CN220393882U

CN220393882U - 沉积设备

Info

Publication number: CN220393882U
Application number: CN202321555447.6U
Authority: CN
Inventors: 洪宰敏; 金亨旭; 李晟彻
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2022-06-20
Filing date: 2023-06-19
Publication date: 2024-01-26
Anticipated expiration: 2033-06-19
Also published as: KR20230174365A; WO2023249244A1; US20230407452A1; CN117265472A

Abstract

提供了沉积设备。沉积设备包括：掩模，包括沉积开口；掩模框架，支承掩模，并且包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分、以及与沉积开口重叠且由第一部分、第二部分、第三部分和第四部分围绕的开口；台，设置在掩模框架的后表面上；销单元，连接到台；以及磁体单元，设置在台的后表面上并且与掩模框架重叠。掩模框架的第一部分和第二部分在第一方向上延伸，并且掩模框架的第三部分和第四部分在与第一方向相交的第二方向上延伸，以及销单元支承掩模框架的第一部分的侧表面并且在第二方向上是可移动的。

Description

沉积设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年6月20日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0075173号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

实施方式涉及用于制造显示面板的沉积设备和使用该沉积设备的沉积方法。

背景技术

诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统和游戏机的显示装置可以包括用于显示图像的显示面板。显示面板可以包括像素。像素中的每个可以包括诸如晶体管的驱动元件和诸如有机发光二极管的显示元件。可以通过在衬底上沉积电极和发光图案来形成显示元件。

可以通过使用其中形成有沉积开口的掩模在特定区域处形成发光图案。近来，为了改善显示面板的产量，开发了一种通过使用大面积掩模的沉积工艺技术。然而，在掩模未对准在沉积设备中的设计位置处的情况下，形成发光图案的位置的精度会被劣化。

实用新型内容

实施方式提供一种能够改善大面积沉积的沉积精度的沉积设备以及使用该沉积设备的沉积方法。

然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的那些实施方式。通过参考下面给出的本公开的详细描述，以上和其它实施方式对于本公开所属领域的普通技术人员将会更加显而易见。

根据实施方式，沉积设备可以包括：掩模，包括沉积开口；掩模框架，支承掩模，并且包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分、以及由第一部分、第二部分、第三部分和第四部分围绕且与沉积开口重叠的开口；台，设置在掩模框架的后表面上；销单元，连接到台；以及磁体单元，设置在台的后表面上并且与掩模框架重叠。掩模框架的第一部分和第二部分中的每个可以在第一方向上延伸，并且掩模框架的第三部分和第四部分中的每个可以在与第一方向相交的第二方向上延伸，以及销单元可以支承掩模框架的第一部分的侧表面并且在第二方向上可以是可移动的。

销单元可以包括在第一方向上设置的多个销。

多个销中的每个可以在第二方向上是可独立移动的。

磁体单元可以包括多个电永磁体，以及多个电永磁体可以设置在台的后表面上，以与掩模框架的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分中的至少一个重叠。

多个电永磁体可以包括：第一电永磁体，与掩模框架的第一部分和/或第二部分重叠；以及第二电永磁体，与掩模框架的第三部分和/或第四部分重叠，第一电永磁体在第一方向上可以是可移动的，以及第二电永磁体在第二方向上可以是可移动的。

第一电永磁体和第二电永磁体可以是可独立移动的。

沉积设备还可以包括在台的后表面上与磁体单元间隔开的可调节块，可调节块在平面图中可以与掩模框架重叠。

可调节块在与第一方向和第二方向相交的第三方向上可以具有可变长度。

可调节块可以包括多个可调节块，以及多个可调节块可以包括与掩模框架的拐角部分重叠的第一可调节块。

多个可调节块还可以包括：第二可调节块，与掩模框架的第一部分和/或第二部分重叠；以及第三可调节块，与掩模框架的第三部分和/或第四部分重叠。

掩模和掩模框架中的每个可以包括金属。

沉积设备还可以包括室，所述室包括设置掩模、掩模框架、台、销单元和磁体单元的内部空间，并且掩模框架的第一部分的侧表面可以面对室的底表面。

根据实施方式，沉积设备包括：室，包括内部空间；台，包括彼此相对的置放表面和后表面，置放表面垂直于室的底表面；掩模框架，设置在台的置放表面上，并且包括多个部分和由多个部分围绕的开口；掩模，设置在掩模框架上，并且与掩模框架的开口重叠；销单元，包括支承掩模框架的在第一方向上延伸的侧表面的多个销，第一方向基本上平行于室的底表面；以及磁体单元，设置在台的后表面上。多个销可以设置在台的置放表面上，可以彼此间隔开，并且在基本上垂直于第一方向的第二方向上可以是可移动的。

磁体单元可以包括：第一电永磁体，设置在台的第一部分上，第一部分基本上平行于掩模框架的侧表面在第一方向上延伸，以及第二电永磁体，设置在台的第二部分上，第二部分基本上垂直于掩模框架的侧表面在第二方向上延伸，第一电永磁体在第一方向上可以是可移动的，以及第二电永磁体在第二方向上可以是可移动的。

沉积设备还可以包括在台的后表面上设置成与磁体单元间隔开的多个可调节块，多个可调节块可以设置在台的第一部分和第二部分上，以及多个可调节块在基本上垂直于台的后表面的方向上可以具有可变长度。

多个可调节块可以包括：第一组可调节块，在第一方向上设置在第一电永磁体之间；以及第二组可调节块，在第二方向上设置在第二电永磁体之间。

根据实施方式，沉积方法可以包括：提供包括彼此相对的置放表面和后表面的台、与台的置放表面连接的销单元、以及设置在台的后表面上的磁体单元；在台的置放表面上提供掩模框架和掩模，掩模联接到掩模框架并且包括沉积开口；通过仿真获取由掩模的沉积开口形成的沉积图案的位置；以及基于所获取的沉积图案的位置，通过移动销单元或通过移动磁体单元来调节施加到掩模框架的力，以调节掩模和掩模框架的对准位置。

销单元可以包括沿着第一方向设置并且支承掩模框架的在第一方向上延伸的侧表面的多个销，以及多个销在基本上垂直于掩模框架的侧表面的第二方向上可以是可移动的，以调节施加到掩模框架的侧表面的力。

磁体单元可以包括设置成与掩模框架重叠的电永磁体，以及电永磁体在基本上平行于台的后表面的方向上可以是可移动的，以调节施加到掩模框架的力。

沉积方法还可以包括：提供可调节块，可调节块设置在台的后表面上并且与磁体单元间隔开，并且可调节块的长度在基本上垂直于台的后表面的方向上可以是可调节的，以调节施加到掩模框架的力。

附图说明

通过以下结合附图的简要描述，将会更清楚地理解示例性实施方式。附图表示如本文中所述的非限制性的示例性实施方式。

图1是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。

图2是根据实施方式的沉积设备的示意性剖视图。

图3A是根据实施方式的沉积设备的示意性分解立体图。

图3B是根据实施方式的掩模和掩模框架的示意性平面图。

图4A和图4B是根据实施方式的沉积设备的示意性平面图。

图5A和图5B是根据实施方式的沉积设备的示意性平面图。

图6A是根据实施方式在其上形成对准图案的沉积表面的示意性平面图。

图6B是根据实施方式的沉积设备的示意性平面图。

图7A是根据实施方式在其上形成对准图案的沉积表面的示意性平面图。

图7B是根据实施方式的沉积设备的示意性平面图。

具体实施方式

在下面的描述中，出于说明的目的，对许多具体细节进行阐述以提供对本公开的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”是可互换的词语，其是装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等同布置的情况下对各种实施方式进行实践。这里，各种实施方式不一定是排他的，也不一定限制本公开。例如，实施方式的特定形状、配置和特性可以在另一实施方式中使用或实施。

除非另有说明，否则示出的实施方式将被理解为提供本公开的特征。因此，除非另有说明，否则在不背离本公开的情况下，各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中，单独称为或统称为“元件”)可以另行组合、分离、互换和/或重新布置。

在附图中使用交叉影线和/或阴影通常是为了使相邻元件之间的边界清楚。因此，除非有说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、图示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可以被夸大。当可以不同地实施实施方式时，具体处理顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续地描述的过程可以基本上同时地执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外，相同的附图标记表示相同的元件。

当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可以存在居间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在居间的元件或层。为此，术语“连接”可以表示在存在或者不存在居间的元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如，X轴、Y轴和Z轴)，且可以以更宽泛的含义进行解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“A和B中的至少一个”可以解释为被理解成意指仅A、仅B、或A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。

虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以称为第二元件。

诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“之下(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“之上(over)”、“较高(higher)”、“侧(side)”(例如，如“侧壁(sidewall)”中那样)等的空间相对术语可以在本文中用于描述性目的，并且因而用于描述如附图中所示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果将附图中的设备翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之取向为在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方两种取向。此外，设备可以以其它方式取向(例如，旋转90度或处于其它取向)，并且因而相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。

本文中使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，而非旨在进行限制。除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”表示所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还应注意的是，如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且因此用于为本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差留有余量。

本文中参考剖面图和/或分解图对各种实施方式进行描述，所述剖面图和/或分解图是实施方式和/或中间结构的示意图。因此，将预期由例如制造技术和/或公差而导致的与图示形状的偏差。因此，本文中公开的实施方式不应该一定被理解为受限于特定示出的区域形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且因此不一定旨在进行限定。

按照本领域中的惯例，针对功能性块、单元和/或模块，附图中描述并示出了一些实施方式。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元和/或模块通过可使用基于半导体的制备技术或其它制造技术而形成的电子(或光学)电路(诸如，逻辑电路、分立部件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接等)物理上地实现。在块、单元和/或模块通过微处理器或其它类似硬件实施的情况下，可使用软件(例如，微代码)对所述块、单元和/或模块进行编程和控制以执行本文中讨论的各种功能，并且可选地，可以由固件和/或软件来驱动它们。还考虑到的是，每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件进行实施，或者实施为执行一些功能的专用硬件与执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程式微处理器和相关电路)的组合。此外，在不背离本公开的范围的情况下，一些实施方式的每个块、单元和/或模块可以在物理上划分成两个或更多个交互且分立的块、单元和/或模块。此外，在不背离本公开的范围的情况下，一些实施方式的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。

在下文中，将参考附图描述根据实施方式的沉积设备和使用沉积设备的沉积方法。

图1是根据实施方式的显示面板DP的示意性剖视图。

将在下面描述的根据实施方式的沉积设备ED(参考图2)可以用于形成包括在显示面板DP中的功能层中的至少一个。图1示出了通过使用沉积设备ED(参考图2)制造的显示面板DP的剖面。

在实施方式中，显示面板DP可以是发光显示面板。例如，显示面板DP可以包括有机发光显示面板、无机发光显示面板和量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料，并且无机发光显示面板的发光层可以包括无机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和量子棒。在下文中，为了便于描述，显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。

显示面板DP可以包括像素。像素中的每个可以包括至少一个晶体管T1和发光元件OL。图1示出了在其中设置显示面板DP的像素的一个晶体管T1和一个发光元件OL的区域。参考图1，显示面板DP可以包括基础层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OL和封装层TFL。

基础层BL可以提供在其上设置电路元件层DP-CL的基础表面。基础层BL可以包括合成树脂层。在用于制造显示面板DP的支承衬底上形成合成树脂层之后，可以在合成树脂层上形成导电层和绝缘层。此后，可以去除支承衬底，并且从其去除支承衬底的合成树脂层可以对应于基础层BL。

至少一个无机层可以设置在基础层BL的上表面上。无机层可以形成阻挡层和/或缓冲层。图1示出了设置在基础层BL上的缓冲层BFL。缓冲层BFL可以改善基础层BL与电路元件层DP-CL的半导体图案之间的联接力。

电路元件层DP-CL可以设置在缓冲层BFL上。电路元件层DP-CL可以包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件可以包括信号线和像素的驱动电路。电路元件层DP-CL可以通过经由涂覆或沉积形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺、以及经由光刻形成绝缘层、半导体层和导电层的图案化工艺来形成。

在实施方式中，电路元件层DP-CL可以包括晶体管T1、连接信号线SCL、连接电极CNE1和CNE2、以及绝缘层10、20、30、40、50和60。绝缘层10、20、30、40、50和60可以包括在缓冲层BFL上顺序堆叠的第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50和第六绝缘层60。第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50和第六绝缘层60中的每个可以包括无机层和有机层中的至少一个。

晶体管T1可以包括半导体图案和栅电极Ga，所述半导体图案包括源区Sa、有源区Aa和漏区Da。晶体管T1的半导体图案可以包括多晶硅。然而，实施方式不限于此，并且晶体管T1的半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。

半导体图案可以根据导电性被划分成多个区域。例如，半导体图案的电特性可以根据半导体图案是否被掺杂或者金属氧化物是否被还原而变化。半导体图案中的具有高导电性的区域可以用作电极或信号线，例如晶体管T1的源区Sa和漏区Da。具有相对低导电性的非掺杂区或非还原区可以是晶体管T1的有源区Aa(或沟道区)。

连接信号线SCL可以由半导体图案形成。连接信号线SCL以及晶体管T1的源区Sa、有源区Aa和漏区Da可以设置在相同的层(例如，缓冲层BFL)上。根据实施方式，连接信号线SCL可以电连接到晶体管T1的漏区Da。

第一绝缘层10可以覆盖晶体管T1的半导体图案。栅电极Ga可以设置在第一绝缘层10上。栅电极Ga在平面图中可以与有源区Aa重叠。栅电极Ga可以在掺杂半导体图案的工艺中用作掩模。上电极UE可以设置在第二绝缘层20上。上电极UE在平面图中可以与栅电极Ga重叠。

第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以设置在晶体管T1和发光元件OL之间，以电连接晶体管T1和发光元件OL。第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层30上，并且可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔CNT-1连接到连接信号线SCL。第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层50上，并且可以通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔CNT-2连接到第一连接电极CNE1。

显示元件层DP-OL可以设置在电路元件层DP-CL上。显示元件层DP-OL可以包括发光元件OL和像素限定层PDL。发光元件OL可以包括第一电极AE、空穴控制层HCL、发射层EML、电子控制层ECL和第二电极CE。

第一电极AE和像素限定层PDL可以设置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以通过穿过第六绝缘层60的接触孔CNT-3连接到第二连接电极CNE2。像素限定层PDL可以限定暴露第一电极AE的至少一部分的发光开口OP-PX，并且第一电极AE的由发光开口OP-PX暴露的部分可以对应于发光区域PXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。

空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以公共地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。发射层EML可以形成为与发光开口OP-PX对应的图案形状。可以通过使用根据实施方式的沉积设备ED(参考图2)来形成图案化的发射层EML。

与具有层的形式的空穴控制层HCL和电子控制层ECL相比，发射层EML可以以不同的方式沉积。例如，空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以通过使用被称为开口掩模的掩模公共地形成在多个像素中。可以通过使用被称为精细金属掩模(FMM)的掩模根据像素不同地形成发射层EML。

封装层TFL可以包括多个薄层。根据实施方式的封装层TFL可以包括顺序地堆叠的第一薄层EN1、第二薄层EN2和第三薄层EN3。第一薄层EN1、第二薄层EN2和第三薄层EN3中的每个可以包括无机层和有机层中的至少一个。无机层可以保护发光元件OL免受湿气和/或氧气的影响。有机层可以保护发光元件OL免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。然而，封装层TFL的配置不限于此，只要保护发光元件OL或改善光输出效率即可。

图2是根据实施方式的沉积设备ED的示意性剖视图。

参考图2，沉积设备ED可以包括室CB、沉积构件EP、固定构件PP、掩模MK、掩模框架MF、台ST、销单元PN和支承单元SU。沉积设备ED还可以包括用于实现同轴系统(in-linesystem)的附加机械装置。

室CB可以提供内部空间，并且沉积构件EP、固定构件PP、掩模MK、掩模框架MF、台ST、销单元PN和支承单元SU可以设置在室CB的内部空间中。室CB可以提供封闭空间以将沉积条件设定成真空。室CB可以包括至少一个闸门，并且室CB可以通过闸门打开和关闭。掩模MK、掩模框架MF和衬底SUB可以通过提供(或设置)在室CB中的闸门进入和离开。

室CB可以包括底表面BP、顶表面和侧壁。室CB的底表面BP可以平行于由第一方向DR1和第三方向DR3限定的平面，并且室CB的底表面BP的法线方向可以平行于第二方向DR2。在描述中，“在平面图中”是基于与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的平面设定的。

固定构件PP可以在室CB的内部设置成面对沉积构件EP。固定构件PP可以将衬底SUB固定在掩模MK上。固定构件PP可以包括保持掩模MK的夹具或机械臂。固定构件PP可以包括用于将掩模MK和衬底SUB彼此粘附的磁性材料。例如，磁性材料可以通过生成磁力来固定掩模MK，并且可以将设置在掩模MK和固定构件PP之间的衬底SUB引导成与掩模MK紧密接触。

衬底SUB可以是在其上沉积沉积材料的处理目标。衬底SUB可以包括支承衬底和设置在支承衬底上的合成树脂层。支承衬底可以在显示面板的制造工艺中去除，并且合成树脂层可以对应于图1的基础层BL。根据通过沉积工艺形成的配置，衬底SUB可以包括基础层BL(参考图1)和显示面板DP(参考图1)的形成在基础层BL(参考图1)上的一些元件。

沉积构件EP可以在室CB的内部面对固定构件PP。沉积构件EP可以包括容纳沉积材料EM的空间和至少一个喷嘴NZ。沉积材料EM可以包括能够升华或蒸发的无机材料、金属或有机材料。例如，沉积材料EM可以包括用于形成发射层EML(参见图1)的有机发光材料。然而，沉积材料EM不限于以上示例。升华或蒸发的沉积材料EM可以通过喷嘴NZ朝向衬底SUB喷射。沉积材料EM可以穿过掩模MK并沉积在衬底SUB上以形成特定图案。

台ST可以设置在沉积构件EP和固定构件PP之间。台ST可以支承掩模框架MF的后表面，并且可以设置在沉积材料EM的从沉积构件EP到衬底SUB的供应路径的外部。

台ST可以包括其上置放(或设置)掩模框架MF的置放表面S1和与置放表面S1相对的后表面S2。台ST的置放表面S1和后表面S2中的每个可以是与第一方向DR1和第二方向DR2平行的表面。台ST的置放表面S1可以设置成基本上垂直于室CB的底表面BP。因此，设置在台ST的置放表面S1上的掩模框架MF和掩模MK中的每个的后表面可以提供(或设置)成基本上垂直于室CB的底表面BP，以执行沉积工艺。因此，可以防止具有大面积的掩模MK由于重力而导致的掩模MK的下倾和偏转，并且可以改善通过使用沉积设备ED的沉积可靠性。

然而，实施方式不限于此。在另一示例中，台ST的置放表面S1可以提供(或设置)成基本上平行于室CB的底表面BP，并且掩模框架MF和掩模MK中的每个的后表面可以提供(或设置)成基本上平行于室CB的底表面BP，并且可以执行沉积工艺。

掩模MK可以包括限定沉积区域(或与沉积区域重叠)的沉积开口。掩模框架MF可以联接到掩模MK以支承掩模MK。掩模框架MF可以包括面对掩模MK的上表面、与所述上表面相对且面对台ST的置放表面S1的后表面(或下表面)、以及连接上表面和后表面的侧表面。掩模框架MF可以包括限定(或形成)与掩模MK的沉积开口重叠的开口(例如，框架开口)OP-MF的部分。例如，掩模框架MF在平面图中可以具有围绕开口OP-MF的框架形状。下面将提供其详细描述。

销单元PN可以连接到台ST以支承掩模框架MF。在平面图中，销单元PN可以设置在台ST下方，并且设置成与台ST的平行于第一方向DR1的一侧相邻。销单元PN可以在第二方向DR2上面对掩模框架MF的侧表面SS1，并且可以支承掩模框架MF的侧表面SS1。在实施方式中，掩模框架MF的由销单元PN支承的侧表面SS1可以面对室CB的底表面BP。例如，销单元PN可以支承竖直地置放(或设置)在室CB中的掩模框架MF。销单元PN可以由销位置控制器在平行于第二方向DR2的方向上移动，并且因此，可以调节由销单元PN施加到掩模框架MF的力。

支承单元SU可以设置在台ST的后表面S2上，以将掩模框架MF固定在台ST的置放表面S1上。支承单元SU可以被调节，并且因此置放(或设置)掩模框架MF的位置和施加到掩模框架MF的力可以被调节。支承单元SU可以包括设置在台ST的后表面S2上的磁体单元和可调节块，并且将在下面对其进行详细描述。

图3A是根据实施方式的沉积设备ED的示意性分解立体图。图3B是根据实施方式的掩模MK和掩模框架MF的示意性平面图。图3B示出了从掩模框架MF的顶部观察的掩模MK和掩模框架MF的平面图。对于图3A和图3B中所示的沉积设备ED的每个配置，可以等同地应用以上描述。

参考图3A和图3B，掩模框架MF可以提供可在其上设置掩模MK的支承表面。在其上设置掩模MK的表面可以是掩模框架MF的上表面，并且与所述上表面相对且面对台ST的置放表面S1的表面可以是掩模框架MF的后表面。

掩模框架MF可以具有刚性。例如，掩模框架MF可以包括金属材料，诸如不锈钢(SUS)、因瓦合金、镍(Ni)或钴(Co)。

在平面图中，掩模框架MF可以具有矩形的闭合线形状。掩模框架MF可以包括形成开口OP-MF的部分P1、P2、P3和P4。部分P1、P2、P3和P4可以彼此成一体以围绕开口OP-MF，并且可以形成单个掩模框架MF。第一部分P1和第二部分P2中的每个可以在第一方向DR1上延伸，并且第三部分P3和第四部分P4中的每个可以在第二方向DR2上延伸。

部分P1、P2、P3和P4各自包括限定掩模框架MF的外表面的侧表面S-P1、S-P2、S-P3和S-P4。以上参考图2描述的掩模框架MF的侧表面SS1可以是部分P1、P2、P3和P4的侧表面S-P1、S-P2、S-P3和S-P4中的一个。在实施方式中，侧表面SS1被示出为对应于第一部分P1的侧表面S-P1，但是实施方式不限于此。

掩模MK可以设置为多个，并且每个掩模MK可以设置在掩模框架MF上。掩模MK可以联接并固定在掩模框架MF上。例如，掩模MK可以与掩模框架MF的开口OP-MF重叠，并且可以在掩模MK在第一方向DR1上布置的状态下彼此联接。

掩模MK中的每个可以在第二方向DR2上延伸。例如，掩模MK中的每个可以具有在第一方向DR1上延伸的短边和在第二方向DR2上延伸的长边。然而，掩模MK的延伸方向不限于此。

掩模MK中的每个可以是具有比掩模框架MF的厚度薄的厚度的薄板。掩模MK中的每个可以包括金属材料，诸如不锈钢(SUS)、因瓦合金、镍(Ni)或钴(Co)。然而，掩模MK的材料不限于以上示例。

掩模MK中的每个可以包括至少一个单元格区域CA。图3B示出了掩模MK中的每个包括多个单元格区域CA的实施方式。在掩模MK内，单元格区域CA可以在第二方向DR2上彼此间隔开。在第一方向DR1上布置的掩模MK的单元格区域CA可以在第一方向DR1上彼此间隔开。单元格区域CA的面积可以基本上对应于显示面板DP(参考图1)的面积。然而，图3B中所示的单元格区域CA的数量是示例，并且单元格区域CA的数量可以根据掩模MK的面积和沉积目标的面积而变化，并且实施方式不限于此。

沉积开口OP-E1和OP-E2可以形成在掩模MK中的每个中。沉积开口OP-E1和OP-E2中的每个可以形成为在掩模MK的厚度方向(例如，第三方向DR3)上穿过掩模MK。沉积开口OP-E1和OP-E2可以包括形成在掩模MK的单元格区域CA中的第一沉积开口(或单元格沉积开口)OP-E1和形成在掩模MK的单元格区域CA以外的区域中的第二沉积开口(或对准沉积开口)OP-E2。

形成在单元格区域CA中的每个中的第一沉积开口OP-E1可以彼此间隔开并且可以具有特定的布置。第一沉积开口OP-E1在平面图中可以具有矩形形状。然而，第一沉积开口OP-E1的形状不限于此，并且第一沉积开口OP-E1的形状可以变化，例如菱形或圆形。在图3A和图3B中所示的单元格区域CA中的每个中形成的第一沉积开口OP-E1的数量、形状和布置可以是示例，并且可以根据待形成的沉积图案而变化。实施方式不限于此。

穿过第一沉积开口OP-E1(或经由第一沉积开口OP-E1喷涂)的沉积材料EM(参考图2)可以沉积在衬底SUB(参考图2)上，以形成与第一沉积开口OP-E1的形状和布置对应的沉积图案。在实施方式中，沉积图案可以对应于显示面板DP(参考图1)的发射层EML(参考图1)。然而，实施方式不限于此，只要通过沉积在显示面板DP(参考图1)中形成层即可。

第二沉积开口(或对准沉积开口)OP-E2可以形成在单元格区域CA之间。尽管图3B示出第二沉积开口OP-E2形成于在第二方向DR2上间隔开的单元格区域CA之间的区域中，但实施方式不限于此。例如，第二沉积开口OP-E2可以不形成在单元格区域CA中的每个之间，而是可以部分地形成在它们之间，或者可以形成为与单元格区域CA的拐角部分相邻。

第二沉积开口OP-E2在平面图中可以具有圆形形状。然而，第二沉积开口OP-E2的形状不限于此，并且第二沉积开口OP-E2的形状可以变化，诸如矩形或菱形。

穿过第二沉积开口OP-E2(或经由第二沉积开口OP-E2喷涂)的沉积材料EM(参考图2)可以沉积在衬底SUB(参考图2)上以形成与第二沉积开口OP-E2的形状和布置对应的沉积图案。在实施方式中，通过第二沉积开口(或对准沉积开口)OP-E2形成的沉积图案可以被称为对准图案。可以使用对准图案来检验(或检查)沉积图案的形成位置的精度。例如，可以通过使用形成对准图案的位置来预测沉积图案是否形成在设计位置处。例如，掩模框架MF可以通过使用形成对准图案的位置而重新布置在台ST上。

参考图3A，台ST可以包括其上置放(或设置)掩模框架MF的置放表面S1和与置放表面S1相对的后表面S2。台ST的置放表面S1可以支承掩模框架MF的后表面。台ST可以具有与掩模框架MF的形状对应的形状。例如，台ST可以具有其中限定与掩模框架MF的开口OP-MF重叠的台开口OP-ST的框架形状。在实施方式中，尽管台ST在平面图中具有矩形环形形状，该矩形环形形状包括在第一方向DR1上延伸的长边和在第二方向DR2上延伸的短边，但是台ST的形状不限于此，只要支承掩模框架MF的后表面即可。

销单元PN可以包括销PN1、PN2和PN3。销PN1、PN2和PN3可以包括第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3。然而，图3A所示的销PN1、PN2和PN3的数量是示例，并且包括在沉积设备ED中的销PN1、PN2和PN3的数量可以小于或大于所示的数量。

第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的每个可以连接到台ST。第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的每个可以设置在台ST的置放表面S1的下部分上，并且可以设置成与台ST的平行于第一方向DR1的一侧相邻。第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的每个可以包括支承表面S-PN，该支承表面S-PN面对置放(或设置)在台ST上的掩模框架MF的侧表面SS1并且支承掩模框架MF的侧表面SS1。根据实施方式，第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的支承表面S-PN可以在第二方向DR2上面对掩模框架MF的第一部分P1的侧表面S-P1。例如，第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的每个可以在第二方向DR2上向第一部分P1的侧表面S-P1施加外力以支承掩模框架MF。

第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的每个可以平行于面向掩模框架MF的由第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3支承的侧表面SS1的方向移动。例如，在实施方式中，第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的每个可以在平行于第二方向DR2的方向上移动。在下文中，在实施方式中，第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的移动方向可以限定为上下方向My。当第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3在上下方向My上移动时，第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的支承表面S-PN的位置可以移动。

第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的移动可以由销位置控制器彼此独立地调节。当第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3彼此独立地移动时，第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的一些在第二方向DR2上的位置可以彼此不同。例如，第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的一些的支承表面S-PN可以具有不同的位置。当调节第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的位置时，可以调节由第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的每个施加到掩模框架MF的侧表面SS1的外力。第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3可以移动，并且因此可以对准置放(或设置)在台ST上的掩模框架MF的位置，从而改善掩模框架MF的形成沉积图案的位置的精度。

图3A示出了第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的形状，但是销PN1、PN2和PN3的形状不限于此，只要销PN1、PN2和PN3支承掩模框架MF的侧表面SS1并且调节销PN1、PN2和PN3的每个位置即可。

参考图3A，支承单元SU可以包括设置在台ST的后表面S2上的磁体单元MG和可调节块AB。

磁体单元MG可以包括电永磁体MG1和MG2。电永磁体MG1和MG2可以提供(或设置)在台ST的后表面S2的与掩模框架MF重叠的区域中的各个位置处。第一电永磁体MG1可以设置在台ST的在第一方向DR1上延伸的部分上。第二电永磁体MG2可以设置在台ST的在第二方向DR2上延伸的部分上。然而，图3A中所示的电永磁体MG1和MG2的数量和布置是示例，而不限于此。

可以根据是否施加电能来调节电永磁体MG1和MG2的磁力。例如，在没有施加电能的情况下，电永磁体MG1和MG2可以保持它们的磁力，并且在施加电能的情况下，电永磁体MG1和MG2的磁力可以被去除。然而，磁体单元MG的实施方式不限于此，只要磁体单元MG具有磁力并且能够将掩模框架MF固定在台ST上即可。

电永磁体MG1和MG2中的每个可以附接在台ST的后表面S2上，并且可以生成磁力以将掩模框架MF固定在台ST的置放表面S1上。例如，电永磁体MG1和MG2中的每个可以在第三方向DR3上向掩模框架MF施加吸引力。电永磁体MG1和MG2可以防止掩模框架MF的位置由于重力而移动或变形。

电永磁体MG1和MG2中的每个可以通过磁体位置控制器在台ST的后表面S2上在一方向上移动。第一电永磁体MG1可以在平行于第一方向DR1的方向上移动，并且第二电永磁体MG2可以在平行于第二方向DR2的方向上移动。在下文中，在实施方式中，第一电永磁体MG1的移动方向可以限定为左右方向Mx，并且第二电永磁体MG2的移动方向可以限定为上下方向My。

第一电永磁体MG1和第二电永磁体MG2中的每个可以设置为多个。第一电永磁体MG1中的每个可以彼此间隔开，并且可以被独立地调节。例如，第一电永磁体MG1中的每个可以通过磁体位置控制器在左右方向Mx上彼此独立地移动。例如，第二电永磁体MG2可以彼此间隔开，并且可以通过磁体位置控制器在上下方向My上独立地移动。

可以调节电永磁体MG1和MG2的位置，并且因此可以调节在掩模框架MF的后表面上施加吸引力的区域的位置。电永磁体MG1和MG2可以移动，并且因此置放(或设置)在台ST上的掩模框架MF的位置可以精细地(或精确地)对准，从而改善形成沉积图案的位置的精度。

可调节块AB可以设置为多个。可调节块AB可以在台ST的后表面S2上与磁体单元MG间隔开。可调节块AB可以提供(或设置)在台ST的后表面S2的与掩模框架MF重叠的区域中的各个位置处。例如，可调节块AB中的每个可以设置在与掩模框架MF的每个拐角部分相邻的区域处。然而，图3A所示的可调节块AB的数量和布置不限于此。

可调节块AB中的每个可以包括支承台ST的后表面S2的第一表面S-AB。可调节块AB中的每个的第一表面S-AB可以在第三方向DR3上面对台ST的后表面S2。可调节块AB中的每个可以在第三方向DR3上对台ST和掩模框架MF施加外力，以支承台ST和掩模框架MF。

可以通过可调节块长度控制器平行于第一表面S-AB沿其面对台ST的后表面S2的方向对可调节块AB中的每个的长度进行调节。例如，可调节块AB中的每个的长度可以通过可调节块长度控制器在第三方向DR3上调节。在实施方式中，沿其调节可调节块AB的长度的方向可以限定为前后方向Mz。可调节块AB的长度可以由可调节块长度控制器在前后方向Mz上调节，并且因此可以移动可调节块AB的第一表面S-AB的位置。

可调节块AB的长度可以由可调节块长度控制器彼此独立地调节。因此，可调节块AB中的一些可以具有不同的长度。例如，可调节块AB的第一表面S-AB在第三方向DR3上的位置可以彼此不同。在可调节块AB的长度增加的情况下，由可调节块AB的第一表面S-AB在第三方向DR3上施加到台ST的后表面S2和掩模框架MF的后表面的外力可以增加。在可调节块AB的长度减小的情况下，由可调节块AB的第一表面S-AB在第三方向DR3上施加到台ST的后表面S2和掩模框架MF的后表面的外力可以减小。根据实施方式，可调节块AB的第一表面S-AB可以与台ST的后表面S2间隔开。

根据用于形成掩模框架MF的制造工艺或材料，张力或压缩力可以作用在掩模框架MF内，并且因此，掩模框架MF可能轻微变形。例如，在竖直沉积工艺中，沉积图案可能由于施加到掩模框架MF和掩模MK的重力而不均匀地形成。根据实施方式，可调节块AB中的每个的长度可以被调节，并且因此外力可以在第三方向DR3上被施加到掩模框架MF的特定区域。因此，可以补偿掩模框架MF在第一方向DR1或第二方向DR2上的收缩或膨胀，并且可以最小化由掩模框架MF的变形引起的沉积精度的劣化。

图4A和图4B是根据实施方式的沉积设备ED的示意性平面图。图4A和图4B中的每个是从台ST的置放表面S1观察的沉积设备ED的配置的示意性平面图。对于图4A和图4B中所示的每个配置，可以等同地应用以上描述，并且下面将省略重复的描述。

在将与掩模MK联接的掩模框架MF置放在台ST上的工艺中，掩模框架MF可能没有正确地置放(或设置)在精确的位置处。图4A示出了未正确置放(或设置)的掩模框架MF。参考图4A，掩模框架MF可以被置放(或设置)成在平面图中向右向下倾斜。在掩模框架MF未置放(或设置)在所需位置处的情况下，沉积精度可能劣化。

参考图4A，包括在销单元PN中的第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3中的每个可以支承掩模框架MF的第一部分P1的侧表面S-P1。第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3可以在第一方向DR1上顺序地设置。例如，当从台ST的置放表面S1观察时，在第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3之中，第二销PN2可以设置在台ST的长边的中心部分处，第一销PN1可以设置在台ST的长边的左部分(例如，相对于第二销PN2的左侧)上，并且第三销PN3可以设置在台ST的长边的右部分(例如，相对于第二销PN2的右侧)上。因此，第一销PN1可以支承第一部分P1的侧表面S-P1的左部分，第二销PN2可以支承第一部分P1的侧表面S-P1的中心部分，并且第三销PN3可以支承第一部分P1的侧表面S-P1的右部分。

第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3可以通过销位置控制器在上下方向My上彼此独立地移动。第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3可以分别移动，并且因此可以根据由第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3支承的区域来调节施加到第一部分P1的侧表面S-P1的外力。图4B示出了销单元PN被调节并且掩模框架MF被设置在所需位置处。

第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的位置可以基于掩模框架MF在平面图中偏离的程度来调节。参考图4B，设置在台ST的长边的中心部分处的第二销PN2和设置在台ST的长边的右部分上的第三销PN3可以朝向第一部分P1的侧表面S-P1移动。因此，第二销PN2和第三销PN3中的每个可以进一步在第二方向DR2上向第一部分P1的侧表面S-P1施加外力。基于相同的参考平面，设置在台ST的长边的右部分上的第三销PN3可以比设置在台ST的长边的中心部分处的第二销PN2朝向第一部分P1的侧表面S-P1移动更多。因此，最大的外力可以作用在掩模框架MF的第一部分P1的侧表面S-P1的右侧上，并且向右向下倾斜的掩模框架MF可以对准到所需位置。

可以通过使用设置在台ST上的掩模MK的沉积开口OP-E1和OP-E2(参考图3B)的位置预测沉积图案的形成位置，确定掩模框架MF是否被置放(或设置)在精确且所需的位置中。可以考虑预测的沉积图案的形成位置与设计的沉积图案的形成位置之间的偏差区域和偏差程度，来调节销单元PN，并且因此可以调节掩模框架MF的位置。

如上所述，可以调节第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的位置，并且因此可以调节掩模框架MF的置放位置，并且可以调节联接到掩模框架MF的掩模MK。当掩模框架MF和掩模MK对准在所需位置处时，可以改善沉积精度。例如，可以独立地调节第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的位置，并且因此可以精确地调节掩模框架MF的置放位置。

图5A和图5B是根据实施方式的沉积设备ED的示意性平面图。图5A和图5B是从台ST的后表面S2观察的沉积设备ED的一些配置的示意性平面图。为了便于描述，图5A和图5B用虚线示出了台ST的后表面S2上的与掩模框架MF重叠的部分。

图5A和图5B所示的沉积设备ED包括与以上描述基本上相同但在可调节块AB的布置和数量上有一些不同的配置。以上描述可以等同地应用于图5A和图5B中所示的部件中的每个，并且为了便于描述，下面将省略重复的描述。

参考图5A，包括在磁体单元MG中的第一电永磁体MG1和第二电永磁体MG2中的每个可以在平面图中与掩模框架MF重叠。第一电永磁体MG1和第二电永磁体MG2可以沿着掩模框架MF的延伸方向布置。

第一电永磁体MG1中的每个可以在平面图中与掩模框架MF的在第一方向DR1上延伸的第一部分P1和/或第二部分P2重叠，并且可以在左右方向Mx上移动。第一电永磁体MG1可以与掩模框架MF的第一部分P1重叠，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。第一电永磁体MG1可以与掩模框架MF的第二部分P2重叠，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。与第一部分P1重叠的第一电永磁体MG1和与第二部分P2重叠的第一电永磁体MG1可以在第二方向DR2上彼此间隔开。第一电永磁体MG1中的每个可以在左右方向Mx上独立地移动。

第二电永磁体MG2中的每个在平面图中可以与掩模框架MF的在第二方向DR2上延伸的第三部分P3和/或第四部分P4重叠，并且可以在上下方向My上移动。第二电永磁体MG2可以与掩模框架MF的第三部分P3重叠，并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。第二电永磁体MG2可以与掩模框架MF的第四部分P4重叠，并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。与第三部分P3重叠的第二电永磁体MG2和与第四部分P4重叠的第二电永磁体MG2可以在第一方向DR1上彼此间隔开。第二电永磁体MG2中的每个可以在上下方向My上独立地移动。

可调节块AB可以分别在台ST的后表面S2上设置在与掩模框架MF的拐角部分相邻的区域中。例如，可调节块AB可以设置在掩模框架MF的具有不同延伸方向的部分彼此连接的部分上。第一电永磁体MG1或第二电永磁体MG2可以在平面上设置在可调节块AB之间。例如，在第一方向DR1上间隔开的多个第一电永磁体MG1可以设置在与第一部分P1重叠的可调节块AB之间。然而，实施方式不限于此，并且可以在可调节块AB之间设置一电永磁体。

参考图5B，沉积设备ED可以包括各自被设置为多个的第一可调节块AB1、第二可调节块AB2和第三可调节块AB3。第一可调节块AB1、第二可调节块AB2和第三可调节块AB3中的每个可以是具有基本上相同结构的可调节块，并且在布置上可以是不同的。第一可调节块AB1、第二可调节块AB2和第三可调节块AB3可以在掩模框架MF的延伸方向上设置。

第一可调节块AB1可以在台ST的后表面S2上分别设置在与掩模框架MF的拐角部分相邻的区域中。图5A的可调节块AB的描述可以等同地应用于第一可调节块AB1。

第二可调节块AB2中的每个可以在平面图中与掩模框架MF的在第一方向DR1上延伸的第一部分P1和/或第二部分P2重叠。第二可调节块AB2可以与第一部分P1重叠，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。第二可调节块AB2可以与第二部分P2重叠，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。与第一部分P1重叠的第二可调节块AB2和与第二部分P2重叠的第二可调节块AB2可以在第二方向DR2上间隔开。第二可调节块AB2的位置可以在第一方向DR1上固定。

第三可调节块AB3中的每个可以在平面图中与掩模框架MF的在第二方向DR2上延伸的第三部分P3和/或第四部分P4重叠。第三可调节块AB3可以与第三部分P3重叠，并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。第三可调节块AB3可以与第四部分P4重叠，并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。与第三部分P3重叠的第三可调节块AB3和与第四部分P4重叠的第三可调节块AB3可以在第一方向DR1上间隔开。第三可调节块AB3的位置可以在第二方向DR2上固定。

至少一个第一电永磁体MG1可以设置在第一可调节块AB1和第二可调节块AB2之间，并且至少一个第二电永磁体MG2可以设置在第一可调节块AB1和第三可调节块AB3之间。根据实施方式，第二可调节块AB2可以在平面图中设置在第一电永磁体MG1之间，并且第三可调节块AB3可以设置在第二电永磁体MG2之间。在描述中，在第一方向DR1上设置的第二可调节块AB2可以被称为第一组可调节块，并且在第二方向DR2上设置的第三可调节块AB3可以被称为第二组可调节块。在沉积设备ED包括第一组可调节块和第二组可调节块的情况下，可以省略第一可调节块AB1。然而，第一可调节块AB1、第二可调节块AB2和第三可调节块AB3以及第一电永磁体MG1和第二电永磁体MG2的数量和布置不限于此。

第一可调节块AB1、第二可调节块AB2和第三可调节块AB3的长度可以独立地调节。例如，第一可调节块AB1、第二可调节块AB2和第三可调节块AB3的长度可以分别在平行于第三方向DR3的前后方向Mz(参考图3A)上调节。因此，可以独立地在由第一可调节块AB1、第二可调节块AB2和第三可调节块AB3中的每个支承的区域上调节施加到掩模框架MF的外力。

然而，包括在沉积设备ED中的可调节块的数量和布置不限于图5A和图5B中所示的那些。在掩模框架MF的延伸方向上布置的可调节块的数量增加时，由可调节块AB施加到掩模框架MF的外力可以被精细地(或精确地)调节，并且在可调节块的数量减少时，沉积设备ED的结构可以被简化。

在下文中，参考图6A至图7B，将描述通过在沉积表面ES上形成的对准图案PA的布置来调节沉积设备ED中的销单元PN的实施方式。图6A和图7A是根据实施方式的在其上形成对准图案PA的沉积表面ES的示意性平面图。图6B和图7B是根据实施方式的沉积设备ED的示意性平面图。为了便于描述，图6B和图7B用虚线示出了在台ST的后表面S2(参考图3A)上的沉积设备ED的与掩模框架MF重叠的配置。

参考图6A和图7A，沉积表面ES可以是其上形成沉积图案的表面。沉积表面ES可以对应于衬底SUB(参考图2)的待处理的表面。可以基于在沉积表面ES上形成的对准图案PA的位置来预测(或测量)形成沉积图案的位置。对准图案PA可以通过仿真形成以对应于掩模MK的第二沉积开口OP-E2(参考图3B)的位置。为了便于描述，图6A和图7A仅示出了沉积图案之中的与对准图案PA对应的图案，并且放大了对准图案PA。

通过使用在沉积表面ES上形成的对准图案PA，可以预测(或测量)沉积图案的均匀性和沉积趋势。可以调节包括在沉积设备ED中的销单元PN、磁体单元MG和可调节块AB，并且可以向掩模框架MF的特定区域施加外力。因此，可以改善形成沉积图案的位置的精度。

参考图6A至图7B，沉积表面ES可以基于包括在销单元PN中的第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的位置被划分成第一区域AA1、第二区域AA2和第三区域AA3。例如，第一区域AA1、第二区域AA2和第三区域AA3可以对应于用于描述对准图案PA的沉积趋势的虚拟区域。第一区域AA1可以对应于在沉积表面ES内在其中通过设置成与第一销PN1相邻的掩模MK形成对准图案PA的区域，并且可以被称为左区域。第二区域AA2可以对应于在沉积表面ES内在其中通过设置成与第二销PN2相邻的掩模MK形成对准图案PA的区域，并且可以被称为中心区域。第三区域AA3可以对应于在沉积表面ES内在其中通过设置成与第三销PN3相邻的掩模MK形成对准图案PA的区域，并且可以被称为右区域。

尽管包括第一销PN1、第二销PN2和第三销PN3的实施方式被描述为示例，但是在包括在销单元PN中的销PN1、PN2和PN3的数量更大的情况下，施加到掩模框架MF的第一部分P1的侧表面S-P1的外力可以被更精确地调节。

在平面图中，当对准图案PA形成为与参考对准图案r-PA中的每个对准时，沉积精度可能较高，并且当对准图案PA形成为偏离参考对准图案r-PA中的每个时，沉积精度可能较低。例如，参考对准图案r-PA指示形成所设计的对准图案的位置。可以通过对准图案PA来预测沉积精度趋于降低的区域的位置，并且可以调节销单元PN、磁体单元MG和可调节块AB，以改善沉积精度。

参考图6A，对准图案PA的沉积精度在第三区域AA3的下部分中相对低。例如，对准图案PA的沉积精度可以在与沉积表面ES的右下侧对应的区域中降低。例如，形成在第三区域AA3的下部分中的对准图案PA在平面图中可能倾向于形成在参考对准图案r-PA下方。

如图6B所示，为了改善沉积精度，设置在第三区域AA3的下部分中的第三销PN3可以在第二方向DR2上移动，并且可以增加由第三销PN3施加到第一部分P1的侧表面S-P1的右侧的外力。例如，可以在第三方向DR3上调节设置成与第三区域AA3的下部分相邻的可调节块AB的长度，并且因此可以增加施加到掩模框架MF的后表面上的外力。此外，可以调节电永磁体MG1和MG2的位置，并且因此可以调节向掩模框架MF施加吸引力的位置。因此，可以减小对准图案PA相对于参考对准图案r-PA在第一方向DR1和第二方向DR2上不均匀形成的程度。

参考图7A，对准图案PA的沉积精度在第二区域AA2和第三区域AA3的下部分中相对低。例如，形成在第二区域AA2和第三区域AA3的下部分处的对准图案PA在平面图中可能倾向于形成在参考对准图案r-PA下方。

如图7B所示，为了改善沉积精度，分别与第二区域AA2的下部分和第三区域AA3的下部分重叠的第二销PN2和第三销PN3可以在第二方向DR2上移动。因此，可以增加由第二销PN2和第三销PN3中的每个施加到第一部分P1的侧表面S-P1的中心和右侧的外力。在第一可调节块AB1和第二可调节块AB2之中的设置成与第二区域AA2和第三区域AA3的下部分相邻的可调节块中的每个在第三方向DR3上的长度可以被调节，并且因此施加到掩模框架MF的后表面的外力可以被调节。因此，可以减小在第一方向DR1和第二方向DR2上不均匀地形成对准图案PA的程度。

在掩模框架MF的延伸方向上设置的可调节块AB的数量增加时，可以根据区域精细地(或精确地)调节施加到掩模框架MF的外力，因此有效地改善沉积精度。

根据实施方式的沉积设备ED可以包括销单元PN和磁体单元MG，用于调节在台ST上置放(或设置)掩模框架MF的位置。销单元PN可以包括支承掩模框架MF的侧表面的销，可以在支承其侧表面的方向上移动，并且可以调节施加到掩模框架MF的外力。磁体单元MG可以包括生成磁力以将掩模框架MF固定在台ST的置放表面S1上的电永磁体(例如，MG1和MG2)。电永磁体(例如，MG1和MG2)可以在平面图中在一方向上移动，并且可以调节施加在掩模框架MF的后表面上的外力。在根据实施方式的沉积设备ED和沉积方法中，当销单元PN和磁体单元MG移动时，可以调节掩模框架MF的对准位置，并且因此可以改善沉积精度。

根据实施方式的沉积设备ED还可以包括设置在台ST的后表面S2上的可调节块AB，以通过调节其长度来调节从台ST施加到掩模框架MF的外力。当调节可调节块AB的布置和长度时，可以补偿由作用在掩模框架MF上的重力或作用在掩模框架MF的内部的固有张力或压缩力引起的变形，并且可以防止由掩模框架MF的变形引起的劣化沉积精度。

在根据实施方式的沉积设备ED中，掩模MK和掩模框架MF的对准位置可以通过提供(或设置)在台ST上的销单元PN、磁体单元MG和可调节块AB来调节，并且可以补偿沉积图案的不均匀性。因此，可以最小化具有劣化的沉积精度的掩模的更换，从而降低沉积工艺的成本。

在实施方式的沉积设备ED中，可以在室CB中竖直地提供(或设置)台ST的置放表面S1和设置在置放表面S1上的掩模框架MF，并且因此可以执行竖直沉积。因此，可以防止具有大面积的掩模MK由于重力而下倾，可以减小或最小化掩模MK的偏转，并且可以通过使用沉积设备ED来改善沉积可靠性。此外，可以通过使用销单元PN、磁体单元MG和可调节块AB来改善通过竖直沉积的沉积图案的不均匀沉积。

尽管已经通过实施方式描述了本公开，但是本公开旨在包括落入所附权利要求的范围内的对本领域技术人员显而易见的各种改变和修改。

在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解，在本质上不背离本公开的原理和精神以及范围的情况下，可以对实施方式做出许多变化和修改。因此，所公开的实施方式仅以概述性和描述性含义使用，而不是出于限制的目的。

Claims

1.沉积设备，其特征在于，包括：

掩模，包括沉积开口；

掩模框架，包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分、以及由所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分围绕的开口，所述开口与所述沉积开口重叠；

台，设置在所述掩模框架的后表面上；

销单元，连接到所述台；以及

磁体单元，设置在所述台的后表面上并且与所述掩模框架重叠，其中，

所述掩模框架的所述第一部分和所述第二部分中的每个在第一方向上延伸，

所述掩模框架的所述第三部分和所述第四部分中的每个在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，以及

所述销单元支承所述掩模框架的所述第一部分的侧表面并且在所述第二方向上是可移动的。

2.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述销单元包括在所述第一方向上设置的多个销。

3.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，所述多个销中的每个在所述第二方向上是可独立移动的。

4.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，

所述磁体单元包括多个电永磁体，以及

所述多个电永磁体设置在所述台的所述后表面上，以与所述掩模框架的所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分中的至少一个重叠。

5.根据权利要求4所述的沉积设备，其特征在于，

所述多个电永磁体包括：

第一电永磁体，与所述掩模框架的所述第一部分和/或所述

第二部分重叠；以及

第二电永磁体，与所述掩模框架的所述第三部分和/或所述第四部分重叠，

所述第一电永磁体在所述第一方向上是可移动的，以及

所述第二电永磁体在所述第二方向上是可移动的。

6.根据权利要求5所述的沉积设备，其特征在于，所述第一电永磁体和所述第二电永磁体是可独立移动的。

7.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，还包括：

可调节块，在所述台的所述后表面上与所述磁体单元间隔开，

其中，所述可调节块在平面图中与所述掩模框架重叠。

8.根据权利要求7所述的沉积设备，其特征在于，所述可调节块在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上具有可变长度。

9.根据权利要求8所述的沉积设备，其特征在于，

所述可调节块包括多个可调节块，以及

所述多个可调节块包括与所述掩模框架的拐角部分重叠的第一可调节块。

10.沉积设备，其特征在于，包括：

室；

台，包括彼此相对的置放表面和后表面，所述置放表面垂直于所述室的底表面；

掩模框架，设置在所述台的所述置放表面上，并且包括多个部分和由所述多个部分围绕的开口；

掩模，设置在所述掩模框架上，并且与所述掩模框架的所述开口重叠；

销单元，包括支承所述掩模框架的在第一方向上延伸的侧表面的多个销，所述第一方向平行于所述室的所述底表面；以及

磁体单元，设置在所述台的所述后表面上，

其中，所述多个销设置在所述台的所述置放表面上，彼此间隔开，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上是可移动的。