TW202344848A - 金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置 - Google Patents
金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202344848A TW202344848A TW112108643A TW112108643A TW202344848A TW 202344848 A TW202344848 A TW 202344848A TW 112108643 A TW112108643 A TW 112108643A TW 112108643 A TW112108643 A TW 112108643A TW 202344848 A TW202344848 A TW 202344848A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- body region
- metal
- metal product
- elastic
- anodized film
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 289
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 289
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title description 19
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 93
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 77
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 24
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 172
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 118
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011805 ball Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni] ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011806 microball Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N nickel tungsten Chemical compound [Ni].[W] MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06755—Material aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本發明提供一種具有高的形狀自由度及可靠性的金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置。
Description
本發明是有關於一種金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置。
金屬產品可藉由微機電系統(micro electro mechanical system,MEMS)技術與鍍覆技術來製作,且根據其用途應用領域可不同。作為一例,金屬產品可為用於對檢測對象進行檢測的導電接觸針。以金屬產品為導電接觸針的情形為例對作為以下說明的發明的背景的技術進行說明。
半導體元件的電特性試驗是藉由使配置有多個導電接觸針的檢測裝置接近檢測對象(半導體晶圓或半導體封裝)並使導電接觸針接觸檢測對象上對應的外部端子(焊料球或凸塊等)來執行。作為檢測裝置的一例,包括探針卡或測試插座,但不限定於此。
半導體晶圓單位中的檢測藉由探針卡來執行。探針卡安裝在晶圓與測試設備頭之間,且探針卡上的8,000~100,000個導電接觸針與晶圓上的個別晶片內的墊接觸,從而執行在探針設備與個別晶片間可彼此交換測試訊號(Signal)的中間媒介的作用。此種探針卡存在垂直型探針卡、懸臂型探針卡、微機電系統(MEMS)探針卡。用於垂直型探針卡的導電接觸針為自製造時開始預變形的(pre-deformed)結構,或者採用在製造時為一字型但使導引板在水平方向上偏移以使導電接觸針變形而成的結構進行使用。近來,由於半導體技術的提升及高積體化,因此存在檢測對象的外部端子的節距進一步窄節距化的趨勢。然而,由於先前的導電接觸針為藉由施加至兩端的壓力而使其主體在水平方向上凸出的同時彈性拐彎或彎曲的結構,因此常常產生以窄節距排列的導電接觸針在變形的同時與相鄰的導電接觸針接觸從而短路的問題。
另一方面,半導體封裝單位中的檢測藉由測試插座來執行。先前測試插座中存在彈簧(pogo)型測試插座與橡膠(rubber)型測試插座。
用於彈簧型測試插座的導電接觸針(以下被稱為「彈簧型插座針」)包括針部與收容其的筒體來構成。針部藉由在其兩端的柱塞之間設置彈簧部件從而可賦予需要的接觸壓及吸收接觸位置的衝擊。為了使針部在筒體內進行滑動移動,在針部的外表面與筒體的內表面之間應存在縫隙。但是,由於此種彈簧型插座針在單獨製作筒體與針部後將其等結合來使用,因此不能精密地執行使針部的外表面與筒體的內表面超過所需隔開等的縫隙管理。因此,由於在電訊號經由兩端的柱塞傳遞至筒體的過程中產生電訊號的損失及失真,因此會產生接觸不穩定的問題。另外,為了提高與檢測對象的外部端子的接觸效果,針部具有尖銳的尖部。尖銳形狀的尖部在檢測後在檢測對象的外部端子產生壓入的痕跡或槽。因損害外部端子的接觸形狀,產生視覺檢測的錯誤,且產生使焊接等之後製程中的外部端子的可靠性下降的問題。
另一方面,用於橡膠型測試插座的導電接觸針(以下被稱為「橡膠型插座針」)作為將導電微型球佈置於為橡膠素材的矽橡膠內部的結構,其為如下結構:若將檢測對象(例如半導體封裝)放上並關閉插座施加應力,則金成分的導電微型球強力地按壓彼此且電導率變高,從而實現電性連接。但是,此種橡膠型插座針在只有以過大的加壓力進行按壓才能確保接觸穩定性的方面存在問題。
另一方面,由於現存橡膠型插座針藉由在準備使導電粒子分佈於流動性的彈性物質內的成型用材料並將該成型用材料插入至特定的模具內後,在厚度方向上施加磁場以使導電粒子在厚度方向上排列來製作,因此若磁場之間的間隔變窄,則導電粒子不規則地配向,從而使訊號在面方向上流動。因此,作為現存橡膠型插座針,在與窄節距技術趨勢對應的方面存在限制。另外,由於彈簧型插座針在單獨製作筒體與針部後將其等結合來使用,因此難以製作成小的大小。因此,現存彈簧型插座針亦在與窄節距技術趨勢對應的方面存在限制。
因此,事實上需要開發一種符合最近的技術趨勢且可提高對檢測對象的檢測可靠性的新型導電接觸針以及具有其之檢測裝置。
在製造如導電接觸針等金屬產品時,可使用MEMS製程來製作。對使用MEMS製程製作導電接觸針的過程進行闡述,首先,於將光阻膜塗佈於導電基材表面後,對光阻膜進行圖案化。之後,將光阻膜用作模具,利用電鍍法於開口內使金屬材料在導電基材表面的暴露面析出,移除光阻膜與導電基材,從而得到接觸針。如上所述,以下將使用MEMS製程製作的導電接觸針稱為MEMS接觸針。MEMS接觸針的形狀具有與形成於光阻膜模具的開口的形狀相同的形狀。於此情況,MEMS接觸針的厚度受到光阻膜的模具的高度的影響。
於將光阻膜用作電鍍法的模具的情況下,僅利用單層光阻膜難以使模具的高度變得足夠高。因此,MEMS接觸針的厚度亦無法變得足夠厚。考慮到導電性、復原力及脆性破壞等,需要將MEMS接觸針製作成特定的厚度以上。為了使MEMS接觸針的厚度變厚,可考慮以多步驟積層光阻膜的模具。但於此情況下,會產生以下問題點:光阻膜各層出現微細的階差,使MEMS接觸針的側面並未垂直形成,且微細地保留階差區域。另外,於以多步驟積層光阻膜的情況下,會產生難以精確地重現具有數十微米以下的尺寸範圍的MEMS接觸針的形狀的問題點。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
(專利文獻1)韓國公開編號第10-2018-0004753號 公開專利公報
[發明所欲解決之課題]
本發明是為了解決上述問題點而提出,目的在於提供一種具有高的形狀自由度及可靠性的金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置。
另外,本發明的目的在於提供一種提高對檢測對象的檢測可靠性的金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置。
另外,本發明的目的在於提供一種藉由使利用MEMS製程製作的金屬產品具有足夠的厚度從而防止容易在不期望的方向上挫曲的金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置。
[解決課題之手段]
為達成此種本發明的目的,根據本發明的金屬產品是一種在長度方向(±y方向)上具有整體長度尺寸(L),在垂直於所述長度方向的厚度方向(±z方向)上具有整體厚度尺寸(H),且在垂直於所述長度方向的寬度方向(±x方向)上具有整體寬度尺寸(W)的金屬產品,所述金屬產品在所述厚度方向上區分成第一主體區域與第二主體區域,在所述第一主體區域的側面具有微細溝槽,且在所述第二主體區域的側面不具有所述微細溝槽,所述微細溝槽由沿著所述厚度方向長長地凹入的槽形成且沿著側面在所述第一主體區域的側面整體並排地形成有多個。
另外,所述金屬產品包括第一面、為所述第一面的相反面的第二面,所述側面為連結所述第一面與所述第二面的面,且在所述第一面及所述第二面不形成所述微細溝槽。
另外,所述微細溝槽的深度為20 nm以上且1 μm以下。
另外,所述第二主體區域的一部分形成較所述第一主體區域突出的突出部,除所述突出部之外的所述第二主體區域與所述第一主體區域的形狀一致。
另外,所述第一主體區域的厚度大於所述第二主體區域的厚度。
另外,所述金屬產品為連接至檢測對象以對所述檢測對象的電特性進行檢測的導電接觸針。
另外,所述金屬產品包括:第一連接部,連接至電路配線部;第二連接部,連接至檢測對象;以及彈性部,使所述第一連接部相對於所述第二連接部在長度方向上彈性地相對位移,所述第二連接部包括所述第二主體區域的一部分較所述第一主體區域突出的突出部。
另外,所述金屬產品包括外壁部,所述外壁部沿所述導電接觸針的長度方向配置於所述彈性部的外側,引導所述彈性部在所述導電接觸針的長度方向上進行壓縮及伸長,且防止所述彈性部在壓縮時挫曲。
另外,所述金屬產品包括:第一連接部,連接至電路配線部;第二連接部,連接至檢測對象;上部彈性部,連結至所述第一連接部;下部彈性部,連結至所述第二連接部;以及非彈性部,連結至所述上部彈性部及所述下部彈性部,且配置於所述上部彈性部與所述下部彈性部之間,所述第二連接部包括所述第二主體區域的一部分較所述第一主體區域突出的突出部。
另外,所述金屬產品包括:上部外壁部,配置於所述上部彈性部的外側;以及下部外壁部,配置於所述下部彈性部的外側。
另外,所述上部外壁部包括卡合部,所述卡合部突出配置以使得所述金屬產品不會自導引板脫落。
另一方面,根據本發明的檢測裝置包括:金屬產品;導引板,供所述金屬產品插入設置;以及電路配線部,與所述金屬產品的一側電性連接,所述金屬產品包括:第一主體區域,具有由沿著厚度方向長長地凹入的槽形成且沿著側面並排地形成有多個的微細溝槽;以及第二主體區域,在厚度方向上與所述第一主體區域連續形成,但在其側面不具有所述微細溝槽。
另外,所述金屬產品包括:第一連接部,連接至所述電路配線部;第二連接部,連接至檢測對象;以及彈性部,使所述第一連接部相對於所述第二連接部在長度方向上彈性地相對位移,所述第二連接部包括所述第二主體區域的一部分較所述第一主體區域突出的突出部。
另一方面,根據本發明的金屬產品的製造方法包括以下步驟:在陽極氧化膜的下部形成下部晶種層;在所述陽極氧化膜的上部形成可進行圖案化的物質;藉由對所述可進行圖案化的物質進行圖案化形成第二開口部,以暴露出所述陽極氧化膜的上部;藉由利用所述第二開口部對所述陽極氧化膜進行濕式蝕刻來形成第一開口部,以暴露出所述下部晶種層;利用鍍覆製程在所述第一開口部與所述第二開口部形成主體金屬層;以及移除所述下部晶種層、所述可進行圖案化的物質及所述陽極氧化膜,並提取所述主體金屬層。
另外,所述可進行圖案化的物質為光阻。
另外,在形成第一開口部的步驟之前,更包括在所述陽極氧化膜的上部形成上部晶種層的步驟。
[發明的效果]
本發明提供一種具有高的形狀自由度及可靠性的金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置。
另外,本發明提供一種提高對檢測對象的檢測可靠性的金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置。
另外,本發明提供一種藉由使利用MEMS製程製作的金屬產品具有足夠的厚度從而防止容易在不期望的方向上挫曲的金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置。
以下的內容僅例示發明的原理。因此即便未在本說明書中明確地進行說明或圖示,相應領域的技術人員亦可實現發明的原理並發明包含於發明的概念與範圍內的各種裝置。另外,本說明書所列舉的所有條件部用語及實施例在原則上應理解為僅是作為明確地用於理解發明的概念的目的,並不限制於如上所述特別列舉的實施例及狀態。
所述的目的、特徵及優點藉由與附圖相關的下文的詳細說明而進一步變明瞭,因此在發明所屬的技術領域內的具有通常知識者可容易地實施發明的技術思想。
將參考作為本發明的理想例示圖的剖面圖及/或立體圖來說明本說明書中記述的實施例。為了有效地說明技術內容,對該些附圖所示的膜及區域的厚度等進行誇張表現。例示圖的形態可因製造技術及/或公差等變形。另外,附圖所示的產品的個數僅例示性地在附圖中表示一部分。因此,本發明的實施例並不限於所示的特定形態,亦包括根據製造製程生成的形態的變化。
根據本發明較佳實施例的金屬產品意指具有規定的厚度、高度及長度的金屬材質的物品。根據本發明較佳實施例的金屬產品可藉由MEMS技術與鍍覆技術來製作,且根據其用途應用領域可不同。
根據本發明較佳實施例的金屬產品可為用於對檢測對象進行檢測的導電接觸針。金屬產品配置於檢測裝置並用於與檢測對象進行電接觸、物理接觸以傳遞電訊號。檢測裝置可為用於半導體製造製程的檢測裝置,且作為一例根據檢測對象可為探針卡,且可為測試插座。根據本發明較佳實施例的檢測裝置並不限定於此,包括任何施加電以確認檢測對象是否不良的裝置。
以下,參照附圖對本發明的較佳實施例進行詳細說明。
金屬產品( 100 )
以下首先對根據本發明的較佳實施例的金屬產品(100)進行說明。
以下說明的金屬產品(100)的寬度方向為圖中所標記的±x方向,金屬產品(100)的長度方向為圖中所標記的±y方向,且金屬產品(100)的厚度方向為圖中所標記的±z方向。
金屬產品(100)在長度方向(±y方向)上具有整體長度尺寸(L),在垂直於長度方向的厚度方向(±z方向)上具有整體厚度尺寸(H),且在垂直於長度方向的寬度方向(±x方向)上具有整體寬度尺寸(W)。
圖1是根據本發明較佳實施例的金屬產品的平面圖,圖2是將圖1的A部分放大的圖,圖3是將圖1的B部分放大的圖,圖4是將圖1的C部分放大的圖,圖5是根據本發明較佳實施例的金屬產品的立體圖,圖6是根據本發明較佳實施例的金屬產品的一部分立體圖,圖7是將圖6的D部分放大的圖,且圖8至圖10是對根據本發明較佳實施例的金屬產品進行拍攝的照片。
金屬產品(100)包括第一面、為第一面的相反面的第二面,側面為連結第一面與所述第二面的面。因此,金屬產品(100)由第一面、第二面及側面形成。
首先參照圖6至圖10,金屬產品(100)在厚度方向(±z方向)上區分成第一主體區域(100a)與第二主體區域(100b)。以圖6為基準,第一主體區域(100a)位於上表面位置,且第二主體區域(100b)位於第一主體區域(100a)的下側。金屬產品(100)在厚度方向(±z方向)上使第一主體區域(100a)與第二主體區域(100b)依序積層且連續形成為一體型。
在下述金屬產品(100)的製造方法中,第一主體區域(100a)藉由陽極氧化膜(10)的模具部分形成,且第二主體區域(100b)藉由可進行圖案化的物質(20)的模具部分形成。第一主體區域(100a)與第二主體區域(100b)在是否具有微細溝槽(88)的方面產生差異。即,第一主體區域(100a)與第二主體區域(100b)在是否為於其側面具有微細溝槽(88)的區域的方面存在差異。在第一主體區域(100a)的側面具有微細溝槽(88),但在第二主體區域(100b)的側面不具有微細溝槽(88)。
金屬產品(100)的第一主體區域(100a)在其側面包括多個微細溝槽(88)。微細溝槽(88)由沿著金屬產品(100)的厚度方向(±z方向)長長地凹入的槽形成,且沿著其側面在垂直於厚度方向(±z方向)的方向上在第一主體區域(100a)的側面整體並排地形成有多個。此處,金屬產品(100)的厚度方向(±z方向)意指在進行電鍍時金屬填充物生長的方向。
與第一主體區域(100a)不同,在第二主體區域(100b)的側面不存在微細溝槽(88)。在金屬產品(100)的端部處,第二主體區域(100b)的一部分較第一主體區域(100a)突出從而形成突出部(188)。由於突出部(188)為第二主體區域(100b),因此在突出部(188)的側面不存在微細溝槽(88)。除突出部(188)之外的第二主體區域(100b)與第一主體區域(100a)的形狀一致。即,第一主體區域(100a)與第二主體區域(100b)除突出部(188)之外的形狀相同。突出部(188)可形成於金屬產品(100)的整個側面中的至少一部分,且突出部(188)在形成於金屬產品(100)的與檢測對象(400)或電路配線部(300)接觸的側面端部的情況下,可作為接觸尖起作用。作為本發明的實施例的突出部(188)配置於第二連接部(120)的端部,從而用作與檢測對象(400)接觸的接觸尖。
微細溝槽(88)的深度具有20 nm以上且1 μm以下的範圍,其寬度亦具有20 nm以上且1 μm以下的範圍。此處,由於微細溝槽(88)源於在製造陽極氧化膜(10)的模具時形成的氣孔,因此微細溝槽(88)的寬度與深度具有陽極氧化膜(10)的氣孔的直徑範圍以下的值。另一方面,於在陽極氧化膜(10)形成內部空間、即第一開口部(15)的過程中可至少部分形成微細溝槽(88),所述微細溝槽(88)藉由蝕刻溶液使陽極氧化膜(10)的氣孔的一部分彼此破碎且具有較在進行陽極氧化時形成的氣孔的直徑範圍更大範圍的深度。由於陽極氧化膜(10)包括大量氣孔,對此種陽極氧化膜(10)的至少一部分進行蝕刻形成內部空間,且利用電鍍在內部空間內部形成金屬填充物,因此在金屬產品(100)的側面具有與陽極氧化膜(10)的氣孔接觸的同時形成的微細溝槽(88)。
可藉由具有微細溝槽(88)的第一主體區域(100a)、以及不具有微細溝槽(88)的第二主體區域(100b)區分金屬產品(100)的方向性。金屬產品(100)可在整體厚度尺寸(H)在100 μm以上且300 μm以下的範圍內製作,但因此種小的尺寸,僅利用肉眼不容易區分出金屬產品(100)的第一面(前面)與第二面(後面)。但是,藉由具有微細溝槽(88)的第一主體區域(100a)與不具有微細溝槽(88)的第二主體區域(100b)可區分出金屬產品(100)的第一面(前面)與第二面(後面)。例如,可將存在微細溝槽(88)的第一主體區域(100a)側確定為金屬產品(100)的第一面(前面),且將沒有微細溝槽(88)的第二主體區域(100b)側確定為金屬產品(100)的第二面(後面)。
為了將金屬產品(100)用於檢測裝置(1),應將大量的金屬產品(100)插入至導引板(GP1、GP2)。特別是如下所述在第二連接部(120)配置有向一側偏心的突出部(188)的金屬產品(100)應區分出第一面(前面)與第二面(後面)的方向性並插入至貫通孔。本發明的較佳實施例可藉由具有微細溝槽(88)的第一主體區域(100a)與不具有微細溝槽(88)的第二主體區域(100b)來區分金屬產品(100)的第一面(前面)與第二面(後面)的方向性。藉此,在將第一面(前面)與第二面(後面)彼此不同的金屬產品(100)插入至導引板(GP1、GP2)的貫通孔時,可防止錯誤插入。
在金屬產品(100)的第一面(前面)與第二面(後面)不形成微細溝槽(88)。
微細溝槽(88)對於金屬產品(100)的側面而言具有可使表面積變大的效果。由於藉由在金屬產品(100)的側面形成的微細溝槽(88)的構成,可快速釋放在金屬產品(100)中產生的熱,因此可抑制金屬產品(100)的溫度上升。
金屬產品(100)可在金屬產品(100)的厚度方向(±z方向)上積層多個金屬層來形成。多個金屬層包括第一金屬層(101)、第二金屬層(102)及第三金屬層(103)。
第一金屬層(101)作為與第二金屬層(102)相比耐磨性相對高的金屬,較佳為可由選自以下中的金屬形成:銠(Rd)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、錳(Mn)、鎢(W)、磷(Ph)或其等的合金、或鈀鈷(PdCo)合金、鈀鎳(PdNi)合金、鎳磷(NiPh)合金、鎳錳(NiMn)、鎳鈷(NiCo)或鎳鎢(NiW)合金。第二金屬層(102)作為與第一金屬層(101)相比電導率相對高的金屬,較佳為可由選自銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)或其等的合金中的金屬形成。但不限定於此。
第一主體區域(100a)可由第一金屬層(101)與第二金屬層(102)形成。第一金屬層(101)在金屬產品(100)的厚度方向(±z方向)上配置,且第二金屬層(102)配置於第一金屬層(101)之間。例如,金屬產品(100)藉由按照第一金屬層(101)、第二金屬層(102)、第一金屬層(101)的順序在金屬產品(100)的厚度方向(±z方向)上交替積層第一金屬層(101)、第二金屬層(102)來配置,且積層的層數可由三層以上組成。
第二主體區域(100b)可由第三金屬層(103)形成。第三金屬層(103)可由與構成第一主體區域(100b)的第一金屬層(101)或第二金屬層(102)相同的金屬形成或者由與第一金屬層(101)或第二金屬層(102)不同的金屬形成。在本發明的較佳實施例中,由於在第二主體區域(100b)形成突出部(188),因此第二主體區域(100b)可由耐磨性高的金屬形成,且由選自第一金屬層(101)中的金屬形成。
金屬產品(100)可為連接至檢測對象(400)以對檢測對象(400)的電特性進行檢測的導電接觸針。為此,金屬產品(100)包括第一連接部(110)、第二連接部(120)、連結至第一連接部(110)及/或第二連接部(120)且可沿長度方向(±y方向)彈性變形的彈性部(150)。第一連接部(110)的第一接點與電路配線部側連接,且第二連接部(120)與檢測對象(400)側連接。彈性部(130)使第一連接部(110)及第二連接部(120)在金屬產品(100)的長度方向上彈性位移。藉由彈性部(130),第一連接部(110)可相對於第二連接部(120)在長度方向(±y方向)上彈性地相對位移。
第一連接部(110)、第二連接部(120)及彈性部(150)配置成一體型。第一連接部(110)、第二連接部(120)及彈性部(150)利用鍍覆製程一次性製作而成。先前彈簧型導電接觸針藉由在單獨製作筒體與針部後將其等進行組裝或結合來配置,相比之下,根據本發明的較佳實施例的金屬產品(100)在藉由利用鍍覆製程一次性製作第一連接部(110)、第二連接部(120)及彈性部(150)而配置成一體型的方面存在構成上的差異。另外,先前彈簧型導電接觸針的彈簧形成為螺旋形,但根據本發明的較佳實施例的金屬產品(100)的彈性部在形成為板彈簧形態的方面存在構成上的差異。
彈性部(130)藉由多個直線部(130a)與多個彎曲部(130b)交替連接形成。直線部(130a)連結左、右相鄰的彎曲部(130b),且彎曲部(130b)連結上、下相鄰的直線部(130a)。彎曲部(130b)配置成圓弧形狀。
在彈性部(130)的中央部位佈置直線部(130a),且在彈性部(130)的外側部位佈置彎曲部(130b)。直線部(130a)與寬度方向平行地配置,使得彎曲部(130b)更容易根據接觸壓進行變形。
彈性部(130)包括連結至第一連接部(110)的上部彈性部(131)、以及連結至第二連接部(120)的下部彈性部(133)。
在上部彈性部(131)與下部彈性部(133)之間形成非彈性部(140)。非彈性部(140)與上部彈性部(131)及下部彈性部(133)連結且與外壁部(150)連結。
彈性部(130)在金屬產品(100)的厚度方向(±z方向)上的各剖面形狀在所有的厚度剖面中是相同的。另外,彈性部(130)的厚度整體上相同。彈性部(130)藉由具有實質寬度(t)的板狀板以S字模樣反復彎折來形成,且板狀板的實質寬度(t)整體上是固定的。板狀板的實質寬度與板狀板的厚度之比具有1:5以上1:30以下的範圍。
在金屬產品(100)對檢測對象(400)進行檢測之前,第一連接部(110)與電路配線部側接觸,從而使上部彈性部(131)可在金屬產品(100)的長度方向上壓縮變形,第二連接部(120)為不與檢測對象(400)接觸的狀態,且在金屬產品(100)對檢測對象(400)進行檢測的過程中,第二連接部(120)與檢測對象(400)接觸,從而可使下部彈性部(133)被壓縮變形。
第一連接部(110)的一端為自由端且另一端連結至上部彈性部(131),從而可利用接觸壓力彈性地垂直移動。第二連接部(120)的一端為自由端且另一端連結至下部彈性部(133),從而可利用接觸壓力彈性地垂直移動。
上部彈性部(131)需要使多個金屬產品(100)的第一連接部(110)可分別穩定地與電路配線部(300)接觸的程度的壓縮量,相比之下,下部彈性部(133)需要使多個金屬產品(100)的第二連接部(120)可分別穩定地與檢測對象(400)接觸的程度的壓縮量。因此,上部彈性部(131)的彈性係數與下部彈性部(133)的彈性係數彼此不同。例如,上部彈性部(131)的長度與下部彈性部(133)的長度彼此不同地配置。另外,下部彈性部(133)的長度方向的長度與上部彈性部(131)的長度方向的長度相比可形成得長。
上部彈性部(131)的一端連結至第一連接部(110),且另一端連結至非彈性部(140)。下部彈性部(133)的一端連結至第二連接部(120),且另一端連結至非彈性部(140)。與非彈性部(140)連結的彈性部(130)為彈性部(130)的彎曲部(130b)。藉此,上部彈性部(131)與下部彈性部(133)相對於非彈性部(140)保持彈力。
上部彈性部(131)以非彈性部(140)為基準配置於其上部,且下部彈性部(133)以非彈性部(140)為基準配置於其下部。藉由非彈性部(140)將配置上部彈性部(131)的區域與配置下部彈性部(133)的區域彼此區分開。上部彈性部(131)及下部彈性部(133)以非彈性部(140)為基準進行壓縮或伸長變形。藉由配置於上部彈性部(131)與下部彈性部(133)之間的非彈性部(140)的構成,即便使金屬產品(100)的長度變長,亦可確保金屬產品(100)的機械剛性。
非彈性部(140)包括中空部(145)。中空部(145)在厚度方向(±z方向)上貫通非彈性部(140)來形成。中空部(145)可彼此隔開且配置多個。可藉由中空部(145)的構成增大非彈性部(140)的表面積。藉此,可快速釋放在非彈性部(140)中產生的熱,因此可抑制非彈性部(140)的溫度上升。中空部(145)的形狀以三角形為例進行示出,但不限定於此。
金屬產品(100)包括外壁部(150),所述外壁部(150)沿金屬產品(100)的長度方向配置於彈性部(130)的外側,引導彈性部(130)在金屬產品(100)的長度方向上進行壓縮及伸長,且防止彈性部(130)在壓縮時在水平方向上拐彎或彎曲從而挫曲。
外壁部(150)包括:上部外壁部(151),配置於上部彈性部(131)的外側;以及下部外壁部(153),配置於下部彈性部(133)的外側。
第一連接部(110)在上部外壁部(151)內部垂直下降且在第一連接部(110)與上部外壁部(151)之間形成額外的接觸點。第二連接部(120)在下部外壁部(153)內部垂直上升且在第二接觸點處執行擦拭動作。在金屬產品(100)對檢測對象(400)進行檢測的過程中,金屬產品(100)保持垂直的狀態,且第二連接部(120)在與檢測對象(400)保持接觸壓力的同時傾斜,並對檢測對象(400)執行擦拭動作。
上部外壁部(151)與下部外壁部(153)沿金屬產品(100)的長度方向形成,且上部外壁部(151)與下部外壁部(153)一體地連結至非彈性部(140)。另外,上部彈性部(131)與下部彈性部(133)一體地連結至非彈性部(140),同時金屬產品(100)在整體上構成為一個主體。
在上部外壁部(151)的外壁配置有卡合部(152),以使金屬產品(100)可卡合固定在導引板(GP1、GP2)。即,上部外壁部(151)包括突出配置的卡合部(152)以使金屬產品(100)不會自導引板(GP1、GP2)脫落。卡合部(152)可以卡在導引板(GP1、GP2)中的至少任一者的方式構成。較佳為卡合部(152)可以卡在上部導引板(GP1)的方式構成。於此情況,卡合部(152)包括卡在上部導引板(GP1)的第一表面的上部卡合部(152a)、以及卡在上部導引板(GP1)的第二表面的下部卡合部(152b)。藉由使上部導引板(GP1)卡在上部卡合部(152a)與下部卡合部(152b)之間,從而金屬產品(100)不會自上部導引板(GP1)脫落。另一方面,與此不同,卡合部(152)可包括卡在下部導引板(GP2)的第一表面的上部卡合部(152a)、以及卡在下部導引板(GP2)的第二表面的下部卡合部(152b)。
上部外壁部(151)包括:第一上部外壁部(151a),配置於上部彈性部(131)的一側;以及第二上部外壁部(151b),配置於上部彈性部(131)的另一側。第一上部外壁部(151a)與第二上部外壁部(151b)在其兩端部彼此接近但彼此隔開並形成上部開口部(153a)。
下部外壁部(153)包括:第一下部外壁部(153a),配置於下部彈性部(133)的一側;以及第二下部外壁部(153b),配置於下部彈性部(133)的另一側。第一下部外壁部(153a)與第二下部外壁部(153b)在其兩端部彼此接近但彼此隔開並形成下部開口部(153b)。
上部開口部(153a)與下部開口部(153b)執行以下功能:藉由上部彈性部(131)與下部彈性部(133)的復原力防止第一連接部(110)、第二連接部(120)分別向上部外壁部(151)與下部外壁部(153)的外部突出得過多。
第一上部外壁部(151a)具有向上部開口部(153a)側延伸的第一門戶部(154a),且第二上部外壁部(151b)具有向上部開口部(153a)側延伸的第二門戶部(154b)。第一門戶部(154a)與第二門戶部(154b)彼此相對而隔開的空間成為上部開口部(153a)。上部開口部(153a)的開口寬度較上部彈性部(131)的直線部(130a)的左、右長度形成得小。
第一連接部(110)與上部彈性部(131)的直線部(130a)連結,且配置成在金屬產品(100)的長度方向上長長地形成的桿(rod)形狀。第一連接部(110)可在垂直方向上通過由第一上部外壁部(151a)與第二上部外壁部(151b)形成的上部開口部(153a)。另外,由於上部彈性部(131)的直線部(130a)的左、右長度較上部開口部(153a)的寬度形成得大,因此上部彈性部(131)的直線部(130a)無法通過上部開口部(153a)。藉此,限制了第一連接部(110)的上升衝程。
上部外壁部(151)與下部外壁部(153)在其兩端部彼此接近但彼此隔開並形成供第一連接部(110)在垂直方向上可通過的上部開口部(153a),若第一連接部(110)在上部外壁部(151)內部垂直下降,則上部開口部(153a)的開口寬度減小,且第一連接部(110)與上部外壁部(151)接觸,從而形成額外的接觸點。
第一上部外壁部(151a)具有向內側空間延伸的第一延伸部(155a),且第二上部外壁部(151b)具有向內側空間延伸的第二延伸部(155b)。
更具體而言,第一延伸部(155a)連結至第一門戶部(154a)。第一延伸部(155a)的一端連結至第一門戶部(154a),且其另一端向上部外壁部(151)的內側空間延伸並形成為自由端。第二延伸部(155b)連結至第二門戶部(154b)。第二延伸部(155b)的一端連結至第二門戶部(154b),且其另一端向上部外壁部(150)的內側空間延伸並形成為自由端。
在第一連接部(110)配置有向第一延伸部(155a)方向延伸的第一突出片(110a)、以及向第二延伸部(155b)方向延伸的第二突出片(110b)。若第一連接部(110)藉由加壓力下降,則第一突出片(110a)與第二突出片(110b)可能分別與第一延伸部(155a)及第二延伸部(155b)接觸。
若第一連接部(110)下降,則第一突出片(110a)及第二突出片(110b)可能分別與第一延伸部(155a)及第二延伸部(155b)接觸,從而形成額外的接觸點。
由於第一延伸部(155a)與第二延伸部(155b)傾斜地形成,因此若第一連接部(110)垂直下降,則第一突出片(110a)與第二突出片(110b)分別對第一延伸部(155a)與第二延伸部(155b)加壓,從而減小第一門戶部(154a)與第二門戶部(154b)的隔開空間。換言之,隨著第一連接部(110)下降,第一門戶部(154a)與第二門戶部(154b)以彼此更加接近的方式變形,從而減小上部開口部(153a)的開口寬度。如此,若第一連接部(110)在上部外壁部(151)內部垂直下降,則上部開口部(153a)的開口寬度減小,且第一連接部(110)與上部外壁部(151)接觸,從而形成額外的接觸點。
首先在第一連接部(110)下降時,第一突出片(110a)、第二突出片(110b)與第一延伸部(155a)、第二延伸部(155b)彼此接觸而形成額外的接觸點,其次藉由進一步的下降,第一門戶部(154a)、第二門戶部(154b)與第一連接部(110)彼此接觸而額外地形成接觸點。如此,由於第一連接部(110)垂直下降,而在第一連接部(110)與上部外壁部(151)間形成額外的電流通道。此種額外的電流通道不通過彈性部(130)而在上部外壁部(151)中藉由第一連接部(110)直接形成。由於形成額外的電流通道,因此可實現更穩定的電性連接。
上部開口部(153a)的開口寬度與第一連接部(110)的垂直下降距離成比例地減小。另外,於在第一門戶部(154a)、第二門戶部(154b)與第一連接部(110)接觸之後還對第一連接部(110)施加下降壓力的情況,第一門戶部(154a)、第二門戶部(154b)與第一連接部(110)間的摩擦力進一步變大。增大的摩擦力防止第一連接部(110)下降得過多。藉此,可防止彈性部(更具體而言上部彈性部(131))被過度地壓縮變形。
第二連接部(120)在上部連結至下部彈性部(133),且其端部通過下部開口部(153b)。
第二連接部(120)包括:內側主體(121),與下部彈性部(133)連結;延伸主體(123),向下部外壁部(153)的外側突出;以及突出部(188),配置於延伸主體(123)的端部。
第二連接部(120)重複執行上升及下降動作,內側主體(121)的下表面的左、右長度較下部開口部(143b)的開口寬度形成得大,以使得內側主體(121)不會自外壁部(150)脫落。
在內側主體(121)形成有中空部(122)。中空部(122)在厚度方向(±z方向)上貫通內側主體(121)來形成。藉由中空部(122)的構成,內側主體(121)可藉由加壓力壓縮變形,且在內側主體(121)壓縮變形的同時更順暢地執行突出部(188)的擦拭動作。
延伸主體(123)自內側主體(121)延伸且至少一部分貫通下部開口部(153b)而位於下部外壁部(153)的外部。
在延伸主體(123)的端部具有突出部(188)。突出部(188)以較延伸主體(123)的厚度小的厚度形成。第二連接部(120)中,第二主體區域(100b)的一部分較第一主體區域(100a)突出且形成突出部(188)。突出部(188)對應於第二主體區域(100b)。
在執行突出部(188)的擦拭動作的過程中產生在檢測對象(400)的表面形成的氧化膜層的碎屑。碎屑彼此黏附並結塊,且表現出持續生長的傾向。但是,此種碎屑被卡在突出部(188)的根部、即延伸主體(123)的端部不再生長,並被誘導自然地下落。如此,藉由在延伸主體(123)的端部以較延伸主體(123)小的厚度形成的突出部(188)的構成,防止在擦拭過程中產生的氧化膜層的碎屑持續地生長。
根據下述金屬產品(100)的製造方法,可將構成彈性部(130)的板狀板的實質寬度(t)設為10 μm以下、更佳為5 μm。由於可將實質寬度(t)為5 μm的板狀板形成為彎折形態來形成彈性部(130),因此可使金屬產品(100)的整體寬度尺寸(W)變小。因此,可實現窄節距對應。另外,由於整體厚度尺寸(H)可在100 μm以上且300 μm以下的範圍內構成,因此可既防止彈性部(130)的損壞同時使彈性部(130)的長度變短,且即便使彈性部(130)的長度變短亦可藉由板狀板的構成具有適當的接觸壓。進而,由於可使構成彈性部(130)的板狀板的整體厚度尺寸(H)比實質寬度(t)大,因此對在彈性部(130)的前、後方向上作用的力矩的阻力變大,因此接觸穩定性得到提高。
由於可使彈性部(130)的長度變短,因此金屬產品(100)的整體厚度尺寸(H)與整體長度尺寸(L)在1:3至1:9的範圍內配置。較佳為金屬產品(100)的整體長度尺寸(L)可在300 μm以上且3 mm以下的範圍內配置,更佳為可在450 μm以上且600 μm以下的範圍內配置。如此,可使金屬產品(100)的整體長度尺寸(L)變短,從而易於與高頻率特性對應,且隨著彈性部(130)的彈性復原時間縮短,可發揮使測試時間亦縮短的效果。
金屬產品(100)的整體厚度尺寸(H)與整體寬度尺寸(W)在1:1至1:5的範圍內配置。較佳為金屬產品(100)的整體厚度尺寸(H)可在100 μm以上且300 μm以下的範圍內配置,金屬產品(100)的整體寬度尺寸(W)在100 μm以上且300 μm以下的範圍內配置。如此,藉由使金屬產品(100)的整體寬度尺寸(W)變短,從而可達成窄節距化。
金屬產品(100)的整體厚度尺寸(H)與整體寬度尺寸(W)可以實質上相同的長度形成。因此,不需要在厚度方向上多個接合多個金屬產品(100)以使整體厚度尺寸(H)與整體寬度尺寸(W)具有實質上相同的長度。另外,由於金屬產品(100)的整體厚度尺寸(H)與整體寬度尺寸(W)可以實質上相同的長度形成,因此對在金屬產品(100)的前、後方向上作用的力矩的阻力變大,因此接觸穩定性得到提高。進而,根據金屬產品(100)的整體厚度尺寸(H)為100 μm以上且整體厚度尺寸(H)與整體寬度尺寸(W)在1:1至1:5的範圍內配置的構成,金屬產品(100)的整體的耐久性及變形穩定性得到提高,且與外部端子(25)的接觸穩定性得到提高。另外,由於金屬產品(100)的整體厚度尺寸(H)形成為100 μm以上,因此可提高電流運載容量(Current Carrying Capacity)。
對於利用光阻模具製作的金屬產品(100),整體厚度尺寸(H)與整體寬度尺寸(W)相比只能是小的。例如,由於金屬產品(100)的整體厚度尺寸(H)小於40 μm且整體厚度尺寸(H)與整體寬度尺寸(W)在1:2至1:10的範圍內構成,因此對藉由接觸壓使金屬產品(100)在前、後方向上變形的力矩的阻力弱。為了防止產生因彈性部在金屬產品(100)的前面、後面的過度變形引起的問題,應考慮在金屬產品(100)的前面、後面額外形成殼體,但根據本發明的較佳實施例不需要額外的殼體構成。
金屬產品( 100 )的製造方法
以下對根據本發明較佳實施例的金屬產品(100)的製造方法進行說明。
圖11a至圖11e是用於對根據本發明較佳實施例的金屬產品(100)的製造方法進行說明的圖。
金屬產品(100)的製造方法包括以下步驟:在陽極氧化膜(10)的下部形成下部晶種層(30);在陽極氧化膜(10)的上部形成可進行圖案化的物質(20);藉由對可進行圖案化的物質(20)進行圖案化形成第二開口部(25),以暴露出陽極氧化膜(10)的上部;藉由利用第二開口部(25)對陽極氧化膜(10)進行濕式蝕刻來形成第一開口部(15),以暴露出下部晶種層(30);利用鍍覆製程在第一開口部(15)與第二開口部(25)形成主體金屬層(50);以及移除下部晶種層(30)、可進行圖案化的物質(20)及陽極氧化膜(10),並提取主體金屬層(40)。
參照圖11a,對在陽極氧化膜(10)的下部形成下部晶種層(30)的步驟進行說明。
陽極氧化膜(10)意指對作為母材的金屬進行陽極氧化形成的膜,氣孔意指於對金屬進行陽極氧化形成陽極氧化膜的過程中形成的孔洞。例如,於作為母材的金屬為鋁(Al)或鋁合金的情況,若對母材進行陽極氧化,則於母材的表面形成氧化鋁(Al
2O
3)材質的陽極氧化膜。但母材金屬並非限定於此,包括Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Zn、W、Sb或其等的合金。如上所述形成的陽極氧化膜在垂直方向上區分為在內部未形成氣孔的阻擋層、與在內部形成有氣孔的多孔層。在具有阻擋層與多孔層的陽極氧化膜(10)形成於表面的母材中,若移除母材,則僅保留氧化鋁(Al
2O
3)材質的陽極氧化膜(10)。陽極氧化膜(10)可由移除在進行陽極氧化時形成的阻擋層且氣孔沿上、下貫通的結構形成,或者由在進行陽極氧化時形成的阻擋層照原樣保留並將氣孔的上、下中的一端部密閉的結構形成。
在根據本發明較佳實施例的金屬產品(100)利用陽極氧化膜(10)來製造的方面,可發揮出實現在利用光阻實現時曾存在限制的形狀的精密度、微細形狀的效果。另外,於現有的光阻的情況下,可製作40 μm厚度水準的金屬產品,但於利用陽極氧化膜(10)的情況下,可製作具有100 μm以上且260 μm以下的厚度的金屬產品(100)。因此,在將光阻與陽極氧化膜一同用作模具時可製作出具有足夠厚度的模具。另一方面,陽極氧化膜(10)的厚度可根據製造製程變不同,但基本上較光阻的單一膜形成得更厚。
於陽極氧化膜(10)的下表面配置下部晶種層(30)。下部晶種層(30)可利用沈積方法形成金屬物質。在利用鍍覆製程來形成主體金屬層(50)、特別是第一主體區域(100a)時使用下部晶種層(30)。下部晶種層(30)可形成於陽極氧化膜(10)的下表面整體。
於陽極氧化膜(10)的上表面配置上部晶種層(40)。上部晶種層(40)可利用沈積方法形成金屬物質。在利用鍍覆製程來形成主體金屬層(50)、特別是第二主體區域(100b)時使用上部晶種層(40)。上部晶種層(40)可形成於陽極氧化膜(10)的上部一部分。
由於下部晶種層(30)與上部晶種層(40)為在形成主體金屬層(50)之後被移除的構成,因此下部晶種層(30)與上部晶種層(30)較佳為與主體金屬層(50)不同材質的金屬。
接著參照圖11b,對以下步驟進行說明:在陽極氧化膜(10)的上部形成可進行圖案化的物質(20);以及藉由對可進行圖案化的物質(20)進行圖案化形成第二開口部(25),以暴露出陽極氧化膜(10)的上部。
在形成有上部晶種層(40)的陽極氧化膜(10)的上部形成可進行圖案化的物質(20)。可進行圖案化的物質(20)由可進行曝光製程及顯影製程的材質形成,且包括光阻。
藉由對形成於陽極氧化膜(10)的上部的可進行圖案化的物質(20)進行圖案化,形成第二開口部(25),以暴露出陽極氧化膜(10)的上部。由此,可進行圖案化的物質(20)的第二模具配置於陽極氧化膜(10)上。
接著,參照圖11c,對以下步驟進行說明:藉由利用第二開口部(25)對陽極氧化膜(10)進行濕式蝕刻來形成第一開口部(15),以暴露出下部晶種層(30)。
將配置於陽極氧化膜(10)的上部的上部晶種層(40)與經圖案化的可進行圖案化的物質(20)用作遮罩,並利用僅與陽極氧化膜(10)反應的溶液進行濕式蝕刻。隨著陽極氧化膜(10)被選擇性地移除,在陽極氧化膜(10)形成第一開口部(15)。藉此,形成形成有第一開口部(15)的陽極氧化膜(10)的第一模具。即,在陽極氧化膜(10)的第一模具上配置可進行圖案化的物質(20)的第二模具,且第一開口部(15)與第二開口部(25)彼此連通從而形成一個空間。
藉由經圖案化的可進行圖案化的物質(20)不僅作為用於鍍覆的模具起作用,而且亦作為用於形成第一開口部(15)的遮罩起作用,從而在可進行圖案化的物質(20)作為遮罩起作用的區域中在厚度方向(±z方向)上垂直地形成第一開口部(15)與第二開口部(25)。因此,防止在於陽極氧化膜(10)的模具中形成第一開口部(15)且於可進行圖案化的物質(20)的模具中形成第二開口部(25),接著將具有第一開口部(15)的陽極氧化膜(10)的模具與具有第二開口部(25)的可進行圖案化的物質(20)的模具彼此結合時產生的錯位問題。
接著,參照圖11d,對利用鍍覆製程在第一開口部(15)與第二開口部(25)形成主體金屬層(50)的步驟進行說明。
利用鍍覆製程在第一開口部(15)與第二開口部(25)形成金屬層,從而形成主體金屬層(50)。
利用下部晶種層(30)在第一開口部(15)內執行第一鍍覆製程。在第一開口部(15)內形成的鍍覆層構成第一主體區域(100a)。第一鍍覆製程可為包括第一金屬層(101)與第二金屬層(102)的多層鍍覆製程。因此,第一主體區域(100a)可由包括第一金屬層(101)與第二金屬層(102)的多層的金屬層形成。由於第一主體區域(100a)為利用陽極氧化膜(10)的第一模具製作的區域,因此在其側面具有微細溝槽(88)。
之後,利用已經鍍覆的金屬層與上部晶種層(40)在第二開口部(25)執行第二鍍覆製程。在第二開口部(25)內形成的鍍覆層構成第二主體區域(100b)。由於第二主體區域(100b)為利用可進行圖案化的物質(20)的第二模具製作的區域,因此在其側面不具有微細溝槽(88)。
第二鍍覆製程可由單一的金屬層形成。第二鍍覆製程可為包括第三金屬層(103)的單層鍍覆製程。第三金屬層(103)的材質可根據第二主體區域(100b)執行的功能變不同。例如,於第二主體區域(100b)要求耐磨性、機械剛性等的情況下,第三金屬層(103)可由選自第一金屬層(101)中的金屬形成。與此不同,於第二主體區域(100b)要求高的電導率的情況下,第三金屬層(103)可由選自第二金屬層(102)中的金屬形成。第三金屬層(103)可由與構成第一主體區域(100b)的第一金屬層(101)或第二金屬層(102)相同的金屬形成,或者由與第一金屬層(101)或第二金屬層(102)不同的金屬形成。在本發明的較佳實施例中,由於在第二主體區域(100b)形成突出部(188),因此第二主體區域(100b)可由耐磨性高的金屬形成,且由選自第一金屬層(101)中的金屬形成。
上部晶種層(40)用於提高在其上部形成的鍍覆層的品質並縮短鍍覆時間。於沒有上部晶種層(40)的情況下,會產生難以將突出部(188)的突出長度形成得長且不必要地需要進行研磨製程的問題。因此,引入上部晶種層(40)可精密地形成突出部(188)的形狀,且可防止不必要地進行研磨製程。
在陽極氧化膜(10)的第一開口部(15)鍍覆金屬層從而形成第一主體區域(100a),且在可進行圖案化的物質(20)的第二開口部(25)鍍覆金屬層從而形成第二主體區域(100b)。第一主體區域(100a)與第二主體區域(100b)在金屬產品(100)的厚度方向上連續地一體形成。
接著,參照圖11e,對移除下部晶種層(30)、可進行圖案化的物質(20)及陽極氧化膜(10)並提取主體金屬層(40)的步驟進行說明。
利用僅與可進行圖案化的物質(20)反應的物質移除可進行圖案化的物質(20)。另外,利用僅與下部晶種層(30)及上部晶種層(40)反應的物質移除下部晶種層(30)與上部晶種層(40)。另外,利用僅與陽極氧化膜(10)反應的物質移除陽極氧化膜(10)。由此僅提取金屬鍍覆的主體金屬層(40)。
於僅利用光阻製作金屬產品(100)的情況下,僅利用單層光阻難以使模具的高度變得足夠高。因此,金屬產品(100)的厚度亦無法變得足夠厚。考慮到導電性、復原力及脆性破壞等,需要將金屬產品(100)製作成特定的厚度以上。為了使金屬產品(100)的厚度變厚,可考慮以多步驟積層光阻的構成。但於此情況下,會產生以下問題點:光阻各層出現微細的階差,使金屬產品(100)的側面並未垂直形成,且微細地保留階差區域。另外,於以多步驟積層光阻的情況下,會產生難以精確地重現具有數十微米以下的尺寸範圍的金屬產品(100)的形狀的問題點。
另一方面,於將陽極氧化膜(10)用作模具來製作金屬產品(100)的情況下,在可製作具有垂直側面的金屬產品(100)中具有有利的方面。但由於陽極氧化膜(10)藉由陽極氧化過程來製作,因此為了使其高度變得足夠厚需要許多時間。
因此,若將陽極氧化膜(10)與可進行圖案化的物質複合用作電鍍用模具,則具有以下優點:不僅可製作具有垂直側面且形狀精密度優異的金屬產品(100),而且可利用可進行圖案化的物質補充陽極氧化膜(10)的不足的高度。另外,於僅利用陽極氧化膜(10)的情況下可能難以製作在高度方向上具有三維形狀(例如,突出部(188))的金屬產品(100),但藉由複合使用陽極氧化膜(10)的模具與可進行圖案化的物質(20)的模具,容易製作在高度方向上具有三維形狀的金屬產品(100)。
可進行圖案化的物質(20)的模具配置於陽極氧化膜(10)的模具的上部。根據使可進行圖案化的物質(20)的模具位於陽極氧化膜(10)的模具上的構成,於鍍覆製程完成後,在進行平坦化製程(化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP))時可進行圖案化的物質(20)的模具保護陽極氧化膜(10)的模具的方面可更具有防止產生龜裂的效果。
陽極氧化膜(10)的模具可用於製作金屬產品(100)的基本的形狀,可進行圖案化的物質(20)的模具用於製作基本形狀以外的複合三維形狀或者用於增高基本形狀的高度。
檢測裝置( 1 )
以下對根據本發明較佳實施例的檢測裝置(1)進行說明。
圖12是示出具有根據本發明較佳實施例的金屬產品的檢測裝置的圖,且圖13是將圖12的一部分放大的圖。
檢測裝置(1)可為用於半導體製造製程的檢測裝置,且作為一例可為探針卡,且可為測試插座。金屬產品(100)可為配置於探針卡以對半導體晶片進行檢測的導電接觸針,且可為配置於對經封裝的半導體封裝進行檢測的測試插座以對半導體封裝進行檢測的導電接觸針。可使用根據本發明較佳實施例的金屬產品(100)的檢測裝置(1)並不限定於此,包括任何施加電以確認檢測對象(400)是否不良的檢測裝置。
檢測裝置(1)的檢測對象(400)可包括半導體元件、記憶體晶片、微處理器晶片、邏輯晶片、發光元件或其等的組合。例如,檢測對象(400)包括:邏輯大型積體電路(large scale integration,LSI)(如應用專用積體電路(application specific integrated circuit,ASIC)、場可程式化閘陣列(field programmable gate array,FPGA)及應用專用標準產品(Application Specific Standard Product,ASSP)般)、微處理器(如中央處理單元(central processing unit,CPU)及圖形處理單元(graphic processing unit,GPU)般)、記憶體(動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory,DRAM)、混合記憶體立方體(Hybrid Memory Cube,HMC)、磁性隨機存取記憶體(磁性RAM(Magnetic Random Access Memory,MRAM))、相變記憶體(Phase-Change Memory,PCM)、電阻式隨機存取記憶體(Resistive RAM,ReRAM)、鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM,FeRAM)(鐵電RAM)及快閃記憶體(反及快閃(NAND flash))、半導體發光元件(包括發光二極體(light emitting diode,LED)、迷你LED、微型LED等)、電力裝置、類比積體電路(integrated circuit,IC)(如直交流(DC-AC)轉換器及絕緣閘雙極電晶體(insulated gate bipolar transistor,IGBT)般)、MEMS(如加速感測器、壓力感測器、振動器及陀螺儀(Gyro)感測器般)、無線裝置(如全球定位系統(global positioning system,GPS)、調頻(frequency modulation,FM)、近場通訊(Near Field Communication,NFC)、射頻電磁(Radio Frequency Electro-Magnetic,RFEM)、微波單片積體電路(Microwave Monolithic Integrated Circuit,MMIC)及無線區域網路(Wireless Local Area Network,WLAN)般)、獨立裝置、背照式(Back-side illuminated,BSI)、互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)影像感測器(CMOS image sensor,CIS)、照相機模組、CMOS、手動裝置、GAW濾波器、射頻(radio frequency,RF)濾波器、RF積體被動裝置(integrated passive device,IPD)、自適應預測編碼(adaptive predictive encoding,APE)及基帶(Baseband,BB)。
檢測裝置(1)包括金屬產品(100)、供金屬產品(100)插入設置的導引板(GP1、GP2)、以及與金屬產品(100)的一側電性連接的電路配線部(300)。此處,金屬產品(100)的第一連接部(110)連接至電路配線部(300),且金屬產品(100)的第二連接部(120)連接至檢測對象(400)。金屬產品(100)包括彈性部(130),所述彈性部(130)使第一連接部(110)相對於第二連接部(120)在長度方向上彈性地相對位移。
圖12及圖13是示出檢測裝置(1)為探針卡的情況的圖。檢測裝置(1)包括探針頭(4)與電路配線部(300)。電路配線部(300)包括與金屬產品(100)的一端接觸的空間轉換器(3)、以及與空間轉換器(3)電性連接的基板部(2)。
導引板(GP1、GP2)包括彼此隔開佈置的上部導引板(GP1)與下部導引板(GP2),且金屬產品(100)貫通上部導引板(GP1)與下部導引板(GP2)各自的貫通孔進行設置。此時,金屬產品(100)藉由配置於上部外壁部(151)的卡合部(152)固定設置於上部導引板(GP1)。金屬產品(100)的第一連接部(110)連接至空間轉換器(ST、3)的墊(CP),且金屬產品(100)的第二連接部(120)連接至檢測對象(400)(例如,半導體晶圓(W))。
於將金屬產品(100)插入設置於導引板(GP1、GP2)的情況,藉由具有微細溝槽(88)的第一主體區域(100a)、以及不具有微細溝槽(88)的第二主體區域(100b)可容易地區分金屬產品(100)的方向性。因此,多個金屬產品(100)無誤地在同一方向上插入至導引板(GP1、GP2)。
如上所述,雖然參照本發明的較佳實施例進行說明,但相應技術領域的普通技術人員可在不脫離下述申請專利範圍所記載的本發明的思想及領域的範圍內對本發明實施各種修改或變形。
1:檢測裝置
2:基板部
3:空間轉換器
10:陽極氧化膜
15:第一開口部
20:可進行圖案化的物質
25:第二開口部
30:下部晶種層
40:上部晶種層
50:主體金屬層
88:微細溝槽
100:金屬產品
100a:第一主體區域
100b:第二主體區域
101:第一金屬層
102:第二金屬層
103:第三金屬層
110:第一連接部
110a:第一突出片
110b:第二突出片
120:第二連接部
121:內側主體
122:中空部
123:延伸主體
130:彈性部
130a:直線部
130b:彎曲部
131:上部彈性部
133:下部彈性部
140:非彈性部
145:中空部
150:外壁部
151:上部外壁部
151a:第一上部外壁部
151b:第二上部外壁部
152:卡合部
152a:上部卡合部
152b:下部卡合部
153:下部外壁部
153a:第一下部外壁部/上部開口部
153b:第二下部外壁部/下部開口部
154a:第一門戶部
154b:第二門戶部
155a:第一延伸部
155b:第二延伸部
188:突出部
300:電路配線部
400:檢測對象
A、B、C、D:部分
CP:墊
GP1:上部導引板/導引板
GP2:下部導引板/導引板
H:整體厚度尺寸
L:整體長度尺寸
t:實質寬度
W:整體寬度尺寸/半導體晶圓
x、y、z:方向
圖1是根據本發明較佳實施例的金屬產品的平面圖。
圖2是將圖1的A部分放大的圖。
圖3是將圖1的B部分放大的圖。
圖4是將圖1的C部分放大的圖。
圖5是根據本發明較佳實施例的金屬產品的立體圖。
圖6是根據本發明較佳實施例的金屬產品的一部分立體圖。
圖7是將圖6的D部分放大的圖。
圖8至圖10是對根據本發明較佳實施例的金屬產品進行拍攝的照片。
圖11a至圖11e是對根據本發明較佳實施例的金屬產品的製造方法進行說明的圖。
圖12是示出具有根據本發明較佳實施例的金屬產品的檢測裝置的圖。
圖13是將圖12的一部分放大的圖。
100:金屬產品
110:第一連接部
120:第二連接部
130:彈性部
131:上部彈性部
133:下部彈性部
140:非彈性部
150:外壁部
151:上部外壁部
153:下部外壁部
A、B、C:部分
L:整體長度尺寸
W:整體寬度尺寸/半導體晶圓
x、y:方向
Claims (16)
- 一種金屬產品,是一種在長度方向(±y方向)上具有整體長度尺寸(L),在垂直於所述長度方向的厚度方向(±z方向)上具有整體厚度尺寸(H),且在垂直於所述長度方向的寬度方向(±x方向)上具有整體寬度尺寸(W)的金屬產品,其中 所述金屬產品在所述厚度方向上區分成第一主體區域與第二主體區域, 在所述第一主體區域的側面具有微細溝槽,所述微細溝槽由沿著所述厚度方向長長地凹入的槽形成,且沿著側面在所述第一主體區域的側面整體並排地形成有多個, 在所述第二主體區域的側面不具有所述微細溝槽。
- 如請求項1所述的金屬產品,其中 所述金屬產品包括第一面、為所述第一面的相反面的第二面, 所述側面為連結所述第一面與所述第二面的面, 在所述第一面及所述第二面不形成所述微細溝槽。
- 如請求項1所述的金屬產品,其中 所述微細溝槽的深度為20 nm以上且1 μm以下。
- 如請求項1所述的金屬產品,其中 所述第二主體區域的一部分形成較所述第一主體區域突出的突出部, 除所述突出部之外的所述第二主體區域與所述第一主體區域的形狀一致。
- 如請求項1所述的金屬產品,其中 所述第一主體區域的厚度大於所述第二主體區域的厚度。
- 如請求項1所述的金屬產品,其中 所述金屬產品為連接至檢測對象以對所述檢測對象的電特性進行檢測的導電接觸針。
- 如請求項1所述的金屬產品,包括: 第一連接部,連接至電路配線部; 第二連接部,連接至檢測對象;以及 彈性部,使所述第一連接部相對於所述第二連接部在長度方向上彈性地相對位移, 所述第二連接部包括所述第二主體區域的一部分較所述第一主體區域突出的突出部。
- 如請求項7所述的金屬產品,包括: 外壁部,沿所述導電接觸針的長度方向配置於所述彈性部的外側,引導所述彈性部在所述導電接觸針的所述長度方向上進行壓縮及伸長,且防止所述彈性部在壓縮時挫曲。
- 如請求項1所述的金屬產品,包括: 第一連接部,連接至電路配線部; 第二連接部,連接至檢測對象; 上部彈性部,連結至所述第一連接部; 下部彈性部,連結至所述第二連接部;以及 非彈性部,連結至所述上部彈性部及所述下部彈性部,且配置於所述上部彈性部與所述下部彈性部之間, 所述第二連接部包括所述第二主體區域的一部分較所述第一主體區域突出的突出部。
- 如請求項9所述的金屬產品,包括: 上部外壁部,配置於所述上部彈性部的外側;以及 下部外壁部,配置於所述下部彈性部的外側。
- 如請求項10所述的金屬產品,其中 所述上部外壁部包括卡合部,所述卡合部突出配置以使得所述金屬產品不會自導引板脫落。
- 一種檢測裝置,包括: 金屬產品; 導引板,供所述金屬產品插入設置;以及 電路配線部,與所述金屬產品的一側電性連接, 所述金屬產品包括: 第一主體區域,具有微細溝槽,所述微細溝槽由沿著厚度方向長長地凹入的槽形成且沿著側面並排地形成有多個;以及 第二主體區域,在厚度方向上與所述第一主體區域連續形成,但在其側面不具有所述微細溝槽。
- 如請求項12所述的檢測裝置,其中 所述金屬產品包括: 第一連接部,連接至所述電路配線部; 第二連接部,連接至檢測對象;以及 彈性部,使所述第一連接部相對於所述第二連接部在長度方向上彈性地相對位移, 所述第二連接部包括所述第二主體區域的一部分較所述第一主體區域突出的突出部。
- 一種金屬產品的製造方法,在所述金屬產品的所述製造方法中,包括以下步驟: 在陽極氧化膜的下部形成下部晶種層; 在所述陽極氧化膜的上部形成能夠進行圖案化的物質; 藉由對所述能夠進行圖案化的物質進行圖案化形成第二開口部,以暴露出所述陽極氧化膜的上部; 藉由利用所述第二開口部對所述陽極氧化膜進行濕式蝕刻來形成第一開口部,以暴露出所述下部晶種層; 利用鍍覆製程在所述第一開口部與所述第二開口部形成主體金屬層;以及 移除所述下部晶種層、所述能夠進行圖案化的物質及所述陽極氧化膜,並提取所述主體金屬層。
- 如請求項14所述的金屬產品的製造方法,其中 所述能夠進行圖案化的物質為光阻。
- 如請求項14所述的金屬產品的製造方法,其中 在形成第一開口部的步驟之前,更包括在所述陽極氧化膜的上部形成上部晶種層的步驟。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2022-0030551 | 2022-03-11 | ||
KR1020220030551A KR20230133487A (ko) | 2022-03-11 | 2022-03-11 | 금속 성형물, 그 제조방법 및 이를 구비하는 검사장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202344848A true TW202344848A (zh) | 2023-11-16 |
Family
ID=87935470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112108643A TW202344848A (zh) | 2022-03-11 | 2023-03-09 | 金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20230133487A (zh) |
TW (1) | TW202344848A (zh) |
WO (1) | WO2023172046A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4361161B2 (ja) * | 1999-04-06 | 2009-11-11 | 日東電工株式会社 | 異方導電性コネクター |
KR100573089B1 (ko) * | 2003-03-17 | 2006-04-24 | 주식회사 파이컴 | 프로브 및 그 제조방법 |
KR20120050193A (ko) * | 2010-11-10 | 2012-05-18 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | 프로브 및 프로브 제조방법 |
KR102577451B1 (ko) | 2015-05-07 | 2023-09-12 | 테크노프로브 에스.피.에이. | 특히 감소된 피치 적용을 위한, 수직형 프로브를 구비한 테스트 헤드 |
KR101799309B1 (ko) * | 2016-07-25 | 2017-12-20 | (주) 루켄테크놀러지스 | 프로브 핀 및 이를 포함하는 디바이스 검사 장치 |
KR102015798B1 (ko) * | 2016-11-21 | 2019-08-29 | 리노공업주식회사 | 검사장치용 프로브 |
KR101962644B1 (ko) * | 2017-08-23 | 2019-03-28 | 리노공업주식회사 | 검사프로브 및 이를 사용한 검사장치 |
-
2022
- 2022-03-11 KR KR1020220030551A patent/KR20230133487A/ko unknown
-
2023
- 2023-03-07 WO PCT/KR2023/003128 patent/WO2023172046A1/ko unknown
- 2023-03-09 TW TW112108643A patent/TW202344848A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230133487A (ko) | 2023-09-19 |
WO2023172046A1 (ko) | 2023-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100687027B1 (ko) | 프로브와 프로브 카드 구조 및 그 제조 방법 | |
KR101556216B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 | |
TW202344848A (zh) | 金屬產品、其製造方法以及具有其之檢測裝置 | |
KR20080110037A (ko) | 프로브 카드용 버티칼형 프로브 어셈블리 및 그의 제조방법 | |
KR100946144B1 (ko) | 세라믹 프로브 기판 제조 방법 | |
TW202229879A (zh) | 導電接觸柱、其製造方法、測試元件與成形物及其製造方法 | |
KR101745884B1 (ko) | 초정밀 레이저를 활용한 소켓 및 그 제조방법 | |
TW202334656A (zh) | 導電接觸針以及具有其之檢測裝置 | |
TW202403316A (zh) | 導電接觸針以及具有其之檢測裝置 | |
TW202342993A (zh) | 導電接觸針以及具有其之檢測裝置 | |
KR102469788B1 (ko) | 복합 몰드, 금속 성형물 및 그 제조방법 | |
TW202342992A (zh) | 導電接觸針 | |
KR20240075950A (ko) | 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치 | |
KR20230157096A (ko) | 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치 | |
KR20230032063A (ko) | 금속 성형물의 제조방법 | |
TW201500738A (zh) | 互連結構、其製造方法及其應用 | |
KR102519285B1 (ko) | 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법 | |
KR20240075951A (ko) | 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치 | |
TW202309530A (zh) | 導電接觸針以及具有其之垂直型探針卡 | |
US20240226994A9 (en) | Composite mold, metal molded article, and method for manufacturing same | |
TW202309529A (zh) | 導電接觸針以及具有其之垂直型探針卡 | |
TW202309528A (zh) | 導電接觸針以及具有其之垂直型探針卡 | |
TW202332916A (zh) | 導電接觸針以及具有其之測試元件 | |
KR20240017651A (ko) | 전기 전도성 접촉핀 및 그 제조방법 | |
TW202300929A (zh) | 導電接觸針 |