CN118175906A - 沉积设备以及用于掩模组件的形状校正方法 - Google Patents

Abstract

公开了沉积设备以及用于掩模组件的形状校正方法。沉积设备包括：室；台，其中限定有台开口并且台设置在室内部；框架，设置在台上并且其中限定有与台开口对应的框架开口；掩模，联接到框架并且其中限定有与框架开口对应的多个沉积开口；沉积源，被配置为向框架开口喷射沉积材料；多个对准单元，联接到台并且与框架接触以移动框架在台上的位置；以及多个校正单元，多个校正单元中的每一个包括设置在台上并且与框架相邻的磁力部以及被配置为向磁力部提供磁力的驱动部，其中多个校正单元被配置为改变框架的形状，并且联接到台。

Description

沉积设备以及用于掩模组件的形状校正方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年12月8日提交的第10-2022-0170195号韩国专利申请的优先权以及从其产生的所有利益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开在本文中涉及一种包括掩模组件的沉积设备和用于掩模组件的形状校正方法，并且更具体地，涉及在用于通过沉积设备制造显示面板的沉积工艺中使用的掩模组件和用于掩模组件的形状校正方法。

背景技术

诸如电视、便携式电话、平板计算机、汽车导航系统和游戏控制台的显示设备可以包括显示面板以便显示图像。显示面板可以包括多个像素。像素中的每一个可以包括诸如晶体管的驱动元件和诸如有机发光二极管的显示元件。显示元件可以通过在衬底上沉积电极和发光图案来形成。

发光图案可以使用其中限定有沉积开口的掩模来图案化，以形成在预定区中。为了提高显示面板的生产良率，正在开发使用大面积掩模的沉积工艺技术。然而，存在的限制在于，当掩模未能与沉积设备中的要求位置对准时，形成发光图案的位置的精度可能降低。

发明内容

本公开提供了一种在大面积面板的沉积工艺中使用的掩模组件以及用于掩模组件的形状校正方法。本公开还提供了一种具有提高的沉积精度的掩模组件。

本发明的实施方式提供一种沉积设备，包括：室；台，限定有台开口并且台设置在室内部；框架，设置在台上并且其中限定有与台开口对应的框架开口；掩模，联接到框架并且其中限定有与框架开口对应的多个沉积开口；沉积源，被配置为向框架开口喷射沉积材料；多个对准单元，联接到台并且与框架接触以移动框架在台上的位置；以及多个校正单元，多个校正单元中的每一个包括设置在台上并且与框架相邻的磁力部以及被配置为向磁力部提供磁力的驱动部，其中多个校正单元被配置为改变框架的形状并且联接到台。

在实施方式中，磁力部在第一模式中可以不与框架接触，并且在第二模式中可以与框架的对应侧接触，并且在第二模式中，磁力部可以通过从驱动部提供的磁力使框架在朝向框架开口的方向上收缩，或者使框架扩展。

在实施方式中，框架开口的形状可以被改变为与当框架的形状被改变时的框架的形状对应。

在实施方式中，施加到各个磁力部的磁力可以在强度上彼此不同。

在实施方式中，多个校正单元中的每一个还可以包括设置在磁力部和驱动部之间的延伸部，并且延伸部的长度在台上改变。

在实施方式中，框架可以包括第一部、第二部、第三部和第四部，第一部和第二部在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，第三部和第四部在第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开，并且第三部和第四部连接到第一部和第二部以限定框架开口，以及多个校正单元中的一些校正单元可以与第一部相邻地设置成沿第一方向彼此间隔开。

在实施方式中，多个校正单元中的其他校正单元可以与第三部相邻地设置成沿第二方向彼此间隔开，并且多个校正单元中的剩余校正单元可以与第四部相邻地设置成沿第二方向彼此间隔开。

在实施方式中，第三部和第四部中的每一个在第二方向上的长度可以小于第一部在第一方向上的长度，并且与第三部和第四部中的每一个相邻设置的校正单元的总数量可以等于或大于与第一部相邻设置的校正单元的总数量。

在实施方式中，多个对准单元可以在第一部上设置成沿第一方向彼此间隔开，并且多个对准单元可以各自被单独操作。

在实施方式中，多个对准单元中的每一个可以在第二方向上移动框架。

在实施方式中，掩模和框架可以各自包括因瓦合金(Invar)。

在本发明的实施方式中，掩模组件包括：台，限定有台开口；框架，设置在台上，并且其中限定有与台开口对应的框架开口；掩模，联接到框架，并且其中限定有与框架开口对应的多个沉积开口；多个对准单元，联接到台；以及多个校正单元，多个校正单元中的每一个包括在台上设置为与框架相邻的磁力部以及被配置为向磁力部提供磁力的驱动部，其中多个校正单元联接到台。多个对准单元移动框架在台上的位置，并且多个校正单元改变框架的形状。

在实施方式中，磁力部在第一模式中可以不与框架接触，并且在第二模式中可以与框架的对应侧接触，并且在第二模式中，磁力部可以通过从驱动部提供的磁力使框架在朝向框架开口的方向上收缩，或者使框架扩展。

在实施方式中，框架开口的形状可以被改变为与当框架的形状被改变时的框架的形状对应。

在本发明的实施方式中，用于掩模组件的形状校正方法包括：将框架设置在联接有多个对准单元和多个校正单元的台上，在框架中限定有框架开口；通过多个对准单元控制框架在台上的位置，以及通过多个校正单元校正框架的形状。

在实施方式中，多个校正单元中的每一个可以包括被配置为产生磁力的驱动部和连接到驱动部以从驱动部接收磁力的磁力部，并且框架的形状的校正可以包括：将磁力部压靠在框架上以及向磁力部提供从驱动部产生的磁力。

在实施方式中，多个磁力部中的每一个可以被对应的驱动部单独操作，并且在向磁力部提供磁力的过程中，磁力部可以使框架在朝向框架开口的方向上收缩，或使框架扩展。

在实施方式中，形状校正方法还可以包括将限定有多个沉积开口的至少一个掩模联接到框架上。

在实施方式中，可以在框架的形状的校正之后执行至少一个掩模的联接，并且框架的形状的校正可以使用在框架中限定的多个对准孔从框架的扭曲形状恢复框架的正确形状。

在实施方式中，可以在框架在台上的设置之前执行至少一个掩模的联接，并且框架的形状的校正可以通过确定多个沉积开口的对准精度从框架的扭曲形状恢复框架的正确形状。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的实施方式并且与描述一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是根据本发明的实施方式的沉积设备的截面视图；

图2是根据本发明的实施方式的掩模组件的分解透视图；

图3是根据本发明的实施方式的掩模组件的平面视图；

图4是根据本发明的实施方式的掩模组件的平面视图；

图5A至图5D是根据本发明的实施方式的框架的平面视图；

图6A至图6C是示出根据本发明的实施方式的用于掩模组件的形状校正方法的平面视图；

图7A和图7B是示出根据本发明的实施方式的用于掩模组件的形状校正方法的平面视图；

图7C是示出根据本发明的实施方式的沉积开口的平面视图；以及

图8是根据本发明的实施方式的显示面板的截面视图。

具体实施方式

在本说明书中，应当理解，当元件(或区、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，它可以直接设置在另一元件上、直接连接或联接到另一元件，或者在其间可以设置有居间元件。

相似的参考数字或符号始终指代相似的元件。在附图中，为了有效地描述技术内容，元件的厚度、比例和尺寸被夸大。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或多个的任何和所有组合。

应当理解，虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或区间，但是这些元件、部件、区、层和/或区间不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或区间与另一元件、部件、区、层或区间区分开。因此，下面讨论的第一元件、第一部件、第一区、第一层或第一区间可以被称为第二元件、第二部件、第二区、第二层或第二区间，而不脱离本发明的范围。类似地，第二元件、第二部件、第二区、第二层或第二区间可以被称为第一元件、第一部件、第一区、第一层或第一区间。除非上下文另外清楚地指示，否则如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。

另外，“下方”、“在下侧”、“上方”、“在上侧”等的术语可以用于描述附图中示出的元件的关系。这些术语具有相对的概念并且基于附图中指示的方向来描述。

还应当理解，术语“包括”和/或“具有”当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与由本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不在理想化或过于刻板的意义上来解释。

在下文中，将参考附图描述本发明的实施方式。

图1是根据本发明的实施方式的沉积设备的截面视图。图2是根据本发明的实施方式的掩模组件的分解透视图。图3是根据本发明的实施方式的掩模组件的平面视图。图4是根据本发明的实施方式的掩模组件的平面视图。

图5A至图5D是根据本发明的实施方式的框架的平面视图。如本文中使用的，“平面视图”是在框架MF的厚度方向(即，第三方向DR3)上观察。

参考图1和图2，根据实施方式的沉积设备ED可以包括室CB、掩模MK、框架MF、台ST、校正单元YU、沉积源EP和固定构件PP。除了上述部件之外，沉积设备ED还可以包括用于提供在线系统(in-line system)的附加机械装置。根据实施方式的沉积设备ED还可以包括联接构件。联接构件可以固定到室CB的侧壁，并且台ST可以连接到联接构件以在室CB内部稳定地固定。因此，由于联接构件，即使当台ST垂直设置时，也可以稳定地执行沉积工艺。

室CB可以提供内部空间，并且沉积源EP、掩模MK、框架MF、台ST和校正单元YU可以设置在室CB的内部空间中。室CB可以形成密封空间，并且将沉积条件设定为真空状态。室CB可以包括至少一个门，并且可以通过门来打开和关闭。掩模MK、框架MF以及衬底SUB可以通过设置在室CB中的门进入和退出室CB。

室CB可以包括地板BP、天花板和侧壁。室CB的地板BP可以平行于由第一方向DR1和第三方向DR3限定的平面，并且室CB的地板BP的法线方向可以平行于第二方向DR2。

固定构件PP可以设置在室CB内部，并且在第三方向DR3上面对沉积源EP。固定构件PP可以使衬底SUB与掩模MK紧密接触。固定构件PP可以包括用于使掩模MK和衬底SUB彼此紧密接触的磁性物质。在实施方式中，例如，磁性物质可以产生磁力以固定掩模MK，并且设置在掩模MK和固定构件PP之间的衬底SUB可以与掩模MK紧密接触。然而，本发明的实施方式不限于此，并且固定构件PP可以包括保持掩模MK的夹具或机械臂。

衬底SUB可以设置在掩模MK和固定构件PP之间。衬底SUB可以是其上将沉积有沉积材料的目标物体。衬底SUB可以包括支撑衬底和设置在支撑衬底上的合成树脂层。支撑衬底可以稍后在显示面板DP(参见图8)的制造工艺中被去除，并且合成树脂层可以对应于图8的基础层BL。根据通过沉积工艺形成的构造，衬底SUB可以包括显示面板DP(参见图8)的形成在基础层BL(参见图8)上的部分构造。

沉积源EP可以设置在室CB内部，并且在第三方向DR3上面对固定构件PP。沉积源EP可以包括容纳有沉积材料EM的存储空间以及至少一个喷嘴NZ。沉积材料EM可以包括无机材料、金属或可升华或可汽化的有机材料。在实施方式中，例如，沉积材料EM可以包括有机发光材料以形成发光图案EML(参见图8)。升华或汽化的沉积材料EM可以通过喷嘴NZ朝向衬底SUB喷射。沉积材料EM可以穿过限定在掩模MK中的沉积开口OP-MK，并且可以被沉积以在衬底SUB上形成图案。

台ST可以设置在沉积源EP和固定构件PP之间。台ST可以设置在从沉积源EP向衬底SUB供给的沉积材料EM的移动路径中，同时支撑框架MF的后表面。台ST可以在其中限定台开口OP-ST。沉积材料EM可以穿过台开口OP-ST以被提供到掩模MK。在台ST的边缘上，联接凹槽可以被限定为固定到前述的联接构件。通过联接凹槽，台ST可以通过螺栓固定到联接构件。

台ST可以包括其上安置有框架MF的安置表面S1和与安置表面S1相对的后表面S2。台ST的安置表面S1和后表面S2可以各自是平行于第一方向DR1和第二方向DR2的表面。台ST的安置表面S1和后表面S2可以被提供为实质上垂直于室CB的地板BP。因此，在沉积工艺期间，设置在台ST的安置表面S1上的框架MF和掩模MK的相应后表面可以被提供为实质上垂直于室CB的地板BP。因此，在垂直型沉积工艺中，可以防止大面积掩模MK因重力而导致的下垂，从而提高沉积可靠性。

然而，本发明的实施方式不限于此，并且在另一实施方式中，根据实施方式的台ST的安置表面S1和后表面S2可以被提供为实质上平行于室CB的地板BP，并且在该实施方式中，在水平型沉积工艺期间，框架MF和掩模MK的相应后表面可以被提供为实质上平行于室CB的地板BP。

框架MF可以联接到掩模MK，并且支撑掩模MK。框架MF可以包括面对掩模MK的上表面、与上表面相对且面对台ST的安置表面S1的后表面以及将上表面连接到其后表面的侧表面。框架MF在平面视图中可以具有矩形框架的形状。因此，框架MF可以在其中限定在平面视图中与台开口OP-ST重叠的框架开口OP-MF。沉积材料EM可以穿过框架开口OP-MF以被提供到掩模MK。框架MF可以在其中限定对准孔A-H。对准孔A-H可以各自设置在框架MF的边缘当中的对应边缘上。

框架MF可以具有预定刚度。在实施方式中，例如，框架MF可以包括诸如不锈钢(“SUS”)、因瓦合金、镍(Ni)和钴(Co)的金属材料。

掩模MK可以设置在衬底SUB和框架MF之间。掩模MK可以提供限定沉积区的沉积开口OP-MK。在平面视图中，沉积开口OP-MK可以与框架开口OP-MF重叠。沉积材料EM可以穿过沉积开口OP-MK以在衬底SUB上形成图案。

掩模MK可以提供为多个并且设置在框架MF上。图2示出了沿第一方向DR1布置10个掩模MK，但是掩模MK的形状和数量不限于任何一个实施方式。掩模MK可以各自包括因瓦合金。

掩模MK可以联接到框架MF。在实施方式中，例如，掩模MK可以通过焊接工艺联接到框架MF。在实施方式中，例如，掩模MK中的每一个的相对端部可以设置在框架MF上，并且掩模MK和框架MF可以通过对掩模MK中的每一个的相对端部执行焊接工艺而联接在一起。由于焊接工艺，焊接突起WP可以形成在掩模MK中的每一个的相对端部上。

根据实施方式的沉积设备ED可以包括设置在台ST上的对准单元AU和校正单元YU。在本文中，“掩模组件MSA”可以被定义为包括台ST、框架MF、掩模MK、校正单元YU和对准单元AU的构件。

对准单元AU可以设置在图2中的台ST的下端部分上。对准单元AU可以在台ST的下端部分上设置为沿第一方向DR1彼此间隔开。然而，本发明的实施方式不限于此，并且对准单元AU也可以设置在台ST的在第二方向DR2上延伸的侧壁部分上，但是不限于任何一个实施方式。

对准单元AU中的每一个可以包括支撑部SP、驱动部DV和移动部MV。框架MF可以安置在支撑部SP上，并且支撑部SP可以逆着重力方向支撑台ST。移动部MV可以是将支撑部SP连接到驱动部DV的构件。移动部MV的长度可以在第二方向DR2上改变。移动部MV可以包括机器人臂等。驱动部DV可以驱动移动部MV以在垂直方向My(即，第二方向DR2)上移动支撑部SP。

额外地设置在台ST的侧壁部分上的对准单元AU(未示出)可以在水平方向Mx(即，第一方向DR1)上移动其支撑部SP(未示出)。驱动部DV可以包括电动机或压电元件。然而，这仅是示例，并且驱动部DV的类型不受限制，只要能够在垂直方向My上或在水平方向Mx上移动支撑部SP和移动部MV即可。对准单元AU可以各自被单独操作。

校正单元YU可以包括第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R。第一校正单元YU-B可以设置在台ST的下端部分上。第二校正单元YU-L可以设置在台ST的左侧壁部分上。第三校正单元YU-R可以设置在台ST的右侧壁部分上。第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R可以各自包括驱动部DY、磁力部YP和延伸部MP。在实施方式中，第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R中的每一个的数量可以等于或大于第一校正单元YU-B的数量。

驱动部DY可以接收电流以形成磁力，并且通过延伸部MP将磁力提供到磁力部YP。另外，驱动部DY也可以通过电动机等在垂直方向My上或在水平方向Mx上改变延伸部MP的长度。在实施方式中，例如，第一校正单元YU-B中的每一个中包括的延伸部MP可以在垂直方向My上收缩或扩展，并且第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R中的每一个中包括的延伸部MP可以在水平方向Mx上收缩或扩展。

第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R中包括的磁力部YP可以设置在台ST上以与框架MF相邻。磁力部YP可以彼此间隔开预定距离以围绕框架MF。

通过延伸部MP，磁力部YP可以在一种状态下设置在台ST上以不与框架MF接触，以及在另一种状态下设置在台ST上以与框架MF接触。另外，磁力部YP可以在一种状态下通过从驱动部DY提供的磁力来改变框架MF的形状，以及在另一种状态下可以不产生磁力。第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R可以各自在台ST上被单独操作。

根据本说明书，“第一模式”可以被定义为第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R中包括的磁力部YP不与框架MF接触的状态。“第二模式”可以被定义为磁力部YP通过对应的驱动部DY和延伸部MP与框架MF接触的状态。在第二模式中，磁力部YP可以通过从对应的驱动部DY提供的磁力来改变框架MF的形状。

将参考图3和图4描述对准单元AU的功能。参考图3，当框架MF安置在台ST上时，框架MF可能未设置在台ST上的预设位置处，而是以错位状态设置在台ST上。当框架MF未能安置在台ST的正确位置上时，掩模MK可能以错位状态联接到框架MF，从而导致沉积精度的降低。图3示例性地示出了框架MF以错位状态安置在台ST上，而框架MF也可以以不同的状态被安置。

框架MF可以包括：下端部P1和上端部P2，各自大致在第一方向DR1上延伸并且在第二方向DR2上彼此间隔开；以及第一侧壁部P3和第二侧壁部P4，各自大致在第二方向DR2上延伸、在第一方向DR1上彼此间隔开并且各自连接到下端部P1和上端部P2以限定处于错位状态的框架开口OP-MF。在实施方式中，下端部P1和上端部P2中的每一个在第一方向DR1上的长度可以大于第一侧壁部P3和第二侧壁部P4中的每一个在第二方向DR2上的长度。

对准单元AU可以设置在下端部P1上并且在第一方向DR1上彼此间隔开。对准单元AU可以各自根据框架MF在平面视图中扭曲的平面扭曲程度被单独操作。在实施方式中，例如，设置在下端部P1的右侧上的对准单元AU可以向下表面S-P1施加外力，以在垂直方向My(第二方向DR2)上向上移动下端部P1的右侧。图4示出了框架MF通过对准单元AU以对准状态设置在台ST上。

根据本发明的实施方式，通过包括各自被单独操作以控制框架MF在台ST上的位置的对准单元AU，可以能够提供包括具有提高的沉积精度的掩模组件MSA(参见图2)的沉积设备ED(参见图1)。

参考图4，第二模式可以在框架MF在台ST上对准的状态下进行。也就是说，第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R中的每一个的磁力部YP可以与框架MF的对应侧表面接触。第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R可以各自被单独操作。因此，在第二模式中，第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R中包括的磁力部YP当中的任何一个可以保持为与框架MF不接触，并且剩余的磁力部YP可以与框架MF接触。

第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R中的每一个的磁力部YP可以通过对应的驱动部DY接收磁力。

图5A至图5C分别示例性地示出了在设置在台ST上同时由于固有张力而变形的状态下，其形状由于重力而改变的校正前的框架MF-a、MF-b和MF-c。图5D示出了正常状态下的框架MF。

框架MF-a、MF-b、MF-c或MF可以包括：下端部P1和上端部P2，各自在第一方向DR1上延伸并且在第二方向DR2上彼此间隔开；以及第一侧壁部P3和第二侧壁部P4，各自在第二方向DR2上延伸且在第一方向DR1上彼此间隔开，并且各自连接到下端部P1和上端部P2以限定框架开口OP-MF。框架MF-a、MF-b、MF-c和MF可以各自在其中限定对准孔A-H。

框架开口OP-MF的形状也可以改变为对应于其形状被改变的校正之前的框架MF-a、MF-b和MF-c中的每一个中包括的下端部P1、上端部P2、第一侧壁部P3和第二侧壁部P4中的至少一个的一部分的扭曲。在框架开口OP-MF的形状被改变的状态下将掩模MK联接到框架MF上可能降低沉积精度。

第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R可以各自被单独操作，以利用磁力将下端部P1、上端部P2、第一侧壁部P3和第二侧壁部P4当中的扭曲部分的形状改变为与正常状态下的框架MF的形状相似。在实施方式中，例如，第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R可以各自在朝向框架开口OP-MF的方向上使框架MF收缩，或者在与朝向框架开口OP-MF的方向相反的方向上使框架MF扩展。

根据本发明的实施方式，通过包括控制框架MF在台ST上的位置的对准单元AU，并且还包括改变框架MF的形状的第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R，可以在垂直型沉积设备中容易地校正由于重力而变形的大面积框架MF的形状。因此，可以最小化待联接到框架MF上的掩模MK的质量劣化，并且可以有效地提高沉积精度。

图6A至图6C是示出根据本发明的实施方式的用于掩模组件的形状校正方法的平面视图。与参考图1至图5D描述的那些部件相同/相似的部件被表示为相同/相似的参考数字或符号，并且省略了重复的描述。

参考图6A，根据实施方式的用于掩模组件的形状校正方法可以包括在台ST上设置在其中限定有框架开口OP-MF的框架MF。各自独立操作的对准单元AU和第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R可以设置在台ST上。

对准单元AU可以各自包括支撑部SP、驱动部DV和移动部MV。第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R可以各自包括驱动部DY、磁力部YP和延伸部MP。

之后，该方法可以包括通过对准单元AU控制框架MF在台ST上的位置。

框架MF可以包括：下端部P1和上端部P2，各自大致在第一方向DR1上延伸并且沿第二方向DR2彼此间隔开；以及第一侧壁部P3和第二侧壁部P4，各自大致在第二方向DR2上延伸且沿第一方向DR1彼此间隔开，并且各自连接到下端部P1和上端部P2以限定框架开口OP-MF。

在框架MF在台ST上的设置中，框架MF可能以错位状态安置在台ST上，并且此时，对准单元AU可以各自被单独操作，从而使框架MF设置在台ST上的预设位置处。在实施方式中，例如，设置在下端部P1的右侧上的对准单元AU可以向下表面S-P1施加外力，以朝向第二方向DR2(即，向上方向)移动下端部P1的右侧。

此后，参考图6B，根据实施方式的用于掩模组件的形状校正方法可以包括通过第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R来校正框架MF的形状。

框架MF的形状的校正可以包括：将磁力部YP压靠在框架MF上，以及将从驱动部DY产生的磁力提供到对应的磁力部YP。

将磁力部YP压靠框架MF可以在框架MF在台ST上被对准的状态下通过延伸部MP使磁力部YP与对应的下端部P1、第一侧壁部P3和第二侧壁部P4紧密接触。在向磁力部YP提供磁力时，可以通过驱动部DY向磁力部YP提供磁力。

延伸部MP的收缩或扩展操作可以改变紧密附接到磁力部YP的下端部P1、第一侧壁部P3和第二侧壁部P4的形状，并且因此框架MF的形状可以被校正。磁力部YP可以分别被对应的驱动部DY单独操作，并且可以使框架MF在朝向框架开口OP-MF的方向上收缩，或者使框架MF扩展。此时，可以使用框架MF中包括的对准孔A-H来确定下端部P1、第一侧壁部P3和第二侧壁部P4的形状是否被成功校正。在实施方式中，例如，在校正框架MF的形状之后，可以使用相机等检查对准孔A-H中的每一个的位置，以确定框架MF的形状校正是否成功。

此后，参考图6C，根据实施方式的用于掩模组件的形状校正方法可以包括将掩模MK联接到框架MF。掩模MK可以各自在其中限定在平面视图中与框架开口OP-MF重叠的多个沉积开口OP-MK。

掩模MK可以通过焊接工艺联接到框架MF。在实施方式中，例如，掩模MK中的每一个的相对端部可以设置在框架MF上，并且掩模MK和框架MF可以通过对掩模MK中的每一个的相对端部执行焊接工艺而联接在一起。由于焊接工艺，焊接突起WP可以形成在掩模MK中的每一个的相对端部上。

图7A和图7B是示出根据本发明的实施方式的用于掩模组件的形状校正方法的平面视图。图7C是示出根据本发明的实施方式的沉积开口的平面视图。将主要描述与参考图6A至图6C描述的方法的差异。

参考图7A，根据实施方式的用于掩模组件的形状校正方法可以包括在台ST上设置在其中限定有框架开口OP-MF的框架MF。各自独立操作的对准单元AU和第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R可以设置在台ST上。

根据实施方式，在将框架MF设置在台ST上之前，框架MF可以被提供为掩模MK通过焊接工艺联接到框架MF的状态。通过焊接工艺，掩模MK可以联接到框架MF，并且由于焊接工艺，焊接突起WP可以形成于在平面视图中与框架MF重叠的掩模MK中的每一个的相对端部上。

之后，该方法可以包括通过对准单元AU控制框架MF在台ST上的位置。框架MF在台ST上的位置的控制可以与参考图6A和图6B所描述的那些对应。

此后，参考图7B，根据实施方式的用于掩模组件的形状校正方法可以包括通过第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R来校正框架MF的形状。

框架MF的形状的校正可以包括：将磁力部YP压靠在框架MF上，以及将从驱动部DY产生的磁力提供到对应的磁力部YP。

延伸部MP的收缩或扩展操作可以改变紧密附接到磁力部YP的下端部P1、第一侧壁部P3和第二侧壁部P4的形状，并且因此框架MF的形状可以被校正。磁力部YP可以各自被单独操作，并且可以使框架MF在朝向框架开口OP-MF的方向上收缩，或者使框架MF扩展。

根据该实施方式，可以能够通过掩模MK中包括的沉积开口OP-MK来确定框架MF的形状校正是否成功。

参考图7C，可以在虚拟沉积表面ES上形成沉积图案PA，利用沉积图案PA可以预测沉积图案的形成位置。沉积图案PA可以对应于掩模MK的沉积开口OP-MK而形成。可以使用模拟装置等来确定沉积图案PA是否与对准区r-PA匹配，并且因此可以能够确定框架MF的形状校正是否成功。

在实施方式中，例如，形成在中间右侧和中间下端区间上的沉积图案PA偏离对应的对准区r-PA的程度从第一区AA1到第二区AA2和第三区AA3逐渐增大。在这种情况下，可以通过第一校正单元YU-B、第二校正单元YU-L和第三校正单元YU-R来执行框架MF的形状的校正，并且重复这样的处理可以使得能够确定沉积图案PA是否与对准区r-PA匹配，从而确定框架MF的形状校正是否成功。

图8是根据本发明的实施方式的显示面板的截面视图。

在实施方式中，显示面板DP可以是发光显示面板。在实施方式中，例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射图案可以包括有机发光材料，并且无机发光显示面板的发射图案可以包括无机发光材料。量子点发光显示面板的发射图案可以包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板DP可以被描述为有机发光显示面板。

显示面板DP可以包括多个像素。像素中的每一个可以包括至少一个晶体管和至少一个发光元件。图8示例性地示出了显示面板DP的像素当中设置有一个晶体管T1和一个发光元件OL的区。参考图8，显示面板DP可以包括基础层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OL和封装层TFL。

基础层BL可以提供其上设置有电路元件层DP-CL的基础表面。基础层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以形成于在显示面板DP的制造中使用的支撑衬底上，并且然后导电层、绝缘层等可以形成在合成树脂层上。之后，可以去除支撑衬底，并且已经从其去除了支撑衬底的合成树脂层可以对应于基础层BL。

至少一个无机层可以设置在基础层BL的上表面上。至少一个无机层可以包括阻挡层和/或缓冲层。图8示例性地示出了设置在基础层BL上的缓冲层BFL。缓冲层BFL可以提高基础层BL与电路元件层DP-CL的半导体图案之间的联接力。

电路元件层DP-CL可以设置在缓冲层BFL上。电路元件层DP-CL可以包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件可以包括信号线、像素的驱动线等。电路元件层DP-CL可以通过经由涂覆、沉积等方法形成绝缘层、半导体层和导电层，并且通过经由光刻方法对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化来形成。

在实施方式中，电路元件层DP-CL可以包括晶体管T1、连接信号线SCL、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及多个绝缘层。多个绝缘层可以包括依次堆叠在缓冲层BFL上的第一绝缘层10至第六绝缘层60。第一绝缘层10至第六绝缘层60可以各自包括无机层和有机层中的任一种。

晶体管T1可以包括栅电极Ga和半导体图案，半导体图案包括源极区Sa、有源区Aa和漏极区Da。晶体管T1的半导体图案可以包括多晶硅。然而，本发明的实施方式不限于此，并且半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。

半导体图案可以根据电导率被划分为多个区。在实施方式中，例如，半导体图案可以根据半导体图案是否被掺杂或者金属氧化物是否被还原而改变电性能。半导体图案的高导电区可以用作电极或信号线。高导电区可以对应于晶体管T1的源极区Sa和漏极区Da。具有相对低的电导率的未掺杂或未还原区可以对应于晶体管T1的有源区Aa(或沟道区)。

连接信号线SCL可以由半导体图案形成，并且与晶体管T1的源极区Sa、有源区Aa和漏极区Da设置在相同的层。根据实施方式，在平面视图中，连接信号线SCL可以电连接到晶体管T1的漏极区Da。

第一绝缘层10可以覆盖电路元件层DP-CL的半导体图案。栅电极Ga可以设置在第一绝缘层10上。栅电极Ga在平面视图中可以与有源区Aa重叠。栅电极Ga可以在掺杂半导体图案的工艺中充当掩模。上电极UE可以设置在第二绝缘层20上。在平面视图中，上电极UE可以与栅电极Ga重叠。

第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以设置在晶体管T1和发光元件OL之间，以将晶体管T1电连接到发光元件OL。第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层30上，以通过穿过第一绝缘层10至第三绝缘层30的接触孔CNT-1连接到连接信号线SCL。第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层50上，以通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔CNT-2连接到第一连接电极CNE1。

显示元件层DP-OL可以设置在电路元件层DP-CL上。显示元件层DP-OL可以包括发光元件OL和像素限定膜PDL。发光开口OP-PX可以限定在像素限定膜PDL中。发光元件OL可以包括第一电极AE、空穴传输区HCL、发光图案EML、电子传输区ECL和第二电极CE。

第一电极AE和像素限定膜PDL可以设置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以通过穿过第六绝缘层60的接触孔CNT-3连接到第二连接电极CNE2。像素限定膜PDL可以通过发光开口OP-PX暴露第一电极AE。第一电极AE的被发光开口OP-PX暴露的部分可以对应于发光区PXA。非发光区NPXA可以围绕发光区PXA。

空穴传输区HCL和电子传输区ECL可以公共地设置在发光区PXA和非发光区NPXA中。发光图案EML可以提供成与发光开口OP-PX对应的图案。显示面板DP中包括的发光图案EML可以通过参考图1描述的沉积设备ED来沉积。因此，参考图1所描述的衬底SUB可以是在显示面板DP上仅形成在形成发光图案EML之前的部件的状态下提供的衬底SUB。

发光图案EML可以以与膜状空穴传输区HCL和膜状电子传输区ECL的方式不同的方式来沉积。空穴传输区HCL和电子传输区ECL可以使用开口掩模公共地形成在多个像素中。可以使用被称为精细金属掩模(“FMM”)的掩模，根据像素不同地形成发光图案EML。

封装层TFL可以包括多个薄膜。在实施方式中，封装层TFL可以包括依次堆叠的第一薄膜EN1、第二薄膜EN2和第三薄膜EN3。第一薄膜EN1、第二薄膜EN2和第三薄膜EN3可以各自包括无机膜和有机膜中的任一种。无机膜可以保护发光元件OL免受湿气和/或氧气的影响。有机膜可以保护发光元件OL免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。然而，封装层TFL的构造不限于图8中所示的构造，只要能够保护发光元件OL或者提高发光效率即可。

根据本发明的实施方式，由于包括了控制框架在台上的位置的对准单元和改变框架的形状的校正单元，因此可以在垂直型沉积设备中容易地校正已经变形的大面积框架的形状。因此，可以最小化待联接到框架上的掩模的质量劣化，并且可以有效地提高沉积精度。

尽管已经描述了本发明的实施方式，但是应当理解，本发明不应限于这些实施方式，而是本领域普通技术人员能够在如随附的要求保护的本发明的精神和范围内做出各种改变和修改。

因此，本发明的技术范围不应限于说明书的详细描述中描述的内容，而应由权利要求书限定。

Claims (16)

1.一种沉积设备，包括：

室；

台，其中限定有台开口并且所述台设置在所述室内部；

框架，设置在所述台上，并且在所述框架中限定有与所述台开口对应的框架开口；

掩模，联接到所述框架，并且在所述掩模中限定有与所述框架开口对应的多个沉积开口；

沉积源，被配置为向所述框架开口喷射沉积材料；

多个对准单元，联接到所述台并且与所述框架接触以移动所述框架在所述台上的位置；以及

多个校正单元，所述多个校正单元中的每一个包括设置在所述台上并且与所述框架相邻的磁力部以及被配置为向所述磁力部提供磁力的驱动部，其中，所述多个校正单元被配置为改变所述框架的形状并且联接到所述台。

2.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，所述磁力部在第一模式中不与所述框架接触，并且

在第二模式中与所述框架的对应侧接触，并且

在所述第二模式中，所述磁力部通过从所述驱动部提供的所述磁力使所述框架在朝向所述框架开口的方向上收缩，或者使所述框架扩展。

3.根据权利要求2所述的沉积设备，其中，所述框架开口的形状被改变为与当所述框架的形状被改变时的所述框架的所述形状对应。

4.根据权利要求2所述的沉积设备，其中，施加到各个所述磁力部的所述磁力在强度上彼此不同。

5.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，所述多个校正单元中的每一个还包括设置在所述磁力部和所述驱动部之间的延伸部，并且所述延伸部的长度在所述台上改变。

6.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，所述框架包括第一部、第二部、第三部和第四部，所述第一部和所述第二部在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，所述第三部和所述第四部在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开，并且所述第三部和所述第四部连接到所述第一部和所述第二部以限定所述框架开口，以及

所述多个校正单元中的一些校正单元与所述第一部相邻地设置成沿所述第一方向彼此间隔开。

7.根据权利要求6所述的沉积设备，其中，所述多个校正单元中的其他一些校正单元与所述第三部相邻地设置成沿所述第二方向彼此间隔开，并且

所述多个校正单元中的剩余校正单元与所述第四部相邻地设置成沿所述第二方向彼此间隔开。

8.根据权利要求7所述的沉积设备，其中，所述第三部和所述第四部中的每一个在所述第二方向上的长度小于所述第一部在所述第一方向上的长度，并且

与所述第三部和所述第四部中的每一个相邻设置的所述校正单元的总数量等于或大于与所述第一部相邻设置的所述校正单元的总数量。

9.根据权利要求6所述的沉积设备，其中，所述多个对准单元在所述第一部上设置成沿所述第一方向彼此间隔开，并且所述多个对准单元各自被单独操作。

10.根据权利要求9所述的沉积设备，其中，所述多个对准单元中的每一个在所述第二方向上移动所述框架。

11.一种用于掩模组件的形状校正方法，包括：

将框架设置在联接有多个对准单元和多个校正单元的台上，在所述框架中限定有框架开口；

通过所述多个对准单元控制所述框架在所述台上的位置；以及

通过所述多个校正单元校正所述框架的形状。

12.根据权利要求11所述的形状校正方法，其中，所述多个校正单元中的每一个包括被配置为产生磁力的驱动部以及连接到所述驱动部以从所述驱动部接收所述磁力的磁力部，以及

所述框架的所述形状的所述校正包括：

将所述磁力部压靠在所述框架上；以及

向所述磁力部提供从所述驱动部产生的所述磁力。

13.根据权利要求12所述的形状校正方法，其中，多个所述磁力部中的每一个被对应的驱动部单独操作，并且

在向所述磁力部提供所述磁力的过程中，所述磁力部使所述框架在朝向所述框架开口的方向上收缩，或者使所述框架扩展。

14.根据权利要求11所述的形状校正方法，还包括：将限定有多个沉积开口的至少一个掩模联接到所述框架上。

15.根据权利要求14所述的形状校正方法，其中，在所述框架的所述形状的所述校正之后执行所述至少一个掩模的所述联接，并且

所述框架的所述形状的所述校正使用在所述框架中限定的多个对准孔从所述框架的扭曲形状恢复所述框架的正确形状。

16.根据权利要求14所述的形状校正方法，其中，在所述框架在所述台上的所述设置之前执行所述至少一个掩模的所述联接，并且

所述框架的所述形状的所述校正通过确定所述多个沉积开口的对准精度从所述框架的扭曲形状恢复所述框架的正确形状。