TW202321486A - 濺鍍裝置及膜形成方法 - Google Patents

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Abstract

濺鍍裝置，具備：處理室；基板保持器，其於前述處理室之中的處理空間，在基板保持面保持基板；第1靶保持器，其將前述第1靶保持為第1靶的第1表面面向前述處理空間；以及第2靶保持器，其將前述第2靶保持為第2靶的第2表面面向前述處理空間；前述第1靶保持器將前述第1靶保持為，相對於包含前述基板保持面的假想平面之是前述第1表面的法線向量的第1法線向量的正投影向量，朝向從前述基板遠離之方向，前述第2靶保持器將前述第2靶保持為，相對於前述假想平面之是前述第2表面的法線向量的第2法線向量的正投影向量，朝向從前述基板遠離之方向。

Description

濺鍍裝置及膜形成方法
本發明有關濺鍍裝置及膜形成方法。
存在一種濺鍍裝置，該濺鍍裝置在腔室之中配置複數個靶，並選擇性使用該複數個靶而形成複數個膜。在如此的濺鍍裝置，可能發生靶間的相互汙染(交叉污染)。相互汙染為以下現象：從以第1材料構成的第1靶放出的第1材料附著於以第2材料構成的第2靶，或從第2靶放出的第2材料附著於第1靶。發生相互汙染時，可能發生如下問題：形成第1材料與第2材料被混合的膜，無法獲得期望的膜。
於專利文獻1，揭露一處理室，該處理室具備：複數個靶；以及具有使複數個靶之中被濺鍍的靶曝露的孔及收容複數個靶之中未被濺鍍的靶的袋部的屏蔽。在此處理室，透過將屏蔽驅動為使選擇的靶通過孔而曝露，且其以外的靶被收容於袋部，從而可使用選擇的靶而形成膜。依如此的構成時，可防止相互汙染。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2019-502030號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，如記載於專利文獻1的處理室般，驅動屏蔽等的可動部分從而選擇應使用的靶的構成，使濺鍍裝置的構成複雜化。此外，可動部分的可動，可能成為予以產生顆粒之原因。
本發明目的在於提供簡單的構成且在為了減低相互汙染方面有利的技術。 [用於解決課題之手段]
本發明的第1方案，有關濺鍍裝置，前述濺鍍裝置具備：處理室；基板保持器，其於前述處理室之中的處理空間，在基板保持面保持基板；第1靶保持器，其將前述第1靶保持為第1靶的第1表面面向前述處理空間；以及第2靶保持器，其將前述第2靶保持為第2靶的第2表面面向前述處理空間；前述第1靶保持器將前述第1靶保持為，相對於包含前述基板保持面的假想平面之是前述第1表面的法線向量的第1法線向量的正投影向量，朝向從前述基板遠離之方向，前述第2靶保持器將前述第2靶保持為，相對於前述假想平面之是前述第2表面的法線向量的第2法線向量的正投影向量，朝向從前述基板遠離之方向。
本發明的第2側面，有關膜形成方法。前述膜形成方法於一濺鍍裝置將膜形成於基板，前述濺鍍裝置具備：處理室；基板保持器，其於前述處理室之中的處理空間，在基板保持面保持前述基板；第1靶保持器，其將前述第1靶保持為，第1靶的第1表面面向前述處理空間；以及第2靶保持器，其將前述第2靶保持為，第2靶的第2表面面向前述處理空間。前述膜形成方法包含：透過前述第1靶保持器將前述第1靶保持為，相對於包含前述基板保持面的假想平面之是前述第1表面的法線向量的第1法線向量的正投影向量，朝向從應配置前述基板的位置遠離之方向的程序；透過前述第2靶保持器將前述第2靶保持為，相對於前述假想平面之是前述第2表面的法線向量的第2法線向量的正投影向量，朝向從應配置前述基板的前述位置遠離之方向的程序，一面以前述第1靶進行濺鍍一面於前述基板形成第1膜的程序；以及一面以前述第2靶進行濺鍍一面於前述基板之上形成第2膜的程序。 [對照先前技術之功效]
依本發明時，提供簡單的構成且在為了減低相互汙染方面有利的技術。
以下，參照圖式詳細說明實施方式。另外，以下的實施方式非限定申請專利範圍的發明者。於實施方式雖記載複數個特徵，惟不限於此等複數個特徵的全部為發明必須者；此外，複數個特徵亦可任意進行組合。再者，圖式中，對相同或同樣的構成標注相同的參考符號，重複之說明省略。圖式中，方向、複數個構成要素的位置關係及姿勢，在XYZ座標系中表示。
於圖1，示意性示出一實施方式的濺鍍裝置SA的構成。濺鍍裝置SA可具備將內部空間從外部空間隔離的處理室110。該內部空間可包含處理空間120與排氣空間121。處理空間120與排氣空間121，相互連通。濺鍍裝置SA可在處理室110的處理空間120具備保持基板S的基板保持器113。基板保持器113可被構成為，具有保持基板S的基板保持面HS，並以基板保持面HS保持基板S。基板保持面HS可包含延伸為具有比基板S的背面(膜被形成的面的相反側的面)的面積寬廣的面積的平面，亦可為包含接觸於基板S的背面的複數個接觸區域(例如，支撐基板S的背面的複數個銷的頂端)的假想的平面。
濺鍍裝置SA可具備複數個濺鍍模組。該複數個濺鍍模組的個數，可為例如2、3、4、5、6、7、8、9或10。該複數個濺鍍模組可包含第1濺鍍模組131與第2濺鍍模組132。第1濺鍍模組131可包含將第1靶T1保持為第1靶T1的第1表面S1面向處理空間120的第1靶保持器H1。第1濺鍍模組131亦可包含第1磁鐵M1。第1濺鍍模組131亦可包含使第1磁鐵M1旋轉的第1旋轉機構。第2濺鍍模組132可包含將第2靶T2保持為第2靶T2的第2表面S2面向處理空間120的第2靶保持器21。第2濺鍍模組132亦可包含第2磁鐵M2。第2濺鍍模組132亦可包含使第2磁鐵M2旋轉的第2旋轉機構。
於其他觀點，濺鍍裝置SA可具備複數個靶保持器。該複數個靶保持器的個數，可為例如2、3、4、5、6、7、8、9或10。該複數個靶保持器的各者，可將該靶保持為靶的表面(被濺鍍的面)面向處理空間120。該複數個靶保持器可包含：第1靶保持器H1，其將第1靶T1保持為第1靶T1的第1表面S1面向處理空間120；以及第2靶保持器H2，其將第2靶T2保持為第2靶T2的第2表面S2面向處理空間120。
基板保持器113可具有固定基板S的基板固定部114。基板固定部114可被構成為，對於基板S使固體構件接觸從而將基板S機械地固定，亦可被構成為將基板S透過真空吸引進行固定，亦可被構成為將基板S透過靜電力進行固定，亦可被構成為將基板S透過其他方法進行固定。
濺鍍裝置SA可具備閥112。濺鍍裝置SA可經由閥112連結於其他室，例如載鎖(load lock)室或搬送室。經由閥112，透過未圖示的搬送機構，基板S可被從濺鍍裝置SA的處理室110的外部空間搬送至處理室110的內部空間，或從處理室110的內部空間搬送至外部空間。
濺鍍裝置SA可具備排氣部119。排氣部119可被配置為，連通於排氣空間121。濺鍍裝置SA可具備屏蔽111，屏蔽111可在處理室110的內部空間被配置為，包圍處理空間120的至少一部分。屏蔽111可被配置為，將處理空間120與排氣空間121，至少部分地分隔。屏蔽111具有複數個開口，複數個靶保持器(例如，靶保持器H1、H2)可通過該複數個開口將該複數個靶保持為複數個靶(例如，靶T1、T2)的表面面向處理空間120。
處理室110可具有蓋部，亦可複數個濺鍍模組(例如，濺鍍模組131、132)被配置於該蓋部。基板S可被配置為，膜被形成的表面的法線方向朝上方；此情況下，複數個靶(例如，靶T1、T2)可被配置於比基板S高的位置。基板S可被配置為，膜被形成的表面的法線方向朝下方；此情況下，複數個靶(例如，靶T1、T2)可被配置於比基板S低的位置。基板S亦可被配置為，膜被形成的表面的法線方向朝向水平方向。
複數個靶保持器(例如，靶保持器H1、H2)亦可被構成為，可對保持的靶的表面的姿勢(該表面的法線朝向的方向)進行調整。複數個靶保持器(例如，靶保持器H1、H2)作用為陰極，於複數個靶保持器，可被從電源140個別地施加電壓。
於圖2、圖3，示意性地示出第1靶T1、第2靶T2及基板S的相對地的配置。於圖2，例示是第1靶T1的第1表面S1的法線向量之第1法線向量N1及是第2靶T2的第2表面S2的法線向量之第2法線向量N2。於圖3，例示：相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11；以及相對於假想平面VP1之第2法線向量N2的正投影向量OPN12。於圖3，例示基板S之中心CS、第1靶T1之中心CT1、第2靶T2之中心CT2的位置關係。
如例示於圖2、圖3，第1靶保持器H1可將第1靶T1保持為，相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11朝向從基板S遠離的方向。此外，第2靶保持器H2可將第2靶T2保持為，相對於假想平面VP1之第2法線向量N2的正投影向量OPN12朝向從基板S遠離的方向。如此的構成，在為了一面將濺鍍裝置SA的構成單純化一面減低相互汙染方面有利。此外，如此的構成，有利於顆粒的產生的抑制。
一面參照圖2一面說明時，於一例，第1法線向量N1與正交於假想平面VP1的假想直線VV1之間的角度θ1，優選上比0度大。例如，優選上角度θ1比0度大且10度以下(亦即，符合0＜θ1≦10度)，更優選上比0度大且5度以下(亦即，符合0＜θ1≦5度)。此外，第2法線向量N2與正交於假想平面VP1的假想直線VV2(VV1與VV2為平行，故亦可為VV1)之間的角度θ2，優選上比0度大。例如，角度θ2優選上符合0＜θ1≦10度，更優選上符合0＜θ1≦5度。
此處，注目於複數個靶之中1個靶，例如注目於靶T1的情況下，被配置為朝向相對於假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11從基板S遠離之方向的構成，比其非如此配置的構成，在為了降低透過第1靶T1的濺鍍從第1靶T1放出的動能高的材料粒子到達基板S之機率方面有利。此在為了抑制例如材料粒子到達於基板S具有的基底膜(在透過靶T1的濺鍍而新形成於基板S的膜之下已存在的膜)並混入於基底膜如此之現象(混合)的發生方面具有效果。在如此的觀點下，濺鍍裝置SA亦可應用於具有單一的靶的裝置。再者，在例如欲透過使用以第1材料構成的靶而形成於基板之上的第1膜與使用以第2材料構成的靶而形成於基板之上的第2膜從而形成期望的積層膜時，於其邊界形成混合了第1材料與第2材料之層(混合層)，產生無法獲得期望的積層膜如此之問題。混合的發生的原因方面，可能為交叉污染、動能，惟發生原因亦可能為此等以外，此等說明不限定混合的發生原因。
在示於圖3之例，基板S之中心CS、第1靶T1之中心CT1、第2靶T2之中心CT2雖配置於直線上，惟基板S之中心CS、第1靶T1之中心CT1、第2靶T2之中心CT2中的至少一者，亦可配置為偏離該直線。此外，在示於圖3之例，基板S雖具有矩形，惟基板S亦可具有圓形形狀等的其他形狀。第1靶T1與基板S的距離(例如，CT1與CS的距離)，可為與第2靶T2與基板S的距離(例如，CT2與CS的距離)相同，亦可不同。
在示於圖3之例，相對於假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11與相對於假想平面VP1之第2法線向量N2的正投影向量OPN12在相同直線上朝向彼此相反方向。然而，如分別例示於圖4、圖5，相對於假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11與相對於假想平面VP1之第2法線向量N2的正投影向量OPN12，可不存在於相同直線上。於如此的構成，亦優選上符合0＜θ1、θ2。例如，優選上符合0＜θ1、θ2≦10度，更優選上符合0＜θ1、θ2≦5度。如此的構成，在為了一面將濺鍍裝置SA的構成單純化一面減低相互汙染方面有利。此外，如此的構成，有利於顆粒的產生的抑制。
於其他觀點，如分別例示於圖3、圖4、圖5，第1靶保持器H1及第2靶保持器H2亦被構成為，第1靶T1之中心CT1、第2靶T2之中心CT2及基板S之中心CS被配置於第2假想平面VP2。於圖6，例示相對於第2假想平面VP2之第1法線向量N1的正投影向量OPN21與相對於第2假想平面VP2之第2法線向量N2的正投影向量OPN22。於如此的構成，相對於第2假想平面VP2之第1法線向量N1的正投影向量OPN21與正交於假想平面VP1的假想直線VV1之間的角度θ1’，優選上比0度大。例如，優選上符合0＜θ1’≦10度，更優選上符合0＜θ1’≦5度。此外，相對於第2假想平面VP2之第2法線向量N2的正投影向量OPN22與假想直線VV2(VV1與VV2為平行，故亦可為VV1)之間的角度θ2’，優選上比0度大。例如，優選上符合0＜θ2’≦10度，更優選上符合0＜θ2’≦5度。如此的構成，在為了一面將濺鍍裝置SA的構成單純化一面減低相互汙染方面有利。此外，如此的構成，有利於顆粒的產生的抑制。
於再其他觀點，示於圖3、圖4、圖5的第2假想平面VP2，亦可定義為包含第1靶T1之中心CT1及第2靶T2之中心CT2且垂直於假想平面VP1的平面。此情況下，基板S之中心CS，非定義第2假想平面VP2的要素。於如此的定義，相對於第2假想平面VP2之第1法線向量N1的正投影向量OPN21與正交於假想平面VP1的假想直線VV1之間的角度θ1’，優選上比0度大。例如，優選上符合0＜θ1’≦10度，更優選上符合0＜θ1’≦5度。此外，同樣地，相對於第2假想平面VP2之第2法線向量N2的正投影向量OPN22與假想直線VV2(VV1與VV2為平行，故亦可為VV1)之間的角度θ2’，優選上比0度大。例如，優選上符合0＜θ2’≦10度，更優選上符合0＜θ2’≦5度。
於圖7，示出模擬了在示於圖2的構成中使靶T1、T2的角度θ1、θ2變化的情況下的相互汙染量的變化的結果。橫軸(陰極角[度])表示靶T1、T2的角度θ1、θ2 (度)，縱軸(汙染[a.u.])表示相互汙染量。在示於圖7之例，靶T1方面使用了Mo，靶T2方面使用了Si。可得知在0＜θ1、θ2≦10(度)，相互汙染量充分低。此外，暗示在θ1、θ2越大時相互汙染量越小。另外，雖在變更了靶T1、T2的材料的情況下，濺鍍放射角度相應地改變，惟確認了於0＜θ1、θ2≦10(度)，相互汙染量充分低。
此處，說明相互汙染量的評價方法。首先，實施第1程序，該第1程序為使用第1靶T1進行濺鍍放電，且第2靶2不進行濺鍍放電者。透過此第1程序，於基板S之上，透過是第1靶T1的材料的第1材料而形成第1膜。接著，實施第2程序，該第2程序為不進行第1靶T1的濺鍍放電，並進行第2靶T2的濺鍍放電者。透過此第2程序，於基板S(上的第1膜)之上，透過是第2靶T2的材料的第2材料而形成第2膜。之後，評價基板S上的含於第2膜中的第1材料的量。可將含於第2膜中的第1材料的量評價為相互汙染量。相互汙染為在第1程序中從第1靶T1透過濺鍍而放出的第1材料附著於第2靶T2的表面的現象。並且，附著於第2靶T2的表面的第1材料會在第2程序中從第2靶T2的表面透過濺鍍被放出，混入於基板S上的第2膜。
圖8中，示出在示於圖2的構成中，在使靶T1的角度θ1變化的情況下，針對形成於基板S之上的膜的膜厚均勻性進行了模擬的結果。橫軸(陰極角[度])表示靶T1的角度θ1(度)，縱軸(均勻性[a.u.])表示形成於基板S之上的膜的膜厚均勻性。此處，膜厚均勻性的值小，表示膜厚的變異性小，亦即表示膜厚均勻性為良好。從圖8可得知，於0＜θ≦5(度)，膜厚均勻性為良好。另外，雖在變更了靶T1的材料的情況下，濺鍍放射角度相應地改變，惟確認了於0＜θ1≦5(度)，膜厚均勻性為良好。此外，確認了在使靶T2的角度θ2變化的情況下，仍獲得同樣的結果。
根據以上的模擬結果，0＜θ1、θ2≦5(度)的範圍，有利於相互汙染量的減低；此外，亦有利於良好的膜厚均勻性的實現。另外，濺鍍裝置SA可具備使基板保持器113繞正交於假想平面VP1之軸而旋轉的旋轉機構；此情況下，可改善膜厚均勻性。據此，於θ1、θ2比5度大的範圍亦可實施良好的膜厚均勻性。
於圖9A、圖9B，示出利用靶T1、T2透過濺鍍裝置SA實際形成於基板S之上的積層膜的TEM(透射型電子顯微鏡)影像。圖9A為在θ1=θ2=θ的條件下形成的積層膜的TEM影像，圖9B為在θ1=θ2=θ+2度的條件下形成的積層膜的TEM影像。亦即，用於獲得圖9B的積層膜的θ1、θ2，比用於獲得圖9A的積層膜的θ1、θ2大。
於圖9A、圖9B，F2n-1、F1n、F2n分別為使用第2靶T2而形成的第2膜、使用第1靶T1而形成的第1膜、使用第2靶T2而形成的第2膜。於第2膜F2n-1與第1膜F1n的邊界，存在混合了第1材料與第2材料的混合層P1。於第1膜F1n與第2膜F2n的邊界，亦存在混合了第1材料與第2材料的混合層P2。測定的結果，使圖9A中的混合層P1、P2的厚度分別為t1、t2時，圖9B中的混合層P1、P2的厚度，分別為t1、t2的0.6倍。此表示透過使θ1、θ2增加，從而可減小混合層P1、P2的厚度，亦即可抑制混合。
於圖10，示出濺鍍裝置SA具備保持靶T1、T2、T3的靶保持器H1、H2、H3之第1例。於圖10，如同圖3，例示：相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11；以及相對於假想平面VP1之第2法線向量N2的正投影向量OPN12。此外，於圖10，示出相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第3法線向量的正投影向量OPN13。此處，第3法線向量為第3靶T3的第3表面的法線向量。第3靶保持器H3可將第3靶T3保持為，第3法線向量的正投影向量OPN13朝向從第1靶T1遠離的方向。於其他觀點，第3靶保持器H3可將第3靶T3保持為，第3法線向量的正投影向量OPN13朝向從第1靶T1及基板S遠離的方向。第1靶保持器H1亦可將第1靶T1保持為，第1法線向量N1的正投影向量OPN11朝向從第3靶T3及基板S遠離之方向。示於圖10的構成，在以下的情況下有用：使用第1靶T1而形成於基板S之上的第1膜的厚度t1，比使用第2靶T2而形成於基板S之上的第2膜的厚度t2大，第2膜的厚度t2比使用第3靶T3而形成於基板S之上的第3膜t3的厚度大。
於圖11，示出濺鍍裝置SA具備保持靶T1、T2、T3的靶保持器H1、H2、H3之第2例。於圖11，如同圖3，例示：相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11；以及相對於假想平面VP1之第2法線向量N2的正投影向量OPN12。此外，於圖11，示出相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第3法線向量的正投影向量OPN13。此處，第3法線向量為第3靶T3的第3表面的法線向量。第3靶保持器H3可將第3靶T3保持為，第3法線向量的正投影向量OPN13朝向從第2靶T2遠離的方向。於其他觀點，第3靶保持器H3可將第3靶T3保持為，第3法線向量的正投影向量OPN13朝向從第2靶T2及基板S遠離的方向。第2靶保持器H2亦可將第2靶T2保持為，第2法線向量N2的正投影向量OPN12朝向從第3靶T3及基板S遠離之方向。示於圖11的構成，在以下的情況下有用：使用第2靶T2而形成於基板S之上的第2膜的厚度t2，比使用第1靶T1而形成於基板S之上的第1膜的厚度t1大，第1膜的厚度t1比使用第3靶T3而形成於基板S之上的第3膜t3的厚度大。
於圖12，示出濺鍍裝置SA具備保持靶T1、T2、T3的靶保持器H1、H2、H3之第1例。於圖12，如同圖3，例示：相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11；以及相對於假想平面VP1之第2法線向量N2的正投影向量OPN12。此外，於圖12，示出相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第3法線向量的正投影向量OPN13。此處，第3法線向量為第3靶T3的第3表面的法線向量。第3靶保持器H3可將第3靶T3保持為，第3法線向量的正投影向量OPN13朝向從基板S遠離之方向。於其他觀點，第3靶保持器H3可將第3靶T3保持為，第3法線向量的正投影向量OPN13朝向從基板S、第1靶T1及第2靶T2遠離之方向。第1靶保持器H1亦可將第1靶T1保持為，第1法線向量N1的正投影向量OPN11朝向從第3靶T3及基板S遠離之方向。第2靶保持器H2亦可將第2靶T2保持為，第2法線向量N2的正投影向量OPN12朝向從第3靶T3及基板S遠離之方向。示於圖12的構成，在以下的情況下有用：使用第1靶T1而形成於基板S之上的第1膜的厚度t1及使用第2靶T2而形成於基板S之上的第2膜的厚度t2，比使用第3靶T3而形成於基板S之上的第3膜的厚度t3大，第1膜的厚度t1與第2膜的厚度t2的差，比第1膜的厚度t1與第3膜的厚度3的差或比第2膜的厚度t2與第3膜的厚度t3的差小。
以下，例示地說明使用濺鍍裝置SA在基板之上形成膜的膜形成方法。膜形成方法可包含以下程序：透過第1靶保持器H1將第1靶T1保持為，相對於包含基板保持面HS的假想平面VP1之第1法線向量N1的正投影向量OPN11，朝向從基板S應被配置的位置(或基板保持器113的既定位置，例如中心)遠離的方向。此外，膜形成方法可包含以下程序：透過第2靶保持器H2將前述第2靶保持為，相對於假想平面VP1之第2法線向量N2的正投影向量OPN12，朝向從基板S應被配置的位置(或基板保持器113的既定位置，例如中心)遠離的方向。此外，膜形成方法可包含以下程序：在靶T1、T2分別被透過靶保持器H1、H2保持，基板S被透過基板保持器113保持的狀態下，一面以第1靶T1進行濺鍍一面在基板S形成第1膜；以及一面以第2靶T2進行濺鍍一面在基板S之上形成第2膜。
發明不限於前述實施方式，在不背離發明的精神及範圍下，可進行各種的變更及變形。因此，撰寫申請專利範圍以公開發明的範圍。
110:處理室 120:處理空間 S:基板 HS:基板保持面 113:基板保持器 T1:第1靶 T2:第2靶 H1:第1靶保持器 H2:第2靶保持器 VP1:假想平面 N1:第1法線向量 N2:第2法線向量 OPN11:正投影向量 OPN12:正投影向量
[圖1]針對一實施方式的濺鍍裝置的構成示意地進行繪示的圖。 [圖2]針對第1靶、第2靶及基板的相對的配置示意地進行繪示的圖。 [圖3]針對第1靶、第2靶及基板的相對的配置示意地進行繪示的圖。 [圖4]針對第1靶、第2靶及基板的相對的配置的別例示意地進行繪示的圖。 [圖5]針對第1靶、第2靶及基板的相對的配置的再別的例子示意地進行繪示的圖。 [圖6]針對第1靶、第2靶及基板的相對的配置示意地進行繪示的圖。 [圖7]針對模擬了使第1、第2靶的角度θ1、θ2變化後的情況下的相互汙染量的變化的結果進行繪示的圖。 [圖8]針對模擬了在使第1靶的角度θ1變化後的情況下形成於基板之上的膜的厚度均勻性的結果進行繪示的圖。 [圖9A]針對使用第1、第2靶透過濺鍍裝置在基板之上實際形成的積層膜的TEM影像進行繪示的圖。 [圖9B]針對使用第1、第2靶透過濺鍍裝置在基板之上實際形成的積層膜的TEM影像進行繪示的圖。 [圖10]針對濺鍍裝置為了保持3個靶而具備3個靶保持器之例進行繪示的圖。 [圖11]針對濺鍍裝置為了保持3個靶而具備3個靶保持器之別例進行繪示的圖。 [圖12]針對濺鍍裝置為了保持3個靶而具備3個靶保持器之再別的例子進行繪示的圖。
113:基板保持器
131:第1濺鍍模組
132:第2濺鍍模組
HS:基板保持面
H1:第1靶保持器
H2:第2靶保持器
M1:第1磁鐵
M2:第2磁鐵
N1:第1法線向量
N2:第2法線向量
VP1:假想平面
VV1,VV2:假想直線
S:基板
S1:第1表面
S2:第2表面
θ1,θ2:角度

Claims (14)

  1. 一種濺鍍裝置， 具備： 處理室； 基板保持器，其於前述處理室之中的處理空間，在基板保持面保持基板； 第1靶保持器，其將前述第1靶保持為第1靶的第1表面面向前述處理空間；以及 第2靶保持器，其將前述第2靶保持為第2靶的第2表面面向前述處理空間； 前述第1靶保持器將前述第1靶保持為，相對於包含前述基板保持面的假想平面之是前述第1表面的法線向量的第1法線向量的正投影向量，朝向從前述基板遠離之方向， 前述第2靶保持器將前述第2靶保持為，相對於前述假想平面之是前述第2表面的法線向量的第2法線向量的正投影向量，朝向從前述基板遠離之方向。
  2. 如於請求項1的濺鍍裝置，其中， 前述第1法線向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為10度以下， 前述第2法線向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為10度以下。
  3. 如於請求項1的濺鍍裝置，其中， 前述第1法線向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為5度以下， 前述第2法線向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為5度以下。
  4. 如於請求項1的濺鍍裝置，其中， 前述第1靶保持器及前述第2靶保持器被構成為，前述第1靶之中心、前述第2靶之中心及前述基板之中心配置於第2假想平面。
  5. 如於請求項4的濺鍍裝置，其中， 相對於前述第2假想平面之前述第1法線向量的正投影向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為10度以下， 相對於前述第2假想平面之前述第2法線向量的正投影向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為10度以下。
  6. 如於請求項4的濺鍍裝置，其中， 相對於前述第2假想平面之前述第1法線向量的正投影向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為5度以下， 相對於前述第2假想平面之前述第2法線向量的正投影向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為5度以下。
  7. 如於請求項1的濺鍍裝置，其中， 相對於包含前述第1靶之中心及前述第2靶之中心且垂直於前述假想平面的第2假想平面之前述第1法線向量的正投影向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為10度以下， 相對於前述第2假想平面之前述第2法線向量的正投影向量與前述假想直線之間的角度，比0度大，為10度以下。
  8. 如於請求項1的濺鍍裝置，其中， 相對於包含前述第1靶之中心及前述第2靶之中心且垂直於前述假想平面的第2假想平面之前述第1法線向量的正投影向量與正交於前述假想平面的假想直線之間的角度，比0度大，為5度以下， 相對於前述第2假想平面之前述第2法線向量的正投影向量與前述假想直線之間的角度，比0度大，為5度以下。
  9. 如請求項1至8中任一項的濺鍍裝置，其進一步具備第3靶保持器，前述第3靶保持器將前述第3靶保持為第3靶的第3表面面向前述處理空間， 前述第3靶保持器將前述第3靶保持為，相對於前述假想平面之是前述第3表面的法線向量的第3法線向量的正投影向量，朝向從前述第1靶遠離之方向。
  10. 如於請求項9的濺鍍裝置，其中， 前述第3靶保持器將前述第3靶保持為，相對於前述假想平面之前述第3法線向量的前述正投影向量朝向從前述第1靶及前述基板遠離之方向。
  11. 如於請求項10的濺鍍裝置，其中， 使用前述第1靶而形成於前述基板之上的第1膜的厚度，比使用前述第2靶而形成於前述基板之上的第2膜的厚度大， 前述第2膜的厚度，比使用前述第3靶而形成於前述基板之上的第3膜的厚度大。
  12. 如請求項1至8中任一項的濺鍍裝置，其進一步具備第3靶保持器，前述第3靶保持器將前述第3靶保持為第3靶的第3表面面向前述處理空間， 前述第3靶保持器將前述第3靶保持為，相對於前述假想平面之是前述第3表面的法線向量的第3法線向量的正投影向量，朝向從前述基板遠離之方向。
  13. 如於請求項12的濺鍍裝置，其中， 使用前述第1靶而形成於前述基板之上的第1膜的厚度及使用前述第2靶而形成於前述基板之上的第2膜的厚度，比使用前述第3靶而形成於前述基板之上的第3膜的厚度大， 前述第1膜的厚度與前述第2膜的厚度的差，比前述第1膜的厚度與第3膜的厚度的差，或比前述第2膜的厚度與第3膜的厚度的差小。
  14. 一種膜形成方法，於一濺鍍裝置將膜形成於基板，前述濺鍍裝置具備：處理室；基板保持器，其於前述處理室之中的處理空間，在基板保持面保持前述基板；第1靶保持器，其將前述第1靶保持為，第1靶的第1表面面向前述處理空間；以及第2靶保持器，其將前述第2靶保持為，第2靶的第2表面面向前述處理空間； 前述膜形成方法包含： 透過前述第1靶保持器將前述第1靶保持為，相對於包含前述基板保持面的假想平面之是前述第1表面的法線向量的第1法線向量的正投影向量，朝向從應配置前述基板的位置遠離之方向的程序； 透過前述第2靶保持器將前述第2靶保持為，相對於前述假想平面之是前述第2表面的法線向量的第2法線向量的正投影向量，朝向從應配置前述基板的前述位置遠離之方向的程序， 一面以前述第1靶進行濺鍍一面於前述基板形成第1膜的程序；以及 一面以前述第2靶進行濺鍍一面於前述基板之上形成第2膜的程序。
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