TW202344575A - 化合物、組成物、表面處理劑、物品、及物品之製造方法 - Google Patents

Abstract

一種化合物及其應用，前述化合物包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基及反應性矽基。

Description

化合物、組成物、表面處理劑、物品、及物品之製造方法

本揭示涉及化合物、組成物、表面處理劑、物品、及物品之製造方法。

近年來，為了提升外觀、視辨性等性能，而尋求使物品表面不易附著指紋的技術、或容易使髒污脫落的技術。具體方法已知有一種於物品表面使用表面處理劑進行表面處理之方法。

例如，專利文獻1中記載了一種包含聚二烷基矽氧烷骨架之皮膜。專利文獻2中記載了一種組成物，其包含有機矽化合物及金屬化合物，該有機矽化合物具有至少1個三烷基矽基與2個以上水解性矽基，該金屬化合物於金屬原子上鍵結有至少1個水解性基。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2017-201010號公報 專利文獻2：日本專利特開2017-119849號公報

發明欲解決之課題 另一方面，基於撥水性及耐磨耗性的觀點，不斷要求用於表面處理劑等之組成物進一步改良。

本揭示係有鑑於所述情事而成者，本發明一實施形態欲解決之課題在於提供一種新穎之化合物及組成物，其等可有效作為可對基材形成撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層的表面處理劑。 本發明一實施形態欲解決之課題在於提供一種表面處理劑，其可對基材形成撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層。 本發明一實施形態欲解決之課題在於提供一種物品及物品之製造方法，該物品具有撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層。

用以解決課題之手段 本揭示包含以下態樣。 ＜1＞一種化合物，包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基及反應性矽基。 ＜2＞如＜1＞之化合物，其中反應性矽基為2個以上。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞之化合物，其係以下述式1表示： (T-Z) _pA(Si(R ¹) _nL _3-n) _q…　　(1) 式1中，T為碳數2以上之烷基，Z為2價有機聚矽氧烷殘基，A為單鍵或p+q價連結基，R ¹各自獨立為1價烴基，L各自獨立為水解性基或羥基，n為0~2之整數，p及q各自獨立為1以上之整數。 ＜4＞如＜3＞之化合物，其中T為碳數4~22之烷基。 ＜5＞如＜3＞或＜4＞之化合物，其中Z係以下述式B1表示； 式B1中，R ³各自獨立為烴基，k1為1以上之整數； 。 ＜6＞如＜5＞之化合物，其中式B1中，k1為3~500。 ＜7＞一種組成物，包含如＜1＞至＜6＞中任一項之化合物與液態介質。 ＜8＞一種表面處理劑，包含如＜1＞至＜6＞中任一項之化合物。 ＜9＞一種表面處理劑，包含如＜1＞至＜6＞中任一項之化合物與液態介質。 ＜10＞如＜8＞或＜9＞之表面處理劑，其係用於光學構件。 ＜11＞一種物品之製造方法，係使用如＜8＞或＜9＞之表面處理劑對基材進行表面處理而製造於基材上形成有表面處理層之物品。 ＜12＞一種物品，包含基材與表面處理層，該表面處理層係配置於基材上且經以如＜8＞之表面處理劑進行表面處理。 ＜13＞如＜12＞之物品，其係光學構件。 ＜14＞如＜12＞之物品，其係顯示器或觸控面板。

發明效果 根據本發明一實施形態，提供一種新穎之化合物及組成物，其等可有效作為可對基材形成撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層的表面處理劑。 根據本發明一實施形態，提供一種表面處理劑，其可對基材形成撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層。 根據本發明一實施形態，提供一種物品及物品之製造方法，該物品具有撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層。

本說明書中使用「~」表示之數值範圍中，係將記載於「~」前後之數值分別作為最小值及最大值來包含。 本說明書中階段性記載之數值範圍中，在一個數值範圍中記載的上限值或下限值，亦可置換成其他階段性記載之數值範圍的上限值或下限值。又，本說明書中記載之數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值亦可置換成實施例中所示之值。 本說明書中，「表面處理層」意指於基材表面藉由表面處理形成之層。 本說明書中，化合物或基以特定式(X)表示時，有時會將以該式(X)表示之化合物或基分別表記為化合物(X)或化合物X、及表記為基(X)或基X。

[化合物] 本揭示化合物包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基及反應性矽基。

使用本揭示化合物作為表面處理劑時，可形成撥水性及耐磨耗性優異之表面處理劑。該理由尚不明確，但吾等推測如下。 以本揭示化合物來說，藉由包含反應性矽基，則與基材之密著性高，而可於基材上形成表面處理層。又，藉由包含烷基，烷基彼此會形成堆積結構，從而可賦予耐磨耗性。藉由包含聚矽氧烷殘基，可賦予撥水性。

吾等認為專利文獻1及專利文獻2中記載之化合物雖具有2價有機聚矽氧烷殘基，但不包含烷基，因此在作為表面處理劑使用時，表面處理層之耐磨耗性不足。

以下針對本揭示化合物詳細說明。

(烷基) 本揭示化合物包含碳數2以上之烷基。

烷基意指非取代之烷基。烷基可為直鏈狀烷基、支鏈狀烷基及環狀烷基中之任一者，但宜為直鏈狀烷基或支鏈狀烷基。烷基之碳數宜為2~30，較宜為3~28，更宜為4~22。 化合物中，烷基可僅包含有1個，亦可包含有2個以上。 因烷基為1價基，故位於化合物之末端。

(反應性矽基) 本揭示化合物包含反應性矽基。反應性矽基位於化合物之末端。 反應性矽基意指Si原子上鍵結有反應性基之基。反應性基宜為水解性基或羥基。

水解性基係藉由水解反應而成為羥基之基。亦即，以Si-L表示之具有水解性的矽基藉由水解反應而成為以Si-OH表示之矽烷醇基。矽烷醇基會進一步在矽烷醇基間進行反應而形成Si-O-Si鍵。又，矽烷醇基可與存在於基材表面之源自氧化物的矽烷醇基進行脫水縮合反應而形成Si-O-Si鍵。水解性基可舉例如烷氧基、芳氧基、鹵素原子、醯基、醯氧基及異氰酸基(-NCO)。烷氧基宜為碳數1~4之烷氧基。惟，芳氧基之芳基包含雜芳基。鹵素原子宜為氯原子。醯基宜為碳數1~6之醯基。醯氧基宜為碳數1~6之醯氧基。

由容易製作均一之膜且耐久性優異的觀點來看，反應性矽基宜為烷氧矽基或三氯矽基。由與基材之反應中產生之副產物之易處置性的觀點來看，反應性矽基較宜為烷氧矽基。烷氧矽基宜為二烷氧矽基或三烷氧矽基，較宜為三烷氧矽基。

本揭示化合物具有之反應性矽基之數量為1以上，由更提升表面處理層之耐磨耗性的觀點來看，宜為2以上。反應性矽基之數量宜為1~18，較宜為2~12，更宜為2~8。反應性矽基之數量亦可為1。

反應性矽基宜為以下述式A表示之基。

-Si(R ¹) _nL _3-n…　(A) R ¹各自獨立為烴基，L各自獨立為水解性基或羥基，n為0~2之整數。

當1分子中有複數個反應性矽基時，複數個反應性矽基可相同亦可互異。由原料之易取得性及化合物之易製造性的觀點來看，複數個反應性矽基宜相同。

R ¹各自獨立為烴基，宜為飽和烴基。R ¹之碳數宜為1~6，較宜為1~3，更宜為1~2。

水解性基宜為上述者。

其中，由化合物之易製造性的觀點來看，L又宜為碳數1~4之烷氧基或鹵素原子。由塗佈時之逸氣少且化合物之保存穩定性更優異這點來看，L宜為碳數1~4之烷氧基，較宜為乙氧基或甲氧基。

n為0~2之整數，宜為0或1，較宜為0。藉由存在複數個L，表面處理層對基材之密著性會更強固。 n為1以下時，存在於1分子中之複數個L可相同亦可互異。由原料之易取得性及化合物之易製造性的觀點來看，複數個L宜相同。n為2時，存在於1分子中之複數個R ¹可相同亦可互異。由原料之易取得性及化合物之易製造性的觀點來看，複數個R ¹宜相同。

(有機聚矽氧烷殘基) 本揭示化合物包含有機聚矽氧烷殘基。有機聚矽氧烷殘基之價數無特別限定，以與烷基及反應性矽基連結為佳。亦即，有機聚矽氧烷殘基宜為2價以上，較宜為2價~8價，更宜為2價。 本揭示化合物宜依序連結有碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基、反應性矽基。

有機聚矽氧烷殘基可舉鏈狀有機聚矽氧烷殘基、環狀有機聚矽氧烷殘基及籠狀有機聚矽氧烷殘基。其中，有機聚矽氧烷殘基又宜為鏈狀有機聚矽氧烷殘基，較宜為2價鏈狀有機聚矽氧烷殘基。

有機聚矽氧烷殘基可舉下述式B1~B3。

[化學式1]

式B1~B3中，R ³各自獨立為烴基。 式B1中，k1為1以上之整數。 式B2中，k2及k3各自獨立為1以上之整數。 式B3中，k4各自獨立為1~3之整數。

以R ³表示之烴基可舉例如脂肪族烴基及芳香族烴基。其中，烴基又宜為脂肪族烴基，較宜為烷基。烷基可為直鏈狀烷基、支鏈狀烷基及環狀烷基中之任一者，但宜為直鏈狀烷基，較宜為甲基、乙基、正丙基或正丁基，更宜為甲基。又，芳香族烴基宜為苯基。

k1為1以上之整數，宜為2~600，較宜為3~500，更宜為9~50，尤宜為11~30，最宜為11~25。

k2為1以上之整數，宜為2~600，較宜為3~500。

k3為1以上之整數，宜為2~600，較宜為3~500。

k4為1~3之整數，宜為1或2。

其中，由提升表面處理層之撥水性及耐磨耗性的觀點來看，有機聚矽氧烷殘基又宜為以式B1表示之基。

以表面處理層之撥水性及耐磨耗性更優異這點來看，本揭示化合物宜以下述式1表示。 (T-Z) _pA(Si(R ¹) _nL _3-n) _q…(1) 式1中，T為碳數2以上之烷基，Z為2價有機聚矽氧烷殘基，A為單鍵或p+q價連結基，R ¹各自獨立為1價烴基，L為水解性基或羥基，n為0~2之整數，p及q各自獨立為1以上之整數。

式1中之T為碳數2以上之烷基，烷基之詳細內容如上述。 式1中之R ¹、L及n係與上述式A中之R ¹、L及n相同，故省略說明。

式1中之Z為2價有機聚矽氧烷殘基，宜為以式B1表示之基。

式1中，A為單鍵或p+q價連結基。 惟，A之與Z鍵結側之末端非為氧基矽基。氧基矽基可舉例如-O-Si(CH ₃) ₂-。

A若為不損及本揭示效果之基即可，可舉例如可具有醚性氧原子之伸烷基、碳原子、氮原子、矽原子及從後述式(3-1A)、式(3-1B)、式(3-1A-1)~(3-1A-7)去除Si(R ¹) _nL _3-n後之基。 又，A亦可為後述基(g2-1)~基(g2-14)。

p為1以上之整數。由表面處理層之撥水性更優異這點來看，p宜為1~6，且宜為1~4，更宜為1。

p為2以上時，複數個[T-Z]可相同亦可互異。

q為1以上之整數。由表面處理層之耐磨耗性更優異這點來看，q宜為1~15，較宜為1~6，更宜為2~4，尤宜為2或3。

q為2以上時，複數個[Si(R ¹) _nL _3-n]可相同亦可互異。

式1中之以A(Si(R ¹) _nL _3-n) _q表示之基宜為基(3-1A)或基(3-1B)，較宜為基(3-1A)。

-Q ^a-X ³¹(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n) _h(-R ³¹) _i…(3-1A) -Q ^c-[CH ₂C(R ³²)(-Q ^d-Si(R ¹) _nL _3-n)] _y-R ³³…(3-1B) 此外，式(3-1A)及式(3-1B)中，R ¹、L及n之定義如上述。

式(3-1A)中，Q ^a為單鍵或2價連結基。 惟，Q ^a之與Z鍵結側之末端非為氧基矽基。 2價連結基可列舉例如：2價烴基、2價雜環基、-O-、-S-、-SO ₂-、-N(R ^d)-、-C(O)-、-Si(R ^a) ₂-及將2種以上該等組合而成之基。 上述2價烴基亦可為2價飽和烴基、2價芳香族烴基、伸烯基、伸炔基。2價飽和烴基可為直鏈狀、支鏈狀或環狀，可舉例如伸烷基。伸烷基之碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為4~20，尤宜為5~15。又，2價芳香族烴基宜為碳數5~20者，可舉例如伸苯基。除此之外，亦可為碳數2~20之伸烯基、碳數2~20之伸炔基。 上述R ^a為烷基(宜為碳數1~10)或苯基。上述R ^d為氫原子或烷基(宜為碳數1~10)。 此外，上述將2種以上該等組合而成之基可列舉例如：-OC(O)-、-C(O)O-、-C(O)S-、-C(O)N(R ^d)-、-N(R ^d)C(O)-、-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-、-N(R ^d)C(O)O-、-OC(O)N(R ^d)-、-SO ₂N(R ^d)-、-N(R ^d)SO ₂-、具有-C(O)N(R ^d)-之伸烷基、具有-N(R ^d)C(O)-之伸烷基、具有-OC(O)N(R ^d)-之伸烷基、具有醚性氧原子之伸烷基、具有-S-之伸烷基、具有-OC(O)-之伸烷基、具有-C(O)O-之伸烷基、具有-C(O)S-之伸烷基、具有-N(R ^d)-之伸烷基、具有-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-之伸烷基、及具有-SO ₂N(R ^d)-之伸烷基、伸烷基-Si(R ^a) ₂-伸苯基-Si(R ^a) ₂。 其中，Q ^a又宜為：2價烴基、2價雜環基、-O-、-S-、-SO ₂-、-N(R ^d)-、-C(O)-、-Si(R ^a) ₂-、-OC(O)-、-C(O)O-、-C(O)S-、-C(O)N(R ^d)-、-N(R ^d)C(O)-、-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-、-N(R ^d)C(O)O-、-OC(O)N(R ^d)-、-SO ₂N(R ^d)-、-N(R ^d)SO ₂-、具有-C(O)N(R ^d)-之伸烷基、具有-N(R ^d)C(O)-之伸烷基、具有-OC(O)N(R ^d)-之伸烷基、具有醚性氧原子之伸烷基、具有-S-之伸烷基、具有-OC(O)-之伸烷基、具有-C(O)O-之伸烷基、具有-C(O)S-之伸烷基、具有-N(R ^d)-之伸烷基、具有-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-之伸烷基或具有-SO ₂N(R ^d)-之伸烷基；較宜為具有-C(O)N(R ^d)-之伸烷基、-OC(O)-或-NHC(O)-。

式(3-1A)中，X ³¹為單鍵、伸烷基、碳原子、氮原子、矽原子、2~8價有機聚矽氧烷殘基或具有(h+i+1)價環之基。 惟，Q ^a為單鍵時，X ³¹之與Z鍵結側之末端非為氧基矽基。為上述以外之情況時，X ³¹之末端可為氧基矽基。 此外，以X ³¹表示之伸烷基可具有-O-、矽雜伸苯基骨架基、2價有機聚矽氧烷殘基或二烷基亞矽基。伸烷基亦可具有複數個選自於由-O-、矽雜伸苯基骨架基、2價有機聚矽氧烷殘基及二烷基亞矽基所構成群組中之基。 以X ³¹表示之伸烷基的碳數宜為1~20，較宜為1~10。 2~8價有機聚矽氧烷殘基可舉2價有機聚矽氧烷殘基及後述(w2+1)價有機聚矽氧烷殘基。

式(3-1A)中，X ³¹為具有(h+i+1)價環之基時，Q ^a、(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)及R ³¹係直接鍵結於構成該環之原子上。惟，該環為有機聚矽氧烷環以外之環。 X ³¹中之環可為單環、縮合多環、橋聯環、螺環及集合多環中之任一者，構成環之原子可為僅由碳原子構成之碳環，亦可為由具有2價以上原子價之雜原子與碳原子構成之雜環。又，構成環之原子之間的鍵可為單鍵，亦可為多重鍵。並且，環可為芳香族性環，亦可為非芳香族性環。 單環宜為4員環~8員環，較宜為5員環及6員環。縮合多環宜為2個以上4員環~8員環縮合而成之縮合多環，較宜為2或3個選自5員環及6員環之環鍵結而成之縮合多環、及1或2個選自5員環及6員環之環與1個4員環鍵結而成之縮合多環。橋聯環宜為以5員環或6員環為最大環之橋聯環，螺環宜為由2個4員環~6員環構成之螺環。集合多環宜為2或3個選自5員環及6員環之環隔著單鍵、1~3個碳原子或1個原子價為2或3之雜原子鍵結而成之集合多環。此外，集合多環中之各環上宜鍵結有Q ^a、(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)及R ³¹(i=1以上時)中之任一者。 構成上述環之雜原子宜為氮原子、氧原子及硫原子，較宜為氮原子及氧原子。構成環之雜原子數宜為3個以下。又，構成環之雜原子數為2個以上時，其等雜原子亦可不同。

由容易製造化合物且表面處理層之耐磨耗性更優異這點來看，X ³¹中之環宜為選自於由以下環所構成群組中之1種：3~8員環之脂肪族環、苯環、3~8員環之雜環、該等環中之2或3個縮合而成之縮合環、以5員環或6員環為最大環之橋聯環、及具有該等環中之2者以上且連結基為單鍵、碳數3以下之伸烷基、氧原子或硫原子之集合多環。 理想之環係苯環、5員或6員之脂肪族環、具有氮原子或氧原子之5員或6員之雜環、及5員或6員之碳環與4~6員之雜環的縮合環。 具體之環可列舉：以下所示之環、1,3-環己二烯環、1,4-環己二烯環、蒽環、環丙烷環、十氫萘環、降𦯉烯環、降𦯉二烯環、呋喃環、吡咯環、噻吩環、吡𠯤環、嗎福林環、吖𠰂環、異喹啉環、㗁唑環、異㗁唑環、噻唑環、咪唑環、吡唑環、哌喃環、嗒𠯤環、嘧啶環及茚環。此外，以下亦顯示具有側氧基(=O)之環。

[化學式2]

X ³¹中構成環之原子之不構成環的連結鍵係與Q ^a、(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)或R ³¹鍵結之連結鍵。有剩餘之連結鍵時，剩餘之連結鍵係與氫原子或取代基鍵結。該取代基可列舉鹵素原子、烷基(碳-碳原子間可包含有醚性氧原子)、環烷基、烯基、烯丙基、烷氧基、側氧基(=O)等。 又，1個構成環之碳原子具有2個與Q ^a、(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)或R ³¹鍵結之連結鍵時，可於該1個碳原子上鍵結有Q ^a與(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)，亦可於該1個碳原子上鍵結有2個(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)。Q ^a宜與(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)或R ³¹鍵結於不同的環構成原子上。h個(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)可各自鍵結於個別之環構成原子上，亦可為其中2個鍵結於1個環構成碳原子上，並且亦可存在2個以上鍵結有2個(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)之環構成碳原子。i個R ³¹可各自鍵結於個別之環構成原子上，亦可為其中2個鍵結於1個環構成碳原子上，並且亦可存在2個以上鍵結有2個R ³¹之環構成碳原子。

其中，由提升表面處理層之耐磨耗性的觀點來看，X ³¹又宜為碳原子、氮原子、矽原子、4~8價有機聚矽氧烷殘基或具有(h+i+1)價環之基，較宜為碳原子。

式(3-1A)中，Q ^b為單鍵或2價連結基。 2價連結基之定義係與以上述Q ^a所說明之定義同義。 惟，Q ^a及X ³¹為單鍵時，Q ^b之與Z鍵結側之末端非為氧基矽基。為上述以外之情況時，Q ^b之末端可為氧基矽基。 又，h為1且Q ^b為伸烷基時，Q ^a-X ³¹之Q ^b側末端非為伸烷基。

其中，Q ^b又宜為可具有醚性氧原子之伸烷基。伸烷基之碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，可為2~6，亦可為2~5。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數亦可為1~10。

式(3-1A)中，R ³¹為氫原子、羥基或烷基。 烷基之碳數宜為1~5，較宜為1~3，更宜為1。

X ³¹為單鍵或伸烷基時，h為1，i為0； X ³¹為氮原子時，h為1~2之整數，i為0~1之整數，且滿足h+i=2； X ³¹為碳原子或矽原子時，h為1~3之整數，i為0~2之整數，且滿足h+i=3； X ³¹為2~8價有機聚矽氧烷殘基時，h為1~7之整數，i為0~6之整數，且滿足h+i=1~7。 X ³¹為具有(h+i+1)價環之基時，h為1~7之整數，i為0~6之整數，且滿足h+i=1~7。 (-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)有2個以上時，2個以上之(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n)可相同亦可不同。R ³¹有2個以上時，2個以上之(-R ³¹)可相同亦可不同。

其中，由提升表面處理層之耐磨耗性的觀點來看，i又宜為0。

式(3-1A)中，Q ^a、X ³¹及Q ^b為單鍵時，[Si(R ¹) _nL _3-n]會與Z直接鍵結。

式(3-1B)中，Q ^c為單鍵或2價連結基。 惟，Q ^c之與Z鍵結側之末端非為氧基矽基。 2價連結基之定義係與以上述Q ^a所說明之定義同義。

式(3-1B)中，R ³²為氫原子或碳數1~10之烷基，由容易製造化合物這點來看，宜為氫原子。 烷基宜為甲基。

式(3-1B)中，Q ^d為單鍵或伸烷基。伸烷基之碳數宜為1~10，較宜為1~6。由容易製造化合物這點來看，Q ^d宜為單鍵或CH ₂-。

式(3-1B)中，R ³³為氫原子或鹵素原子，由容易製造化合物這點來看，宜為氫原子。

y為1~10之整數，宜為1~6之整數。 2個以上之[CH ₂C(R ³²)(-Q ^d-Si(R ¹) _nL _3-n)]可相同亦可不同。

基(3-1A)宜為基(3-1A-1)~(3-1A-7)。 -(X ³²) _s1-Q ^b1-Si(R ¹) _nL _3-n…(3-1A-1) -(X ³³) _s2-Q ^a2-N[-Q ^b2-Si(R ¹) _nL _3-n] ₂…(3-1A-2) -Q ^a3-Si(R ^g)[-Q ^b3-Si(R ¹) _nL _3-n] ₂…(3-1A-3) -[Q ^e] _s4-Q ^a4-(O) _t4-C[-(O) _u4-Q ^b4-Si(R ¹) _nL _3-n] _3-w1(-R ³¹) _w1…(3-1A-4) -Q ^a5-Si[-Q ^b5-Si(R ¹) _nL _3-n] ₃…(3-1A-5) -[Q ^e] _v-Q ^a6-Z ^a[-Q ^b6-Si(R ¹) _nL _3-n] _w2…(3-1A-6) -[Q ^e] _s4-Q ^a4-(O) _t4-Z ^c[-(O-Q ^b4) _u4-Si(R ¹) _nL _3-n] _w3(-OH) _w4…(3-1A-7) 此外，式(3-1A-1)~(3-1A-7)中，R ¹、L及n之定義如上述。 惟，基(3-1A-1)~(3-1A-7)之與Z鍵結側之末端非為氧基矽基。

其中，基(3-1A)又宜為基(3-1A-4)或基(3-1A-5)。

基(3-1A-1)中，X ³²為-O-、-S-、-N(R ^d)-、-C(O)-、-C(O)O-、-C(O)S-、-SO ₂N(R ^d)-、-N(R ^d)SO ₂-、-N(R ^d)C(O)-、-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-、-OC(O)N(R ^d)-或-C(O)N(R ^d)-(惟，式中之N係鍵結於Q ^b1)。 R ^d之定義如上述。 s1為0或1。

其中，X ³²又宜為-O-、-S-、-N(R ^d)-、-C(O)O-、-C(O)S-、-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-、-OC(O)N(R ^d)-或-C(O)N(R ^d)-，較宜為-C(O)O-或-C(O)N(R ^d)-。

Q ^b1為單鍵或伸烷基。此外，伸烷基可具有-O-、矽雜伸苯基骨架基或二烷基亞矽基。伸烷基亦可具有複數個選自於由-O-、矽雜伸苯基骨架基、2價有機聚矽氧烷殘基及二烷基亞矽基所構成群組中之基。 此外，伸烷基具有-O-、矽雜伸苯基骨架基、2價有機聚矽氧烷殘基或二烷基亞矽基時，宜於碳原子-碳原子間具有該等之基。 以Q ^b1表示之伸烷基的碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，尤宜為2~6。又，前述碳數亦可為1~10。

其中，s1又宜為0，Q ^b1又宜為碳數2~6之伸烷基。

基(3-1A-1)之具體例可舉以下之基。下述式中，*表示與Z之鍵結位置。 [化學式3]

基(3-1A-2)中，X ³³為-O-、-S-、-N(R ^d)-、-C(O)-、-C(O)O-、-C(O)S-、-SO ₂N(R ^d)-、-N(R ^d)SO ₂-、-N(R ^d)C(O)-、-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-、-OC(O)N(R ^d)-或-C(O)N(R ^d)-。 R ^d之定義如上述。 s2為0或1。由容易製造化合物這點來看，s2宜為0。

其中，X ³³又宜為-O-、-C(O)O-或-C(O)N(R ^d)-。

Q ^a2為單鍵、伸烷基、-C(O)-、或是碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)N(R ^d)-、-N(R ^d)C(O)-、-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-、-N(R ^d)C(O)O-、-OC(O)N(R ^d)-、-SO ₂N(R ^d)-、-N(R ^d)SO ₂-、-C(O)N(R ^d)-或NH-之基。 以Q ^a2表示之伸烷基的碳數宜為1~20，較宜為1~10，更宜為1~6，尤宜為1~3。 以Q ^a2表示之碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)N(R ^d)-、-N(R ^d)C(O)-、-N(R ^d)C(O)N(R ^d)-、-N(R ^d)C(O)O-、-OC(O)N(R ^d)-、-SO ₂N(R ^d)-、-N(R ^d)SO ₂-、-C(O)N(R ^d)-或-NH-之基的碳數宜為2~10，較宜為2~6。

由容易製造化合物這點來看，Q ^a2宜為單鍵。

Q ^b2為伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有2價有機聚矽氧烷殘基、醚性氧原子或NH-之基。 以Q ^b2表示之伸烷基的碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，亦可為2~6。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數亦可為1~10。 以Q ^b2表示之碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有2價有機聚矽氧烷殘基、醚性氧原子或-NH-之基的碳數宜為2~10，較宜為2~6。

由容易製造化合物這點來看，Q ^b2宜為-CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂-(惟，右側係鍵結於Si)。

2個[-Q ^b2-Si(R ¹) _nL _3-n]可相同亦可不同。

基(3-1A-2)之具體例可舉以下之基。下述式中，*表示與Z之鍵結位置。又，式中，與反應性矽基鍵結之(CH ₂) _α中之α係表示亞甲基數之整數，宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，亦可為2~6。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數亦可為1~10。同一化合物中所含之複數個α可相同亦可不同，惟宜相同。例如，同一化合物中所含之複數個α全部為2、3、8、9、11。以下相同。 [化學式4]

基(3-1A-3)中，Q ^a3為單鍵或可具有醚性氧原子之伸烷基。由容易製造化合物這點來看，Q ^a3宜為單鍵。 可具有醚性氧原子之伸烷基的碳數宜為1~10，尤宜為2~6。

R ^g為氫原子、羥基或烷基。 由容易製造化合物的觀點來看，R ^g宜為氫原子或烷基。烷基之碳數宜為1~10，較宜為1~4，更宜為甲基。

Q ^b3為伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子或2價有機聚矽氧烷殘基之基。 以Q ^b3表示之伸烷基的碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，亦可為2~6。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數亦可為1~10。 以Q ^b3表示之碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子或2價有機聚矽氧烷殘基之基的碳數宜為2~20，較宜為2~10，更宜為2~6。 由容易製造化合物這點來看，Q ^b3宜為-CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂-或-CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂-。

2個[-Q ^b3-Si(R ¹) _nL _3-n]可相同亦可不同。

基(3-1A-3)之具體例可舉以下之基。下述式中，*表示與Z之鍵結位置。 [化學式5]

基(3-1A-4)中，Q ^e為-C(O)O-、-SO ₂N(R ^d)-、-N(R ^d)SO ₂-、-N(R ^d)C(O)-或-C(O)N(R ^d)-、或者具有-C(O)O-之伸烷基、具有-SO ₂N(R ^d)-之伸烷基、具有-N(R ^d)SO ₂-之伸烷基或具有-N(R ^d)C(O)之伸烷基。 具有-C(O)O-之伸烷基、具有-SO ₂N(R ^d)-之伸烷基、具有-N(R ^d)SO ₂-之伸烷基或具有-N(R ^d)C(O)之伸烷基中，伸烷基宜位於與Z鍵結側。 R ³¹之定義如上述。w1為1或2時，R ³¹宜為氫原子。 s4為0或1。 Q ^a4為單鍵或可具有醚性氧原子之伸烷基。 可具有醚性氧原子之伸烷基的碳數宜為1~20，較宜為1~10，更宜為1~6，尤宜為1~3。 t4為0或1(惟，Q ^a4為單鍵時，為0)。 由容易製造化合物這點來看，s4為0時，-Q ^a4-(O) _t4-宜為單鍵、-CH ₂O-、-CH ₂OCH ₂-、-CH ₂OCH ₂CH ₂O-、-CH ₂OCH ₂CH ₂OCH ₂-、-CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂CH ₂OCH ₂-(惟，左側係鍵結於Z)；s4為1時，-Q ^a4-(O) _t4-宜為單鍵、-CH ₂-、-CH ₂CH ₂-。

Q ^b4為伸烷基，且上述伸烷基可具有-O-、-C(O)N(R ^d)-(R ^d之定義如上述)、矽雜伸苯基骨架基、2價有機聚矽氧烷殘基或二烷基亞矽基。 此外，伸烷基具有-O-或矽雜伸苯基骨架基時，宜於碳原子-碳原子間具有-O-或矽雜伸苯基骨架基。又，伸烷基具有-C(O)N(R ^d)-、二烷基亞矽基或2價有機聚矽氧烷殘基時，宜於碳原子-碳原子間或於與(O) _u4鍵結側之末端具有該等之基。 以Q ^b4表示之伸烷基的碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，亦可為2~6。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數亦可為1~10。

u4為0或1。 由容易製造化合物這點來看，-(O) _u4-Q ^b4-宜為-CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂-、-OCH ₂CH ₂CH ₂-、-OSi(CH ₃) ₂CH ₂CH ₂CH ₂-、-OSi(CH ₃) ₂OSi(CH ₃) ₂CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂Si(CH ₃) ₂PhSi(CH ₃) ₂CH ₂CH ₂-(惟，右側係鍵結於Si)。

w1為0~2之整數，宜為0或1，尤宜為0。 [-(O) _u4-Q ^b4-Si(R ¹) _nL _3-n]有2個以上時，2個以上之[-(O) _u4-Q ^b4-Si(R ¹) _nL _3-n]可相同亦可不同。 R ³¹有2個以上時，2個以上之(-R ³¹)可相同亦可不同。

基(3-1A-4)之具體例可舉以下之基。下述式中，*表示與Z之鍵結位置。 [化學式6]

[化學式7]

[化學式8] 基(3-1A-5)中，Q ^a5為可具有醚性氧原子之伸烷基。 可具有醚性氧原子之伸烷基的碳數宜為1~10，尤宜為2~6。 由容易製造化合物這點來看，Q ^a5宜為-OCH ₂CH ₂CH ₂-、-OCH ₂CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂-(惟，右側係鍵結於Si)。

Q ^b5為伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子或2價有機聚矽氧烷殘基之基。 以Q ^b5表示之伸烷基的碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，亦可為2~6。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數亦可為1~10。 以Q ^b5表示之碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子或2價有機聚矽氧烷殘基之基的碳數宜為2~20，較宜為2~10，更宜為2~6。 由容易製造化合物這點來看，Q ^b5宜為-CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂-(惟，右側係鍵結於Si(R ¹) _nL _3-n)。

3個[-Q ^b5-Si(R ¹) _nL _3-n]可相同亦可不同。

基(3-1A-5)之具體例可舉以下之基。下述式中，*表示與Z之鍵結位置。 [化學式9]

基(3-1A-6)中之Q ^e的定義如上述基(3-1A-4)中所定義。 v為0或1。

Q ^a6為可具有醚性氧原子之伸烷基。 可具有醚性氧原子之伸烷基的碳數宜為1~10，尤宜為2~6。 由容易製造化合物這點來看，Q ^a6宜為-CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂OCH ₂CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂-(惟，右側係鍵結於Z ^a)。

Z ^a為(w2+1)價有機聚矽氧烷殘基、或為(w2+1)價且於有機聚矽氧烷殘基與有機聚矽氧烷殘基之間具有伸烷基之基。 w2為2~7之整數。 (w2+1)價有機聚矽氧烷殘基、及為(w2+1)價且於有機聚矽氧烷殘基與有機聚矽氧烷殘基之間具有伸烷基之基可列舉下述之基。惟，下式中之R ^a如上述。*表示鍵結部位。 [化學式10]

Q ^b6為伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子或2價有機聚矽氧烷殘基之基。 以Q ^b6表示之伸烷基的碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，亦可為2~6。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數亦可為1~10。 以Q ^b6表示之碳數2以上之伸烷基之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子或2價有機聚矽氧烷殘基之基的碳數宜為2~20，較宜為2~10，更宜為2~6。 由容易製造化合物這點來看，Q ^b6宜為-CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂-。 w2個[-Q ^b6-Si(R ¹) _nL _3-n]可相同亦可不同。

基(3-1A-6)之具體例可舉以下之基。下述式中，*表示與Z之鍵結位置。 [化學式11]

在基(3-1A-7)中，Z ^c為(w3+w4+1)價烴基。 w3為4以上之整數。 w4為0以上之整數。 Q ^e、s4、Q ^a4、t4、Q ^b4及u4之定義及理想範圍係與基(3-1A-4)中之各符號的定義相同。

Z ^c可由烴鏈構成，亦可於烴鏈之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子，宜由烴鏈構成。 Z ^c之價數宜為5~20價，較宜為5~10價，更宜為5~8價，尤宜為5~6價。 Z ^c之碳數宜為3~50，較宜為4~40，更宜為5~30。 w3宜為4~20，較宜為4~16，更宜為4~8，尤宜為4~5。 w4宜為0~10，較宜為0~8，更宜為0~6，尤宜為0~3，最宜為0~1。 [-(O-Q ^b4) _u4-Si(R ¹) _nL _3-n]有2個以上時，2個以上之[-(O-Q ^b4) _u4-Si(R ¹) _nL _3-n]可相同亦可不同。

基(3-1A-7)之具體例可舉以下之基。下述式中，*表示與Z之鍵結位置。 [化學式12]

式1中之A可為：基(g2-1)(惟，j1=d1+d3，g1=d2+d4)、基(g2-2)(惟，j1=e1，g1=e2)、基(g2-3)(惟，j1=1，g1=2)、基(g2-4)(惟，j1=h1，g1=h2)、基(g2-5)(惟，j1=i1，g1=i2)、基(g2-6)(惟，j1=1，g1=1)或基(g2-7)(惟，j1=1，g1=i3)。

[化學式13]

(-A ¹-Q ¹²-) _e1C(R ^e2) _4-e1-e2(-Q ²²-) _e2…(g2-2) -A ¹-Q ¹³-N(-Q ²³-) ₂…(g2-3) (-A ¹-Q ¹⁴-) _h1Z ¹(-Q ²⁴-) _h2…(g2-4) (-A ¹-Q ¹⁵-) _i1Si(R ^e3) _4-i1-i2(-Q ²⁵-) _i2…(g2-5) -A ¹-Q ²⁶-　　(g2-6) -A ¹-Q ¹²-CH(-Q ²²-)-Si(R ^e3) _3-i3(-Q ²⁵-) _i3…(g2-7)

惟，在式(g2-1)~(g2-7)中，A ¹側係與Z鍵結，Q ²²、Q ²³、Q ²⁴、Q ²⁵或Q ²⁶側係與[-Si(R ¹) _nL _3-n]鍵結。 A ¹為單鍵、-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-OC(O)O-、-NHC(O)O-、-NHC(O)NR ⁶-、-O-或SO ₂NR ⁶-。 Q ¹¹為單鍵、-O-、伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基。 Q ¹²為單鍵、伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基，A具有2個以上Q ¹²時，2個以上之Q ¹²可相同亦可不同。 Q ¹³為單鍵(惟，A ¹為-C(O)-)、伸烷基、碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基、或是伸烷基之N側之末端具有-C(O)-之基。 Q ¹⁴所鍵結之Z ¹中之原子為碳原子時，Q ¹⁴為Q ¹²；Q ¹⁴所鍵結之Z ¹中之原子為氮原子時，Q ¹⁴為Q ¹³；A ²具有2個以上Q ¹⁴時，2個以上之Q ¹⁴可相同亦可不同。 Q ¹⁵為伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基，A具有2個以上Q ¹⁵時，2個以上之Q ¹⁵可相同亦可不同。 Q ²²為伸烷基、碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基、伸烷基之未連接於Si之側的末端具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基、或是碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-且未連接於Si之側的末端具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基，A具有2個以上Q ²²時，2個以上之Q ²²可相同亦可互異。 Q ²³為伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基，且2個Q ²³可相同亦可不同。 Q ²⁴所鍵結之Z ¹中之原子為碳原子時，Q ²⁴為Q ²²；Q ²⁴所鍵結之Z ¹中之原子為氮原子時，Q ²⁴為Q ²³；A具有2個以上Q ²⁴時，2個以上之Q ²⁴可相同亦可不同。 Q ²⁵為伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基，A具有2個以上Q ²⁵時，2個以上之Q ²⁵可相同亦可不同。 Q ²⁶為伸烷基、或是碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或O-之基。 Z ¹為具有h1+h2價環結構之基，並且該環結構具有Q ¹⁴直接鍵結之碳原子或氮原子且具有Q ²⁴直接鍵結之碳原子或氮原子。 R ^e1為氫原子或烷基，A具有2個以上R ^e1時，2個以上之R ^e1可相同亦可不同。 R ^e2為氫原子、羥基、烷基或醯氧基。 R ^e3為烷基。R ⁶為氫原子、碳數1~6之烷基或苯基。

d1為0~3之整數，宜為1或2。 d2為0~3之整數，宜為1或2。 d1+d2為1~3之整數。 d3為0~3之整數，宜為0或1。 d4為0~3之整數，宜為2或3。 d3+d4為1~3之整數。 d1+d3為1~5之整數，宜為1或2。 d2+d4為1~5之整數，宜為4或5。 e1+e2為3或4。 e1為1~3之整數，宜為1或2。 e2為1~3之整數，宜為2或3。 h1為1以上之整數，宜為1或2。 h2為1以上之整數，宜為2或3。 i1+i2為3或4。 i1為1~3之整數，宜為1或2。 i2為1~3之整數，宜為2或3。 i3為2或3。

由容易製造化合物這點及表面處理層之耐磨耗性更優異這點來看，Q ¹¹、Q ¹²、Q ¹³、Q ¹⁴、Q ¹⁵、Q ²²、Q ²³、Q ²⁴、Q ²⁵及Q ²⁶之伸烷基的碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，亦可為2~6。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數可為1~10，可為1~6，亦可為1~4。惟，於碳-碳原子間具有特定鍵結時，伸烷基之碳數的下限值為2。

Z ¹中之環結構可舉上述環結構，其理想形態亦同。此外，Q ¹⁴或Q ²⁴係直接鍵結於Z ¹中之環結構上，故無例如環結構上連結伸烷基再於該伸烷基上連結Q ¹⁴或Q ²⁴之情形。

由容易製造化合物這點來看，R ^e1、R ^e2或R ^e3之烷基的碳數宜為1~6，較宜為1~3，尤宜為1~2。 由容易製造化合物這點來看，R ^e2之醯氧基之烷基部分的碳數宜為1~6，較宜為1~3，尤宜為1~2。 由容易製造化合物這點、以及表面處理層之耐磨耗性更優異這點來看，h1宜為1~6，較宜為1~4，更宜為1或2，尤宜為1。 由容易製造化合物這點、以及表面處理層之耐磨耗性更優異這點來看，h2宜為2~6，較宜為2~4，尤宜為2或3。

A之其他形態可列舉：基(g2-8)(惟，j1=d1+d3，g1=d2×k3+d4×k3)、基(g2-9)(惟，j1=e1，g1=e2×k3)、基(g2-10)(惟，j1=1，g1=2×k3)、基(g2-11)(惟，j1=h1，g1=h2×k3)、基(g2-12)(惟，j1=i1，g1=i2×k3)、基(g2-13)(惟，j1=1，g1=k3)或基(g2-14)(惟，j1=1，g1=i3×k3)。

[化學式14]

(-A ¹-Q ¹²-) _e1C(R ^e2) _4-e1-e2(-Q ²²-G ¹) _e2…(g2-9) -A ¹-Q ¹³-N(-Q ²³-G ¹) ₂…(g2-10) (-A ¹-Q ¹⁴-) _h1Z ¹(-Q ²⁴-G ¹) _h2…(g2-11) (-A ¹-Q ¹⁵-) _i1Si(R ^e3) _4-i1-i2(-Q ²⁵-G ¹) _i2…(g2-12) -A ¹-Q ²⁶-G ¹…(g2-13) -A ¹-Q ¹²-CH(-Q ²²-G ¹)-Si(R ^e3) _3-i3(-Q ²⁵-G ¹) _i3…(g2-14)

惟，在式(g2-8)~(g2-14)中，A ¹側係與Z鍵結，G ¹側係與[-Si(R ¹) _nL _3-n]鍵結。

G ¹為下述基(g3)，A具有之2個以上之G ¹可相同亦可不同。G ¹以外之符號係與式(g2-1)~(g2-7)中之符號相同。 -Si(R ⁸) _3-k3(-Q ³-) _k3…(g3) 惟，在基(g3)中，Si側係連接於Q ²²、Q ²³、Q ²⁴、Q ²⁵及Q ²⁶，Q ³側係連接於[-Si(R ¹) _nL _3-n]。R ⁸為烷基。Q ³為伸烷基、碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有-C(O)NR ⁶-、-C(O)-、-NR ⁶-或-O-之基、或是(OSi(R ⁹) ₂) _p-O-，且2個以上之Q ³可相同亦可不同。k3為2或3。R ⁶為氫原子、碳數1~6之烷基或苯基。R ⁹為烷基、苯基或烷氧基，且2個R ⁹可相同亦可不同。p為0~5之整數，p為2以上時，2個以上之(OSi(R ⁹) ₂)可相同亦可不同。

由容易製造化合物這點、以及表面處理層之耐磨耗性更優異這點來看，Q ³之伸烷基的碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為2~20，可為2~10，亦可為2~6。可舉例如2、3、8、9、11。又，前述碳數可為1~10，可為1~6，且可為1~4。惟，於碳-碳原子間具有特定鍵結時，伸烷基之碳數的下限值為2。 由容易製造化合物這點來看，R ⁸之烷基的碳數宜為1~6，較宜為1~3，更宜為1~2。 由容易製造化合物這點來看，R ⁹之烷基的碳數宜為1~6，較宜為1~3，更宜為1~2。 由化合物之保存穩定性優異這點來看，R ⁹之烷氧基的碳數宜為1~6，較宜為1~3，更宜為1~2。 p宜為0或1。

本揭示化合物可列舉例如下式之化合物。下式之化合物由工業上容易製造、容易處置且表面處理層之撥水性及耐磨耗性更優異這點來看理想。下式之化合物中之R ^t係與上述式1中之[T-Z] _p相同，其理想形態亦同。

式1中之A為基(g2-1)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式15]

式1中之A為基(g2-2)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式16]

式1中之A為基(g2-3)的化合物可列舉例如下式之化合物。

[化學式17]

式1中之A為基(g2-4)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式18]

式1中之A為基(g2-5)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式19]

式1中之A為基(g2-6)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式20]

式1中之A為基(g2-7)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式21]

式1中之A為基(g2-8)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式22]

式1中之A為基(g2-9)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式23]

式1中之A為基(g2-10)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式24]

式1中之A為基(g2-11)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式25]

式1中之A為基(g2-12)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式26]

式1中之A為基(g2-13)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式27]

式1中之A為基(g2-14)的化合物可列舉例如下式之化合物。 [化學式28]

本揭示化合物宜為以下述式4表示之化合物。 [化學式29]

式4中，R ⁵¹為碳數2以上之烷基。 R ⁵²及R ⁵⁴各自獨立為伸烷基。 R ⁵³為-C(O)O-、-SO ₂N(R ^d)-、-N(R ^d)SO ₂-、-N(R ^d)C(O)-或-C(O)N(R ^d)-。 R ³係與式B1中之R ³相同。k1係與式B1中之k1相同。 以X ³¹(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n) _h(-R ³¹) _i表示之基係與式3-1A中之以X ³¹(-Q ^b-Si(R ¹) _nL _3-n) _h(-R ³¹) _i表示之基相同。 t1為0或1。

以R ⁵¹表示之烷基的理想態樣係如上述烷基之欄位中所說明。 以R ⁵²表示之伸烷基可為直鏈狀、支鏈狀或環狀。伸烷基之碳數宜為1~30，較宜為1~20，更宜為4~20，尤宜為5~15。 以R ⁵⁴表示之伸烷基可為直鏈狀、支鏈狀或環狀。伸烷基之碳數宜為1~20，較宜為1~10，更宜為1~6，尤宜為1~3。

本揭示化合物可列舉例如以下化合物。下述式中，n宜為9~50，較宜為11~30，更宜為11~25。

[化學式30]

[化學式31]

[化學式32]

[化學式33]

本揭示化合物之數量平均分子量(Mn)宜為500~20,000，較宜為600~18,000，更宜為700~15,000。 Mn若為500以上，表面處理層之耐磨耗性便更優異。Mn若為20,000以下，便容易將黏性調節成適切的範圍內，且溶解性會提升，因此成膜時之處理性優異。

[組成物] 本揭示組成物若包含有本揭示化合物即可，本揭示化合物以外之成分則無特別限定。本揭示組成物宜包含本揭示化合物與液態介質。包含液態介質時，本揭示組成物若為液態即可，可為溶液，亦可為分散液。 本揭示組成物若包含有本揭示化合物即可，亦可包含本揭示化合物之製造步驟中所生成之副產物等的不純物。

相對於本揭示組成物之總量，本揭示化合物之含量宜為0.001~40質量%，較宜為0.01~20質量%，更宜為0.1~10質量%。為使用於濕式塗覆法之本揭示組成物時，相對於本揭示組成物之總量，本揭示化合物之含量可為0.01~10質量%，可為0.02~5質量%，可為0.03~3質量%，亦可為0.05~2質量%。 本揭示組成物中所含之液態介質可僅為1種，亦可為2種以上。

液態介質宜為有機溶劑。

有機溶劑可舉僅由氫原子及碳原子構成之化合物、以及僅由氫原子、碳原子及氧原子構成之化合物，具體上可舉烴系有機溶劑、酮系有機溶劑、醚系有機溶劑、酯系有機溶劑、二醇系有機溶劑及醇系有機溶劑。 烴系有機溶劑之具體例可列舉：戊烷、己烷、庚烷、辛烷、十六烷、異己烷、異辛烷、異壬烷、環庚烷、環己烷、聯環己烷、苯、甲苯、乙苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、鄰二乙基苯、間二乙基苯、對二乙基苯、正丁基苯、二級丁基苯、三級丁基苯。 酮系有機溶劑之具體例可列舉：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二異丁基酮、環己酮、2-庚酮、4-庚酮、3,5,5-三甲基-2-環己烯-1-酮及3,3,5-三甲基環己酮、異佛酮。 醚系有機溶劑之具體例可舉：二乙基醚、環戊基甲基醚、四氫呋喃、1,4-二㗁烷。 酯系有機溶劑之具體例可列舉：乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸異丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸三級丁酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、二丙二醇甲基醚乙酸酯、3-甲氧基-3-甲基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲基乙酸酯、丙二醇二甲基乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、環己醇乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚丙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、二丙二醇甲基醚乙酸酯、1,3-丁二醇二乙酸酯、1,4-丁二醇二乙酸酯、1,3-丁二醇二乙酸酯、1,6-己二醇二乙酸酯、γ-丁內酯、三乙酸甘油酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯。 二醇系有機溶劑之具體例可列舉：乙二醇、乙二醇單丁基醚、二乙二醇單丁基醚、三乙二醇單丁基醚、四乙二醇單丁基醚、乙二醇單己基醚、二乙二醇單己基醚、乙二醇單-2-乙基己基醚、二乙二醇單-2-乙基己基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單丙基醚、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單三級丁基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單甲基醚、二乙二醇單異丙基醚、二乙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單丁基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單甲基醚、三丙二醇單丁基醚、三丙二醇單甲基醚、丙二醇單苯基醚、1,3-丁二醇、丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二乙二醇單乙基醚、二丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇甲基醚、三丙二醇正丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二乙二醇二丁基醚、四乙二醇二甲基醚、二丙二醇二甲基醚戊烷、三乙二醇二甲基醚、聚乙二醇二甲基醚。 醇系有機溶劑之具體例可列舉：甲醇、乙醇、1-丙醇、異丙醇、正丁醇、二丙酮醇、異丁醇、二級丁醇、三級丁醇、戊醇、3-甲基-1,3-丁二醇、1,3-丁二醇(1,3-butanediol)、1,3-丁二醇(1,3-butylene glycol)、辛二醇、2,4-二乙基戊二醇、丁基乙基丙二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、2-乙基-1-己醇、3,5,5-三甲基-1-己醇、異癸醇、異三癸醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、2-甲氧基丁醇、3-甲氧基丁醇、環己醇、糠醇、四氫糠醇、苯甲醇及甲基環己醇。

又，有機溶劑可舉鹵素系有機溶劑、含氮化合物、含硫化合物、矽氧烷化合物。

鹵素系有機溶劑之具體例可列舉：二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、二氯乙烷、氯苯、鄰氯甲苯、間氯甲苯、對氯甲苯、間二氯苯、1,2,3-三氯丙烷。

含氮化合物可列舉：硝基苯、乙腈、苯甲腈、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮。

含硫化合物可舉二硫化碳、二甲亞碸。 矽氧烷化合物可舉六甲基二矽氧烷、八甲基三矽氧烷、十甲基四矽氧烷。

相對於本揭示組成物之總量，液態介質之含量宜為60~99.999質量%，較宜為80~99.99質量%，更宜為90~99.9質量%。為使用於濕式塗覆法之本揭示組成物時，相對於本揭示組成物之總量，液態介質之含量可為90~99.99質量%，可為95~99.98質量%，可為97~99.97質量%，亦可為98~99.95質量%。

本揭示組成物除了本揭示化合物及液態介質外，亦可在不損及本揭示效果之範圍內包含有其他成分。 其他成分可舉例如促進反應性矽基之水解與縮合反應的酸觸媒、鹼性觸媒等公知添加劑。

又，其他成分亦可舉具有水解性基之金屬化合物(以下亦將具有水解性基之金屬化合物表記為「特定金屬化合物」)。本揭示組成物若包含特定金屬化合物，便可更提升表面處理層之平滑性及防污性。特定金屬化合物可舉下述式(M1)~(M3)。

M(X ^b1) _m1(X ^b2) _m2(X ^b3) _m3…(M1) Si(X ^b4)(X ^b5) ₃…(M2) (X ^b6) ₃Si-(Y ^b1)-Si(X ^b7) ₃…(M3)

式(M1)中， M表示3價或4價金屬原子。 X ^b1各自獨立表示水解性基。 X ^b2各自獨立表示含矽氧烷骨架之基。 X ^b3各自獨立表示含烴鏈之基。 m1為2~4之整數； m2及m3各自獨立為0~2之整數； M為3價金屬原子時，m1+m2+m3為3，M為4價金屬原子時，m1+m2+m3為4。

式(M2)中， X ^b4表示水解性矽烷寡聚物殘基。 X ^b5各自獨立表示水解性基或碳數1~4之烷基。

式(M3)中， X ^b6及X ^b7各自獨立表示水解性基或羥基。 Y ^b1表示2價有機基。

式(M1)中，以M表示之金屬中還包含Si、Ge等半金屬。M宜為3價金屬及4價金屬，較宜為Al、Fe、In、Hf、Si、Ti、Sn及Zr，更宜為Al、Si、Ti及Zr，尤宜為Si。

式(M1)中，以X ^b1表示之水解性基可舉與上述反應性矽基中之[-Si(R ¹) _nL _3-n]中的L所示之水解性基相同者。

以X ^b2表示之含矽氧烷骨架之基具有矽氧烷單元(-Si-O-)，其可為直鏈狀亦可為支鏈狀。矽氧烷單元宜為二烷基矽氧基，可舉二甲基矽氧基、二乙基矽氧基等。含矽氧烷骨架之基中之矽氧烷單元的重複數為1以上，宜為1~5，較宜為1~4，更宜為1~3。 含矽氧烷骨架之基亦可於矽氧烷骨架之一部分包含有2價烴基。具體而言，矽氧烷骨架之一部分的氧原子可被2價烴基取代。前述2價烴基可舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等之伸烷基。 含矽氧烷骨架之基的末端矽原子上亦可鍵結有水解性基、烴基(宜為烷基)等。 含矽氧烷骨架之基的元素數宜為100以下，較宜為50以下，更宜為30以下。前述元素數宜為10以上。 含矽氧烷骨架之基宜為以 ^*-(O-Si(CH ₃) ₂) _nCH ₃表示之基，在此，n為1~5之整數，*表示與相鄰原子之鍵結部位。

以X ^b3表示之含烴鏈之基可為僅由烴鏈構成之基，亦可為烴鏈之碳原子-碳原子間具有醚性氧原子之基。烴鏈可為直鏈亦可為支鏈，宜為直鏈。烴鏈可為飽和烴鏈亦可為不飽和烴鏈，宜為飽和烴鏈。含烴鏈之基的碳數宜為1~3，較宜為1~2，更宜為1。含烴鏈之基宜為烷基，較宜為甲基、乙基或丙基。

m1宜為3或4。

以式(M1)表示之化合物宜為以M為Si之下述式(M1-1)~(M1-5)表示之化合物，較宜為以式(M1-1)表示之化合物。以式(M1-1)表示之化合物宜為四乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷、三乙氧基甲基矽烷。

Si(X ^b1) ₄…(M1-1) CH ₃-Si(X ^b1) ₃…(M1-2) C ₂H ₅-Si(X ^b1) ₃…(M1-3) n-C ₃H ₇-Si(X ^b1) ₃…(M1-4) (CH ₃) ₂CH-Si(X ^b1) ₃…(M1-5)

式(M2)中，以X ^b4表示之水解性矽烷寡聚物殘基中所含之矽原子數宜為3以上，較宜為5以上，更宜為7以上。前述矽原子數宜為15以下，較宜為13以下，更宜為10以下。 水解性矽烷寡聚物殘基亦可具有鍵結於矽原子上之烷氧基。前述烷氧基可舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等，宜為甲氧基及乙氧基。水解性矽烷寡聚物殘基亦可具有1種或2種以上該等烷氧基，以具有1種為佳。 水解性矽烷寡聚物殘基可舉(C ₂H ₅O) ₃Si-(OSi(OC ₂H ₅) ₂) ₄O- ^*等。在此，*表示與相鄰原子之鍵結部位。

式(M2)中，以X ^b5表示之水解性基可舉與上述反應性矽基中之[-Si(R ¹) _nL _3-n]中的L所示之水解性基相同者、氰基、氫原子、烯丙基，宜為烷氧基或異氰酸基。烷氧基宜為碳數1~4之烷氧基。 X ^b5宜為水解性基。

以式(M2)表示之化合物可舉(H ₅C ₂O) ₃-Si-(OSi(OC ₂H ₅) ₂) ₄OC ₂H ₅等。

以式(M3)表示之化合物係於2價有機基之兩末端具有反應性矽基之化合物，亦即雙矽烷。 式(M3)中，以X ^b6及X ^b7表示之水解性基可舉烷氧基、醯氧基、酮肟基、烯氧基、胺基、胺氧基、醯胺基、異氰酸基、鹵素原子，宜為烷氧基、異氰酸基。烷氧基宜為碳數1~4之烷氧基，較宜為甲氧基、乙氧基。 式(M3)中，X ^b6及X ^b7可為彼此相同之基，亦可為互異之基。以取得容易性這點來看，X ^b6及X ^b7宜為彼此相同之基。

式(M3)中，Y ^b1係連結兩末端之反應性矽基的2價有機基。2價有機基之Y ^b1的碳數宜為1~8，較宜為1~3。 Y ^b1可舉伸烷基、伸苯基、碳原子間具有醚性氧原子之伸烷基。可列舉例如：-CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂CH ₂-、-CH ₂C(CH ₃) ₂CH ₂-、-C(CH ₃) ₂CH ₂CH ₂C(CH ₃) ₂-、-CH ₂CH ₂OCH ₂CH ₂-、-CH ₂CH ₂CH ₂OCH ₂CH ₂CH ₂-、-CH(CH ₃)CH ₂OCH ₂CH(CH ₃)-、-C ₆H ₄-。

以式(M3)表示之化合物可列舉：(CH ₃O) ₃Si(CH ₂) ₂Si(OCH ₃) ₃、(C ₂H ₅O) ₃Si(CH ₂) ₂Si(OC ₂H ₅) ₃、(OCN) ₃Si(CH ₂) ₂Si(NCO) ₃、Cl ₃Si(CH ₂) ₂SiCl ₃、(CH ₃O) ₃Si(CH ₂) ₆Si(OCH ₃) ₃、(C ₂H ₅O) ₃Si(CH ₂) ₆Si(OC ₂H ₅) ₃。

相對於本揭示組成物之總量，本揭示組成物中亦可包含之其他成分的含量宜為10質量%以下，較宜為1質量%以下。本揭示組成物包含特定金屬化合物時，相對於本揭示組成物之總量，特定金屬化合物之含量宜為0.01~30質量%，較宜為0.01~10質量%，更宜為0.05~5質量%。

相對於本揭示組成物之總量，本揭示化合物與其他成分之合計含量(以下亦稱為「固體成分濃度」)宜為0.001~40質量%，較宜為0.01~20質量%，更宜為0.1~10質量%。本揭示組成物之固體成分濃度係從加熱前之組成物之質量與以120℃之對流式乾燥機加熱4小時後之質量算出之值。

本揭示組成物包含液態介質，因此可有效作為塗覆用途，且可作為塗覆液使用。

[表面處理劑] 在一態樣中，本揭示表面處理劑包含本揭示化合物。又，本揭示表面處理劑亦可包含有本揭示化合物與液態介質。本揭示表面處理劑亦可為本揭示組成物。表面處理劑中所含之液態介質之理想態樣係與本揭示組成物中所含之液態介質之理想態樣相同。

本揭示化合物包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基及反應性矽基。因此，藉由使用包含本揭示化合物之表面處理劑，可形成撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層。

本揭示表面處理劑尤宜用於光學構件。

[物品] 在一態樣中，本揭示物品包含基材與表面處理層，該表面處理層係配置於基材上且經以本揭示表面處理劑進行表面處理。

表面處理層可形成於基材表面的一部分，亦可形成於基材表面整體。表面處理層在基材表面上可呈膜狀擴展，亦可呈點狀散布。 本揭示化合物係以反應性矽基之一部分或全部已進行水解且矽烷醇基已進行脫水縮合反應之狀態包含於表面處理層中。

表面處理層之厚度宜為1~100nm，較宜為1~50nm。表面處理層之厚度若為1nm以上，便容易充分獲得表面處理所帶來之效果。表面處理層之厚度若為100nm以下，利用效率便高。表面處理層之厚度可使用薄膜解析用X射線繞射計(製品名「ATX-G」，RIGAKU公司製)，利用X射線反射率法取得反射X射線之干涉圖案後，從干涉圖案之振動周期算出。

基材之種類無特別限定，可舉例如要求賦予撥水性之基材。基材可舉例如：有用其他物品(例如，觸控筆)或人的手指接觸來使用之情形的基材；有操作時以人的手指拿住之情形的基材；及，有放置於其他物品(例如，載置台)上之情形的基材。 基材之材料可列舉：金屬、樹脂、玻璃、藍寶石、陶瓷、石、纖維、不織布、紙、木、天然皮革、人工皮革及該等之複合材料。玻璃可業經化學強化。

基材可列舉：建材、裝飾建材、室內裝飾用品、運輸機器(例如，汽車)、看板、告示板、飲用機、餐具、水槽、觀賞用器具(例如，匾額、箱)、實驗器具、傢俱、纖維製品、包裝容器；使用於藝術、運動、遊戲等之玻璃或樹脂；使用於行動電話(例如，智慧型手機)、攜帶型資訊終端機、遊戲機、遙控器等機器之外裝部分(顯示部除外)的玻璃或樹脂。基材之形狀可為板狀，亦可為膜狀。

基材宜為觸控面板用基材、顯示器用基材、眼鏡鏡片，尤宜為觸控面板用基材。觸控面板用基材之材料宜為玻璃或透明樹脂。

基材亦可為一表面或兩面施有電暈放電處理、電漿處理、電漿接枝聚合處理等表面處理之基材。施有表面處理之基材與表面處理層的密著性更優異，更能提升表面處理層之耐磨耗性。因此，宜對基材之與表面處理層相接側的表面施行表面處理。又，在設置後述基底層時，施有表面處理之基材與基底層的密著性更優異，更能提升表面處理層之耐磨耗性。因此，若要設置基底層，宜對基材之與基底層相接側的表面施行表面處理。

表面處理層可直接設於基材之表面上，亦可於基材與表面處理層之間設有基底層。由更提升表面處理層之撥水性及耐磨耗性的觀點來看，本揭示物品宜包含基材、配置於基材上之基底層、及配置於基底層上且經以本揭示表面處理劑進行表面處理之表面處理層。

基底層宜為含氧化物之層，且該氧化物包含：矽；以及，選自於由週期表之第1族元素、第2族元素、第4族元素、第5族元素、第13族元素及第15族元素所構成群組中之至少1種特定元素。

週期表之第1族元素(以下亦稱為「第1族元素」)意指鋰、鈉、鉀、銣及銫。由可於基底層上無缺陷且更均一地形成表面處理層這點、或可更抑制試樣間之基底層組成之參差的觀點來看，第1族元素宜為鋰、鈉、鉀，較宜為鈉、鉀。基底層中亦可包含有2種以上第1族元素。

週期表之第2族元素(以下亦稱為「第2族元素」)意指鈹、鎂、鈣、鍶及鋇。由可於基底層上無缺陷且更均一地形成表面處理層這點、或可更抑制試樣間之基底層組成之參差的觀點來看，第2族元素宜為鎂、鈣、鋇，較宜為鎂、鈣。基底層中亦可包含有2種以上第2族元素。

週期表之第4族元素(以下亦稱為「第4族元素」)意指鈦、鋯及鉿。由可於基底層上無缺陷且更均一地形成表面處理層這點、或可更抑制試樣間之基底層組成之參差的觀點來看，第4族元素宜為鈦、鋯，較宜為鈦。基底層中亦可包含有2種以上第4族元素。

週期表之第5族元素(以下亦稱為「第5族元素」)意指釩、鈮及鉭。由表面處理層之耐磨耗性更優異的觀點來看，第5族元素尤宜為釩。基底層中亦可包含有2種以上第5族元素。

週期表之第13族元素(以下亦稱為「第13族元素」)意指硼、鋁、鎵及銦。由可於基底層上無缺陷且更均一地形成表面處理層這點、或可更抑制試樣間之基底層組成之參差的觀點來看，第13族元素宜為硼、鋁、鎵，較宜為硼、鋁。基底層中亦可包含有2種以上第13族元素。

週期表之第15族元素(以下亦稱為「第15族元素」)意指氮、磷、砷、銻及鉍。由可於基底層上無缺陷且更均一地形成表面處理層這點、或可更抑制試樣間之基底層組成之參差的觀點來看，第15族元素宜為磷、銻、鉍，較宜為磷、鉍。基底層中亦可包含有2種以上第15族元素。

以基底層中所含之特定元素來說，宜為第1族元素、第2族元素、第13族元素，因表面處理層之耐磨耗性會更優異，且較宜為第1族元素、第2族元素，更宜為第1族元素。 特定元素可僅包含有1種元素，亦可包含有2種以上元素。

基底層中所含之氧化物可為上述元素(矽及特定元素)單獨之氧化物的混合物(例如，氧化矽與特定元素之氧化物的混合物)，可為包含2種以上上述元素之複合氧化物，亦可為上述元素單獨之氧化物與複合氧化物的混合物。

由表面處理層之耐磨耗性更優異的觀點來看，基底層中之特定元素之合計莫耳濃度相對於基底層中之矽之莫耳濃度的比(特定元素/矽)宜為0.02~2.90，較宜為0.10~2.00，更宜為0.20~1.80。 基底層中之各元素之莫耳濃度(莫耳%)，例如可藉由使用離子濺鍍且以X射線光電子分光法(XPS)進行之深度方向分析來測定。

基底層可為單層，亦可為複層。基底層亦可於表面具有凹凸。 基底層之厚度宜為1~100nm，較宜為1~50nm，更宜為2~20nm。基底層之厚度若為上述下限值以上，便能利用基底層更提升表面處理層的密著性，從而表面處理層之耐磨耗性更優異。基底層之厚度若為上述上限值以下，基底層本身之耐磨耗性便優異。 基底層之厚度係藉由利用穿透型電子顯微鏡(TEM)觀察基底層之剖面來測定。

基底層例如可利用使用蒸鍍材料之蒸鍍法或濕式塗覆法來形成。

蒸鍍法中使用之蒸鍍材料宜含有含矽及特定元素之氧化物。 蒸鍍材料之形態的具體例可舉粉體、熔融體、燒結體、造粒體、破碎體，由處置性的觀點來看，宜為熔融體、燒結體、造粒體。 在此，熔融體意指使蒸鍍材料之粉體在高溫下熔融後予以冷卻固化而得之固體物。燒結體意指將蒸鍍材料之粉體燒成而得之固體物，可視需要將蒸鍍材料之粉體壓製成形而使用成形體來取代蒸鍍材料之粉體。造粒體意指將蒸鍍材料之粉體與液態介質(例如水、有機溶劑)捏合而獲得粒子後使粒子乾燥而得之固體物。

蒸鍍材料例如可藉由以下方法製造。 ・將氧化矽之粉體與特定元素之氧化物之粉體混合而獲得蒸鍍材料之粉體的方法。 ・將上述蒸鍍材料之粉體及水捏合而獲得粒子後，使粒子乾燥而獲得蒸鍍材料之造粒體的方法。 ・使含矽之粉體(例如，由氧化矽構成之粉體、矽砂、矽膠)、含特定元素之粉體(例如，特定元素之氧化物之粉體、碳酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽、氫氧化物)及水混合而成之混合物乾燥後，將乾燥後之混合物或其經壓製成形而成之成形體進行燒成而獲得燒結體的方法。 ・使含矽之粉體(例如，由氧化矽構成之粉體、矽砂、矽膠)與含特定元素之粉體(例如，特定元素之氧化物的粉體、碳酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽、氫氧化物)在高溫下熔融後，將熔融物冷卻固化而獲得熔融體的方法。

使用蒸鍍材料之蒸鍍法的具體例可舉真空蒸鍍法。真空蒸鍍法係一種使蒸鍍材料在真空槽內蒸發而附著於基材表面的方法。 蒸鍍時之溫度(例如在使用真空蒸鍍裝置時為配置蒸鍍材料之舟皿的溫度)宜為100~3,000℃，較宜為500~3,000℃。 蒸鍍時之壓力(例如在使用真空蒸鍍裝置時為配置蒸鍍材料之槽內的壓力)宜為1Pa以下，較宜為0.1Pa以下。 使用蒸鍍材料來形成基底層時，可使用1種蒸鍍材料，亦可使用2種以上含不同元素之蒸鍍材料。

蒸鍍材料之蒸發方法的具體例可舉：電阻加熱法，係在高熔點金屬製電阻加熱用舟皿上將蒸鍍材料熔融使其蒸發；及，電子槍法，係對蒸鍍材料照射電子束，直接加熱蒸鍍材料使表面熔融而蒸發。由可局部加熱故連高熔點物質亦可蒸發這點、及電子束未照射到的部位為低溫故無與容器起反應或混入不純物之疑慮的觀點來看，蒸鍍材料之蒸發方法宜為電子槍法。 以蒸鍍材料之蒸發方法來說，可使用複數個舟皿，亦可將全部蒸鍍材料放入單獨的舟皿來使用。蒸鍍方法可為共蒸鍍，亦可為交替蒸鍍等。具體而言，可列舉以下例子：將二氧化矽與特定源於同一舟皿中混合來使用；將二氧化矽與特定元素源放入不同舟皿中進行共蒸鍍；及，同樣地將二氧化矽與特定元素源放入不同舟皿中進行交替蒸鍍。蒸鍍之條件、順序等係依基底層之構成來適當選擇。

以濕式塗覆法來說，宜藉由使用塗覆液之濕式塗覆法於基材上形成基底層，該塗覆液包含含矽之化合物、含特定元素之化合物及液態介質。

矽化合物之具體例可舉：氧化矽、矽酸、矽酸之部分縮合物、烷氧矽烷、烷氧矽烷之部分水解縮合物。

含特定元素之化合物的具體例可列舉：特定元素之氧化物、特定元素之烷氧化物、特定元素之碳酸鹽、特定元素之硫酸鹽、特定元素之硝酸鹽、特定元素之草酸鹽、特定元素之氫氧化物。

液態介質可舉與本揭示組成物中所含之液態介質相同者。

相對於形成基底層所使用之塗覆液之總量，液態介質之含量宜為0.01~20質量%，較宜為0.1~10質量%。

用以形成基底層之濕式塗覆法的具體例可列舉：旋塗法、擦塗法、噴塗法、刮塗法、浸塗法、模塗法、噴墨法、流動施膜法、輥塗法、澆鑄法、朗謬-布洛傑法、凹版塗佈法。

將塗覆液進行濕式塗覆後，宜使塗膜乾燥。塗膜之乾燥溫度宜為20~200℃，較宜為80~160℃。

本揭示物品宜為光學構件。光學構件可列舉例如：汽車導航、行動電話、智慧型手機、數位相機、數位視訊攝影機、PDA、可攜式聲訊播放機、汽車音響、遊戲機、眼鏡鏡片、相機鏡頭、透鏡濾光片、太陽眼鏡、胃鏡等醫療用器具、影印機、PC、顯示器(例如，液晶顯示器、有機EL顯示器、電漿顯示器、觸控面板顯示器)、觸控面板、保護薄膜及抗反射薄膜。尤其，物品宜為顯示器或觸控面板。

[物品之製造方法] 本揭示物品之製造方法，舉例言之，係一使用本揭示表面處理劑對基材進行表面處理而製造於基材上形成有表面處理層之物品的方法。表面處理可舉乾式塗覆法及濕式塗覆法。

乾式塗覆法可舉真空蒸鍍、CVD、濺鍍等手法。由抑制化合物之分解這點及裝置之簡便性的觀點來看，乾式塗覆法宜為真空蒸鍍法。在真空蒸鍍時，可使用已使本揭示化合物浸滲至鐵、鋼等金屬多孔體中的丸粒狀物質。亦可使用使含本揭示化合物及液態介質之組成物浸滲至鐵、鋼等金屬多孔體中後使液態介質乾燥而浸滲有本揭示化合物的丸粒狀物質。

濕式塗覆法可列舉例如：旋塗法、擦塗法、噴塗法、刮塗法、浸塗法、模塗法、噴墨法、流動施膜法、輥塗法、澆鑄法、朗謬-布洛傑法、凹版塗佈法。

為了提升表面處理層之耐磨耗性，亦可視需要進行用以促進本揭示化合物與基材之反應的操作。該操作可舉加熱、加濕、光照射等。 例如，在具有水分之大氣中將形成有表面處理層之基材加熱，可促進以下諸等反應：水解性基之水解反應、基材表面之羥基等與矽烷醇基之反應、藉由矽烷醇基之縮合反應生成矽氧烷鍵。 表面處理後，亦可視需要去除表面處理層中未與其他化合物或基材化學鍵結的化合物。去除方法可舉例如對表面處理層沖淋溶劑之方法、以已浸透溶劑之布擦拭之方法等。

實施例 以下使用實施例進一步詳細說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。「Me」意指甲基，「n-Bu」意指正丁基。

[化合物1B之合成] 於平均分子量約3,000之單分散氫化物-封端聚二甲基矽氧烷(20g，Gelest, Inc.製，製品編號：DMS-Hm15)中加入1-二十二烯(2.0g)及1,3-雙三氟甲基苯(50g)並攪拌。之後，加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量3質量%，0.1g)、苯胺(0.1g)，在100℃下加熱攪拌4小時。冷卻至25℃後，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：乙酸乙酯/己烷)，藉此獲得7.5g之化合物1A。化合物1A之結構係由以下NMR數據確認。化合物1A中，n之平均值為40。

¹H-NMR(500 MHz, Chloroform-d) δ 3.60 (s, 1H), 1.39‐1.14 (m, 40H), 0.92‐0.78 (m, 3H), 0.63‐0.22 (m, 248H).

[化學式34]

於化合物1A(3.0g)中加入乙烯基三甲氧基矽烷(0.3g)、1,3-雙三氟甲基苯(10g)並攪拌後，加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量3質量%，0.1g)、苯胺(0.1g)，在40℃下攪拌24小時。減壓餾去溶劑，藉此獲得3.1g之化合物1B。化合物1B之結構係由以下NMR數據確認。化合物1B中，n之平均值為40。

¹H-NMR(500 MHz, Chloroform-d) δ 3.58 (s, 9H), 1.44‐1.14 (m, 40H), 0.94‐0.81 (m, 3H), 0.72‐0.10 (m, 252H).

[化學式35]

[化合物2B之合成] 於平均分子量約3,000之單分散氫化物-封端聚二甲基矽氧烷(20g，Gelest, Inc.製，製品編號：DMS-Hm15)中加入3-甲基-1-丁烯(約15質量%二氯甲烷溶液，約2.5mol/L)(3.0g)、1,3-雙三氟甲基苯(50g)並攪拌。之後，加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量3質量%，0.1g)、苯胺(0.1g)，在40℃下加熱攪拌24小時。冷卻至25℃後，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：乙酸乙酯/己烷)，藉此獲得7.0g之化合物2A。化合物2A之結構係由以下NMR數據確認。化合物2A中，n之平均值為40。

¹H-NMR(500 MHz, Chloroform-d) δ 2.89 (hept, J = 2.9 Hz, 1H), 1.52 (dh, J = 13.7, 6.8 Hz, 1H), 1.18 (q, J = 7.1 Hz, 2H), 0.86 (d, J = 6.8 Hz, 6H), 0.72 (t, J = 7.1 Hz, 2H), 0.29‐0.18 (m, 246H).

[化學式36]

於化合物2A(3.0g)中加入乙烯基三甲氧基矽烷(0.3g)、1,3-雙三氟甲基苯(10g)並攪拌。之後，加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量3質量%，0.1g)、苯胺(0.1g)，在40℃下攪拌24小時。減壓餾去溶劑，藉此獲得3.1g之化合物2B。化合物2B之結構係由以下NMR數據確認。化合物2B中，n之平均值為40。

¹H-NMR(500 MHz, Chloroform-d) δ 3.57 (s, 9H), 1.52 (dh, J = 13.7, 6.8 Hz, 1H), 1.18 (q, J = 7.1 Hz, 2H), 0.86 (d, J = 7.0 Hz, 8H), 0.73 (td, J = 7.1, 3.9 Hz, 4H), 0.24‐0.12 (m, 246H).

[化學式37]

[化合物3A之合成] 於化合物1A(3.0g)中加入2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷(2.0g)、1,3-雙三氟甲基苯(10g)並攪拌。之後，加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量3質量%，0.1g)、苯胺(0.1g)，在40℃下攪拌24小時後，減壓餾去揮發成分。之後，加入乙烯基三甲氧基矽烷(1.2g)、1,3-雙三氟甲基苯(10g)並攪拌後，再次加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量3質量%，0.1g)、苯胺(0.1g)，在40℃下攪拌24小時。減壓餾去溶劑，藉此獲得3.3g之化合物3A。化合物3A之結構係由以下NMR數據確認。化合物3A中，n之平均值為40。

¹H-NMR(500 MHz, Chloroform-d) δ 3.58 (d, J = 4.6 Hz, 27H), 1.42‐1.16 (m, 40H), 0.92‐0.81 (m, 3H), 0.71‐0.07 (m, 264H).

[化學式38]

[化合物4A之合成] 依循日本專利特開2017-201010號公報之實施例中記載之方法，而獲得化合物4A。n2之平均值為24。

[化學式39]

[化合物5A之合成] 依循日本專利特開2017-119849號公報之實施例1中記載之方法，而獲得化合物5A。

[化學式40]

接著，使用上述化合物1B、2B、3A、4A、5A對基材進行表面處理。表面處理方法係使用乾式塗覆法。基材係使用化學強化玻璃。

＜乾式塗覆法＞ 乾式塗覆係使用真空蒸鍍裝置(製品名「VTR-350M」，ULVAC公司製)來進行。將各化合物之20質量%乙酸乙酯溶液(0.5g)充填至真空蒸鍍裝置內之鉬製舟皿中，並排氣使真空蒸鍍裝置內之壓力成為1×10 ^-3Pa以下。以升溫速度10℃/分鐘以下之速度加熱舟皿，並在藉由晶體振盪式膜厚計測得蒸鍍速度超過1nm/秒之時間點打開擋門，開始對基材表面成膜。在膜厚達約50nm之時間點關閉擋門，結束對基材表面之成膜。在150℃下將堆積有化合物之基材進行加熱處理30分鐘，而獲得於基材表面具有表面處理層之物品。

針對藉由乾式塗覆法所得之物品進行撥水性及耐磨耗性之評估。評估方法如下。

＜撥水性＞ 將約2µL之蒸餾水滴於物品之表面處理層上，使用接觸角測定裝置(製品名「DM-500」，協和界面科學公司製，測定初始水接觸角。在表面處理層上的5處進行測定，算出平均值。此外，水接觸角之計算係使用2θ法。評估基準如下。A及B為實際使用上沒有問題之等級。 A：水接觸角為110°以上。 B：水接觸角為108°以上且小於110°。 C：水接觸角小於108°。

＜耐磨耗性＞ 對物品之表面處理層，遵循JIS L0849：2013(對應ISO：105-X12：2001)使用往復式移動摩擦試驗機(KNT公司製)在壓力98.07kPa、速度320cm/分鐘下使Bonstar鋼絲絨(#0000)來回1萬次後，測定摩擦試驗後之水接觸角。摩擦試驗後之水接觸角的測定方法係與上述撥水性之評估方法中之初始水接觸角的測定方法相同。根據藉由摩擦試驗所得之水接觸角之降低度，進行耐磨耗性之評估。水接觸角之降低度愈小，可謂耐磨耗性愈優異。評估基準如下。A及B為實際使用上沒有問題之等級。 水接觸角之降低度=(初始水接觸角)-(摩擦試驗後之水接觸角) A：水接觸角之降低度為5°以下。 B：水接觸角之降低度大於5°且在10°以下。 C：水接觸角之降低度大於10°。

將評估結果顯示於表1。表1中，當化合物包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基或反應性矽基時記載為「Y」，化合物不包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基或反應性矽基時則記載為「N」。

例1~3為實施例，例4及例5為比較例。

[表1]

如表1所示可知，例1~3之化合物包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基及反應性矽基，因此可形成撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層。 另一方面，例4及例5之化合物不包含碳數2以上之烷基，可知耐磨耗性差。

[化合物11B之合成] 在氮氣環境下，於羧酸末端聚二甲基矽氧烷(n之平均值為16，與羧酸連結之伸烷基的碳數為10；Gelest, Inc.製，製品編號：MCR-B12)(5.0g)中加入二氯甲烷(20mL)、草醯氯(1.3g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，加入2,2-二烯丙基戊-4-烯-1-胺(1.2g)與二氯甲烷(20mL)、三乙胺(0.70g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得2.2g之化合物11A。化合物11A之結構係由以下NMR數據確認。化合物11A中，n之平均值為16。

¹H-NMR(400MHz, Chloroform-d) δ 5.85 (ddt,J=16.6,10.5, 7.4 Hz, 3H), 5.48 (s, 1H), 5.17‐4.98 (m, 6H), 3.18 (d, J = 6.4 Hz, 2H), 2.19‐2.09 (m, 2H), 2.01 (dt, J = 7.4, 1.2 Hz, 6H), 1.54 (m, 2H), 1.40‐1.06 (m, 18H), 0.94‐0.76 (m, 3H), 0.59‐0.38(m,4H),0.05(s,102H).

[化學式41]

將化合物11A(1.0g)溶解於1,3-雙三氟甲基苯(2.0mL)中，並加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量：3質量%，15µL)、苯胺(4.8µL)、三甲氧基矽烷(0.31g)，在40℃下攪拌2小時後，減壓餾去溶劑，藉此獲得1.1g之化合物11B。化合物11B之結構係由以下NMR數據確認。化合物11B中，n之平均值為16。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.65 (t, J = 6.1 Hz, 1H), 3.49 (s, 27H), 3.04 (d, J = 6.2 Hz, 2H), 2.18‐2.04 (m, 2H), 1.37‐0.95 (m, 32H), 0.95‐0.72 (m, 3H), 0.69‐0.36 (m, 10H), -0.07 (s, 102H).

[化學式42]

[化合物12A之合成] 除了將羧酸末端聚二甲基矽氧烷變更成n之平均值為168且與羧酸連結之伸烷基之碳數為10的化合物外，以與化合物11B相同方法而獲得1.0g之化合物12A。化合物12A之結構係由以下NMR數據確認。化合物12A中，n之平均值為168。 此外，羧酸末端聚二甲基矽氧烷之合成係以與後述化合物21C相同方法來進行。藉由變更六甲基環三矽氧烷之添加量來控制n之平均值。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.42 - 5.27 (m, 1H), 3.57 (s, 27H), 3.12 (d, J = 6.2 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.7 Hz, 2H), 1.63 (s, 2H), 1.46‐1.14 (m, 30H), 0.92‐0.84 (m, 3H), 0.69‐0.46 (m, 10H), 0.07 (s, 1014H).

[化學式43]

[化合物13A之合成] 除了將羧酸末端聚二甲基矽氧烷變更成n之平均值為30且與羧酸連結之伸烷基之碳數為4的化合物外，以與化合物11B相同方法而獲得化合物13A。化合物13A之結構係由以下NMR數據確認。化合物13A中，n之平均值為30。 此外，羧酸末端聚二甲基矽氧烷之合成係以與後述化合物21C相同方法來進行。藉由變更六甲基環三矽氧烷之添加量來控制n之平均值。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.70 (s, 1H), 3.57 (s, 27H), 3.12 (d, J = 6.2 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.7 Hz, 2H), 1.63‐1.14 (m, 20H), 0.92‐0.84 (m, 3H), 0.69 - 0.46 (m, 10H), 0.07 (s, 186H).

[化學式44]

[化合物14A之合成] 除了將羧酸末端聚二甲基矽氧烷變更成n之平均值為183且與羧酸連結之伸烷基之碳數為4的化合物外，以與化合物11B相同方法而獲得1.0g之化合物14A。化合物14A之結構係由以下NMR數據確認。化合物14A中，n之平均值為183。 此外，羧酸末端聚二甲基矽氧烷之合成係以與後述化合物21C相同方法來進行。藉由變更六甲基環三矽氧烷之添加量來控制n之平均值。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.70 (s, 1H), 3.57 (s, 27H), 3.12 (d, J = 6.2 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.7 Hz, 2H), 1.63‐1.14 (m, 20H), 0.92‐0.84 (m, 3H), 0.69‐0.46 (m, 10H), 0.07 (s, 1104H).

[化學式45]

[化合物15F之合成]

依循國際公開第2021/054413號中記載之方法，而獲得化合物15A之THF溶液(0.80M)。

[化學式46]

在氮氣環境下，於8-溴基-1-辛醇(3.0g)中加入四氫呋喃(以下記載為「THF」；20mL)、化合物15A之THF溶液(0.80M)(40mL)、氯化銅(II)(0.10g)，在60℃下攪拌2小時。減壓餾去低沸點成分後，加入鹽酸並以二氯甲烷進行萃取。再次減壓餾去低沸點成分後，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得3.0g之化合物15B。化合物15B之結構係由以下NMR數據確認。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.80 (ddt, J = 16.6, 10.5, 7.4 Hz, 3H), 5.18‐4.91 (m, 6H), 3.64 (q, J = 6.5 Hz, 2H), 2.06‐1.91 (m, 6H), 1.61‐1.49 (m, 2H), 1.49‐1.07 (m, 14H).

[化學式47]

在氮氣環境下，於化合物15B(3.0g)中加入二氯甲烷(20mL)、甲磺醯氯(2.5g)、三乙胺(5.5g)，在25℃下攪拌2小時。加入鹽酸並以二氯甲烷萃取後，減壓餾去低沸點成分。之後，於反應產物中加入DMF(20mL)、疊氮化鈉(0.85g)，在80℃下攪拌2小時。加入水並以己烷萃取後，減壓餾去低沸點成分。進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得2.2g之化合物15C。化合物15C之結構係由以下NMR數據確認。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.78 (ddt, J = 16.7, 10.5, 7.4 Hz, 3H), 5.12‐4.91 (m, 6H), 3.24 (t, J = 7.0 Hz, 2H), 1.96 (dt, J = 7.4, 1.3 Hz, 6H), 1.65‐1.52 (m, 2H), 1.43‐1.03 (m, 14H).

[化學式48]

在氮氣環境下，於化合物15C(0.70g)中加入THF(20mL)、鋁氫化鋰之THF溶液(2.0M)(4.6mL)，在25℃下攪拌16小時。加入氫氧化鈉水溶液並將析出之固體過濾後，減壓餾去低沸點成分。進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：二氯甲烷/甲醇)，藉此獲得0.52g之化合物15D。化合物15D之結構係由以下NMR數據確認。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.78 (ddt, J = 16.6, 10.5, 7.4 Hz, 3H), 5.19‐4.82 (m, 6H), 2.65 (t, J = 7.0 Hz, 2H), 1.95 (dt, J = 7.4, 1.3 Hz, 6H), 1.68‐0.92 (m, 16H).

[化學式49]

在氮氣環境下，於羧酸末端聚二甲基矽氧烷(n之平均值為16，與羧酸連結之伸烷基的碳數為10；Gelest, Inc.製，製品編號：MCR-B12)(1.0g)中加入二氯甲烷(20mL)、草醯氯(1.3g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，加入化合物15D(0.30g)與二氯甲烷(20mL)、三乙胺(0.70g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得0.75g之化合物15E。化合物15E之結構係由以下NMR數據確認。化合物15E中，n之平均值為16。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.73 (ddt, J = 16.7, 10.5, 7.4 Hz, 3H), 5.29 (s, 1H), 5.04‐4.85 (m, 6H), 3.16 (td, J = 7.3, 5.8 Hz, 2H), 2.14‐2.01 (m, 2H), 1.90 (dt, J = 7.4, 1.3 Hz, 6H), 1.61‐1.34 (m, 4H), 1.33‐0.98 (m, 32H), 0.94‐0.69 (m, 3H), 0.45 (td, J = 8.3, 7.8, 5.2 Hz, 4H), 0.13 (s, 78H).

[化學式50]

將化合物15E(0.75g)溶解於1,3-雙三氟甲基苯(2.0mL)中，並加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量：3質量%，15µL)、苯胺(4.8µL)、三甲氧基矽烷(0.30g)，在40℃下攪拌2小時後，減壓餾去溶劑，藉此獲得0.80g之化合物15F。化合物15F之結構係由以下NMR數據確認。化合物15F中，n之平均值為16。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.42‐5.27 (m, 1H), 3.49 (s, 27H), 3.27‐2.99 (m, 2H), 2.14‐2.02 (m, 2H), 1.69‐1.35 (m, 4H), 1.35‐0.91 (m, 44H), 0.91‐0.72 (m, 3H), 0.63‐0.37 (m, 10H), 0.13 (s, 78H).

[化學式51]

[化合物16D之合成] 在氮氣環境下，於1,18-十八烷二醇(2.5g)中加入氫溴酸(20mL)、己烷(20mL)，在70℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，加入化合物15A之THF溶液(0.80M)(40mL)、氯化銅(II)(0.10g)，在60℃下攪拌2小時。加入鹽酸後，以己烷進行萃取。再次減壓餾去低沸點成分。於所得化合物中加入甲磺醯氯(2.3g)、三乙胺(4.1g)、二氯甲烷(20g)，在25℃下攪拌2小時。加入鹽酸並以二氯甲烷進行萃取後，減壓餾去低沸點成分。於所得化合物中加入DMF(20mL)、疊氮化鈉(1.5g)，在80℃下攪拌2小時。 加入水並以己烷萃取後，減壓餾去低沸點成分。進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得1.8g之化合物16A。化合物16A之結構係由以下NMR數據確認。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.80 (ddt, J = 16.7, 10.5, 7.4 Hz, 3H), 5.16‐4.89 (m, 6H), 3.25 (t, J = 7.0 Hz, 2H), 1.98 (dt, J = 7.4, 1.3 Hz, 6H), 1.68‐1.56 (m, 2H), 1.26 (s, 34H).

[化學式52]

在氮氣環境下，於化合物16A(1.8g)中加入THF(20mL)、鋁氫化鋰之THF溶液(2.0M)(6.4mL)，在25℃下攪拌16小時。加入氫氧化鈉水溶液並將析出之固體過濾後，減壓餾去低沸點成分。進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：二氯甲烷/甲醇)，藉此獲得1.52g之化合物16B。化合物16B之結構係由以下NMR數據確認。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.80 (ddt, J = 16.6, 10.6, 7.4 Hz, 3H), 5.12‐4.93 (m, 6H), 2.79‐2.55 (m, 2H), 1.98 (dt, J = 7.3, 1.3 Hz, 6H), 1.26 (s, 36H).

[化學式53]

在氮氣環境下，於羧酸末端聚二甲基矽氧烷(n之平均值為10，與羧酸連結之伸烷基的碳數為10)(1.0g)中加入二氯甲烷(20mL)、草醯氯(1.3g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，加入化合物16B(0.40g)與二氯甲烷(20mL)、三乙胺(0.70g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得0.72g之化合物16C。化合物16C之結構係由以下NMR數據確認。化合物16C中，n之平均值為10。 此外，羧酸末端聚二甲基矽氧烷之合成係以與後述化合物21C相同方法來進行。藉由變更六甲基環三矽氧烷之添加量來控制n之平均值。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.73 (ddt, J = 16.6, 10.5, 7.4 Hz, 3H), 5.29 (s, 1H), 5.05 - 4.77 (m, 6H), 3.16 (q, J = 6.7 Hz, 2H), 2.07 (t, J = 7.7 Hz, 2H), 1.90 (dt, J = 7.4, 1.3 Hz, 6H), 1.67‐0.93 (m, 56H), 0.93‐0.71 (m, 3H), 0.53‐0.34 (m, 4H), 0.05 (s, 66H).

[化學式54]

將化合物16C(0.72g)溶解於1,3-雙三氟甲基苯(2.0mL)中，並加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量：3質量%，15µL)、苯胺(4.8µL)、三甲氧基矽烷(0.30g)，在40℃下攪拌2小時後，減壓餾去溶劑，藉此獲得0.75g之化合物16D。化合物16D之結構係由以下NMR數據確認。化合物16D中，n之平均值為10。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.30 (s, 1H), 3.49 (s, 27H), 3.16 (q, J = 6.7 Hz, 2H), 2.07 (t, J = 7.7 Hz, 2H), 1.66‐0.88 (m, 68H), 0.81 (td, J = 6.3, 5.6, 1.8 Hz, 3H), 0.61‐0.36 (m, 10H), -0.07 (s, 66H).

[化學式55]

[化合物21E之合成] 在氮氣環境下，於苄基 十一-10-烯酸酯(4.4g)、甲苯(5.0mL)，氯二甲基矽烷(2.7mL)之混合物中加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(鉑含量：3質量%，0.10mL)並攪拌1小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分，藉此獲得5.9g之化合物21A。化合物21A之結構係由以下NMR數據確認。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 7.42‐7.32 (m, 5H), 5.14 (s, 2H), 1.73‐1.59 (m, 2H), 1.51‐1.20 (m, 16H), 0.89‐0.79 (m, 2H), 0.43 (s, 6H).

[化學式56]

在氮氣環境下，在三口燒瓶中加入THF(20mL)，冷卻至0℃並滴下n-BuLi之己烷溶液(1.6M，5.0mL)。滴下六甲基環三矽氧烷之THF溶液(1.0M，24mL)，攪拌5小時。之後，加入化合物21A(5.9g)並攪拌5小時。減壓餾去低沸點成分，於反應液中依序加入己烷、離子交換水，以己烷進行萃取並以水與飽和食鹽水洗淨有機層後，以硫酸鎂進行乾燥。過濾固體，減壓餾去溶劑與低沸點成分並以甲醇洗淨，藉此獲得3.2g之化合物21B。化合物21B之結構係由以下NMR數據確認。化合物21B中，n之平均值為12。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 7.43‐7.28 (m, 5H), 5.11 (s, 2H), 2.35 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 1.71‐1.53 (m, 4H), 1.38‐1.16 (m, 16H), 0.88 (t, J = 6.7 Hz, 3H), 0.58‐0.47 (m, 4H), 0.27‐0.15 (m, 78H).

[化學式57]

將化合物21B(3.2g)、10%鈀-碳(50%含水，320mg)及THF(15mL)之混合物在氫氣環境下在25℃下攪拌4小時。過濾出不溶解物並在減壓下餾去濾液之溶劑，藉此獲得2.9g之化合物21C的粗產物。

[化學式58]

將化合物21C之粗產物(1.5g)、2-(十一-10-烯-1-基)十三-12-烯-1-胺(660mg)、三乙胺(0.70mL)溶解於THF(30mL)中，在25℃下加入1-丙烷異亞磷酸酐之乙酸乙酯溶液(50質量%，1.5mL)，並在25℃下攪拌16小時。於反應液中依序加入離子交換水，以乙酸乙酯進行萃取並以2N鹽酸、飽和小蘇打水及飽和食鹽水洗淨有機層後，以硫酸鎂進行乾燥。減壓餾去溶劑與低沸點成分，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得1.3g之化合物21D。化合物21D之結構係由以下NMR數據確認。化合物21D中，n之平均值為12。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.81 (ddt, J = 16.9, 10.2, 6.7 Hz, 2H), 5.42‐5.27 (m, 1H), 5.05 - 4.85 (m, 4H), 3.19 (t, J = 5.9 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 2.09‐1.98 (m, 4H), 1.63 (d, J = 7.4 Hz, 3H), 1.27 (s, 50H), 0.97‐0.84 (m, 3H), 0.60‐0.47 (m, 4H), 0.25‐0.15 (m, 78H).

[化學式59]

將化合物21D(1.2g)溶解於1,3-雙三氟甲基苯(1.4mL)中，並加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量：3質量%，15µL)、苯胺(4.8µL)、三甲氧基矽烷(0.55mL)，在40℃下攪拌2小時後，減壓餾去溶劑，藉此獲得1.3g之化合物21E。化合物21E之結構係由以下NMR數據確認。化合物21E中，n之平均值為12。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.36 (s, 1H), 3.57 (s, 18H), 3.18 (t, J = 5.9 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 1.69‐1.56 (m, 3H), 1.52‐1.11 (m, 58H), 0.92 - 0.84 (m, 3H), 0.69‐0.59 (m, 4H), 0.58‐0.46 (m, 4H), 0.26‐0.17 (m, 78H).

[化學式60]

[化合物22B之合成] 在氮氣環境下，於羧酸末端聚二甲基矽氧烷(n之平均值為16，與羧酸連結之伸烷基的碳數為10；Gelest, Inc.製，製品編號：MCR-B12)(5.0g)中加入二氯甲烷(20mL)、草醯氯(1.3g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，加入2-(十一-10-烯-1-基)十三-12-烯-1-胺(2.3g)與二氯甲烷(20mL)、三乙胺(0.70g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得2.8g之化合物22A。化合物22A之結構係由以下NMR數據確認。化合物22A中，n之平均值為16。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.74 (ddt, J = 16.9, 10.2, 6.7 Hz, 2H), 5.24 (t, J = 5.7 Hz, 1H), 5.04‐4.76 (m, 4H), 3.11 (t, J = 6.0 Hz, 2H), 2.17‐2.04 (m, 2H), 2.04‐1.87 (m, 4H), 1.61‐1.51 (m, 2H), 1.47‐1.04 (m, 51H), 0.93‐0.75 (m, 3H), 0.55‐0.36 (m, 4H), 0.07 (s, 102H).

[化學式61]

將化合物22A(1.0g)溶解於1,3-雙三氟甲基苯(2.0mL)中，並加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量：3質量%，15µL)、苯胺(4.8µL)、三甲氧基矽烷(0.31g)，在40℃下攪拌2小時後，減壓餾去溶劑，藉此獲得1.1g之化合物22B。化合物22B之結構係由以下NMR數據確認。化合物22B中，n之平均值為16。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.31‐5.16 (m, 1H), 3.50 (s, 18H), 3.11 (t, J = 6.0 Hz, 2H), 2.15‐2.02 (m, 2H), 1.66‐0.89 (m, 61H), 0.90‐0.73 (m, 3H), 0.66‐0.52 (m, 4H), 0.46 (ddd, J = 12.6, 7.0, 3.2 Hz, 4H), 0.07 (s, 102H).

[化學式62]

[化合物23A之合成] 除了將羧酸末端聚二甲基矽氧烷變更成n之平均值為23且與羧酸連結之伸烷基之碳數為10的化合物外，以與21E相同方法而獲得0.40g之下述化合物23A。化合物23A之結構係由以下NMR數據確認。化合物23A中，n之平均值為23。 此外，羧酸末端聚二甲基矽氧烷之合成係以與化合物21C相同方法來進行。藉由變更六甲基環三矽氧烷之添加量來控制n之平均值。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.36 (s, 1H), 3.57 (s, 18H), 3.18 (t, J = 5.9 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 1.69‐1.56 (m, 3H), 1.52‐1.11 (m, 58H), 0.92‐0.84 (m, 3H), 0.69‐0.59 (m, 4H), 0.58‐0.46 (m, 4H), 0.26‐0.17 (m, 144H).

[化學式63]

[化合物24A之合成] 除了將羧酸末端聚二甲基矽氧烷變更成n之平均值為38且與羧酸連結之伸烷基之碳數為10的化合物外，以與化合物21E相同方法而獲得0.63g之化合物24A。化合物24A之結構係由以下NMR數據確認。化合物24A中，n之平均值為38。 此外，羧酸末端聚二甲基矽氧烷之合成係以與化合物21C相同方法來進行。藉由變更六甲基環三矽氧烷之添加量來控制n之平均值。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.36 (s, 1H), 3.57 (s, 18H), 3.18 (t, J = 5.9 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 1.69‐1.56 (m, 3H), 1.52‐1.11 (m, 58H), 0.92‐0.84 (m, 3H), 0.69‐0.59 (m, 4H), 0.58‐0.46 (m, 4H), 0.26‐0.17 (m, 234H).

[化學式64]

[化合物25A之合成] 除了將羧酸末端聚二甲基矽氧烷變更成n之平均值為48且與羧酸連結之伸烷基之碳數為10的化合物外，以與化合物21E相同方法而獲得0.70g之化合物25A。化合物25A之結構係由以下NMR數據確認。化合物25A中，n之平均值為48。 此外，羧酸末端聚二甲基矽氧烷之合成係以與化合物21C相同方法來進行。藉由變更六甲基環三矽氧烷之添加量來控制n之平均值。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.36 (s, 1H), 3.57 (s, 18H), 3.18 (t, J = 5.9 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 1.69 - 1.56 (m, 3H), 1.52 - 1.11 (m, 58H), 0.92 - 0.84 (m, 3H), 0.69 - 0.59 (m, 4H), 0.58 - 0.46 (m, 4H), 0.26 - -0.17 (m, 294H) .

[化學式65]

[化合物26A之合成] 除了將羧酸末端聚二甲基矽氧烷變更成n之平均值為120且與羧酸連結之伸烷基之碳數為10的化合物外，以與化合物21E相同方法而獲得1.0g之化合物26A。化合物26A之結構係由以下NMR數據確認。化合物26A中，n之平均值為120。 此外，羧酸末端聚二甲基矽氧烷之合成係以與化合物21C相同方法來進行。藉由變更六甲基環三矽氧烷之添加量來控制n之平均值。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.42‐5.27 (m, 1H), 3.57 (s, 18H), 3.18 (t, J = 5.9 Hz, 2H), 2.16 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 1.69‐1.56 (m, 3H), 1.52‐1.11 (m, 58H), 0.92 - 0.84 (m, 3H), 0.69‐0.59 (m, 4H), 0.58‐0.46 (m, 4H), 0.26‐0.17 (m, 726H).

[化學式66]

[化合物27D之合成] 在氮氣環境下，在100mL燒瓶中加入2,3,4,5,6-五氟苯酚(6.8g)、THF(42mL)、三乙胺(5.1g)並在25℃下攪拌。於反應混合物滴下10-十一烯醯氯(5.0g)後，攪拌1小時。過濾反應液並減壓餾去溶劑與低沸點成分，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得7.9g之化合物27A。化合物27A之結構係由以下NMR數據確認。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ5.74(ddt, J = 16.9, 10.2, 6.6 Hz, 1H), 5.05‐4.77(m, 2H), 2.59(t, J = 7.4 Hz, 2H), 1.97(q, J = 7.1 Hz, 2H), 1.70(p, J = 7.4 Hz, 2H), 1.42‐1.08(m, 10H).

[化學式67]

在氮氣環境下，在200mL燒瓶中於化合物27A(5.6g)、THF(5.0mL)、氯二甲基矽烷(2.3g)之混合物中加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(鉑含量：3質量%，0.10mL)，攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分，藉此獲得7.2g之化合物27B。化合物27B之結構係由以下NMR數據確認。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 2.63 (t,J = 7.4 Hz, 2H), 1.74(p, J = 7.4 Hz,2H), 1.46 - 1.17(m, 14H), 0.90 - 0.69(m, 2H), 0.37(s, 6H).

[化學式68]

在氮氣環境下，在三口燒瓶中加入三級丁基二甲基矽烷醇(2.5g)、THF(92mL)並攪拌。冷卻至0℃並滴下n-BuLi己烷溶液(1.6M，11mL)。滴下六甲基環三矽氧烷之THF溶液(1.1M，19mL)，並進一步滴下六甲基環三矽氧烷之THF溶液(1.1M，100mL)，攪拌7小時。之後，加入化合物27B(15g)並攪拌1小時後，加入2-(十一-10-烯-1-基)十三-12-烯-1-胺(15g)並攪拌1小時。於反應液中依序加入己烷、離子交換水，進行分液而分出有機層。減壓餾去溶劑與低沸點成分後，進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得4.5g之化合物27C。化合物27C之結構係由以下NMR數據確認。化合物27C中，n之平均值為23。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.81 (ddt, J = 16.9, 10.2, 6.7 Hz, 2H), 5.24(t, J = 5.7 Hz, 1H), 5.08-4.84 (m, 4H), 3.19 (t, J = 6.0 Hz, 2H), 2.31-2.11 (m, 2H), 2.08-1.92 (m, 4H), 1.63 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 1.46-0.98 (m, 47H), 0.80 (s, 9H), 0.53 (t, J = 7.7 Hz, 2H), 0.09 (s, 144H).

[化學式69]

於溶解於二氯甲烷(1.5g)中之化合物27C(1.0g)中加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液(鉑含量：3質量%，7.7mg)、苯胺(1.2mg)、三甲氧基矽烷(0.12g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑，藉此獲得0.69g之化合物27D。化合物27D之結構係由以下NMR數據確認。化合物27D中，n之平均值為23。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.24(t, J = 5.7 Hz, 1H), 3.57 (s, 18H), 3.18 (t, J = 6.0 Hz, 2H), 2.31‐2.11 (m, 2H), 1.64‐1.25 (m, 57H), 0.80 (s, 9H), 0.63‐0.46 (m, 4H), 0.52 (t, J = 7.7 Hz, 2H), 0.09 (s, 144H).

[化學式70]

[化合物31D之合成] 在50mL小玻璃瓶(Vial)中加入末端SiH之聚二甲基矽氧烷(Gelest, Inc.，MCR-H21，6.0g)、甲苯(12mL)、高烯丙醇(0.17g)、鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(鉑含量：3質量%，0.16g)，在80℃下攪拌12小時。加熱結束後，減壓餾去溶劑與低沸點成分並以甲醇(30mL)洗淨。進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得2.0g之化合物31A。化合物31A中，n之平均值為39。

[化學式71]

在50mL小玻璃瓶中加入化合物31A(2.0g)、二氯甲烷(2.0g)、吡啶(0.023mL)、三氟甲磺酸酐(0.078mL)，在25℃下攪拌15小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分，使其溶解於二氯甲烷中並進行短柱層析法。將餾出液濃縮，藉此獲得1.72g之化合物31B。化合物31B中，n之平均值為39。

[化學式72]

在氮氣環境下，在50mL之舒倫克管中加入化合物31B(1.2g)、THF(2.0mL)、氯化銅(II)(0.012g)、化合物15A，在25℃下攪拌5分鐘。減壓餾去溶劑與低沸點成分，使其溶解於二氯甲烷中並進行短柱層析法。將餾出液濃縮，以甲醇(10mL)洗淨並再次濃縮，藉此獲得0.39g之化合物31C。化合物31C之結構係由以下NMR數據確認。化合物31C中，n之平均值為39。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 5.80 (ddt, J = 16.5, 10.5, 7.4 Hz, 3H), 5.28‐4.90 (m, 6H), 1.98 (dt, J = 7.4, 1.2 Hz, 6H), 1.46‐1.09 (m, 12H), 0.97‐0.79 (m, 3H), 0.62‐0.44 (m, 4H), 0.07 (s, 240H).

[化學式73]

於溶解於1,3-三氟甲基苯(0.20g)中之化合物31C(0.20g)中加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(鉑含量：3質量%，3.5mg)、苯胺(0.50mg)、三甲氧基矽烷(0.050g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑，藉此獲得0.22g之化合物31D。化合物31D之結構係由以下NMR數據確認。化合物31D中，n之平均值為39。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 3.56 (s, 27H), 1.42‐1.04 (m, 24H), 0.97‐0.79 (m, 3H), 0.73‐0.45 (m, 10H), 0.07 (s, 240H).

[化學式74]

[化合物32B之合成] 在氮氣環境下，在50mL之舒倫克管中加入末端乙烯基之聚二甲基矽氧烷(Gelest, Inc.，MCR-V21，6.0g)、THF(6.0mL)、三氯矽烷(1.5g)、鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(鉑含量：3質量%，0.060g)，在25℃下攪拌62小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分，加入THF(6.0mL)並冷卻至4℃。對其加入烯丙基溴化鎂之THF溶液，升溫至25℃並攪拌2小時。減壓餾去溶劑與低沸點成分，以甲醇(30mL)洗淨。進行使用矽膠之快速管柱層析術(展開溶劑：己烷/乙酸乙酯)，藉此獲得2.6g之化合物32A。化合物32A中，n之平均值為116。

[化學式75]

於溶解於1,3-三氟甲基苯(0.50g)中之化合物32A(0.50g)中加入鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(鉑含量：3質量%，3.5mg)、苯胺(0.50mg)、三甲氧基矽烷(0.050g)，在25℃下攪拌2小時。減壓餾去溶劑，藉此獲得0.53g之化合物32B。化合物32B之結構係由以下NMR數據確認。化合物32B中，n之平均值為116。

¹H-NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 3.56 (s, 27H), 1.51‐1.19 (m, 10H), 0.97‐0.79 (m, 3H), 0.79‐0.50 (m, 18H), 0.07 (s, 702H).

[化學式76]

接著，使用上述化合物11B、12A、13A、14A、15F、16D、21E、22B、23A、24A、25A、26A、27D、31D、32B及化合物4以及5對基材進行表面處理。表面處理方法係使用濕式塗覆法。基材係使用化學強化玻璃。

＜濕式塗覆法＞ 於真空蒸鍍裝置(Ulvac Kiko, Inc.製VTR-350M)內之銅製爐床中配置氧化矽30g作為蒸鍍源。於真空蒸鍍裝置內配置基材，並將真空蒸鍍裝置內排氣至達5×10 ^-3Pa以下之壓力為止。將上述爐床加熱至約2,000℃，使氧化矽真空蒸鍍至基材表面。藉此，於基材上形成有厚度約20nm之氧化矽層。

將形成有氧化矽層之基材以氧化矽層成為表面之方式設置於噴霧塗佈機(API Corporation製API―90RS)之試樣台上。接著，將各化合物之0.2質量%庚烷溶液13g投入噴霧塗佈機內之注射器中，以霧化壓力130kPa、噴嘴―試樣表面間之距離50mm、掃描速度300mm/秒進行噴霧塗佈。之後，將經塗佈之基材在140℃下進行加熱處理30分鐘。藉此，獲得於氧化矽層表面具有表面處理層之物品。

針對藉由濕式塗覆法所得之物品進行撥水性及耐磨耗性之評估。撥水性及耐磨耗性之評估方法如上述。

將評估結果顯示於表2。表2中，當化合物包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基或反應性矽基時記載為「Y」，化合物不包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基或反應性矽基時則記載為「N」。且，n意指有機聚矽氧烷殘基之重複數n。

例11~16、例21~27、例31及32為實施例，例33及34為比較例。

[表2]

如表2所示可知，例11~16、例21~27、例31及32之化合物包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基及反應性矽基，因此可形成撥水性及耐磨耗性優異之表面處理層。 另一方面，例33及34之化合物不包含碳數2以上之烷基，可知耐磨耗性差。

產業上之可利用性 本揭示化合物可有效作為表面處理劑。表面處理劑例如可對觸控面板顯示器等顯示裝置、光學元件、半導體元件、建築材料、汽車零件、奈米壓印技術等中之基材使用。又，表面處理劑可對電車、汽車、船舶、航空機等運輸機器中之艙體、窗戶玻璃(擋風玻璃、側玻璃、後擋風玻璃)、後視鏡、保險桿等使用。並且，表面處理劑可對以下物體使用：建築物外牆、帳篷、太陽能發電模組、隔音板、混凝土等戶外物品；及，漁網、捕蟲網、水槽。又，表面處理劑可對以下物體使用：廚房、浴室、盥洗台、鏡子、盥洗室周邊零件；枝形吊燈、瓷磚等之陶瓷器；及，人造大理石、空氣調節器等之各種室內設備。又，表面處理劑亦可作為工廠內之治具、內壁、配管等之防污處理使用。又，表面處理劑可對護目鏡、眼鏡、頭盔、彈珠機、纖維、傘、遊樂器具、足球使用。又，表面處理劑亦可作為食品用包材、化妝品用包材、罐子之內部等各種包材之抗附著劑使用。又，表面處理劑可對以下諸等光學構件使用：汽車導航、行動電話、智慧型手機、數位相機、數位視訊攝影機、PDA、可攜式聲訊播放機、汽車音響、遊戲機、眼鏡鏡片、相機鏡頭、透鏡濾光片、太陽眼鏡、胃鏡等醫療用器具、影印機、PC、顯示器(例如，液晶顯示器、有機EL顯示器、電漿顯示器、觸控面板顯示器)、觸控面板、保護薄膜及抗反射薄膜。

(無)

Claims (14)

1. 一種化合物，包含碳數2以上之烷基、有機聚矽氧烷殘基及反應性矽基。
2. 如請求項1之化合物，其中反應性矽基為2個以上。
3. 如請求項1或2之化合物，其係以下述式1表示： (T-Z) _pA(Si(R ¹) _nL _3-n) _q…　　(1) 式1中，T為碳數2以上之烷基，Z為2價有機聚矽氧烷殘基，A為單鍵或p+q價連結基，R ¹各自獨立為1價烴基，L各自獨立為水解性基或羥基，n為0~2之整數，p及q各自獨立為1以上之整數。
4. 如請求項3之化合物，其中前述T為碳數4~22之烷基。
5. 如請求項3或4之化合物，其中前述Z係以下述式B1表示； 式B1中，R ³各自獨立為烴基，k1為1以上之整數； 。
6. 如請求項5之化合物，其中前述式B1中，k1為3~500。
7. 一種組成物，包含如請求項1至6中任一項之化合物與液態介質。
8. 一種表面處理劑，包含如請求項1至6中任一項之化合物。
9. 一種表面處理劑，包含如請求項1至6中任一項之化合物與液態介質。
10. 如請求項8或9之表面處理劑，其係用於光學構件。
11. 一種物品之製造方法，係使用如請求項8或9之表面處理劑對基材進行表面處理而製造於基材上形成有表面處理層之物品。
12. 一種物品，包含基材與表面處理層，該表面處理層係配置於前述基材上且經以如請求項8之表面處理劑進行表面處理。
13. 如請求項12之物品，其係光學構件。
14. 如請求項12之物品，其係顯示器或觸控面板。