TW202343852A - 發光裝置、發光裝置製作方法及發光裝置修補方法 - Google Patents

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Abstract

本申請提供一種發光裝置，包括：基板；間隔層，設置於基板上且位於基板的一側；複數連接墊，設置於間隔層遠離基板的一側；複數發光二極體，每一發光二極體設置於一個連接墊上；以及複數黏合塊，每一黏合塊設置於一個發光二極體和一個連接墊之間，用於將發光二極體綁定在連接墊上；其中，間隔層上開設有複數凹槽，每一凹槽對應一個連接墊設置，凹槽包括貫穿間隔層遠離基板的表面的開口，開口在間隔層上的位置被設置為使黏合塊在熔化時能夠藉由開口流入凹槽中。本申請還提供一種發光裝置製作方法和一種發光裝置修補方法。

Description

發光裝置、發光裝置製作方法及發光裝置修補方法
本申請涉及顯示領域，尤其涉及一種發光裝置、一種發光裝置製作方法和一種發光裝置修補方法。
習知的發光裝置修補方法，通常為直接使用雷射照射發光二極體，使得用於綁定發光二極體的黏合膠失效後再將發光二極體剝離。然而，由於發光二極體設置在雷射源和黏合膠之間，在解除綁定的過程中發光二極體會吸收大量的熱量，不但消耗的能量高，而且較高的熱量很容易造成發光裝置的損傷。並且，當發光裝置設置有覆蓋黏合膠的保護層後，由於黏合膠被保護層密封，在雷射照射黏合膠時，需要提供將黏合膠汽化的能量，才能進行剝離發光二極體的步驟，在此過程中黏合膠還會吸熱發生膨脹，進一步導致發光裝置的損傷。
本申請第一方面提供一種發光裝置，包括： 基板； 間隔層，設置於所述基板上且位於所述基板的一側； 複數連接墊，設置於所述間隔層遠離所述基板的一側； 複數發光二極體，每一所述發光二極體設置於一個所述連接墊上；以及 複數黏合塊，每一所述黏合塊設置於一個所述發光二極體和一個所述連接墊之間，用於將所述發光二極體綁定在所述連接墊上； 其中，所述間隔層上開設有複數凹槽，每一所述凹槽對應一個所述連接墊設置，所述凹槽包括貫穿所述間隔層遠離所述基板的表面的開口，所述開口在所述間隔層上的位置被設置為使所述黏合塊在熔化時能夠藉由所述開口流入所述凹槽中。
在一實施例中，所述黏合塊至少部分覆蓋所述開口。
在一實施例中，所述間隔層包括至少一導電層、至少一絕緣層，所述導電層形成導電線路，所述絕緣層用於將所述至少一導電層與所述連接墊進行電隔離。
在一實施例中，所述至少一導電層包括第一導電層，設置於所述基板上，所述第一導電層形成的所述導電線路分別與複數所述連接墊電連接；所述至少一絕緣層包括第一絕緣層，設置於所述第一導電層遠離所述基板的一側。
在一實施例中，所述間隔層還包括：第二導電層，設置於所述第一絕緣層遠離所述第一導電層的一側，所述第二導電層形成的所述導電線路分別與複數所述連接墊電連接；以及第二絕緣層，設置於所述第二導電層遠離所述第一絕緣層的一側。
在一實施例中，所述凹槽包括連接孔和容納腔，所述容納腔與所述第一導電層同層設置，所述連接孔從所述間隔層遠離所述基板的一側貫穿所述間隔層以連通至所述容納腔，所述連接孔在所述間隔層遠離所述基板的一側上形成所述開口。
在一實施例中，所述發光裝置還包括保護層，所述保護層設置於所述間隔層遠離所述基板的一側，並至少覆蓋所述複數黏合塊未被所述發光二極體覆蓋的部分。
在一實施例中，所述發光裝置用於液晶顯示裝置的背光源、自發光顯示裝置的顯示面板或者照明裝置的其中一種。
本申請實施例提供的發光裝置，藉由在間隔層上對應每一連接墊開設一凹槽，並藉由設置凹槽開口的位置能夠使熔化後的黏合塊經由開口流入凹槽中，從而使發光二極體與連接墊之間解除綁定。相較於習知之發光裝置，避免了雷射需要穿透發光二極體進行照射，或者需要將黏合塊加熱至汽化，從而有利於節省能量；熔化後的黏合塊從開口流入凹槽中，可以避免黏合塊重新凝固綁定發光二極體，或者避免在黏合塊被保護層覆蓋時受熱膨脹導致發光裝置損傷。
本申請第二方面提出一種發光裝置製作方法，包括： 在基板上設置間隔層，並在所述間隔層上開設複數凹槽，所述凹槽包括貫穿所述間隔層遠離所述基板的表面的開口； 在所述間隔層上對應每一凹槽設置一連接墊； 在所述連接墊上設置黏合塊，使得所述黏合塊至少部分覆蓋所述開口； 將發光二極體藉由所述黏合塊綁定在所述連接墊上。
在一實施例中，在基板上設置間隔層包括在所述基板上設置至少一導電層、至少一絕緣層，所述導電層形成導電線路，所述絕緣層用於將所述導電層與所述連接墊進行電隔離。
在一實施例中，在基板上設置間隔層，並在所述間隔層上開設複數凹槽的步驟包括： 在所述基板上圖案化第一導電層和複數佔位塊； 設置第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一導電層和所述複數佔位塊； 在所述第一絕緣層上開設複數蝕刻孔，使得每一所述佔位塊經由所述蝕刻孔裸露； 蝕刻所述複數佔位塊，以形成複數容納腔； 設置平坦化層，所述平坦化層設置於所述第一絕緣層遠離所述基板的一側； 在所述平坦化層上開設複數連接孔，使得每一所述連接孔連通一個所述容納腔以形成所述凹槽。
在一實施例中，蝕刻所述複數佔位塊，以形成複數容納腔的步驟還包括： 在所述第一絕緣層上依次覆蓋金屬層和圖案化的光阻層； 蝕刻所述金屬層和所述光阻層，以形成圖案化的第二導電層； 設置第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第二導電層。
在一實施例中，將發光二極體藉由所述黏合塊綁定在所述連接墊上的步驟之後，還包括：設置保護層，所述保護層至少覆蓋所述複數黏合塊未被所述發光二極體覆蓋的部分。
本申請實施例提供的發光裝置製作方法，藉由在間隔層上開設凹槽，有利於在修補發光裝置時為熔化的黏合塊提供容置空間，便於解除發光二極體與連接墊之間的綁定，避免使用雷射直接照射發光二極體或者將黏合塊加熱到汽化，有利於降低能耗。
本申請第三方面提出一種發光裝置修補方法，用於修補上述發光裝置，包括： 使用雷射照射所述黏合塊，使得所述黏合塊熔化並流入所述凹槽中； 從所述連接墊上移除所述發光二極體。
本申請實施例提供的發光裝置修補方法，藉由使用雷射照射黏合塊，可以使黏合塊熔化並流入凹槽中，從而解除發光二極體與連接墊之間的綁定關係，可以避免使用雷射直接照射發光二極體，或者使用雷射將黏合塊加熱到汽化，有利於降低能耗。
下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。
除非另有定義，本申請所使用的所有的技術和科學術語與屬於本申請的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。在本申請的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在於限制本申請。
為能進一步闡述本發明達成預定目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施方式，對本申請作出如下詳細說明。
本申請實施例第一方面提供一種發光裝置，請參閱圖1，發光裝置100包括：基板10、間隔層30、複數連接墊50、複數黏合塊70以及複數發光二極體90。其中，間隔層30設置於基板10上且位於基板10的一側。連接墊50設置於間隔層30遠離基板10的一側，每一發光二極體90設置於一個連接墊50上，每一黏合塊70設置於一個發光二極體90和一個連接墊50之間，用於將發光二極體90綁定在連接墊50上。間隔層30上開設有複數凹槽32，每一凹槽32對應一個連接墊50設置，凹槽32包括貫穿間隔層30遠離基板10一側的表面351的開口322，開口322在間隔層30上的位置被設置為使黏合塊70在熔化時能夠藉由開口322流入凹槽32中。
在本實施例中，複數連接墊50在間隔層30遠離基板10的一側陣列排列，每一發光二極體90藉由一個黏合塊70與一連接墊50綁定，從而形成發光二極體陣列。
在本實施例中，間隔層30包括至少一導電層31和至少一絕緣層33，導電層31形成導電線路，絕緣層33用於將導電層31與連接墊50進行電隔離。一實施例中，間隔層30包括第一導電層311、第一絕緣層331、第二導電層313和第二絕緣層333。其中，第一導電層311設置於基板10上，第一導電層311形成的導電線路分別與複數連接墊50電連接（圖未示），具體的電連接方式可以為在間隔層30上開設填充有導電材料的導電孔，從而使第一導電層311與連接墊50電連接，或者可以為其他本領域習知手段，本申請對此不做限制。
在本實施例中，第一絕緣層331設置於第一導電層311遠離基板10的一側，用於防止第一導電層311形成的導電線路之間發生短路。第二導電層313設置於第一絕緣層331遠離第一導電層311的一側，第二導電層313形成的導電線路分別與複數連接墊50電連接。第二絕緣層333設置於第二導電層313遠離第一絕緣層331的一側。第一導電層311和第二導電層313分別與複數連接墊50電連接，從而用於向每一發光二極體90傳遞電訊號。在其他實施例中，間隔層30還可以僅包括一組導電層31和絕緣層33，或者可以包括三組或以上的導電層31和絕緣層33，本申請對此不做限制。藉由增加導電層31和絕緣層33的數量，可以增加間隔層30的厚度，從而有利於增加凹槽32的深度，進而增加凹槽32的容納體積，以便於更好的容納熔化後的黏合塊70。
在本實施例中，間隔層30還包括平坦化層35，平坦化層35設置於第二絕緣層333遠離基板10的一側。具體來說，間隔層30還包括複數薄膜晶體管（圖未示），每一薄膜晶體管形成於一組導電層31和絕緣層33之間，對應一個連接墊50設置，用於控制導電層31向連接墊50傳輸的電訊號的強度，從而控制發光二極體90的開關或者發光二極體90的亮度，平坦化層35用於覆蓋第二導電層313和第二絕緣層333上形成的複數薄膜晶體管，在起到保護作用的同時，還可以使間隔層30遠離基板10的一側保持平整，便於設置連接墊50。平坦化層35的材料可以為光刻膠、醯亞胺、氧化矽等。
在本實施例中，發光二極體90可以為垂直式發光二極體，也即發光二極體90包括設置於靠近基板10一側的第一電極和設置於遠離基板10一側的第二電極（圖未示）。其中，第一電極經由黏合塊70與連接墊50電連接，從而可以接收導電層31向連接墊50傳輸的電訊號。當發光二極體90的第二電極與第一電極之間形成電壓差時，發光二極體90可以在電壓差的作用下發光。
在其他實施例中，發光二極體90還可以為正裝式發光二極體或倒裝式發光二極體。具體來說，當發光二極體90為正裝式發光二極體時，發光二極體90的兩個電極（第一電極和第二電極）均朝向遠離基板10的一側設置，此時間隔層30可以不包括導電層31，發光裝置100上包括設置於複數發光二極體90遠離基板10一側的走線層，用於對每一發光二極體90供電。當發光二極體90為倒裝式發光二極體時，發光二極體90的兩個電極（第一電極和第二電極）均朝向靠近基板10的一側設置，此時發光二極體90的每一電極分別與一連接墊50綁定，以用於向每一發光二極體90傳輸電訊號。
在本實施例中，發光二極體90可以為微型發光二極體或迷你發光二極體，其中，微型發光二極體的尺寸約為1μm~100μm，迷你發光二極體的尺寸約為100μm~200μm。發光裝置100可以應用於液晶顯示裝置的背光光源、自發光顯示裝置的顯示面板或者如舞檯燈、滅蚊燈等照明裝置，本申請對發光裝置100的應用環境不做限制。
在本實施例中，凹槽32包括連接孔321和容納腔323，其中，容納腔323與第一導電層311同層設置，連接孔321從間隔層30遠離基板10的一側貫穿間隔層30以連通容納腔323，連接孔321在間隔層30遠離基板10的一側上形成開口322。具體來說，容納腔323為一與第一導電層311同層設置的空腔，用於容納熔化後的黏合塊70，連接孔321用於連通容納腔323和間隔層30遠離基板10一側的表面351，從而引導熔化後的黏合塊70從開口322處流入凹槽32中。在其他實施例中，凹槽32還可以僅包括連接孔321。
在本實施例中，連接墊50完全不覆蓋開口322，具體來說，開口322在基板10上的投影可以與連接墊50在基板10上的投影相切，也可以完全不與連接墊50在基板10上的投影重合，使得黏合塊70熔化時，流體狀態下的黏合塊70可以較快地經過開口322流入凹槽中。在其他實施例中，連接墊50還可以部分覆蓋開口322，使得黏合塊70熔化後完全流入凹槽中，避免表面351上存在殘留的黏合塊70。
在本實施例中，黏合塊70至少部分覆蓋開口322，具體來說，黏合塊70從連接墊50上向開口322所在的方向延伸，並覆蓋到開口322上。
在本實施例中，黏合塊70的材料可以為銀膠、錫膏、環氧樹脂、氧化銦錫或者異方性導電膠等材料。黏合塊70在被雷射照射時，隨著雷射能量的由低到高，黏合塊70吸收的熱量也逐漸升高，當達到一定溫度時，黏合塊70開始熔化，當溫度進一步升高時，黏合塊70會開始汽化。
在另一實施例中，請參閱圖2，發光裝置100還包括保護層80，保護層80設置於間隔層30遠離基板10的一側，且至少覆蓋複數黏合塊70未被發光二極體90覆蓋的部分。具體來說，發光二極體90未完全覆蓋黏合塊70，因此黏合塊70會相對於發光二極體90部分裸露，保護層80用於覆蓋裸露的黏合塊70，從而起到保護作用。
本申請實施例提供的發光裝置100，藉由在間隔層30上對應每一連接墊50開設一凹槽32，並藉由設置凹槽32開口322的位置能夠使熔化後的黏合塊70經由開口322流入凹槽32中，從而使發光二極體90與連接墊50之間接觸綁定。避免了雷射需要穿透發光二極體90進行照射，有利於節約能量。熔化後的黏合塊70從開口322流入凹槽中，再進一步節約能量的同時，還可以避免黏合塊70留到間隔層30的表面上，或者避免在黏合塊70被密封的情況下受熱膨脹導致發光裝置100損傷。
本申請實施例還提供一種發光裝置製作方法，請參閱圖3，其包括： 步驟S1：在基板上設置間隔層，並在所述間隔層上開設複數凹槽，所述凹槽包括貫穿所述間隔層遠離所述基板的表面的開口； 步驟S2：在所述間隔層上對應每一凹槽設置一連接墊； 步驟S3：在所述連接墊上設置黏合塊，使得所述黏合塊至少部分覆蓋所述開口； 步驟S4：將發光二極體藉由所述黏合塊綁定在所述連接墊上。
在本實施例中，步驟S1中的在基板10上設置間隔層30包括在基板10上設置至少一導電層31、至少一絕緣層33，導電層31形成導電線路，絕緣層33用於將導電層31與連接墊50進行電隔離。具體來說，請參閱圖4，步驟S1包括： 步驟S11：在所述基板上圖案化第一導電層和複數佔位塊； 步驟S12：設置第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一導電層和所述複數佔位塊； 步驟S13：在所述第一絕緣層上開設複數蝕刻孔，使得每一所述佔位塊經由所述蝕刻孔裸露； 步驟S14：蝕刻所述複數佔位塊，以形成複數容納腔； 步驟S15：設置平坦化層，所述平坦化層設置於所述第一絕緣層遠離所述基板的一側； 步驟S16：在所述平坦化層上開設複數連接孔，使得每一所述連接孔連通一個所述容納腔以形成所述凹槽。
在本實施例中，請參閱圖5，步驟S11具體為：在基板10上藉由蝕刻、曝光顯影等方式形成圖案化的第一導電層311，也即形成導電線路。佔位塊324可以使用與第一導電層311相同的材質進行設置，也可以採用其他材料進行設置。
在本實施例中，步驟S13開設的蝕刻孔325用於使佔位塊324相對於第一絕緣層331裸露，從而便於進行蝕刻。
在本實施例中，請參閱圖6，步驟S14還包括： 步驟S141：在第一絕緣層上依次覆蓋金屬層和圖案化的光阻層； 步驟S142：蝕刻所述金屬層和所述光阻層，以形成圖案化的第二導電層； 步驟S143：設置第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第二導電層。
在本實施例中，金屬層3131在覆蓋第一絕緣層331的同時覆蓋蝕刻孔325。圖案化的光阻層3132在金屬層3131上規劃出第二導電層的導電線路的位置。藉由蝕刻金屬層3131和光阻層3132，在形成圖案化的第二導電層313的同時，也會蝕刻佔位塊324，從而形成容納腔323。第二絕緣層333覆蓋第二導電層313的同時，也覆蓋複數蝕刻孔325。
在本實施例中，請參閱圖7，步驟S16具體為：從平坦化層35遠離基板10一側的表面351上對準每一容納腔323開設連接孔321，從而將平坦化層35遠離基板10一側的表面351與容納腔323連通。
在本實施中，步驟S2具體為：在表面351上對應每一開口322設置一連接墊50。其中，連接墊50可以完全不覆蓋開口322，從而充分利用開口322，以使熔化後的黏合塊70儘快流入凹槽32中，也可以部分覆蓋開口322，避免熔化後的黏合塊70殘留在表面351上。
在本實施例中，步驟S3具體為：在連接墊50上設置黏合塊70，並使得黏合塊70向開口322的方向延伸並覆蓋開口322，從而未雷射的照射預留空間。
在本實施例中，步驟S4之後，還包括：設置保護層80，保護層80至少覆蓋黏合塊70未被發光二極體90覆蓋的部分。從而保護所述黏合塊70，避免黏合塊70長期接觸外界環境後失去黏性，導致發光二極體90脫落。
本申請實施例提供的發光裝置100製作方法，藉由在形成第一導電層311的同時設置用於形成容納腔323的佔位塊324，並在蝕刻金屬層3131時一併蝕刻佔位塊324，可以將製作凹槽32的工序與常規的發光裝置製造流程結合，優化工序。藉由開設容納腔323，有利於在修補發光裝置100時為熔化的黏合塊70提供容置空間，以利於解除發光二極體90與連接墊50之間的綁定。
本申請實施例還提供一種發光裝置修補方法，用於修補發光裝置100。由於組裝在發光裝置100上的發光二極體90的體積較小（尺寸約為1μm~200μm），通常來說，會採用巨量轉移技術將大量的發光二極體90批量轉移到基板10上，在此過程中，有可能存在部分發光二極體90失效的情況，例如部分發光二極體90本身存在質量問題，或者發光二極體90在轉移的過程中發生錯位，導致接觸不良等。因此在發光裝置100組裝完成後，通常會檢查複數發光二極體90是否會正常發光，並對不能正常發光的發光二極體90進行修補。對發光裝置100的修補通常為拆除或破壞不能正常發光的發光二極體90，再將新的發光二極體90綁定到連接墊50上。
請一併參閱圖1和圖2，發光裝置修補方法包括： 步驟S10：使用雷射照射所述黏合塊，使得所述黏合塊熔化並流入所述凹槽中； 步驟S20：從所述連接墊上移除所述發光二極體。
在本實施例中，雷射可以從黏合塊70遠離基板10的方向發出光線A直接照射黏合塊70，直到黏合塊70熔化並完全流入凹槽32後，移除發光二極體90。在其他實施例中，也可以設置基板10為透明基板，並從基板10遠離凹槽32的一側發出光線B，光線B穿過連接孔321照射到黏合塊70上，從而使黏合塊70熔化，當黏合塊70開始熔化後即可移除發光二極體90。
在本實施例中，步驟S20之後還包括：將新的發光二極體90轉移並綁定在連接墊50上。
本申請實施例提供的發光裝置100修補方法，藉由將熔化後的黏合塊70導入到凹槽32中，可以避免提供較高能量的雷射，從而避免損傷發光裝置100，有利於節約能量。藉由設置基板10為透明基板，可以從基板10遠離間隔層30的一側發射光線B，使得黏合塊70開始熔化時即可從連接墊50遠離間隔層30的一側移除發光二極體90，有利於提高效率。
本領域具有通常知識者應當認識到，以上的實施方式僅是用來說明本發明，而並非用作為對本發明的限定，只要在本發明的實質精神範圍之內，對以上實施例所作的適當改變和變化都落在本發明要求保護的範圍之內。
100:發光裝置 10:基板 30:間隔層 31:導電層 311:第一導電層 313:第二導電層 3131:金屬層 3132:光阻層 32:凹槽 321:連接孔 322:開口 323:容納腔 324:佔位塊 325:蝕刻孔 33:絕緣層 331:第一絕緣層 333:第二絕緣層 35:平坦化層 351:表面 50:連接墊 70:黏合塊 80:保護層 90:發光二極體 A、B:光線 S1、S2、S3、S4、S11、S12、S13、S14、S15、S16:步驟
圖1為本申請一實施例的發光裝置的結構示意圖。
圖2為本申請另一實施例的發光裝置的結構示意圖。
圖3為本申請一實施例的發光裝置製造方法的流程圖。
圖4為圖3中步驟S1的具體方法的流程圖。
圖5為執行圖4中的步驟S13時發光裝置的結構示意圖。
圖6為執行圖4中的步驟S14時發光裝置的結構示意圖。
圖7為執行圖4中的步驟S16時發光裝置的結構示意圖。
100:發光裝置
10:基板
30:間隔層
31:導電層
311:第一導電層
313:第二導電層
32:凹槽
321:連接孔
322:開口
323:容納腔
33:絕緣層
331:第一絕緣層
333:第二絕緣層
35:平坦化層
351:表面
50:連接墊
70:黏合塊
90:發光二極體
A、B:光線

Claims (14)

  1. 一種發光裝置，包括： 基板； 間隔層，設置於所述基板上且位於所述基板的一側； 複數連接墊，設置於所述間隔層遠離所述基板的一側； 複數發光二極體，每一所述發光二極體設置於一個所述連接墊上；以及 複數黏合塊，每一所述黏合塊設置於一個所述發光二極體和一個所述連接墊之間，用於將所述發光二極體綁定在所述連接墊上； 其中，所述間隔層上開設有複數凹槽，每一所述凹槽對應一個所述連接墊設置，所述凹槽包括貫穿所述間隔層遠離所述基板一側的表面的開口，所述開口在所述間隔層上的位置被設置為使所述黏合塊在熔化時能夠藉由所述開口流入所述凹槽中。
  2. 如請求項1所述之發光裝置，其中，所述黏合塊至少部分覆蓋所述開口。
  3. 如請求項1所述之發光裝置，其中，所述間隔層包括至少一導電層、至少一絕緣層，所述導電層形成導電線路，所述絕緣層用於將所述至少一導電層與所述連接墊進行電隔離。
  4. 如請求項3所述之發光裝置，其中， 所述至少一導電層包括第一導電層，設置於所述基板上，所述第一導電層形成的所述導電線路分別與複數所述連接墊電連接； 所述至少一絕緣層包括第一絕緣層，設置於所述第一導電層遠離所述基板的一側。
  5. 如請求項4所述之發光裝置，其中，所述間隔層還包括： 第二導電層，設置於所述第一絕緣層遠離所述第一導電層的一側，所述第二導電層形成的所述導電線路分別與複數所述連接墊電連接；以及 第二絕緣層，設置於所述第二導電層遠離所述第一絕緣層的一側。
  6. 如請求項4至5中任意一項所述之發光裝置，其中，所述凹槽包括連接孔和容納腔，所述容納腔與所述第一導電層同層設置，所述連接孔從所述間隔層遠離所述基板的一側貫穿所述間隔層以連通至所述容納腔，所述連接孔在所述間隔層遠離所述基板的一側上形成所述開口。
  7. 如請求項1所述之發光裝置，其中，還包括保護層，所述保護層設置於所述間隔層遠離所述基板的一側，並至少覆蓋所述複數黏合塊未被所述發光二極體覆蓋的部分。
  8. 如請求項1所述之發光裝置，其中，所述發光裝置用於液晶顯示裝置的背光源、自發光顯示裝置的顯示面板或者照明裝置的其中一種。
  9. 一種發光裝置製作方法，包括： 在基板上設置間隔層，並在所述間隔層上開設複數凹槽，所述凹槽包括貫穿所述間隔層遠離所述基板的表面的開口； 在所述間隔層上對應每一凹槽設置一連接墊； 在所述連接墊上設置黏合塊，使得所述黏合塊至少部分覆蓋所述開口； 將發光二極體藉由所述黏合塊綁定在所述連接墊上。
  10. 如請求項9所述之發光裝置製作方法，其中，在基板上設置間隔層包括在所述基板上設置至少一導電層、至少一絕緣層，所述導電層形成導電線路，所述絕緣層用於將所述導電層與所述連接墊進行電隔離。
  11. 如請求項9所述之發光裝置製作方法，其中，在基板上設置間隔層，並在所述間隔層上開設複數凹槽的步驟包括： 在所述基板上圖案化第一導電層和複數佔位塊； 設置第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一導電層和所述複數佔位塊； 在所述第一絕緣層上開設複數蝕刻孔，使得每一所述佔位塊經由所述蝕刻孔裸露； 蝕刻所述複數佔位塊，以形成複數容納腔； 設置平坦化層，所述平坦化層設置於所述第一絕緣層遠離所述基板的一側； 在所述平坦化層上開設複數連接孔，使得每一所述連接孔連通一個所述容納腔以形成所述凹槽。
  12. 如請求項11所述之發光裝置製作方法，其中，蝕刻所述複數佔位塊，以形成複數容納腔的步驟還包括： 在所述第一絕緣層上依次覆蓋金屬層和圖案化的光阻層； 蝕刻所述金屬層和所述光阻層，以形成圖案化的第二導電層； 設置第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第二導電層。
  13. 如請求項9所述之發光裝置製作方法，其中，將發光二極體藉由所述黏合塊綁定在所述連接墊上的步驟之後，還包括：設置保護層，所述保護層至少覆蓋所述複數黏合塊未被所述發光二極體覆蓋的部分。
  14. 一種發光裝置修補方法，用於修補如請求項1至8中任意一項所述之發光裝置，其改良在於，包括： 使用雷射照射所述黏合塊，使得所述黏合塊熔化並流入所述凹槽中； 從所述連接墊上移除所述發光二極體。
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