TW202321887A - 顯示裝置及顯示裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

提供一種顯示品質高的顯示裝置。本發明是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一有機絕緣層、第一有機絕緣層上的第一無機絕緣層及第二無機絕緣層、第一發光元件、第二發光元件以及第二有機絕緣層。第一發光元件包括第一無機絕緣層上的第一像素電極、第一像素電極上的第一EL層以及第一EL層上的共用電極。第二發光元件包括第二無機絕緣層上的第二像素電極、第二像素電極上的第二EL層以及第二EL層上的共用電極。第二有機絕緣層設置在第一EL層與第二EL層之間，共用電極設置在第二有機絕緣層上。第一有機絕緣層在與第二有機絕緣層重疊的區域中具有凹部，第一無機絕緣層具有與凹部重疊的第一突出部，第二無機絕緣層具有與凹部重疊的第二突出部。

Description

顯示裝置及顯示裝置的製造方法

本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置、顯示模組及電子裝置。本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置的製造方法。

注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。作為本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置（例如觸控感測器）、輸入輸出裝置（例如觸控面板）以及上述裝置的驅動方法或製造方法。

顯示裝置被期待應用於各種用途。例如，作為大型顯示裝置的用途，可以舉出家用電視機（也稱為電視或電視接收器）、數位看板（Digital Signage）及公共資訊顯示器（PID：Public Information Display）等。此外，作為可攜式資訊終端，對具備觸控面板的智慧手機及平板終端等已在進行研發。

作為顯示裝置，例如已開發了包括發光元件（也稱為發光器件）的發光裝置。尤其是，利用電致發光（EL：Electroluminescence）現象的發光元件（也稱為“EL元件”或“EL器件”）具有容易實現薄型輕量化；能夠高速地回應輸入信號；以及能夠使用直流穩壓電源等而驅動的特徵等，並已將其應用於顯示裝置。例如，專利文獻1公開了使用有機EL元件（也稱為有機EL器件）的具有撓性的發光裝置。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2014-197522號公報

例如，藉由以與發射白色光的發光元件重疊的方式設置彩色層，可以提供一種進行彩色顯示的顯示裝置。在藉由設置彩色層進行彩色顯示的顯示裝置中，可以使所有的發光元件發射同一顏色的光，因此各發光元件可以共用發光層作為一連續的膜。但是，當各發光元件共用發光層時，有時在發光元件之間產生洩漏電流。由於洩漏電流，有時發生為相鄰的發光元件非意圖性地發光的現象的串擾。串擾的發生有時導致顯示裝置的顯示品質的下降。

於是，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種發光層在發光元件間分離的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種抑制串擾的發生的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種顯示品質高的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高清晰的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高解析度的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎顯示裝置。

另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種發光層在發光元件間分離的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種製程數少的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種抑制串擾的發生的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種顯示品質高的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高清晰的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高解析度的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎顯示裝置的製造方法。

注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述目的以外的目的。

本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一有機絕緣層、第一有機絕緣層上的第一無機絕緣層、第二無機絕緣層、第一發光元件、第二發光元件以及第二有機絕緣層，第一發光元件包括第一無機絕緣層上的第一像素電極、第一像素電極上的第一EL層以及第一EL層上的共用電極，第二發光元件包括第二無機絕緣層上的第二像素電極、第二像素電極上的第二EL層以及第二EL層上的共用電極，第二有機絕緣層設置在第一EL層與第二EL層之間，共用電極設置在第二有機絕緣層上，第一有機絕緣層在與第二有機絕緣層重疊的區域中具有凹部，第一無機絕緣層具有與凹部重疊的第一突出部，第二無機絕緣層具有與凹部重疊的第二突出部。

另外，在上述實施方式中，第一突出部的寬度與第一EL層的厚度之比也可以是0.3以上，第二突出部的寬度與第二EL層的厚度之比也可以是0.3以上。

另外，在上述實施方式中，第一EL層也可以包含與第二EL層相同的材料，第一EL層也可以與第二EL層分離。

另外，在上述實施方式中，也可以包括有機層，有機層也可以設置在凹部中，第二有機絕緣層也可以設置在有機層上。

另外，在上述實施方式中，有機層也可以與第一EL層及第二EL層分離。

另外，在上述實施方式中，第一EL層也可以覆蓋第一像素電極的側面的至少一部分，第二EL層也可以覆蓋第二像素電極的側面的至少一部分。

另外，在上述實施方式中，也可以包括第三無機絕緣層，第三無機絕緣層也可以設置在第一有機絕緣層、第一EL層及第二EL層與第二有機絕緣層之間。

另外，在上述實施方式中，也可以包括共用層，共用層也可以設置在第一EL層、第二EL層及第二有機絕緣層與共用電極之間。

另外，在上述實施方式中，也可以包括第一彩色層以及第二彩色層，第一彩色層具有與第一發光元件重疊的區域，第二彩色層具有與第二發光元件重疊的區域，透過第一彩色層的光的顏色也可以與透過第二彩色層的光的顏色不同。

另外，本發明的一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，包括如下步驟：依次形成第一有機絕緣層、無機絕緣膜以及導電膜；藉由去除導電膜的一部分來形成第一像素電極以及第二像素電極；藉由去除無機絕緣膜的一部分來形成第一像素電極下的第一無機絕緣層以及第二像素電極下的第二無機絕緣層；藉由在第一有機絕緣層的在俯視時位於第一無機絕緣層和第二無機絕緣層之間的區域中形成凹部，在第一無機絕緣層中形成與凹部重疊的第一突出部，在第二無機絕緣層中形成與凹部重疊的第二突出部；在第一像素電極上形成第一EL層，在第二像素電極上形成第二EL層；以具有與凹部重疊的區域的方式在第一EL層與第二EL層之間形成第二有機絕緣層；以及在第一EL層、第二EL層以及第二有機絕緣層上形成共用電極。

另外，在上述實施方式中，第一突出部的寬度與第一EL層的厚度之比也可以是0.3以上，第二突出部的寬度與第二EL層的厚度之比也可以是0.3以上。

另外，在上述實施方式中，第二EL層也可以與第一EL層分離，第二EL層也可以包含與第一EL層相同的材料。

另外，在上述實施方式中，在形成第一EL層及第二EL層時，也可以在凹部形成有機層，第二有機絕緣層也可以形成在有機層上。

另外，在上述實施方式中，有機層也可以與第一EL層及第二EL層分離。

另外，在上述實施方式中，凹部也可以藉由灰化形成。

另外，在上述實施方式中，第二有機絕緣層也可以利用光微影法形成。

另外，在上述實施方式中，第一EL層也可以以覆蓋第一像素電極的側面的至少一部分的方式形成，第二EL層也可以以覆蓋第二像素電極的側面的至少一部分的方式形成。

另外，在上述實施方式中，在形成第二有機絕緣層之後，也可以在第一EL層、第二EL層及第二有機絕緣層上形成共用層，也可以在共用層上形成共用電極。

另外，在上述實施方式中，在形成共用電極之後，也可以形成具有與第一像素電極及第一EL層重疊的區域的第一彩色層、以及具有與第二像素電極及第二EL層重疊的區域並透過的光的顏色與第一彩色層不同的第二彩色層。

根據本發明的一個實施方式，可以提供一種發光層在發光元件間分離的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種抑制串擾的發生的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種顯示品質高的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種高清晰的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種高解析度的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎顯示裝置。

另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種發光層在發光元件間分離的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種製程數少的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種抑制串擾的發生的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種顯示品質高的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種高清晰的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種高解析度的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎顯示裝置的製造方法。

注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述效果以外的效果。

參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。

注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共用相同的符號來顯示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。

為了便於理解，有時圖式中示出的各構成的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明並不必然限於圖式中公開的位置、尺寸及範圍等。

在本說明書等中，為了方便起見，有時使用“上”、“下”、“上方”或“下方”等表示配置的詞句以參照圖式說明組件的位置關係。此外，組件的位置關係根據描述各結構的方向適當地改變。因此，不侷限於本說明書等中所說明的詞句，根據情況可以適當地換詞句。例如，關於“位於導電層上的絕緣層”的表述，藉由將所示的圖式的方向旋轉180度，也可以換稱為“位於導電層下的絕緣層”。

另外，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。

實施方式1 在本實施方式中，使用圖式對本發明的一個實施方式的顯示裝置進行說明。

在本發明的一個實施方式的顯示裝置的顯示部中，像素排列為矩陣狀，像素包括多個子像素。子像素包括發光元件及彩色層。發光元件在一對電極間包括EL層。在本說明書等中，有時將一對電極中的一個記為像素電極且將另一個記為共用電極。

EL層至少包括發光層。在此，作為EL層所包括的層，可以舉出發光層、載子注入層、載子傳輸層及載子障壁層等。在此，將EL層所包括的層中的發光層以外的層稱為功能層。

在本說明書等中，有時將電洞或電子稱為“載子”。明確而言，電洞注入層或電子注入層、電洞傳輸層或電子傳輸層以及電洞障壁層或電子障壁層有時分別被稱為“載子注入層”、”載子傳輸層”以及“載子障壁層”。注意，根據剖面形狀或特性等，有時不能明確地區別上述載子注入層、載子傳輸層及載子障壁層。另外，有時一個層具有作為載子注入層、載子傳輸層和載子障壁層中的兩個或三個的功能。

在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，包括在一個像素中的多個子像素可以包括發射彼此相同的顏色的光的發光元件，例如可以包括發射白色光的發光元件。並且，按各子像素在與發光元件重疊的區域中設置透過的光的顏色互不相同的彩色層。由此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以進行全彩色顯示。

當包括在一個像素中的多個子像素包括發射彼此相同的顏色的光的發光元件時，可以使發光元件中的EL層為多個子像素之間共同的層。因此，多個子像素可以共用一連續的膜。但是，當多個子像素共用一連續的膜時，有時在子像素之間產生洩漏電流。由此，在相鄰的子像素之間發生串擾，例如有可能導致顯示裝置的顯示品質的下降。

在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，每個發光元件分別包括島狀EL層。因為每個發光元件的EL層彼此分離，所以可以抑制在相鄰的子像素之間發生串擾。由此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以為顯示品質高的顯示裝置。

在本說明書等中，島狀是指使用同一材料及同一製程形成的兩個以上的層物理分離的狀態。例如，島狀EL層是指該EL層與相鄰的EL層物理分離的狀態。

例如，藉由使用金屬遮罩的真空蒸鍍法，可以沉積島狀EL層。然而，這方法由於金屬遮罩的精度、金屬遮罩與基板的錯位、金屬遮罩的撓曲以及蒸氣散射等所導致的沉積了的膜的輪廓變大等的各種影響，而島狀EL層的形狀及位置與設計時的形狀及位置產生偏差。因此，難以提高顯示裝置的清晰度及開口率。此外，在蒸鍍中，有時因層的輪廓模糊而端部的厚度變小。就是說，有時使用金屬遮罩形成的島狀EL層的厚度不同。另外，當製造大型且高解析度或高清晰的顯示裝置時，有如下擔擾：由於金屬遮罩的低尺寸精度、熱等所引起的變形，製造良率下降。

於是，當製造本發明的一個實施方式的顯示裝置時，不使用金屬遮罩等陰影遮罩而形成島狀EL層。明確而言，首先，依次沉積基板上的有機絕緣層、有機絕緣層上的無機絕緣層以及無機絕緣層上的導電層。接著，藉由去除導電層的一部分來形成多個像素電極。接著，藉由去除無機絕緣層的不與像素電極重疊的區域，來使無機絕緣層分離。接著，在分離的無機絕緣層之間，在有機絕緣層中形成凹部。在此，以各無機絕緣層的端部與有機絕緣層的凹部重疊的方式形成該凹部。就是說，以無機絕緣層具有與有機絕緣層的凹部重疊的突出部的方式形成該凹部。

導電層及無機絕緣層的上述加工例如可以在利用光微影法形成圖案之後進行蝕刻來進行。另外，利用與無機絕緣層的加工方法相比容易各向同性地加工的方法加工有機絕緣層。例如，藉由利用氧電漿的灰化加工有機絕緣層。由此，可以以無機絕緣層具有上述突出部的方式在有機絕緣層中形成上述凹部。

在本說明書等中，灰化例如是指使因放電而產生的活性氧分子、臭氧分子或氧原子化學作用於有機絕緣層來去除該有機絕緣層的至少一部分。

在本說明書等中，“加工層或膜”意味著去除層或膜的所希望的區域。在此，可以說膜因加工而分離，由此形成多個層。

另外，在本說明書等中，水平方向例如是指與基板面水平的方向。另外，垂直方向例如是指與基板面垂直的方向。注意，例如，有時將與設置在基板上的層的平坦部水平的方向稱為水平方向，有時將與該平坦部垂直的方向稱為垂直方向。另外，基板面及層的平坦部等不一定需要為完全的平坦，也可以為具有微小曲率的近似平面狀或具有微細凹凸的近似平面狀。

接著，以跨著多個像素電極的方式沉積EL層。當沉積EL層時，EL層由於無機絕緣層的突出部被分離成島狀，對於一個像素電極形成一個島狀EL層。就是說，可以對於每個子像素分別形成島狀EL層。

藉由將EL層加工為島狀，發光層以外的功能層（例如，載子注入層、載子傳輸層或載子障壁層，更明確而言，電洞注入層、電洞傳輸層、電子障壁層等）也被形成為島狀。藉由將功能層加工為島狀，可以減少產生在相鄰的子像素間的洩漏電流（有時被稱為橫方向洩漏電流、橫洩漏電流或橫向洩漏電流）。例如，在相鄰的子像素共用電洞注入層時，有可能因該電洞注入層產生橫洩漏電流。另一方面，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，由於可以將電洞注入層加工為島狀，所以實質上相鄰的子像素間不會產生橫洩漏電流或者可以將橫洩漏電流減到極小。

在本說明書等中，有時將使用金屬遮罩或FMM（Fine Metal Mask，高精細金屬遮罩）製造的器件稱為具有MM（Metal Mask）結構的器件。此外，在本說明書等中，有時將不使用金屬遮罩或FMM製造的器件稱為具有MML（Metal Mask Less）結構的器件。

另外，在沉積EL層之後進行的各製程以高於EL層的耐熱溫度的溫度進行時，有EL層的劣化進展而發光元件的發光效率及可靠性降低的擔憂。

由此，在本發明的一個實施方式中，包括在發光元件中的化合物的耐熱溫度分別較佳為100℃以上且180℃以下，更佳為120℃以上且180℃以下，進一步較佳為140℃以上且180℃以下。

作為耐熱溫度的指標，例如可以舉出玻璃轉移點（Tg）、軟化點、熔點、熱分解溫度及5%失重溫度等。例如，作為構成EL層的各層的耐熱溫度的指標，可以使用該層所包含的材料的玻璃轉移點。另外，在該層為由多個材料構成的混合層時，例如可以使用含量最大的材料的玻璃轉移點。另外，也可以使用該多個材料的玻璃轉移點中最低的溫度。

尤其是，較佳為提高設置在發光層上的功能層的耐熱溫度。另外，更佳為提高以與發光層接觸的方式設置在其上的功能層的耐熱溫度。在該功能層的耐熱性高時，可以有效地保護發光層，由此可以減少發光層受到的損傷。

尤其較佳為提高發光層的耐熱溫度。由此，可以抑制發光層因加熱受到損傷導致發光效率下降且壽命縮短。

藉由提高發光元件的耐熱溫度，可以提高發光元件的可靠性。另外，可以擴大顯示裝置的製程中的溫度範圍，由此可以提高製造良率及可靠性。

在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的顯示裝置。

＜結構例子＞ 圖1A示出本發明的一個實施方式的顯示裝置100的平面圖。此外，圖1A也被稱為顯示裝置100的俯視圖。顯示裝置100包括多個像素109被配置為矩陣狀的顯示部以及顯示部外側的連接部140。像素109都包括多個子像素。圖1A示出2行2列的像素109。另外，作為各像素109包括三個子像素（子像素110a、子像素110b及子像素110c）的結構，示出相當於2行6列的子像素。

子像素都包括發光元件。圖1A所示的子像素的頂面形狀相當於發光元件的發光區域的頂面形狀。子像素的頂面形狀例如可以為三角形、四角形（包括長方形及正方形）、橢圓形或者圓形。另外，子像素的頂面形狀例如可以為五角形等多角形或者帶圓角的多角形形狀。

子像素都包括具有控制發光元件的功能的像素電路。像素電路不侷限於圖1A所示的子像素的範圍，也可以配置在其外側。例如，子像素110a的像素電路中的電晶體也可以位於圖1A所示的子像素110b的範圍內。另外，例如，在俯視時構成子像素110a的像素電路的電晶體等的部分或全部組件也可以位於子像素110a的範圍外。

在圖1A中，子像素110a、子像素110b、子像素110c的開口率（也可以稱為尺寸、發光區域的尺寸）相同或大致相同，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。可以適當地決定子像素110a、子像素110b、子像素110c各自的開口率。子像素110a、子像素110b、子像素110c的開口率可以彼此不同，也可以使其中的兩個以上相同或大致相同。

圖1A所示的像素109採用條形排列。圖1A所示的像素109由子像素110a、子像素110b、子像素110c這三個子像素構成。子像素110a、子像素110b、子像素110c發射不同顏色的光。作為子像素110a、子像素110b、子像素110c，可以舉出紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）的三種顏色的子像素、黃色（Y）、青色（C）及洋紅色（M）的三種顏色的子像素等。另外，子像素的顏色種類不侷限於三個，也可以為四個以上。作為四種顏色的子像素，例如可以舉出：R、G、B、白色（W）的四種顏色的子像素；R、G、B、Y的四種顏色的子像素；以及R、G、B、紅外光（IR）的四種顏色的子像素。

在此，紅色光例如可以是峰值波長為630nm以上且780nm以下的光。另外，綠色光例如可以是峰值波長為500nm以上且小於570nm的光。並且，藍色光例如可以是峰值波長為450nm以上且小於480nm的光。

在本說明書等中，有時將垂直於像素或子像素的邊的方向記作X方向及Y方向。X方向與Y方向交叉，例如垂直地交叉。在圖1A所示的例子中，不同顏色的子像素110在X方向上排列配置，相同顏色的子像素110在Y方向上排列配置。

在圖1A所示的例子中，在俯視時連接部140位於顯示部的下側，但是對連接部140的位置沒有特別的限制。連接部140只要在俯視時設置在顯示部的上側、右側、左側和下側中的至少一個位置即可，也可以以圍繞顯示部的四邊的方式設置。對連接部140的頂面形狀沒有特別的限制，例如可以採用帶狀、L字狀、U字狀或框狀等。此外，連接部140也可以為一個或多個。

圖1B示出沿著圖1A中的點劃線X1-X2及點劃線Y1-Y2的剖面圖。圖1B是XZ面的剖面圖。注意，沿著圖1A中的點劃線X1-X2及點劃線Y1-Y2的圖1B以外的剖面圖也同樣地呈XZ面。以下，以子像素110a發射紅色光，子像素110b發射綠色光且子像素110c發射藍色光的結構為例進行說明。

在本說明書等中，有時將X方向記為水平方向，將Z方向記為高度方向或垂直方向。另外，有時將Y方向記為水平方向。另外，X方向、Y方向及Z方向可以是互相垂直的方向，可以使用這三個方向表示三維空間。在此，可以將XY面記為平面或頂面，可以將XZ面及YZ面記為剖面。

子像素110a包括發光元件130a及彩色層132a。發光元件130a例如具有發射白色光的功能。彩色層132a具有與發光元件130a重疊的區域，例如其紅色光的穿透率比其他顏色的光的穿透率高。由此，發光元件130a的發光藉由彩色層132a作為紅色光提取到顯示裝置的外部。

子像素110b包括發光元件130b及彩色層132b。發光元件130b例如具有發射白色光的功能。彩色層132b具有與發光元件130b重疊的區域。透過彩色層132b的光的顏色與彩色層132a不同。例如，彩色層132b的綠色光的穿透率比其他顏色的光的穿透率高。因此，發光元件130b的發光藉由彩色層132b作為綠色光提取到顯示裝置的外部。

子像素110c包括發光元件130c及彩色層132c。發光元件130c例如具有發射白色光的功能。彩色層132c具有與發光元件130c重疊的區域。透過彩色層132c的光的顏色與彩色層132a及彩色層132b不同。例如，彩色層132c的藍色光的穿透率比其他顏色的光的穿透率高。因此，發光元件130c的發光藉由彩色層132c作為藍色光提取到顯示裝置的外部。

在此，透過的光的顏色不同意味著穿透率最高的波長不同。例如，關於彩色層132a，在可見光中630nm以上且780nm以下的光（紅色光）的穿透率最高，關於彩色層132b，在可見光中500nm以上且小於570nm的光（綠色光）的穿透率最高，此時可以說透過彩色層132a的光的顏色與透過彩色層132b的光的顏色不同。

在本說明書等中，可見光是指波長為380nm以上且780nm以下的光。

注意，當說明發光元件130a、發光元件130b和發光元件130c之間共同的內容時，有時省略區別它們的字母而記載為發光元件130。同樣地，當說明彩色層132a、彩色層132b和彩色層132c等用字母區別的組件之間共同的內容時，有時用省略字母的符號進行說明。

如圖1B所示，顯示裝置100包括基板102上的絕緣層101、絕緣層101上的絕緣層103a、絕緣層103b以及絕緣層103c。絕緣層103a上設置有發光元件130a，絕緣層103b上設置有發光元件130b，絕緣層103c上設置有發光元件130c。以覆蓋發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c的方式設置有保護層131，保護層131上設置有保護層135。保護層135上設置有彩色層132a、彩色層132b及彩色層132c，基板120由黏合層122貼合。注意，雖然在圖1B中未圖示，但是在基板102和絕緣層101之間例如設置電晶體。另外，在基板102和絕緣層101之間例如可以設置包含與絕緣層101不同的材料的絕緣層。

另外，相鄰的發光元件130之間設置有絕緣層141，絕緣層141上設置有絕緣層143。注意，在圖1B中，示出多個絕緣層141的剖面及多個絕緣層143的剖面，但是在俯視時絕緣層141也可以連接成一個，絕緣層143也可以連接成一個。也就是說，顯示裝置100例如可以包括一個絕緣層141和一個絕緣層143。另外，顯示裝置100也可以包括彼此分離的多個絕緣層141及多個絕緣層143。

當設置發射白色光的子像素時，設置使白色光透過的彩色層或者不設置彩色層即可。

本發明的一個實施方式的顯示裝置也可以採用如下結構中的任意個：向與形成有發光元件的基板相反的方向發射光的頂部發射（top emission）型、向形成有發光元件的基板一側發射光的底部發射（bottom emission）型、向雙面發射光的雙面發射（dual emission）型。

基板102及基板120可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石、樹脂、金屬、合金或半導體等。提取來自發光元件130的光一側的基板使用使該光透過的材料。就是說，當使顯示裝置100為頂發射型顯示裝置時，至少在基板120中利用使發光元件130所發射的光透過的材料，當使顯示裝置100為底部發射型顯示裝置時，至少在基板102中利用使發光元件130所發射的光透過的材料。另外，當使顯示裝置100為雙面發射型顯示裝置時，在基板102和基板120的兩者中使用使發光元件130所發射的光透過的材料。在此，當在基板102及基板120中使用具有撓性的材料時可以提高顯示裝置100的撓性。另外，作為基板102及基板120也可以使用偏光板。

作為基板102及基板120，可以使用如下材料：聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯（PC）樹脂、聚醚碸（PES）樹脂、聚醯胺樹脂（尼龍、芳香族聚醯胺等）、聚矽氧烷樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚四氟乙烯（PTFE）樹脂、ABS樹脂或纖維素奈米纖維等。此外，也可以作為基板102及基板120使用其厚度為具有撓性程度的玻璃。

作為發光元件130，例如較佳為使用如OLED（Organic Light Emitting Diode；有機發光二極體）或QLED（Quantum-dot Light Emitting Diode；量子點發光二極體）。作為發光元件130可以含有的發光物質，例如可以舉出發射螢光的物質（螢光材料）、發射磷光的物質（磷光材料）、無機化合物（例如量子點材料）及呈現熱活化延遲螢光的物質（熱活化延遲螢光（Thermally Activated Delayed Fluorescence：TADF）材料）。此外，作為發光元件130，也可以使用微型LED（Light Emitting Diode：發光二極體）等LED。

在發光元件130的一對電極中，可以作為提取光一側的電極利用使可見光透過的導電膜且作為不提取光一側的電極利用反射可見光的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極也可以使用使可見光透過的導電膜。此時，較佳為在反射可見光的導電膜與EL層之間配置使可見光透過的導電膜。

在發光元件130所包括的一對電極中，一方的電極被用作陽極且另一方的電極被用作陰極。在沒有特別的說明的情況下，下面有時以像素電極被用作陽極且共用電極被用作陰極的情況為例進行說明。

發光元件130a包括絕緣層103a上的像素電極111a、像素電極111a上的島狀EL層113、EL層113上的共用層114及共用層114上的共用電極115。發光元件130b包括絕緣層103b上的像素電極111b、像素電極111b上的島狀EL層113、EL層113上的共用層114及共用層114上的共用電極115。發光元件130c包括絕緣層103c上的像素電極111c、像素電極111c上的島狀EL層113、EL層113上的共用層114及共用層114上的共用電極115。有時將EL層113和共用層114總稱為EL層。

本發明的一個實施方式的顯示裝置包括對於每個發光元件130分別設置為島狀的EL層113。明確而言，發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c分別包括EL層113，各EL層113不具有彼此接觸的區域且分離。藉由對於每個發光元件130分別設置島狀EL層113，可以防止相鄰的發光元件130之間的洩漏電流。由此，可以防止起因於非意圖的發光的串擾，可以實現一種對比度極高的顯示裝置。尤其是，可以實現低亮度下的電流效率高的顯示裝置。

各EL層113可以利用相同材料及相同製程形成。當發光元件130a中的EL層113的結構、發光元件130b中的EL層113的結構以及發光元件130c中的EL層113的結構同一時，可以減少顯示裝置的製程。由此，可以降低顯示裝置的製造成本且可以提高製造良率。

圖2A示出發光元件130a和發光元件130b之間的區域以及其周邊區域的區域107的放大圖。如圖2A所示，絕緣層101具有凹部108。凹部108設置在相鄰的發光元件130之間。另外，絕緣層103的一部分與凹部108重疊，明確而言，絕緣層103的端部145與凹部108重疊。就是說，絕緣層103具有與凹部108重疊的突出部。

EL層113的被形成面具有因絕緣層103的突出部而形成的步階。因為該步階所以EL層113的覆蓋性降低，因此在形成EL層113時EL層113分離。就是說，在EL層113中發生斷開。因此，生成沒有形成EL層113的區域。

在本說明書等中，斷開是指層、膜或電極等因被形成面的形狀（例如，步階）而分離的現象。另外，在本說明書等中，將起因於斷開而沒有形成EL層113的區域稱為斷開區域。

在此，絕緣層103的與凹部108重疊的突出部的寬度W越大，在EL層113中越容易發生斷開。因此，容易使EL層113按發光元件130分離，所以是較佳的。例如，絕緣層103的突出部的寬度W與EL層113的厚度T之比（W/T）較佳為0.3以上，更佳為0.5以上，進一步較佳為0.7以上，還較佳為0.9以上，還進一步較佳為1.0以上。另一方面，當絕緣層103的突出部的寬度W過大時，例如顯示裝置的生產率有時下降。另外，例如絕緣層103的突出部容易崩塌，顯示裝置的製造良率有時下降。因此，絕緣層103的突出部的寬度W與EL層113的厚度T之比（W/T）較佳為10.0以下，更佳為5.0以下。

在此，絕緣層103的突出部的寬度W較佳為20nm以上，更佳為50nm以上，更佳為80nm以上，更佳為110nm以上，更佳為140nm以上，更佳為160nm以上，更佳為180nm以上。另外，絕緣層103的突出部的寬度W較佳為2000nm以下，更佳為1000nm以下。

絕緣層103的突出部的寬度W表示絕緣層103的端部145與凹部108的端部147之間的例如從XZ面或YZ面看時的絕緣層103的底面處的距離。就是說，寬度W例如表示從XZ面或YZ面看時的端部145的下端的絕緣層103的下端部與端部147的上端的凹部108的上端部的距離。另外，EL層113的厚度T例如表示從XZ面或YZ面看時與像素電極111的頂面重疊的區域中的EL層113的頂面的位置與EL層113的底面的位置之差。另外，也可以將像素電極111的頂面與共用層114或共用電極115的底面的Z方向上的距離作為厚度T。

另外，凹部108的深度D越大即Z方向上的長度越大，在EL層113中越容易發生斷開，所以是較佳的。例如，凹部108的深度D與EL層113的厚度T之比（D/T）較佳為1.0以上，更佳為2.0以上，進一步較佳為3.0以上，還較佳為3.5以上，還進一步較佳為4.0以上。另一方面，當凹部108的深度D過大時，例如顯示裝置的生產率有時下降。因此，凹部108的深度D與EL層113的厚度T之比（D/T）較佳為50.0以下，更佳為30.0以下，進一步較佳為20.0以下。

在此，凹部108的深度D較佳為50nm以上，更佳為150nm以上，更佳為300nm以上，更佳為450nm以上，更佳為600nm以上，更佳為700nm以上。另外，凹部108的深度D較佳為10μm以下，更佳為5μm以下，進一步較佳為4μm以下，還較佳為3μm以下。

凹部108的深度D表示例如從XZ面或YZ面看時的絕緣層103的底面與凹部108的底部的Z方向上的距離。明確而言，用例如從XZ面或YZ面看時的絕緣層103的底面的離基板102的高度與該剖面中的在凹部108中最深部分的離基板102的高度之差表示凹部108的深度D。就是說，使用例如從XZ面或YZ面看時的絕緣層103的底面的離基板102的高度與該剖面中的凹部108中的離基板102的高度最小的部分的離基板102的高度之差表示凹部108的深度D。

在本說明書等中，A的離B的高度表示從A到B的Z方向上的距離。

寬度W、厚度T及深度D例如可以使用發光元件130的剖面的掃描電子顯微鏡（SEM：Scanning Electron Microscopy）影像、穿透式電子顯微鏡（TEM：Transmission Electron Microscope）影像或掃描穿透式電子顯微鏡（STEM：Scanning Transmission Electron Microscopy）影像測量。

在形成絕緣層101、成為絕緣層103的膜以及成為像素電極111的膜之後進行它們的加工，由此形成像素電極111及絕緣層103。另外，在絕緣層101中形成凹部108。

在本說明書等中，將“沉積膜”記為“形成膜”。

例如，當作為絕緣層101使用有機材料且作為絕緣層103使用無機材料時，在利用光微影法形成圖案之後，利用蝕刻法加工成為像素電極111的膜及成為絕緣層103的膜，由此可以形成像素電極111及絕緣層103。另外，藉由利用與成為絕緣層103的加工方法相比容易被各向同性地加工的方法加工絕緣層101，以絕緣層103具有突出部的方式形成凹部108。絕緣層101例如可以藉由利用氧電漿的灰化被加工。或者，在加工絕緣層101時可以使用氧氣體、CF ₄、C ₄F ₈、SF ₆、CHF ₃、Cl ₂、H ₂O、BCl ₃或第18族元素。作為第18族元素例如可以使用He。或者，在加工絕緣層101時可以利用蝕刻，例如可以使用濕蝕刻。

絕緣層101可以為有機絕緣層。另外，絕緣層103可以為無機絕緣層。如果可以以絕緣層103具有突出部的方式形成凹部108，絕緣層101也可以不是有機絕緣層，絕緣層103也可以不是無機絕緣層。例如，絕緣層101和絕緣層103也可以都是無機絕緣層。

在本說明書等中，將使用有機材料的絕緣層稱為有機絕緣層，將使用無機材料的絕緣層稱為無機絕緣層。

作為絕緣層101例如可以使用樹脂材料。例如，作為絕緣層101，可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂、酚醛樹脂或上述樹脂的前驅物等。

作為絕緣層103，例如可以使用氧化物、氮化物、氧氮化物和氮氧化物中的一個或多個。作為氧化物，可以舉出氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、銦鎵鋅氧化物、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿及氧化鉭。作為氮化物，可以舉出氮化矽及氮化鋁。作為氧氮化物，可以舉出氧氮化矽及氧氮化鋁。作為氮氧化物，可以舉出氮氧化矽及氮氧化鋁。

在本說明書等中，“氧氮化物”是指在其組成中氧含量多於氮含量的材料，而“氮氧化物”是指在其組成中氮含量多於氧含量的材料。例如，在記載為“氧氮化矽”時指在其組成中氧含量多於氮含量的材料，而在記載為“氮氧化矽”時指在其組成中氮含量多於氧含量的材料。

凹部108中也可以設置有有機層119。有機層119在形成EL層113時EL層113的材料到達凹部108中來形成。就是說，有機層119使用與EL層113相同的材料以及相同的製程形成。圖2A示出在凹部108的底部有機層119設置在絕緣層101上的例子。

在此，當有機層119具有與EL層113接觸的區域時，相鄰的發光元件130的EL層113有可能藉由有機層119連接而產生洩漏電流。因此，有機層119較佳為不具有與EL層113接觸的區域。就是說，較佳為使有機層119和EL層113分離。例如，在相鄰的像素電極111的側面間的距離較短時，有時沒有形成有機層119。

另外，尤其是，當絕緣層101為有機絕緣層時，有時不能明確地確認到絕緣層101和有機層119的邊界。在此，在不能明確地確認到絕緣層101和有機層119的邊界時，可以將如下差作為凹部108的深度：例如從XZ面或YZ面看時的絕緣層103的底面的離基板102的高度與該剖面中的在可以明確地確認的範圍內在凹部108中最深的部分的離基板102的高度之差。例如，可以將深度D2作為凹部108的深度，該深度D2是從XZ面或YZ面看時的絕緣層103的底面的離基板102的高度與該剖面中的絕緣層141的底面的離基板102的高度最小的部分的離基板102的高度之差。

圖1B及圖2A示出EL層113覆蓋像素電極111的頂面、側面的至少一部分的結構。藉由採用這樣的結構，可以將在平面上與像素電極111的頂面重疊的區域整體用作發光區域。因此，與島狀EL層113不覆蓋像素電極111的側面的結構相比，可以提高顯示裝置的開口率。此外，如圖1B及圖2A所示，EL層113有時不僅覆蓋像素電極111的側面而且覆蓋絕緣層103的側面。

在此，像素電極111a、像素電極111b及像素電極111c的側面有時具有錐形形狀。明確而言，像素電極111a、像素電極111b及像素電極111c的端部有時具有例如從XZ面或YZ面看時錐角小於90°的錐形形狀。此時，與像素電極111的側面垂直的情況相比，可以提高EL層113的對像素電極111的覆蓋性。此外，後述的設置在連接部140中的導電層123可以使用與像素電極111a、像素電極111b及像素電極111c相同的製程形成。因此，當像素電極111a、像素電極111b及像素電極111c的側面具有錐形形狀時，有時導電層123也具有錐形形狀。

在本說明書等中，錐形形狀是指組件的側面的至少一部分相對於基板面傾斜地設置的形狀。例如，較佳為具有傾斜的側面和基板面所形成的角度（也被稱為錐角）小於90°的區域。注意，組件的側面及基板面不一定必須完全平坦，也可以是具有微小曲率的近似平面狀或具有微細凹凸的近似平面狀。

有時絕緣層103a、絕緣層103b及絕緣層103c的側面也具有例如從XZ面或YZ面看時錐角小於90°的錐形形狀。另外，有時絕緣層101中的凹部108的側面也具有例如從XZ面或YZ面看時錐角小於90°的錐形形狀。此外，後述的設置在連接部140中的絕緣層105可以使用與絕緣層103a、絕緣層103b及絕緣層103c相同的製程形成。因此，當絕緣層103a、絕緣層103b及絕緣層103c的側面具有錐形形狀時，有時絕緣層105也具有錐形形狀。

在此，絕緣層103的側面的錐角及凹部108中的絕緣層101的側面的錐角也可以不與像素電極111的側面的錐角相等。例如，絕緣層103的側面的錐角和凹部108中的絕緣層101的側面的錐角中的至少一個有時比像素電極111的側面的錐角大（錐形很陡峭）。同樣地，絕緣層105的側面的錐角也可以不與導電層123的側面的錐角相等，例如也可以比導電層123的側面的錐角大。

另外，在圖1B及圖2A中，絕緣層103的側面的上端部和像素電極111的側面的下端部對齊，絕緣層105的側面的上端部和導電層123的側面的下端部對齊，但是它們也可以不對齊。例如，像素電極111的側面的下端部也可以位於絕緣層103的側面的上端部的內側，導電層123的側面的下端部也可以位於絕緣層105的側面的上端部的內側。

例如，如圖1B及圖2A所示，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，在像素電極111與EL層113之間沒有設置覆蓋像素電極111的頂面端部的絕緣層。由此，可以使相鄰的發光元件130之間的距離窄。因此，可以實現高清晰或高解析度的顯示裝置。另外，還不需要用來形成該絕緣層的遮罩，所以可以降低顯示裝置的製造成本。

藉由採用在像素電極111與EL層113間不設置覆蓋像素電極111的頂面端部的絕緣層的結構，即在像素電極111與EL層113間不設置絕緣層的結構，可以高效地提取來自EL層113的發光。因此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以使視角依賴性極小。藉由減少視角依賴性，可以提高顯示裝置中的影像的可見度。例如，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，視角（在從斜側看螢幕時維持一定對比度的最大角度）可以為100°以上且小於180°、較佳為150°以上且170°以下的範圍內。另外，上下左右都可以採用上述視角。

發光元件130可以採用單結構（只有一個發光單元的結構），也可以採用串聯結構（包括多個發光單元的結構）。發光單元至少包括一個發光層。

EL層113至少包括發光層。另外，EL層113也可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電洞障壁層、電荷產生層、電子障壁層、電子傳輸層和電子注入層中的一個以上。

例如，EL層113可以包含發射藍色光的發光物質以及發射比藍色更長波長的可見光的發光物質。例如，作為EL層113可以採用包含發射藍色光的發光物質及發射黃色光的發光物質的結構、或者包含藍色光的發光物質、發射綠色光的發光物質及發射紅色光的發光物質的結構等。

作為發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c，例如可以使用包括發射黃色（Y）光的發光層及發射藍色（B）光的發光層這兩個發光層的單結構的發光元件、或者包括發射紅色（R）光的發光層、發射綠色（G）光的發光層及發射藍色光的發光層這三個發光層的單結構的發光元件。例如，發光層的疊層數和顏色順序可以為從陽極一側R、G、B的三層結構或R、B、G的三層結構。另外，也可以在兩個發光層之間設置其他層（也稱為緩衝層）。

在使用具有串聯結構的發光元件130的情況下，例如可以舉出：包括發射黃色光的發光單元及發射藍色光的發光單元的兩級串聯結構；包括發射紅色光及綠色光的發光單元以及發射藍色光的發光單元的兩級串聯結構；依次包括發射藍色光的發光單元、發射黃色光、黃綠色光或綠色光和紅色光的發光單元以及發射藍色光的發光單元的三級串聯結構等。例如，作為發光單元的疊層數及顏色順序，可以舉出從陽極一側層疊B和Y的兩級結構、層疊B和X的兩級結構、層疊B、X和B的三級結構，作為發光單元X中的發光層的疊層數及顏色順序，可以採用從陽極一側層疊R和Y的兩層結構、層疊R和G的兩層結構、層疊G和R的兩層結構、層疊G、R和G的三層結構或層疊R、G和R的三層結構等。另外，也可以在兩個發光層之間設置其他層。

當使用串聯結構的發光元件130時，EL層113包括多個發光單元。較佳為在各發光單元之間設置電荷產生層。

例如，當多個發光單元所發射的光處於補色關係時，發光元件130可以發射白色光。另外，發光單元也可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電洞障壁層、電子障壁層、電子傳輸層和電子注入層中的一個以上。

例如，EL層113也可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層。另外，也可以在電洞傳輸層與發光層間包括電子障壁層。另外，也可以在電子傳輸層與發光層間包括電洞障壁層。另外，也可以在電子傳輸層上包括電子注入層。

例如，EL層113也可以包括電子注入層、電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層。另外，也可以在電子傳輸層與發光層間包括電洞障壁層。另外，也可以在電洞傳輸層與發光層間包括電子障壁層。另外，也可以在電洞傳輸層上包括電洞注入層。

如此，EL層113較佳為包括發光層以及發光層上的載子傳輸層（電子傳輸層或電洞傳輸層）。另外，EL層113較佳為包括發光層以及發光層上的載子障壁層（電洞障壁層或電子障壁層）。另外，EL層113較佳為包括發光層、發光層上的載子障壁層以及載子障壁層上的載子傳輸層。EL層113的表面在顯示裝置的製程中露出，所以藉由在發光層上設置載子傳輸層和載子障壁層中的一者或兩者，可以抑制發光層露出到最外表面而可以減少發光層所受到的損傷。由此，可以提高發光元件的可靠性。

包含在EL層113中的化合物的耐熱溫度較佳為100℃以上且180℃以下，更佳為120℃以上且180℃以下，進一步較佳為140℃以上且180℃以下。例如，這些化合物的玻璃轉移點較佳為100℃以上且180℃以下，更佳為120℃以上且180℃以下，進一步較佳為140℃以上且180℃以下。

尤其是，較佳的是，設置在發光層上的功能層的耐熱溫度高。另外，更佳的是，以與發光層接觸的方式設置在其上的功能層的耐熱溫度高。在該功能層的耐熱性高時，可以有效地保護發光層，由此可以減少發光層受到的損傷。

較佳的是，發光層的耐熱溫度高。由此，可以抑制發光層因加熱受到損傷導致發光效率下降且壽命縮短。

發光層包括發光物質（也被稱為發光性的有機化合物或客體材料等）、有機化合物（也被稱為主體材料等）。發光層中的有機化合物的含量大於發光物質，所以可以使用該有機化合物的Tg作為發光層的耐熱溫度的指標。

EL層113例如包括第一發光單元、電荷產生層及第二發光單元。

第二發光單元較佳為包括發光層以及發光層上的載子傳輸層（電子傳輸層或電洞傳輸層）。另外，第二發光單元較佳為包括發光層以及發光層上的載子障壁層（電洞障壁層或電子障壁層）。另外，第二發光單元較佳為包括發光層、發光層上的載子障壁層以及載子障壁層上的載子傳輸層。第二發光單元的表面在顯示裝置的製程中露出，所以藉由在發光層上設置載子傳輸層和載子障壁層中的一者或兩者，可以抑制發光層露出到最外表面而可以減少發光層所受到的損傷。由此，可以提高發光元件的可靠性。另外，在包括三個以上的發光單元時，設置在最上層的發光單元中較佳為包括發光層以及發光層上的載子傳輸層和載子障壁層中的一者或兩者。

可以在EL層113上設置共用層114。發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c共用共用層114。共用層114例如包括電子注入層或電洞注入層。另外，共用層114例如包括電子傳輸層或電洞傳輸層。並且，共用層114例如可以包括電子傳輸層和電子注入層的疊層，也可以包括電洞傳輸層和電洞注入層的疊層。

共用電極115設置在共用層114上。發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c共用共用電極115。共用電極115例如可以利用濺射法或真空蒸鍍法等形成。

如圖1B所示，多個發光元件130共用的共用電極115與設置在連接部140中的導電層123電連接。導電層123較佳為使用與像素電極111a、像素電極111b及像素電極111c相同的材料及相同的製程形成的導電層。

導電層123和絕緣層101之間設置有絕緣層105。絕緣層105可以為使用與絕緣層103a、絕緣層103b及絕緣層103c相同的材料及相同的製程形成的絕緣層。與絕緣層103a、絕緣層103b及絕緣層103c同樣，絕緣層105可以具有突出部。

在連接部140中，導電層123與共用電極115電連接。導電層123例如與FPC（未圖示）電連接。由此，例如藉由對FPC供應電源電位，在連接部140中可以藉由導電層123將電源電位供應到共用電極115。因此，當共用電極115被用作陰極（cathode）時，可以將連接部140稱為陰極接觸部。

在此，當共用層114的厚度方向的電阻小到能夠忽略時，即使在導電層123與共用電極115之間設置共用層114，也可以確保導電層123與共用電極115的導通。藉由不但在顯示部中而且在連接部140中設置共用層114，例如不使用包括用來規定沉積範圍的遮罩（為了與高精細金屬遮罩區別，被稱為區域遮罩或粗金屬遮罩等）而可以形成共用層114。因此，可以簡化顯示裝置100的製程。

此外，在連接部140中，也可以在導電層123上沒有設置共用層114而使導電層123與共用電極115直接接觸並電連接。例如，藉由使用用來決定要形成共用層114的區域的區域遮罩，可以只在所希望的區域中形成共用層114。

共用電極115可以在沉積共用層114之後連續進行沉積，而之間沒有進行蝕刻等製程。例如，在真空下形成共用層114之後無需將基板102暴露於大氣，可以還在真空下形成共用電極115。換言之，可以始終在真空下形成共用層114及共用電極115。由此，與顯示裝置100沒有設置共用層114的情況相比可以使共用電極115的底面清潔。因此，可以使發光元件130成為可靠性高且特性優良的發光元件。

作為像素電極111及共用電極115，可以以單層或疊層適當地使用金屬、合金、導電化合物或它們的混合物等。明確而言，可以舉出銦錫氧化物（In-Sn氧化物，也稱為ITO）、In-Si-Sn氧化物（也稱為ITSO）、銦鋅氧化物（In-Zn氧化物）、銦鎵鋅氧化物（In-Ga-Zn氧化物，也稱為IGZO）及In-W-Zn氧化物。另外，可以舉出銀和鎂的合金、銀、鈀和銅的合金（Ag-Pd-Cu，也記載為APC）等含有銀的合金。並且，可以舉出鋁、鎳和鑭的合金（Al-Ni-La）等含有鋁的合金（鋁合金）。除此之外，也可以使用鋁（Al）、鎂（Mg）、鈦（Ti）、鉻（Cr）、錳（Mn）、鐵（Fe）、鈷（Co）、鎳（Ni）、銅（Cu）、鎵（Ga）、鋅（Zn）、銦（In）、錫（Sn）、鉬（Mo）、鉭（Ta）、鎢（W）、鈀（Pd）、金（Au）、鉑（Pt）、銀（Ag）、釔（Y）或釹（Nd）等金屬或者包含它們的適當組合的合金。除了以上列舉的元素以外，還可以使用屬於元素週期表的第1族或第2族的元素（例如，鋰（Li）、銫（Cs）、鈣（Ca）或鍶（Sr））、銪（Eu）或鐿（Yb）等稀土金屬、包含它們的適當組合的合金或石墨烯等。

EL層113的側面被絕緣層141覆蓋。另外，像素電極111的側面、絕緣層103的側面、絕緣層101中的凹部108的頂面（也稱為底面）及側面、有機層119的頂面及側面、導電層123的頂面及側面、絕緣層105的側面可以被絕緣層141覆蓋。另外，EL層113的頂面的一部分可以被絕緣層141覆蓋。

絕緣層143設置在絕緣層141上並設置在相鄰的EL層113之間。另外，絕緣層143可以設置在相鄰的像素電極111之間。並且，絕緣層143有時設置在相鄰的絕緣層103之間。另外，絕緣層143設置在導電層123及絕緣層105周圍。

絕緣層143具有與凹部108重疊的區域。另外，絕緣層143可以具有與有機層119重疊的區域。另外，絕緣層141及絕緣層143也可以與EL層113的頂面的一部分重疊。

共用層114及共用電極115不但設置在發光元件130上而且設置在絕緣層143上。在相鄰的EL層113之間設置絕緣層143，在絕緣層143上設置共用層114及共用電極115，由此可以減少共用層114及共用電極115的被形成面上的極端的凹凸，可以進一步平坦化。因此，與不設置絕緣層143的情況相比，共用層114及共用電極115的覆蓋性可以得到提高。因此，例如可以防止共用層114及共用電極115的斷開所導致的連接不良以及局部薄膜化所導致的電阻增大。

另外，藉由在相鄰的EL層113之間設置絕緣層141和絕緣層143中的至少一個，可以防止共用層114及共用電極115與EL層113的側面接觸，可以防止發光元件130的短路。由此，可以使顯示裝置100為可靠性高的顯示裝置。

絕緣層141較佳為與EL層113的側面接觸。由此，可以抑制EL層113的膜剝離。當絕緣層141和EL層113密接時，例如可以產生相鄰的EL層113被絕緣層141固定或黏合的效果。由此，可以使顯示裝置100為可靠性高的顯示裝置。另外，可以利用良率高的方法製造顯示裝置100。

在此，絕緣層141較佳為利用覆蓋性高的方法形成，例如較佳為利用原子層沉積（ALD：Atomic Layer Deposition）法形成。由此，絕緣層141例如可以適當地覆蓋絕緣層103的與凹部108重疊的突出部的底面及凹部108的側面。因此，與利用覆蓋性較低的方法形成絕緣層141的情況相比，可以抑制絕緣層103的突出部的寬度W變短。此外，例如，在圖2A中絕緣層141與凹部108的側面接觸，但是絕緣層141也可以不與凹部108的側面接觸。例如，當絕緣層103的突出部的寬度W較大時，絕緣層141有時不與凹部108的側面接觸。

注意，在顯示裝置100中，絕緣層141上以填充形成在絕緣層141中的凹部的方式設置有絕緣層143。另外，絕緣層143設置在島狀EL層113之間。換言之，顯示裝置100採用在形成島狀EL層113之後以重疊於島狀EL層113的端部的方式設置絕緣層143的製程（以下稱為製程1）。另一方面，作為與製程1不同的製程，可以舉出如下製程（以下稱為製程2）：在將像素電極111形成為島狀之後設置覆蓋像素電極111的端部的絕緣層，然後在像素電極及上述絕緣層上形成島狀EL層。

與上述製程2相比上述製程1可以增大餘地，所以是較佳的。更明確地說，與上述製程2相比，上述製程1對於不同圖案之間的對位精度餘地大，所以可以提供特性不均勻少的顯示裝置。因此，顯示裝置100的製造方法為依據上述製程1的製程，所以可以提供不均勻少的高顯示品質的顯示裝置。

連接部140中以覆蓋導電層123的側面的至少一部分的方式設置有絕緣層141。另外，可以以覆蓋絕緣層105的側面的方式設置絕緣層141。絕緣層141上設置有絕緣層143、共用層114及共用電極115。

接著，說明絕緣層141及絕緣層143的材料的例子。

絕緣層141可以為包含無機材料的絕緣層。就是說，絕緣層141可以為無機絕緣層。作為絕緣層141，可以使用氧化絕緣膜、氮化絕緣膜、氧氮化絕緣膜或氮氧化絕緣膜等無機絕緣膜。絕緣層141可以為單層結構，也可以為疊層結構。作為氧化絕緣膜，可以舉出氧化矽膜、氧化鋁膜、氧化鎂膜、銦鎵鋅氧化物膜、氧化鎵膜、氧化鍺膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鑭膜、氧化釹膜、氧化鉿膜及氧化鉭膜等。作為氮化絕緣膜，可以舉出氮化矽膜及氮化鋁膜等。作為氧氮化絕緣膜，可以舉出氧氮化矽膜及氧氮化鋁膜等。作為氮氧化絕緣膜，可以舉出氮氧化矽膜及氮氧化鋁膜等。尤其是在蝕刻中氧化鋁與EL層的選擇比高，在後面說明的絕緣層143的形成中，具有保護EL層的功能，因此是較佳的。尤其是，藉由將利用ALD法形成的氧化鋁膜、氧化鉿膜或氧化矽膜等無機絕緣膜應用於絕緣層141，可以形成針孔少且保護EL層113的功能良好的絕緣層141。另外，絕緣層141也可以採用利用ALD法形成的膜與利用濺射法形成的膜的疊層結構。絕緣層141例如可以採用利用ALD法形成的氧化鋁膜與利用濺射法形成的氮化矽膜的疊層結構。

另外，絕緣層141較佳為具有相對於水和氧中的至少一方的阻擋絕緣層的功能。另外，絕緣層141較佳為具有抑制水和氧中的至少一方的擴散的功能。另外，絕緣層141較佳為具有俘獲或固定（也被稱為吸雜）水和氧中的至少一方的功能。

在本說明書等中，阻擋絕緣層是指具有阻擋性的絕緣層。此外，在本說明書等中，阻擋性是指抑制所對應的物質的擴散的功能（也可以說穿透性低）。或者，是指俘獲或固定（也被稱為吸雜）所對應的物質的功能。

在絕緣層141被用作阻擋絕緣層時，可以具有抑制可能會從外部擴散到發光元件130的雜質（典型的是，水和氧中的至少一方）的進入的結構。藉由採用該結構，可以提供一種可靠性高的發光元件，並且可以提供一種可靠性高的顯示裝置。

另外，絕緣層141的雜質濃度較佳為低。由此，可以抑制雜質從絕緣層141混入到EL層113而導致EL層113的劣化。另外，藉由降低絕緣層141中的雜質濃度，可以提高對水和氧中的至少一方的阻擋性。例如，較佳的是，絕緣層141中的氫濃度和碳濃度中的一方充分低，較佳為氫濃度和碳濃度中的兩者較佳為充分低。

作為絕緣層143，可以適合使用包含有機材料的絕緣層。就是說，絕緣層143可以為有機絕緣層。作為有機材料，較佳為使用感光材料諸如感光有機樹脂等，例如較佳為使用含有丙烯酸樹脂的感光樹脂組成物。注意，在本說明書等中，丙烯酸樹脂不僅是指聚甲基丙烯酸酯或甲基丙烯酸樹脂，有時還是指廣義丙烯酸類聚合物。

另外，作為絕緣層143，也可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽酮樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂、酚醛樹脂或上述樹脂的前驅物等。另外，作為絕緣層143，也可以使用聚乙烯醇（PVA）、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普魯蘭、水溶性纖維素或者醇可溶性聚醯胺樹脂等有機材料。作為感光樹脂也可以使用光阻劑。作為感光有機樹脂，也可以使用正型材料或負型材料。

作為絕緣層143也可以使用吸收可見光的材料。藉由絕緣層143吸收來自發光元件130的發光，可以抑制光從發光元件130經過絕緣層143洩漏到相鄰的發光元件130（雜散光）。由此，可以提高顯示裝置的顯示品質。另外，即使在顯示裝置中不使用偏光板也可以提高顯示品質，所以可以實現顯示裝置的輕量化及薄型化。

作為吸收可見光的材料，可以舉出包括黑色等的顏料的材料、包括染料的材料、具有光吸收性的樹脂材料（聚醯亞胺等）以及可用於濾色片的樹脂材料（濾色片材料）。尤其是，在使用層疊或混合兩種顏色或三種以上的顏色的濾色片材料而成的樹脂材料時可以提高遮蔽可見光的效果，所以是較佳的。尤其是，藉由混合三種以上的顏色的濾色片材料，可以實現黑色或近似於黑色的樹脂層。

另外，較佳的是，用於絕緣層143的材料的體積收縮率低。由此，容易以所希望的形狀形成絕緣層143。另外，較佳的是，絕緣層143的固化後體積收縮率低。由此，在形成絕緣層143後的各種製程中容易保持絕緣層143的形狀。明確而言，熱固化後、光固化後或者光固化及熱固化後的絕緣層143的體積收縮率各自較佳為10%以下，更佳為5%以下，進一步較佳為1%以下。在此，作為體積收縮率，可以使用起因於光照射的體積收縮率和起因於加熱的體積收縮率中的一方的值或兩者的總和。

較佳為在發光元件130a、發光元件130b、發光元件130c上設置保護層131。藉由設置保護層131，可以提高發光元件130的可靠性。保護層131既可以為單層結構，又可以為兩層以上的疊層結構。

對保護層131的導電性沒有限制。作為保護層131，可以使用絕緣材料、半導體材料和導電材料中的至少一種。

當保護層131包含無機材料時，可以抑制發光元件130的劣化，諸如防止共用電極115的氧化、抑制雜質（水分及氧等）進入發光元件130中等，由此可以提高顯示裝置100的可靠性。

作為保護層131例如可以使用含有氧化物、氮化物、氧氮化物或氮氧化物等的無機膜。這些的具體例子可以參照絕緣層103的說明。尤其是，保護層131較佳為包括氮化物或氮氧化物。

另外，也可以將包含In-Sn氧化物（也被稱為ITO）、In-Zn氧化物、Ga-Zn氧化物、Al-Zn氧化物或銦鎵鋅氧化物（也稱為In-Ga-Zn氧化物、IGZO）等的無機材料用於保護層131。該無機材料較佳為具有高電阻，明確而言，該無機材料較佳為具有比共用電極115高的電阻。該無機材料還可以包含氮。

在經過保護層131提取發光元件130的發光的情況下，保護層131的可見光穿透性較佳為高。例如，ITO、IGZO以及氧化鋁都是可見光穿透性高的無機材料，所以是較佳的。

作為保護層131，例如可以使用氧化鋁膜和氧化鋁膜上的氮化矽膜的疊層結構或者氧化鋁膜和氧化鋁膜上的IGZO膜的疊層結構等。藉由使用該疊層結構，可以抑制雜質（水及氧等）擴散到EL層113一側。

保護層135被用作平坦化層。作為保護層135例如可以使用有機材料。作為可用於保護層135的有機材料，例如也可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽酮樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂、酚醛樹脂及這些樹脂的前驅物等。

藉由在保護層131上設置保護層135，可以將彩色層132設置在平坦面上。因此，可以容易形成彩色層132。

也可以在基板120的黏合層122一側的面設置遮光層。此外，可以在基板120的外側配置各種光學構件。作為光學構件，可以使用偏光板、相位差板、光擴散層（擴散薄膜等）、防反射層及聚光薄膜（condensing film）等。此外，在基板120的外側也可以配置抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄髒的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬塗膜、衝擊吸收層等表面保護層。例如，藉由作為表面保護層設置玻璃層或二氧化矽層（SiO _x層），可以抑制表面被弄髒或受到損傷，所以是較佳的。另外，作為表面保護層也可以使用DLC（類金剛石碳）、氧化鋁（AlO _x）、聚酯類材料或聚碳酸酯類材料等。另外，作為表面保護層較佳為使用可見光穿透率高的材料。另外，表面保護層較佳為使用硬度高的材料。

在將圓偏光板重疊於顯示裝置100的情況下，較佳為將光學各向同性高的基板用作顯示裝置100所包括的基板。光學各向同性高的基板也可以說是雙折射較低（雙折射量較少）的基板。

光學各向同性高的基板的相位差值（retardation value）的絕對值較佳為30nm以下，更佳為20nm以下，進一步較佳為10nm以下。

作為光學各向同性高的薄膜，可以舉出三乙酸纖維素（也被稱為TAC：Cellulose triacetate）薄膜、環烯烴聚合物（COP）薄膜、環烯烴共聚物（COC）薄膜及丙烯酸薄膜等。

當作為基板使用薄膜時，有可能因薄膜的吸水而發生顯示裝置100出現皺紋等形狀變化。因此，作為基板較佳為使用吸水率低的薄膜。例如，較佳為使用吸水率為1%以下的薄膜，更佳為使用吸水率為0.1%以下的薄膜，進一步較佳為使用吸水率為0.01%以下的薄膜。

作為黏合層122，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC（聚氯乙烯）樹脂、PVB（聚乙烯醇縮丁醛）樹脂、EVA（乙烯-醋酸乙烯酯）樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，例如也可以使用黏合薄片。

圖1B示出一個例子，其中在發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c上隔著保護層131及保護層135分別直接設置彩色層132a、彩色層132b及彩色層132c。藉由採用這樣的結構，可以提高發光元件130和彩色層132的位置對準精度。另外，藉由接近發光元件130和彩色層132的位置，可以抑制混色且可以提高視角特性，所以是較佳的。

在圖2A中，像素電極111a及像素電極111b具有單層結構，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。在圖2B中，示出像素電極111a及像素電極111b具有三層的疊層結構的例子。像素電極111c及導電層123也可以具有與像素電極111a及像素電極111b同樣的結構。

在圖2B所示的例子中，像素電極111a包括像素電極111a1、像素電極111a1上的像素電極111a2、以及像素電極111a1及像素電極111a2上的像素電極111a3。像素電極111a3可以覆蓋像素電極111a2的頂面及側面。由此，像素電極111a2可以被像素電極111a1及像素電極111a3覆蓋。同樣地，像素電極111b包括像素電極111b1、像素電極111b1上的像素電極111b2、以及像素電極111b1及像素電極111b2上的像素電極111b3，像素電極111b2可以被像素電極111b1及像素電極111b3覆蓋。

以下，說明像素電極111a所包括的像素電極111a1、像素電極111a2及像素電極111a3的材料的例子。注意，像素電極111b1可以使用與像素電極111a1同樣的材料，像素電極111b2可以使用與像素電極111a2同樣的材料，像素電極111b3可以使用與像素電極111a3同樣的材料。另外，像素電極111c及導電層123也可以使用與以下所示的材料同樣的材料。

像素電極111a2為可見光反射率（例如，具有位於380nm以上且780nm以下的範圍內的指定波長的光的反射率）比像素電極111a1及像素電極111a3高的層。像素電極111a2的可見光反射率例如可以為40%以上且100%以下，較佳為60%以上且100%以下，更佳為80%以上且100%以下。作為像素電極111a2例如可以使用金屬或合金。明確而言，作為像素電極111a2例如可以使用銀或含有銀的合金。作為含有銀的合金例如可以使用銀、鈀和銅的合金（APC）。另外，作為像素電極111a2例如可以使用鋁或含有鋁的合金。作為含有鋁的合金例如可以使用鋁、鎳和鑭的合金。由此，可以使顯示裝置100為光提取效率高的顯示裝置。

在此，當將上述材料用於像素電極111a2時，在絕緣層103a和像素電極111a2接觸的情況下，有時發生像素電極111a2的膜剝離。於是，在絕緣層103a和像素電極111a2之間設置與絕緣層103a的密接性比像素電極111a2高的像素電極111a1。由此，可以抑制像素電極111a的膜剝離。因此，可以使顯示裝置100為可靠性高的顯示裝置。如圖2B所示，像素電極111a1也可以與絕緣層103a接觸，並且像素電極111a2也可以不與絕緣層103a接觸。

作為像素電極111a1，例如可以使用含有選自銦、錫、鋅、鎵、鈦、鋁和矽中的任一個或多個的氧化物。例如，較佳為使用包括氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、包含鎵的氧化鋅、氧化鈦、銦鈦氧化物、鈦酸鋅、鋁鋅氧化物、包含鎵的銦鋅氧化物、包含鋁的銦鋅氧化物、包含矽的銦錫氧化物和包含矽的銦鋅氧化物等中的任一個或多個的導電氧化物。

當將像素電極111a用作陽極，即例如像素電極111a3與設置在EL層113中的電洞注入層或電洞傳輸層接觸時，像素電極111a3為功函數大的層。像素電極111a3例如為功函數比像素電極111a2大的層。由此，例如，容易將電洞注入到電洞注入層或電洞傳輸層，所以可以降低發光元件130的驅動電壓。作為像素電極111a3，例如可以使用與可用於像素電極111a1的材料同樣的材料。例如，像素電極111a1和像素電極111a3可以使用同一種類的材料。例如，當將銦錫氧化物用於像素電極111a1時，可以將銦錫氧化物還用於像素電極111a3。

當將像素電極111a用作陰極，即例如像素電極111a3與設置在EL層113中的電子注入層或電子傳輸層接觸時，像素電極111a3為功函數小的層。像素電極111a3例如為功函數比像素電極111a2小的層。由此，例如，容易將電子注入到電子注入層或電子傳輸層，所以可以降低發光元件130的驅動電壓。

另外，像素電極111a3較佳為可見光穿透率（例如，具有位於380nm以上且780nm以下的範圍內的指定波長的光的穿透率）高的層。例如，像素電極111a3的可見光穿透率較佳為比像素電極111a2的可見光穿透率高。例如，像素電極111a3的可見光穿透率可以為60%以上且100%以下，較佳為70%以上且100%以下，更佳為80%以上且100%以下。由此，可以減少EL層113所發的光中被像素電極111a3吸收的光。另外，如上所述，像素電極111a3下的像素電極111a2可以為可見光反射率高的層。因此，可以使顯示裝置100為光提取效率高的顯示裝置。

另外，像素電極111a2為對於EL層113所發的光的反射率高的層，像素電極111a3為對於EL層113所發的光的穿透率高的層。例如，在EL層113發射紅外光的情況下，像素電極111a2為紅外光反射率高的層，像素電極111a3為紅外光穿透率高的層。例如，在EL層113發射紅外光的情況下，可以在上述關於像素電極111a2及像素電極111a3的說明中將可見光換稱為紅外光。

由此，可以使顯示裝置100為可靠性及光提取效率都高的顯示裝置。另外，可以使顯示裝置100為包括驅動電壓低的發光元件的顯示裝置。

例如，在圖2A中，從XZ面看時，絕緣層143的頂面具有凸曲面形狀，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。在圖3A所示的例子中，從XZ面看時，絕緣層143的頂面平坦。

當絕緣層143的頂面平坦時，可以提高共用層114及共用電極115的絕緣層143的覆蓋性。因此，例如可以適當地防止共用層114及共用電極115的斷開所導致的連接不良以及局部薄膜化所導致的電阻增大。

在圖3B所示的例子中，從XZ面看時，絕緣層143具有兩個凸曲面，兩個凸曲面之間設置有凹曲面。在圖4A所示的例子中，絕緣層143的頂面具有凹曲面形狀。在圖4A所示的例子中，共用層114及共用電極115進入相鄰的EL層113之間。即使是這樣的結構，共用層114及共用電極115的覆蓋性也可以比不設置絕緣層143的情況高。

在圖4B所示的例子中，沒有設置共用層114。在圖4B所示的例子中，共用電極115具有與EL層113及絕緣層143接觸的區域。在沒有設置共用層114時，可以簡化顯示裝置的製程。

圖5A示出與圖1B不同的結構例子的沿著圖1A中的點劃線X1-X2及點劃線Y1-Y2的剖面圖。另外，圖5B示出圖5A中的區域107的放大圖。

在圖5A及圖5B所示的結構中，像素電極111a、像素電極111b及像素電極111c的厚度互不相同，這是與圖1B、圖2A及圖2B所示的結構的主要不同點。注意，在圖5A中，導電層123的厚度與像素電極111c的厚度相等或大致相等，但是也可以與像素電極111a或像素電極111b的厚度相等或大致相等。如圖5B所示，像素電極111可以具有與圖2B同樣的結構。

圖5A及圖5B所示的顯示裝置採用光學微腔諧振器（微腔）結構。在發光元件130的一對電極中，作為一個電極例如使用具有可見光穿透性及反射性的電極（透反射電極），作為另一個電極例如使用具有可見光反射性的電極（反射電極）。當發光元件130具有微腔結構時，可以在兩個電極之間使從發光層得到的發光諧振，並且可以增強從發光元件130發射的光。另外，可以提高特定波長的光的發光強度，所以可以提高色純度。即使包括同一結構的EL層113也可以提取波長不同的光（單色光）。並且，可以增強特定波長的正面方向上的發光強度，從而可以實現低功耗化。注意，當由於微腔結構可以充分提高發光元件130所發的光的色純度時，有時可以省略彩色層132。

在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c中的各EL層113使用相同材料及相同製程形成，所以各EL層113的厚度一致或大致一致。另外，作為圖5B所示的像素電極111a2及像素電極111b2等使用反射電極，作為像素電極111a3及像素電極111b3等使用具有可見光穿透性的電極（透明電極）。因此，例如，藉由使像素電極111a3的厚度與像素電極111b3的厚度不同，可以使發光元件130a中的EL層113所發的光的光程長與發光元件130b中的EL層113所發的光的光程長不同。明確而言，較佳為以相對於想要從子像素110a提取的光的波長λ _a例如像素電極111a2的頂面和共用電極115的底面之間的距離為mλ _a/2（m為1以上的整數）或其附近的方式調節像素電極111a3的厚度。另外，較佳為以相對於想要從子像素110b提取的光的波長λ _b例如像素電極111b2的頂面和共用電極115的底面之間的距離為mλ _b/2或其附近的方式調節像素電極111b3的厚度。由此，可以提高從子像素110a及子像素110b提取的光的色純度。注意，當像素電極111c具有在反射電極上設置透明電極而成的結構且調節透明電極的厚度時，可以提高從子像素110c提取的光的色純度。

圖6A示出與圖1B不同的結構例子的沿著圖1A中的點劃線X1-X2及點劃線Y1-Y2的剖面圖。另外，圖6B示出圖6A中的區域107的放大圖。

圖6A及圖6B所示的結構與圖1B及圖2A所示的結構的主要不同之處在於圖6A及圖6B的結構中沒有絕緣層141、絕緣層143及共用層114。注意，也可以設置共用層114。另外，也可以設置絕緣層141。

當作為顯示裝置100採用圖6A所示的結構時，可以簡化顯示裝置100的製程。另外，可以提高顯示裝置100的開口率。

另一方面，在圖6A及圖6B所示的結構中，共用電極115有時與EL層113的側面接觸。在此，當EL層113包括多個發光單元並具有各發光單元的間設置有電荷產生層的串聯結構時，在共用電極115與電荷產生層接觸的情況下，有時因短路而部分發光單元不發光。例如，當EL層113包括第一發光單元、第一發光單元上的電荷產生層及電荷產生層上的第二發光單元時，由於共用電極115與電荷產生層接觸，電荷產生層和共用電極115有時短路。由此，有時電流不流過第二發光單元而第二發光單元不發光。

因此，當作為顯示裝置100採用圖6A及圖6B所示的結構時，作為發光元件130較佳為採用單結構。由此，可以使顯示裝置100為一種可靠性高的顯示裝置。

另外，當作為顯示裝置100採用圖6A及圖6B所示的結構時，在絕緣層103的突出部的寬度W過大的情況下，共用電極115有時發生斷開。另外，當凹部108的深度D過大時，共用電極115有時發生斷開。當共用電極115發生斷開時，有時EL層113不被施加電壓而發光元件130不發光。因此，以EL層113發生斷開且不使共用電極115發生斷開的方式調節絕緣層103的突出部的寬度W及凹部108的深度D。

共用電極115可以利用濺射法或真空蒸鍍法等其覆蓋性例如比ALD法低的方法形成。此時，如圖6A及圖6B所示，有時共用電極115不與凹部108的側面接觸而在凹部108的側面和共用電極115之間形成空隙。另外，共用電極115有時沒有設置在凹部108的與絕緣層103重疊的區域中。並且，共用電極115有時不與有機層119的側面接觸。注意，共用電極115也可以具有與凹部108的側面接觸的區域。

圖7A、圖7B、圖8A及圖8B示出與圖1B不同的結構例子的沿著圖1A中的點劃線X1-X2及點劃線Y1-Y2的剖面圖。

如圖7A所示，也可以使用黏合層122將設置有彩色層132的基板120貼合到保護層131。藉由在基板120上設置彩色層132，可以增高有關彩色層132的形成製程的處理溫度。

如圖7B及圖8A所示，顯示裝置100也可以設置有透鏡陣列133。透鏡陣列133可以設置在與發光元件130重疊的區域中。

在圖7B所示的例子中，在發光元件130a、發光元件130b、發光元件130c上隔著保護層131及保護層135設置彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c，在彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c上設置絕緣層134，在絕緣層134上設置透鏡陣列133。藉由在形成發光元件130的基板102上直接形成彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c及透鏡陣列133，可以提高發光元件130與彩色層132及透鏡陣列133的對準精度。

在圖7B中，發光元件130的發光在經過彩色層132之後經過透鏡陣列133而提取到顯示裝置100的外部。藉由靠近發光元件130和彩色層132的位置，可以實現混色的抑制及視角特性的提高，所以是較佳的。另外，也可以在發光元件130上設置透鏡陣列133且在透鏡陣列133上設置彩色層132。

圖8A示出設置有彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c及透鏡陣列133的基板120由黏合層122貼合在保護層131上的例子。藉由在基板120上設置彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c及透鏡陣列133，可以提高形成它們的製程中的加熱處理的溫度。

在圖8A所示的例子中，以與基板120接觸的方式設置彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c，以與彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c接觸的方式設置絕緣層134，以與絕緣層134接觸的方式設置透鏡陣列133。

在圖8A中，發光元件130的發光在經過透鏡陣列133之後經過彩色層132而提取到顯示裝置100的外部。另外，也可以以與基板120接觸的方式設置透鏡陣列133，以與透鏡陣列133接觸的方式設置絕緣層134，並且以與絕緣層134接觸的方式設置彩色層132。在此情況下，發光元件130的發光在經過彩色層132之後經過透鏡陣列133而提取到顯示裝置100的外部。注意，如圖7B及圖8A所示，較佳的是，藉由在相鄰的透鏡陣列133之間設置不同顏色的彩色層132重疊的區域，可以抑制發光元件130的發光的混色，所以是較佳的。

在圖8B所示的例子中，在發光元件130a、發光元件130b、發光元件130c上隔著保護層131設置透鏡陣列133，設置有彩色層132a、彩色層132b及彩色層132c的基板120由黏合層122貼合在透鏡陣列133上及保護層131上。

另外，也可以與圖8B不同，在基板120上設置透鏡陣列133而在保護層131上直接形成彩色層132。如上所述，也可以在保護層131上設置透鏡陣列133和彩色層132中的一方，而將另一方設置在基板120上。

在圖7A、圖8A及圖8B所示的例子中，在保護層131上沒有設置保護層135。另一方面，在圖7B所示的例子中，保護層131上設置有保護層135。在圖7B中，因為彩色層132設置在黏合層122的下層，所以在保護層131上設置被用作平坦化層的保護層135且在保護層135上設置彩色層132，由此可以將彩色層132設置在平坦面上。因此，可以容易形成彩色層132。另一方面，在圖7A、圖8A及圖8B中，彩色層132設置在黏合層122的上層，因此不需要設置用作平坦化層的保護層135。

透鏡陣列133的凸面既可以朝向基板120一側，又可以朝向發光元件130一側。

透鏡陣列133可以由無機材料和有機材料中的至少一個形成。例如，可以將包含樹脂的材料用於透鏡。此外，可以將包含氧化物和硫化物中的至少一個的材料用於透鏡。作為透鏡陣列133，例如可以使用微透鏡陣列。透鏡陣列133既可以在基板上或發光元件上直接形成，又可以貼合另行形成的透鏡陣列。

在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，藉由對於每個發光元件130分別設置島狀EL層113，可以抑制子像素之間產生洩漏電流。由此，可以防止起因於非意圖的發光的串擾，可以實現一種對比度極高的顯示裝置。另外，可以不使用高精細金屬遮罩而形成島狀EL層113，所以可以實現一種具有高清晰度及高開口率的顯示裝置。另外，可以提高顯示裝置的生產率。

＜製造方法例子＞ 以下，說明本發明的一個實施方式的顯示裝置及其製造方法。

構成顯示裝置的薄膜（絕緣膜、半導體膜及導電膜等）可以利用濺射法、化學氣相沉積（CVD：Chemical Vapor Deposition）法、真空蒸鍍法、脈衝雷射沉積（PLD：Pulsed Laser Deposition）法、ALD法等形成。作為CVD法有電漿增強化學氣相沉積（PECVD：Plasma Enhanced CVD）法及熱CVD法等。此外，作為熱CVD法之一，有有機金屬化學氣相沉積（MOCVD：Metal Organic CVD）法。

此外，構成顯示裝置的薄膜（絕緣膜、半導體膜、導電膜等）可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀（doctor knife）法、狹縫式塗佈法、輥塗法、簾式塗佈法或刮刀式塗佈法等濕式沉積方法形成。

尤其是，當製造發光元件時，可以利用蒸鍍法等真空製程以及旋塗法、噴墨法等溶液製程。作為蒸鍍法，可以舉出物理蒸鍍（PVD：Physical Vapor Deposition）法以及CVD法等。作為PVD法，可以舉出濺射法、離子鍍法、離子束蒸鍍法、分子束蒸鍍法及真空蒸鍍法等。尤其是，可以利用蒸鍍法（真空蒸鍍法）、塗佈法（浸塗法、染料塗佈法、棒式塗佈法、旋塗法、噴塗法）、印刷法（噴墨法、網版印刷（孔版印刷）法、平板印刷（平版印刷）法、柔版印刷（凸版印刷）法、照相凹版印刷法或微接觸印刷法等）等方法形成包括在EL層中的功能層（電洞注入層、電洞傳輸層、電洞障壁層、電子障壁層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層等）。

例如，可以在利用光微影法形成圖案之後根據圖案進行薄膜的蝕刻對構成顯示裝置的薄膜進行加工。或者，也可以利用奈米壓印法、噴砂法或剝離法等對薄膜進行加工。此外，也可以利用金屬遮罩等陰影遮罩的沉積方法直接形成島狀的薄膜。另外，藉由進行曝光及顯影可以對具有感光性的薄膜進行加工。就是說，可以利用光微影法對具有感光性的薄膜進行加工。

在光微影法中，作為用於曝光的光，例如可以使用i線（波長365nm）、g線（波長436nm）、h線（波長405nm）或將這些光混合了的光。另外，還可以使用紫外光、KrF雷射或ArF雷射等。此外，也可以利用液浸曝光技術進行曝光。此外，作為用於曝光的光，也可以使用極紫外線（EUV：Extreme Ultra-Violet）或X射線。此外，代替用於曝光的光，也可以使用電子束。當使用極紫外線、X射線或電子束時，可以進行極其微細的加工，所以是較佳的。注意，在藉由利用電子束等光束進行掃描而進行曝光時，不需要光罩。

在薄膜的蝕刻中，可以利用乾蝕刻法、濕蝕刻法或噴砂法等。

使用圖式說明具有圖1B所示的結構的顯示裝置100的製造方法的一個例子。首先，如圖9A所示，在基板102上形成絕緣層101。接著，在絕緣層101上形成後面成為絕緣層103a、絕緣層103b、絕緣層103c及絕緣層105的絕緣膜103f。

作為基板102，如上所述，可以使用至少具有能夠承受後面的熱處理程度的耐熱性的基板。在使用絕緣基板作為基板102的情況下，可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板或有機樹脂基板等。此外，還可以使用以矽或碳化矽等為材料的單晶半導體基板或多晶半導體基板、以矽鍺等為材料的化合物半導體基板或SOI基板等半導體基板。

如上所述，絕緣層101可以為有機絕緣層。絕緣層101可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀（doctor knife）法、狹縫式塗佈法、輥塗法、簾式塗佈法或刮刀式塗佈法等濕式沉積方法形成。

絕緣膜103f可以為無機絕緣膜。絕緣膜103f可以利用真空蒸鍍法、濺射法、CVD法或ALD法等形成。

接著，如圖9A所示，在絕緣膜103f上形成後面成為像素電極111a、像素電極111b、像素電極111c及導電層123的導電膜111f。導電膜111f可以利用濺射法或真空蒸鍍法等形成。

接著，如圖9A所示，在導電膜111f上形成光阻遮罩191。光阻遮罩191可以藉由塗佈感光材料（光阻劑）而進行曝光及顯影來形成。

接著，如圖9A及圖9B所示，例如利用蝕刻法諸如濕蝕刻法去除例如不與光阻遮罩191重疊的區域的導電膜111f。由此，形成像素電極111a、像素電極111b、像素電極111c及導電層123。

在此，當利用濕蝕刻法加工導電膜111f時，導電膜111f有時不僅在垂直方向上被蝕刻而且在水平方向上被蝕刻。由此，在像素電極111a、像素電極111b、像素電極111c及導電層123的側面有時呈錐形形狀。明確而言，例如從XZ面或YZ面看時，像素電極111a、像素電極111b、像素電極111c及導電層123的側面有時具有錐角小於90°的錐形形狀。

當形成具有圖2B所示的結構的像素電極111時，在絕緣膜103f上依次形成後面成為像素電極111a1及像素電極111b1等的第一導電膜以及後面成為像素電極111a2及像素電極111b2等的第二導電膜。接著，例如利用光微影法形成圖案，然後利用蝕刻法加工第二導電膜來形成像素電極111a2及像素電極111b2等。接著，在第一導電膜、像素電極111a2及像素電極111b2上等形成後面成為像素電極111a3及像素電極111b3等的第三導電膜。接著，在第三導電膜上形成光阻遮罩191，例如利用蝕刻法去除不與光阻遮罩191重疊的區域的第三導電膜及第一導電膜。由此可以形成具有圖2B所示的結構的像素電極111。另外，可以形成具有與圖2B所示的像素電極111同樣的結構的導電層123。

接著，如圖9A及圖9B所示，利用蝕刻法去除例如不與像素電極111a、像素電極111b、像素電極111c及導電層123重疊的區域的絕緣膜103f。由此，形成絕緣層103a、絕緣層103b、絕緣層103c及絕緣層105。絕緣膜103f例如可以利用乾蝕刻法加工。

在此，例如從XZ面或YZ面看時，有時在絕緣層103a、絕緣層103b、絕緣層103c及絕緣層105的側面呈錐角小於90°的錐形形狀。另外，絕緣層103的側面的上端部和像素電極111的側面的下端部有時對齊，有時不對齊。同樣，絕緣層105的側面的上端部和導電層123的側面的下端部有時對齊，有時不對齊。例如，像素電極111的側面的下端部有時位於絕緣層103的側面的上端部的內側，導電層123的側面的下端部有時位於絕緣層105的側面的上端部的內側。

當在絕緣層103a、絕緣層103b、絕緣層103c及絕緣層105的側面呈錐形形狀時，絕緣層103a、絕緣層103b、絕緣層103c及絕緣層105的側面的錐角與像素電極111a、像素電極111b、像素電極111c及導電層123的側面的錐角有時一致，有時不一致。例如，絕緣層103a、絕緣層103b、絕緣層103c及絕緣層105的側面的錐角有時比像素電極111a、像素電極111b、像素電極111c及導電層123的側面的錐角大。

另外，也可以在形成像素電極111及導電層123之後且形成絕緣層103及絕緣層105之前去除光阻遮罩191而重新形成光阻遮罩。由此，可以使用與像素電極111及導電層123不同的圖案形成絕緣層103及絕緣層105。例如，可以以像素電極111的側面的下端部位於絕緣層103的側面的上端部的內側且導電層123的側面的下端部位於絕緣層105的側面的上端部的內側的方式形成絕緣層103及絕緣層105。

接著，如圖10A1所示，加工絕緣層101來形成凹部108。圖10A2是圖10A1所示的剖面圖中的區域107的放大圖。

絕緣層101的凹部108形成在平面上相鄰的絕緣層103之間的區域中，絕緣層103的端部145與凹部108重疊。就是說，藉由形成凹部108，在絕緣層103中形成與凹部108重疊的突出部。

藉由利用與絕緣膜103f的加工方法相比容易被各向同性地加工的方法加工絕緣層101，可以以絕緣層103具有突出部的方式形成凹部108。例如，當絕緣層101為有機絕緣層且絕緣層103為無機絕緣層時，絕緣層101例如可以藉由利用氧電漿的灰化被加工。或者，在加工絕緣層101時可以使用氧氣體、CF ₄、C ₄F ₈、SF ₆、CHF ₃、Cl ₂、H ₂O、BCl ₃或第18族元素。作為第18族元素例如可以使用He。或者，在加工絕緣層101時可以利用蝕刻，例如可以使用濕蝕刻。注意，有時由於絕緣層101的加工而光阻遮罩191後退（縮小）。另外，有時由於絕緣層101的加工而光阻遮罩191被去除。

如果在與絕緣層103的選擇性較高且各向同性至少比絕緣膜103f的加工條件高的條件下可以加工絕緣層101，絕緣層101例如可以為無機絕緣層。當絕緣層101為無機絕緣層時，可以利用蝕刻諸如乾蝕刻加工絕緣層101。

在此，例如從XZ面或YZ面看時，有時在凹部108中的絕緣層101的側面呈錐角小於90°的錐形形狀。此時，凹部108中的絕緣層101的側面的錐角與像素電極111的側面的錐角或絕緣層103的側面的錐角有時一致，有時不一致。例如，凹部108中的絕緣層101的側面的錐角有時比像素電極111的側面的錐角大。

接著，如圖10A1及圖10B所示，去除光阻遮罩191。例如可以利用濕蝕刻去除光阻遮罩191。注意，當在絕緣層101中形成凹部108的製程中去除光阻遮罩191時，例如也可以不進行上述濕蝕刻。

接著，較佳為進行像素電極111的疏水化處理。在疏水化處理中，可以使處理對象的表面狀態從親水性變為疏水性或者可以提高處理對象的表面的疏水性。藉由進行像素電極111的疏水化處理，可以提高像素電極111與在後面製程中形成的EL層113的密接性，由此可以抑制EL層113的膜剝離。另外，也可以不進行疏水化處理。

疏水化處理例如可以藉由像素電極111的氟修飾來進行。氟修飾例如可以藉由利用含氟氣體的處理或加熱處理、含氟氣體氛圍下的電漿處理等來進行。作為含氟氣體例如可以使用氟氣體，例如可以使用碳氟化合物氣體。作為碳氟化合物氣體，例如可以使用四氟化碳（CF ₄）氣體、C ₄F ₆氣體、C ₂F ₆氣體、C ₄F ₈氣體、C ₅F ₈等低級氟化碳氣體。另外，作為含氟氣體例如可以使用SF ₆氣體、NF ₃氣體、CHF ₃氣體等。另外，也可以對這些氣體適當地添加氦氣體、氬氣體或氫氣體等。

可以藉由對像素電極111的表面在包含氬等第18族元素的氣體氛圍下進行電漿處理，然後進行利用矽烷化劑的處理，使像素電極111的表面疏水化。作為矽烷化劑可以使用六甲基二矽氮烷（HMDS）、三甲基矽咪唑（TMSI）等。並且，也可以藉由對像素電極111的表面在包含氬等第18族元素的氣體氛圍下進行電漿處理，然後進行利用矽烷偶合劑的處理，使像素電極111的表面疏水化。

藉由在包含氬等第18族元素的氣體氛圍下對像素電極111的表面進行電漿處理，可以使像素電極111的表面受到損傷。由此，HMDS等的矽烷化劑中的甲基容易鍵合於像素電極111的表面。另外，容易利用矽烷偶合劑生成矽烷偶合。由此，也可以藉由對像素電極111的表面在包含氬等第18族元素的氣體氛圍下進行電漿處理，然後進行利用矽烷化劑或矽烷偶合劑的處理，使像素電極111的表面疏水化。

使用矽烷化劑或矽烷偶合劑等的處理例如可以使用旋塗法或浸漬法等塗佈矽烷化劑或矽烷偶合劑等來進行。另外，使用矽烷化劑或矽烷偶合劑等的處理例如可以藉由使用氣相法在像素電極111上等形成具有矽烷化劑的膜或具有矽烷偶合劑的膜等而進行。在氣相法中，首先，使包含矽烷化劑的材料或包含矽烷偶合劑的材料等揮發來使矽烷化劑或矽烷偶合劑等包含在氛圍中。接著，將形成有像素電極111等的基板102放置在該氛圍中。由此，可以在像素電極111上形成具有矽烷化劑或矽烷偶合劑等的膜，由此可以使像素電極111的表面疏水化。

接著，如圖11A所示，在像素電極111a、像素電極111b及像素電極111c上形成EL層113。圖11B是圖11A所示的剖面圖中的區域107的放大圖。

如圖11A所示，在導電層123上沒有形成EL層113。例如，藉由利用區域遮罩，可以只在所希望的區域中沉積EL層113。

EL層113較佳為以覆蓋性低的方法形成。EL層113例如可以利用蒸鍍法形成，明確而言可以利用真空蒸鍍法形成。另外，EL層113也可以利用轉印法、印刷法、噴墨法或塗佈法等的方法形成。

在沉積EL層113時，因絕緣層103以與凹部108重疊的方式具有的突出部而EL層113分離。由此，形成島狀EL層113。注意，有時在沉積EL層113時EL層113的材料到達凹部108內使得EL層113分離，在凹部108中形成有機層119。

由此，可以使用相同材料及相同製程形成多個島狀EL層113，而不使用高精細金屬遮罩。可以抑制在相鄰的子像素之間EL層113彼此接觸，所以可以抑制在子像素間產生洩漏電流。由此，可以抑制顯示裝置的顯示品質下降。另外，可以實現顯示裝置的高清晰化和高顯示品質。

島狀EL層113可以以覆蓋像素電極111的頂面、側面的至少一部分的方式形成。藉由採用這樣的結構，如上所述，可以將像素電極111的頂面整體用作發光區域。因此，與島狀EL層113不覆蓋像素電極111的側面的結構相比，可以提高顯示裝置的開口率。另外，當EL層113覆蓋像素電極111的側面且像素電極111的側面具有錐形形狀時，與像素電極111的側面垂直的情況相比，可以提高EL層113的像素電極111的覆蓋性。此外，如圖11A及圖11B所示，EL層113有時不僅覆蓋像素電極111的側面，而且覆蓋絕緣層103的側面。

如上所述，絕緣層103的突出部的寬度W與EL層113的厚度T之比（W/T）較佳為0.3以上，更佳為0.5以上，進一步較佳為0.7以上，還較佳為0.9以上，還進一步較佳為1.0以上。另外，W/T較佳為10.0以下，更佳為5.0以下。另外，如上所述，凹部108的深度D與EL層113的厚度T之比（D/T）較佳為1.0以上，更佳為2.0以上，進一步較佳為3.0以上，還較佳為3.5以上，還進一步較佳為4.0以上。另外，D/T較佳為50.0以下，更佳為30.0以下，進一步較佳為20.0以下。

接著，如圖12A所示，以覆蓋EL層113、有機層119及導電層123的方式依次形成後面成為絕緣層141的絕緣膜141f以及後面成為絕緣層143的絕緣膜143f。

絕緣膜141f的頂面與用於絕緣膜143f的材料（例如，包括丙烯酸樹脂的感光性樹脂組成物）的親和性較佳為高。為了提高該親和性，較佳為進行表面處理來使絕緣膜141f的頂面疏水化或者提高疏水性。例如，較佳為使用HMDS等的矽烷化劑進行處理。藉由像這樣使絕緣膜141f的頂面疏水化，可以以與絕緣膜141f的密接性高的方式形成絕緣膜143f。作為表面處理，也可以進行上述疏水化處理。

絕緣膜141f及絕緣膜143f較佳為以對EL層113損傷少的方法形成。尤其是，由於絕緣膜141f以與EL層113的側面接觸的方式形成，所以較佳為以與絕緣膜143f相比對EL層113損傷少的方法形成。

另外，絕緣膜141f及絕緣膜143f各自以低於EL層113的耐熱溫度的溫度形成。另外，藉由提高形成絕緣膜141f時的基板102的溫度，即使其膜厚度較薄也可以形成雜質濃度低且對水和氧中的至少一方的阻擋性高的絕緣膜141f。

形成絕緣膜141f及絕緣膜143f時的基板102的溫度較佳為60℃以上、80℃以上、100℃以上或120℃以上且200℃以下、180℃以下、160℃以下、150℃以下或140℃以下。

作為絕緣膜141f，較佳為以上述基板102的溫度範圍形成3nm以上、5nm以上或10nm以上且200nm以下、150nm以下、100nm以下或50nm以下的厚度的絕緣膜。

絕緣膜141f例如較佳為藉由ALD法形成。藉由利用ALD法，可以減少沉積損傷，且可以形成覆蓋性高的膜。由此，絕緣膜141f例如可以適當地覆蓋絕緣層103的與凹部108重疊的突出部的底面及凹部108的側面。因此，與利用覆蓋性較低的方法形成絕緣層141的情況相比，可以抑制絕緣層103的突出部的寬度W變短。作為絕緣膜141f，例如可以利用ALD法形成氧化鋁膜。

除此之外，絕緣膜141f也可以利用其沉積速率高於ALD法的濺射法、CVD法或PECVD法形成。由此，可以高生產率地製造可靠性高的顯示裝置。

絕緣膜143f較佳為使用上述濕式沉積方法形成。絕緣膜143f例如較佳為藉由旋塗法使用感光性材料形成，更明確而言，較佳為使用包括丙烯酸樹脂的感光性樹脂組成物形成。

例如，較佳為使用含有聚合物、酸產生劑及溶劑的樹脂組成物形成絕緣膜143f。聚合物使用一種或多種單體形成，具有有規則或無規則地反復一種或多種結構單位（也稱為構成單位）的結構。作為酸產生劑，可以使用藉由照射光產生酸的化合物和藉由加熱產生酸的化合物中的一者或兩者。樹脂組成物還可以包含感光劑、敏化劑、催化劑、黏合助劑、表面活性劑和防氧化劑中的一個或多個。

另外，在絕緣膜143f的形成後進行加熱處理（也稱為預烤）。該加熱處理以低於EL層113的耐熱溫度的溫度形成。加熱處理時的基板102的溫度較佳為50℃以上且200℃以下，更佳為60℃以上且150℃以下，進一步較佳為70℃以上且120℃以下。由此，可以去除包括在絕緣膜143f中的溶劑。

接著，如圖12B所示，將為可見光線或紫外線的光195照射到絕緣膜143f的一部分，對絕緣膜143f的一部分進行曝光。在此，當將正型感光材料用於絕緣膜143f時，對在後面的製程中沒有形成絕緣層143的區域使用遮罩193照射光195。明確而言，將遮罩193重疊在後面的製程中形成絕緣層143區域上，對絕緣膜143f及遮罩193照射光195。絕緣層143形成在相鄰的EL層113之間及導電層123周圍。因此，如圖12B所示，對絕緣膜143f的與EL層113重疊的部分及與導電層123重疊的部分照射光195。

光195較佳為包括i線（波長為365nm）。另外，光195也可以包括g線（波長為436nm）和h線（波長為405nm）中的至少一方。

此外，也可以將負型感光材料用於絕緣膜143f。此時，對形成絕緣層143的區域的絕緣膜143f照射光195。明確而言，將遮罩193重疊在後面的製程中沒有形成絕緣層143的區域上，對絕緣膜143f及遮罩193照射光195。

接著，如圖12C所示，進行顯影來去除絕緣膜143f的曝光區域來形成絕緣層143。如上所述，絕緣層143形成在相鄰的EL層113之間。另外，絕緣層143可以形成在相鄰的像素電極111之間。並且，絕緣層143有時形成在相鄰的絕緣層103之間。另外，絕緣層143形成在導電層123及絕緣層105周圍。

如上所述，絕緣層143以具有與凹部108重疊的區域的方式形成。另外，可以以具有與有機層119重疊的區域的方式形成絕緣層143。此外，可以以與EL層113的頂面的一部分重疊的方式形成絕緣層143。在此，當將丙烯酸樹脂用於絕緣膜143f時，作為顯影液較佳為使用鹼性溶液，例如可以使用TMAH。

如上所述，藉由利用曝光及顯影加工具有感光性的絕緣膜143f，可以形成絕緣層143。因此，可以利用光微影法形成絕緣層143。

接著，也可以去除顯影時的殘渣（所謂的浮渣）。例如，藉由進行利用氧電漿的灰化，可以去除殘渣。

另外，也可以進行蝕刻以便調整絕緣層143的表面高度。絕緣層143例如也可以藉由利用氧電漿的灰化被加工。另外，在作為絕緣膜143f使用非感光材料的情況下，也例如藉由該灰化可以調整絕緣膜143f的表面高度。

接著，如圖12C及圖13A1所示，將絕緣層143用作遮罩進行蝕刻處理來去除絕緣膜141f的一部分。由此，在絕緣層143下形成絕緣層141。另外，使EL層113的頂面及導電層123的頂面露出。圖13A2是圖13A1中的區域107的放大圖。尤其是，當利用濕蝕刻法加工絕緣膜141f時，與例如利用乾蝕刻法加工絕緣膜141f的情況相比，可以減輕對EL層113的損傷，所以是較佳的。注意，當可以忽略對EL層113的損傷時，也可以利用乾蝕刻法加工絕緣膜141f。此時，與例如利用濕蝕刻法加工絕緣膜141f的情況相比，可以使子像素110a、子像素110b及子像素110c小型化。

接著，如圖13B所示，在EL層113、導電層123及絕緣層143上形成共用層114。共用層114可以藉由蒸鍍法（包括真空蒸鍍法）、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。如上所述，共用層114例如包括電子注入層或電洞注入層。另外，共用層114例如包括電子傳輸層或電洞傳輸層。並且，共用層114例如可以包括電子傳輸層和電子注入層的疊層，也可以包括電洞傳輸層和電洞注入層的疊層。

接著，如圖13B所示，在共用層114上形成共用電極115。由此，形成發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c。共用電極115可以藉由濺射法或真空蒸鍍法等的方法形成。或者，也可以層疊藉由蒸鍍法形成的膜與藉由濺射法形成的膜來形成共用電極115。

接著，如圖13B所示，在共用電極115上形成保護層131。保護層131可以藉由真空蒸鍍法、濺射法、CVD法或ALD法等方法形成。

接著，如圖13B所示，在保護層131上形成保護層135。保護層135可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀（doctor knife）法、狹縫式塗佈法、輥塗法、簾式塗佈法或刮刀式塗佈法等濕式沉積方法形成。

接著，在保護層135上形成彩色層132a、彩色層132b及彩色層132c。彩色層132a以具有與發光元件130a的像素電極111a及EL層113重疊的區域的方式形成。彩色層132b以具有與發光元件130b的像素電極111b及EL層113重疊的區域。彩色層132c以具有與發光元件130c的像素電極111c及EL層113重疊的區域的方式形成。

接著，使用黏合層122將基板120貼合到彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c及保護層135上，由此可以製造具有圖1B所示的結構的顯示裝置100。

接著，使用圖式說明具有圖6A所示的結構的顯示裝置100的製造方法的一個例子。注意，關於與使用圖9A至圖13B說明的方法同樣的方法，適當地省略其說明。

首先，以與圖9A至圖11B所示的方法同樣的方法進行製程。由此，在基板102上形成絕緣層101、絕緣層103、絕緣層105、像素電極111、導電層123及EL層113等。另外，在絕緣層101中形成凹部108。

如上所述，在絕緣層103的突出部的寬度W過大的情況下，後面製程中形成的共用電極115有時發生斷開。另外，當凹部108的深度D過大時，後面製程中形成的共用電極115有時發生斷開。當共用電極115發生斷開時，有時EL層113不被施加電壓而發光元件130不發光。因此，以具有EL層113發生斷開且不使共用電極115發生斷開的絕緣層103的突出部的寬度W及凹部108的深度D方式形成凹部108。

接著，如圖14A1所示，在EL層113及導電層123上形成共用電極115。圖14A2是圖14A1所示的區域107的放大圖。

如上所述，共用電極115可以利用濺射法或真空蒸鍍法等其覆蓋性例如比ALD法低的方法形成。此時，如圖14A1及圖14A2所示，有時共用電極115不與凹部108的側面接觸而在凹部108的側面和共用電極115之間形成空隙。另外，共用電極115有時沒有形成在凹部108的與絕緣層103重疊的區域中。並且，共用電極115有時以不與有機層119的側面接觸的方式形成。注意，共用電極115也可以以具有與凹部108的側面接觸的區域的方式形成。

接著，如圖14B所示，在共用電極115上形成保護層131，在保護層131上形成保護層135。接著，在保護層135上形成彩色層132a、彩色層132b及彩色層132c。接著，使用黏合層122將基板120貼合到彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c及保護層135。由此，可以製造具有圖6A所示的結構的顯示裝置100。

在圖14A1、圖14A2及圖14B所示的方法中，沒有形成絕緣層141、絕緣層143及共用層114。因此，可以簡化顯示裝置100的製造方法。注意，也可以設置共用層114。另外，也可以設置絕緣層141。

在本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法中，藉由對於每個發光元件130分別設置島狀EL層113，可以抑制子像素之間產生洩漏電流。由此，可以防止起因於非意圖的發光的串擾，可以製造一種對比度極高的顯示裝置。另外，可以不使用高精細金屬遮罩而形成島狀EL層113，所以可以製造一種具有高清晰度及高開口率的顯示裝置。另外，可以以高生產率製造顯示裝置。

本實施方式可以與其他實施方式或實施例適當地組合。

實施方式2 在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個實施方式的顯示裝置。

[像素佈局] 在本實施方式中，主要說明與圖1A不同的像素佈局。子像素的排列沒有特別的限制，可以採用各種排列方法。作為子像素的排列，例如可以舉出條紋排列、S條紋排列、矩陣排列、Delta排列、拜耳排列、Pentile排列等。

本實施方式中的圖式所示的子像素的頂面形狀相當於發光區域的頂面形狀。

另外，作為子像素的頂面形狀，例如可以舉出三角形、四角形（包括矩形、正方形）、五角形等多角形、角部圓的上述多角形形狀、橢圓形或圓形等。

構成子像素的電路佈局不侷限於圖式所示的子像素的範圍，也可以配置在其外側。

圖15A所示的像素109採用S條紋排列。圖15A所示的像素109由子像素110a、子像素110b、子像素110c這三個子像素構成。

圖15B所示的像素109包括具有角部呈圓形的近似三角形的頂面形狀的子像素110a、具有角部呈圓形的近似梯形的頂面形狀的子像素110b以及具有角部呈圓形的近似四角形或近似六角形的頂面形狀的子像素110c。另外，子像素110b的發光面積大於子像素110a。如此，各子像素的形狀及尺寸可以分別獨立決定。例如，包括可靠性高的發光元件的子像素的尺寸可以更小。

圖15C所示的像素124a及像素124b採用Pentile排列。圖15C示出交替配置包括子像素110a及子像素110b的像素124a及包括子像素110b及子像素110c的像素124b的例子。

圖15D、圖15E及圖15F所示的像素124a及像素124b採用Delta排列。像素124a在上面的行（第一行）包括兩個子像素（子像素110a、子像素110b），在下面的行（第二行）包括一個子像素（子像素110c）。像素124b在上面的行（第一行）包括一個子像素（子像素110c），在下面的行（第二行）包括兩個子像素（子像素110a、子像素110b）。

圖15D是各子像素具有帶圓角的近似四角形的頂面形狀的例子，圖15E是各子像素具有圓形頂面形狀的例子，圖15F是各子像素具有帶圓角的近似六角形的頂面形狀的例子。

圖15G示出各顏色的子像素配置為鋸齒形狀的例子。明確而言，在俯視時，在列方向上排列的兩個子像素（例如，子像素110a與子像素110b或者子像素110b與子像素110c）的上邊的位置錯開。

在圖15A至圖15G所示的各像素中，例如較佳的是，作為子像素110a使用發射紅色光的子像素R，作為子像素110b使用發射綠色光的子像素G，並且作為子像素110c使用發射藍色光的子像素B。注意，子像素的結構不侷限於此，可以適當地決定子像素所發射的顏色及排列順序。例如，也可以作為子像素110b使用發射紅色光的子像素R，作為子像素110a使用發射綠色光的子像素G。

在光微影法中，被加工的圖案越微細越不能忽視光的繞射所帶來的影響，所以在藉由曝光轉移光罩的圖案時其保真度變壞，難以將光阻遮罩加工為所希望的形狀。因此，即使光罩的圖案為矩形，也易於形成帶圓角的圖案。因此，像素電極的頂面形狀有時呈帶圓角的多角形形狀、橢圓形或圓形等。在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，EL層的頂面形狀，甚至為發光元件的頂面形狀也有時受到像素電極的頂面形狀的影響而呈帶圓角的多角形形狀、橢圓形或圓形等。

為了使像素電極的頂面形狀呈所希望的形狀，也可以預先利用以設計圖案與轉移圖案一致的方式校正遮罩圖案的技術的光學鄰近效應修正（OPC：Optical Proximity Correction技術。明確而言，在OPC技術中，例如對遮罩圖案上的圖形角部追加校正用圖案。

如圖16A至圖16I所示，像素可以包括四個子像素。

圖16A至圖16C所示的像素109採用條紋排列。

圖16A是各子像素具有矩形頂面形狀的例子，圖16B是各子像素具有連接兩個半圓與矩形的頂面形狀的例子，圖16C是各子像素具有橢圓形頂面形狀的例子。

圖16D至圖16F所示的像素109採用矩陣排列。

圖16D是各子像素具有正方形的頂面形狀的例子，圖16E是各子像素具有角部呈圓形的近似正方形的例子，圖16F是各子像素具有圓形頂面形狀的例子。

圖16G及圖16H示出一個像素109以兩行三列構成的例子。

圖16G所示的像素109在上面的行（第一行）包括三個子像素（子像素110a、子像素110b、子像素110c）且在下面的行（第二行）包括一個子像素（子像素110d）。換言之，像素109在左列（第一列）包括子像素110a，在中間列（第二列）包括子像素110b，在右列（第三列）包括子像素110c，並包括橫跨這三個列的子像素110d。

圖16H所示的像素109在上面的行（第一行）包括三個子像素（子像素110a、子像素110b、子像素110c）且在下面的行（第二行）包括三個子像素110d。換言之，像素109在左列（第一列）包括子像素110a及子像素110d，在中間列（第二列）包括子像素110b及子像素110d，在右列（第三列）包括子像素110c及子像素110d。如圖16H所示，藉由採用上面的行和下面的行的子像素的配置對齊的結構，可以高效地去除製造程序中可能產生的粉塵。因此，可以提供顯示品質高的顯示裝置。

圖16I示出一個像素109以三行兩列構成的例子。

圖16I所示的像素109在上面的行（第一行）包括子像素110a，在中間行（第二行）包括子像素110b，並包括橫跨第一行至第二行的子像素110c，在下面的行（第三行）包括一個子像素（子像素110d）。換言之，像素109在左列（第一列）包括子像素110a、子像素110b，在右列（第二列）包括子像素110c，並包括橫跨這兩個列的子像素110d。

圖16A至圖16I所示的像素109由子像素110a、子像素110b、子像素110c、子像素110d這四個子像素構成。

子像素110a、子像素110b、子像素110c、子像素110d可以包括發射彼此不同顏色的光的發光元件。作為子像素110a、子像素110b、子像素110c、子像素110d，可以舉出：R、G、B、白色（W）的四種顏色的子像素；R、G、B、Y的四種顏色的子像素；以及R、G、B、紅外光（IR）的子像素；等。

在圖16A至圖16I所示的各像素109中，例如較佳的是，作為子像素110a使用發射紅色光的子像素，作為子像素110b使用發射綠色光的子像素，作為子像素110c使用發射藍色光的子像素，作為子像素110d使用發射白色光的子像素、發射黃色光的子像素或發射近紅外光的子像素。在採用上述結構時，在圖16G及圖16H所示的像素109中，R、G、B的佈局成為條紋排列，所以可以提高顯示品質。另外，在圖16I所示的像素109中，R、G、B的佈局成為所謂的S條紋排列，所以可以提高顯示品質。

如圖16J至圖16K所示，像素可以包括五種子像素。作為五種顏色的子像素，例如可以舉出R、G、B、Y、W這五種顏色的子像素。

圖16J示出一個像素109以兩行三列構成的例子。

圖16J所示的像素109在上面的行（第一行）包括三個子像素（子像素110a、子像素110b、子像素110c）且在下面的行（第二行）包括兩個子像素（子像素110d、子像素110e）。換言之，像素109在左列（第一列）包括子像素110a、子像素110d，在中間列（第二列）包括子像素110b，在右列（第三列）包括子像素110c，並包括橫跨第二列至第三列的子像素110e。

圖16K示出一個像素109以三行兩列構成的例子。

圖16K所示的像素109在上面的行（第一行）包括子像素110a，在中間行（第二行）包括子像素110b，包括橫跨第一行至第二行的子像素110c，在下面的行（第三行）包括兩個子像素（子像素110d、子像素110e）。換言之，像素109在左列（第一列）包括子像素110a、子像素110b、子像素110d，在右列（第二列）包括子像素110c、子像素110e。

如上所述，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，可以對由包括發光元件的子像素構成的像素採用各種佈局。

本實施方式可以與其他實施方式或實施例適當地組合。

實施方式3 在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個實施方式的顯示裝置。

本實施方式的顯示裝置可以為高解析度的顯示裝置或大型顯示裝置。因此，例如可以將本實施方式的顯示裝置用作如下裝置的顯示部：具有較大的螢幕的電子裝置諸如電視機、桌上型或膝上型個人電腦、用於電腦等的顯示器、數位看板、彈珠機等大型遊戲機等；數位相機；數位視訊攝影機；數位相框；行動電話機；可攜式遊戲機；可攜式資訊終端；音頻再生裝置。

[顯示裝置100A] 圖17是顯示裝置100A的立體圖，圖18A是顯示裝置100A的剖面圖。

顯示裝置100A具有貼合基板120與基板102的結構。在圖17中，以虛線表示基板120。

顯示裝置100A包括顯示部162、連接部140、電路164、佈線165等。圖17示出顯示裝置100A安裝有IC173及FPC172的例子。因此，也可以將圖17所示的結構稱為包括顯示裝置100A、IC（積體電路）及FPC的顯示模組。

在本說明書等中，安裝有FPC等連接器的顯示裝置的基板或安裝有IC的該基板被稱為顯示模組。

連接部140設置在顯示部162的外側。連接部140可以沿著顯示部162的一個邊或多個邊設置。此外，連接部140也可以為一個或多個。圖17示出以圍繞顯示部的四個邊的方式設置連接部140的例子。

作為電路164，例如可以使用掃描線驅動電路。

佈線165具有對顯示部162及電路164供應信號及電力的功能。該信號及電力從外部經由FPC172或者從IC173輸入到佈線165。

圖17示出藉由COG（Chip On Glass：晶粒玻璃接合）方式或COF（Chip On Film：薄膜覆晶封裝）方式等在基板102上設置IC173的例子。作為IC173，例如可以使用包括掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的IC。注意，顯示裝置100A及顯示模組不一定必須設置有IC。另外，也可以將IC例如利用COF方式安裝於FPC。

圖18A示出顯示裝置100A的包括FPC172的區域的一部分、電路164的一部分、顯示部162的一部分、連接部140的一部分及包括端部的區域的一部分的剖面的一個例子。

圖18A所示的顯示裝置100A在基板102和基板120之間包括電晶體201、電晶體205、發光元件130a、發光元件130b、發光元件130c、彩色層132a、彩色層132b及彩色層132c等。發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c例如可以發射白色光。另外，例如彩色層132a的紅色光的穿透率比其他顏色的光的穿透率高。另外，例如彩色層132b的綠色光的穿透率比其他顏色的光的穿透率高。另外，例如彩色層132c的藍色光的穿透率比其他顏色的光的穿透率高。並且，相鄰的發光元件130之間設置有有機層119、絕緣層141及絕緣層143。

發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c例如可以採用實施方式1所示的結構，但其像素電極的結構與實施方式1所示的結構不同。

發光元件130a包括導電層112a及導電層112a上的導電層126a。導電層112a及導電層126a相當於實施方式1所示的像素電極111a。

發光元件130b包括導電層112b及導電層112b上的導電層126b。導電層112b及導電層126b相當於實施方式1所示的像素電極111b。

發光元件130c包括導電層112c及導電層112c上的導電層126c。導電層112c及導電層126c相當於實施方式1所示的像素電極111c。

導電層112a藉由設置在絕緣層101及絕緣層103a中的開口與電晶體205所包括的導電層222b連接。導電層126a的端部位於導電層112a的端部外側。

發光元件130b中的導電層112b及導電層126b以及發光元件130c中的導電層112c及導電層126c與發光元件130a中的導電層112a及導電層126a同樣，所以省略詳細說明。

在導電層112a中以覆蓋設置在絕緣層101及絕緣層103a中的開口的方式形成凹部。在導電層112b中以覆蓋設置在絕緣層101及絕緣層103b中的開口的方式形成凹部。在導電層112c中以覆蓋設置在絕緣層101及絕緣層103c中的開口的方式形成凹部。層128嵌入在導電層112a、導電層112b及導電層112c的凹部中。

層128具有使導電層112a、導電層112b及導電層112c的凹部平坦化的功能。在導電層112a及層128上設置與導電層112a電連接的導電層126a。另外，在導電層112b及層128上設置與導電層112b電連接的導電層126b。並且，在導電層112c及層128上設置與導電層112c電連接的導電層126c。因此，與導電層112a、導電層112b及導電層112c的凹部重疊的區域也可以被用作發光區域，可以提高像素的開口率。

層128也可以為絕緣層或導電層。層128可以適當地使用各種無機絕緣材料、有機絕緣材料及導電材料。尤其是，層128較佳為使用絕緣材料形成，特別較佳為使用有機絕緣材料形成。層128例如可以使用上述可用於保護層135的有機絕緣材料。

在發光元件130a、發光元件130b及發光元件130c上設置保護層131，在保護層131上設置保護層135。在保護層135上設置彩色層132a、彩色層132b及彩色層132c。彩色層132a、彩色層132b、彩色層132c及保護層135與基板120藉由黏合層122黏合。

發光元件130的密封可以採用固體密封結構或中空密封結構等。在圖18A中，基板120與保護層135之間的空間被黏合層122填充，即採用固體密封結構。或者，也可以使用惰性氣體（氮或氬等）填充該空間，即採用中空密封結構。此時，黏合層122也可以以不與發光元件130重疊的方式設置。另外，也可以藉由將不同於黏合層122的樹脂設置為框狀來填充該空間。

在連接部140中，在絕緣層101上設置絕緣層105，在絕緣層105上設置導電層123。導電層123可以具有如下導電層的疊層結構：藉由加工與導電層112a、導電層112b及導電層112c相同的導電膜來得到的導電層；以及藉由加工與導電層126a、導電層126b及導電層126c相同的導電膜來得到的導電層。導電層123的端部被絕緣層141及絕緣層143覆蓋。另外，在導電層123上設置共用層114，在共用層114上設置共用電極115。導電層123和共用電極115藉由共用層114電連接。注意，在連接部140中也可以不形成共用層114。此時，導電層123與共用電極115直接接觸並電連接。

顯示裝置100A是頂發射型顯示裝置。發光元件將光發射到基板120一側。基板120較佳為使用可見光穿透性高的材料。另一方面，對用於基板102的材料的透光性沒有限制。像素電極（導電層112及導電層126）包含反射可見光的材料，相對電極（共用電極115）包含使可見光透過的材料。

電晶體201及電晶體205都設置在基板102上。這些電晶體可以使用同一材料及同一製程形成。

在基板102上依次設置有絕緣層211、絕緣層213、絕緣層215及絕緣層101。絕緣層211的一部分被用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層213的一部分被用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層215以覆蓋電晶體的方式設置。絕緣層101以覆蓋電晶體的方式設置，並被用作平坦化層。此外，對閘極絕緣層的個數及覆蓋電晶體的絕緣層的個數沒有特別的限制，既可以為一個，又可以為兩個以上。

較佳的是，將水及氫等雜質不容易擴散的材料用於覆蓋電晶體的絕緣層中的至少一個。由此，可以將絕緣層用作障壁層。藉由採用這種結構，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而可以提高顯示裝置的可靠性。

作為絕緣層211、絕緣層213及絕緣層215較佳為使用無機絕緣膜。作為無機絕緣膜，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜或氮化鋁膜等。此外，也可以使用氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜或氧化釹膜等。此外，也可以層疊使用上述絕緣膜中的兩個以上。

電晶體201及電晶體205包括：用作閘極的導電層221；用作閘極絕緣層的絕緣層211；用作源極及汲極的導電層222a及導電層222b；半導體層231；用作閘極絕緣層的絕緣層213；以及用作閘極的導電層223。在此，經過對同一導電膜進行加工而得到的多個層附有相同的陰影線。絕緣層211位於導電層221與半導體層231之間。絕緣層213位於導電層223與半導體層231之間。

對本實施方式的顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以使用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。或者，也可以在形成通道的半導體層上下設置有閘極。

作為電晶體201及電晶體205，採用兩個閘極夾持形成通道的半導體層的結構。此外，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號，來驅動電晶體。或者，也可以藉由對兩個閘極中的一個施加用來控制臨界電壓的電位，並對另一個施加用來進行驅動的電位，來控制電晶體的臨界電壓。

對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或具有結晶性的半導體（微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體）。當使用具有結晶性的半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。

電晶體的半導體層較佳為包含金屬氧化物（也稱為氧化物半導體）。就是說，本實施方式的顯示裝置較佳為使用在通道形成區域中包含金屬氧化物的電晶體（以下，OS電晶體）。

作為具有結晶性的氧化物半導體，可以舉出CAAC（c-axis-aligned crystalline）-OS、nc（nanocrystalline）-OS等。

或者，也可以使用將矽用於通道形成區域的電晶體（以下，也稱為Si電晶體）。作為矽可以舉出單晶矽、多晶矽、非晶矽等。尤其是，可以使用半導體層中含有低溫多晶矽（LTPS：Low Temperature Poly Silicon）的電晶體（以下，也稱為LTPS電晶體）。LTPS電晶體具有高場效移動率以及良好的頻率特性。

作為電晶體201及電晶體205等，藉由使用LTPS電晶體等Si電晶體，可以在同一基板上形成需要以高頻率驅動的電路（例如，源極驅動器電路）和顯示部。因此，可以使安裝到顯示裝置的外部電路簡化，可以縮減構件成本及安裝成本。

與使用非晶矽的電晶體相比，OS電晶體的場效移動率非常高。另外，OS電晶體的關閉狀態下的源極-汲極間的洩漏電流（以下，也稱為關態電流（off-state current））極小，可以長期間保持與該電晶體串聯連接的電容器中儲存的電荷。另外，藉由使用OS電晶體，可以降低顯示裝置的功耗。

在提高像素電路所包括的發光元件的發光亮度時，需要增大流過發光元件的電流量。為此，需要提高像素電路所包括的驅動電晶體的源極-汲極間電壓。因為OS電晶體的源極-汲極間的耐壓比Si電晶體高，所以可以對OS電晶體的源極-汲極間施加高電壓。由此，藉由作為像素電路所包括的驅動電晶體使用OS電晶體，可以增大流過發光元件的電流量而提高發光元件的發光亮度。

當電晶體在飽和區域中工作時，與Si電晶體相比，OS電晶體可以使對於閘極-源極間電壓的變化的源極-汲極間電流的變化細小。因此，藉由作為像素電路所包括的驅動電晶體使用OS電晶體，可以根據閘極-源極間電壓的變化詳細決定流過源極-汲極間的電流，即流過發光元件的電流量。由此，可以增大可以由像素電路控制的灰階數。

關於電晶體在飽和區域中工作時流過的電流的飽和特性，與Si電晶體相比，OS電晶體即使逐漸地提高源極-汲極間電壓也可以使穩定的電流（飽和電流）流過。因此，藉由將OS電晶體用作驅動電晶體，即使例如EL元件的電流-電壓特性發生不均勻，也可以使穩定的電流流過發光元件。也就是說，OS電晶體當在飽和區域中工作時即使提高源極-汲極間電壓，源極-汲極間電流也幾乎不變，因此可以使發光元件的發光亮度穩定。

如上所述，藉由作為像素電路所包括的驅動電晶體使用OS電晶體，可以實現“黑色模糊的抑制”、“發光亮度的上升”、“多灰階化”、“發光元件的特性不均勻的抑制”等。

例如，半導體層較佳為包含銦、M（M為選自鎵、鋁、矽、硼、釔、錫、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂中的一種或多種）和鋅。尤其是，M較佳為選自鋁、鎵、釔和錫中的一種或多種。

尤其是，作為半導體層，較佳為使用包含銦（In）、鎵（Ga）及鋅（Zn）的氧化物（也記作IGZO）。或者，較佳為使用包含銦、錫及鋅的氧化物。或者，較佳為使用包含銦、鎵、錫及鋅的氧化物。或者，較佳為使用包含銦（In）、鋁（Al）及鋅（Zn）的氧化物（也記作IAZO）。或者，較佳為使用包含銦（In）、鋁（Al）、鎵（Ga）及鋅（Zn）的氧化物（也稱為IAGZO）。

在半導體層使用In-M-Zn氧化物時，該In-M-Zn氧化物中的In的原子數比較佳為M的原子數比以上。作為上述In-M-Zn氧化物的金屬元素的原子數比，可以舉出：In:M:Zn=1:1:1或其附近的組成、In:M:Zn=1:1:1.2或其附近的組成、In:M:Zn=1:3:2或其附近的組成、In:M:Zn=1:3:4或其附近的組成、In:M:Zn=2:1:3或其附近的組成、In:M:Zn=3:1:2或其附近的組成、In:M:Zn=4:2:3或其附近的組成、In:M:Zn=4:2:4.1或其附近的組成、In:M:Zn=5:1:3或其附近的組成、In:M:Zn=5:1:6或其附近的組成、In:M:Zn=5:1:7或其附近的組成、In:M:Zn=5:1:8或其附近的組成、In:M:Zn=6:1:6或其附近的組成、In:M:Zn=5:2:5或其附近的組成等。注意，附近的組成包括所希望的原子數比的±30%的範圍。

例如，當記載為原子數比為In:Ga:Zn=4:2:3或其附近的組成時包括如下情況：In的原子數比為4時，Ga的原子數比為1以上且3以下，Zn的原子數比為2以上且4以下。此外，當記載為原子數比為In:Ga:Zn=5:1:6或其附近的組成時包括如下情況：In的原子數比為5時，Ga的原子數比大於0.1且為2以下，Zn的原子數比為5以上且7以下。此外，當記載為原子數比為In:Ga:Zn=1:1:1或其附近的組成時包括如下情況：In的原子數比為1時，Ga的原子數比大於0.1且為2以下，Zn的原子數比大於0.1且為2以下。

電路164所包括的電晶體和顯示部162所包括的電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有不同的結構。電路164所包括的多個電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有兩種以上的結構。與此同樣，顯示部162所包括的多個電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有兩種以上的結構。

顯示部162所包括的所有電晶體都可以為OS電晶體，顯示部162所包括的所有電晶體都可以為Si電晶體，顯示部162所包括的部分電晶體也可以為OS電晶體且剩下的電晶體也可以為Si電晶體。

例如，藉由在顯示部162中使用LTPS電晶體和OS電晶體的兩者，可以實現具有低功耗及高驅動能力的顯示裝置。另外，有時將組合LTPS電晶體和OS電晶體的結構稱為LTPO。例如，可以舉出如下結構：將OS電晶體用於被用作控制佈線間的導通/非導通的開關的電晶體等且將LTPS電晶體用於控制電流的電晶體等。

例如，顯示部162所包括的電晶體的一個被用作用來控制流過發光元件130的電流的電晶體且也可以被稱為驅動電晶體。驅動電晶體的源極和汲極中的一個與發光元件130的像素電極電連接。作為該驅動電晶體較佳為使用LTPS電晶體。因此，可以增大在像素電路中流過發光元件130的電流。

另一方面，顯示部162所包括的電晶體的其他之一被用作用來控制像素的選擇和非選擇的開關功能，也可以被稱為選擇電晶體。選擇電晶體的閘極與閘極線電連接，源極和汲極中的一個與信號線電連接。選擇電晶體較佳為使用OS電晶體。因此，即便使圖框頻率顯著小（例如，1fps以下）也可以維持像素的灰階，由此藉由在顯示靜態影像時停止驅動器，可以降低功耗。

如此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以兼具高開口率、高清晰度、高顯示品質及低功耗。

本發明的一個實施方式的顯示裝置具有包括OS電晶體和具有MML結構的發光元件的結構。藉由採用該結構，可以使可流過電晶體的洩漏電流以及可在相鄰的發光元件間流過的洩漏電流（也稱為橫洩漏電流、側洩漏電流等）極小。另外，藉由採用上述結構，在影像顯示在顯示裝置上時觀看者可以觀測到影像的鮮銳度、影像的銳度、高色飽和度和高對比中的任一個或多個。此外，藉由採用可流過電晶體的洩漏電流及發光元件間的橫洩漏電流極小的結構，可以進行在顯示黑色時可發生的光洩露（所謂的黑色模糊）等極少的顯示。

圖18B及圖18C示出電晶體的其他結構例子。

電晶體209及電晶體210包括：用作閘極的導電層221；用作閘極絕緣層的絕緣層211；包含通道形成區域231i及一對低電阻區域231n的半導體層231；與一對低電阻區域231n中的一個連接的導電層222a；與一對低電阻區域231n中的另一個連接的導電層222b；用作閘極絕緣層的絕緣層225；用作閘極的導電層223；以及覆蓋導電層223的絕緣層215。絕緣層211位於導電層221與通道形成區域231i之間。絕緣層225至少位於導電層223與通道形成區域231i之間。再者，還可以設置有覆蓋電晶體的絕緣層218。

在圖18B所示的例子中，在電晶體209中絕緣層225覆蓋半導體層231的頂面及側面。導電層222a及導電層222b藉由設置在絕緣層225及絕緣層215中的開口與低電阻區域231n連接。導電層222a和導電層222b中的一個被用作源極，另一個被用作汲極。

另一方面，在圖18C所示的電晶體210中，絕緣層225與半導體層231的通道形成區域231i重疊而不與低電阻區域231n重疊。例如，藉由以導電層223為遮罩加工絕緣層225，可以形成圖18C所示的結構。在圖18C所示的電晶體210中，絕緣層215覆蓋絕緣層225及導電層223，並且導電層222a及導電層222b分別藉由絕緣層215的開口與低電阻區域231n連接。

基板102的與基板120不重疊的區域中設置有連接部204。在連接部204中，佈線165藉由導電層166及連接層242與FPC172電連接。導電層166示出具有如下疊層結構的例子：加工與導電層112a、導電層112b、導電層112c相同的導電膜而得的導電層以及加工與導電層126a、導電層126b、導電層126c相同的導電膜而得的導電層的疊層。此外，可以在基板120的外側配置各種光學構件。

作為連接層242，可以使用異方性導電膜（ACF：Anisotropic Conductive Film）、異方性導電膏（ACP：Anisotropic Conductive Paste）等。

[顯示裝置100B] 圖19所示的顯示裝置100B的與顯示裝置100A主要不同之處在於顯示裝置100B為底部發射型顯示裝置。

發光元件所發射的光射出到基板102一側。基板102較佳為使用對可見光具有高穿透性的材料。另一方面，對用於基板120的材料的透光性沒有限制。

較佳為在基板102與電晶體201之間及基板102與電晶體205之間形成遮光層117。圖19示出基板102上設置有遮光層117，基板102及遮光層117上設置有絕緣層153，絕緣層153上設置有電晶體201、電晶體205等的例子。

作為導電層112a、導電層112b、導電層126a、導電層126b各自使用對可見光具有高穿透性的材料。作為共用電極115較佳為使用反射可見光的材料。

在圖18A及圖19中，示出層128的頂面具有平坦部的例子，但是對層128的形狀沒有特別的限制。層128的頂面可以具有例如從XZ面或YZ面看時中央及其附近凹陷的形狀，即可以具有凹曲面。或者，層128的頂面可以具有例如從XZ面或YZ面看時中央及其附近膨脹的形狀，即可以具有凸曲面。另外，層128的頂面也可以具有凸曲面和凹曲面的兩者。另外，對層128的頂面的凸曲面及凹曲面個數都沒有限制，可以為一個或多個。

層128的頂面的高度與導電層112的頂面的高度既可以一致或大致一致，又可以互不相同。例如，層128的頂面的高度可以低於或高於導電層112的頂面的高度。

本實施方式可以與其他實施方式或實施例適當地組合。

實施方式4 在本實施方式中，參照圖式對能夠用於本發明的一個實施方式的顯示裝置的發光元件進行說明。

如圖20A所示，發光元件在一對電極（下部電極761及上部電極762）間包括EL層763。EL層763可以由層780、發光層771及層790等多個層構成。

發光層771至少包含發光物質。

在下部電極761及上部電極762分別為陽極及陰極的情況下，層780包括含有電洞注入性高的物質的層（電洞注入層）、含有電洞傳輸性高的物質的層（電洞傳輸層）和含有電子阻擋性高的物質的層（電子障壁層）中的一個或多個。另外，層790包括含有電子注入性高的物質的層（電子注入層）、含有電子傳輸性高的物質的層（電子傳輸層）和含有電洞阻擋性高的物質的層（電洞障壁層）中的一個或多個。在下部電極761及上部電極762分別為陰極及陽極的情況下，層780和層790的結構與上述反轉。

包括設置在一對電極間的層780、發光層771及層790的結構可以被用作單一的發光單元，在本說明書中將圖20A的結構稱為單結構。

另外，圖20B示出圖20A所示的發光元件所包括的EL層763的變形例子。明確而言，圖20B所示的發光元件包括下部電極761上的層781、層781上的層782、層782上的發光層771、發光層771上的層791、層791上的層792及層792上的上部電極762。

在下部電極761及上部電極762分別為陽極及陰極的情況下，例如，層781、層782、層791及層792可以分別為電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層。另外，在下部電極761及上部電極762分別為陰極及陽極的情況下，層781、層782、層791及層792可以分別為電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層及電洞注入層。藉由採用上述層結構，可以將載子高效地注入到發光層771，由此可以提高發光層771內的載子的再結合的效率。

此外，如圖20C及圖20D所示，層780與層790之間設置有多個發光層（發光層771、發光層772、發光層773）的結構也是單結構的變形例子。注意，雖然圖20C及圖20D示出包括三層發光層的例子，但具有單結構的發光元件中的發光層可以為兩層，也可以為四層以上。另外，具有單結構的發光元件也可以在兩個發光層之間包括緩衝層。

另外，如圖20E及圖20F所示，在本說明書等中多個發光單元（發光單元763a及發光單元763b）隔著電荷產生層785（也稱為中間層）串聯連接的結構被稱為串聯結構。另外，也可以將串聯結構稱為疊層結構。藉由採用串聯結構，可以實現能夠以高亮度發光的發光元件。此外，串聯結構由於與單結構相比可以降低為了得到相同的亮度的電流，所以可以提高可靠性。

圖20D及圖20F示出顯示裝置包括重疊於發光元件的層764的例子。圖20D示出層764重疊於圖20C所示的發光元件的例子，圖20F示出層764重疊於圖20E所示的發光元件的例子。在圖20D及圖20F中，上部電極762使用透過可見光的導電膜以將光提取到上部電極762一側。

作為層764可以使用顏色轉換層和濾色片（彩色層）中的一者或兩者。

在圖20C及圖20D中，也可以將發射相同顏色的光的發光物質，甚至為相同發光物質用於發光層771、發光層772及發光層773。例如，也可以將發射藍色光的發光物質用於發光層771、發光層772及發光層773。關於呈現藍色光的子像素，可以提取發光元件所發射的藍色光。另外，關於呈現紅色光的子像素及呈現綠色光的子像素，藉由作為圖20D所示的層764設置顏色轉換層，可以使發光元件所發射的藍色光轉換為更長波長的光而提取為紅色光或綠色光。另外，作為層764較佳為使用顏色轉換層和彩色層的兩者。發光元件所發射的光的一部分有時不經顏色轉換層的轉換而透過。當經由彩色層提取透過顏色轉換層的光時，可以由彩色層吸收所希望的顏色光之外的光而提高子像素所呈現的光的色純度。

另外，在圖20C及圖20D中，也可以將發射彼此不同顏色的光的發光物質用於發光層771、發光層772及發光層773。在發光層771、發光層772及發光層773各自所發射的光處於補色關係時，可以得到白色發光。例如，具有單結構的發光元件較佳為包括含有發射藍色光的發光物質的發光層以及含有發射比藍色波長長的可見光的發光物質的發光層。

作為圖20D所示的層764，也可以設置濾色片。藉由白色光透過濾色片，可以得到所希望的顏色的光。

例如，在具有單結構的發光元件包括三層發光層的情況下，較佳為包括含有發射紅色（R）光的發光物質的發光層、含有發射綠色（G）光的發光物質的發光層以及發射藍色（B）光的發光物質的發光層。作為發光層的疊層順序，可以採用從陽極一側依次層疊R、G、B的順序或從陽極一側依次層疊R、B、G的順序等。此時，也可以在R與G或B之間設置緩衝層。

另外，例如在具有單結構的發光元件包括兩層發光層的情況下，較佳為採用包括含有發射藍色（B）光的發光物質的發光層以及含有發射黃色（Y）光的發光物質的發光層的結構。有時將該結構稱為BY單結構。

發射白色光的發光元件較佳為包括兩個以上的發光層。例如，在使用兩個發光層得到白色發光的情況下，以兩個發光層的各發光顏色處於補色關係的方式選擇發光層即可。例如，藉由使第一發光層的發光顏色與第二發光層的發光顏色處於補色關係，可以得到在發光元件整體上以白色發光的結構。此外，在使用三個以上的發光層得到白色發光的情況下，三個以上的發光層的各發光顏色組合而得到在發光元件整體上以白色發光的結構即可。

注意，圖20C和圖20D中的層780及層790也可以分別獨立地採用圖20B所示的由兩層以上的層而成的疊層結構。

在圖20E及圖20F中，也可以將發射相同顏色的光的發光物質，甚至為相同發光物質用於發光層771及發光層772。例如，在呈現各顏色的光的子像素所包括的發光元件中，也可以將發射藍色光的發光物質用於發光層771及發光層772。關於呈現藍色光的子像素，可以提取發光元件所發射的藍色光。另外，關於呈現紅色光的子像素及呈現綠色光的子像素，藉由作為圖20F所示的層764設置顏色轉換層，可以使發光元件所發射的藍色光轉換為更長波長的光而提取為紅色光或綠色光。另外，作為層764較佳為使用顏色轉換層和彩色層的兩者。

另外，在將圖20E或圖20F所示的結構的發光元件用於呈現各顏色的子像素時，也可以根據子像素使用不同發光物質。明確而言，在呈現紅色光的子像素所包括的發光元件中，也可以將發射紅色光的發光物質用於發光層771及發光層772。同樣地，在呈現綠色光的子像素所包括的發光元件中，也可以將發射綠色光的發光物質用於發光層771及發光層772。在呈現藍色光的子像素所包括的發光元件中，也可以將發射藍色光的發光物質用於發光層771及發光層772。可以說，具有這種結構的顯示裝置使用具有串聯結構的發光元件並具有SBS結構。由此，具有串聯結構及SBS結構的兩者的優點。由此，可以實現高亮度發光而實現可靠性高的發光元件。

另外，在圖20E及圖20F中，也可以將發射彼此不同顏色的光的發光物質用於發光層771及發光層772。在發光層771所發射的光和發光層772所發射的光處於補色關係時，可以得到白色發光。作為圖20F所示的層764也可以設置濾色片。藉由白色光透過濾色片，可以得到所希望的顏色的光。

注意，雖然圖20E及圖20F示出發光單元763a包括一層發光層771且發光單元763b包括一層發光層772的例子，但不侷限於此。發光單元763a及發光單元763b各自也可以包括兩層以上的發光層。

另外，雖然圖20E及圖20F例示出包括兩個發光單元的發光元件，但不侷限於此。發光元件也可以包括三個以上的發光單元。注意，也可以將包括兩個發光單元的結構及包括三個發光單元的結構分別稱為兩級串聯結構及三級串聯結構。

另外，在圖20E及圖20F中，發光單元763a包括層780a、發光層771及層790a，發光單元763b包括層780b、發光層772及層790b。

在下部電極761及上部電極762分別為陽極及陰極的情況下，層780a及層780b各自包括電洞注入層、電洞傳輸層和電子障壁層中的一個或多個。另外，層790a及層790b各自包括電子注入層、電子傳輸層和電洞障壁層中的一個或多個。在下部電極761及上部電極762分別為陰極及陽極的情況下，層780a和層790a的結構與上述反轉，層780b和層790b的結構也與上述反轉。

在下部電極761及上部電極762分別為陽極及陰極的情況下，例如，層780a包括電洞注入層及電洞注入層上的電洞傳輸層，而且還可以包括電洞傳輸層上的電子障壁層。另外，層790a包括電子傳輸層，而且還可以包括發光層771與電子傳輸層之間的電洞障壁層。另外，層780b包括電洞傳輸層，而且還可以包括電洞傳輸層上的電子障壁層。另外，層790b包括電子傳輸層及電子傳輸層上的電子注入層，而且還可以包括發光層772與電子傳輸層之間的電洞障壁層。在下部電極761及上部電極762分別為陰極及陽極的情況下，例如，層780a包括電子注入層及電子注入層上的電子傳輸層，而且還可以包括電子傳輸層上的電洞障壁層。另外，層790a包括電洞傳輸層，而且還可以包括發光層771與電洞傳輸層之間的電子障壁層。另外，層780b包括電子傳輸層，而且還可以包括電子傳輸層上的電洞障壁層。另外，層790b包括電洞傳輸層及電洞傳輸層上的電洞注入層，而且還可以包括發光層772與電洞傳輸層之間的電子障壁層。

另外，當製造具有串聯結構的發光元件時，兩個發光單元隔著電荷產生層785層疊。電荷產生層785至少具有電荷產生區域。電荷產生層785具有在對一對電極間施加電壓時向兩個發光單元中的一方注入電子且向另一方注入電洞的功能。

另外，作為串聯結構的發光元件的一個例子，可以舉出圖21A至圖21C所示的結構。

圖21A示出包括三個發光單元的結構。在圖21A中，多個發光單元（發光單元763a、發光單元763b及發光單元763c）隔著電荷產生層785彼此串聯連接。另外，發光單元763a包括層780a、發光層771及層790a，發光單元763b包括層780b、發光層772及層790b，發光單元763c包括層780c、發光層773及層790c。注意，層780c可以採用可用於層780a及層780b的結構，層790c可以採用可用於層790a及層790b的結構。

在圖21A中，發光層771、發光層772及發光層773較佳為包含發射相同顏色的光的發光物質。明確而言，可以採用如下結構：發光層771、發光層772及發光層773都包含紅色（R）發光物質的結構（所謂R＼R＼R三級串聯結構）；發光層771、發光層772及發光層773都包含綠色（G）發光物質的結構（所謂G＼G＼G三級串聯結構）；或者發光層771、發光層772及發光層773都包含藍色（B）發光物質的結構（所謂B＼B＼B三級串聯結構）。注意，“a＼b”表示包含發射a的光的發光物質的發光單元上隔著電荷產生層設置有包含發射b的光的發光物質的發光單元，a、b表示顏色。

另外，在圖21A中，也可以將發射不同顏色的光的發光物質用於發光層771、發光層772和發光層773中的一部分或全部。作為發光層771、發光層772和發光層773的發光顏色的組合，例如可以舉出其中任兩個為藍色（B）且剩下一個為黃色（Y）的結構以及其中任一個為紅色（R），另一個為綠色（G）且剩下一個為藍色（B）的結構。

注意，發光單元的結構不侷限於圖21A所示的結構。例如，如圖21B所示，也可以採用層疊包括多個發光層的發光單元的串聯型發光元件。在圖21B中，兩個發光單元（發光單元763a及發光單元763b）隔著電荷產生層785串聯連接。另外，發光單元763a包括層780a、發光層771a、發光層771b、發光層771c以及層790a，發光單元763b包括層780b、發光層772a、發光層772b、發光層772c以及層790b。

在圖21B中，關於發光層771a、發光層771b及發光層771c，選擇各自處於補色關係的發光物質，來使發光單元763a具有能夠實現白色發光（W）的結構。另外，關於發光層772a、發光層772b及發光層772c，也選擇各自處於補色關係的發光物質，來使發光單元763b具有能夠實現白色發光（W）的結構。也就是說，圖21B所示的結構是W＼W兩級串聯結構。注意，對處於補色關係的發光物質的疊層順序沒有特別的限制。實施者可以適當地選擇最合適的疊層順序。雖然未圖示，但也可以採用W＼W＼W三級串聯結構或四級以上的串聯結構。

另外，在使用具有串聯結構的發光元件的情況下，可以舉出：包括發射黃色（Y）光的發光單元及發射藍色（B）光的發光單元的B＼Y或Y＼B兩級串聯結構；包括發射紅色（R）光及綠色（G）光的發光單元及發射藍色（B）光的發光單元的R·G＼B或B＼R·G兩級串聯結構；依次包括發射藍色（B）光的發光單元、發射黃色（Y）光的發光單元及發射藍色（B）光的發光單元的B＼Y＼B三級串聯結構；依次包括發射藍色（B）光的發光單元、發射黃綠色（YG）光的發光單元及發射藍色（B）光的發光單元的B＼YG＼B三級串聯結構；以及依次包括發射藍色（B）光的發光單元、發射綠色（G）光的發光單元及發射藍色（B）光的發光單元的B＼G＼B三級串聯結構等。注意，“a·b”表示一個發光單元包含發射a的光的發光物質及發射b的光的發光物質。

另外，如圖21C所示，也可以組合包括一個發光層的發光單元和包括多個發光層的發光單元。

明確而言，在圖21C所示的結構中，多個發光單元（發光單元763a、發光單元763b及發光單元763c）隔著電荷產生層785彼此串聯連接。另外，發光單元763a包括層780a、發光層771及層790a，發光單元763b包括層780b、發光層772a、發光層772b、發光層772c及層790b，發光單元763c包括層780c、發光層773及層790c。

例如，在圖21C所示的結構中可以採用B＼R·G·YG＼B三級串聯結構，其中發光單元763a為發射藍色（B）光的發光單元，發光單元763b為發射紅色（R）光、綠色（G）光及黃綠色（YG）光的發光單元，並且發光單元763c為發射藍色（B）光的發光單元。

例如，作為發光單元的疊層數及顏色順序，可以舉出從陽極一側層疊B和Y的兩級結構、層疊B和發光單元X的兩級結構、層疊B、Y和B的三級結構、層疊B、X和B的三級結構。作為發光單元X中的發光層的疊層數及顏色順序，可以採用從陽極一側層疊R和Y的兩層結構、層疊R和G的兩層結構、層疊G和R的兩層結構、層疊G、R和G的三層結構或層疊R、G和R的三層結構等。另外，也可以在兩個發光層之間設置其他層。

接著，說明可用於發光元件的材料。

作為下部電極761和上部電極762中的提取光一側的電極使用透過可見光的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。另外，在顯示裝置包括發射紅外光的發光元件時，較佳為作為提取光一側的電極使用透過可見光及紅外光的導電膜且作為不提取光一側的電極使用反射可見光及紅外光的導電膜。

另外，不提取光一側的電極也可以使用透過可見光的導電膜。在此情況下，較佳為在反射層與EL層763間配置該電極。換言之，EL層763的發光也可以被該反射層反射而從顯示裝置提取。

作為形成發光元件的一對電極的材料，可以適當地使用金屬、合金、導電化合物及它們的混合物等。作為該材料，具體地可以舉出鋁、鎂、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鎵、鋅、銦、錫、鉬、鉭、鎢、鈀、金、鉑、銀、釔及釹等金屬以及適當地組合它們的合金。另外，作為該材料，可以舉出銦錫氧化物、含有矽的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、含有鎢的銦鋅氧化物等。另外，作為該材料，可以舉出含諸如鋁、鎳和鑭的合金（Al-Ni-La）等含鋁合金、銀和鎂的合金及銀、鈀和銅的合金（APC）等。另外，作為該材料，可以舉出以上沒有列舉的屬於元素週期表中第1族或第2族的元素（例如，鋰、銫、鈣、鍶）、銪、鐿等稀土金屬、適當地組合它們的合金以及石墨烯等。

發光元件較佳為採用微腔結構。因此，發光元件所包括的一對電極中的一個較佳為對可見光具有穿透性及反射性的電極（透反射電極），另一個較佳為對可見光具有反射性的電極（反射電極）。當發光元件具有微腔結構時，可以在兩個電極之間使從發光層得到的發光諧振，並且可以增強從發光元件發射的光。

另外，半透過-半反射電極可以具有可被用作反射電極的導電層和可被用作對可見光具有穿透性的電極（也稱為透明電極）的導電層的疊層結構。

透明電極的光穿透率為40%以上。例如，較佳為將可見光（波長為400nm以上且小於750nm的光）穿透率為40%以上的電極用作發光元件的透明電極。半透過-半反射電極的可見光反射率為10%以上且95%以下，較佳為30%以上且80%以下。反射電極的可見光反射率為40%以上且100%以下，較佳為70%以上且100%以下。另外，這些電極的電阻率較佳為1×10 ^-2Ωcm以下。

發光元件至少包括發光層。另外，作為發光層以外的層，發光元件還可以包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子阻擋材料、電子注入性高的物質或雙極性的物質（電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質）等的層。例如，發光元件除了發光層以外還可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電洞障壁層、電荷產生層、電子障壁層、電子傳輸層和電子注入層中的一層以上。

發光元件可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成發光元件的層可以藉由蒸鍍法（包括真空蒸鍍法）、轉印法、印刷法、噴墨法或塗佈法等方法形成。

發光層包含一種或多種發光物質。作為發光物質，適當地使用呈現藍色、紫色、藍紫色、綠色、黃綠色、黃色、橙色或紅色等發光顏色的物質。此外，作為發光物質，也可以使用發射近紅外光的物質。

作為發光物質，可以舉出螢光材料、磷光材料、TADF材料及量子點材料等。

作為螢光材料，例如可以舉出芘衍生物、蒽衍生物、聯伸三苯衍生物、茀衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹㗁啉衍生物、喹㗁啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物及萘衍生物等。

作為磷光材料，例如可以舉出具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架、咪唑骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架或吡啶骨架的有機金屬錯合物（尤其是銥錯合物）、以具有拉電子基團的苯基吡啶衍生物為配體的有機金屬錯合物（尤其是銥錯合物）、鉑錯合物、稀土金屬錯合物等。

發光層除了發光物質（客體材料）以外還可以包含一種或多種有機化合物（主體材料、輔助材料等）。作為一種或多種有機化合物，可以使用電洞傳輸性高的物質（電洞傳輸材料）和電子傳輸性高的物質（電子傳輸材料）中的一者或兩者。作為電洞傳輸材料，可以使用下述可用於電洞傳輸層的電洞傳輸性高的材料。作為電子傳輸材料，可以使用下述可用於電子傳輸層的電子傳輸性高的材料。此外，作為一種或多種有機化合物，也可以使用雙極性材料或TADF材料。

例如，發光層較佳為包含磷光材料、容易形成激態錯合物的電洞傳輸材料及電子傳輸材料的組合。藉由採用這樣的結構，可以高效地得到利用從激態錯合物到發光物質（磷光材料）的能量轉移的ExTET（Exciplex-Triplet Energy Transfer：激態錯合物-三重態能量轉移）的發光。藉由選擇形成發射與發光物質的最低能量一側的吸收帶的波長重疊的光的激態錯合物的組合，可以使能量轉移變得順利，從而高效地得到發光。藉由採用上述結構，可以同時實現發光元件的高效率、低電壓驅動以及長壽命。

電洞注入層是將電洞從陽極注入到電洞傳輸層的包含電洞注入性高的材料的層。作為電洞注入性高的材料，可以舉出芳香胺化合物以及包含電洞傳輸材料及受體材料（電子受體材料）的複合材料等。

作為電洞傳輸材料，可以使用下述可用於電洞傳輸層的電洞傳輸性高的材料。

作為受體材料，例如可以使用屬於元素週期表中的第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，可以舉出氧化鉬、氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鎢、氧化錳及氧化錸。特別較佳為使用氧化鉬，因為其在大氣中也穩定，吸濕性低，並且容易處理。另外，也可以使用含有氟的有機受體材料。此外，也可以使用醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物及六氮雜聯伸三苯衍生物等有機受體材料。

例如，作為電洞注入性高的材料也可以使用包含電洞傳輸材料及上述屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物（典型的是氧化鉬）的材料。

電洞傳輸層是將從陽極藉由電洞注入層注入的電洞傳輸到發光層的層。電洞傳輸層是包含電洞傳輸材料的層。作為電洞傳輸材料，較佳為採用電洞移動率為1×10 ^-6cm ²/Vs以上的物質。注意，只要電洞傳輸性比電子傳輸性高，就可以使用上述以外的物質。作為電洞傳輸材料，較佳為使用富π電子型雜芳族化合物（例如咔唑衍生物、噻吩衍生物或呋喃衍生物等）或者芳香胺（包含芳香胺骨架的化合物）等電洞傳輸性高的材料。

電子障壁層以接觸於發光層的方式設置。電子障壁層是具有電洞傳輸性並包含能夠阻擋電子的材料的層。可以將上述電洞傳輸材料中的具有電子阻擋性的材料用於電子障壁層。

電子障壁層具有電洞傳輸性，所以也可以被稱為電洞傳輸層。另外，電洞傳輸層中的具有電子阻擋性的層也可以被稱為電子障壁層。

電子傳輸層是將從陰極藉由電子注入層注入的電子傳輸到發光層的層。電子傳輸層是包含電子傳輸材料的層。作為電子傳輸材料，較佳為採用電子移動率為1×10 ^-6cm ²/Vs以上的物質。注意，只要電子傳輸性比電洞傳輸性高，就可以使用上述以外的物質。作為電子傳輸材料，可以使用具有喹啉骨架的金屬錯合物、具有苯并喹啉骨架的金屬錯合物、具有㗁唑骨架的金屬錯合物或具有噻唑骨架的金屬錯合物等，還可以使用㗁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、㗁唑衍生物、噻唑衍生物、啡啉衍生物、具有喹啉配體的喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、喹㗁啉衍生物、二苯并喹㗁啉衍生物、吡啶衍生物、聯吡啶衍生物、嘧啶衍生物或含氮雜芳族化合物等缺π電子型雜芳族化合物等電子傳輸性高的材料。

電洞障壁層以接觸於發光層的方式設置。電洞障壁層是具有電子傳輸性並包含能夠阻擋電洞的材料的層。可以將上述電子傳輸材料中的具有電洞阻擋性的材料用於電洞障壁層。

電洞障壁層具有電子傳輸性，所以也可以被稱為電子傳輸層。另外，電子傳輸層中的具有電洞阻擋性的層也可以被稱為電洞障壁層。

電子注入層是將電子從陰極注入到電子傳輸層的包含電子注入性高的材料的層。作為電子注入性高的材料，可以使用鹼金屬、鹼土金屬或者它們的化合物。作為電子注入性高的材料，也可以使用包含電子傳輸材料及施體材料（電子施體材料）的複合材料。

另外，較佳的是，電子注入性高的材料的LUMO能階與用於陰極的材料的功函數值之差小（具體的是0.5eV以下）。

電子注入層例如可以使用鋰、銫、鐿、氟化鋰（LiF）、氟化銫（CsF）、氟化鈣（CaF _x，x為任意數）、8-（羥基喔啉）鋰（簡稱：Liq）、2-（2-吡啶基）苯酚鋰（簡稱：LiPP）、2-（2-吡啶基）-3-羥基吡啶（pyridinolato）鋰（簡稱：LiPPy）、4-苯基-2-（2-吡啶基）苯酚鋰（簡稱：LiPPP）、鋰氧化物（LiO _x）或碳酸銫等鹼金屬、鹼土金屬或它們的化合物。另外，電子注入層也可以具有兩層以上的疊層結構。作為該疊層結構，例如可以舉出作為第一層使用氟化鋰且作為第二層設置鐿的結構。

電子注入層也可以包含電子傳輸材料。例如，可以將具有非共用電子對並具有缺電子雜芳環的化合物用於電子傳輸材料。明確而言，可以使用具有吡啶環、二嗪環（嘧啶環、吡嗪環、嗒𠯤環）以及三嗪環中的至少一個的化合物。

具有非共用電子對的有機化合物的最低空分子軌域（LUMO：Lowest Unoccupied Molecular Orbital）能階較佳為-3.6eV以上且-2.3eV以下。一般來說，可以使用CV（循環伏安法）、光電子能譜法、吸收光譜法或逆光電子能譜法等估計有機化合物的最高佔據分子軌域（HOMO：Highest Occupied Molecular Orbital）能階及LUMO能階。

例如，可以將4，7-二苯基-1，10-啡啉（簡稱：BPhen）、2，9-二（萘-2-基）-4，7-二苯基-1，10-啡啉（簡稱：NBPhen）、二喹㗁啉并[2，3-a:2’，3’-c]吩嗪（簡稱：HATNA）或2，4，6-三[3’-（吡啶-3-基）聯苯-3-基]-1，3，5-三嗪（簡稱：TmPPPyTz）等用於具有非共用電子對的有機化合物。此外，與BPhen相比，NBPhen具有高玻璃轉移點，從而具有高耐熱性。

如上所述，電荷產生層至少具有電荷產生區域。電荷產生區域較佳為包括受體材料，例如較佳為包括可應用於上述電洞注入層的電洞傳輸材料及受體材料。

另外，電荷產生層較佳為包括含有電子注入性高的材料的層。該層也可以被稱為電子注入緩衝層。電子注入緩衝層較佳為設置在電荷產生區域與電子傳輸層間。藉由設置電子注入緩衝層，可以降低電荷產生區域與電子傳輸層間的注入能障，所以將產生在電荷產生區域中的電子容易注入到電子傳輸層中。

電子注入緩衝層較佳為包含鹼金屬或鹼土金屬，例如可以包含鹼金屬的化合物或鹼土金屬的化合物。明確而言，電子注入緩衝層較佳為包含含有鹼金屬和氧的無機化合物或者含有鹼土金屬和氧的無機化合物，更佳為包含含有鋰和氧的無機化合物（例如，氧化鋰（Li ₂O））。除此之外，作為電子注入緩衝層可以適當地使用可應用於上述電子注入層的材料。

電荷產生層較佳為包括含有電子傳輸性高的材料的層。該層也可以被稱為電子中繼層。電子中繼層較佳為設置在電荷產生區域與電子注入緩衝層間。在電荷產生層不包括電子注入緩衝層時，電子中繼層較佳為設置在電荷產生區域與電子傳輸層間。電子中繼層具有抑制電荷產生區域與電子注入緩衝層（或電子傳輸層）的相互作用並順利地傳遞電子的功能。

作為電子中繼層，較佳為使用酞青銅（II）（簡稱：CuPc）等酞青類材料或者具有金屬-氧鍵合和芳香配體的金屬錯合物。

注意，有時例如根據剖面形狀或特性不能明確地區別上述電荷產生區域、電子注入緩衝層及電子中繼層。

另外，電荷產生層也可以包括施體材料代替受體材料。例如，作為電荷產生層也可以包括含有可應用於上述電子注入層的電子傳輸材料和施體材料的層。

在層疊發光單元時，藉由在兩個發光單元間設置電荷產生層，可以抑制驅動電壓的上升。

本實施方式可以與其他實施方式或實施例適當地組合。

實施方式5 在本實施方式中，使用圖式對本發明的一個實施方式的電子裝置進行說明。

本實施方式的電子裝置在顯示部中包括本發明的一個實施方式的顯示裝置。本發明的一個實施方式的顯示裝置具有高顯示品質，並且容易實現高解析度化。因此，可以用於各種電子裝置的顯示部。

作為電子裝置，例如除了電視機、桌上型或膝上型個人電腦、用於電腦等的顯示器、數位看板、彈珠機等大型遊戲機等具有較大的螢幕的電子裝置以外，還可以舉出數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置等。

本發明的一個實施方式的顯示裝置較佳為具有極高的解析度諸如HD（像素數為1280×720）、FHD（像素數為1920×1080）、WQHD（像素數為2560×1440）、WQXGA（像素數為2560×1600）、4K（像素數為3840×2160）、8K（像素數為7680×4320）等。尤其是，較佳為設定為4K、8K或其以上的解析度。此外，對本發明的一個實施方式的顯示裝置的螢幕比例（縱橫比）沒有特別的限制。例如，顯示裝置可以適應1:1（正方形）、4:3、16:9、16:10等各種螢幕比例。

本實施方式的電子裝置也可以包括感測器（該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線）。

本實施方式的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊（靜態影像、動態影像、文字影像等）顯示在顯示部上的功能；觸控面板的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；執行各種軟體（程式）的功能；進行無線通訊的功能；讀出儲存在存儲介質中的程式或資料的功能；等。

圖22A所示的電子裝置6500是可以被用作智慧手機的可攜式資訊終端設備。

電子裝置6500包括外殼6501、顯示部6502、電源按鈕6503、按鈕6504、揚聲器6505、麥克風6506、照相機6507及光源6508等。顯示部6502具有觸控面板功能。

可以將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部6502。由此，可以在顯示部6502上顯示顯示品質高的影像。

圖22B是包括外殼6501的麥克風6506一側的端部的剖面示意圖。

外殼6501的顯示面一側設置有具有透光性的保護構件6510，被外殼6501及保護構件6510包圍的空間內設置有顯示面板6511、光學構件6512、觸控感測器面板6513、印刷電路板6517、電池6518等。

顯示面板6511、光學構件6512及觸控感測器面板6513使用黏合層（未圖示）固定到保護構件6510。

在顯示部6502的外側的區域中，顯示面板6511的一部分疊回，且該疊回部分連接有FPC6515。FPC6515安裝有IC6516。FPC6515與設置於印刷電路板6517的端子連接。

顯示面板6511可以使用本發明的一個實施方式的撓性顯示器。由此，可以實現極輕量的電子裝置。此外，由於顯示面板6511極薄，所以可以在抑制電子裝置的厚度的情況下安裝大容量的電池6518。此外，藉由折疊顯示面板6511的一部分以在像素部的背面設置與FPC6515的連接部，可以實現窄邊框的電子裝置。

圖22C示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101中組裝有顯示部7000。在此示出利用支架7103支撐外殼7101的結構。

可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關以及另外提供的遙控器7111進行圖22C所示的電視機7100的操作。另外，也可以在顯示部7000中具備觸控感測器，也可以藉由用指頭等觸摸顯示部7000進行電視機7100的操作。另外，也可以在遙控器7111中具備顯示從該遙控器7111輸出的資訊的顯示部。藉由利用遙控器7111所具備的操作鍵或觸控面板，可以進行頻道及音量的操作，並可以對顯示在顯示部7000上的影像進行操作。

另外，電視機7100具備接收機及數據機等。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通訊網路，從而進行單向（從發送者到接收者）或雙向（發送者和接收者之間或接收者之間等）的資訊通訊。

圖22D示出膝上型個人電腦的一個例子。膝上型個人電腦7200包括外殼7211、鍵盤7212、指向裝置7213、外部連接埠7214等。在外殼7211中組裝有顯示部7000。

圖22E和圖22F示出數位看板的一個例子。

圖22E所示的數位看板7300包括外殼7301、顯示部7000及揚聲器7303等。此外，還可以包括LED燈、操作鍵（包括電源開關或操作開關）、連接端子、各種感測器、麥克風等。

圖22F示出設置於圓柱狀柱子7401上的數位看板7400。數位看板7400包括沿著柱子7401的曲面設置的顯示部7000。

在圖22C至圖22F中，可以將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部7000。由此，可以在顯示部7000上顯示顯示品質高的影像。

顯示部7000越大，一次能夠提供的資訊量越多。顯示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高廣告宣傳效果。

藉由將觸控面板用於顯示部7000，不僅可以在顯示部7000上顯示靜態影像或動態影像，使用者還能夠直覺性地進行操作，所以是較佳的。另外，在用於提供路線資訊或交通資訊等資訊的用途時，可以藉由直覺性的操作提高易用性。

如圖22E和圖22F所示，數位看板7300或數位看板7400較佳為可以藉由無線通訊與使用者所攜帶的智慧手機等資訊終端設備7311或資訊終端設備7411聯動。例如，顯示在顯示部7000上的廣告資訊可以顯示在資訊終端設備7311或資訊終端設備7411的螢幕上。此外，藉由操作資訊終端設備7311或資訊終端設備7411，可以切換顯示部7000的顯示。

此外，可以在數位看板7300或數位看板7400上以資訊終端設備7311或資訊終端設備7411的螢幕為操作單元（控制器）執行遊戲。由此，不特定多個使用者可以同時參加遊戲，享受遊戲的樂趣。

圖23A至圖23G所示的電子裝置包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005（包括電源開關或操作開關）、連接端子9006、感測器9007（該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線）、麥克風9008等。

在圖23A至圖23G中，可以將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部9001。由此，可以在顯示部9001上顯示顯示品質高的影像。

圖23A至圖23G所示的電子裝置具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊（靜態影像、動態影像及文字影像等）顯示在顯示部上的功能；觸控面板的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；藉由利用各種軟體（程式）控制處理的功能；進行無線通訊的功能；讀出儲存在存儲介質中的程式或資料並進行處理的功能；等。注意，電子裝置的功能不侷限於上述功能，而可以具有各種功能。電子裝置可以包括多個顯示部。另外，也可以在電子裝置中設置照相機等。在此情況下，電子裝置可以具有如下功能：拍攝靜態影像或動態影像，且將所拍攝的影像儲存在存儲介質中的功能；以及將所拍攝的影像顯示在顯示部上的功能；等。注意，存儲介質既可以設置在電子裝置的外部，又可以例如內置於照相機。

下面，詳細地說明圖23A至圖23G所示的電子裝置。

圖23A是示出可攜式資訊終端9101的立體圖。可以將可攜式資訊終端9101例如用作智慧手機。注意，在可攜式資訊終端9101中，也可以設置揚聲器9003、連接端子9006、感測器9007等。另外，作為可攜式資訊終端9101，可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。在圖23A中示出三個圖示9050的例子。另外，可以將以虛線的矩形示出的資訊9051顯示在顯示部9001的其他面上。作為資訊9051的一個例子，可以舉出提示收到電子郵件、SNS或電話等的資訊；電子郵件或SNS等的標題；電子郵件或SNS等的發送者姓名；日期；時間；電池餘量；以及電波強度等。或者，可以在顯示有資訊9051的位置上顯示圖示9050等。

圖23B是示出可攜式資訊終端9102的立體圖。可攜式資訊終端9102具有將資訊顯示在顯示部9001的三個以上的面上的功能。在此，示出資訊9052、資訊9053、資訊9054分別顯示於不同的面上的例子。例如，在將可攜式資訊終端9102放在上衣口袋裡的狀態下，使用者能夠確認顯示在從可攜式資訊終端9102的上方看到的位置上的資訊9053。例如，使用者可以確認到該顯示而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端9102，由此能夠判斷是否接電話。

圖23C是示出平板終端9103的立體圖。平板終端9103例如可以執行行動電話、電子郵件及文章的閱讀和編輯、播放音樂、網路通訊、電腦遊戲等各種應用軟體。平板終端9103在外殼9000的正面包括顯示部9001、照相機9002、麥克風9008及揚聲器9003，在外殼9000的左側面包括被用作用於操作的按鈕的操作鍵9005，在底面包括連接端子9006。

圖23D是示出手錶型可攜式資訊終端9200的立體圖。可以將可攜式資訊終端9200例如用作智慧手錶（註冊商標）。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。此外，可攜式資訊終端9200例如藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通訊可以進行免提通話。此外，藉由利用連接端子9006，可攜式資訊終端9200可以與其他資訊終端進行資料傳輸或進行充電。充電也可以藉由無線供電進行。

圖23E至圖23G是示出可以折疊的可攜式資訊終端9201的立體圖。另外，圖23E是將可攜式資訊終端9201展開的狀態的立體圖、圖23G是折疊的狀態的立體圖、圖23F是從圖23E的狀態和圖23G的狀態中的一個轉換成另一個時中途的狀態的立體圖。可攜式資訊終端9201在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的瀏覽性強。可攜式資訊終端9201所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。顯示部9001例如可以在曲率半徑0.1mm以上且150mm以下的範圍彎曲。

本實施方式可以與其他實施方式或實施例適當地組合。 實施例

在本實施例中，說明製造包括實施方式1所示的發光元件的樣本的結果。

圖24是示出本實施例中製造的樣本的結構的剖面圖。圖24示出發光元件130b、發光元件130c及其周邊區域。注意，雖然在圖24中未圖示，但是還製造發光元件130a。

圖24所示的結構是從圖4A的結構中省略共用層114、保護層131及保護層135的結構。另外，作為像素電極111採用圖5B所示的結構，發光元件130具有微腔結構。在此，像素電極111c包括像素電極111c1、像素電極111c1上的像素電極111c2、以及像素電極111c1及像素電極111c2上的像素電極111c3。就是說，像素電極111c2被像素電極111c1及像素電極111c3覆蓋。因為發光元件130具有微腔結構，所以圖24所示的發光元件130b發射綠色較強的光，發光元件130c發射藍色較強的光。

作為絕緣層101使用丙烯酸樹脂。絕緣層103具有使用氮化矽的層與該層上的使用氧氮化矽的層的疊層結構。作為像素電極111b1及像素電極111c1等使用ITSO。作為像素電極111b2及像素電極111c2等使用APC。作為像素電極111b3及像素電極111c3等使用ITSO。

EL層113包括第一發光單元、第一發光單元上的電荷產生層以及電荷產生層上的第二發光單元。第一發光單元包括電洞注入層、電洞注入層上的電洞傳輸層、電洞傳輸層上的發射藍色光的發光層以及發射藍色光的發光層上的電子傳輸層。第二發光單元包括電洞傳輸層、電洞傳輸層上的發射綠色光的發光層、發射綠色光的發光層上的發射紅色光的發光層、發射紅色光的發光層上的電子傳輸層以及電子傳輸層上的電子注入層。

共用電極115具有使用銀和鎂的合金的層與該層上的使用IGZO的層的疊層結構。作為絕緣層141使用氧化鋁。作為絕緣層143使用正型光阻劑。

在製造樣本時，首先，利用旋塗法在基板（未圖示）上形成使用丙烯酸樹脂的絕緣層101。接著，利用CVD法在絕緣層101上沉積層疊氮化矽膜和氧氮化矽膜而成的成為絕緣層103的膜。在此，氮化矽膜的目標厚度為10nm，氧氮化矽膜的目標厚度為200nm。

接著，利用濺射法在成為絕緣層103的膜上以厚度為40nm的方式沉積使用ITSO的成為像素電極111b1及像素電極111c1等的膜。接著，利用濺射法在成為像素電極111b1及像素電極111c1等的膜上以厚度為100nm的方式沉積使用APC的成為像素電極111b2及像素電極111c2等的膜。

接著，在成為像素電極111b2及像素電極111c2等的膜上形成光阻遮罩。接著，根據光阻遮罩利用濕蝕刻法加工成為像素電極111b2及像素電極111c2等的膜，由此形成像素電極111b2及像素電極111c2等。接著，去除光阻遮罩。

接著，進行包括利用濺射法的ITSO膜的沉積、光阻遮罩的形成、利用濕蝕刻法的加工以及光阻遮罩的去除的製程三次，由此形成像素電極111a1、像素電極111b1、像素電極111c1、像素電極111a3、像素電極111b3及像素電極111c3。注意，在圖24中未圖示像素電極111a1及像素電極111a3。在此，以像素電極111a3、像素電極111b3和像素電極111c3厚度分別為108nm、50nm和11nm的方式設定ITSO膜的目標厚度。由此形成像素電極111。

接著，在像素電極111a、像素電極111b、像素電極111c、以及成為絕緣層103b及絕緣層103c等的膜上形成光阻遮罩。接著，根據光阻遮罩利用乾蝕刻法加工成為絕緣層103b及絕緣層103c等的膜，由此形成絕緣層103。接著，藉由利用氧電漿的灰化加工絕緣層101，由此形成凹部108。接著，利用濕蝕刻法去除光阻遮罩。

接著，利用真空蒸鍍法以厚度為180.9nm的方式形成EL層113。明確而言，以第一發光單元的厚度為75.2nm，電荷產生層的厚度為14.7nm且第二發光單元的厚度為91.0nm的方式形成EL層113。在形成EL層113時不使用高精細金屬遮罩。

接著，利用ALD法在EL層113及絕緣層101上以厚度為30nm的方式沉積使用氧化鋁的成為絕緣層141的膜。接著，利用旋塗法在成為絕緣層141的膜上沉積使用正型光阻劑的成為絕緣層143的膜。接著，對成為絕緣層143的膜進行曝光及顯影來形成絕緣層143。接著，將絕緣層143用作遮罩進行濕蝕刻來形成絕緣層141。接著，利用濺射法在EL層113、絕緣層141及絕緣層143上沉積共用電極115，該共用電極具有使用銀和鎂的合金的層與該層上的使用IGZO的層的疊層結構。在此，使用銀和鎂的合金的層的目標厚度為15nm，使用IGZO的層的目標厚度為70nm。由此，製造包括發光元件130的樣本。

圖25A及圖25B是本實施例中製造的樣本的STEM影像。圖25B是圖25A所示的發光元件130c及其周邊的區域的放大影像。

如圖25A及圖25B所示，確認到：絕緣層101中形成有凹部108，絕緣層103b及絕緣層103c具有與凹部108重疊的突出部。另外，確認到：當至少在XZ面的剖面中絕緣層103的突出部的寬度W與EL層113的厚度T之比（W/T）為1.20以上且在XZ面的剖面中凹部108的深度D與EL層113的厚度T之比（D/T）為4.10以上時，EL層113在發光元件130b和發光元件130c間被分離。另外，確認到：當在XZ面的剖面中絕緣層103的突出部的寬度W為700nm以上且在XZ面的剖面中凹部108的深度D為200nm以上時，EL層113在發光元件130b和發光元件130c間被分離。

本實施例可以與其他實施方式或實施例適當地組合。

100A:顯示裝置 100B:顯示裝置 100:顯示裝置 101:絕緣層 102:基板 103a:絕緣層 103b:絕緣層 103c:絕緣層 103f:絕緣膜 103:絕緣層 105:絕緣層 107:區域 108:凹部 109:像素 110a:子像素 110b:子像素 110c:子像素 110d:子像素 110e:子像素 110:子像素 111a:像素電極 111b:像素電極 111c:像素電極 111f:導電膜 111:像素電極 112a:導電層 112b:導電層 112c:導電層 112:導電層 113:EL層 114:共用層 115:共用電極 117:遮光層 119:有機層 120:基板 122:黏合層 123:導電層 124a:像素 124b:像素 126a:導電層 126b:導電層 126c:導電層 126:導電層 128:層 130a:發光元件 130b:發光元件 130c:發光元件 130:發光元件 131:保護層 132a:彩色層 132b:彩色層 132c:彩色層 132:彩色層 133:透鏡陣列 134:絕緣層 135:保護層 140:連接部 141f:絕緣膜 141:絕緣層 143f:絕緣膜 143:絕緣層 145:端部 147:端部 153:絕緣層 162:顯示部 164:電路 165:佈線 166:導電層 172:FPC 173:IC 191:光阻遮罩 193:遮罩 195:光 201:電晶體 204:連接部 205:電晶體 209:電晶體 210:電晶體 211:絕緣層 213:絕緣層 215:絕緣層 218:絕緣層 221:導電層 222a:導電層 222b:導電層 223:導電層 225:絕緣層 231i:通道形成區域 231n:低電阻區域 231:半導體層 242:連接層 761:下部電極 762:上部電極 763a:發光單元 763b:發光單元 763c:發光單元 763:EL層 764:層 771a:發光層 771b:發光層 771c:發光層 771:發光層 772a:發光層 772b:發光層 772c:發光層 772:發光層 773:發光層 780a:層 780b:層 780c:層 780:層 781:層 782:層 785:電荷產生層 790a:層 790b:層 790c:層 790:層 791:層 792:層 6500:電子裝置 6501:外殼 6502:顯示部 6503:電源按鈕 6504:按鈕 6505:揚聲器 6506:麥克風 6507:照相機 6508:光源 6510:保護構件 6511:顯示面板 6512:光學構件 6513:觸控感測器面板 6515:FPC 6516:IC 6517:印刷電路板 6518:電池 7000:顯示部 7100:電視機 7101:外殼 7103:支架 7111:遙控器 7200:膝上型個人電腦 7211:外殼 7212:鍵盤 7213:指向裝置 7214:外部連接埠 7300:數位看板 7301:外殼 7303:揚聲器 7311:資訊終端設備 7400:數位看板 7401:柱子 7411:資訊終端設備 9000:外殼 9001:顯示部 9002:照相機 9003:揚聲器 9005:操作鍵 9006:連接端子 9007:感測器 9008:麥克風 9050:圖示 9051:資訊 9052:資訊 9053:資訊 9054:資訊 9055:鉸鏈 9101:可攜式資訊終端 9102:可攜式資訊終端 9103:平板終端 9200:可攜式資訊終端 9201:可攜式資訊終端

[圖1A]是示出顯示裝置的一個例子的平面圖。[圖1B]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖2A]及[圖2B]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖3A]及[圖3B]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖4A]及[圖4B]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖5A]及[圖5B]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖6A]及[圖6B]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖7A]及[圖7B]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖8A]及[圖8B]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖9A]及[圖9B]是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖。 [圖10A1]、[圖10A2]及[圖10B]是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖。 [圖11A]及[圖11B]是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖。 [圖12A]至[圖12C]是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖。 [圖13A1]、[圖13A2]及[圖13B]是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖。 [圖14A1]、[圖14A2]及[圖14B]是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖。 [圖15A]至[圖15G]是示出像素的一個例子的圖。 [圖16A]至[圖16K]是示出像素的一個例子的圖。 [圖17]是示出顯示裝置的一個例子的立體圖。 [圖18A]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。[圖18B]及[圖18C]是示出電晶體的一個例子的剖面圖。 [圖19]是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖。 [圖20A]至[圖20F]是示出發光元件的結構例子的圖。 [圖21A]至[圖21C]是示出發光元件的結構例子的圖。 [圖22A]至[圖22F]是示出電子裝置的一個例子的圖。 [圖23A]至[圖23G]是示出電子裝置的一個例子的圖。 [圖24]是示出本實施例中製造的樣本的結構的剖面圖。 [圖25A]及[圖25B]是本實施例中製造的樣本剖面的STEM影像。

101:絕緣層

103a:絕緣層

103b:絕緣層

107:區域

108:凹部

111a:像素電極

111b:像素電極

113:EL層

114:共用層

115:共用電極

119:有機層

130a:發光元件

130b:發光元件

131:保護層

135:保護層

141:絕緣層

143:絕緣層

145:端部

147:端部

Claims (19)

1. 一種顯示裝置，包括： 第一有機絕緣層； 該第一有機絕緣層上的第一無機絕緣層； 第二無機絕緣層； 第一發光元件； 第二發光元件；以及 第二有機絕緣層， 其中，該第一發光元件包括該第一無機絕緣層上的第一像素電極、該第一像素電極上的第一EL層以及該第一EL層上的共用電極， 該第二發光元件包括該第二無機絕緣層上的第二像素電極、該第二像素電極上的第二EL層以及該第二EL層上的該共用電極， 該第二有機絕緣層設置在該第一EL層和該第二EL層之間， 該共用電極設置在該第二有機絕緣層上， 該第一有機絕緣層在與該第二有機絕緣層重疊的區域中具有凹部， 該第一無機絕緣層具有與該凹部重疊的第一突出部， 並且，該第二無機絕緣層具有與該凹部重疊的第二突出部。
2. 如請求項1之顯示裝置， 其中該第一突出部的寬度與該第一EL層的厚度之比是0.3以上， 並且該第二突出部的寬度與該第二EL層的厚度之比是0.3以上。
3. 如請求項1或2之顯示裝置， 其中該第一EL層包含與該第二EL層相同的材料， 並且該第一EL層與該第二EL層分離。
4. 如請求項1至3中任一項之顯示裝置，還包括： 有機層， 其中該有機層設置在該凹部中， 並且該第二有機絕緣層設置在該有機層上。
5. 如請求項4之顯示裝置， 其中該有機層與該第一EL層及該第二EL層分離。
6. 如請求項1至5中任一項之顯示裝置， 其中該第一EL層覆蓋該第一像素電極的側面的至少一部分， 並且該第二EL層覆蓋該第二像素電極的側面的至少一部分。
7. 如請求項1至6中任一項之顯示裝置，還包括： 第三無機絕緣層， 其中該第三無機絕緣層設置在該第一有機絕緣層、該第一EL層及該第二EL層與該第二有機絕緣層之間。
8. 如請求項1至7中任一項之顯示裝置，還包括： 共用層， 其中該共用層設置在該第一EL層、該第二EL層及該第二有機絕緣層與該共用電極之間。
9. 如請求項1至8中任一項之顯示裝置，還包括： 第一彩色層；以及 第二彩色層， 其中該第一彩色層具有與該第一發光元件重疊的區域， 該第二彩色層具有與該第二發光元件重疊的區域， 並且透過該第一彩色層的光的顏色與透過該第二彩色層的光的顏色不同。
10. 一種顯示裝置的製造方法，包括如下步驟： 依次形成第一有機絕緣層、無機絕緣膜以及導電膜； 藉由去除該導電膜的一部分來形成第一像素電極以及第二像素電極； 藉由去除該無機絕緣膜的一部分來形成該第一像素電極下的第一無機絕緣層以及該第二像素電極下的第二無機絕緣層； 藉由在該第一有機絕緣層的在俯視時位於該第一無機絕緣層和該第二無機絕緣層之間的區域中形成凹部，在該第一無機絕緣層中形成與該凹部重疊的第一突出部，在該第二無機絕緣層中形成與該凹部重疊的第二突出部； 在該第一像素電極上形成第一EL層，在該第二像素電極上形成第二EL層； 以具有與該凹部重疊的區域的方式在該第一EL層與該第二EL層之間形成第二有機絕緣層；以及 在該第一EL層、該第二EL層以及該第二有機絕緣層上形成共用電極。
11. 如請求項10之顯示裝置的製造方法， 其中該第一突出部的寬度與該第一EL層的厚度之比是0.3以上， 並且該第二突出部的寬度與該第二EL層的厚度之比是0.3以上。
12. 如請求項10或11之顯示裝置的製造方法， 其中該第二EL層與該第一EL層分離， 並且該第二EL層包含與該第一EL層相同的材料。
13. 如請求項10至12中任一項之顯示裝置的製造方法， 其中在形成該第一EL層及該第二EL層時，在該凹部形成有機層， 並且該第二有機絕緣層形成在該有機層上。
14. 如請求項13之顯示裝置的製造方法， 其中該有機層與該第一EL層及該第二EL層分離。
15. 如請求項10至14中任一項之顯示裝置的製造方法， 其中該凹部藉由灰化形成。
16. 如請求項10至15中任一項之顯示裝置的製造方法， 其中該第二有機絕緣層利用光微影法形成。
17. 如請求項10至16中任一項之顯示裝置的製造方法， 其中該第一EL層以覆蓋該第一像素電極的側面的至少一部分的方式形成， 並且該第二EL層以覆蓋該第二像素電極的側面的至少一部分的方式形成。
18. 如請求項10至17中任一項之顯示裝置的製造方法，還包括如下步驟： 在形成該第二有機絕緣層之後，在該第一EL層、該第二EL層及該第二有機絕緣層上形成共用層；以及 在該共用層上形成該共用電極。
19. 如請求項10至18中任一項之顯示裝置的製造方法，還包括如下步驟： 在形成該共用電極的之後，形成具有與該第一像素電極及該第一EL層重疊的區域的第一彩色層、以及具有與該第二像素電極及該第二EL層重疊的區域並透過的光的顏色與該第一彩色層不同的第二彩色層。

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