合物12(0.42g)。
＜化合物13之合成＞ 在上述＜化合物12之合成＞中，除了將對溴苯甲醛變更為對硝基苯甲醛以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物14之合成＞ 在上述＜化合物12之合成＞中，除了將對溴苯甲醛變更為苯甲醛以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物1’之合成＞ 在上述＜化合物12之合成＞中，除了將對溴苯甲醛變更為乙醛，將2,4-二甲基吡咯-3-羧酸乙酯變更為3-乙基-2,4-二甲基吡咯以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物2’之合成＞ [4,4’-二-乙基-3,3’,5,5’-四甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成] 在上述[3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽之合成]中，除了將5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯-3-羧酸乙酯變更為3-乙基-5-甲醯基-2,4-二甲基-1H-吡咯以外，係以同樣的程序來合成。
[化合物2’之合成] 在上述[化合物1之合成]中，除了將3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二-乙氧羰基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽變更為4,4’-二-乙基-3,3’,5,5’-四甲基-2,2’-二吡咯亞甲基氫溴酸鹽以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物3’之合成＞ 在上述＜化合物12之合成＞中，除了將對溴苯甲醛變更為對碘苯甲醛，將2,4-二甲基吡咯-3-羧酸乙酯變更為3-乙基-2,4-二甲基吡咯以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物4’之合成＞ 在上述＜化合物12之合成＞中，除了將對溴苯甲醛變更為間氰基苯甲醛以外，係以同樣的程序來合成。
＜化合物5’之合成＞ 在上述＜化合物12之合成＞中，除了將對溴苯甲醛變更為間碘苯甲醛以外，係以同樣的程序來合成。
(塗液之製備) 使所獲得之二吡咯亞甲基鈷錯合物溶解於MEK/乙酸甲酯=50/50(質量比)的混合溶劑。將所獲得之溶液、作為光聚合性化合物(B)之UA-306H、DPHA及PETA(UA-306H/DPHA/PETA=70/20/10(質量比))、作為光聚合起始劑(C)之Omnirad TPO、作為非聚合性添加劑(D)之Tinuvin249及D1781(Tinuvin249/D1781=70/30(質量比))予以混合，製備了以下之組成的塗液(著色層形成用組成物)。 二吡咯亞甲基鈷錯合物：相對於塗液之固體成分而言為0.4質量%。 光聚合性化合物(B)：相對於塗液之固體成分而言為94質量%。 光聚合起始劑(C)：相對於塗液之固體成分而言為3質量%。 非聚合性添加劑(D)：相對於塗液之固體成分而言為2.6質量%。 溶劑(E)：相對於塗液之總質量而言為70質量%。
(塗膜之形成) 將上述塗液旋轉塗布於玻璃基板上，以80℃之烘箱使其乾燥60秒鐘。其後，藉由使用紫外線照射裝置以照射線量150mJ/cm 2(Fusion UV Systems Japan製，光源H燈泡)進行紫外線照射而使塗膜硬化，形成了硬化後之膜厚為5.0μm的塗膜(硬化膜)。
(評價基板之製作) 於上述硬化膜上塗布80%聚乙烯醇水溶液(PVA117，Kuraray公司製)，並使其乾燥，藉此形成氧阻隔層。進一步於氧阻隔層之上將三乙醯基纖維素薄膜(TG60UL，FUJI FILM公司製，基材厚60μm)予以接著而製作評價基板。
＜反應前後的自由能變化(ΔG)＞ 針對與各例之二吡咯亞甲基鈷錯合物具有相同取代基且以式(II)所示之硼二吡咯亞甲基，使用量子化學計算程式Gaussian16，利用計算手法B3LYP、基函數6-31G(d,p)(不過對於周期表中原子序大於Kr之元素係搭配基函數LanL2DZ)，按照以下的程序而計算ΔG(kcal/mol)。將結果顯示於表2。 (1)實施與各例之二吡咯亞甲基鈷錯合物具有相同取代基且以式(II)所示之硼二吡咯亞甲基的結構最佳化計算及振動計算，從振動計算之結果獲得了上述硼二吡咯亞甲基的自由能之值G (II)。 (2)實施單線態氧的結構最佳化計算及振動計算，從振動計算的結果獲得了單線態氧的自由能之值G O2。 (3)實施於上述硼二吡咯亞甲基之結構的中位加成有氧的結構(反應式(III)之右邊的結構)的結構最佳化計算及振動計算，從振動計算之結果，獲得了上述硼二吡咯亞甲基之氧加成物的自由能之值G (II)+O2。 (4)按照下述式而算出了ΔG。 ΔG=G (II)+O2-(G (II)+G O2)
＜最大吸收波長的算出(a×x+b)＞ 將各例之二吡咯亞甲基鈷錯合物之使用量子化學計算程式Gaussian16而計算出之在丙酮溶液中的最大吸收波長的計算值設為x(nm)，算出了在丙酮溶液中的最大吸收波長的校正值(a×x+b)(nm)。將結果顯示於表2。 不過，上述a及上述b為常數，當式(I)中之R 5為氫原子時，a=0.6201、b=232.61，當式(I)中之R 5為氫原子以外時，a=0.2632、b=380.71。
在丙酮溶液中的最大吸收波長的計算值x(nm)係按照以下的程序而計算。 (1)將從文獻「Symmetry-Breaking Charge Transfer of Visible Light Absorbing Systems：Zinc Dipyrrins、J.Phys.Chem.C 2014, 118, 21834-21845」記載之化合物zDIP3的X射線結晶結構分析資料所獲得之化學結構設為基本骨架，將中心金屬從鋅變更為鈷，並將二吡咯亞甲基之取代基變更為式(I)中之R 1～R 7的結構設定為初期結構。 (2)將(1)的初期結構設為輸入結構而使用Gaussian16，利用計算手法B3LYP(非限制法)、基函數6-31G(d)(不過Co及I係搭配基函數LanL2DZ)，實施結構最佳化計算，並獲得了最佳化結構。 (3)針對在(2)中所獲得之最佳化結構，利用計算手法CAM-B3LYP(非限制法)、基函數6-31G(d)(不過Co及I係搭配基函數LanL2DZ)、溶媒效應計算方法SMD(Solvation Model based on Density)，藉由時密度泛函理論而實施到第20位為止的激發態計算。 (4)在(3)中所獲得之20個激發態之中，將振動子強度最大的前2個相鄰的激發態之波長的平均值設為最大吸收波長的計算值x(nm)。
＜丙酮溶液的最大吸收波長(λ max：實測值y)＞ 製備各例之二吡咯亞甲基鈷錯合物的濃度5.0×10 -6M的丙酮溶液，使用紫外可見分光光度計(日立製作所(股)製，U-4100)而測定吸收光譜，將在波長範圍470～530nm中的吸光度成為最大的波長設為λ max(實測值y(nm))。將結果顯示於表2。
＜丙酮溶液之莫耳消光係數(ε)＞ 針對各例之二吡咯亞甲基鈷錯合物，製備濃度各自不同的3件(濃度5.0×10 -6M、濃度7.5×10 -6M、濃度1.0×10 -5M)之丙酮溶液，使用紫外可見分光光度計(日立製作所(股)製，U-4100)而測定吸收光譜。在該吸收光譜中，將波長範圍470～530nm的最大吸收波長(λ max)中的吸光度對各濃度進行繪圖時，將其近似直線的斜率設為ε(L/(mol・cm))。將結果顯示於表2。
＜塗膜的最大吸收波長(λ max)＞ 針對各例之塗膜，使用紫外可見分光光度計(日立製作所(股)製，U-4100)而測定吸收光譜，將在波長範圍470～530nm中的吸光度成為最大的波長設為λ max(nm)。將結果顯示於表2。
＜在塗膜中的半高寬＞ 針對各例之塗膜，使用紫外可見分光光度計(日立製作所(股)製，U-4100)而測定吸收光譜，並算出了在波長範圍470～530nm中之吸光度成為最大之峰的半高寬(nm)。將結果顯示於表2。
[可靠性評價] ＜耐光性＞ 對於評價基板之形成有塗膜之側的面，使用氙燈耐候試驗機(xenon weather meter，Suga Test Instruments股份有限公司製，X75)，以氙燈照度60W/cm 2(300～400nm)、試驗機內溫度45℃、濕度50%RH之條件進行了120小時照射光的試驗。於試驗前後使用紫外可見分光光度計(日立製作所(股)製，U-4100)，進行評價基板的透射率測定，算出了在波長470～530nm之範圍中顯示試驗前之最小透射率之波長處的試驗前後透射率差(ΔT)。基於下述評價基準評價了耐光性。將結果顯示於表2。 《評價基準》 A：ΔT低於10%。 B：ΔT為10%以上且低於15%。 C：ΔT為15%以上。
＜白色亮度效率＞ 使用紫外可見分光光度計(日立製作所(股)製，U-4100)而測定評價基板的透射率，將該評價基板的透射率乘以圖9所示之有機EL顯示裝置(ASUS公司製)白色顯示時之單獨的分光光譜，而算出透射評價基板後的分光光譜。分別將有機EL顯示裝置的白色顯示時之單獨的光譜、及透射評價基板後的分光光譜乘以相對發光度而算出Y值，把從有機EL顯示裝置的白色顯示時之單獨的光譜所獲得之Y值設為100時的比率設為白色亮度效率，藉此當作可靠性評價的指標。白色亮度效率越接近100，則亮度效率越優異。將結果顯示於表2。
＜色純度(DCI包含率)＞ 使用紫外可見分光光度計(日立製作所(股)製，U-4100)而測定評價基板的透射率，將該評價基板的透射率乘以圖10所示之有機EL顯示裝置(ASUS公司製)之紅色顯示、綠色顯示、藍色顯示時的單獨光譜，而算出透射評價基板後之CIE(國際照明委員會：Commission international de l’eclairage)1931表色系之紅、綠、藍單色各自的色度(x、y)。其次，將連接所獲得之紅、綠、藍單色的色度所得之三角形，與連接DCI(Digital Cinema Initiatives)倡導的DCI-P3三原色、即紅色(x=0.680、y=0.320)、綠色(x=0.265、y=0.690)、藍色(x=0.150、y=0.060)之三角形，分別進行比較而求得重合的面積，藉此算出DCI包含率(%)。DCI包含率越接近100%，則色純度越優異。將結果顯示於表2。
[表1]
二吡咯亞甲基鈷錯合物
化合物名 R 1 R 2 R 3 R 4 R 5 R 6 R 7
實施例 1 化合物1 Me Me Me Me H COOEt COOEt
2 化合物2 Me Me Me Me H COOCH 2C(CH 3) 3 COOCH 2C(CH 3) 3
3 化合物3 Me Me Me Me H COOMe COOMe
4 化合物4 H H H H H COOEt COOEt
5 化合物5 nBu Et nBu Et H COOEt COOEt
6 化合物6 nBu Et nBu Et H COOMe COOMe
7 化合物7 Me H Me H H COOEt COOEt
8 化合物8 Et Me Et Me H COOEt COOEt
9 化合物9 Pr Me Pr Me H COOEt COOEt
10 化合物10 nBu Me nBu Me H COOEt COOEt
11 化合物11 Me Et Me Et H COOMe COOMe
12 化合物12 Me Me Me Me 對Br-Ph COOEt COOEt
13 化合物13 Me Me Me Me 對NO 2-Ph COOEt COOEt
14 化合物14 Me Me Me Me Ph COOEt COOEt
比較例 1 化合物1’ Me Me Me Me Me Et Et
2 化合物2’ Me Me Me Me H Et Et
3 化合物3’ Me Me Me Me 對I-Ph Et Et
4 化合物4’ Me Me Me Me 間CN-Ph COOEt COOEt
5 化合物5’ Me Me Me Me 間I-Ph COOEt COOEt
[表2]
ΔG [kcal/mol] 計算值 丙酮溶液 塗膜 可靠性評價
x[nm] 常數a 常數b (a×x+b) [nm] λ max實測值 y[nm] ε [L/(mol･cm)] λ max[nm] 半高寬[nm] 耐光性 白色亮度效率 色純度 (DCI包含率) %
實施例 1 0.54 411.84 0.6201 232.61 487.99 488 222000 493 25 B 89.4 96.4
2 0.07 412.11 0.6201 232.61 488.16 488 175000 494 25 B 89.3 96.4
3 0.47 411.11 0.6201 232.61 487.54 488 199000 493 25 B 89.3 96.3
4 -0.31 403.29 0.6201 232.61 482.69 483 178000 489 24 B 88.3 96.4
5 0.92 419.88 0.6201 232.61 492.98 493 234000 496 23 A 88.7 96.5
6 1.28 419.49 0.6201 232.61 492.74 493 238000 496 23 A 88.6 96.5
7 -2.80 400.42 0.6201 232.61 480.91 481 186000 487 34 C 83.8 96.0
8 1.40 416.93 0.6201 232.61 491.15 491 228000 494 23 A 88.8 96.6
9 2.11 417.30 0.6201 232.61 491.37 491 213000 494 23 A 88.9 96.4
10 1.87 417.64 0.6201 232.61 491.59 492 238000 495 23 A 88.7 96.3
11 0.15 412.78 0.6201 232.61 488.57 489 214000 494 23 A 88.6 96.5
12 -3.72 434.10 0.2632 380.71 494.96 495 145000 500 33 C 83.7 96.2
13 -3.16 441.62 0.2632 380.71 496.94 497 175000 499 37 C 83.2 96.1
14 -3.35 430.95 0.2632 380.71 494.14 494 158000 496 31 C 83.8 94.4
比較例 1 -3.04 434.74 0.2632 380.71 495.13 507 100000 511 44 C 82.5 95.4
2 -1.39 432.75 0.6201 232.61 500.96 506 130000 510 37 C 82.4 96.1
3 -1.12 437.88 0.2632 380.71 495.96 508 69000 512 43 C 82.2 95.4
4 -3.69 434.80 0.2632 380.71 495.15 497 168000 503 32 C 83.4 96.3
5 -1.21 433.36 0.2632 380.71 494.77 496 166000 502 31 C 84.9 96.1
如表2所示，實施例1～14係在丙酮溶液中的最大吸收波長的校正值(a×x+b)(nm)與實測值y(nm)之差的絕對值為1以下，又著色層所包含之色材在丙酮溶液中的最大吸收波長的實測值與計算值準確度佳地一致，並且耐光性的評價為「A」、「B」或「C」，白色亮度效率的評價為83.0以上，DCI包含率為94.0%以上。 與此相對，在丙酮溶液中的最大吸收波長的校正值(a×x+b)(nm)與實測值y(nm)之差的絕對值超過1的比較例1～5，係耐光性的評價皆為「C」，可靠性差。
了解到：使用有本發明之著色層用組成物的塗膜，對於顯示裝置的低反射率化、高亮度化、薄膜化及色彩再現性的提升係有效的，又可控制波長並且可靠性優良。可將塗膜中之二吡咯亞甲基金屬錯合物的濃度抑制得低一事，在製造成本方面亦係有用的。
1,2,3,4,5,6,7,8:光學薄膜 10:著色層 20:透明基材 30:機能層 31:低折射率層 32:硬塗層 33:氧阻隔層 34:防眩層
圖1係本發明之一實施形態涉及之光學薄膜的截面圖。 圖2係本發明之其它實施形態涉及之光學薄膜的截面圖。 圖3係本發明之其它實施形態涉及之光學薄膜的截面圖。 圖4係本發明之其它實施形態涉及之光學薄膜的截面圖。 圖5係本發明之其它實施形態涉及之光學薄膜的截面圖。 圖6係本發明之其它實施形態涉及之光學薄膜的截面圖。 圖7係本發明之其它實施形態涉及之光學薄膜的截面圖。 圖8係本發明之其它實施形態涉及之光學薄膜的截面圖。 圖9係白色(White)亮度效率之評價中使用之光源的光譜。 圖10係色純度之評價中使用之光源的光譜。
無。

Claims (19)

  1. 一種光學薄膜，其具備：透明基材、與積層於該透明基材之至少一面側之著色層， 該著色層係最大吸收波長在480～500nm之範圍內， 該著色層含有色素(A)， 該色素(A)含有色材，其中該色材包含具有下述式(I)所示之結構的二吡咯亞甲基鈷錯合物， 將該二吡咯亞甲基鈷錯合物在濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液中的最大吸收波長的實測值設為y， 將該二吡咯亞甲基鈷錯合物之使用量子化學計算程式Gaussian16而計算出之在丙酮溶液中的最大吸收波長的計算值設為x，並把在丙酮溶液中的最大吸收波長之校正值設為(a×x+b)時， 該x及該y滿足下述式(i)： (y-1)≦(a×x+b)≦(y+1) ・・・(i) 不過，式(i)中，a及b為常數，當式(I)中之R 5為氫原子時，a=0.6201、b=232.61，當式(I)中之R 5為氫原子以外時，a=0.2632、b=380.71； 於此處，該式(I)中的R 1～R 7各自獨立表示選自於由氫原子、鹵素原子、脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、羥基、巰基、硝基、經取代的胺基、未經取代的胺基、氰基、磺基、酯基、及醯基構成之群組中的一價基。
  2. 如請求項1之光學薄膜，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物係在具有下述式(II)所示之結構的硼二吡咯亞甲基與單線態氧反應的下述反應式(III)中， 使用量子化學計算程式Gaussian16，利用計算手法B3LYP、基函數6-31G(d,p)(不過對於周期表中原子序大於Kr之元素係搭配基函數LanL2DZ)而計算出之反應前後之自由能變化ΔG係-1.0kcal/mol以上； 於此處，式(II)及式(III)中的R 1～R 7各自表示與式(I)中之R 1～R 7相同的一價基。
  3. 如請求項1或2之光學薄膜，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 5為氫原子。
  4. 如請求項1或2之光學薄膜，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 1～R 4為烷基，R 1與R 2之碳數的和為3以上且R 3與R 4之碳數的和為3以上。
  5. 如請求項1或2之光學薄膜，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物具有下述式(I-1)所示之結構，且濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液的莫耳消光係數為170000L/(mol・cm)以上； 於此處，式(I-1)中之R 1～R 5各自表示與該式(I)中之R 1～R 5相同的一價基，R 8及R 9係各自獨立表示碳數1～6的烷基。
  6. 如請求項5之光學薄膜，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 8及R 9各自獨立為甲基或乙基。
  7. 一種著色層形成用組成物，其係含有：色素(A)、光聚合性化合物(B)與光聚合起始劑(C)， 該色素(A)含有色材，其中該色材包含具有下述式(I)所示之結構的二吡咯亞甲基鈷錯合物， 將該二吡咯亞甲基鈷錯合物在濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液中的最大吸收波長的實測值設為y， 將該二吡咯亞甲基鈷錯合物之使用量子化學計算程式Gaussian16而計算出之在丙酮溶液中的最大吸收波長的計算值設為x，並把在丙酮溶液中的最大吸收波長之校正值設為(a×x+b)時， 該x及該y滿足下述式(i)及下述式(ii)： (y-1)≦(a×x+b)≦(y+1) ・・・(i) 480nm≦y≦500nm ・・・(ii) 不過，式(i)中，a及b為常數，當式(I)中之R 5為氫原子時，a=0.6201、b=232.61，當式(I)中之R 5為氫原子以外時，a=0.2632、b=380.71； 於此處，式(I)中之R 1～R 7各自獨立表示選自於由氫原子、鹵素原子、脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、羥基、巰基、硝基、經取代的胺基、未經取代的胺基、氰基、磺基、酯基、及醯基構成之群組中的一價基。
  8. 如請求項7之著色層形成用組成物，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物係在具有下述式(II)所示之結構的硼二吡咯亞甲基與單線態氧反應的下述反應式(III)中， 使用量子化學計算程式Gaussian16，利用計算手法B3LYP、基函數6-31G(d,p)(不過對於周期表中原子序大於Kr之元素係搭配基函數LanL2DZ)而計算出之反應前後之自由能變化ΔG係-1.0kcal/mol以上； 於此處，式(II)及式(III)中的R 1～R 7各自表示與式(I)中之R 1～R 7相同的一價基。
  9. 如請求項7或8之著色層形成用組成物，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 5為氫原子。
  10. 如請求項7或8之著色層形成用組成物，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 1～R 4為烷基，R 1與R 2之碳數的和為3以上且R 3與R 4之碳數的和為3以上。
  11. 如請求項7或8之著色層形成用組成物，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物具有下述式(I-1)所示之結構，且濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液的莫耳消光係數為170000L/(mol・cm)以上； 於此處，式(I-1)中之R 1～R 5各自表示與該式(I)中之R 1～R 5相同的一價基，R 8及R 9係各自獨立表示碳數1～6的烷基。
  12. 如請求項11之著色層形成用組成物，其中該二吡咯亞甲基鈷錯合物係R 8及R 9各自獨立為甲基或乙基。
  13. 如請求項7或8之著色層形成用組成物，其進一步含有非聚合性添加劑(D)。
  14. 一種光學薄膜，其具備：透明基材、與積層於該透明基材之至少一面側之著色層， 該著色層係如請求項7或8之著色層形成用組成物的硬化物。
  15. 一種二吡咯亞甲基鈷錯合物，其具有下述式(I-1)所示之結構，且濃度5.0×10 -6M之丙酮溶液的莫耳消光係數為170000L/(mol・cm)以上； 於此處，式(I-1)中之R 1～R 5各自獨立表示選自於由氫原子、鹵素原子、脂肪族烴基、烷氧基、烷硫基、芳香族烴基、雜環基、羥基、巰基、硝基、經取代的胺基、未經取代的胺基、氰基、磺基、酯基、及醯基構成之群組中的一價基，R 8及R 9係各自獨立表示碳數1～6的烷基。
  16. 如請求項15之二吡咯亞甲基鈷錯合物，其中R 8及R 9係各自獨立為甲基或乙基。
  17. 如請求項15或16之二吡咯亞甲基鈷錯合物，其中R 5係氫原子。
  18. 如請求項15或16之二吡咯亞甲基鈷錯合物，其中R 1～R 4為烷基，R 1與R 2之碳數的和為3以上且R 3與R 4之碳數的和為3以上。
  19. 一種顯示裝置，其具備如請求項1或2之光學薄膜。
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