TW202346932A - 光迴路基板 - Google Patents
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Abstract
本揭示的光迴路基板係包含：配線基板；下部包覆層，係位於配線基板上，且具有第一區域及第二區域；光波導，係位於第一區域上，且包含核心及上部包覆層；以及導件構造，係以鄰接於光波導的方式位於第二區域上。導件構造係在俯視觀察下至少具有：第一部分及第二部分，係相互地鄰接而從配線基板之外緣側延伸到中央側；第三部分，係從第一部分之中央側的端部以遠離第二部分的方式延伸；以及第四部分，係從第二部分之中央側的端部以遠離第一部分的方式延伸。第三部分及第四部分係包含第一突出部及第二突出部的至少一方。
Description
本發明係關於一種光迴路基板及使用該光迴路基板的光模組。
近年來，能夠將大容量之資料(data)進行高速通信的光纖(optical fiber)被使用於資訊通信中。光信號之接收發送係在該光纖與光學零件之間所進行。如此的光學零件係例如專利文獻1所記載地安裝於光迴路基板。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特許第6264832號公報
以往的光波導係如專利文獻1所記載，有時會因基板之邊緣(edge)部所配置的連接器導件(connector guide)之形成不良、或連接器導件
之剝落，而無法精度佳地安裝。為此，尋求一種即便是基板之邊緣部，仍可以與連接器進行高精度連接的光迴路基板。
本揭示的光迴路基板係包含：配線基板；下部包覆層(clad)，係位於配線基板上，且具有第一區域及第二區域；光波導，係位於第一區域上，且包含核心(core)及上部包覆層；以及導件構造，係以鄰接於光波導的方式位於第二區域上。導件構造係在俯視觀察下至少具有：第一部分及第二部分，係相互地鄰接而從配線基板之外緣側延伸到中央側；第三部分，係從第一部分之中央側的端部以遠離第二部分的方式延伸；以及第四部分，係從第二部分之中央側的端部以遠離第一部分的方式延伸。第三部分及第四部分係包含第一突出部及第二突出部的至少一方。第一突出部為在俯視觀察下從第三部分的二個側緣部之中之與鄰近於第一部分之側相反之側、及第四部分的二個側緣部之中之與鄰近於第二部分之側相反之側的至少一方突出所成的突出部。第二突出部為在剖面觀察下從第三部分及第四部分的至少一方突出至下部包覆層內所成的突出部。
本揭示的光模組係包含：上述的光迴路基板；以及光連接器，係與上述導件構造抵接而連接於上述光迴路基板。
藉由具有如用以解決課題之手段的欄位中所記載的構成，即便是基板之邊緣部，本揭示的光迴路基板仍可以與連接器進行高精度連接。
1:光迴路基板
2:配線基板
3:光波導
4:光學零件
5:光纖
5a:光連接器
6:電子零件
7:焊料
10:光模組
21a:導體層
21b:焊墊
31:下部包覆層
32:光波導用核心
33:上部包覆層
34:導件構造
34a:第一突出部
34b:第二突出部
34c:第三突出部
34d:第四突出部
34e:第五突出部
34f:第六突出部
41:光傳輸路(矽波導(Si波導))
311:第一區域
312:第二區域
341:第一部分
342:第二部分
343:第三部分
344:第四部分
C1:第一凹部
C2:第二凹部
L1,L4:長度
L2,L3,L5,L6:厚度(深度)
A:箭頭
R1,R2,R3:區域
θ:角度
圖1係顯示在本揭示之一實施型態的光迴路基板安裝有光學零件及電子零件的光模組之俯視圖。
圖2係用以說明圖1所示的區域R1之通過光波導用核心之剖面的放大說明圖。
圖3係用以針對圖2所示的區域R2說明將光波導與光連接器連接之前及連接之後的狀態的放大說明圖。
圖4係從圖3所示之箭頭A方向觀察到的俯視圖。
圖5係用以說明圖4所示之區域R3的放大說明圖。
圖6(A)至圖6(E)係用以說明在圖5所示之a-a線剖切後的剖面之各種實施型態的說明圖。
圖7(A)至圖7(E)係用以說明在圖5所示之b-b線剖切後的剖面之各種實施型態的說明圖。
圖8係光連接器連接於光迴路基板的狀態之主要部分放大剖視圖。
本揭示之一實施型態的光迴路基板係基於圖1至圖8而加以說明。圖1係顯示在本揭示之一實施型態的光迴路基板1安裝有光學零件4的光模組10之俯視圖。
本揭示之一實施型態的光迴路基板1係包含配線基板2與光波導3。作為一實施型態之光迴路基板1中所包含的配線基板2，可列舉一般被使用於光迴路基板的配線基板。
雖然未具體地圖示，但在如此的配線基板2中，例如包含核心(core)基板、與被積層於核心基板之雙面的增層(build-up layer)。核心基板若為具有絕緣性的素材就無特別限定。作為具有絕緣性的素材，例如可列舉環氧樹脂(epoxy resin)、雙馬來醯亞胺-三
樹脂(bismaleimide triazine resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、聚苯醚樹脂(polyphenylene ether resin)等樹脂。此等樹脂亦可混合二種以上來使用。核心基板通常是為了電性連接核心基板之上下表面而具有穿通孔(through hole)導體。
核心基板亦可包含補強材。作為補強材，例如可列舉玻璃(glass)纖維、玻璃不織布、芳香族醯胺(aramid)不織布、芳香族醯胺纖維、聚酯(polyester)纖維等絕緣性布材。補強材亦可同時使用二種以上。更且，在核心基板亦可分散有二氧化矽(silica)、硫酸鋇(barium sulfate)、滑石(talc)、黏土(clay)、玻璃、碳酸鈣(calcium carbonate)、氧化鈦(titanium oxide)等無機絕緣性填料(filler)。
增層係具有絕緣層與導體層交替地積層所成的構造。位於最表面的導體層(位於配線基板2之上表面的導體層)之一部分係包含光波導3所位於的導體層21a。導體層21a係由例如銅等金屬所形成。與核心基板同樣，增層中所包含的絕緣層若為具有絕緣性的素材就無特別限定。作為具有絕緣性的素材，例如可列舉環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三
樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂等樹脂。此等樹脂亦可混合二種以上來使用。
在增層存在二層以上之絕緣層的情況下，各自的絕緣層亦可為相同的樹脂，亦可為不同的樹脂。增層中所包含的絕緣層與核心基板亦
可為相同的樹脂，亦可為不同的樹脂。增層通常具有用以電性連接層間的導孔(via hole)導體。
更且，在增層所包含的絕緣層中，亦可分散有二氧化矽、硫酸鋇、滑石、黏土、玻璃、碳酸鈣、氧化鈦等無機絕緣性填料。
如圖2所示，一實施型態之光迴路基板1中所包含的光波導3，係位於配線基板2之表面上所存在的導體層21a之表面。圖2係說明圖1所示的區域R1之剖面的放大說明圖。光波導3係具有從導體層21a側起依照下部包覆層31、光波導用核心32及上部包覆層33之順序而積層所成的構造。
光波導3中所包含的下部包覆層31係位於配線基板2之表面，具體而言是位於配線基板2之表面上所存在的導體層21a之表面。下部包覆層31係具有：後述之光波導用核心32所在的第一區域311；以及後述之導件構造34所在的第二區域312。形成下部包覆層31的材料係不被限定，例如可列舉環氧樹脂、矽(silicon)樹脂等樹脂。
光波導3中所包含的上部包覆層33係位於第一區域311。有關上部包覆層33，亦與下部包覆層31同樣由環氧樹脂、矽樹脂等樹脂所形成。下部包覆層31與上部包覆層33可為相同的材料，亦可為不同的材料。更且，下部包覆層31與上部包覆層33亦可具有相同的厚度，亦可具有不同的厚度。下部包覆層31與上部包覆層33例如個別具有約5μm以上150μm以下的厚度。
光波導3中所包含的光波導用核心32係位於第一區域311。光波導用核心32為供侵入至光波導3後的光傳播的部分。具體而言，係設
置成使被安裝於配線基板2的光學零件4中所包含的光傳輸路41之端面與光波導3的光波導用核心32之端面相對向。如圖2所示，將包含與被安裝於配線基板2的光學零件4相對向的光波導用核心32之端面的光波導3之端面，作為第一端面3a。
在該第一端面3a中，光信號之接收發送是在光波導用核心32與光傳輸路41之間所進行。形成光波導用核心32的材料係不被限定，例如可考慮光之穿透性或傳播的光之波長特性等而做適當設定。作為材料，例如可列舉環氧樹脂、矽樹脂等樹脂。光波導用核心32例如具有約3μm以上50μm以下的厚度。
在光波導3中，與第一端面3a位於相反之側的端面為第二端面3b，將下部包覆層31之端面、光波導用核心32之端面及上部包覆層33之端面包含於同一面內。具體而言，如圖2所示，在光波導3中，與光連接器5a相對向的端面為第二端面3b。
有關圖2所示的區域R2，係基於圖3及圖4而加以說明。圖3係用以針對圖2所示的區域R2說明將光波導3與光連接器5a連接之前及連接之後的狀態的放大說明圖(立體圖)。圖4係從圖3所示之箭頭A方向觀察到的俯視圖，由光連接器5a所被覆的部分係作為透視圖揭露。為了方便說明起見，將平行於光波導用核心32的方向作為X方向，將垂直於光波導用核心32的方向作為Y方向。
如圖3及圖4所示，光波導3中所包含的下部包覆層31係具有第一區域311及第二區域312。光波導用核心32及上部包覆層33(為了方便說明起見未圖示)係位於下部包覆層31之第一區域311，且構成光波
導3。另一方面，導件構造34係以鄰接於光波導3(下部包覆層31之第一區域311、光波導用核心32及上部包覆層33)的方式位於下部包覆層31之第二區域312。例如，如圖3及圖4所示，導件構造34亦能夠隔著光波導3而位於光波導3之兩側。導件構造34係被使用於光連接器5a之定位。形成導件構造34的材料係不被限定，例如可列舉環氧樹脂、矽樹脂等樹脂。
如圖4所示，導件構造34係在俯視觀察下至少具有：第一部分341及第二部分342，係相互地鄰接而從配線基板2之外緣側延伸到中央側；第三部分343，係從第一部分341之中央側的端部以遠離第二部分342的方式延伸；以及第四部分344，係從第二部分342之中央側的端部以遠離第一部分341的方式延伸。所謂「以遠離第二部分的方式延伸」，係意指相對於第一部分之虛擬延長線而朝向與第二部分側不同的方向延伸。所謂「以遠離第一部分的方式延伸」，係意指相對於第二部分之虛擬延長線而朝向與第一部分側不同的方向延伸。
如後述之圖8所示，光連接器5a係例如在下部包覆層31側具有收納導件構造34的第一凹部C1以及收納上部包覆層33的第二凹部C2。光連接器5a係藉由將導件構造34之第一部分341及第二部分342嵌入於第一凹部C1來決定Y方向的位置，且藉由將光連接器5a之側面與導件構造34之第三部分343及第四部分344抵接來決定X方向的位置。藉此，光連接器5a係可精度佳地連接於預定之位置。
導件構造34中所包含的第一部分341及第二部分342之長度，係因應光連接器5a之大小而適當設定。第一部分341及第二部分342
之寬度例如為10μm以上50μm以下。第三部分343及第四部分344之長度，係因應光連接器5a之大小而適當設定。第三部分343及第四部分344之寬度例如為10μm以上50μm以下。第一部分341及第三部分343之寬度亦可為相同，亦可為不同。第二部分342及第四部分344之寬度亦可為相同，亦可為不同。
第一部分341與第三部分343所形成的角度θ係不被限定，如圖4所示，亦可為大致90度。同樣，第二部分342與第四部分344所形成的角度θ亦不被限定，亦可為大致90度。
有關第一部分341及第三部分343係基於圖5而加以說明。圖5係用以說明圖4所示之區域R3的放大說明圖。如圖5所示，第三部分343係包含第一突出部34a。
第一突出部34a為在俯視觀察下從第三部分343的二個側緣部之中之與鄰近於第一部分341之側相反之側突出所成的突出部。第一突出部34a係由形成上述之導件構造34的材料所形成。第一突出部34a之長度L1(亦即在俯視觀察下，從第三部分343之與鄰近於第一部分341之側相反之側的側緣部至前端為止的長度)例如為30μm以上150μm以下，亦可為與第三部分343之寬度大致相同。
圖6係用以說明在圖5所示之a-a線剖切後的剖面之各種實施型態的說明圖。如圖5及圖6(A)所示，第三部分343係具有從第三部分343的二個側緣部之中之與鄰近於第一部分341之側相反之側突出所成的第一突出部34a。如圖6(B)所示，第三部分343亦可包含在剖面觀察下從第三部分343突出至下部包覆層31(第二區域312)所成的第二突出部34b。
圖6(B)係顯示第三部分343不具有第一突出部34a的情況。第二突出部34b亦與第一突出部34a同樣地由形成上述之導件構造34的材料所形成。第二突出部34b之厚度(深度)L2係不被限定，例如亦可為下部包覆層31之厚度的約10%以上。
如圖6(C)所示，亦可為使第一突出部34a及第二突出部34b之雙方從第三部分343突出。亦即，第三部分343係若包含第一突出部34a及第二突出部34b的至少一方即可。
更且，如圖6(D)所示，亦可包含在剖面觀察下從第一突出部34a突出至下部包覆層31(第二區域312)所成的第三突出部34c。第三突出部34c亦與第二突出部34b同樣地由形成上述之導件構造34的材料所形成。第三突出部34c之厚度(深度)L3係不被限定，例如亦可為下部包覆層31之厚度的約10%以上。第三突出部34c亦可為與第二突出部34b相同的厚度，亦可為不同的厚度。
如圖6(E)所示，亦可為使第一突出部34a及第二突出部34b之雙方從第三部分343突出，並且使第三突出部34c從第一突出部34a突出。
有關第四部分344，係與第三部分343同樣地包含第一突出部34a及第二突出部34b的至少一方。更且，亦可使第三突出部34c從位於第四部分344的第一突出部34a突出。
在俯視觀察下，第三部分343延伸的方向與第一突出部34a突出的方向亦可正交。亦即，在俯視觀察下，位於第三部分343的第一突出部34a與第三部分343所形成的角度亦可為90度。在俯視觀察下，第四
部分344延伸的方向與第一突出部34a突出的方向亦可正交。亦即，在俯視觀察下，位於第四部分344的第一突出部34a與第四部分344所形成的角度亦可為90度。
其次，如圖5圖所示，第一部分341亦可包含第四突出部34d。第四突出部34d為在俯視觀察下面向由第一部分341及第二部分342所包夾的區域內而從第一部分341突出所成的突出部。第四突出部34d係由形成上述之導件構造34的材料所形成。第四突出部34d之長度L4(亦即在俯視觀察下，從第一部分341之第二部分342側的側緣部至前端為止的長度)例如為30μm以上150μm以下，亦可為與第一部分341之寬度大致相同。
圖7係用以說明在圖5所示之b-b線剖切後的剖面之各種實施型態的說明圖。如圖5及圖7(A)所示，第一部分341係具有面向由第一部分341及第二部分342所包夾的區域內而從第一部分341突出所成的第四突出部34d。如圖7(B)所示，第一部分341亦可包含在剖面觀察下從第一部分341突出至下部包覆層31(第二區域312)所成的第五突出部34e。圖7(B)係顯示第一部分341不具有第四突出部34d的情況。第五突出部34e亦與第四突出部34d同樣地由形成上述之導件構造34的材料所形成。第五突出部34e之厚度(深度)L5係不被限定，例如亦可為下部包覆層31之厚度的約10%以上，亦可為與第二突出部34b及第三突出部34c相同的深度。
如圖7(C)所示，亦可為使第四突出部34d及第五突出部34e之雙方從第一部分341突出。亦即，第一部分341亦可包含第四突出部34d及第五突出部34e的至少一方。
更且，如圖7(D)所示，亦可包含在剖面觀察下從第四突出部34d突出至下部包覆層31(第二區域312)所成的第六突出部34f。第六突出部34f亦與第五突出部34e同樣地由形成上述之導件構造34的材料所形成。第六突出部34f之厚度(深度)L6係不被限定，例如亦可為下部包覆層31之厚度的約10%以上。第六突出部34f亦可為與第五突出部34e相同的厚度，亦可為不同的厚度。
如圖7(E)所示，亦可為使第四突出部34d及第五突出部34e之雙方從第一部分341突出，並且使第六突出部34f從第四突出部34d突出。
有關第二部分342，亦與第一部分341同樣地包含第四突出部34d及第五突出部34e的至少一部分。更且，亦可使第六突出部34f從位於第二部分342的第四突出部34d突出。
在俯視觀察下，第一部分341延伸的方向與第四突出部34d突出的方向亦可正交。亦即，在俯視觀察下，位於第一部分341的第四突出部34d與第一部分341所形成的角度亦可為90度。在俯視觀察下，第二部分342延伸的方向與第四突出部34d突出的方向亦可正交。亦即，在俯視觀察下，位於第二部分342的第四突出部34d與第二部分342所形成的角度亦可為90度。
其次，說明在下部包覆層31之第二區域312形成導件構造34的方法之一實施型態。
首先，準備配線基板2。配線基板2係在上表面具有相互地鄰接的光學零件4之安裝區域及光波導3之形成區域。在配線基板2的光
波導3之形成區域，係包含作為位於最表面的導體層(位於配線基板2之上表面的導體層)之一部分的導體層21a。在配線基板2之安裝區域，係包含作為位於最表面的導體層之一部分的焊墊(pad)21b。導體層21a及焊墊21b係由例如銅等金屬所形成。
接著，在包含光波導3之形成區域的區域形成下部包覆層31。具體而言，係使由環氧樹脂、矽樹脂等樹脂所形成的樹脂層以被覆光波導3之形成區域的方式進行積層。接著，進行曝光及顯影，形成下部包覆層31。
接著，在下部包覆層31之第一區域311形成光波導用核心32，且在下部包覆層31之第二區域312形成導件構造34。光波導用核心32與導件構造34亦可同時地形成，亦可分別地形成。以減少製程數的觀點來看，導件構造34較佳是與光波導用核心32同時地形成。
在形成光波導用核心32與導件構造34之前，係在下部包覆層31之第二區域312形成凹部，該凹部係用以形成突出至下部包覆層31之第二區域312所成的第二突出部34b、第三突出部34c、第五突出部34e第六突出部34f。該凹部之形成方法係不被限定，例如可列舉曝光方法、雷射(laser)方法等。作為曝光方法，例如可列舉半色調光罩(Halftone mask)的方法、形成極小徑孔的方法等。作為雷射方法，例如可列舉使用準分子雷射(excimer laser)的方法等。
依需要而在下部包覆層31之第二區域312形成凹部之後，將用以形成光波導用核心32及導件構造34的材料(環氧樹脂、矽樹脂等樹
脂)，塗布或黏貼於下部包覆層31之第一區域311及第二區域312。之後，藉由進行曝光處理及顯影處理而形成光波導用核心32及導件構造34。
接著，在下部包覆層31之第一區域311形成被覆光波導用核心32的上部包覆層33。上部包覆層33亦與下部包覆層31同樣地藉由對環氧樹脂、矽樹脂等樹脂進行曝光、顯影處理所形成。下部包覆層31與上部包覆層33亦可為相同的材料，亦可為不同的材料。更且，下部包覆層31與上部包覆層33亦可具有相同的厚度，亦可具有不同的厚度。
如此，在下部包覆層31之第二區域312形成導件構造34。如此之包含導件構造34的光迴路基板1例如被使用作為光模組。亦即，本揭示的光模組係包含一實施型態的光迴路基板1、以及與導件構造34抵接而連接於光迴路基板1的光連接器5a。
其次，針對在一實施型態的光迴路基板1安裝有光學零件4及電子零件6的光模組10加以說明。如圖1所示，在安裝於光模組10的光學零件4包含有光傳輸路41。作為如此之包含光傳輸路41的光學零件4，例如可列舉矽光子元件(silicon photonics device)等。作為電子零件6，例如可列舉ASIC(Application Specific Integrated Circuit；特殊應用積體電路)、驅動IC等。
如圖2所示，光學零件4係與位於配線基板2的光學零件之安裝區域的焊墊21b經由焊料7而電性連接。焊墊21b為位於配線基板2之上表面的導體層之一部分。
作為光學零件4之一例，係針對矽光子元件加以說明。矽光子元件例如為具有將矽(Si)作為核心且將二氧化矽(SiO2)作為包覆層的光
傳輸路41的光學零件之一種。矽光子元件係包含Si波導來作為光傳輸路41，雖然未圖示，但是更包含鈍化(passivation)膜、光源部、光檢測部等。如上述，光傳輸路41(Si波導41)係以與光波導3中所包含的光波導用核心32相對向的方式位於光波導3之一方的端部。
例如，來自配線基板2的電信號係經由焊料7而傳播至光學零件4(矽光子元件)中所包含的光源部。接收到傳播而來之電信號的光源部係進行發光。發光之光信號係經由光傳輸路41(Si波導41)及光波導用核心32，而傳播至經由光連接器5a所連接的光纖5。
圖8係顯示光連接器5a連接於光迴路基板1的狀態(左半部)之主要部分放大剖視圖。光連接器5a係例如在下部包覆層31側具有收納導件構造34的第一凹部C1以及收納上部包覆層33的第二凹部C2。第一凹部C1係具有與導件構造34之寬度大致相同的寬度。藉此，光連接器5a係可在圖4所示之Y方向連接於光迴路基板1之規定的位置。
本揭示的光迴路基板係不被限定於上述之一實施型態的光迴路基板1。在一實施型態的光迴路基板1中，第一部分341與第三部分343所形成的角度為大致90度，第二部分342與第四部分344所形成的角度亦為大致90度。
但是，在本揭示的光迴路基板中，第一部分與第三部分所形成的角度θ亦可非為90度。例如，第一部分與第三部分所形成的角度亦可為鈍角(例如，超過90度且未達180度)。和第一部分與第三部分所形成的角度同樣，第二部分與第四部分所形成的角度亦可為鈍角。
2:配線基板
3:光波導
5a:光連接器
31:下部包覆層
34:導件構造
311:第一區域
312:第二區域
341:第一部分
342:第二部分
343:第三部分
344:第四部分
R3:區域
θ:角度
Claims (7)
- 一種光迴路基板，係包含：配線基板；下部包覆層，係位於該配線基板上，且具有第一區域及第二區域；光波導，係位於前述第一區域上，且包含核心及上部包覆層；以及導件構造，係以鄰接於前述光波導的方式位於前述第二區域上；該導件構造係在俯視觀察下至少具有：第一部分及第二部分，係相互地鄰接而從前述配線基板之外緣側延伸到中央側；第三部分，係從前述第一部分之前述中央側的端部以遠離前述第二部分的方式延伸；以及第四部分，係從前述第二部分之前述中央側的端部以遠離前述第一部分的方式延伸；前述第三部分及前述第四部分係包含第一突出部及第二突出部的至少一方；前述第一突出部為在俯視觀察下從前述第三部分的二個側緣部之中之與鄰近於前述第一部分之側相反之側、及前述第四部分的二個側緣部之中之與鄰近於前述第二部分之側相反之側的至少一方突出所成的突出部；前述第二突出部為在剖面觀察下從前述第三部分及前述第四部分的至少一方突出至前述下部包覆層內所成的突出部。
- 如請求項1所述之光迴路基板，其中，前述第三部分及前述第四部分的至少一方係具有在剖面觀察下從前述第一突出部突出至前述下部包覆層內所成的第三突出部。
- 如請求項1或2所述之光迴路基板，其中，在俯視觀察下，前述第三部分延伸的方向與前述第一突出部突出的方向正交，前述第四部分延伸的方向與前述第一突出部突出的方向正交。
- 如請求項1至3中任一項所述之光迴路基板，其中，前述第一部分及前述第二部分係包含第四突出部及第五突出部的至少一方；前述第四突出部為在俯視觀察下面向由前述第一部分及前述第二部分所包夾的區域內而從前述第一部分及前述第二部分的至少一方突出所成的突出部；前述第五突出部為在剖面觀察下從前述第一部分及前述第二部分的至少一方突出至前述下部包覆層內所成的突出部。
- 如請求項4所述之光迴路基板，其中，前述第一部分及前述第二部分的至少一方係具有在剖面觀察下從前述第四突出部突出至前述下部包覆層內所成的第六突出部。
- 如請求項1至5中任一項所述之光迴路基板，其中，前述導件構造係隔著前述光波導而位於前述光波導之兩側。
- 一種光模組，係包含：請求項1至6中任一項所述之光迴路基板；以及光連接器，係與前述導件構造抵接而連接於前述光迴路基板。
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