TW202324596A - 半導體元件拾取裝置及其工作控制方法 - Google Patents

半導體元件拾取裝置及其工作控制方法 Download PDF

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Abstract

本發明作爲半導體元件拾取裝置及其工作控制方法，半導體元件拾取裝置的工作控制方法包括：拾取工作下降步驟，爲了拾取（Pick up）高度校正而使多個真空拾取器下降；真空壓力監測步驟，確認多個真空拾取器的每一個的真空壓力而掌握多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點；以及拾取高度設定步驟，基於掌握的所述基準時間點下的下降高度來設定多個真空拾取器的拾取高度。

Description

半導體元件拾取裝置及其工作控制方法
本發明作爲半導體元件拾取裝置及其工作控制方法，更詳細地涉及如下半導體元件傳送技術：在沒有傳送對象即半導體元件的先前資訊的狀况下基於多個真空拾取器的真空壓力來校正拾取（Pick up）高度，在半導體元件吸附到真空拾取器的狀態下基於對所述半導體元件的下表面的測定值來掌握所述半導體元件的厚度而校正對所述半導體元件的放置（Place）高度。
通常，半導體元件可以通過重複執行一系列製造工藝而形成於用作半導體基板的矽晶圓上，如上述那樣形成的半導體元件可以通過切割工藝、晶粒接合工藝以及注塑成型工藝而製造成由多個半導體封裝體形成的半導體料帶。
如此製造的半導體料帶可以通過切割以及分類（Sawing & Sorting）工藝單個化成多個半導體封裝體，並根據良品或者次品判定而分類。例如，可以將所述半導體料帶裝載到卡盤台上後利用切割刀片單個化成多個半導體封裝體，所述單個化的半導體封裝體可以清洗以及乾燥後通過視訊模組進行檢查。另外，可以根據通過所述視訊模組進行的檢查結果而分類爲良品以及次品。
具體地，所述半導體封裝體可以經由用於執行乾燥工藝以及檢查工藝的緩衝台、用於逆轉所述半導體封裝體的逆轉台以及用於分類的托板台等而傳送到良品以及次品托盤。
在這樣的半導體製造的後續工藝中，半導體元件的傳送可以通過真空拾取器執行。所述真空拾取器可以爲了將單個化的半導體封裝體同時拾取並依次傳送到所述緩衝台以及所述托板台而使用。另外，所述真空拾取器可以爲了將所述半導體封裝體單獨地拾取並傳送到所述托盤而使用。
對於通過真空拾取器將半導體元件拾取（Pick up）或放置（Place），真空拾取器的下降高度設定是相當重要的因素。
假如，當對半導體元件進行拾取（Pick up）工作時，若真空拾取器在沒能與半導體元件恰當接觸的高度執行拾取工作，則不能形成用於吸附半導體元件的充分振動烈度，發生無法對半導體元件形成拾取工作或在真空拾取器傳送半導體元件的過程中半導體元件掉落的問題。與此相反，當真空拾取器爲了拾取半導體元件而下降到過低的高度時，發生真空拾取器或者半導體元件破損的問題。
另外，在進行對半導體元件的放置（Place）工作時，當真空拾取器沒有在恰當的高度放下半導體元件時發生半導體元件沒能恰當地安放到托盤凹部而掛在外表面的問題，與此相反，當真空拾取器爲了放置半導體元件而下降到過低的高度時發生真空拾取器或者半導體元件破損的問題。
爲了消除這樣的問題，針對真空拾取器執行的半導體元件的拾取（Pick up）或者放置（Place）工作，基於管理者的肉眼或者視訊感測器或測距感測器等的測定值來設定下降高度，從而執行對真空拾取器的指導過程。
可是，通過管理者的肉眼觀察進行下降高度設定的方式存在準確度顯著下降的問題，當基於各種感測器的測定值來設定下降高度的方式時，由於是不考慮半導體元件的厚度而以真空拾取器爲基準設定下降高度，不考慮半導體元件的實際厚度，因此存在當適用於對實體半導體元件的傳送工藝時發生誤差帶來的錯誤的問題。
（專利文獻0001）韓國專利授權公報第10-1227827號
（專利文獻0002）韓國專利授權公報第10-2096570號
本發明爲了解决上述那樣的以往技術的問題而提出，其目的在於提出如下方案：在傳送半導體元件的半導體元件拾取裝置中，當進行真空拾取器的拾取（Pick up）以及放置（Place）工作時在沒有半導體元件的先前資訊的狀况下也能够設定拾取高度和放置高度而能够在準確的位置進行對半導體元件的拾取和放置的方案。
尤其，目的在於提出如下技術：掌握半導體元件的厚度並反映半導體元件的厚度來校正準確的高度，從而能够消除半導體元件或者真空拾取器産生損傷的問題的同時準確地拾取以及放置半導體元件。
尤其，目的在於，消除隨著適用通過管理者的肉眼觀察進行真空拾取器的下降高度設定的方式而準確度顯著下降的問題，並解决如下問題：隨著適用基於各種感測器的測定值來設定下降高度的方式，由於不考慮半導體元件的厚度並真空拾取器爲基準設定下降高度，因不考慮半導體元件的實際厚度而當適用於對實體半導體元件的傳送工藝時發生誤差帶來的錯誤。
本發明的目的不限於前述，未提及的本發明的其它目的以及優點可以通過下面的說明得到理解。
可以是，根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法的一實施例包括：拾取工作下降步驟，爲了拾取（Pick up）高度校正而使多個真空拾取器下降；真空壓力監測步驟，確認多個真空拾取器的每一個的真空壓力而掌握多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點；以及拾取高度設定步驟，基於掌握的所述基準時間點下的下降高度來設定多個真空拾取器的拾取高度。
優選地，可以是，所述拾取高度設定步驟基於半導體元件的最小厚度來設定拾取高度。
作爲一例，可以是，所述拾取工作下降步驟使多個真空拾取器朝向固定板（Set Plate）下降。
進而，可以是，所述半導體元件拾取裝置的工作控制方法還包括：拾取器狀態判斷步驟，在所述拾取工作下降步驟之前基於多個真空拾取器的每一個的位置資訊來判斷多個真空拾取器的狀態。
優選地，可以是，所述拾取器狀態判斷步驟包括：位置圖案掌握步驟，基於多個真空拾取器的每一個的位置資訊而掌握位置圖案；以及異常狀態判斷步驟，基於掌握的所述位置圖案來判斷多個真空拾取器的異常狀態。
作爲一例，可以是，所述異常狀態判斷步驟包括：當所述位置圖案具有脫離設定範圍的一定的變化圖案時，判斷與所述變化圖案對應的異常狀態的步驟；以及狀態資訊提供步驟，提供多個真空拾取器整體的異常狀態資訊。
作爲另一例，可以是，所述異常狀態判斷步驟包括：當所述位置圖案在特定部分具有脫離設定範圍的變化時，掌握多個真空拾取器中的與所述特定部分對應的真空拾取器的步驟；以及狀態資訊提供步驟，提供掌握的所述真空拾取器的異常狀態資訊。
作爲一例，可以是，所述位置圖案掌握步驟基於多個真空拾取器的每一個的真空壓力來掌握多個真空拾取器的位置資訊。
作爲另一例，可以是，所述位置圖案掌握步驟基於通過視訊感測器或者測距感測器測定到的多個真空拾取器的每一個的距離測定值而掌握多個真空拾取器的位置資訊。
可以是，根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法的一實施例包括：半導體元件拾取步驟，爲了放置（Place）高度校正而基於所述拾取高度使多個真空拾取器下降，並將多個半導體元件拾取而移動到感測器部的位置；半導體元件厚度判斷步驟，基於通過所述感測器部得到的所述半導體元件的下表面的測定值來判斷所述半導體元件的厚度；以及放置高度設定步驟，基於所述真空拾取器的拾取高度和所述半導體元件的厚度來設定多個真空拾取器的放置（Place）高度。
作爲一例，可以是，所述半導體元件厚度判斷步驟包括：使所述真空拾取器垂直移動的同時通過所述感測器部的視訊感測器對吸附在所述真空拾取器上的半導體元件的下表面進行拍攝的步驟；將獲取到滿足設定的焦點的拍攝圖像的地點處的高度設定爲基準高度的步驟；以及基於所述基準高度而掌握所述半導體元件的厚度的步驟。
作爲另一例，可以是，所述半導體元件厚度判斷步驟包括：通過所述感測器部的測距感測器測定與吸附在所述真空拾取器上的半導體元件的下表面的隔開距離的步驟；將測定的所述隔開距離設定爲基準高度的步驟；以及基於所述基準高度而掌握所述半導體元件的厚度的步驟。
另外，可以是，根據本發明的種半導體元件拾取裝置的一實施例包括：多個真空拾取器，用於傳送排列的多個半導體元件；拾取器真空監測部，掌握多個真空拾取器的每一個的真空壓力；以及拾取器控制部，使多個真空拾取器下降的同時基於多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點而設定拾取高度，並針對基於所述拾取高度來拾取了多個半導體元件的狀態的多個真空拾取器而基於半導體元件的下表面的測定值來判斷所述半導體元件的厚度，並且考慮所述半導體元件的厚度而設定多個真空拾取器的放置高度。
優選地，可以是，所述拾取器控制部包括：拾取高度設定部，確認多個真空拾取器的每一個的真空壓力而基於多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點的高度來設定拾取高度；以及放置高度設定部，針對基於所述拾取高度來吸附了多個半導體元件的多個真空拾取器而基於半導體元件的下表面的測定值來判斷所述半導體元件的厚度，並基於所述半導體元件的厚度來設定多個真空拾取器的放置高度。
作爲一例，可以是，所述半導體元件拾取裝置還包括：視訊感測器，拍攝所述半導體元件的下表面，所述放置高度設定部通過所述視訊感測器拍攝所述半導體元件的下表面的同時將獲取到滿足設定的焦點的拍攝圖像的地點處的高度設定爲基準高度，並基於所述基準高度而計算出所述半導體元件的厚度。
作爲另一例，可以是，所述半導體元件拾取裝置還包括：測距感測器，測定與所述半導體元件的下表面的隔開距離，所述放置高度設定部通過所述測距感測器測定與所述半導體元件的下表面的隔開距離而將所述隔開距離設定爲基準高度，並基於所述基準高度而計算出所述半導體元件的厚度。
進而，可以是，所述拾取器控制部還包括：拾取器狀態判斷部，判斷多個真空拾取器的狀態。
優選地，可以是，所述拾取器狀態判斷部掌握多個真空拾取器的位置圖案，並基於掌握的所述位置圖案來判斷多個真空拾取器的異常狀態。
更進一步，可以是，所述拾取器狀態判斷部提供所述真空拾取器的狀態資訊。
可以是，根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法的一優選實施例包括：拾取器狀態判斷步驟，基於多個真空拾取器的每一個的位置資訊而掌握位置圖案，並基於掌握的所述位置圖案來判斷多個真空拾取器的異常狀態；拾取工作下降步驟，爲了拾取（Pick up）高度校正而多個真空拾取器朝向固定板（Set Plate）下降；真空壓力監測步驟，確認多個真空拾取器的每一個的真空壓力而掌握多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點；拾取高度設定步驟，基於掌握的所述基準時間點下的下降高度而設定多個真空拾取器的拾取高度；半導體元件拾取步驟，爲了放置（Place）高度校正而基於所述拾取高度使多個真空拾取器下降，並將多個半導體元件拾取而移動到感測器部的位置；半導體元件厚度判斷步驟，基於通過所述感測器部得到的與所述半導體元件的下表面的測定值來判斷所述半導體元件的厚度；以及放置高度設定步驟，基於所述真空拾取器的拾取高度和所述半導體元件的厚度而設定多個真空拾取器的放置（Place）高度。
根據這樣的本發明，在傳送半導體元件的半導體元件拾取裝置中，當進行真空拾取器的拾取（Pick up）以及放置（Place）工作時在沒有半導體元件的先前資訊的狀况下也能够設定拾取高度和放置高度而能够在準確的位置進行對半導體元件的拾取和放置的方案。
尤其，掌握半導體元件的厚度並反映半導體元件的厚度來校正準確的高度，從而能够消除半導體元件或者真空拾取器産生損傷的問題的同時準確地拾取以及放置半導體元件。
進而，掌握真空拾取器的狀態來提供對異常狀態的真空拾取器的狀態資訊，從而能够實現對半導體元件拾取裝置的有效的保持管理。
本發明的效果不限於上面所提及的效果，本發明所屬技術領域中具有通常知識的人可以從下面的記載明確地理解未提及的其它效果。
以下，參照所附附圖而詳細說明本發明的優選實施例，但本發明不受實施例限定或限制。
爲了說明本發明和本發明的動作上的優點以及通過本發明的實施達到的目的，以下例示本發明的優選實施例並參照此進行說明。
首先，本申請中所使用的術語僅是爲了說明特定實施例而使用，並不用於限定本發明，只要沒有在文脈上明確表示不同含義，則單數的表述可以包括複數的表述。另外，在本申請中，“包括”或者“具有”等術語用於指稱說明書中記載的特徵、數字、步驟、動作、構成要件、零件或者它們的組合的存在，應理解爲並不預先排除一個或其以上的其它特徵或者數字、步驟、動作、構成要件、零件或者它們的組合的存在或者附加可能性。
在本發明的說明中，當判斷爲針對相關的公知構成或者功能的具體說明可能混淆本發明的主旨時，省略其詳細的說明。
本發明提出如下半導體元件傳送技術：在沒有傳送對象即半導體元件的先前資訊的狀况下基於多個真空拾取器的真空壓力來校正拾取（Pick up）高度，在半導體元件吸附到真空拾取器的狀態下基於對所述半導體元件的下表面的測定值來掌握所述半導體元件的厚度而校正對所述半導體元件的放置（Place）高度。
圖1示出能够適用根據本發明的半導體元件拾取裝置的半導體封裝體切割及分類設備的概要結構圖。
半導體封裝體切割及分類設備10可以用於將由多個半導體封裝體2形成的半導體料帶1切割而單個化成半導體封裝體2，並將單個化的半導體封裝體2檢查後根據其結果進行分類。
半導體封裝體切割及分類設備10可以包括用於將半導體料帶1切割而單個化成半導體封裝體2的切割模組20以及用於檢查半導體封裝體2並根據檢查結果分類半導體封裝體2的分類模組30。
在半導體封裝體切割及分類設備10的一側可以配置收納有多個半導體料帶1的料盒15。
另外，雖未詳細圖示，可以具備用於從料盒15取出半導體料帶1的夾鉗（未圖示），從料盒15取出的半導體料帶1可以通過導軌進行引導。
半導體料帶1可以通過料帶拾取器25拾取後傳送到真空卡盤40上。料帶拾取器25可以構成爲能够爲了調節半導體料帶1的配置方向而旋轉。例如，料帶拾取器25可以將從料盒15取出的半導體料帶1拾取後使半導體料帶1旋轉，可以接著將旋轉的半導體料帶1傳送到真空卡盤40上。
真空卡盤40可以被卡盤台41支承，卡盤台41可以使半導體料帶1移動到切割模組20。切割模組20可以包括用於切割半導體料帶1的旋轉切刀22，卡盤台41可以通過別的驅動部（未圖示）使半導體料帶1移動到旋轉切刀22之下。
通過切割模組20單個化的半導體封裝體2可以通過封裝體拾取器55拾取並傳送。半導體封裝體切割及分類設備10可以包括用於使封裝體拾取器55移動的封裝體傳送單元50，封裝體傳送單元50可以包括用於把持封裝體拾取器55的封裝體拾取器托架52。例如，封裝體傳送單元50可以包括用於使封裝體拾取器托架52在水平以及垂直方向上移動的直角座標機器人。
半導體封裝體切割及分類設備10可以包括用於清洗單個化的半導體封裝體2的清洗單元60。封裝體傳送單元50可以將半導體封裝體2通過封裝體拾取器55拾取後使封裝體拾取器55移動到清洗單元60的上方，清洗單元60可以利用毛刷和清洗液而從半導體封裝體2去除異物。另外，清洗單元60可以通過向半導體封裝體2噴射氣體而乾燥半導體封裝體2。
完成對半導體封裝體2的清洗以及乾燥後，封裝體傳送單元50可以將半導體封裝體2傳送到分類模組30。例如，分類模組30可以包括用於支承半導體封裝體2的托板台31，封裝體傳送單元50可以將半導體封裝體2傳送到托板台31上。
分類模組30可以包括用於使托板台31在水平方向上移動的工作台傳送單元32以及配置於托板台31的傳送路徑上方並用於檢查托板台31上的半導體封裝體2的視訊單元35。
分類模組30可以包括用於收納通過視訊單元35判定爲良品的半導體封裝體2的托盤71以及用於收納判定爲次品的半導體封裝體2的容器75。另外，分類模組30可以包括用於使托盤71移動的托盤傳送單元72。
工作台傳送單元32和托盤傳送單元72可以使托板台31和托盤71移動到分類區域，分類模組30可以包括用於將半導體封裝體2收納到托盤71以及容器75中的晶片拾取器85以及用於使晶片拾取器85移動的晶片拾取器傳送單元80。追加地，分類模組30可以包括用於供應托盤71的托盤供應單元70。
本發明中提出的半導體元件拾取裝置及其工作控制方法可以適用爲在如上那樣的半導體封裝體切割及分類設備中傳送半導體元件的技術。
優選地，本發明可以適用於對半導體元件拾取裝置的多個真空拾取器指導用於對多個半導體元件執行拾取（Pick up）工作的拾取高度的情况和指導用於對多個半導體元件執行放置（Place）工作的放置高度的情况。
通過實施例更具體地觀察根據本發明的半導體元件拾取裝置。
圖2示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的一實施例的結構圖，圖3示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的一例。
下面提及的半導體元件作爲由半導體元件拾取裝置拾取並傳送的材料，可以包括半導體封裝體。
半導體元件拾取裝置100可以包括多個真空拾取器110。多個真空拾取器110可以同時傳送多個半導體元件，既可以包括用於傳送排列於一個列的多個半導體元件的與一個列對應的多個真空拾取器110a、110b、110c、…、110n，或者也可以包括用於傳送排列於多個行和列的多個半導體元件的與多個行和列對應的多個真空拾取器110a、110b、110c、…、110n。
在所述圖3中，爲了便於說明，示出配置於一個列的多個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e，配置於一個列的真空拾取器的數量可以根據需要進行變更。
參照所述圖2以及所述圖3來觀察半導體元件拾取裝置100的結構，半導體元件拾取裝置100可以包括多個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e、垂直驅動部120、支承板130、水平驅動部140等。
各個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e可以將以一定間隔的間距排列的半導體元件利用真空壓力拾取並傳送。可以對應於排列的半導體元件的間距來調節多個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e之間的間隔。
可以是，垂直驅動部120包括使真空拾取器110在上下方向上升降的線性馬達（未圖示），可以通過利用拾取器控制部150控制線性馬達的工作而控制真空拾取器110的升降工作。垂直驅動部120可以使多個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e同時升降。
支承板130可以與垂直驅動部120連接而支承多個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e。垂直驅動部120在支承板130上升降，從而多個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e可以升降。
水平驅動部140可以使支承板130在水平方向上移動。水平驅動部140可以通過拾取器控制部150的控制而執行水平移動工作。水平驅動部140可以包括支持支承板130移動的移動軌道（未圖示）以及使支承板130在執行方向上移動的馬達（未圖示）。
水平驅動部140使支承板130在水平方向上移動，從而多個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e能够在水平方向上移動。
各個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e可以包括拾取器主體112a和吸頭114a。拾取器主體112a可以連接於垂直驅動部120而通過垂直驅動部120垂直移動。吸頭114a可以連接於拾取器主體112a的下方並被賦予用於將半導體元件真空吸附的真空壓力。
施加到各個吸頭114a的真空壓力可以通過拾取器真空監測部160來提供，拾取器真空監測部160可以測定各個吸頭114a的真空壓力程度。並且，在拾取器真空監測部160中測定到的各個真空拾取器110a、110b、110c、110d、110e的真空壓力可以提供到拾取器控制部150。
感測器部170可以選擇性地包括視訊感測器170a和測距感測器170b。
視訊感測器170a可以包括相機等，在真空拾取器110的下方或者側面拍攝真空拾取器110。
測距感測器170b可以在真空拾取器110的下方測定隔開距離。測距感測器170b可以適用光感應方式或聲波感應方式等各種方式來測定距離。
拾取器控制部150可以基於通過視訊感測器170a、測距感測器170b等感測器部170得到的真空拾取器110的測定值，校正並設定用於拾取（Pick up）工作的拾取高度和用於放置（Place）工作的放置高度。
在本發明中，可以是，在沒有半導體元件的先前資訊的狀况下確認多個真空拾取器全部的真空壓力條件並基於其來校正拾取高度，並且在多個真空拾取器基於所述拾取高度拾取了多個半導體元件的狀態下基於對半導體元件的下表面的測定值來掌握半導體元件的厚度而校正放置高度。
這樣的拾取高度校正和放置高度校正可以通過拾取器控制部150執行，圖4示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的拾取器控制部的一實施例的結構圖。
拾取器控制部150可以包括拾取高度設定部151、放置高度設定部153、拾取器狀態判斷部155等。除此之外，拾取器控制部150可以包括控制真空拾取器110的垂直移動和水平移動的結構，省略對此的說明。
拾取高度設定部151可以確認多個真空拾取器110的每一個的真空壓力而基於多個真空拾取器110全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點的高度來設定拾取高度。
放置高度設定部153可以針對基於在拾取高度設定部151中設定的拾取高度而吸附了多個半導體元件的多個真空拾取器110，基於通過感測器部170得到的半導體元件的下表面的測定值來判斷半導體元件的厚度，並基於半導體元件的厚度來設定多個真空拾取器110的放置高度。
作爲一例，放置高度設定部153可以通過感測器部170的視訊感測器170a拍攝半導體元件的下表面的同時將獲取到滿足設定的焦點的拍攝圖像的地點處的高度設定爲基準高度，並基於所述基準高度而計算出半導體元件的厚度。
作爲另一例，放置高度設定部153可以通過感測器部170的測距感測器170b測定與半導體元件的下表面的隔開距離而將所述隔開距離設定爲基準高度，並基於所述基準高度而計算出半導體元件的厚度。
拾取器狀態判斷部155可以判斷多個真空拾取器110的狀態。
作爲一例，拾取器狀態判斷部155可以基於多個真空拾取器110的每一個的位置資訊而掌握整體的位置圖案，並基於所述位置圖案來判斷多個真空拾取器的異常與否。
進而，拾取器狀態判斷部155可以將判斷的真空拾取器110的狀態資訊提供到中央管理裝置、半導體元件拾取裝置的工作呈現裝置、管理者終端機等各種裝置。
關於在根據本發明的半導體元件拾取裝置100中判斷多個真空拾取器110的狀態並校正拾取高度以及放置高度的內容，以下通過根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法的實施例更具體地觀察。
根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法在前面觀察的根據本發明的半導體元件拾取裝置中實現，以下一起參照根據本發明的半導體元件拾取裝置的實施例來說明。
圖5示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法的一實施例的概要流程圖。
根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法可以包括判斷多個真空拾取器110的狀態的過程（S100）、校正並設定多個真空拾取器110的拾取高度的過程（S200）、校正並設定多個真空拾取器110的放置高度的過程（S300）。
上述的各過程雖然也可以依次全部執行，但也可以根據狀况僅單獨執行特定過程。
根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中的各執行過程依次通過實施例觀察。
圖6示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中真空拾取器的狀態判斷過程的一實施例的流程圖，圖7至圖12示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中判斷真空拾取器的狀態的各種例。
所述圖7至圖12是以4行8列構成的多個真空拾取器的實施例，爲了便於說明，僅示出並說明與特定行的一個列對應的8個多個真空拾取器110a~110h。
拾取器控制部150可以測定多個真空拾取器110a~110h的每一個的高度（S111）而獲取多個真空拾取器110a~110h的每一個的位置資訊（S113）。
作爲一例，多個真空拾取器110a~110h的每一個的高度測定可以使多個真空拾取器110a~110h向固定板200上下降的同時掌握多個真空拾取器110a~110h的每一個的真空壓力基準值滿足時間點而基於多個真空拾取器110a~110h的每一個的下降高度來獲取位置資訊。
作爲另一例，也可以是，通過視訊感測器在多個真空拾取器110a~110h的下方或者側面拍攝多個真空拾取器110a~110h並基於拍攝圖像而掌握多個真空拾取器110a~110h的每一個的相對高度，基於此獲取多個真空拾取器110a~110h的每一個的位置資訊。
作爲又另一例，也可以是，通過測距感測器在多個真空拾取器110a~110h的下方測定多個真空拾取器110a~110h的隔開距離而掌握多個真空拾取器110a~110h的每一個的高度，基於此獲取位置資訊。
拾取器控制部150可以基於多個真空拾取器110a~110h的每一個的位置資訊而掌握位置圖案並將位置圖案與設定範圍對比來判斷多個真空拾取器110a~110h的異常狀態與否。在此，設定範圍可以設定爲當對多個真空拾取器110a~110h的每一個適用相同拾取高度或者相同放置高度而進行拾取工作或者放置工作時能够形成穩定工作的多個真空拾取器110a~110h之間的容許高度差。
假如，當位置圖案呈現爲脫離設定範圍的一定形態的變化圖案（S121）時，拾取器控制部150可以分析位置圖案（S123）而掌握變化圖案的形態並判斷與其對應的異常狀態（S125），從而將多個真空拾取器110a~110h的狀態資訊提供給管理者等（S127）。
作爲位置圖案具有向一側方向變化的方向性的情况，參照所述圖7以及圖8。
如所述圖7的（a）所示，拾取器控制部150可以使多個真空拾取器110a~110h向固定板200上下降的同時通過拾取器真空監測部160基於多個真空拾取器110a~110h的每一個的真空壓力測定值而掌握位置圖案。
如所述圖7的（b）那樣，當呈現右側列的真空拾取器和左側列的真空拾取器超過設定範圍的同時真空拾取器的位置隨著從右側列往左側列而逐漸降低的圖案，具有這樣的一定方向性的變化圖案在各行的多個真空拾取器中整體近似地呈現時，可以判斷爲需要多個真空拾取器110a~110h整體的組裝點檢的狀態。
然後，可以將針對這樣的位置圖案的異常狀態判斷結果提供給管理者等。可以將異常狀態判斷結果提供給管理者等而如所述圖8那樣形成多個真空拾取器110a~110h整體向一方向歪斜的點檢，可以通過整體調整多個真空拾取器110a~110h的位置而管理成多個真空拾取器110a~110h全部的位置滿足設定範圍。
作爲位置圖案具有高低圖案的情况，參照所述圖9以及圖10。
如所述圖9的（a）所示，拾取器控制部150可以使多個真空拾取器110a~110h向固定板200上下降的同時通過拾取器真空監測部160基於多個真空拾取器110a~110h的每一個的真空壓力測定值而掌握位置圖案。
如所述圖9的（b）那樣，當呈現右側列或者左側列的真空拾取器和中間的真空拾取器超過設定範圍的同時真空拾取器的位置具有高低的圖案，具有這樣的高低的變化圖案在各行的多個真空拾取器中整體近似地呈現時，可以判斷爲需要多個真空拾取器110a~110h整體的組裝方向性點檢的狀態。
然後，可以將針對這樣的位置圖案的異常狀態判斷結果提供給管理者等。可以將異常狀態判斷結果提供給管理者等而如所述圖10那樣形成多個真空拾取器110a~110h具有高低的位置的點檢，可以通過調整多個真空拾取器110a~110h的方向性而管理成多個真空拾取器110a~110h全部的位置滿足設定範圍。
假若，當位置圖案雖未呈現爲一定的變化圖案但在特定部分呈現爲脫離設定範圍的形態（S131）時，拾取器控制部150可以掌握脫離設定範圍的特定部分的真空拾取器（S133），可以判斷掌握到的真空拾取器的異常狀態（S135）而將其狀態資訊提供給管理者等（S137）。
作爲位置圖案在特定部分具有變化的情况，參照所述圖11以及圖12。
與前面所述圖7以及圖8相同，在所述圖11的（a）中也拾取器控制部150可以使多個真空拾取器110a~110h向固定板200上下降的同時通過拾取器真空監測部160基於多個真空拾取器110a~110h的每一個的真空壓力測定值而掌握位置圖案。
如所述圖11的（b）那樣，當配置於第二行的多個真空拾取器110a~110h中的第4列真空拾取器110d具有脫離設定範圍的位置，並且第7列真空拾取器110g仍位於初始位置而不下降時，可以掌握與未脫離設定範圍或未發生位置移動的部分對應的真空拾取器而判斷爲第4列真空拾取器110d和第7列真空拾取器110g爲異常狀態。
然後，可以將針對這樣的異常狀態的真空拾取器110d、110g的異常狀態判斷結果提供給管理者等。可以將異常狀態判斷結果提供給管理者等而如所述圖12那樣形成多個真空拾取器110a~110h中的異常狀態的真空拾取器110d、110g的點檢，可以通過僅選擇性地維護點檢異常狀態的真空拾取器110d、110g而管理成多個真空拾取器110a~110h全部的位置滿足設定範圍。
當位置圖案滿足設定範圍時（S141），拾取器控制部150可以將多個真空拾取器110a~110h判斷爲正常狀態（S145）。
可以經過上述的過程而形成設置在半導體元件拾取裝置100中的多個真空拾取器110a~110h的狀態判斷。
關於校正並設定多個真空拾取器110的拾取高度的過程，圖13示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中真空拾取器的拾取高度校正過程的一實施例的流程圖，圖14示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中校正真空拾取器的拾取高度的一例。
拾取器控制部150可以通過感測器部170測定多個真空拾取器110a~110h的高度（S210）而掌握多個真空拾取器110a~110h的初始高度（S220）。
然後，拾取器控制部150可以爲了校正拾取（Pick up）高度而使多個真空拾取器110a~110h下降（S230）的同時通過拾取器真空監測部160確認多個真空拾取器110a~110h的每一個的真空壓力（S240）。
在此，可以使多個真空拾取器110a~110h朝向沒有半導體元件的狀態的固定板（Set Plate）下降。也可以根據需要，使多個真空拾取器110a~110h向排列有多個半導體元件的上方下降。
拾取器控制部150可以使多個真空拾取器110a~110h下降至多個真空拾取器110a~110h全部的真空壓力滿足基準值爲止，掌握多個真空拾取器110a~110h全部的真空壓力滿足基準值（S250）的基準時間點而基於所述基準時間點下的下降高度來設定多個真空拾取器110a~110h的拾取高度（S260）。
所述拾取高度可以考慮會是拾取對象的半導體元件中的最小厚度來設定。即，可以將拾取高度設定成下降至比半導體元件的最小厚度是高的位置。
關於拾取高度校正過程，參照所述圖14，拾取器控制部150可以使多個真空拾取器110a~110h朝向沒有半導體元件的狀態的固定板（Set Plate）200下降，如所述圖14的（a）那樣即使多個真空拾取器110a~110h中的一部分真空拾取器110c、110f、110g的真空壓力滿足基準值而其餘真空拾取器110a、110b、110d、110e、110h的真空壓力沒有達到基準值的時候是繼續使真空拾取器110a、110b、110d、110e、110h下降，並使得下降到如所述圖14的（b）那樣多個真空拾取器110a~110h全部的真空壓力達到基準值的時間點爲止。
然後，拾取器控制部150可以將多個真空拾取器110a~110h全部的真空壓力達到基準值的時間點下的下降高度設定爲多個真空拾取器110a~110h的拾取高度。
下面，關於校正並設定多個真空拾取器110的放置高度的過程，將適用視訊感測器的情况和適用測距感測器的情况區分開來觀察。
圖15示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中通過視訊感測器對真空拾取器的放置高度進行校正的過程的一實施例的流程圖，圖16至圖18示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中通過視訊感測器對真空拾取器的放置高度進行校正的一例。
拾取器控制部150可以爲了放置（Place）高度校正而基於預先設定的拾取高度使多個真空拾取器110a~110h下降並拾取多個半導體元件300。然後，可以如所述圖16那樣使得吸附有半導體元件300的狀態的多個真空拾取器110a~110h移動到視訊感測器170a的上方位置（S311）。
拾取器控制部150可以使多個真空拾取器110a~110h垂直移動（S312）的同時通過視訊感測器170a對吸附在真空拾取器110a~110h的下表面中的半導體元件300的下表面進行拍攝（S313）。
可以使多個真空拾取器110a~110h重複地垂直移動（S312），直至通過視訊感測器170a獲取的拍攝圖像滿足設定的焦點（S314）。
在此，拍攝圖像的焦點滿足可以意指，當作爲半導體元件適用半導體封裝體時，將配置於半導體封裝體的下表面的球拍攝的拍攝圖像的畫質滿足一定水平。
拾取器控制部150可以將拍攝圖像滿足設定的焦點的地點處的高度設定爲基準高度（S315），基於所述基準高度而掌握半導體元件的厚度（S316）。
關於掌握半導體元件的厚度的過程，參照所述圖17，在所述圖17的（a）和（b）中，在適用相同的視訊感測器170a所拍攝的拍攝圖像中使得滿足設定的焦點的距離FD可以相同。
在拾取並吸附厚度不同的半導體封裝體300a1、300a2的狀態下，真空拾取器110以使得滿足拍攝圖像的設定的焦點的距離FD下降的距離會由於厚度差而不同。拾取了相對薄的厚度D11的半導體封裝體300a1的真空拾取器要比拾取了相對厚的厚度D12的半導體封裝體300a2的真空拾取器多下降半導體封裝體的厚度差S1，拍攝圖像才能滿足設定的焦點。
可以通過這樣的過程，基於使得滿足拍攝圖像的設定的焦點的地點處的真空拾取器110的下降距離而掌握半導體封裝體300a1、300a2的厚度D11、D12。
進而，由於半導體封裝體的下表面平坦度、所形成的球的尺寸等各種因素，可能産生高度差。假如，參照所述圖18，當在半導體封裝體的下表面的拍攝圖像中以所配置的球爲基準而掌握高度時，可能以最低高度Min、最高高度Max、平均高度Avg等産生差異。這樣的高度差可以考慮適用的半導體封裝體的傳送設備內容、要傳送的半導體封裝體的尺寸或特性等各種因素而恰當地賦予補償來校正。或者，也可以由管理者等設定成考慮上述的各種因素而選擇最低高度Min、最高高度Max、平均高度Avg中的任一個。
若掌握半導體元件的厚度（S316），則拾取器控制部150可以一起考慮預先設定的拾取高度和半導體元件的厚度而設定多個真空拾取器110a~110h的放置高度（S317）。假如，可以將從設定的拾取高度减去半導體元件的厚度的高度設定爲放置高度。
如此，可以對多個真空拾取器110a~110h適用設定的放置高度而執行半導體元件的放置（S330）。
圖19示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中通過測距感測器對真空拾取器的放置高度進行校正的過程的一實施例的流程圖，圖20以及圖21示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中通過測距感測器對真空拾取器的放置高度進行校正的一例。
拾取器控制部150可以爲了放置（Place）高度校正而基於預先設定的拾取高度使多個真空拾取器110a~110h下降並拾取多個半導體元件300。然後，可以如所述圖20那樣使得吸附有半導體元件300的狀態的多個真空拾取器110a~110h移動到測距感測器170b的上方位置（S321）。
拾取器控制部150可以通過測距感測器170b測定與吸附在真空拾取器110a~110h的下表面中的半導體元件300的下表面的隔開距離（S322）並將測定的隔開距離設定爲基準高度（S323）。
然後拾取器控制部150可以基於所述基準高度而掌握半導體元件的厚度（S324）。
關於掌握半導體元件的厚度的過程，參照所述圖21，在所述圖21的（a）和（b）中，當拾取並吸附了厚度不同的半導體封裝體300b1、300b2的狀態的真空拾取器110位於設定的拾取高度時，若用測距感測器170b測定到與半導體封裝體300b1、300b2的下表面的隔開距離，由於半導體封裝體300b1、300b2的厚度差，在測距感測器170b中測定到的隔開距離不同。
與相對薄的厚度D21的半導體封裝體300b1的下表面的隔開距離H1可以測定成比與相對厚的厚度D12的半導體封裝體300a2的下表面的隔開距離H2高出半導體封裝體的厚度差。
因此，可以基於真空拾取器110的位置和通過測距感測器170b測定到的與半導體封裝體300b1、300b2的下表面的隔開距離H1、H2而掌握半導體封裝體300b1、300b2的厚度D21、D22。
若掌握半導體元件的厚度（S324），則拾取器控制部150可以一起考慮預先設定的拾取高度和半導體元件的厚度而設定多個真空拾取器110a~110h的放置高度（S325）。假如，可以將從設定的拾取高度减去半導體元件的厚度的高度設定爲放置高度。
如此，可以對多個真空拾取器110a~110h適用設定的放置高度而執行半導體元件的放置（S330）。
進而，也可以將通過上面觀察的掌握半導體元件的厚度的過程獲取的半導體元件的厚度資訊反映到預先設定的拾取高度來校正並重新設定拾取高度。
可以上面觀察的根據本發明的真空拾取器的拾取高度設定和真空拾取器的放置高度設定之後執行拾取高度和放置高度的指導過程，從而通過半導體元件拾取裝置執行半導體元件的傳送工藝。
根據這樣的本發明，在傳送半導體元件的半導體元件拾取裝置中，當進行真空拾取器的拾取（Pick up）以及放置（Place）工作時在沒有半導體元件的先前資訊的狀况下也能够設定拾取高度和放置高度而能够在準確的位置進行對半導體元件的拾取和放置的方案。
尤其，在本發明中，掌握半導體元件的厚度並反映半導體元件的厚度來校正準確的高度，從而能够消除半導體元件或者真空拾取器産生損傷的問題的同時準確地拾取以及放置半導體元件。
以上的說明例示性說明了本發明的技術構思，本發明所屬技術領域中具有通常知識的人員能够在不脫離本發明的本質性特徵的範圍內進行各種修改以及變形。因此，本發明中記載的實施例是用於說明本發明的技術構思而不用來限定，本發明的技術構思不受這樣的實施例的限定。本發明的保護範圍應根據所附申請專利範圍來解釋，應解釋爲與其等同範圍內的所有技術構思包含在本發明的申請專利範圍內。
1:半導體料帶 2:半導體封裝體 10:半導體封裝體切割及分類設備 15:料盒 20:切割模組 22:旋轉切刀 25:料帶拾取器 30:分類模組 31:托板台 32:工作台傳送單元 35:視訊單元 40:水平驅動部 41:卡盤台 50:封裝體傳送單元 52:封裝體拾取器托架 55:封裝體拾取器 60:清洗單元 70:托盤供應單元 71:托盤 72:托盤傳送單元 75:容器 80:晶片拾取器傳送單元 85:晶片拾取器 100:半導體元件拾取裝置 110:真空拾取器 110a:真空拾取器 110b:真空拾取器 110c:真空拾取器 110d:真空拾取器 110e:真空拾取器 110f:真空拾取器 110g:真空拾取器 110h:真空拾取器 110n:真空拾取器 112a:拾取器主體 114a:吸頭 120:垂直驅動部 130:支承板 140:水平驅動部 150:拾取器控制部 151:拾取高度設定部 153:放置高度設定部 155:拾取器狀態判斷部 160:拾取器真空監測部 170:感測器部 170a:視訊感測器 170b:測距感測器 200:固定板 300a1:半導體封裝體 300a2:半導體封裝體 300b1:半導體封裝體 300b2:半導體封裝體 D11:厚度 D12:厚度 D21:厚度 D22:厚度 FD:焦點的距離 H1:隔開距離 H2:隔開距離 S1:厚度差 S100:步驟 S111:步驟 S113:步驟 S121:步驟 S123:步驟 S125:步驟 S127:步驟 S131:步驟 S133:步驟 S135:步驟 S137:步驟 S141:步驟 S145:步驟 S200:步驟 S300:步驟 S210:步驟 S220:步驟 S230:步驟 S240:步驟 S250:步驟 S260:步驟 S311:步驟 S312:步驟 S313:步驟 S314:步驟 S315:步驟 S316:步驟 S317:步驟 S330:步驟 S321:步驟 S322:步驟 S323:步驟 S324:步驟 S325:步驟 S330:步驟
圖1示出能够適用根據本發明的半導體元件拾取裝置的半導體封裝體切割及分類設備的概要結構圖。
圖2示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的一實施例的結構圖。
圖3示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的一例。
圖4示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的拾取器控制部的一實施例的結構圖。
圖5示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法的一實施例的概要流程圖。
圖6示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中真空拾取器的狀態判斷過程的一實施例的流程圖。
圖7至圖12示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中判斷真空拾取器的狀態的各種例。
圖13示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中真空拾取器的拾取高度校正過程的一實施例的流程圖。
圖14示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中校正真空拾取器的拾取高度的一例。
圖15示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中通過視訊感測器對真空拾取器的放置高度進行校正的過程的一實施例的流程圖。
圖16至圖18示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中通過視訊感測器對真空拾取器的放置高度進行校正的一例。
圖19示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中通過測距感測器對真空拾取器的放置高度進行校正的過程的一實施例的流程圖。
圖20以及圖21示出根據本發明的半導體元件拾取裝置的工作控制方法中通過測距感測器對真空拾取器的放置高度進行校正的一例。
100:半導體元件拾取裝置
110:真空拾取器
110a:真空拾取器
110b:真空拾取器
110c:真空拾取器
110n:真空拾取器
150:拾取器控制部
160:拾取器真空監測部
170:感測器部
170a:視訊感測器
170b:測距感測器

Claims (20)

  1. 一種半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中包括： 拾取工作下降步驟，爲了拾取高度校正而使多個真空拾取器下降； 真空壓力監測步驟，確認所述多個真空拾取器的每一個的真空壓力而掌握所述多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點；以及 拾取高度設定步驟，基於掌握的所述基準時間點下的下降高度來設定所述多個真空拾取器的拾取高度。
  2. 根據請求項1所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述拾取高度設定步驟基於半導體元件的最小厚度來設定拾取高度。
  3. 根據請求項1所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述拾取工作下降步驟使所述多個真空拾取器朝向固定板下降。
  4. 根據請求項1所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述半導體元件拾取裝置的工作控制方法還包括： 拾取器狀態判斷步驟，在所述拾取工作下降步驟之前基於所述多個真空拾取器的每一個的位置資訊來判斷所述多個真空拾取器的狀態。
  5. 根據請求項4所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述拾取器狀態判斷步驟包括： 位置圖案掌握步驟，基於所述多個真空拾取器的每一個的位置資訊而掌握位置圖案；以及 異常狀態判斷步驟，基於掌握的所述位置圖案來判斷所述多個真空拾取器的異常狀態。
  6. 根據請求項5所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述異常狀態判斷步驟包括： 當所述位置圖案具有脫離設定範圍的一定的變化圖案時，判斷與所述變化圖案對應的異常狀態的步驟；以及 狀態資訊提供步驟，提供所述多個真空拾取器整體的異常狀態資訊。
  7. 根據請求項5所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述異常狀態判斷步驟包括： 當所述位置圖案在特定部分具有脫離設定範圍的變化時，掌握所述多個真空拾取器中的與所述特定部分對應的真空拾取器的步驟；以及 狀態資訊提供步驟，提供掌握的所述真空拾取器的異常狀態資訊。
  8. 根據請求項5所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述位置圖案掌握步驟基於所述多個真空拾取器的每一個的真空壓力來掌握所述多個真空拾取器的位置資訊。
  9. 根據請求項5所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述位置圖案掌握步驟基於通過視訊感測器或者測距感測器測定到的所述多個真空拾取器的每一個的距離測定值而掌握所述多個真空拾取器的位置資訊。
  10. 根據請求項1所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述半導體元件拾取裝置的工作控制方法包括： 半導體元件拾取步驟，爲了放置高度校正而基於所述拾取高度使所述多個真空拾取器下降，並將多個半導體元件拾取而移動到感測器部的位置； 半導體元件厚度判斷步驟，基於通過所述感測器部得到的所述半導體元件的下表面的測定值來判斷所述半導體元件的厚度；以及 放置高度設定步驟，基於所述真空拾取器的拾取高度和所述半導體元件的厚度來設定所述多個真空拾取器的放置高度。
  11. 根據請求項10所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述半導體元件厚度判斷步驟包括： 使所述真空拾取器垂直移動的同時通過所述感測器部的視訊感測器對吸附在所述真空拾取器上的半導體元件的下表面進行拍攝的步驟； 將獲取到滿足設定的焦點的拍攝圖像的地點處的高度設定爲基準高度的步驟；以及 基於所述基準高度而掌握所述半導體元件的厚度的步驟。
  12. 根據請求項10所述的半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中， 所述半導體元件厚度判斷步驟包括： 通過所述感測器部的測距感測器測定與吸附在所述真空拾取器上的半導體元件的下表面的隔開距離的步驟； 將測定的所述隔開距離設定爲基準高度的步驟；以及 基於所述基準高度而掌握所述半導體元件的厚度的步驟。
  13. 一種半導體元件拾取裝置，其中包括： 多個真空拾取器，用於傳送排列的多個半導體元件； 拾取器真空監測部，掌握所述多個真空拾取器的每一個的真空壓力；以及 拾取器控制部，使所述多個真空拾取器下降的同時基於所述多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點而設定拾取高度，並針對基於所述拾取高度來拾取了多個半導體元件的狀態的所述多個真空拾取器而基於半導體元件的下表面的測定值來判斷所述半導體元件的厚度，並且考慮所述半導體元件的厚度而設定所述多個真空拾取器的放置高度。
  14. 根據請求項13所述的半導體元件拾取裝置，其中， 所述拾取器控制部包括： 拾取高度設定部，確認所述多個真空拾取器的每一個的真空壓力而基於所述多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點的高度來設定拾取高度；以及 放置高度設定部，針對基於所述拾取高度來吸附了多個半導體元件的所述多個真空拾取器而基於半導體元件的下表面的測定值來判斷所述半導體元件的厚度，並基於所述半導體元件的厚度來設定所述多個真空拾取器的放置高度。
  15. 根據請求項14所述的半導體元件拾取裝置，其中， 所述半導體元件拾取裝置還包括： 視訊感測器，拍攝所述半導體元件的下表面， 所述放置高度設定部通過所述視訊感測器拍攝所述半導體元件的下表面的同時將獲取到滿足設定的焦點的拍攝圖像的地點處的高度設定爲基準高度，並基於所述基準高度而計算出所述半導體元件的厚度。
  16. 根據請求項14所述的半導體元件拾取裝置，其中， 所述半導體元件拾取裝置還包括： 測距感測器，測定與所述半導體元件的下表面的隔開距離， 所述放置高度設定部通過所述測距感測器測定與所述半導體元件的下表面的隔開距離而將所述隔開距離設定爲基準高度，並基於所述基準高度而計算出所述半導體元件的厚度。
  17. 根據請求項14所述的半導體元件拾取裝置，其中， 所述拾取器控制部還包括： 拾取器狀態判斷部，判斷所述多個真空拾取器的狀態。
  18. 根據請求項17所述的半導體元件拾取裝置，其中， 所述拾取器狀態判斷部掌握所述多個真空拾取器的位置圖案，並基於掌握的所述位置圖案來判斷所述多個真空拾取器的異常狀態。
  19. 根據請求項18所述的半導體元件拾取裝置，其中， 所述拾取器狀態判斷部提供所述真空拾取器的狀態資訊。
  20. 一種半導體元件拾取裝置的工作控制方法，其中，包括： 拾取器狀態判斷步驟，基於多個真空拾取器的每一個的位置資訊而掌握位置圖案，並基於掌握的所述位置圖案來判斷所述多個真空拾取器的異常狀態； 拾取工作下降步驟，爲了拾取高度校正而多個真空拾取器朝向固定板下降； 真空壓力監測步驟，確認所述多個真空拾取器的每一個的真空壓力而掌握所述多個真空拾取器全部的真空壓力滿足基準值的基準時間點； 拾取高度設定步驟，基於掌握的所述基準時間點下的下降高度而設定所述多個真空拾取器的拾取高度； 半導體元件拾取步驟，爲了放置高度校正而基於所述拾取高度使所述多個真空拾取器下降，並將多個半導體元件拾取而移動到感測器部的位置； 半導體元件厚度判斷步驟，基於通過所述感測器部得到的與所述半導體元件的下表面的測定值來判斷所述半導體元件的厚度；以及 放置高度設定步驟，基於所述真空拾取器的拾取高度和所述半導體元件的厚度而設定所述多個真空拾取器的放置高度。
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