TW202332916A - 導電接觸針以及具有其之測試元件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種導電接觸針以及具有其之測試元件,所述導電接觸針對導引孔洞的側壁施加摩擦力從而不會因自重自導引板下落,且藉由彈性部的長度方向的壓縮變形使連接對象的加壓力減小並傳遞至摩擦力。
Description
本發明是有關於一種導電接觸針以及具有其之測試元件。
導電接觸針配置於測試元件並用於與檢測對象進行電接觸、物理接觸以傳遞電性訊號。測試元件可為用於半導體製造製程的測試元件,且作為一例可為探針卡(probe card),且可為測試插座。導電接觸針可為配置於探針卡以對半導體晶片進行檢測的導電接觸針,且可為配置於對經封裝的半導體封裝進行檢測的測試插座以對半導體封裝進行檢測的插座針。本發明是有關於如上所述的導電接觸針,但以下先前技術在測試元件中亦對垂直型探針卡進行例示說明。
圖1是概略性地示出根據先前技術的探針卡(1)的圖。
晶圓單位中的半導體晶片檢測藉由探針卡來執行。探針卡安裝在晶圓與測試裝備頭之間,且探針卡上的8,000~100,000個導電接觸針與晶圓上的個別晶片內的墊(WP)接觸,從而執行在探針裝備與個別晶片間可彼此交換測試訊號(Signal)的中間媒介的作用。此種探針卡存在垂直型探針卡、懸臂型探針卡、微機電系統(micro-electromechanical system,MEMS)探針卡。
一般而言,垂直型探針卡(1)包括以下來構成:電路基板(2)、配置於電路基板(2)的下側的空間轉換器(3)以及配置於空間轉換器(3)的下側的探針頭(7)。
探針頭(7)包括多個導電接觸針(7)、以及配置有供導電接觸針(7)插入的孔洞的導引板(5、6)。探針頭(7)包括上部導引板(5)及下部導引板(6),且上部導引板(5)及下部導引板(6)藉由間隔件彼此隔開固定設置。導電接觸針(7)為在上部導引板(5)及下部導引板(6)之間進行彈性變形的結構,且採用此種導電接觸針(7)來構成垂直型探針卡(1)。
導電接觸針(7)配置有向其主體部的外側突出的止擋棱。止擋棱向上部支撐板(5)的孔洞外側突出形成並被上部支撐板(5)的上表面支撐,從而使得導電接觸針(7)不會自探針頭(7)下落。
但是,在為了替換導電接觸針(7)而翻轉探針頭(7)的情況下會產生導電接觸針(7)自導引板(5、6)下落的問題。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
(專利文獻1)韓國註冊編號第10-1913355號 註冊專利公報
[發明所欲解決之課題]
本發明是為了解決上述先前技術的問題點而提出,本發明的目的在於提供一種導電接觸針以及具有其之測試元件,所述導電接觸針對導引孔洞的側壁施加摩擦力從而不會因自重自導引板下落,且藉由彈性部的長度方向的壓縮變形使連接對象的加壓力減小並傳遞至摩擦力。
另外,本發明的目的在於提供一種導電接觸針以及具有其之測試元件,所述導電接觸針可有效地對檢測對象的電特性進行檢測而不會在主體藉由施加至兩端的加壓力在水平方向上凸出的同時彈性拐彎或彎曲。
[解決課題之手段]
為了達成本發明的目的,根據本發明的導電接觸針是插入至導引板的導引孔洞進行設置的導電接觸針,包括:第一柱塞,位於所述導電接觸針的第一端部側且其端部為第一接點;第二柱塞,位於所述導電接觸針的第二端部側且其端部為第二接點;彈性部,使所述第一柱塞與所述第二柱塞在所述導電接觸針的長度方向上進行彈性位移;支撐部,沿所述導電接觸針的長度方向配置於所述彈性部的外側,引導所述彈性部在所述導電接觸針的長度方向上進行壓縮及伸長,且防止所述彈性部在壓縮時挫曲;以及彈性密接部,自所述支撐部向所述導電接觸針的寬度方向外側延伸且被所述導引孔洞的側壁彈性支撐,在所述導引孔洞的側壁誘發在與所述彈性部的壓縮及伸長方向垂直的方向上起作用的復原力,以使所述導電接觸針不會因自重下落。
另外,所述彈性部包括:第一彈性部,連結至所述第一柱塞;第二彈性部,連結至所述第二柱塞;以及中間固定部,在所述第一彈性部與所述第二彈性部之間與所述第一彈性部及所述第二彈性部連結,且與所述支撐部配置成一體,在所述導電接觸針的長度方向上,所述彈性密接部的至少一端部的位置與所述中間固定部的位置一致,以與所述中間固定部連結。
另外,所述彈性密接部的一端連結至所述支撐部,且所述彈性密接部的另一端為自由端。
另外,所述彈性密接部的一端及另一端連結至所述支撐部,所述彈性密接部的一端與另一端之間向所述導引孔洞方向彎曲形成。
另外,所述支撐部包括配置於所述彈性部的左側的第一支撐部、以及配置於所述彈性部的右側的第二支撐部,所述彈性密接部包括配置於所述第一支撐部的左側的第一彈性密接部、以及配置於所述第二支撐部的右側的第二彈性密接部,所述彈性部包括:第一彈性部,連結至所述第一柱塞;第二彈性部,連結至所述第二柱塞;以及中間固定部,在所述第一彈性部與所述第二彈性部之間與所述第一彈性部及所述第二彈性部連結,且與所述支撐部配置成一體,在所述第一彈性密接部與所述第二彈性密接部之間配置所述中間固定部。
另外,所述第一柱塞、所述第二柱塞、所述彈性部及所述支撐部藉由積層多個金屬層來配置,且所述彈性密接部由單一金屬層配置。
另外,所述彈性密接部自一端至另一端不彎折且以直線構成。
另外,所述彈性密接部在一端與另一端之間以在寬度方向上凸起的形態形成,且一端及另一端兩者均連結至所述支撐部。
另外,所述彈性密接部以在一端與另一端之間在寬度方向上凸起的形態形成,且一端及另一端兩者均連結至所述支撐部並形成至少兩個凸起部。
另外,所述第一柱塞與位於上部的連接對象接觸,且所述第二柱塞與位於下部的連接對象接觸,若所述導電接觸針在長度方向上被位於上部的連接對象與位於下部的連接對象加壓,則所述彈性部在長度方向上進行壓縮變形,且藉由所述彈性部的長度方向的壓縮變形使連接對象的加壓力減小並傳遞至所述彈性密接部的摩擦力。
另一方面,根據本發明的測試元件包括:導引板,形成有導引孔洞;以及導電接觸針,插入至所述導引板的導引孔洞以設置在所述導引板,所述導電接觸針包括:第一柱塞,位於所述導電接觸針的第一端部側且其端部為第一接點;第二柱塞,位於所述導電接觸針的第二端部側且其端部為第二接點;彈性部,使所述第一柱塞與所述第二柱塞在所述導電接觸針的長度方向上進行彈性位移;支撐部,沿所述導電接觸針的長度方向配置於所述彈性部的外側,引導所述彈性部在所述導電接觸針的長度方向上進行壓縮及伸長,且防止所述彈性部在壓縮時挫曲;以及彈性密接部,自所述支撐部向所述導電接觸針的寬度方向外側延伸且被所述導引孔洞的側壁彈性支撐,在所述導引孔洞的側壁誘發在與所述彈性部的壓縮及伸長方向垂直的方向上起作用的復原力,以使所述導電接觸針不會因自重下落。
另外,所述導引板包括:上部導引板;以及下部導引板,與所述上部導引板隔開佈置,且所述彈性密接部配置於與所述上部導引板及所述下部導引板中的至少任一者的導引孔洞的位置對應的位置處。
[發明的效果]
本發明提供一種導電接觸針以及具有其之測試元件,所述導電接觸針對導引孔洞的側壁施加摩擦力從而不會因自重自導引板下落,且藉由彈性部的長度方向的壓縮變形使連接對象的加壓力減小並傳遞至摩擦力。
另外,本發明提供一種導電接觸針以及具有其之測試元件,所述導電接觸針可有效地對檢測對象的電特性進行檢測而不會在主體藉由施加至兩端的加壓力在水平方向上凸出的同時彈性拐彎或彎曲。
以下的內容僅例示發明的原理。因此即便未在本說明書中明確地進行說明或圖示,相應領域的技術人員亦可實現發明的原理並發明包含於發明的概念與範圍內的各種裝置。另外,本說明書所列舉的所有條件部用語及實施例在原則上應理解為僅是作為明確地用於理解發明的概念的目的,並不限制於如上所述特別列舉的實施例及狀態。
所述的目的、特徵及優點藉由與附圖相關的下文的詳細說明而進一步變明瞭,因此在發明所屬的技術領域內具有通常知識者可容易地實施發明的技術思想。
將參考作為本發明的理想例示圖的剖面圖及/或立體圖來說明本說明書中記述的實施例。為了有效地說明技術內容,對該些附圖所示的膜及區域的厚度等進行誇張表現。例示圖的形態可因製造技術及/或公差等變形。因此,本發明的實施例並不限於所示的特定形態,亦包括根據製造製程生成的形態的變化。在本說明書中使用的技術用語僅用於說明特定的實施例,不旨在限定本發明。除非上下文另有明確規定,否則單數的表達包括複數的表達。在本說明書中,應理解的是,「包括」或「具有」等用語欲指定存在本說明書所記載的特徵、數字、步驟、動作、構成要素、零部件或對其等進行組合,不預先排除一個或一個以上的其他特徵或數字、步驟、動作、構成要素、零部件或對其等進行組合的存在或附加可能性。
以下,參照附圖對根據本發明較佳實施例的導電接觸針以及具有其之測試元件進行說明。
以下,參照附圖對本發明的較佳實施例具體地進行說明。以下在對各種實施例進行說明時,即使實施例不同,為了方便起見亦對執行相同功能的構成要素賦予相同的名稱及相同的參考編號。另外,為了方便起見,將省略已經在其他實施例中說明的構成及操作。
以下說明的導電接觸針的寬度方向為圖中所標記的±x方向,導電接觸針的長度方向為圖中所標記的±y方向,且導電接觸針的厚度方向為圖中所標記的±z方向。導電接觸針在長度方向(±y方向)上具有整體長度尺寸(L),在垂直於所述長度方向的厚度方向(±z方向)上具有整體厚度尺寸(H),且在垂直於所述長度方向的寬度方向(±x方向)上具有整體寬度尺寸(W)。
第一實施例
以下,參照圖2至圖8b對根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針(100)進行說明。
圖2是根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針的平面圖,圖3是根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針的立體圖,圖4是圖2的A部分的放大圖,圖5是圖2的A部分的立體圖,圖6是將根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針的下部放大的平面圖,圖7是將根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針的下部放大的立體圖,且圖8a及圖8b是示出根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針插入至導引板的狀態的圖。
根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針(100)包括:第一柱塞(110),位於導電接觸針(100)的第一端部側且其端部為第一接點;第二柱塞(120),位於導電接觸針(100)的第二端部側且其端部為第二接點;彈性部(130),使第一柱塞(110)與第二柱塞(120)在導電接觸針(100)的長度方向上進行彈性位移;支撐部(140),沿導電接觸針(100)的長度方向配置於彈性部(130)的外側,引導彈性部(130)在導電接觸針(100)的長度方向上進行壓縮及伸長,且防止彈性部(130)在壓縮時挫曲;以及彈性密接部(TM),自支撐部(140)向導電接觸針(100)的寬度方向外側延伸且被導引孔洞的側壁彈性支撐,在導引孔洞的側壁誘發在與彈性部(130)的壓縮及伸長方向垂直的方向上起作用的復原力,以使導電接觸針(100)不會因自重下落。
導電接觸針(100)插入至導引板(GP)的孔洞並支撐在導引板(GP)中的至少任一者來進行設置。導引板(GP)可如圖8a所示配置成一個或者如圖8b所示配置成多個。在配置有兩個導引板(GP)的情況下,導引板(GP)包括位於上側的上部導引板(GP1)、以及與上部導引板(GP1)隔開配置的下部導引板(GP2)。在下文中所謂的導引板可意指僅一個導引板(GP),且可意指上部導引板(GP1)與下部導引板(GP2)中的至少任一者。
第一柱塞(110)連接至位於上部側的連接對象,且第二柱塞(120)連接至位於下部側的連接對象。在導電接觸針(100)用於垂直型探針卡的情況,第一柱塞(110)的第一接點連接至空間轉換器,且第二柱塞(120)連接至檢測對象。另一方面,在導電接觸針(100)用於測試插座的情況,第一柱塞(110)的第一接點連接至檢測對象,且第二柱塞(120)連接至電路基板。當然,亦可為相反的連接關係。
彈性部(130)包括:第一彈性部(131),連結至第一柱塞(110);第二彈性部(135),連結至第二柱塞(120);以及中間固定部(137),在第一彈性部(131)和第二彈性部(135)之間與第一彈性部(131)及第二彈性部(135)連結,且與支撐部(140)配置成一體。彈性部(130)在導電接觸針(100)的厚度方向上的各剖面形狀在所有厚度剖面中是相同的。另外,彈性部(130)的厚度整體上相同。第一彈性部(131)、第二彈性部(135)具有具有實質寬度(t)的板狀板以S字模樣反復彎折的形態,且板狀板的實質寬度(t)整體上是固定的。
第一柱塞(110)的一端為自由端且另一端連結至第一彈性部(131),從而可藉由接觸壓力彈性地垂直移動。第二柱塞(120)的一端為自由端且另一端連結至第二彈性部(135),從而可藉由接觸壓力彈性地垂直移動。
第一彈性部(131)的一端連結至第一柱塞(110),且另一端連結至中間固定部(137)。第二彈性部(135)的一端連結至第二柱塞(120),且另一端連結至中間固定部(137)。
支撐部(140)包括:第一支撐部(141),配置於彈性部(130)的左側;以及第二支撐部(145),配置於彈性部(130)的右側。
中間固定部(137)在導電接觸針(100)的寬度方向上延伸形成,且連結第一支撐部(141)與第二支撐部(145)。
第一彈性部(131)以中間固定部(137)為基準配置於其上部,且第二彈性部(135)以中間固定部(137)為基準配置於其下部。第一彈性部(131)及第二彈性部(135)以中間固定部(137)為基準進行壓縮或伸長變形。中間固定部(137)固定在第一支撐部(141)、第二支撐部(145),從而在第一彈性部(131)、第二彈性部(135)壓縮變形時執行限制第一彈性部(141)、第二彈性部(145)的位置移動的功能。
藉由中間固定部(137)將配置第一彈性部(131)的區域與配置第二彈性部(135)的區域彼此進行區分。因此,流入至上部開口部的異物不會流入至第二彈性部(135)側,且流入至下部開口部的異物亦不會流入至第一彈性部(131)側。藉此,藉由對流入至支撐部(140)內側的異物的移動進行限制,從而可防止第一彈性部(131)、第二彈性部(135)的作動被異物妨礙。
第一支撐部(141)與第二支撐部(145)沿導電接觸針(100)的長度方向形成,且第一支撐部(141)與第二支撐部(145)一體地連結至沿導電接觸針(100)的寬度方向延伸形成的中間固定部(137)。第一彈性部(131)、第二彈性部(135)藉由中間固定部(137)連結成一體,同時導電接觸針(100)在整體上構成為一個整體。
第一彈性部(131)、第二彈性部(135)藉由多個直線部(130a)與多個彎曲部(130b)交替連接形成。直線部(130a)連結左、右相鄰的彎曲部(130b),且彎曲部(130b)連結上、下相鄰的直線部(130a)。彎曲部(130b)配置成圓弧形狀。
於第一彈性部(131)、第二彈性部(135)的中央部位佈置直線部(130a),且於第一彈性部(131)、第二彈性部(135)的外側部位佈置彎曲部(130b)。直線部(130a)與寬度方向平行地配置,使得彎曲部(130b)更容易根據接觸壓進行變形。
與中間固定部(137)連結的第一彈性部(131)、第二彈性部(135)的部分為第一彈性部(131)、第二彈性部(135)的彎曲部(130b)。藉此,第一彈性部(131)、第二彈性部(135)相對於中間固定部(137)保持彈力。
第一彈性部(131)需要使多個導電接觸針(100)的第一柱塞(110)可分別穩定地與上部連接對象接觸的程度的壓縮量,相比之下,第二彈性部(135)需要使多個導電接觸針(100)的第二柱塞(120)可分別穩定地與下部連接對象接觸的程度的壓縮量。因此,第一彈性部(131)的彈性係數與第二彈性部(135)的彈性係數彼此不同。例如,第一彈性部(131)的長度與第二彈性部(135)的長度彼此不同地配置。另外,第二彈性部(135)的長度與第一彈性部(131)的長度相比可長地形成。
在各彎曲部(130b)處連結形成兩個直線部(130a),且在不超過各彎曲部(130b)的長度方向的距離的範圍內定位有兩個直線部(130a)。藉由在自各彎曲部(130b)的上部向下部彎折的位置處連結有一個直線部(130a),且在自各彎曲部(130b)的下部向上部彎折的位置處連結有另一個直線部(130a),藉此連結至一個彎曲部(130b)的兩個直線部(130a)的長度方向的隔開距離不超過一個彎曲部(130b)的長度方向的隔開距離。藉此,由於可在彈性部(130)的相同長度範圍內配置更多的彎曲部(130b)與直線部(130a),因此可向第一彈性部(131)、第二彈性部(135)提供足夠的彈力。因此,可使彈性部(130)的長度變短。
另一方面,上、下相鄰的彎曲部(130b)間的隔開距離以較上、下相鄰的直線部(130a)間的隔開距離短的方式形成。藉此,在第一彈性部(131)、第二彈性部(135)被壓縮時,上、下相鄰的彎曲部(130b)首先接觸並藉由彎曲部(130b)形成電流通路,若施加額外的過驅動,則第一彈性部(131)、第二彈性部(135)可藉由上、下隔開的直線部(130a)進一步變形。
第一支撐部(141)與第二支撐部(145)在其兩端部彼此接近但彼此隔開並形成開口部。開口部包括供第一柱塞(110)在垂直方向上可通過的上部開口部、以及供第二柱塞(120)在垂直方向上可通過的下部開口部。上部開口部與下部開口部執行以下功能:藉由第一彈性部(131)、第二彈性部(135)的復原力防止第一柱塞(110)、第二柱塞(120)向支撐部(140)突出得過多。
第一支撐部(141)具有向上部開口部側延伸的第一門戶部(144a),且第二支撐部(145)具有向上部開口部側延伸的第二門戶部(144b)。第一門戶部(144a)與第二門戶部(144b)彼此相對而隔開的空間為上部開口部。上部開口部的開口寬度較第一彈性部(131)的直線部(130a)的左、右長度形成得小。
第一柱塞(110)與第一彈性部(131)的直線部(130a)連結,且配置成在導電接觸針(100)的長度方向上長長地形成的桿(rod)形狀。第一柱塞(110)可在垂直方向上通過由第一支撐部(141)與第二支撐部(145)形成的上部開口部。另外,由於第一彈性部(131)的直線部(130a)的左、右長度較上部開口部的寬度形成得大,因此第一彈性部(131)的直線部(130a)無法通過上部開口部。藉此,限制了第一柱塞(110)的上升衝程。
第一支撐部(141)與第二支撐部(145)在其兩端部彼此接近但彼此隔開並形成供第一柱塞(110)在垂直方向上可通過的上部開口部,若第一柱塞(141)在支撐部(140)內部垂直移動,則上部開口部的開口寬度減小,且第一支撐部(141)、第二支撐部(145)與第一柱塞(110)彼此接觸,從而形成額外的接觸點。
第一支撐部(141)具有向支撐部(140)的內側空間延伸的第一延伸部(145a),且第二支撐部(145)具有向支撐部(140)的內側空間延伸的第二延伸部(145b)。
第一延伸部(145a)連結至第一門戶部(144a)。第一延伸部(145a)的一端連結至第一門戶部(144a),且其另一端向支撐部(140)的內側空間延伸並形成為自由端。
第二延伸部(145b)連結至第二門戶部(144b)。第二延伸部(145b)的一端連結至第二門戶部(144b),且其另一端向支撐部(140)的內側空間延伸並形成為自由端。
在第一柱塞(110)配置有向第一延伸部(145a)方向延伸的第一突出片(110a)、以及向第二延伸部(145b)方向延伸的第二突出片(110b)。若第一柱塞(110)藉由加壓力下降,則第一突出片(110a)及第二突出片(110b)可能分別與第一延伸部(145a)及第二延伸部(145b)接觸。
若第一柱塞(110)下降,則第一突出片(110a)及第二突出片(110b)可能分別與第一延伸部(145a)及第二延伸部(145b)接觸,從而形成額外的接觸點。
由於第一延伸部(145a)與第二延伸部(145b)傾斜地形成,因此若第一柱塞(110)垂直移動,則第一突出片(110a)與第二突出片(110b)分別對第一延伸部(145a)與第二延伸部(145b)加壓,從而減小第一門戶部(144a)與第二門戶部(144b)的隔開空間。換言之,隨著第一柱塞(110)下降,第一門戶部(144a)與第二門戶部(144b)以彼此更加接近的方式變形,從而減小上部開口部的開口寬度。如此,若第一柱塞(110)向支撐部(140)的內部垂直移動,則上部開口部的開口寬度減小,且第一支撐部(141)、第二支撐部(145)與第一柱塞(110)彼此接觸,從而形成額外的接觸點。
在第一柱塞(110)下降時首先第一突出片(110a)、第二突出片(110b)與第一延伸部(145a)、第二延伸部(145b)彼此接觸而形成額外的接觸點,並且其次藉由進一步的下降第一門戶部(144a)、第二門戶部(144b)與第一柱塞(110)彼此接觸而額外地形成接觸點。如此,由於第一柱塞(110)垂直移動,在第一柱塞(110)與支撐部(140)間形成額外的電流通道。此種額外的電流通道不通過彈性部(130)而在支撐部(140)中由第一柱塞(110)直接形成。由於形成額外的電流通道,因此可實現更穩定的電性連接。
上部開口部的開口寬度與第一柱塞(110)的垂直移動距離成比例地減小。另外,於在第一門戶部(144a)、第二門戶部(144b)與第一柱塞(110)接觸之後亦對第一柱塞(110)施加下降壓力的情況,第一門戶部(144a)、第二門戶部(144b)與第一柱塞(110)間的摩擦力進一步變大。增大的摩擦力防止第一柱塞(110)下降得過多。藉此,可防止彈性部(更具體而言第一彈性部(131))被過度地壓縮變形。
第二柱塞(120)在上部連結至第二彈性部(135),且其端部通過下部開口部。
第二柱塞(120)包括:內側主體(121),位於支撐部(140)的內側且與第二彈性部(120)連結;以及突出尖(125),與內側主體(121)連結且可通過下部開口部。內側主體(121)是位於支撐部(140)的內側的部位,內側主體(121)的下表面的左、右長度較下部開口部的開口寬度形成得大,以使得內側主體(121)不會自支撐部(140)脫離。
在第二柱塞(120)的突出尖(125)處配置有階梯部(127)。階梯部(127)在第二柱塞(120)自支撐部(140)突出的部位處在自第二接點向下部開口部的方向上在第二柱塞(120)的寬度增加時形成。
在執行第二柱塞(120)的擦拭動作的過程中產生產生的氧化膜層的碎屑。碎屑彼此黏附並結塊,此種碎屑被卡在階梯部並被誘導自然地下落,且防止持續地生長。另外,階梯部執行防止碎屑向支撐部(140)內側移動的功能。
第二柱塞(120)重複執行上升及下降動作,此時位於左側、右側的支撐部(140)與第二柱塞(120)彼此進行滑動接觸。為了將第二柱塞(120)與支撐部(140)間的滑動摩擦力最小化,在與支撐部(140)相對的內側主體(121)的側面形成凹陷部。藉由配置於內側主體(121)的凹陷部的構成,第二柱塞(120)可更順暢地升降。
第二柱塞(120)在支撐部(140)內部垂直上升且在第二接點處執行擦拭動作。彈性部(130)相對於第二柱塞(120)的軸線方向偏心地連結至第二柱塞(120),以使得第二彈性部(135)在第二柱塞(120)上升時在第二柱塞(120)的第二接點可執行擦拭動作。
第二彈性部(135)在第二柱塞(120)的上面在以第二柱塞(120)的中心軸線為基準向一側傾斜的位置處連結至第二柱塞(120)的上表面。更具體而言,第二彈性部(135)的彎曲部(130b)與第二柱塞(120)的上表面連結。第二柱塞(120)的上表面中的一側與第二彈性部(135)連結,而第二柱塞(120)的上表面中的另一側不與第二彈性部(135)連結且以與第二彈性部(135)隔開的方式形成。
若第二柱塞(120)上升,則第二柱塞(120)藉由連結至第二柱塞(120)的上表面一側的第二彈性部(135)受到推斥力,但第二柱塞(120)的上表面另一側由於與第二彈性部(135)隔開而未受到推斥力。藉由此種構成,在第二柱塞(120)藉由加壓力在垂直方向上上升時,偏心阻力作用於第二柱塞(120)。第二柱塞(120)在上側受到偏心阻力並對第二柱塞(120)產生旋轉力矩,因此第二柱塞(120)的突出尖(125)在保持與檢測對象的適當的接觸壓力的同時傾斜,並對檢測對象(例如,半導體元件)執行擦拭動作。第二柱塞(120)的突出尖(125)在保持適當的接觸壓力的同時傾斜,並在氧化膜層誘發龜裂,且電極墊(WP)的導電物質層藉由龜裂暴露出從而與突出尖(125)接觸。藉此實現電性連接。另外,藉由此種擦拭動作,可將電極墊(WP)的損傷最小化,且不會引起過多量的氧化膜層的碎屑,從而發揮出增加導電接觸針(100)的使用時間的效果。
在第二接點對檢測對象的電極墊(WP)擦拭的程度的大小可藉由下部開口部與突出尖(125)間的縫隙的大小來控制。下部開口部與突出尖(125)之間的縫隙是決定容許傾斜角度的因素,若下部開口部與突出尖(125)之間的縫隙大,縫隙越大則突出尖(125)在第二接點的傾斜角度變得越大,若下部開口部與突出尖(125)之間的縫隙小,縫隙越小則突出尖(125)在第二接點的傾斜角度變得越小。
先前,探針(7)藉由施加至兩端的壓力產生拐彎或挫曲的變形因而在探針(7)的接點處進行滑動動作,並且將作為檢測對象的電極墊上的氧化膜層移除。但因使探針(7)在寬度方向上彎曲的過大的壓力,雖然可容易移除氧化膜層,但電極墊的損傷亦變大的問題不斷地被提出。特別是由於電極墊與窄節距趨勢對應而進一步變更小,因此由過大的接觸壓力導致探針(7)給電極墊帶來的損傷變得更加頻繁。
與此不同,由於根據本發明較佳實施例的導電接觸針(100)為在第二柱塞(120)受到接觸壓力時第二彈性部(135)的板狀板在被預先反復彎折的彈簧結構中壓縮變形並進行擦拭的結構,因此可防止對電極墊施加過大的壓力,從而將電極墊受到損傷的情形最小化。
如此,在以下方面在擦拭動作的基本作動原理上存在差異:先前技術中探針(7)自身是彈性變形並執行擦拭動作的結構,相比之下,根據本發明較佳實施例的導電接觸針(100)是以支撐部(140)保持垂直的狀態、第二柱塞(120)傾斜並執行擦拭動作的結構。
與對氧化膜層施加過大的接觸壓力並利用過大的接觸壓力移除氧化膜層的先前的擦拭動作(現存的垂直型探針卡)、或將氧化膜層刮掉以移除氧化膜層的先前的擦拭動作(現存的懸臂型探針卡)不同,根據本發明較佳第一實施例的第二柱塞(120)在第二接點保持適當的接觸壓力並傾斜的同時移除氧化膜層,因此可將電極墊受到損傷的情形最小化。
由於第一柱塞(110)、第二柱塞(120)、彈性部(130)及支撐部(140)利用鍍覆製程一次性製作,因此配置成一體型。導電接觸針(100)的板狀板在整體上一體連結來構成第一柱塞(110)、第二柱塞(120)、彈性部(130)及支撐部(140)。導電接觸針(100)可在厚度方向上利用不同的金屬執行經過多次的鍍覆製程,並藉由積層多個金屬層來配置。
導電接觸針(100)在導電接觸針(100)的厚度方向上積層多個金屬層來配置。多個金屬層包括第一金屬層(160)與第二金屬層(180)。第一金屬層(160)作為與第二金屬層(180)相比耐磨性相對高的金屬,較佳為可由選自以下中的金屬形成:銠(Rd)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、錳(Mn)、鎢(W)、磷(Ph)或其等的合金、或鈀鈷(PdCo)合金、鈀鎳(PdNi)合金或鎳磷(NiPh)合金、鎳錳(NiMn)、鎳鈷(NiCo)或鎳鎢(NiW)合金。第二金屬層(180)作為與第一金屬層(160)相比電導率相對高的金屬,較佳為可由選自銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)或其等的合金中的金屬形成。
第一金屬層(160)在導電接觸針(100)的厚度方向上配置於下表面與上表面,且第二金屬層(180)配置於第一金屬層(160)之間。例如,導電接觸針(100)藉由按照第一金屬層(160)、第二金屬層(180)、第一金屬層(160)的順序交替積層第一金屬層(160)、第二金屬層(180)來配置,且積層的層數可由三層以上組成。在圖中示出五層。
例如,第一金屬層(160)可由鈀鈷(PdCo)合金形成,且第二金屬層(180)由銅(Cu)形成,交替積層鈀鈷(PdCo)合金與銅(Cu)從而構成三層以上的金屬層。或者,第一金屬層(160)可由鈀鈷(PdCo)合金或銠(Rd)形成,且第二金屬層(180)由銅(Cu)形成,按照鈀鈷(PdCo)合金、銅(Cu)、銠(Rd)、銅(Cu)及鈀鈷(PdCo)合金的順序進行積層,從而構成五層以上的金屬層。
導電接觸針(100)的厚度尺寸(H)可形成為與導電接觸針(100)的寬度尺寸(W)實質上相同的大小。藉此,導電接觸針(100)的厚度較導電接觸針(100)的寬度薄,從而可防止在減小導電接觸針(100)的厚度的同時產生的導電接觸針(100)的特性弱化。
另外,藉由多個金屬層積層的構成,可提高以窄節距排列的導電接觸針(100)的彈性、耐磨性及/或導電性。換言之,藉由採用多個金屬層積層的構成,即便以窄節距排列導電接觸針(100)亦可防止耐磨性下降或導電性下降的現象,且可提供高彈力的機械特性。
導電接觸針(100)包括彈性密接部(TM)。
由於利用鍍覆製程一次性製作導電接觸針(100),因此彈性密接部(TM)藉由第一金屬層(160)與第二金屬層(180)交替積層來配置。更具體而言,第一柱塞(110)、第二柱塞(120)、彈性部(130)、支撐部(140)及彈性密接部(TM)藉由多個金屬層積層配置,且多個金屬層包括第一金屬層(160)與第二金屬層(180)。
彈性密接部(TM)在導引孔洞的側壁誘發在與彈性部(130)的壓縮及伸長方向垂直的方向上起作用的復原力,以使導電接觸針(100)不會因其自重下落。
彈性密接部(TM)自支撐部(140)向導電接觸針(100)的寬度方向外側延伸且被導引孔洞的側壁彈性支撐。彈性密接部(TM)由在與導引板(GP)的導引孔洞的側壁密接時彈性變形的結構形成。
如圖8a所示,導引板(GP)可由一個部件形成。或者,如圖8b所示,導引板(GP)包括上部導引板(GP1)與下部導引板(GP2),且彈性密接部(TM)配置於與上部導引板(GP1)及下部導引板(GP2)中的至少任一者的導引孔洞的位置對應的位置處。
對於導引板(GP)包括上部導引板(GP1)與下部導引板(GP2)的構成,彈性密接部(TM)可與上部導引板(GP1)的導引孔洞及下部導引板(GP2)的導引孔洞中的至少任一者的導引孔洞對應地配置。例如,彈性密接部(TM)可與上部導引板(GP1)的導引孔洞或下部導引板(GP2)的導引孔洞對應地配置,或者與上部導引板(GP1)的導引孔洞及下部導引板(GP2)的導引孔洞二者對應地配置。圖8b為以下結構:對應於上部導引板(GP1)的導引孔洞配置彈性密接部(TM),而對應於下部導引板(GP2)的導引孔洞不配置彈性密接部(TM)。在此種情況,下部導引板(GP2)執行引導導電接觸針(100)的升、降並將導電接觸針(100)的晃動最小化的功能。
彈性密接部(TM)的一端連結至支撐部(140),且另一端形成為自由端。彈性密接部(TM)的一端與另一端之間向導引孔洞方向彎曲形成。藉此,在被導引孔洞的側壁彈性支撐的同時將與導引孔洞的側壁進行摩擦運動時導引孔洞的損傷最小化。另外,即便為了替換導電接觸針(100)而翻轉探針頭等亦不會使導電接觸針(100)自導引板(GP)下落。
在彈性密接部(TM)的另一端與支撐部(140)之間形成餘裕縫隙(YT)。餘裕縫隙(YT)提供可供彈性密接部(TM)的另一端彈性變形的餘裕空間。
以支撐部(140)為基準形成至少一個以上彈性密接部(TM)。可在第一支撐部(141)及第二支撐部(145)中的至少任一者形成至少一個以上彈性密接部(TM)。彈性密接部(TM)可形成在第一支撐部(141)或第二支撐部(145),且可形成在第一支撐部(141)及第二支撐部(145)二者。另外,可在第一支撐部(141)及/或第二支撐部(145)形成至少一個以上彈性密接部(TM)。
彈性密接部(TM)包括配置於第一支撐部(141)的左側的第一彈性密接部(TM1)、以及配置於第二支撐部(145)的右側的第二彈性密接部(TM2)。第一彈性密接部(TM1)的一端連結至第一支撐部(141)且另一端形成為自由端,第二彈性密接部(TM2)的一端連結至第二支撐部(145)且另一端形成為自由端。
彈性密接部(TM)在導電接觸針(100)的長度方向上的至少一端部的位置與中間固定部(137)的位置一致,從而與中間固定部(137)連結。在第一彈性密接部(TM1)的一端與第二彈性密接部(TM2)的一端之間定位中間固定部(137)。藉由第一彈性密接部(TM1)的一端與第二彈性密接部(TM2)的一端連結至中間固定部(137),從而使第一彈性密接部(TM1)的一端與第二彈性密接部(TM2)的一端不會在導電接觸針(100)的寬度方向上變形。當在導引孔洞的側壁誘發第一彈性密接部(TM1)的另一端與第二彈性密接部(TM2)的另一端的復原力時,由於第一彈性密接部(TM1)的一端與第二彈性密接部(TM2)的一端藉由中間固定部(137)被牢牢地固定,因此可誘發牢固的復原力。
對導電接觸針(100)的設置及作動過程進行闡述,首先將導電接觸針(100)插入至導引板(GP)進行設置。彈性密接部(TM)與導引板(GP)的導引孔洞的側壁彈性密接。導電接觸針(100)的整體寬度尺寸(W)及厚度尺寸(H)較導引板(GP)的導引孔洞的開口寬度小,但彈性密接部(TM)的寬度尺寸較導引板(GP)的導引孔洞的開口寬度大。因此,利用規定的加壓力對導電接觸針(100)進行加壓並推入至導引孔洞,此時彈性密接部(TM)在寬度方向上被加壓而壓縮變形。彈性密接部(TM)藉由其復原力對導引孔洞的側壁施加摩擦力,且摩擦力較由導電接觸針(100)的自重帶來的重力形成得大。因此,導電接觸針(100)不會因導電接觸針(100)的自重而自上部導引板(GP)下落。但,導電接觸針(100)可能藉由較作用於導引孔洞的側壁的摩擦力發揮更大的作用的外力而在長度方向上移動。
完成將多個導電接觸針(100)插入至導引板(GP)從而構成探針頭。探針頭固定設置於電路基板。
第一柱塞(110)與位於上部的連接對象接觸,且第二柱塞(120)與位於下部的連接對象接觸。若導電接觸針(100)在長度方向上被位於上部的連接對象與位於下部的連接對象加壓,則第一彈性部(131)及第二彈性部(135)在長度方向上進行壓縮變形,且藉由第一彈性部(131)及第二彈性部(135)的長度方向的壓縮變形使連接對象的加壓力減小並傳遞至彈性密接部(TM)的摩擦力。因此,即便採用彈性密接部(TM)與導引孔洞的側壁密接並被彈性支撐的結構,亦可將導引孔洞的側壁被摩擦力損傷的情形最小化。
另外,由於彈性密接部(TM)在與導引板(GP)的導引孔洞的側壁位置對應的位置處配置於導電接觸針(100),因此導電接觸針(100)不具有向導引孔洞的寬度方向外側突出的結構。藉此,可將相鄰的導電接觸針(100)間的干涉最小化。另外,藉由導電接觸針(100)採用藉由外力在長度方向上彈性位移的彈性部(130),從而可將相鄰的導電接觸針(100)間的干涉最小化。因此,導電接觸針(100)有利於窄節距對應。
另一方面,在因不良的原因等單個替換不良的導電接觸針(100)的情況,強行拉出導電接觸針(100)使導電接觸針(100)自導引板(GP)脫離,因此可容易將導電接觸針(100)自導引板(GP)分離開。另外,即便在所移除的位置設置新的導電接觸針(100)的情況下,亦可藉由強行將導電接觸針(100)推入至導引板(GP)的導引孔洞從而容易地進行設置。如此,在導引板(GP)被固定設置的狀態下可容易執行僅將不良的導電接觸針(100)替換成良好的導電接觸針(100),而無需將固定設置的導引板(GP)單獨分離開來。
另一方面,參照圖8b,下部導引板(GP2)的導引孔洞的寬度可較上部導引板(GP1)的導引孔洞的寬度形成得小。藉此,即便導電接觸針(100)因意料之外的外力自上部導引板(GP1)下落,導電接觸針(100)亦不會容易地通過下部導引板(GP2)的導引孔洞。因意料之外的外力自上部導引板(GP1)掉落的導電接觸針(100)再次被推入至上部導引板(GP1)進行設置。另外,藉由下部導引板(GP2)的導引孔洞的寬度較上部導引板(GP1)的導引孔洞的寬度形成得小,從而可將導電接觸針(100)的下部晃動的情形最小化。
第二實施例
接著,對根據本發明的第二實施例進行闡述。但,以下說明的實施例與所述第一實施例相比以特徵性的構成要素為中心進行說明,且盡可能省略對與第一實施例相同或相似的構成要素的說明。
以下,參照圖9對根據本發明較佳第二實施例的導電接觸針(200)進行說明。圖9是根據本發明較佳第二實施例的導電接觸針(200)的立體圖。
根據本發明較佳第二實施例的導電接觸針(200)僅彈性密接部(TM)的構成與根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針(100)存在差異,且其餘構成均相同。
根據本發明較佳第二實施例的導電接觸針(200)的彈性密接部(TM)在由單一金屬層形成的方面與由不同的金屬層形成的第一實施例的構成存在差異。
根據第二實施例的導電接觸針(200)中第一柱塞(110)、第二柱塞(120)、彈性部(130)及支撐部(140)藉由積層多個金屬層來配置,且彈性密接部(TM)由單一金屬層配置。
第一柱塞(110)、第二柱塞(120)、彈性部(130)及支撐部(140)藉由包括第一金屬層(160)與第二金屬層(180)的多層鍍覆製程來製作,且彈性密接部(TM)藉由僅包括單一金屬層的單層鍍覆製程來製作。
根據第二實施例的彈性密接部(TM)由第一金屬層(160)形成。第一金屬層(160)為選自以下中的金屬:銠(Rd)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、錳(Mn)、鎢(W)、磷(Ph)或其等的合金、或鈀鈷(PdCo)合金、鈀鎳(PdNi)合金或鎳磷(NiPh)合金、鎳錳(NiMn)、鎳鈷(NiCo)或鎳鎢(NiW)合金。
第一金屬層(160)作為耐磨性高的金屬,藉此可將彈性密接部(TM)在與導引孔洞的側壁抵接滑動時被磨損的情形最小化。
第三實施例
接著,對根據本發明的第三實施例進行闡述。但,以下說明的實施例與所述第一實施例相比以特徵性的構成要素為中心進行說明,且盡可能省略對與第一實施例相同或相似的構成要素的說明。
以下,參照圖10對根據本發明較佳第三實施例的導電接觸針(300)進行說明。圖10是根據本發明較佳第三實施例的導電接觸針(300)的立體圖。
根據本發明較佳第三實施例的導電接觸針(300)僅彈性密接部(TM)的構成與根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針(100)存在差異,且其餘構成均相同。
根據本發明較佳第三實施例的導電接觸針(300)的彈性密接部(TM)在自一端至另一端不彎折而以直線構成的方面與第一實施例的導電接觸針(100)的彈性密接部(TM)的構成存在差異。
根據第三實施例的彈性密接部(TM)的一端連結至支撐部(140)且另一端形成為自由端。所述彈性密接部(TM)自一端至另一端以直線的形態延伸構成。
第四實施例
接著,對根據本發明的第四實施例進行闡述。但,以下說明的實施例與所述第一實施例相比以特徵性的構成要素為中心進行說明,且盡可能省略對與第一實施例相同或相似的構成要素的說明。
以下,參照圖11對根據本發明較佳第四實施例的導電接觸針(400)進行說明。圖11是根據本發明較佳第四實施例的導電接觸針(400)的立體圖。
根據本發明較佳第四實施例的導電接觸針(400)僅彈性密接部(TM)的構成與根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針(100)存在差異,且其餘構成均相同。
在以下方面與根據第一實施例的導電接觸針(100)的彈性密接部(TM)的構成存在差異:根據本發明較佳第四實施例的導電接觸針(300)的彈性密接部(TM)為以在一端與另一端之間在寬度方向上凸起的形態形成,且一端及另一端兩者均連結至支撐部(140)的構成。
根據第四實施例的彈性密接部(TM)的一端及另一端兩者均連結至支撐部(140)且在一端與另一端之間的凸起的部分處與導引孔洞的側壁彈性密接。在根據第四實施例的彈性密接部(TM)與支撐部(140)之間形成封閉空間且封閉空間為餘裕縫隙(YT)。藉此,將彈性密接部(TM)在寬度方向上的變形率最小化且在導引孔洞的側壁處誘發更大的摩擦力。
第五實施例
接著,對根據本發明的第五實施例進行闡述。但,以下說明的實施例與所述第一實施例相比以特徵性的構成要素為中心進行說明,且盡可能省略對與第一實施例相同或相似的構成要素的說明。
以下,參照圖12對根據本發明較佳第五實施例的導電接觸針(500)進行說明。圖12是根據本發明較佳第五實施例的導電接觸針(500)的立體圖。
根據本發明較佳第五實施例的導電接觸針(500)僅彈性密接部(TM)的構成與根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針(100)存在差異,且其餘構成均相同。
在以下方面與根據第一實施例的導電接觸針(100)的彈性密接部(TM)的構成存在差異:根據本發明較佳第五實施例的導電接觸針(500)的彈性密接部(TM)為以在一端與另一端之間在寬度方向上凸起的形態形成,且一端及另一端兩者均連結至支撐部(140)且形成至少兩個凸起部的構成。
根據第五實施例的彈性密接部(TM)的一端及另一端兩者均連結至支撐部(140)且在一端與另一端之間的多個凸起的部分處與導引孔洞的側壁彈性密接。在根據第五實施例的彈性密接部(TM)與支撐部(140)之間形成封閉空間且封閉空間為餘裕縫隙(YT)。藉此,將彈性密接部(TM)在寬度方向上的變形率最小化且在導引孔洞的側壁處誘發更大的摩擦力。
第六實施例
接著,對根據本發明的第六實施例進行闡述。但,以下說明的實施例與所述第一實施例相比以特徵性的構成要素為中心進行說明,且盡可能省略對與第一實施例相同或相似的構成要素的說明。
以下,參照圖13對根據本發明較佳第六實施例的導電接觸針(600)進行說明。圖13是根據本發明較佳第六實施例的導電接觸針(600)的立體圖。
根據本發明較佳第六實施例的導電接觸針(600)僅彈性密接部(TM)的構成與根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針(100)存在差異,且其餘構成均相同。
在以下方面與根據第一實施例的導電接觸針(100)的彈性密接部(TM)的構成存在差異:根據本發明較佳第六實施例的導電接觸針(600)的彈性密接部(TM)為以在一端與另一端之間在寬度方向上凸起的形態形成,且一端及另一端兩者均連結至支撐部(140)且形成至少兩個凸起部的構成。
根據第六實施例的彈性密接部(TM)的一端及另一端兩者均連結至支撐部(140)且在一端與另一端之間的多個凸起的部分處與導引孔洞的側壁彈性密接。於在彈性密接部(TM)的寬度方向內側不存在支撐部(140)的方面與根據第五實施例的導電接觸針(500)的構成存在差異。
在根據第六實施例的彈性密接部(TM)的寬度方向內側具有彈性部(130)而不存在支撐部(140),從而較根據第五實施例的導電接觸針(500)中的餘裕縫隙(YT)具有相對大的餘裕縫隙(YT)。藉此,彈性密接部(TM)可更順暢地進行寬度方向的變形。
測試元件
以上說明的根據本發明較佳各實施例的導電接觸針(100、200、300、400、500、600)配置於測試元件並用於與檢測對象進行電接觸、物理接觸以傳遞電性訊號。
測試元件包括:導引板(GP),形成有孔洞;以及導電接觸針(100、200、300、400、500、600),插入至導引板(GP)的導引孔洞以設置在導引板(GP)。
測試元件可為用於半導體製造製程的測試元件,且作為一例可為探針卡,且可為測試插座。導電接觸針(100、200、300、400、500、600)可為配置於探針卡以對半導體晶片進行檢測的導電接觸針,且可為配置於對經封裝的半導體封裝進行檢測的測試插座以對半導體封裝進行檢測的插座針。
根據本發明較佳各實施例的導電接觸針(100、200、300、400、500、600)可用於垂直型探針卡。根據本發明較佳實施例的垂直型探針卡包括:空間轉換器,配置有連接墊;導引板(GP),在空間轉換器下部與空間轉換器隔開配置;以及導電接觸針(100、200、300、400、500、600),插入導引板(GP)的孔洞進行設置。根據本發明較佳實施例的垂直型探針卡在半導體製造製程中用於對在晶圓上製作的晶片進行檢測的檢測製程且可對應微細節距。較佳為設置於垂直型探針卡的導引板(GP)的導電接觸針(100、200、300、400、500、600)間的節距間隔為50 μm以上且150 μm以下。
可使用根據本發明較佳實施例的導電接觸針(100、200)的測試元件並不限定於此,包括任何施加電以確認檢測對象是否不良的測試元件。測試元件的檢測對象可包括半導體元件、記憶體晶片、微處理器晶片、邏輯晶片、發光元件或其等的組合。例如,檢測對象包括:邏輯大型積體電路(large scale integration,LSI)(如應用專用積體電路(application specified integrated circuit,ASIC)、場可程式化閘陣列(field programmable gate array,FPGA)及應用專用標準產品(Application Specific Standard Product,ASSP)般)、微處理器(如中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)及圖形處理單元(graphic processing unit,GPU)般)、記憶體(動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)、混合記憶體立方體(Hybrid Memory Cube,HMC)、磁性隨機存取記憶體(磁性RAM(Magnetic Random Access Memory,MRAM))、相變記憶體(Phase-Change Memory,PCM)、電阻式隨機存取記憶體(Resistive RAM,ReRAM)、鐵電隨機存取記憶體(鐵電RAM)(Ferroelectric RAM,FeRAM)及快閃記憶體(反及快閃(NAND flash))、半導體發光元件(包括發光二極體(light emitting diode,LED)、迷你LED、微型LED等)、電力裝置、類比積體電路(integrated circuit,IC)(如直交流(DC-AC)轉換器及絕緣閘雙極電晶體(insulated gate bipolar transistor,IGBT)般)、微機電系統(MEMS)(如加速感測器、壓力感測器、振動器及陀螺儀(Gyro)感測器般)、無線裝置(如全球定位系統(global positioning system,GPS)、調頻(frequency modulation,FM)、近場通訊(Near Field Communication,NFC)、射頻電磁(Radio Frequency Electro-Magnetic,RFEM)、微波單片積體電路(Microwave Monolithic Integrated Circuit,MMIC)及無線區域網路(Wireless Local Area Network,WLAN)般)、獨立裝置、背照式(Back-side illuminated,BSI)、互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)影像感測器(CMOS image sensor,CIS)、照相機模組、CMOS、手動裝置、GAW濾波器、射頻(radio frequency,RF)濾波器、RF積體被動裝置(Integrated Passive Device,IPD)、自適應預測編碼(adaptive predictive encoding,APE)及基帶(Baseband,BB)。
如上所述,雖然參照本發明的較佳實施例進行說明,但相應技術領域的普通技術人員可在不脫離下述申請專利範圍所記載的本發明的思想及領域的範圍內對本發明實施各種修改或變形。
1:垂直型探針卡/探針卡
2:電路基板
3:空間轉換器
4:探針頭
5:上部導引板/導引板
6:下部導引板/導引板
7:探針/導電接觸針
100、300、400、500、600:導電接觸針
110:第一柱塞
110a:第一突出片
110b:第二突出片
120:第二柱塞
121:內側主體
125:突出尖
127:階梯部
130:彈性部
130a:直線部
130b:彎曲部
131:第一彈性部
135:第二彈性部
137:中間固定部
140:支撐部
141:第一支撐部
144a:第一門戶部
144b:第二門戶部
145:第二支撐部
145a:第一延伸部
145b:第二延伸部
160:第一金屬層
180:第二金屬層
A:部分
GP:導引板
GP1:上部導引板
GP2:下部導引板
H:整體厚度尺寸/厚度尺寸
L:整體長度尺寸
TM:彈性密接部
TM1:第一彈性密接部
TM2:第二彈性密接部
t:實質寬度
W:整體寬度尺寸/寬度尺寸
x、y、z:方向
YT:餘裕縫隙
圖1是概略性地示出根據先前技術的探針卡的圖。
圖2是根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針的平面圖。
圖3是根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針的立體圖。
圖4是圖2的A部分的放大圖。
圖5是圖2的A部分的立體圖。
圖6是將根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針的下部放大的平面圖。
圖7是將根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針的下部放大的立體圖。
圖8a及圖8b是示出根據本發明較佳第一實施例的導電接觸針插入至導引板的狀態的圖。
圖9是示出根據本發明較佳第二實施例的導電接觸針的立體圖。
圖10是示出根據本發明較佳第三實施例的導電接觸針的平面圖。
圖11是示出根據本發明較佳第四實施例的導電接觸針的平面圖。
圖12是示出根據本發明較佳第五實施例的導電接觸針的平面圖。
圖13是示出根據本發明較佳第六實施例的導電接觸針的平面圖。
100:導電接觸針
110:第一柱塞
120:第二柱塞
121:內側主體
125:突出尖
130:彈性部
131:第一彈性部
135:第二彈性部
137:中間固定部
140:支撐部
141:第一支撐部
145:第二支撐部
A:部分
L:整體長度尺寸
TM:彈性密接部
W:整體寬度尺寸/寬度尺寸
x、y:方向
YT:餘裕縫隙
Claims (12)
- 一種導電接觸針,是插入至導引板的導引孔洞進行設置的導電接觸針,包括: 第一柱塞,位於所述導電接觸針的第一端部側且其端部為第一接點; 第二柱塞,位於所述導電接觸針的第二端部側且其端部為第二接點; 彈性部,使所述第一柱塞與所述第二柱塞在所述導電接觸針的長度方向上進行彈性位移; 支撐部,沿所述導電接觸針的長度方向配置於所述彈性部的外側,引導所述彈性部在所述導電接觸針的長度方向上進行壓縮及伸長,且防止所述彈性部在壓縮時挫曲;以及 彈性密接部,自所述支撐部向所述導電接觸針的寬度方向外側延伸且被所述導引孔洞的側壁彈性支撐,在所述導引孔洞的側壁誘發在與所述彈性部的壓縮及伸長方向垂直的方向上起作用的復原力,以使所述導電接觸針不會因自重下落。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述彈性部包括: 第一彈性部,連結至所述第一柱塞; 第二彈性部,連結至所述第二柱塞;以及 中間固定部,在所述第一彈性部與所述第二彈性部之間與所述第一彈性部及所述第二彈性部連結,且與所述支撐部配置成一體, 在所述導電接觸針的長度方向上,所述彈性密接部的至少一端部的位置與所述中間固定部的位置一致,以與所述中間固定部連結。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述彈性密接部的一端連結至所述支撐部, 所述彈性密接部的另一端為自由端。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述彈性密接部的一端及另一端連結至所述支撐部, 所述彈性密接部的一端與另一端之間向所述導引孔洞方向彎曲形成。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述支撐部包括配置於所述彈性部的左側的第一支撐部、以及配置於所述彈性部的右側的第二支撐部, 所述彈性密接部包括配置於所述第一支撐部的左側的第一彈性密接部、以及配置於所述第二支撐部的右側的第二彈性密接部, 所述彈性部包括:第一彈性部,連結至所述第一柱塞;第二彈性部,連結至所述第二柱塞;以及中間固定部,在所述第一彈性部與所述第二彈性部之間與所述第一彈性部及所述第二彈性部連結,且與所述支撐部配置成一體, 在所述第一彈性密接部與所述第二彈性密接部之間配置所述中間固定部。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述第一柱塞、所述第二柱塞、所述彈性部及所述支撐部藉由積層多個金屬層來配置, 所述彈性密接部由單一金屬層配置。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述彈性密接部自一端至另一端不彎折且以直線構成。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述彈性密接部在一端與另一端之間以在寬度方向上凸起的形態形成,且一端及另一端兩者均連結至所述支撐部。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述彈性密接部以在一端與另一端之間在寬度方向上凸起的形態形成,且一端及另一端兩者均連結至所述支撐部並形成至少兩個凸起部。
- 如請求項1所述的導電接觸針,其中 所述第一柱塞與位於上部的連接對象接觸,且所述第二柱塞與位於下部的連接對象接觸, 若所述導電接觸針在長度方向上被位於上部的連接對象與位於下部的連接對象加壓,則所述彈性部在長度方向上進行壓縮變形,且藉由所述彈性部的長度方向的壓縮變形使連接對象的加壓力減小並傳遞至所述彈性密接部的摩擦力。
- 一種測試元件,包括: 導引板,形成有導引孔洞;以及 導電接觸針,插入至所述導引板的導引孔洞以設置在所述導引板, 所述導電接觸針包括: 第一柱塞,位於所述導電接觸針的第一端部側且其端部為第一接點; 第二柱塞,位於所述導電接觸針的第二端部側且其端部為第二接點; 彈性部,使所述第一柱塞與所述第二柱塞在所述導電接觸針的長度方向上進行彈性位移; 支撐部,沿所述導電接觸針的長度方向配置於所述彈性部的外側,引導所述彈性部在所述導電接觸針的長度方向上進行壓縮及伸長,且防止所述彈性部在壓縮時挫曲;以及 彈性密接部,自所述支撐部向所述導電接觸針的寬度方向外側延伸且被所述導引孔洞的側壁彈性支撐,在所述導引孔洞的側壁誘發在與所述彈性部的壓縮及伸長方向垂直的方向上起作用的復原力,從而使所述導電接觸針不會因自重下落。
- 如請求項11所述的測試元件,其中 所述導引板包括: 上部導引板;以及 下部導引板,與所述上部導引板隔開佈置, 所述彈性密接部配置於與所述上部導引板及所述下部導引板中的至少任一者的導引孔洞的位置對應的位置處。
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KR101901395B1 (ko) * | 2017-02-17 | 2018-09-28 | (주) 루켄테크놀러지스 | 프로브 핀 및 이의 제조 방법 |
KR101913355B1 (ko) | 2017-09-19 | 2018-12-28 | 윌테크놀러지(주) | 미세피치 대응이 가능한 수직형 프로브 카드용 니들유닛 및 이를 이용한 프로브 카드 |
KR20200104061A (ko) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | (주)포인트엔지니어링 | 프로브 카드용 가이드 플레이트 및 이를 구비한 프로브 카드 |
KR102145398B1 (ko) * | 2020-07-09 | 2020-08-19 | 피엠피(주) | 수직형 프로브 핀 및 이를 구비한 프로브 카드 |
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