CN117626215A - 沉积设备和沉积方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种沉积设备和沉积方法，所述沉积设备包括：掩模；掩模框架；平台，设置在掩模框架的后表面上；以及第一外力施加部至第三外力施加部，设置在平台上。第一部分和第二部分中的每个包括支撑件和使支撑件移动的驱动部。第一外力施加部至第三外力施加部向掩模框架施加外力以控制掩模框架的形状。

Description

沉积设备和沉积方法
本申请要求于2022年8月30日提交的第10-2022-0109212号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开在此涉及一种沉积设备，更具体地，涉及一种用于制造显示面板的沉积设备。
背景技术
显示装置(诸如电视、移动电话、平板计算机、导航仪、游戏控制平台等)包括显示面板。显示面板可以包括多个像素。多个像素中的每个可以包括驱动元件(诸如晶体管)和显示元件(诸如有机发光二极管)。显示元件可以通过在基底上沉积电极和发射图案而形成。
可以使用其中沉积开口被限定为形成在预定区域中的掩模而使发射图案图案化。最近，为了改善显示面板的产品良率，正在开发使用大面积掩模的沉积工艺技术。
发明内容
然而，当掩模在沉积设备中没有在期望的位置处对准时，存在发射图案形成位置的精度劣化的限制。
公开提供了一种能够执行大面积沉积并且具有改善的沉积精度的沉积设备。
发明构思的实施例提供了一种沉积设备，所述沉积设备包括：掩模，在掩模中限定有多个沉积开口；掩模框架，包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分并且设置在掩模的后表面上，并且在掩模框架中限定有开口；平台，设置在掩模框架的后表面上；以及第一外力施加部、第二外力施加部和第三外力施加部，设置在平台上，其中，第一部分和第二部分中的每个在第一方向上延伸，并且第三部分和第四部分中的每个在与第一方向垂直的第二方向上延伸，第一外力施加部包括支撑第一部分的外表面的第一支撑件和使第一支撑件在第二方向上移动的第一驱动部，第二外力施加部包括支撑第三部分的外表面的第二支撑件和使第二支撑件在第一方向上移动的第二驱动部，并且第三外力施加部包括支撑第四部分的外表面的第三支撑件和使第三支撑件在第一方向上移动的第三驱动部。
在实施例中，第一外力施加部可以包括在第一方向上彼此间隔开的多个第一子外力施加部，第二外力施加部可以包括在第二方向上彼此间隔开的多个第二子外力施加部，并且第三外力施加部可以包括在第二方向上彼此间隔开的多个第三子外力施加部。
在实施例中，多个第一子外力施加部中的每个在第二方向上可以是独立地可移动的，多个第二子外力施加部中的每个在第一方向上可以是独立地可移动的，并且多个第三子外力施加部中的每个在第一方向上可以是独立地可移动的。
在实施例中，多个第二子外力施加部可以在第三部分的与第一部分相邻的一侧和第三部分的与第二部分相邻的相对侧处彼此间隔开，并且多个第三子外力施加部可以在第四部分的与第一部分相邻的一侧和第四部分的与第二部分相邻的相对侧处彼此间隔开。
在实施例中，第一驱动部至第三驱动部中的至少一个可以包括电动机或压电元件。
在实施例中，沉积设备还可以包括其中限定有内部空间的腔室，掩模、掩模框架、平台以及第一外力施加部至第三外力施加部设置在内部空间中，并且第一部分可以设置为面对腔室的底表面。
在实施例中，沉积设备还可以包括沉积构件，沉积构件在内部空间中面对平台的后表面，并且将沉积材料注入到掩模上。
在实施例中，掩模和掩模框架中的每个可以包括金属。
在发明构思的实施例中，沉积设备包括：腔室，在腔室中限定有内部空间；平台，提供与腔室的底表面垂直的安置表面；掩模框架，设置在安置表面上，在掩模框架中限定有开口，并且包括：第一部分，在与底表面平行的第一方向上延伸并且与安置表面相邻；第二部分，面对第一部分并且在第一方向上延伸；第三部分，在与安置表面平行的第二方向上延伸并且设置在第一部分与第二部分之间；以及第四部分，面对第三部分并且在第二方向上延伸；掩模，在掩模中限定有沉积开口，并且掩模在掩模框架上与开口叠置；以及第一外力施加部，包括支撑第一部分的外表面的第一支撑件和使第一支撑件在第二方向上移动的第一驱动部。
在实施例中，第一外力施加部可以包括在第一部分上在第一方向上彼此间隔开的多个第一子外力施加部。
在实施例中，多个第一子外力施加部中的每个在第二方向上可以是独立地可移动的。
在实施例中，第一驱动部可以包括电动机或压电元件。
在实施例中，沉积设备还可以包括：第二外力施加部，设置在第三部分的外表面上，并且包括第二支撑件和使第二支撑件在第一方向上移动的第二驱动部；以及第三外力施加部，设置在第四部分的外表面上，并且包括第三支撑件和使第三支撑件在第一方向上移动的第三驱动部。
在实施例中，第二外力施加部可以包括多个第二子外力施加部，并且第三外力施加部可以包括多个第三子外力施加部。
在实施例中，多个第二子外力施加部中的每个在第一方向上可以是独立地可移动的，并且多个第三子外力施加部中的每个在第一方向上可以是独立地可移动的。
在实施例中，多个第二子外力施加部和多个第三子外力施加部可以在第一方向上彼此一一对应。
在实施例中，多个第二子外力施加部可以在第三部分的与第一部分相邻的一侧和第三部分的与第二部分相邻的相对侧处彼此间隔开，并且多个第三子外力施加部可以在第四部分的与第一部分相邻的一侧和第四部分的与第二部分相邻的相对侧处彼此间隔开。
在实施例中，掩模和掩模框架中的每个可以包括金属。
在实施例中，沉积设备还可以包括沉积构件，沉积构件在内部空间中面对平台的后表面，并且将沉积材料注入到掩模上。
在发明构思的实施例中，沉积方法包括以下步骤：提供平台和设置在平台上的第一外力施加部、第二外力施加部和第三外力施加部，平台提供安置表面；提供掩模框架和掩模，掩模框架包括在安置表面上的第一部分至第四部分，掩模结合到掩模框架并且在掩模中限定有沉积开口；模拟分别与沉积开口对应的沉积图案中的每个的形成位置；以及使第一外力施加部至第三外力施加部中的至少一个移动以调节施加到掩模框架的力，使得沉积图案中的每个的形成位置设置在设计范围内，其中，第一部分和第二部分中的每个在第一方向上延伸，并且第三部分和第四部分中的每个在与第一方向垂直的第二方向上延伸，第一外力施加部包括支撑第一部分的外表面的第一支撑件和使第一支撑件在第二方向上移动的第一驱动部，第二外力施加部包括支撑第三部分的外表面的第二支撑件和使第二支撑件在第一方向上移动的第二驱动部，并且第三外力施加部可以包括支撑第四部分的外表面的第三支撑件和使第三支撑件在第一方向上移动的第三驱动部。
附图说明
包括附图以提供对发明构思的进一步理解，附图包含在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1是显示面板的实施例的剖视图；
图2是沉积设备的实施例的剖视图；
图3是沉积设备的实施例的分解透视图；
图4是沉积设备的实施例的平面图；
图5A是沉积设备的实施例的平面图；
图5B是沉积设备的实施例的平面图；
图5C是其上设置有对准图案的沉积表面的实施例的平面图；
图6是沉积设备的实施例的平面图；
图7A是沉积设备的实施例的平面图；以及
图7B是沉积设备的实施例的平面图。
具体实施方式
由于发明可以具有不同的修改实施例，因此在附图中示出了说明性实施例，并且在发明的详细描述中描述了说明性实施例。然而，这不将发明限制在说明性实施例内，并且应当理解的是，发明覆盖发明的构思和技术范围内的所有修改、等同物和替代物。
在本说明书中，还将理解的是，当一个组件(或区域、层、部分)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，所述一个组件可以直接设置在所述另一组件上/直接连接到/直接结合到所述另一组件，或者也可以存在居间的第三组件。
在本说明书中，“直接设置”可以意味着在诸如层、膜、区域、板等的部件与另一部件之间没有层、膜、区域、板等。例如，“直接设置”可以意味着在两个层或两个构件之间不使用附加构件(诸如粘合构件)的情况下设置。
同样的附图标记始终表示同样的元件。此外，在附图中，为了清楚说明，夸大了组件的厚度、比率和尺寸。
术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
将理解的是，尽管在此使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在实施例中被称为第一元件的第一元件可以在另一实施例中被称为第二元件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
此外，“在……下面”、“在……下方”、“在……上方”、“上”等用于解释附图中所示的组件的关系关联。术语可以是相对概念并且基于附图中表示的方向来描述。在本说明书中，术语“设置在……上”可以指其中设置在任何一个构件的下部以及上部上的情况。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。另外，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非这里明确地定义，否则它们不应被解释为过于理想化或过于形式化的含义。
“包括”或“包含”的含义表明存在说明书中公开的性质、固定数量、步骤、操作、元件、组件或其组合，但不排除存在或添加其它性质、固定数量、步骤、操作、元件、组件或其组合。
在下文中，将参照附图描述实施例中的沉积设备。
图1是根据发明构思的显示面板的实施例的剖视图。
将在下面描述的实施例中的沉积设备ED(参照图2)可以用于形成设置在显示面板DP中的功能层中的至少一些。图1示出了通过沉积设备ED(参照图2)制造的显示面板DP的剖面。
在实施例中，显示面板DP可以是发射型显示面板。在实施例中，显示面板DP可以是例如有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可以包括有机发光材料，并且无机发光显示面板的发射层可以包括无机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可以包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光显示面板。
显示面板DP可以包括多个像素。像素中的每个可以包括至少一个晶体管和发光元件。图1示出了在显示面板DP的像素之中的其中设置有一个晶体管T1和一个发光元件OL的区域。参照图1，显示面板DP可以包括基体层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OL和封装层TFL。
基体层BL可以提供其上设置有电路元件层DP-CL的基体表面。基体层BL可以包括合成树脂层。在将合成树脂层设置在用于制造显示面板DP的支撑基底上之后，可以将导电层和绝缘层设置在合成树脂层上。此后，可以去除支撑基底，并且从其去除支撑基底的合成树脂层可以与基体层BL对应。
至少一个无机层可以设置在基体层BL上。至少一个无机层可以构成阻挡层和/或缓冲层。图1示出了设置在基体层BL上的缓冲层BFL。缓冲层BFL可以改善基体层BL与电路元件层DP-CL的半导体图案之间的结合力。
电路元件层DP-CL可以设置在缓冲层BFL上。电路元件层DP-CL可以包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件可以包括信号线、像素的驱动电路等。电路元件层DP-CL可以通过经由涂覆或沉积形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及经由光刻工艺使绝缘层、半导体层和导电层图案化的工艺来形成。
在实施例中，电路元件层DP-CL可以包括晶体管T1、连接信号线SCL、连接电极CNE1和CNE2以及多个绝缘层10至60。多个绝缘层10至60可以包括顺序地堆叠在缓冲层BFL上的第一绝缘层10至第六绝缘层60。第一绝缘层10至第六绝缘层60中的每个可以包括无机层和有机层中的任何一个。
晶体管T1可以包括包含源区Sa、有源区Aa、漏区Da的半导体图案和栅电极Ga。晶体管T1的半导体图案可以包括多晶硅。然而，发明构思的实施例不限于此，并且半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
半导体图案可以根据导电性被划分为多个区域。在实施例中，例如，半导体图案的电性质可以根据半导体图案是否被掺杂或者金属氧化物是否被还原而变化。半导体图案中的具有相对高的导电性的区域可以用作电极或信号线。这可以与晶体管T1的源区Sa和漏区Da对应。具有相对低的导电性的非掺杂或非还原区域可以与晶体管T1的有源区Aa(或沟道区)对应。
连接信号线SCL可以由半导体图案形成，并且可以与晶体管T1的源区Sa、有源区Aa和漏区Da设置在同一层中。在实施例中，连接信号线SCL可以在平面上电连接到晶体管T1的漏区Da。
第一绝缘层10可以覆盖电路元件层DP-CL的半导体图案。栅电极Ga可以设置在第一绝缘层10上。栅电极Ga可以与有源区Aa叠置。栅电极Ga可以在掺杂半导体图案的工艺中用作掩模。上电极UE可以设置在第二绝缘层20上。上电极UE可以与栅电极Ga叠置。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以设置在晶体管T1与发光元件OL之间，以将晶体管T1电连接到发光元件OL。第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层30上，并且通过穿过第一绝缘层10至第三绝缘层30的接触孔CNT-1连接到连接信号线SCL。第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层50上，并且通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔CNT-2连接到第一连接电极CNE1。
显示元件层DP-OL可以设置在电路元件层DP-CL上。显示元件层DP-OL可以包括发光元件OL和像素限定层PDL。发射开口OP-PX可以限定在像素限定层PDL中。发光元件OL可以包括第一电极AE、空穴传输区域HCL、发射层EML、电子传输区域ECL和第二电极CE。
第一电极AE和像素限定层PDL可以设置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以通过穿过第六绝缘层60的接触孔CNT-3连接到第二连接电极CNE2。像素限定层PDL可以通过发射开口OP-PX使第一电极AE暴露。第一电极AE的通过发射开口OP-PX暴露的部分可以与发射区域PXA对应。非发射区域NPXA可以围绕发射区域PXA。
空穴传输区域HCL和电子传输区域ECL可以公共地设置在发射区域PXA和非发射区域NPXA中。发射层EML可以被图案化以与发射开口OP-PX对应。图案化的发射层EML可以由沉积设备ED(参照图2)提供。
当与空穴传输区域HCL和电子传输区域ECL(空穴传输区域HCL和电子传输区域ECL中的每个以膜的形式设置)相比时，发射层EML可以以不同的方式沉积。空穴传输区域HCL和电子传输区域ECL可以使用开口掩模公共地形成在像素中。发射层EML可以使用被称为精细金属掩模(“FMM”)的掩模根据像素不同地设置。
封装层TFL可以包括多个薄膜。实施例中的封装层TFL可以包括顺序地堆叠的第一薄膜至第三薄膜EN1、EN2和EN3。第一薄膜至第三薄膜EN1、EN2和EN3中的每个可以包括无机层和有机层中的任何一个。无机层可以保护发光元件OL免受湿气和/或氧的影响。有机层可以保护发光元件OL免受异物(诸如灰尘颗粒)的影响。然而，封装层TFL的构造不限于图1中所示的构造，只要保护发光元件OL或改善发光元件OL的光输出效率即可。
图2是沉积设备的实施例的剖视图。
参照图2，实施例中的沉积设备ED可以包括腔室CB、掩模MK、掩模框架MF、平台ST和第一外力施加部PN1。除了以上构造之外，沉积设备ED还可以包括用于实现在线系统的附加机械装置。在实施例中，实施例中的沉积设备ED还可以包括例如沉积构件EP和固定构件PP。
腔室CB可以提供内部空间，并且沉积构件EP、固定构件PP、掩模MK、掩模框架MF、平台ST和第一外力施加部PN1可以设置在腔室CB的内部空间中。腔室CB可以限定密封空间，并且沉积条件可以设定为真空。腔室CB可以包括至少一个门，并且腔室CB可以通过门打开和关闭。掩模MK、掩模框架MF和基底SUB可以通过设置在腔室CB中的门是可到达的。
腔室CB可以包括底表面BP、顶棚表面和侧壁。腔室CB的底表面BP可以与由第一方向DR1和第三方向DR3限定的平面平行，并且腔室CB的底表面的法线方向可以与第二方向DR2平行。在本说明书中，“在平面图中”基于与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的平面来设定。
固定构件PP可以在腔室CB内部设置在沉积构件EP上。固定构件PP可以将基底SUB固定在掩模MK上。固定构件PP可以包括保持掩模MK的夹具或机械臂。固定构件PP可以包括磁性材料，掩模MK和基底SUB通过该磁性材料彼此紧密接触。在实施例中，磁性材料可以产生磁力以固定掩模MK，例如，设置在掩模MK与固定构件PP之间的基底SUB可以与掩模MK紧密接触。
基底SUB可以是其上沉积有沉积材料的处理对象。基底SUB可以包括支撑基底和设置在支撑基底上的合成树脂层。支撑基底可以在制造显示面板的工艺的后半部分中被去除，并且合成树脂层可以与图1的基体层BL对应。根据通过沉积工艺形成的构造，基底SUB可以包括设置在基体层BL(参照图1)上的显示面板DP(参照图1)的一些组件。
沉积构件EP可以设置在腔室CB内部以面对固定构件PP。沉积构件EP可以包括其中容纳有沉积材料EM的空间和至少一个喷嘴NZ。沉积材料EM可以包括能够升华或汽化的无机材料、金属或有机材料。在实施例中，沉积材料EM可以包括例如用于形成发射层EML的有机发光材料。然而，沉积材料EM不限于以上示例。升华或汽化的沉积材料EM可以通过喷嘴NZ注入到基底SUB上。沉积材料EM可以穿过掩模MK并且以预定图案沉积在基底SUB上。
平台ST可以设置在沉积构件EP与固定构件PP之间。平台ST可以支撑掩模框架MF的后表面，并且可以设置在从沉积构件EP供应到基底SUB的沉积材料EM的移动路径外部。
平台ST可以包括其上安置有掩模框架MF的安置表面S1和与安置表面S1相对的后表面S2。平台ST的安置表面S1和后表面S2中的每个可以与第一方向DR1和第二方向DR2平行。平台ST的安置表面S1可以设置为与腔室CB的底表面BP基本上垂直。因此，设置在平台ST的安置表面S1上的掩模框架MF和掩模MK中的每个的区域表面可以设置为与腔室CB的底表面BP基本上垂直，使得执行沉积工艺。因此，可以防止具有相对大的面积的掩模MK由于重力而下垂，以改善沉积可靠性。
然而，发明构思的实施例不限于此，在实施例中，平台ST的安置表面S1可以设置为与腔室CB的底表面BP基本上平行，并且掩模框架MF和掩模MK的后表面可以设置为与腔室CB的底表面BP基本上平行，使得执行沉积工艺。
掩模MK可以包括限定沉积区域的沉积开口。掩模框架MF可以结合到掩模MK以支撑掩模MK。掩模框架MF可以包括面对掩模MK的顶表面、与顶表面相对并且面对平台ST的安置表面S1的后表面以及将顶表面连接到后表面的侧表面。与掩模MK的沉积开口叠置的开口OP-MF可以限定在掩模框架MF中。也就是说，在平面图中，掩模框架MF可以具有围绕开口OP-MF的框架形状。这将在稍后详细描述。
第一外力施加部PN1可以设置在平台ST上以支撑掩模框架MF。在平面图中，第一外力施加部PN1可以设置在平台ST下方。第一外力施加部PN1可以设置为面对掩模框架MF的与腔室CB的底表面BP相邻的一个侧表面SS1。第一外力施加部PN1可以支撑掩模框架MF并且可以在第二方向DR2上移动。当第一外力施加部PN1沿着第二方向DR2移动时，可以调节施加到掩模框架MF的外力。稍后将描述第一外力施加部PN1的详细描述。
图3是根据发明构思的沉积设备的实施例的分解透视图。图4是根据发明构思的沉积设备的实施例的平面图。图4示出了当从掩模框架MF的顶表面观看时沉积设备的平面图。以上描述可以同样应用于图3和图4中所示的沉积设备ED的构造中的每个。
参照图3和图4，掩模框架MF可以提供其上设置有掩模MK的支撑表面。其上设置有掩模MK的支撑表面可以与掩模框架MF的顶表面对应，并且与顶表面相对并且面对平台ST的安置表面S1的表面可以与掩模框架MF的后表面对应。
掩模框架MF可以具有预定刚性。在实施例中，掩模框架MF可以包括金属材料(诸如以不锈钢(SUS)、因瓦合金、镍(Ni)或钴(Co)为例)。
掩模框架MF在平面图中可以具有四边形(例如，矩形)闭合线形状。掩模框架MF可以包括限定开口OP-MF的第一部分P1至第四部分P4。第一部分P1至第四部分P4可以一体地设置以围绕开口OP-MF，并且可以提供单个掩模框架MF。
第一部分P1和第二部分P2中的每个可以在第一方向DR1上延伸。第三部分P3和第四部分P4中的每个可以在第二方向DR2上延伸。第一部分P1和第二部分P2可以彼此面对。第三部分P3和第四部分P4可以彼此面对。第三部分P3和第四部分P4中的每个可以设置在第一部分P1与第二部分P2之间。
第一部分至第四部分P1、P2、P3和P4可以分别包括限定掩模框架MF的外表面的侧表面S-P1(参照图6)、S-P2(参照图6)、S-P3(参照图6)和S-P4(参照图6)。上面参照图2描述的掩模框架MF的一个侧表面SS1可以是多个部分P1、P2、P3和P4的侧表面S-P1、S-P2、S-P3和S-P4中的一个。在该实施例中，一个侧表面SS1被示出为与第一部分P1的侧表面S-P1对应，但是实施例不必限于此。
掩模MK可以设置为多个，并且掩模MK中的每个可以设置在一个掩模框架MF上。掩模MK可以各自地结合并固定在掩模框架MF上。掩模MK可以与掩模框架MF的开口OP-MF叠置，并且可以在沿着第一方向DR1布置的状态下彼此结合。
掩模MK中的每个可以是具有比掩模框架MF的厚度小的厚度的薄板。掩模MK中的每个可以包括金属材料(诸如不锈钢(“SUS”)、因瓦合金、镍(Ni)、钴(Co)等)。然而，掩模MK的材料不限于以上示例。
掩模MK中的每个可以在第二方向DR2上延伸。也就是说，掩模MK中的每个可以具有沿着第一方向DR1延伸的短边和沿着第二方向DR2延伸的长边。然而，这仅仅是实施例中的一个，并且掩模MK的延伸方向不限于此。
掩模MK中的每个可以包括至少一个单元区域CA。图4示出了其中掩模MK中的每个包括多个单元区域CA的实施例。在一个掩模MK中，单元区域CA可以在第二方向DR2上彼此间隔开。沿着第一方向DR1布置的掩模MK的单元区域CA可以在第一方向DR1上彼此间隔开。一个单元区域CA的表面积可以与一个显示面板DP(参照图1)的表面积基本上对应。图4中所示的单元区域CA的数量可以是说明性实施例，并且可以根据掩模MK的表面积和沉积目标的表面积而变化，并因此不限于附图。
沉积开口OP-E1和OP-E2可以限定在掩模MK中的每个中。沉积开口OP-E1和OP-E2中的每个可以被限定为在掩模MK的厚度方向(例如，第三方向DR3)上穿过。沉积开口OP-E1和OP-E2可以包括限定在掩模MK的单元区域CA中的第一沉积开口OP-E1和限定在掩模MK的除了单元区域CA之外的区域内的第二沉积开口OP-E2。
限定在单元区域CA中的每个中的第一沉积开口OP-E1可以彼此间隔开并且可以具有预定布置。在平面图中，其中布置有第一沉积开口OP-E1的形状可以具有四边形(例如，矩形)形状。然而，公开不限于此，第一沉积开口OP-E1可以具有诸如菱形或圆形的形状。限定在图3和图4中所示的单元区域CA中的每个中的第一沉积开口OP-E1的数量、形状和布置可以是说明性实施例，并且可以根据要形成的沉积图案而变化，并因此不限于任何一个示例。
穿过第一沉积开口OP-E1的沉积材料EM(参照图2)可以沉积在基底SUB(参照图2)上，以形成与第一沉积开口OP-E1的形状和布置对应的沉积图案。在实施例中，沉积图案可以与显示面板DP(参照图1)的发射层EML(参照图1)对应。然而，当沉积图案是在显示面板DP(参照图1)中通过沉积形成的层时，沉积图案不限于特定实施例。
第二沉积开口OP-E2可以限定在单元区域CA之间。尽管图4示出了第二沉积开口OP-E2限定在沿着第二方向DR2间隔开的单元区域CA之间的区域中，但是公开不限于此。在实施例中，第二沉积开口OP-E2可以不设置在单元区域CA之间，例如，而是可以仅设置在单元区域CA的一部分处，或者可以设置为与单元区域CA的边缘相邻。
穿过第二沉积开口OP-E2的沉积材料EM(参照图2)可以沉积在基底SUB(参照图2)上，以形成与第二沉积开口OP-E2的形状和布置对应的对准图案。对准图案可以用于验证沉积图案形成位置的准确性。可以利用对准图案的形成位置来预测沉积图案是否设置在规范内。另外，掩模框架MF可以通过对准图案的形成位置在平台ST上重新对准。
平台ST可以包括其上安置有掩模框架MF的安置表面S1和与安置表面S1相对的后表面S2。平台ST的安置表面S1可以支撑掩模框架MF的后表面。平台ST可以具有与掩模框架MF的形状对应的形状。在实施例中，例如，平台ST可以具有限定与掩模框架MF的开口OP-MF叠置的平台开口OP-ST的框架形状。在图3中，示出了在平面图上具有包括沿着第一方向DR1延伸的长边和沿着第二方向DR2延伸的短边的四边形环形状的平台ST作为示例。然而，这仅仅是实施例中的一个，并且公开不限于此，平台ST的形状不限于任何一个，只要平台ST支撑掩模框架MF的后表面即可。
第一外力施加部PN1可以包括多个第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3。图3和图4示出了第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3的数量为三个，但是公开不限于此。在实施例中，设置在沉积设备ED中的第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3的数量可以例如少于或多于三个。
第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的每个可以连接到平台ST。第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的每个可以在平台ST的安置表面S1上设置在平台ST下方，并且可以设置为与平台ST的平行于第一方向DR1的一侧相邻。第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的每个可以在与第二方向DR2平行的方向上独立地移动。第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3的移动方向被定义为与水平方向Mx垂直的竖直方向My。第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的每个可以在竖直方向My上移动，并且可以控制施加到第一部分P1的侧表面S-P1的外力。
第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3可以分别包括：支撑件SP1、SP2和SP3；移动部MV1、MV2和MV3；以及驱动部DV1、DV2和DV3。支撑件SP1、SP2和SP3可以支撑第一部分P1的侧表面(也称为外表面)S-P1。移动部MV1、MV2和MV3可以是将支撑件SP1、SP2和SP3连接到驱动部DV1、DV2和DV3的构件。驱动部DV1、DV2和DV3可以使移动部MV1、MV2和MV3以及连接到移动部MV1、MV2和MV3的支撑件SP1、SP2和SP3在竖直方向My上移动。也就是说，第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3可以分别包括驱动部DV1、DV2和DV3，以在无需施加单独的外力的情况下主动操作。在实施例中，驱动部DV1、DV2和DV3中的每个可以是例如电动机或压电元件。然而，这仅仅是实施例中的一个，并且驱动部DV1、DV2和DV3的类型不限于此，只要支撑件SP1、SP2和SP3以及移动部MV1、MV2和MV3在竖直方向My上是可移动的即可。在图4中，驱动部DV1、DV2和DV3以及移动部MV1、MV2和MV3分别被示出为单独的构造，但是公开不限于此，并且驱动部DV1、DV2和DV3以及移动部MV1、MV2和MV3可以是一个构造。
第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3的驱动部DV1、DV2和DV3可以分别使支撑件SP1、SP2和SP3在竖直方向My上独立地移动。第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3可以在与第二方向DR2平行的方向上向掩模框架MF施加外力。因此，第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的每个可以独立地补偿由于掩模框架MF的固有张力引起的掩模框架MF的变形。
尽管在图3和图4中简要示出了第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3的形状，但是第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3可以支撑掩模框架MF的一个侧表面SS1，并且当第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的每个的位置是可调节的时，第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3的形状不限于此。
图5A和图5B是沉积设备的平面图。图5C是其上设置有对准图案的沉积表面的平面图。图5A和图5B是示出当从平台ST的安置表面S1观看时沉积设备ED的一些构造的示意性平面图。关于图5A至图5C中所示的每个构造，可以以相同的方式应用以上描述，并且下面将省略重复的描述。参照图5A至图5C，在将掩模MK结合到其的掩模框架MF安置在平台ST上的工艺中，掩模框架MF可能安置在不正确的位置处。在可替代的实施例中，掩模框架MF的形状可能由于掩模框架MF的固有张力而变形。当掩模框架MF没有安置在准确位置处时，沉积精度可能劣化。在图5A中，其中掩模框架MF安置在平台ST上的状态仅仅是实施例中的一个，并且掩模框架MF可以以其它形式安置在平台ST上。
第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3可以在竖直方向My上彼此独立地移动。第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的每个可以移动以根据支撑区域控制施加到第一部分P1的侧表面S-P1的外力。
可以根据掩模框架MF在平面图中扭曲的程度来调节第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3的位置。参照图5B，可以通过将第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的一些朝向第一部分P1的侧表面S-P1移动来调节掩模框架MF的位置。因此，如图5A中所示在平面图中扭曲的掩模框架MF可以被调节为如图4中所示在平面图中对准。
在图5C中，沉积表面ES可以是其上设置有沉积图案的表面。沉积表面ES可以与要处理的基底SUB(参照图2)的一个表面对应。能够预测沉积图案的形成位置的对准图案PA可以设置在沉积表面ES上。对准图案PA可以与掩模MK的第二沉积开口OP-E2对应。在图5C中，为了便于描述，省略了沉积图案，并且夸大了对准图案PA。
可以使用设置在沉积表面ES上的对准图案PA来预测沉积图案的均匀性和沉积趋势。因此，可以控制设置在沉积设备ED中的第一外力施加部PN1中的至少一个，以将外力施加到掩模框架MF的预定区域，因此，可以改善沉积图案的形成位置的精度。
示出了其中对准图案PA在第二区域AA2和第三区域AA3的下部中的沉积精度相对低的实施例。此外，可以看出的是，设置在第二区域AA2和第三区域AA3下部中的对准图案PA倾向于设置在参考对准区域r-PA下方。
为了改善沉积精度，如图5B中所示，与第二区域AA2和第三区域AA3的下部对应的第一子外力施加部DPN2和DPN3可以在第二方向DR2上移动。因此，通过与第二区域AA2和第三区域AA3的下部对应的第一子外力施加部DPN2和DPN3中的每个施加到第一部分P1的侧表面S-P1的中心部分和右部的外力可以增大。因此，可以减小对准图案PA在第一方向DR1和第二方向DR2上不均匀地设置的程度。随着沿着掩模框架MF的延伸方向设置的外力施加部的数量增大，可以根据区域精确地调节施加到掩模框架MF的外力，因此，可以更有效地改善沉积精度。
如上所述，可以通过调节第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3中的每个的位置来调节掩模框架MF的安置位置，并且还可以调节掩模MK的结合到掩模框架MF的位置。可以调节掩模框架MF和掩模MK的位置以改善沉积精度。另外，可以独立地调节第一子外力施加部DPN1、DPN2和DPN3的位置，以精确地控制掩模框架MF的安置位置。
参照图5A至图5C描述的掩模框架MF的未对准方向以及用于调节掩模框架MF而被控制的第一外力施加部PN1的数量和方向仅仅是实施例中的一些，因此，公开不限于此。可以改变根据掩模框架MF的方向和变形程度控制的第一外力施加部PN1的数量和方向。
图6、图7A和图7B是沉积设备的平面图。图7A和图7B示意性地示出了当从平台ST的安置表面S1观看时沉积设备ED的部分构造的平面图。以上描述可以同样地应用于图6、图7A和图7B中所示的每个构造，并且下面将省略重复的描述。
参照图6，与图4至图5B中所示的沉积设备不同，实施例中的沉积设备ED还可以包括第二外力施加部PN2和第三外力施加部PN3。第二外力施加部PN2可以设置为与掩模框架MF的第三部分P3相邻。第三外力施加部PN3可以设置为与掩模框架MF的第四部分P4相邻。第二外力施加部PN2和第三外力施加部PN3可以在掩模框架MF上彼此面对。
第二外力施加部PN2可以包括多个第二子外力施加部SPN1和SPN2。第二子外力施加部SPN1和SPN2可以同第三部分P3的与第一部分P1相邻的一侧和第三部分P3的与第二部分P2相邻的相对侧间隔开，并且可以在第三部分P3的与第一部分P1相邻的一侧和第三部分P3的与第二部分P2相邻的相对侧处彼此间隔开。尽管图6示出了第二子外力施加部SPN1和SPN2的数量是两个，但是这仅仅是实施例中的一个，并且第二子外力施加部SPN1和SPN2的位置和数量不限于此。
第二外力施加部PN2可以在与对应于水平方向Mx的第一方向DR1平行的方向上移动。第二子外力施加部SPN1和SPN2可以在与第一方向DR1平行的方向上独立地移动。因此，第二子外力施加部SPN1和SPN2可以控制施加到掩模框架MF的第三部分P3的侧表面S-P3的外力。
第二子外力施加部SPN1和SPN2可以分别包括第二驱动部DV4和DV5、第二支撑件SP4和SP5以及第二移动部MV4和MV5。第二支撑件SP4和SP5中的每个可以支撑第三部分P3的侧表面S-P3。第二驱动部DV4和DV5可以分别在与第一方向DR1平行的方向上使第二支撑件SP4和SP5以及第二移动部MV4和MV5移动。
第三外力施加部PN3可以包括多个第三子外力施加部SPN3和SPN4。第三子外力施加部SPN3和SPN4可以同第四部分P4的与第一部分P1相邻的一侧和第四部分P4的与第二部分P2相邻的相对侧间隔开，并且可以在第四部分P4的与第一部分P1相邻的一侧和第四部分P4的与第二部分P2相邻的相对侧处彼此间隔开。尽管图6示出了第三子外力施加部SPN3和SPN4的数量是两个，但是这仅仅是实施例中的一个，并且第三子外力施加部SPN3和SPN4的位置和数量不限于此。
第三外力施加部PN3可以在与第一方向DR1平行的方向上移动。第三子外力施加部SPN3和SPN4可以在与第一方向DR1平行的方向上独立地移动。因此，第三子外力施加部SPN3和SPN4可以控制施加到掩模框架MF的第四部分P4的侧表面S-P4的外力。
第三子外力施加部SPN3和SPN4可以分别包括第三驱动部DV6和DV7、第三支撑件SP6和SP7以及第三移动部MV6和MV7。第三支撑件SP6和SP7中的每个可以支撑第四部分P4的侧表面S-P4。第三驱动部DV6和DV7可以分别在与第一方向DR1平行的方向上使第三支撑件SP6和SP7以及第三移动部MV6和MV7移动。此外，在实施例中，第二子外力施加部SPN1和SPN2与第三子外力施加部SPN3和SPN4可以在第一方向DR1上彼此一一对应。
参照图7A和图7B，在实施例中的掩模框架MF中，由于掩模框架MF的固有张力，在第三部分P3和第四部分P4处可能发生扭曲和弯曲。第二外力施加部PN2可以在第一方向DR1上移动，以在第一方向DR1上向第三部分P3的侧表面S-P3施加外力，从而控制掩模框架MF的形状。也就是说，实施例中的沉积设备ED可以包括第二外力施加部PN2，以补偿由于在第三部分P3中发生的扭曲和弯曲而导致的掩模框架MF的变形。
第三外力施加部PN3可以在第一方向DR1上移动，以在第一方向DR1上向第四部分P4的侧表面S-P4施加外力，从而控制掩模框架MF的形状。也就是说，实施例中的沉积设备ED包括第三外力施加部PN3以补偿由于在第四部分P4中发生的扭曲和弯曲而导致的掩模框架MF的变形。
实施例中的沉积设备可以包括设置在平台的一侧处并且能够调节设置在平台上的掩模框架的位置的外力施加部。外力施加部可以包括驱动部，以实时调节掩模框架的位置。因此，实施例中的沉积设备可以具有改善的沉积精度，因此，可以改善工艺效率。
发明构思的实施例中的沉积设备可以包括外力施加部，外力施加部使掩模和掩模框架的位置对准以改善沉积精度，并且可以代替具有降低的沉积精度的掩模以降低沉积工艺成本。
在发明构思的实施例中的沉积设备中，安置表面可以竖直地设置在腔室中以防止掩模凹陷，从而改善沉积可靠性并且能够大面积沉积。
对于本领域技术人员将明显的是，可以在发明中进行各种修改和偏差。因此，发明意图覆盖本发明的修改和偏差，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。因此，发明的技术范围不应限于说明书的详细描述中描述的内容，而是应由权利要求确定。

Claims (20)

1.一种沉积设备，所述沉积设备包括：
掩模，在所述掩模中限定有多个沉积开口；
掩模框架，包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分并且设置在所述掩模的后表面上，并且在所述掩模框架中限定有开口；
平台，设置在所述掩模框架的后表面上；以及
第一外力施加部、第二外力施加部和第三外力施加部，设置在所述平台上，
其中，所述第一部分和所述第二部分中的每个在第一方向上延伸，并且所述第三部分和所述第四部分中的每个在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，
所述第一外力施加部包括支撑所述第一部分的外表面的第一支撑件和使所述第一支撑件在所述第二方向上移动的第一驱动部，
所述第二外力施加部包括支撑所述第三部分的外表面的第二支撑件和使所述第二支撑件在所述第一方向上移动的第二驱动部，并且
所述第三外力施加部包括支撑所述第四部分的外表面的第三支撑件和使所述第三支撑件在所述第一方向上移动的第三驱动部。
2.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，所述第一外力施加部包括在所述第一方向上彼此间隔开的多个第一子外力施加部，
所述第二外力施加部包括在所述第二方向上彼此间隔开的多个第二子外力施加部，并且
所述第三外力施加部包括在所述第二方向上彼此间隔开的多个第三子外力施加部。
3.根据权利要求2所述的沉积设备，其中，所述多个第一子外力施加部中的每个在所述第二方向上是独立地可移动的，
所述多个第二子外力施加部中的每个在所述第一方向上是独立地可移动的，并且
所述多个第三子外力施加部中的每个在所述第一方向上是独立地可移动的。
4.根据权利要求2所述的沉积设备，其中，所述多个第二子外力施加部在所述第三部分的与所述第一部分相邻的一侧和所述第三部分的与所述第二部分相邻的相对侧处彼此间隔开，并且
所述多个第三子外力施加部在所述第四部分的与所述第一部分相邻的一侧和所述第四部分的与所述第二部分相邻的相对侧处彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，所述第一驱动部至所述第三驱动部中的至少一个包括电动机或压电元件。
6.根据权利要求1所述的沉积设备，所述沉积设备还包括其中限定有内部空间的腔室，所述掩模、所述掩模框架、所述平台以及所述第一外力施加部至所述第三外力施加部设置在所述内部空间中，并且
所述第一部分设置为面对所述腔室的底表面。
7.根据权利要求6所述的沉积设备，所述沉积设备还包括沉积构件，所述沉积构件在所述内部空间中面对所述平台的后表面，并且将沉积材料注入到所述掩模上。
8.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，所述掩模和所述掩模框架中的每个包括金属。
9.一种沉积设备，所述沉积设备包括：
腔室，在所述腔室中限定有内部空间；
平台，提供与所述腔室的底表面垂直的安置表面；
掩模框架，设置在所述安置表面上，在所述掩模框架中限定有开口，并且包括：第一部分，在与所述底表面平行的第一方向上延伸并且与所述安置表面相邻；第二部分，面对所述第一部分并且在所述第一方向上延伸；第三部分，在与所述安置表面平行的第二方向上延伸并且设置在所述第一部分与所述第二部分之间；以及第四部分，面对所述第三部分并且在所述第二方向上延伸；
掩模，在所述掩模中限定有沉积开口，并且所述掩模在所述掩模框架上与所述开口叠置；以及
第一外力施加部，包括支撑所述第一部分的外表面的第一支撑件和使所述第一支撑件在所述第二方向上移动的第一驱动部。
10.根据权利要求9所述的沉积设备，其中，所述第一外力施加部包括在所述第一部分上在所述第一方向上彼此间隔开的多个第一子外力施加部。
11.根据权利要求10所述的沉积设备，其中，所述多个第一子外力施加部中的每个在所述第二方向上是独立地可移动的。
12.根据权利要求9所述的沉积设备，其中，所述第一驱动部包括电动机或压电元件。
13.根据权利要求9所述的沉积设备，所述沉积设备还包括：
第二外力施加部，设置在所述第三部分的外表面上，并且包括第二支撑件和使所述第二支撑件在所述第一方向上移动的第二驱动部；以及
第三外力施加部，设置在所述第四部分的外表面上，并且包括第三支撑件和使所述第三支撑件在所述第一方向上移动的第三驱动部。
14.根据权利要求13所述的沉积设备，其中，所述第二外力施加部包括多个第二子外力施加部，并且
所述第三外力施加部包括多个第三子外力施加部。
15.根据权利要求14所述的沉积设备，其中，所述多个第二子外力施加部中的每个在所述第一方向上是独立地可移动的，并且
所述多个第三子外力施加部中的每个在所述第一方向上是独立地可移动的。
16.根据权利要求15所述的沉积设备，其中，所述多个第二子外力施加部和所述多个第三子外力施加部在所述第一方向上彼此一一对应。
17.根据权利要求14所述的沉积设备，其中，所述多个第二子外力施加部在所述第三部分的与所述第一部分相邻的一侧和所述第三部分的与所述第二部分相邻的相对侧处彼此间隔开，并且
所述多个第三子外力施加部在所述第四部分的与所述第一部分相邻的一侧和所述第四部分的与所述第二部分相邻的相对侧处彼此间隔开。
18.根据权利要求9所述的沉积设备，其中，所述掩模和所述掩模框架中的每个包括金属。
19.根据权利要求9所述的沉积设备，所述沉积设备还包括沉积构件，所述沉积构件在所述内部空间中面对所述平台的后表面，并且将沉积材料注入到所述掩模上。
20.一种沉积方法，所述沉积方法包括以下步骤：
提供平台和设置在所述平台上的第一外力施加部、第二外力施加部和第三外力施加部，所述平台提供安置表面；
提供掩模框架和掩模，所述掩模框架包括在所述安置表面上的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分，所述掩模结合到所述掩模框架并且在所述掩模中限定有沉积开口；
模拟分别与所述沉积开口对应的沉积图案中的每个的形成位置；以及
使所述第一外力施加部至所述第三外力施加部中的至少一个移动以调节施加到所述掩模框架的力，使得所述沉积图案中的每个的所述形成位置设置在设计范围内，
其中，所述第一部分和所述第二部分中的每个在第一方向上延伸，并且所述第三部分和所述第四部分中的每个在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，
所述第一外力施加部包括支撑所述第一部分的外表面的第一支撑件和使所述第一支撑件在所述第二方向上移动的第一驱动部，
所述第二外力施加部包括支撑所述第三部分的外表面的第二支撑件和使所述第二支撑件在所述第一方向上移动的第二驱动部，并且
所述第三外力施加部包括支撑所述第四部分的外表面的第三支撑件和使所述第三支撑件在所述第一方向上移动的第三驱动部。
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