TW202312316A - 基板處理系統及維護方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理系統包含：基板處理裝置、真空搬運室、搬運機構、吸引機構及控制部。基板處理裝置具有對基板執行真空處理的真空處理室。真空搬運室連結於真空處理室，且具有可與真空處理室連通的搬運口。搬運機構配置於真空搬運室，且經由搬運口搬運基板。吸引機構係與搬運機構相鄰而配置於真空搬運室，並經由搬運口吸引真空處理室內的組件的附著物。控制部控制搬運機構及吸引機構。

Description

基板處理系統及維護方法
本發明係關於基板處理系統及維護方法。
已知一種基板處理裝置，其係將半導體晶圓(以下稱「晶圓」)等基板配置於真空狀態的真空處理室內，以實施用以對基板進行加工的各種處理。於如此的基板處理裝置中，於真空處理室內實施各種處理的話，則反應產生物或微粒子等作為附著物而累積附著於真空處理室內。因此，必須將真空處理室定期暴露於大氣中而進行清掃。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2004-14969號公報
[發明欲解決的課題]
本發明提供一種技術，其可在不暴露於大氣環境的前提下高效率地清掃真空處理容器內。 [解決課題的手段]
本發明的一態樣的基板處理系統，包含：基板處理裝置、真空搬運室、搬運機構、吸引機構及控制部。基板處理裝置具有對基板執行真空處理的真空處理室。真空搬運室連結於真空處理室，且具有可與真空處理室連通的搬運口。搬運機構配置於真空搬運室，且經由搬運口搬運基板。吸引機構係與搬運機構相鄰而配置於真空搬運室，並經由搬運口吸引真空處理室內的組件的附著物。控制部控制搬運機構及吸引機構。 [發明效果]
依據本發明，可達到在不暴露於大氣環境的前提下高效率地清掃真空處理容器內的效果。
參考圖式，詳細說明本案所揭示的基板處理系統及維護方法的實施形態。又，於各圖式中對於相同或相當的部分，附加相同符號。又，藉由，所揭示的處理裝置不受本實施形態所限定。
另外，於基板處理裝置中，藉由使真空處理室暴露於大氣中並進行清掃，而有產生真空處理的停止時間(停機時間)，而使生產性下降的疑慮。是故，期望能在不暴露於大氣環境的前提下高效率地清掃真空處理容器內。
(實施形態的基板處理系統的構成例) 圖1係實施形態的基板處理系統1的概略構成圖。
基板處理系統1具有：複數之製程模組PM(PM1～PM5)、保管室ST、真空搬運室11、及複數之真空預備模組(真空預備室)LLM(LLM1、LLM2)。又，基板處理系統1具有常壓搬運室12、複數之裝載埠LP(LP1～LP4)及控制部10。
又，圖1的例中，顯示5個製程模組PM1～PM5、2個真空預備模組LLM1、LLM2、及4個裝載埠LP1～LP4。惟，基板處理系統1的製程模組PM、真空預備模組LLM及裝載埠LP的數量不限於圖示數量。以下，於不需要特別區別的情況時，將5個製程模組PM1～PM5統稱為製程模組PM。同樣地，將2個真空預備模組LLM1、LLM2統稱為真空預備模組LLM。又，同樣地，將4個裝載埠LP1～LP4統稱為裝載埠LP。
製程模組PM於真空環境中，執行半導體基板亦即晶圓W的處理。製程模組PM係真空處理裝置的一例。製程模組PM執行例如蝕刻或成膜等處理。製程模組PM具有：載置台，支持晶圓W；邊緣環ER，以包圍晶圓W的方式配置於該載置台上。
製程模組PM經由可開閉的閘閥G而連接於真空搬運室11。閘閥G於在製程模組PM內執行晶圓W的處理的期間，係設為關閉狀態。閘閥G於將已處理完畢的晶圓W從製程模組PM搬出時及將未處理的晶圓W搬入至製程模組PM時，係為開啟。又，閘閥G於將邊緣環ER搬入搬出於製程模組PM時，亦係開啟。於製程模組PM設有用以供給既定氣體的氣體供給部、及可抽真空的排氣部。製程模組PM的細節將於後再述。
保管室ST保管邊緣環ER。於保管室ST的內部，於上下方向隔著既定間隔設有複數層的支持台。於複數層的支持台之中，配置於上段側的支持台係用以載置更換用的邊緣環ER的平台。又，更換用的邊緣環ER例如係未使用亦即全新的邊緣環。又，更換用的邊緣環ER亦可為使用過的舊品但消耗量較少的邊緣環。複數層的支持台之中，配置於下段側的支持台係用以載置「使用過的邊緣環ER」或「令暫時退避的邊緣環ER」的平台。下段側的支持台為空的。又，保管室ST具備排氣機構，例如真空泵及洩氣閥，可於大氣(常壓)環境及真空(減壓)環境間切換保管室ST內的環境。保管室ST能經由用於邊緣環ER的搬入及搬出之搬運口而與真空搬運室11連通。於搬運口設有可開閉的閘閥G。
真空搬運室11，具有未圖示之氣體供給部及可抽真空的排氣部，其內部可維持真空環境。真空搬運室11，連結於製程模組PM及真空預備模組LLM。真空搬運室11能經由用於晶圓W及邊緣環ER的搬入及搬出之搬運口而與製程模組PM及真空預備模組LLM連通。於搬運口設有可開閉的閘閥G。
於真空搬運室11，配置有用以搬運晶圓W及邊緣環ER(以下，亦稱為搬運物)之搬運機構15。搬運機構15，於製程模組PM1～PM5和真空預備模組LLM1、LLM2之間進行晶圓W的搬運。例如，於從真空預備模組LLM將晶圓W搬運至製程模組PM，並於製程模組PM對晶圓W實施真空處理的情況時，搬運機構15從真空預備模組LLM取出晶圓W。接著，搬運機構15將從真空預備模組LLM取出的晶圓W，從真空搬運室11經由搬運口而搬入至製程模組PM內。又，例如於將於製程模組PM處理過的晶圓W搬運至真空預備模組LLM的情況時，搬運機構15經由搬運口將晶圓W從製程模組PM搬出。接著，搬運機構15將從製程模組PM搬出的晶圓W，從真空搬運室11經由搬運口而搬運至真空預備模組LLM。又，搬運機構15於製程模組PM1～PM5與保管室ST之間搬運邊緣環ER。例如，於從製程模組PM將邊緣環ER搬運至保管室ST而以保管室ST保管邊緣環的情況時，搬運機構15經由搬運口將邊緣環ER從製程模組PM搬出。接著，搬運機構15將從製程模組PM搬出的邊緣環ER，從真空搬運室11經由搬運口而搬運至保管室ST。又，例如於再次搬運從製程模組PM暫時搬出而退避至保管室ST的支持台的邊緣環ER、並載置於製程模組PM內的載置台上的情況，或將更換用的邊緣環ER從保管室ST搬運至製程模組PM、並載置於製程模組PM內的載置台上的情況時，搬運機構15經由搬運口將邊緣環ER從保管室ST取出。接著，搬運機構15將從保管室ST所取出的邊緣環ER，從真空搬運室11經由搬運口而搬入至製程模組PM內。
又，於真空搬運室11，配置有吸引機構110。吸引機構110經由真空搬運室11的搬運口，而吸引製程模組PM的真空處理室(後述的處理容器30)內的載置台的附著物。吸引機構110的細節更於後述。
真空預備模組LLM係沿著未配置有製程模組PM及保管室ST的真空搬運室11的兩邊排列配置。真空預備模組LLM和真空搬運室11，係構成為內部可經由閘閥G而連通。真空預備模組LLM具有載置晶圓W的平台、及使晶圓W升降的支持銷。支持銷的構成可與製程模組PM內的第1升降銷及第2升降銷的構成相同。真空預備模組LLM具備排氣機構例如真空泵及洩氣閥，真空預備模組LLM可於大氣(常壓)環境和真空(減壓)環境之間切換真空預備模組LLM的環境。
真空預備模組LLM，於與真空搬運室11連接之側的相反側，連接至常壓搬運室12。真空預備模組LLM和常壓搬運室12，係構成為內部可經由閘閥G而連通。
常壓搬運室12係維持為大氣(常壓)環境。於圖1之例中，常壓搬運室12於俯視觀察下為大致矩形狀。於常壓搬運室12的一側之長邊，排列設置複數之真空預備模組LLM。又，於常壓搬運室12的另一側之長邊，排列設置複數之裝載埠LP。各裝載埠LP具有收容晶圓W的載體。常壓搬運室12具有臂部等之搬運機構，搬運機構於真空預備模組LLM和裝載埠LP之間搬運晶圓W。
又，於圖1中，係以保管室ST能與真空搬運室11連通的情況為例而加以說明，但保管室ST的位置不限於此，亦可設置為例如與常壓搬運室12相鄰。於此情況時，邊緣環ER係經由常壓搬運室12、真空預備模組LLM及真空搬運室11，而對製程模組PM進行搬出/搬入。
如上述所構成的基板處理系統1，係藉由控制部10統一控制其動作。控制部10係具備例如程式、記憶體、CPU等的電腦，控制基板處理系統1的各部。
(製程模組PM的構成例) 圖2係概略顯示實施形態的基板處理系統1所具有的製程模組PM的一例的圖。圖2所示的製程模組PM係平行平板型的電漿處理裝置。
製程模組PM具有構成為氣密且為電性接地電位的處理容器30。處理容器30係真空處理室的一例。處理容器30係圓筒狀，由例如於表面形成有陽極氧化覆膜的鋁等所構成。處理容器30區劃出產生電漿的處理空間。於處理容器30內，收容有水平地支持晶圓W之載置台31。
載置台31呈現使底面朝著上下方向之大致圓柱狀，將上側的面作為載置面36d。使載置台31的載置面36d具有比晶圓W略小的尺寸。載置台31包含基座33及靜電吸盤36。
基座33係由導電性的金屬例如鋁等所構成。基座33係發揮作為下部電極的功能。基座33係由絕緣體的支持台34所支持，支持台34係設置於處理容器30的底部。
靜電吸盤36於其上側中央部形成有凸狀的基板載置部，將此基板載置部的頂面作為載置晶圓W的載置面36d。靜電吸盤36於俯視觀察下係設於載置台31的中央。靜電吸盤36係載置基板的第1載置部的一例。靜電吸盤36具有電極36a及絕緣體36b。電極36a係設於絕緣體36b的內部，於電極36a連接有直流電源42。靜電吸盤36藉由從直流電源42對電極36a施加直流電壓，而以庫侖力吸附晶圓W。又，靜電吸盤36於絕緣體36b的內部設有加熱器36c。加熱器36c係經由後述的供電機構而得到電力，以控制晶圓W的溫度。
又，於載置台31的載置面36d的周圍，設有由絕緣體36b所形成且較載置面36d為低的外周部(第2載置部的一例)，將此外周部的頂面作為載置邊緣環ER的ER載置面36f。於載置台31的ER載置面36f上，以包圍配置於載置面36d的晶圓W的方式配置邊緣環ER。邊緣環ER由例如單晶矽所形成。靜電吸盤36在於俯視觀察下與邊緣環ER重複的位置，具有一對電極36g、36h。一對電極36g、36h係設於絕緣體36b的內部。靜電吸盤36藉由從未圖示的直流電源對一對電極36g、36h施加直流電壓，而以庫侖力吸附邊緣環ER。又，於圖1之例中係顯示於靜電吸盤36內設有一對電極36g、36h的情況，但亦可於與靜電吸盤36為不同個體的環狀介電體內設置一對電極36g、36h。又，於圖1之例中係顯示一對電極36g、36h構成雙極型電極的情況，但亦可使用單極型電極以取代一對電極36g、36h。再者，以包圍載置台31及支持台34的周圍的方式，設有由例如石英等所構成的圓筒狀的內壁構件37。
又，於載置台31設有從載置面36d自由升降之未圖示的第1升降銷，並設有從載置台31的外周部的頂面自由升降之未圖示的第2升降銷。藉由第1升降銷上升，使晶圓W從載置面36d被抬高。藉由第2升降銷上升，使邊緣環ER從載置台31的外周部的頂面被抬高。
於基座33連接有供電棒50。於供電棒50經由第1匹配器41a而連接有第1射頻電源40a，又，經由第2匹配器41b而連接有第2射頻電源40b。第1射頻電源40a係電漿產生用的電源，且構成為從此第1射頻電源40a將既定頻率的射頻電力供給至載置台31的基座33。又，第2射頻電源40b係離子吸入用(偏壓用)的電源，且構成為由此第2射頻電源40b將低於第1射頻電源40a之既定頻率的射頻電力供給至載置台31的基座33。
於基座33的內部形成有流路33d。流路33d於一側的端部連接有導熱流體入口配管33b，而於另一側的端部連接有導熱流體出口配管33c。製程模組PM可設為下述構成：藉由使導熱流體，例如高絕緣性且低黏度的氟系惰性液體或純水等，在流路33d中循環，而能控制載置台31的溫度。又，製程模組PM亦可為下述構成：對應於分別載置晶圓W和邊緣環ER的區域，於基座33的內部分別設置流路，而能個別控制晶圓W和邊緣環ER的溫度。又，製程模組PM亦可為下述構成：對晶圓W或邊緣環ER的背面側供給傳熱氣體而能個別控制溫度。例如，亦可以貫通載置台31等的方式，於晶圓W的背面設置用以供給氦氣體等傳熱氣體(背面氣體)的氣體供給管。氣體供給管係連接至氣體供給源。藉由此等構成，將利用靜電吸盤36而吸附固持於載置台31頂面的晶圓W，控制於既定溫度。
另一方面，於載置台31的上方，以與載置台31平行且相向的方式，設有具有作為上部電極的功能之噴淋頭46。噴淋頭46與載置台31係發揮作為一對電極(上部電極和下部電極)的功能。
噴淋頭46係設於處理容器30的頂壁部分。噴淋頭46具備本體部46a及成為電極板的上部頂板46b，並經由絕緣性構件47而被支持於處理容器30的上部。本體部46a係由導電性材料、例如於表面形成有陽極氧化覆膜的鋁等所構成，並於其下部可裝卸自如地支持上部頂板46b。
於本體部46a的內部設有氣體擴散室46c，並以位於此氣體擴散室46c的下部的方式，於本體部46a的底部形成多個氣體流通孔46d。又，於上部頂板46b，以與上述氣體流通孔46d重疊的方式，設有於厚度方向貫通該上部頂板46b之氣體導入孔46e。藉由如此構成，使供給至氣體擴散室46c的處理氣體，經由氣體流通孔46d及氣體導入孔46e而成噴淋狀地分散而供給至處理容器30內。
於本體部46a形成用以將處理氣體導入至氣體擴散室46c的氣體導入口46g。於此氣體導入口46g連接著氣體供給配管45a的一端。於此氣體供給配管45a的另一端連接著供給處理氣體的處理氣體供給源45。於氣體供給配管45a，從上游側依序設有質量流量控制器(MFC)45b、及開閉閥V2。而且，從處理氣體供給源45將用於電漿蝕刻的處理氣體，經由氣體供給配管45a供給至氣體擴散室46c，再從此氣體擴散室46c經由氣體流通孔46d及氣體導入孔46e而成噴淋狀地分散並供給至處理容器30內。
於上述作為上部電極的噴淋頭46，經由低通濾波器(LPF)48a而電性連接於可變直流電源48b。此可變直流電源48b能藉由通斷開關48c而進行供電的導通/切斷。可變直流電源48b的電流/電壓導通及通斷開關48c的導通/切斷，係由後述的控制部10所控制。又，如後所述，於從第1射頻電源40a、第2射頻電源40b對載置台31施加射頻電力而於處理空間產生電漿時，依所需藉由控制部10使通斷開關48c成為導通，而對作為上部電極的噴淋頭46施加既定的直流電壓。
又，以從處理容器30的側壁往較噴淋頭46的高度位置更往上方延伸的方式，設有圓筒狀的接地導體30a。此圓筒狀的接地導體30a，於其上部具有頂壁。
於處理容器30的底部形成有排氣口81，於此排氣口81經由排氣管82而連接著排氣裝置83。排氣裝置83具有真空泵，經由且可藉由使此真空泵作動，而將處理容器30內減壓至既定的真空度。
另一方面，於處理容器30內的側壁設有用於晶圓W的搬出/搬入的閘門84。於閘門84設有使該閘門84開閉的閘閥G。如圖1所示，閘門84經由閘閥G而於保持氣密性下連接於真空搬運室11的搬運口，使得能於維持真空環境的狀態下對真空搬運室11進行晶圓W的搬出/搬入。
於處理容器30的側部內側，沿著內壁面設有防沉積遮蔽構件86。防沉積遮蔽構件86，防止因使用電漿的蝕刻處理而產生的反應產生物(沉積物)附著於處理容器30。防沉積遮蔽構件86構成為裝卸自如。
上述構成的製程模組PM係連接於基板處理系統1的控制部10。控制部10控制製程模組PM的各部。
另外，於製程模組PM中，當於真空處理室亦即處理容器30內實施各種處理，由於反應產生物或微粒子等作為附著物而累積附著於處理容器30內，因此定期進行處理容器30內的清掃。於製程模組PM中，於將處理容器30暴露於大氣中進行清掃的情況時，除了用以暴露於大氣中的時間、清掃時間之外，尚有處理容器30的抽真空開始後，用以減少處理容器30內的殘留水分的抽真空時間、處理容器30內的溫度調整時間等，故直至對晶圓W的蝕刻處理再度開始為止需要相當的時間(停機時間)。結果，有製程模組PM的生產性下降的疑慮。因此，就減少停機時間的觀點而言，宜在不暴露於大氣中之狀況下進行處理容器30內的清掃。
是故，如圖1及圖2所示，實施形態的基板處理系統1，在連結於製程模組PM內的處理容器30之真空搬運室11，與將晶圓W搬運至處理容器30的搬運機構15相鄰而設置處理容器30內的清掃用的吸引機構110。吸引機構110經由用於利用搬運機構15所進行的晶圓W的搬入及搬出之搬運口，而吸引處理容器30內的對象物的附著物。藉此，由於可從將晶圓W搬運至處理容器30的搬運系統側吸引處理容器30內的對象物的附著物，故可在不暴露於大氣環境的前提下高效率地清掃處理容器30內。
(吸引機構110的構成例) 其次，參考圖1及圖3，說明吸引機構110的構成的細節。圖3係顯示實施形態的真空搬運室11的內部構成的一例的縱剖面圖。於圖3中，顯示真空搬運室11和製程模組PM的連接部(連結部)附近的剖面。又，於以下各圖中，將製程模組PM予以簡略化而顯示。又，以下，依照對作為處理容器30內的對象物之載置台31進行清掃的流程，適當說明吸引機構110的構成。
真空搬運室11具有搬運口11a，並可經由搬運口11a而與製程模組PM(處理容器30)連通。搬運口11a於設於製程模組PM的閘門84的閘閥G開啟的情況時，與處理容器30連通。於圖3的例子中，製程模組PM的閘閥G關閉。
於真空搬運室11內，配置有搬運機構15。搬運機構15具有：臂部15a，利用關節可旋轉地連接複數之臂要件；叉部15b，設於臂部15a的前端。臂部15a由支持部15c所支持。支持部15c可沿著配置於真空搬運室11底面的軌條15d(參考圖1，於圖3中省略)於水平方向移動且可於上下方向升降。叉部15b固持搬運物，亦即晶圓W及邊緣環ER。搬運機構15可藉由彎曲關節而使臂部15a於水平方向伸縮。搬運機構15藉由以支持部15c使臂部15a升降，可使臂部15a的前端的叉部15b於上下方向移動。搬運機構15以叉部15b固持搬運物，於製程模組PM的閘閥G開啟的情況時，使臂部15a伸縮，經由搬運口11a將搬運物從真空搬運室11搬運(搬入)至處理容器30。又，搬運機構15使臂部15a伸縮，並經由搬運口11a將搬運物從處理容器30搬運(搬出)至真空搬運室11。搬運機構15的動作，係由控制部10統一控制。
又，真空搬運室11具有搬運口11b，並可經由搬運口11b而與真空預備模組LLM連通。搬運口11b於真空預備模組LLM的閘閥G開啟的情況時，與真空預備模組LLM連通。於圖3的例子中，真空預備模組LLM的閘閥G關閉。
搬運機構15於真空預備模組LLM的閘閥G開啟的情況時，使臂部15a伸縮，並經由搬運口11b將搬運物從真空預備模組LLM搬運(搬出)至真空搬運室11。又，搬運機構15，使臂部15a伸縮，並經由搬運口11b將搬運物從真空搬運室11搬運(搬入)至真空預備模組LLM。
於真空搬運室11內，用以吸引處理容器30內的載置台31的附著物的吸引機構110係與搬運機構15相鄰配置。於圖1的例子中，配置2個吸引機構110。而於圖3的例子中，省略2個吸引機構110中之一者的圖示。又，吸引機構110的數量不限於2個，可為2個以上，亦可為1個。又，吸引機構110亦可設於配置於真空搬運室11的底面的軌條(未圖示)上，並能於該軌條上移動。
圖4係顯示實施形態的吸引機構110的細節的圖。吸引機構110具有機器臂部111、設於機器臂部111的前端的吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115。
機器臂部111具有：臂部121，利用關節可旋轉地連接複數之臂要件；支持部122，支持臂部121；及頭部123，設於臂部121的前端。支持部122可於水平方向移動且於上下方向升降。機器臂部111可藉由彎曲關節使臂部121於水平方向伸縮。機器臂部111藉由利用支持部122使臂部121升降，可使臂部121的前端的頭部123於上下方向移動。機器臂部111於製程模組PM的閘閥G開啟的情況時，可使臂部121伸長，使頭部123經由搬運口11a而靠近載置台31。機器臂部111的動作，係由控制部10統一控制。
於頭部123的底面設有吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115。吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的配置位置，將於後述。
吸引口112藉由頭部123靠近載置台31，而吸引載置台31的附著物。亦即，吸引口112經由貫通機器臂部111的排氣管131A，而連接至排氣裝置131，於排氣管131A設有可開閉的閥131B。吸引口112藉由因開啟閥131B而由排氣裝置131所進行的排氣動作，吸引載置台31的附著物。
供給口113藉由頭部123靠近載置台31，而對載置台31供給惰性氣體。從供給口113所供給的氣體，係惰性氣體、與附著物反應而使容易吸引載置台31的附著物之氣體、或係與附著物反應而使附著物氣體化之氣體。作為惰性氣體，可使用例如Ar、N 2或乾空氣等。於使用惰性氣體的情況時，適當地設定氣體流量，以吹除附著於載置台31的附著物。作為與附著物反應而使容易吸引來自載置台31的附著物之氣體、或與附著物反應而使附著物氣體化之氣體，列舉如三氟化氮氣體(NF 3)、氟氣(F 2)等。吸引口112將附著物與從供給口113所供給的氣體一同吸引。供給口113經由貫通機器臂部111的配管而連接於未圖示的氣體供給源，並對載置台31供給由氣體供給源所供給的氣體。
照射部114藉由頭部123靠近載置台31，而對載置台31照射電漿，以從載置台31去除附著物。照射部114藉由使電漿中的離子、自由基與附著物反應，可減低附著物的附著力、或使附著物氣體化。已減低附著力的附著物或已氣體化的附著物從載置台31脫離並從吸引口112被吸引。照射部114例如對載置台31照射將射頻電力施加於O 2、O 2/Ar、含氟氣(CF 4等)等氣體而得到的電漿。又，照射部114可對載置台31照射雷射，亦可對載置台31照射電漿及雷射。雷射只要係將附著物加熱而使附著物的附著力減低的雷射即可。雷射亦可係使附著物氣體化之波長的雷射。例如，亦可使用波長808nm、雷射點面積為0.5至3mm、雷射功率為200W的半導體雷射。又，照射部114亦可於具有使附著物的附著力減低之作用或使附著物氣體化之作用的氣體(例如，臭氧氣體等)存在的環境下，對載置台31照射雷射。
拍攝部115例如係圖像感測器，藉由頭部123靠近載置台31，而拍攝載置台31。又，拍攝部115亦可依所需而一邊照射光一邊拍攝載置台31。拍攝部115的動作係由控制部10統一控制其動作。拍攝部115將拍攝載置台31所得的拍攝圖像輸出至控制部10。控制部10從拍攝圖像檢測載置台31上有無附著物。控制部10於從拍攝圖像檢測到附著物的情況時，控制閥131B而開始從吸引口112吸引附著物。
又，於排氣管131A設有測量器132。測量器132測量於排氣管131A內流動的微粒子的直徑和數量，並將各既定的粒子徑級距的數量的資訊和總微粒子數的資訊輸出至控制部10。控制部10於從吸引口112進行吸引時，監視從測量器132所取得的各既定的粒子徑級距的數量和總微粒子數是否為預定閾值以下。控制部10於各既定的粒子徑級距的數量和總微粒子數為預定閾值以下的情況時，控制閥131B以停止從吸引口112的吸引。
圖5係顯示實施形態的吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的配置的一例的圖。於圖5中，顯示從下側觀察機器臂部111的頭部123所見的圖。頭部123係形成為於俯視觀察下以一對短邊夾著臂部121的方式配置而成之矩形狀。吸引口112係沿著各短邊而設於頭部123的一對短邊的內側的位置。供給口113係設於與2個吸引口112中之一者相鄰的位置，照射部114係設於與2個吸引口112中之另一者相鄰的位置。拍攝部115係設於頭部123的底面的中央。
又，圖5所示的吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的配置位置僅為一例，並不限於此。例如，吸引口112亦可如圖6所示，設於頭部123的一對短邊的內側且包圍供給口113及照射部114各自的外周的位置。圖6係顯示實施形態的吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的配置的其他例的圖。又，於圖5及圖6中，拍攝部115係與吸引口112、供給口113及照射部114同樣設於頭部123的底面，但亦可設於頭部123的側面。
又，於圖5中，係顯示將吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115配置於頭部123的底面之例，但亦可於機器臂部111的前端的其他面，更配置吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115。例如，亦可於機器臂部111的前端的側面或頂面，更配置吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115。藉此，可於廣範圍清掃處理容器30內。
又，亦可使頭部123能於上下方向或水平方向旋動。例如，如圖7所示，亦可使頭部123透過轉動軸123a而能於上下方向旋動地固定於臂部121的前端，並藉由改變頭部123的朝向而改變吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的朝向。圖7係顯示實施形態的變形例的頭部123的構成的圖。於圖7中，顯示於頭部123的側面設有吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的狀態。例如，機器臂部111藉由從圖7所示的狀態使頭部123透過轉動軸123a往上方轉動，而使吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的方向變成朝上方。又，例如機器臂部111藉由從圖7所示的狀態使頭部123透過轉動軸123a往下方轉動，而使吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的方向改變成朝下方。藉由如此的構成，而能對處理容器30內的上部、側部、下部等所有地點進行清掃。又，於圖7中，吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115配置於頭部123側面的上下方向，但不限於此，可採各種配置。又，清掃不限於處理容器30內，亦可於真空預備模組LLM內、真空搬運室11內實施。
其次，參考圖8，說明基板處理系統1所進行之具體處理動作。圖8係顯示實施形態的基板處理系統1的處理動作的一例的流程圖。圖8所示的處理動作，主要依控制部10所行的控制而執行。
首先，於將邊緣環ER載置於載置台31上的狀態下，進行對處理容器30的乾式清洗(步驟S101)。
於乾式清洗結束後，藉由搬運機構15將邊緣環ER從處理容器30搬出(步驟S102)。
接著，藉由吸引機構110清掃處理容器30內的載置台31(步驟S103)。
於清掃結束後，將更換用的邊緣環ER搬入至處理容器30內(步驟S104)。
其後，校正邊緣環ER的位置(步驟S105)。
其次，參考圖9A、圖9B及圖10，說明將邊緣環ER從處理容器30搬出並清掃載置台31時的動作的一例。圖9A及圖9B係用以說明將邊緣環ER從處理容器30搬出並清掃載置台31時的動作的一例的圖。圖10係顯示清掃載置台31之處理的一例的流程圖。又，圖10相當於圖8中之步驟S103的處理。
於將邊緣環ER從處理容器30搬出時，製程模組PM的閘閥G開啟。藉此，真空搬運室11和製程模組PM(處理容器30)經由搬運口11a及閘門84而連通。當真空搬運室11和處理容器30連通，則第2升降銷從載置台31突出，以使邊緣環ER配置於載置台31的上方。搬運機構15藉由支持部15c，使臂部15a的前端的叉部15b移動至與閘門84對應的高度。搬運機構15使臂部15a往搬運口11a側伸長，經由搬運口11a使叉部15b移動至邊緣環ER的下方。當第2升降銷下降，則如圖9A所示，搬運機構15以叉部15b接收支持於第2升降銷上的邊緣環ER。搬運機構15於固持邊緣環ER的狀態下使臂部15a收縮，而將邊緣環ER從處理容器30搬出。
其次，搬運機構15使固持邊緣環ER的叉部15b移動至與保管室ST的空出的下段側的支持台對應之高度。搬運機構15使臂部15a往保管室ST側旋轉，而將邊緣環ER移動至空出的下段側的支持台的上方。搬運機構15使臂部15a下降，而將邊緣環ER收納於空出的下段側的支持台。
其次，機器臂部111藉由支持部122使臂部121的前端的頭部123移動至與閘門84對應的高度。如圖9B所示，機器臂部111使臂部121往搬運口11a側伸長，經由搬運口11a使頭部123靠近載置台31。如圖10所示，拍攝部11從上方拍攝載置台31，並將所得的拍攝圖像輸出至控制部10(步驟S111)。亦即，拍攝部115將拍攝靜電吸盤36的載置面36d、外周面36e及ER載置面36f等所得的拍攝圖像輸出至控制部。控制部10藉由將拍攝圖像與事先拍攝已清掃完畢或全新的載置台31所得的基準圖像加以比較，而檢測載置台31上有無附著物(步驟S112)。控制部10於從拍攝圖像檢測到附著物的情況時(步驟S113：是)，使吸引口112移動至附著物的位置，並控制閥131B，開始進行利用吸引口112的吸引。藉此，利用吸引口112吸引載置台31上的附著物(亦即，殘留於靜電吸盤36的載置面36d、外周面36e及ER載置面36f等的附著物)(步驟S114)。例如，於載置台31上載置邊緣環ER的狀態下實施乾式清洗的情況時，反應產生物未被完全去除而作為附著物殘留於靜電吸盤36的外周面。於此情況時，控制部10例如從吸引口112吸引殘留於靜電吸盤36的外周面的附著物。
又，吸引口112亦可於將惰性氣體從噴淋頭46供給至處理容器30內以保持處理容器30內和真空搬運室11內部的壓力之狀態下，吸引載置台31上的附著物。作為惰性氣體，可使用例如Aｒ、N2或乾空氣等。又，惰性氣體的供給來源不限於噴淋頭46，例如亦可係於將處理容器30內暴露於大氣時供給氣體之吹掃埠(未圖示)。又，吸引口112亦可於從真空搬運室11的氣體供給部將惰性氣體供給至真空搬運室11內的狀態下，吸引載置台31上的附著物。再者，吸引口112亦可於將惰性氣體供給至處理容器30內及真空搬運室11內二者的狀態下，吸引載置台31上的附著物。
控制部10於進行來自吸引口112的吸引時，監視從測量器132所得的各既定粒子徑級距的微粒子的數量和總微粒子數是否為預定閾值以下。控制部10於微粒子的數量為預定閾值以下的情況時，控制閥131B，以停止從吸引口112的吸引。
當停止從吸引口112的吸引，則拍攝部115再次從上方拍攝載置台31，並將所得的拍攝圖像輸出至控制部10(步驟S115)。控制部10藉由將拍攝圖像與事先拍攝已清掃完畢或全新的載置台31所得的基準圖像加以比較，而檢測載置台31上有無附著物(步驟S116)。控制部10於從拍攝圖像再次檢測到附著物的情況時(步驟S117：是)，則控制閥131B，而開始進行利用吸引口112的吸引。此時，供給口113對載置台31供給氣體(步驟S118)。吸引口112將附著物與從供給口113所供給的氣體一同吸引。控制部10於從測量器132所得的各既定的粒子徑級距的微粒子的數量和總微粒子數為閾值以下的情況時，控制閥131B以停止從吸引口112的吸引。
當停止從吸引口112的吸引，則拍攝部115再次從上方拍攝載置台31，並將所得的拍攝圖像輸出至控制部10(步驟S119)。控制部10藉由將拍攝圖像與事先拍攝已清掃完畢或全新的載置台31所得的基準圖像加以比較，而檢測載置台31上有無附著物(步驟S120)。控制部10於從拍攝圖像再次檢測到附著物的情況時(步驟S121：是)，則控制閥131B，而開始進行利用吸引口112的吸引。此時，照射部114對載置台31照射電漿、雷射、或電漿及雷射二者，以將附著物從載置台31去除(步驟S122)。吸引口112吸引從載置台31所去除的附著物。又，控制部10亦可於以照射部114對載置台31照射電漿和雷射中之一者或二者後，利用吸引口112吸引附著物。控制部10於從測量器132所得的微粒子的數量為閾值以下的情況時，控制閥131B，以停止從吸引口112的吸引。
當停止從吸引口112的吸引，則拍攝部115再次從上方拍攝載置台31，並將所得的拍攝圖像輸出至控制部10(步驟S123)。控制部10藉由將拍攝圖像與事先拍攝已清掃完畢或全新的載置台31所得的基準圖像加以比較，而檢測載置台31上有無附著物(步驟S124)。控制部10於從拍攝圖像再次檢測到附著物的情況時(步驟S125：是)，對基板處理系統1的操作員發出警告通知(步驟S126)。收到警告通知的操作員，使處理容器30暴露於大氣中，並進行包含載置台31的清掃作業的維護。
又，於從拍攝圖像未檢測到附著物的情況時(步驟S113：否，步驟S117：否，步驟S121：否，步驟S125：否)，控制部10結束清掃載置台31的處理。以如上方式，將載置台31加以清掃。
機器臂部111於載置台31的清掃結束時，使臂部121收縮，以使吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115返回至真空搬運室11內的原本的位置。
其次，參考圖11A～圖11D，說明將更換用的邊緣環ER搬入至處理容器30內時的動作的一例。圖11A～圖11D係用以說明將邊緣環ER搬入至處理容器30內時的動作的一例的圖。圖12係顯示校正搬入後的邊緣環ER的位置之處理的一例的流程圖。又，圖12相當於圖8中之步驟S105的處理。
於將更換用的邊緣環ER搬入至處理容器30內的情況時，搬運機構15使叉部15b移動至與保管室ST的載置更換用的邊緣環ER的上段側的支持台對應的高度。搬運機構15使臂部15a往更換用的邊緣環ER側旋轉，並以叉部15b固持更換用的邊緣環ER。搬運機構15於固持更換用的邊緣環ER的狀態下使臂部15a往閘門84側旋轉。
其次，搬運機構15使叉部15b移動至與閘門84對應的高度。搬運機構15如圖11A的虛線所示，使臂部15a往搬運口11a側伸長，經由搬運口11a及閘門84將更換用的邊緣環ER往載置台31的上方搬運。
當固持更換用的邊緣環ER之叉部15b到達載置台31的上方，則未圖示的第2升降銷從載置台31突出，而將更換用的邊緣環ER從叉部15b傳遞至第2升降銷。當更換用的邊緣環ER從叉部15b傳遞至第2升降銷，則搬運機構15使臂部15a收縮，而使叉部15b返回至真空搬運室11的原本的位置。支持更換用的邊緣環ER的第2升降銷下降，使更換用的邊緣環ER載置於載置台31的外周部上。
其次，如圖11B所示，機器臂部111使頭部123移動至與閘門84對應的高度。機器臂部111使臂部121往搬運口11a側伸長，經由搬運口11a及閘門84使頭部123靠近載置台31。如圖12所示，拍攝部115針對周向的複數位置分別拍攝更換用的邊緣環ER和載置台31的靜電吸盤36之間的間隙(步驟S131)。例如，拍攝部115於在載置台31的圓周方向以均等間隔設定的複數拍攝位置，依序拍攝更換用的邊緣環ER和載置台31的靜電吸盤36之間的間隙。
圖13係顯示拍攝部115中之拍攝位置的一例的圖。圖13相當於從上方觀察更換用的邊緣環ER及載置台31的靜電吸盤36所得之俯視圖。圖13中，載置台31的載置面36d係顯示為圓板狀，且將更換用的邊緣環ER成環狀地顯示於載置面36d的周圍。拍攝部115中之拍攝位置P，係對於載置台31的圓周方向，每隔90度的角度以均等間隔設置4個。又，拍攝位置亦可對於載置台31的圓周方向設定為3個以下，亦可設定為5個以上。又，拍攝部115亦可總括地拍攝更換用的邊緣環ER和載置台31的靜電吸盤36之間的間隙。
回到圖11B。拍攝部115將針對周向的複數位置分別拍攝更換用的邊緣環ER和載置台31的靜電吸盤36之間的間隙所得的拍攝圖像，輸出至控制部10。如圖12所示，控制部10將拍攝圖像與事先拍攝無偏差的狀態下的邊緣環ER所得的校正用基準圖像加以比較(步驟S132)，並針對周向的複數位置分別計算間隙的寬度與基準寬度的偏差量(步驟S133)。所謂基準寬度，例如係於更換用的邊緣環ER的中心和靜電吸盤36的中心一致時所事先測定的間隙的寬度。
其次，控制部10判定算出的偏差量是否於容許值內(步驟S134)。控制部10於算出的偏差量為容許值外的情況時(步驟S134：否)，控制搬運機構15，以與偏差量相等的量，校正更換用的邊緣環ER的位置(步驟S135)。亦即，當未圖示的第2升降銷從載置台31突出而使更換用的邊緣環ER配置於載置台31的上方，則搬運機構15使叉部15b移動至與閘門84對應的高度。接著，搬運機構15使臂部15a往搬運口11a側伸長，經由搬運口11a使叉部15b移動至更換用的邊緣環ER的下方。當第2升降銷下降，則如圖11C所示，搬運機構15以叉部15b接收支持於第2升降銷上的更換用的邊緣環ER。搬運機構15以所算出的偏差量為0的方式，使臂部15a於固持更換用的邊緣環ER的狀態下於水平方向移動。當更換用的邊緣環ER移動而偏差量為0，則第2升降銷從載置台31突出，而將更換用的邊緣環ER從叉部15b傳遞至第2升降銷。當將更換用的邊緣環ER從叉部15b傳遞至第2升降銷，則搬運機構15使臂部15a收縮，而使叉部15b返回至真空搬運室11內的原本的位置。支持更換用的邊緣環ER的第2升降銷下降，使更換用的邊緣環ER載置於載置台31的外周部上。控制部10亦可於將偏差量加以校正後，使處理返回至步驟S131，藉由拍攝部115拍攝更換用的邊緣環ER和載置台31的靜電吸盤36之間的間隙，並確認偏差量是否於容許值內(步驟S131～S134)。又，控制部10亦可於偏差量為容許值外的情況時，再次以如上方式進行校正，以使更換用的邊緣環ER的偏差量為0(步驟S135)。
又，於所算出的偏差量於容許值內的情況時(步驟S134：是)，控制部10使處理結束。藉此，將更換用的邊緣環ER搬入至處理容器30內之動作結束。
當將更換用的邊緣環ER搬入至處理容器30內之動作結束後，則機器臂部111藉由支持部122使臂部121的前端的頭部123移動至與閘門84對應的高度。機器臂部111如圖11D所示，使臂部121往搬運口11a側伸長，經由搬運口11a使頭部123靠近閘門84。其後，機器臂部111、吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115，以與清掃載置台31時相同的順序動作而清掃閘門84。
以上，針對將更換用的邊緣環ER搬入至處理容器30內時的動作加以說明，但不限於更換用的邊緣環ER，針對將從製程模組PM暫時搬出而退避至保管室ST的支持台的邊緣環ER再次搬入至處理容器30內時的動作，亦相同。
(變形例) 於上述實施形態中，係說明清掃作為處理容器30內的對象物之載置台31的情況，但基板處理系統1亦可清掃真空預備模組LLM內的對象物。真空預備模組LLM內的對象物，可為例如載置晶圓W的平台。圖14係顯示清掃真空預備模組LLM內的平台時的動作的一例的圖。真空預備模組LLM具有與空搬運室11連通的開口151a、及與常壓搬運室12連通的開口151b。於與真空搬運室11的開口151a及與常壓搬運室12連通的開口151b，各自裝設有閘閥G。於真空預備模組LLM內設有載置晶圓W的平台150。於清掃真空預備模組LLM內的平台150的情況時，使真空搬運室11側的閘閥G及常壓搬運室12側的閘閥G二者關閉，同時使真空預備模組LLM真空排氣。於真空預備模組LLM成為既定真空度的狀態下，換言之，於將真空預備模組LLM的環境切換成真空環境的狀態下，使真空搬運室11側的閘閥G開啟。如圖14所示，藉由真空搬運室11側的閘閥G開啟，真空搬運室11的搬運口11b與真空預備模組LLM連通。吸引機構110經由搬運口11b而吸引真空預備模組LLM內的平台150的附著物。亦即，吸引機構110的機器臂部111、吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115，以與清掃載置台31時相同的順序動作，清掃真空預備模組LLM內的平台150。
又，基板處理系統1亦可清掃真空搬運室11的底面。圖15係顯示清掃真空搬運室11的底面11c時的動作的一例的圖。真空搬運室11具有從真空搬運室11的底面11c凹陷的凹陷部11d。吸引機構110配置於凹陷部11d，並吸引真空搬運室11的底面11c的附著物。亦即，如圖15所示，吸引機構110的機器臂部111使頭部123移動至與真空搬運室11的底面11c對應的高度。其後，機器臂部111、吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115，以與清掃載置台31時相同的順序動作，清掃真空搬運室11的底面11c。
如此，實施形態的基板處理系統(例如，基板處理系統1)具有：基板處理裝置(例如，製程模組PM)、真空搬運室(例如，真空搬運室11)、搬運機構(例如，搬運機構15)、吸引機構(例如，吸引機構110)及控制部(例如，控制部10)。基板處理裝置具有對基板(例如，晶圓W)執行真空處理的真空處理室(例如，處理容器30)。真空搬運室連結於真空處理室且具有與真空處理室連通的搬運口(例如，搬運口11a)。搬運機構配置於真空搬運室，並經由搬運口搬運基板。吸引機構配置於真空搬運室，並經由搬運口吸引真空處理室內的組件(例如，載置台31)的附著物。控制部控制搬運機構及吸引機構。藉此，基板處理系統可在不暴露於大氣環境的前提下高效率地清掃真空處理室內。
又，控制部進行控制，以使吸引機構經由搬運口而進入至真空處理室，並藉由吸引機構吸引真空處理室內的組件的附著物。藉此，基板處理系統可在不暴露於大氣環境的前提下高效率地清掃真空處理室內。
又，吸引機構具有臂部(例如，機器臂部111)、及設於臂部的前端的吸引口(例如，吸引口112)。控制部進行控制，以使設於臂部的前端的該吸引口經由該搬運口而進入至該真空處理室，並從該吸引口吸引真空處理室內的組件的附著物，藉此，可藉由吸引口於真空處理室內的對象物附近吸引附著物。
又，控制部進行控制，以於吸引附著物時，對真空處理室內和真空搬運室內中之一者或二者供給惰性氣體。藉此，可藉由吸引口將附著物與惰性氣體一同吸引。
又，吸引機構更具有設於臂部的前端的供給口(例如，供給口113)。供給口朝著真空處理室內的組件供給氣體。藉此，可於利用惰性氣體將附著物從真空處理室內的對象物吹除之同時，藉由吸引口將附著物與惰性氣體一同吸引。
又，吸引機構更具有設於臂部的前端的照射部(例如，照射部114)。照射部朝著真空處理室內的組件照射電漿和雷射中之一者或二者。藉此，可藉由吸引口吸引從真空處理室內的對象物所去除的附著物。
又，吸引機構更具有設於臂部的前端的拍攝部(例如，拍攝部115)。拍攝部拍攝真空處理室內的組件。藉此，可得到用於檢測有無附著物的拍攝圖像。
又，基板處理系統更包含：閥(例如，閥131B)，設於將吸引口和排氣裝置(例如，排氣裝置131)加以連接的排氣管(例如，排氣管131A)；及測量器(例如，測量器132)，測量流通於排氣管內的微粒子的數量。於以測量器所測量的微粒子的數量為預定閾值以下的情況時，控制部控制閥，以停止從吸引口的吸引。藉此，可於適切時機停止從吸引口的吸引。
又，組件係載置台(例如，載置台31)，該載置台具有：載置基板的第1載置部(例如，靜電吸盤36)、及成環狀地設於該第1載置部的外側凹部且載置邊緣環(例如，邊緣環ER)的第2載置部(例如，外周部)。控制部進行控制，以於基板已由搬運機構搬出的狀態下，吸附載置台的第1載置部的附著物。藉此，可清掃伴隨著基板的搬出而露出之載置台的載置部。
又，控制部進行控制，以於邊緣環已由搬運機構搬出的狀態下，吸引至少載置台的第2載置部的附著物。藉此，可清掃伴隨著邊緣環的搬出而露出之載置台的載置部的外周面。
又，控制部於搬運機構經由搬運口將邊緣環搬入至真空處理室內並載置於載置台的第2載置部之後，藉由設於臂部的前端的拍攝部(例如，拍攝部115)，針對周向的複數位置分別拍攝邊緣環和載置台的第1載置部之間的間隙。藉此，可得到用以校正載置於載置台的第2載置部的更換用的邊緣環的位置之拍攝圖像。
又，控制部10根據拍攝所得的拍攝圖像，針對周向的複數位置分別計算間隙的寬度和基準寬度的偏差量，根據偏差量控制搬運機構。藉此，可校正更換用的邊緣環的位置。
又，基板處理系統更具有：連結於真空搬運室，且於真空環境和常壓環境間切換環境之真空預備室(例如，真空預備模組LLM)。真空搬運室具有可與真空預備室連通的搬運口(例如，搬運口11b)。控制部進行控制，以於將真空預備室的環境切換成真空環境的狀態下，使吸引機構經由搬運口而進入至真空預備室，並吸引真空預備室內之至少載置基板的平台的附著物。藉此，基板處理系統可在不暴露於大氣環境的前提下高效率地清掃真空預備室內。
又，真空搬運室具有從真空搬運室的底面(例如，底面11c)凹陷的凹陷部(例如，凹陷部11d)，吸引機構配置於凹陷部，控制部吸引真空搬運室的底面的附著物。藉此，基板處理系統可在不暴露於大氣環境的前提下高效率地清掃真空搬運室的底面。
(其他) 於上述實施形態中，係以清掃作為處理容器30內的對象物之載置台31的情況為例進行說明，但所揭技術不限於此。只要是位於處理容器30內的組件即可，基板處理系統1亦可清掃載置台31以外的組件。又，控制部10亦可將藉由拍攝部115拍攝處理容器30內的組件所得的拍攝圖像與拍攝全新的組件所得的拍攝圖像加以比較，根據表面狀態、形狀及尺寸中之至少1者，而判定處理容器30內的組件的異常。又，控制部10亦可於判定處理容器30內的組件產生異常的情況時，輸出組件更換指示。
又，於上述實施形態中，作為消耗組件，係以將邊緣環ER加以更換的情況為例進行說明，但所揭技術不限於此。更換對象的消耗組件，除了邊緣環ER之外，可為配置於邊緣環ER的外周側的蓋環(未圖示)等，亦可為能藉由機器臂部等搬運機構而搬入至處理容器30內及從處理容器30搬出的任意組件。
又，於上述實施形態中，拍攝部115亦可構成為能取得立體圖像。作為該拍攝部115，可使用例如3D掃描器等。又，拍攝部115亦可藉由比較所取得的立體圖像和基準圖像而檢測附著物。
又，於上述實施形態中，亦可以從供給口113所供給的氣體在載置台31反射的方向和利用吸引口112吸引附著物的方向為一致的方式，將吸引口112及供給口113設於頭部123的底面。
又，於上述實施形態中，供給口113亦可供給乾冰以取代氣體，或將乾冰與氣體一起供給。於此情況時，載置台31的附著物，利用與乾冰的衝撞而被去除，同時被吸引口112所吸引。
又，於上述實施形態中，供給口113亦可供給化學液以取代氣體，或將化學液與氣體一起供給。於此情況時，載置台31的附著物被化學液所溶解，且與化學液一起被吸引口112所吸引。作為化學液，可使用例如酒精。
又，於上述實施形態中，吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115，亦可構成為能對頭部123的底面進行裝卸。
又，於上述實施形態中，吸引口112、供給口113、照射部114及拍攝部115的配置位置亦可替換。
又，於上述實施形態中，亦可於使真空搬運室11和處理容器30連通而進行清掃時，調節真空搬運室11內的壓力及處理容器30內的壓力以使處理容器30內的處理氣體不會往真空搬運室11側漏出。例如，可使真空搬運室11內的壓力高於處理容器30內的壓力。
又，於上述實施形態中，亦可於真空搬運室11內設置自走式的清掃機器人。自走式的清掃機器人可清掃真空搬運室11內，亦可從能自走的本體部使搭載清掃設備的臂部進入至處理容器30內，並使用清掃設備進行處理容器30內的清掃。
又，此次所揭示的實施形態於各方面應視為例示而非以此為限。上述實施形態於不超出附加請求範圍及其主旨下，可以各種形態進行省略、置換或變更。
1:基板處理系統 10:控制部 11:真空搬運室 11a:搬運口 11b:搬運口 11c:底面 11d:凹陷部 12:常壓搬運室 15:搬運機構 15a:臂部 15b:叉部 15c:支持部 15d:軌條 30:處理容器 30a:接地導體 31:載置台 33:基座 33b:導熱流體入口配管 33c:導熱流體出口配管 33d:流路 34:支持台 36:靜電吸盤 36a:電極 36b:絕緣體 36c:加熱器 36d:載置面 36e:外周面 36f:ER載置面 36g,36h:電極 37:內壁構件 40a:射頻電源 40b:射頻電源 41a:匹配器 41b:匹配器 42:直流電源 45:處理氣體供給源 45a:氣體供給配管 45b:質量流量控制器 46:噴淋頭 46a:本體部 46b:上部頂板 46c:氣體擴散室 46d:氣體流通孔 46e:氣體導入孔 46g:氣體導入口 47:絕緣性構件 48a:低通濾波器 48b:可變直流電源 48c:通斷開關 50:供電棒 81:排氣口 82:排氣管 83:排氣裝置 84:閘門 86:防沉積遮蔽構件 110:吸引機構 111:機器臂部 112:吸引口 113:供給口 114:照射部 115:拍攝部 121:臂部 122:支持部 123:頭部 123a:轉動軸 131:排氣裝置 131A:排氣管 131B:閥 132:測量器 150:平台 151a:開口 151b:開口 ER:邊緣環 G:閘閥 LLM,LLM1,LLM2:真空預備模組 LP1~LP4:裝載埠 P:拍攝位置 PM,PM1~PM5:製程模組 S101~S105,S111~S126,S131~S135:步驟 ST:保管室 V2:開閉閥 W:晶圓
[圖1]圖1係實施形態的基板處理系統的概略構成圖。 [圖2]圖2係概略顯示實施形態的基板處理系統所具有的製程模組的一例的圖。 [圖3]圖3係顯示實施形態的真空搬運室的內部構成的一例的縱剖面圖。 [圖4]圖4係顯示實施形態的吸引機構的細節的圖。 [圖5]圖5係顯示實施形態的吸引口、供給口、照射部及拍攝部的配置的一例的圖。 [圖6]圖6係顯示實施形態的吸引口、供給口、照射部及拍攝部的配置的其他例的圖。 [圖7]圖7係顯示實施形態的變形例的頭部的構成的圖。 [圖8]圖8係顯示實施形態的基板處理系統的處理動作的一例的流程圖。 [圖9A]圖9A係用以說明將邊緣環從處理容器搬出並清掃載置台時的動作的一例的圖。 [圖9B]圖9B係用以說明將邊緣環從處理容器搬出並清掃載置台時的動作的一例的圖。 [圖10]圖10係顯示清掃載置台之處理的一例的流程圖。 [圖11A]圖11A係用以說明將邊緣環搬入至處理容器內時的動作的一例的圖。 [圖11B]圖11B係用以說明將邊緣環搬入至處理容器內時的動作的一例的圖。 [圖11C]圖11C係用以說明將邊緣環搬入至處理容器內時的動作的一例的圖。 [圖11D]圖11D用以說明將邊緣環搬入至處理容器內時的動作的一例的圖。 [圖12]圖12係顯示校正搬入後的邊緣環的位置之處理的一例的流程圖。 [圖13]圖13係顯示拍攝部中之拍攝位置的一例的圖。 [圖14]圖14係顯示清掃真空預備模組內的平台時的動作的一例的圖。 [圖15]圖15係顯示清掃真空搬運室的底面時的動作的一例的圖。
1:基板處理系統
10:控制部
11:真空搬運室
12:常壓搬運室
15:搬運機構
15a:臂部
15b:叉部
15c:支持部
15d:軌條
110:吸引機構
ER:邊緣環
G:閘閥
LLM1,LLM2:真空預備模組
LP1~LP4:裝載埠
PM1~PM5:製程模組
ST:保管室
W:晶圓

Claims (15)

  1. 一種基板處理系統，包含： 基板處理裝置，具有對基板執行處理的真空處理室； 真空搬運室，連結於該真空處理室，且具有可與該真空處理室連通的搬運口； 搬運機構，配置於該真空搬運室，且經由該搬運口搬運至少基板； 吸引機構，配置於該真空搬運室，且經由該搬運口吸引該真空處理室內的組件的附著物；及 控制部，控制該搬運機構及該吸引機構。
  2. 如請求項1所述之基板處理系統，其中， 該控制部進行控制，以使該吸引機構經由該搬運口進入至該真空處理室，並藉由該吸引機構吸引該真空處理室內的組件的附著物。
  3. 如請求項1或2所述之基板處理系統，其中， 該吸引機構具有臂部及設於該臂部的前端的吸引口， 該控制部進行控制，以使設於該臂部的前端的該吸引口，經由該搬運口進入至該真空處理室，並從該吸引口吸引該真空處理室內的組件的附著物。
  4. 如請求項3所述之基板處理系統，其中， 該控制部進行控制，以於吸引該附著物時，對該真空處理室內和該真空搬運室內中之一者或二者供給惰性氣體。
  5. 如請求項3所述之基板處理系統，其中， 該吸引機構更具有設於該臂部的前端的供給口， 該控制部進行控制，以於從該吸引口吸引該真空處理室內的組件的附著物時，從該供給口朝著該真空處理室內的組件供給氣體。
  6. 如請求項3所述之基板處理系統，其中， 該吸引機構更具有設於該臂部的前端的照射部， 該控制部進行控制，以於從該吸引口吸引該真空處理室內的組件的附著物時，從該照射部朝著該真空處理室內的組件照射電漿和雷射中之一者或二者。
  7. 如請求項3所述之基板處理系統，其中， 該吸引機構更具有設於該臂部的前端的拍攝部， 該控制部進行控制，以使該拍攝部拍攝該真空處理室內的組件，並根據拍攝結果從該吸引口吸引組件的附著物。
  8. 如請求項3所述之基板處理系統，更包含： 閥，設於將該吸引口和排氣裝置加以連接的排氣管；及 測量器，測量流通於該排氣管內的微粒子的數量； 該控制部於以該測量器所測量的微粒子的數量為預定閾值以下的情況時，控制該閥，以停止從該吸引口的吸引。
  9. 如請求項3所述之基板處理系統，其中， 該組件係載置台，該載置台具有載置基板的第1載置部、及成環狀地設於該第1載置部的外側凹部且載置邊緣環的第2載置部， 該控制部進行控制，以於已藉由該搬運機構將該基板搬出的狀態下，吸引該載置台的第1載置部的附著物。
  10. 如請求項9所述之基板處理系統，其中， 該控制部進行控制，以於已藉由該搬運機構將該邊緣環搬出的狀態下，吸引至少該載置台的第2載置部的附著物。
  11. 如請求項10所述之基板處理系統，其中， 該控制部進行控制，以於該搬運機構經由該搬運口將邊緣環搬入至該真空處理室內並載置於該載置台的第2載置部之後，藉由設於該臂部的前端的拍攝部，針對周向的複數位置分別拍攝該邊緣環和該載置台的第1載置部之間的間隙。
  12. 如請求項11所述之基板處理系統，其中， 該控制部根據拍攝所得的拍攝圖像，針對周向的複數位置分別計算該間隙的寬度和基準寬度的偏差量，並根據該偏差量控制該搬運機構。
  13. 如請求項1所述之基板處理系統，更包含： 真空預備室，連結於該真空搬運室，且於真空環境和常壓環境之間切換環境； 該真空搬運室具有可與該真空預備室連通的搬運口， 該控制部進行控制，以於將該真空預備室的環境切換成真空環境的狀態下，使該吸引機構經由該搬運口進入至該真空預備室，並吸引載置該真空預備室內之至少基板的平台的附著物。
  14. 如請求項1所述之基板處理系統，其中， 該真空搬運室具有從該真空搬運室的底面凹陷的凹陷部， 該吸引機構係配置於該凹陷部， 該控制部進行控制，以吸引該真空搬運室的底面的附著物。
  15. 一種維護方法，係基板處理系統的維護方法，該基板處理系統包含： 基板處理裝置，具有對基板執行處理的真空處理室； 真空搬運室，連結於該真空處理室，且具有可與該真空處理室連通的搬運口； 搬運機構，配置於該真空搬運室，且經由該搬運口將基板加以搬入及搬出；及 吸引機構，配置於該真空搬運室，且經由該搬運口吸引該真空處理室內的組件的附著物； 該維護方法包含下述步驟： 使該吸引機構經由該搬運口而進入至該真空處理室，及 藉由該吸引機構吸引該真空處理室內的組件的附著物。
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