JP2024507881A - 光学アセンブリ、光学素子を変形させる方法、及び投影露光システム - Google Patents
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Abstract
本発明は、投影露光装置(100、200)のビーム経路に影響を及ぼす光学素子(2)と光学素子(2)を変形させるアクチュエータデバイス(6)とを備えた光学アセンブリ(1)に関する。アクチュエータデバイス(6)は、少なくとも1つの光歪コンポーネント(7)及び少なくとも1つの光源(8)を含むものとする。光学素子(2)を変形させるために、光歪コンポーネント(7)は、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように光学素子(2)に機械的に結合される。光源(8)は、光歪コンポーネント(7)に引張力及び/又は圧縮力を誘起するために光歪コンポーネント(7)を目標通りに照明するよう構成される。
Description
本願は、独国特許出願第10 2021 201 689.8号の優先権を主張し、その内容を参照により本明細書に完全に援用する。
本発明は、投影露光装置のビーム経路に影響を及ぼす光学素子と、光学素子を変形させるアクチュエータデバイスとを備えた、光学アセンブリの種々の変形形態に関する。
本発明はさらに、投影露光装置の光学素子を変形させる方法の種々の変形形態と、当該方法を実行するプログラムコード手段を有するコンピュータプログラム製品とに関する。
本発明はさらに、放射源、照明光学ユニット、及び投影光学ユニットを有する照明系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置に関する。
投影露光装置又はリソグラフィ装置は、高精度の集積回路の製造に用いられる。このとき、ミラー及び/又はレンズ素子等の光学素子により、放射源の光が露光対象のウェハに向けられる。光学素子の配置、位置、及び形状は、この場合に露光の品質に決定的に寄与する。
半導体回路の小型化が進んでいることにより、投影露光装置の分解能及び精度の両方に課される要求はますます厳しくなっている。これに対応して、特にその光学素子及び光学素子の作動に厳しい要求が課される。
特に高い分解能を達成するために、EUV(「極紫外線」)投影露光装置が長年にわたり用いられている。略全ての媒体のEUV放射線に対する吸収が大きいので、EUV光学ユニットは、通常は純粋なミラー系でなければならず、真空中に配置されなければならない。しかしながら、実際にはEUV放射線の理想的な反射を達成できないので、特に高い放射出力レベルでは多くのエネルギーがミラー光学ユニットに蓄積し、これが加熱及び変形を引き起こす可能性がある。これは、最終的に光学収差又は結像誤差につながる。
投影露光装置の結像精度を高めるために、経験から示されるのは、作動可能なコンポーネントにより光学素子を目標通りに変形させて、投影露光装置内の結像誤差を補正することである。この目的で、概してピエゾ素子が光学素子に固定される。ピエゾ素子の作動により、光学素子の、例えばミラーのプロファイルを設定し、結果として光学系全体を補正することが原理上は可能である。
通常、ピエゾ素子は、変形させるミラーの裏側に接着しなければならない。しかしながら、これには、主にミラーが熱的且つ機械的に十分に安定するために特定の厚さを有するべきであるという理由から、ピエゾ素子による変形がミラーの光学的に活性な表側から比較的遠く離れてしまうという欠点がある。
さらに別の欠点として、ピエゾ素子の動作のために給電線又は制御線を光学アセンブリに、場合によっては光学素子にも、組み込む必要がある。
一般的な特許文献1は、高分子材料を用いて、必要であればレーザ照射により、ミラーを変形させることを提案しており、この変形を光学素子の反射面に伝達させることが意図される。このようにして、非接触変形が可能であるべきである。
既知の従来技術に鑑みて、本発明の一元的な目的は、高精度且つ好ましくは単純な技術的設計で投影露光装置の光学素子の変形を容易にする、特に有利な光学アセンブリを提供することにある。
本発明は、高精度且つ好ましくは単純な技術的設計で光学素子の変形を可能にする、投影露光装置の光学素子を変形させる方法の特に有利な代替的な変形形態を提供するという一元的な目的にも基づく。最後に、本発明の目的は、上記方法を実行するための有利なコンピュータプログラム製品を提供することでもある。
さらに、本発明の目的は、結像誤差を補正するために高精度で変形可能な光学素子を有する少なくとも1つの光学アセンブリを備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置を提供することである。
この目的は、光学アセンブリ、変形方法の代替的な変形形態、コンピュータプログラム製品、及び投影露光装置について、各独立請求項により達成される。従属請求項及び以下に記載の特徴は、本発明の有利な実施形態及び変形形態に関するものである。
投影露光装置のビーム経路に影響を及ぼす光学素子と、光学素子を変形させる1つ又は複数のアクチュエータデバイスとを有する光学アセンブリが提供される。
アクチュエータデバイスの結果として、光学素子は、弾性変形可能又は少なくとも実質的に可逆的に変形可能であり得る。光学素子の変形は、ヒステリシスなく実施されることが好ましい。「変形」は、例えば光学素子の材料の部分毎の長さ変化又は光学素子の部分毎の表面変形を引き起こし得る、光学素子の材料の変形を特に意味すると理解されたい。
光学素子は、ミラーであることが好ましい。ミラーは、実質的に平坦な又は平面状のミラー面を有し得るが、完全又は部分的な曲面、特に凸面又は凹面でもあり得る。しかしながら、原理上、光学素子は、ビーム経路に影響を及ぼすのに適した任意の素子、例えばレンズ素子又はレチクル、場合によっては投影光学ユニット等のアセンブリ全体、又は取付フレーム若しくはウェハホルダ等の構造であり得る。
完全を期すために、原理上、複数のアクチュエータデバイスを光学素子の変形用に設けることも可能であることに留意されたい。
光学素子の本発明による変形を用いて、例えば、光学素子の製造における不正確さ又は公差により、又は光学素子の望ましくない変形により引き起こされる結像誤差を補正することができる。例えば、光学素子は、動作中に加熱され、結果として変形し得る。しかしながら、望ましくない変形について考えられる原因は加熱だけではない。例えば、光学素子の反射層又は本体における機械的応力も関係する可能性がある。光学素子の本体の機械的応力は、例えば、本体が平滑化のために電子ビームで圧縮される場合に(「ICET」)起こり得る。前述の不正確さ及び/又は変形は、本発明による光学素子の変形により補正又は少なくとも低減できるのが有利である。原理上、本発明による変形により、いかなる光学素子のいかなる結像誤差も補正することができる。
本発明によれば、光学素子を変形させるために、アクチュエータデバイスは、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように光学素子に機械的に結合された少なくとも1つの光歪コンポーネントを有するものとする。
光歪材料又はコンポーネントは、特定の波長域の光に曝されると変形する。この現象を「光歪」と称する。光歪は、通常の熱変形とは区別されるべきであり、光電効果及び圧電効果を組み合わせたものである。
本発明によれば、アクチュエータデバイスは、光歪コンポーネントに引張力及び/又は圧縮力を誘起又は誘発するために光歪コンポーネントを目標通りに照明するよう構成された少なくとも1つの光源を有する。
光源による光歪コンポーネントの本発明による励起により、非接触変形を光学素子で開始させることができるのが有利である。アクチュエータデバイスを制御するための電線を設ける必要もなくなる。
本発明による解決手段により、投影露光装置の光学素子の変形に適し得るオーダのアクチュエータ振幅が意外にも達成可能であることを、本発明者らは見出した。
本発明によれば、光学素子は、放射源からのビーム経路に影響を及ぼすための反射層を有する光学的に活性な表側と、表側とは反対側の裏側とを有するものとする。
光学素子の裏側も同様に、場合によっては光学的に活性であるように設計することができる。しかしながら、裏側は、光学的に活性でないことが好ましいか、又は少なくとも放射源からのビーム経路に影響を及ぼすためには用いられない。
光学素子の裏側は、特に光学素子の非変形基本状態で、表側に対して平行平面状又は少なくとも実質的に平行平面状に延び得る。表側及び/又は裏側は、湾曲状、特に凹状又は凸状でもあり得る。
光学素子の光学的に活性な表側は、特にDUV(「深紫外」)放射線のビーム経路を反射するか又はこれに影響を及ぼす、特に好ましくはEUV放射線のビーム経路に影響を及ぼすミラー面として設計されることが好ましい。
表側は、放射源からのビーム経路に影響を及ぼす反射層を有することが好ましい。反射層は、特にEUV放射線を反射する金属層であり得る。反射層は、光学素子の表側に好ましくは材料接続的に塗布され、光学素子に例えば接着、蒸着、付加的に塗布、又は他の何らかの方法で接続され得る。しかしながら、原理上、光学素子が完全に反射層からなるものとしてもよい。
全体的な本発明の概念の一部として、光歪コンポーネント及び光源の配置の様々な代替形態を以下で提案するが、これらは、特に高い精度且つ好ましくは単純な技術的設計で光学素子の変形を可能にするのに特に適した既知の従来技術の代替形態であることが意外にも分かった。この点で、種々の独立特許請求項は、一元的な本発明の課題の代替的な解決手段を表す。
本発明の第1変形形態によれば、光歪コンポーネントの少なくとも1つが、反射層に隣接して光学素子の表側に配置され、且つ/又は光学素子の裏側に機械的に接続されるものとする。
本発明の第2変形形態によれば、光源の少なくとも1つが、光学素子の裏側に固定され、且つ/又は光歪コンポーネントの少なくとも1つが、反射層と光学素子の裏側との間で光学素子に配置さて、光源の少なくとも1つが、光歪コンポーネントと光学素子の裏側との間で光学素子に配置されるものとする。
本発明の第3変形形態によれば、複数の独立して制御可能な光源を用いて、少なくとも1つの光歪コンポーネントを照明するものとする。
本発明の発展形態によれば、光学素子は、光学素子の裏側から反射層まで延びる本体を有するものとしてよい。
本体は、光源からの光に対して透明な、又は少なくとも部分的に透明若しくはアクチュエータデバイスの動作に対して十分に透明な材料からなることが好ましい。例えば、本体はガラスからなり得る。
特に、本体が光源からの光に対して透明な材料からなる場合、光歪コンポーネントの作動又は光歪コンポーネントの照明を特に単純にすることができ、光学素子上又は光学素子内の光歪コンポーネントの配置を大きな自由度で行うことができる。
しかしながら、原理上、本体は、光源からの光に対して透明でない材料から形成されるものとしてもよい。
この時点で、特別な場合には、反射層も光源からの光に対して透明にすることができることに留意されたい(しかしながら、概してそうではない)。
本発明の発展形態によれば、光歪コンポーネントの少なくとも1つは、反射層と光学素子の裏側との間で光学素子に配置されるものとしてよい。
光学素子における、特に反射層と光学素子の裏側との間の、特に好ましくは反射層に直接隣接する光歪コンポーネントの配置は、光学素子の特に有利な目標変形につながり得る。アクチュエータデバイスが直接隣接して配置されることにより、光学素子の光学的に活性な表側に特に直接的に影響を及ぼすことができる。この場合、本体は、上記で既に提案されたように、光源からの光に対して透明な材料からなることが好ましい。
原理上、光歪コンポーネントは、代替として又は追加として、光学素子上又は光学素子内の他の場所に配置することもできる。
本発明の発展形態において、例えば、光歪コンポーネントの少なくとも1つは、光学素子の表側に、好ましくは反射層に隣接して配置されるものとしてよい。
よって、光歪コンポーネントは、光学素子の光学的に活性な表側のうちビーム経路に影響を及ぼすのに関係ない領域に配置することができる。したがって、光源からのビーム経路に影響を及ぼす光学素子の機能は、アクチュエータデバイスの影響を受けない。
このようにすることでも、変形を光学素子に導入することができるが、これは、反射層の裏に光歪コンポーネントを配置することにより直接影響を及ぼすよりも特定的でなく、波長が長い。
反射層のこの領域が、ビーム経路により用いられない光学素子の部分にある場合、又は放射源からの放射線に対する光歪コンポーネントの挙動が受動的、例えば透明である場合、光歪コンポーネントを、場合によっては光学素子の表側で反射層上に配置することもできることに留意されたい。
本発明の一構成において、代替として又は追加として、光歪コンポーネントの少なくとも1つは、光学素子の1つの側面又は複数の側面に配置されるものとすることができる。
光学素子の側面に且つ/又は表側の側方に光歪コンポーネントを配置することは、例えば光学素子のエッジの過度の変形に対抗するために有利であり得る。当然ながら、ミラーのエッジは、ミラーの中央部よりも加熱時に変形し、これは、特に光学素子の周辺領域を用いてビーム経路に影響を及ぼす場合に特に重大な結像誤差につながり得る。本発明による配置により、これに対抗することができる。
本発明の発展形態において、光源の少なくとも1つは、光歪コンポーネントと光学素子の裏側との間で光学素子に配置されるものとしてよい。
光源は、例えば、光学素子の対応する凹部に又は光学素子の本体に配置することができる。しかしながら、光源は、光学素子又は光学素子の本体と共通の層構造で製造されるものとしてもよい。光源が、光学素子の裏側から接触するために十分にアクセス可能な状態であることを確実にすることが好ましい。
光学素子における光源の配置は、少なくとも1つの光歪コンポーネントが反射層と光学素子の裏側との間、光学素子の表側、及び/又は光学素子の側面に配置される場合に特に有利であり得る。
本発明の有利な発展形態において、光歪コンポーネントの少なくとも1つは、光学素子の裏側に機械的に接続されるものとしてよい。
光学素子の裏側における光歪コンポーネントの配置は、例えば、より長波長の変形、例えば大域モードを光学素子に導入する場合に有利であり得る。この場合、光学素子又は光学素子の本体は、機械的なローパスフィルタのように機械的変形に作用することができる。
この場合、光歪コンポーネントは、光学素子の裏側に直接取り付けられることが好ましい。しかしながら、代替として、例えばさらにより長波長の機械的変形が与えられる場合、光歪コンポーネントを、光学素子の裏側に取り付けられた中間素子を介して間接的に光学素子に接続されるものとしてもよい。よって、中間素子は補償板として働くことができる。したがって、アクチュエータデバイスの変形は、最初に中間素子に直接影響を及ぼし、続いて中間素子を介して光学素子に伝達され得る。
用途に応じて、当業者は、中間素子を設けても設けなくてもよく、必要に応じて中間素子及び/又は光学素子の本体の厚さ及び弾性又は材料特性を変えることもできる。
さらに、中間素子自体を、光学素子の裏側に沿って分配されたスペーサ素子又はスペーサストラットを介して光学素子に間接的にのみ取り付けるものとすることができる。中間素子を介した光学素子への光歪コンポーネントの影響は、場合によっては、スペーサ素子又はスペーサストラットを用いることにより、例えばそれらの幾何学的形状及び/又は材料特性を変えることにより、さらにより最適に設定することができる。
同じく場合によっては、光歪コンポーネントは、光学素子の裏側と光学素子から離間した基準体との間に配置され、且つ一方の側は光学素子の裏側に、他方の側は基準体に機械的に結合されるものとすることができる。基準体は、特に光学素子のマウント、光学素子の取付フレーム(例えば、光学ユニット又は試験台の取付フレーム)、又は光学素子のハウジング部品であり得る。通常、基準体は、周囲のコンポーネントに静的に結合される。
基準体は、光学素子の裏側に沿って分配された支承ユニット又は支承ストラットを介して光学素子又は中間素子に取り付けられるものとすることができる。この場合、光歪コンポーネントは、個々の支承ユニット又は支承ストラット間に配置され得る。
光歪コンポーネントは、光学素子に、特に光学素子の裏側に(且つ/又は中間素子及び/又は基準体に)材料接続的に結合されることが好ましい。原理上、光歪コンポーネントは、任意所望の方法で、例えば摩擦嵌合又は形状嵌合でも、光学素子、中間素子、及び/又は基準体に接続されることができる。しかしながら、特に、例えば接着又は蒸着による材料接続が特に適していることが分かった。光学素子、中間体、及び/又は基準体との光歪コンポーネントの一体形成を、例えば付加製造技術により行うこともできる。
本発明の発展形態において、光源の少なくとも1つは、光学素子の裏側に固定するものとしてよい。
本発明の好ましい構成において、光源の少なくとも1つは、光学素子の裏側に配置され、光歪コンポーネントを照明するために光学素子の表側と位置合わせされるものとしてもよい。この場合、光源を光学素子から略全ての所望の距離に離間させることができるので、この構成は特に有利である。このように、既存の光学系は、アクチュエータデバイスの影響を略完全に受けない。さらに、この場合、光源の制御及び場合によっては放熱が特に単純な方法で可能である。
本発明の有利な発展形態において、少なくとも1つの光歪コンポーネントは、光学素子と平行に、例えば光学素子の裏側及び/又は表側と平行に位置合わせされるものとしてよい。
しかしながら、原理上、平行な広がり逸脱した光歪コンポーネントの配置を設けることもできる。しかしながら、平行な広がりが特に適切であることが分かっており、技術的な観点から比較的容易に実施することもできる。
本発明の発展形態において、アクチュエータデバイスは、連続した材料層として設計された前述の光歪コンポーネントの厳密に1つを有するものとしてよい。
光学素子の目標変形は、光歪コンポーネントの個々の部分又は領域を照明することにより達成することができる。
均一な材料層が設けられることが好ましい。この場合、アクチュエータデバイスの技術的設計は特に単純であり得る。
しかしながら、本発明の発展形態において、複数の光歪コンポーネントが光学素子に沿って選択的に分配されるものとすることもできる。
このようにすることでも、変形の異なるプロファイルを容易に設定可能である。さらに、光歪コンポーネントの選択的な分配により、集束度が低い光源を用いて光学素子に変形を励起又は導入することもできる。
このようにして変形振幅の局所的に異なるスケーリングを指定するために、異なる厚さ又は層厚を光歪コンポーネントに与えることができる。例えば、光学素子の周辺領域の変形が、光学素子の中央領域よりも大きい又は小さいものとすることができる。よって、周辺領域に配置された光歪コンポーネントの厚さは、中央領域よりも大きくできることが好ましい。
本発明の有利な発展形態において、光歪コンポーネントの少なくとも1つは、例えば層厚1nm~500μm、好ましくは層厚500nm~100μmの薄層として設計されるものとしてよい。
光歪コンポーネントの膨張係数は、層厚の変化により指定できることが有利である。
例えば、光歪コンポーネントは、20nm~36nmの層厚を有することができる。これは、光学素子の変形に申し分のない光歪コンポーネントの膨張又は圧縮をもたらすのに既に十分である可能性がある。
例えば、申し分のない変形を引き起こすには、1nm~5nmのストローク又はアクチュエータ振幅で十分であり得る。しかしながら、原理上、与えられる変形振幅はより大きくすることもより小さくすることもできる。
本発明の有利な発展形態において、光歪コンポーネントの少なくとも1つは、BiFeO3(「ビスマスフェライト」)又はPbTiO3(「チタン酸鉛」)からなるものとしてよい。
前述の材料の反応時間は、十分に短くすることができる。特に前述の2つの材料は、十分に薄い層で、例えば600nm~90μmの層で既に十分な変形振幅を起こすことができるので、投影露光装置での使用に適し得ることも、本発明者らは見出した。BiFeO3からなる結晶の場合、膨張係数は例えば0.003%であり得るが、これは、波長365nmの光での照明の場合に326W/m2のパワーで厚さ約90μmの層が2.7nmの変形振幅を既に達成できることを意味する。BiFeO3からなる薄膜は、0.46%の膨張係数でさらに大幅に高い光歪効果を示し、層厚600nmで2.7nmの変形振幅を既に起こすことができるが、それは、略2次元の幾何学的形状であることにより薄膜で他の物理的プロセスがさらに起こり得るからである。
光歪コンポーネントの薄層又は薄膜の高い効果をさらに利用するために、本発明の有利な実施形態において、光歪コンポーネントの複数の薄層が好ましくは各絶縁層で隔てて積層されるものとしてよい。よって、個々の層は、光源からの光の一部を吸収可能であり、残りの部分はその下の層を活性化することが可能である。このようにして、さらに大きな変形振幅を達成することができる。
原理上、光歪は、いずれも少なくとも1つの光歪コンポーネントの形成に適している可能性があり得る多くの異なる材料クラスで起こる。本発明の範囲内で大きな、したがって特に有利な効果を達成するために、適当な強誘電体材料(SbSl結晶又はPLZT等の強誘電体セラミックス等)、カルコゲナイドガラス(例えば、As2Se3)、及び/又は有機ポリマーを提供することができる。これらは、厚層又は薄層としてそれぞれ設計することができる。
本発明の一構成において、光学素子又は光学素子の少なくとも本体は、光歪コンポーネントから(完全に又は部分的に)形成されるものとしてよい。
よって、光歪コンポーネントを光学素子に加えること又は光歪コンポーネントを光学素子に接続することに伴う労力をなくすことができる。前述の構成を実現するための1つの可能性は、例えば、光歪コンポーネントを全体的に生成するために光学素子又は本体にさらに別の成分(又は他の何らかの混合物)をドープすることであり得る。これは例えば、光学素子の製造(例えば、ガラス製造)中に直接行うことができる。
本発明の発展形態において、光源の少なくとも1つは、レーザとして設計されるものとしてよい。
光源は、単色光を出射するよう構成されることが好ましい。
本発明の発展形態によれば、光源の少なくとも1つは、100nm~1000nmの波長を有する、好ましくは200nm~800nmの波長を有する、特に好ましくは350nm~700nmの波長を有する、例えば365nmの波長を有する光を出射するよう構成されるものとしてよい。しかしながら、原理上、100nm未満の又は1000nmよりも大きな波長を提供することもできる。
光歪コンポーネントの膨張又はアクチュエータ振幅は、吸収された光量に応じて、したがって特に波長に応じて変わり得る。光歪材料毎に、異なる光波長に対する感度が異なり得る。
本発明の有利な発展形態において、光源の少なくとも1つは、出射光の波長、強度、集束、及び/又は位置合わせに関して設定可能であるものとしてよい。
このように、変形は、少なくとも1つの光源の電気的制御により特に有利に設定することができる。
本発明の有利な発展形態において、光源の少なくとも1つは、ビーム経路及び/又は出射光の特性に影響を及ぼすために、光学デバイス、特に1つ又は複数のレンズ素子、1つ又は複数のマイクロミラー、及び/又は1つ又は複数の光フィルタ(例えば、LCDユニット)を有するものとしてよい。
例えば、光源の設定精度が十分である場合、少なくとも1つの光歪コンポーネントの照明のために設ける光源を1つのみにするか又は少なくとも少数にすることが可能であり得る。
しかしながら、本発明の発展形態において、アクチュエータデバイスは、少なくとも1つの光歪コンポーネントを照明するためにそれぞれ相互に独立して制御可能な前述の光源を複数有するものとしてもよい。
相互に独立して制御可能な複数の光源の使用が、概して好ましい。
本発明の発展形態によれば、光学アセンブリは、所期の変形が光学素子で起こるように少なくとも1つの光歪コンポーネントを照明するために、少なくとも1つの光源を制御する制御デバイスを有することができる。
制御デバイスは、マイクロプロセッサの形態であり得る。マイクロプロセッサの代わりに、制御デバイスを実現する任意のさらに別のデバイス、例えばプリント回路板上の離散的な電気構成部品の1つ又は複数の配置、プログラマブルロジックコントローラ(PLC)、特定用途向け集積回路(ASIC)、又は任意の他のプログラマブル回路、例えばフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、プログラマブルロジックアレイ(PLA)、及び/又は市販のコンピュータを設けることができる。
本発明は、投影露光装置の光学素子を変形させる方法にも関する。光学素子を変形させるために、少なくとも1つの光源が、光歪コンポーネントに引張力及び/又は圧縮力を誘起するために、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように光学素子に機械的に結合された光歪コンポーネントを目標通りに照明するものとする。方法の様々な有利な変形形態が、請求項20~22に記載されている。
したがって、光学補正のために、光歪材料を用いて、特に投影露光装置、好ましくはEUVリソグラフィ光学ユニットのミラーを変形させることが提案される。よって、特にミラーの変形にピエゾ素子又は他のアクチュエータを用いる代わりに、光歪効果により変形可能なミラーを設けることができる。
光学素子における光歪コンポーネントの設置位置及び数は、上述及び後述のように変わり得る。光歪コンポーネントを照明し、したがってこれを目標通りに操作する光源の数及び位置決めにも同じことが当てはまる。
本発明はさらに、制御デバイス、特に上記光学アセンブリの制御デバイスでプログラムが実行されると、上述及び後述のような光学素子を変形させる方法を実行するプログラムコード手段を有する、コンピュータプログラム製品に関する。
特に、本発明は、さらに後述する投影露光装置内での使用に、又は概してリソグラフィ光学ユニットでの使用に適している。しかしながら、原理上、本発明は、光学素子を変形させようとする任意所望の用途に、特に航空宇宙及び天文学の用途、及び軍事用途にも適している場合がある。
本発明は、放射源、照明光学ユニット、及び投影光学ユニットを有する照明系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置にも関する。照明光学ユニット及び/又は投影光学ユニットは、上述及び後述のような少なくとも1つの光学アセンブリを含む。
本発明は、光学アセンブリの光学素子の変形により投影露光装置の結像誤差を補正するのに特に適している。
光学素子を変形させるための光歪コンポーネントの本発明による使用により、光学素子内の又は光学素子に隣接する電気配線を回避できることが好ましいので、技術的に実施しやすく投影露光装置のシステム全体にほとんど影響を及ぼさない高精度のシステムを提供することが可能である。
本発明は、特に、マイクロリソグラフィDUV投影露光装置での使用に適しているが、特にEUV投影露光装置での使用に適している。本発明の可能な用途は、液浸リソグラフィにも関する。
本発明の主題の1つ、具体的には光学アセンブリ、光学素子を変形させる方法、コンピュータプログラム製品、及び投影露光装置に関連して記載された特徴は、本発明の他の主題についても実施可能であるのが有利である。同様に、本発明の主題の1つに関連して明記された利点は、本発明の他の主題に関するものとも理解することができる。
さらに、「備える」、「有する」、又は「含む」等の用語は、他の特徴又はステップを除外するものではないことに留意されたい。さらにまた、個別のステップ又は特徴を示す「a(n)」又は「the」等の語は、複数の特徴又はステップを排除するものではなく、その逆も同様である。
しかしながら、本発明の純粋主義的な実施形態において、用語「備える」、「有する」、又は「含む」を用いて本発明に導入された特徴が網羅的な列挙であるものとしてよい。したがって、特徴の1つ又は複数の列挙は、例えば請求項毎にそれぞれ考慮した場合、本発明の範囲内で網羅的であるとみなすことができる。例として、本発明は、請求項1に記載の特徴のみからなり得る。
「第1」又は「第2」等の表記は、主に各装置又は方法の特徴間を区別可能にするために用いられ、必ずしも特徴が相互に必要とし合うこと又は関連し合うことを示すためのものではないことに留意されたい。
さらに強調すべきは、本明細書に記載の値及びパラメータが、各指定値又はパラメータから±10%以下、好ましくは±5%以下、さらに好ましくは±1%以下、特に好ましくは±0.1以下の偏差又は変動も含むが、これらの偏差が本発明の実践時に排除されない場合に限られることである。開始値及び終了値による範囲の指定には、各指定範囲に含まれる全ての値及び小数部、特に開始値及び終了値並びに各平均値も包含される。
本発明は、光学素子と光学素子に影響を及ぼすアクチュエータデバイスとを備えた請求項1とは別の光学アセンブリであって、アクチュエータデバイスは少なくとも1つの光歪コンポーネント及び少なくとも1つの光源を含み、光歪コンポーネントは光学素子を変形させ、位置合わせし、且つ/又は位置決めするために光学素子に機械的に結合され、光源は光歪コンポーネントを目標通りに照明するよう構成される光学アセンブリにも関する。請求項1及び従属請求項のさらなる特徴と本明細書に記載の特徴とは、この光学アセンブリの有利な実施形態及び変形形態に関係する。
本発明の例示的な実施形態を、図面を参照して以下でより詳細に説明する。
図はそれぞれ、本発明の個々の特徴を相互に組み合わせて示す好ましい例示的な実施形態を示す。任意の例示的な実施形態の特徴は、同じ例示的な実施形態の他の特徴とは別に実施可能でもあり、したがって当業者により容易に組み合わせられて、他の例示的な実施形態の特徴とさらに実行可能なコンビネーション及びサブコンビネーションを形成することができる。
図中、機能的に同一の要素には同じ参照符号を付してある。
まず図1を参照して、マイクロリソグラフィEUV投影露光装置100の必須構成部品を以下で例示的に説明する。EUV投影露光装置100及びその構成部品の基本構造の説明は、ここでは限定的と解釈すべきではない。
EUV投影露光装置100の照明系101は、放射源102に加えて、物体面105の物体視野104の照明用の照明光学ユニット103を有する。ここで、物体視野104に配置されたレチクル106が露光される。レチクル106は、レチクルホルダ107により保持される。レチクルホルダ107は、レチクル変位ドライブ108により特に走査方向に変位可能である。
図1には、説明を助けるために直交xyz座標系を示す。x方向は図の平面に対して垂直に延びる。y方向は水平に延び、z方向は鉛直に延びる。図1では、走査方向はy方向に延びる。z方向は物体面105に対して垂直に延びる。
EUV投影露光装置100は、投影光学ユニット109を備える。投影光学ユニット109は、物体視野104を像面112の像視野110に結像する働きをする。像面111は、物体面105と平行に延びる。代替として、物体面105と像面111との間では0°以外の角度も可能である。
レチクル106上の構造が、像面111の像視野110の領域に配置されたウェハ112の感光層に結像される。ウェハ112は、ウェハホルダ113により保持される。ウェハホルダ113は、ウェハ変位ドライブ114により特にy方向に変位可能である。第1にレチクル変位ドライブ108によるレチクル106の変位と、第2にウェハ変位ドライブ114によるウェハ112の変位とは、相互に同期するように実施され得る。
放射源102は、EUV放射源である。放射源102は、特に以下で使用放射線又は照明放射線とも称するEUV放射線115を出射する。使用放射線115は、5nm~30nmの範囲の波長を有する。放射源102は、プラズマ源、例えばLPP(レーザ生成プラズマ)源又はGDPP(ガス放電プラズマ)源であり得る。これは、シンクロトロンベースの放射源でもあり得る。放射源102は自由電子レーザ(FEL)であり得る。
放射源102から出る照明放射線115は、コレクタ116により集束される。コレクタ116は、1つ又は複数の楕円反射面及び/又は双曲反射面を有するコレクタであり得る。コレクタ116の少なくとも1つの反射面に、照明放射線115が斜入射(GI)で、すなわち45°よりも大きな入射角で、又は垂直入射(NI)で、すなわち45°よりも小さな入射角で入射し得る。コレクタ116は、第1に使用放射線115に対する反射率を最適化するために、第2に外来光を抑制するために構造化且つ/又はコーティングされ得る。
コレクタ116の下流で、照明放射線115は中間焦点面117の中間焦点を伝播する。中間焦点面117は、放射源102及びコレクタ116を有する放射源モジュールと照明光学ユニット103との間の分離を表し得る。
照明光学ユニット103は、偏向ミラー118と、ビーム経路でその下流に配置された第1ファセットミラー119とを備える。偏向ミラー118は、平面偏向ミラーであり得るか、あるいは純粋な偏向効果を超えたビーム影響効果を有するミラーであり得る。代替として又は追加として、偏向ミラー118は、照明放射線115の使用光波長をそこから逸脱する波長の外来光から分離する分光フィルタの形態であり得る。第1ファセットミラー119が、視野平面として物体平面105と光学的に共役な照明光学ユニット103の平面に配置される場合、これを視野ファセットミラーとも称する。第1ファセットミラー119は、以下で視野ファセットとも称する複数の個別の第1ファセット120を含む。これらの第1ファセット120のいくつかのみを図1に例示的に示す。
第1ファセット120は、巨視的なファセットの形態で、特に矩形ファセットの形態で、又は弧状の周辺輪郭又は部分円の周辺輪郭を有するファセットの形態で具現することができる。第1ファセット120は、平面ファセットとして、あるいは凸状又は凹状に湾曲したファセットとして具現することができる。
例えば独国特許出願公開第10 2008 009 600号から既知のように、第1ファセット120自体も、それぞれ複数の個別ミラー、特に複数のマイクロミラーから構成することができる。第1ファセットミラー119は、特に微小電気機械システム(MEMSシステム)の形態であり得る。詳細は独国特許出願公開第10 2008 009 600号を参照されたい。
照明放射線115は、コレクタ116と偏向ミラー118との間で水平に、すなわちy方向に進む。
照明光学ユニット103のビーム経路で、第1ファセットミラー119の下流に第2ファセットミラー121が配置される。第2ファセットミラー121が照明光学ユニット103の瞳面に配置される場合、これを瞳ファセットミラーとも称する。第2ファセットミラー121は、照明光学ユニット103の瞳面から離れて配置することもできる。この場合、第1ファセットミラー119及び第2ファセットミラー121の組み合わせを鏡面反射器とも称する。鏡面反射器は、米国特許出願公開第2006/0132747号、欧州特許第1 614 008号、及び米国特許第6,573,978号から既知である。
第2ファセットミラー121は、複数の第2ファセット122を含む。瞳ファセットミラーの場合、第2ファセット122を瞳ファセットとも称する。
第2ファセッ122も同様に、例えば円形、矩形、又は六角形の境界を有し得る巨視的なファセットであり得るか、あるいはマイクロミラーから構成されたファセットであり得る。この点に関して、独国特許出願公開第10 2008 009 600号を同様に参照されたい。
第2ファセット122は、平面反射面、あるいは凸状又は凹状に湾曲した反射面を有し得る。
照明光学ユニット103は、結果として二重ファセットシステムを形成する。この基本原理は、フライアイインテグレータとも称する。
第2ファセットミラー121を投影光学ユニット109の瞳面と光学的に共役な平面に正確に配置しないことが有利であり得る。
第2ファセットミラー121を用いて、個々の第1ファセット120が物体視野104に結像される。第2ファセットミラー121は、物体視野104の上流のビーム経路で最後のビーム整形ミラー又は実際に照明放射線115に対する最終ミラーである。
照明光学ユニット103のさらに別の実施形態(図示せず)において、特に物体視野104への第1ファセット120の結像に寄与する転写光学ユニットが、第2ファセットミラー121と物体視野104との間のビーム経路に配置され得る。転写光学ユニットは、厳密に1つのミラー、あるいは照明光学ユニット103のビーム経路に連続して配置された2つ以上のミラーを含むことができる。特に、転写光学ユニットは、1つ又は2つの垂直入射用のミラー(NIミラー、「垂直入射」ミラー)及び/又は1つ又は2つの斜入射用のミラー(GIミラー、「斜入射」ミラー)を含むことができる。
図1に示す実施形態において、照明光学ユニット103は、コレクタ116の下流に厳密に3つのミラー、具体的には偏向ミラー118、視野ファセットミラー119、及び瞳ファセットミラー121を有する。
照明光学ユニッ103のさらに別の実施形態では、偏向ミラー118を省くこともできるので、照明光学ユニット103は、その場合はコレクタ116の下流に厳密に2つのミラー、具体的には第1ファセットミラー119及び第2ファセットミラー121を有することができる。
第2ファセット122による、又は第2ファセット122及び転写光学ユニットを用いた、物体面105への第1ファセット120の結像は、通常は近似的な結像にすぎない。
投影光学ユニット109は、複数のミラーMiを含み、これらにはEUV投影露光装置100のビーム経路におけるそれらの配置に従って番号を付す。
図1に示す例において、投影光学ユニット109は、6個のミラーM1~M6を含む。4個、8個、10個、12個、又は任意の他の数のミラーMiでの代替も同様に可能である。最後から2番目のミラーM5及び最終ミラーM6はそれぞれ、照明放射線115の通過開口を有する。投影系109は、二重遮蔽光学ユニットである。投影光学ユニット109は、0.5よりも大きく、0.6よりも大きくてもよく、例えば0.7又は0.75であり得る像側開口数を有する。
ミラーMiの反射面は、回転対称軸のない自由曲面の形態であり得る。代替として、ミラーMiの反射面は、反射面形状の回転対称軸が厳密に1つである非球面として設計することができる。照明光学ユニット103のミラーと同様に、ミラーMiは、照明放射線115に対して高反射コーティングを有することができる。これらのコーティングは、特にモリブデン及びケイ素の交互層を有する多層コーティングとして設計することができる。
投影光学ユニット109は、物体視野104の中心のy座標と像視野110の中心のy座標との間にy方向の大きな物体-像オフセットを有する。y方向では、この物体-像オフセットは、物体面105と像面111との間のz距離と略同じサイズであり得る。
特に、投影光学ユニット109は、アナモルフィックな形態を有することができる。特にこれは、x方向及びy方向に異なる結像スケールβx、βyを有する。投影光学ユニット109の2つの結像スケールβx、βyは、好ましくは(βx,βy)=(+/-0.25,+/-0.125)である。正の結像スケールβは、像反転のない結像を意味する。結像スケールβの負の符号は、像反転のある結像を意味する。
投影光学ユニット109は、結果として、x方向に、すなわち走査方向に対して垂直な方向に4:1の比でサイズを縮小させる。
投影光学ユニット109は、y方向に、すなわち走査方向に8:1でサイズを縮小させる。
他の結像スケールも同様に可能である。x方向及びy方向で同じ符号及び同じ絶対値の、例えば0.125又は0.25の絶対値の結像スケールも可能である。
物体視野104と像視野110との間のビーム経路におけるx方向及びy方向の中間像面の数は、投影光学ユニット109の実施形態に応じて同じであっても異なっていてもよい。x方向及びy方向のこのような中間像の数が異なる投影光学ユニットの例は、米国特許出願公開第2018/0074303号から既知である。
第2ファセット122のそれぞれが、物体視野104を照明する照明チャネルをそれぞれ形成するために視野ファセット120の厳密に1つに割り当てられる。特に、これにより、ケーラーの原理に従った照明を得ることができる。遠視野は、視野ファセット120を用いて複数の物体視野104に分解される。視野ファセット120は、それぞれに割り当てられた瞳ファセット122に中間焦点の複数の像を生成する。
割り当てられた瞳ファセット122により、視野ファセット120は、物体視野104を照明する目的で重なり合ってレチクル106にそれぞれ結像される。物体視野104の照明は、特にできる限り均一である。その均一性誤差は2%未満であることが好ましい。異なる照明チャネルを重ね合わせることにより、視野均一性を得ることができる。
投影光学ユニット109の入射瞳の照明は、瞳ファセットの配置により幾何学的に規定することができる。導光する照明チャネル、特に瞳ファセットのサブセットを選択することにより、投影光学ユニット109の入射瞳における強度分布を設定することができる。この強度分布を照明設定とも称する。
照明光学ユニット103の照明瞳の規定の照明部分の領域における同様に好ましい瞳均一性を、照明チャネルの再分配により達成することができる。
物体視野104の、特に投影光学ユニット109の入射瞳の照明のさらなる態様及び詳細を、以下で説明する。
投影光学ユニット109は、特に共心入射瞳を有し得る。これはアクセス可能とすることができる。これはアクセス不可能とすることもできる。
投影光学ユニット109の入射瞳は、概して瞳ファセットミラー121で正確に照明することができない。瞳ファセットミラー121の中心をウェハ112にテレセントリックに結像する投影光学ユニット109の結像時に、開口光線は一点で交わらないことが多い。しかしながら、開口光線の対で求められた間隔が最小になる面を見つけることが可能である。この面は、入射瞳又はそれと共役な実空間面を表す。特に、この面は有限の曲率を有する。
投影光学ユニット109は、タンジェンシャルビーム経路とサジタルビーム経路とで入射瞳の位置が異なる場合がある。この場合、結像素子、特に転写光学ユニットの光学コンポーネントを、第2ファセットミラー121とレチクル106との間に設けるべきである。この光学素子を用いて、タンジェンシャル入射瞳及びサジタル入射瞳の位置姿勢の相違を考慮することができる。
図1に示す照明光学ユニット103のコンポーネントの配置において、瞳ファセットミラー121は、投影光学ユニット109の入射瞳と共役な面に配置される。視野ファセットミラー119は、物体面105に対して傾斜するように配置される。第1ファセットミラー119は、偏向ミラー118により画定された配置面に対して傾斜するように配置される。
第1ファセットミラー119は、第2ファセットミラー121により画定された配置面に対して傾斜するように配置される。
図2は、例示的なDUV投影露光装置200を示す。DUV投影露光装置200は、照明系201と、ウェハ204上のその後の構造を決定するレチクル203を収容し且つ正確に位置決めするレチクルステージ202として知られる装置と、ウェハ204を保持し、移動させ、且つ正確に位置決めするウェハホルダ205と、複数の光学素子、特にレンズ素子207を有する結像装置、具体的には投影光学ユニット206とを備えており、レンズ素子207は、投影光学ユニット206のレンズハウジング209にマウント208により保持される。
図示のレンズ素子207の代替として又はこれに加えて、様々な屈折、回折、及び/又は反射光学素子、特にミラー、プリズム、終端板等も設けることができる。
DUV投影露光装置200の基本的な機能原理では、レチクル203に導入された構造がウェハ204に結像される。
照明装置201は、ウェハ204へのレチクル203の結像に必要な電磁放射線の形態の投影ビーム210を供給する。この放射線に用いられる供給源は、レーザ、プラズマ源等であり得る。放射線は、投影ビーム210がレチクル203への入射時に直径、偏光、波面の形状等に関して所望の特性を有するように光学素子により照明系201で整形される。
レチクル203の像は、投影ビーム210により生成され、適当な縮小形態で投影光学ユニット206からウェハ204に転写される。この場合、レチクル203及びウェハ204を同期して移動させることができるので、レチクル203の各領域が、いわゆる走査動作中に事実上連続してウェハ204の対応領域に結像される。
最終レンズ素子207とウェハ204との間の空隙を、屈折率が1.0を超える液体媒体で任意に置き換えることができる。液体媒体は、例えば高純度水であり得る。このような構成は、液浸リソグラフィとも称し、高いフォトリソグラフィ解像度を有する。
本発明の使用は、投影露光装置100、200での使用にも、特に記載の構成を有する投影露光装置にも限定されない。本発明及び以下の例示的な実施形態は、特定の設計に限定されるものと理解すべきではない。以下の図は、本発明を単なる例として非常に概略的に示す。
投影露光装置の、例えば投影露光装置100、200の光学素子118、119、120、121、122、Mi、207の目標変形が、上記装置の結像誤差の補正に特に適し得る。これが、本発明の出発点である。
図3~図8は、本発明による光学アセンブリ1の様々な例示的な実施形態を例示的且つ非常に概略的に示す。光学アセンブリ1は、例えば投影露光装置100、200における結像誤差を補正するために、光学素子2の目標変形を可能にする。
前述のように、光学素子2は、特に投影露光装置100、200の光学素子2、特に上述の投影露光装置100、200の一方の(又は任意の他の投影露光装置の)照明光学ユニット103及び/又は投影光学ユニット109、206内の光学素子2であり得る。
例示的な実施形態において、光学素子2は、ミラーとして示されており、反射層3を有する光学的に活性な表側と表側とは反対側の裏側4とを有する。光学素子2に入射すると、照明放射線115又は投影ビーム210は、反射層3により所定の影響を受ける。通常、光学素子2は、反射層3から延びる本体5を有する。
最初に、本発明による光学アセンブリ1の例示的な第1実施形態を図3に基づいて説明する。
光学素子2に加えて、光学アセンブリ1は、光学素子2を変形させるアクチュエータデバイス6を有する。アクチュエータデバイス6は、少なくとも1つの光歪コンポーネント7及び少なくとも1つの光源8を含む。光学素子2を変形させるために、光歪コンポーネント7は、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように光学素子2に機械的に結合され、光源8は、光歪コンポーネント7に引張力及び/又は圧縮力を誘起するために光歪コンポーネント7を目標通りに照明するよう構成される。図中、対応する光ビーム9を破線で示す。
少なくとも1つの光歪コンポーネント7は、光学素子2と平行又は少なくとも実質的に平行に位置合わせされることが好ましい。しかしながら、例えば直交又は斜めの配置を与えることもできる。この時点で、光歪コンポーネント7は例示的な実施形態では同じ層厚を有する均一な層として基本的に示されているが、例えば領域によっては異なるアクチュエータ効果を達成するために層厚を変えることもできることに留意されたい。
光歪コンポーネント7は、特に層厚1nm~500μmの薄層として設計することができる。500nm~100μmの層厚が与えられることが好ましい。層厚は、可能なアクチュエータ振幅に影響を及ぼし、例えば1nm以上のアクチュエータ振幅が得られるように決定され得ることが好ましい。
少なくとも1つの光歪コンポーネント7は、原理上は任意所望の光歪材料から、例えば強誘電体材料、極性半導体、無極性半導体、又は有機ポリマーから形成することができる。少なくとも1つの光歪コンポーネント7は、BiFeO3又はPbTiO3からなることが特に好ましい。
少なくとも1つの光源8は、単色光を出射するよう設計されることが好ましい。好ましくは、少なくとも1つの光源8は、できる限り点状に、したがってできる限り集束させて光歪コンポーネント7を照明するようにも設計される。好ましい変形形態では、少なくとも1つの光源8は、レーザ、例えばレーザダイオードの形態であり得る。
光源8は、100nm~1000nmの波長、特に350nm~700nm、例えば365nmの波長の光を出射するよう構成され得る。光歪材料のタイプ毎に、異なる波長域に通常は感応する。少なくとも1つの光源8が出射した光は、それぞれ用いられる光歪材料に適合することが好ましい。約365nmの波長が、特にBiFeO3又はPbTiO3との使用に有利であり得る。
少なくとも1つの光源8は、出射光の波長、強度、集束、及び/又は位置合わせに関して設定可能であるものとしてよい。このようにして、光学素子2の変形にさらにより正確に影響を及ぼすことができる。
アクチュエータデバイス6は、図3に示すように、連続した材料層、例えば膜又は箔として設計された厳密に1つの光歪コンポーネント7を有することが好ましい。
光学素子2上又は光学素子2内の光歪コンポーネント7の配置として、以下に示す様々な有利な変形形態を提供することができる。前述の変形形態の組み合わせも原理上は可能である。
図3に示すように、例えば、少なくとも1つの光歪コンポーネント7は、光学素子2の反射層3の下で光学素子2に配置されるものとすることができる。この場合、反射層3又は(好ましくは)本体5は、光歪コンポーネント7の励起を可能にするために光源8からの光に対して透明である。通常、本体5は、いずれにせよガラス製であり、したがって上述の波長域に対して透明である。本体5が透明である限り、光歪コンポーネント7を光学素子2の裏側で照明できることが有利である。
光歪コンポーネント7を照明するために、図3では、複数の独立して制御可能な光源8が光歪コンポーネント7を複数の領域で目標通りに照明するために設けられている。少なくとも1つの光源8を制御するために、光学素子2の所期の変形が起こるように光源8を制御することにより少なくとも1つの光歪コンポーネント7を照明するよう構成された制御デバイス10を設けることができる。光学素子2を変形させる有利な方法を実行するために、プログラムコード手段を有する対応するコンピュータプログラム製品を制御デバイス10で実行することができる。
光学素子2を非接触で作動又は変形させる選択肢を有利に提供することができる。集束が十分な場合、光源8は、原理上は光学素子2からいかなる距離に配置することもできる。よって、光源8からの配線及び/又は放熱が特に単純な形で可能であり得る。
原理上、光源8を光学素子2から離間して配置することが好ましい。しかしながら、光源8の少なくとも1つは、光学素子2の裏側4に例えば摩擦嵌合、形状嵌合、又は材料結合で直接固定されるものとしてもよい。
図3に示す配置の代替として又はそれに加えて、アクチュエータデバイス6のさらに他の有利な構成を提供することもでき、これを以下に示す。原理上、本発明は、図示の例示的な実施形態に限定されるものと理解すべきでない。
図4に示す光学アセンブリ1の例示的な実施形態は、図3の例示的な実施形態に概ね対応する。この場合も、連続した材料層として具現された光歪コンポーネント7が、反射層3と光学素子2の裏側4との間で光学素子2に配置される。このようにして、表側又は反射層3に特に目標通りに影響を及ぼすことができる。
制御デバイス10は、簡単のために図4~図7にはさらに示さない。
図3に示す光源8の配置とは異なり、図4の光源8は、光学素子2から離れて配置されず、光学素子2に埋め込まれている。この目的で、光学素子2には、例えば裏側4から光学素子2内に延びる対応する凹部を設けることができる。光源8は、光学素子2の裏側4からの有利な接触可能性が依然としてあるように光学素子2に収容されることが好ましい。
光学アセンブリ1のさらに別の例示的な実施形態を図5に示す。ここでは、光歪コンポーネント7の少なくとも1つが反射層3に隣接して光学素子2の表側に配置されるものとする。この場合も、光歪コンポーネント7は、図示のように光学素子2の裏側4から照明することができる。しかしながら、代替として又は追加として、照明を光学素子2の表側から又は側面から行うこともできる。
代替的な又は付加的な変形形態は、光学素子の側面への光歪コンポーネント(単数又は複数)7の機械的な取付けとすることもでき、これを図5に破線で示す。
少なくとも1つの光歪コンポーネント7と光学素子2との間の図5に示す機械的結合は、例えば、周辺領域における光学素子2の変形の非常に良好な抑制をもたらし且つ/又は光学素子2に長波長変形を導入することができる。
有利な光学アセンブリ1のさらに別の例示的な実施形態を図6に示す。少なくとも1つの光歪コンポーネント7は、ここでは光学素子の裏側4に機械的に接続、特に直接接続される。光歪コンポーネント7は、例えば、光学素子2の裏側4に接着され得るか又は光学素子2の裏側に蒸着され得る。原理上、任意の取付け技術を提供することができる。この場合、光歪コンポーネント7を照明可能とするために、本体5及び/又は反射層3が光源8からの光を透過することも必要とは限らない。
図6は、単一の光源8での(又は少数の光源8での)光歪コンポーネント7の照射の別の可能性も示す。光源8は、ビーム経路及び/又は出射光の特性に影響を及ぼすために、付加的な光学デバイス11、例えば1つ又は複数のレンズ素子、1つ又は複数のマイクロミラー、及び/又は1つ又は複数の光フィルタを有する。光学デバイス11は、図6ではブラックボックスとして概略的に示されているにすぎない。光源8からのビーム経路に影響を及ぼすことができるので、複数の光源8を必ずしもこの目的で設けることなく少なくとも1つの光歪コンポーネント7の複数の領域を(場合によっては異なる強度及び/又は波長でも)照明することができる。
図7の例示的な実施形態は、光学素子2及びアクチュエータデバイス6の大幅に複雑化した配置も本発明の範囲内で設けることができることを示すものである。
図7に示すように、光歪コンポーネント7は、光学素子2の反射層3に間接的に接続されるものとすることができる。この目的で、中間層12を少なくとも1つの光歪コンポーネント7と反射層3との間に設けることができる。光歪コンポーネント7は、中間層12に直接取り付けることができ、中間層12はさらに、反射層3に直接又は間接的に取り付けられる。図7の例示的な実施形態では、さらにより目標を絞った力伝達を可能にするために、中間層12と反射層3との間に任意のスペーサストラット13が設けられる。
少なくとも1つの光歪コンポーネント7は、光学素子2の本体5と反射層3との間に配置することができ、例えば本体5に直接接続することができる。最後に、光歪コンポーネント7の他方の側は、例えば図示の中間層12を介して光学素子2の反射層3の裏側に接続することができる。本体5は、例えば、個々の支承ストラット14を介して反射層3に、又は図示のように中間層12に接続することができる。
図7に示す本発明の変形形態では、本体5は、光源8からの光に対して透明であるように設計されることが好ましい。
同様に図7に示すように、複数の光歪コンポーネント7を光学素子2に沿って、例えば支承ストラット14間に選択的に分配して配置するものとすることができる。しかしながら、原理上、単一の連続した材料層としての光歪コンポーネント7の構成が好ましい。
Claims (24)
- 投影露光装置(100、200)のビーム経路に影響を及ぼす光学素子(2)と該光学素子(2)を変形させるアクチュエータデバイス(6)とを備えた光学アセンブリ(1)であって、前記アクチュエータデバイス(6)は、少なくとも1つの光歪コンポーネント(7)及び少なくとも1つの光源(8)を含み、前記光学素子(2)を変形させるために、前記光歪コンポーネント(7)は、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように前記光学素子(2)に機械的に結合され、前記光源(8)は、前記光歪コンポーネント(7)に引張力及び/又は圧縮力を誘起するために前記光歪コンポーネント(7)を目標通りに照明するよう構成され、前記光学素子(2)は、放射源(102)からのビーム経路に影響を及ぼすための反射層(3)を有する光学的に活性な表側と、該表側とは反対側の裏側(4)とを有する、光学アセンブリ(1)において、
前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、
a)前記反射層(3)に隣接して前記光学素子(2)の前記表側に配置され、且つ/又は
b)前記光学素子(2)の前記裏側(4)に機械的に接続される
ことを特徴とする光学アセンブリ。 - 投影露光装置(100、200)のビーム経路に影響を及ぼす光学素子(2)と該光学素子(2)を変形させるアクチュエータデバイス(6)とを備えた光学アセンブリ(1)であって、前記アクチュエータデバイス(6)は、少なくとも1つの光歪コンポーネント(7)及び少なくとも1つの光源(8)を含み、前記光学素子(2)を変形させるために、前記光歪コンポーネント(7)は、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように前記光学素子(2)に機械的に結合され、前記光源(8)は、前記光歪コンポーネント(7)に引張力及び/又は圧縮力を誘起するために前記光歪コンポーネント(7)を目標通りに照明するよう構成され、前記光学素子(2)は、放射源(102)からのビーム経路に影響を及ぼすための反射層(3)を有する光学的に活性な表側と、該表側とは反対側の裏側(4)とを有する、光学アセンブリ(1)において、
a)前記光源(8)の少なくとも1つは、前記光学素子(2)の前記裏側(4)に固定され、且つ/又は
b)前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、前記反射層(3)と前記光学素子(2)の前記裏側(4)との間で前記光学素子(2)に配置され、且つ前記光源(8)の少なくとも1つは、前記光歪コンポーネント(7)と前記光学素子(2)の前記裏側(4)との間で前記光学素子(2)に配置される
ことを特徴とする光学アセンブリ。 - 投影露光装置(100、200)のビーム経路に影響を及ぼす光学素子(2)と該光学素子(2)を変形させるアクチュエータデバイス(6)とを備えた光学アセンブリ(1)であって、前記アクチュエータデバイス(6)は、少なくとも1つの光歪コンポーネント(7)及び少なくとも1つの光源(8)を含み、前記光学素子(2)を変形させるために、前記光歪コンポーネント(7)は、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように前記光学素子(2)に機械的に結合され、前記光源(8)は、前記光歪コンポーネント(7)に引張力及び/又は圧縮力を誘起するために前記光歪コンポーネント(7)を目標通りに照明するよう構成され、前記光学素子(2)は、放射源(102)からのビーム経路に影響を及ぼすための反射層(3)を有する光学的に活性な表側と、該表側とは反対側の裏側(4)とを有する、光学アセンブリ(1)において、
前記少なくとも1つの光歪コンポーネント(7)を照明する複数の独立して制御可能な光源(8)
を特徴とする光学アセンブリ。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光学素子(2)は、該光学素子(2)の前記裏側(4)から前記反射層(3)まで延びて前記光源(8)からの光に対して透明又は少なくとも部分的に透明な材料から形成される本体(5)を有することを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~4のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、前記反射層(3)と前記光学素子(2)の前記裏側(4)との間で前記光学素子(2)に配置されることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項2~5のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、前記反射層(3)に隣接して前記光学素子(2)の前記表側に配置されることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項5又は6に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光源(8)の少なくとも1つは、前記光歪コンポーネント(7)と前記光学素子(2)の前記裏側(4)との間で前記光学素子(2)に配置されることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項2~7のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、前記光学素子(2)の前記裏側(4)に機械的に接続されることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項3~8のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光源(8)の少なくとも1つは、前記光学素子(2)の前記裏側(4)に固定されることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~9のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記少なくとも1つの光歪コンポーネント(7)は、前記光学素子(2)と平行に位置合わせされることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~10のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、連続した材料層として設計された厳密に1つの光歪コンポーネント(7)を特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~10のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光学素子(2)に沿って選択的に分配された複数の光歪コンポーネント(7)を特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~12のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、特に層厚1nm~500μm、好ましくは層厚500nm~100μmの薄層として設計されることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~13のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、BiFeO3又はPbTiO3からなることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~14のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光源(8)の少なくとも1つは、好ましくは単色光を出射するためにレーザとして設計されることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~15のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光源(8)の少なくとも1つは、100nm~1000nmの波長を有する、好ましくは200nm~800nmの波長を有する、特に好ましくは350nm~700nmの波長を有する、例えば365nmの波長を有する光を出射するよう構成されることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~16のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光源(8)の少なくとも1つは、出射光の波長、強度、集束、及び/又は位置合わせに関して設定可能であることを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~17のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、前記光源(8)の少なくとも1つは、ビーム経路及び/又は出射光の特性に影響を及ぼすために、光学デバイス(11)、特に1つ又は複数のレンズ素子、1つ又は複数のマイクロミラー、及び/又は1つ又は複数の光フィルタを有することを特徴とする光学アセンブリ。
- 請求項1~18のいずれか1項に記載の光学アセンブリ(1)において、所期の変形が前記光学素子(2)で起こるように前記少なくとも1つの光歪コンポーネント(7)を照明するために、前記少なくとも1つの光源(8)を制御する制御デバイス(10)を特徴とする光学アセンブリ。
- 投影露光装置(100、200)の光学素子(2)変形させる方法であって、前記光学素子(2)を変形させるために、少なくとも1つの光源(8)が、光歪コンポーネント(7)に引張力及び/又は圧縮力を誘起するために、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように前記光学素子(2)に機械的に結合された前記光歪コンポーネント(7)を目標通りに照明し、前記光学素子(2)は、放射源(102)からのビーム経路に影響を及ぼすための反射層(3)を有する光学的に活性な表側と、該表側とは反対側の裏側(4)とを有する方法において、
前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、
a)前記反射層(3)に隣接して前記光学素子(2)の前記表側に配置され、且つ/又は
b)前記光学素子(2)の前記裏側(4)に機械的に接続される
ことを特徴とする方法。 - 投影露光装置(100、200)の光学素子(2)変形させる方法であって、前記光学素子(2)を変形させるために、少なくとも1つの光源(8)が、光歪コンポーネント(7)に引張力及び/又は圧縮力を誘起するために、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように前記光学素子(2)に機械的に結合された前記光歪コンポーネント(7)を目標通りに照明し、前記光学素子(2)は、放射源(102)からのビーム経路に影響を及ぼすための反射層(3)を有する光学的に活性な表側と、該表側とは反対側の裏側(4)とを有する方法において、
a)前記光源(8)の少なくとも1つは、前記光学素子(2)の前記裏側(4)に固定され、且つ/又は
b)前記光歪コンポーネント(7)の少なくとも1つは、前記反射層(3)と前記光学素子(2)の前記裏側(4)との間で前記光学素子(2)に配置され、且つ前記光源(8)の少なくとも1つは、前記光歪コンポーネント(7)と前記光学素子(2)の前記裏側(4)との間で前記光学素子(2)に配置される
ことを特徴とする方法。 - 投影露光装置(100、200)の光学素子(2)変形させる方法であって、前記光学素子(2)を変形させるために、少なくとも1つの光源(8)が、光歪コンポーネント(7)に引張力及び/又は圧縮力を誘起するために、引張力及び/又は圧縮力を伝達するように前記光学素子(2)に機械的に結合された前記光歪コンポーネント(7)を目標通りに照明する方法において、
複数の光源(8)が、前記少なくとも1つの光歪コンポーネント(7)を照明するように独立して制御される
ことを特徴とする方法。 - 制御デバイス(10)でプログラムが実行されると請求項20、21、又は22に記載の光学素子(2)を変形させる方法を実行するプログラムコード手段を有する、コンピュータプログラム製品。
- 放射源(102)、照明光学ユニット(103)、及び投影光学ユニット(109、206)を含む照明系(101、201)を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置(100、200)であって、前記照明光学ユニット(103)及び/又は前記投影光学ユニット(109、206)は、請求項1~19のいずれか1項に記載の少なくとも1つの光学アセンブリ(1)を含むマイクロリソグラフィ投影露光装置。
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