TW202323311A - 感光性元件、及光阻圖案之形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種顯影裝置停止後之顯影液消泡良好之感光性元件、及光阻圖案之形成方法。本發明之感光性元件係具備支撐膜、及形成於支撐膜上之含有感光性樹脂組成物之感光性樹脂組成物層；感光性樹脂組成物係含有：(A)鹼可溶性高分子、(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物、(C)增感劑、以及(D)聚合抑制劑；(A)鹼可溶性高分子係含有：單體成分含有芳香族烴基且重量平均分子量Mw為20,000以下之鹼可溶性高分子；(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物係具有下述通式(B1)所表示之結構之化合物。
Figure 111138058-A0101-11-0001-1
(式中，R 1及R 2各自獨立地表示氫或碳，A為碳數1~2之二價烴基，P為碳數3之二價烴基；(AO)及(PO)之排列可為無規或嵌段；m1+m2為0~10之整數，n為1~30之整數。)

Description

感光性元件、及光阻圖案之形成方法
本發明係關於一種感光性元件、及光阻圖案之形成方法。
印刷配線板一般由光微影製造。光微影，係指藉由以下步驟，於基板上形成所期望之配線圖案之方法。亦即，首先，於基板上形成感光性之樹脂組成物所成之層，並對該塗膜進行圖案曝光及顯影而形成光阻圖案。接著，藉由蝕刻或鍍處理形成導體圖案。然後，藉由除去基板上之光阻圖案，於基板上形成所期望之配線圖案。
印刷配線板之製造中，常使用感光性元件(感光性樹脂積層體)。使用該感光性元件之配線圖案之形成方法、及其所適用之感光性樹脂組成物，存在許多習知例(專利文獻1~4)。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2012-037872號公報 ［專利文獻2］國際公開第2016-104639號 ［專利文獻3］日本特開2018-136531號公報 ［專利文獻4］國際公開第2019-244724號
［發明所欲解決之技術問題］
然而上述專利文獻1~4所記載之材料，從顯影性、解析度、柔軟性、顯影液發泡性之觀點而言，均尚有進一步改良之空間。 例如，作為構成感光性樹脂組成物之黏合劑聚合物，低分子･高苯乙烯聚合物雖解析度優異，但另一方面存在噴霧顯影時顯影液會起泡，並且即使顯影裝置停止後所產生之氣泡亦不易消失(消泡差)之問題。 其原因推測係因噴灑顯影液時所產生之氣泡被溶解有光阻之顯影液之表面張力所穩定之故。 雖就抑制顯影時顯影液之起泡此點一直以來皆有所研究，惟就改善顯影後之消泡此點至今均尚未有任何研究。
本發明係鑒於此種過往實情而為之提案；本發明之目的在於：提供一種顯影裝置停止後之顯影液消泡良好之感光性元件、及光阻圖案之形成方法。 ［技術手段］
本發明人發現藉由以下技術手段可達成上述目的，從而完成本發明。本發明之內容如下。 [1] 一種感光性元件，其具備支撐膜、及形成於上述支撐膜上之含有感光性樹脂組成物之感光性樹脂組成物層；上述感光性樹脂組成物係含有： (A)鹼可溶性高分子、 (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物、 (C)增感劑、以及 (D)聚合抑制劑； 該(A)鹼可溶性高分子係含有：單體成分含有芳香族烴基且重量平均分子量Mw為20,000以下之鹼可溶性高分子； 該(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物係具有下述通式(B1)所表示之結構之化合物： 〔化1〕
Figure 02_image003
(B1) (式中，R 1及R 2各自獨立地表示氫或碳，A為碳數1~2之二價烴基，P為碳數3之二價烴基；(AO)及(PO)之排列可為無規或嵌段；m1+m2為0~10之整數，n為1~30之整數)。 [2] 如[1]所述之感光性元件，其中，前述通式(B1)中n為2~15。 [3] 如[1]或[2]所述之感光性元件，其中，前述通式(B1)中n為3~8。 [4] 如[1]至[3]中任一項所述之感光性元件，其中，前述通式(B1)中，(m1+m2)/n未滿0.83。 [5] 如[1]至[4]中任一項所述之感光性元件，其中，前述通式(B1)中，(m1+m2)/n未滿0.50。 [6] 如[1]至[5]中任一項所述之感光性元件，其中，前述具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物(B1)之含量，以前述(A)鹼可溶性高分子與前述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物之和為基準，係0.1~10質量份。 [7] 如[1]至[6]中任一項所述之感光性元件，其中，前述(A)鹼可溶性高分子係含有重量平均分子量Mw為8,000以上之鹼可溶性高分子。 [8] 如[1]至[7]中任一項所述之感光性元件，其中，前述(A)鹼可溶性高分子中作為單體成分含有之芳香族烴基，以該(A)鹼可溶性高分子之總量為基準係1~70質量份。 [9] 如[1]至[8]中任一項所述之感光性元件，其中，前述(A)鹼可溶性高分子中作為單體成分含有之芳香族烴基，以該(A)鹼可溶性高分子之總量為基準係10~60質量份。 [10] 如[1]至[9]中任一項所述之感光性元件，其中，前述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物， 係進一步含有具有下述通式(B2)或(B3)所表示之結構之化合物中之至少一種： 〔化2〕
Figure 02_image005
(B2) (式中，B為碳數4之二價烴基，k為1~30之整數)； 〔化3〕
Figure 02_image007
(B3) (式中，l為1~30之整數)。 [11] 如[10]所述之感光性元件，其中，前述具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物(B2)或(B3)中之至少一種，係每一分子具有三個以上乙烯性不飽和雙鍵。 [12] 如[1]至[11]中任一項所述之感光性元件，其中，係進一步含有含氫化雙酚A結構之化合物(B4)作為前述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物。 [13] 如[1]至[12]中任一項所述之感光性元件，其中，前述(C)增感劑係含有二苯基酮化合物。 [14] 如[1]至[13]中任一項所述之感光性元件，其中，前述(D)聚合抑制劑係含有2,6-雙三級丁基對甲苯酚。 [15] 一種光阻圖案之形成方法，其係包含： 積層步驟，將如[1]至[14]中任一項所述之感光性元件積層於基板上； 曝光步驟，對該感光性樹脂積層體之感光性樹脂層進行曝光；以及 顯影步驟，將該感光性樹脂層之未曝光部顯影除去。 ［發明之效果］
根據本發明，可提供一種顯影裝置停止後之顯影液消泡良好之感光性元件、及光阻圖案之形成方法。
以下詳細說明本發明之例示之實施型態(以下簡稱為「本實施型態」。)。本發明並不限於本實施型態，可在其宗旨範圍內進行各種變形而實施。本案說明書中，各數值範圍之上限值及下限值可任意組合。 又，本說明書中，以「~」表示之數值範圍係包含上限及下限之數值。
本發明之感光性元件係具備支撐膜、及形成於支撐膜上之含有感光性樹脂組成物之感光性樹脂組成物層。 此外，尤其是本發明之感光性元件之特徵係，其感光性樹脂組成物係含有： (A)鹼可溶性高分子、 (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物、 (C)增感劑、以及 (D)聚合抑制劑； (A)鹼可溶性高分子係含有：單體成分含有芳香族烴基且重量平均分子量Mw為20,000以下之鹼可溶性高分子； (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物係具有下述通式(B1)所表示之結構之化合物： 〔化4〕
Figure 02_image003
(B1) (式中，R 1及R 2各自獨立地表示氫或碳，A為碳數1~2之二價烴基，P為碳數3之二價烴基；(AO)及(PO)之排列可為無規或嵌段；m1+m2為0~10之整數，n為1~30之整數。)。
本發明人思及：藉由於(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物中適切地控制PO(環氧丙烷)結構之重複單元，不僅可改善顯影裝置運作中之消泡性，亦可改善裝置停止後之消泡。 亦即，根據本發明，可提供一種抑制顯影時顯影液之起泡，尤其是顯影裝置停止後之消泡良好之感光性元件、及光阻圖案之形成方法。尤其，本發明係著眼於改善消泡之新效果。
＜支撐膜＞ 本實施型態之支撐膜，係用於支撐感光性樹脂組成物層之層或膜，理想為可透射活性光線之透明之基材膜。
透明之基材膜，可列舉：聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯等合成樹脂所成之膜。通常，理想使用具有適度之可撓性及強度之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。 此等中，理想係使用內部異物較少之高品質膜。具體而言，高品質膜更理想係使用：使用Ti系觸媒合成之PET膜、潤滑劑之直徑小且含量少之PET膜、僅膜之單面含有潤滑劑之PET膜、薄膜PET膜、至少於單面施有平滑化處理之PET膜、至少於單面施有電漿處理等粗化處理之PET膜等。 藉此，可對感光性樹脂組成物層照射曝光之光而不被內部異物遮蔽，可提升感光性元件之解析度。
支撐膜之膜厚，理想為5μm以上25μm以下，更理想為6μm以上20μm以下。支撐膜之膜厚越薄，內部異物之個數越少，越可防止解析度下降，但若膜厚未滿5μm，則會於塗敷、捲取之製造步驟中產生張力所致之往捲取方向之伸長變形或微小損傷所致之破裂，或者因膜之強度不足而於積層時產生皺褶。
可於支撐膜之至少單面使用壓延裝置等施有平滑化處理。藉此，可減小支撐膜之單面，尤其是與感光性樹脂組成物層接觸之側之面的表面粗度，而使本發明之效果更加優異。
支撐膜之霧度，從提升往感光性樹脂組成物層照射之光線之平行度，並於感光性元件之曝光顯影後獲得更高之解析度之觀點而言，理想為0.01%~1.5%，更理想為0.01%~1.2%，更加理想為0.01~0.95%。
＜感光性樹脂組成物層＞ 感光性樹脂組成物層係積層於支撐膜上。本實施型態之感光性樹脂組成物層係含有：(A)鹼可溶性高分子、(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物、(C)增感劑、及(D)聚合抑制劑。
(A)鹼可溶性高分子 本實施型態中，從密著性及解析度優異之觀點而言，(A)鹼可溶性高分子係含有具有芳香族烴基之單體成分之構成單元。
此種芳香族烴基，可列舉例如：取代或非取代之苯基、及取代或非取代之芳烷基。從相同之觀點而言，具有芳香族烴基之單體成分，理想係具有取代或非取代之苄基之單體(例如：(甲基)丙烯酸苄酯)、苯乙烯衍生物(例如：苯乙烯、甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、三級丁氧基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、4-乙烯基安息香酸、苯乙烯二聚物、及苯乙烯三聚物等)，更理想係苯乙烯衍生物，特別理想係苯乙烯。
(A)鹼可溶性高分子中具有芳香族烴基之單體成分之含有比例，以所有單體成分之合計質量為基準，理想係52質量%以上，更理想係55質量%以上，更加理想係57質量%以上，特別理想係58質量%以上，最理想係60質量%以上。 上限無特別限定，理想係95質量%以下，更理想係80質量%以下。
(A)鹼可溶性高分子中作為單體成分含有之芳香族烴基，以(A)鹼可溶性高分子之總量為基準(100質量份)，理想係1~70質量份，更理想係10~60質量份。
含有具有芳香族烴基之單體成分之(A)鹼可溶性高分子，理想係藉由使具有芳香族烴基之單體、與後述之第一單體中之至少一種及/或後述之第二單體中之至少一種聚合而獲得。
(A)鹼可溶性高分子，理想係藉由使後述之第一單體中之至少一種聚合而獲得，更理想係藉由使第一單體中之至少一種與後述之第二單體中之至少一種共聚而獲得。
第一單體，係分子中具有羧基之單體。第一單體，可列舉例如：(甲基)丙烯酸、富馬酸、桂皮酸、巴豆酸、伊康酸、4-乙烯基安息香酸、馬來酸酐、馬來酸半酯等。此等中，從密著性及解析度優異之觀點而言，理想為(甲基)丙烯酸，更理想為甲基丙烯酸。 又，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」係意指丙烯酸或甲基丙烯酸，「(甲基)丙烯醯基」係意指丙烯醯基或甲基丙烯醯基，且「(甲基)丙烯酸酯」係意指「丙烯酸酯」或「甲基丙烯酸酯」。
第一單體之共聚比例，以所有單體成分之合計質量為基準，理想為10~50質量%。從密著性及解析度優異之觀點而言，理想係使該共聚比例為10質量%以上，更理想為15質量%以上，更加理想為18質量%以上，更進一步理想為21質量%以上，特別理想為23質量%以上，特別理想為24質量%以上。從密著性及解析度優異之觀點而言，理想係使該共聚比例為50質量%以下，更理想為35質量%以下，更加理想為30質量%以下，更進一步理想為29質量%以下，特別理想為27質量%以下，最理想為26質量%以下。
第二單體，係非酸性、且分子中具有至少一個聚合性不飽和基之單體。第二單體，可列舉例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等(甲基)丙烯酸酯類；乙酸乙烯酯等乙烯醇之酯類；以及(甲基)丙烯腈等。其中，理想為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、及(甲基)丙烯酸正丁酯。
第二單體，從密著性及解析度優異之觀點而言，理想係(A)鹼可溶性高分子含有1~20質量%之源自(甲基)丙烯酸烷酯(烷基之碳數為4以上)之構成單元。從該觀點而言，更理想為3質量%以上，更加理想為5質量%以上，此外，更理想為15質量%以下，更加理想為10質量%以下，特別理想為8質量%以下，最理想為6質量%以下。
(A)鹼可溶性高分子，係含有重量平均分子量Mw為20,000以下之鹼可溶性高分子；(A)鹼可溶性高分子，理想係含有重量平均分子量Mw為8,000以上之鹼可溶性高分子。 (A)鹼可溶性高分子之重量平均分子量Mw，理想係8,000~20,000。從密著性及解析度優異之觀點而言，理想係使重量平均分子量Mw為20,000以下，從相同之觀點而言，更理想係使其為18,000以下，更加理想係使其為15,000以下。 從相同之觀點而言，理想係使重量平均分子量Mw為8,000以上，更理想係使其為10,000以上，更加理想係使其為12,000以上。
(A)鹼可溶性高分子之分散度，理想係1.0~6.0，更理想係1.0~5.0，更加理想係1.0~4.0，特別理想係1.0~3.0。
(A)鹼可溶性高分子，可單獨使用一種，或者可混合使用二種以上。
(A)鹼可溶性高分子之合成，理想係藉由下述方式進行：以丙酮、甲基乙基酮、異丙醇等溶劑稀釋上述所說明之一種或複數種單體，於所得之溶液中添加適量的過氧化苯甲醯、偶氮異丁腈等自由基聚合起始劑並進行加熱攪拌。亦有一邊將混合物之一部分滴加至反應液中一邊進行合成之情形。亦有反應結束後進一步加入溶劑而調整至所期望之濃度之情形。合成手段，除了溶液聚合以外，亦可使用塊狀聚合、懸浮聚合、或乳化聚合。
(A)鹼可溶性高分子，其相對於感光性樹脂組成物之所有固形物成分質量之比例可為10質量%以上、20質量%以上、25質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上、45質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、或60質量%以上。此外，可為90質量%以下、80質量%以下、70質量%以下、60質量%以下、或50質量%以下。
從控制顯影時間之觀點而言，理想係使(A)鹼可溶性高分子相對於感光性樹脂組成物之比例為90質量%以下。另一方面，從提升耐邊緣熔融性之觀點而言，理想係使(A)鹼可溶性高分子相對於感光性樹脂組成物之比例為10質量%以上。
(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物 本實施型態中，(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物係具有下述通式(B1)所表示之結構之化合物： 〔化5〕
Figure 02_image003
(B1) (式中，R 1及R 2各自獨立地表示氫或碳，A為碳數1~2之二價烴基，P為碳數3之二價烴基；(AO)及(PO)之排列可為無規或嵌段；m1+m2為0~10之整數，n為1~30之整數。)。
從顯影性及柔軟性之觀點而言，式(B1)中理想係m1+m2為0以上，從解析度之觀點而言，理想係10以下。
從解析度、抑制顯影液之起泡、及停止後之消泡之觀點而言，通式(B1)中理想係n為2~15，更理想係n為3~8。 藉此，可提供具有良好之感度、解析度、密著性，可縮短剝離時間，並且可形成柔軟性優異之光阻圖案之感光性樹脂組成物。
從解析度、抑制顯影液之起泡、及停止後之消泡之觀點而言，通式(B1)中理想係(m1+m2)/n未滿0.83，更理想係(m1+m2)/n未滿0.5。 藉此，可提供具有更良好之感度、解析度、密著性，可更有效地縮短剝離時間，並且可形成柔軟性更優異之光阻圖案之感光性樹脂組成物。
(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物相對於感光性樹脂組成物之所有固形物成分質量之比例，從感度、黏性、追隨性之觀點而言，理想係30質量%以上，理想係35質量%以上。此外，從邊緣熔融(edge fusion)性、黏性、解析度之觀點而言，理想係50質量%以下，理想係45質量%以下，理想係42質量%以下。
此外，從邊緣熔融性、黏性、解析度之觀點而言，(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物固形物成分量相對於感光性樹脂組成物中所含之(A)鹼可溶性高分子之固形物成分量之值(即(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物固形物成分量/(A)鹼可溶性高分子之固形物成分量之值)，理想係1.4以下，理想係1.3以下，理想係1.2以下，理想係1.1以下。下限理想係0.7以上，理想係0.8以上，理想係0.9以上，理想係1.0以上。
作為(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物，前述通式(B1)所表示之化合物相對於感光性樹脂組成物之所有固形物成分質量之比例，理想為3質量%~30質量%。從解析度及密著性、柔軟性之觀點而言，理想係使該比例為2質量%以上，特別理想係使其為3質量%以上，更理想係使該比例為5質量%以上。 另一方面，從解析度、密著性之觀點而言，理想係使該比例為30質量%以下，更理想係使該比例為25質量%以下。
作為(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物，前述通式(1)所表示之化合物相對於感光性樹脂組成物之所有固形物成分質量之比例，從解析度、密著性之觀點而言，特別理想係17質量%以下，特別理想係15質量%以下，特別理想係13質量%以下，特別理想係10質量%以下。
(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物之含量，以(A)鹼可溶性高分子與(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物之和為基準(100質量份)，理想係0.1~10質量份，更理想係0.5~7質量份。藉此，可更有效地抑制顯影時顯影液之起泡，尤其是可更加改善顯影裝置停止後之消泡。
本實施型態之感光性樹脂組成物，理想係進一步含有具有下述通式(B2)或(B3)所表示之結構之化合物中之至少一種作為(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物： 〔化6〕
Figure 02_image005
(B2) (式中，B為碳數4之二價烴基，k為1~30之整數。)； 〔化7〕
Figure 02_image007
(B3) (式中，l為1~30之整數。)。 藉此，可提供具有良好之解析度、密著性，並且可形成柔軟性優異之光阻圖案之感光性樹脂組成物。
理想係具有前述通式(B2)或(B3)所表示之結構之化合物中至少一種係每一分子具有三個以上乙烯性不飽和雙鍵。藉此，可提供具有良好之解析度、密著性，並且可形成顯影性優異之光阻圖案之感光性樹脂組成物。
本實施型態之感光性樹脂組成物，理想係進一步含有可藉由將雙酚A氫化而獲得之含氫化雙酚A結構之化合物(B4)作為(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物。 本實施型態之感光性樹脂組成物中含氫化雙酚A結構之化合物(B4)之使用比例，相對於感光性樹脂組成物之固形物成分之合計質量，理想為12質量%~45質量%，更理想為17質量%~40質量%，更加理想為20質量%~40質量%。就獲得解析度、顯影性之平衡優異之感光性樹脂組成物之觀點而言，理想係將使用比例設為該範圍。此外，藉由使含氫化雙酚A結構之化合物(B4)為(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物整體的40質量%以上，可使解析度與密著性之平衡更為優異。
本發明之感光性樹脂組成物，理想係每100g感光性樹脂組成物之固形物成分中乙烯性不飽和雙鍵之莫耳數為0.1~0.3。藉由使其為0.1以上，可防止在顯影後之水洗步驟中，感光性樹脂成分從硬化後之感光性樹脂組成物(亦稱為光阻圖案)中溶出，從而汙染水洗步驟。藉由使其為0.3以下，可防止在顯影後之水洗步驟中，硬化後之感光性樹脂組成物(亦稱為光阻圖案)缺損脫落，從而汙染水洗步驟。
每100g感光性樹脂組成物之固形物成分中乙烯性不飽和雙鍵之莫耳數理想為0.1以上，更理想為0.11以上，更理想為0.12以上，更理想為0.13以上。此外，理想為0.3以下，理想為0.28以下，理想為0.25以下，理想為0.22以下，理想為0.20以下，理想為0.18以下，理想為0.15以下。 更理想為0.1以上~0.25以下，更加理想為0.1~0.2，更進一步理想為0.11以上~0.2以下，極度理想為0.11以上~0.15以下。
(C)增感劑 (C)增感劑可列舉：吡唑啉衍生物、蒽衍生物、三芳胺衍生物、噁唑衍生物、噁唑衍生物以外之N-芳基-α-胺基酸衍生物、經烷胺基取代之芳香族酮衍生物、二烷胺基安息香酸酯衍生物、等。
吡唑啉衍生物，可列舉例如：1-苯基-3-(4-三級丁基-苯乙烯基)-5-(4-三級丁基-苯基)-吡唑啉、1-(4-(苯并噁唑-2-基)苯基)-3-(4-三級丁基-苯乙烯基)-5-(4-三級丁基-苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基-苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-聯苯基)-5-(4-三級辛基-苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-異丙基苯乙烯基)-5-(4-異丙基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-甲氧基苯乙烯基)-5-(4-甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(3,5-二甲氧基苯乙烯基)-5-(3,5-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(3,4-二甲氧基苯乙烯基)-5-(3,4-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(2,6-二甲氧基苯乙烯基)-5-(2,6-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(2,5-二甲氧基苯乙烯基)-5-(2,5-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(2,3-二甲氧基苯乙烯基)-5-(2,3-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(2,4-二甲氧基苯乙烯基)-5-(2,4-二甲氧基苯基)-吡唑啉等。
蒽衍生物，可列舉例如：9,10-二甲氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽、2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、2-乙基-9,10-二乙氧基蒽、9,10-二丙氧基蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二戊氧基蒽、9,10-二丁氧基蒽、2-乙基-9,10-二丁氧基蒽、9-溴-10-苯基蒽、9-氯-10-苯基蒽、9-溴-10-(2-萘基)蒽、9-溴-10-(1-萘基)蒽、9-(2-聯苯基)-10-溴蒽、9-(4-聯苯基)-10-溴蒽、9-溴-10-(9-菲基)蒽、2-溴蒽、9-溴蒽、2-氯蒽、9,10-二溴蒽、9-(3-溴苯基)-10-苯基蒽等。
噁唑衍生物，可列舉例如：5-三級丁基-2-[5-(5-三級丁基-1,3-苯并噁唑-2-基)噻吩-2-基]-1,3-苯并噁唑、2-[4-(1,3-苯并噁唑-2-基)萘-1-基]-1,3-苯并噁唑等。
N-芳基-α-胺基酸衍生物，可列舉例如：N-苯基甘胺酸、N-甲基-N-苯基甘胺酸、N-乙基-N-苯基甘胺酸、N-(正丙基)-N-苯基甘胺酸、N-(正丁基)-N-苯基甘胺酸、N-(2-甲氧基乙基)-N-苯基甘胺酸、N-甲基-N-苯基丙胺酸、N-乙基-N-苯基丙胺酸、N-(正丙基)-N-苯基丙胺酸、N-(正丁基)-N-苯基丙胺酸、N-甲基-N-苯基纈胺酸、N-甲基-N-苯基白胺酸、N-甲基-N-(對甲苯基)甘胺酸、N-乙基-N-(對甲苯基)甘胺酸、N-(正丙基)-N-(對甲苯基)甘胺酸、N-(正丁基)-N-(對甲苯基)甘胺酸、N-甲基-N-(對氯苯基)甘胺酸、N-乙基-N-(對氯苯基)甘胺酸、N-(正丙基)-N-(對氯苯基)甘胺酸、N-甲基-N-(對溴苯基)甘胺酸、N-乙基-N-(對溴苯基)甘胺酸、N-(正丁基)-N-(對溴苯基)甘胺酸、N,N’-二苯基甘胺酸、N-甲基-N-(對碘苯基)甘胺酸、N-(對溴苯基)甘胺酸、N-(對氯苯基)甘胺酸、N-(鄰氯苯基)甘胺酸等。尤其是N-苯基甘胺酸之增感效果高，故理想。
經烷胺基取代之芳香族酮衍生物，可列舉二苯基酮衍生物，具體而言可列舉例如：二苯基酮；2-甲基二苯基酮、3-甲基二苯基酮或4-甲基二苯基酮等烷基二苯基酮化合物；2-氯二苯基酮、4-氯二苯基酮或4-溴二苯基酮等具有鹵素原子之二苯基酮化合物；2-羧基二苯基酮、2-乙氧羰基二苯基酮、二苯基酮四甲酸或其四甲酯等經羧基或烷氧羰基取代之二苯基酮化合物；4,4’-雙(二甲胺基)二苯基酮、4,4’-雙(二環己胺基)二苯基酮、4,4’-雙(二乙胺基)二苯基酮、4,4’-雙(二羥乙胺基)二苯基酮等雙(二烷胺基)二苯基酮化合物(理想為4,4’-雙(二烷胺基)二苯基酮化合物)；或4-甲氧基-4’-二甲胺基二苯基酮、4-甲氧基二苯基酮、4,4’-二甲氧基二苯基酮等。此等中，從密著性之觀點而言，理想為4,4’-雙(二乙胺基)二苯基酮。
上述(C)增感劑可單獨使用或混合使用兩種以上。本實施型態之感光性樹脂組成物中，理想係含有二苯基酮衍生物作為(C)增感劑。
(C)增感劑之配合量，相對於(A)鹼可溶性高分子之100質量份，理想為0.01~1質量份，更理想為0.1~0.5質量份。
(D)聚合抑制劑 (D)聚合抑制劑，可列舉例如：酚衍生物、對苯二酚衍生物、醌衍生物、自由基系聚合抑制劑、硝基苯衍生物、啡噻𠯤衍生物等。
酚化合物可列舉：對甲氧苯酚、對苯二酚、鄰苯三酚、三級丁基鄰苯二酚、2,6-雙三級丁基對甲苯酚、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-三級丁基苯酚)、2,2’-亞甲基雙(4-乙基-6-三級丁基苯酚)、2,6-雙三級丁基-4-甲基苯酚、2,5-雙三級戊基對苯二酚、2,5-雙三級丁基對苯二酚、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-三級丁基苯酚)、雙(2-羥基-3-三級丁基-5-乙基苯基)甲烷、三乙二醇-雙[3-(3-三級丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯]、1,6-己二醇-雙[3-(3,5-雙三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、四[3-(3,5-雙三級丁基-4-羥基苯基)丙酸]新戊四酯、2,2-硫基-二伸乙基雙[3-(3,5-雙三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、3-(3,5-雙三級丁基-4-羥基苯基)丙酸十八酯、N,N’-六亞甲基雙(3,5-雙三級丁基-4-羥基-氫桂皮醯胺)、3,5-雙三級丁基-4-羥基苄基膦酸二乙酯、1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-雙三級丁基-4-羥基苄基)苯、異氰脲酸參(3,5-雙三級丁基-4-羥基苄)酯、4,4’-硫基雙(6-三級丁基間甲苯酚)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-三級丁基苯酚)、1,1,3-參(2-甲基-4-羥基-5-三級丁基苯基)丁烷、苯乙烯化苯酚(例如川口化學工業(股)製，ANTAGE SP)、三苄基苯酚(例如川口化學工業(股)製，TBP，具有1~3個苄基之酚)、及聯苯酚等。
對苯二酚化合物，可列舉例如：對苯二酚、甲基對苯二酚、2-三級丁基對苯二酚、2,5-雙三級丁基對苯二酚、2,6-雙三級丁基對苯二酚等。 醌化合物，可列舉例如：三級丁基苯醌、2,6-雙三級丁基-1,4-苯醌、2,5-雙三級丁基-1,4-苯醌等。
自由基系聚合抑制劑，可列舉例如：對亞硝基苯酚、亞硝基苯、N-亞硝基二苯胺、亞硝酸異壬酯、N-亞硝基環己基羥基胺、N-亞硝基苯基羥基胺、N,N’-二亞硝基苯二胺、及此等之鹽等亞硝基化合物；2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧(2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl)、4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧、4-羥基-2,2,6,6-四甲基-1-羥基哌啶、4-側氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧、4-側氧基-2,2,6,6-四甲基-1-氧基哌啶等受阻胺化合物。
硝基苯化合物，可列舉例如：硝基苯、4-硝基甲苯等。 啡噻𠯤化合物可列舉：啡噻𠯤、2-甲氧基啡噻𠯤等。
(D)聚合抑制劑理想係含有酚衍生物。藉由含有酚衍生物，可使密著性及解析度非常優異。 (D)聚合抑制劑，從密著性及解析度非常優異之觀點而言，理想為酚衍生物；從相同之觀點而言，更理想為對甲氧苯酚、2,6-雙三級丁基對甲苯酚、三乙二醇-雙[3-(3-三級丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-三級丁基苯酚)、鄰苯二酚、三級丁基鄰苯二酚、2,5-雙三級丁基對苯二酚、聯苯酚。從相同之觀點而言，酚衍生物理想為2,6-雙三級丁基對甲苯酚。
(D)聚合抑制劑相對於感光性樹脂組成物之所有固形物成分質量之比例理想為0.001質量%~10質量%。該比例就密著性及解析度非常優異之觀點而言，理想為0.001質量%以上，更理想為0.005質量%以上，更加理想為0.01質量%以上，更進一步理想為0.05質量%以上，特別理想為0.1質量%以上。另一方面，該比例就感度下降較少之觀點及提升解析度之觀點而言，理想為10質量%以下，更理想為8質量%以下，更理想為5質量%以下，更加理想為3質量%以下，特別理想為2質量%以下，最理想為1.5質量%以下。
本實施型態中，亦可使感光性樹脂組成物層含有藉由光照射顯色之顯色系染料。顯色系染料，例如已知有隱色染料與鹵素化合物之組合。隱色染料，可列舉例如：參(4-二甲胺基-2-甲基苯基)甲烷[隱色結晶紫]、雙(4-二甲胺基苯基)苯基甲烷[隱色孔雀綠]等。鹵素化合物，可列舉例如：溴戊烷、溴異戊烷、1,2-二溴-2-甲基丙烷、1,2-二溴乙烷、二苯溴甲烷、α,α-二溴甲苯、二溴甲烷、三溴甲基苯基碸、四溴化碳、磷酸三(2,3-二溴丙)酯、三氯乙醯胺、碘戊烷、碘異丁烷、1,1,1-三氯-2,2-雙(對氯苯基)乙烷、六氯乙烷等。
本實施型態中，視需要亦可使感光性樹脂組成物層含有可塑劑等添加劑。添加劑，可列舉例如：鄰苯二甲酸二乙酯等鄰苯二甲酸酯類、鄰甲苯磺醯胺、對甲苯磺醯胺、檸檬酸三丁酯、檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三正丙酯、乙醯檸檬酸三正丁酯、聚丙二醇、聚乙二醇、聚乙二醇烷基醚、聚丙二醇烷基醚等。
感光性樹脂組成物層之厚度理想為3~100μm，更理想之上限為50μm。感光性樹脂層之厚度越接近3μm解析度越高，越接近100μm膜強度越高，因此可視用途適宜選擇。
＜保護膜＞ 本實施型態之感光性元件，除了支撐膜及感光性樹脂組成物層以外，亦可具備保護膜。 保護膜係積層於支撐膜與感光性樹脂組成物層之積層體之感光性樹脂組成物層側，並作為保護層發揮功能。
由於感光性樹脂組成物層與保護膜之密著力充分小於感光性樹脂組成物層與支撐膜之密著力，因此可容易地從感光性樹脂組成物層上剝離保護膜。例如，可理想使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、延伸聚丙烯膜等作為保護膜。 此外，亦可於保護膜之表面設置離型層。
保護膜之膜厚理想為10~100μm，更理想為10~50μm。保護膜，可列舉例如：王子艾富特(股)製之EM-501、E-200、E-201F、FG-201、MA-411；東麗(股)製之KW37、2578、2548、2500、YM17S；塔瑪波里(股)(TAMAPOLY CO., LTD.)製之GF-18、GF-818、GF-858等。
[感光性元件捲] 上述所說明之感光性元件，可以長條狀之感光性元件被捲取於捲芯而成之捲狀之感光性元件捲之形態使用。
[光阻圖案之形成方法] 使用本實施型態之感光性元件的光阻圖案之形成方法，包含且理想係依序包含以下步驟： 積層步驟，將感光性元件積層於基板上； 曝光步驟，對感光性元件之感光性樹脂組成物層進行曝光；以及 顯影步驟，將感光性樹脂組成物層之未曝光部顯影除去。
積層步驟中，具體而言，從感光性元件上剝離保護膜後，使用積層機將感光性樹脂組成物層加熱壓接於支撐體(例如基板)表面，進行一次或複數次積層。基板之材料，可列舉例如：銅、不鏽鋼(SUS)、玻璃、氧化銦錫(ITO)等。積層時之加熱溫度一般為40℃~160℃。加熱壓接，可藉由使用具備雙聯軋輥之二段式積層機，或藉由使基板與感光性樹脂組成物層之積層物重複通過軋輥數次而進行。
曝光步驟中，使用曝光機對感光性樹脂組層進行活性光曝光。曝光，依期望可於剝離支撐體後進行。於通過光罩進行曝光之情形，曝光量由光源照度及曝光時間決定，亦可使用光量計測定。曝光步驟中，亦可進行直接成像曝光。直接成像曝光中，在不使用光罩之情況下於基板上藉由直接描繪裝置進行曝光。光源係使用波長為350nm~410nm之半導體雷射或超高壓水銀燈。以電腦控制描繪圖案之情形，曝光量由曝光光源之照度及基板之移動速度決定。
曝光步驟所使用之光照射方法，理想係選自投影曝光法、接近式曝光法、接觸式曝光法、直接成像曝光法、電子束直接描繪法中之至少一種之方法，更理想係藉由投影曝光方法進行。
亦可於曝光步驟與顯影步驟之間設置加熱步驟。加熱溫度，理想為約30℃~約200℃，更理想為30℃~150℃，更加理想為40℃~120℃。藉由實施該加熱步驟，可提升解析度、密著性。加熱，可使用熱風、紅外線、或遠紅外線方式之加熱爐、恆溫槽、加熱板、熱風乾燥機、紅外線乾燥機、熱輥等。
曝光步驟後至加熱步驟前所經過的時間，更嚴格來說，為從停止曝光之時間點至開始加熱之時間點所經過的時間，理想為10秒~600秒，更理想為20秒~300秒。從開始加熱後至停止加熱之時間點所經過的時間，理想為1秒~120秒，更理想為5秒~60秒。
顯影步驟中，使用顯影裝置以顯影液將曝光後之感光性樹脂組成物層中之未曝光部或曝光部除去。曝光後，於感光性樹脂組成物層上存在支撐膜之情形，將其去除。接著，使用鹼性水溶液所成之顯影液將未曝光部或曝光部顯影除去，從而獲得光阻圖像。
鹼性水溶液，理想為Na 2CO 3、K 2CO 3等之水溶液。鹼性水溶液，可配合感光性樹脂組成物層之特性進行選擇，但一般使用濃度為0.2質量%~2質量%之Na 2CO 3水溶液。鹼性水溶液中，可混有表面活性劑、消泡劑、用於促進顯影之少量有機溶劑等。顯影步驟中顯影液之溫度，理想為在20℃~40℃之範圍內保持一定。
由上述步驟可獲得光阻圖案，但依期望亦可進一步在60℃~300℃下進行加熱步驟。藉由實施該加熱步驟，可提升光阻圖案之耐藥品性。加熱步驟，可使用利用熱風、紅外線、或遠紅外線之方式之加熱爐。
尤其，藉由使用本實施型態之感光性元件，可良好地抑制顯影時顯影液之起泡，尤其是可改善顯影裝置停止後之消泡。
為了獲得導體圖案，可於顯影步驟或加熱步驟後進行導體圖案形成步驟，對形成有光阻圖案之基板進行蝕刻或鍍。
導體圖案之製造方法，例如藉由下述方式進行：使用金屬板或金屬皮膜絕緣板作為基板，藉由上述之光阻圖案形成方法形成光阻圖案後，再經過導體圖案形成步驟。導體圖案形成步驟中，於因顯影而露出之基板表面(例如銅面)使用已知之蝕刻法或鍍法形成導體圖案。
進一步於以上述之導體圖案之製造方法製造導體圖案後進行剝離步驟，使用鹼性強於顯影液之水溶液，將光阻圖案從基板上剝離，藉此可獲得具有所期望之配線圖案之配線板(例如印刷配線板)。
剝離用之鹼性水溶液(以下亦稱「剝離液」)無特別限制，一般使用濃度為2質量%~5質量%之NaOH或KOH之水溶液、或有機胺系剝離液。剝離液中可加入少量水溶性溶劑。水溶性溶劑，可列舉例如醇等。剝離步驟中剝離液之溫度，理想為在40℃~70℃之範圍內。
本實施型態中，感光性元件可用於：印刷配線板之製造；IC晶片裝載用引線框架製造；金屬遮罩製造等金屬箔精密加工；球柵陣列(BGA)、晶片尺寸封裝體(CSP)等封裝體之製造；薄膜覆晶(COF)、帶式自動接合(TAB)等帶式基板之製造；半導體凸塊之製造；及ITO電極、定址電極、電磁波屏蔽罩等平板顯示器之隔牆之製造。 又，上述各參數之值，只要無特別聲明，係依照後述實施例中之測定方法進行測定。 ［實施例］
接著，列舉實施例及比較例以更具體地說明本實施型態。然而，本實施型態只要不脫離其要旨，則不限於以下之實施例。實施例中之物性係藉由以下方法測定。
[評價用樣品之製作] 評價用樣品製作如下。 ＜感光性元件之製作＞ (實施例1~28、比較例1~5) 將後揭表1~表3所示之成分(但各成分之數字係表示作為固形物成分之配合量(質量份)。)、及使固形物成分濃度為60%進行計量之甲基乙基酮充分攪拌、混合，從而獲得感光性樹脂組成物調合液。表1~表3中所示之成分之細節示於表4~表7。 支撐膜使用16μm厚之聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗(股)製，QS71)，並使用棒式塗布機於其表面上均勻塗布該調合液，在95℃之乾燥機中乾燥2分30秒，從而形成感光性樹脂組成物層。感光性樹脂組成物層之乾燥厚度為25μm。 接著，於感光性樹脂組成物層之未積層聚對苯二甲酸乙二酯膜之側之表面上貼合作為保護膜之19μm厚之聚乙烯膜(塔瑪波里(股)製，GF-18)，從而獲得感光性樹脂元件。
＜基板整面＞ 作為圖像性之評價基板，對積層有18μm壓延銅箔之0.4mm厚之覆銅積層板以10質量%H 2SO 4水溶液洗淨基板表面。
＜積層＞ 一邊剝離感光性元件之聚乙烯膜(保護膜)，一邊藉由熱輥積層機(旭化成(股)公司製，AL-700)在軋輥溫度105℃下將感光性樹脂積層體積層於預熱至50℃之覆銅積層板。將氣壓設為0.35MPa，並將積層速度設為1.5m/min。
＜曝光＞ 藉由投影曝光機(優志旺電機(股)製，UX-44101SM)通過玻璃遮罩對積層後經過2小時之評價用基板進行曝光。曝光係以前述遮罩中L(線)/S(間距)=10μm/10μm之處曝光、顯影時硬化光阻圖案之線寬度為10μm之曝光量進行。
＜加熱＞ 藉由設定為60℃之送風定溫恆溫器(雅瑪拓科學(股)(Yamato Scientific Co., Ltd.)製，DKM600)對曝光後經過1分鐘之評價用基板進行加熱30秒鐘。
＜顯影＞ 剝離聚對苯二甲酸乙二酯膜(支撐膜)後，使用鹼性顯影機((股)富士機工(FUJI KIKOU CO.,LTD.)製，乾膜用顯影機)歷經指定時間噴灑30℃之1質量%Na 2CO 3水溶液而進行顯影。將顯影噴灑的時間設為最短顯影時間的2倍時間，並將顯影後水洗噴灑的時間設為最短顯影時間的2倍時間。此時，以未曝光部分之感光性樹脂層完全溶解所需之最短時間作為最短顯影時間。
[評價] 對所製作之樣品就顯影性、解析度、柔軟性及消泡評價如下。
＜顯影性＞ 將感光性元件積層於基板後，測定經過15分鐘後之最少顯影時間，並依以下基準進行評價。 優：最少顯影時間未滿20秒 良：最少顯影時間為20秒以上且未滿25秒 可：最少顯影時間為25秒以上且未滿30秒 不可：最少顯影時間為30秒以上
＜解析度＞ 以顯微鏡觀察所獲得之基板之L/S=1/1圖案部，並依以下基準進行評價。 優：最小可形成部為6μm/6μm以下 良：最小可形成部為7μm/7μm以下 可：最小可形成部為8μm/8μm以下 不可：最小可形成部為9μm/9μm以下
＜柔軟性＞ (評價用樣品製作) 一邊剝離感光性元件之聚乙烯膜(保護膜)，一邊藉由熱輥積層機(旭化成(股)公司製，AL-700)在軋輥溫度105℃下將感光性樹脂積層體積層於切成7cm×20cm之聚醯亞胺膜基材軟性印刷電路用覆銅積層板(尼關工業(股)製，NIKAFLEX F-30VC1 25RC11(H))。將氣壓設為0.35MPa，並將積層速度設為1.5m/min。接著，藉由投影曝光機(優志旺電機(股)製，UX-2203SM)在不通過玻璃遮罩之情況下進行曝光。進一步地，藉由設定為60℃之送風定溫恆溫器(雅瑪拓科學(股)製，DKM600)對曝光後經過1分鐘之評價用基板進行加熱30秒鐘，之後以最短顯影時間之2倍時間進行顯影，從而獲得評價用樣品。所製作之樣品以23℃、50%RH進行濕度控制1日。
(評價方法) 根據JIS K5600-5-1(耐彎曲性(圓筒形心軸))、ISO1519對進行濕度控制後之評價用樣品進行試驗，並依以下基準進行評價。 優：以8mmφ之心軸進行彎折，無破裂及剝離 良：以10mmφ之心軸進行彎折，無破裂及剝離 可：以12mmφ之心軸進行彎折，無破裂及剝離 不可：以16mmφ之心軸進行彎折，無破裂及剝離
＜消泡＞ (評價用樣品製作) 剝離感光性元件之聚對苯二甲酸乙二酯膜(支撐膜)及聚乙烯膜(保護膜)，並秤取感光性樹脂組成物20g。接著，將感光性樹脂組成物投入1L之1%碳酸鈉水溶液中，在30℃下攪拌2小時從而獲得評價用樣品。
(評價方法) 根據JIS K 2518：2017依以下條件使溶解有感光性樹脂組成物之顯影液起泡。 樣品量：190mL 圓筒：L480，φ65mm，刻度0~1,000mL，最小刻度10mL 空氣流量：94mL/min 試驗時間：5分鐘 然後，依以下基準評價泡泡的量以評價靜置1分鐘後之消泡程度。 優：泡泡的高度未滿10mL 良：泡泡的高度為10mL以上且未滿25mL 可：泡泡的高度為25mL以上且未滿50mL 不可：泡泡的高度為50mL以上
分別將實施例1~12之樣品之評價結果示於表1，將實施例13~23之樣品之評價結果示於表2，將實施例24~28、比較例1~5之樣品之評價結果示於表3。此外，將表1~表3中所示之成分之細節示於表4~表7。
〔表1〕
Figure 02_image013
〔表2〕
Figure 02_image015
〔表3〕
Figure 02_image017
〔表4〕
Figure 02_image019
〔表5〕
Figure 02_image021
〔表6〕
Figure 02_image023
〔表7〕
Figure 02_image025
由表1~表3可明顯得知，滿足本發明之要件之實施例，其顯影性、解析度、柔軟性、消泡均良好。
相對於此，如表3所示，於不滿足本發明之要件之情形，無法獲得良好結果。亦即，不含重量平均分子量Mw為20,000以下之(A)成分之比較例1及比較例4中，顯影性之結果為不可。作為(B)成分之式(B1)所表示之化合物中n大於30之比較例2、m1+m2大於10之比較例3中，消泡及解析度之結果為不可。不含式(B1)所表示之化合物作為(B)成分之比較例5中，消泡之結果為不可。
以上說明本發明之實施型態，惟本發明並不限於此，可在不脫離發明宗旨之範圍內適宜變更。 ［產業利用性］
藉由使用本發明之感光性元件，可改善顯影裝置停止後之顯影液消泡，可作為用於印刷配線板等之光阻圖案形成之感光性元件廣泛利用。

Claims (15)

  1. 一種感光性元件，其具備支撐膜、及形成於該支撐膜上之含有感光性樹脂組成物之感光性樹脂組成物層；該感光性樹脂組成物係含有： (A)鹼可溶性高分子、 (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物、 (C)增感劑、以及 (D)聚合抑制劑； 該(A)鹼可溶性高分子係含有：單體成分含有芳香族烴基且重量平均分子量Mw為20,000以下之鹼可溶性高分子； 該(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物係具有下述通式(B1)所表示之結構之化合物： 〔化1〕
    Figure 03_image003
    (B1) (式中，R 1及R 2各自獨立地表示氫或碳，A為碳數1~2之二價烴基，P為碳數3之二價烴基；(AO)及(PO)之排列可為無規或嵌段；m1+m2為0~10之整數，n為1~30之整數)。
  2. 如請求項1所述之感光性元件，其中，該通式(B1)中n為2~15。
  3. 如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該通式(B1)中n為3~8。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之感光性元件，其中，該通式(B1)中，(m1+m2)/n未滿0.83。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之感光性元件，其中，該通式(B1)中，(m1+m2)/n未滿0.50。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之感光性元件，其中，該具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物(B1)之含量，以該(A)鹼可溶性高分子與該(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物之和為基準，係0.1~10質量份。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之感光性元件，其中，該(A)鹼可溶性高分子係含有重量平均分子量Mw為8,000以上之鹼可溶性高分子。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之感光性元件，其中， 該(A)鹼可溶性高分子中作為單體成分含有之芳香族烴基，以該(A)鹼可溶性高分子之總量為基準係1~70質量份。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之感光性元件，其中，該(A)鹼可溶性高分子中作為單體成分含有之芳香族烴基，以該(A)鹼可溶性高分子之總量為基準係10~60質量份。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之感光性元件，其中，該(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物， 係進一步含有具有下述通式(B2)或(B3)所表示之結構之化合物中之至少一種： 〔化2〕
    Figure 03_image005
    (B2) (式中，B為碳數4之二價烴基，k為1~30之整數)； 〔化3〕
    Figure 03_image007
    (B3) (式中，l為1~30之整數)。
  11. 如請求項10所述之感光性元件，其中，該具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物(B2)或(B3)中之至少一種，係每一分子具有三個以上乙烯性不飽和雙鍵。
  12. 如請求項1至11中任一項所述之感光性元件，其中，係進一步含有含氫化雙酚A結構之化合物(B4)作為該(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物。
  13. 如請求項1至12中任一項所述之感光性元件，其中，該(C)增感劑係含有二苯基酮化合物。
  14. 如請求項1至13中任一項所述之感光性元件，其中，該(D)聚合抑制劑係含有2,6-雙三級丁基對甲苯酚。
  15. 一種光阻圖案之形成方法，其係包含： 積層步驟，將如請求項1至14中任一項所述之感光性元件積層於基板上； 曝光步驟，對該感光性樹脂積層體之感光性樹脂層進行曝光；以及 顯影步驟，將該感光性樹脂層之未曝光部顯影除去。
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JP5768521B2 (ja) 2010-07-13 2015-08-26 日立化成株式会社 感光性エレメント、それを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP5707420B2 (ja) * 2010-12-24 2015-04-30 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
WO2016104639A1 (ja) 2014-12-26 2016-06-30 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
WO2018042833A1 (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、転写フィルム、タッチパネル用保護膜、タッチパネル及びその製造方法、並びに画像表示装置
JP7308014B2 (ja) 2017-02-23 2023-07-13 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体
CN116300314A (zh) * 2017-03-01 2023-06-23 旭化成株式会社 感光性树脂组合物
CN111727208B (zh) * 2018-02-21 2023-10-17 富士胶片株式会社 固化性组合物、固化物、滤色器、滤色器的制造方法、固体摄像元件及图像显示装置
KR20240046924A (ko) 2018-06-22 2024-04-11 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법
CN114375420A (zh) * 2019-09-13 2022-04-19 旭化成株式会社 感光性树脂组合物及感光性元件

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