TW202314869A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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佐竹正行
中西正行
満木雄多
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日商荏原製作所股份有限公司
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Abstract

本發明係關於抑制將多片基板接合而製成的積層基板的破裂及缺損的基板處理方法及基板處理裝置，特別是關於將填充劑塗布於構成積層基板之多片基板的邊緣部之間所形成之間隙的技術。本方法係測量第1基板（W1）之邊緣部（E1）及第2基板（W2）之邊緣部（E2）的表面形狀，並根據測量結果來決定塗布於積層基板（Ws）之填充劑（F）的塗布條件，再以已決定之塗布條件將填充劑（F）塗布於積層基板（Ws）的第1基板（W1）之邊緣部（E1）與第2基板（W2）之邊緣部（E2）的間隙（G）。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於抑制將多片基板接合所製成的積層基板的破裂及缺損的基板處理方法及基板處理裝置，特別是關於將填充劑塗布於構成積層基板的多片基板之邊緣部間所形成之間隙的技術。
近年來為了達成半導體元件進一步的高密度化及高功能化，正在開發一種將多片基板積層而三維積體化的三維安裝技術。三維安裝技術中，例如，將形成有積體電路及電氣配線的第1基板之元件面與形成有積體電路及電氣配線的第2基板之元件面接合。再者，在將第1基板接合於第2基板後，藉由研磨裝置或研削裝置將第2基板薄化。如此，可在與第1基板及第2基板的元件面垂直的方向上積層積體電路。
三維安裝技術中，亦可將3片以上的基板接合。例如，亦可在將已接合於第1基板的第2基板薄化後，將第3基板接合於第2基板，再將第3基板薄化。本說明書中，有時將已互相接合的多片基板之形態稱為「積層基板」。
通常為了防止破裂（裂縫）或缺損（剝落），會預先將基板之邊緣部研磨成圓弧狀或倒角狀。若對於具有這種形狀的第2基板進行研削，結果會在第2基板上形成銳利的端部。此銳利的端部（以下稱為刀緣部），係由經研削之第2基板的背面與第2基板的外周面所形成。這樣的刀緣部容易因為物理性接觸而缺損，在運送積層基板時，可能導致積層基板本身破損。又，若第1基板與第2基板未充分接合，亦可能導致第2基板在研削中破裂。
於是，為了防止刀緣部的破裂（裂縫）及缺損（剝落），在對第2基板進行研削之前，會將填充劑塗布於積層基板之邊緣部。填充劑係塗布於第1基板之邊緣部與第2基板之邊緣部與之間的間隙。填充劑支撐在第2基板經研削後所形成之刀緣部，可防止刀緣部的破裂及缺損。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開平05-304062號公報
［發明所欲解決之課題］
然而，在將填充劑塗布於第1基板之邊緣部與第2基板之邊緣部的間隙時，可能會發生填充劑不足或是過剩塗布等的填充不良。若在發生填充不良的狀態下於後續步驟中對於積層基板進行處理，則有積層基板損傷等而對於積層基板及製程性能造成不良影響的疑慮。以往必須在填充劑塗布完成後才能確認填充劑對於積層基板的填充狀態，視情況必須破壞積層基板。
又，若填充劑的塗布量不足，則可能在積層基板的間隙內所塗布之填充劑內產生孔洞（空隙）。這樣的孔洞容易導致在對於第2基板進行研削時發生刀緣部的破裂及缺損。另一方面，若填充劑的塗布量過剩，可能導致填充劑從積層基板脫落而汙染周圍環境。
塗布填充劑之後所進行的積層基板之薄化步驟亦具有下述課題。積層基板的薄化步驟，係以切削具切削第2基板來進行。然而，根據所塗布之填充劑的硬度及種類，可能發生切削具受損或是填充劑所包含的粒子（骨材）固著於切削具而引起切削具的堵塞。
於是，本發明之目的在於提供一種可以適當塗布條件將填充劑塗布於第1基板之邊緣部與第2基板之邊緣部的間隙的基板處理方法及基板處理裝置。
再者，本發明提供一種可將適量的填充劑塗布於積層基板的基板處理方法及基板處理裝置。再者，本發明提供一種藉由將積層基板之薄化條件最佳化而可防止切削具的堵塞並且提升產量的基板處理方法及基板處理裝置。 ［解決課題之手段］
一態樣中，提供一種基板處理方法，其係將填充劑塗布於由第1基板與第2基板接合而成之積層基板，其中，測量前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部的表面形狀，根據前述測量結果，決定塗布於前述積層基板之前述填充劑的塗布條件，以前述決定之塗布條件，將前述填充劑塗布於前述積層基板之前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙。 一態樣中，測量前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀的步驟，係在將前述第1基板與前述第2基板接合後進行。 一態樣中，測量前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀的步驟，係在前述第1基板與前述第2基板接合之前進行。
一態樣中，欲測量之前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀，可藉由下述（i）至（iii）中至少一項特定：（i）前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部在半徑方向上的尺寸；（ii）前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙在厚度方向上的尺寸；及（iii）前述第1基板之邊緣部的傾斜角度及前述第2基板之邊緣部的傾斜角度。 一態樣中，前述塗布條件包含下述之中的至少一項：前述填充劑的組成、前述填充劑的總塗布量、用以塗布前述填充劑的塗布裝置之填充劑吐出口的形狀、前述積層基板與前述填充劑吐出口的距離、單位時間內從前述填充劑吐出口所吐出之前述填充劑的量。
一態樣中，前述基板處理方法更包含：將前述填充劑塗布於前述積層基板之後使已塗布之前述填充劑硬化的步驟；前述塗布條件更包含：從用以使前述填充劑硬化的硬化裝置吹出之熱風的風壓及溫度。 一態樣中，前述塗布填充劑的步驟，係一邊使前述積層基板旋轉一邊進行，前述塗布條件更包含前述積層基板的旋轉速度。
一態樣中，提供一種基板處理裝置，其係用於將填充劑塗布於由第1基板與第2基板接合而成之積層基板，該基板處理裝置包含：填充劑塗布模組，構成將前述填充劑塗布於前述積層基板的態樣；表面形狀測量裝置，測量前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀；及動作控制部，控制前述填充劑塗布模組及前述表面形狀測量裝置的動作；前述填充劑塗布模組具備：基板保持部，保持前述積層基板；及塗布裝置，用以將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙；前述動作控制部構成下述態樣：根據前述形狀的測量結果，決定塗布於前述積層基板的前述填充劑之塗布條件，對於前述填充劑塗布模組發出指令，以前述決定之塗布條件塗布前述填充劑。
一態樣中，前述表面形狀測量裝置構成測量下述（i）～（iii）中至少一項的態樣：（i）前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部在半徑方向上的尺寸、（ii）前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙在厚度方向上的尺寸及（iii）前述第1基板之邊緣部的傾斜角度及前述第2基板之邊緣部的傾斜角度。 一態樣中，前述填充劑塗布模組更具備用以使前述填充劑硬化的硬化裝置。 一態樣中，前述填充劑塗布模組更具備使前述基板保持部旋轉的旋轉機構。
一態樣中，提供一種基板處理方法，將由第1基板與第2基板接合而成之積層基板的相關資料與填充劑的相關資料輸入經由機械學習所建構的學習完成模型，並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件，一邊使前述積層基板旋轉，一邊依照前述塗布條件，將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙。
一態樣中，前述積層基板的相關資料包含構成前述第1基板及前述第2基板之表面的材料與前述間隙的形狀及大小，前述填充劑的相關資料包含前述填充劑的組成。 一態樣中，前述塗布條件包含下述之中的至少一項：前述填充劑的總塗布量、單位時間內之前述填充劑的塗布量、前述填充劑的溫度、前述積層基板的旋轉速度。 一態樣中，除了前述積層基板的相關資料及前述填充劑的相關資料以外，亦將用以使前述填充劑硬化之硬化裝置的相關資料輸入前述學習完成模型，並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的前述塗布條件及前述填充劑的硬化條件；前述基板處理方法更包含：依照前述硬化條件並藉由前述硬化裝置使已塗布之前述填充劑硬化的步驟。 一態樣中，前述硬化裝置的相關資料包含前述硬化裝置的類型及前述硬化裝置與前述積層基板之邊緣部的距離。 一態樣中，前述硬化條件包含前述硬化裝置的輸出值。
一態樣中，前述積層基板的相關資料，除了前述填充劑的相關資料及前述硬化裝置的相關資料以外，亦將用以將前述積層基板薄化之薄化裝置的相關資料輸入前述學習完成模型，從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件、前述填充劑的硬化條件及前述積層基板的薄化條件；前述基板處理方法更包含：在前述填充劑硬化之後，依照前述薄化條件並藉由前述薄化裝置將前述積層基板薄化的步驟。 一態樣中，前述薄化裝置的相關資料，包含前述薄化裝置中使用的切削具種類及前述積層基板的目標切削量。 一態樣中，前述薄化條件包含下述之中的至少一項：前述切削具對於前述積層基板的按壓力、前述切削具的旋轉速度及前述積層基板的旋轉速度。
一態樣中，前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料及作為正解標籤之多個塗布條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。 一態樣中，前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料及作為正解標籤之多個塗布條件及多個硬化條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。 一態樣中，前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料及作為正解標籤之多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。 一態樣中，前述基板處理方法更包含下述步驟：將已輸入前述學習完成模型的前述積層基板的相關資料及前述填充劑的相關資料以及已從前述學習完成模型輸出的前述塗布條件追加至前述機械學習所使用之訓練資料以藉此更新前述訓練資料，並使用已更新之前述訓練資料執行機械學習，以更新前述學習完成模型。 一態樣中，一邊使前述積層基板旋轉一邊依照前述塗布條件將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙，係一邊使保持縱向放置的前述積層基板旋轉，一邊依照前述塗布條件，將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙。
一態樣中，提供一種基板處理方法，其係將由第1基板與第2基板接合而成之積層基板的相關資料、已塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部之間隙的填充劑的相關資料及用以將前述積層基板薄化之薄化裝置的相關資料輸入經由機械學習所建構的學習完成模型，並從前述學習完成模型輸出前述積層基板的薄化條件，再依照前述薄化條件並藉由前述薄化裝置將前述積層基板薄化。
一態樣中，提供一種基板處理裝置，具備：運算系統，具有經由機械學習所建構的學習完成模型；及填充劑塗布模組，一邊使由第1基板與第2基板接合而成之積層基板旋轉，一邊將填充劑塗布於前述積層基板；前述運算系統構成下述態樣：將前述積層基板的相關資料與前述填充劑的相關資料輸入前述學習完成模型，並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件，再對於前述填充劑塗布模組發出指令，依照前述塗布條件並藉由前述填充劑塗布模組將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙。
一態樣中，前述積層基板的相關資料包含構成前述第1基板及前述第2基板之表面的材料與前述間隙的形狀及大小，前述填充劑的相關資料包含前述填充劑的組成。 一態樣中，前述塗布條件包含下述之中的至少一項：前述填充劑的總塗布量、單位時間內之前述填充劑的塗布量、前述填充劑的溫度、前述積層基板的旋轉速度。 一態樣中，前述基板處理裝置更具備使已塗布之前述填充劑硬化的硬化裝置，前述運算系統構成下述態樣：除了前述積層基板的相關資料及前述填充劑的相關資料以外，亦將前述硬化裝置的相關資料輸入前述學習完成模型，並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件及前述填充劑的硬化條件，再對於前述硬化裝置發出指令，依照前述硬化條件並藉由前述硬化裝置使已塗布之前述填充劑硬化。 一態樣中，前述硬化裝置的相關資料包含前述硬化裝置的類型及前述硬化裝置與前述積層基板之邊緣部的距離。 一態樣中，前述硬化條件包含前述硬化裝置的輸出值。
一態樣中，前述基板處理裝置更具備將前述積層基板薄化的薄化裝置，前述運算系統構成下述態樣：除了前述積層基板的相關資料、前述填充劑的相關資料及前述硬化裝置的相關資料以外，亦將前述薄化裝置的相關資料輸入前述學習完成模型，再從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件、前述填充劑的硬化條件及前述積層基板的薄化條件，並對於前述薄化裝置發出指令，在前述填充劑硬化之後，依照前述薄化條件並藉由前述薄化裝置將前述積層基板薄化。 一態樣中，前述薄化裝置的相關資料包含前述薄化裝置中使用的切削具種類及前述積層基板的目標切削量。 一態樣中，前述薄化條件包含下述之中的至少一項：前述切削具對於前述積層基板的按壓力，前述切削具的旋轉速度、及前述積層基板的旋轉速度。
一態樣中，前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料及作為正解標籤之多個塗布條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。 一態樣中，前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料及作為正解標籤之多個塗布條件及多個硬化條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。 一態樣中，前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。 一態樣中，前述運算系統係構成下述態樣：將已輸入前述學習完成模型的前述積層基板的相關資料及前述填充劑的相關資料與已從前述學習完成模型輸出的前述塗布條件追加至前述機械學習中使用的訓練資料，藉此更新前述訓練資料，並使用已更新之前述訓練資料執行機械學習，以更新前述學習完成模型。 一態樣中，前述填充劑塗布模組具備基板保持部或基板保持裝置，其將前述積層基板保持在縱向放置狀態。
一態樣中，提供一種基板處理裝置，具備：運算系統，具有經由機械學習所建構的學習完成模型；及薄化裝置，將由第1基板與第2基板接合而成之積層基板薄化；前述運算系統構成下述態樣：將前述積層基板的相關資料、已塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部之間隙的填充劑的相關資料與前述薄化裝置的相關資料輸入經由機械學習所建構的學習完成模型，並從前述學習完成模型輸出前述積層基板的薄化條件，再對於前述薄化裝置發出指令，依照前述薄化條件藉由前述薄化裝置將前述積層基板薄化。
一態樣中，提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其中儲存了用以使電腦執行下述步驟的程式：將由第1基板與第2基板接合而成之積層基板的相關資料與填充劑的相關資料輸入經由機械學習所建構之學習完成模型的步驟；從前述學習完成模型輸出前述填充劑之塗布條件的步驟；及對於填充劑塗布模組發出指令並依照前述塗布條件藉由前述填充劑塗布模組將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部之間隙的步驟。 ［發明之效果］
根據本發明，在將填充劑塗布於第1基板之邊緣部與第2基板之邊緣部的間隙時，預先測量第1基板之邊緣部及第2基板之邊緣部之表面形狀，決定填充劑的塗布條件，藉此可實現填充劑的適當填充狀態。
再者，根據本發明，藉由學習完成模型來決定適當的塗布條件，依此塗布條件將適量的填充劑塗布於積層基板。結果可防止積層基板的刀緣部破裂（裂縫）及缺損（剝落），又可防止周圍環境的汙染。又，根據本發明，藉由學習完成模型決定適當的薄化條件，依此薄化條件將積層基板適當薄化。結果可防止切削具的堵塞且提升薄化步驟的產量。
以下參照圖式說明本發明的實施型態。 圖1A及圖1B係顯示基板W之邊緣部E的放大剖面圖。更詳細而言，圖1A為所謂的斜角（straight）型基板W的剖面圖，圖1B為所謂的圓角（round）型基板W的剖面圖。邊緣部E係相對於基板W的平坦面（表面及背面）傾斜的最外側面，其具有圓弧形狀或倒角形狀。圖1A的基板W中，邊緣部E係由上側傾斜部（上側斜面部）B1、下側傾斜部（下側斜面部）B2及側部（頂端）B3所構成的基板W之最外周面。圖1B的基板W中，邊緣部E係構成基板W的最外周面並具有彎曲剖面的部分。邊緣部E有時亦稱為斜面部。
圖2係顯示積層基板Ws的放大剖面圖。積層基板Ws具有第1基板W1與第2基板W2在接合面P接合而成的結構。本實施型態中所使用之第1基板W1及第2基板W2為圓形。本實施型態的積層基板Ws具有由圖1B所示的圓角型的第1基板W1與第2基板W2接合而成的結構，但一實施型態中，積層基板Ws亦可具有由圖1A所示的斜角型的第1基板W1與第2基板W2接合而成的結構。本說明書中，積層基板Ws之邊緣部表示包含第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的積層基板Ws之外緣部。邊緣部E1、E2有時亦稱為斜面部。第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間形成有間隙G。此間隙G形成於積層基板Ws的整周。
圖3係顯示基板處理裝置1之一實施型態的示意圖。基板處理裝置1係用以預先決定填充劑F的塗布條件並將填充劑F塗布於第1基板W1與第2基板W2接合而成之積層基板Ws的裝置。基板處理裝置1具備：填充劑塗布模組9，其構成將填充劑F塗布於積層基板Ws的態樣；表面形狀測量裝置11，測量第1基板W1及第2基板W2的表面形狀；及動作控制部10，控制填充劑塗布模組9及表面形狀測量裝置11的動作。
如圖3所示，將第1基板W1與第2基板W2接合之後，表面形狀測量裝置11測量構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的表面形狀。之後，動作控制部10，根據表面形狀的測量結果決定填充劑F的塗布條件。填充劑塗布模組9，以已決定之塗布條件將填充劑F塗布於積層基板Ws。表面形狀測量裝置11，亦可附設於將積層基板Ws運送至填充劑塗布模組9時的運送裝置（圖中未顯示）之中，在積層基板Ws的運送中或運送前後測量第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的表面形狀。
圖4係顯示以表面形狀測量裝置11所進行之測量方法之一實施型態的圖。表面形狀測量裝置11為雷射掃掠裝置，對於測量對象照射雷射光，檢測從測量對象反射出來的雷射光，藉此對於測量對象之表面形狀（包含其尺寸）進行測量。如圖4所示，表面形狀測量裝置11一邊對於測量對象照射雷射光、一邊在積層基板Ws的厚度方向上移動，以雷射光掃掠第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2，以測量表面形狀。
圖5係顯示以表面形狀測量裝置11所進行之測量方法的另一實施型態的圖。表面形狀測量裝置11係共焦雷射顯微鏡，其係對於測量對象照射雷射光並生成測量對象的焦點影像，藉此對於測量對象的表面形狀（包含其尺寸）進行測量。如圖5所示，表面形狀測量裝置11係一邊對於測量對象照射雷射光，一邊使共焦雷射顯微鏡的物鏡在積層基板Ws的半徑方向上移動，藉此生成第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的焦點影像，以測量表面形狀。
表面形狀測量裝置11，只要可測量第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的表面形狀，則不限於參照圖4及圖5說明的實施型態。
圖6係顯示填充劑塗布模組9之一實施型態的俯視圖，圖7係顯示填充劑塗布模組9之一實施型態的側視圖。填充劑塗布模組9具備：基板保持部2，保持積層基板Ws；塗布裝置3，用以塗布填充劑F；及硬化裝置4，用以使已塗布之填充劑F硬化。
基板保持部2係以真空吸附保持積層基板Ws之背面的載台。填充劑塗布模組9更具備：旋轉軸7，連結於基板保持部2之中央部；及旋轉機構8，使基板保持部2及旋轉軸7旋轉。積層基板Ws係以積層基板Ws之中心與旋轉軸7之軸心一致的方式載置於基板保持部2之上。旋轉機構8具備馬達（圖中未顯示）。如圖6所示，旋轉機構8構成下述態樣：使基板保持部2及積層基板Ws以積層基板Ws之中心軸Cr為中心而在箭號表示之方向上一體旋轉。
塗布裝置3位於基板保持部2上的積層基板Ws的半徑方向外側，其構成將填充劑F塗布於積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G的態樣。圖8係顯示塗布裝置3之一實施型態的示意圖。塗布裝置3具備：注射器21，用以吐出填充劑F；活塞22，可在注射器21內來回移動；及水平移動機構（圖中未顯示），使注射器21接近或離開積層基板Ws。藉由該水平移動機構，塗布裝置3可調整積層基板Ws與塗布裝置3之填充劑吐出口21a的距離。一實施型態中，塗布裝置3亦可省略水平移動機構。此情況中，預先決定積層基板Ws與填充劑吐出口21a的距離，以將填充劑F適當注入積層基板Ws的間隙G。
注射器21構成具有中空結構且其內部填充有填充劑F的態樣。活塞22配置於注射器21內。注射器21其前端具有用以吐出填充劑F的填充劑吐出口21a。包含填充劑吐出口21a的注射器21之前端亦可構成可裝卸之態樣。填充劑吐出口21a的形狀，係根據欲塗布之填充劑F的物性（例如黏度等）選擇適當形狀。填充劑吐出口21a配置成與第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的間隙G相對的態樣。
塗布裝置3透過氣體供給線25與氣體供給源連接。若從氣體供給源將氣體（例如乾燥空氣或氮氣）供給至注射器21，則活塞22在注射器21內前進。藉由活塞22的前進，注射器21內的填充劑F從填充劑吐出口21a吐出。塗布裝置3，將填充劑F連續塗布於旋轉之積層基板Ws的邊緣部之間隙G。填充劑F，亦可因應其總塗布量，在積層基板Ws多次旋轉的期間進行塗布。
氣體供給線25上配置有壓力調整裝置26與開閉閥27。開閉閥27係電動閥或電磁閥等致動器驅動型閥。若將開閉閥27開啟，氣體從氣體供給源供給至塗布裝置3，塗布裝置3將填充劑F塗布於積層基板Ws。若開閉閥27關閉，則氣體對於塗布裝置3的供給停止，藉此停止填充劑F的塗布。壓力調整裝置26，藉由調整從氣體供給源供給至塗布裝置3的氣體之壓力，可調整單位時間內從填充劑吐出口21a吐出的填充劑F的量。壓力調整裝置26與開閉閥27的動作係藉由動作控制部10控制。
一實施型態中，塗布裝置3亦可具備螺桿進料機以代替注射器21與活塞22的組合。
如圖6及圖7所示，硬化裝置4位於基板保持部2上的積層基板Ws的半徑方向外側。硬化裝置4，在積層基板Ws的旋轉方向上配置於塗布裝置3的下游側，其構成使經由塗布裝置3塗布於積層基板Ws的填充劑F硬化的態樣。由硬化裝置4所進行的填充劑F之硬化，係一邊使積層基板Ws旋轉一邊進行。在本實施型態中，填充劑F係具有熱固性的填充劑。作為這種填充劑的例子，可列舉熱固性的樹脂。
硬化裝置4為空氣加熱器，其構成對於已塗布於積層基板Ws之填充劑F吹出熱風的態樣。硬化裝置4構成可調整吹出之熱風的風壓及溫度的態樣。經由熱風加熱的填充劑F，藉由交聯反應而硬化。硬化裝置4連續地使旋轉的積層基板Ws之邊緣部中所塗布之填充劑F硬化。填充劑F含溶劑時，溶劑會因加熱而揮發。硬化裝置4只要可將填充劑F加熱而使其硬化，則不限於空氣加熱器，亦可為燈具加熱器或其他構成。
本實施型態中，填充劑F雖係具有熱固性的填充劑，但一實施型態中，填充劑F亦可為具有紫外線硬化性的填充劑。此情況中，硬化裝置4亦可為照射紫外線而使填充劑F硬化的UV照射裝置。填充劑F含溶劑時，亦可並用空氣加熱器等進行加熱而使溶劑揮發。
填充劑塗布模組9亦可更具備紅外線拍攝裝置5，其生成積層基板Ws之邊緣部的影像。紅外線拍攝裝置5在積層基板Ws的旋轉方向上配置於硬化裝置4的下游側。紅外線拍攝裝置5構成下述態樣：生成包含經由塗布裝置3塗布於積層基板Ws並經由硬化裝置4硬化的填充劑F之影像。紅外線拍攝裝置5與硬化裝置4的距離比紅外線拍攝裝置5與塗布裝置3的距離短。紅外線拍攝裝置5位於積層基板Ws之邊緣部的上方，其構成生成積層基板Ws之邊緣部的影像的態樣。更具體而言，紅外線拍攝裝置5構成下述態樣：對於積層基板Ws之邊緣部照射紅外線，接收從積層基板Ws之邊緣部反射出來的紅外線，生成積層基板Ws之邊緣部的影像。作為紅外線拍攝裝置5的例子，可列舉紅外線顯微鏡。
本實施型態中，第1基板W1及第2基板W2基本上係由矽晶圓所構成，從紅外線拍攝裝置5照射的紅外線，穿透第1基板W1及第2基板W2。因為紅外線不會穿透填充劑F，故紅外線拍攝裝置5可經由從積層基板Ws之邊緣部反射出來的紅外線生成已塗布於積層基板Ws之填充劑F的影像。
動作控制部10構成控制包含如上述所構成之填充劑塗布模組9及表面形狀測量裝置11的基板處理裝置1之動作的態樣。包含塗布裝置3、硬化裝置4、紅外線拍攝裝置5、旋轉機構8、壓力調整裝置26及開閉閥27的填充劑塗布模組9以及表面形狀測量裝置11與動作控制部10電連接。
動作控制部10係由至少一台電腦所構成的。動作控制部10具備：記憶裝置10a，儲存用以控制包含填充劑塗布模組9及表面形狀測量裝置11的基板處理裝置1之動作的程式；及處理裝置10b，依照程式所包含的命令執行運算。記憶裝置10a具備隨機存取記憶體（RAM，random access memory）等主記憶裝置與硬碟驅動器（HDD，hard disk drive）、動態硬碟（SSD，solid state drive）等輔助記憶裝置。作為處理裝置10b的例子，可列舉：中央處理器（CPU，Central Processing Unit）、圖形處理器（GPU，Graphics Processing Unit）。然而，動作控制部10的具體構成不限於此等的例子。
動作控制部10，對於表面形狀測量裝置11發出指令，使表面形狀測量裝置11測量第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的表面形狀。動作控制部10，根據表面形狀的測量結果，決定欲塗布於積層基板Ws的填充劑F之塗布條件。圖9係說明由表面形狀測量裝置11所測量的邊緣部之表面形狀的圖。欲測量之第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的表面形狀係由下述（i）～（iii）中的至少一項所特定：（i）第1基板W1之邊緣部E1在半徑方向上的尺寸x1及第2基板W2之邊緣部E2在半徑方向上的尺寸x2；（ii）第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G在厚度方向上的尺寸x3；（iii）第1基板W1之邊緣部E1的傾斜角度θ1及第2基板W2之邊緣部E2的傾斜角度θ2。
圖9所示的基準線Lr係與第1基板W1與第2基板W2的接合面P垂直的線，且通過接合面P在半徑方向上之最外端的線。接合面P在半徑方向上的最外端與第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G在半徑方向上的最內端一致。第1基板W1之邊緣部E1在半徑方向上的尺寸x1，係從基準線Lr到第1基板W1在半徑方向上之最外端的距離。第2基板W2之邊緣部E2在半徑方向上的尺寸x2係從基準線Lr到第2基板W2在半徑方向上之最外端的距離。一實施型態中，第1基板W1與第2基板W2具有相同基板形狀的情況，亦可測量尺寸x1或尺寸x2任一者。
第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G在厚度方向上的尺寸x3，係在積層基板Ws（第1基板W1及第2基板W2）的厚度方向上，從第1基板W1在半徑方向上之最外端至第2基板W2在半徑方向上之最外端的距離。第1基板W1之邊緣部E1的傾斜角度θ1係第1基板W1之邊緣部E1相對於基準線Lr的角度。第2基板W2之邊緣部E2的傾斜角度θ2係第2基板W2之邊緣部E2相對於基準線Lr的角度。一實施型態中，第1基板W1與第2基板W2具有相同基板形狀的情況，亦可測量傾斜角度θ1或傾斜角度θ2任一者。一實施型態中，傾斜角度θ1及傾斜角度θ2亦可為第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2相對於第1基板W1與第2基板W2之接合面P的角度。
動作控制部10係根據參照圖9說明的表面形狀（尺寸x1、x2、x3及傾斜角度θ1、θ2）的測量結果，決定藉由填充劑塗布模組9塗布之填充劑F的塗布條件。塗布條件包含下述之中的至少一項：填充劑F的組成、填充劑F的總塗布量、塗布裝置3的填充劑吐出口21a的形狀、積層基板Ws與填充劑吐出口21a的距離、單位時間內從填充劑吐出口21a吐出的填充劑F的量、從硬化裝置4吹出之熱風的風壓及溫度、積層基板Ws的旋轉速度。
填充劑F主要係由黏結劑、溶劑及粒子所構成，在溶解於溶劑的黏結劑之中分散有粒子。粒子係用以增加填充劑的體積及調節填充劑的黏度。若填充劑F的黏度高且粒子徑大，則填充劑F無法進入微細的間隙G，會發生填充不良。於是，動作控制部10，根據參照圖9說明的表面形狀之測量結果，決定適當的填充劑F之組成。更具體而言，填充劑F的組成可列舉黏結劑的種類、溶劑的量、粒子的量、粒子的大小。
動作控制部10，根據參照圖9說明的表面形狀的測量結果，決定填充劑F的總塗布量（填充劑F的體積）。塗布裝置3的填充劑吐出口21a的形狀、積層基板Ws與填充劑吐出口21a的距離、單位時間內從填充劑吐出口21a吐出的填充劑F的量、從硬化裝置4吹出之熱風的風壓及溫度、積層基板Ws的旋轉速度，亦可根據已決定之填充劑F的組成來決定。動作控制部10，對於填充劑塗布模組9發出指令，以已決定之塗布條件，藉由塗布裝置3塗布填充劑F，並藉由硬化裝置4使已塗布之填充劑F硬化。
根據本實施型態，在將填充劑F塗布於積層基板Ws的間隙G時，預先測量第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的表面形狀，決定填充劑F的塗布條件，藉此可實現填充劑F的適當填充狀態。
圖10係顯示基板處理裝置1的另一實施型態的示意圖。本實施型態中，動作控制部10，在第1基板W1與第2基板W2接合之前，對於表面形狀測量裝置11發出指令，使其測量第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的表面形狀。之後，動作控制部10，根據表面形狀的測量結果決定填充劑F的塗布條件。動作控制部10，在第1基板W1與第2基板W2接合之後，對於填充劑塗布模組9發出指令，以已決定之塗布條件藉由塗布裝置3塗布填充劑F，並藉由硬化裝置4使已塗布之填充劑F硬化。
欲測量的第1基板W1之邊緣部E1及第2基板W2之邊緣部E2的表面形狀係由下述（i）～（iii）之中的至少一項來特定：（i）第1基板W1之邊緣部E1在半徑方向上的尺寸x1及第2基板W2之邊緣部E2在半徑方向上的尺寸x2；（ii）第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G在厚度方向上的尺寸x3；（iii）第1基板W1之邊緣部E1的傾斜角度θ1及第2基板W2之邊緣部E2的傾斜角度θ2。
圖11係說明在第1基板W1與第2基板W2接合之前藉由表面形狀測量裝置11所測量的邊緣部之表面形狀的圖。第1基板W1與第2基板W2接合時，第1基板W1的接合面P1與第2基板W2的接合面P2接合。第1基板W1接合面P1中，尺寸x1、x2及傾斜角度θ1、θ2與參照圖9說明的尺寸x1、x2及傾斜角度θ1、θ2相同，因此省略其重複說明。
第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G在厚度方向上的尺寸x3即為圖11所示之尺寸x3-1與尺寸x3-2的總尺寸。尺寸x3-1係在厚度方向上從第1基板W1的半徑方向之最外端到接合面P1的距離。尺寸x3-2係在厚度方向上從第2基板W2的半徑方向之最外端到接合面P2的距離。一實施型態中，第1基板W1與第2基板W2具有相同基板形狀的情況，亦可測量尺寸x3-1或尺寸x3-2任一者，並將測得之值的2倍值視為第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G在厚度方向上的尺寸x3。
以下參照圖式說明本發明的另一實施型態。 圖12A係顯示作為處理對象之積層基板的邊緣部之一例的剖面圖。如圖12A所示，積層基板Ws具有第1基板W1與第2基板W2接合而成的結構。本實施型態中所使用的第1基板W1及第2基板W2為圓形。
第1基板W1之邊緣部E1係第1基板W1相對接合面（例如元件面）S1傾斜的最外側面。更具體而言，第1基板W1之邊緣部E1具有圓弧形狀或倒角形狀。第2基板W2之邊緣部E2亦相同，其係第2基板W2相對接合面（例如元件面）S2傾斜的最外側面。更具體而言，第2基板W2之邊緣部E2具有圓弧形狀或倒角形狀。邊緣部E1、E2有時亦稱為斜面部。第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間形成有間隙G。
圖12B係顯示已塗有填充劑F之積層基板Ws之邊緣部的一例的剖面圖。填充劑F塗布於第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間的間隙G。此間隙G形成於積層基板Ws的整周，具有大致為三角形狀的剖面。填充劑F係以填滿該間隙G的方式塗布。
圖12C係顯示塗布填充劑F後經薄化的積層基板Ws之邊緣部的一例的剖面圖。圖12C所示的例子中，積層基板Ws的薄化係以薄化裝置（圖中未顯示）切削第2基板W2的外側面來進行。此薄化步驟的結果，第2基板W2之邊緣部E2形成刀緣部102。刀緣部102由填充劑F所保持（支撐），因此可防止刀緣部102的破裂（裂縫）及缺損（剝落）。
圖13係顯示基板處理裝置105之一實施型態的示意圖。本實施型態的基板處理裝置105具備：運算系統110，具有經由機械學習所建構的學習完成模型；及填充劑塗布模組112，將填充劑塗布於由第1基板與第2基板接合而成之積層基板。圖13中雖未描繪積層基板，但其具有參照圖12A至圖12C說明的構成。運算系統110，如後所述，構成下述態樣：不僅依照由學習完成模型定義的演算法計算的填充劑之塗布條件，並且控制填充劑塗布模組112的動作。
運算系統110具備：記憶裝置110a，儲存程式及學習完成模型；及運算裝置110b，依照程式所包含的命令執行運算。記憶裝置110a具備隨機存取記憶體（RAM）等主記憶裝置與硬碟驅動器（HDD）、固態硬碟（SSD）等輔助記憶裝置。作為運算裝置110b的例子，可列舉：中央處理器（CPU）、圖形處理器（GPU）。然而，運算系統110的具體構成不限於此等的例子。
運算系統110係由至少一台電腦構成。前述至少一台電腦，亦可為一台伺服器或多台伺服器。運算系統110亦可為以通信線連接於填充劑塗布模組112的邊緣伺服器、亦可為由網際網路或區域網路等通信網路連接至填充劑塗布模組112的雲端伺服器或霧端伺服器。
運算系統110亦可為經由網際網路或區域網路等通信網路連接的多台電腦。例如，運算系統110亦可為邊緣伺服器與雲端伺服器的組合。記憶裝置110a與運算裝置110b亦可分別配置在設於不同處的多台電腦內。再者，運算系統110亦可包含用以藉經由機械學習來建構學習完成模型的第1電腦與用以使用學習完成模型計算塗布條件的第2電腦。第1電腦與第2電腦亦可配置於不同處。
圖14係顯示填充劑塗布模組112之一實施型態的頂面圖，圖15係圖14所示的填充劑塗布模組112的側面圖。填充劑塗布模組112構成一邊使積層基板Ws旋轉，一邊將填充劑塗布於積層基板Ws之邊緣部的態樣。填充劑塗布模組112具備：基板保持部115，保持積層基板Ws；塗布裝置116，用以將填充劑F塗布於積層基板Ws之邊緣部；及硬化裝置120，使已塗布之填充劑F硬化。
基板保持部115係以真空吸附保持積層基板Ws背面的載台。填充劑塗布模組112更具備：旋轉軸122，連結於基板保持部115之中央部；及旋轉機構123，使基板保持部115及旋轉軸122旋轉。積層基板Ws係透過積層基板Ws的中心與旋轉軸122的軸心一致的方式載置於基板保持部115上。旋轉機構123具備馬達（圖中未顯示）。如圖14所示，旋轉機構123構成使基板保持部115及積層基板Ws以積層基板Ws之中心軸Cr為中心，以箭頭表示之方向上一體旋轉的態樣。
塗布裝置116位於基板保持部115上的積層基板Ws之半徑方向外側，其構成將填充劑F塗布於積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G的態樣。圖16係顯示塗布裝置116之一實施型態的示意圖。塗布裝置116具備：注射器126，用以吐出填充劑F；活塞127，可在注射器126內來回移動；及水平移動機構（圖中未顯示），使注射器126靠近或遠離積層基板Ws。藉由此水平移動機構，塗布裝置116可調整積層基板Ws與塗布裝置116的填充劑吐出口126a之距離。一實施型態中，塗布裝置116亦可省略水平移動機構。此情況中，預先決定積層基板Ws與填充劑吐出口126a的距離，以將填充劑F適當注入積層基板Ws的間隙G。
注射器126具有中空結構，其構成內部填充有填充劑F的態樣。活塞127配置於注射器126內。注射器126，其前端具有用以吐出填充劑F的填充劑吐出口126a。包含填充劑吐出口126a的注射器126之前端亦可構成可裝卸的態樣。填充劑吐出口126a的形狀係根據塗布之填充劑F的物性（例如黏度等）選擇適當的形狀。填充劑吐出口126a係配置成與第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G相對的態樣。
塗布裝置116透過氣體供給線128與氣體供給源連接。若從氣體供給源將氣體（例如乾燥空氣或氮氣）供給至注射器126，則活塞127在注射器126內前進。藉由活塞127的前進，注射器126內的填充劑F從填充劑吐出口126a吐出。
氣體供給線128上配置有壓力調整裝置129。藉由調整從氣體供給源供給至塗布裝置116之氣體的壓力，可調整單位時間內從填充劑吐出口126a吐出之填充劑F的量。
一實施型態中，塗布裝置116亦可具備螺桿進料機來代替注射器126與活塞127的組合。
如圖14及圖15所示，硬化裝置120位於積層基板Ws的半徑方向外側。硬化裝置120在積層基板Ws的旋轉方向上配置於塗布裝置116的下游側，其構成使由塗布裝置116塗布於積層基板Ws上的填充劑F硬化的態樣。以硬化裝置120所進行的填充劑F之硬化，係一邊使積層基板Ws旋轉一邊進行。在本實施型態中，填充劑F為具有熱固性的填充劑。作為這種填充劑的例子，可列舉熱固性的樹脂。
硬化裝置120為空氣加熱器，其構成朝向已塗布於積層基板Ws之填充劑F吹出熱風的態樣。經由熱風加熱的填充劑F因交聯反應而硬化。填充劑F含溶劑時，溶劑會因加熱而揮發。硬化裝置120，只要可將填充劑F加熱而使其硬化，則不限於空氣加熱器，亦可為燈具加熱器或其他構成。
本實施型態中，填充劑F為具有熱硬化性的填充劑，但一實施型態中，填充劑F亦可為具有紫外線硬化性的填充劑。此情況中，硬化裝置120亦可為照射紫外線使填充劑F硬化的UV照射裝置。填充劑F含溶劑時，亦可併用空氣加熱器等加熱以使溶劑揮發。
填充劑塗布模組112，構成依照由運算系統110決定的塗布條件將填充劑F塗布於積層基板Ws的態樣。運算系統110使用儲存於該記憶裝置110a中的學習完成模型，以下述方式決定塗布條件。亦即，如圖17所示，運算系統110將積層基板Ws的相關資料與填充劑F的相關資料輸入學習完成模型，從學習完成模型輸出填充劑F的塗布條件。學習完成模型係藉由使用了訓練資料的機械學習而預先製作。
積層基板Ws的相關資料包含構成第1基板W1及第2基板W2之表面的材料以及第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間的間隙G之形狀與大小。以下的說明中，有時將第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間的間隙G稱為形成於積層基板Ws之邊緣部的間隙G、或是僅稱為積層基板Ws的間隙G。積層基板Ws的間隙G之形狀及大小會影響填充劑F的塗布量。
作為構成第1基板W1及第2基板W2之表面的材料的例子，可列舉：矽、絕緣膜、金屬膜或此等的組合。構成第1基板W1及第2基板W2之表面的材料會影響填充劑F滲入間隙G的容易程度。積層基板Ws的相關資料可由積層基板Ws的製作資訊、前步驟的資訊等獲得。
積層基板Ws的上述間隙G的形狀與大小係由間隙G的影像或間隙G的大小所特定。間隙G的大小，例如為間隙G在半徑方向上的寬度、間隙G的高度、及間隙G內端的角度（例如，第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的接觸部的角度）。間隙G的形狀與大小可使用雷射掃掠裝置、共焦顯微鏡等習知表面形狀測量裝置進行測量。一實施型態中，基板處理裝置105亦可具備用以測量形成於積層基板Ws邊緣部之間隙G的形狀與大小（尺寸）的表面形狀測量裝置。間隙G的形狀與大小係在將填充劑F塗布於積層基板Ws之前測量。亦可使用顯示了間隙G之形狀與大小的影像來代替間隙G的尺。一實施型態中，基板處理裝置105亦可具備生成顯示間隙G之形狀與大小之影像的拍攝裝置。
填充劑F的相關資料包含填充劑F的組成。填充劑F包含黏結劑、溶劑、粒子等。在溶解於溶劑的黏結劑之中分散有粒子。例如，填充劑F的組成為黏結劑的種類、溶劑的量、粒子的量、粒子的大小。作為黏結劑的例子，可列舉：含有鹼金屬矽酸鹽的無機黏結劑、由矽樹脂或環氧樹脂構成之有機黏結劑、及無機/有機混合黏結劑。粒子為例如二氧化矽或氧化鋁等的粒子。粒子係用以增加填充劑F的體積及用以調節填充劑F的黏度而混入黏結劑。為了降低填充劑F的黏度，有時填充劑F亦不含粒子。
填充劑F通常具有一定程度的黏度。填充劑F的黏度大致上與溶劑的量、粒子的量及黏結劑的材料相依。填充劑F含溶劑時，溶劑會因加熱而揮發。因此，在塗布填充劑F之後進行填充劑F硬化時，會因為溶劑的揮發而導致填充劑F的體積容易減少。因此，為了決定適量的填充劑F以填滿形成於積層基板Ws之邊緣部的間隙G，需要填充劑F的黏度、亦即填充劑F的組成資訊（例如，黏結劑的材料，溶劑的量、粒子的量）。粒子的量，亦包含粒子的量為0的情況，亦即不含粒子的情況。
積層基板Ws的相關資料及填充劑F的相關資料係輸入運算系統110，並保存於該記憶裝置110a內。
從學習完成模型輸出的塗布條件包含下述之中的至少一項：填充劑F的總塗布量、單位時間內的填充劑F的塗布量、填充劑F的溫度、積層基板Ws的旋轉速度。填充劑F的總塗布量，係填滿積層基板Ws之間隙G的適當之填充劑F的量。單位時間內的填充劑F的塗布量，換言之為塗布速度，其係從圖14至圖16所示之塗布裝置116吐出之填充劑F在單位時間內的量。單位時間內的填充劑F之塗布量可由塗布裝置116擠出填充劑F的力量來控制。積層基板Ws的旋轉速度相當於圖14及圖15所示的基板保持部115的旋轉速度，其可由旋轉機構123控制。
運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，依照上述塗布條件，藉由填充劑塗布模組112將填充劑F塗布於第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G。
記憶裝置110a中儲存有經由機械學習演算法建構學習完成模型的程式。運算裝置110b，依照程式所包含的命令執行使用了訓練資料的機械學習以建構學習完成模型。作為機械學習演算法的例子，可列舉：支持向量回歸法（SVR法）、偏最小二乘迴歸法（PLS， Partial　Least　Squares）、深度學習法（Deep learning法）、隨機森林法及決策樹法等。一例中，學習完成模型係由以深度學習法所建構的人工神經網路構成。經由機械學習建構學習完成模型，包含將人工神經網路的權重等參數最佳化的步驟。
機械學習中所使用的訓練資料，包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件。多種積層基板係實際用於填充劑之塗布的多種積層基板。以下的說明中，將此等的積層基板稱為學習用積層基板。多種學習用積層基板包含具有不同構成的多個積層基板。所謂的不同構成，係指邊緣部之間隙的大小、邊緣部之間隙的形狀及表面構成材料之中的至少一項不同的構成。例如，學習用積層基板，包含形成於邊緣部的間隙之形狀與大小（尺寸）不同的多種學習用積層基板與構成第1基板及第2基板之表面的材料不同的多種學習用積層基板。
多種填充劑係實際塗布於上述多種學習用積層基板的多種填充劑。以下的說明中，將此等的填充劑稱為學習用填充劑。多種學習用填充劑包含具有不同組成的多種填充劑。所謂的不同組成，係指構成填充劑的成分之中的至少一種材料及/或量不同的組成。例如，學習用填充劑包含黏結劑的材料不同的多種學習用填充劑、溶劑量不同的多種學習用填充劑以及粒子量不同（包含無粒子）的多種學習用填充劑。
作為正解標籤的多個塗布條件，係得到多種填充劑的良好塗布結果時的多個塗布條件。更具體而言，作為正解標籤的多個塗布條件，係在將多種學習用填充劑實際塗布於多種學習用積層基板並得到良好塗布結果時的塗布條件。作為正解標籤的多個塗布條件包含下述之中的至少一項：學習用填充劑的總塗布量、單位時間內的學習用填充劑的塗布量、學習用填充劑的溫度及學習用積層基板的旋轉速度。作為正解標籤的多個塗布條件包含互相不同的多個塗布條件。例如，互相不同的多個塗布條件包含下述之中的至少一項：學習用填充劑的不同的總塗布量、學習用填充劑在單位時間內不同的塗布量、學習用填充劑的不同溫度、及學習用積層基板的不同旋轉速度。
如上所述，正解標籤係得到良好塗布結果時的塗布條件。可藉由觀察實際塗布了學習用填充劑的學習用積層基板之邊緣部來判斷塗布狀態是否良好。具體而言，可在塗布學習用填充劑之後將學習用積層基板薄化，再根據在學習用積層基板的刀緣部（參照圖12C的符號102）產生的破裂（裂縫）及缺損（剝落）的數量或大小來判斷塗布狀態。例如，在刀緣部產生小於閾值之數量的缺損或是小於閾值之缺損的情況（亦包含在刀緣部未產生缺損的情況），則判斷為學習用填充劑的塗布狀態良好。
其他例中，可以紅外線顯微鏡生成已塗布學習用填充劑之學習用積層基板之邊緣部的影像，再根據影像中的目標區域內之學習用填充劑的大小來判斷塗布狀態。更具體而言，目標區域內的學習用填充劑之面積或寬度大於閾值的情況，判斷為學習用填充劑的塗布狀態良好。目標區域係預先設定於影像中的觀察區域。
紅外線顯微鏡構成下述態樣：對於學習用積層基板之邊緣部照射紅外線，從穿透學習用積層基板之邊緣部或從學習用積層基板之邊緣部反射的紅外線生成影像。紅外線穿透由矽所構成之第1基板及第2基板，另一方面被填充劑反射。結果，由紅外線顯微鏡生成的影像中會出現塗布於學習用積層基板之間隙的填充劑。因此，可根據由紅外線顯微鏡所生成的影像來判斷學習用填充劑的塗布狀態。
再者，其他例子中，亦可將已塗布學習用填充劑的學習用積層基板切斷，以目視觀察學習用積層基板之邊緣部，藉此判斷學習用填充劑的塗布狀態。
得到良好塗布狀態（亦即良好的塗布結果）的塗布條件為學習用塗布條件，其作為正解標籤而與對應之學習用積層基板的相關資料及對應之學習用填充劑的相關資料配對（綁定）。正解標籤與對應之學習用積層基板的相關資料及對應之學習用填充劑的相關資料一起包含於訓練資料。訓練資料亦稱為學習資料或教師資料。
機械學習中，學習用積層基板的相關資料與學習用填充劑的相關資料輸入模型時，為了從模型輸出作為正解標籤的塗布條件而調整模型的參數（例如權重）。學習用積層基板的相關資料與學習用填充劑的相關資料為解釋變數（explanatory variable），塗布條件為反應變數（response variable）。運算系統110，將經由機械學習所建構的學習完成模型儲存於記憶裝置110a內。
圖18係說明藉經由機械學習來建構學習完成模型的方法之一實施型態的流程圖。 步驟1101中，運算系統110透過圖中未顯示的輸入裝置或信號通信等取得多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件。運算系統110將所取得的此等資料及正解標籤儲存於記憶裝置110a內。 步驟1102中，運算系統110將多筆學習用積層基板的相關資料及多筆學習用填充劑的相關資料與作為對應之正解標籤的多個塗布條件配對，以製作訓練資料。 步驟1103中，運算系統110，執行使用了訓練資料的機械學習來建構（製作）學習完成模型。運算系統110將學習完成模型儲存於記憶裝置110a內。
接著，運算系統110使用學習完成模型來決定欲塗布填充劑F的積層基板Ws之最佳塗布條件。更具體而言，如圖17所示，運算系統110將欲塗布填充劑F的積層基板Ws的相關資料（例如邊緣部之間隙G的形狀與大小等）與塗布於積層基板Ws的填充劑F的資料（例如填充劑F的組成）輸入學習完成模型，藉由以學習完成模型所定義的演算法執行運算，藉此從學習完成模型輸出塗布條件。然後，運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，依照從學習完成模型輸出的塗布條件，藉由填充劑塗布模組112將填充劑F塗布於構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G（參照圖12A）。
圖19係說明依照使用學習完成模型所決定之塗布條件將填充劑F塗布於積層基板Ws的方法之一實施型態的流程圖。 步驟1201中，運算系統110將欲塗布填充劑F的積層基板Ws的相關資料與塗布於積層基板Ws的填充劑F的資料輸入學習完成模型。 步驟1202中，運算系統110，依照以學習完成模型所定義之演算法執行運算，藉此從學習完成模型輸出塗布條件。 步驟1203中，運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，將填充劑F塗布於構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G。填充劑塗布模組112，係依照上述步驟1202中所決定之塗布條件將填充劑F塗布於積層基板Ws之邊緣部的間隙G。之後藉由圖14及圖15所示的硬化裝置120使填充劑F硬化，並藉由圖中未顯示的薄化裝置將其中的填充劑F已硬化的積層基板Ws薄化。
根據本實施型態，藉由學習完成模型決定適當的塗布條件，再依照此塗布條件將適量的填充劑F塗布於積層基板Ws。結果可防止積層基板Ws的刀緣部破裂（裂縫）及缺損（剝落），又可防止周圍環境的汙染。
上述步驟1202中所得之塗布條件可期待良好的塗布結果，因此可作為正解標籤使用。於是，一實施型態中，運算系統110亦可將在上述步驟1201中輸入學習完成模型的積層基板Ws的相關資料及填充劑F的相關資料與在上述步驟1202中從學習完成模型輸出的作為正解標籤之塗布條件追加至訓練資料，藉此更新訓練資料，並使用已更新之訓練資料再次執行機械學習，以更新學習完成模型。藉由如此更新學習完成模型，可提升學習完成模型的精度。
接著說明基板處理方法及基板處理裝置105的另一實施型態。未特別說明的本實施型態之構成及動作，與參照圖12A至圖19說明的實施型態相同，因此省略其重複說明。
本實施型態中，如圖20所示，運算系統110構成下述態樣：除了積層基板Ws的相關資料及填充劑F的相關資料以外，亦將用以使填充劑F硬化之硬化裝置120（參照圖14及圖15）的相關資料輸入學習完成模型，並從學習完成模型輸出填充劑F的塗布條件及填充劑F的硬化條件。
硬化裝置120相關資料包含硬化裝置120的類型及硬化裝置120與積層基板Ws之邊緣部的距離。作為硬化裝置120的類型的例子，可列舉：燈具加熱器、空氣加熱器、UV照射裝置。硬化裝置120的類型可根據填充劑F的材料預先設定。
硬化條件包含硬化裝置120的輸出值。硬化裝置120的輸出值根據硬化裝置120的類型而有所不同。例如，硬化裝置120為燈具加熱器時，硬化裝置120的輸出值為燈具的電力[W]，硬化裝置120為空氣加熱器時，硬化裝置120的輸出值為熱風的溫度或熱源的輸出[W]，硬化裝置120為UV照射裝置時則為UV源的照度。
運算系統110構成下述態樣：對於填充劑塗布模組112發出指令，依照從學習完成模型輸出的塗布條件，藉由填充劑塗布模組112將填充劑F塗布於構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G（參照圖12A），再依照從學習完成模型輸出的硬化條件，藉由硬化裝置120使填充劑F硬化。
用以建構學習完成模型的機械學習中所使用的訓練資料包含多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件及多個硬化條件。
訓練資料內的多筆硬化裝置的相關資料包含不同的多筆硬化裝置的相關資料。不同的多筆硬化裝置的相關資料包含硬化裝置的不同型態及硬化裝置與積層基板之邊緣部的不同距離之中的至少一項。
作為正解標籤的多個塗布條件及多個硬化條件，係得到多種填充劑良好之塗布結果時的多個塗布條件及多個硬化條件。更具體而言，作為正解標籤的多個塗布條件及多個硬化條件，係在將多種學習用填充劑實際塗布於多種學習用積層基板並藉由硬化裝置使已塗布之學習用填充劑硬化而得到良好塗布結果時的塗布條件及硬化條件。如上述實施型態中所說明，可藉由觀察實際塗布了學習用填充劑的學習用積層基板之邊緣部來判斷塗布狀態是否良好。
作為正解標籤的多個硬化條件包含硬化裝置的輸出值。硬化裝置的輸出值根據硬化裝置的類型有所不同。例如，硬化裝置為燈具加熱器時，硬化裝置的輸出值為燈的電力[W]，硬化裝置為空氣加熱器時，硬化裝置的輸出值為熱風的溫度或熱源的輸出[W]，硬化裝置為UV照射裝置時則為UV源的照度。
圖21係說明藉經由機械學習來建構學習完成模型的方法之一實施型態的流程圖。 步驟1301中，運算系統110透過圖中未顯示的輸入裝置或信號通信等取得多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件及多個硬化條件。運算系統110將已取得之此等的資料及正解標籤儲存於記憶裝置110a內。 步驟1302中，運算系統110將多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料與作為對應之正解標籤的多個塗布條件及多個硬化條件配對，以製作訓練資料。 步驟1303中，運算系統110執行使用了訓練資料的機械學習，以建構（製作）學習完成模型。運算系統110將學習完成模型儲存於記憶裝置110a內。
接著，運算系統110使用學習完成模型來決定欲塗布填充劑F的積層基板Ws的最佳塗布條件與用以使已塗布於積層基板Ws之填充劑F硬化的最佳硬化條件。更具體而言，如圖20所示，運算系統110將欲塗布填充劑F的積層基板Ws的相關資料（例如邊緣部之間隙G的形狀與大小等）、塗布於積層基板Ws的填充劑F之資料（例如填充劑F的組成）與硬化裝置120的相關資料（例如硬化裝置120的類型）輸入學習完成模型，依照以學習完成模型所定義的演算法執行運算，藉此從學習完成模型輸出塗布條件及硬化條件。然後，運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，依照從學習完成模型輸出的塗布條件，藉由填充劑塗布模組112將填充劑F塗布於構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G（參照圖12A），再依照從學習完成模型輸出的硬化條件，藉由硬化裝置120使填充劑F硬化。
圖22係說明依照使用學習完成模型所決定之塗布條件及硬化條件將填充劑F塗布於積層基板Ws並使填充劑F硬化的方法之一實施型態的流程圖。 步驟1401中，運算系統110將欲塗布填充劑F的積層基板Ws的相關資料、塗布於積層基板Ws的填充劑F之資料以及使已塗布之填充劑F硬化之硬化裝置120的相關資料輸入學習完成模型。 步驟1402中，運算系統110依照以學習完成模型所定義之演算法執行運算，藉此從學習完成模型輸出塗布條件及硬化條件。
步驟1403中，運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，將填充劑F塗布於構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G。填充劑塗布模組112依照上述步驟1402中決定的塗布條件，將填充劑F塗布於積層基板Ws之邊緣部的間隙G。 步驟1404中，運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，藉由硬化裝置120使已填充於積層基板Ws之間隙G的填充劑F硬化。填充劑塗布模組112的硬化裝置120，依照上述步驟1402中決定的硬化條件使填充劑F硬化。上述步驟1403與上述步驟1404亦可在時序上重疊。之後，藉由圖中未顯示的薄化裝置將其中的填充劑F已硬化的積層基板Ws薄化。
根據本實施型態，依照塗布條件將適量的填充劑F塗布於積層基板Ws，並依照硬化條件使填充劑F適當硬化。結果可防止積層基板Ws的刀緣部破裂（裂縫）及缺損（剝落），又可防止周圍環境的汙染。
上述步驟1402中所得之塗布條件及硬化條件可期待良好的塗布結果，因此可作為正解標籤使用。於是，一實施型態中，運算系統110亦可將在上述步驟1401中輸入學習完成模型的積層基板Ws的相關資料、填充劑F的相關資料及硬化裝置120的相關資料與在上述步驟1402中從學習完成模型輸出的作為正解標籤之塗布條件及硬化條件追加至訓練資料，藉此更新訓練資料，並使用已更新之訓練資料再次執行機械學習，以更新學習完成模型。藉由如此更新學習完成模型，可提升學習完成模型的精度。
接著說明基板處理方法及基板處理裝置105的另一實施型態。未特別說明的本實施型態之構成及動作，因為與參照圖20至圖22說明的實施型態相同，因此省略其重複說明。
圖23係顯示基板處理裝置105的另一實施型態的示意圖。如圖23所示，本實施型態的基板處理裝置105更具備：薄化裝置140，其將已由填充劑塗布模組112塗有填充劑F且經過硬化之積層基板Ws薄化。運算系統110構成控制填充劑塗布模組112及薄化裝置140之動作的態樣。積層基板Ws藉由圖中未顯示的運送裝置從填充劑塗布模組112被運送至薄化裝置140。填充劑塗布模組112及/或薄化裝置140亦可與運算系統110配置於不同處。
圖24係顯示薄化裝置140之一實施型態的示意圖。薄化裝置140具備：保持載台141，保持積層基板Ws；載台旋轉裝置144，使保持載台141旋轉；切削具147，切削構成保持載台141上之積層基板Ws的第2基板W2；切削具旋轉裝置148，使切削具147旋轉；及切削具按壓裝置151，將切削具147壓附於保持載台141上的積層基板Ws。切削具147具有切削面147a，其上固定有鑽石粒子等切削粒子。保持載台141構成可以透過真空吸附等方式將積層基板Ws保持於該載台面141a上的態樣。
積層基板Ws係在第2基板W2朝向切削具147之切削面147a的狀態下放置於保持載台141的載台面141a上。積層基板Ws的第1基板W1藉由真空吸附而保持於保持載台141的載台面141a上。若載台旋轉裝置144使保持載台141旋轉，則保持載台141上的積層基板Ws旋轉。一方面藉由切削具旋轉裝置148使切削具147旋轉，一方面切削具按壓裝置151將切削具147的切削面147a壓附於積層基板Ws的第2基板W2。第2基板W2被切削具147切削，藉此使積層基板Ws薄化（參照圖12C）。切削具147的旋轉速度係藉由切削具旋轉裝置148調節，切削具147對於積層基板Ws的按壓力係藉由切削具按壓裝置151調節，積層基板Ws的旋轉速度係藉由載台旋轉裝置144調節。
圖25係說明本實施型態的運算系統110之動作的概念圖。如圖25所示，運算系統110構成下述態樣：除了積層基板Ws的相關資料、填充劑F的相關資料及硬化裝置120的相關資料以外，亦將薄化裝置140的相關資料輸入學習完成模型，並從學習完成模型輸出填充劑F的塗布條件、填充劑F的硬化條件及積層基板Ws的薄化條件。再者，運算系統110構成下述態樣：對於填充劑塗布模組112發出指令，依照從學習完成模型輸出的塗布條件，藉由填充劑塗布模組112將填充劑F塗布於構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G（參照圖12A），再依照從學習完成模型輸出的硬化條件，藉由硬化裝置120使填充劑F硬化。再者，運算系統110構成下述態樣：對於薄化裝置140發出指令，依照從學習完成模型輸出的薄化條件將具有已硬化之填充劑F的積層基板Ws薄化。
薄化裝置140相關資料包含薄化裝置140中所使用之切削具147的種類及積層基板Ws的目標切削量。切削具147的種類，例如構成切削面147a之切削粒子的粗糙度。薄化條件，換言之係薄化裝置140的運轉條件，可列舉例如：切削具147的旋轉速度、切削具147對於積層基板Ws的按壓力及積層基板Ws的旋轉速度（保持載台141的旋轉速度）。
用以建構學習完成模型的機械學習中所使用的訓練資料，包含多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件。
訓練資料內的多筆薄化裝置的相關資料包含不同的多筆薄化裝置的相關資料。不同的多筆薄化裝置的相關資料包含切削具的不同種類及積層基板的不同目標切削量之中的至少一項。
作為正解標籤的多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件，係在得到良好的塗布結果及良好的薄化結果時的多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件。更具體而言，作為正解標籤的多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件，係在將多種學習用填充劑實際塗布於多種學習用積層基板並藉由硬化裝置使已塗布之學習用填充劑硬化之後，藉由薄化裝置將積層基板薄化而得到良好的塗布結果及良好的薄化結果時的塗布條件、硬化條件及薄化條件。
如上述實施型態所說明，可藉由觀察已實際塗布學習用填充劑的學習用積層基板之邊緣部來判斷塗布狀態是否良好。根據在該切削具未發生堵塞的情況下將積層基板薄化及從切削開始至到達目標切削量的時間在容許時間以內來判斷為良好的薄化結果。通常，切削具的堵塞係由填充劑所包含的粒子所引起。從切削開始至到達目標切削量的時間會根據已硬化之填充劑的硬度而改變，已硬化之填充劑的硬度與填充劑的材料相依。因此，作為正解標籤的薄化條件，係切削具未發生堵塞而在短時間內完成薄化時的薄化條件。
圖26係說明藉經由機械學習來建構學習完成模型的方法之一實施型態的流程圖。 步驟1501中，運算系統110透過圖中未顯示的輸入裝置或信號通信等取得多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件，多個硬化條件及多個薄化條件。運算系統110將已取得的此等資料及正解標籤儲存於記憶裝置110a內。 步驟1502中，運算系統110將多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料與作為對應之正解標籤的多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件配對，以製作訓練資料。 步驟1503中，運算系統110執行使用了訓練資料的機械學習，以建構（製作）學習完成模型。運算系統110將學習完成模型儲存於記憶裝置110a內。
接著，運算系統110使用學習完成模型來決定欲塗布填充劑F之積層基板Ws的最佳塗布條件、用以使已塗布於積層基板Ws之填充劑F硬化的最佳硬化條件、及用以將其中的填充劑F已硬化之積層基板Ws薄化的最佳薄化條件。更具體而言，如圖25所示，運算系統110將欲塗布填充劑F的積層基板Ws的相關資料（例如邊緣部的間隙G的形狀與大小等）、塗布於積層基板Ws的填充劑F之資料（例如填充劑F的組成）、硬化裝置120的相關資料（例如硬化裝置120的類型）、及薄化裝置140的相關資料（例如切削具的種類）輸入學習完成模型，依照已學習完成模型所定義之演算法執行運算，藉此從學習完成模型輸出塗布條件、硬化條件及薄化條件。
然後，運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，依照從學習完成模型輸出的塗布條件，藉由填充劑塗布模組112將填充劑F塗布於構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G（參照圖12A），再依照從學習完成模型輸出的硬化條件，藉由硬化裝置120使填充劑F硬化。再者，運算系統110對於薄化裝置140發出指令，依照學習完成模型輸出的薄化條件，藉由薄化裝置140使其中的填充劑F已硬化的積層基板Ws薄化。
圖27係說明依照使用學習完成模型所決定之塗布條件、硬化條件及薄化條件將填充劑F塗布於積層基板Ws、使填充劑F硬化、使積層基板Ws薄化的方法之一實施型態的流程圖。 步驟1601中，運算系統110將欲塗布填充劑F的積層基板Ws的相關資料、塗布於積層基板Ws的填充劑F之資料、使已塗布之填充劑F硬化之硬化裝置120的相關資料以及使其中的填充劑F已硬化的積層基板Ws薄化之薄化裝置140的相關資料輸入學習完成模型。 步驟1602中，運算系統110依照以學習完成模型所定義之演算法執行運算，藉此從學習完成模型輸出塗布條件、硬化條件及薄化條件。
步驟1603中，運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，將填充劑F塗布於構成積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的間隙G。填充劑塗布模組112，依照上述步驟1602中決定的塗布條件，將填充劑F塗布於積層基板Ws之邊緣部的間隙G。 步驟1604中，運算系統110對於填充劑塗布模組112發出指令，藉由硬化裝置120使已填充於積層基板Ws之間隙G的填充劑F硬化。填充劑塗布模組112的硬化裝置120，依照上述步驟1602中決定的硬化條件使填充劑F硬化。上述步驟1603與上述步驟1604亦可在時序上重疊。 步驟1605中，運算系統110對於薄化裝置140發出指令，依照學習完成模型輸出的薄化條件使薄化裝置140動作，並使積層基板Ws薄化。薄化裝置140，依照上述步驟1602中決定的薄化條件，使具有已硬化之填充劑F的積層基板Ws薄化。
根據本實施型態，依照塗布條件將適量的填充劑F塗布於積層基板Ws，依照硬化條件使填充劑F適當硬化，再依照薄化條件使積層基板Ws適當薄化。結果可防止積層基板Ws的刀緣部破裂（裂縫）及缺損（剝落），又可防止周圍環境的汙染。此外，因為薄化條件最佳化，故可防止切削具堵塞，且可提升薄化步驟的產量。
上述步驟1602中所得之塗布條件、硬化條件及薄化條件，可期待良好的塗布結果及良好的薄化結果，因此可作為正解標籤使用。於是，一實施型態中，運算系統110亦可將在上述步驟1601中輸入學習完成模型的積層基板Ws的相關資料、填充劑F的相關資料、硬化裝置120的相關資料及薄化裝置140的相關資料與在上述步驟1602中從學習完成模型輸出的作為正解標籤的塗布條件、硬化條件及薄化條件追加至訓練資料，藉此更新訓練資料，並使用已更新之訓練資料再次執行機械學習，以更新學習完成模型。藉由如此更新學習完成模型，可提升學習完成模型的精度。
接著說明基板處理方法的另一實施型態。未特別說明的本實施型態之構成及動作與參照圖23至圖27說明的實施型態相同，因此省略其重複說明。
本實施型態中，學習完成模型構成下述態樣：計算用以將已塗有填充劑F且填充劑F已硬化之積層基板Ws薄化的薄化條件。圖28係說明本實施型態之運算系統110之動作的概念圖。如圖28所示，運算系統110構成下述態樣：將積層基板Ws的相關資料、填充劑F的相關資料及薄化裝置140的相關資料輸入學習完成模型，從學習完成模型輸出積層基板Ws的薄化條件。再者，運算系統110構成下述態樣：對於薄化裝置140發出指令，依照學習完成模型輸出的薄化條件，將具有已硬化之填充劑F的積層基板Ws薄化。
用以建構學習完成模型的機械學習中所使用之訓練資料，包含多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個薄化條件。訓練資料內的多筆薄化裝置的相關資料包含不同的多筆薄化裝置的相關資料。不同的多筆薄化裝置的相關資料包含切削具的不同種類及積層基板的不同目標切削量之中的至少一項。
作為正解標籤的多個薄化條件，係得到良好薄化結果時的薄化條件。更具體而言，作為正解標籤的多個薄化條件，係藉由薄化裝置將邊緣部之間隙具有已硬化之填充劑的積層基板薄化而得到良好薄化結果時的薄化條件。得到良好薄化結果時的薄化條件，係切削具不會堵塞而可在短時間內完成薄化時的薄化條件。
圖29係說明藉經由機械學習來建構學習完成模型的方法之一實施型態的流程圖。 步驟1701中，運算系統110透過圖中未顯示的輸入裝置或信號通信等取得多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個薄化條件。運算系統110將已取得的此等資料及正解標籤儲存於記憶裝置110a內。 步驟1702中，運算系統110將多筆學習用積層基板的相關資料、多筆學習用填充劑的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料與作為對應之正解標籤的多個薄化條件配對，以製作訓練資料。 步驟1703中，運算系統110執行使用了訓練資料的機械學習，以建構（製作）學習完成模型。運算系統110將學習完成模型儲存於記憶裝置110a內。
接著，運算系統110使用學習完成模型決定用以將其中的填充劑F已硬化之積層基板Ws薄化的最佳薄化條件。更具體而言，如圖28所示，運算系統110將已塗布填充劑F之積層基板Ws的相關資料（例如邊緣部的間隙G的形狀與大小等）、已塗布於積層基板Ws的填充劑F之資料（例如填充劑F的組成）、薄化裝置140的相關資料（例如切削具147的種類）輸入學習完成模型，依照以學習完成模型所定義之演算法執行運算，從學習完成模型輸出薄化條件。然後，運算系統110對於薄化裝置140發出指令，依照學習完成模型輸出的薄化條件，藉由薄化裝置140將其中的填充劑F已硬化的積層基板Ws薄化。
圖30係說明依照使用學習完成模型所決定之薄化條件將其中的填充劑F已硬化之積層基板Ws薄化的方法之一實施型態的流程圖。 步驟1801中，運算系統110將已塗有填充劑F之積層基板Ws的相關資料、已塗布於積層基板Ws的填充劑F之資料、將其中的填充劑F已硬化的積層基板Ws薄化之薄化裝置140的相關資料輸入學習完成模型。 步驟1802中，運算系統110依照以學習完成模型所定義之演算法執行運算，藉此從學習完成模型輸出薄化條件。 步驟1803中，運算系統110對於薄化裝置140發出指令，依照學習完成模型輸出的薄化條件使薄化裝置140動作，以將積層基板Ws薄化。
根據本實施型態，薄化條件最佳化，因此可防止切削具的堵塞，並且可提升薄化步驟的產量。
上述步驟1802中所得之薄化條件，可期待良好的薄化結果，因此可作為正解標籤使用。於是，一實施型態中，運算系統110將在上述步驟1801中輸入學習完成模型的積層基板Ws的相關資料、填充劑F的相關資料及薄化裝置140的相關資料與在上述步驟1802中從學習完成模型輸出的作為正解標籤的薄化條件追加至訓練資料，藉此更新訓練資料，並使用已更新之訓練資料再次執行機械學習，以更新學習完成模型。藉由如此更新學習完成模型，可提升學習完成模型的精度。
參照圖14至圖30說明的各實施型態之基板處理裝置105的構成要件之配置並無特別限定。例如圖31所示，運算系統110、填充劑塗布模組112及薄化裝置140可配置在一個工廠內，或是亦可如圖32所示，填充劑塗布模組112及薄化裝置140配置於一個工廠內，另一方面運算系統110配置於工廠外。運算系統110，藉由網際網路等通信網路與填充劑塗布模組112及薄化裝置140連接。另一例中，如圖33所示，運算系統110亦可藉由網際網路等通信網路連接於位於遠端的多個填充劑塗布模組112及多個薄化裝置140。
上述各實施型態的基板處理裝置105的動作係由運算系統110控制。運算系統110係由至少一台電腦所構成。運算系統110係根據以電氣方式儲存於記憶裝置110a的程式所包含的命令而動作。亦即，運算系統110對於填充劑塗布模組112及/或薄化裝置140發出指令，執行上述任一實施型態的基板處理方法。用以使運算系統110執行這種動作的程式，係記錄於作為非暫時之有形物的電腦可讀取之記錄媒體，並透過記錄媒體提供至運算系統110。或是程式亦可透過網際網路或區域網路等的通信網路從通信裝置輸入運算系統110。
圖34係顯示填充劑塗布模組112的另一實施型態的頂面圖。圖35係如圖34所示的填充劑塗布模組112的側視圖。未特別說明的本實施型態之構成，與參照圖14及圖15說明的實施型態的構成相同，因此省略其重複說明。本實施型態中，填充劑塗布模組112具備基板保持裝置160取代基板保持部115、旋轉軸122及旋轉機構123。
基板保持裝置160具備：3個以上的（本實施型態中為4個）滾軸161，可與積層基板Ws的周緣部接觸；滾軸旋轉機構（圖中未顯示），使各滾軸161以其軸心為中心旋轉；及滾軸移動機構（圖中未顯示），使各滾軸161移動。本實施型態中，基板保持裝置160具備4個滾軸161，但基板保持裝置160亦可具備3個或5個以上的滾軸。
4個滾軸161配置於積層基板Ws之中心軸Cr的周圍。滾軸161與積層基板Ws的周緣部接觸，構成將積層基板Ws保持水平的態樣。滾軸旋轉機構的構成，只要可使3個以上的滾軸161在相同方向上以相同速度旋轉則可為任意，可利用習知的旋轉機構作為滾軸旋轉機構。作為滾軸旋轉機構的例子，可列舉馬達、滑輪（及/或齒輪）及旋轉皮帶的組合。
滾軸旋轉機構與4個滾軸161連結，其構成使4個滾軸161在相同方向上以相同速度旋轉的態樣。藉由滾軸移動機構，可使4個滾軸161在以滾軸161保持積層基板Ws之周緣部的保持位置（參照圖34的實線）與使積層基板Ws從滾軸161釋放的釋放位置（參照圖34的點線）之間移動。
滾軸移動機構的構成，只要可使4個滾軸161在保持位置與釋放位置之間移動則可為任意，可利用習知的移動機構作為滾軸移動機構。作為滾軸移動機構的例子，可列舉：活塞汽缸機構及滾珠螺桿與馬達（步進馬達）的組合。
積層基板Ws藉由圖中未顯示的運送裝置被運送至使積層基板Ws的軸心與積層基板Ws之中心軸Cr一致的位置。此時，滾軸161位於釋放位置。接著，藉由滾軸移動機構，使4個滾軸161移動至保持位置，藉此使積層基板Ws的周緣部保持於4個滾軸161。藉由此動作，積層基板Ws以橫向放置的狀態保持於4個滾軸161。藉由滾軸旋轉機構使已移動至保持位置的4個滾軸161旋轉，積層基板Ws以其軸心為中心而旋轉。
若藉由滾軸移動機構使位於保持位置的4個滾軸161移動至釋放位置，4個滾軸161從積層基板Ws的周緣部離開，可將積層基板Ws從4個滾軸161釋放。已釋放的積層基板Ws經由圖中未顯示的運送裝置進行運送，以進行下一個處理。以塗布裝置116所進行的填充劑F之塗布及以硬化裝置120所進行的填充劑F之硬化，係一邊使以基板保持裝置160保持於橫向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。積層基板Ws的旋轉速度與基板保持裝置160之滾軸161的旋轉速度相依，可藉由滾軸旋轉機構控制。
一實施型態中，滾軸旋轉機構亦可構成僅使部分的滾軸161旋轉的態樣。例如，滾軸旋轉機構亦可構成與4個滾軸161之中的2個滾軸161連結，使2個滾軸161在相同方向上以相同速度旋轉的態樣。此情況中，其他2個滾軸161構成自由旋轉的態樣。4個滾軸161配置於保持位置時，若與滾軸旋轉機構連結的2個滾軸161旋轉，則另外2個滾軸161透過積層基板Ws與連結於滾軸旋轉機構的滾軸161連動而旋轉。
一實施型態中，滾軸移動機構亦可構成僅使部分滾軸161移動的態樣。例如，滾軸移動機構亦可與4個滾軸161之中的2個滾軸161連結，並使該2個滾軸161在保持位置與釋放位置之間移動。此情況中，其他2個滾軸161預先固定於保持位置。積層基板Ws，藉由運送裝置運送至積層基板Ws的周緣部與固定的2個滾軸161接觸的位置。藉由滾軸移動機構，使與滾軸移動機構連結的2個滾軸161移動至保持位置，藉此可將積層基板Ws保持於橫向放置。藉由滾軸移動機構使與滾軸移動機構連結的2個滾軸161移動至釋放位置，藉此可釋放積層基板Ws。
上述實施型態中，基板保持部115及基板保持裝置160的滾軸161構成水平保持積層基板Ws的態樣。亦即，積層基板Ws藉由基板保持部115或基板保持裝置160的滾軸161而被保持於橫向放置的狀態。以塗布裝置116所進行之填充劑F的塗布，係一邊使由基板保持部115或基板保持裝置160之滾軸161而橫向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。然而，只要可將填充劑F塗布於間隙G，則積層基板Ws的保持方法不限於上述實施型態。例如，填充劑塗布模組112，亦可具有構成將積層基板Ws保持垂直之態樣的基板保持部或基板保持裝置。若以縱向放置的狀態保持積層基板Ws，則積層基板Ws的上表面及下表面分別位於在與水平方向上垂直之鉛直方向上延伸的虛擬面內。
圖36係顯示填充劑塗布模組112之再一實施型態的側面圖。圖37係從圖36之箭號A表示的方向觀看的圖。未特別說明的本實施型態之構成，與參照圖14及圖15說明的實施型態之構成相同，因此省略其重複說明。圖36係從積層基板Ws的背面側觀看的圖。本實施型態中，填充劑塗布模組112具備基板保持部165、旋轉軸166及旋轉機構168以代替基板保持部115、旋轉軸122及旋轉機構123。
基板保持部165構成藉由真空吸附保持積層基板Ws之背面的態樣。如圖37所示，保持積層基板Ws背面的基板保持部165之保持面165a，係相對水平面垂直的面。積層基板Ws保持於相對水平面垂直的態樣。亦即，積層基板Ws藉由基板保持部165而保持在縱向放置的狀態。
旋轉軸166與基板保持部165之中央部連結。積層基板Ws以積層基板Ws之中心與旋轉軸166之軸心一致的方式保持於基板保持部165。旋轉機構168具備馬達（圖中未顯示），如圖36所示，旋轉機構168構成使基板保持部165及積層基板Ws以積層基板Ws之中心軸Cr為中心而在箭號所示之方向上一體旋轉的態樣。
塗布裝置116，在保持於基板保持部165的積層基板Ws之上方，與積層基板Ws的間隙G相對地配置。若塗布裝置116吐出填充劑F，則填充劑F朝向積層基板Ws的間隙G落下，結果可將填充劑F塗布於積層基板Ws的間隙G。硬化裝置120位於保持在基板保持部165上的積層基板Ws之半徑方向外側。硬化裝置120，在積層基板Ws的旋轉方向上，配置於塗布裝置116的下游側，其構成使藉由塗布裝置116塗布於積層基板Ws之填充劑F硬化的態樣。以塗布裝置116所進行之填充劑F的塗布及以硬化裝置120所進行之填充劑F的硬化，係一邊使由基板保持部165保持於縱向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。積層基板Ws的旋轉速度，相當於基板保持部165的旋轉速度，可藉由旋轉機構168控制。
圖38係顯示填充劑塗布模組112的再一實施型態的側面圖。圖39係從圖38的箭號B表示之方向觀看的圖。未特別說明之本實施型態的構成，與參照圖36及圖37說明的實施型態之構成相同，因此省略其重複說明。本實施型態中，填充劑塗布模組112具備基板保持裝置170代替基板保持部165、旋轉軸166及旋轉機構168。
基板保持裝置170具備可與積層基板Ws之周緣部接觸的3個以上的（本實施型態中為4個）滾軸171、使各滾軸171以其軸心為中心而旋轉的滾軸旋轉機構（圖中未顯示）、及使各滾軸171移動的滾軸移動機構（圖中未顯示）。本實施型態中，基板保持裝置170具備4個滾軸171，但基板保持裝置170亦可具備3個或5個以上的滾軸。
4個滾軸171配置於積層基板Ws之中心軸Cr的周圍。滾軸171與積層基板Ws的周緣部接觸，構成垂直保持積層基板Ws的態樣。亦即，積層基板Ws藉由基板保持裝置170的滾軸171保持在縱向放置的狀態。如圖38所示，若藉由基板保持裝置170的滾軸171將積層基板Ws保持在縱向放置的狀態，則積層基板Ws的上表面及下表面分別位於在鉛直方向上延伸的虛擬面內。
滾軸旋轉機構與4個滾軸171連結，其構成使4個滾軸171在相同方向上以相同速度旋轉的態樣。滾軸旋轉機構的構成，只要使3個以上的滾軸171在相同方向上以相同速度旋轉，則可為任意構成，可利用習知的旋轉機構作為滾軸旋轉機構。作為滾軸旋轉機構的例子，可列舉：馬達、滑輪（及/或齒輪）及旋轉皮帶的組合。
滾軸移動機構與4個滾軸171連結，其構成使各滾軸171在朝向積層基板Ws之中心軸Cr靠近的方向及從中心軸Cr離開的方向上移動的態樣。藉由滾軸移動機構，可使4個滾軸171在以滾軸171保持積層基板Ws之周緣部的保持位置（參照圖38的實線）與積層基板Ws從滾軸171釋放的釋放位置（參照圖38的點線）之間移動。滾軸移動機構的構成，只要可使4個滾軸171在保持位置與釋放位置之間移動，則可為任意構成，可利用習知的移動機構作為滾軸移動機構。作為滾軸移動機構的例子，可列舉活塞汽缸機構及滾珠螺桿與馬達（步進馬達）的組合。
積層基板Ws藉由圖中未顯示的運送裝置被運送至使積層基板Ws的軸心與積層基板Ws之中心軸Cr一致的位置。此時，滾軸171位於釋放位置。接著，藉由滾軸移動機構使4個滾軸171移動至保持位置，藉此將積層基板Ws的周緣部透過4個滾軸171進行保持。藉由此動作，積層基板Ws由4個滾軸171保持在縱向放置的狀態。藉由滾軸旋轉機構使移動至保持位置的4個滾軸171旋轉，積層基板Ws以其軸心為中心而旋轉。
若藉由滾軸移動機構使位於保持位置的4個滾軸171移動至釋放位置，則4個滾軸171從積層基板Ws的周緣部離開，可將積層基板Ws從4個滾軸171中釋放。已被釋放的積層基板Ws經由圖中未顯示的運送裝置進行運送，以進行下一個處理。以塗布裝置116所進行的填充劑F之塗布及以硬化裝置120所進行的填充劑F之硬化，係一邊使由基板保持裝置170保持於縱向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。積層基板Ws的旋轉速度與基板保持裝置170之滾軸171的旋轉速度相依，可藉由滾軸旋轉機構控制。
一實施型態中，滾軸旋轉機構亦可構成僅使部分滾軸171旋轉的態樣。例如，滾軸旋轉機構亦可與4個滾軸171之中的2個滾軸171連結，使2個滾軸在相同方向上以相同速度旋轉。此情況中，其他2個滾軸171構成自由旋轉的態樣。4個滾軸171配置於保持位置時，若與滾軸旋轉機構連結的2個滾軸171旋轉，則其他2個滾軸171透過積層基板Ws與連結於滾軸旋轉機構的2個滾軸171連動而旋轉。
一實施型態中，滾軸移動機構亦可構成僅使部分滾軸171移動的態樣。例如，滾軸移動機構亦可與4個滾軸171之中的2個滾軸171連結，使該2個滾軸171在保持位置與釋放位置之間移動。此情況中，其他2個滾軸171，預先固定於保持位置。積層基板Ws藉由運送裝置運送至積層基板Ws之周緣部與固定的2個滾軸171接觸的位置。若藉由滾軸移動機構使與滾軸移動機構連結的2個滾軸171移動至保持位置，可使積層基板Ws保持於縱向放置。藉由滾軸移動機構使與滾軸移動機構連結的2個滾軸171移動至釋放位置，藉此可釋放積層基板Ws。
參照圖34至圖39說明的各實施型態，亦可適用於參照圖20至圖22、圖23至圖27、圖28至圖30所說明的各實施型態。
上述實施型態係以本發明所屬技術領域中具有通常知識者可實施本發明為目的而記載。上述實施型態的各種變形例，只要是本領域從業者則當然可完成，本發明的技術思想亦可應用於其他實施型態。因此，本發明不限於所記載之實施型態，其係依申請專利範圍定義之技術思想的最大範圍來解釋。 ［產業上的可利用性］
本發明可利用於抑制將多片基板接合所製造的積層基板之破裂及缺損的基板處理方法及基板處理裝置，尤其可利用於將填充劑塗布於構成積層基板的多片基板之邊緣部之間所形成之間隙的技術。
1:基板處理裝置 2:基板保持部 3:塗布裝置 4:硬化裝置 5:紅外線拍攝裝置 7:旋轉軸 8:旋轉機構 9:填充劑塗布模組 10:動作控制部 10a:記憶裝置 10b:處理裝置 11:表面形狀測量裝置 21:注射器 21a:填充劑吐出口 22:活塞 25:氣體供給線 26:壓力調整裝置 27:開閉閥 102:刀緣部 105:基板處理裝置 110:運算系統 110a:記憶裝置 110b:運算裝置 112:填充劑塗布模組 115:基板保持部 116:塗布裝置 120:硬化裝置 122:旋轉軸 123:旋轉機構 126:注射器 126a:填充劑吐出口 127:活塞 128:氣體供給線 129:壓力調整裝置 140:薄化裝置 141:保持載台 141a:載台面 144:載台旋轉裝置 147:切削具 147a:切削面 148:切削具旋轉裝置 151:切削具按壓裝置 160:基板保持裝置 161:滾軸 165:基板保持部 165a:保持面 166:旋轉軸 168:旋轉機構 170:基板保持裝置 171:滾軸 B1:上側傾斜部 B2:下側傾斜部 B3:側部 Cr:中心軸 E:邊緣部 E1:邊緣部 E2:邊緣部 F:填充劑 Lr:基準線 G:間隙 P:接合面 P1:接合面 P2:接合面 S1:接合面 S2:接合面 Ws:積層基板 W1:第1基板 W2:第2基板 x1:尺寸 x2:尺寸 x3:尺寸 x3-1:尺寸 x3-2:尺寸
圖1A係顯示基板之邊緣部的放大剖面圖。 圖1B係顯示基板之邊緣部的放大剖面圖。 圖2係顯示積層基板的放大剖面圖。 圖3係顯示基板處理裝置之一實施型態的示意圖。 圖4係顯示由表面形狀測量裝置所進行之測量方法之一實施型態的圖。 圖5係顯示由表面形狀測量裝置所進行之測量方法的另一實施型態的圖。 圖6係顯示填充劑塗布模組之一實施型態的俯視圖。 圖7係顯示填充劑塗布模組之一實施型態的側視圖。 圖8係顯示塗布裝置之一實施型態的示意圖。 圖9係說明由表面形狀測量裝置所測量之邊緣部的表面形狀的圖。 圖10係顯示基板處理裝置之另一實施型態的示意圖。 圖11係說明在第1基板與第2基板接合之前，欲以表面形狀測量裝置進行測量的邊緣部之表面形狀的圖。 圖12A係顯示成為處理對象的積層基板之邊緣部的一例的剖面圖。 圖12B係顯示已塗布填充劑的積層基板之邊緣部的一例的剖面圖。 圖12C係顯示塗布填充劑之後經過薄化的積層基板之邊緣部的一例的剖面圖。 圖13係顯示基板處理裝置之一實施型態的示意圖。 圖14係顯示填充劑塗布模組之一實施型態的頂面圖。 圖15係顯示圖14所示的填充劑塗布模組的側面圖。 圖16係顯示塗布裝置之一實施型態的示意圖。 圖17係說明運算系統的動作之一實施型態的概念圖。 圖18係說明藉經由機械學習來建構學習完成模型的方法之一實施型態的流程圖。 圖19係說明依照使用學習完成模型所決定之塗布條件將填充劑塗布於積層基板的方法之一實施型態的流程圖。 圖20係說明運算系統的動作之一實施型態的概念圖。 圖21係說明藉經由機械學習來建構學習完成模型的方法之一實施型態的流程圖。 圖22係說明依照使用學習完成模型所決定之塗布條件及硬化條件將填充劑塗布於積層基板並使填充劑硬化的方法之一實施型態的流程圖。 圖23係顯示基板處理裝置的另一實施型態的示意圖。 圖24係顯示薄化裝置之一實施型態的示意圖。 圖25係說明運算系統的動作之一實施型態的概念圖。 圖26係說明藉經由機械學習來建構學習完成模型的方法之一實施型態的流程圖。 圖27係說明依照使用學習完成模型所決定之塗布條件、硬化條件及薄化條件將填充劑塗布於積層基板並使填充劑硬化、將積層基板薄化的方法之一實施型態的流程圖。 圖28係說明運算系統的動作之一實施型態的概念圖。 圖29係說明藉經由機械學習來建構學習完成模型的方法之一實施型態的流程圖。 圖30係說明依照使用學習完成模型所決定之薄化條件將其中的填充劑已硬化之積層基板薄化的方法之一實施型態的流程圖。 圖31係顯示基板處理裝置之一實施型態的示意圖。 圖32係顯示基板處理裝置之一實施型態的示意圖。 圖33係顯示基板處理裝置之一實施型態的示意圖。 圖34係顯示填充劑塗布模組的另一實施型態的頂面圖。 圖35係圖34所示的填充劑塗布模組的側面圖。 圖36係顯示填充劑塗布模組的再一實施型態的側面圖。 圖37係從圖36的箭號A表示之方向觀看的圖。 圖38係顯示填充劑塗布模組的再一實施型態的側面圖。 圖39係從圖38的箭號B表示之方向觀看的圖。
1:基板處理裝置
3:塗布裝置
9:填充劑塗布模組
10:動作控制部
10a:記憶裝置
10b:處理裝置
11:表面形狀測量裝置
Ws:積層基板
W1:第1基板
W2:第2基板

Claims (42)

  1. 一種基板處理方法，係將填充劑塗布於由第1基板與第2基板接合而成之積層基板，包含以下步驟： 測量前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀， 根據前述測量結果，決定塗布於前述積層基板上的前述填充劑之塗布條件， 以前述決定的塗布條件，將前述填充劑塗布於前述積層基板的前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中測量前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀的步驟係在將前述第1基板與前述第2基板接合之後進行。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中測量前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀的步驟係在前述第1基板與前述第2基板接合之前進行。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中欲測量之前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀係由下述（i）～（iii）中的至少一項特定： （i）前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部在半徑方向上的尺寸； （ii）前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙在厚度方向上的尺寸；及 （iii）前述第1基板之邊緣部的傾斜角度及前述第2基板之邊緣部的傾斜角度。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中前述塗布條件包含下述之中的至少一項：前述填充劑的組成、前述填充劑的總塗布量、用以塗布前述填充劑的塗布裝置之填充劑吐出口的形狀、前述積層基板與前述填充劑吐出口的距離、單位時間內從前述填充劑吐出口吐出之前述填充劑的量。
  6. 如請求項5之基板處理方法，其中，前述基板處理方法更包含：將前述填充劑塗布於前述積層基板之後使已塗布之前述填充劑硬化的步驟； 前述塗布條件更包含：從用以使前述填充劑硬化的硬化裝置吹出的熱風之風壓及溫度。
  7. 如請求項5之基板處理方法，其中前述塗布填充劑的步驟，係一邊使前述積層基板旋轉一邊進行， 前述塗布條件更包含前述積層基板的旋轉速度。
  8. 一種基板處理裝置，係用以將填充劑塗布於由第1基板與第2基板接合而成之積層基板，該基板處理裝置具備： 填充劑塗布模組，構成將前述填充劑塗布於前述積層基板的態樣； 表面形狀測量裝置，測量前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部之表面形狀；及 動作控制部，控制前述填充劑塗布模組及前述表面形狀測量裝置的動作； 前述填充劑塗布模組具備： 基板保持部，保持前述積層基板；及 塗布裝置，用以將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙； 前述動作控制部構成下述態樣：根據前述形狀的測量結果決定塗布於前述積層基板的前述填充劑之塗布條件，對於前述填充劑塗布模組發出指令，以前述決定的塗布條件塗布前述填充劑。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中前述表面形狀測量裝置構成測量下述（i）～（iii）中至少一項的態樣： （i）前述第1基板之邊緣部及前述第2基板之邊緣部在半徑方向上的尺寸； （ii）前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙在厚度方向上的尺寸；及 （iii）前述第1基板之邊緣部的傾斜角度及前述第2基板之邊緣部的傾斜角度。
  10. 如請求項8或9之基板處理裝置，其中前述填充劑塗布模組更具備用以使前述填充劑硬化的硬化裝置。
  11. 如請求項8或9之基板處理裝置，其中前述填充劑塗布模組更具備：旋轉機構，使前述基板保持部旋轉。
  12. 一種基板處理方法，其係將由第1基板與第2基板接合而成之積層基板的相關資料以及填充劑的相關資料輸入由機械學習所建構的學習完成模型， 並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件， 一邊使前述積層基板旋轉，一邊依照前述塗布條件將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中前述積層基板的相關資料包含構成前述第1基板及前述第2基板之表面的材料與前述間隙的形狀及尺寸； 前述填充劑的相關資料包含前述填充劑的組成。
  14. 如請求項12或13之基板處理方法，其中前述塗布條件包含下述之中的至少一項：前述填充劑的總塗布量、單位時間內之前述填充劑的塗布量、前述填充劑的溫度、前述積層基板的旋轉速度。
  15. 如請求項12或13之基板處理方法，其中除了前述積層基板的相關資料及前述填充劑的相關資料以外，亦將用以使前述填充劑硬化之硬化裝置的相關資料輸入前述學習完成模型， 並從前述學習完成模型輸出前述填充劑之前述塗布條件及前述填充劑的硬化條件， 前述基板處理方法更包含依照前述硬化條件並藉由前述硬化裝置使已塗布之前述填充劑硬化的步驟。
  16. 如請求項15之基板處理方法，其中前述硬化裝置的相關資料包含前述硬化裝置的類型及前述硬化裝置與前述積層基板之邊緣部的距離。
  17. 如請求項15之基板處理方法，其中前述硬化條件包含前述硬化裝置的輸出值。
  18. 如請求項15之基板處理方法，其中除了前述積層基板的相關資料、前述填充劑的相關資料及前述硬化裝置的相關資料以外，亦將用以將前述積層基板薄化之薄化裝置的相關資料輸入前述學習完成模型， 並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件、前述填充劑的硬化條件及前述積層基板的薄化條件； 前述基板處理方法更包含：在前述填充劑硬化後，依照前述薄化條件並藉由前述薄化裝置將前述積層基板薄化的步驟。
  19. 如請求項18之基板處理方法，其中前述薄化裝置的相關資料包含前述薄化裝置中使用的切削具的種類及前述積層基板的目標切削量。
  20. 如請求項19之基板處理方法，其中前述薄化條件包含前述切削具對於前述積層基板的按壓力、前述切削具的旋轉速度及前述積層基板的旋轉速度之中的至少一項。
  21. 如請求項12之基板處理方法，其中前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料及作為正解標籤之多個塗布條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。
  22. 如請求項15之基板處理方法，其中前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料及作為正解標籤之多個塗布條件及多個硬化條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。
  23. 如請求項18之基板處理方法，其中前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料及作為正解標籤之多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。
  24. 如請求項12之基板處理方法，其更包含下述步驟：將已輸入前述學習完成模型的前述積層基板的相關資料及前述填充劑的相關資料與從前述學習完成模型輸出的前述塗布條件追加至前述機械學習中所使用的訓練資料，藉此更新前述訓練資料， 並使用已更新之前述訓練資料執行機械學習，以更新前述學習完成模型。
  25. 如請求項12之基板處理方法，其中一邊使前述積層基板旋轉，一邊依照前述塗布條件將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙，係一邊使保持於縱向放置的前述積層基板旋轉，一邊依照前述塗布條件將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙。
  26. 一種基板處理方法，其係將由第1基板與第2基板接合而成之積層基板的相關資料、塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙之填充劑的相關資料、用以將前述積層基板薄化的薄化裝置之相關資料輸入經由機械學習所建構的學習完成模型， 並從前述學習完成模型輸出前述積層基板的薄化條件， 再依照前述薄化條件並藉由前述薄化裝置將前述積層基板薄化。
  27. 一種基板處理裝置，具備： 運算系統，具有經由機械學習所建構的學習完成模型；及 填充劑塗布模組，一邊使由第1基板與第2基板接合而成之積層基板旋轉，一邊將填充劑塗布於前述積層基板； 前述運算系統構成下述態樣： 將前述積層基板的相關資料與前述填充劑的相關資料輸入前述學習完成模型， 並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件， 再對於前述填充劑塗布模組發出指令，依照前述塗布條件，藉由前述填充劑塗布模組將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙。
  28. 如請求項27之基板處理裝置，其中前述積層基板的相關資料包含構成前述第1基板及前述第2基板之表面的材料與前述間隙的形狀及尺寸； 前述填充劑的相關資料包含前述填充劑的組成。
  29. 如請求項27或28之基板處理裝置，其中前述塗布條件包含下述之中的至少一項：前述填充劑的總塗布量、單位時間內之前述填充劑的塗布量、前述填充劑的溫度、前述積層基板的旋轉速度。
  30. 如請求項27或28之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置更具備：硬化裝置，使已塗布之前述填充劑硬化； 前述運算系統構成下述態樣： 除了前述積層基板的相關資料及前述填充劑的相關資料以外，亦將前述硬化裝置的相關資料輸入前述學習完成模型， 並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件及前述填充劑的硬化條件， 再對於前述硬化裝置發出指令，依照前述硬化條件並藉由前述硬化裝置使已塗布之前述填充劑硬化。
  31. 如請求項30之基板處理裝置，其中前述硬化裝置的相關資料包含前述硬化裝置的類型及前述硬化裝置與前述積層基板之邊緣部的距離。
  32. 如請求項30之基板處理裝置，其中前述硬化條件包含前述硬化裝置的輸出值。
  33. 如請求項30之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置更具備：薄化裝置，將前述積層基板薄化； 前述運算系統構成下述態樣： 除了前述積層基板的相關資料、前述填充劑的相關資料及前述硬化裝置的相關資料以外，亦將前述薄化裝置的相關資料輸入前述學習完成模型， 並從前述學習完成模型輸出前述填充劑的塗布條件、前述填充劑的硬化條件及前述積層基板的薄化條件， 再對於前述薄化裝置發出指令，在前述填充劑硬化之後，依照前述薄化條件並藉由前述薄化裝置將前述積層基板薄化。
  34. 如請求項33之基板處理裝置，其中前述薄化裝置的相關資料包含前述薄化裝置中使用之切削具的種類及前述積層基板的目標切削量。
  35. 如請求項34之基板處理裝置，其中前述薄化條件包含下述之中的至少一項：前述切削具對於前述積層基板的按壓力、前述切削具的旋轉速度、及前述積層基板的旋轉速度。
  36. 如請求項27之基板處理裝置，其中前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。
  37. 如請求項30之基板處理裝置，其中前述學習完成模型係使用包含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件及多個硬化條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。
  38. 如請求項33之基板處理裝置，其中前述學習完成模型係使用報含多筆積層基板的相關資料、多筆填充劑的相關資料、多筆硬化裝置的相關資料、多筆薄化裝置的相關資料及作為正解標籤的多個塗布條件、多個硬化條件及多個薄化條件的訓練資料並由機械學習所建構的模型。
  39. 如請求項27之基板處理裝置，其中前述運算系統構成下述態樣： 將已輸入前述學習完成模型的前述積層基板的相關資料及前述填充劑的相關資料與從前述學習完成模型輸出的前述塗布條件追加至前述機械學習中所使用之訓練資料，藉此更新前述訓練資料， 並使用已更新之前述訓練資料執行機械學習，以更新前述學習完成模型。
  40. 如請求項27之基板處理裝置，其中前述填充劑塗布模組具備將前述積層基板保持於縱向放置狀態的基板保持部或基板保持裝置。
  41. 一種基板處理裝置，具備： 運算系統，具有經由機械學習所建構的學習完成模型；及 薄化裝置，將由第1基板與第2基板接合而成之積層基板薄化； 前述運算系統構成下述態樣： 將前述積層基板的相關資料、塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙之填充劑的相關資料、前述薄化裝置的相關資料輸入經由機械學習所建構的學習完成模型， 並從前述學習完成模型輸出前述積層基板的薄化條件， 再對於前述薄化裝置發出指令，依照前述薄化條件並藉由前述薄化裝置將前述積層基板薄化。
  42. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其中記錄用以使電腦執行下述步驟的程式： 將由第1基板與第2基板接合而成之積層基板的相關資料以及填充劑的相關資料輸入經由機械學習所建構的學習完成模型的步驟； 從前述學習完成模型輸出前述填充劑之塗布條件的步驟；及 對於填充劑塗布模組發出指令，依照前述塗布條件並藉由前述填充劑塗布模組將前述填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部之間隙的步驟。
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