TW202318958A - 電子裝置 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供一種電子裝置，包括基板、驅動元件、導電層以及電子元件。驅動元件設置在基板上。導電層設置在基板上，其中驅動元件與導電層的邊緣之間具有第一距離(B)。電子元件設置在導電層上且電性連接驅動元件，其中電子元件與導電層的邊緣之間具有第二距離(A)，且第一距離(B)大於第二距離(A)。
Description
本發明是有關於一種電子裝置。
為了使電子裝置中的電子元件可達到快速地散熱或減少電磁干擾等各種功能，一般會在電子裝置中形成具有大面積的導電層；然而，此導電層的設置將會增加電子元件的電容負載及/或訊號線的阻抗值，或者會使電子裝置中的各構件產生地形差異，使得訊號線因此產生斷線或剝離的可能。因此，對於如何使此電子裝置降低上述問題的發生機會而提高可靠度為近年來大力發展的技術之一。
本揭露提供一種電子裝置，以解決現有電子裝置所遭遇的問題，進而提高電子裝置的可靠度。
根據本揭露的實施例，電子裝置包括基板、驅動元件、導電層以及電子元件。驅動元件設置在基板上。導電層設置在基板上，其中驅動元件與導電層的邊緣之間具有第一距離(B)。電子元件設置在導電層上且電性連接驅動元件，其中電子元件與導電層的邊緣之間具有第二距離(A)，且第一距離(B)大於第二距離(A)。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖作詳細說明如下。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
當相應的構件（例如膜層或區域）被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向（orientation）。
術語「大約」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該（或該些）元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
本揭露中所敘述之電性連接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接。
在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
本揭露的電子裝置可包括顯示裝置、天線裝置、感測裝置、拼接裝置、觸控裝置或上述之組合，舉例而言，本揭露的電子裝置可包括有主動元件、被動元件或其組合，其可包括二極體、電晶體、電容、電感、電阻或其組合，但本揭露不以此為限。電子裝置包括可捲曲、可彎折或可撓式電子裝置，但不以此為限。電子裝置可例如包括液晶（liquid crystal）、發光二極體（light emitting diode，LED）、可變電容（Varactor）、量子點（quantum dot，QD）、螢光（fluorescence）、磷光（phosphor）、其他適合之材料或上述之組合。發光二極體可例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、微型發光二極體（micro-LED、mini-LED）或量子點發光二極體（QLED、QDLED），但不以此為限。顯示裝置可為自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。感測裝置可包括指紋感測裝置、可見光感測裝置、紅外光感測裝置、X光感測裝置，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有處理系統、驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統等周邊系統以支援顯示裝置或拼接裝置。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以顯示裝置或拼接裝置做為電子裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
以下舉例本揭露的示範性實施例，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖，圖2A為依據圖1的區域R1的一實施例的放大示意圖，圖2B為依據圖1的區域R1的另一實施例的放大示意圖，圖2C為依據圖1的區域R1的又一實施例的放大示意圖，且圖3A為依據圖1的一實施例的放大示意圖。值得說明的是，為了附圖清楚及方便說明，圖1與圖3A省略繪示若干元件。
請同時參照圖1、圖2A、圖2B與圖2C，本實施例的電子裝置10包括有主動區AA以及周邊區PA。在一些實施例中，周邊區PA位於主動區AA的至少一側。在本實施例中，周邊區PA環繞主動區AA，但本揭露不以此為限。本申請的電子裝置10可例如為顯示裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置等電子裝置。在本實施例中，電子裝置10包括基板100、驅動元件200、導電層M1以及電子元件300。
基板100的材料可例如是玻璃、塑膠或其組合。舉例而言，基板100的材料可包括石英、藍寶石（sapphire）、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate，PMMA）、聚碳酸酯（polycarbonate, PC）、聚醯亞胺（polyimide, PI）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）或其他適合的材料或上述材料的組合，本揭露不以此為限。
驅動元件200例如設置在基板100上，且例如設置在電子裝置10的周邊區PA中。在一些實施例中，驅動元件200以晶片設置在玻璃基板上（chip on glass；COG）的方式設置在基板100的表面上，但本揭露不以此為限。即，在另一些實施例中，驅動元件200可以晶片設置在可撓性基板上（chip on plastic；COP）的方式設置在基板100的表面上。或者，在又一些實施例中，驅動元件200包括驅動電路且直接設置在基板100的表面上（gate on panel；GOP）。值得說明的是，圖1雖僅繪示出一個驅動元件200，但本揭露不以此為限。在另一些實施例中，電子裝置10可包括兩個以上的驅動元件200設置在基板100的表面上。驅動元件200可例如包括驅動晶片、電路板或其組合。在一些實施例中，驅動晶片可包括有時序控制單元、資料驅動單元及電源驅動單元等驅動單元，且電路板可包括可撓性印刷電路板（flexible printed circuit board，FPC），但本揭露不以此為限。
導電層M1例如設置在基板100上，且例如設置在電子裝置10的主動區AA中。在一些實施例中，導電層M1除了設置在主動區AA中之外，還延伸至周邊區PA中，以作為電子裝置10的散熱層、靜電防護層、電磁干擾遮罩層等用途，但本揭露不以該些用途為限。導電層M1的材料可例如包括銀、銅、金、鋁、錫、鎳或其組合等阻抗低的材料。然而，導電層M1的材料亦可例如為其他適合的材料或上述材料的組合，本揭露不以此為限。在本實施例中，導電層M1具有鄰近驅動元件200的邊緣M1E。導電層M1的邊緣M1E例如實質沿著第一方向d1延伸，但本揭露不以此為限。另外，導電層M1例如具有四邊形狀，但本揭露不以此為限。即，在另一些實施例中，導電層M1可不為矩形。在本揭露裡，“A鄰近B”表示A與B之間沒有A或B，但可設置其他元件。
電子元件300例如設置在導電層M1上。在一些實施例中，電子元件300間隔設置在導電層M1上。舉例而言，如圖1所示出，多個電子元件300以陣列排列的方式設置在導電層M1上，但本揭露不以此為限。在另一些實施例中，多個電子元件300例如可以交錯排列（例如pentile方式）或其他方式設置在導電層M1上。電子元件300可例如包括可變電容器、發光二極體或太陽能電池等電子元件，本揭露不以此為限。
在本實施例中，鄰近導電層M1的邊緣M1E的電子元件300透過第一導線CL1電性連接驅動元件200，以通過驅動元件200驅動。鄰近導電層M1的邊緣M1E的驅動元件200與導電層M1的邊緣M1E之間具有第一距離B，且電子元件300與導電層M1的邊緣M1E之間具有第二距離A。詳細地說，驅動元件200與導電層M1的邊緣M1E之間具有在第一導線CL1的延伸方向（例如第二方向d2）上的第一距離B，且電子元件300與導電層M1的邊緣M1E之間具有在第一導線CL1的延伸方向（例如第二方向d2）上的第二距離A，其中第二方向d2與第一方向d1不同，例如正交。在一些實施例中，第一距離B大於第二距離A。或者，第一距離B以及第二距離A滿足以下關係式：B＞A。當第一距離B以及第二距離A滿足以上關係時，導電層M1與第一導線CL1重疊的面積可縮減，使得電子裝置10的電容負載（capacitive load）可降低，借此可提升電子裝置10的訊號傳遞品質。在另一些實施例中，第一距離B以及第二距離A可滿足以下關係式：B/(A+B)≥50%。值得說明的是，第一距離B以及第二距離A在滿足以上關係式時，可在電子裝置10上的任一位置達成上述功效。
請同時參照圖1與圖3A，在本實施例中，電子裝置10還包括有電性元件400。在一些實施例中，電性元件400在第三方向d3（基板100的法線方向，與第二方向d2以及第一方向d1正交）上與電子元件300至少部分地重疊，但本揭露不以此為限。電性元件400可例如包括有彼此電性連接的薄膜電晶體TFT以及儲存電容Cst，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，薄膜電晶體TFT與電子元件300電性連接，以作為驅動電子元件300的開關元件。薄膜電晶體TFT可例如包括有多個電極與半導體層SE。舉例而言，在本實施例中，電極包括閘極G、源極S、汲極D，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，半導體層SE的材料包括低溫多晶矽(low temperature polysilicon，LTPS)、低溫多晶氧化物（low temperature polysilicon oxide，LTPO）或非晶矽（amorphous silicon，a-Si），但本揭露不以此為限。舉例而言，半導體層SE的材料可包含但不限於非晶矽、多晶矽、鍺、化合物半導體(例如氮化鎵、碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導體(例如SiGe合金、GaAsP合金、AlInAs合金、AlGaAs合金、GaInAs合金、GaInP合金、GaInAsP合金)，或前述之組合。半導體層SE的材料亦可包含但不限於金屬氧化物，例如銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZTO)、或包含多環芳香族化合物的有機半導體，或前述之組合。閘極G在基板100的第三方向d3上例如至少部分地與半導體層SE重疊。源極S與汲極D例如彼此分離，且覆蓋至少部分的半導體層SE並與半導體層SE電性連接，其中汲極D可例如與儲存電容Cst電性連接。或者，源極S與汲極D可各自通過在其與半導體層SE之間的絕緣層中的通孔而彼此電性連接。薄膜電晶體TFT例如為所屬領域中具有通常知識者所周知的任一種底部閘極型薄膜電晶體。然而，本實施例雖然是以底部閘極型薄膜電晶體為例，但本揭露不以此為限。
在本實施例中，電子裝置10還包括有測試墊500。測試墊500例如設置在電子裝置10的周邊區PA中，且與驅動元件200設置在主動區AA的不同側，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，測試墊500可與導電層M1重疊，但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，測試墊500可不與導電層M1重疊。在一些實施例中，測試墊500設置有多個，且多個測試墊500沿著第二方向d2排列，但本揭露不以此為限。在本實施例中，測試墊500與電子元件300通過測試連接線TL彼此電性連接。因此，測試墊500可用於在形成電子裝置10的製程中測試其中的多個電子元件300是否有損壞的情形，若測試到有電子元件300出現損壞的情形，則可在形成電子裝置10的製程途中對損壞的電子元件300進行修復或者將其替換成新的電子元件。前述測試的方式可例如是通過設置與測試墊500電性連接的測試裝置（未示出）施加偏壓至電子元件300，通過觀察電子元件300的電特性判斷電子元件300是否損壞；或者可通過熱像儀來檢測電子元件300的熱特性判斷電子元件300是否損壞，但須注意本揭露不以此為限。
在本實施例中，電子裝置10還包括有第一導線CL1。第一導線CL1例如電性連接驅動元件200以及電子元件300，以用於將來自驅動元件200的訊號傳遞自相應的電性元件400（例如薄膜電晶體TFT）而用以驅動電子元件300，但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，驅動元件200亦可透過其他導線將訊號直接傳遞至電子元件300。基於此，第一導線CL1例如自設置於周邊區PA中的驅動元件200延伸至設置於主動區PA中的電性元件400，使得第一導線CL1會包括在導電層M1外未與導電層M1重疊的部分以及與導電層M1重疊的部分（以導電層M1的邊緣M1E為界）。為減少第一導線CL1在延伸至導電層M1的邊緣M1E跨越導電層M1時，因地形差異導致第一導線L1在導電層M1的邊緣M1E產生斷線或剝離的問題，本實施例使第一導線CL1在導電層M1的邊緣M1E處時包括具有相對大的寬度部分。詳細地說，如圖2A所示出，第一導線CL1在導電層M1外（即，未與導電層M1重疊的第一導線CL1）例如具有在第一方向d1上的第一寬度w1，且第一導線CL1在導電層M1的邊緣M1E上例如具有在第一方向d1上的第二寬度w2，其中第一寬度w1小於第二寬度w2。在一些實施例中，第一寬度w1與第二寬度w2滿足以下關係式：w2≥w1*1.1。基於此，本實施例通過使第一寬度w1小於第二寬度w2，可減少上述問題發生的機會而提高電子裝置10的可靠性。在本實施例中，電子裝置10還包括有第一導線CL1’。 第一導線CL1’自驅動元件200延伸至導電層M1，使驅動元件200與導電層M1電性連接，但本揭露不以此為限。
從另一個角度來看，第一導線CL1包括具有第一寬度w1的部分CL1_P1以及具有第二寬度w2的部分CL1_P2，其中第一導線CL1的部分CL1_P2自導電層M1外延伸至導電層M1上。在一些實施例中，第一導線CL1的部分CL1_P2的邊緣呈弧形，其可減少靜電累積至此邊緣的機會，以起到靜電防護的作用。第一導線CL1的部分CL1_P2例如部分地重疊導電層M1的邊緣M1E，其中未與導電層M1重疊的部分CL1_P2具有在第二方向d2上延伸的長度h1，與導電層300重疊的部分CL1_P2具有在第二方向d2上延伸的長度h2，且長度h1與長度h2例如為1微米至50微米，但本揭露不以此為限。長度h1與長度h2可例如相同或者不同，舉例而言，長度h1可大於長度h2，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，第一導線CL1還包括有部分CL1_P3，其自部分CL1_P2延伸至電子元件300。第一導線CL1的部分CL1_P3具有的寬度可與部分CL1_P1具有的寬度實質相同；或與部分CL1_P2具有的寬度實質相同；或者大於部分CL1_P2具有的寬度，本揭露不以此為限。
在另一些實施例中，如圖2B所示出，第一導線CL1的部分CL1_P2具有彼此沿第一方向d1排列的多個開口CL1_OP，使得第一導線CL1的部分CL1_P2具有多個分支部CL1_P2B。第一導線CL1的分支部CL1_P2B亦為自導電層M1外延伸至導電層M1上，通過此設計，當第一導線CL1的部分CL1_P2中的一些分支部CL1_P2B產生斷線等問題時，電子裝置10仍可通過第一導線CL1的未斷線的分支部CL1_P2B傳遞訊號，借此提高電子裝置10的可靠性。
在又一些實施例中，如圖2C所示出，導電層M1的邊緣M1E包括非直線的部分M1Z，且第一導線CL1位於非直線部分M1Z 上。在一些實施例中，第一導線CL1的非直線部分M1Z可包括鋸齒狀（如圖2C中所示出）、波浪狀、弧形狀或其組合，本揭露不以此為限。通過此設計可增加第一導線CL1與導電層M1的邊緣M1E重疊的長度，以降低第一導線CL1於導電層M1的邊緣M1E處產生斷線或剝離的情況，借此提高電子裝置10的可靠性。
在本實施例中，如圖3A至圖3D所示出，電子裝置10還包括有絕緣層IL1、絕緣層IL2、導電層M2、絕緣層IL3、導電層M3、絕緣層IL4、導電層M4以及絕緣層IL5，其中圖3A至圖3D示出的實施例對應至設置有薄膜電晶體TFT的區域。
絕緣層IL1例如設置於基板100上。在本實施例中，絕緣層IL1設置於基板100與導電層M1之間。絕緣層IL1的材料可例如為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本揭露不限於此。
絕緣層IL2例如設置於絕緣層IL1上。在本實施例中，絕緣層IL2覆蓋導電層M1。絕緣層IL2的材料可例如為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層），但本揭露不限於此。絕緣層IL2的材料可例如為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本揭露不限於此。
導電層M2例如設置於絕緣層IL2上。在本實施例中，導電層M2形成有前述的閘極G以及閘極線GL，其中閘極G可例如與對應的閘極線GL電性連接，以接收相應的閘極訊號，但本揭露不限於此。導電層M2可例如與前述的導電層M1包括相同或不同的材料，本揭露不以此為限。
絕緣層IL3例如設置於絕緣層IL2上。在本實施例中，絕緣層IL3部份地覆蓋導電層M2。即，絕緣層IL3具有暴露出部分的導電層M2的通孔TH1，但本揭露不以此為限。從另一個角度來看，絕緣層IL3設置在閘極G與半導體層SE之間，以作為閘絕緣層的用途。絕緣層IL3的材料可例如為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層），但本揭露不限於此。絕緣層IL3的材料可例如為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本揭露不限於此。
導電層M3例如設置於絕緣層IL3上，且部分地覆蓋亦設置於絕緣層IL3上的半導體層SE。在本實施例中，導電層M3形成有前述的源極S以及汲極D與資料線DL，其中源極S可與對應的資料線DL電性連接以接收相應的資料訊號，但本揭露不限於此。導電層M3可例如與前述的導電層M1包括相同或不同的材料，本揭露不以此為限。
絕緣層IL4例如設置於絕緣層IL3上。在本實施例中，絕緣層IL4部份地覆蓋導電層M3。即，絕緣層IL4具有暴露出部分的導電層M3的通孔TH22，但本揭露不以此為限。另外，絕緣層IL4還包括暴露出部分的導電層M2的通孔TH21。詳細地說，在本實施例中，通孔TH21與通孔TH1重疊，使得絕緣層IL4與絕緣層IL3一同暴露出部份的導電層M2。在一些實施例中，絕緣層IL4暴露出導電層M2的閘極線GL以及導電層M3的資料線DL。絕緣層IL4的材料可例如為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層），但本揭露不限於此。絕緣層IL4的材料可例如為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本揭露不限於此。
導電層M4例如設置於絕緣層IL4上。在本實施例中，導電層M4形成有導線M4_CL1以及導線M4_CL2，其中導線M4_CL1與對應的閘極線GL電性連接，且導線M4_CL2與對應的資料線DL電性連接。詳細地說，導線M4_CL1通過彼此連接的通孔TH21與通孔TH1與導電層M2中的閘極線GL電性連接，M4_CL2通過通孔TH22與導電層M3中的資料線DL電性連接，使得導線M4_CL1以及導線M4_CL2各自作為閘極線GL以及資料線DL的轉接線的用途。基於此，由於導電層M4設置地較導電層M2（或導電層M3）遠離導電層M1，因此，通過使用於傳遞訊號的閘極線GL以及資料線DL與導電層M4電性連接，可增加其與導電層M1之間的距離，借此可降低閘極線GL以及資料線DL的阻抗值。詳細地說，在基板100的法線方向（第三方向d3）上，導電層M4與導電層M1之間的距離d41例如大於導電層M3與導電層M1之間的距離d31，且導電層M4與導電層M1之間的距離d41亦例如大於導電層M2與導電層M1之間的距離d21。從另一個角度來看，在基板100的法線方向（第三方向d3）上，導線M4_CL2與導電層M1之間的距離d41例如大於源極S與導電層M1之間的距離d31，且導線M4_CL1與導電層M1之間的距離d41亦例如大於導電層M2（例如閘極G或閘極線GL）與導電層M1之間的距離d21。
圖4A為依據圖1的另一實施例的放大示意圖，且圖4B為依據圖4A的剖線C2-C2’的一實施例的局部剖面示意圖。須說明的是，圖4A與圖4B的實施例可各自沿用圖3A與圖3D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請同時參照圖4A與圖4B，本實施例的與前述的主要差異在於：更包括導電層M5，導電層M5用以替代導電層M4形成的導線M4_CL1而與對應的閘極線GL電性連接。
詳細地說，導電層M5亦例如設置於絕緣層IL4上，其中導電層M5例如是通過與形成導電層M4不同的製程設置於絕緣層IL4上，但本揭露不限於此。在本實施例中，導線M5形成有導線M5_CL，導線M5_CL通過彼此連接的通孔TH21與通孔TH1與導電層M2中的閘極線GL電性連接。因此，由於導電層M5設置地較導電層M2遠離導電層M1，通過使用於傳遞訊號的閘極線GL與導電層M5電性連接，可增加其與導電層M1之間的距離，借此亦可降低閘極線GL的阻抗值。詳細地說，在基板100的法線方向（第三方向d3）上，導電層M5與導電層M1之間的距離d51例如大於導電層M2與導電層M1之間的距離d21。從另一個角度來看，在基板100的法線方向（第三方向d3）上，導線M5_CL與導電層M1之間的距離d51例如大於導電層M2（例如閘極G或閘極線GL）與導電層M1之間的距離d21。
值得說明的是，雖然本實施例中的導電層M5與導電層M4位於相同的水平面上，但本揭露不限於此。在另一些實施例中，電子裝置10還可包括有覆蓋導電層M4的絕緣層（未示出），且導電層M5設置於此絕緣層上，使得導電層M5與導電層M4屬於不同層。從另一個角度來看，導線M5_CL與導線M4_CL1屬於不同層。此絕緣層亦包括與通孔TH21以及通孔TH1連結的通孔（未示出）而暴露出部分的導電層M2，且導電層M5中的導線M5_CL通過此通孔與導電層M2中的閘極線GL電性連接。由於導電層M5與導電層M4在此情況下處於不同的高度，因此，可降低閘極線GL與資料線DL之間的訊號耦合造成的不良影響，借此可提升電子裝置10的訊號傳遞品質。
圖5A為本揭露一實施例的電子裝置的導電層之間的設置關係的局部俯視示意圖，圖5B為依據圖5A的剖線D1-D1’的一實施例的局部剖面示意圖，且圖5C為依據圖5A的剖線D2-D2’的一實施例的局部剖面示意圖。值得說明的是，為了附圖清楚及方便說明，圖5A至圖5C省略繪示若干元件。須說明的是，圖5A至圖5C的實施例可沿用圖3A至圖3D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在一些實施例中，電子裝置10的導電層M1形成有導線M1_CL，導電層M2形成有導線M2_CL，且絕緣層IL2具有通孔TH3，其中通孔TH3暴露出部分的導線M1_CL。導線M1_CL例如設置在基板100上，且導線M2_CL例如與導線M1_CL重疊，其中導線M2_CL例如與導線M1_CL在相同方向上延伸。舉例而言，導線M2_CL與導線M1_CL可在第二方向d2上延伸，但本揭露不以此為限。在本實施例中，導線M2_CL透過絕緣層IL2的通孔TH3與導線M1_CL電性連接。通過使導線M2_CL與導線M1_CL堆疊並聯的設計，可降低導線M2_CL的阻抗值，借此可提升電子裝置10的訊號傳遞品質。另外，在本實施例中，導線M2_CL在第三方向d3上的面積大於導線M1_CL在第三方向d3上的面積，但本揭露不以此為限。舉例而言，導線M2_CL在第一方向d1的寬度wL2可例如大於導線M1_CL在第一方向d1的寬度wL1，使得導線M2_CL在第三方向d3上的面積大於導線M1_CL在第三方向d3上的面積，但本揭露不以此為限。
圖6為本揭露另一實施例的電子裝置的導電層之間的設置關係的局部俯視示意圖。須說明的是，圖6的實施例可沿用圖5A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請參照圖6，本實施例與圖5A示出的實施例的主要差異在於：絕緣層IL2具有沿著導線的延伸方向延伸的開口OP，其中開口OP暴露出部分的導線M1_CL，且導線開口OP例如與導線M2_CL以及導線M1_CL在相同方向上延伸。舉例而言，開口OP可與導線M2_CL以及導線M1_CL在第二方向d2上延伸，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，開口OP在第一方向d1的寬度wOP可小於導線M1_CL在第一方向d1的寬度wL1。在本實施例中，導線M2_CL亦可透過絕緣層IL2的開口OP與導線M1_CL電性連接。
圖7A為本揭露又一實施例的電子裝置的導電層之間的設置關係的局部俯視示意圖。圖7B為依據圖7A的剖線E1-E1’的一實施例的局部剖面示意圖。圖7C為依據圖7A的剖線E2-E2’的一實施例的局部剖面示意圖。須說明的是，圖7A至圖7C的實施例可沿用圖5A至圖5C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請同時參照圖7A至圖7C，本實施例與圖5A至圖5C示出的實施例的主要差異在於：導線M2_CL在第三方向d3上的面積小於導線M1_CL在第三方向d3上的面積。舉例而言，導線M2_CL在第一方向d1的寬度wL2可例如小於導線M1_CL在第一方向d1的寬度wL1，使得導線M2_CL在第三方向d3上的面積小於導線M1_CL在第三方向d3上的面積，但本揭露不以此為限。在本實施例中，導線M2_CL亦可透過絕緣層IL2的通孔TH3與導線M1_CL電性連接。
根據上述，本揭露一些實施例提供的電子裝置中的驅動元件與導電層的邊緣之間具有第一距離，且電子元件與導電層的邊緣之間具有第二距離，通過讓第一距離小於第二距離可使導電層與第一導線重疊的面積縮減，使得電子裝置的電容負載可降低。另外，本揭露一些實施例提供的電子裝置中的第一導線在導電層外具有第一寬度，且第一導線在導電層的邊緣上具有第二寬度，通過讓第一寬度小於第二寬度可減少因地形差異導致第一導線在導電層的邊緣產生斷線或剝離的問題。此外，本揭露一些實施例提供的電子裝置中設置有用於訊號線的轉接線，且此轉接線與訊號線之間由至少一層絕緣層隔開，因此可增加轉接線與導電層之間的距離，借此可降低訊號線的阻抗值。並且，本揭露一些實施例提供的電子裝置通過使訊號線與導電層中的導線堆疊並聯，借此可降低此訊號線的阻抗值。綜上所述，本揭露實施例提供的電子裝置中具有經提高的可靠性。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。各實施例間的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
10:電子裝置
100:基板
200:驅動元件
300:電子元件
400:電性元件
500:測試墊
A1-A1’、B1-B1’、C1-C1’、C2-C2’、D1-D1’、D2-D2’、E1-E1’、E2-E2’:剖線
A:第二距離
AA:主動區
B:第一距離
CL1、CL1’:第一導線
CL1_OP、OP:開口
CL1_P1、CL1_P2、CL1_P3:部分
CL1_P2B:分支部
Cst:儲存電容
D:汲極
d1:第一方向
d2:第二方向
d3:第三方向
d21、d31、d41、d51:距離
DL:資料線
G:閘極
GL:閘極線
h1、h2:長度
IL1、IL2、IL3、IL4、IL5:絕緣層
M1、M2、M3、M4、M5:導電層
M1_CL、M2_CL、M4_CL1、M4_CL2、M5_CL:導線
M1E:邊緣
M1Z:非直線部分
PA:周邊區
R1:區域
S:源極
SE:半導體層
TFT:薄膜電晶體
TH1、TH21、TH22、TH3:通孔
TL:測試連接線
w1:第一寬度
w2:第二寬度
wL1、wL2、wOP:寬度
包含附圖以便進一步理解本揭露，且附圖併入本說明書中並構成本說明書的一部分。附圖說明本揭露的實施例，並與描述一起用於解釋本揭露的原理。
圖1為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖。
圖2A為依據圖1的區域R1的一實施例的放大示意圖。
圖2B為依據圖1的區域R1的另一實施例的放大示意圖。
圖2C為依據圖1的區域R1的又一實施例的放大示意圖。
圖3A為依據圖1的一實施例的放大示意圖。
圖3B為依據圖3A的剖線A1-A1’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖3C為依據圖3A的剖線B1-B1’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖3D為依據圖3A的剖線C1-C1’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖4A為依據圖1的另一實施例的放大示意圖。
圖4B為依據圖4A的剖線C2-C2’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖5A為本揭露一實施例的電子裝置的導電層之間的設置關係的局部俯視示意圖。
圖5B為依據圖5A的剖線D1-D1’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖5C為依據圖5A的剖線D2-D2’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖6為本揭露另一實施例的電子裝置的導電層之間的設置關係的局部俯視示意圖。
圖7A為本揭露又一實施例的電子裝置的導電層之間的設置關係的局部俯視示意圖。
圖7B為依據圖7A的剖線E1-E1’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖7C為依據圖7A的剖線E2-E2’的一實施例的局部剖面示意圖。
10:電子裝置
100:基板
200:驅動元件
300:電子元件
400:電性元件
500:測試墊
A:第二距離
AA:主動區
B:第一距離
CL1、CL1’:第一導線
Cst:儲存電容
d1:第一方向
d2:第二方向
d3:第三方向
DL:資料線
GL:閘極線
M1:導電層
M1E:邊緣
PA:周邊區
R1:區域
TFT:薄膜電晶體
TL:測試連接線
Claims (10)
- 一種電子裝置，包括： 基板； 驅動元件，設置在所述基板上； 導電層，設置在所述基板上，其中所述驅動元件與所述導電層的邊緣之間具有第一距離(B)；以及 電子元件，設置在所述導電層上且電性連接所述驅動元件，其中所述電子元件與所述導電層的所述邊緣之間具有第二距離(A)， 其中，所述第一距離(B)大於所述第二距離(A)。
- 如請求項1所述的電子裝置，包括多個所述電子元件，所述多個電子元件間隔設置在所述導電層上。
- 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一距離(B)以及所述第二距離(A)滿足以下關係式：B/(A+B)≥50%。
- 如請求項1所述的電子裝置，其更包括第一導線，所述第一導線電性連接所述驅動元件以及所述電子元件，所述第一導線在所述導電層外具有第一寬度，所述第一導線在所述導電層的所述邊緣上具有第二寬度，且所述第一寬度小於所述第二寬度。
- 如請求項4所述的電子裝置，其中所述第一導線具有分支部，所述分支部自所述導電層外延伸至所述導電層上。
- 如請求項4所述的電子裝置，其中所述導電層的所述邊緣包括非直線部分，且所述第一導線位於所述非直線部分上。
- 如請求項1所述的電子裝置，其更包括薄膜電晶體以及第二導線，所述薄膜電晶體設置在所述基板上且包括第一電極，所述第二導線透過第一通孔與所述第一電極電性連接，其中在所述基板的法線方向上，所述第二導線與所述導電層之間的距離大於所述第一電極與所述導電層之間的距離。
- 如請求項7所述的電子裝置，其更包括第三導線，其中所述薄膜電晶體包括第二電極，所述第三導線透過第二通孔與所述第二電極電性連接，且在所述基板的法線方向上，所述第三導線與所述導電層之間的距離大於所述第二電極與所述導電層之間的距離。
- 如請求項8所述的電子裝置，其中所述第二導線與所述第三導線屬於不同層。
- 如請求項1所述的電子裝置，其更包括： 第四導線，設置在所述基板上；以及 第五導線，與所述第四導線重疊，且透過通孔與所述第四導線電性連接， 其中所述第五導線與所述第四導線在相同方向上延伸。
Applications Claiming Priority (4)
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|---|---|---|---|
| US202163270560P | 2021-10-21 | 2021-10-21 | |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202318958A true TW202318958A (zh) | 2023-05-01 |
| TWI836539B TWI836539B (zh) | 2024-03-21 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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