TW202347415A - 均一化反應腔環境的方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種均一化反應腔環境的方法，包含：提供一可形成等離子體環境的反應腔，反應腔內設有反應腔內壁及若干暴露於等離子環境中的零部件；向反應腔內輸入取代的甲基矽烷；開啟等離子射頻源，使得所述取代的甲基矽烷解離為塗層等離子體，所述塗層等離子體在所述反應腔內壁和/或所述零部件的表面形成SiC塗層。 本發明通過向反應腔內通入單一的取代的甲基矽烷化合物作為塗層前驅體，在等離子射頻源、真空、較低溫度下，解離為塗層等離子體，該塗層等離子體在所述反應腔內壁和/或所述零部件的表面形成SiC塗層作為保護層。可通過控制取代的甲基矽烷的流速、流量、通入時間，實現SiC塗層厚度可控，滿足不同蝕刻製程的需求，提高蝕刻效率。
Description
本發明屬於半導體設備領域，涉及一種設備清潔方法，具體涉及一種均一化反應腔環境的方法。
等離子體蝕刻製程在集成電路製造領域發揮著至關重要的作用。在蝕刻晶圓製程過程中，為了保障蝕刻機台的穩定性，保持環境的均一性，通常需要在每批晶圓處理完成移出反應腔後至下一批晶圓進入反應腔處理前，需要先進行清潔處理。
通常的清潔處理步驟包含：1）通入含氟反應氣體，除去反應腔內壁及暴露於等離子環境的零部件表面的氧化矽塗層；2）除去殘餘的含氟反應氣體，以及其與氧化矽反應生成C-F等副產物；3）重新對所述反應腔內壁、所述零部件進行塗層處理，形成新的氧化矽塗層。
然而，對於特別長的晶圓蝕刻製程，由於蝕刻時間長，對反應腔內壁、零部件的耐蝕刻性能要求高，通常需要較厚的氧化矽塗層。然而，現有技術難以形成較厚的氧化矽塗層，或者說，為得到需要厚度的氧化矽塗層需要的時間過長，影響製程週期。而且，由於氧化矽塗層不容易清除，即使得到了較厚的氧化矽塗層，在下一次清潔處理時，又需要較長的時間除去該氧化矽塗層。因此，現有的氧化矽塗層及清潔處理方法不適用於較長的晶圓蝕刻製程。
本發明的目的是提供一種高效的等離子反應腔環境的均一化處理方法，其形成的表面塗層厚度可控，尤其適用於較長的晶圓蝕刻製程。
為了達到上述目的，本發明提供了一種均一化反應腔環境的方法，其包含：
提供一可形成等離子體環境的反應腔，所述反應腔內設有反應腔內壁及若干暴露於等離子環境中的零部件；
向所述反應腔內輸入取代的甲基矽烷；該取代的甲基矽烷中，矽Si與碳C的原子比例為1：1；
開啟等離子射頻源，使得所述取代的甲基矽烷解離為塗層等離子體，所述塗層等離子體在所述反應腔內壁和/或所述零部件的表面形成SiC塗層。
可選地，向所述反應腔內輸入取代的甲基矽烷之前向所述反應腔內輸入清潔氣體，所述清潔氣體用於清潔所述反應腔內壁和/或零部件表面的塗層。
可選地，向所述反應腔內輸入清潔氣體之前，將所述反應腔內的晶圓移出。
可選地，所述清潔氣體包括含氟氣體和/或含氧氣體。
可選地，所述含氟氣體為CF
4（四氟化碳）和NF
3（三氟化氮）中的至少一種。
可選地，所述含氟氣體的流量大於含氧氣體的流量。
可選地，所述的取代的甲基矽烷中的氫H原子全部或部分被鹵素取代。
可選地，所述取代的甲基矽烷中的H原子全部或部分被氟F和/或氯Cl取代。
可選地，所述取代的甲基矽烷為CH
3SiCl
3。
可選地，所述SiC塗層厚度大於0.2毫米。
可選地，當需要每組晶圓蝕刻完成後均一化反應腔環境時，所述SiC塗層厚度為微米級。
可選地，當需要多組晶圓蝕刻完成後再均一化反應腔環境時，所述SiC塗層厚度為毫米級。
可選地，所述取代的甲基矽烷為CH
2ClSiHCl
2，CHCl
2SiH
2Cl，CH
3SiF
3，CH
2FSiHCl
2，CHF
2SiH
2F中的至少一種。
本發明的均一化反應腔環境的方法，在待蝕刻晶圓進入反應腔之前進行，通過向反應腔內通入單一化合物取代的甲基矽烷作為塗層前驅體，在等離子射頻源、真空、較低溫度下，解離為塗層等離子體，該塗層等離子體在所述反應腔內壁和/或所述零部件的表面形成SiC塗層作為保護層。本發明可通過控制取代的甲基矽烷的流速、流量、通入時間，實現SiC塗層厚度可控，滿足不同蝕刻製程的需求，使得蝕刻製程的蝕刻效率提高。
下面將結合圖式對本發明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域具有通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
在本發明的描述中，需要說明的是，術語“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於圖式所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對於本領域具有通常知識者而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
蝕刻晶圓工藝中，等離子處理裝置的反應腔處於等離子體環境，反應腔內壁以及處於反應腔內的半導體零部件暴露於等離子體環境中，易受到等離子體的腐蝕。需要在反應腔內壁及所述半導體零部件表面設置保護塗層，以阻擋等離子體對反應腔內壁及半導體零部件本體的腐蝕，維持蝕刻環境的均一性。然而，經過一段時間的蝕刻晶圓工藝，所述保護塗層還是無法避免地受到原子級別的損傷，進而影響到反應腔內環境的穩定性，導致晶圓的良品率下降。因此，需要對反應腔內環境進行均一化處理，如，可以採用清潔處理，以維護反應腔內環境的穩定性。
通常的清潔處理步驟包含：步驟a，向反應腔內通入含氮或含氟氣體以除去保護塗層；步驟b，清掃殘餘氣體及C-F雜質氣體；步驟c，形成新的保護塗層。
現有技術一般採用SiO（一氧化矽）塗層作為保護塗層。現有SiO塗層的形成機理為：
SiCl
4+O
2→SiO
x（I）
其中，x代表O與Si的原子數比例。
式（I）中，形成SiO塗層的原料氣體SiCl
4、O
2為異種化合物，在進入反應腔後被等離子射頻源解離為等離子體，其中，用於形成SiO塗層的Si和O的等離子體的量，要受制於氣體流量的控制以及兩種化合物解離的同時空需求，對工藝要求比較高，且形成的塗層厚度、緻密性和覆蓋度均無法有效控制。
一方面，SiO塗層由於採用異種氣體作為原料，在形成過程中厚度不易控制，難以形成較厚的保護層，需頻繁清潔處理；另一方面，即使能形成較厚的保護層，耗時較長，且由於SiO塗層分解效率較低，通入清潔氣體清除塗層耗時較長。也就是說，採用SiO塗層作為保護層進行清潔處理，影響有效的蝕刻時間，導致蝕刻效率不高，尤其無法適用長期蝕刻晶圓的工藝製程。
基於此，本發明提供一種利用SiC塗層進行反應腔內環境均一化的思路，由於SiC塗層更耐蝕刻，作為保護塗層，更加適用於較長時間的晶圓蝕刻。其中，一種SiC塗層的製備方法為採用異種氣體製備，機理如下：
SiCl
4+ CH
4+ H
2（載氣）→SiC + 4HCl + H
2（載氣） （II）
式（II）中，形成SiC塗層的原料氣體SiCl
4、CH
4為異種化合物，需要嚴格的流速、流量控制，以確保Si：C的原子比例為1：1。該方法對工藝要求比較高，形成的塗層厚度、緻密性和覆蓋度均無法有效控制。
為解決上述技術問題，本發明提供了一種SiC 塗層作為保護層，採用單一的化合物取代的甲基矽烷作為原料氣體，在等離子射頻源作用下，在具有較低溫度的超真空的反應腔內解離為塗層等離子體，該塗層等離子體在等離子反應腔內壁和/或暴露於該等離子環境中的零部件的表面形成緻密的SiC 塗層。
所述取代的甲基矽烷是指，甲基矽烷（CH
3SiH
3）中，Si-H鍵和/或C-H鍵上的H原子部分或全部被鹵素取代，該鹵素可以是Cl和/或F。例如，本發明所述取代的甲基矽烷可以是CH
3SiCl
3，CH
2ClSiHCl
2，CHCl
2SiH
2Cl，CH
3SiF
3，CH
2FSiHCl
2，CHF
2SiH
2F等等。
本發明採用一種取代的甲基矽烷化合物作為原料氣體，在等離子射頻源作用下，容易解離成1:1 原子比的Si、C等離子體，在反應腔內壁及零部件表面形成SiC塗層，厚度可控，且形成的SiC 塗層更加緻密，覆蓋性，厚度更均勻，更加有效率。
如圖1所示，為本發明的均一化反應腔環境的方法的工藝流程圖。該方法包含：
步驟S1，提供一可形成等離子體環境的反應腔，所述反應腔內設有反應腔內壁及若干暴露於等離子環境中的零部件；
步驟S2，向所述反應腔內輸入取代的甲基矽烷；該取代的甲基矽烷中，Si與C的原子比例為1：1；
步驟S3，開啟等離子射頻源，使得所述取代的甲基矽烷解離為塗層等離子體，所述塗層等離子體在所述反應腔內壁和/或所述零部件的表面形成SiC塗層。
一些實施例中，還可以在向所述反應腔內輸入取代的甲基矽烷之前，向所述反應腔內輸入清潔氣體，所述清潔氣體用於清潔所述反應腔內壁和/或零部件表面的塗層，該塗層可以是SiC 塗層、SiO塗層或其他保護塗層。
一些實施例中，向所述反應腔內輸入清潔氣體之前，將所述反應腔內的晶圓移出。此時，反應腔內無晶圓，也無需放置仿真晶圓（dummy wafer）。
所述清潔氣體包括含氟氣體和/或含氧氣體。
一些實施例中，所述氟基氣體為CF
4和NF
3中的至少一種。
一些實施例中，所述清潔氣體包括含氟氣體和含氧氣體，所述含氟氣體的流量大於含氧氣體的流量。
所述取代的甲基矽烷的取代是指甲基矽烷的H全部或部分被F和/或Cl取代，呈氣態或易氣化的液態。為了控制氣體流速和反應速率，還可以通入載氣，該載氣可以選擇氫氣。
一些實施例中，所述取代的甲基矽烷為CH
3SiCl
3，其反應機理如下式（III）所示：
一些實施例中，所述SiC塗層厚度根據需要能達到mm級（如，該厚度可以做到超過0.2mm），且形成時間可以接受。而通常兩片晶圓之間的清潔步驟中SiO塗層只能做到微米級厚度。
為使本發明的上述目的、特徵和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結合圖式對本發明的具體實施例做詳細的說明。
本發明所述的可形成等離子體環境的反應腔可以是等離子體蝕刻裝置的反應腔。該等離子體蝕刻裝置可以為電感耦合等離子體蝕刻裝置或電容耦合等離子體蝕刻裝置。以下以所述等離子體蝕刻裝置為電感耦合等離子體蝕刻裝置進行說明。
如圖2所示，本發明的一種等離子體蝕刻裝置包括：
反應腔109，位於晶圓w上方的空間A為等離子體環境；腔室內部的半導體零部件暴露於等離子體環境中。
基座110，用於承載晶圓w。
在本實施例中，等離子體蝕刻裝置為電感耦合等離子體反應裝置，相應地，暴露於等離子體環境中的半導體零部件包括：襯套101、氣體噴嘴102、靜電吸盤組件103、聚焦環104、絕緣環105、覆蓋環106、等離子體約束裝置107、陶瓷蓋板108或氣體連接法蘭（圖中未示）等，這些零部件的表面塗覆有耐腐蝕塗層以防止等離子體的腐蝕。
由於等離子體具有較強的腐蝕性，當蝕刻一組或若干組晶圓後，反應腔內壁、暴露於等離子體環境中的半導體零部件或多或少會受到原子級損傷或者環境的均一性受到影響，為了保證片與片之間的晶圓加工的均一性，需要對反應腔內的暴露於等離子體中的反應腔壁及零部件表面進行清潔處理。
在清潔步驟開始前，先將晶圓w移出反應腔109，向反應腔109內通入含氟清潔氣體，例如NF
3，使其與反應腔109內壁及暴露於等離子體環境中的半導體零部件的表面的SiC塗層發生反應，以除去上一個清潔步驟中在腔室內壁及零部件表面生成的SiC塗層。對反應腔109內進行清掃，將反應副產物氣體及殘留氣體除去。然後，向反應腔109內通入取代的甲基矽烷，本例中，採用CH
3SiCl
3作為反應氣體，氫氣作為載氣，根據需要的塗層厚度控制流速和通入時間。開啟等離子射頻源，在真空、不高於150℃條件下，使得CH
3SiCl
3解離為塗層等離子體，該塗層等離子體在所述反應腔內壁和暴露於等離子體環境的半導體零部件的表面均勻形成SiC塗層。由於本發明中用於產生塗層的工藝氣體為取代的甲基矽烷，其Si與C的原子比例為1：1，因此與需要多種氣體反應生成的塗層製作方法相比，可以大大降低工藝氣體的輸送控制難度，可通過控制CH
3SiCl
3的流量和流速控制形成的SiC塗層的緻密性、覆蓋性，流速和流量越小，形成相同厚度塗層的時間延長，但緻密性和覆蓋性會更好。流速和流量一定時，延長通入時間可獲得更厚的SiC塗層。
SiC塗層厚度的選擇與晶圓製程相關。隨著晶圓蝕刻精度的不斷提高，例如，在3nm、5nm的先進製程，對晶圓蝕刻要求較高，晶圓對環境更敏感，要求等離子蝕刻環境更加均一、穩定；或者是，需要在一次塗層處理後進行連續多批次晶圓蝕刻，就需要形成較厚的塗層，本發明製作的SiC塗層可以在短時間內生成較大厚度，例如可以達到mm級厚度，可以極大的滿足高精度的晶圓處理要求。當然，本發明的技術方案同樣可以適於晶圓要求比較低的場合，例如，對蝕刻環境均一性要求不高的，或者只需要蝕刻很少量晶圓的，可以不必形成很厚的塗層，微米級即可。容易理解，形成較厚的塗層需要更多的原料氣體流量，更長的通氣時間。對於緻密性要求更高的塗層，需要原料氣體的通入流速更慢，時間更長。
由於本發明的塗層形成方法，SiC塗層的形成和蝕刻去除速度都較快，使用者很容易利用本發明的方法形成不同厚度的SiC塗層，進而靈活適用不同的蝕刻場景。當只需要進行一個或幾個晶圓的蝕刻時，可通過控制取代的甲基矽烷的流速和通入時間，形成較薄的塗層，如微米級；當需要進行幾組或幾十組（lot）的晶圓蝕刻時，可延長取代的甲基矽烷的通入時間，以形成較厚的塗層，如毫米級。而無需像現有技術的SiO塗層作為保護層一樣，需要每個晶圓蝕刻之間進行清潔處理，影響蝕刻效率，且無法形成用於長蝕刻週期的蝕刻製程的保護層。
與需要採用化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）方法生成SiC塗層的工藝條件不同，本發明將取代的甲基矽烷，例如為CH
3SiCl
3作為晶圓片與片之間均一化清潔步驟中塗層的產生氣體，等離子體環境下，將取代的甲基矽烷解離為塗層等離子體，只需要在不超過150°的溫度下即可進行，與CVD工藝需在高於1700℃的工況下生成SiC塗層，本發明大大降低了SiC塗層的製作難度。此外，本發明無需另外設置等離子射頻源、壓力控制器及溫度控制器，利用該等離子體處理裝置現有的功能部件即可實現解離並形成SiC塗層，可根據需要塗層厚度，選擇相應的功率、真空度、加熱溫度、氣體流速和通氣時間等。通常的射頻功率為0.5×102~2×103瓦，壓力為3毫托~103毫托，氣體流速為50sccm~2000sccm；通氣時間5秒~600秒(s)，根據具體的蝕刻場景選擇。
以下對於本發明在等離子蝕刻裝置的反應腔內壁、暴露於等離子體環境中的半導體零部件形成塗層實現環境均一化的方法舉例說明。
實施例1
打開等離子蝕刻裝置，設置工藝參數如下：射頻源功率源輸出功率1000W，維持反應腔內氣壓10mT，反應腔內溫度100℃，以200sccm的流速通入CH
3SiCl
3，通入時間10s，在所述等離子蝕刻裝置的反應腔內壁、暴露於等離子體環境中的半導體零部件上均勻形成厚度為50nm（奈米）的SiC塗層。
實施例2
打開等離子蝕刻裝置，設置工藝參數如下：射頻源功率源輸出功率2000W，維持反應腔內氣壓80mT，反應腔內溫度120℃，以1000sccm的流速通入CH
3SiF
3，通入時間120s，在所述等離子蝕刻裝置的反應腔內壁、暴露於等離子體環境中的半導體零部件上均勻形成厚度為10µm（微米）的SiC塗層。
實施例3
打開等離子蝕刻裝置，設置工藝參數如下：射頻源功率源輸出功率2000W，維持反應腔內氣壓120mT，反應腔內溫度150℃，以2000sccm的流速通入CH
3SiCl
3，通入時間600s，在所述等離子蝕刻裝置的反應腔內壁、暴露於等離子體環境中的半導體零部件上均勻形成厚度為100µm的SiC塗層。
具體應用中，等離子體蝕刻裝置也可以為電容耦合等離子體反應裝置，相應的，暴露於等離子體環境中的零部件包括：噴淋頭、上接地環、移動環、氣體分配板、氣體緩衝板、靜電吸盤組件、下接地環、覆蓋環、絕緣環或等離子體約束裝置中的至少一種，這些零部件的表面需要塗覆耐腐蝕塗層以防止等離子體的腐蝕。本例中，在這些零部件的本體基底上形成本發明的耐等離子體腐蝕塗層結構。
在一些實施例中，上述生成SiC塗層的方法可以在每一個晶圓片與片之間均一化清潔步驟中進行，如圖3所示，該方法包含：
步驟S3.1，將蝕刻後的晶圓從反應腔中移出；
步驟S3.2，通入清潔氣體，以除去所述反應腔內壁和/或零部件表面的塗層；
步驟S3.3，向所述反應腔內輸入取代的甲基矽烷；該取代的甲基矽烷中，Si與C的原子比例為1：1；
步驟S3.4，開啟等離子射頻源，使得所述取代的甲基矽烷解離為塗層等離子體，所述塗層等離子體在所述反應腔內壁和/或所述零部件的表面形成SiC塗層，控制該SiC塗層厚度為微米級；
步驟S3.5，蝕刻下一批次晶圓。
根據需要，依步驟S3.1~步驟3.5可進行若干次循環處理。
在另一些實施例中，由於本發明方法可以產生較大厚度的SiC塗層，且製作的SiC塗層具有較高的耐等離子體腐蝕能力，因此，可以製作一次SiC塗層後進行若干片晶圓的加工處理，可以大大提高等離子體蝕刻裝置處理晶圓的速率，提高產能。如圖4所示，該方法包含：
步驟S4.1，將蝕刻後的晶圓從反應腔中移出；
步驟S4.2，通入清潔氣體，以除去所述反應腔內壁和/或零部件表面的塗層；
步驟S4.3，向所述反應腔內輸入取代的甲基矽烷；該取代的甲基矽烷中，Si與C的原子比例為1：1；
步驟S4.4，開啟等離子射頻源，使得所述取代的甲基矽烷解離為塗層等離子體，所述塗層等離子體在所述反應腔內壁和/或所述零部件的表面形成SiC塗層，控制該SiC塗層厚度為毫米級；
步驟S4.5，蝕刻下一批次晶圓；
步驟S4.6，將蝕刻後的晶圓從反應腔中移出；
步驟S4.7，重複步驟S4.5、步驟S4.6至少兩次；
步驟S4.8，繼續步驟S4.2~步驟S4.4的均一化步驟。
一些實施例中，需要將現有的等離子體蝕刻裝置用於長期晶圓蝕刻。然而，等離子反應腔內壁、暴露於等離子體的半導體零部件的表面塗層厚度不夠，不能滿足長期晶圓蝕刻的環境穩定要求。此時，可無需通入清潔氣體蝕刻原表面塗層，直接在無晶圓的情況下，向反應腔內通入取代的甲基矽烷化合物，開啟等離子體射頻源，使其在真空，不高於150℃的工況下，解離為塗層等離子體，該塗層等離子體在原表面塗層上繼續形成SiC塗層，直到設定的厚度。
綜上所述，本發明以Si與C的原子數比例為1：1的單一的取代的甲基矽烷化合物作為原料氣體，在等離子射頻源、真空，低溫下，即可解離為塗層等離子體，從而在等離子體處理裝置的反應腔內壁及暴露於等離子體環境的半導體零部件上形成SiC表面塗層，厚度可控，對工藝要求更低。形成的SiC 塗層更加緻密，覆蓋性及厚度更均勻更厚，更加有效率。
儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
S1~S3,S3.1~S3.5,S4.1~S4.6,S4.7,S4.8:步驟
w:晶圓
A:空間
101:襯套
102:氣體噴嘴
103:靜電吸盤組件
104:聚焦環
105:絕緣環
106:覆蓋環
107:等離子體約束裝置
108:陶瓷蓋板
109:反應腔
110:基座
圖1為本發明的一種均一化反應腔環境的方法的工藝流程圖。
圖2為本發明的一種等離子處理裝置的結構示意圖。
圖3為本發明的一個實施例的均一化反應腔環境的方法的工藝流程圖。
圖4為本發明的另一個實施例的均一化反應腔環境的方法的工藝流程圖。
S1~S3:步驟
Claims (13)
- 一種均一化反應腔環境的方法，其包含： 提供一可形成等離子體環境的反應腔，所述反應腔內設有反應腔內壁及若干暴露於等離子環境中的零部件； 向所述反應腔內輸入取代的甲基矽烷；該取代的甲基矽烷中，Si與C的原子比例為1：1；以及 開啟等離子射頻源，使得所述取代的甲基矽烷解離為塗層等離子體，所述塗層等離子體在所述反應腔內壁和所述零部件的表面形成SiC塗層的至少一者。
- 如請求項1所述的均一化反應腔環境的方法，其中，向所述反應腔內輸入取代的甲基矽烷之前向所述反應腔內輸入清潔氣體，所述清潔氣體用於清潔所述反應腔內壁和零部件表面的塗層的至少一者。
- 如請求項2所述的均一化反應腔環境的方法，其中，向所述反應腔內輸入清潔氣體之前，將所述反應腔內的晶圓移出。
- 如請求項2所述的均一化反應腔環境的方法，其中，所述清潔氣體包括含氟氣體和含氧氣體的至少一者。
- 如請求項4所述的均一化反應腔環境的方法，其中，所述含氟氣體為CF 4和NF 3中的至少一種。
- 如請求項4所述的均一化反應腔環境的方法，其中，所述含氟氣體的流量大於含氧氣體的流量。
- 如請求項1所述的均一化反應腔環境的方法，其中，所述的取代的甲基矽烷中的H原子全部或部分被鹵素取代。
- 如請求項1所述的均一化反應腔環境的方法，其中，所述取代的甲基矽烷中的H原子全部或部分被F和Cl的至少一者取代。
- 如請求項1所述的均一化反應腔環境的方法，其中，所述取代的甲基矽烷為CH 3SiCl 3。
- 如請求項1所述的均一化反應腔環境的方法，其中，所述SiC塗層厚度大於0.2毫米。
- 如請求項1所述的均一化反應腔環境的方法，其中，當需要每組晶圓蝕刻完成後均一化反應腔環境時，所述SiC塗層厚度為微米級。
- 如請求項1所述的均一化反應腔環境的方法，其中，當需要多組晶圓蝕刻完成後再均一化反應腔環境時，所述SiC塗層厚度為毫米級。
- 如請求項1所述的均一化反應腔環境的方法，其中，所述取代的甲基矽烷為CH 2ClSiHCl 2，CHCl 2SiH 2Cl，CH 3SiF 3，CH 2FSiHCl 2，CHF 2SiH 2F中的至少一種。
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