CN117795428A - 用于光学元件的支撑件 - Google Patents

用于光学元件的支撑件 Download PDF

Info

Publication number
CN117795428A
CN117795428A CN202280054593.2A CN202280054593A CN117795428A CN 117795428 A CN117795428 A CN 117795428A CN 202280054593 A CN202280054593 A CN 202280054593A CN 117795428 A CN117795428 A CN 117795428A
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact
component
coupling
contact portion
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280054593.2A
Other languages
English (en)
Inventor
R·古列尔米拉贝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of CN117795428A publication Critical patent/CN117795428A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/181Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70316Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10Scanning systems
    • G02B26/101Scanning systems with both horizontal and vertical deflecting means, e.g. raster or XY scanners

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)

Abstract

本发明涉及一种连接装置,用于通过具有第一接触部分(110.1)、第二接触部分(110.2)和耦接部分(110.3)的连接单元(110)连接用于微光刻的成像装置(101)的第一部件(104.2)和第二部件(M3),特别用于使用极紫外范围(EUV)内的光的微光刻。第一接触部分(110.1)被设计成在组装时接触第一部件(104.2),而第二接触部分(110.2)被设计成在组装时接触第二部件(M3)。第一接触部分(110.1)包括第一耦接区域(110.5)和第二耦接区域(110.6),第二耦接区域在第一方向上与第一耦接区域(110.5)具有耦接区域间隔。耦接部分(110.3)具有第一端(110.7)和相对的第二端(110.8),其中至少在组装时,耦接部分(110.3)通过使该耦接部分(110.3)在第一端(110.7)处连接到第一耦接区域(110.5)并且在第二端(110.8)处连接到第二耦接区域(110.6)而将第一接触部分(110.1)和第二接触部分(110.2)耦接在一起。至少在组装时,耦接部分(110.3)在第一端(110.7)和第二端(110.8)之间连接到第二接触部分(110.2)。第一接触部分(110.1)和/或耦接部分(110.3)被设计成使得当组装时,在特别由热膨胀引起的、随着耦接区域间距的扩大而从第一状态到第二状态的状态变化中,在第二接触部分(110.2)上施加沿第二方向的运动分量,其中第二方向横向于第一方向延伸。

Description

用于光学元件的支撑件
相关申请的交叉引用
根据35U.S.C.§119,本申请要求2021年8月9日提交的第10 2021208628.4号德国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入于此。
技术领域
本发明涉及一种用于连接微光刻成像装置的部件的连接装置,该微光刻成像装置适于使用紫外光,特别是极紫外(EUV)范围内的光。此外,本发明涉及一种包括这种连接装置的光学成像装置。本发明可以与任何期望的光学成像方法结合使用。本发明可以特别有利地用于生产或检查微电子电路以及用于微电子电路(例如光学掩模)的光学元件。
背景技术
与微电子电路的生产结合使用的光学装置通常包括多个光学元件单元,这些光学元件单元包括一个或多个光学元件,例如透镜元件、反射镜或光栅,这些光学元件布置在成像光路中。所述光学元件通常在成像过程中协作,以便将物体的像(例如形成在掩模上的图案)转印到衬底(例如所谓的晶片)上。光学元件通常组合为一个或多个功能组,这些功能组可选地保持在单独的成像单元中。特别是在以所谓的真空紫外范围内的波长(VUV,例如193nm的波长)工作的主要为折射的系统的情况下,这种成像单元通常由保持一个或多个光学元件的光学模块的堆叠形成。所述光学模块通常包括支撑结构,该支撑结构具有基本上环形的外部支撑单元,该外部支撑单元支撑一个或多个光学元件保持器,该光学元件保持器又支撑光学元件。
不断发展的半导体部件微型化导致了对用于其生产的光学系统分辨率的不断提高的需求。这种提高分辨率的需求必然要求提高光学系统的数值孔径(NA)和成像精度。
一种提高光学分辨率的方法是减小成像过程中使用的光的波长。近年来的趋势越来越多地促进了使用所谓的极紫外(EUV)范围内的光的系统的发展,EUV范围内的光的波长通常为5nm至20nm,在大多数情况下波长约为13nm。在这个EUV范围内,不再可能使用传统的折射光学系统。这是由于在这个EUV范围内,用于折射光学系统的材料具有太高的吸收率,以至于不能用可用的光功率获得可接受的成像结果。因此,这个EUV范围需要使用反射光学系统进行成像。
这种向在EUV范围内具有高数值孔径(例如NA>0.4)的纯反射光学系统的转变导致了关于成像装置设计的相当大的挑战。
上述因素导致对参与成像的光学元件相对于彼此的位置和/或方向以及单个光学元件的变形有非常严格的要求,以便实现期望的成像精度。此外,有必要在整个操作过程中、最终在系统的整个寿命期间保持这种高成像精度。
因此,在成像期间协作的光学成像装置的部件(即,例如照明装置的光学元件、掩模、投射装置的光学元件和衬底)必须以明确的方式被支撑,以便保持这些部件之间的给定的明确的空间关系,并获得这些部件的最小的不期望的变形,从而最终实现最高可能的成像质量。
这里出现的一个问题是成像装置中各个部件的不同热膨胀系数导致的不期望的热致变形。这些不期望的热致变形通常是由成像光的能量输入引起的,这可能无法通过冷却系统完全补偿。所使用的光学元件通常由这里具有特别低的热膨胀系数的材料制成,以保持能量输入对光学元件几何形状的影响尽可能低。光学元件与相邻支撑结构的界面在这里通常是有问题的,因为支撑结构、尤其是其在与光学元件的界面区域中的部件不能由热膨胀系数相对较低的材料制造,或者至少在经济上不可行。
为此,例如从US2005/046815 A1(Ebinuma等人,其全部公开内容通过引用并入于此)中已知的,通过弹性变形来吸收这种不同的热致膨胀的补偿元件通常设置在光学元件与相邻支撑结构的界面区域中。然而,在此,弹性恢复力仍然被引入到光学元件中,并且这些弹性恢复力导致不期望的寄生应力和由此产生的变形。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种用于连接微光刻成像装置的部件的连接装置和具有这种装置的相应光学成像装置、一种用于连接成像装置的部件的方法、以及一种光学成像方法,它们没有上述缺点,或者至少在较小程度上具有这些缺点,并且特别容易地至少减少成像装置的部件的不期望的热致寄生变形。
本发明利用独立权利要求的特征实现了这个目的。
本发明基于如下技术教导:如果两个部件经由具有两个接触部分和中间耦接部分的连接装置连接,则可以容易地至少减少、甚至可能完全避免成像装置的部件的不期望的热致寄生变形,使得耦接部分两端之间的距离的热致变化在两个接触部分之间引起补偿运动,该补偿运动横向于耦接部分并且至少部分地补偿接触部分的区域中耦接的部件之间的距离的热致变化。
在该过程中能够以简单的方式实现的是,在(正的或负的)热膨胀的情况下,相应的接触部分和被接触部件之间的接触力具有可预定的分布。在该过程中,相应的接触力可以在特定的公差范围内保持几乎恒定,就像也可以获得确定的接触力曲线一样。例如,因此在不同热状态之间提供相应接触力的特定增加或减少可能是有利的。
两个接触部分之间的补偿运动可以通过由耦接部分两端之间的距离变化引起的耦接部分的变形来实现。在这种情况下,补偿运动可以容易地由耦接部分的几何形状和材料特性来定义。特别地,耦接部分的固有热膨胀可以用作影响因素。自然地,由接触力导致的耦接部分的变形同样也可以作为影响因素来使用或考虑。
根据一个方面,本发明因此涉及一种用于通过具有第一接触部分、第二接触部分和耦接部分的连接单元来连接微光刻成像装置的第一部件和第二部件的连接装置,特别是用于使用极紫外(EUV)范围内的光的微光刻成像装置。第一接触部分被配置成在组装状态下接触第一部件,而第二接触部分被配置成在组装状态下接触第二部件。第一接触部分包括第一耦接区域和第二耦接区域,第二耦接区域在第一方向上与第一耦接区域相距一耦接区域距离。耦接部分具有第一端和相对的第二端,其中耦接部分至少在组装状态下通过耦接部分的第一端连接至第一耦接区域并且所述耦接部分的第二端连接至第二耦接区域而将第一接触部分和第二接触部分耦接在一起。耦接部分至少在组装状态下在第一端和第二端之间连接至第二接触部分。第一接触部分和/或耦接部分还被设计成在组装状态下,特别是在由热膨胀引起的、随着耦接区域距离的增加而从第一状态到第二状态的状态变化的情况下,将沿着第二方向的运动分量施加到第二接触部分上,其中第二方向横穿第一方向。
原则上,连接单元以及第一和第二部件可以以任何合适的方式彼此布置,以便获得期望的连接。在特别简单和有利的变型中,连接单元被设计成在组装状态下布置在第一部件和第二部件之间的中间空间中,其中第一部件尤其可以具有比第二部件更大的热膨胀系数。
在这种情况下,当状态从第一状态变为第二状态时,中间空间可能减小,并且第二接触部分在第二方向上的运动分量指向第一部件,以便获得期望的补偿运动。当第一部件位于第二部件的凹部中时,产生特别有利和紧凑的设计。
替代地,当状态从第一状态变为第二状态时,中间空间可以增大,并且第二接触部分的与第二方向相反的运动分量可以指向远离第一部件的方向,以便实现期望的补偿运动。在此,当第二部件位于第一部件的凹部中时,也产生特别有利和紧凑的设计。
原则上,耦接部分可以以适于实现所述补偿运动的期望方式设计。例如,耦接部分因此可以具有三维弯曲和/或扭曲的轮廓,当耦接区域距离增加时,该轮廓被拉伸以实现补偿运动。自然地,在这种情况下,同样可以考虑两个耦接的部件的任何期望的复杂三维膨胀轮廓。当耦接部分具有弯曲和/或扭曲的轮廓时(因此在平面中具有该轮廓),会产生特别简单且有效的设计。
在优选变型中,耦接部分在第一端和第二端之间限定中心轴线,其中耦接部分的中心轴线至少在第一状态下在第一端和第二端之间具有弓形的第一轮廓。在耦接区域距离增加的第二状态下,耦接部分的中心轴线具有第二轮廓,该第二轮廓相对于第一轮廓在第一端和第二端之间被拉伸。这种拉伸以简单的方式实现了所需的补偿运动。
在这种情况下,一种简单的情况可以例如规定第二轮廓为弓形或至少基本上直的。同样,第一轮廓可以是至少部分弯曲和至少部分多边形中的至少一种。在某些变型中,第二轮廓是至少部分弯曲和至少部分多边形中的至少一种。在某些变型中,可以进一步规定第一端和第二端之间的耦接部分的中心轴线限定第一状态下的第一平均曲率和第二状态下的第二平均曲率,其中第二平均曲率小于第一平均曲率,其中第二平均曲率特别是第一平均曲率的95%至0%,优选75%至5%,更优选50%至10%。在所有这些情况下,可以在单独的基础上或以任何组合、以特别简单和紧凑的方式实现期望的补偿运动。
如上所述,原则上,对于与两个部件相关的接触力,可以在(热)第一和第二状态之间获得理想的力曲线。在某些有利的变型中,第二接触部分在第一状态下对第二部件施加第一接触力,而第二接触部分在第二状态下对第二部件施加第二接触力。在这种情况下,第一接触部分和/或耦接部分可以被设计成使得第二接触力是第一接触力的80%至120%,优选90%至110%,更优选95%至105%。此外或替代地,第一接触部分和/或耦接部分可以被设计成使得在从第一状态到第二状态的转变期间,由第二接触部分施加在第二部件上的接触力的变化最多为第一接触力的15%至20%,优选不超过5%至10%,更优选不超过1%至3%。因此,分别在单独的基础上或组合地实现特别有利的接触力曲线。
原则上,连接单元可以被设计为是不可改变的预设单元。在特别有利的变型中,连接单元可以包括至少一个用于设定第一接触力的调节装置。这里特别可以通过改变耦接区域距离来进行调节。
在连接装置的某些变型中,第一接触部分可以被设计成使得当状态从第一状态改变到第二状态时,在第一耦接区域和第二耦接区域上施加与第二方向相反的、远离第一部件的耦接区域位移。在这种情况下,耦接部分被设计成当状态从第一状态变为第二状态时,在第二接触部分上施加接触部分位移,其中在第二方向上的接触部分位移朝向第一部件实施并且至少基本上补偿耦接区域位移的影响。以这种方式可以实现特别有利的配置,其中补偿运动还补偿了耦接部分的固有热致位移。
原则上,第一接触部分可以以任何合适的方式设计,只要在第一接触部分和耦接部分之间存在足够的自由空间,使得耦接部分可以执行补偿运动。因此,例如,第一接触部分可以被设计成以这样的方式邻接,即:第一耦接区域和第二耦接区域由连接单元的单个公共段形成,然后该公共段通过适当的中间空间(例如间隙)与耦接部分分离。
在某些有利的变型中,第一接触部分包括第一接触段和第二接触段,在组装状态下,第一接触段和第二接触段均通过部件接触表面接触第一部件。在这种情况下,第一接触段和第二接触段彼此间隔开以形成自由空间,特别是沿着第一方向,其中第一接触段形成第一耦接区域,第二接触段形成第二耦接区域,并且耦接部分在组装状态下桥接自由空间,特别是以弓形方式桥接。这允许获得特别有利的配置,因为两个分离的接触段可以很容易地跟随相对于彼此的热致相对运动。
可以规定第一接触段的部件接触面与第一耦接区域间隔开,特别是在第二方向上。附加地或替代地,第二接触段的部件接触表面可以与第二耦接区域间隔开,特别是在第二方向上。该距离在每种情况下都可以有利地影响第一和第二接触部分之间的总位移,因为耦接部分相对于第一部件的热致位移随着该距离的增加而增加。在由耦接部分进行给定补偿运动的情况下,可以相应地调节该距离,以便在第一和第二接触部分之间获得给定的总位移。
在某些变型中,可以规定第一接触段、第二接触段和耦接部分形成连接元件的至少一部分,该连接元件还可以可选地包括第二接触部分。结果,可以获得特别紧凑和易于使用的配置。在这种情况下,连接元件可以优选地具有一体式实施例,由此可以实现有利地维持紧密公差的简单配置。
原则上,连接装置仅包括一个这样的连接元件就足够了。然而,在有利的变型中,该连接元件是第一连接元件,而连接单元包括至少一个附加连接元件。在这种情况下,连接单元可以包括N个附加的连接元件,其中N的值为1至5,优选为2至4,更优选为2至3。原则上,这里的事实是更多数量的连接元件能够在第一部件和第二部件之间更精细或更均匀分布地传递载荷。
原则上,第一连接元件和至少一个附加连接元件可以具有不同的设计,例如考虑到第一和第二部件之间待传递的载荷的某些不均匀分布。某些特别简单的变型可以规定至少一个附加连接元件被设计成至少基本上与第一连接元件相同。
在组装状态下,第一连接元件和至少一个附加连接元件可以彼此分开布置。在特别紧凑和易于组装的变型中,第一连接元件的至少一个接触段至少在组装状态下接触至少一个附加连接元件的接触段。此外,第一连接元件的至少一个接触段和至少一个附加连接元件的一个接触段可以以一体式方式一起形成,由此尤其简化了处理和组装。
原则上,根据待连接的部件的设计,连接单元可以具有任何期望的设计。例如,其因此可以具有大致线性或弓形的轮廓。在某些变型中,连接单元为环形设计。此外,连接单元例如可以接触第一部件的外周界,其中连接单元然后可以以环形方式包围第一部件的一部分。同样,连接单元可以接触第二部件中的凹部的壁,其中连接单元然后可以插入第二部件中的凹部中。在所有这些情况下都实现了特别有利的紧凑配置。
在连接装置的进一步变型中,第一接触部分可以包括接触段,该接触段在组装状态下通过部件接触表面接触第一部件。在这些变型中,接触段形成远离部件接触表面的第一耦接区域和第二耦接区域,其中耦接部分在组装状态下桥接第一耦接区域和第二耦接区域之间的中间空间,特别是以弓形方式桥接。如上所述,在这种情况下需要提供的只是接触段和耦接部分之间的自由空间(例如间隙),该自由空间足以使耦接部分能够执行补偿运动。
这里也可以规定接触段的部件接触面在第二方向上与第一耦接区域和/或第二耦接区域间隔开。如已经解释的,该距离在每种情况下都可以有利地影响第一和第二接触部分之间的总位移,因为耦接部分相对于第一部件的热致位移随着该距离的增加而增加。在由耦接部分进行给定补偿运动的情况下,可以相应地调节该距离,以便在第一和第二接触部分之间获得给定的总位移。
原则上,接触段可以具有任何期望的设计。优选地,接触段被设计成大致V形或大致Y形或大致T形,因为这允许实现特别有利的、特别紧凑的配置,其中两个耦接区域可以简单地布置在两个分支的自由端处。
在某些变型中,接触段和耦接部分形成连接元件的至少一部分。在这种情况下,连接元件还可以包括第二接触部分。同样地,连接元件也可以具有整体式实施例,以便在这方面实现上面已经提到的优点。
在这些设计中,连接元件也可以是第一连接元件,并且连接单元可以包括至少一个附加连接元件。在这种情况下,连接单元可以包括M个附加连接元件,其中M的值为1至99,优选为2至49,更优选为2至24。这里,由于上面已经提到的原因,也可以提供连接元件的不同设计,例如为了考虑不同的载荷分布。同样,至少一个附加连接元件可以被设计成至少基本上与第一连接元件相同。
这里,如上所述,连接单元的连接元件也可以根据需要而布置。特别地,连接单元的连接元件可以以环形方式布置,以便利用这种布置的前述优点。在某些变型中,连接单元接触第一部件中的凹部的壁,其中连接单元尤其可以插入第一部件的凹部中。同样,连接单元可以接触第二部件的外周界,其中连接单元可以特别以环形方式包围第二部件的一部分。上面已经解释过的这种配置的优点也由此实现。
关于所使用的材料,连接装置优选与第一和第二部件的材料相匹配。在某些有利的变型中,第一部件至少在其邻近于第一接触部分的区域中由具有第一热膨胀系数的第一材料构成,而第二部件至少在其邻近于第二接触部分的区域中由具有第二热膨胀系数的第二材料构成。连接单元由具有第三热膨胀系数的第三材料构成,其中以下内容可以在单独基础上或以任何组合实现。
因此,第一热膨胀系数可以大于第二和第三热膨胀系数。同样,第二热膨胀系数可以大于第三热膨胀系数。此外,第二热膨胀系数可以是第一热膨胀系数的5%至25%,优选8%至20%,更优选12%至18%。同样,第三热膨胀系数可以是第一热膨胀系数的5%至50%,优选10%至40%,更优选20%至30%。在这种情况下,第三热膨胀系数可以位于第一和第二热膨胀系数之间的区间中的任何合适的位置。优选地,第一热膨胀系数和第三热膨胀系数之差是第一热膨胀系数和第二热膨胀系数之差的40%至95%,优选50%至90%,更优选75%至88%。
然而,应当理解,在其他变型中,第三热膨胀系数也可以位于第一和第二热膨胀系数之间的区间之外。这可能有利于通过连接单元的热膨胀和补偿运动的组合来获得第一和第二部件之间的特定总位移。
优选地,第一热膨胀系数为10·10-6K-1至20·10-6K-1,优选为11·10-6K-1至17·10-6K-1,更优选为13·10-6K-1至15·10-6K-1,而第二热膨胀系数为0.5·10-6K-1至4·10-6K-1,优选为1·10-6K-1至3·10-6K-1,更优选为1·10-6K-1至2·10-6K-1,并且第三热膨胀系数优先为2·10-6K-1至6·10-6K-1,优选为2.5·10-6K-1至5·10-6K-1,更优选为3·10-6K-1至4·10-6K-1
原则上,连接单元可以以任何合适的方式相对于第一或第二部件固定。因此,在一个或多个自由度(高达空间中所有六个自由度)的单独基础上或任何组合中,可以提供摩擦连接、互锁或整体结合的关联。在某些有利的变型中,接触部分中的至少一个在其邻近于直接接触的部件的区域中包括固定部分,该固定部分被设计成在横穿第一和第二方向的第三方向上固定、尤其是通过形状配合来固定该接触部分和该直接接触的部件。这允许获得特别简单和紧凑的配置,其允许以简单的方式进行热膨胀。在这种情况下,如果固定部分在第三方向上布置在接触部分的中心区域中,则可能是有利的,因为这使得可向两侧膨胀,其中连接单元和部件之间的待吸收的局部相对运动总体上减小或最小化。
在这种情况下,在其邻近于第一部件的区域中,第一接触部分可以包括第一固定部分。在其邻近于第二部件的区域中,第二接触部分同样可以包括第二固定部分。此外,固定部分可以由至少一个突起形成,该突起在垂直于第三方向的平面中延伸,并且在组装状态下接合在直接接触的部件中的指定凹部中。最后,在组装状态下,固定部分也可以由至少一个粘合结合部形成,该粘合结合部形成在接触部分中的至少一个凹陷的区域中。
在某些变型中,至少一个接触部分可以在其邻近于直接接触的部件的区域中包括补偿部分。补偿部分被设计成吸收、尤其是通过弹性变形吸收接触部分和直接接触的部件之间在第三方向上的不同热膨胀,该第三方向横穿第一和第二方向。这可以有利地减少由第三方向上的不同热膨胀导致的寄生应力。
在这种情况下,在其邻近于第一部件的区域中,第一接触部分可以包括第一补偿部分。在其邻近于第二部件的区域中,第二接触部分同样可以包括第二补偿部分。如果补偿部分由沿第三方向彼此间隔开的弹性部分形成,并且其弹性优选沿第三方向从接触部分的中心部分向接触部分的端部增加,则产生特别简单和有利的变型。在这种情况下,弹性部分尤其可以由板簧状元件形成,其长度朝向接触部分的端部增加。在特别简单的变型中,板簧状元件的不同长度可以简单地由接触部分中横跨第三方向的不同深度的狭槽来限定。在这种情况下,狭槽的深度可以沿着第三方向从接触部分的中心部分向端部增加,以便设定期望的弹性。然而,附加地或替代地,期望的弹性同样也可以通过狭槽的间距或由此限定的弹性部分的厚度来设定。
原则上,连接装置可用于连接任何所需的部件。如果第一部件是支撑结构的组成部分,特别是用于光学元件的支撑结构的组成部分,特别是由钢、低热膨胀金属和低热膨胀非金属中的至少一种材料构成,则本文所述的优点特别容易实现。附加地或替代地,如果第二部件是特别由陶瓷、Zerodur和玻璃中的至少一种材料构成的光学元件,则是有利的。优选地,连接单元可以由钨和钨合金中的至少一种材料构成。
原则上,连接单元可以以适于在第二方向上提供与第一和第二部件相匹配的补偿运动的任何方式设计和使用。如果第一部件限定轴向方向、径向方向和周向方向,并且第二方向至少基本上沿着径向方向延伸,则产生特别有利的配置。在这种情况下,第一方向可以至少基本上沿着周向方向延伸。同样地,第一方向也可以至少基本上沿着轴向方向延伸。
原则上,第二接触部分可以以任何合适的方式设计,以获得与第二部件的期望关联。当第二接触部分在由第一和第二方向限定的平面中具有大致T形或蘑菇形的切割轮廓时,产生特别有利的配置。附加地或替代地,第二接触部分可以具有窄的桥状部分,第二接触部分经由该桥状部分连接至耦接元件,其中桥状部分的纵向轴线横穿第一和第二方向。
本发明还涉及一种具有光学元件的光学装置,该光学元件通过根据本发明的连接装置连接至支撑结构。这使得可以在相同程度上实现上述变型和优点,因此在这方面参考上面给出的解释以避免重复。
本发明还涉及一种光学成像装置,特别是微光刻光学成像装置,包括具有第一光学元件组的照明装置、用于接收物体的物体装置、具有第二光学元件组的投射装置、以及图像装置。照明装置被设计成照明物体,而投射装置被设计成将物体的像表示投射到图像装置上。在这种情况下,照明装置和/或投射装置包括至少一个如上所述的根据本发明的光学装置。这使得可以在相同程度上实现上述变型和优点,因此在这方面参考上面给出的解释以避免重复。
本发明还涉及一种用于通过连接单元连接微光刻成像装置的第一部件和第二部件的方法,特别用于使用极紫外(EUV)范围内的光的微光刻成像装置,其中连接单元的第一接触部分在组装状态下与第一部件接触,并且连接单元的第二接触部分在组装状态下与第二部件接触。第一接触部分的第一耦接区域和第一接触部分的第二耦接区域被布置成在第一方向上彼此相距耦接区域距离。第一接触部分和第二接触部分至少在组装状态下通过连接单元的具有第一端和相对的第二端的耦接部分耦接在一起,这是由于耦接部分的第一端连接至第一耦接区域并且所述耦接部分的第二端连接至第二耦接区域。耦接部分至少在组装状态下在第一端和第二端之间连接至第二接触部分。在组装状态下,在由热膨胀引起的、特别是随着耦接区域距离的增加而从第一状态到第二状态的状态变化的情况下,第一接触部分和/或耦接部分在第二接触部分上施加沿着第二方向的运动分量,并且其中第二方向横穿第一方向。这使得可以在相同程度上实现上述变型和优点,因此在这方面参考上面给出的解释以避免重复。
本发明还涉及一种光学成像方法,特别是微光刻光学成像方法,其中包括第一光学元件组的照明装置照明物体,包括第二光学元件组的投射装置将物体的图像表示投射到图像装置上。根据本发明,照明装置和/或投射装置的至少一个第一部件连接至第二部件。这同样使得可以在相同程度上实现上述与光学装置相关的变型和优点,因此在这方面参考上面给出的解释以避免重复。
优选地,第一部件是照明装置或投射装置的光学元件,而第二部件优选地是照明装置或投射装置的支撑结构的一部分。
从从属权利要求和下面参照附图对优选示例性实施例的描述中,本发明的其他方面和示例性实施例是显而易见的。所公开特征的所有组合,无论它们是否是权利要求的主题,都在本发明的保护范围内。
附图说明
图1是根据本发明的投射曝光设备的优选实施例的示意图,该投射曝光设备包括根据本发明的光学装置的优选实施例,该光学装置具有光学元件,该光学元件通过根据本发明的连接装置的优选实施例连接至支撑结构。
图2是图1中根据本发明的装置的一部分的示意性剖视图。
图3是穿过图2中装置的一部分的示意性剖视图(见图2中的线III-III)。
图4是来自图2的装置的一部分的示意性机械等效电路图。
图5是根据本发明的连接装置的另一优选实施例的示意性机械等效电路图。
图6是根据本发明的连接装置的另一优选实施例的示意性机械等效电路图。
图7是根据本发明的装置的另一优选实施例的一部分的示意性剖视图(类似于图2的视图)。
图8是来自图7的装置的一部分的示意性机械等效电路图。
具体实施方式
第一示例性实施例
下面参照图1至4描述根据本发明的微光刻投射曝光设备101的优选示例性实施例,其包括根据本发明的光学装置的优选示例性实施例。为了简化下面的解释,在附图中示出了xyz坐标系,z方向平行于重力方向延伸。因此,x方向和y方向水平延伸,并且在图1的图示中x方向垂直进入附图平面。不言而喻,在进一步的配置中可以选择xyz坐标系的任何期望的其他方向。
首先参考图1,下面以示例性方式描述投射曝光设备101的基本组成部分。投射曝光设备101及其部件的基本设置的描述在此不应被视为是限制性的。
除了辐射源102.1之外,投射曝光设备101的照明装置或照明系统102还包括用于照明物场103.1(示意性示出)的照明光学单元102.2形式的光学元件组。物场103.1位于物体装置103的物平面103.2中。在这种情况下,对布置在物场103.1中的掩模母版103.3(也称为掩模)照明。掩模母版103.3由掩模母版保持器103.4保持。掩模母版保持器103.4可通过掩模母版位移驱动器103.5移动,特别是在一个或多个扫描方向上移动。在本示例中,这样的扫描方向平行于y轴延伸。
投射曝光设备101还包括具有投射光学单元104.1形式的另一光学元件组的投射装置104。投射光学单元104.1用于将物场103.1成像到像场105.1中(如示意性所示),该像场位于图像装置105的像平面105.2中。像平面105.2平行于物平面103.2延伸。替代地,物平面103.2和像平面105.2之间的角度也可以不为0°。
在曝光期间,掩模母版103.3的结构被成像到晶片105.3形式的衬底的光敏层上,该光敏层被布置在像场105.1区域中的像平面105.2中。晶片105.3由衬底保持器或晶片保持器105.4保持。晶片保持器105.4可以通过晶片位移驱动器105.5移动,特别是沿着y方向移动。通过掩模母版位移驱动器103.5移动掩模母版103.3和通过晶片位移驱动器105.5移动晶片105.3可以相互同步实施。这种同步可以例如通过公共控制装置106(在图1中仅示意性示出,没有控制路径)来实现。
辐射源102.1是EUV辐射(极紫外辐射)源。辐射源102.1特别发射EUV辐射107,其在下文中也被称为所用辐射或照明辐射。特别地,所用辐射具有5nm至30nm范围内的波长,特别是大约13nm的波长。辐射源102.1可以是等离子体源,例如LPP(激光产生的等离子体)源或GDPP(气体放电产生的等离子体)源。其也可以是基于同步加速器的辐射源。然而,辐射源102.1也可以是自由电子激光器(FEL)。
由于投射曝光设备101使用EUV范围内的使用光进行操作,所使用的光学元件仅是反射光学元件。在本发明的其他配置中,当然也可能(特别是取决于照明光的波长)在单独的基础上或以光学元件的任何期望的组合使用任何类型的光学元件(折射、反射、衍射)。
从辐射源102.1发出的照明辐射107由集光器102.3聚焦。集光器102.3可以是具有一个或多个椭球面和/或双曲面反射表面的集光器。照明辐射107可以以掠入射(GI)入射在集光器102.3的至少一个反射表面上,也就是说入射角大于45°,或者以法向入射(NI)入射,也就是说入射角小于45°。集光器11可以被结构化和/或涂覆,首先优化其对所用辐射的反射率,其次抑制外来光。
在集光器102.3的下游,照明辐射107传播通过中间焦平面107.1中的中间焦点。在某些变型中,中间焦平面107.1可以代表照明光学单元102.2和辐射源模块102.4之间的间隔,辐射源模块102.4包括辐射源102.1和集光器102.3。
沿着光路,照明光学单元102.2包括偏转反射镜102.5和下游的第一分面反射镜102.6。偏转反射镜102.5可以是平面偏转反射镜,或者替代地是具有超出纯偏转效果的光束影响效果的反射镜。替代地或附加地,偏转反射镜102.5可以被设计为光谱滤波器,其至少部分地将所谓的外来光从照明辐射107中分离出来,外来光的波长不同于所用光的波长。如果第一分面反射镜102.6的光学有效表面被布置在照明光学单元102.2的与物平面103.2光学共轭的、作为场平面的平面的区域中,则第一分面反射镜102.6也被称为场分面反射镜。第一分面反射镜102.6包括多个单独的第一分面102.7,其在下文中也被称为场分面。这些第一分面及其光学表面在图1中仅由虚线轮廓102.7以非常示意性的方式示出。
第一分面102.7可以实施为宏观分面,特别是矩形分面或具有弓形或部分圆形边缘轮廓的分面。第一分面102.7可以实施为具有平面光学表面或者替代地具有凸形或凹形弯曲光学表面的分面。
如例如从DE 10 2008 009 600 A1(其全部公开内容通过引用并入于此)中所知,第一分面102.7本身在每种情况下都可以由多个单独的反射镜构成,特别是多个微镜。第一分面反射镜102.6尤其可以被设计为微机电系统(MEMS系统),例如在DE 10 2008 009 600A1中详细描述的。
在本示例中,照明辐射107在集光器102.3和偏转反射镜102.5之间水平行进,也就是说在y方向上行进。然而,不言而喻的是,在其他变型的情况下,也可以选择不同的对准。
在照明光学单元102.2的光路中,第二分面反射镜102.8布置在第一分面反射镜102.6的下游。如果第二分面反射镜102.8的光学有效表面布置在照明光学单元102.2的光瞳平面的区域中,则第二分面反射镜102.8也被称为光瞳分面反射镜。第二分面反射镜102.8也可以布置在距照明光学单元102.2的光瞳平面一定距离处。在这种情况下,第一分面反射镜102.6和第二分面反射镜102.8的组合也被称为镜面反射器。这种镜面反射器例如从US2006/0132747A1、EP 1 614 008 B1或US 6,573,978中已知(其各自的全部公开内容通过引用并入于此)。
第二分面反射镜102.8又包括多个第二分面,这些第二分面在图1中仅由虚线轮廓102.9以非常示意性的方式示出。在光瞳分面反射镜的情况下,第二分面102.9也被称为光瞳分面。原则上,第二分面102.9可以具有与第一分面102.7相同的设计。特别地,第二分面102.9同样可以是宏观分面,其可以具有例如圆形、矩形或六边形边缘。替代地,第二分面102.9可以是由微镜构成的分面。第二分面102.9又可以具有平面反射表面或者替代地为具有凸曲率或凹曲率的反射表面。在这方面,再次参考DE 10 2008 009 600A1。
在本示例中,照明光学单元102.2因此形成双分面系统。这个基本原理也被称为蝇眼积分器。在某些变型中,进一步有利的是将第二分面反射镜102.8的光学表面不精确地布置在与投射光学单元104.1的光瞳平面光学共轭的平面中。
在照明光学单元102.2的另一实施例(未示出)中,特别有助于将第一分面102.7成像到物场103.1中的传输光学单元102.10(仅示意性示出)可以布置在第二分面反射镜102.8和物场103.1之间的光路中。传输光学单元102.10可以具有恰好一个反射镜,或者替代地具有两个或更多个反射镜,这些反射镜在照明光学单元102.2的光路中一个接一个地布置。传输光学单元102.10尤其可以包括一个或两个法向入射镜(NI镜)和/或一个或两个掠入射镜(GI镜)。
在图1所示的实施例中,照明光学单元102.2在集光器102.3的下游具有恰好三个反射镜,具体是偏转反射镜102.5、第一分面反射镜102.6(例如场分面反射镜)和第二分面反射镜102.8(例如光瞳分面反射镜)。在照明光学单元102.2的另一实施例中,也不需要偏转反射镜102.5,因此照明光学单元102.2可以在集光器102.3的下游具有恰好两个反射镜,具体而言是第一分面反射镜102.6和第二分面反射镜102.8。
借助于第二分面反射镜102.8,各个第一分面102.7被成像到物场103.1中。第二分面反射镜102.8是物场103.1的光路上游中照明辐射107的最后一个光束整形镜或者实际上是最后一个反射镜。通过第二分面102.9、或使用第二分面102.9和传输光学单元102.10将第一分面102.7成像到物平面103.2中通常只是近似成像。
投射光学单元104.1包括多个反射镜Mi,这些反射镜根据它们沿着投射曝光设备101的光路的排列进行编号。在图1所示的示例中,投射光学单元104.1包括从M1到M6的六个反射镜。具有四个、八个、十个、十二个或任何其他数量的反射镜Mi的替代方案同样是可能的。倒数第二个反射镜M5和最后一个反射镜M6可以分别具有用于照明辐射107的通道开口(未详细示出)。在本示例中,投射光学单元104.1是双重遮挡的光学单元。投射光学单元104.1具有大于0.5的像侧数值孔径NA。特别地,像侧数值孔径NA也可以大于0.6。举例来说,像侧数值孔径NA可以是0.7或0.75。
反射镜Mi的反射表面可以是没有旋转对称轴的自由曲面的形式。替代地,反射镜Mi的反射表面可以被设计为非球面表面,该非球面表面具有反射表面形状的恰好一个旋转对称轴。正如照明光学单元102.2的反射镜一样,反射镜Mi可以具有用于照明辐射107的高度反射涂层。这些涂层可以由多个涂层(多层涂层)构成;特别地,它们可以被设计成具有钼和硅的交替层。
在本示例中,投射光学单元104.1在物场103.1的中心的y坐标和像场105.1的中心的y坐标之间、在y方向上具有大的物像偏移。y方向上的该物像偏移可以与物平面103.2和像平面105.2之间在z方向上的距离具有大致相同的大小。
投射光学单元104.1尤其可以具有变形形式。特别地,其在x和y方向上具有不同的成像比例βx、βy。投射光学单元104.1的两个成像比例βx、βy优选为(βx,βy)=(+/-0.25,+/-0.125)。正成像比例β意味着成像没有图像反转。成像比例β的负号意味着图像是反转成像的。在本示例中,投射光学单元104.1因此导致在x方向上,也就是说在垂直于扫描方向的方向上的尺寸以4∶1的比率减小。相比之下,投射光学单元104.1导致在y方向上,也就是说在扫描方向上的尺寸以8∶1的比率减小。其他成像比例同样是可能的。在x方向和y方向上具有相同符号和相同绝对值的成像比例也是可能的,例如绝对值为0.125或0.25。
物场103.1和像场105.1之间的光路中,x方向和y方向上的中间像平面的数量可以相同。同样,根据投射光学单元104.1的设计,中间像平面的数量也可以不同。例如从US2018/0074303 A1(其全部公开内容通过引用并入于此)中已知在x和y方向上具有不同数量的这种中间像的投射光学单元的示例。
在每种情况下,本示例中的其中一个光瞳分面102.9被分配给其中恰好一个场分面102.7,用于在每种情况下形成用于照明物场103.1的照明通道。这尤其可产生根据柯勒原理的照明。借助场分面102.7将远场解构为多个物场103.1。场分面102.7在分别分配给其的光瞳分面102.9上生成多个中间焦点图像。
每个场分面102.7都通过分配的光瞳分面102.9成像到掩模母版103.3上,并且各图像表示重叠,从而存在物场103.1的重叠照明。物场103.1的照明优选尽可能均匀。优选具有小于2%的均匀性误差。通过不同照明通道的重叠,可以实现场均匀性。
投射光学单元104.1的入射光瞳的照明可以通过光瞳分面102.9的布置来以几何方式定义。投射光学单元104.1的入射光瞳中的强度分布可以通过选择照明通道来设置,特别是通过选择引导光的光瞳分面102.9的子集。该强度分布也被称为照明系统102的照明设置。照明光学单元102.2的照明光瞳的以限定方式照明的部分的区域中同样优选的光瞳均匀性可以通过照明通道的重新分布来实现。在主动可调分面的情况下,在每种情况下都可以通过控制装置106进行相应的控制来进行上述设置。
将在下文中描述物场103.1、尤其是投射光学单元104.1的入射光瞳的照明的其他方面和细节。
投射光学单元104.1尤其可以具有同心入射光瞳。后者可以是可接近的或不可接近的。使用光瞳分面反射镜102.8通常不能精确地对投射光学单元104.1的入射光瞳进行照明。在将光瞳分面反射镜102.8的中心以远心方式成像到晶片105.3上的投射光学单元104.1的成像的情况下,孔径光线通常不在单点处相交。然而,有可能找到使得成对确定的孔径光线的间隔变得最小的区域。该区域代表入射光瞳或与其共轭的真实空间中的区域。特别地,该区域具有有限的曲率。
对于某些变型,投射光学单元104.1对于切向光路和弧矢光路具有不同的入射光瞳姿态。在这种情况下,优选在第二分面反射镜102.8和掩模母版103.3之间提供成像光学元件,特别是传输光学单元102.10的光学部件部分。借助于该成像光学元件,可以考虑切向入射光瞳和弧矢入射光瞳的不同姿态。
如图1所示,利用照明光学单元102.2的部件的布置,光瞳分面反射镜102.8的光学表面被布置在与投射光学单元104.1的入射光瞳共轭的表面中。第一分面反射镜102.6(场分面反射镜)限定了其光学表面的第一主延伸平面,在本示例中,该第一主延伸平面被布置成相对于物平面5倾斜。在本示例中,第一分面反射镜102.6的该第一主延伸平面被布置成向由偏转反射镜102.5的光学表面限定的第二主延伸平面倾斜。在本示例中,第一分面反射镜102.6的第一主延伸平面也被布置成向由第二分面反射镜102.8的光学表面限定的第三主延伸平面倾斜。
光学元件组102.2、104.1可以包括根据本发明的一个或多个光学装置108,如下面参考形成光学元件组104.1的光学元件的反射镜M3所描述的。
光学装置108包括根据本发明的连接装置109,用于连接支撑单元104.2形式的第一部件和反射镜M3形式的第二部件,它们通过连接单元110连接。
支撑单元104.2将光学元件M3连接至投射装置104的支撑结构,以便通过支撑力将光学元件M3支撑在支撑结构上,这仅在图1中针对光学元件M3以高度示意的形式示出。例如,支撑单元104.2可以是传统并联运动系统的一部分,例如众所周知的六足运动系统。特别地,可以主动地设计支撑件,使得光学元件M3的刚体姿态(即,其在六个空间自由度中的位置和取向)可以借助于由控制装置106相应控制的支撑单元104.2在一个或多个自由度(高达所有六个自由度)的空间中设定。
连接单元110包括第一接触部分110.1、第二接触部分110.2和耦接部分110.3。在图2所示的组装状态下,第一接触部分110.1接触支撑单元104.2(即第一部件),而第二接触部分110.2接触M3(即第二部件)。耦接部分110.3连接第一接触部分110.1和第二接触部分110.2,其中它限定了中心轴线110.4。
第一接触部分110.1包括第一耦接区域110.5和第二耦接区域110.6,第二耦接区域110.6在第一方向上R1与第一耦接区域110.5具有耦接区域距离KBA,所述耦接区域距离在第一状态Z1下是第一耦接区域距离KBA1并且在第二状态Z2下是第二耦接区域距离KBA2(见图4)。耦接部分110.3具有第一端110.7和相对的第二端110.8,其中耦接部分110.3(在组装状态下)将第一接触部分110.1和第二接触部分110.2耦接在一起。为此,首先,耦接部分的第一端110.7连接至第一耦接区域110.5,并且所述耦接部分的第二端110.8连接至第二耦接区域110.6。其次,在组装状态下,耦接部分110.3在第一端110.7和第二端110.8之间连接至第二接触部分110.2。在本示例中,第二接触部分110.2基本上位于第一端110.7和第二端110.8之间的中间处。然而,应当理解,特别是根据接触力或补偿运动的期望分布,也可以提供第二接触部分110.2相对于耦接部分110.3的相应偏心联接。
在本示例中,第一接触部分110.1和耦接部分110.3被设计为使得在组装状态下,在由热膨胀引起的随着耦接区域距离的增加(从KBA1到KBA2)而从第一状态Z1到第二状态Z2的状态变化的情况下,在第二接触部分110.2上施加沿着第二方向R2的运动分量,其中第二方向横穿第一方向。
这在图4中示意性地示出,其中在图4所示情况下,当状态从第一状态Z1改变到第二状态Z2时,在第二方向R2上施加在第二接触部分110.2上的该运动分量或补偿运动正好大到使得:在第一接触部分110.1由于支撑单元104.2(即,第一部件)的热膨胀而从第一状态Z1开始(图4中的虚线轮廓)朝向反射镜M3(即,第二部件)移动时,第二接触部分基本上不改变其空间位置。因此,第一接触部分110.1在第二状态Z2下已经接近反射镜M3(图4中的连续轮廓)。
应当理解,原则上,连接单元110、第一部件104.2和第二部件M3可以以任何合适的方式彼此布置,以便获得期望的连接。在本示例中,处于组装状态的连接单元110布置在支撑单元104.2和M3之间的中间空间ZR中。由于支撑单元104.2布置在反射镜M3的凹部111中,产生了该中间空间ZR。
在本示例中,支撑单元104.2具有比反射镜M3更大的热膨胀系数,反射镜M3在本示例中可以由热膨胀系数接近零的材料构成。因此,当状态从第一状态Z1变为第二状态Z2时,支撑单元104.2和反射镜M3之间的中间空间ZR减小。因此,第二接触部分110.2在第二方向R2上的运动分量指向支撑单元104.2,以便实现期望的补偿运动。
然而,在其他变型中,当状态从第一状态Z1改变到第二状态Z2时,中间空间ZR也可以增大,其中第二接触部分的运动分量则沿着第二方向R2指向远离第一部件的方向,以便实现期望的补偿运动;这将在下面参照图6、7和8进行解释。在此,当第二部件位于第一部件的凹部中时,也产生特别有利和紧凑的设计。
原则上,耦接部分110.3可以以适于实现所述补偿运动的期望方式设计。例如,耦接部分110.3因此可以具有三维弯曲和/或扭曲的轮廓,当耦接区域距离KBA增加时,该轮廓被拉伸以实现补偿运动。自然地,在这种情况下也可以考虑两个耦接的部件(即,例如支撑单元104.2和反射镜M3)的任何期望的复杂三维膨胀轮廓。当耦接部分110.3具有弯曲的和/或如本示例中的扭曲轮廓(因此在平面中具有该轮廓)时,产生特别简单且有效的设计。
从图2和图4中可以明显看出,本示例中的耦接部分110.3在第一端110.7和第二端110.8之间限定了中心轴线110.4,该中心轴线在第一状态Z1下(见图2和图4)在第一端110.7和第二端110.8之间具有弓形的第一轮廓V1。在存在上述耦接区域距离从KBA1到KBA2的增加的第二状态Z2下,第一端110.7和第二端110.8之间的中心轴线110.4具有第二轮廓V2,其相对于第一轮廓V1被拉伸(见图4)。然后,这种拉伸以简单的方式实现了在第二方向R2上的期望补偿运动。
在某些变型中,第二轮廓V2可以是弓形的,类似于图4的示例。然而,如果需要,耦接部分110.3也可以被拉伸,直到第二轮廓V2基本上是直的。同样,第一轮廓V1可以是至少部分弯曲和/或至少部分多边形的。在某些变型中,第二轮廓V2可以是至少部分弯曲和/或至少部分多边形的。
在某些变型中,第一端110.7和第二端110.7之间的耦接部分110.3的中心轴线110.4可以限定第一状态Z1下的第一平均曲率MK1和第二状态Z2下的第二平均曲率MK2,其中第二平均曲率MK2小于第一平均曲率MK1。在这种情况下,第二平均曲率MK2尤其可以是第一平均曲率MK1的95%至0%,优选75%至5%,更优选50%至10%。在所有这些情况下,可以在单独的基础上或以任何组合的方式以特别简单和紧凑的方式实现期望的补偿运动。
如上所述,原则上,对于与两个部件104.2和M3相关的接触力FK,可以在(热)第一和第二状态Z1、Z2之间获得期望的力曲线。在某些有利的变型中,第二接触部分110.2在第一状态Z1下在反射镜M3(即第二部件)上施加第一接触力FK21,而第二接触部分在第二状态Z2下在反射镜M3上施加第二接触力FK22。在这种情况下,第一接触部分110.1和/或耦接部分110.3可以被设计成使得第二接触力FK22是第一接触力FK21的80%至120%,优选90%至110%,更优选95%至105%。
在某些变型中,第一接触部分110.1和/或耦接部分110.3也可以被设计成使得在从第一状态Z1到第二状态Z2的转变期间,由第二接触部分110.2施加在反射镜M3上的接触力FK的变化最多为第一接触力FK21的15%至20%,优选不超过5%至10%,更优选不超过1%至3%。因此,分别在单独的基础上或组合地实现特别有利的接触力曲线。
原则上,连接单元110可以被设计为是不可改变的预设单元。在特别有利的变型中,连接单元110可以包括至少一个用于设定第一接触力FK21的调节装置,如图2中虚线轮廓110.9和110.10所示。在某些变型中,这里也可以通过改变耦接区域距离KBA来进行调节。
在本示例中,第一接触部分110.1包括第一接触段110.11和第二接触段110.12,在组装状态下,它们分别通过部件接触表面110.13、110.14接触支撑单元104.2。在这种情况下,第一接触段110.11和第二接触段110.12沿着第一方向R1彼此间隔开,形成自由空间FR。在这种情况下,第一接触段110.11形成第一耦接区域110.5,而第二接触段110.12形成第二耦接区域110.6。在组装状态下,耦接部分110.3以弓形方式桥接自由空间FR。这获得了特别有利的配置,因为两个分离的接触段110.11、110.12(经由耦接部分110.3连接)可以很容易地跟随相对于彼此的热致相对运动。
应当理解,在其他变型中,两个接触段110.11、110.12也可以经由至少一个另外的部分连接至支撑单元104.2,例如在它们各自的接触表面的区域中。在这种情况下,仍然需要提供的是足够的自由空间FR,例如间隙等,使得耦接部分110.3可以执行补偿运动。特别地,例如,第一接触部分110.1可以被设计成以这样的方式邻接,即第一耦接区域110.5和第二耦接区域110.6由连接单元110的单个公共段形成,然后该公共段通过适当的中间空间(例如间隙)与耦接部分110.3分离。
在本示例中,第一接触段110.11的部件接触表面110.13在第二方向R2上与第一耦接区域110.5间隔开。类似的说法适用于第二接触段110.12的部件接触表面110.14,其在第二方向R2上与第二耦接区域110.6间隔开。在每种情况下,该相应距离都可以有利地影响第一接触部分110.1和第二接触部分110.2之间的总位移,因为耦接部分110.3远离支撑单元104.2的热致位移随着该距离的增加而增加。在耦接部分110.3进行给定补偿运动的情况下,则可以相应地调节该距离,以便在第一接触部分110.1和第二接触部分110.2之间获得给定的总位移。
在本示例中,这两个距离被选择为至少近似相等。然而,应当理解,在偏离所示对称性的情况下,也可以获得补偿运动的某些平移和/或旋转运动分量,因为在这种情况下耦接区域110.5和110.6可能存在不均匀的位移。自然地,同样也可以考虑不均匀的温度分布并至少部分地补偿这种不均匀的后果。
在本示例中,第一接触段110.11、第二接触段110.12、耦接部分110.3和第二接触部分110.2是具有一体式实施例的连接元件110.15的部分。这导致特别紧凑和易于使用的配置,其中连接元件110.15有利地维持紧密公差。
原则上,连接单元110仅包括一个这样的连接元件110.15就足够了。然而,在本示例中,连接元件110.15是第一连接元件,而连接单元110包括两个附加连接元件110.15。在这种情况下,应当理解,原则上,连接单元110可以包括N个附加连接元件110.15,其中N的数值可为1至5,优选2至4,更优选2至3。原则上,这里的事实是,更多数量的连接元件110.15能够在支撑单元104.2和反射镜M3之间更精细或更均匀分布地传递载荷。
原则上,第一连接元件110.15和附加连接元件110.15可以具有不同的设计,例如考虑到支撑单元104.2和反射镜M3之间待传递的载荷的某些不均匀分布。然而,在本示例中,附加连接元件110.15被设计成至少基本上与第一连接元件110.15相同。
在组装状态下,第一连接元件110.15和附加连接元件110.15可以彼此分开布置。在特别紧凑和易于组装的变型中,第一连接元件110.15的接触段110.11、110.12在组装状态下接触相邻的附加连接元件110.15的相邻的接触段110.11、110.12,如本示例中的情况一样。在这种情况下,连接元件110.15可以在它们的接触表面110.16的区域中单独形成。然而,同样地,连接元件110.15也可以具有彼此一体的实施例,由此尤其简化了处理和组装。
原则上,连接单元110可以根据待连接的部件(102.4,M3)的设计具有任何期望的设计。例如,它因此可以具有大致线性或弓形的轮廓。在某些变型中,连接单元110具有类似于本示例中的环形设计。在这种情况下,连接单元110例如可以接触第一部件104.2的外周界,其中连接单元110可以以环形方式包围第一部件104.2的一部分,如在本示例中的相应情况一样。同样地,连接单元110可以接触第二部件M3中的凹部111的壁,其中连接单元可以插入第二部件中的凹部111中,这也是本示例中的相应情况。在所有这些情况下都实现了特别有利的紧凑配置。
就所使用的材料而言,连接装置109优选地与第一和第二部件的材料相匹配,也就是说在本示例中与支撑单元104.2和反射镜M3的材料相匹配。在某些有利的变型中,支撑单元104.2至少在其邻近于第一接触部分110.1的区域中由具有第一热膨胀系数CTE1的第一材料构成,而反射镜M3至少在其邻近于第二接触部分110.2的区域中由具有第二热膨胀系数CTE2的第二材料构成。连接单元110由具有第三热膨胀系数CTE3的第三材料构成,其中以下内容可以在单独基础上或以任何组合实现。
因此,第一热膨胀系数CTE1可以大于第二热膨胀系数CTE2和第三热膨胀系数CTE3。同样,第二热膨胀系数CTE2可以大于第三热膨胀系数CTE3。此外,第二热膨胀系数CTE2可以是第一热膨胀系数CTE1的5%至25%,优选8%至20%,更优选12%至18%。同样,第三热膨胀系数CTE3可以是第一热膨胀系数CTE1的5%至50%,优选10%至40%,更优选20%至30%。在这种情况下,第三热膨胀系数CTE3可以位于第一和第二热膨胀系数之间的区间中的任何合适的位置(即,CTE1>CTE3>CTE2可以适用于任何情况)。优选地,第一热膨胀系数CTE1和第三热膨胀系数CTE3之差是第一热膨胀系数CTE1和第二热膨胀系数CTE2之差的40%至95%,优选50%至90%,更优选75%至88%。
然而,应当理解,在其他变型中,第三热膨胀系数CTE3也可以位于第一热膨胀系数CTE1和第二热膨胀系数CTE2之间的区间之外。这可能有利于通过连接单元110的热膨胀和补偿运动的组合来获得支撑单元104.2和反射镜M3之间的特定总位移。
优选地,第一热膨胀系数CTE1为10·10-6K-1至20·10-6K-1,优选11·10-6K-1至17·10-6K-1,更优选13·10-6K-1至15·10-6K-1,而第二热膨胀系数CTE2为0.5·10-6K-1至4·10- 6K-1,优选1·10-6K-1至3·10-6K-1,更优选1·10-6K-1至2·10-6K-1,并且第三热膨胀系数CTE3优先为2·10-6K-1至6·10-6K-1,优选2.5·10-6K-1至5·10-6K-1,更优选3·10-6K-1至4·10-6K-1
原则上,连接单元110可以以任何适当的方式相对于支撑单元104.2或反射镜M3固定。因此,在一个或多个自由度(高达空间中所有六个自由度)的单独基础上或任何组合中,可以提供摩擦连接、互锁或整体结合的联接。
在本示例中,接触部分110.1、110.2在其与直接接触的部件相邻的区域中包括固定部分110.17、110.18,该固定部分被设计成通过形状配合在第三方向R3上固定该接触部分110.1或110.2以及该直接接触的部件104.2、M3,该第三方向R3横穿第一和第二方向R1、R2,如下面使用固定部分110.18的示例更详细地解释的那样。这获得了特别简单和紧凑的配置,允许以简单的方式进行热膨胀。在这种情况下,如在本示例中那样,如果固定部分110.17在第三方向R3上布置在接触部分110.2的中心区域中,则是有利的,因为这使得可向两侧膨胀,其中连接单元110和反射镜M3之间的待吸收的局部相对运动总体上减小或最小化。
在本示例中,第一接触部分110.1在其邻近于支撑单元104.2的区域中具有第一固定部分110.17,而第二接触部分110.2在其邻近于反射镜M3的区域中具有第二固定部分110.18。在这种情况下,固定部分110.18由突起形成,该突起在垂直于第三方向R3的平面中延伸,并且在组装状态下接合在直接接触的反射镜M3中的指定凹部中。
在某些变型中,在组装状态下,固定部分也可以由粘合结合部形成,该粘合结合部形成在相应接触部分110.1、110.2中的至少一个凹陷的区域中。特别地,接触力曲线或补偿运动的上述设置在这里可以有利地用于补偿该粘合结合部的收缩效应。
在本示例中,接触部分110.1、110.2在其邻近于直接接触的部件104.2M3的区域中各自包括补偿部分110.19,如下面基于接触部分110.2所解释的。补偿部分110.19被设计成通过弹性变形吸收接触部分110.2和直接接触的反射镜M3之间在第三方向R3上的不同热膨胀。这可以有利地减少由第三方向R3上的不同热膨胀导致的寄生应力。
在本示例中,相应的接触部分110.1、110.2包括这样的补偿部分110.19:其由弹性部分110.20形成,弹性部分110.20沿着第三方向R3彼此间隔开,并且弹性部分110.20的弹力沿着第三方向R3从接触部分110.2的中心部分向接触部分110.2的端部沿第三方向R3增加。在这种情况下,弹性部分110.20由板簧状元件形成,板簧状元件的长度朝向接触部分110.2的端部增加。在本示例中,板簧状元件的不同长度简单地由接触部分110.2中横跨第三方向R3的不同深度的狭槽110.21限定。在这种情况下,狭槽110.21的深度可以沿着第三方向R3、从接触部分110.2的中心部分向端部增加,以便设定期望的弹性。然而,附加地或替代地,期望的弹性同样也可以经由狭槽110.21的间距或由此限定的弹性部分110.20的厚度来设定(在每种情况下都沿着第三方向R3)。
应当理解,连接装置109原则上可以用于连接任何期望的部件。如果第一部件104.2(如在本示例中那样)是用于光学元件(如反射镜M3)的支撑结构的组成部分并且由钢、低热膨胀金属和低热膨胀非金属中的至少一种材料构成,则在此所述的优点尤其容易实现。同样,如果第二部件是像反射镜M3那样的由陶瓷、Zerodur和玻璃中的至少一种材料构成的光学元件,则是有利的。优选地,连接单元110可以由钨和钨合金中的至少一种材料构成。
应当理解,原则上,连接单元110可以以适于提供与第一和第二部件相匹配的、第二方向R2上的补偿运动的任何方式设计和使用。如果第一部件(如在本示例中那样)限定轴向方向AR、径向方向RR和周向方向UR,并且第二方向R2至少基本上沿着径向方向RR延伸,则产生特别有利的配置。在这种情况下,第一方向R1可以至少基本上沿着周向方向UR延伸。然而,同样地,第一方向R1也可以至少基本上沿着轴向方向AR延伸,这将在下面基于图5和6进行更详细的解释。
原则上,第二接触部分110.2可以以任何合适的方式设计,以获得与反射镜M3的期望关联。当第二接触部分(如在本示例中那样)在由第一和第二方向R1、R2限定的平面中具有大致T形或蘑菇形的切割轮廓时,会产生特别有利的配置(见图2)。这使得能够有利地、大面积地将载荷引入反射镜M3。优选地,第二接触部分110.2,如在本示例中那样,具有窄的桥状部分110.22,第二接触部分110.2经由该桥状部分110.22连接至耦接部分110.3,其中桥状部分的纵向轴线横穿第一和第二方向R2、R1。在这种情况下,部分110.22也可以可选地形成为一种弯曲部分,以便吸收或允许围绕桥状部分110.22的纵向轴线的倾斜运动。
利用上述连接装置109,可以执行根据本发明的方法,因此在这方面参考上面的解释。
第二示例性实施例
下面参照图1和图5描述根据本发明的装置208的另一优选实施例,其可以代替装置108而用于图1中的成像装置101。装置208在其基本设计和功能上对应于图2至图4中的装置108,因此这里只讨论不同之处。特别地,相同的部件具有相同的附图标记,而相似的部件具有增加了值100的附图标记。除非下文另有说明,否则关于这些部件的特征、功能和优点,参考与第一示例性实施例相关的上述陈述。
与第一示例性实施例的一个区别在于,第一方向R1沿着支撑单元104.2或反射镜M3的轴向方向AR延伸,而第二方向R2再次沿着径向方向RR延伸。在该示例中,耦接区域距离KBA从第一状态Z1(图5中的连续轮廓KBA1)到第二状态Z2(图5中的虚线轮廓KBA2)的增加因此通过支撑单元104.2的长度的热致轴向变化来实现。然而,在这种情况下,第二接触部分210.2的补偿运动又通过弓形耦接部分210.3的拉伸来实现,这在期望的程度上补偿或在期望的程度上影响(即,将中间空间ZR设定为期望的尺寸)第一接触部分210.1对第二接触部分210.2的与膨胀相关的接近(即,支撑单元104.2和反射镜M3之间的中间空间ZR的减小)。
同样地,也可以设定期望的接触力曲线,其中这里也可以设置调节装置210.17来设定接触力FK21。这也可以通过改变第一状态Z1下的耦接区域距离KBA1来实现。
除此以外,连接单元210可以以类似于连接单元110的方式构造。然而,同样地,连接单元210也可以包括精确限定的接合部分210.23(例如弯曲部分),通过该接合部分210.23精确限定弓形耦接部分210.3的运动学特性。
利用上述连接装置209,也可以执行根据本发明的方法,因此在这方面参考上述说明。
第三示例性实施例
下面参照图1和6描述根据本发明的装置308的另一优选实施例,该装置308可以代替装置108而用于图1中的成像装置101。装置308在其基本设计和功能上对应于图5中的装置208,因此这里只讨论不同之处。特别地,相同的部件具有相同的附图标记,而相同类型的部件具有增加值100的附图标记(相对于第二实施例,或相对于第一实施例增加200)。除非下文另有说明,否则关于这些部件的特征、功能和优点,请参考与第一和第二示例性实施例相关的上述陈述。
与第一和第二示例性实施例的一个区别在于,支撑单元304.2没有插入反射镜M3的凹部中,而是从外侧以环形方式包围反射镜M3。由于支撑单元304.2的材料的第二热膨胀系数CTE2再次大于反射镜M3的第一热膨胀系数CTE1,当系统温度升高时,也就是说在从第一状态Z1(见图6中的连续轮廓)到第二状态Z2(见图6中的虚线轮廓)的转变期间,支撑单元304.2和反射镜M3之间的中间空间ZR增大。
在本示例中,耦接部分310.3因此被配置为使得第二接触部分310.2的补偿运动通过弓形耦接部分310.3的拉伸来实现,这在期望的程度上补偿或在期望的程度上影响(即,将中间空间ZR设定为期望的尺寸)第一接触部分310.1与第二接触部分310.2的与膨胀相关的距离(即,支撑单元304.2和反射镜M3之间的中间空间ZR的增大)。为此,在耦接区域距离与膨胀相关地增加时(从KBA1到KBA2),耦接部分310.3的适当部分在第二方向R2上更严格地对准。
同样地,在该示例中也可以设定期望的接触力曲线,其中这里也可以设置调节装置310.17来设定接触力FK21。这也可以通过改变第一状态Z1下的耦接区域距离KBA1来实现。
除此以外,连接单元310可以以类似于连接单元210的方式构造。在这种情况下,连接单元310又可以包括精确限定的接合部分310.23(例如弯曲部分),通过该接合部分310.23精确限定弓形耦接部分310.3的运动学特性。
利用上述连接装置309,也可以执行根据本发明的方法,因此在这方面参考上述说明。
第四示例性实施例
下面参照图1、7和8描述根据本发明的装置408的另一优选实施例,该装置408可代替装置108而用于图1中的成像装置101。装置408在其基本设计和功能上对应于图6中的装置308,因此这里只讨论不同之处。特别地,相同的部件具有相同的附图标记,而相同类型的部件具有增加了值100的附图标记(相对于第三实施例,或相对于第一实施例增加了300)。除非下文另有说明,否则关于这些部件的特征、功能和优点,请参考与第一和第三示例性实施例相关的上述陈述。
与第一和第二示例性实施例的一个不同之处还在于,支撑单元304.2没有插入反射镜M3的凹部中,而是从外侧以环形方式包围反射镜M3。由于支撑单元304.2的材料的第二热膨胀系数CTE2再次大于反射镜M3的第一热膨胀系数CTE1,当系统温度升高时,即在从第一状态Z1(见图8中的连续轮廓)到第二状态Z2(见图8中的虚线轮廓)的转变期间,支撑单元304.2和反射镜M3之间的中间空间ZR增大,如第三示例性实施例中那样。
在本示例中,第一接触部分410.1包括接触段410.11,该接触段在组装状态下通过部件接触表面410.13接触第一部件304.2。在该变型中,接触段410.11形成远离部件接触表面410.13的第一耦接区域410.5和第二耦接区域410.6,其中耦接部分410.3在组装状态下再次以弓形方式桥接第一耦接区域410.5和第二耦接区域410.6之间的中间空间ZRK。如上所述,在这种情况下需要提供的只是接触段410.11和耦接部分410.3之间的自由空间FR(例如,间隙),该自由空间足以使耦接部分410.3能够执行所述补偿运动。
在本示例中,接触段410.11的部件接触表面410.13也在第二方向R2上与第一耦接区域410.5和第二耦接区域410.6隔开。如已经解释的,该距离可以在每种情况下都有利地影响第一接触部分410.1和第二接触部分410.2之间的总位移,因为耦接部分410.3相对于第一部件404.2的热致位移随着该距离的增加而增加。在耦接部分410.3进行给定补偿运动的情况下,则可以相应地调节该距离,以便在第一接触部分410.1和第二接触部分410.2之间获得给定的总位移。
原则上,接触段410.11可以具有任何期望的设计。优选地,接触段被设计成基本上V形或基本上Y形,或者如在本示例中那样基本为T形,因为这允许实现特别有利的、特别紧凑的配置,其中两个耦接区域410.5、410.6可以简单地布置在两个分支的自由端。
在某些变型的本示例中,接触段410.11、第二接触部分410.2和耦接部分410.3形成连接元件410.15,由于第二接触部分410.2和耦接部分410.3具有一体式实施例,因此连接元件410.15在此为两件式设计。在这种情况下,第二接触部分410.2和耦接部分410.3具有比接触段410.11更低的热膨胀系数,以便实现热致补偿运动。
在这些设计中,连接元件410.15也可以是第一连接元件,并且连接单元410可以包括至少一个附加连接元件410.15。在这种情况下,连接单元410可以包括M个附加连接元件410.15,其中M的值为1至99,优选为2至49,更优选为2至24。在本示例中提供了两个附加连接元件410.15。这里,由于上面已经提到的原因,也可以提供连接元件410.15的不同设计,例如为了考虑不同的载荷分布。类似地,如在本示例中那样,附加连接元件410.15可以被设计成至少基本上与第一连接元件410.15相同。
在这些变型中,如上所述,连接单元410的连接元件410.15又可以根据需要布置。特别地,连接单元410的连接元件410.15,如在本示例中那样,可以以环形方式布置,以便利用这种布置的前述优点。在某些变型中,如在本示例中那样,连接单元410接触支撑单元404.2(即,第一部件)中的凹部的壁。在这种情况下,连接单元410被插入支撑单元404.2的凹部中,为此,支撑单元404.2例如可以被设计为支撑环。因此,本示例中的连接单元410接触反射镜M3(即,第二部件)的外周界,其中连接单元410以环形方式包围反射镜M3。上面已经解释的这种配置的优点也由此实现。
利用上述连接装置409,也可以执行根据本发明的方法,因此在这方面参考上述说明。
上面已经专门基于微光刻领域的示例描述了本发明。然而,不言而喻的是,本发明也可以用于任何期望的其他光学应用的环境中,特别是不同波长的成像方法中,其中在用于校正成像像差的变形方面会出现类似的问题。
此外,本发明可以用于物体的检查,例如所谓的掩模检查,其中检查用于微光刻的掩模的完整性等。在图1中,例如检测掩模母版104.1的投射图案的图像表示(用于进一步处理)的传感器单元取代了晶片105.1。然后,该掩模检查可以在与后面的微光刻工艺中使用的波长基本相同的波长下进行。然而,类似地,也可以使用偏离该波长的任何期望的波长进行检查。
最后,上面已经基于特定的示例性实施例描述了本发明,这些实施例显示了在下面的专利权利要求中定义的特征的特定组合。在这一点上应该明确指出,本发明的主题不限于这些特征的组合,相反,从下面的专利权利要求中显而易见的所有其他特征组合也属于本发明的主题。

Claims (20)

1.一种用于通过连接单元(110;210;310;410)连接微光刻成像装置(101)的第一部件(104.2;304.2)和第二部件(M3)的连接装置,特别是用于使用极紫外(EUV)范围内的光的微光刻成像装置(101),所述连接装置具有:
第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1),
第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2),以及
耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3),
其中
所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)被配置为在组装状态下接触所述第一部件(104.2;304.2),
所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)被配置为在组装状态下接触所述第二部件(M3),
所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)包括第一耦接区域(110.5;410.5)和第二耦接区域(110.6;410.6),所述第二耦接区域(110.6;410.6)与所述第一耦接区域(110.5;410.5)在第一方向上相距耦接区域距离,
所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)具有第一端(110.7)和相对的第二端(110.8),
所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)至少在组装状态下、借助于所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)的所述第一端(110.7)和所述第二端(110.8)、将所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)和所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)耦接在一起,所述第一端(110.7)连接至所述第一耦接区域(110.5;410.5)并且所述第二端(110.8)连接至所述第二耦接区域(110.6;410.6),
所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)至少在组装状态下在所述第一端(110.7)和所述第二端(110.8)之间连接至所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2),
其特征在于,
所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)和/或所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)被设计为使得在组装状态下,在特别由热膨胀引起的、随着所述耦接区域距离的增加而从第一状态到第二状态的状态变化的情况下,将沿着第二方向的运动分量施加在所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)上,所述第二方向横穿所述第一方向。
2.根据权利要求1所述的连接装置,
连接单元(110;210;310;410)被设计成在组装状态下布置在所述第一部件(104.2;304.2)和所述第二部件(M3)之间的中间空间中,其中所述第一部件(104.2;304.2)尤其具有比所述第二部件(M3)更大的热膨胀系数,
其中
当状态从第一状态变为第二状态时,所述中间空间减小,并且所述第二接触部分(110.2;201.2)的运动分量在第二方向上指向所述第一部件(104.2),其中所述第一部件(104.2)尤其位于所述第二部件(M3)的凹部中,
或者
当状态从第一状态变为第二状态时,所述中间空间增大,并且所述第二接触部分(310.2;410.2)的运动分量与所述第二方向相反地指向远离所述第一部件(304.2)的方向,其中所述第二部件(M3)尤其位于所述第一部件(304.2)的凹部中。
3.根据权利要求1或2所述的连接装置,其中,
所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)在所述第一端(110.7)和所述第二端(110.8)之间限定中心轴线(110.4),
所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)的中心轴线(110.4)至少在所述第一状态下,在所述第一端(110.7)和所述第二端(110.8)之间具有弓形的第一轮廓,并且
所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)的中心轴线在存在所述耦接区域距离的增加的所述第二状态下,在所述第一端(110.7)和所述第二端(110.8)之间具有相对于所述第一轮廓拉伸的第二轮廓,
其中特别地,以下至少一项适用:
所述第二轮廓是弓形的或者至少基本上是直的;
所述第一轮廓是至少部分弯曲和至少部分多边形中的至少一种;
所述第二轮廓是至少部分弯曲和至少部分多边形中的至少一种;
所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)的中心轴线在所述第一端(110.7)和所述第二端(110.8)之间限定了第一状态下的第一平均曲率和第二状态下的第二平均曲率,其中第二平均曲率小于第一平均曲率,其中第二平均曲率特别是第一平均曲率的95%至0%,优选75%至5%,更优选50%至10%。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的连接装置,其中,
所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)在第一状态下在所述第二部件(M3)上施加第一接触力,
所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)在第二状态下在所述第二部件(M3)上施加第二接触力,
其中以下至少一项适用:
所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)和/或所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)被设计成使得所述第二接触力是所述第一接触力的80%至120%,优选90%至110%,更优选95%至105%;
所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)和/或所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)被设计成使得在从第一状态到第二状态的转变期间,由所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)施加在所述第二部件(M3)上的接触力的变化最多为所述第一接触力的15%至20%,优选不超过5%至10%,更优选不超过1%至3%;
所述连接单元(110;210;310;410)包括至少一个调节装置,用于设定所述第一接触力,特别是通过改变所述耦接区域距离。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的连接装置,其中,
所述第一接触部分(110.1;201.1)被设计成使得,当状态从第一状态变为第二状态时,在所述第一耦接区域(110.5)和所述第二耦接区域(110.6)上施加与第二方向相反的、远离所述第一部件(104.2)的耦接区域位移,并且
所述耦接部分(110.3;201.3)被设计成当状态从第一状态变为第二状态时,在所述第二接触部分(110.2;201.2)上施加接触部分位移,
其中
所述第二方向上的所述接触部分位移是朝向所述第一部件(104.2)实施的,并且至少基本上补偿了所述耦接区域位移的影响。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的连接装置,其中,
所述第一接触部分(110.1;201.1)包括第一接触段(110.11)和第二接触段(110.12),其在组装状态下分别通过部件接触表面接触所述第一部件(104.2),
所述第一接触段(110.11)和所述第二接触段(110.12)特别沿所述第一方向彼此间隔开,以形成自由空间,
所述第一接触段(110.11)形成所述第一耦接区域(110.5),
所述第二接触段(110.12)形成所述第二耦接区域(110.6),
所述耦接部分(110.3;201.3)在组装状态下特别是以弓形方式桥接所述自由空间,
其中特别地,以下至少一项适用:
所述第一接触段(110.11)的部件接触表面与所述第一耦接区域(110.5;410.5)特别在第二方向上间隔开;
所述第二接触段(110.12)的部件接触表面与所述第二耦接区域(110.6)特别在第二方向上间隔开。
7.根据权利要求6所述的连接装置,其中,
所述第一接触段(110.11)、所述第二接触段(110.12)和所述耦接部分(110.3;201.3)形成连接元件(110.15)的至少一部分,
其中特别地,以下至少一项适用:
所述连接元件(110.15)还包括所述第二接触部分(110.2;201.2);
所述连接元件(110.15)具有一体式实施例。
8.根据权利要求7所述的连接装置,其中,
所述连接元件(110.15)是第一连接元件(110.15),并且所述连接单元(110;210)包括至少一个附加连接元件(110.15),
其中特别地,以下至少一项适用:
所述连接单元(110;210)包括N个附加连接元件,其中N的值为1至5,优选为2至4,更优选为2至3;
所述至少一个附加连接元件(110.15)被设计成至少基本上与所述第一连接元件(110.15)相同;
所述第一连接元件(110.15)的至少一个接触段(110.12)接触所述至少一个附加连接元件(110.15)的接触段(110.11),
所述第一连接元件(110.15)的至少一个接触段(110.11)和所述至少一个附加连接元件(110.15)的一个接触段(110.11)以一体式方式一起形成,
所述连接单元(110;210)为环形设计;
所述连接单元(110;210)接触所述第一部件(104.2;304.2)的外周界,其中所述连接单元(110;210)尤其以环形方式包围所述第一部件(104.2)的一部分;
所述连接单元(110;210)接触所述第二部件(M3)中的凹部的壁,其中所述连接单元(110;210)特别插入所述第二部件(M3)的凹部中。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的连接装置,其中,
所述第一接触部分(310.1;410.1)包括接触段(410.11),所述接触段(410.11)在组装状态下通过部件接触表面接触所述第一部件(304.2),
所述接触段形成远离所述部件接触表面的所述第一耦接区域(410.5)和所述第二耦接区域(410.6),
所述耦接部分(310.3;410.3)在组装状态下特别以弓形方式桥接所述第一耦接区域(410.5)和所述第二耦接区域(410.6)之间的中间空间,
其中特别地,以下至少一项适用:
所述接触段的部件接触表面在第二方向上与所述第一耦接区域(410.5)和/或所述第二耦接区域(410.6)间隔开;
所述接触段被设计成大致V形或大致Y形或大致T形;
所述接触段和所述耦接部分(310.3;410.3)形成连接元件(410.15)的至少一部分,其中所述连接元件(410.15)尤其还包括所述第二接触部分(310.2;410.2)和/或所述连接元件(410.15)尤其具有一体式实施例。
10.根据权利要求9所述的连接装置,其中,
所述连接元件(410.15)是第一连接元件(410.15),并且所述连接单元(310;410)包括至少一个附加连接元件(410.15),
其中特别地,以下至少一项适用:
所述连接单元(310;410)包括M个附加连接元件,其中M的值为1至99,优选为2至49,并且优选为2至24;
所述至少一个附加连接元件(410.15)被设计成至少基本上与所述第一连接元件(410.15)相同;
所述连接单元(310;410)的连接元件以环形方式布置;
所述连接单元(310;410)接触所述第一部件(304.2)中的凹部的壁,其中所述连接单元(310;410)特别插入所述第一部件(304.2)的凹部中;
所述连接单元(310;410)接触所述第二部件(M3)的外周界,其中所述连接单元(310;410)尤其以环形方式包围所述第二部件(M3)的一部分。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的连接装置,其中,
所述第一部件(104.2;304.2)的至少邻近于所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)的区域由具有第一热膨胀系数的第一材料构成,
所述第二部件(M3)的至少邻近于所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)的区域由具有第二热膨胀系数的第二材料构成,
所述连接单元(110;210;310;410)由具有第三热膨胀系数的第三材料构成,
其中以下至少一项适用:
所述第一热膨胀系数大于所述第二热膨胀系数和所述第三热膨胀系数;
所述第二热膨胀系数大于所述第三热膨胀系数;
所述第二热膨胀系数是所述第一热膨胀系数的5%至25%,优选8%至20%,更优选12%至18%;
所述第三热膨胀系数是所述第一热膨胀系数的5%至50%,优选10%至40%,更优选20%至30%;
所述第一热膨胀系数和所述第三热膨胀系数之差是所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之差的40%至95%,优选50%至90%,更优选75%至88%;
所述第一热膨胀系数为10·10-6K-1至20·10-6K-1,优选为11·10-6K-1至17·10-6K-1,更优选为13·10-6K-1至15·10-6K-1
所述第二热膨胀系数为0.5·10-6K-1至4·10-6K-1,优选为1·10-6K-1至3·10-6K-1,更优选为1·10-6K-1至2·10-6K-1
所述第三热膨胀系数为2·10-6K-1至6·10-6K-1,优选为2.5·10-6K-1至5·10-6K-1,更优选为3·10-6K-1至4·10-6K-1
12.根据权利要求1至11中任一项所述的连接装置,其中,
至少一个所述接触部分的邻近于直接接触的部件(104.2;304.2)的区域包括固定部分,所述固定部分被设计成在第三方向上固定、尤其是通过形状配合的方式固定所述接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)和所述直接接触的部件(104.2;304.2),所述第三方向横穿所述第一方向和所述第二方向,
其中特别地,以下至少一项适用:
在第三方向上,所述固定部分布置在所述接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)的中心区域中,
在其邻近于所述第一部件(104.2;304.2)的区域中,所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)包括第一固定部分,
在其邻近于所述第二部件(M3)的区域中,所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)包括第二固定部分,
所述固定部分由至少一个突起形成,所述突起在垂直于所述第三方向的平面中延伸,并且在组装状态下接合在所述直接接触的部件(104.2;304.2)的指定凹部中;
在组装状态下,所述固定部分由至少一个粘合结合部形成,所述粘合结合部形成在所述接触部分中的至少一个凹陷的区域中。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的连接装置,其中,
至少一个所述接触部分在其邻近于直接接触的部件(104.2;304.2)的区域中包括补偿部分(110.19),所述补偿部分(110.19)被设计成吸收、尤其是通过弹性变形吸收所述接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)和所述直接接触的部件(104.2;304.2)之间在第三方向上的不同热膨胀,所述第三方向横穿所述第一方向和所述第二方向,
其中特别地,以下至少一项适用:
在其邻近于所述第一部件(104.2;304.2)的区域中,所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)包括第一补偿部分,
在其邻近于所述第二部件(M3)的区域中,所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)包括第二补偿部分(110.19),
所述补偿部分(110.19)由弹性部分(110.20)形成,所述弹性部分(110.20)沿所述第三方向彼此间隔开,并且所述弹性部分(110.20)的弹性特别地沿所述第三方向从所述接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)的中心部分向所述接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)的端部沿所述第三方向增加,其中所述弹性部分(110.20)尤其由板簧状元件(110.20)形成,所述板簧状元件(110.20)的长度朝向所述接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)的端部增加,其中所述板簧状元件(110.20)的不同长度特别地由所述接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)中横跨所述第三方向的不同深度的狭槽(110.21)限定,其中所述狭槽(110.21)的深度沿着所述第三方向增加,特别是从所述接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)的中心部分向端部增加。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的连接装置,其中,
所述第一部件(104.2;304.2)是支撑结构的组成部分,所述支撑结构特别是光学元件的支撑结构,特别是由钢、低热膨胀金属和低热膨胀非金属中的至少一种材料构成,
和/或
所述第二部件(M3)是特别由陶瓷、Zerodur和玻璃中的至少一种材料构成的光学元件;
和/或
所述连接单元(110;210;310;410)特别由钨和钨合金中的至少一种材料构成。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的连接装置,其中,
所述第一部件(104.2;304.2)限定轴向方向、径向方向和周向方向,并且
所述第二方向至少基本上沿着所述径向方向延伸,
其中
所述第一方向至少基本上沿着所述周向方向延伸,
或者
所述第一方向至少基本上沿着所述轴向方向延伸。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的连接装置,其中,
所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)在由所述第一方向和所述第二方向限定的平面中具有大致T形或蘑菇形的切割轮廓,
和/或
所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)具有窄的桥状部分,所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)经由所述桥状部分连接至所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3),其中所述桥状部分的纵向轴线横穿所述第一方向和所述第二方向。
17.一种具有光学元件(M3)的光学装置,所述光学元件(M3)经由根据权利要求1至16中任一项所述的连接装置(109;209;309;409)连接至支撑结构。
18.一种光学成像装置,特别是微光刻光学成像装置,具有
照明装置(102),具有第一光学元件组(102.2),
物体装置(103),用于接收物体(103.3),
投射装置(104),具有第二光学元件组(104.1),以及
图像装置(105),其中
所述照明装置(102)被设计成照明所述物体(103.3),并且
所述投射装置(104)被设计成将所述物体(103.3)的像表示投射到所述图像装置(105)上,
其特征在于
所述照明装置(102)和/或所述投射装置(104)包括至少一个根据权利要求17所述的光学装置(108)。
19.一种通过连接单元(110;210;310;410)连接微光刻成像装置的第一部件(104.2;304.2)和第二部件(M3)的方法,特别用于使用极紫外(EUV)范围内的光的微光刻成像装置,其中
所述连接单元(110;210;310;410)的第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)在组装状态下与所述第一部件(104.2;304.2)接触,
所述连接单元(110;210;310;410)的第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)在组装状态下与所述第二部件(M3)接触,
所述第一接触部分的第一耦接区域(110.5;410.5)和所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)的第二耦接区域(110.6;410.6)被布置为在第一方向上彼此相距耦接区域距离,
所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)和所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)至少在组装状态下通过所述连接单元(110;210;310;410)的具有第一端(110.7)和相对的第二端(110.8)的耦接部分耦接在一起,借助于使所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)的所述第一端(110.7)连接至所述第一耦接区域(110.5;410.5)并且使所述耦接部分的所述第二端(110.8)连接至所述第二耦接区域(110.6;410.6),
所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)至少在组装状态下在所述第一端(110.7)和所述第二端(110.8)之间连接至所述第二接触部分,
其特征在于,
所述第一接触部分(110.1;201.1;310.1;410.1)和/或所述耦接部分(110.3;201.3;310.3;410.3)在组装状态下、在特别由热膨胀引起的、随着所述耦接区域距离的增加而从第一状态到第二状态的状态变化的情况下,将沿第二方向的运动分量施加在所述第二接触部分(110.2;201.2;310.2;410.2)上,并且所述第二方向横穿所述第一方向。
20.一种光学成像方法,特别是微光刻光学成像方法,其中
包括第一光学元件组(102.2)的照明装置(102)对物体(103.3)进行照明,并且
包括第二光学元件组(104.1)的投射装置(104)将所述物体(103.3)的像表示投射到图像装置(105)上,
其特征在于,
所述照明装置(102)和/或所述投射装置(104)的至少一个第一部件(104.2;304.2)通过根据权利要求19所述的方法连接至第二部件(M3),
其中特别地,以下至少一项适用:
所述第一部件(104.2;304.2)是所述照明装置(102)或所述投射装置(104)的光学元件(M3),
所述第二部件(M3)是所述照明装置(102)或所述投射装置(104)的支撑结构的一部分。
CN202280054593.2A 2021-08-09 2022-08-08 用于光学元件的支撑件 Pending CN117795428A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102021208628.4A DE102021208628A1 (de) 2021-08-09 2021-08-09 Abstützung eines optischen elements
DE102021208628.4 2021-08-09
PCT/EP2022/072186 WO2023016961A1 (de) 2021-08-09 2022-08-08 Abstützung eines optischen elements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117795428A true CN117795428A (zh) 2024-03-29

Family

ID=83151679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280054593.2A Pending CN117795428A (zh) 2021-08-09 2022-08-08 用于光学元件的支撑件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240159988A1 (zh)
CN (1) CN117795428A (zh)
DE (1) DE102021208628A1 (zh)
WO (1) WO2023016961A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022101921A1 (de) * 2022-01-27 2023-07-27 Toptica Photonics Ag Halteanordung für ein optisches Element

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
JP4809987B2 (ja) 2000-03-30 2011-11-09 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、それを用いた露光装置及び半導体デバイスの製造方法
DE10317667A1 (de) 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
DE102009024870A1 (de) * 2008-06-10 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Optische Einrichtung mit einstellbarer Kraftwirkung auf ein optisches Modul
DE102013201264A1 (de) * 2013-01-28 2014-02-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungselement zur Kompensation unterschiedlicher thermischer Ausdehnung der verbundenen Körper
DE102015226531A1 (de) 2015-04-14 2016-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102018124483B3 (de) * 2018-03-15 2018-12-13 Jenoptik Optical Systems Gmbh Optikbaugruppe mit einem Optikelement mit einer planen Montagefläche großer Ausdehnung

Also Published As

Publication number Publication date
US20240159988A1 (en) 2024-05-16
DE102021208628A1 (de) 2023-02-09
WO2023016961A1 (de) 2023-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI497219B (zh) 成像光學系統
KR20040023629A (ko) 투영 광학계 및 상기 투영 광학계를 구비한 노광 장치
US20240159988A1 (en) Support for an optical element
JP2003107354A (ja) 結像光学系および露光装置
KR19980703208A (ko) 이중 통과 와인-다이슨 광학계를 갖춘 스캐닝 리소그래피 시스템
US20240176249A1 (en) Optical element, projection optical unit and projection exposure apparatus
WO2024179896A1 (en) Optical assembly, optical system and projection exposure apparatus
KR100331063B1 (ko) 역운동을 갖는 스캐닝 리소그래피 시스템
CN110945429A (zh) 投射光刻中用于成像光的光束引导的光学元件
US20240012334A1 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography
US9645388B2 (en) Facet mirror device
TW202411789A (zh) 半導體微影的投影曝光裝置
WO2023237452A1 (en) Component for a projection exposure apparatus for semiconductor lithography and projection exposure apparatus
JP2004078209A (ja) 保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
CN117546098A (zh) 用于半导体光刻的投射曝光设备
US7268855B2 (en) Projection optical system
KR20170060172A (ko) 반사 결상 광학계
US20230236516A1 (en) Support for an optical element
KR20200054976A (ko) 투영 리소그래피용 투영 노광 장치의 광학 시스템을 위한 광학 구성요소로서 미러를 제조하는 방법
US20230288661A1 (en) Assembly having a decoupling joint for mechanically mounting an element
TW200907588A (en) Catoptric reduction projection optical system, exposure apparatus, and method for manufacturing device
KR20200106903A (ko) 투영 리소그래피에서의 결상 광의 빔 안내를 위한 광학 요소
WO2023208590A1 (en) Supporting components of an optical device
WO2023194220A1 (en) Device and method for aligning two components
JP2024521841A (ja) 投影露光装置及び投影露光装置のコンポーネントを設計する方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination