CN115485627A - 用于分面镜的分面组件 - Google Patents

用于分面镜的分面组件 Download PDF

Info

Publication number
CN115485627A
CN115485627A CN202180029939.9A CN202180029939A CN115485627A CN 115485627 A CN115485627 A CN 115485627A CN 202180029939 A CN202180029939 A CN 202180029939A CN 115485627 A CN115485627 A CN 115485627A
Authority
CN
China
Prior art keywords
facet
hollow cavity
reflective surface
illumination
optical unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180029939.9A
Other languages
English (en)
Inventor
J.哈特杰斯
A.沃尔夫
T.格鲁纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of CN115485627A publication Critical patent/CN115485627A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0825—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a flexible sheet or membrane, e.g. for varying the focus
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/181—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • G02B7/1815—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation with cooling or heating systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Mirrors, Picture Frames, Photograph Stands, And Related Fastening Devices (AREA)

Abstract

一种分面组件(26)是用于投射光刻的照明光学单元的分面镜的组成部分。该分面组件(26)具有一用于反射照明光的反射面(27)的分面(7)。该分面组件(26)的一分面主体(28)具有至少一个中空腔(29)。该中空腔(29)的一反射面腔壁形成该反射面(27)的至少一个部分(27ij)。该分面组件(26)的一致动器控制装置(30)操作上连接至中空腔(29)，用于该反射面腔壁的受控变形。其结果为一分面组件，可弹性用作配备在用于投射光刻的照明光学单元内的分面镜的组成部分。

Description

用于分面镜的分面组件
相关申请的交叉引用
本专利申请案主张德国专利申请案号DE 10 2020 205 123.2的优先权，其内容在此以引用方式并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于投射光刻的照明光学单元的分面镜的分面组件。此外，本发明涉及一种具有这种分面组件的分面镜、一种具有这种分面镜的照明光学单元、一种具有这种照明光学单元的光学系统、具有光源的这种照明光学单元或这种光学系统、一种具有这种光学系统的投射光刻装置、一种用于使用这种投射曝光装置制造微结构或纳米结构部件的方法、以及一种以这种方式制造的结构化部件。
背景技术
一种用于EUV投射光刻的照明光学单元可从DE 10 2015 200 531 A1、US 2011/0001947 A1和US 8,817,233 B2得知。场分面可为已从DE 10 2013 206 981 A1和DE 102017 221 420 A1得知的场分面镜的组成部件。
发明内容
本发明的一目的是建立一分面组件，其可灵活用作配备在用于投射光刻的照明光学单元内的分面镜的组成部件。
根据本发明，此目的是由具有权利要求1所述的特征的分面组件来实现。
已发现，根据实施具有至少一个中空腔的分面主体的本发明(其中该中空腔的反射面腔壁形成至少一个反射面部分)有利地减少该分面组件的分面的反射面的刚性。这令人感到惊奇，因为对于实现高照明光导引精确度而言，在起始点的刚性的减少显示具有反效果。根据本发明的中空腔实施例的刚性减少可有利地用于分面的反射面的目标变形。该分面组件优选用作EUV投射曝光装置的场分面镜的组成部件。用于反射面腔壁的变形的至少一个致动器是致动器控制装置的部分。
分面主体分成多个中空腔，其中反射面腔壁形成不同反射面部分。这增加组件关于实现反射面的特定目标变形的灵活性。该目标变形可以较高精确度实现。
如权利要求2的多个致动器单元允许独立控制不同反射面部分，特别是在具有多个中空腔的实施例的情况下，分配给不同中空腔的反射面部分。
如权利要求3的中空腔的配置允许经调适成预期变形的变形控制用于将反射面形状调适成所需的目标形状。如权利要求3的第一变体的列划分允许例如反射面的曲率在第一曲率平面中变化。对于如权利要求3的关于第二曲率平面的第二变体亦为如此，其中曲率可变化。如权利要求3的第三变体的呈反射面阵列形式的实施例允许在反射面上方二维的变形调适。阵列划分可采用笛卡儿阵列的形式实现，特别是采用x和y的规律网格的形式。使用反射面部分(其各自分配给中空腔)覆盖反射面的其他方式也是可能的，特别是就其对称分布而言经调适成所需变形的对称性的覆盖。采用已知无间隙的镶嵌形式的覆盖同样是可能。
反射面部分可根据权利要求4配置，使得在各情况下沿着反射面行分配给中空腔的反射面部分的数目不同于在各情况下沿着反射面列分配给中空腔的反射面部分的数目。反射面部分可采用反射面阵列的形式配置。
在各情况下沿着反射面行分配给中空腔的反射面部分的数目可位于1与100之间的范围。在各情况下沿着反射面列分配给中空腔的反射面部分的对应数目可位于1与10之间的范围。
分面的反射面可具有x/y高宽比不等于1且特别是可大于5的基本面积。在各情况下分配给一个中空腔的反射面部分的数目在x-方向上可比在y-方向上大。这在当分面组件用作场分面镜的组成部件时特别有利，其中具有不等于1且特别大于5的x/y高宽比的物场被完全照明。
致动器控制装置可经由至少一个致动器或经由至少一个致动器单元连接至至少一个反射面腔壁。此连接可为机械式连接。该机械式连接可采用弹簧的形式实施。
如权利要求5的额外的微调致动器单元同样可采用机械式连接至反射面的形式来实施。或者或此外，微调致动器单元可与反射面的压电涂层相互作用。对应的压电涂层可采用压电堆叠涂层的形式实施。微调致动器单元可用来例如设置变形，其较其他致动器单元精确10倍。
以下可用作致动器单元或微调致动器单元：
-压电致动器；
-磁致伸缩致动器；
-静电致动器；
-热致动器，在此情况下使用热膨胀系数，并使其达到指定温度；热能可通过加热或冷却引入此处，例如经由电阻加热系统或帕耳帖(Peltier)元件；
-电磁致动器。
在DE 10 2016 209 847 A1中描述了压电致动器，其也可采用压电层/压电堆叠的形式存在，其原则上可用作致动器单元。
如权利要求6填充中空腔的至少一个的介质可用于各种用途。例如，该介质可用于将热自反射面移除至分面主体，且可移至散热器(heat sink)或热阱(heat trap)。可使用的填充介质是液体金属，例如：镓铟锡合金(Galinstan)。或者，可使用的填充介质是导热膏、陶瓷分散体、粉末或粒状材料。该介质的导热率可大于7W/mK，且可为例如至少10W/mK。
该至少一个中空腔可或者或另外使用流体、气体和/或液体来填充。
在如权利要求7的致动器控制装置的实施例中，经由可控制压力改变获得精细变形规格。除了压力改变的液压规格，取决于所用流体的类型，还可通过施加对应电场或通过引入磁力产生流体的密度变化。密度变化或压力的对应改变可经个别的致动器单元实现，所述致动器单元被分配给反射面部分，其然后被分配给不同的中空腔。
这种分面组件的优点在如权利要求8的分面镜中特别明显。
在如权利要求9的分面镜中，可经由致动器控制装置指定的分面组件的反射面变形可取决于分面的倾斜位置实现。这允许各个分面的反射面形状根据所述分面至照明光学单元的照明通道的分配来调适，其中分面镜为照明光学单元的一部件。
如权利要求10的照明光学单元、如权利要求11的光学系统、如权利要求12的照明光学单元或光学系统、如权利要求13的投射曝光装置、如权利要求14的制造方法、以及如权利要求15的微结构或纳米结构部件的优点对应于上文已参考根据本发明的分面组件以及根据本发明的分面镜所讨论的那些。
照明光学单元或光学系统可实现少于30％、少于25％、少于20％以及例如少于15％的光瞳填充度(所用光瞳的总面积的光瞳的照明部分的百分比)。
光源可为EUV光源。光源可为激光等离子体源。光源可具有高于500W以及还高于800W的照明光使用功率。
特别是，可使用投射曝光装置制造用来处理数据的半导体部件，例如，存储器芯片或芯片。
附图说明
以下参考附图详细说明本发明的示例性实施例。在图中：
图1示意性显示微光刻投射曝光装置且以子午截面显示照明光学单元；
图2透视显示在图1的照明光学单元中、介于中间焦点与光瞳分面镜之间的照明光的引导，且部分未示意，其中强调在场分面镜与光瞳分面镜之间的两个照明通道的边缘射线；
图3显示根据图1的投射曝光装置的照明光学单元的场分面镜的进一步实施例的分面配置的平面图；
图4显示具有图2的场分面镜的分面的分面组件的平面图，其用于引导照明通道，其中用于引导照明光的反射面面对观测者；
图5显示由图4的观看方向V观察的分面组件的侧视图；以及
图6同样采取侧视图显示分面组件的进一步实施例，其中此示图比图5中的图解更详细。
具体实施方式
微光刻投射曝光装置1用于制造微结构或纳米结构的电子半导体部件。光源2发射用于照明的EUV辐射，其在例如介于5nm与30nm之间的波长范围中。该光源2可为气体放电产生等离子体(Gas Discharge Produced Plasma，GDPP)源或激光产生等离子体(LaserProduced Plasma，LPP)源。基于同步加速器的辐射源也可用于光源2。关于此光源的信息，本领域技术人员可参见例如US 6,859,515 B2。EUV照明光或照明辐射3是用于在投射曝光装置1内的照明和成像。光源2的下游的EUV照明光3首先通过收集器4，其可为例如具有从现有技术已知的多壳构造的巢套式收集器(nested collector)；或者，其可为椭圆形收集器。从EP 1 225 481 A2已知对应的收集器。在收集器4的下游，EUV照明光3首先通过在中间焦点平面5中的中间焦点IF，其可用于将EUV照明光3与不想要的辐射或粒子部分分离。在通过中间焦点平面5的后，EUV照明光3首先入射至场分面镜6上。照明光3的总光束在中间焦点平面5中具有一数值孔径NAIF。
原则上，具有较长波长的光(例如，具有193nm波长的DUV光)也可用作照明光3。
为了方便定位关系的描述，在图中在各情况下描绘笛卡尔全局xyz-坐标系统。在图1中，x-轴垂直于图的平面延伸并延伸出该平面。y-轴向图1右方延伸。z-轴向图1上方延伸。
为了方便投射曝光装置1的个别光学部件的定位关系的描述，在以下图中在各情况下也使用笛卡尔局部xyz-或xy-坐标系统。除非另外描述，否则相对局部xy-坐标跨越光学部件的相应主要配置平面，例如反射平面。全局xyz-坐标系统和局部xyz-或xy-坐标系统的x-轴彼此平行延伸。局部xyz-或xy-坐标系统的相应y-轴相对于全局xyz-坐标系统的y-轴呈一角度，该角度对应于绕x-轴的相应光学部件的倾斜角。
图2显示照明光3从中间焦点IF经由场分面镜6的反射场分面7引导至光瞳分面镜9的光瞳分面8，光瞳分面镜配置在照明光3的光束路径下游。所述光束引导的照明通道10由场分面镜6的场分面7的相应一者以及由光瞳分面镜9的相应光瞳分面8所指定。所述照明通道10中的两个在图2中采用示例方式突显。
如图2所示，场分面7可具有弯曲基本形状或圆的部分的基本形状，其调适成投射曝光装置1的物场的边界形状，其将在以下说明。或者，场分面7也可具有矩形的基本形状，如图3所示。
场分面7可为平面镜。或者，场分面7可具有凹面弯曲(参见图2)或凸面弯曲的反射面。
场分面7为矩形，且在各情况下具有相同的x/y高宽比。x/y高宽比可为例如12/5，可为25/4或可为104/8。x/y高宽比不等于1且可大于5。
图3的分面配置的场分面7配置成四列。场分面镜6的场分面配置具有间隙12，在两个中央分面列之间且在y-维度上的分面配置的一半处，在该间隙12中，场分面镜6可通过固持收集器4的轮辐来遮蔽。
在场分面镜6处的反射的后，已分成被分配至个别照明通道10的射线窄射束(pencils of rays)或部分光束的EUV照明光3入射至光瞳分面镜9上。场分面镜6的场分面7在多个照明倾斜位置之间为可倾斜的，因此这改变由各个场分面7反射的照明光3的光束路径的方向，因此能够改变在光瞳分面镜9上的反射照明光3的入射点。
光瞳分面镜9的光瞳分面8可以列和行或呈六角形或使得其采用另一方式彼此相邻放置加以配置。光瞳分面8的至少一个采用一方式而分配给由场分面7中的一个所反射的EUV照明光3的每个部分光束，即每个照明通道10，该方式为具有场分面7中的一个以及光瞳分面8中的一个的相应冲击对指定EUV照明光3的相关部分光束的照明通道10。光瞳分面8至场分面7的逐通道分配是基于投射曝光装置1的所需照明来实施，其也称为照明设定。
场分面镜6具有数百个场分面7，例如300个场分面7。光瞳分面镜9的光瞳分面的数目可至少等于场分面镜6的所有场分面7的倾斜位置的总和。
在未示意的一变体中，光瞳分面镜9构建为具有多种可倾斜的个别反射镜的MEMS镜阵列，其中光瞳分面8中的每一者是由多个这种个别反射镜形成。光瞳分面镜9的此构造可从US 2011/0001947 A1得知。
经由光瞳分面镜9(参见图1)以及由三个EUV镜14、15、16构成的下游传输光学单元17，场分面7成像在投射曝光装置1的物平面18内，因此彼此叠加。EUV镜16具体实施为用于掠入射的反射镜(掠入射镜)。配置在物平面18中的是掩模母版19形式的物体，其中EUV照明光3照明具照明场形式的照明区域，该照明场与投射曝光装置1的下游投射光学单元21的物场20重合。物场照明通道在物场20中叠加。EUV照明光3由掩模母版19反射。
如前所述，场分面7中的每一者可具有矩形外输廓，如图3所示；或者，可具有弯曲、弧状外轮廓，其可调适成物场20的外轮廓的对应曲率。
在物场20处的照明光3的整体光束具有一物侧数值孔径NA，其可位于例如0.04与0.15之间范围中。
投射光学单元21将在物平面18中的物场20成像在像平面23的像场22内。在像平面23中配置承载光敏层的晶片24，该光敏层在投射曝光期间通过投射曝光装置1曝光。在投射曝光期间，由相应固持器承载的掩模母版19和晶片24两者沿着y-方向采用同步方式被扫描。投射曝光装置1具体实施为扫描仪。以下，扫描方向y也称为物体位移方向。
场分面镜6、光瞳分面镜9以及传输光学单元17的反射镜14至16是投射曝光装置1的照明光学单元25的组成部件。在照明光学单元25的一变体中(其未在图1中说明)也可部分或全部省去传输光学单元17，因此无进一步EUV镜、恰好一个进一步EUV镜或恰好两个进一步EUV镜可在光瞳分面镜9与物场20之间配置。光瞳分面镜9可配置在投射光学单元21的进入光瞳平面中。
照明光学单元25与投射光学单元21一起形成投射曝光装置1的光学系统。
图4显示具有场分面7中的一个的分面组件26的平面图。场分面7的反射面27(其用于反射照明光3)面对图4的观测者。反射面27可承载由交替层(例如，钼和硅)构成的多层涂层，用于产生EUV照明光3的高反射率。鉴于无力(force-free)基本形状，反射面27可为复曲面表面和/或自由形式表面，即不含对称平面或对称轴的表面。
图5显示具有场分面7的分面组件26的侧视图。
分面7的分面主体28分成多个中空腔29i j。中空腔29i j的此配置使得相应中空腔29i j的反射面腔壁形成反射面27的部分27i j，该反射面27呈具有三个反射面行(j＝1至3)以及具有五个反射面列(i＝1至5)的反射面阵列的形式。反射部分27i j的此阵列-类型配置被描绘在图4的俯视图中，其中中空腔29i j的每一个被分配给一个反射部分27i j。总体上，分面组件26的场分面7因此具有15个反射部分271 1至275 3、和分配的中空腔291 1至295 3。
在所示意的实施例中，沿着一反射面行的反射面部分27i j的数目(具体而言i＝5)不同于沿着一反射面列的反射面部分27i j的数目(具体而言j＝3)。沿着一行的反射面部分的数目(沿着x-方向的数目)可大于沿着一列(即沿着y-方向)的反射面部分的数目。
反射面行j的数目可位于介于1与100之间，优选介于1与50之间，且在一较佳变体中，介于1与10之间的范围中。反射面列i的数目可位于介于1与500之间，优选介于1与200之间，且在一较佳变体中，介于1与100之间的范围中。
换言之，分面主体28分成多个中空腔2i j，其中中空腔29i j的反射腔壁形成反射面27的不同部分27i j。
分面组件26的部分也为致动器控制装置30，其操作上连接至中空腔29i j以用于反射面部分27i j的反射面腔壁的受控变形。致动器控制装置30采用在图中未显示的方式以信号连接至多个致动器单元31i j。致动器单元31i j在各情况下被分配至中空腔29i j和/或至反射面部分27i j的反射腔壁。
取决于控制的实施例，致动器控制装置30可经由至少一个致动器单元31i j连接至反射面部分27i j的至少一个反射面腔壁。此连接可经由一机械式连接实现，例如经由一预加载弹簧，或经由配置在相应中空腔29i j中的一压电式堆叠。通过具体指明预加载弹簧，可发生相应反射面部分27i j的反射面腔壁的变形。
此外，至少一个微调致动器单元32是反射面27的变形控制的部件。前者确保致动器控制装置30至反射面27、反射面部分27i j的整体或至少一个的额外操作连接。此操作连接可同样为用于微调变形的机械连接或可为一压电式致动器单元。在后者的情况下，分面主体28在反射面27的一侧上承载主动压电式涂层或压电式涂层33，其可经由微调致动器单元32致动。主动压电式涂层可同样采用多个部分的形式存在，且可采用涂层部分33i j的形式分配给反射面部分27i j。在此情况下，主动压电式涂层的部分33i j中的每一个可经由专属微调致动器单元32i j致动。
使用致动器单元31i j，可例如经由在5μm与500μm之间的范围的行程导致相关反射面部分的典型变形。使用微调致动器单元32，可实现在0.3μm与5μm之间的范围的致动行程。
该至少一个中空腔29i j可填充一介质。该介质可为导热介质，以确保将热(特别是来自于照明光3的残余吸收)从反射面27移除至分面主体28，以及从其可能移除至热阱。该介质34的导热率可大于7W/mK，且可为例如至少10W/mK。在此情况下，单位[W/mK]是指每米开尔文的瓦特数“瓦特/米开尔文”。
该至少一个中空腔29可填充一流体。这种流体可具有除热效应，如上所述。
在该中空腔29i j填充流体的情况中，取决于分面组件26的实施例，致动器控制装置30操作上连接至相应中空腔29i j以用于采用受控方式改变在中空腔29i j中的流体压力。这种压力改变可液压实现。经由电场的密度变化或经由磁力贯穿的流体压力改变也是可能的。如前述，受控压力改变可经由分配给反射面部分27i j的个别致动器单元33i j实现。
可用来代替分面组件26的分面组件35的进一步实施例将在以下参考图6描述。对应于已在前面参考图1至5(且特别是参考图4及5)说明的部件以及功能具有相同参考符号，且将不再详细讨论。
在图6的顶部清楚说明分面组件35的反射面27的变形结果，这是由于致动器控制装置30的对应致动所致。变形结果是自由形式表面。
分面组件35由承载板36和倾斜轴承37所承载，经由其可指定场分面组件35的场分面7的多个倾斜位置，用于改变反射面对照明光的偏转效果，且特别是用于在经由照明通道分配给分面组件35的场分面的不同光瞳分面之间切换。分面主体28再次分成多个中空腔29i j。致动器单元31i j采用具有可变预加载力的弹簧形式和/或采用压电式堆叠形式配置在中空腔29i j中，其经由可变施力在相应反射面部分27i j上而导致反射面27的目标变形，如图6的顶部所示。此外，反射面27再次具有压电涂层33以用于微调变形的目的。致动器单元31i j可为磁致伸缩或热致动器。
在图6的分面组件的情况下，分面主体28分成执行不同功能的多个层。图6的顶部所示的主体层281包括中空腔27i j。在此最顶部主体层下方配置的是具有进一步致动器单元39且具有进一步中空腔40i j的中央主体层282，进一步致动器单元39可为压电式致动器，进一步中空腔40i j填充一导热介质41。分面主体28的最底层为主体层283，其是用于从主体层281经由主体层282移除吸收热的散热器或热阱。上部主体层281相对于下部主体层283的预变形或倾斜位移可经由中央主体层282实现。分面主体28通过柔性膜42横向地终结在中央主体层282的区域中。中空腔29i j和40例如使用蚀刻工艺在分面主体28中制造。在腔内部中的致动器单元所需的电接触被引导出之后，中空腔可例如通过扩散接合来封闭。
为定位照明光学单元25的场分面镜6的场分面7，程序如下：
首先，提供具有场分面7的场分面镜6以及具有光瞳分面8的光瞳分面镜9。其次，设定照明设定，例如常规照明设定(光瞳分面镜9的中央区域的所有光瞳分面8被完全照明)、环状照明设定(在光瞳分面镜9上的环形光瞳分面配置的照明)；或者偶极、四极或其他多极设定，其中照明在光瞳分面镜9上的光瞳分面8的对应区域数目。此外，此照明设定是用来根据照明设定指明场分面镜6的场分面7与光瞳分面镜9的光瞳分面8对照明通道10的相关分配。其次，致动器单元31i j与可能的32的39经由致动器控制装置30而受控制，以指明场分面镜6的已在其上作用的场分面7的反射面27的反射面形状，其适配于相应照明通道分配。
原则上，投射曝光装置1也可具有测量装置，用于将经由致动器控制装置30所导致的场分面7的相应反射面27的变形的光学效应定性。此测量装置可检查例如在相应光瞳分面8上的光源图像产生的质量。此可例如通过使用照明光3冲击光瞳分面8的图像产生捕获来实行。此图像产生捕获可包括空间解析检测器43，例如采用CCD检测器的形式。此检测器43可信号连接至致动器控制装置30。如此，可产生分面组件26与35的相应反射面27的受控变形。在此情况下，致动器控制装置30是致动器开环/闭环控制装置。所用的闭环测量单元也可为用于由反射面所反射的照明光的波前的较佳干涉测量的装置。
测量装置可配置在像平面的区域中，即在晶片24的配置平面的区域中。此测量装置的一变体可构造成使得可由此连续捕获照明光学单元的光瞳的完全照明或投光学单元的完全照明。
测量装置的一变体可配置在物平面中，即在掩模母版19的区域中。
为制备各个分面反射面的成形，所述用于指定致动器设定组合的相应表面变形可通过测量技术来捕获，其取决于致动器单元31和微调致动器单元32的操纵变量，并可采用此方式产生用于系统控制的数据库。取决于场分面至相应光瞳分面的分配，可搜寻用于场分面的指配目标反射面形状的查找表，且在致动器单元31和微调致动器单元32上，经由设定操纵变量(经由校准来定义)，然后可实现一实际反射面形状，以符合在在指定容许限度内的指定目标反射面形状。可循环进行此校准。
为了制造微结构化或纳米结构化部件，如下使用投射曝光装置1：首先，提供反射掩模19或掩模母版和基板或晶片24。随后，借助于投射曝光装置1，将在掩模母版19上的结构投射在晶片24的光敏层上。然后，通过显影光敏层在晶片24上制造微结构或纳米结构，以及因此制造微结构化部件。

Claims (15)

1.一种用于投射光刻的照明光学单元(25)的分面镜(6)的分面组件(26；35)，具有：
-分面(7)，其具有用于反射照明光(3)的反射面(27)；
-含有至少一个中空腔(29)的分面主体(28)，其中该中空腔(29)的反射面腔壁形成该反射面(27)的至少一个部分(27i j)；
-致动器控制装置(30)，其操作上连接至所述中空腔(29)，用于该反射面腔壁的受控变形，
-其中该分面主体(28)分成多个中空腔(29i j)，其中该中空腔(29i j)的反射面腔壁形成该反射面(27)的不同部分(27i j)。
2.如权利要求1所述的分面组件，其特征在于，该致动器控制装置(30)经信号连接至多个致动器单元(31i j；32；39)，其在每个情况下被分配至所述中空腔(29i j)和/或所述反射面部分(27i j)的所述反射面腔壁。
3.如权利要求1或2所述的分面组件，其特征在于所述中空腔(29i j)的配置，使得由所述中空腔(29i j)的该反射面腔壁形成的该反射面部分(27i j)配置成
-仅一个反射面行(i＝1)的形式；或
-仅一个反射面列(j＝1)的形式；或
-具有至少两个反射面行(j>1)且具有至少两个反射面列(i>1)的反射面阵列(i>1,j>1)的形式。
4.如权利要求3所述的分面组件，其特征在于，在每个情况下沿着反射面行(i＝1)分配给一个中空腔(29)的反射面部分(27i j)的数目不同于在每个情况下沿着反射面列(j＝1)分配给一个中空腔(29)的反射面部分(27i j)的数目。
5.如权利要求1至4中的一项所述的分面组件，其特征在于，该致动器控制装置(30)经由至少一个额外的微调致动器单元(32)操作上连接至该反射面(27)。
6.如权利要求1至5中的一项所述的分面组件，其特征在于，该至少一个中空腔(29)填充一介质，该至少一个中空腔在该分面组件的反射面腔壁或至少一个进一步中空腔(40)上方形成该反射面(27)的至少一部分。
7.如权利要求6所述的分面组件，其特征在于，该至少一个中空腔(29)或进一步中空腔(40)填充一流体，其中该致动器控制装置(30)操作上连接至该中空腔(29；40)，用于采用一受控方式改变在该中空腔(29；40)中的流体压力。
8.一种分面镜(6)，具有如权利要求1至7中任一项所述的分面组件。
9.如权利要求8所述的分面镜，其特征在于，该分面组件的分面(7)的至少一些能够在多个倾斜位置之间倾斜，用于改变照明光(3)的偏转效果。
10.一种照明光学单元，具有：如权利要求8或9所述的分面镜，用于沿着照明光束路径将照明光部分光束导引至物场(20)，所述物场中能够配置光刻掩模(19)；且具有用于将该分面镜(6)的分面(7)叠加成像在该物场(20)的传输光学单元(17)。
11.一种光学系统，具有如权利要求10所述的照明光学单元且具有用于将该物场(20)成像在像场(22)的投射光学单元(21)，所述像场中能够配置基板(24)，所要成像的该物体(10)的一部分成像在该基板上。
12.一种如权利要求10所述的照明光学单元或如权利要求11所述的光学系统，具有用于照明光(3)的光源(2)。
13.一种投射曝光装置(1)，具有如权利要求12所述的光学系统且具有用于照明光(3)的光源(2)。
14.一种用于制造结构化部件的方法，包括下列方法步骤：
-提供掩模母版(19)和晶片(24)；
-借助于如权利要求13所述的投射曝光装置，将在该掩模母版(19)上的结构投射在该晶片(24)的光敏层上；
-在该晶片(24)上制造微结构和/或纳米结构。
15.一种结构化部件，根据如权利要求14所述的方法制造。
CN202180029939.9A 2020-04-23 2021-04-19 用于分面镜的分面组件 Pending CN115485627A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020205123.2A DE102020205123A1 (de) 2020-04-23 2020-04-23 Facetten-Baugruppe für einen Facettenspiegel
DE102020205123.2 2020-04-23
PCT/EP2021/060036 WO2021213961A1 (en) 2020-04-23 2021-04-19 Facet assembly for a facet mirror

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115485627A true CN115485627A (zh) 2022-12-16

Family

ID=75588228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180029939.9A Pending CN115485627A (zh) 2020-04-23 2021-04-19 用于分面镜的分面组件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230026528A1 (zh)
JP (1) JP2023522747A (zh)
CN (1) CN115485627A (zh)
DE (1) DE102020205123A1 (zh)
TW (1) TWI813949B (zh)
WO (1) WO2021213961A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230234188A1 (en) * 2022-01-27 2023-07-27 Tokyo Electron Limited Wafer chuck with tunable stiffness material

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
TW575771B (en) * 2000-07-13 2004-02-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6880942B2 (en) * 2002-06-20 2005-04-19 Nikon Corporation Adaptive optic with discrete actuators for continuous deformation of a deformable mirror system
KR101739711B1 (ko) * 2003-09-29 2017-05-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
KR101593712B1 (ko) 2008-02-15 2016-02-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러
DE102011004615A1 (de) 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102013206981A1 (de) 2013-04-18 2013-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel mit im Krümmungsradius einstellbaren Spiegel-Facetten und Verfahren hierzu
DE102015200531A1 (de) 2015-01-15 2016-02-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul
DE102016209847A1 (de) 2016-06-03 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit optischer Korrekturenanordnung und Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage
KR102455352B1 (ko) * 2016-09-02 2022-10-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
DE102017221420A1 (de) 2017-11-29 2018-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv-beleuchtungssystem und verfahren zum erzeugen einer beleuchtungsstrahlung

Also Published As

Publication number Publication date
TW202141077A (zh) 2021-11-01
WO2021213961A1 (en) 2021-10-28
US20230026528A1 (en) 2023-01-26
TWI813949B (zh) 2023-09-01
JP2023522747A (ja) 2023-05-31
DE102020205123A1 (de) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6121581B2 (ja) マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
TWI464542B (zh) 微影投射曝光裝置的照射系統
TWI397786B (zh) 用於投影微影之照明光學單元
US9851555B2 (en) Optical component
US9612537B2 (en) Illumination optical unit for EUV projection lithography
TWI610140B (zh) 用於投射曝光裝置的照射光學單元
US9791784B2 (en) Assembly for a projection exposure apparatus for EUV projection lithography
US9897923B2 (en) Micromirror array
US20230026528A1 (en) Facet assembly for a facet mirror
KR102401868B1 (ko) 투영 노광 시스템의 오브젝트 필드를 조명하는 방법
US20240012334A1 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography
JP6332758B2 (ja) Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明光学ユニット
US9915872B2 (en) Optical component
KR20180005169A (ko) Euv 투영 리소그래피용 패싯 미러 및 이러한 패싯 미러를 포함하는 조명 광학 유닛
JP6691105B2 (ja) Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明光学ユニット
CN116868128A (zh) 用于反射辐射的光学元件和光学装置
TWI453526B (zh) 經組態以將一光學元件安裝於用於一微影裝置之一模組中之座、用於一微影裝置之模組及經建構及配置以將一力施加於一微影裝置之一模組之一光學元件之一周邊上的彈性構件
JP2017526969A5 (zh)
US20230205099A1 (en) Field facet for a field facet mirror of a projection exposure system
WO2023016681A1 (en) Mirror for a microlithographic projection exposure apparatus
KR20230145202A (ko) 광학 조립체, 광학 요소를 변형하기 위한 방법 및, 투영 노광 시스템
TW202246841A (zh) 光學組件及其製造方法、用於變形光學元件的方法以及投影曝光裝置
WO2014056513A1 (en) Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination