KR20200131366A - 마스크 어셈블리 및 이를 포함하는 증착설비 - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 101000945096 Homo sapiens Ribosomal protein S6 kinase alpha-5 Proteins 0.000 description 10
- 102100033645 Ribosomal protein S6 kinase alpha-5 Human genes 0.000 description 10
- 101000945093 Homo sapiens Ribosomal protein S6 kinase alpha-4 Proteins 0.000 description 6
- 108010057081 Merozoite Surface Protein 1 Proteins 0.000 description 6
- 102100033644 Ribosomal protein S6 kinase alpha-4 Human genes 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 208000020997 susceptibility to multiple system atrophy 1 Diseases 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- APCLRHPWFCQIMG-UHFFFAOYSA-N 4-(5,6-dimethoxy-1-benzothiophen-2-yl)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=C(OC)C(OC)=CC2=C1SC(C(=O)CCC(O)=O)=C2 APCLRHPWFCQIMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150092365 MSA2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100240989 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) nrd1 gene Proteins 0.000 description 2
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L51/56—
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L51/0011—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
마스크 어셈블리는 프레임, 스틱들, 및 마스크들을 포함한다. 상기 복수 개의 스틱들 각각은 제1 엣지와 제2 엣지를 포함하고, 제1 최외측 스틱 및 제2 최외측 스틱 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지의 형상은 상이하며, 내측 스틱들 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 적어도 하나는 직선이다. 상기 마스크는 복수 개의 제2 개구부들이 정의된 개구영역과 상기 개구영역에 인접한 비개구영역을 포함한다. 상기 개구영역은 상기 스틱들 중 인접한 2개의 스틱들 사이에 배치된 유효영역 및 상기 내측 스틱들에 중첩하는 비유효영역을 포함한다. 상기 비개구영역은 상기 제2 방향으로 연장된 외측영역 및 상기 외측영역으로부터 상기 제1 방향으로 연장된 내측영역을 포함하고, 상기 내측영역의 적어도 일부분은 평면상에서 상기 내측 스틱들에 비중첩한다.
Description
본 발명은 마스크 어셈블리 및 이를 포함하는 증착설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 열에 의한 변형이 방지될 수 있는 마스크 어셈블리 및 이를 포함하는 증착설비에 관한 것이다.
일반적으로 발광 표시장치는 화소들마다 발광소자가 배치된다. 발광소자는 2개의 전극 사이에 배치된 발광층을 포함한다. 화소들에 배치되는 발광층들은 복수개의 그룹으로 구분될 수 있다.
복수개의 그룹의 발광층들을 작업기판에 증착하기 위해서 마스크 어셈블리를 이용한다. 마스크 어셈블리는 프레임, 지지스틱, 및 마스크를 포함한다. 마스크 상에 작업기판을 배치한 후 발광물질을 작업기판에 증착함으로써 패터닝된 발광층들이 형성될 수 있다.
본 발명의 목적은 열안정성이 우수하고 변형이 적은 마스크 어셈블리를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 고정부재에 대해 안정적으로 결합될 수 있는 마스크 어셈블리를 포함하는 증착설비를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리는 프레임, 복수 개의 스틱들, 및 마스크들을 포함한다. 프레임에는 제1 개구부가 정의된다. 상기 복수 개의 스틱들은 상기 제1 개구부에 중첩하도록 상기 프레임에 결합되고, 제1 방향으로 연장되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 나열된다. 상기 마스크는 상기 프레임과 상기 복수 개의 스틱들 상에 배치되며, 상기 제2 방향으로 연장된다. 상기 복수 개의 스틱들 각각은 상기 제2 방향에서 마주하는 제1 엣지와 제2 엣지를 포함하고, 상기 복수 개의 스틱들 중 최외측에 배치된 제1 최외측 스틱 및 제2 최외측 스틱 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지의 형상은 상이하다. 상기 스틱들 중 상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱 사이에 배치된 내측 스틱들 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 적어도 하나는 직선이다. 상기 마스크는 복수 개의 제2 개구부들이 정의된 개구영역과 상기 개구영역에 인접한 비개구영역을 포함한다. 상기 개구영역은 상기 스틱들 중 인접한 2개의 스틱들 사이에 배치된 유효영역 및 상기 내측 스틱들에 중첩하는 비유효영역을 포함한다. 상기 비개구영역은 상기 제2 방향으로 연장된 외측영역 및 상기 외측영역으로부터 상기 제1 방향으로 연장된 내측영역을 포함한다. 상기 내측영역의 적어도 일부분은 평면상에서 상기 내측 스틱들에 비-중첩할 수 있다.
상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 상기 내측 스틱들에 더 인접한 엣지는 비직선영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 상기 비직선영역을 포함하는 엣지와 상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 상기 비직선영역을 포함하는 엣지는 상기 제1 방향에 평행한 방향축을 기준으로 비대칭일 수 있다.
상기 프레임은, 상기 제1 방향에서 마주하는 제1 연장 부분 및 제2 연장 부분 및 상기 제2 방향에서 마주하며 각각이 상기 제1 연장 부분과 상기 제2 연장 부분을 연결하는 제3 연장 부분 및 제4 연장 부분을 포함할 수 있다.
상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱은 상기 제3 연장 부분과 상기 제4 연장 부분에 각각 인접하게 배치되고, 상기 제1 최외측 스틱의 상기 제2 엣지와 상기 내측 스틱들 중 상기 제1 최외측 스틱에 가장 인접하게 배치된 제1 내측 스틱의 상기 제1 엣지는 상기 유효영역을 정의할 수 있다.
상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 내측 스틱들 중 상기 제2 최외측 스틱에 가장 인접하게 배치된 제2 내측 스틱의 상기 제2 엣지는 상기 유효영역을 정의할 수 있다. 상기 제1 최외측 스틱의 상기 제2 엣지와 상기 제1 내측 스틱의 상기 제1 엣지가 정의하는 상기 유효영역과 상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 제2 내측 스틱의 상기 제2 엣지가 정의하는 상기 유효영역은 평면 상에서 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 내측 스틱들 중 상기 제2 최외측 스틱에 가장 인접하게 배치된 제2 내측 스틱의 상기 제2 엣지는 상기 유효영역을 정의할 수 있다. 상기 제1 최외측 스틱의 상기 제2 엣지와 상기 제1 내측 스틱의 상기 제1 엣지가 정의하는 상기 유효영역 내 배치된 상기 제2 개구부들의 배열과 상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 제2 내측 스틱의 상기 제2 엣지가 정의하는 상기 유효영역 내 배치된 상기 제2 개구부들의 배열은 서로 동일할 수 있다.
상기 외측영역은 상기 제1 방향에서 마주하는 제1 외측영역 및 제2 외측영역을 포함할 수 있다. 상기 내측영역은 상기 내측 스틱들 중 대응하는 내측 스틱을 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격된 상측 영역 및 하측 영역을 포함할 수 있다.
상기 상측 영역 및 상기 하측 영역 각각은, 상기 제1 외측영역으로부터 연장된 일측 영역 및 상기 제2 외측영역으로부터 연장된 타측 영역을 포함할 수 있다.
상기 상측 영역의 상기 일측 영역과 상기 하측 영역의 상기 일측 영역은 서로 다른 형상 및 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
상기 상측 영역의 상기 일측 영역과 상기 상측 영역의 타측 영역은 상기 제2 방향에 평행한 방향축을 기준으로 대칭일 수 있다.
상기 하측 영역의 상기 일측 영역과 상기 하측 영역의 타측 영역 및 상기 대응하는 내측 스틱이 정의하는 상기 유효영역의 제1 경계는 상기 제1 최외측 스틱의 상기 제2 엣지가 정의하는 상기 유효영역의 제1 경계와 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 상측 영역의 상기 일측 영역과 상기 상측 영역의 타측 영역 및 상기 대응하는 내측 스틱이 정의하는 상기 유효영역의 제2 경계는 상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지가 정의하는 상기 유효영역의 제2 경계와 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 경계와 상기 제2 경계는 상기 제1 방향에 평행한 방향축을 기준으로 대칭일 수 있다.
상기 상측 영역과 상기 하측 영역 사이의 거리는 상기 대응하는 내측 스틱의 너비와 실질적으로 동일 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리는 프레임, 복수 개의 스틱들, 및 마스크들을 포함한다. 프레임에는 제1 개구부가 정의되고, 복수 개의 스틱들은 상기 제1 개구부에 중첩하도록 상기 프레임에 결합된다. 상기 마스크는 상기 프레임과 상기 복수 개의 스틱들 상에 배치되며, 상기 복수 개의 스틱들과 교차한다. 상기 복수 개의 스틱들 중 최외측에 배치된 제1 최외측 스틱 및 제2 최외측 스틱 각각은 비-선형이고, 상기 스틱들 중 상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱 사이에 배치된 내측 스틱들 각각은 선형이다. 상기 마스크는 복수 개의 제2 개구부들이 정의된 개구영역과 상기 개구영역에 인접한 비개구영역을 포함하고, 상기 개구영역은 상기 스틱들 중 인접한 2개의 스틱들 사이에 배치된 유효영역 및 상기 내측 스틱들에 중첩하는 비유효영역을 포함할 수 있다. 상기 비개구영역은 상기 마스크의 길이 방향으로 연장된 외측영역 및 상기 외측영역으로부터 상기 스틱들의 상기 길이 방향으로 연장된 내측영역을 포함할 수 있다. 평면상에서 볼 때, 상기 내측영역은 상기 내측 스틱들로부터 연속되며, 상기 내측영역은 상기 제1 최외측 스틱 및 상기 제2 최외측 스틱과 비-연속적일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비는 챔버, 상기 챔버 내측에 배치된 증착 소스, 상기 챔버 내측에 배치되고, 상기 증착 소스 상에 배치되며, 작업기판을 지지하는 마스크 어셈블리, 및 상기 챔버 내측에 배치되고, 상기 증착 소스 상에 배치되며, 상기 마스크 어셈블리를 고정하는 고정부재를 포함할 수 있다. 마스크 어셈블리는 상술한 마스크 어셈블리 중 어느 하나일 수 있다.
상기 고정부재는 제1 방향으로 연장되며 상기 제2 방향으로 나열된 복수 개의 자성체들을 포함하고, 상기 복수 개의 자성체들 중 상기 제1 최외측 스틱 및 상기 제2 최외측 스틱에 인접한 자성체들 사이의 간격은 상기 내측 스틱들에 인접한 자성체들 사이의 간격과 다르다.
상기 스틱들은 상기 마스크 대비 상기 복수 개의 자성체들에 대한 결합력이 약하다.
상기 스틱들은 스테인리스 스틸을 포함하고, 상기 마스크는 니켈 또는 니켈 합금을 포함할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 마스크에 대비하여 열팽창계수가 큰 스틱의 형상은 선형(linear shape)이다. 스틱의 열변형을 최소화하고, 영역에 무관하게 균일한 변형이 발생하도록 스틱의 변형이 제어됨으로써 프레임의 변형을 억제할 수 있다. 결과적으로 마스크 어셈블리의 열변형을 억제할 수 있다.
최외측 스틱에 비선형 형상의 스틱을 적용함으로써 마스크의 최외측 영역에서 마스크의 비개구영역의 면적을 감소시킬 수 있다. 최외측 영역에서 고정부재의 자성체와 마스크 사이에 척력이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 결과적으로 마스크 어셈블리와 고정부재의 결합력이 증가한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 부분 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 평면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 평면도이다.
도 4c 및 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크와 스틱의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 4e 및 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 및 제2 최외측 스틱의 평면도이다.
도 5a는 비교예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 5b는 비교예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들 사이의 자기력을 도시한 그래프이다.
도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들 사이의 자기력을 도시한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 작업기판의 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 하나의 유닛셀 영역에 대한 평면도이다.
도 8은 도 7의 AA 영역의 확대된 평면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 마스크의 확대된 평면도이다.
도 9b는 도 9a에 도시된 제1 마스크와 유닛셀 영역의 배치관계를 도시한 단면도이다.
도 9c 및 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 마스크 및 제3 마스크의 확대된 평면도이다.
도 10 내지 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 평면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 평면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 평면도이다.
도 4c 및 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크와 스틱의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 4e 및 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 및 제2 최외측 스틱의 평면도이다.
도 5a는 비교예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 5b는 비교예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들 사이의 자기력을 도시한 그래프이다.
도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들 사이의 자기력을 도시한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 작업기판의 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 하나의 유닛셀 영역에 대한 평면도이다.
도 8은 도 7의 AA 영역의 확대된 평면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 마스크의 확대된 평면도이다.
도 9b는 도 9a에 도시된 제1 마스크와 유닛셀 영역의 배치관계를 도시한 단면도이다.
도 9c 및 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 마스크 및 제3 마스크의 확대된 평면도이다.
도 10 내지 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 평면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비의 단면도이다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 본 실시예에서 표시패널(DP)은 발광 표시패널일 수 있다. 도 1은 복수 개의 화소들 중 하나에 대응하는 단면을 도시하였다. 2개의 트랜지스터(T1, T2) 및 발광소자(OLED)에 대응하는 단면을 도시하였다.
도 1에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OLED), 및 표시 소자층(DP-OLED) 상에 배치된 절연층(TFL, 이하 상부 절연층으로 정의됨)을 포함한다.
베이스층(BL)은 합성수지층을 포함할 수 있다. 표시패널(DP)의 제조시에 이용되는 지지기판 상에 합성수지층을 형성한다. 이후 합성수지층 상에 도전층 및 절연층 등을 형성한다. 지지기판이 제거되면 합성수지층은 베이스층(BL)에 대응한다.
회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함한다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성공정과 포토리소그래피 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층층의 패터닝 공정을 통해 회로 소자층(DP-CL)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 회로 소자층(DP-CL)은 버퍼층(BFL), 배리어층(BRL), 및 제1 내지 제7 절연층(10 내지 70)을 포함한다. 버퍼층(BFL), 배리어층(BRL), 및 제1 내지 제7 절연층(10 내지 70)은 무기막 및 유기막 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL) 및 배리어층(BRL)은 무기막을 포함할 수 있다. 제5 내지 제7 절연층(50 및 70) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다.
도 1에는 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 구성하는 제1 액티브(A1), 제2 액티브(A2), 제1 게이트(G1), 제2 게이트(G2), 제1 소스(S1), 제2 소스(S2), 제1 드레인(D1), 제2 드레인(D2)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 본 실시예에서 제1 액티브(A1) 및 제2 액티브(A2)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 제1 액티브(A1)는 폴리 실리콘 반도체를 포함하고, 제2 액티브(A2)는 금속 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 제1 소스(S1) 및 제1 드레인(D1)은 제1 액티브(A1)에 비해 도핑 농도가 큰 영역으로써, 전극의 기능을 갖는다. 제2 소스(S2) 및 제2 드레인(D2)은 금속 산화물 반도체를 환원시킨 영역으로써, 전극의 기능을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 액티브(A1) 및 제2 액티브(A2)가 서로 동일한 반도체 물질을 포함할 수 있고, 이때 회로 소자층(DP-CL)의 적층 구조는 더 단순해질 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL) 및 발광소자(OLED)를 포함한다. 발광소자(OLED)는 유기발광 다이오드 또는 퀀텀닷 발광 다이오드일 수 있다. 애노드(AE)가 제7 절연층(70) 상에 배치된다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 애노드(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 발광영역(PXA)을 정의할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워싸을 수 있다.
정공 제어층(HCL) 및 전자 제어층(ECL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 개구부(OP)에 대응하도록 패턴 형태로 제공될 수 있다. 막 형태의 정공 제어층(HCL) 및 전자 제어층(ECL) 대비 발광층은 다른 방식으로 증착될 수 있다. 소정의 형상을 갖는 발광층(EML)을 형성하기 위해 마스크 어셈블리가 사용될 수 있다.
정공 제어층(HCL)과 전자 제어층(ECL)은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다. 발광층(EML)은 FMM(fine metal mask)이라 지칭되는 마스크를 이용하여 화소들에 따라 다르게 형성될 수 있다.
상부 절연층(TFL)이 배치된다. 상부 절연층(TFL)은 복수 개의 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 박막들은 무기막 및 유기막을 포함할 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 표시 소자층(DP-OLED)을 봉지하기 위한 절연층 및 출광효율을 향상시키기 위한 절연층 등을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비(DA)의 단면도이다. 본 실시예에 따른 증착설비(DA)는 도 1의 표시패널(DP), 특히 발광층(EML)의 증착 공정에 이용될 수 있다.
도 2에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비(DA)는 증착 챔버(CB), 고정부재(CM), 증착 챔버(CB)의 내측에 배치된 증착 소스(DS), 및 증착 챔버(CB)의 내측에 배치된 마스크 어셈블리(MSA)를 포함한다. 별도로 도시하지 않았으나, 증착설비(DA)는 인라인 시스템을 구현하기 위한 추가 기계장치를 더 포함할 수 있다.
증착 챔버(CB)는 증착조건을 진공으로 설정할 수 있다. 증착 챔버(CB)는 바닥면, 천장면, 및 측벽들을 포함할 수 있다. 증착 챔버(CB)의 바닥면은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 증착 챔버(CB)의 바닥면의 법선 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3) 각각 이 지시하는 방향으로써 정의되고, 동일한 도면 부호를 참조한다. 이하에서 표현되는 "평면 상에서"는 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한 면을 기준으로 설정된다.
고정부재(CM)는 증착 챔버(CB)의 내측에 배치되고, 증착 소스(DS) 상에 배치되며, 마스크 어셈블리(MSA)를 고정한다. 고정부재(CM)는 증착 챔버(CB)의 천장면에 설치될 수 있다. 고정부재(CM)는 마스크 어셈블리(MSA)를 홀딩하는 지그 또는 로봇암을 포함할 수 있다.
고정부재(CM)는 바디부(BD) 및 바디부(BD)에 결합된 자성체들(MM)을 포함한다. 바디부(BD)는 마스크 어셈블리(MSA)를 고정하기 위한 기본구조로써 플레이트를 포함할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 자성체들(MM)은 바디부(BD)의 내측에 배치되거나, 외측에 배치될 수 있다. 자성체들(MM)은 자기력으로 마스크 어셈블리(MSA)를 고정할 수 있다.
증착 소스(DS)는 증착 물질, 예컨대 발광물질을 증발시켜, 증착 증기로써 분출할 수 있다. 해당 증착 증기는 마스크 어셈블리(MSA)를 통과하여 소정의 패턴으로 작업기판(WS)에 증착된다.
마스크 어셈블리(MSA)는 증착 챔버(CB)의 내측에 배치되고, 증착 소스(DS) 상에 배치되며, 작업기판(WS)을 지지한다. 작업기판(WS)은 유리기판 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 작업기판(WS)은 베이스 기판 상에 배치된 고분자층을 포함할 수 있다. 표시패널의 제조공정의 후반부에서 베이스 기판은 제거될 수 있으며, 고분자층이 도 1의 베이스층(BL)에 해당할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리(MSA)의 사시도이다. 도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리(MSA)의 평면도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(MSK)의 평면도이다. 도 4c 및 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(MSK)와 스틱(ST)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 도 4e 및 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 및 제2 최외측 스틱(ST1, ST5)의 평면도이다.
도 3 내지 도 4f에 도시된 것과 같이, 마스크 어셈블리(MSA)는 프레임(FM), 복수 개의 스틱들(ST), 및 복수 개의 마스크들(MSK)을 포함한다. 본 실시예에서 동일한 방향으로 연장된 1종의 스틱들(ST)을 포함하는 마스크 어셈블리(MSA)를 도시하였으나, 본 발명의 일 실시예에서 마스크 어셈블리(MSA)는 다른 방향으로 연장된 다른 종류의 스틱들을 더 포함할 수 있다.
프레임(FM)에는 내측에 개구부(OP-F, 이하 제1 개구부)가 정의된다. 프레임(FM)은 평면 상에서 직사각형상을 가질 수 있다. 프레임(FM)은 제1 방향(DR1)의 제1 길이를 갖고, 제1 길이와 다른 제2 방향(DR2)의 제2 길이를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제1 길이는 제2 길이보다 길다.
프레임(FM)은 그 재료로써 금속 물질로 구성될 수 있다. 예컨대, 열팽창계수가 상대적으로 작은 인바를 포함할 수 있다. 프레임(FM)은 예컨대 니켈(Ni), 니켈-코발트 합금, 니켈-철 합금 등을 포함할 수 있다. 프레임(FM)은 4개의 부분들을 포함할 수 있다. 프레임(FM)은 제1 방향(DR1)에서 마주하는 제1 연장 부분(FM-1) 및 제2 연장 부분(FM-2)을 포함할 수 있다. 프레임(FM)은 제2 방향(DR2)에서 마주하며 각각이 제1 연장 부분(FM-1) 및 제2 연장 부분(FM-2)을 연결하는 제3 연장 부분(FM-3) 및 제4 연장 부분(FM-4)을 포함할 수 있다. 제1 연장 부분(FM-1) 내지 제4 연장 부분(FM-4)은 용접 등에 의해 결합되거나, 일체의 형상을 가질 수도 있다.
프레임(FM)에는 복수 개의 결합홈들이 정의될 수 있다. 예컨대, 제1 연장 부분(FM-1) 및 제2 연장 부분(FM-2) 각각에는 스틱들(ST)이 결합되는 결합홈들(CGV)이 정의될 수 있다. 스틱들(ST)은 제1 개구부(OP-F)에 중첩하도록 프레임(FM)에 결합된다. 스틱들(ST) 각각의 양측 부분들은 결합홈들(CGV)에 결합된다.
마스크들(MSK)은 프레임(FM)과 스틱들(ST) 상에 배치되며, 제2 방향(DR2)으로 연장되며 제1 방향(DR1)으로 나열될 수 있다. 마스크들(MSK)은 그 재료로써, 열팽창계수가 작은 인바를 포함할 수 있다. 마스크들(MSK)은 예컨대 니켈(Ni), 니켈-코발트 합금, 니켈-철 합금 등을 포함할 수 있다.
마스크들(MSK) 각각에는 복수 개의 개구부들(OP-M, 이하 제2 개구부들)이 정의된다. 마스크들(MSK) 각각은 제2 개구부들(OP-M)이 정의된 개구영역(A-OP)과 개구영역(A-OP)에 인접한 비개구영역(A-NOP)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 마스크들(MSK) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연속적으로 정의된 단일의 개구영역(A-OP)을 포함할 수 있다. 제2 개구부들(OP-M)은 개구영역(A-OP) 내에서 소정의 규칙을 이루며(또는 균일하게) 배치된다.
마스크들(MSK)은 프레임(FM)에 용접하여 결합될 수 있다. 마스크 어셈블리(MSA)를 제조하는 과정에서, 마스크들(MSK) 각각을 제2 방향(DR2)으로 인장시킨 상태에서 마스크들(MSK)을 프레임(FM)에 용접한다. 마스크 어셈블리(MSA)는 복수 개의 분할 마스크들(MSK)을 포함한다. 분할 마스크들(MSK) 프레임(FM)에 대응하는 1개의 대형 마스크 대비 마스크의 처짐 현상이 적게 발생한다.
스틱들(ST)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)으로 나열될 수 있다. 스틱들(ST)은 프레임(FM) 및/또는 마스크(MSK) 대비 자성체들(MM, 도 2 참조)에 대한 결합력이 약하다. 스틱들(ST)은 자기력에 반응을 하지 않는 재료, 예컨대 스테인리스 스틸을 포함할 수 있다.
도 3에는 5개의 스틱들(ST1 내지 ST5)이 예시적으로 도시되었다. 스틱들(ST) 중 최외측에 배치된 2개의 스틱들(ST1 및 ST5)은 최외측 스틱으로 정의되고, 2개의 최외측 스틱들(ST1 및 ST5) 사이에 배치된 나머지 스틱들(ST2 내지 ST4)은 내측 스틱으로 정의될 수 있다. 제1 최외측 스틱(ST1) 및 제2 최외측 스틱(ST5)은 제2 방향(DR3)에서 마주하며, 제3 연장 부분(FM-3) 및 제4 연장 부분(FM-4)에 각각 인접하게 배치된다.
스틱들(ST) 각각은 제2 방향(DR2)에서 마주하는 제1 엣지(ED1)와 제2 엣지(ED2)를 갖는다. 스틱들(ST)은 프레임(FM) 및/또는 후술하는 마스크(MSK) 대비 큰 열팽창율을 갖는다. 도 2에 도시된 증착 소스(DS)로부터 제공된 증착 증기에 의해 상대적으로 스틱들(ST)의 열변형이 더 쉽게 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 내측 스틱들(ST2 내지 ST4) 각각의 제1 엣지(ED1)와 제2 엣지(ED2) 중 적어도 하나는, 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면 상에서 볼 때, 직선(straight line)일 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제1 엣지(ED1)와 제2 엣지(ED2)는 모두 직선일 수 있고, 제1 엣지(ED1)와 제2 엣지(ED2)는 제1 방향축(DR1)에 평행할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 마스크 어셈블리(MSA)의 열변형을 감소시키기 위해 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)의 형상은 선형일 수 있다. 적어도 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)의 제1 개구부(OP-F)에 중첩하는 영역의 제2 방향(DR2)의 너비(W1)는 일정한 값을 가질 수 있다. 이러한 형상은 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)의 열변형을 최소화하고, 영역에 무관하게 균일한 변형이 발생하도록 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)의 변형을 제어한다. 결과적으로, 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)의 변형이 억제되고, 프레임(FM)의 변형도 억제할 수 있다.
내측 스틱들(ST2 내지 ST4)의 제1 엣지(ED1)와 제2 엣지(ED2)는 제1 방향축(DR1)에 대하여 대칭인 형상을 가질 수 있다. 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)은 서로 동일한 형상을 가질 수도 있다.
본 실시예에서 최외측 스틱들(ST1, ST5)은 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)과 다른 형상을 가질 수 있다. 평면상에서 최외측 스틱들(ST1, ST5)의 제1 엣지(ED1)와 제2 엣지(ED2)의 형상은 상이할 수 있다. 최외측 스틱들(ST1, ST5)은 비-선형일 수 있다. 이하, 최외측 스틱들(ST1, ST5)의 형상 및 마스크(MSK)의 비개구영역(A-NOP)의 형상에 대해 도 4a 내지 도 4f를 참조하여 상세히 설명한다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 개구영역(A-OP)은 스틱들(ST1 내지 ST5) 중 인접한 2개의 스틱들 사이에 배치된 유효영역(OP-E) 및 스틱들(ST1 내지 ST5)에 중첩하는 비유효영역(OP-NE)을 포함한다. 본 실시예에서, 하나의 마스크(MSK)의 개구영역(A-OP)에 4개의 유효영역(OP-E)이 정의된다.
비유효영역(OP-NE)은 제1 및 제2 최외측 스틱(ST1, ST5)에 중첩하는 외측 비유효영역(OP-NEO) 및 내측 스틱(ST2 내지 ST4)에 중첩하는 내측 비유효영역(OP-NEI)을 포함한다.
외측 비유효영역(OP-NEO)의 제2 방향(DR2) 내 경계는 제1 및 제2 최외측 스틱(ST1, ST5)의 형상에 의해 결정된다. 외측 비유효영역(OP-NEO)은 마스크(MSK) 자체에서는 유효영역(OP-E)과 구별되지 않을 수 있다. 내측 비유효영역(OP-NEI)의 제2 방향(DR2) 내 경계는 후술하는 내측영역(NOP-I1, NOP-I2) 및 내측 스틱(ST2 내지 ST4)에 의해 구분될 수 있다.
복수 개의 유효영역들(OP-E)은 후술하는 작업기판(WS, 도 6 참조)의 복수 개의 유닛셀 영역들(US, 도 6 참조)에 1 대 1로 대응한다. 유닛셀 영역들(US)마다 표시패널의 표시영역(DP-DA)이 형성된다.
본 실시예에 따른 마스크 어셈블리(MSA)는 비정형적인 형상의 표시영역(DP-DA, 도 6 및 도 7 참조)을 포함하는 작업기판(WS)의 증착 공정에 이용될 수 있다. 여기서 "비정형적인 형상이란, 평면상에서 실질적으로 직사각형상(코너각이 90도 또는 90도가 아니더라도 90도에 근접한 직사각형상)이 아닌 형상을 의미한다. 예컨대, 비정형적인 형상의 표시영역(DP-DA)은 일측 엣지가 곡선을 포함하거나, 오목영역 또는 볼록영역을 포함할 수 있다.
비개구영역(A-NOP)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 외측영역(NOP-O1, NOP-O2) 및 외측영역(NOP-O1, NOP-O2)으로부터 제1 방향(DR1)으로 연장된 내측영역(NOP-I1, NOP-I2)을 포함한다. 개구영역(A-OP)과 비개구영역(A-NOP)이 마스크(MSK) 내에서 물리적으로 구분되는 것은 아니다. 외측영역(NOP-O1, NOP-O2)의 경계는 제2 개구부들(OP-M) 중 최외측에 배치된 일부의 제2 개구부들을 연결한 가상선으로 설정될 수 있다.
내측영역(NOP-I1, NOP-I2)의 적어도 일부분은 평면상에서 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)에 비-중첩한다. 내측영역(NOP-I1, NOP-I2)은 평면상에서 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)에 비-중첩할 수 있고, 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)의 엣지는 내측영역(NOP-I1, NOP-I2)의 엣지에 정렬될 수 도 있다. 다시 말해, 평면상에서 볼 때, 내측영역(NOP-I1, NOP-I2)은 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)로부터 연속적이다.
외측영역(NOP-O1, NOP-O2)은 제1 방향(DR1)에서 마주하는 제1 외측영역(NOP-O1) 및 제2 외측영역(NOP-O2)을 포함한다. 별도로 표시하지 않았으나, 외측영역(NOP-O1, NOP-O2)은 제2 방향(DR2)에서 마주하는 영역들을 더 포함할 수 있다. 내측영역(NOP-I1, NOP-I2)은 내측 스틱들(ST2 내지 ST4) 중 대응하는 내측 스틱을 사이에 두고 제2 방향(DR2)에서 이격된 상측 영역(NOP-I1) 및 하측 영역(NOP-I2)을 포함한다. 상측 영역(NOP-I1)과 하측 영역(NOP-I2) 사이의 거리는 내측 스틱들(ST2 내지 ST4) 중 대응하는 내측 스틱의 너비(W1)와 실질적으로 동일할 수 있다.
상측 영역(NOP-I1) 및 하측 영역(NOP-I2) 각각은 제1 외측영역(NOP-O1)으로부터 연장된 일측 영역(NOP-L) 및 제2 외측영역(NOP-O2)으로부터 연장된 타측 영역(NOP-R)을 포함한다.
본 실시예에서 상측 영역(NOP-I1)의 일측 영역(NOP-L)과 타측 영역(NOP-R)은 제2 방향축(DR2)을 기준으로 대칭일 수 있다. 또한, 하측 영역(NOP-I2)의 일측 영역(NOP-L)과 타측 영역(NOP-R)은 제2 방향축(DR2)을 기준으로 대칭일 수 있다. 다만, 본원 발명은 이에 제한되지 않고, 상측 영역(NOP-I1) 및 하측 영역(NOP-I2) 중 적어도 어느 하나의 상측 영역(NOP-I1)과 하측 영역(NOP-I2)은 제2 방향축(DR2)을 기준으로 비-대칭일 수 있다.
본 실시예에서 제1 방향(DR1)에서 이격된 상측 영역(NOP-I1) 및 하측 영역(NOP-I2)을 도시하였으나 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서 상측 영역(NOP-I1) 및 하측 영역(NOP-I2) 중 적어도 어느 하나의 상측 영역(NOP-I1)과 하측 영역(NOP-I2)은 연장된 형태로 일체의 형상을 가질 수 있다. 이때, 개구영역(A-OP)은 서로 구분되는 복수 개의 영역을 포함할 수 있다.
도 4c 및 도 4d를 참조하여 비정형적인 형상의 유효영역(OP-E)에 대해 설명한다. 비정형적인 형상의 유효영역(OP-E)을 형성하기 위해서, 제1 및 제2 최외측 스틱(ST1, ST5)의 제1 엣지(ED1)와 제2 엣지(ED2) 중 적어도 어느 하나는 도 4e 및 도 4f에 도시된 것과 같이 비직선영역(NSA)을 포함한다. 다시 말해, 제1 및 제2 최외측 스틱(ST1, ST5)은 일정하지 않은 너비를 갖는다. 너비는 제1 방향(DR1)에 따른 최단거리로 정의된다. 본 실시예에서 제1 및 제2 최외측 스틱(ST1, ST5)의 비직선영역(NSA)이 제공된 부분은 다른 부분 대비 더 큰 너비를 갖는다.
도 4e 및 도 4f에 도시된 것과 같이, 제1 최외측 스틱(ST1)의 제2 엣지(ED2) 및 제2 최외측 스틱(ST5)의 제1 엣지(ED1) 각각은 활성 엣지 영역(AA)과 비활성 엣지 영역(NAA)을 포함할 수 있다. 활성 엣지 영역(AA)과 비활성 엣지 영역(NAA) 각각은 복수 개 제공될 수 있다. 제1 최외측 스틱(ST1)의 제2 엣지(ED2)와 제2 최외측 스틱(ST5)의 제1 엣지(ED1)는 제1 방향축(DR1)을 기준으로 비대칭 형상을 갖는다.
도 4c 및 도 4d에 도시된 것과 같이, 활성 엣지 영역(AA)은 개구영역(A-OP)에 중첩하는 부분이고, 비활성 엣지 영역(NAA)은 비개구영역(A-NOP)에 중첩하는 부분이다. 활성 엣지 영역(AA)은 곡선과 같은 비직선영역 포함할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 첫번째 스틱(ST1)과 제1 최외측 스틱(ST1)에 가장 인접한 스틱인 두번째 스틱(ST2) 사이에 정의된 유효영역(OP-E, 이하 상측 유효영역)의 비정형적인 형상은 제1 최외측 스틱(ST1)의 활성 엣지 영역(AA), 상측 영역(NOP-I1), 및 두번째 스틱(ST2)의 제1 엣지(ED1)의 일부분의 조합에 의해 결정된다. 제1 최외측 스틱(ST1)의 비직선영역(NSA)을 제공하는 부분은 마스크(MSK)의 하측 영역(NOP-I2)에 대응한다.
제1 최외측 스틱(ST1)의 활성 엣지 영역(AA)이 상측 유효영역의 제1 경계(또는 상측 경계)를 정의한다. 상측 영역(NOP-I1)의 일측 영역(NOP-L) 및 타측 영역(NOP-R)과 두번째 스틱(ST2)의 제1 엣지(ED1)의 일부분이 상측 유효영역의 제2 경계(또는 하측 경계)를 정의한다. 제1 경계과 제2 경계는 제2 방향(DR2)에서 마주한다. 본 실시예에서 제1 경계와 제2 경계는 서로 다른 형상을 갖고, 제1 방향축(DR1)을 기준으로 비대칭 형상을 갖는다. 여기서 "제1 경계와 제2 경계가 서로 다른 형상을 갖는다"는 것은 "상측 유효영역(OP-E) 내 배치된 제2 개구부들(OP-M) 중 활성 엣지 영역(AA)에 가장 인접하게 배치된 제2 개구부들(OP-M)이 이루는 배열과 상측 영역(NOP-I1) 및 대응하는 내측 스틱(ST2)의 제1 엣지(ED1)의 일부분에 가장 인접하게 배치된 제2 개구부들(OP-M)이 이루는 배열이 서로 다르다"는 것을 의미한다.
도 4d를 참조하면, 제2 최외측 스틱(ST5)에 가장 인접한 스틱인 네번째 스틱(ST4)과 다섯번째 스틱(ST5) 사이에 정의된 유효영역(OP-E, 이하 하측 유효영역)의 비정형적인 형상은 및 네번째 스틱(ST4)의 제2 엣지(ED2)의 일부분, 하측 영역(NOP-I2), 및 제2 최외측 스틱(ST5)의 활성 엣지 영역(AA)의 조합에 의해 결정된다. 제2 최외측 스틱(ST5)의 비직선영역(NSA)을 제공하는 부분은 마스크(MSK)의 상측 영역(NOP-I1)에 대응한다.
제2 최외측 스틱(ST5)의 활성 엣지 영역(AA)이 하측 유효영역의 제2 경계를 정의한다. 하측 영역(NOP-I2)의 일측 영역(NOP-L) 및 타측 영역(NOP-R)과 네번째 스틱(ST4)의 제2 엣지(ED2)의 일부분이 하측 유효영역의 제1 경계를 정의한다. 상측 유효영역의 제1 경계와 하측 유효영역의 제1 경계는 실질적으로 동일하고, 상측 유효영역의 제2 경계와 하측 유효영역의 제2 경계는 실질적으로 동일할 수 있다.
도 4c 및 도 4d를 참조하면, 두번째 스틱(ST2)과 세번째 스틱(ST3) 사이에 정의된 유효영역(OP-E, 이하 중간 유효영역) 및 세번째 스틱(ST3)과 네번째 스틱(ST4) 사이에 정의된 유효영역(OP-E, 이하 중간 유효영역)의 비정형적인 형상은 상측 영역(NOP-I1), 하측 영역(NOP-I2) 및 스틱들(ST2 내지 ST4)의 일부분의 조합에 의해 결정된다. 중간 유효영역에도 상측 유효영역 및 하측 유효영역에 제1 경계와 제2 경계에 대응하는 경계들이 정의된다.
본 실시예에서 상측 유효영역(OP-E), 하측 유효영역(OP-E), 및 중간 유효영역(OP-E)의 제1 경계들은 서로 동일한 형상을 갖고, 상측 유효영역(OP-E), 하측 유효영역(OP-E), 및 중간 유효영역(OP-E)의 제2 경계들은 서로 동일한 형상을 갖는다. 여기서 "상측 유효영역(OP-E), 하측 유효영역(OP-E), 및 중간 유효영역(OP-E)의 제1 경계들이 서로 다른 형상을 갖는다"는 것은 "상측 유효영역(OP-E) 내 배치된 제2 개구부들(OP-M) 중 활성 엣지 영역(AA)에 가장 인접하게 배치된 제2 개구부들(OP-M)이 이루는 배열과 하측 유효영역(OP-E) 및 중간 유효영역(OP-E) 각각에 배치된 제2 개구부들(OP-M) 중 하측 영역(NOP-I2) 및 대응하는 내측 스틱(ST2, ST3, ST4)의 제2 엣지(ED2)의 일부분에 가장 인접하게 배치된 제2 개구부들(OP-M)이 이루는 배열이 서로 동일하다"는 것을 의미한다.
상술한 상측 유효영역(OP-E), 하측 유효영역(OP-E), 및 중간 유효영역(OP-E)은 평면 상에서 서로 동일한 형상을 갖는다. 다시 말해 상측 유효영역(OP-E), 하측 유효영역(OP-E), 및 중간 유효영역(OP-E) 내 배치된 제2 개구부들(OP-M)의 배열은 서로 동일하다.
제1 최외측 스틱(ST1)의 비직선영역(NSA)을 제공하는 부분이 하측 영역(NOP-I2)을 대체하고, 제2 최외측 스틱(ST5)의 비직선영역(NSA)을 제공하는 부분이 상측 영역(NOP-I1)을 대체함으로써, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 후술하는 것과 같이, 고정부재의 자성체와 마스크 사이에 척력이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 5a는 비교예에 따른 마스크(MSK-S)와 고재부재의 자성체들(MM)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 도 5b는 비교예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들 사이의 자기력을 도시한 그래프이다. 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(MSK)와 고재부재의 자성체들(MM)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크와 고재부재의 자성체들 사이의 자기력을 도시한 그래프이다.
도 5a 및 도 5c를 참조하면, 자성체들(MM)은 제2 방향으로 따라 나열된다. 자성체들(MM)은 N극성의 자성체들(MM1) 및 S극성의 자성체들(MM2)을 포함할 수 있다. N극성의 자성체들(MM1)과 S극성의 자성체들(MM2)은 제2 방향(DR2)을 따라 교번하게 배치된다.
자성체들(MM) 중 제1 최외측 스틱(ST1) 및 제2 최외측 스틱(ST5)에 인접한 영역(M1, 이하, 변조 영역)에 배치된 자성체들 사이의 간격은 다른 영역, 예컨대 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)에 인접한 자성체들 사이의 간격과 다르다. 자성체들(MM)은 동일한 형상을 갖고, 동일한 간격으로 이격되어 마스크(MSK-S, MSK)에 중첩한 대부분의 영역에서 일정한 패턴의 자기력을 형성한다. 변조 영역(M1)에서 자성체들(MM) 사이의 간격이 다른 영역들과 다르기 때문에 다른 패턴의 자기력이 형성된다.
자성체들(MM)의 배치를 다른 측면으로 설명하면, 균일하게 배치된 자성체들(MM) 중 제3 연장 부분(FM-3) 및 제4 연장 부분(FM-4)에 인접한 몇몇의 자성체(MM)가 제거된 것과 같다. 도 5a 및 도 5c에는 제1 최외측 스틱(ST1)에 인접한 자성체들의 배치를 예시적으로 도시하였다.
도 5a에 도시된 것과 같이, 제1 최외측 스틱(ST1)에 인접하도록 하측 영역(NOP-I2)이 배치되는 경우, 하측 영역(NOP-I2)은 변조 영역(M1)에 형성된 자기력에 영향을 미칠수 있다. 도 5b에 도시된 것과 같이, 변조 영역(M1)에서 인력이 아닌 척력이 발생한 것을 알 수 있다.
그에 반하여, 도 5c에 도시된 것과 같이, 제1 최외측 스틱(ST1)에 인접하도록 하측 영역(NOP-I2)이 배치되지 않는 경우, 변조 영역(M1)에 형성된 자기력에 영향을 미치는 요인이 감소된다. 상술한 것과 같이, 제1 최외측 스틱(ST1)은 실질적으로 자기력에 영향을 받지 않는 재료로 형성되었기 때문이다. 도 5d에 도시된 것과 같이, 변조 영역(M1)에서 인력이 유지된 것을 알 수 있다.
최외측 스틱(ST1, ST5)에 비-선형 형상의 스틱을 적용함으로써 마스크(MSK)의 최외측 영역에서 배치되는 비개구영역(A-NOP)의 면적을 감소시킬 수 있다. 최외측 영역에서 자성체(MM)와 마스크(MSk) 사이에 척력이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 결과적으로 마스크 어셈블리(MSA, 도 2 참조)와 고정부재(CM, 도 2 참조)의 결합력이 증가한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 작업기판(WS)의 평면도이다. 도 7은 도 6에 도시된 하나의 유닛셀 영역(US)에 대한 평면도이다. 도 8은 도 7의 AA 영역의 확대된 평면도이다. 도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 마스크(MSK1)의 확대된 평면도이다. 도 9b는 도 9a에 도시된 제1 마스크(MSK1)와 유닛셀 영역(US)의 배치관계를 도시한 단면도이다. 도 9c 및 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 마스크(MSK2) 및 제3 마스크(MSK3)의 확대된 평면도이다.
도 6에 도시된 작업기판(WS)은 복수 개의 유닛셀 영역들(US)을 포함한다. 복수 개의 유닛셀 영역들(US) 각각은 작업기판(WS)에서의 공정이 종료된 후 분리되어 표시패널(DP, 도 1)을 형성한다.
도 6 내지 도 8에 따른 작업기판(WS)은 도 2 내지 도 5d를 참조하여 설명한 마스크 어셈블리(MSA)를 이용하여 박막 패턴을 형성하기 이전 단계의 상태이다. 도 1을 참조하면 정공 제어층(HCL)까지 형성된 상태이다.
도 7에는 직사각형상의 표시영역(DP-DA)이 아닌, 4개의 코너영역들에 곡선영역이 배치된 비정형적인 표시영역(DP-DA)을 도시하였다. 이러한 표시영역(DP-DA)은 도 4에 도시된 유효영역(OP-E)에 의해 형성된 것이다.
화소 정의막(PDL)은 표시영역(DP-DA)에 전면적으로 중첩하게 배치된다. 화소 정의막(PDL)의 일부는 비표시영역(DP-NDA)에 중첩할 수도 있다. 직사각형상의 화소 정의막(PDL)을 예시적으로 도시하였으나 이에 제한되지 않는다.
도 8에 도시된 것과 같이, 화소 정의막(PDL)에는 3종의 발광 개구부들이 형성될 수 있다. 3종의 발광 개구부들은 면적에 따라 구분되는 제1 발광 개구부(OP-G), 제2 발광 개구부(OP-R), 및 제3 발광 개구부(OP-B)를 포함할 수 있다. 제1 발광 개구부(OP-G), 제2 발광 개구부(OP-R), 및 제3 발광 개구부(OP-B)의 면적은 대응하는 화소의 발광면적(또는 제1 전극의 면적)과 비례한다. 본 실시예에서 제1 발광 개구부(OP-G), 제2 발광 개구부(OP-R), 및 제3 발광 개구부(OP-B)는 그린화소의 발광소자, 레드화소의 발광소자, 블루화소의 발광소자에 각각 대응할 수 있다.
그린 발광소자의 발광층, 레드 발광소자의 발광층, 및 블루 발광소자의 발광층을 제1 발광 개구부(OP-G), 제2 발광 개구부(OP-R), 및 제3 발광 개구부(OP-B)에 각각 대응하게 형성하기 위해 도 9a, 도 9c, 및 도 9d의 제1 내지 제3 마스크(MSK1 내지 MSK3)가 이용될 수 있다.
도 9b는 작업기판(WS)이 제1 마스크(MSK1) 상에 배치된 상태를 도시하였다. 도 9b에 도시된 작업기판(WS)의 단면은 하나의 예시에 불과하고 이에 제한되지 않는다. 제1 발광 개구부(OP-G), 제2 발광 개구부(OP-R), 및 제3 발광 개구부(OP-B)에 대응하는 3개의 제1 전극들(AE-G, AE-R, AE-B)이 추가적으로 도시되었다. 도 9b에는 앞서 설명한 고정부재(CM)가 추가적으로 도시되었다.
도 9a의 제1 마스크(MSK1)를 포함하는 마스크 조립체(MSA, 도 2 참고)를 이용하여 정공 제어층(HCL) 상에 그린 발광층들을 형성할 수 있다. 이후, 제2 마스크(MSK2)를 포함하는 마스크 조립체(MSA, 도 2 참고)를 이용하여 레드 발광층들을 형성하고, 제3 마스크(MSK3)를 포함하는 마스크 조립체(MSA, 도 2 참고)를 이용하여 블루 발광층들을 형성할 수 있다. 이후 도 1에 도시된 전자 제어층(ECL) 등을 추가로 형성한다.
도 9a에 도시된 제1 마스크(MSK1)의 제2 개구부(OP-MG)는 제1 발광 개구부(OP-G) 대비 더 큰 면적을 가질 수 있다. 마스크 어셈블리(MSA)가 챔버(CB)의 내부에 배치되며 제1 마스크(MSK1)와 작업기판(WS)이 정렬된 상태에서, 제1 발광 개구부(OP-G)는 제1 마스크(MSK1)의 제2 개구부(OP-MG) 내측에 배치되는 것이 바람직하다. 제2 마스크(MSK2)와 작업기판(WS)이 정렬된 상태에서 제2 발광 개구부(OP-R)는 제2 마스크(MSK2)의 제2 개구부(OP-MR) 내측에 배치되는 것이 바람직하다. 제3 마스크(MSK3)와 작업기판(WS)이 정렬된 상태에서 제3 발광 개구부(OP-B)는 제3 마스크(MSK3)의 제2 개구부(OP-MB) 내측에 배치되는 것이 바람직하다.
도 10 내지 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(MSK)의 평면도이다. 이하, 도 1 내지 도 5d를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 10에 도시된 마스크(MSK)는 앞서 설명한 마스크(MSK)와 상측 영역(NOP-I1) 및 하측 영역(NOP-I2)의 형상이 다르다. 본 실시예에 따르면, 일측 영역(NOP-L)과 타측 영역(NOP-R)이 구별되지 않고, 하나의 영역을 이룰 수 있다.
도 11에 도시된 마스크(MSK)는 앞서 설명한 마스크(MSK)와 상측 영역(NOP-I1) 및 하측 영역(NOP-I2)의 형상이 다르다. 본 실시예에 따르면, 상측 영역(NOP-I1)의 일측 영역(NOP-L)과 하측 영역(NOP-I2)의 일측 영역(NOP-L)이 제1 방향축(DR1)에 대하여 대칭인 형상을 가질 수 있다. 상측 영역(NOP-I1)의 타측 영역(NOP-R)과 하측 영역(NOP-I2)의 타측 영역(NOP-R)이 제1 방향축(DR1)에 대하여 대칭인 형상을 가질 수 있다. 다시 말해, 도 4c를 참조하여 설명한 제1 경계와 제2 경계가 제1 방향축(DR1)을 기준으로 서로 대칭인 것과 같다.
도 12에 도시된 마스크(MSK)는 앞서 설명한 마스크(MSK) 대비 하측 영역(NOP-I2)이 생략되었다. 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)은 직선의 제1 엣지(ED1)와 적어도 일부 영역이 직선이 아닌 제2 엣지(ED2)를 포함한다. 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)은 제1 최외측 스틱(ST1)과 동일한 형상을 가질 수 있다.
도 13에 도시된 마스크(MSK)는 앞서 설명한 마스크(MSK) 대비 상측 영역(NOP-I1)이 생략되었다. 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)은 직선의 제2 엣지(ED2)와 적어도 일부 영역이 직선이 아닌 제1 엣지(ED1)를 포함한다. 내측 스틱들(ST2 내지 ST4)은 제2 최외측 스틱(ST2)과 동일한 형상을 가질 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비(DA)의 단면도이다. 본 실시예에 따른 증착설비는 인라인 시스템에 의해 동작될 수 있다. 도 14에서 마스크 어셈블리(MSA)를 홀딩하는 기계적 설비(이하, 홀딩 설비), 어셈블리(MSA)를 이동시키는 기계적 설비 및 마스크 어셈블리(MSA)로부터 작업기판(WS)을 분리하는 기계적 설비는 미도시 되었다.
증착설비(DA)는 제1 내지 제4 언로딩/로딩 챔버들(ULC1 내지 ULC4) 및 제1 내지 제3 증착 챔버들(CB1 내지 CB3)을 포함한다. 제1 내지 제3 증착 챔버들(CB1 내지 CB3) 각각은 도 2에 도시된 챔버들(CB)과 실질적으로 동일하다.
도 14의 마스크 어셈블리들(MSA1 내지 MSA3)은 앞서 설명한 마스크 어셈블리(MSA) 중 어느 하나일 수 있다. 제1 내지 제3 증착 챔버들(CB1 내지 CB3)에 따라 이들이 진입되는 마스크 어셈블리들(MSA1 내지 MSA3)의 마스크의 종류는 다를 수 있다.
제1 내지 제3 증착 챔버들(CB1 내지 CB3) 내부에는 제1 내지 제3 증착 소스(DS1 내지 DS3)이 각각 배치된다. 예컨대 제1 내지 제3 증착 챔버들(CB1 내지 CB3)은 그린 발광물질, 레드 발광물질, 및 블루 발광물질을 제공할 수 있다.
제1 언로딩/로딩 챔버(ULC1) 내부에 배치된 작업기판(WS)은 마스크 어셈블리(MSA1) 상에 실장된다. 작업기판(WS)이 정렬된 마스크 어셈블리(MSA1)는 홀딩 설비에 로딩된다. 마스크 어셈블리(MSA1)는 도 9a에 도시된 제1 마스크(MSK1)를 포함할 수 있다. 제1 증착 챔버(CB1) 내부에 배치된 작업기판(WS) 상에 그린 발광물질의 박막 패턴들을 형성할 수 있다.
제2 언로딩/로딩 챔버(ULC2)에서 홀딩 설비로부터 제1 마스크(MSK1)를 포함하는 마스크 어셈블리(MSA1)를 언로딩하고, 도 9c에 도시된 제2 마스크(MSK2)를 포함하는 마스크 어셈블리(MSA2)를 홀딩 설비에 로딩한다. 제2 증착 챔버(CB2) 내부에 배치된 작업기판(WS)에 레드 발광물질의 박막 패턴들을 형성할 수 있다.
제3 언로딩/로딩 챔버(ULC3)에서 홀딩 설비로부터 제2 마스크(MSK2)를 포함하는 마스크 어셈블리(MSA2)를 언로딩하고, 도 9d에 도시된 제3 마스크(MSK3)를 포함하는 마스크 어셈블리(MSA3)를 홀딩 설비에 로딩한다. 제3 증착 챔버(CB3) 내부에 배치된 작업기판(WS) 상에 블루 발광물질의 박막 패턴들을 형성할 수 있다.
제4 언로딩/로딩 챔버(ULC4)에서 홀딩 설비로부터 제3 마스크(MSK3)를 포함하는 마스크 어셈블리(MSA3)를 언로딩한다. 제4 언로딩/로딩 챔버(ULC4)에서, 이후 추가 공정을 위한 단계가 더 수행될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
A-NOP
비개구영역
A-OP 개구영역
A1 변조 영역
CM 고정부재
DP 표시패널
DS 증착 소스
ED1 제1 엣지
ED2 제2 엣지
EML 발광층
FM-1 제1 연장 부분
FM-2 제2 연장 부분
FM-3 제3 연장 부분
FM-4 제4 연장 부분
FM 프레임
MM 자성체
MSA 마스크 어셈블리
MSK 마스크
NAA 비활성 엣지 영역
NOP-I1 상측 영역
NOP-I2 하측 영역
NOP-L 일측 영역
NOP-R 타측 영역
NPXA 비발광영역
NSA 비직선영역
OLED 발광소자
OP-E 유효영역
OP-E 중간 유효영역
OP-F 제1 개구부
OP-M 제2 개구부
OP-NE 비유효영역
OP-NEI 내측 비유효영역
OP-NEO 외측 비유효영역
PDL 화소 정의막
ST, ST1 내지 ST5 스틱
TFL 상부 절연층
ULC1 제1 언로딩/로딩 챔버
ULC2 제2 언로딩/로딩 챔버
ULC3 제3 언로딩/로딩 챔버
ULC4 제4 언로딩/로딩 챔버
US 유닛셀 영역
W1 너비
WS 작업기판
A-OP 개구영역
A1 변조 영역
CM 고정부재
DP 표시패널
DS 증착 소스
ED1 제1 엣지
ED2 제2 엣지
EML 발광층
FM-1 제1 연장 부분
FM-2 제2 연장 부분
FM-3 제3 연장 부분
FM-4 제4 연장 부분
FM 프레임
MM 자성체
MSA 마스크 어셈블리
MSK 마스크
NAA 비활성 엣지 영역
NOP-I1 상측 영역
NOP-I2 하측 영역
NOP-L 일측 영역
NOP-R 타측 영역
NPXA 비발광영역
NSA 비직선영역
OLED 발광소자
OP-E 유효영역
OP-E 중간 유효영역
OP-F 제1 개구부
OP-M 제2 개구부
OP-NE 비유효영역
OP-NEI 내측 비유효영역
OP-NEO 외측 비유효영역
PDL 화소 정의막
ST, ST1 내지 ST5 스틱
TFL 상부 절연층
ULC1 제1 언로딩/로딩 챔버
ULC2 제2 언로딩/로딩 챔버
ULC3 제3 언로딩/로딩 챔버
ULC4 제4 언로딩/로딩 챔버
US 유닛셀 영역
W1 너비
WS 작업기판
Claims (20)
- 제1 개구부가 정의된 프레임;
상기 제1 개구부에 중첩하도록 상기 프레임에 결합되고, 제1 방향으로 연장되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 나열된 복수 개의 스틱들; 및
상기 프레임과 상기 복수 개의 스틱들 상에 배치되며, 상기 제2 방향으로 연장된 마스크를 포함하고,
상기 복수 개의 스틱들 각각은 상기 제2 방향에서 마주하는 제1 엣지와 제2 엣지를 포함하고,
상기 복수 개의 스틱들 중 최외측에 배치된 제1 최외측 스틱 및 제2 최외측 스틱 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지의 형상은 상이하고,
상기 스틱들 중 상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱 사이에 배치된 내측 스틱들 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 적어도 하나는 직선이고,
상기 마스크는 복수 개의 제2 개구부들이 정의된 개구영역과 상기 개구영역에 인접한 비개구영역을 포함하고,
상기 개구영역은 상기 스틱들 중 인접한 2개의 스틱들 사이에 배치된 유효영역 및 상기 내측 스틱들에 중첩하는 비유효영역을 포함하고,
상기 비개구영역은 상기 제2 방향으로 연장된 외측영역 및 상기 외측영역으로부터 상기 제1 방향으로 연장된 내측영역을 포함하고,
상기 내측영역의 적어도 일부분은 평면상에서 상기 내측 스틱들에 비-중첩하는 마스크 어셈블리. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 상기 내측 스틱들에 더 인접한 엣지는 비직선영역을 포함하는 마스크 어셈블리. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 상기 비직선영역을 포함하는 엣지와 상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 상기 비직선영역을 포함하는 엣지는 상기 제1 방향에 평행한 방향축을 기준으로 비대칭인 마스크 어셈블리. - 제1 항에 있어서,
상기 프레임은,
상기 제1 방향에서 마주하는 제1 연장 부분 및 제2 연장 부분; 및
상기 제2 방향에서 마주하며 각각이 상기 제1 연장 부분과 상기 제2 연장 부분을 연결하는 제3 연장 부분 및 제4 연장 부분을 포함하는 마스크 어셈블리. - 제4 항에 있어서,
상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱은 상기 제3 연장 부분과 상기 제4 연장 부분에 각각 인접하게 배치되고,
상기 제1 최외측 스틱의 상기 제2 엣지와 상기 내측 스틱들 중 상기 제1 최외측 스틱에 가장 인접하게 배치된 제1 내측 스틱의 상기 제1 엣지는 상기 유효영역을 정의하는 마스크 어셈블리. - 제5 항에 있어서,
상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 내측 스틱들 중 상기 제2 최외측 스틱에 가장 인접하게 배치된 제2 내측 스틱의 상기 제2 엣지는 상기 유효영역을 정의하고,
상기 제1 최외측 스틱의 상기 제2 엣지와 상기 제1 내측 스틱의 상기 제1 엣지가 정의하는 상기 유효영역과 상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 제2 내측 스틱의 상기 제2 엣지가 정의하는 상기 유효영역은 평면 상에서 동일한 형상을 갖는 마스크 어셈블리. - 제5 항에 있어서,
상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 내측 스틱들 중 상기 제2 최외측 스틱에 가장 인접하게 배치된 제2 내측 스틱의 상기 제2 엣지는 상기 유효영역을 정의하고,
상기 제1 최외측 스틱의 상기 제2 엣지와 상기 제1 내측 스틱의 상기 제1 엣지가 정의하는 상기 유효영역 내 배치된 상기 제2 개구부들의 배열과 상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지와 상기 제2 내측 스틱의 상기 제2 엣지가 정의하는 상기 유효영역 내 배치된 상기 제2 개구부들의 배열은 서로 동일한 마스크 어셈블리. - 제1 항에 있어서,
상기 외측영역은 상기 제1 방향에서 마주하는 제1 외측영역 및 제2 외측영역을 포함하고,
상기 내측영역은 상기 내측 스틱들 중 대응하는 내측 스틱을 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격된 상측 영역 및 하측 영역을 포함하는 마스크 어셈블리. - 제8 항에 있어서,
상기 상측 영역 및 상기 하측 영역 각각은,
상기 제1 외측영역으로부터 연장된 일측 영역; 및
상기 제2 외측영역으로부터 연장된 타측 영역을 포함하는 마스크 어셈블리. - 제9 항에 있어서,
상기 상측 영역의 상기 일측 영역과 상기 하측 영역의 상기 일측 영역은 서로 다른 형상 및 서로 다른 면적을 갖는 마스크 어셈블리. - 제9 항에 있어서,
상기 상측 영역의 상기 일측 영역과 상기 상측 영역의 타측 영역은 상기 제2 방향에 평행한 방향축을 기준으로 대칭인 마스크 어셈블리. - 제9 항에 있어서,
상기 하측 영역의 상기 일측 영역과 상기 하측 영역의 타측 영역 및 상기 대응하는 내측 스틱이 정의하는 상기 유효영역의 제1 경계는 상기 제1 최외측 스틱의 상기 제2 엣지가 정의하는 상기 유효영역의 제1 경계와 동일한 형상을 갖는 마스크 어셈블리. - 제12 항에 있어서,
상기 상측 영역의 상기 일측 영역과 상기 상측 영역의 타측 영역 및 상기 대응하는 내측 스틱이 정의하는 상기 유효영역의 제2 경계는 상기 제2 최외측 스틱의 상기 제1 엣지가 정의하는 상기 유효영역의 제2 경계와 동일한 형상을 갖는 마스크 어셈블리. - 제13 항에 있어서,
상기 제1 경계와 상기 제2 경계는 상기 제1 방향에 평행한 방향축을 기준으로 대칭인 마스크 어셈블리. - 제8 항에 있어서,
상기 상측 영역과 상기 하측 영역 사이의 거리는 상기 대응하는 내측 스틱의 너비와 실질적으로 동일한 마스크 어셈블리. - 제1 개구부가 정의된 프레임;
상기 제1 개구부에 중첩하도록 상기 프레임에 결합된 복수 개의 스틱들; 및
상기 프레임과 상기 복수 개의 스틱들 상에 배치되며, 상기 복수 개의 스틱들과 교차하는 마스크를 포함하고,
상기 복수 개의 스틱들 중 최외측에 배치된 제1 최외측 스틱 및 제2 최외측 스틱 각각은 비-선형이고,
상기 스틱들 중 상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱 사이에 배치된 내측 스틱들 각각은 선형이고,
상기 마스크는 복수 개의 제2 개구부들이 정의된 개구영역과 상기 개구영역에 인접한 비개구영역을 포함하고,
상기 개구영역은 상기 스틱들 중 인접한 2개의 스틱들 사이에 배치된 유효영역 및 상기 내측 스틱들에 중첩하는 비유효영역을 포함하고,
상기 비개구영역은 상기 마스크의 길이 방향으로 연장된 외측영역 및 상기 외측영역으로부터 상기 스틱들의 상기 길이 방향으로 연장된 내측영역을 포함하고,
평면상에서 볼 때, 상기 내측영역은 상기 내측 스틱들로부터 연속되며, 상기 내측영역은 상기 제1 최외측 스틱 및 상기 제2 최외측 스틱과 비-연속적인 마스크 어셈블리. - 챔버;
상기 챔버 내측에 배치된 증착 소스;
상기 챔버 내측에 배치되고, 상기 증착 소스 상에 배치되며, 작업기판을 지지하는 마스크 어셈블리; 및
상기 챔버 내측에 배치되고, 상기 증착 소스 상에 배치되며, 상기 마스크 어셈블리를 고정하는 고정부재를 포함하고,
상기 마스크 어셈블리는,
제1 개구부가 정의된 프레임;
상기 제1 개구부에 중첩하도록 상기 프레임에 결합되고, 제1 방향으로 연장되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 나열된 복수 개의 스틱들; 및
상기 프레임과 상기 복수 개의 스틱들 상에 배치되며, 상기 제2 방향으로 연장된 마스크를 포함하고,
상기 복수 개의 스틱들 각각은 상기 제2 방향에서 마주하는 제1 엣지와 제2 엣지를 포함하고,
상기 복수 개의 스틱들 중 최외측에 배치된 제1 최외측 스틱 및 제2 최외측 스틱 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지의 형상은 상이하고,
상기 스틱들 중 상기 제1 최외측 스틱과 상기 제2 최외측 스틱 사이에 배치된 내측 스틱들 각각의 상기 제1 엣지와 상기 제2 엣지 중 적어도 하나는 직선이고,
상기 마스크는 복수 개의 제2 개구부들이 정의된 개구영역과 상기 개구영역에 인접한 비개구영역을 포함하고,
상기 개구영역은 상기 스틱들 중 인접한 2개의 스틱들 사이에 배치된 유효영역 및 상기 내측 스틱들에 중첩하는 비유효영역을 포함하고,
상기 비개구영역은 상기 제2 방향으로 연장된 외측영역 및 상기 외측영역으로부터 상기 제1 방향으로 연장된 내측영역을 포함하고,
상기 내측영역의 적어도 일부분은 평면상에서 상기 내측 스틱들에 비-중첩하는 증착 설비. - 제17 항에 있어서,
상기 고정부재는 제1 방향으로 연장되며 상기 제2 방향으로 나열된 복수 개의 자성체들을 포함하고,
상기 복수 개의 자성체들 중 상기 제1 최외측 스틱 및 상기 제2 최외측 스틱에 인접한 자성체들 사이의 간격은 상기 내측 스틱들에 인접한 자성체들 사이의 간격과 다른 증착 설비. - 제18 항에 있어서,
상기 스틱들은 상기 마스크 대비 상기 복수 개의 자성체들에 대한 결합력이 약한 증착 설비. - 제18 항에 있어서,
상기 스틱들은 스테인리스 스틸을 포함하고, 상기 마스크는 니켈 또는 니켈 합금을 포함하는 증착 설비.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190055459A KR20200131366A (ko) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | 마스크 어셈블리 및 이를 포함하는 증착설비 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190055459A KR20200131366A (ko) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | 마스크 어셈블리 및 이를 포함하는 증착설비 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200131366A true KR20200131366A (ko) | 2020-11-24 |
Family
ID=73679448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190055459A KR20200131366A (ko) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | 마스크 어셈블리 및 이를 포함하는 증착설비 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20200131366A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023010893A1 (zh) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 昆山国显光电有限公司 | 支撑条及张网方法 |
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2019
- 2019-05-13 KR KR1020190055459A patent/KR20200131366A/ko not_active Application Discontinuation
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