TW202349134A - 用於半導體微影的投影曝光設備的組件及投影曝光設備 - Google Patents

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麥可 葛洛斯
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德商卡爾蔡司Smt有限公司
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Abstract

本發明涉及一種用於半導體微影的投影曝光設備(1、101)的組件(50、70),該組件包括至少兩個彼此相連接的結構部件(51、55、71、75)。所述結構部件(51、55、71、75)可以在至少一個平面中相對於彼此定位,並且藉由兩個接觸面(53、54、73、74)判定其位置與對準。在這方面,連接在該至少一個平面中具有形狀配合的設計。此外,本發明涉及一種用於半導體微影的投影曝光設備(1、101)。

Description

用於半導體微影的投影曝光設備的組件及投影曝光設備
[交互參照]
本申請要求2022年6月8日的德國專利申請案DE 10 2022 205 815.1的優先權,其內容通過引用完全併入本文。
本發明涉及一種根據請求項1前序部分所述的用於半導體微影的投影曝光設備的組件。此外,本發明涉及一種用於半導體微影的投影曝光設備。
投影曝光設備在成像精確度方面受到極其嚴格的要求,這主要取決於投影曝光設備的光學元件的定位。
這些要求隨著產品迭代而不斷增加,也對於結構部件的定位產生直接的影響,例如用於對準和限制投影曝光設備的光學元件的移動的致動器和感測器或端部止動件。在一定程度的高負載情況下,高精確度和高位置穩定性的結合,例如由於地震引起的致動或負載故障而造成與端部止動件的意外碰撞,導致基於兩個結構部件之間的摩擦接合的現有技術已知的高度精確的連接技術已不再能夠滿足這些要求。
本發明的一個目的是提供一種消除現有技術的上述缺點的裝置。
藉由具有獨立請求項1的特徵的裝置來實現該目的。附屬請求項則涉及本發明的有利的發展和變型。
根據本發明的用於半導體微影的投影曝光設備的組件包括至少兩個彼此連接的結構部件,結構部件可以在至少一個平面中相對於彼此定位,並且藉由兩個接觸面來判定位置和對準。根據本發明,該連接在該至少一個平面中具有形狀配合的設計。平面連接的形狀配合設計可以產生以下效果:x/y方向上,也就是平行於該平面的平移運動,並且可以防止繞z軸,也就是繞垂直於該平面的軸的旋轉。
特別地,可以實現結構部件相對於彼此特別精確的固定,因為兩個接觸面之間的角度範圍在60°和120°之間,特別是達到90°。特別是在後一種情況下,可利用適配相應接觸面而彼此獨立地設定兩個結構部件在x方向和y方向上相對於彼此的位置。
可以進行結構部件的定位或對準方面的調整,例如,在結構部件之間的至少一個接觸面上設置間隔元件。
尤其根據本發明的措施可以確保結構部件以小於67 mrad和小於30 μm的公差相對於彼此對準。
在本發明的特別有利的變型中,在兩個部件的其中之一的情況下,兩個接觸面具有不同的長度。在這種情況下,較長的接觸面對於繞z軸的旋轉具有更好的定位效果。此外,還提供了較長的槓桿臂,與短槓桿臂比較,長槓桿臂能更好地承受作用在平面上的力矩,進而減少了接觸點上的負載。
特別地,在兩個結構部件之間可形成三個接觸面。
由於結構部件之間設置有楔,所以可以特別容易地實現兩個結構部件相對於彼此的固定。
作為替代或除此之外,結構部件也可以利用螺件彼此連接。
當結構部件之一的至少一個接觸面、特別是兩個接觸面具有解耦裝置時,這是特別有利的。在這種情況下,可利用解耦裝置來補償與製造相關的角度誤差。在這方面,解耦裝置確保在所有側面的整個表面區域都能相連。
下面首先參考圖1以示例性方式描述微影投影曝光設備1的基本組成部件。在此,投影曝光設備1及其組成部件的基本結構的描述應理解為非限制性的。
投影曝光設備1的照明系統2的實施例除了光源3之外還具有用於照明物件平面6中的物場5的照明光學單元4。在替代實施例中,光源3也可以是與照明系統的其餘部分分開的模組。在這種情況下,照明系統不包括光源3。
設置在物場5中的光罩7被照明。由光罩支架8支撐光罩7。可利用光罩位移驅動器9使光罩支架8移動,特別是在掃描方向上。
為了說明的目的,圖1示出具有x方向x、y方向y和z方向z的笛卡爾坐標系。x方向垂直於繪圖平面運行。y方向沿水平方向運行,z方向沿垂直方向運行。圖1中的掃描方向沿著y方向運行。z方向垂直於物件平面6運行。
投影曝光設備1包括投影光學單元10。投影光學單元10用於將物場5成像為圖像平面12中的像場11。圖像平面12平行於物件平面6延伸。備選地,物件平面6和圖像平面12之間的角度也可能不為0°。
光罩7上的結構被成像到設置在圖像平面12中的像場11的區域中的晶圓13的感光層上。由晶圓支架14支撐晶圓13。可利用晶圓位移驅動器15使晶圓支架14移動,特別是在y方向上。首先利用光罩位移驅動器9移動光罩7,再利用晶圓位移驅動器15移動晶圓13,以便相互同步。
光源3是EUV輻射源。尤其光源3可發射EUV輻射16,其在下文中也被稱為使用過的輻射、照明輻射或照明光。特別地,使用過的輻射的波長範圍在5 nm和30 nm之間。光源3可以是電漿源,例如LPP(雷射產生電漿)源或GDPP(氣體放電產生電漿)源。它也可以是基於同步加速器的輻射源。光源3可以是FEL(簡稱:自由電子雷射器)。
從光源3發出的照明輻射16由聚光器17聚焦。聚光器17可以具有一個或多個橢圓及/或雙曲面反射表面。聚光器17的至少一個反射表面可以被照明輻射16以掠入射(縮寫為:GI),也就是說入射角大於45度,或以垂直入射(縮寫為:NI),也就是說入射角小於45度。可以結構化及/或塗覆聚光器17,首先改良其對所使用的輻射的反射率,再將其用於抑制雜散光。
在聚光器17的下游,藉由中間焦點平面18中的中間焦點傳播照明輻射16。中間焦點平面18可以表示具有光源3與聚光器17的輻射源模組和照明光學單元4之間是分離的。
照明光學單元4包括偏光鏡19和在光束路徑中佈置在偏光鏡19下游的第一琢面反射鏡20。偏光鏡19可以是平面偏光鏡,或者備選地,具有超出純偏轉作用的光束影響作用的反射鏡。備選地或附加地,偏光鏡19可以是光譜濾波器,其將照明輻射16的使用的光波長與波長與其偏離的外來光分離。如果第一琢面反射鏡20佈置在作為場平面的與物件平面6光學共軛的照明光學單元4的平面中,則它也被稱為場琢面反射鏡。第一琢面反射鏡20包括多個單獨的第一琢面21,其也可稱為場琢面。在圖1中僅示出這些第一琢面21中的一些作為示例。
第一琢面21可實施為宏觀琢面,特別是矩形琢面或具有弧形邊緣輪廓或部分圓形邊緣輪廓的琢面。第一琢面21可實施為平面琢面或者可選地實施為具有凸曲率或凹曲率的琢面。
例如從DE 10 2008 009 600 A1中已知,在每種情況下也可以由多個單獨的反射鏡組成第一琢面21本身,特別是多個微鏡。特別地,第一琢面反射鏡20可以是微機電系統(MEMS系統)。細節參見DE 10 2008 009 600 A1。
在聚光器17和偏光鏡19之間,照明輻射16水平地行進,也就是說沿著y方向行進。
在照明光學單元4的光路徑中,第二琢面反射鏡22設置在第一琢面反射鏡20的下游。如果第二琢面反射鏡22佈置在照明光學單元4的光瞳平面中,則它也被稱為光瞳琢面反射鏡。第二琢面反射鏡22也可以設置在距照明光學單元4的光瞳平面的一定距離處。在這種情況下,第一琢面反射鏡20和第二琢面反射鏡22的組合也稱為鏡面反射器。US 2006/0132747 A1、EP 1 614 008 B1和US 6,573,978中已揭示鏡面反射器。
第二琢面反射鏡22包括多個第二琢面23。在光瞳琢面反射鏡的情況下,第二琢面23也稱為光瞳琢面。
第二琢面23同樣可以是宏觀琢面,其例如可以具有圓形、矩形或六邊形邊界,或者可以備選地是由微鏡組成的琢面。在這方面,同樣參考DE 10 2008 009 600 A1。
第二琢面23可具有平面反射表面或可選擇地具有凸或凹曲率的反射表面。
照明光學單元4因此形成雙面系統。這一基本原理也稱為複眼聚光器(或複眼積分器)。
將第二琢面反射鏡22不精確地設置在與投影光學單元10的光瞳平面光學共軛的平面中可能是有利的。特別地,光瞳琢面反射鏡22可以設置成相對於投影光學單元10的光瞳平面傾斜,如例如DE 10 2017 220 586 A1中所描述的。
利用第二琢面反射鏡22將各個第一琢面21成像到物場5中。第二琢面反射鏡22是物場5上游的光束路徑中照明輻射16的最後一個光束整形鏡或實際上最後一個反射鏡。
在照明光學單元4的另一個未示出的實施例中,佈置在第二琢面反射鏡22和物場5之間的光路徑中的傳輸光學單元,其特別有助於將第一琢面21成像到物場5中的。傳輸光學單元可以恰好具有一個反射鏡,或者備選地具有兩個或更多個反射鏡,它們一個接一個地佈置在照明光學單元4的光路徑中。傳輸光學單元尤其可以包括一個或兩個法向入射反射鏡(NI反射鏡)及/或一個或兩個掠入射反射鏡(GI反射鏡)。
在圖1所示的實施例中,照明光學單元4正好可以在聚光器17的下游具有3個反射鏡,具體為偏光鏡19、場琢面反射鏡20和光瞳琢面反射鏡22。
在照明光學單元4的另一個實施例中,也不需要偏光鏡19,因此照明光學單元4可以在聚光器17的下游恰好具有2個反射鏡,特別是第一琢面反射鏡20和第二琢面反射鏡22。
藉由第二琢面23或使用第二琢面23和傳遞光學單元將第一琢面21成像到物件平面6中通常只是近似成像。
投影光學單元10包括多個反射鏡Mi,其根據它們在投影曝光設備1的光路徑中的佈置將其連續編號。
在圖1所示的示例中,投影光學單元10包括六個反射鏡M1至M6。備選方案同樣是可能具有4個、8個、10個、12個或任何其他數量的反射鏡Mi。倒數第二個反射鏡M5和最後一個反射鏡M6均具有用於照明輻射16的通孔。投影光學單元10是二次遮光光學單元。投影光學單元10的像側數值孔徑大於0.5也可以大於0.6,例如可以是0.7或0.75。
反射鏡Mi的反射表面可以實施為沒有旋轉對稱軸的自由曲面。備選地,反射鏡Mi的反射表面形狀可以設計為恰好具有一個旋轉對稱軸的非球面。就像照明光學單元4的反射鏡一樣,反射鏡Mi可以具有用於照明輻射16的高反射塗層。這些塗層可以設計為多層塗層,特別是具有鉬和矽的交替層。
投影光學單元10在物場5中心的y坐標和像場11中心的y坐標之間在y方向y上具有大的物件-圖像偏移。在y方向上,該物件-圖像偏移可大致相同於物件平面6和圖像平面12之間的距離z。
特別地,投影光學單元10可以具有變形形式。特別地,它在x方向和y方向上具有不同的成像比例βx、βy。投影光學單元10的兩個成像比例βx、βy優選為(βx, βy) = (+/-0.25, +/-0.125)。正成像比例β表示沒有圖像反轉成像。成像比例β的負號表示圖像反轉成像。
因此導致投影光學單元10的尺寸在x方向上以4:1的比例減小,也就是垂直於掃描方向。
導致投影光學單元10的尺寸在y方向上,以8:1的比例減小,也就是在掃描方向上。
同樣可能會有其他成像比例。也有可能在x方向和y方向上具有相同符號和相同絕對值的成像比例,例如絕對值為0.125或0.25。
取決於投影光學單元10的形式,在物場5和像場11之間的光路徑中的x方向和y方向上的中間圖像平面的數量可以相同或不同。從US 2018/0074303 A1中已知在x方向和y方向上具有不同數量的此類中間圖像的投影光學單元的示例。
在每種情況下,光瞳琢面23的其中一個分配給場琢面21的其中恰好一個,其分別形成用於照明物場5的照明通道。這尤其可以根據科勒原理(Köhler principle)產生照明。利用場琢面21將遠場分解成多個物場5。場琢面21在分配給它們的光瞳琢面23上分別產生中間焦點的多個圖像。
利用已分配的光瞳琢面23,場琢面21在每種情況下以相互重疊的方式成像到光罩7上,做為照明物場5的用途。物場5的照明特別地盡可能均勻。其優選具有小於2%的均勻性誤差。可以藉由不同照明通道的疊加來實現場均勻性。
可藉由設置光瞳琢面在幾何上限定投影光學單元10的入射光瞳的照明。可以藉由選擇照明通道,特別是引導光的光瞳琢面的子集,設置投影光學單元10的入射光瞳中的強度分佈。該強度分佈也稱為照明設置。
以定義方式照明的照明光學單元4的照明光瞳的部分區域中同樣優選的光瞳均勻性,其可以藉由重新分配照明通道來實現。
以下將敘述關於物場5的照明以及特別是投影光學單元10的入射光瞳的其他方面和細節。
投影光學單元10可以具有同心入射光瞳。後者可能是可存取,其也能是不可存取的。
光瞳琢面反射鏡22通常無法準確照明投影光學單元10的入射光瞳。當將光瞳琢面反射鏡22的中心遠心成像到晶圓13上的投影光學單元10成像時,孔徑射線通常不在單個點處相交。然而,可以找到其中成對確定的孔徑光管線的距離變得最小的區域。該區域表示入射光瞳或與其共軛的真實空間中的區域。特別地,該區域具有有限曲率。
投影光學單元10對於切向光束路徑和矢狀光束路徑可能具有不同的入射光瞳姿態。在這種情況下,應該在第二琢面反射鏡22和光罩7之間設置成像元件,特別是傳輸光學單元的光學組成部分。利用該光學元件,可以考慮切向入射光瞳和矢狀入射光瞳的不同姿態。
在圖1所示的照明光學單元4的組件配置中,光瞳琢面反射鏡22設置在與投影光學單元10的入射光瞳共軛的區域中。場琢面反射鏡20設置成相對於物件平面6傾斜。第一琢面反射鏡20相對於由偏光鏡19界定出的配置平面傾斜。
第一琢面反射鏡20相對於由第二琢面反射鏡22界定出的配置平面傾斜。
圖2示意性地示出穿過用於DUV投影微影的另一投影曝光設備101的經向剖面,其中同樣可以使用本發明。
投影曝光設備101的結構和成像原理相當於圖1中描述的構造和過程。使用相對圖1增加100的附圖標記來表示相同的結構部件,也就是圖2中的附圖標記從101開始。
與圖1中描述的EUV投影曝光設備1相比,折射、衍射及/或反射光學元件117,例如透鏡元件、反射鏡、稜鏡、端接板等,由於用作所用光的DUV輻射116的較大波長在100 nm至300 nm的範圍內,特別是193 nm,因此光學元件117可以用於DUV投影曝光設備101中的成像或照明。在這種情況下,投影曝光設備101主要包括照明系統102、用於接收和精確定位具有結構的光罩107的光罩支架108,該結構確定晶圓113上的後續結構,晶圓支架114用於支撐、移動和精確定位晶圓113,以及具有多個光學元件117的投影透鏡110,利用座118將這些光學元件117保持在投影透鏡110的透鏡殼119中。
照明系統102提供晶圓113上的光罩107的成像所需的DUV輻射116。雷射、電漿源等可以用作該輻射116的源。輻射116在照明系統102中藉助光學元件成形,使得當DUV輻射116入射到光罩107上時,DUV輻射116具有關於直徑、偏振、波前形狀等的期望值。
除了額外使用折射光學元件117(例如透鏡元件、稜鏡、端接板)之外,具有透鏡殼119的下游投影光學單元110的構造在原理上與圖1中描述的結構沒有區別,因此不再進一步詳細描述。
圖3示出現有技術中已知的組件30的內部第一結構部件31和外部第二結構部件35之間的連接,其中圖3示出在連接區域中穿過組件30的剖面。組件30可以是圖1和圖2中示出的投影曝光設備1、101的一部分。具體地,外部結構部件35可以是支撐結構的一部分,即所謂的投影曝光設備的力框架;內部結構部件31可例如是用於確保運輸或操作的端部止動件的一部分。外部結構部件35的連接幾何結構36具有凹部37,其在三個側面上至少部分地由在y方向上形成的兩個面和在x方向上垂直於y方向形成的一個面所界定出來,其在第四側上由斜面38界定,而第四側相對於x方向上形成的面。在這種情況下,沿x方向形成的面呈第一接觸面39的形式,並且沿y方向形成的面的其中一個呈第二接觸面40的形式,用於將第一結構部件31相對於第二結構部件35定位。內部結構部件31在x方向上的連接幾何形狀32具有與外部結構部件35的接觸面39相對應的接觸面33,在y方向上具有與外部結構部件35的接觸面40相對應的第二接觸面34。在這種情況下,在圖3所示的實施例中,內部結構部件31在y方向上的接觸面34大致呈在z方向上延伸的接觸線的形式,也就是說,垂直於圖面,以避免兩個面33、34的雙重配合。此處接觸面33定義了兩個結構部件31、35在y方向上以及繞z軸相對於彼此旋轉的對準,並且接觸面34定義了在x方向上的位置。利用楔41,使得結構部件31、35以形狀配合的方式沿y方向彼此連接,楔41佈置在斜面38和平行於內部連接幾何結構32的接觸面33形成的面42之間。相比之下,結構部件31、35僅僅藉由楔41在面40上沿y方向產生的力,並利用楔41和面42之間的摩擦力以摩擦接合的方式沿x方向彼此連接。當負載沿x方向施加至連接件時,這可導致內部結構部件31相對於外部結構部件35移動,如圖3中箭頭所示。利用連接幾何形狀32、36的其中一種或兩種的適配,或者內部結構部件31和外部結構部件35的位置通過插入圖3中未示出的間隔元件來進行兩個結構部件31、35相對於彼此的定位設定。
圖4示出根據本發明的組件50的內部結構部件51和外部結構部件55之間的連接,其又示出了兩個結構部件51、55的連接區域中的剖面。組件50可以是圖1和圖2中示出的投影曝光設備1、101的一部分。內部結構部件51的連接幾何形狀52又包括彼此成直角的兩個接觸面53、54。相對於另外兩個接觸面53、54以45°對準第三面62。在所示的示例中,三個面53、54、62因此形成假想的直角等腰三角形的邊,出於製造技術的原因,具有直角的頂點已被移除並且與該頂點相對的邊至少部分地偏移。外部結構部件55的連接幾何結構56具有凹部57,該凹部57在下部區域中具有梯形形狀並且在相對側上由斜面58界定。對應於內部結構部件51的連接幾何結構52的兩個接觸面53、54,梯形凹部57的張角為90°。內部結構部件51利用楔61在剖面(x-y平面)的所有方向上以形狀配合的方式連接到外部結構部件55,楔61佈置在連接幾何結構52的斜面58和第三面62之間。作為示例,圖4以箭頭的形式示出作用在內部結構部件51上沿正y方向的力,以及同樣以箭頭的形式產生的負y方向上的力。當藉由內部結構部件51的連接幾何形狀52的形狀配合,使得沿正y方向的力被楔61和斜面58吸收時,負y方向上的力分佈在兩個接觸面53、54上,在圖4所示的實施例中,這兩個接觸面相對於y軸以+/-45°形成,並且負y方向上的力被它們之間的形狀配合而吸收。如圖所示,為了設定內部結構部件51和外部結構件部55之間的位置和對準,間隔元件63可佈置在內部連接幾何結構52的面53、54、62與外部連接幾何結構56或楔61的相應面59、60之間。楔61對連接進行預張緊,進而即使在操作或運輸過程中出現外力的情況下也能確保形狀配合。還可以利用不同的熱膨脹係數以及因此不同的內部結構部件51和外部結構部件55的熱膨脹來產生力。
圖5示出根據本發明的組件70的內部結構部件71和外部結構部件75之間的連接的另一實施例,其中示出在連接區域中穿過組件70的剖面。組件70可以是圖1和圖2中示出的投影曝光設備1、101的一部分。
內部結構部件71的連接幾何形狀72原則上具有與圖4中示出的連接幾何形狀52相對應的形式。然而,內部連接幾何結構72的第一接觸面73(如圖5右側所示)大於內部連接幾何結構72的第二接觸面74。如上所述,接觸面73、74其中之一是確定結構部件相對於彼此對準的接觸面。在圖5所示的實施例中,這是較大的接觸面73,因為內部結構部件51相對於外部結構部件55的對準和位置的精確度是取決於接觸面73的尺寸。
此外,大接觸面還有一個優點,就是使得內部結構部件71上的力矩接合點84.1與接觸面73上的最外部接觸點85.1之間的槓桿臂86.1可以最大化,由此使接觸面73上的負載最小化。內部連接幾何結構72的較小接觸面74(如圖5左側所示)包括解耦裝置87並且與內部連接幾何結構72解耦,進而以這樣的方式補償內部連接幾何結構72的接觸面73、74與外部連接幾何結構76中的凹部77的接觸面79、80之間的與製造相關的角度誤差。這使得可以確保接觸面73、74、79、80之間在其整個表面區域上的接觸。出於相同的原因,內部連接幾何結構72的面82,其朝向外部連接幾何結構76的斜面78,同樣與連接幾何結構72解耦。在這種情況下,解耦裝置88設計成使得解耦裝置88的旋轉點與分離面73、82具有最小間距。具體地,解耦裝置88可設計成使得旋轉點位於楔81和面82之間的接觸面中。
為了最小化力矩並因此最小化解耦裝置88上的負載,在圖5所示的實施例中,解耦元件83佈置在楔81和面82之間。在沿圖5中箭頭所示的安裝方向安裝的情況下,利用止動件89防止解耦元件83被推越過面82的端部。將連接預張緊時,也就是說,當楔81向左移動時,解耦元件83不會在x方向上將任何力傳遞到內部結構部件71,因為它們會被止動件89吸收,導致僅形狀配合所需的力和預張緊力會沿y方向傳遞。
形狀配合的作用模式藉由力矩、槓桿臂和力以圖形方式而在圖5中以示例的方式示出。在內部連接幾何結構72的中心的力矩接合點84.1處,力矩沿順時針方向接合。該力矩利用槓桿臂86.1傳遞到接觸面73上的接觸點85.1,這在圖5中利用如箭頭所示的力來描繪。進一步示出了繞同一接合點84.1沿逆時針方向的另一個力矩,其利用槓桿臂86.2和接觸點85.2,以及關於接合點84.2和84.3的相應力矩,其利用槓桿臂86.3和86.4以及接觸點85.3,而所有這些力矩都被形狀配合所吸收,也就是利用槓桿臂86.1、86.2、86.3和垂直於接觸面73、74、79、80或沿楔81的方向的力。在圖5中示出接觸點85.1、85.2、85.3為矩形。還示出了上述已提到的假想三角形的內切圓90,該內切圓接觸接觸面79、80和面82。在圖5中示出內切圓90的接觸點91.1、91.2、91.3為小方塊以及可以僅藉由摩擦(也就是摩擦接合)來吸收關於接合點84.1的力矩的位置。
圖6示出組件70的連接的另一實施例,藉由內部結構部件71的內部連接幾何形狀72與外部結構部件75的連接幾何形狀76的連接螺紋聯結92、94、96來實現兩個結構部件71、75之間的形狀配合。螺紋聯結92、94分別形成在接觸面73、74和79、80中,其中在圖6所示的實施例中,螺紋聯結92、94包括兩個螺件93、95。螺件93、95的縱向軸線垂直於接觸面73、74、79、80,進而通過螺釘93、95確保形狀配合。作為替代方案,具有螺件97的中心螺紋聯結96也可以以形狀配合的方式將內部連接幾何結構72連接至外部連接幾何結構76,儘管這僅適用於具有有限彎曲剛度的螺件97。如圖5中已經闡明的,圖6還通過示例的方式示出作用在內部連接幾何形狀72上的力矩、槓桿臂86.1、86.2和力,以闡明形狀配合的作用模式。圖6中闡明的實施例的優點為不再需要楔81並且有利地最小化連接的生產成本。內部連接幾何形狀72的彎角承受顯著的負載,特別是在重複安裝和拆卸以設定內部結構部件71和外部結構部件75之間的位置和對準的情況下,因此可包括插入件或特殊硬化區域形式的加強件98。這同樣也能適用於圖4和圖5所示的實施例。
1:微影投影曝光設備 2:照明系統 3:輻射源 4:照明光學單元 5:物場 6:物件平面 7:光罩 8:光罩支架 9:光罩位移驅動器 10:投影光學單元 11:像場 12:圖像平面 13:晶圓 14:晶圓支架 15:晶圓位移驅動器 16:EUV輻射 17:聚光器 18:中間焦點平面 19:偏光鏡 20:第一面鏡;場琢面反射鏡 21:第一琢面;場琢面 22:第二琢面反射鏡;光瞳琢面反射鏡 23:第二琢面;光瞳琢面 30:組件 31:內部結構部件 32:連接幾何形狀 33:接觸面 34:接觸面 35:外部結構部件 36:連接幾何形狀 37:凹部 38:斜面 39:第一接觸面 40:第二接觸面 41:楔 42:面 50:組件 51:內部結構部件 52:連接幾何形狀 53:接觸面 54:接觸面 55:外部結構部件 56:連接幾何形狀 57:凹部 58:斜率 59:對應面 60:對應面 61:楔 62:第三面 63:間隔元件 70:組件 71:內部結構部件 72:內部連接幾何形狀 73:第一接觸面 74:第二接觸面 75:外部結構部件 76:外部連接幾何形狀 77:凹部 78:斜率 79:接觸面 80:接觸面 81:楔 82:接觸面 83:解耦元件 84.1:耦接點 84.2:耦接點 84.3:耦接點 85.1:接觸點 85.2:接觸點 85.3:接觸點 86.1:槓桿臂 86.2:槓桿臂 86.3:槓桿臂 86.4:槓桿臂 87:解耦裝置 88:解耦裝置 89:光闌 90:內切圓 91.1:接觸點 91.2:接觸點 91.3:接觸點 92:連接螺紋聯結 93:螺件 94:連接螺紋聯結 95:螺件 96:中心螺紋聯結 97:螺件 98:加強件 101:投影曝光裝置 102:照明系統 107:光罩 108:光罩支架 110:投影透鏡 113:晶圓 114:晶圓支架 116:輻射 117:折射光學元件 118:座 119:透鏡殼 M1:反射鏡 M2:反射鏡 M3:反射鏡 M4:反射鏡 M5:反射鏡 M6:反射鏡
以下參照附圖將更詳細地解釋本發明的示例性實施例和變型,其中:
圖1示意性地示出用於EUV投影微影的投影曝光設備的經向剖面,
圖2示意性地示出用於DUV投影微影的投影曝光設備的經向剖面,
圖3示出現有技術已知的解決方案,
圖4示出根據本發明的連接的第一示例性實施例,
圖5示出根據本發明的連接的另一示例性實施例,以及
圖6示出根據本發明的連接的另一實施例。
50:組件
51:內部結構部件
52:連接幾何形狀
53:接觸面
54:接觸面
55:外部結構部件
56:連接幾何形狀
57:凹部
58:斜率
59:對應面
60:對應面
61:楔
62:第三面
63:間隔元件

Claims (13)

  1. 一種用於半導體微影的投影曝光設備(1、101)的組件(50、70),該組件包括至少兩個彼此相連接的結構部件(51、55、71、75),該些結構部件(51、55、71、75)可以在至少一個平面中相對於彼此定位,並且藉由兩個接觸面(53、54、73、74)判定其位置與對準,其中 該連接在該至少一個平面中具有形狀配合的設計。
  2. 如請求項1所述之組件(50、70),其中 該兩個接觸面(53、54、73、74)之間的角度介於60°和120°之間。
  3. 如請求項2所述之組件(50、70),其中 該兩個接觸面(53、54、73、74)之間的角度相當於90°。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之組件(50、70),其中 該結構部件(51、55、71、75)之間的該接觸面(53、54、73、74)的至少一個上設置有間隔元件(63)。
  5. 如請求項4所述之組件(50、70),其中 可藉由至少一個間隔元件(63)設定該兩個結構部件(51、55、71、75)相對於彼此的位置和對準。
  6. 如請求項5所述之組件(50、70),其中 該連接的設計方式使得該些結構部件(51、55、71、75)相對於彼此對準,其中公差小於67  mrad且小於30 µm。
  7. 如前述請求項中任一項所述之組件(70),其中 在該兩個結構部件(71、75)之一的情況下,該兩個接觸面(73、74)的長度不同。
  8. 如前述請求項中任一項所述之組件(50、70),其中 在該兩個結構部件(51、55、71、75)之間形成三個接觸面(53、54、62、73、74、82)。
  9. 如前述請求項中任一項所述之組件(50、70),其中 該些結構部件(51、55、71、75)之間設置有楔(61、81)。
  10. 如前述請求項中任一項所述之組件(70),其中 該些結構部件(71、75)藉由螺件(93、95、97)彼此相連接。
  11. 如前述請求項中任一項所述之組件(70),其中 該些結構部件(71、75)的其中之一的至少一個接觸面(73、74)具有解耦裝置(87、88)。
  12. 如前述請求項中任一項所述之組件(70),其中 該些結構部件(71、75)的其中之一的至少兩個接觸面(74、82)具有解耦裝置(87、88)。
  13. 一種用於半導體微影的投影曝光設備(1、101),該設備包括如前述請求項中任一所述之組件(50、70)。
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