TW202401166A - 光學系統、具有光學系統的微影裝置以及製造光學系統的方法 - Google Patents
光學系統、具有光學系統的微影裝置以及製造光學系統的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202401166A TW202401166A TW112117580A TW112117580A TW202401166A TW 202401166 A TW202401166 A TW 202401166A TW 112117580 A TW112117580 A TW 112117580A TW 112117580 A TW112117580 A TW 112117580A TW 202401166 A TW202401166 A TW 202401166A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- optical system
- flexible
- printed circuit
- circuit board
- actuator
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 151
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 38
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
本發明提供一種用於微影裝置（1）的光學系統（100），具有一設置（200），包含一印刷電路板（210），其具有至少一個可撓式區域（211），其中包含一積體電路（220）的一可撓式組件（230）係設置。
Description
本發明係關於一種光學系統、一種具有此類光學系統的微影裝置，以及一種製造此類光學系統的方法。
[交互參照]
優先權申請案DE 10 2022 204 643.9之內容係全部併入作為參考。
微影技術係用於製造微結構化組件部件，例如積體電路等。該微影技術製程係使用具有照明系統和投影系統的微影裝置進行。在這種情況下，藉助該照明系統照明的光罩（倍縮光罩）之該影像，係藉助該投影系統投影到塗佈有光敏層（光阻）並設置在該投影系統之該影像平面中的基板（例如矽晶圓）上，以便將該光罩結構轉印到該基板之該光敏塗層。
由在製造積體電路中對於越來越小結構的需求推動，目前正在開發使用波長在0.1 nm至30 nm範圍內、特別是13.5 nm的光的EUV微影裝置。由於大多數材料皆會吸收此波長之光，因此在此類EUV微影裝置中有必要使用反射式光學元件（即反射鏡），而非如先前的折射式光學元件（即透鏡）。
大量致動器/感測器器件（如感測器和致動器）係安裝在微影裝置中。一般來說，致動器/感測器器件係適用於移置分配給該致動器/感測器器件的光學元件（例如反射鏡），並/或適用於偵測該所分配光學元件之參數，例如該所分配光學元件之定位或該所分配光學元件之溫度。為了控制和評估目的，此類致動器/感測器器件係應電連接至積體電路（Integrated circuit，IC）。積體電路係放置在印刷電路板（也指稱為電路板）上，且裝配有組件的該等印刷電路板係安裝在該微影裝置中。然而，微影裝置中的該安裝空間為非常受限的，並因此用於待安裝有該等所放置IC的該印刷電路板的該安裝空間也為受限的。藉由範例，若該微影裝置外部、特別是該微影裝置之該真空殼體外部的定位係選擇為用於電連接至此類致動器/感測器器件的積體電路的該定位，則這會導致傳輸路徑長，並不利造成在該積體電路與該致動器/感測器器件之間交換的該等信號之信號完整性差。
在此背景下，本發明之目的係提供改良式光學系統。
依據第一態樣，係提出一種用於微影裝置的光學系統，該前述光學系統具有一設置，包含一印刷電路板，其具有至少一個可撓式區域，其中係設置包含一積體電路的一可撓式組件。
將該可撓式組件（以及因此積體電路（IC））設置在該印刷電路板之該可撓式區域中，導致顯著提高將該積體電路安裝在該微影裝置中時的靈活性。鑑於微影裝置內普遍存在安裝空間限制，這特別是具優勢。
此外，從而即使處於該彎折狀態，仍可能在該微影裝置中安裝積體電路。具優勢地，這可減少或防止連接到該積體電路的致動器/感測器器件之可能擾動。
此類可能的擾動特別是包含由於該積體電路所產生的熱和電磁干擾結果的擾動。由於該可撓式印刷電路板和該可撓式IC之該靈活性，在應用內可能使得將該IC和致動器/感測器器件彼此連接所需的電線之該長度減至最短。該等電線之該長度之此類減至最短也減少信號路徑長度，並因此減少資料傳送與控制之該範疇內的可能擾動之該影響。減少來自該IC的該所分配致動器/感測器器件處的該熱輸入，也有利地帶來在該等光學元件上造成熱負載減少。
該印刷電路板之該可撓式區域可能也指稱為可彎折區域。該可撓式組件可能也指稱為可彎折組件。據此，該可撓式積體電路可能也指稱為可彎折積體電路，或者指稱為可撓式IC或撓曲（flex）IC。
該光學系統較佳為該微影裝置或投影曝光裝置之投影光學單元。然而，該光學系統也可以係照明系統。該投影曝光裝置可以係EUV微影裝置。EUV代表「極紫外線」（extreme ultraviolet），並表示介於0.1 nm至30 nm之間該工作光之波長。該投影曝光裝置可能也係DUV微影裝置。DUV代表「深紫外線」（deep ultraviolet），並表示介於30 nm至465 nm之間該工作光之波長。
依據具體實施例，該可撓式組件包含一邏輯模組、一處理器、一類比數位轉換器（analogue-digital converter）、和/或一數位類比轉換器（digital-analogue converter）。
依據又一具體實施例，該可撓式組件包含一可撓式基板，該積體電路係設置在其上。
依據又一具體實施例，該可撓式組件包含一可撓式基板，在其上製造該積體電路。
依據又一具體實施例，該印刷電路板之該可撓式區域以及設置在該可撓式區域上的該組件係在設置、尤其安裝在該光學系統中時處於彎折狀態。在各應用中，此類彎折狀態提供指定安裝空間優勢。又，由於該一種彎折狀態可有利地減少或防止連接到該積體電路的致動器/感測器器件之可能擾動。
依據又一具體實施例，該印刷電路板之該可撓式區域具有指定曲率，並係在設置、尤其安裝在該光學系統中時處於彎折狀態，而設置在該可撓式區域上的該組件係遠離該所指定曲率設置。
依據又一具體實施例，該印刷電路板整合該至少一個可撓式區域以及包含該積體電路的該可撓式組件。
依據又一具體實施例，該印刷電路板包含該至少一個可撓式區域；以及至少一個剛性區域，其連接到該可撓式區域。
依據又一具體實施例，該印刷電路板包含兩個剛性區域，該可撓式區域係設置在其之間。
依據又一具體實施例，該光學系統更包含許多致動器/感測器器件，而該可撓式組件係使用該印刷電路板之至少一個導體軌跡(conductor track)連接到該等許多致動器/感測器器件。舉例來說，該各自致動器/感測器器件係用於致動光學元件的致動器（或致動元件）、用於感測該光學系統內光學元件或周圍環境的感測器、或者用於在光學系統內致動與感測的致動器和感測器器件。藉由範例，該感測器係溫度感測器。該致動器較佳為使用該電致伸縮效應的致動器，或者使用該壓電效應的致動器，例如PMN致動器（PMN；鎂鈮酸鉛（lead magnesium niobate））或PZT致動器（PZT；鋯鈦酸鉛（lead zirconate titanate））。特別是，該致動器係配置成致動該光學系統之光學元件。此類光學元件之範例包括透鏡元件、反射鏡、和可適性（adaptive）反射鏡。
依據又一具體實施例，該光學系統包含許多可移置光學元件(displaceable optical element)，其用於引導該光學系統中的輻射，而該等致動器/感測器器件中至少一者係分配給該各自光學元件，且該各自致動器/感測器器件係配置成移置該所分配光學元件並/或偵測該所分配光學元件之一參數，特別是該所分配光學元件之一定位或者該所分配光學元件之該區域中的一溫度。
依據又一具體實施例，該光學系統包含一真空殼體，其中係設置有該設置。
依據又一具體實施例，該光學系統包含一真空殼體，其中係設置有該設置、該等多個致動器/感測器器件、和該等光學元件。
依據又一具體實施例，該光學系統係以照明光學單元為形式或者以微影裝置之投影光學單元為形式。
依據第二態樣，係提出一種微影裝置，其包含具體實施例之一的一光學系統，其依據該第一態樣或依據該第一態樣。
依據第三態樣，係提出一種製造用於微影裝置的光學系統的方法。該方法包含以下該等步驟：
在該光學系統中設置具有至少一個可撓式區域的一印刷電路板；以及
在該印刷電路板之該可撓式區域上設置包含一積體電路的一可撓式組件。
依據具體實施例，該可撓式組件係使用該印刷電路板之至少兩個導體軌跡連接到致動器/感測器器件。
依據又一具體實施例，該可撓式組件在該印刷電路板之該可撓式區域中之該定位，係考慮到該致動器/感測器器件受到該可撓式組件、特別是就熱輸入和/或電磁干擾而言之預定的最大可允許擾動選擇，使得：該可撓式組件與該致動器/感測器器件之間的電連接之長度為最小。
考慮到該可撓式組件對該致動器/感測器器件之可能的負面影響（特別是就該致動器/感測器器件上的廢熱和潛在電磁干擾而言），該可撓式組件與該致動器/感測器器件之間的該電連接之最小長度造成最大良好信號完整性。
對於該所提出光學系統所說明的該等具體實施例對應應用於該所提出之方法，且反之亦然。再者，關於該光學系統的該等定義和解說也對應應用於該所提出之方法。
在本發明情況下，「一」（a）或「一」（an）係應不必理解為受限於一個元件。而是，也可提供複數元件（例如兩個、三個、或更多個等）。在此所使用的任何其他數字，也係不應理解成對正好指定之該所述元件數量有限制。而是，除非另有指示，否則向上和向下的數值偏差為可能。
本發明之更多可能實作也包含以上或在下文中有關該等示例性具體實施例所說明的特徵或具體實施例之未明確所提及的組合。在這種情況下，熟習此領域技術者也將添加個別態樣，作為對本發明之該各自基本形式的改良或補充。
除非另有指示，否則等同或功能上等同的元件係已在該等圖示中提供有相同參考記號。應也可注意，該等圖示中的該等例示圖係不必按比例繪製。
圖1顯示投影曝光裝置1（微影裝置）、特別是EUV微影裝置之具體實施例。除了光或輻射源3之外，投影曝光裝置1之照明系統2之一個具體實施例具有用於照明物件平面6中的物件場5的照明光學單元4。在替代性具體實施例中，光源3可能也係提供為與照明系統2之其餘部分分開的模組。在這種情況下，照明系統2並未包含光源3。
設置在物件場5中的倍縮光罩7係曝光。倍縮光罩7係由倍縮光罩架8扣持。倍縮光罩架8係可藉由倍縮光罩移置驅動器9移置，特別是在掃描方向上。
為了解說性目的，圖1顯示具x方向x、y方向y、和z方向z的笛卡爾（Cartesian）座標系統。該x方向x垂直行進到該圖式之該平面中。該y方向y水平行進，而該z方向z垂直行進。在圖1中，該掃描方向在該y方向y上行進。該z方向z垂直於物件平面6行進。
投影曝光裝置1包含一投影光學單元10。投影光學單元10用來將物件場5成像到影像平面12中的影像場11中。影像平面12平行於物件平面6延伸。或者，在物件平面6與影像平面12之間不同於0°的角度也為可能。
倍縮光罩7上的結構係成像到設置在影像平面12中的影像場11之該區域中的晶圓13之光敏層上。晶圓13係由晶圓架14扣持。晶圓架14係可藉由晶圓移置驅動器15移置，特別是在該y方向y上。首先倍縮光罩7藉由倍縮光罩移置驅動器9，其次晶圓13藉由晶圓移置驅動器15之該移置可能係實行為相互同步。
光源3係EUV輻射源。光源3特別是發出在以下也指稱為所使用輻射、照明輻射、或照明光的EUV輻射16。特別是，所使用輻射16具有介於5 nm至30 nm之間範圍內的波長。光源3可能係電漿源，例如LPP（縮寫：雷射引發電漿（laser produced plasma））源或DPP（縮寫：氣體放電引發電漿（gas-discharge produced plasma））源。其可能也係同步加速器型輻射源。光源3可能係FEL（為以下縮寫：自由電子雷射（free-electron laser））。
從光源3出射的照明輻射16係由收集器17聚焦。收集器17可為具一個或多個橢圓體和/或雙曲線體反射表面的收集器。收集器17之該至少一個反射表面可能係由照明輻射16以掠入射（grazing incidence，縮寫為：GI）（亦即以大於45°的入射角）或以正向入射（normal incidence，縮寫為：NI）（亦即以小於45°的入射角）照射。收集器17係可首先為了最佳化其對於該所使用輻射的反射率，其次為了抑制外來光而構造和/或塗佈。
在收集器17之下游，照明輻射16傳遞穿越中間聚焦平面18中的中間焦點。中間聚焦平面18可能表示具有光源3和收集器17的輻射源模組與照明光學單元4之間的分隔。
照明光學單元4包含一偏轉鏡19；以及一第一琢面鏡20，其在該波束路徑中設置在其下游。偏轉鏡19可能係平面偏轉鏡，或者具不僅僅是純偏轉效應的波束影響效應的反射鏡。替代地或附加地，偏轉鏡19可能係以將照明輻射16之所使用光波長與與之偏離的波長之外來光分開的頻譜過濾器（spectral filter）為形式體現。若第一琢面鏡(facet mirror)20係設置在照明光學單元4與物件平面6光學共軛作為場平面之平面中，則其也指稱為場琢面鏡。第一琢面鏡20包含眾多個別第一琢面21，其也可指稱為場琢面。這些第一琢面21僅一些係藉由範例顯示在圖1中。
該等第一琢面21可能係體現為宏觀琢面，特別是體現為矩形琢面或者具拱形邊緣輪廓或圓形之一部分之邊緣輪廓的琢面。該等第一琢面21可能係體現為平面琢面或者具凸或凹曲率的琢面。
例如從DE 10 2008 009 600 A1已知，該等第一琢面21自身也可在眾多個別反射鏡、特別是眾多微反射鏡之每種情況下構成。特別是，第一琢面鏡20係可體現為微機電（microelectromechanical）系統（MEMS系統）。如需詳細資訊，請參照DE 10 2008 009 600 A1。
在收集器17與偏轉鏡19之間，照明輻射16水平行進，亦即在該y方向y上。
在照明光學單元4之該波束路徑中，第二琢面鏡22係設置在第一琢面鏡20之下游。若第二琢面鏡22係設置在照明光學單元4之光瞳平面中，則其也指稱為光瞳琢面鏡。第二琢面鏡22係也可設置在與照明光學單元4之光瞳平面相距一定距離處。在這種情況下，第一琢面鏡20和第二琢面鏡22之該組合也指稱為鏡面反射體（specular reflector）。鏡面反射體係從US 2006/0132747 A1、EP 1 614 008 B1、和US 6,573,978已知。
第二琢面鏡22包含複數第二琢面23。在光瞳琢面鏡之該情況下，該等第二琢面23係也指稱為光瞳琢面。
該等第二琢面23同樣可能係宏觀琢面，其可能例如具有圓形、矩形、或六邊形邊界，或者可能係由微反射鏡構成的琢面。在此情況下，同樣請參照DE 10 2008 009 600 A1。
該等第二琢面23可能具有平面反射表面，或者凸或凹彎曲反射表面。
所以，照明光學單元4形成雙重琢面系統。此基本原理係也指稱為複眼聚光器（fly’s eye condenser）（或積分器（integrator））。
未將第二琢面鏡22完全設置在與投影光學單元10之光瞳平面光學共軛的平面中可為具優勢。特別是，第二琢面鏡22可能係設置為相對於投影光學單元10之光瞳平面為傾斜，如係例如在DE 10 2017 220 586 A1中說明。
借助於第二琢面鏡22，該等個別第一琢面21係成像到物件場5中。第二琢面鏡22係該最後的波束塑形反射鏡，或者實際上用於在物件場5之上游的該波束路徑中的照明輻射16的該最後的反射鏡。
在照明光學單元4之又一具體實施例（未顯示）中，特別是有助於該等第一琢面21之該成像到物件場5中的傳送光學單元，可能係設置在第二琢面鏡22與物件場5之間的該波束路徑中。該傳送光學單元可能具有正好一個反射鏡，或者具有一個接一個設置在照明光學單元4之該波束路徑中的兩個或更多個反射鏡。該傳送光學單元特別是可包含一個或兩個正向入射（normal-incidence）鏡（NI鏡），和/或一個或兩個掠入射（grazing-incidence）鏡（GI鏡）。
在圖1中所示該具體實施例中，照明光學單元4在收集器17之下游具有正好三個反射鏡，具體而言偏轉鏡19、第一琢面鏡20、和第二琢面鏡22。
在照明光學單元4之又一具體實施例中，本領域也無需偏轉鏡19，並因此照明光學單元4隨後可能在收集器17之下游具有正好兩個反射鏡，具體而言第一琢面鏡20和第二琢面鏡22。
該等第一琢面21藉助該等第二琢面23或者使用該等第二琢面23和傳送光學單元之該成像到物件平面6中，時常僅係近似成像。
投影光學單元10包含複數反射鏡Mi，其係依據其在投影曝光裝置1之該波束路徑中的設置連續編號。
在圖1中所示該範例中，投影光學單元10包含六個反射鏡M1至M6。具四個、八個、十個、十二個、或任何其他數量之反射鏡Mi的替代例同樣為可能。投影光學單元10係兩次遮沒（twice-obscured）光學單元。該倒數第二個反射鏡M5和該最後的反射鏡M6皆具有用於照明輻射16的通道開口。投影光學單元10具有大於0.5並可能也係大於0.6並可能係例如0.7或0.75的影像側數值孔徑。
該等反射鏡Mi之反射表面係可體現為無旋轉對稱軸的自由形式表面。或者，該等反射鏡Mi之該等反射表面係可設計為具該反射表面形狀之正好一個旋轉對稱軸的非球面表面。就如同照明光學單元4之該等反射鏡，該等反射鏡Mi可能具有用於照明輻射16的高反射塗層。這些塗層係可設計為多層塗層，特別是具鉬和矽之交替層。
在物件場5之中心之y座標與影像場11之該中心之y座標之間，投影光學單元10在該y方向y上具有較大物件影像偏移。在該y方向y上的此物件影像偏移，可能係與物件平面6與影像平面12之間的z距離大致相同的量值。
投影光學單元10特別是可能具有漸變形式。其特別是在該等x與y方向x、y上具有不同成像比例βx、βy。投影光學單元10之該等兩個成像比例βx、βy較佳為(βx, βy) = (+/-0.25, +/-0.125)。正成像比例β意指無影像反轉的成像。用於該成像比例β的負號意指有影像反轉的成像。
所以，投影光學單元10在該x方向x上（亦即在垂直於該掃描方向的方向上）以具4:1之比率的大小導致縮減。
投影光學單元10在該y方向y上（亦即在該掃描方向上）以8:1之大小導致縮減。
其他成像比例同樣為可能。在該x方向x和y方向y上具相同符號和相同絕對值的成像比例也為可能，例如具0.125或0.25之絕對值。
在物件場5與影像場11之間的該波束路徑中，依投影光學單元10之該具體實施例而定，在該x方向x和該y方向y上的中間影像平面之該數量可能為相同或者可能不同。在該等x與y方向x、y上具不同數量之此類中間影像的投影光學單元之範例，係從US 2018/0074303 A1已知。
在每種情況下，該等第二琢面23之一係為了分別形成用於照明物件場5的照明通道，而分配給正好該等第一琢面21之一。這特別是可能依據科勒原理（Köhler principle）生成照明。該遠場（far field）係借助於該等第一琢面21分解為眾多物件場5。該等第一琢面21在分別分配給其的該等第二琢面23上，生成該中間焦點之複數影像。
藉由所分配第二琢面23，該等第一琢面21係為了照明物件場5之該等目的，而在每種情況下以彼此疊置的方式成像到倍縮光罩7上。特別是，物件場5之該照明為盡可能均質。其較佳為具有小於2%之均勻性誤差。該場均勻性係可藉由疊置不同照明通道而達成。
投影光學單元10之該入射光瞳之該照明，可能係由該等第二琢面23之設置在幾何上界定出。在投影光學單元10之該入射光瞳中，該強度分布可能係藉由選擇該等照明通道、特別是引導光的該等第二琢面23之該子集（subset）而設定。此強度分布係也指稱為照明設定或照明光瞳填充。
在照明光學單元4之照明光瞳之以限定方式照明的各區段之該區域中，同樣較佳的光瞳均勻性可能係由該等照明通道之重新分布達成。
物件場5以及特別是投影光學單元10之該入射光瞳之該照明之更多態樣和詳細資訊，係在以下說明。
投影光學單元10可能特別是具有同心入射光瞳。後者可為可接近（accessible）。其也可為無法接近。
投影光學單元10之該入射光瞳經常係無法採用第二琢面鏡22完全照明。當成像將第二琢面鏡22之該中心遠心成像到晶圓13上的投影光學單元10時，該等孔徑光線時常並未相交在單一點處。然而，可能找到其中成對所判定的該等孔徑光線之該間隔變得最小的區域。此區域表示該入射光瞳，或者與之共軛的真實空間中的區域。特別是，此區域具有有限曲率。
情況可能係：投影光學單元10對於該切向波束路徑並對於該徑向波束路徑，具有該入射光瞳之不同姿態（poses）。在這種情況下，成像元件、特別是該傳送光學單元之光學組件部件，係應提供在第二琢面鏡22與倍縮光罩7之間。借助於此光學元件，係可考慮到該切向入射光瞳和該徑向入射光瞳之該等不同姿態。
在圖1中所示照明光學單元4之該等組件之該設置中，第二琢面鏡22係設置在與投影光學單元10之該入射光瞳共軛的區域中。第一琢面鏡20係設置為相對於物件平面6為傾斜。第一琢面鏡20係設置為相對於由偏轉鏡19界定出的設置平面為傾斜。第一琢面鏡20係設置為相對於由第二琢面鏡22界定出的設置平面為傾斜。
圖2顯示用於微影裝置或投影曝光裝置1的光學系統100之具體實施例之示意例示圖，如例如在圖1中所示。此外，圖2之光學系統100可能也係在例如DUV微影裝置中使用。
光學系統100具有包含一印刷電路板210的設置200。印刷電路板210具有至少一個可撓式區域211。除了可撓式區域211之外，依據圖2的印刷電路板210之該示例性具體實施例包含兩個剛性區域212和213。藉由範例，在這種情況下，可撓式區域211係設置在該等兩個剛性區域212與213之間。特別是，該等剛性區域212和213係適用於緊固目的，並適用於與光學系統100之一部分的電子接觸。
可撓式組件230係設置在印刷電路板210之可撓式區域211上。可撓式組件230包含至少一個積體電路220。在可撓式組件230與印刷電路板210或其導體軌跡214（參見圖6）之間的該等電連接，為了清楚表示而係尚未顯示在圖2中。
在這方面，圖3顯示依據圖2的光學系統100，而設置200具有彎折狀態。在這種情況下，印刷電路板210之可撓式區域211以及具有設置在可撓式區域211上的積體電路220的組件230，係在安裝在光學系統100中時處於彎折狀態。在各應用中，設置200之此彎折狀態提供指定安裝空間優勢。
舉例來說，可撓式組件230包含一邏輯模組、一處理器、一類比數位轉換器（Analogue-digital converter，ADC）、和/或一數位類比轉換器（Digital-analogue converter，DAC）。換言之，積體電路220因此係設計，以使其形成邏輯模組、處理器、類比數位轉換器、和/或數位類比轉換器。
在這種情況下，可撓式組件230較佳為包含一可撓式基板。在這方面，圖5顯示可撓式組件230之具體實施例之示意例示圖。可撓式組件230包含一可撓式基板231，在其上係設置積體電路220。特別是，積體電路220係製造到可撓式基板231上，且可撓式組件230後續係設置在印刷電路板210之可撓式區域211上。因此，印刷電路板210較佳為整合至少一個可撓式區域211，以及包含積體電路220的可撓式組件230。又較佳為，印刷電路板210（如圖2至圖4中所示）將可撓式區域211與設置在其上的可撓式組件230，以及該等剛性區域212和213整合。
圖4顯示光學系統100之又一具體實施例之示意例示圖。如同在圖3中，出自圖4的印刷電路板210之可撓式區域211具有指定曲率，並係在設置、尤其安裝在光學系統100中時處於彎折狀態。與圖3相比，設置在可撓式區域211上的組件230係設置遠離該指定曲率。換言之，圖4中的組件230係設置在印刷電路板210之可撓式區域211之直線部位中。
圖6例示光學系統100之又一具體實施例之示意例示圖。依據圖6的該又一具體實施例係基於依據圖2至圖5的光學系統100之該具體實施例，並具有其中所說明的所有該等特徵。而且，依據圖6的光學系統100包含一致動器/感測器器件240，其用於一光學元件。依據圖6的致動器/感測器器件240係電連接至印刷電路板210之剛性區域213，並尤其係設置在此剛性區域213上。舉例來說，致動器/感測器器件240係溫度感測器或致動器。一般來說，致動器/感測器器件240係配置成偵測所分配光學元件300之參數（例如所分配光學元件300之該區域中的溫度或者所分配光學元件300之定位），並/或移置所分配光學元件300。藉由範例，光學元件300係該等反射鏡Ml至M6之一，或者該等琢面鏡20至23之一。
在圖6中，在致動器/感測器器件240與光學元件300之間的該設置，係由提供有該參考記號Z的該虛線箭頭標示。
而且，圖6中的該參考記號SW表示臨界或臨界值，最高可達該臨界值的具積體電路220的可撓式組件230，係可相對於致動器/感測器器件240設置。該臨界值SW係基於致動器/感測器器件240受到可撓式組件230、特別是就受到可撓式組件230的熱輸入和/或電磁干擾而言之預定的最大可允許擾動判定。因此，該臨界值SW係基於受到可撓式組件230的該預定的最大可允許擾動計算，且可撓式組件230隨後係設置在印刷電路板210之可撓式區域211上使得：可撓式組件230與致動器/感測器器件240之間的電連接之長度為最小。這達成的是可撓式組件230係盡可能接近於該所計算出臨界值SW。考慮到可撓式組件230對致動器/感測器器件240之該等影響（特別是就廢熱和電磁相容性而言），可撓式組件230與致動器/感測器器件240之間的該電連接之該最小長度造成最大良好信號完整性。以此方式，可撓式組件230對致動器/感測器器件240之負面影響之良好信號完整性和最小化之該等參數係最佳化。
圖7顯示製造用於微影裝置1的光學系統100的方法之具體實施例之示意圖。光學系統100之各範例係例示在圖2至圖6中。具有光學系統4、10的微影裝置1之範例係例示在圖1中。依據圖7的該方法之該具體實施例包含步驟701和702。
在步驟701中，具有至少一個可撓式區域211的印刷電路板210係設置（例如組裝）在光學系統100中。
在步驟702中，包含一積體電路220的可撓式組件230係設置在印刷電路板210之可撓式區域211上。在該製程中，可撓式組件230係使用特別是印刷電路板210之至少兩個導體軌跡214連接到致動器/感測器器件240（參見圖6）。在該製程中，可撓式組件230在印刷電路板210之可撓式區域211中之該定位，係考慮到致動器/感測器器件240受到特別是可撓式組件230之預定的最大可允許擾動選擇，使得：可撓式組件230與致動器/感測器器件240之間的電連接之長度為最小。當判定致動器/感測器器件240受到待組裝的可撓式組件230之該預定的最大可允許擾動時，來自可撓式組件230的致動器/感測器器件240中的該可能的熱輸入，以及致動器/感測器器件240中潛在電磁干擾特別是考慮到由可撓式組件230造成的。
儘管本發明係已參照各示例性具體實施例說明，但其係可以各種方式修飾。
1:投影曝光裝置
2:照明系統
3:光源
4:照明光學單元
5:物件場
6:物件平面
7:倍縮光罩
8:倍縮光罩架
9:倍縮光罩移置驅動器
10:投影光學單元
11:影像場
12:影像平面
13:晶圓
14:晶圓架
15:晶圓移置驅動器
16:照明輻射
17:收集器
18:中間聚焦平面
19:偏轉鏡
20:第一琢面鏡
21:第一琢面
22:第二琢面鏡
23:第二琢面
100:光學系統
200:設置
210:印刷電路板
211:可撓式區域
212、213:剛性區域
214:導體軌跡
220:積體電路
230:可撓式組件
231:可撓式基板
240:致動器/感測器器件
300:光學元件
701、702:步驟
M1、M2、M3、M4、M5、M6:反射鏡
SW:臨界值
本發明之更多具優勢配置和態樣，係在下文中所說明的本發明之相關諸申請專利範圍以及該等示例性具體實施例之標的。本發明係在下文中基於參照該等所附圖示的較佳具體實施例更詳細解說。
圖1顯示用於EUV投影微影的投影曝光裝置之示意性經向截面；
圖2顯示光學系統之具體實施例之示意例示圖；
圖3顯示依據圖1的該光學系統之該具體實施例，其中該設置處於彎折狀態的；
圖4顯示光學系統之又一具體實施例之示意例示圖；
圖5顯示依據圖1至圖3的該光學系統之該可撓式組件之具體實施例之示意例示圖；
圖6顯示光學系統之又一具體實施例之示意例示圖；以及
圖7顯示製造用於微影裝置的光學系統的方法之具體實施例之示意圖。
100:光學系統
200:設置
210:印刷電路板
211:可撓式區域
212、213:剛性區域
220:積體電路
230:可撓式組件
Claims (15)
- 一種用於一微影裝置（1）的光學系統（100），具有 一設置（200），包含一印刷電路板（210），其具有至少一個可撓式區域（211），其中係設置包含一積體電路（220）的一可撓式組件（230）。
- 如請求項1之光學系統，其中該可撓式組件（230）包含一邏輯模組、一處理器、一類比數位轉換器、和/或一數位類比轉換器。
- 如請求項1或請求項2之光學系統，其中該可撓式組件（230）包含一可撓式基板（231），在其上係設置或製造該積體電路（220）。
- 如請求項1至請求項3任一項之光學系統，其中該印刷電路板（210）之該可撓式區域（211）以及設置在該可撓式區域（211）上的該組件（230）係在設置在該光學系統（100）中時處於一彎折狀態。
- 如請求項1至請求項4任一項之光學系統，其中該印刷電路板（210）整合該至少一個可撓式區域（211）以及包含該積體電路（220）的該可撓式組件（230）。
- 如請求項1至請求項5任一項之光學系統，其中該印刷電路板（210）包含該至少一個可撓式區域（211），以及至少一個剛性區域（212、213），其連接到該可撓式區域（211）。
- 如請求項6之光學系統，其中該印刷電路板（210）包含兩個剛性區域（212、213），在其之間係設置該可撓式區域（211）。
- 如請求項1至請求項7任一項之光學系統，更包含： 許多致動器/感測器器件（240），而該可撓式組件（230）係使用該印刷電路板（210）之至少一個導體軌跡（214）連接到該許多致動器/感測器器件（240）。
- 如請求項8之光學系統，更包含： 許多可移置光學元件（300），其用於引導該光學系統（100）中的輻射，而該等致動器/感測器器件（240）中至少一者係分配給各自該光學元件（300），且各自該致動器/感測器器件（240）係配置成移置所分配的該光學元件（300）並/或偵測所分配的該光學元件（300）之一參數，特別是所分配的該光學元件（300）之一定位或者所分配的該光學元件（300）之該區域中的一溫度。
- 如請求項1至請求項9任一項之光學系統，其中該光學系統（100）包含一真空殼體，其中係設置有該設置（200）、該許多致動器/感測器器件（240）、和該等光學元件（300）。
- 如請求項1至請求項10任一項之光學系統，其中該光學系統（100）係以一照明光學單元（4）為形式或者以一微影裝置（1）之一投影光學單元（10）為形式。
- 一種微影裝置（1），其具有如請求項1至請求項11任一項之光學系統（100）。
- 一種製造用於一微影裝置（1）的一光學系統（100）的方法，包含： 在該光學系統（100）中設置（701）具有至少一個可撓式區域（211）的一印刷電路板（210）；以及 在該印刷電路板（210）之該可撓式區域（211）上設置（702）包含一積體電路（220）的一可撓式組件（230）。
- 如請求項13之方法，其中該可撓式組件（230）係使用該印刷電路板（210）之至少一個導體軌跡（214）而連接到一致動器/感測器器件（240）。
- 如請求項14之方法，其中選擇該可撓式組件（230）在該印刷電路板（210）之該可撓式區域（211）中之該定位，其係考慮到該致動器/感測器器件（240）受到該可撓式組件（230）之一預定的最大可允許擾動、特別是就一熱輸入和/或電磁干擾而言，使得該可撓式組件（230）與該致動器/感測器器件（240）之間的一電連接之一長度為最小。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102022204643.9 | 2022-05-12 | ||
| DE102022204643.9A DE102022204643A1 (de) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202401166A true TW202401166A (zh) | 2024-01-01 |
Family
ID=86387116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW112117580A TW202401166A (zh) | 2022-05-12 | 2023-05-11 | 光學系統、具有光學系統的微影裝置以及製造光學系統的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102022204643A1 (zh) |
| TW (1) | TW202401166A (zh) |
| WO (1) | WO2023217738A1 (zh) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09318965A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Nippon Seiki Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US6573978B1 (en) | 1999-01-26 | 2003-06-03 | Mcguire, Jr. James P. | EUV condenser with non-imaging optics |
| JP3952125B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 複合フレキシブル配線基板、電気光学装置、電子機器 |
| DE10317667A1 (de) | 2003-04-17 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element für ein Beleuchtungssystem |
| DE102008009600A1 (de) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie |
| DE102015226531A1 (de) | 2015-04-14 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
| DE102017220586A1 (de) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projek-tionsbelichtungsanlage |
| DE102019214050A1 (de) * | 2019-09-16 | 2021-03-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Steckeranordnung, system und lithographieanlage |
| DE102020216448A1 (de) * | 2020-12-22 | 2021-10-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen eines optischen systems |
-
2022
- 2022-05-12 DE DE102022204643.9A patent/DE102022204643A1/de active Pending
-
2023
- 2023-05-09 WO PCT/EP2023/062198 patent/WO2023217738A1/en unknown
- 2023-05-11 TW TW112117580A patent/TW202401166A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102022204643A1 (de) | 2023-11-16 |
| WO2023217738A1 (en) | 2023-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6098847B2 (ja) | 露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| EP1549984B1 (en) | Optical apparatus, exposure apparatus, and semiconductor device fabrication method | |
| JP2005258457A (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス | |
| JP2003233001A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US20060072219A1 (en) | Mirror holding mechanism in exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| US9651872B2 (en) | Projection lens with wavefront manipulator | |
| US9298102B2 (en) | Projection lens with wavefront manipulator | |
| JP2002329655A (ja) | 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| TW202401166A (zh) | 光學系統、具有光學系統的微影裝置以及製造光學系統的方法 | |
| JP2004078209A (ja) | 保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP6931469B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| KR20120100996A (ko) | 반사 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| JP2004080021A (ja) | 光学系の調整方法及び装置、露光装置 | |
| EP1471389A2 (en) | Projection optical system | |
| WO2019052790A1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING A MIRROR AS AN OPTICAL COMPONENT FOR AN OPTICAL SYSTEM OF A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR PROJECTION LITHOGRAPHY | |
| JP2024507881A (ja) | 光学アセンブリ、光学素子を変形させる方法、及び投影露光システム | |
| JP4819419B2 (ja) | 結像光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| TW202401130A (zh) | 光學裝置之支持構件 | |
| WO2022248433A1 (en) | Projection exposure apparatus and method for designing a component of a projection exposure apparatus | |
| WO2023187148A1 (en) | Drive device, optical system and lithography apparatus | |
| JP2011150227A (ja) | 露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| WO2010052961A1 (ja) | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP2008066578A (ja) | 結像光学系の設計方法、結像光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2005189248A (ja) | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 | |
| JP2009258461A (ja) | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |