TW201935722A - 微型發光裝置 - Google Patents
微型發光裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201935722A TW201935722A TW107105402A TW107105402A TW201935722A TW 201935722 A TW201935722 A TW 201935722A TW 107105402 A TW107105402 A TW 107105402A TW 107105402 A TW107105402 A TW 107105402A TW 201935722 A TW201935722 A TW 201935722A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- pattern
- micro
- light
- electrically connected
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 57
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
微型發光裝置包含基板、資料線、掃描線、低電源供應線、高電源供應線、絕緣層、反射電極、黏合層、第一微型發光元件及連接電極。反射電極具有第一圖案、第二圖案與第三圖案。第一圖案經由絕緣層之第一開口電性連接於開關元件，第二圖案經由絕緣層之第二開口電性連接於低電源供應線。第一微型發光元件設置於黏合層上且對應於第三圖案。第一連接電極電性連接第一微型發光元件與第一圖案，第二連接電極電性連接第一微型發光元件與第二圖案。
Description
本發明是有關於一種微型發光裝置。
近年來，隨著科技的進步與半導體產業的日益發達，電子產品例如個人數位助理(personal digital assistant,PDA)、行動電話(mobile phone)、智慧型手機(smart phone)與筆記型電腦(notebook,NB)等產品的使用越來越普遍，並朝著便利、多功能且美觀的設計方向進行發展，以提供使用者更多的選擇。當使用者對電子產品的需求日漸提升，在電子產品中扮演重要角色的顯示螢幕/面板(display screen/panel)亦成為設計者關注的焦點。因此，需要重新的設計電子產品中的顯示螢幕/面板(display screen/panel)，來符合大眾的需求。
本發明的一種微型發光裝置，包含基板、至少一資料線、至少一掃描線、至少一低電源供應線、至少一高電源供應線、絕緣層、多個反射電極、黏合層、第一微型發光元件以及多個連接電極。基板具有至少一子畫素，且子畫素具有至少一開關元件。資料線、掃描線、低電源供應線與高電源供應線皆設置於基板上。開關元件之一閘極電性連接於掃描線，開關元件之一源極電性連接於資料線。絕緣層設置於基板上且覆蓋開關元件、資料線、掃描線、低電源供應線與高電源供應線。絕緣層具有第一開口及第二開口。反射電極設置於絕緣層上且具有第一圖案、第二圖案與第三圖案。第一圖案經由絕緣層之第一開口電性連接於開關元件之一汲極，第二圖案經由絕緣層之第二開口電性連接於低電源供應線。黏合層設置於基板上且覆蓋部份第一圖案、部份第二圖案、以及部份絕緣層。黏合層覆蓋第三圖案。黏合層具有第三開口及第四開口。第一微型發光元件設置於黏合層上且對應於第三圖案。第一微型發光元件包含極性相反之第一半導體層與第二半導體層。連接電極設置於黏合層上且具有第一連接電極與第二連接電極。第一連接電極之一端電性連接於第一半導體層且第一連接電極之另一端經由黏合層之第三開口電性連接於第一圖案，第二連接電極之一端電性連接於第二半導體層且第二連接電極之另一端經由黏合層之第四開口電性連接於第二圖案。
在上述實施例之一可提供具有較佳的亮度穩定性的微型發光裝置。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，”連接”可以指物理及/或電性連接。再者，”電性連接”或”耦接/合”係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的”約”、”近似”、或”實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，”約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、”近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1A是依照本發明一實施例的一種微型發光裝置的局部俯視示意圖。圖1B是沿圖1A的Ⅰ-Ⅰ’的微型發光裝置的剖面示意圖。為了方便說明，圖1A中最右側的微型發光裝置100省略繪示了第一子電極1722、1742及第三子電極1762、1782。
請一起參照圖1A、1B與圖3，本實施例的微型發光裝置100包含基板110、至少一資料線120、至少一掃描線122、至少一低電源供應線123、124a、125a、126、至少一高電源供應線128、絕緣層130、多個反射電極140、黏合層150、第一微型發光元件160及/或第二微型發光元件180以及多個連接電極170。本發明之實施例係以第一與第二微型發光元件160、180為範例說明，但不限於此。於其它實施例中，微型發光元件之個數可為1個或多個，且相關的設計可參閱後續描述來加以變動。微型發光元件(例如:第一及/或第二微型發光元件160及/或180)之尺寸小於約100微米，較佳地，小於約50微米。
基板110具有基底SB以及位於基底SB上的多個子畫素111(例如繪示3個子畫素)，如圖1A所示。本實施例係以基底SB上的至少一子畫素111為範例，且子畫素111具有至少一開關元件112，但不限於此。基板110上更設置有資料線120、掃描線122、低電源供應線123、124a、125a、126與高電源供應線128。其中，開關元件112包括通道層1120、閘極1122、源極1124、汲極1126以及閘絕緣層1128。閘極1122與通道層1120重疊，且閘極1122與通道層1120之間夾有閘絕緣層1128。源極1124以及汲極1126分別電性連接至通道層1120。閘極1122電性連接於掃描線122，源極1124電性連接於資料線120。在本實施例中，開關元件112為頂部閘極型薄膜電晶體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，開關元件112也可以包括底部閘極型薄膜電晶體、立體型薄膜電晶體、或是其它合適的電晶體。其中，通道層1120可為單層或多層結構，且其材料包含非晶矽、奈米晶矽、微晶矽、多晶矽、單晶矽、氧化物半導體材料、有機半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦材料、或其它合適的半導體材料。在本實施例中，子畫素111具有一個開關元件112，但本發明不以此為限。在其他實施例中，子畫素111也可具有一個以上的開關元件(可參閱後續之圖3及其相關描述)，且子畫素111還可以包括電容或其他相關元件。
在一些實施例中，基板110所包括的低電源供應線124a、125a可與閘極1122可由同一道圖案化製程所形成，但本發明不以此為限。在其他實施例中，低電源供應線124a、125a額外形成於基板110(例如：基底SB)上。基板110可選擇性的包括保護層114，保護層114覆蓋閘極1122以及低電源供應線124a、125a。
本實施例除了包含低電源供應線123、126之外，可更選擇性的包含轉接墊124b、125b設置於基板110(例如：基底SB)上。轉接墊124b、125b分別電性連接低電源供應線124a、125a。絕緣層130設置於基板110上，且絕緣層130覆蓋開關元件112、資料線120、掃描線122、低電源供應線123、124a、125a、126與高電源供應線128以及轉接墊124b、125b。絕緣層130具有第一開口131、第二開口132、第五開口134及孔洞133、135。其中，第一開口131暴露出部分汲極1126、第二開口132暴露出部分低電源供應線123、第五開口134暴露出部分低電源供應線126。低電源供應線123、124a、125a、126可施加有實質上相同的電壓，例如:低電源供應線123、124a、125a、126相電性連接，但本發明不以此為限。
反射電極140設置於絕緣層130上且具有第一圖案141、第二圖案142、第三圖案143、第四圖案144與第五圖案145。第一圖案141可填入絕緣層130的第一開口131，使第一圖案141電性連接於開關元件112的汲極1126。第二圖案142可填入絕緣層130的第二開口132，使第二圖案142電性連接於低電源供應線123。第三圖案143可填入絕緣層130的孔洞133，使第三圖案143電性連接於轉接墊124b以及低電源供應線124a。第四圖案144可填入絕緣層130的第五開口134，使第四圖案144電性連接於低電源供應線126。第五圖案145可填入絕緣層130的孔洞135，使第五圖案145電性連接於低電源供應線125a以及轉接墊125b。於部份實施例中，微型發光裝置100可不包含轉接墊124b、125b，則第三圖案143填入絕緣層130的孔洞133後，其與低電源供應線124a電性連接，而第五圖案145填入絕緣層130的孔洞135，其與低電源供應線125b電性連接。
黏合層150設置於基板110(例如：基底SB)上，且黏合層150覆蓋部份第一圖案141、部份第二圖案142、第三圖案143、部份第四圖案144、第五圖案145以及部份絕緣層130。黏合層150具有第三開口152、第四開口154以及第六開口156。其中，第三開口152對應於第一圖案141設置且暴露出部分第一圖案141，第四開口154對應於第二圖案142設置且暴露出部分第二圖案142，第六開口156對應於第四圖案144設置且暴露出部分第四圖案144。此外，黏合層150的第三開口152位於第三圖案143與第五圖案145之間。
請同時參照圖1A與圖1B，第一微型發光元件160與第二微型發光元件180設置於黏合層150上。第一微型發光元件160與第二微型發光元件180例如是先於生長基板上形成，接著在利用巨量轉移（Mass transfer）技術轉置於黏合層150上。本實施例中的第一微型發光元件160及第二微型發光元件180可透過物理或化學的方法吸附黏著黏合層150上。
第一微型發光元件160設置於黏合層150上且對應於第三圖案143。第一微型發光元件160包含極性相反的第一半導體層162與第二半導體層164。第一微型發光元件160可選擇性的更包含第一中介層166，且第一中介層166位於第一半導體層162與第二半導體層164之間，但不限於此。於其它實施例中，第一微型發光元件160亦可不包含第一中介層166。於部份實施例中，第一微型發光元件160具有延伸方向不同的兩個電極墊168、169，電極墊168與第一半導體層162接觸且電極墊169與第二半導體層164接觸，但不限於此。
第二微型發光元件180設置於黏合層150上且對應於該第五圖案145。第二微型發光元件180包含極性相反的第三半導體層182與第四半導體層184。第二微型發光元件180可選擇性的更包含第二中介層186，且第二中介層186位於第三半導體層182與第四半導體層184之間，但不限於此。於其它實施例中，第一微型發光元件160亦可不包含第二中介層186。於部份實施例中，第二微型發光元件180具有延伸方向不同的兩個電極墊188、189，電極墊188與第三半導體層182接觸且電極墊189與第四半導體層184接觸，但不限於此。舉例來說，電極墊168的延伸方向與電極墊169的延伸方向呈約90度，且電極墊188的延伸方向與電極墊189的延伸方向呈約90度，例如圖1A中最右側的第一微型發光元件160與第二微型發光元件180所示。
於部份實施例中，第一微型發光元件160與第二微型發光元件180間具有一間隔D，第一微型發光元件160中較鄰近於間隔D的電極墊168的延伸方向不同於第二微型發光元件180中較鄰近於間隔D的電極墊188的延伸方向。於部份實施例中，第一微型發光元件160中較遠離於間隔D的電極墊169的延伸方向不同於第二微型發光元件180中較遠離於間隔D的電極墊189的延伸方向。從另一方面觀之，第一微型發光元件160中較鄰近於間隔D的電極墊168的延伸方向實質上相同於第二微型發光元件180中較遠離於間隔D的電極墊189的延伸方向，而第一微型發光元件160中較遠離於間隔D的電極墊169的延伸方向實質上相同於第二微型發光元件180中較鄰近於間隔D的電極墊188的延伸方向。較佳地，第一微型發光元件160之電極墊168與169及第二微型發光元件180之電極墊188與189排列方式皆可被稱為水平式微型發光元件或者是同側電極微型發光元件，但不限於此。
於部份實施例中，反射電極140中的第三圖案143可作為第一微型發光元件160的光學反射層，且第五圖案145可作為第二微型發光元件180的光學反射層，以使第一微型發光元件160及第二微型發光元件180的出光方向朝上。
由於黏合層150是設置於第一微型發光元件160與反射電極140之間以及第二微型發光元件180與反射電極140之間，且黏合層150本身除了黏著效果也具有實質上絕緣的效果(例如: 電阻率大於108
歐姆•公分)，因此，可避免本實施例的微型發光裝置100的驅動電流經由第一微型發光元件160及第二微型發光元件180的下方漏電。
再者，藉由反射電極140與低電源供應線123、124a、125a、126的連接可增加導電效率，以降低低電源供應線123、124a、125a、126本身的阻抗，並避免發生內部電壓衰退（IR drop）的情形。
請再參照圖1A與1B，連接電極170設置於黏合層150上，且連接電極170具有第一連接電極172、第二連接電極174、第三連接電極176以及第四連接電極178。其中，第一連接電極172的一端電性連接於第一微型發光元件160的第一半導體層162，而另一端則經由黏合層150的第三開口152電性連接於第一圖案141。第二連接電極174的一端電性連接於第一微型發光元件160的第二半導體層164，而另一端則經由黏合層150的第四開口154電性連接於第二圖案142。第三連接電極176的一端電性連接於第二微型發光元件180的第三半導體層182，而另一端則電性連接於第一連接電極172，並進而電性連接於第一圖案141。第四連接電極178的一端電性連接於第二微型發光元件180的第四半導體層184，而另一端則經由黏合層150的第六開口156電性連接於第四圖案144。
於部份實施例中，第一連接電極172可包含第一子電極1722與第二子電極1724，其中，第一連接電極172的第一子電極1722經由第二子電極1724電性連接於第一圖案141。部分第二子電極1724位於黏合層150的第三開口152內。
於部份實施例中，第二連接電極174可包含第一子電極1742與第二子電極1744，且第二連接電極174的第一子電極1742經由第二子電極1744電性連接於第二圖案142。部分第二子電極1744位於黏合層150的第四開口154內。
於部份實施例中，第三連接電極176可包含第三子電極1762與第四子電極1764，其中，第三連接電極176的第三子電極1762經由第四子電極1764電性連接於第一圖案141。
於部份實施例中，第四連接電極178可包含第三子電極1782與第四子電極1784，且第四連接電極178的第三子電極1782經由第四子電極1784電性連接於第四圖案144。部分第四子電極1784位於黏合層150的第六開口156內。
在本實施例中，第一連接電極172的第二子電極1724、第二連接電極174的第二子電極1744、第三連接電極176的第四子電極1764與第四連接電極178的第四子電極1784皆可為透明導電材料(例如:氧化銦錫、氧化錫、氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管/桿、小於60埃之金屬及/或合金、或其它合適的材料、或前述材料之單層或多層結構)，以增加微型發光裝置100的開口率。
另外，在本實施例中，由於第三圖案143電性連接於低電源供應線124a，而使得第三圖案143的電位與電性連接至第二半導體層164的電位實質上相等。從另一方面觀之，第三圖案143與第二半導體層164之間可較不存在有電位差，因而使得第二半導體層164中的電子或電洞皆可朝向第一半導體層162移動，使本實施例的微型發光裝置100具有更佳的亮度穩定性。
另外，在本實施例中，第五圖案145電性連接於低電源供應線125a，而使得第五圖案145的電位與電性連接至第四半導體層184的電位實質上相等。從另一方面觀之，第五圖案145與第四半導體層184之間可較不存在有電位差，因而使得第四半導體層184中的電子或電洞皆可朝向第三半導體層182移動，使本實施例的微型發光裝置100具有更佳的亮度穩定性。
請參照圖1A與圖1B，在本實施例中，第一微型發光元件160中較鄰近於間隔D的電極墊168的延伸方向不同於第二微型發光元件180中較鄰近於間隔D的電極墊188的延伸方向，藉此設置方式，增加了連接電極170(例如:第一連接電極172)與電極墊168之間以及連接電極170(例如:第三連接電極176)與電極墊188之間接觸的對位空間。於部份實施例中，第一微型發光元件160中較遠離於間隔D的電極墊169的延伸方向不同於第二微型發光元件180中較遠離於間隔D的電極墊189的延伸方向，藉此設置方式，增加了連接電極170(例如:第二連接電極174)與電極墊169之間以及連接電極170(例如:第四連接電極178)與電極墊189之間接觸的對位空間。
此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2是依照本發明另一實施例的一種微型發光裝置的局部剖面示意圖。請同時參考圖1B與圖2，本實施例的微型發光裝置100a與圖1B中的微型發光裝置100相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的微型發光裝置100a的第三圖案143及第五圖案145為浮接電極，例如：不連接至低電源供應線124a、125a，則浮接電極不具有額外自低電源供應線124a、125a所提供的電壓。由於本實施例的微型發光裝置100a的第三圖案143沒有施加額外電壓，且第五圖案145也沒有施加額外電壓。第三圖案143與第五圖案145例如是僅作為反射層使用。
圖3是依照本發明另一實施例的微型發光裝置的電路示意圖。在本實施例中，子畫素111a包括開關元件112、開關元件113、電容114為範例。其中，開關元件112的閘極電性連接於掃描線122，開關元件112的源極電性連接於資料線120，開關元件112的汲極電性連接於開關元件113的閘極。電容114之一端電性連接於開關元件112的汲極與開關元件113的閘極，電容之另一端電性連接於高電源供應線128與開關元件113的源極。高電源供應線128電性連接於開關元件113的源極，開關元件113的汲極電性連接於第一微型發光元件160與第二微型發光元件180之一端，而第一微型發光元件160與第二微型發光元件180之另一端分別電性連接於低電源供應線123、126。前述實施例，係以開關元件(例如:開關元件112與開關元件113)為N型的開關元件，但不限於此。於其它實施例中，開關元件(例如:開關元件112與開關元件113)為P型的開關元件或者存在不同極性之開關元件(例如:開關元件112之極性不同於開關元件113)，且前述設計類型之相關的連接關係可依本領域人士依設計需求來加以變動。
雖然在本實施例中，子畫素111a是以兩個電晶體一個電容（2T1C）為例，但本發明不以此為限。於部份實施例中，子畫素111a可包含3T1C、3T2C、4T1C、4T2C、5T1C、5T2C、6T1C、6T2C、或其它合適設計。於其它實施例中，子畫素111a也可以包括其他的主動元件及/或被動元件。
於本發明之前述實施例中，子畫素111或111a係指與至少一開關元件112電性連接之微型發光元件(例如:第一及/或第二微型發光元件160及/或180)所在區域。於部份實施例中，為了讓發光元件(例如:第一及/或第二微型發光元件160及/或180)轉置於基板SB上有較佳的容許度，可以預定線路所定義的區域作為子畫素111或111a。舉例而言，請參閱圖1A與圖1B，預定線路(例如:低電源供應線123及/或126)鄰近於子畫素111所在區域至少一側(例如:上或下側)，也可被稱為由預定線路(例如:低電源供應線123及/或126)所定義的區域，但不限於此。於其它實施例中，預定線路(例如:低電源供應線123及/或126)所定義的區域也可被視為子畫素111所在區域之一部份。於部份實施例中，子畫素111之左右側，其所鄰近的其它預定線路(例如:資料線120及/或高電源供應線128)所定義或為子畫素111之一部份，但不限於此。於前述實施例中，子畫素111係以面對圖1A為視角呈直立設計，但子畫素111係以面對圖1A為視角呈平躺設計，且相應的線路與電極等等就可相應的變動。於前述實施例中，二相鄰的子畫素間可不存在擋牆(bank, wall, or partition)可較避免影響微型發光元件之轉置製程及其良率。然而，若微型發光元件之轉置製程已被改善，則擋牆(bank, wall, or partition)可存在於二相鄰的子畫素間。於前述實施例中，以第一微型發光元件160為例，第一連接電極170之第一子電極1722經由第一微型發光元件160之電極墊168與第一半導體層162電性連接，第二連接電極174之第一子電極1742經由第一微型發光元件160之電極墊169與第二半導體層164電性連接，但不限於此。於其它實施例中，以第一微型發光元件160為例，可僅由第一連接電極170之第一子電極1722與第一半導體層162電性連接及/或可僅由第二連接電極174之第一子電極1742與第二半導體層164電性連接。同理，與第二微型發光元件180相關之第三連接電極176、第四連接電極178、電極墊188與189等等可依此加以類推之。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100a‧‧‧微型發光裝置
110‧‧‧基板
111、111a‧‧‧子畫素
112‧‧‧開關元件
1120‧‧‧通道層
1122‧‧‧閘極
1124‧‧‧源極
1126‧‧‧汲極
1128‧‧‧閘絕緣層
120‧‧‧資料線
122‧‧‧掃描線
123、124a、125a、126‧‧‧低電源供應線
124b、125b‧‧‧轉接墊
128‧‧‧高電源供應線
130‧‧‧絕緣層
131‧‧‧第一開口
132‧‧‧第二開口
133、135‧‧‧孔洞
134‧‧‧第五開口
140‧‧‧反射電極
141‧‧‧第一圖案
142‧‧‧第二圖案
143‧‧‧第三圖案
144‧‧‧第四圖案
145‧‧‧第五圖案
150‧‧‧黏合層
152‧‧‧第三開口
154‧‧‧第四開口
156‧‧‧第六開口
160‧‧‧第一微型發光元件
162‧‧‧第一半導體層
164‧‧‧第二半導體層
166‧‧‧第一中介層
168、169‧‧‧電極墊
170‧‧‧連接電極
172‧‧‧第一連接電極
1722、1742‧‧‧第一子電極
1724、1744‧‧‧第二子電極
174‧‧‧第二連接電極
176‧‧‧第三連接電極
1762、1782‧‧‧第三子電極
1764、1784‧‧‧第四子電極
178‧‧‧第四連接電極
180‧‧‧第二微型發光元件
182‧‧‧第三半導體層
184‧‧‧第四半導體層
186‧‧‧第二中介層
188、189‧‧‧電極墊
D‧‧‧間隔
SB‧‧‧基底
圖1A是依照本發明一實施例的一種微型發光裝置的局部俯視示意圖。 圖1B是沿圖1A的Ⅰ-Ⅰ’的微型發光裝置的剖面示意圖。 圖2是依照本發明另一實施例的一種微型發光裝置的局部剖面示意圖。 圖3是依照本發明另一實施例的微型發光裝置的電路示意圖。
Claims (17)
- 一種微型發光裝置，包含： 一基板，具有至少一子畫素，且該至少一子畫素具有至少一開關元件； 至少一資料線、至少一掃描線、至少一低電源供應線與至少一高電源供應線，設置於該基板上，其中，該開關元件之一閘極電性連接於該掃描線，該開關元件之一源極電性連接於該資料線； 一絕緣層，設置於該基板上，且覆蓋該開關元件、該資料線、該掃描線、該低電源供應線與該高電源供應線，其中，該絕緣層至少具有一第一開口及一第二開口； 多個反射電極，設置於該絕緣層上，該些反射電極至少具有一第一圖案、一第二圖案與一第三圖案，其中，該第一圖案經由該絕緣層之該第一開口電性連接於該開關元件之一汲極，該第二圖案經由該絕緣層之該第二開口電性連接於該低電源供應線； 一黏合層，設置於該基板上，且覆蓋部份該第一圖案、部份該第二圖案、部份該絕緣層以及覆蓋該第三圖案，其中，該黏合層至少具有一第三開口及一第四開口； 一第一微型發光元件，設置於該黏合層上，且對應於該第三圖案，其中，該第一微型發光元件至少包含極性相反之一第一半導體層與一第二半導體層；以及 多個連接電極，設置於該黏合層上，且該些連接電極至少具有一第一連接電極與一第二連接電極，其中，該第一連接電極之一端電性連接於該第一半導體層且該第一連接電極之另一端經由該黏合層之該第三開口電性連接於該第一圖案，該第二連接電極之一端電性連接於該第二半導體層且該第二連接電極之另一端經由該黏合層之該第四開口電性連接於該第二圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光裝置，其中，該第一微型發光元件更包含一第一中介層位於該第一半導體層與該第二半導體層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光裝置，其中，該絕緣層更包含至少一孔洞，且該第三圖案經由該孔洞電性連接於該低電源供應線。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光裝置，其中，該第三圖案包含一浮接電極。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光裝置，其中，至少部分該低電源供應線鄰近於該至少一子畫素之一側。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光裝置，其中，該第一連接電極與該第二連接電極分別包含一第一子電極與一第二子電極，其中，該第一連接電極之該第一子電極經由該第二子電極電性連接於該第一圖案，且該第二連接電極之該第一子電極經由該第二子電極電性連接於該第二圖案。
- 如申請專利範圍第6項所述的微型發光裝置，其中，該第一連接電極之該第二子電極與該第二連接電極之該第二子電極包含透明導電材料。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光裝置，更包含： 一第二微型發光元件，設置於該黏合層上，且該第二微型發光元件至少包含極性相反之第三半導體層與第四半導體層， 其中，該絕緣層更具有一第五開口，該些反射電極更具有一第四圖案與一第五圖案，該黏合層更具有一第六開口，且 該些連接電極更具有一第三連接電極與一第四連接電極， 其中，該第四圖案經由該絕緣層之該第五開口電性連接於該低電源供應線，該黏合層更覆蓋部份該第四圖案以及覆蓋該第五圖案， 該第二微型發光元件對應於該第五圖案，該第三連接電極之一端電性連接於該第三半導體層且該第三連接電極之另一端電性連接於該第一連接電極，該第四連接電極之一端電性連接於該第四半導體層且該第四連接電極之另一端經由該黏合層之該第六開口電性連接於該第四圖案。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光裝置，其中，該第二微型發光元件更包含一第二中介層位於該第三半導體層與該第四半導體層之間。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光裝置，其中，該絕緣層更包含至少一孔洞，且該第五圖案經由該孔洞電性連接於該低電源供應線。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光裝置，其中，該黏合層之該第三開口位於該第三圖案與該第五圖案之間。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光裝置，其中，該第五圖案包含一浮接電極。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光裝置，其中，該高電源供應線電性連接於該第一微型發光元件與該第二微型發光元件。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光裝置，其中，該第三連接電極與該第四連接電極分別包含一第三子電極與一第四子電極，其中，該第三連接電極之該第三子電極經由該第四子電極電性連接於該第一圖案，且該第四連接電極之該第三子電極經由該第四子電極電性連接於該第四圖案。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光裝置，其中，該第三連接電極之該第四子電極與該第四連接電極之該第四子電極包含透明導電材料。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光裝置，其中，該第一微型發光元件與該第二微型發光元件分別至少具有延伸方向不同之兩個電極墊，其中，該第一微型發光元件中之該些電極墊分別與該第一半導體層與該第二半導體層接觸，且該第二微型發光元件中之該些電極墊分別與該第三半導體層與該第四半導體層接觸。
- 如申請專利範圍第16項所述的微型發光裝置，其中，該第一微型發光元件與該第二微型發光元件間具有一間隔，該第一微型發光元件中該些電極墊較鄰近於該間隔之其中一者的延伸方向不同於該第二微型發光元件中該些電極墊較鄰近於該間隔之其中一者的延伸方向。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107105402A TWI648883B (zh) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 微型發光裝置 |
| CN201810394094.3A CN108447883B (zh) | 2018-02-14 | 2018-04-27 | 微型发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107105402A TWI648883B (zh) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 微型發光裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI648883B TWI648883B (zh) | 2019-01-21 |
| TW201935722A true TW201935722A (zh) | 2019-09-01 |
Family
ID=63201881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107105402A TWI648883B (zh) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 微型發光裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108447883B (zh) |
| TW (1) | TWI648883B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI777887B (zh) * | 2020-08-19 | 2022-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 元件基板及其製造方法 |
| US12075635B2 (en) | 2016-11-17 | 2024-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI700683B (zh) * | 2018-12-06 | 2020-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
| TWI668856B (zh) * | 2018-12-12 | 2019-08-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體面板 |
| TWI685694B (zh) * | 2019-03-05 | 2020-02-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
| TWI742522B (zh) * | 2020-01-30 | 2021-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7927454B2 (en) * | 2007-07-17 | 2011-04-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of patterning a substrate |
| US8933433B2 (en) * | 2012-07-30 | 2015-01-13 | LuxVue Technology Corporation | Method and structure for receiving a micro device |
| US9318475B2 (en) * | 2014-05-15 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Flexible display and method of formation with sacrificial release layer |
| US10121710B2 (en) * | 2016-06-14 | 2018-11-06 | Innolux Corporation | Methods for manufacturing a display device |
-
2018
- 2018-02-14 TW TW107105402A patent/TWI648883B/zh active
- 2018-04-27 CN CN201810394094.3A patent/CN108447883B/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12075635B2 (en) | 2016-11-17 | 2024-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI777887B (zh) * | 2020-08-19 | 2022-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 元件基板及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108447883A (zh) | 2018-08-24 |
| CN108447883B (zh) | 2020-10-30 |
| TWI648883B (zh) | 2019-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI648883B (zh) | 微型發光裝置 | |
| CN109216376B (zh) | 显示装置 | |
| CN107342370B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| US12101975B2 (en) | Display panel and display device | |
| TWI606283B (zh) | 顯示裝置 | |
| CN109860224B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
| TWI489191B (zh) | 畫素結構及薄膜電晶體 | |
| WO2020249009A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| WO2021237725A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| US9673230B2 (en) | Pixel array | |
| WO2018171268A1 (zh) | 基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
| CN103811499A (zh) | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | |
| WO2021083226A1 (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN109671722B (zh) | 有机发光二极管阵列基板及其制造方法 | |
| US11816283B2 (en) | Touch panel, preparation method thereof and display apparatus | |
| CN106298809B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置 | |
| WO2022213420A1 (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、oled显示面板 | |
| WO2023173462A1 (zh) | 显示面板 | |
| TWI700535B (zh) | 畫素陣列基板 | |
| WO2019041954A1 (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| US11217606B2 (en) | Device substrate, display panel and tiled display comprising arrangement of power lines and pads | |
| WO2021003716A1 (zh) | 显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | |
| CN104142594B (zh) | 薄膜晶体管基板及显示装置 | |
| WO2019137044A1 (zh) | 像素结构及其制作方法、阵列基板和显示装置 | |
| TW202034030A (zh) | 畫素結構 |