TW202319784A - 用於微影投射曝光裝置的反射鏡 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種用於微影投射曝光裝置（1）的反射鏡，其中該反射鏡具有一反射鏡本體（26），該反射鏡本體包含一第一反射鏡部件（28）、一第二反射鏡部件（29）與一用於反射光的光學面（27）、及複數個冷卻通道（32）。該光學面（27）配置在該第一反射鏡部件（28）上，並具有曲面設計。該第一反射鏡部件（28）和該第二反射鏡部件（29）係在該第一反射鏡部件（28）之第一連接面（30）與該第二反射鏡部件（29）之第二連接面（31）之該區域中彼此剛性連接。該第一連接面（30）和該第二連接面（31）具有平面設計。該第一連接面（30）配置在相距該光學面（27）的距離處，且該等冷卻通道（32）配置在相距該光學面（27）的明視距離處。該等冷卻通道（32）與該光學面（27）之間的該明視距離的百分比變化率係較低於該第一連接面（30）與該光學面（27）之間的該距離。

Description

用於微影投射曝光裝置的反射鏡

本發明係關於一種用於微影投射曝光裝置的反射鏡。再者，本發明係關於一種照明系統、一種投射光學單元、和一種具有此反射鏡的投射曝光裝置。

投射曝光裝置特別是使用在半導體之該生成，且大體上具有一照明系統及一投射光學單元。該照明系統從光源之該光產生用於倍縮光罩（亦稱為光罩）之該照明的所需光分佈。該投射光學單元係用於將該倍縮光罩成像到例如已應用在晶圓或另一基材（特別是由半導體材料製成）的光敏材料上。如此，該光敏材料係以結構化方式暴露於由該倍縮光罩所預先定義的圖案。由於該倍縮光罩具有欲具高精確度轉發到該基材的微小結構元件，因此要求該照明系統精確且可再現產生所需光分佈，且由該投射光學單元的該成像精確且可再現發生。

除了更多光學元件之外，該照明系統和該投射光學單元可在該光路徑中具有至少一反射鏡，其藉由其光學面處的反射而以預先定義方式偏轉該光。該光偏轉具體而言如何發生依該光學面之該形狀而定。由於該反射鏡並未完全反射光，而是吸收光之一部位並將其轉換為熱量，因此該反射鏡在操作期間發熱。此溫度提高導致該反射鏡材料之熱膨脹，以及該反射鏡之該光學面之相關聯變形，以及該光學面處該光偏轉之影響。若該反射鏡係該照明系統之組成部分，則由該照明系統所產生的該光分佈偏離該規格。若該反射鏡係該投射光學單元之組成部分，則成像像差將在使用該投射光學單元的該成像期間發生。

藉由使用具有極低熱膨脹係數的材料，該光學面之該變形迄今係一直能夠保持在可接受限制內。然而，該等可用光源變得越來越強大，該溫度提高和該等所得到的問題將越大。此外，隨著半導體製造中的該微型化增加，該倍縮光罩之該照明和該成像係需要具越來越高的精確度執行。該結果係越來越多的影響因素係必須列入考慮，這迄今一直可能容忍，或用於補償該等影響因素的已現有的措施係必須改良或由更好措施所代換。

已知藉由冷卻該反射鏡而抵消微影投射曝光裝置之反射鏡之該加熱。例如，專利案第US 7591561 B2號揭示一種具有凹面曲面光學面的內冷卻式反射鏡。該已知反射鏡具有每個皆具連接面的頂部和底部，在該連接面區域中該頂部和該底部係彼此連接。從該各自連接面延伸到該材料中的冷卻通道，係形成在該頂部或該底部中。在一變體中，該等連接面係類似曲面形成到該光學面，且該頂部或該底部因此具有曲面冷卻通道。此變體具有該頂部與該底部之間的該連接之該生成係非常困難流程的缺點。在一進一步變體中，該等連接面具有平面設計，且該頂部或該底部具有平面冷卻通道。此一進一步變體的問題在於，該凹面光學面之該中心區域係比該周邊區域更冷卻，結果不均勻溫度分佈在該投射曝光裝置之該操作狀態下，形成在該反射鏡之該光學面之該區域中。因此，不可能對於該整個光學面皆維護最佳操作溫度，並因此發生非所需熱膨脹，這負面影響該反射鏡之該等光學性質。

本發明係基於形成用於微影投射曝光裝置的反射鏡之該目的使得前述反射鏡可採用可接受經濟效益生成，並在該投射曝光裝置之該操作期間表明其光學性質之熱誘發影響盡可能小。

此目的係藉助於諸協調請求項之特徵之該等組合達成。

根據本發明用於微影投射曝光裝置的該反射鏡具有反射鏡本體，其包含一第一反射鏡部件、一第二反射鏡部件、一用於反射光的光學面、及複數個冷卻通道。該光學面配置在該第一反射鏡部件上，並具有曲面設計。該第一反射鏡部件和該第二反射鏡部件係在該第一反射鏡部件之第一連接面與該第二反射鏡部件之第二連接面之該區域中彼此剛性連接。該第一連接面和該第二連接面具有平面設計。該第一連接面配置在與該光學面有距離處，且該等冷卻通道配置在與該光學面明視距離（clear distance）處。該等冷卻通道與該光學面之間的該明視距離的百分比位置相依變化率係低於該第一連接面與該光學面之間的該距離。

本發明具有的優勢在於，該反射鏡本體可採用可接受經濟效益生成，因為該第一反射鏡部件和該第二反射鏡部件之該等連接面具有平面設計，並因此可借助於已知接合技術彼此連接。儘管該等連接面之該平面設計，但可藉由該等冷卻通道與該光學面之間的該明視距離之該低位置相依變化而確保該反射鏡本體在該光學面之該區域中之相對較均勻冷卻發生，且此區域可維護在僅具有較小空間變動的所需溫度下。如此，在該投射曝光裝置之該操作期間，該反射鏡之該等光學性質之熱誘發影響可保持很低。在此，若該第一反射鏡部件之該材料係以使得該材料在該所需溫度下之該熱膨脹為最小的方式適應於該所需溫度，則特別具優勢。

該等冷卻通道可從該第一連接面延伸到該第一反射鏡部件中的第一深度。該等冷卻通道與該光學面之間的小距離，以及因此能夠藉此實現良好冷卻效應。

在該等冷卻通道之該縱向範圍之最大區域上，該等冷卻通道與該光學面之間的該明視距離可至少對於一些冷卻通道在每種情況下為恆定。在特別是在該等冷卻通道之該整個縱向範圍上，該等冷卻通道與該光學面之間的該明視距離在每種情況下可為恆定。這在該光學面之該區域中，使得特別均勻冷卻效應以及因此可有特別均勻溫度分佈。

再者，在該等冷卻通道之該縱向範圍之最大區域上面，該等冷卻通道與該光學面之間之該明視距離可至少對於一些冷卻通道為恆定，並對於前述冷卻通道具有相同值。特別是在該等冷卻通道之該整個縱向範圍上面，該等冷卻通道與該光學面之間的該明視距離可為恆定，並對於前述冷卻通道具有相同值。這使得進一步改良該溫度分佈之均勻成為可能。

此外，本發明係關於一種用於微影投射曝光裝置的反射鏡，其中該反射鏡具有反射鏡本體包含一第一反射鏡部件、一第二反射鏡部件、一用於反射光的光學面；及複數個冷卻通道。該光學面配置在該第一反射鏡部件上，並具有曲面設計。該第一反射鏡部件和該第二反射鏡部件係在該第一反射鏡部件之第一連接面以及該第二反射鏡部件之第二連接面之該區域中彼此剛性連接。該第一連接面和該第二連接面具有平面設計。該等冷卻通道從該第一連接面延伸到該第一反射鏡部件中的第一深度。該第一深度隨著至少對於一些冷卻通道的該位置而定變化。

至少對於一些冷卻通道，該第一深度可沿著該等冷卻通道之該縱向範圍變化。此外，至少對於一些冷卻通道，該第一深度可沿著垂直於該等冷卻通道之該縱向範圍延伸的線具有不同值。

該等冷卻通道可每個具有針對該第一深度的最小值和最大值，且該等最小值可對於至少一些冷卻通道不同及/或該等最大值可對於至少一些冷卻通道不同。

該等冷卻通道可從該第二連接面延伸到該第二反射鏡部件中的第二深度。該第二深度可隨著至少對於一些冷卻通道的該位置而定變化。特別係，該深度可至少對於沿著該等冷卻通道之該縱向範圍的一些冷卻通道變化。替代或附加上，至少對於一些冷卻通道，該第二深度可沿著垂直於該等冷卻通道之該縱向範圍延伸的線具有不同值。這些措施提供補償該第一深度方面的該變化之該可能性。特別係，至少一些冷卻通道可越過其縱向範圍之最大區域或甚至越過其整個縱向範圍具有恆定橫截面。

至少一些冷卻通道可在其縱向範圍之最大區域上面平行於該光學面延伸。特別係，這些冷卻通道可越過其整個縱向範圍平行於該光學面延伸。這允許非常均勻冷卻。

該等冷卻通道可使得流體可連續流過每個冷卻通道的方式，設計及/或連接到用於將流體供應到該等冷卻通道中的流體分配器，以及用於將該流體從該等冷卻通道移除的流體收集器。該流體分配器和該流體收集器可形成為在空間上彼此分開。特別係，該等冷卻通道可經設計及/或連接到該流體分配器和該流體收集器，使得該流體在每種情況下通過其縱向範圍之最大部分，較佳為其縱向範圍之至少90%，更佳為越過其整個縱向範圍連續流過該等冷卻通道。再者，該等冷卻通道可經設計及/或連接到該流體分配器和該流體收集器， 使得該流體可在每種情況下連續流過其體積之最大部分、較佳為其體積之至少90%，更佳為通過其整個體積。替代或附加上，該等冷卻通道可經設計及/或連接到該流體分配器和該流體收集器，使得該流體每種情況下可連續流過其橫截面之最大部分，較佳為其橫截面之至少90%，更佳為通過其整個橫截面。再者，該等冷卻通道可經設計及/或連接到該流體分配器和該流體收集器，使得在每種情況下，形成該各自冷卻通道與該光學面之該明視距離的邊界表面之最大部分、較佳為該邊界表面之至少90%，更佳為該整個邊界表面可連續由該流動流體所潤濕。

該等冷卻通道可流體連通到該流體分配器和該流體收集器。特別係，該等冷卻通道可經由第一流體連接以連接到該流體分配器，並透過第二流體連接連接到該流體收集器。在此，該第一流體連接和該第二流體連接可形成在空間上彼此分開。該等冷卻通道可就其縱向範圍在相對端部區域中，流體連通到該流體分配器和該流體收集器。

該等先前所提及條件之一或多者在每種情況下對於該等冷卻通道之最大部分，較佳為對於該等冷卻通道之至少90%，更佳為對於所有冷卻通道皆滿足。

再者，本發明係關於一種具有根據本發明的反射鏡的微影照明系統。此照明系統的優勢在於，即使在高光輸出之該情況下，仍可精確觀察到該所產生照明光的該等規格。

此外，本發明係關於一種具有根據本發明的反射鏡的微影投射光學單元。此類投射光學單元具有非常低的熱誘發成像像差。

最後，本發明係關於一種包含根據本發明的一照明系統及/或根據本發明的一投射光學單元的微影投射曝光裝置。

在此投射曝光裝置中，也有設計該等冷卻通道使得在該投射曝光裝置之該操作期間提供用於具較高光強度照射的該光學面之區域，係比在該投射曝光裝置之該操作期間提供用於具較低光強度照射的該光學面之區域更冷卻之該可能性。此優勢在於，可適當冷卻，且儘管不均勻的光強度分佈，但可達成大致均勻的溫度分佈。該反射鏡之該不均勻冷卻也可實現，而無關於根據本發明的該反射鏡之多個其他前述特徵之一或多者。

例如，較大冷卻可由於該等冷卻通道與該光學面之間的較小明視距離、及/或該第一連接面之每單位面積冷卻通道之較多數量、及/或該等冷卻通道之較大橫截面而達成。

圖1以經向截面示意性顯示用於EUV投射微影的投射曝光裝置1之示例性具體實施例。

以下，微影投射曝光裝置1之該等主要組件部分首先係藉由參考圖1的範例而說明。在此，投射曝光裝置1及其組件之該基本構造之該說明內容係不應理解為限制。

除了光或輻射源3之外，投射曝光裝置1之照明系統2之一具體實施例具有一用於照明物件平面6中的物件場5的照明光學單元4。在一替代性具體實施例中，輻射源3可亦提供為與該剩餘的照明系統的分開模組。在這情況下，該照明系統不包含輻射源3。

設置在物件場5中的倍縮光罩7係暴露。倍縮光罩7係由倍縮光罩載具8所固持。倍縮光罩載具8可藉由倍縮光罩移置驅動器9而移置，特別是在掃描方向上。

為了解說之目的，笛卡爾（Cartesian）xyz座標系統係顯示在圖1中。該x方向垂直延伸到該圖式之該平面中。該y方向水平延伸，而該z方向垂直延伸。該掃描方向在圖1中沿著該y方向延伸。該z方向垂直於物件平面6延伸。

投射曝光裝置1包含一投射光學單元10。投射光學單元10用於將物件場5成像到影像平面12中的影像場11中。影像平面12平行於物件平面6延伸。或者，不同於0°的物件平面6與影像平面12之間的角度也可能。

倍縮光罩7上的結構係成像到設置在影像平面12中的影像場11之該區域中的晶圓13或某其他基材之光敏層上。晶圓13係由晶圓載具14所固持。晶圓載具14可藉由晶圓移置驅動器15而移置，特別是沿著該y方向。一方面倍縮光罩7藉由倍縮光罩移置驅動器9以及另一方面晶圓13藉由晶圓移置驅動器15之該移置，可以彼此同步的方式發生。

輻射源3係EUV輻射源。輻射源3發出在以下亦稱為所使用輻射或照明光的照明輻射16。在所示的該示例性具體實施例中，照明輻射16具有在該EUV範圍內、特別是在5 nm至30 nm之間範圍內的波長。輻射源3可為電漿源，例如雷射引發電漿（Laser produced plasma，LPP）源或氣體放電引發電漿（Gas discharge produced plasma，GDPP）源。其也可為同步加速器型輻射源。同樣地，輻射源3可為自由電子雷射（Free electron laser，FEL）。

從輻射源3出射的照明輻射16係由收集器17所聚焦。收集器17可為具一或多個橢圓體（ellipsoidal）及/或雙曲面（hyperboloidal）反射表面的收集器。照明輻射16可採用掠入射（Grazing incidence，GI）（即以大於45°之入射角）或採用正向入射（Normal incidence，NI）（即以小於45°之入射角）入射在收集器17之該至少一反射表面上。收集器17可為一方面為了最佳化其對於照明輻射16的反射率、以及另一方面為了抑制外來光而結構化及/或塗佈。

在收集器17之下游，照明輻射16通過中間焦平面18中的中間焦點傳播。中間焦平面18可代表具有輻射源3和收集器17的輻射源模組與照明光學單元4之間的分開物。

照明光學單元4包含一偏轉反射鏡19；及一第一分面鏡20，其在該偏轉反射鏡下游設置在該射束路徑中。偏轉反射鏡19可為平面偏轉反射鏡，或者具不僅僅是該全然偏轉效應的射束影響效應的反射鏡。替代或附加上，偏轉反射鏡19可為將照明輻射16之所使用光波長與具偏差波長的外來光分開的頻譜過濾器（spectral filter）形式。若第一分面鏡20配置在作為場平面與物件平面6光學共軛的照明光學單元4之平面中，則其亦稱為場分面鏡。第一分面鏡20包含眾多個別第一分面21，其在以下亦稱為場分面。這些第一分面21之只有一些者係在圖1中藉由範例顯示。

該等第一分面（facet）21可為宏觀分面形式，特別是作為矩形分面或作為具拱形（Arcuate）周邊輪廓或部分圓形之周邊輪廓的分面。該等第一分面21可為平面分面形式，或者作為凸面或凹面曲面分面。

例如從專利案第DE 10 2008 009 600 A1號可知，該等第一分面21自身在每種情況下可亦由眾多個別反射鏡（特別是眾多微反射鏡）組成。特別係，第一分面鏡20可形成為微機電系統（Microelectromechanical system，MEMS system）。若要更多詳細資訊，請參考專利案第DE 10 2008 009 600 A1號。

在收集器17與偏轉反射鏡19之間，照明輻射16水平行進，亦即沿著該y方向。

在照明光學單元4之該射束路徑中，第二分面鏡22配置在第一分面鏡20之下游。若第二分面鏡22配置在照明光學單元4之光瞳平面中，則其亦稱為光瞳分面鏡。第二分面鏡22可亦配置在相距照明光學單元4之光瞳平面的距離處。在這情況下，第一分面鏡20和第二分面鏡22之該組合亦稱為鏡面反射體（Specular reflector）。鏡面反射體可從專利案US 2006/0132747 A1、EP 1 614 008 B1、和US 6,573,978獲知。

第二分面鏡22包含複數個第二分面23。在光瞳分面鏡之該情況下，該等第二分面23亦稱為光瞳分面。

該等第二分面23同樣可為宏觀分面（macroscopic facet），其可例如具有圓形、矩形、或六角形周邊，或者可為由微反射鏡構成的分面。就此點而言，同樣請參考專利案第DE 10 2008 009 600 A1號。

該等第二分面23可具有平面或者凸面或凹面曲面反射表面。

所以，照明光學單元4形成雙分面系統。此基本原理亦稱為複眼聚光器（fly’s eye condenser）（複眼整合器（fly’s eye integrator））。

將第二分面鏡22不確切設置在與投射光學單元10之光瞳平面光學共軛的平面中可具優勢。特別係，第二分面鏡22可配置成相對於投射光學單元10之光瞳平面為傾斜，如例如在專利案第DE 10 2017 220 586 A1號中所說明。

借助於第二分面鏡22，該等個別第一分面21係成像到物件場5中。第二分面鏡22係該最後射束成形反射鏡，或者事實上用於物件場5之上游的該射束路徑中的照明輻射16的該最後反射鏡。

在照明光學單元4之一進一步具體實施例（未顯示）中，特別是有助於該等第一分面21之該成像到物件場5中的轉發光學單元，可設置在第二分面鏡22與物件場5之間的該射束路徑中。該轉發光學單元可確切具有一反射鏡，或者替代上具有兩或多個反射鏡，其係逐一配置在照明光學單元4之該射束路徑中。特別係，該轉發光學單元可包含一或兩正向入射反射鏡（NI反射鏡），及/或一或兩掠入射反射鏡（GI反射鏡）。

在圖1中所示的該具體實施例中，照明光學單元4在收集器17之下游確切具有三個反射鏡，具體而言偏轉反射鏡19、第一分面鏡20、和第二分面鏡22。

在照明光學單元4之一進一步具體實施例中，也無需偏轉反射鏡19，並因此照明光學單元4隨後可在收集器17之下游確切具有兩反射鏡，具體而言第一分面鏡20和第二分面鏡22。

藉助該等第二分面23或使用該等第二分面23及一轉發光學單元，該等第一分面21之該成像到物件平面6時常僅係大致成像。

投射光學單元10包含複數個反射鏡Mi，其係根據其在投射曝光裝置1之該射束路徑中的配置連續編號。

在圖1中所示的該實例中，投射光學單元10包含六個反射鏡M1至M6。具四、八、十、十二、或任何其他個數之反射鏡Mi的替代例同樣可能。投射光學單元10係雙重遮蔽（Twice-obscured）光學單元。該倒數第二反射鏡M5和該最後反射鏡M6在每種情況下具有一通口，通過該通口，在晶圓13之該曝光期間，有助於該曝光的該輻射即將從倍縮光罩7傳遞到晶圓13。投射光學單元10具有大於0.5、並可亦大於0.6、並可為例如0.7或0.75的影像側數值孔徑。

該等反射鏡Mi之該等反射表面可為無旋轉對稱軸的自由曲面（Freeform surfaces）形式。替代上，該等反射鏡Mi之該等反射表面可設計為具該反射表面形狀之確切一旋轉對稱軸的非球面表面。就如同照明光學單元4之該等反射鏡，該等反射鏡Mi可具有用於照明輻射16的高度反射塗佈。這些塗佈可設計為多層塗佈，特別是具鉬和矽之交替層。

投射光學單元10在物件場5之中心之y座標與影像場11之該中心之y座標之間的該y方向上具有很大物件影像偏移。該y方向上的此物件影像偏移可為與物件平面6與影像平面12之間的z距離大致相同大小。

特別係，投射光學單元10可具有漸變（anamorphic）形式。特別係，其在該等x與y方向上具有不同成像尺度βx、βy。投射光學單元10之該等兩個成像尺度βx、βy較佳為係(βx, βy) = (+/-0.25, +/-0.125)。正成像尺度β意指無影像反轉的成像。用於該成像尺度β的負號意指有影像反轉的成像。

所以，投射光學單元10在該x方向上（即在垂直於該掃描方向的方向上）導致具4:1之比率的大小減小。

投射光學單元10在該y方向上（即在該掃描方向上）導致8:1之大小縮減。

其他成像尺度同樣為可能。在該x方向和y方向上具相同符號和相同絕對值的成像尺度也可能，例如具0.125或0.25之絕對值。

在物件場5與影像場11之間的該射束路徑中，在該x方向上以及在該y方向上的中間影像平面之該數量可相同或（依投射光學單元10之該具體實施例而定）可不同。在該x方向和y方向上具不同數量之此類中間影像的投射光學單元10之實例從專利案US 2018/0074303 A1獲知。

在每種情況下，該等第二分面23之一者係分派給該等第一分面21確切之一者，以供分別形成用於照明物件場5的照明通道。特別係，這可根據科勒原理（Köhler principle）生成照明。該遠場（Far field）係借助於該等第一分面21分解成眾多物件場5。該等第一分面21在分別分派給其的該等第二分面23上生成該中間焦點之複數個影像。

藉由所分派第二分面23，該等第一分面21在每種情況下係為了照明物件場5之該等目的，而以彼此疊加的方式成像到倍縮光罩7上。特別係，物件場5之該照明係盡可能均勻。其較佳為具有小於2%之均勻性誤差。該場均勻性可藉由不同照明通道之該疊加而達成。

投射光學單元10之該入射光瞳之該全區域照明可由該等第二分面23之配置而幾何形狀定義。在投射光學單元10之該入射光瞳中，該強度分佈可藉由選擇該等照明通道（特別是引導光的該等第二分面23之該子集）而設定。此強度分佈亦稱為照明設定或照明光瞳填充。

在以所定義方式所照明的照明光學單元4之照明光瞳之區段之該區域中，同樣較佳光瞳均勻性可藉由該等照明通道之重新分佈達成。

物件場5之該照明以及特別是投射光學單元10之該入射光瞳之更多態樣和詳細資訊係在以下說明。

特別係，投射光學單元10可具有同心（Homocentric）入射光瞳。後者可為可使用（accessible）。其亦為可不使用。

投射光學單元10之該入射光瞳經常係無法採用第二分面鏡22確切照明。當成像投射光學單元10（其將第二分面鏡22之該中心遠心（telecentrically）成像到晶圓13上）時，該等孔徑光線時常不會相交在單一點處。然而，可找到其中成對所判定的該等孔徑光線之該距離變得最短的區域。此區域代表該入射光瞳或與其共軛的真實空間中的區域。特別係，此區域具有有限曲率。

對於該切向射束路徑以及對於該徑向（sagittal）射束路徑，投射光學單元10可能具有該入射光瞳之不同定位。在這情況下，成像元件（特別是該轉發光學單元之光學組件）係應提供在第二分面鏡22與倍縮光罩7之間。借助於此光學元件，該切向入射光瞳和該徑向入射光瞳之該等不同定位可列入考慮。

在圖1中所示的照明光學單元4之該等部件之該配置中，第二分面鏡22配置在與投射光學單元10之該入射光瞳共軛的區域中。第一分面鏡20係配置成相對於物件平面6為傾斜。第一分面鏡20係配置成相對於由偏轉反射鏡19所定義的配置平面為傾斜。

第一分面鏡20係相對於由第二分面鏡22所定義的配置平面以傾斜方式設置。

圖2以示意例示圖顯示用於DUV投射微影的投射曝光裝置1之示例性具體實施例。在此，DUV表示「深紫外光（Deep ultraviolet）」。特別係，投射曝光裝置1可為設計供在193 nm之波長下操作。

投射曝光裝置1具有一照明光學單元4及一投射光學單元10。照明光學單元4之該內部結構以及投射光學單元10之該內部結構（其在每種情況下可能包含例如光學組件、感測器、操縱器等）並未詳細顯示。在投射光學單元10之該情況下，反射鏡M係指示為代表其光學組件。該反射鏡M可為借助於由冷卻器件24所提供的冷卻介質冷卻。該冷卻介質係流體，例如水。替代或附加上，照明光學單元4可具有冷卻式反射鏡M和相關聯冷卻器件24。投射光學單元10及/或照明光學單元4可亦具有複數個冷卻式反射鏡M和冷卻器件24。在照明光學單元4之該情況下以及在投射光學單元10之該情況下，透鏡和更多反射鏡（冷卻或未冷卻）可例如存在更多光學組件。

按此類推，至少一冷卻器件24（其可例如連接到該反射鏡M3）可亦設置在圖1中所示的投射曝光裝置1之該示例性具體實施例中。

投射曝光裝置1之該操作所需輻射係由輻射源3所產生。特別係，輻射源3可為一產生193 nm波長照明輻射16的準分子雷射，例如氟化氬（Argon fluoride）雷射。

設置在照明光學單元4與投射光學單元10之間係倍縮光罩載具8，其上固定是倍縮光罩7，亦稱為光罩。倍縮光罩載具8具有倍縮光罩移置驅動器9。沿輻射之該方向上看，設置在投射光學單元10之下游係晶圓載具14，其承載晶圓13或一些其他基材並具有晶圓移置驅動器15。

再者，圖2亦顯示一控制器件25，其係連接到照明光學單元4、投射光學單元10、冷卻器件24、輻射源3、倍縮光罩載具8或倍縮光罩移置驅動器9、和晶圓載具14或晶圓移置驅動器15。按此類推，圖1之投射曝光裝置1同樣可具有可為連接到對應組件的控制器件25。

投射曝光裝置1用於將倍縮光罩7以高精確度成像到晶圓13上之該目的。為此目的，倍縮光罩7係借助於照明光學單元4照明，且所照明倍縮光罩7係借助於投射光學單元10成像到晶圓13上。具體而言，採用以下流程：

照明光學單元4藉助其光學組件以確切所定義方式變換由輻射源3所產生的照明輻射16，並將其引導到倍縮光罩7上。依該具體實施例而定，照明光學單元4可 形成照明整個倍縮光罩7或僅倍縮光罩7之部分區域。照明光學單元4能夠照明倍縮光罩7，使得在倍縮光罩7之每個所照明點處，有幾乎等同的照明條件。特別係，入射的照明輻射16之該強度和該角度分佈，對於倍縮光罩7之每個所照明點為幾乎等同。

照明光學單元4係能夠視需要而定採用眾多不同角度分佈之照明輻射16照明倍縮光罩7。照明輻射16之這些角度分佈亦稱為照明設定。大體上，該所需照明設定係依倍縮光罩7上所形成的該等結構元件而定選擇。舉例來說，相對較時常所使用的係雙極或四極照明設定，在這情況下，照明輻射16係分別從兩不同方向或從四個不同方向入射在倍縮光罩7之每個所照明點上。依照明光學單元4之該形式而定，該等不同照明設定可為例如藉助結合變焦旋轉三稜鏡（Axicon）光學單元的不同繞射光學元件或藉助反射鏡陣列（其在每種情況下具有彼此相鄰所設置並個別可相對於其角度定位設定的眾多小反射鏡）生成。

倍縮光罩7可例如形成為玻璃板，其對由照明光學單元4所供應的照明輻射16為透明，且應用於其係不透明結構，例如鉻塗佈形式。

投射曝光裝置1可為形成，使得整個倍縮光罩7係由照明光學單元4同時照明，並係在單一曝光步驟中由投射光學單元10所完全成像到晶圓13上。

替代上，投射曝光裝置1可亦形成，使得倍縮光罩7之僅部分區域係由照明光學單元4同時照明，且倍縮光罩移置驅動器9係由控制器件25所控制，使得在晶圓13之該曝光期間，倍縮光罩7係相對於照明光學單元4移動，因此該所照明部分區域整體在倍縮光罩7上面遷移。晶圓13係由晶圓移置驅動器15之合適適應控制所同步移動，其中投射光學單元10之該等成像性質也列入考慮，並因此倍縮光罩7之該分別所照明部分區域係成像到為其所提供的晶圓13之部分區域上。倍縮光罩7和晶圓13之這類移動亦稱為掃描。

在投射曝光裝置1之這兩具體實施例中，為了能夠將由晶圓13之該曝光所生成的該潛像（Latent image）轉發到實體結構中，光敏層係應用於晶圓13。倍縮光罩7之該影像係藉由曝光而形成在此光敏層中，且永久結構可借助於後續化學製程從其生成在晶圓13上。

大體上，倍縮光罩7係彼此相鄰不僅一次而是很多次成像到晶圓13上。為此目的，在倍縮光罩7之每次成像到晶圓13上之後，晶圓載具14皆係以對應於晶圓13上倍縮光罩7之該影像之該大小的方式側向移置。在此，倍縮光罩7之該成像在每種情況下可整體或順序藉由掃描而進行。晶圓13之該化學處理係只在倍縮光罩7之成像到晶圓13上之該所需次數係已執行時開始。

圖3顯示根據本發明所體現的反射鏡本體26之第一示例性具體實施例之示意截面例示圖。圖4顯示該第一示例性具體實施例之一進一步示意截面例示圖，其中該截面平面係關於圖3轉動90度。

反射鏡本體26可為例如根據圖1的該反射鏡M3或根據圖2的該反射鏡M之組成部分，並可由具有非常低的熱膨脹係數的材料製成。合適材料係例如特殊玻璃，特別是摻雜有氧化鈦（Titanium oxide）的石英玻璃、或特殊玻璃陶瓷。

反射鏡本體26具有反射光學面27。光學面27為曲面。依該等所需光學性質而定，光學面27可為凸面或凹面曲面。在該第一示例性具體實施例中，光學面27為凸面曲面。該曲率可為球面、非球面、或根據自由曲面形成。光學面27可藉由塗佈實施。該塗佈之該形成依光學面27欲生成其反射效應所在的該波長而定。在所需反射在該EUV範圍內的情況下，即在圖1之該反射鏡M3之該情況下，該塗佈可特別以交替順序從矽和鉬之層形成。相較之下，若提供該DUV範圍內的反射，即在圖2之該反射鏡M之該情況下，則該塗佈可形成為鋁層。

反射鏡本體26包含一第一反射鏡部件28及一第二反射鏡部件29，其在第一反射鏡部件28之平面第一連接面30以及第二反射鏡部件29之平面第二連接面31之該區域中彼此聯接，並為彼此剛性連接。該等反射鏡部件28、29之間的該連接可例如藉由接合技術而實現。為此目的，第一反射鏡部件28之第一連接面30以及第二反射鏡部件29之第二連接面31係具高精確度形成為平面，並研磨成低粗糙度。其後，第一反射鏡部件28之第一連接面30以及第二反射鏡部件29之第二連接面31係朝向彼此移動（可能具熱量供應）直到機械接觸為止，且其可能附加係抵著彼此壓住。在該製程中，共價鍵係形成在第一反射鏡部件28之該材料與第二反射鏡部件29之該材料之間。然後，該等反射鏡部件28、29永久彼此黏附，即使該接觸壓力係不再維護。

在該第一示例性具體實施例中，光學面27配置在第一反射鏡部件28上，精確而言係在其背離第二反射鏡部件29的側面上。第一反射鏡部件28在其第一連接面30之該區域中具有複數個冷卻通道32，其彼此平行延伸朝向第一連接面30開口，並從第一連接面30延伸到第一反射鏡部件28中。這也從圖5明白。

圖5顯示反射鏡本體26之該第一示例性具體實施例之第一反射鏡部件28之示意平面圖。從圖5明白，該等冷卻通道32係在第一反射鏡部件28之第一連接面30之該區域中形成為分開平行細長凹槽。圖3之該截面平面平行於該等冷卻通道32之該等縱向延伸部延伸，而圖4之該截面平面與其垂直延伸。

該等冷卻通道32配置在相距光學面27的明視距離A處，並可具有例如由該等冷卻通道32之第一深度T1和寬度B所界定出的矩形橫截面。在每種情況下，該第一深度T1皆指出該等冷卻通道32垂直於第一反射鏡部件28之第一連接面30到第一反射鏡部件28中之該範圍。在每種情況下，該寬度B皆指示該等冷卻通道32垂直於其縱向範圍並平行於第一反射鏡部件28之第一連接面30之該範圍。該等冷卻通道32與光學面27之該明視距離A為恆定，原因係將在以下更詳細解說。為了達成此，儘管光學面27之該曲率在每種情況下皆越過該縱向範圍之最大區域或甚至越過該等冷卻通道32之該整個縱向範圍，但該等冷卻通道32之該第一深度T1沿著其縱向範圍變化。此外，該等個別冷卻通道32每個皆對於其縱向範圍之對應位置處的該第一深度T1具有不同值，因為光學面27也係沿著垂直於該等冷卻通道32之該縱向範圍的方向彎曲。換言之，該第一深度T1沿著垂直於該等冷卻通道32之該縱向範圍延伸的線具有不同值。在這情況下，該第一深度T1可在每種情況下皆在該等冷卻通道32內變化，即該等冷卻通道32可具有例如曲面底部。同樣也可能是，沿著前述線彼此接著的該等個別冷卻通道32對於前述線之該區域中的該第一深度T1具有不同值。對於一些冷卻通道32、對於該等冷卻通道32之最大部分、或對於所有冷卻通道32，該等所述條件可滿足。

從圖3明白，第二反射鏡部件29在其第二連接面31之該區域中具有流體分配器33和流體收集器34，其在每種情況下係設計為在第二連接面31之該方向上的開口，使得其與第一反射鏡部件28之該等冷卻通道32之該等相對端部區域重疊彼此相對置放。換言之，流體分配器33與圖3中該左側所例示的該等冷卻通道32之該等端部區域重疊，而流體收集器34與圖3中該右側所例示的該等冷卻通道32之該等端部區域重疊。如此，形成該等冷卻通道32與流體分配器33之間的第一流體連接，並形成該等冷卻通道32與流體收集器34之間的第二流體連接。從圖6明白流體分配器33與流體收集器34之該等形成。

圖6顯示反射鏡本體26之該第一示例性具體實施例之第二反射鏡部件29之示意平面圖。流體分配器33在與其相對置放的該周邊之該方向上（即在圖6中朝向該右側），從第二反射鏡部件29之第二連接面31之該周邊延伸，這係例示在圖6中該左側。在此，流體分配器33橫向於前述範圍之該方向之該等尺寸快速增加，亦即流體分配器33隨著與該周邊的該距離增加而變得更寬。流體收集器34係形成為關於在第二反射鏡部件29之第二連接面31之該左側周邊與該相對右側周邊之間居中延伸的平面，與流體分配器33鏡像對稱（mirror-symmetrical）。據此，流體收集器34在與其相對放置的該周邊之該方向上（即在圖6中朝向該左側），從第二反射鏡部件29之第二連接面31之該周邊略微延伸，例示在圖6中該右側。在此，流體收集器34橫向於此範圍之該方向之該等尺寸快速增加，亦即流體收集器34隨著與該周邊的該距離增加而變得更寬。具體而言，流體分配器33和流體收集器34之該等形狀可選擇，使得該流體之該流動行為係最佳化。例如，可爭取盡可能具很少湍流（turbulence）的層流。

從圖3、圖4、圖5、和圖6之組合明白，圖3和圖6中該左側所例示的流體分配器33係流體連接到圖3和圖5中該左側所例示的該等冷卻通道32之該等端部區域，並將該等冷卻通道32之該等前述端部區域彼此流體連接。再者，明白的是，圖3和圖6中該右側所例示的流體收集器34係流體連通到圖3和圖5中該右側所例示的該等冷卻通道32之該等端部區域，並將該等冷卻通道32之該等前述端部區域彼此流體連接。因此，可透過流體分配器33將流體供應到該等冷卻通道32。該流體流過該等冷卻通道32，然後繼續流到可經由其而將其移除的流體收集器34中。大體上，流體分配器33和流體收集器34係在空間上彼此分開形成。大體上，該等冷卻通道32係經設計及/或連接到流體分配器及流體收集器，使得該流體可在每種情況下皆流過其縱向範圍之最大部分，較佳為其縱向範圍之至少90%，在其整個縱向範圍是特別較佳。再者，該等冷卻通道32可經設計及/或連接到流體分配器33及流體收集器34，使得該流體可在每種情況下皆連續流過其體積之最大部分，較佳為其體積之至少90%，更佳為通過其整個體積的方式。替代或附加上，該等冷卻通道32可經設計及/或連接到流體分配器33及流體收集器34，使得該流體可在每種情況下皆連續流過其橫截面之最大部分、較佳為其橫截面之至少90%，更佳為通過其整個橫截面的方式。再者，該等冷卻通道32可經設計及/或連接到流體分配器33及流體收集器34，使得在每種情況下形成相對冷卻通道32與光學面27之該明視距離A的邊界表面之最大部分，較佳為該邊界表面之至少90%，更佳為該整個邊界表面，皆可連續由該流動流體所潤濕。

該流體供應到流體分配器33以及從流體收集器34移除該流體可借助於冷卻器件24（其為此目的可連接到流體分配器33和流體收集器34）發生。

將該所供應流體之該溫度調整成低於第一反射鏡部件28之該溫度的溫度可達成以下效應：隨著該流體流過該等冷卻通道32而從第一反射鏡部件28提取熱量。特別係，此熱量提取係欲補償由於在投射曝光裝置1之該操作期間入射在光學面27上的該光的該熱量輸入。由於光學面27並未完全反射該入射光，因此該光之一部分係由光學面27並取決於光學面27之該形成而也由第一反射鏡部件28所吸收，並轉換為熱量。此熱量當中的一些者係傳導到該等冷卻通道32並可在其由該流體所吸收並運走。在理想情況下，該熱量係以相同方式從光學面27之所有位置移除，以使對於整個光學面27得到盡可能均勻的溫度分佈結果，且該溫度盡可能精確對應於預先定義值。該反射鏡之該材料可調適成在該該預先定義的溫度值，使得反射鏡本體26之該熱膨脹在該預先定義的溫度值處為最小。如此，相較於非冷卻式反射鏡，由該等熱膨脹效應所造成的光學面27之變形可減少。因此，由該變形所造成的該等成像像差也係減少。

大體上，由於第一反射鏡部件28之該材料並未具有非常良好熱傳導性，因此光學面27之該局部冷卻係高度依該等冷卻通道32與光學面27之間的該明視距離A而定。所以，可透過恆定明視距離A達成均勻溫度分佈。如已陳述，該等冷卻通道32具有其適應於光學面27之該形狀的第一深度T1之分佈狀況（profile），以實現恆定明視距離A。因此，在凸面曲面光學面27之該情況下，該等冷卻通道32之該第一深度T1最初可從流體分配器33之該區域沿著其縱向範圍直到其縱向範圍之大致該中心增加，然後朝向流體收集器34再次減少。在凹面所形成光學面27中，該等冷卻通道32之該第一深度T1可具有與其相對的分佈狀況。在這兩情況下，即對於凸面曲面光學面27以及也對於凹面曲面光學面27，該等個別冷卻通道32可具有不同深度分佈狀況，以達成對垂直於該等冷卻通道32之該縱向範圍的光學面27之該形狀的調適。特別係，個別冷卻通道32之該第一深度T1之最大及/或最小值可變化。

由於該等冷卻通道32之每一者具有恆定寬度B（即垂直於其縱向範圍並平行於第一連接面30的恆定尺寸），因此在該第一示例性具體實施例中，該等冷卻通道32之該橫截面沿著該等冷卻通道32之該縱向範圍變化，並類似於該第一深度T1之該變化。

從圖3和圖4明白，在具有其所例示凸面曲面光學面27的該第一示例性具體實施例的該情況下，該等冷卻通道32在設置與光學面27之該中心處的最高點側向偏移越遠則越低的第一反射鏡部件28中，具有該第一深度T1之最大與最小值。在該等圖示中未例示的凹面所形成光學面27之該情況下，該等冷卻通道32可在設置與光學面27之該中心處的最低點側向偏移越遠則越大的第一反射鏡部件28中，具有該第一深度T1之最大與最小值。

如前所述，在第一反射鏡部件28中，該等冷卻通道32之該第一深度T1也可隨著光學面27之該形狀，在垂直於其縱向範圍的各自冷卻通道32內變化。然而，由於該等冷卻通道32之該寬度B大體上係很小，因此這種變化係相對較不重要。

圖7以對應於圖3的例示圖顯示反射鏡本體26之第二示例性具體實施例。圖8以對應於圖4的例示圖顯示反射鏡本體26之該第二示例性具體實施例。

反射鏡本體26之該第二示例性具體實施例大體上對應於該第一示例性具體實施例。一不同之處實際上在於，在該第二示例性具體實施例中，該等冷卻通道32係不僅形成在第一反射鏡部件28中，而且形成在第二反射鏡部件29中。在該第二示例性具體實施例中，該等冷卻通道32之該形成在第一反射鏡部件28中係等同於該第一示例性具體實施例。在第二反射鏡部件29中，該第二示例性具體實施例中的該等冷卻通道32係形成使得其第二深度T2以第一反射鏡部件28中的該等冷卻通道32之該第一深度T1互補的方式，隨著該位置變化。具體而言，第二反射鏡部件29中的該等冷卻通道32係形成使得第一反射鏡部件28中的該等冷卻通道32之該第一深度T1與第二反射鏡部件29中的該等冷卻通道32之該分別相關聯第二深度T2之該總和為恆定。這應用於該等冷卻通道32內的所有側向位置，其中該第一深度T1和該第二深度T2之該總和在每種情況下係應形成在相同側向位置處。

因此，在凸面曲面光學面27之該情況下，第二反射鏡部件29中的該等冷卻通道32之該第二深度T2最初從流體分配器33之該區域沿著該等冷卻通道32之該縱向範圍在每種情況下皆最初直到該縱向範圍之該中心減少，然後朝向流體收集器34再次增加。在凹面所形成光學面27中，該等冷卻通道32之該第二深度T2可具有與其相對的分佈狀況。

從圖7和圖8明白，在具有其所例示凸面曲面光學面27的反射鏡本體26之該第二示例性具體實施例的該情況下，該等冷卻通道32在設置與光學面27之該中心處的最高點側向偏移越遠則越大的第二反射鏡部件29中，具有該第二深度T2之最大與最小值。在該等圖示中未例示的凹面所形成光學面27之該情況下，該等冷卻通道32可在設置與光學面27之該中心處的最低點側向偏移越遠則越低的第二反射鏡部件29中，具有該第二深度T2之最大與最小值。

始終提及到，在第二反射鏡部件29中，該等冷卻通道32之該第二深度T2的該所說明變化達成以下效應：由第一反射鏡部件28中的該第一深度T1以及第二反射鏡部件29中的該第二深度T2組成的該等冷卻通道32之該總深度，對於所有冷卻通道32為相同。對於所有冷卻通道32之等同寬度B，這對於所有冷卻通道32皆導致恆定橫截面。恆定橫截面使得所有冷卻通道32中的最佳流體流動可能。特別係，該流體之該湍流能量可降低，且由此所激發的該反射鏡之該動態震動可保持很低。此外，反射鏡本體26之非常均勻冷卻可達成。進而，一直以此方式改良的該等動態與熱性質導致該反射鏡之該等光學性質之改良，並導致該整體系統之改良。

若反射鏡本體26係由光學面27之該區域中的該入射光所均勻加熱，則由該等以上所說明示例性具體實施例所達成的反射鏡本體26之該均勻冷卻實現特別良好結果。這對於光學面27之均勻全區域照明，情況大體上如此。若入射在光學面27上的該光分佈係不均勻，則該反射鏡之該等光學性質可進一步由適應於該不均勻光分佈的不均勻冷卻所改良。這可由該等冷卻通道32之適當具體實施例所達成。例如，在特別高光強度入射在其上的光學面27之該等區域中，對照於具較低光強度的該等區域，該等冷卻通道32與光學面27之該明視距離A可減少，且該冷卻效應可由此提高。替代或附加上，也可提供每單位面積較大數量之冷卻通道32，及/或在高光強度之該等區域中提供具較大橫截面的該等冷卻通道32，並同樣由此取得較大冷卻效應。

使用這些或類似措施，對於不均勻光分佈或對於在光學面27之該區域中，在投射曝光裝置1之該操作期間發生的少數不均勻光分佈的該冷卻效應可最佳化。

1:投射曝光裝置 2:照明系統 3:輻射源 4:照明光學單元 5:物件場 6:物件平面 7:倍縮光罩 8:倍縮光罩載具 9:倍縮光罩移置驅動器 10:投射光學單元 11:影像場 12:影像平面 13:晶圓 14:晶圓載具 15:晶圓移置驅動器 16:照明輻射 17:收集器 18:中間焦平面 19:偏轉反射鏡 20:第一分面鏡 21:第一分面 22:第二分面鏡 23:第二分面 24:冷卻器件 25:控制器件 26:反射鏡本體 27:光學面 28:第一反射鏡部件 29:第二反射鏡部件 30:第一連接面 31:第二連接面 32:冷卻通道 33:流體分配器 34:流體收集器 M:反射鏡 M1:反射鏡 M2:反射鏡 M3:反射鏡 M4:反射鏡 M5:反射鏡 M6:反射鏡

本發明係基於附圖式中所例示的該等示例性具體實施例而在以下更詳細解說，

在圖式中，

圖1以經向截面示意性顯示用於極紫外光（EUV）投射微影的投射曝光裝置之示例性具體實施例；

圖2以示意例示圖顯示用於深紫外光（DUV）投射微影的投射曝光裝置之示例性具體實施例；

圖3顯示根據本發明的反射鏡本體之第一示例性具體實施例之示意截面例示圖；

圖4顯示圖3中所例示的該反射鏡本體之該第一示例性具體實施例之一進一步示意截面例示圖；

圖5顯示該反射鏡本體之該第一示例性具體實施例之該第一反射鏡部件之示意平面圖；

圖6顯示該反射鏡本體之該第一示例性具體實施例之該第二反射鏡部件之示意平面圖；

圖7以對應於圖3的例示圖顯示該反射鏡本體之第二示例性具體實施例；及

圖8以對應於圖4的例示圖顯示該反射鏡本體之該第二示例性具體實施例。

26:反射鏡本體

27:光學面

28:第一反射鏡部件

29:第二反射鏡部件

30:第一連接面

31:第二連接面

32:冷卻通道

33:流體分配器

34:流體收集器

A:明視距離

T1:第一深度

Claims (16)

1. 一種反射鏡，用於一微影投射曝光裝置（1），其中該反射鏡具有一反射鏡本體（26），其包含： 一第一反射鏡部件（28）； 一第二反射鏡部件（29）； 一光學面（27），其用於反射光；及 複數個冷卻通道（32）， 其中 該光學面（27）配置在該第一反射鏡部件（28）上，並具有一曲面設計， 該第一反射鏡部件（28）和該第二反射鏡部件（29）係在該第一反射鏡部件（28）之一第一連接面（30）與該第二反射鏡部件（29）之一第二連接面（31）之該區域中彼此剛性連接，且 該第一連接面（30）和該第二連接面（31）具有一平面設計， 該第一連接面（30）配置在相距該光學面（27）的一距離處， 該等冷卻通道（32）配置在相距該光學面（27）的一明視距離處， 該等冷卻通道（32）與該光學面（27）之間的該明視距離相較於該第一連接面（30）與該光學面（27）之間的該距離具有，以百分比而言，較低的一位置相依變化率。
2. 如請求項1所述之反射鏡，其中該等冷卻通道（32）從該第一連接面（30）延伸到該第一反射鏡部件（28）中的一第一深度。
3. 如前述諸請求項中任一項所述之反射鏡，其中在該等冷卻通道（32）之該縱向範圍之最大區域上，該等冷卻通道（32）與該光學面（27）之間的該明視距離至少對於一些冷卻通道（32）在每種情況下為恆定。
4. 如前述諸請求項中任一項所述之反射鏡，其中在該等冷卻通道（32）之該縱向範圍之最大區域上，該等冷卻通道（32）與該光學面（27）之間的該明視距離至少對於一些冷卻通道（32）為恆定，並對於前述冷卻通道（32）具有相同值。
5. 一種的反射鏡，用於一微影投射曝光裝置（1），其中該反射鏡具有一反射鏡本體（26），其包含： 一第一反射鏡部件（28）； 一第二反射鏡部件（29）； 一光學面（27），其用於反射光；及 複數個冷卻通道（32）， 其中 該光學面（27）配置在該第一反射鏡部件（28）上，並具有一曲面設計， 該第一反射鏡部件（28）和該第二反射鏡部件（29）係在該第一反射鏡部件（28）之一第一連接面（30）與該第二反射鏡部件（29）之一第二連接面（31）之該區域中彼此剛性連接，且 該第一連接面（30）和該第二連接面（31）具有一平面設計， 該等冷卻通道（32）從該第一連接面（30）延伸到該第一反射鏡部件（28）中的一第一深度，且 該第一深度隨著至少對於一些冷卻通道（32）的該位置而變化。
6. 如請求項2至5中任一項所述之反射鏡，其中至少對於一些冷卻通道（32），該第一深度沿著該等冷卻通道（32）之該縱向範圍變化。
7. 如請求項2至6中任一項所述之反射鏡，其中至少對於一些冷卻通道（32），該第一深度沿著垂直於該等冷卻通道（32）之該縱向範圍延伸的一線具有不同值。
8. 如請求項2至7中任一項所述之反射鏡，其中該等冷卻通道（32）之每一者具有針對該第一深度的一最小值和一最大值，且該等最小值對於至少一些冷卻通道（32）為不同及/或該等最大值對於至少一些冷卻通道（32）為不同。
9. 如前述請求項中任一項所述之反射鏡，其中該等冷卻通道（32）從該第二連接面（31）延伸到該第二反射鏡部件（29）中的一第二深度。
10. 如請求項8所述之反射鏡，其中該第二深度隨著至少對於一些冷卻通道（32）的該位置而變化。
11. 如前述請求項中任一項所述之反射鏡，其中至少一些冷卻通道（32）在其縱向範圍之最大區域上具有一恆定橫截面。
12. 如前述請求項中任一項所述之反射鏡，其中至少一些冷卻通道（32）在其縱向範圍之最大區域上平行於該光學面（27）延伸。
13. 一種微影照明系統，具有如前述請求項中任一項所述之反射鏡。
14. 一種微影投射光學單元，具有如請求項1至13中任一項所述之反射鏡。
15. 一種微影投射曝光裝置，包含如請求項13所述之一照明系統（2）及/或如請求項14之一投射光學單元（10）。
16. 如請求項15所述之投射曝光裝置，其中該等冷卻通道（32）係設計成使得在該投射曝光裝置（1）之該操作期間提供用於具一較高光強度之照射的該光學面（27）之多個區域，係比在該投射曝光裝置（1）之該操作期間提供用於具一較低光強度之照射的該光學面（27）之多個區域更冷卻。

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